KR20160071174A - Flexible conductive substrate and touch screen panel comprising the same - Google Patents

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KR20160071174A
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임민호
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a flexible conductive substrate and, more specifically, to a flexible conductive substrate having excellent durability, even if bending fatigue is applied thereto, as a separation protection layer and an insulation layer satisfy a front-end stress change rate and a tension elasticity rate within a certain range.

Description

유연 전도성 기판 및 이를 포함하는 터치 스크린 패널{FLEXIBLE CONDUCTIVE SUBSTRATE AND TOUCH SCREEN PANEL COMPRISING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a flexible conductive substrate and a touch screen panel including the flexible conductive substrate.

본 발명은 유연 전도성 기판에 관한 것이다.
The present invention relates to a flexible conductive substrate.

터치스크린 패널은 영상표시장치 등의 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치이다.The touch screen panel is an input device that allows a user to input a command by selecting an instruction displayed on a screen of a video display device or the like as a human hand or an object.

이를 위해, 터치스크린 패널은 영상표시장치의 전면(front face)에 구비되어 사람의 손 또는 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다. 이에 따라, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여진다.To this end, the touch screen panel is provided on the front face of the image display device and converts the contact position, which is in direct contact with a human hand or an object, into an electrical signal. Thus, the instruction content selected at the contact position is accepted as the input signal.

이와 같은 터치스크린 패널은 키보드 및 마우스와 같이 영상표시장치에 연결되어 동작하는 별도의 입력장치를 대체할 수 있기 때문에 그 이용 범위가 점차 확장되고 있는 추세이다.Such a touch screen panel can be replaced with a separate input device connected to the image display device such as a keyboard and a mouse, and thus the use range thereof is gradually expanding.

터치스크린 패널을 구현하는 방식으로는 저항막 방식, 광감지 방식 및 정전용량 방식 등이 알려져 있으며, 이중 정전용량 방식의 터치스크린 패널은, 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 도전성 센싱패턴이 주변의 다른 센싱패턴 또는 접지전극 등과 형성하는 정전용량의 변화를 감지함으로써, 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다.The touch screen panel is known as a resistive film type, a light sensing type, and a capacitive type. Among the capacitive touch screen panels, a conductive sensing pattern is formed when a human hand or an object is contacted, The contact position is converted into an electrical signal by detecting a change in capacitance formed with another sensing pattern or a ground electrode or the like.

이와 같은 터치스크린 패널은 일반적으로 액정표시장치, 유기전계 발광 표시장치와 같은 평판표시장치의 외면에 부착되어 제품화되는 경우가 많다. 따라서, 상기 터치스크린 패널은 높은 투명도 및 얇은 두께의 특성이 요구된다.Such a touch screen panel is generally attached to the outer surface of a flat panel display device such as a liquid crystal display device or an organic light emitting display device and is often commercialized. Therefore, the touch screen panel requires high transparency and thin thickness characteristics.

또한, 최근 들어 플렉서블한 평판표시장치가 개발되고 있는 추세이며, 이 경우 상기 플렉서블 평판표시장치 상에 부착되는 터치스크린 패널 역시 플렉서블한 특성이 요구된다.In addition, in recent years, a flexible flat panel display has been developed, and in this case, the touch screen panel attached on the flexible flat panel display also needs a flexible characteristic.

그러나, 이러한 플렉서블 디스플레이에 사용되는 터치 모듈도 다층 구조를 이루게 되므로, 적층되는 구조 또는 각 층의 소재에 따라 휘거나 구부리는 외부 변형에 의해 크랙이 발생하고, 절연층, 분리층, 보호층 등의 기능층을 구비하여 박막화가 어렵다는 문제점이 있다.However, since the touch module used in such a flexible display also has a multi-layer structure, a crack is generated due to a laminated structure or external deformation due to bending or bending depending on the material of each layer, There is a problem that it is difficult to form a thin film by providing a functional layer.

한국공개특허 제2014-0114257호에는 터치패널센서용 적층필름이 개시되어 있다.
Korean Patent Laid-Open Publication No. 2014-0114257 discloses a laminated film for a touch panel sensor.

한국공개특허 제2014-0114257호Korea Patent Publication No. 2014-0114257

본 발명은 휘거나 구부리는 외부 힘에 의한 변형에도 우수한 내구성을 가지는 유연 전도성 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a flexible conductive substrate having excellent durability even when deformed by bending or bending external force.

또한, 본 발명은 분리층과 보호층이 일체화되어 박막화가 가능한 유연 전도성 기판을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
Another object of the present invention is to provide a flexible conductive substrate which can be thinned by integrating the separation layer and the protective layer.

1. 분리보호층;1. separation protective layer;

상기 분리보호층 상에 형성된 전도성 패턴층;A conductive pattern layer formed on the isolation protective layer;

상기 전도성 패턴층 상에 형성된 절연층;을 포함하고,And an insulating layer formed on the conductive pattern layer,

상기 분리보호층 및 절연층은 각각 인장 탄성률은 2 내지 10 MPa이고 상온(15 내지 30℃)에서 경화 초기 및 경화 5시간 후 전단 응력 변화율이 40 내지 95 %인, 유연(Flexible) 전도성 기판.Wherein the separation protective layer and the insulating layer each have a tensile elastic modulus of 2 to 10 MPa and a shear stress change rate of 40 to 95% at an initial temperature of 15 to 30 DEG C and after 5 hours of curing.

2. 위 1에 있어서, 상기 분리보호층 및 절연층의 인장 탄성률은 2 내지 7 MPa인, 유연(Flexible) 전도성 기판.2. The Flexible conductive substrate according to 1 above, wherein the separation protective layer and the insulating layer have a tensile elastic modulus of 2 to 7 MPa.

3. 위 1에 있어서, 상기 분리보호층 및 절연층의 전단 응력 변화율은 50 내지 95 %인, 유연(Flexible) 전도성 기판.3. The Flexible conductive substrate according to 1 above, wherein the shear stress change rate of the separation protective layer and the insulating layer is 50 to 95%.

4. 위 1에 있어서, 청구항 1에 있어서, 상기 분리보호층 및 절연층은 유리 기판에 대한 박리력이 5N/25㎜ 이하인, 유연(Flexible) 전도성 기판.4. The Flexible conductive substrate according to claim 1, wherein the separation protective layer and the insulating layer have a peeling force of 5N / 25 mm or less on the glass substrate.

5. 위 1에 있어서, 상기 분리보호층 및 절연층의 두께는 0.02 내지 2 ㎛인, 유연(Flexible) 전도성 기판.5. The Flexible conductive substrate according to 1 above, wherein the thickness of the isolation protective layer and the insulating layer is 0.02 to 2 mu m.

6. 위 1에 있어서, 상기 분리보호층 및 절연층은 실록산 수지, 우레탄 수지 중 적어도 하나를 포함하여 제조된 것인, 유연(Flexible) 전도성 기판.6. The Flexible conductive substrate according to 1 above, wherein the separation protective layer and the insulating layer are made of at least one of a siloxane resin and a urethane resin.

7. 위 1에 있어서, 상기 전도성 패턴층은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 폴리(3.4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 탄소나노튜브(CNT), 금속 와이어 및 금속 메쉬로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 형성되는 전도성 패턴을 포함하는, 유연(Flexible) 전도성 기판.7. The conductive pattern layer of claim 1, wherein the conductive pattern layer is selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO) Wherein the conductive pattern comprises a conductive pattern formed of at least one selected from the group consisting of PEDOT, carbon nanotube (CNT), metal wire, and metal mesh.

8. 위 1 내지 7 중 어느 한 항의 유연 전도성 기판을 구비한 플렉서블 터치 스크린 패널.8. A flexible touch screen panel comprising the flexible conductive substrate of any one of claims 1 to 7.

9. 위 8의 플렉서블 터치 스크린 패널을 구비한 화상표시장치.
9. An image display device having the flexible touch screen panel of the above 8.

본 발명의 유연 전도성 기판은 외부 힘에 의한 변형이 있더라도 크랙의 발생이 감소되어 내구성이 뛰어나다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The flexible conductive substrate of the present invention is excellent in durability due to reduced occurrence of cracks even when deformed by an external force.

또한, 본 발명의 유연 전도성 기판은 분리층과 보호층이 일체화된 박막 구조를 가짐으로써 박막의 플렉서블 터치 패널을 구현할 수 있다.
In addition, the flexible conductive substrate of the present invention has a thin film structure in which the separation layer and the protection layer are integrated, so that a thin flexible touch panel can be realized.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유연 전도성 기판의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 굴곡 피로에 대한 크랙 밀도(Crack Density) 평가 방법을 개략적으로 도시한 것이다.
1 is a schematic cross-sectional view of a flexible conductive substrate according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 schematically shows a method of evaluating crack density for bending fatigue.

본 발명은 유연 전도성 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 분리보호층; 상기 분리보호층 상에 형성된 전도성 패턴층; 상기 전도성 패턴층 상에 형성된 절연층;을 포함하고, 상기 분리보호층 및 절연층은 각각 인장 탄성률은 2 내지 10 MPa이고 상온(15 내지 30℃)에서 경화 초기 및 경화 5시간 후 전단 응력 변화율이 40 내지 95%를 만족함으로써, 유연 전도성 기판의 내구성을 현저히 향상시켜, 굽히는 등의 외부 힘에 의한 변형에도 크랙의 발생이 감소되고, 박막화가 가능한 유연 전도성 기판에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flexible conductive substrate, and more particularly, A conductive pattern layer formed on the isolation protective layer; Wherein the separation protective layer and the insulating layer each have a tensile elastic modulus of 2 to 10 MPa and a shear stress change rate at an initial temperature of 15 to 30 DEG C and after 5 hours of curing The present invention relates to a flexible conductive substrate capable of reducing the occurrence of cracks even when deformation caused by external forces such as bending or the like is caused by significantly improving the durability of the flexible conductive substrate.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 도면을 참고하여 상세하게 설명하기로 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. And shall not be construed as limited to such matters.

<유연 전도성 기판><Flexible conductive substrate>

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유연 전도성 기판(100)의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
1 is a schematic cross-sectional view of a flexible conductive substrate 100 according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 유연 전도성 기판(100)은 분리보호층(110); 상기 분리보호층(110) 상에 형성된 전도성 패턴층(120); 상기 전도성 패턴층(120); 상에 형성된 절연층(130)을 포함한다.
The flexible conductive substrate 100 of the present invention includes an isolation protective layer 110; A conductive pattern layer 120 formed on the isolation protective layer 110; The conductive pattern layer 120; Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 130 &lt; / RTI &gt;

분리보호층(110)The separation protection layer 110

본 발명에 따른 분리보호층(110)은 전도성 패턴층(120)이 형성되는 기재 역할을 하는 것이다.The separation protection layer 110 according to the present invention serves as a substrate on which the conductive pattern layer 120 is formed.

플렉서블 디스플레이는 접거나 굽히거나 두루마리 형태로 변형되어 사용되게 되므로, 가볍고 얇고 내충격성이 강하며 굽힘이 자유로워야 한다. 그러나, 플렉서블 디스플레이에 사용되는 유연 기판이 과도하게 외부 굽힘 응력을 받는 경우, 구부러진 부분에서 크랙이 발생한다는 문제점이 있었다.Flexible displays are used as folded, curved or rolled, so they are lightweight, thin, resistant to impact, and free from bending. However, when the flexible substrate used in the flexible display is subjected to an excessive external bending stress, there is a problem that a crack is generated in the bent portion.

이에, 본 발명자는 분리보호층이 적정 인장 탄성율과 전단 응력 변화율을 가지는 경우, 이러한 크랙 발생을 현저히 감소시킬 수 있으며, 특히, 특정 조건에서 인장 탄성율과 전단 응력 변화율이 후술하는 범위를 만족하는 경우, 굽힘 응력에 의한 영향을 최소화 할 수 있음에 착안하여 본 발명을 안출하였다.The present inventors have found that when the separating protective layer has an appropriate tensile modulus and a shear stress change ratio, such cracking can be remarkably reduced, and in particular, when the tensile modulus and the shear stress change ratio satisfy the following range in a specific condition, So that the effect of the bending stress can be minimized.

구체적으로, 본 발명에 따른 분리보호층(110)은 상온(15 내지 30℃)에서 인장 탄성률은 2 내지 10 MPa이고 상온(15 내지 30℃)에서 경화 초기 및 경화 5시간 후 전단 응력 변화율이 40 내지 95%를 만족함으로써, 유연 전도성 기판(100)의 내구성을 현저히 향상시켜, 굽히는 등의 외부 힘에 의한 변형에도 크랙의 발생을 감소시킬 수 있다.Specifically, the separation protective layer 110 according to the present invention has a tensile elastic modulus of 2 to 10 MPa at room temperature (15 to 30 ° C) and a shear stress change rate of 40 To 95%, the durability of the flexible conductive substrate 100 can be remarkably improved, and the occurrence of cracks can be reduced even by deformation due to external force such as bending.

본 발명에 따른 분리보호층(110)의 인장 탄성률은 2 내지 10 MPa이며, 인장탄성률이 2 MPa미만이면 필름의 형성이 어려울 수 있고, 10 MPa초과이면 크랙 발생 가능성이 클 수 있다.The tensile elastic modulus of the separation protective layer 110 according to the present invention is 2 to 10 MPa. If the tensile elastic modulus is less than 2 MPa, the film may be difficult to form. If the tensile elastic modulus is more than 10 MPa,

또한, 분리보호층의(110)의 인장 탄성률은 바람직하게는 2 내지 7 MPa일 수 있다. 상온(15 내지 30℃)에서 측정된 분리보호층(110)의 인장 탄성률이 상기 범위를 만족하는 경우 휘거나 구부리는 외부 힘에 의한 변형에도 우수한 내구성을 나타낼 수 있다. In addition, the tensile modulus of the separating protective layer 110 may preferably be 2 to 7 MPa. When the tensile modulus of elasticity of the separable protective layer 110 measured at room temperature (15 to 30 ° C) satisfies the above range, excellent durability can be exhibited even when deformed by bending or bending external force.

전단 응력 변화율은 물체에 일정한 전단 응력(shear stress)을 가했을 때, 초기 응력에 대한 시간 t후의 응력의 백분율을 의미한다.Shear stress rate means the percentage of stress after time t for initial stress when a constant shear stress is applied to an object.

본 발명에 따른 전단 응력 변화율은 다음의 방법으로 측정될 수 있다. 기재 상에 분리보호층 조성물을 도포하고 경화시켜, 0.02㎛ 내지 2 ㎛, 바람직하게는 0.05 내지 1 ㎛의 두께로 분리보호층을 형성하고, 분리보호층을 기재로부터 분리하여 지름 15 내지 30mm의 원형으로 시편을 준비한다. 이후에 레오미터(예를 들어, Anton Paar사의 MCR-302)로 전단 응력 10MPa로 설정하여, 상기 시편에 대해 상온(15 내지 30℃)에서 초기 응력을 측정하고, 상온(15 내지 30℃)에서 5시간 방치 후의 응력을 측정하여 그 변화율을 얻을 수 있다.The shear stress change rate according to the present invention can be measured by the following method. A separating protective layer composition is applied on a substrate and cured to form a separating protecting layer with a thickness of 0.02 to 2 mu m, preferably 0.05 to 1 mu m, and the separating protecting layer is separated from the substrate to form a circular form having a diameter of 15 to 30 mm Prepare the specimen with. Thereafter, the shear stress was set to 10 MPa with a rheometer (for example, MCR-302 manufactured by Anton Paar), and the initial stress was measured at room temperature (15 to 30 ° C) The stress after the 5-hour standing can be measured to obtain the rate of change.

본 발명에 따른 분리보호층(110)이 상온(15 내지 30℃)에서 전단 응력 변화율이 40%미만인 경우, 굽힘에 의해 발생한 응력의 완화가 충분하지 않아 응력에 의해 유연 전도성 기판이 파단 혹은 크랙이 발생하는 문제가 발생할 수 있으며, 95%를 초과하는 경우, 응력 완화 성능은 우수하나 유연 전도성 기판 내부의 분리보호층의 들뜸이 발생하여 전도성을 발현하지 못하는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 전단 응력 변화율은 바람직하게는 50 내지 95 %일 수 있으며, 이 경우 휘거나 구부리는 외부 힘에 의한 변형에도 우수한 내구성을 나타낼 수 있다. In the case where the separation protective layer 110 according to the present invention has a shear stress change ratio of less than 40% at room temperature (15 to 30 占 폚), the stress generated by the bending is not sufficiently relaxed so that the flexible conductive substrate breaks or cracks However, if it exceeds 95%, the stress relaxation performance is excellent. However, there may occur a problem that the separation protective layer inside the flexible conductive substrate is lifted and the conductivity can not be expressed. In addition, the shear stress change ratio according to the present invention can be preferably 50 to 95%, and in this case, it can exhibit excellent durability even when deformed by bending or bending external force.

상기 분리보호층(110)의 인장 탄성률 및 전단 응력 변화율은 분리보호층의 두께, 분리보호층을 형성하는 분리보호층 형성 조성물의 성분, 함량 및 분리보호층 형성 공정(도포 및 경화 공정)의 조건 등을 조절하여 구현될 수 있다.The tensile elastic modulus and the shear stress change rate of the separation protective layer 110 are determined by the thickness of the separation protective layer, the composition and content of the separation protective layer forming composition forming the separation protective layer, and the conditions of the separation protective layer formation step (application and curing step) And the like.

분리보호층(110)의 두께는 본 발명의 인장 탄성률 및 전단 응력 변화율을 만족시키는 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 0.02 내지 2 ㎛일 수 있으며, 바람직하게는 0.05 내지 1 ㎛일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 유연 전도성 기판의 박막 구조를 구현하면서 응력에 대한 파괴가 일어나지 않는다.The thickness of the separation protective layer 110 is not particularly limited as long as it satisfies the tensile elastic modulus and the shear stress change ratio of the present invention. For example, it may be 0.02 to 2 m, preferably 0.05 to 1 m. When the above-mentioned range is satisfied, the thin film structure of the flexible conductive substrate is realized and the stress is not destroyed.

본 발명에 따른 분리보호층(110)은 본 발명의 인장 탄성률 및 전단 응력 변화율을 만족하는 것이라면, 그 소재는 특별히 한정되지 않으나, 바람직하게는 실록산 수지, 우레탄 수지 등으로 제조된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The material for the separation protection layer 110 according to the present invention is not particularly limited as long as it satisfies the tensile modulus and shear stress change rate of the present invention. The material is preferably a siloxane resin, a urethane resin, or the like. But is not limited to. These may be used alone or in combination of two or more.

한편, 유연 기판의 제조 공정에 있어서, 캐리어 기판 상에 유연 기판의 박리를 용이하게 하기 위한 이형층을 형성하고, 이형층 상부에 전도성 패턴층을 형성하게 되며, 이형층과 전도성 패턴층 사이에 보호층 등을 더 포함할 수 있다. 그리고 전도성 패턴층 상부에 절연층, 기재 필름 등을 적층하고, 이러한 상부층의 적층 공정이 완료된 후에 캐리어 기판은 이형층 및 상부 적층물로부터 제거되게 된다. On the other hand, in the manufacturing process of the flexible substrate, a release layer for facilitating peeling of the flexible substrate is formed on the carrier substrate, a conductive pattern layer is formed on the release layer, and protection is provided between the release layer and the conductive pattern layer Layers, and the like. Then, an insulating layer, a base film and the like are laminated on the conductive pattern layer, and after the laminating process of the upper layer is completed, the carrier substrate is removed from the release layer and the upper laminate.

이와 같은 다층 구조의 유연 기판은 박막 구조를 구현하는데 어려움이 있으나, 본 발명에 따른 분리보호층(110)은 내화학성 및 가스 배리어 특성이 우수하며 적정 탄성을 가지는 실록산 수지, 우레탄 수지 등의 소재를 사용하여 제조됨으로써 하나의 층으로도 분리층 및 보호층의 역할을 동시에 할 수 있어 유연 전도성 기판의 박막화가 가능하다. Although the flexible substrate having such a multilayered structure is difficult to realize a thin film structure, the separation protection layer 110 according to the present invention is excellent in chemical resistance and gas barrier property, and has excellent elasticity such as siloxane resin and urethane resin. It is possible to simultaneously serve as a separation layer and a protective layer even in a single layer, thereby making it possible to make the flexible conductive substrate thinner.

이러한 측면에서, 본 발명의 분리보호층(110)은 유리 기판에 대한 박리력이 5N/25㎜ 이하일 수 있다. 분리보호층(110)이 전술한 인장 탄성률 및 전단 응력 변화율을 만족하면서 유리 기판에 대한 박리력이 5N/25㎜ 이하인 경우 외부 힘에 의한 변형에도 크랙 발생을 최소화할 수 있다는 점에서 바람직하다.In this respect, the separation protective layer 110 of the present invention may have a peeling force of 5 N / 25 mm or less on the glass substrate. When the separation protective layer 110 satisfies the aforementioned tensile elastic modulus and shear stress change rate and the peeling force to the glass substrate is 5 N / 25 mm or less, cracking is minimized even when deformation due to external force is minimized.

실록산 수지는 폴리실록산수지, 중합개시제, 용제 등을 포함하는 분리보호층 조성물로 형성된 것일 수 있다.The siloxane resin may be formed of a separation protective layer composition including a polysiloxane resin, a polymerization initiator, a solvent and the like.

폴리실록산수지로는 예를 들면, 폴리디메틸실록산 수지, 폴리에틸실록산수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Examples of the polysiloxane resin include a polydimethylsiloxane resin and a polyethylsiloxane resin. These may be used alone or in combination of two or more.

중합개시제로는 상기 폴리실록산 수지의 중합을 개시할 수 있는 것이라면 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 아세토페논, 히드록시디메틸아세토페논, 디메틸아미노아세토페논, 디메톡시-2-페닐아세토페논, 3-메틸아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 4-크로놀로세토페논, 4,4-디메톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 4-히드록시시클로페닐케톤, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2-(히드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4,4-디아미노벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티옥산톤, 2-에틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 벤질디메틸케탈, 디페닐케톤벤질디메틸케탈, 아세토페논디메틸케탈, p-디메틸아미노벤조산에스테르, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 플루오렌, 트리페닐아민, 카바졸 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The polymerization initiator may be any polymerizable initiator that can initiate polymerization of the polysiloxane resin. Examples of the polymerization initiator include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin-n-butyl ether , Benzoin isobutyl ether, acetophenone, hydroxydimethylacetophenone, dimethylaminoacetophenone, dimethoxy-2-phenylacetophenone, 3-methylacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2 , 2-diethoxy-2-phenylacetophenone, 4-quinolorocetophenone, 4,4-dimethoxyacetophenone, 2-hydroxy- Methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propan-1-one, 4- (2-hydroxyethoxy ) Phenyl-2- (hydroxy-2-propyl) ketone, benzophenone, p-phenylbenzophenone, 4,4- diaminobenzophenone, 4,4'- diethylaminobenzophenone, dichlorobenzene 2-methyl anthraquinone, 2-t-butyl anthraquinone, 2-amino anthraquinone, 2-methyl thioxanthone, 2-ethyl thioxanthone, 2-chlorothioxane 2,4-dimethylthioxanthone, benzyl dimethyl ketal, diphenyl ketone benzyl dimethyl ketal, acetophenone dimethyl ketal, p-dimethylaminobenzoic acid ester, 2,4,6- Trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide, fluorene, triphenylamine, carbazole, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

용제로는 특별히 한정되지 않고 당 분야에 공지된 용제를 사용할 수 있으며, 예를 들면 알코올계(메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 메틸셀루소브, 에틸솔루소브 등), 케톤계(메틸에틸케톤, 메틸부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 디에틸케톤, 디프로필케톤, 시클로헥사논 등), 헥산계(헥산, 헵탄, 옥탄 등), 벤젠계(벤젠, 톨루엔, 자일렌 등) 등이 사용될 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The solvent is not particularly limited, and solvents known in the art can be used. Examples of the solvent include alcohols (methanol, ethanol, isopropanol, butanol, methylcellulose, ethylsorbox, etc.), ketones (methyl ethyl ketone, (Hexane, heptane, octane, etc.), benzene series (benzene, toluene, xylene, etc.), and the like can be used as the organic solvent . These may be used alone or in combination of two or more.

우레탄 수지는 폴리올 화합물, 예를 들면, 폴리에스테르 폴리올 화합물, 사슬 연장제(chain extender) 및 이소시아네이트 화합물, 예를 들면, 방향족계 또는 지방족계 디이소시아네이트 화합물을 포함하는 혼합물의 반응물을 사용할 수 있다. 소프트 체인을 형성하는 폴리올 화합물과 하드 체인을 형성하는 사슬 연장제 및 이소시아네이트 화합물의 비율이나 종류 등을 조절하여 인장 탄성률 및 전단 응력 변화율을 조절할 수 있다.The urethane resin may use a reactant of a polyol compound, for example, a mixture comprising a polyester polyol compound, a chain extender and an isocyanate compound, for example, an aromatic or aliphatic diisocyanate compound. The tensile elastic modulus and the shear stress change rate can be controlled by controlling the ratio or type of the chain extender and the isocyanate compound forming the hard chain with the polyol compound forming the soft chain.

폴리올 화합물로는 예를 들면, 폴리에틸렌 글리콜 등을 들 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the polyol compound include, but are not limited to, polyethylene glycol and the like.

이소시아네이트 화합물로는 예를 들면, 메틸렌 디페닐 디이소시아네이트(Methylene Diphenyl Diisocyanate, MDI), 톨루엔 디이소시아네이트(Toluene diisocyanate, TDI) 등을 들 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Examples of the isocyanate compound include, but are not limited to, methylene diphenyl diisocyanate (MDI), toluene diisocyanate (TDI), and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

사슬 연장제로는 예를 들면, 히드라진, 에틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 물, 피페라진, 이소포론디아민, 에틸렌글리콜, 부틸렌글리콜, 헥실렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜 등을 들 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Examples of the chain extender include hydrazine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, water, piperazine, isophoronediamine, ethylene glycol, butylene glycol, hexylene glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, neopentyl glycol and the like But is not limited thereto. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 우레탄 수지의 제조에 사용하는 유기용제로는 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 테트라히드로푸란, 디옥산, 메틸에틸케톤, 에틸아세테이트, 아세톤, 에탄올, 이소프로필알콜, 벤젠, 톨루엔 등을 들 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Examples of the organic solvent used in the production of the urethane resin include dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran, dioxane, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, acetone, ethanol, isopropyl alcohol, , Toluene, and the like, but are not limited thereto. These may be used alone or in combination of two or more.

본 발명에 따른 분리보호층(110)의 형성방법은 특별히 한정되지 않으나, 유리 기판상에 상기 실록산 수지 또는 우레탄 수지를 슬릿 코팅법, 나이프 코팅법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 딥 코팅법, 스프레이 코팅법, 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 코팅법, 디스펜서 인쇄법, 노즐 코팅법, 모세관 코팅법 등의 당 분야에 공지된 방법에 의해 도포하여 형성된 것일 수 있다.The method of forming the separation protection layer 110 according to the present invention is not particularly limited, and the siloxane resin or the urethane resin may be formed on a glass substrate by slit coating, knife coating, spin coating, casting, microgravure coating, Gravure printing method, flexographic printing method, offset printing method, inkjet coating method, dispenser printing method, dip coating method, dip coating method, A nozzle coating method, a capillary coating method, or the like.

유리 기판상에 상기 실록산 수지 또는 우레탄 수지의 도포 이후에 추가적인 경화 공정을 더 거친 것일 수 있으며, 경화 방법은 특별히 한정되지 않고, 50 내지 80℃에서의 통상적인 열경화 공정에 의한 것일 수 있다.
After the application of the siloxane resin or urethane resin onto the glass substrate, an additional curing process may be performed. The curing method is not particularly limited and may be a conventional thermosetting process at 50 to 80 캜.

전도성 conductivity 패턴층Pattern layer (120)(120)

본 발명에 따른 전도성 패턴층(120)은 상기 분리보호층(110) 상에 형성된다.The conductive pattern layer 120 according to the present invention is formed on the isolation protection layer 110.

상기 전도성 패턴층(120)은 전자 기기에 적용 시, 전극 역할을 수행하기 위한 전도성 패턴을 포함하며, 상기 전도성 패턴은 적용되는 전자 기기의 요구에 따라 적절한 모양으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 터치 스크린 패널에 적용되는 경우, x좌표를 감지하는 전극 패턴과 y좌표를 감지하는 전극 패턴의 2종류 전극 패턴으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The conductive pattern layer 120 may include a conductive pattern to serve as an electrode when applied to an electronic device, and the conductive pattern may be formed in an appropriate shape according to requirements of an applied electronic device. For example, when applied to a touch screen panel, the electrode pattern may be formed of two kinds of electrode patterns, that is, an electrode pattern for sensing the x coordinate and an electrode pattern for sensing the y coordinate. However, the present invention is not limited thereto.

상기 전도성 패턴을 형성하기 위한 전도성 화합물은 특별히 한정되지 않으나, 스크린에 표시되는 영상의 시인성을 저해하지 않기 위해서는, 투명 소재를 사용하거나 또는 미세 패턴으로 형성되는 것이 바람직하며, 구체적인 예를 들면 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 폴리(3.4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 탄소나노튜브(CNT), 금속와이어 및 금속 메쉬 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The conductive compound for forming the conductive pattern is not particularly limited. However, in order not to impair the visibility of the image displayed on the screen, it is preferable to use a transparent material or to be formed in a fine pattern. Specific examples thereof include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), poly (3,4-ethylenedioxythiophene) ), Metal wires and metal meshes. These may be used alone or in combination of two or more.

금속 와이어 및 금속 메쉬에 사용되는 금속은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 각각 독립적으로, 은(Ag), 금, 알루미늄, 구리, 철, 니켈, 티타늄, 텔레늄, 크롬 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The metal used for the metal wire and the metal mesh is not particularly limited, and examples thereof include silver (Ag), gold, aluminum, copper, iron, nickel, titanium, tellurium, chromium and the like independently of each other. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 전도성 패턴층(120)은 당 분야에서 통상적으로 수행되는 방법에 의해 형성될 수 있으며, 예를 들어, 전술한 분리보호층(110) 상에 전도성 화합물을 도포하여 성막하는 단계를 수행할 수 있다. 상기 성막 단계는 물리적 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD), 화학적 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)등 다양한 박막 증착 기술에 의하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 물리적 증착법의 한 예인 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에 의하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The conductive pattern layer 120 may be formed by a method commonly used in the art. For example, the conductive pattern layer 120 may be formed by applying a conductive compound on the isolation protective layer 110 . The film formation step may be formed by various thin film deposition techniques such as physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD). For example, it may be formed by reactive sputtering, which is an example of physical vapor deposition, but is not limited thereto.

이후, 목적하는 패턴을 형성하기 위하여, 전도성 화합물막 상면에 포토레지스트층을 형성하는 단계를 수행할 수 있다.Thereafter, a step of forming a photoresist layer on the upper surface of the conductive compound film may be performed to form a desired pattern.

포토레지스트층을 형성하기 위한 감광성 수지 조성물은 특별히 한정되지 않으며, 당 분야에서 통상적으로 사용되는 감광성 수지 조성물이 사용될 수 있다.The photosensitive resin composition for forming the photoresist layer is not particularly limited, and a photosensitive resin composition commonly used in the art can be used.

상기 감광성 수지 조성물을 상기 전도성 화합물로 이루어진 막 상에 도포한 후 가열건조함으로써 용매 등의 휘발 성분을 제거하여 평활한 포토레지스트층을 얻는다.The photosensitive resin composition is coated on a film made of the conductive compound and then heated and dried to remove a volatile component such as a solvent to obtain a smooth photoresist layer.

이렇게 하여 얻어진 포토레지스트층에 목적으로 하는 패턴을 형성하기 위한 마스크를 통해 자외선을 조사한다(노광). 이 때, 노광부 전체에 균일하게 평행 광선이 조사되고, 또한 마스크와 기판의 정확한 위치 맞춤이 실시되도록, 마스크 얼라이너나 스테퍼 등의 장치를 사용하는 것이 바람직하다. 자외선을 조사하면, 자외선이 조사된 부위의 경화가 이루어진다. The photoresist layer thus obtained is irradiated with ultraviolet rays through a mask for forming a desired pattern (exposure). At this time, it is preferable to use an apparatus such as a mask aligner or a stepper so as to uniformly irradiate a parallel light beam onto the entire exposed portion and accurately align the mask and the substrate. When ultraviolet light is irradiated, the site irradiated with ultraviolet light is cured.

상기 자외선으로는 g선(파장: 436㎚), h선, i선(파장: 365㎚) 등을 사용할 수 있다. 자외선의 조사량은 필요에 따라 적절히 선택될 수 있는 것이며, 본 발명은 이를 한정하지는 않는다. The ultraviolet rays may be g-line (wavelength: 436 nm), h-line, i-line (wavelength: 365 nm), or the like. The dose of ultraviolet rays can be appropriately selected according to need, and the present invention is not limited thereto.

경화가 종료된 포토레지스트층을 현상액에 접촉시켜 비노광부를 용해시켜 현상하면 목적으로 하는 패턴을 얻을 수 있다.When the photoresist layer which has been cured is brought into contact with a developing solution to dissolve and develop the non-visible portion, a desired pattern can be obtained.

상기 현상 방법은, 액첨가법, 디핑법, 스프레이법 등의 어느 것이어도 된다. 또한 현상시에 기판을 임의의 각도로 기울여도 된다.The developing method may be any of a liquid addition method, a dipping method, and a spraying method. Further, the substrate may be inclined at an arbitrary angle during development.

상기 현상액은 통상 알칼리성 화합물과 계면 활성제를 함유하는 수용액이며, 당 분야에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별한 제한 없이 사용될 수 있다.The developer is usually an aqueous solution containing an alkaline compound and a surfactant, and can be used without any particular limitation as long as it is commonly used in the art.

이 후, 상기 포토레지스트 패턴에 따라 전도성 패턴을 형성하기 위하여 식각 공정을 수행할 수 있다.Thereafter, an etching process may be performed to form a conductive pattern according to the photoresist pattern.

상기 식각 공정에 사용되는 식각액 조성물은 특별히 한정되지 않으며, 당 분야에서 통상적으로 사용되는 식각액 조성물이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 과산화수소계 식각액 조성물이 사용될 수 있다.The etchant composition used in the etching process is not particularly limited, and an etchant composition commonly used in the art may be used, and a hydrogen peroxide etchant composition may be preferably used.

식각 공정을 통해, 목적하는 패턴의 전도성 패턴을 포함하는 전도성 패턴층(120)이 형성될 수 있다.Through the etching process, a conductive pattern layer 120 including a conductive pattern of a desired pattern can be formed.

본 발명에 따른 전도성 패턴층(120)의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 0.01 내지 5㎛, 바람직하게는 0.05 내지 0.5㎛인 것이 좋다.
The thickness of the conductive pattern layer 120 according to the present invention is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 5 占 퐉, preferably 0.05 to 0.5 占 퐉.

절연층Insulating layer (130)(130)

본 발명에 따른 절연층(130)은 전도성 패턴들의 절연을 위해 상기 전도성 패턴층(120)이 형성된 분리보호층(110) 상에 각 전도성 패턴들을 덮도록 형성되며 전도성 패턴층을 보호하는 보호층의 역할을 함께 한다.The insulating layer 130 according to the present invention is formed so as to cover the respective conductive patterns on the isolation protection layer 110 formed with the conductive pattern layer 120 for insulation of the conductive patterns, Role together.

본 발명에 따른 절연층(130)은 전술한 분리보호층(110)과 같이 상온(15 내지 30℃)에서 인장 탄성률은 2 내지 10 MPa이고 상온(15 내지 30℃)에서 경화 초기 및 경화 5시간 후 전단 응력 변화율이 40 내지 95%를 만족함으로써, 유연 전도성 기판(100)의 내구성을 현저히 향상시켜, 굽히는 등의 외부 힘에 의한 변형에도 크랙의 발생을 감소시킬 수 있다.The insulating layer 130 according to the present invention may have a tensile elastic modulus of 2 to 10 MPa at room temperature (15 to 30 ° C) and an initial curing time of 5 to 30 hours at room temperature (15 to 30 ° C) The durability of the flexible conductive substrate 100 can be remarkably improved and the occurrence of cracks can be reduced even by deformation due to external force such as bending, by satisfying the post-shear stress ratio of 40 to 95%.

또한, 본 발명에 따른 절연층(130)은 유리 기판에 대한 박리력이 5N/25㎜ 이하일 수 있다. 절연층(130)이 전술한 인장 탄성률 및 전단 응력 변화율을 만족하면서 유리 기판에 대한 박리력이 5N/25㎜ 이하인 경우 외부 힘에 의한 변형에도 크랙 발생을 최소화할 수 있다는 점에서 바람직하다.In addition, the insulating layer 130 according to the present invention may have a peeling force of 5 N / 25 mm or less on the glass substrate. When the insulating layer 130 satisfies the aforementioned tensile elastic modulus and shear stress change rate and the peeling force to the glass substrate is 5 N / 25 mm or less, cracking is minimized even when deformation due to an external force is minimized.

절연층(130)의 두께는 전술한 분리보호층(110)의 두께와 동일할 수 있다.The thickness of the insulating layer 130 may be the same as the thickness of the isolation protection layer 110 described above.

절연층(130)은 본 발명의 분리보호층(110)과 동일한 재료로 형성될 수 있다. The insulating layer 130 may be formed of the same material as the isolation protective layer 110 of the present invention.

절연층(130)은 전도성 패턴층(120)이 형성된 분리보호층(110) 상에 본 발명에 따른 분리보호층(110)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다.
The insulating layer 130 may be formed on the isolation protection layer 110 having the conductive pattern layer 120 in the same manner as the isolation protection layer 110 according to the present invention.

또한, 본 발명의 유연 전도성 기판은 상기 유연 전도성 기판 위에 기재 필름이 적층된 것을 포함할 수 있다.Further, the flexible conductive substrate of the present invention may include a substrate film laminated on the flexible conductive substrate.

기재 필름을 형성하기 위한 성분은 특별히 한정되지 않으며, 적용되는 전자 기기의 요구에 따라 적절히 선택될 수 있다. 예를 들어, 터치 스크린 패널에 사용되는 경우, 화상 표시부의 시인성을 위해 투명한 재질로 형성된 것일 수 있으며, 구체적인 예를 들면, 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethyleneetherphthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에테르술폰산(polyethersulfonate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르에테르케톤(Polyethertherketone), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate), 트리아세틸 셀룰로오스(Triacetyl Cellulose), 사이클로 올레핀 폴리머(Cyclo-olefin Polymer), 아라미드(Aramide), 에프알피(FRP), 폴리우레탄(polyurethane) 및 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The component for forming the base film is not particularly limited and may be suitably selected in accordance with the requirements of the applied electronic device. For example, when used in a touch screen panel, it may be formed of a transparent material for the visibility of the image display portion. Specific examples thereof include polyethyleneetherphthalate, polyethylenenaphthalate, polycarbonate, Polyarylates, polyetherimides, polyethersulfonates, polyimides, polyetheretherketones, polyethylene terephthalates, triacetylcellulose, and the like. But are not limited to, polyolefins, cycloolefin polymers, aramid, FRP, polyurethane, and polyacrylate.

또한, 기재 필름의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 10 내지 200㎛, 바람직하게는 20 내지 80㎛인 것이 좋다.
The thickness of the base film is not particularly limited, but it is preferably 10 to 200 占 퐉, and preferably 20 to 80 占 퐉.

전술한 바와 같은 본 발명의 유연 전도성 기판은 전도성 패턴층이 터치 감지 전극으로 형성되는 경우에는 터치 스크린 패널에 유용하게 적용될 수 있다. 특히 본 발명의 유연 전도성 기판은 유연성이 우수하므로 플렉서블 터치 스크린 패널에 더욱 유용하다.The flexible conductive substrate of the present invention as described above can be applied to a touch screen panel when the conductive pattern layer is formed of a touch sensing electrode. In particular, since the flexible conductive substrate of the present invention is excellent in flexibility, it is more useful for a flexible touch screen panel.

또한, 본 발명은 상기 플렉서블 터치 스크린 패널을 구비한 화상표시장치를 제공한다. The present invention also provides an image display apparatus having the flexible touch screen panel.

본 발명의 플렉서블 터치 스크린 패널은 통상의 액정 표시 장치뿐만 아니라, 전계 발광 표시 장치, 플라스마 표시 장치, 전계 방출 표시 장치 등 각종 화상 표시 장치에 적용이 가능하다.
The flexible touch screen panel of the present invention is applicable not only to a conventional liquid crystal display but also to various image display devices such as an electroluminescence display, a plasma display, and a field emission display.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention. Such variations and modifications are intended to be within the scope of the appended claims.

실시예Example  And 비교예Comparative Example

(1) (One) 실시예Example 1  One

유리 기판 상부에 Sylgard 184(Dow corning社)를 포함하는 분리보호층 조성물을 스핀 코팅한 후, 65℃에서 2시간 동안 열경화시고 건조 공정을 거쳐 0.1㎛ 두께의 분리보호층을 형성하였다. 이후, 상기 분리보호층의 상부에 (전도성 화합물: ITO)를 화학적 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)을 통해 0.05㎛ 두께로 전도층을 성막하였다. A separate protective layer composition including Sylgard 184 (Dow Corning) was spin-coated on top of the glass substrate, followed by thermal curing at 65 占 폚 for 2 hours and drying to form a 0.1 占 퐉 thick protective layer. Thereafter, a conductive layer was formed on the isolation protective layer (conductive compound: ITO) to a thickness of 0.05 탆 by chemical vapor deposition (CVD).

이후, 상기 전도층 상에 상기 분리보호층 형성에 사용한 분리보호층 조성물을 스핀 코팅하였으며, 65℃에서 2시간 동안 가열 건조 공정을 거쳐 0.1㎛ 두께의 절연층을 형성하였다.Then, a separation protective layer composition used for forming the separation protective layer was spin-coated on the conductive layer, and a 0.1 탆 thick insulating layer was formed by heating and drying at 65 캜 for 2 hours.

이 후, 유리 기판을 분리보호층 및 상부 적층물로부터 박리하여, 유연 전도성 기판을 제조하였다.
Thereafter, the glass substrate was peeled from the separation protective layer and the upper laminate to prepare a flexible conductive substrate.

(2) (2) 실시예Example 2  2

분리보호층 조성물로 V-COAT BS 7212(Vix社), 유기용제로 이소옥탄을 사용하여 50℃에서 열경화시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유연 전도성 기판을 제조하였다.
A flexible conductive substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that V-COAT BS 7212 (Vix) was used as the separation protective layer composition and iso-octane was used as the organic solvent at 50 ° C.

(3) (3) 실시예Example 3  3

분리보호층 및 절연층의 형성시 분리보호층 조성물이 Sylgard 184(Dow corning社)/Miramer M600(Miwon specialty chemical社)의 중량비가 1/0.001인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유연 전도성 기판을 제조하였다.
The separation protective layer and the insulating layer were formed in the same manner as in Example 1 except that the separation protective layer composition had a weight ratio of Sylgard 184 (Dow corning) / Miramer M600 (Miwon specialty chemical) of 1 / 0.001. Substrate.

(4) (4) 비교예Comparative Example 1 One

유리 기판 상부에 규소 계열의 보호층을 0.1㎛의 두께로 성형 후 아크릴 계열의 전극 보호층을 2㎛의 두께로 성형한다.A silicon-based protective layer is formed on the glass substrate to a thickness of 0.1 탆, and then an acryl-based electrode protection layer is formed to a thickness of 2 탆.

이후, 상기 아크릴 계열의 전극 보호층 상부에 (전도성 화합물: ITO)를 화학적 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)을 통해 0.05㎛ 두께로 전도층을 성막하였다. Thereafter, a conducting layer was formed on the above-mentioned acryl-based electrode protecting layer (conductive compound: ITO) to a thickness of 0.05 탆 by chemical vapor deposition (CVD).

이후, 상기 전도층 상에 상기 아크릴 계열의 전극 보호층과 동일한 조성물 및 동일한 두께로 보호층을 형성하였고, 아크릴 계열의 전극 보호층 상에 상기 규소 계열의 보호층과 동일한 조성물 및 동일한 두께로 규소 계열의 보호층을 차례대로 형성하였다.Thereafter, a protective layer was formed on the conductive layer with the same composition and the same thickness as the acryl-based electrode protection layer, and on the acrylic-based electrode protection layer, the same composition as the silicon-based protection layer and a silicon- Were formed in this order.

이 후, 유리 기판을 규소 계열의 보호층 및 상부 적층물로부터 박리하여, 유연 전도성 기판을 제조하였다.
Thereafter, the glass substrate was peeled from the silicon-based protective layer and the upper laminate to prepare a flexible conductive substrate.

(5)  (5) 비교예Comparative Example 2 2

유리 기판 상부에 EPDM(Ethylene Propylene Diene Monomer) 필름인 두께 0.1㎛의 KEP990(금호폴리켐社)를 부착하여 제1 보호층을 형성하였다.A first protective layer was formed by attaching KEP990 (Kumho Polychem Co., Ltd.) having a thickness of 0.1 占 퐉, which is an ethylene propylene diene monomer (EPDM) film, on the glass substrate.

이후, 상기 보호층의 상부에 (전도성 화합물: ITO)를 화학적 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)을 통해 0.05㎛ 두께로 전도층을 성막하였다.Thereafter, a conductive layer was formed on the protective layer (conductive compound: ITO) to a thickness of 0.05 탆 by chemical vapor deposition (CVD).

이후, 상기 전도층 상에 상기 0.1㎛ 두께의 EPDM(Ethylene Propylene Diene Monomer) 필름인 KEP990(금호폴리켐社)를 부착하여 제2 보호층을 형성하였다.Then, the second protective layer was formed on the conductive layer by attaching KEP990 (manufactured by Kumho Polychem Co., Ltd.), which is an EPDM (Ethylene Propylene Diene Monomer) film having a thickness of 0.1 mu m.

이 후, 유리 기판을 제1 보호층 및 상부 적층물로부터 박리하여, 유연 전도성 기판을 제조하였다.
Thereafter, the glass substrate was peeled from the first protective layer and the upper laminate to prepare a flexible conductive substrate.

(6) (6) 비교예Comparative Example 3  3

분리보호층 및 절연층의 형성시 분리보호층 조성물이 Sylgard 184(Dow corning社)/Miramer M600(Miwon specialty chemical社)의 중량비가 1/0.005인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유연 전도성 기판을 제조하였다.
The separation protective layer and the insulating layer were formed in the same manner as in Example 1, except that the separation protective layer composition had a weight ratio of Sylgard 184 (Dow corning) / Miramer M600 (Miwon specialty chemical) of 1 / 0.005. Substrate.

(7) (7) 비교예Comparative Example 4  4

분리보호층 및 절연층의 형성시 분리보호층 조성물이 Sylgard 184(Dow corning社)/Miramer M600(Miwon specialty chemical社)의 중량비가 1/0.01인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유연 전도성 기판을 제조하였다.
The separation protective layer and the insulating layer were formed in the same manner as in Example 1, except that the separation protective layer composition had a weight ratio of Sylgard 184 (Dow corning) / Miramer M600 (Miwon specialty chemical) of 1 / 0.01. Substrate.

(8) (8) 비교예Comparative Example 5  5

분리보호층 및 절연층의 형성시 분리보호층 조성물이 Sylgard 184(Dow corning社)/Miramer M600(Miwon specialty chemical社)의 중량비가 1/0.015인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유연 전도성 기판을 제조하였다.
The separation protective layer and the insulating layer were formed in the same manner as in Example 1, except that the separation protective layer composition had a weight ratio of Sylgard 184 (Dow corning) / Miramer M600 (Miwon specialty chemical) of 1 / 0.015. Substrate.

실험예Experimental Example

1. 전단 응력 변화율 측정1. Measurement of Shear Stress Change Rate

상기 실시예의 분리보호층 조성물 및 비교예의 규소 계열의 보호층 조성물을 유리 기판 상에 도포하고 65℃에서 2시간 동안 열경화 및 건조시켜 0.1㎛가 되도록 필름을 형성하였다. A protective layer composition of the above-described examples and a silicon-based protective layer composition of the comparative example were coated on a glass substrate and thermally cured and dried at 65 ° C for 2 hours to form a film having a thickness of 0.1 μm.

상기의 필름을 유리 기판에서 분리하여 레오미터(Anton Paar社, MCR-302)를 이용하여 25℃에서의 전단 응력 변화율을 측정하였다. 전단응력(Shear stress)은 10MPa로 설정하였다. 측정 초기 및 5시간 경과 후의 응력을 얻어, 그 변화율을 하기 표 1에 나타내었다.
The film was separated from the glass substrate, and the shear stress change rate at 25 캜 was measured using a rheometer (Anton Paar, MCR-302). The shear stress was set at 10 MPa. The stress at the beginning of the measurement and after the elapse of 5 hours was obtained, and the rate of change is shown in Table 1 below.

2. 인장 탄성률의 측정2. Measurement of tensile modulus

실험예 1의 방법으로 제조된 실시예 및 비교예의 필름을 길이 5cm, 폭 1cm의 샘플로 제작한 뒤 Autograph(Shimadzu社)장비를 이용하여 25℃에서 수직 방향으로 4mm/min의 속도로 척 간격이 넓어지도록 하중을 가하여 그 때의 힘을 측정하였다. 미리 마이크로 미터로 측정하였던 필름의 두께, 힘, 연신량으로부터 인장 탄성률을 산출하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
The films of Examples and Comparative Examples prepared by the method of Experimental Example 1 were made into samples of 5 cm in length and 1 cm in width and then chucked at a rate of 4 mm / min in a vertical direction at 25 ° C using an Autograph (Shimadzu) And the force at that time was measured. The tensile modulus was calculated from the thickness, the force, and the elongation amount of the film, which were previously measured with a micrometer, and the results are shown in Table 1 below.

3. 3. 박리력의Exfoliation 측정 Measure

실험예 1의 방법으로 제조된 실시예 및 비교예의 폭 25mm의 필름을 Autograph(Shimadzu社)장비를 이용하여 300mm/min의 속도로 유리 기판에서 박리할 때의 힘을 박리력으로 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
The force at the time of peeling a 25 mm wide film of the examples and comparative examples prepared by the method of Experimental Example 1 on a glass substrate at a speed of 300 mm / min by using Autograph (Shimadzu) equipment was measured by peeling force, Are shown in Table 1 below.

4. 굴곡 피로에 대한 4. For bending fatigue 크랙crack 밀도( density( CrackCrack DensityDensity ) 평가) evaluation

실시예 및 비교예에서 제조된 터치 모듈을 도 2과 같이 굴곡 반경(R)이 3mm, 6mm가 되도록 U자형으로 굴곡 피로를 가한 다음, 광학 현미경으로 관찰하여 단위 면적당 크랙의 개수로 크랙 밀도를 평가하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
As shown in FIG. 2, the touch modules manufactured in Examples and Comparative Examples were subjected to flexural fatigue in a U-shape so as to have a bending radius R of 3 mm and 6 mm, and then observed with an optical microscope to evaluate the crack density by the number of cracks per unit area And the results are shown in Table 1 below.

5. 인장 강도 측정5. Tensile strength measurement

실험예 1의 방법으로 제조된 실시예 및 비교예의 필름을 길이 5cm, 폭 1cm의 샘플로 제작한 뒤 Autograph(Shimadzu社)장비를 이용하여 25℃에서 수직 방향으로 4mm/min의 속도로 척 간격이 넓어지도록 하중을 가하여 인장 강도를 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
The films of Examples and Comparative Examples prepared by the method of Experimental Example 1 were made into samples of 5 cm in length and 1 cm in width and then chucked at a rate of 4 mm / min in a vertical direction at 25 ° C using an Autograph (Shimadzu) The tensile strength was measured by applying a load so as to be widened, and the results are shown in Table 1 below.

구분division 전단 응력shear 인장 탄성률
(MPa)
Tensile modulus
(MPa)
박리력
(N/25mm)
Peel force
(N / 25 mm)
크랙 밀도(개수/㎟)Crack density (number / mm2) 인장 강도
(MPa)
The tensile strength
(MPa)
초기
(MPa)
Early
(MPa)
5시간 후
(MPa)
After 5 hours
(MPa)
변화율(%)Rate of change (%) R= 3mmR = 3 mm R= 5mmR = 5 mm
실시예 1Example 1 1010 0.90.9 9191 22 44 22 00 77 실시예 2Example 2 1010 4.14.1 5959 66 55 44 00 4141 실시예 3Example 3 1010 5.15.1 4949 8.58.5 4.34.3 55 00 2727 비교예 1Comparative Example 1 1010 -- 크랙 발생Cracking 20002000 1515 2424 1111 9494 비교예 2Comparative Example 2 1010 5.35.3 4747 1212 11.411.4 1212 55 2424 비교예 3Comparative Example 3 1010 6.46.4 3636 1717 6.26.2 1717 1010 4141 비교예 4Comparative Example 4 1010 6.5
6.5
35
35
99 8.18.1 1111 66 3232
비교예 5Comparative Example 5 1010 5.15.1 4949 2424 9.19.1 99 55 2525

상기 표 1을 참고하면, 인장 탄성률 및 전단 응력 변화율이 본 발명의 범위를 만족하는 실시예의 경우, 굴곡 피로를 가하더라도 비교예와 비교하였을 때 크랙 발생이 현저히 감소한 것을 확인할 수 있었다.Referring to Table 1, it was confirmed that, in the case where the tensile elastic modulus and the shear stress change rate satisfy the range of the present invention, the occurrence of cracks is remarkably reduced even when the flex fatigue is applied, as compared with the comparative example.

그러나, 인장 탄성률 및 전단 응력 변화율이 본 발명의 범위를 만족하지 않는 비교예의 경우에는 전단 응력을 가하였을 때 크랙이 발생하여 파괴되는 것도 있었으며, 굴곡 피로를 가하였을 때 실시예 보다 크랙 발생이 많은 것을 확인할 수 있었다.
However, in the case of the comparative example in which the tensile elastic modulus and the shear stress change ratio do not satisfy the range of the present invention, cracks were generated and destroyed when the shear stress was applied, and when the flexural fatigue was applied, I could confirm.

100 : 유연 전도성 기판
110 : 분리보호층
120 : 전도성 패턴층
130 : 절연층
100: Flexible conductive substrate
110: separation protective layer
120: conductive pattern layer
130: insulating layer

Claims (9)

분리보호층;
상기 분리보호층 상에 형성된 전도성 패턴층;
상기 전도성 패턴층 상에 형성된 절연층;을 포함하고,
상기 분리보호층 및 절연층은 각각 인장 탄성률은 2 내지 10 MPa이고 상온(15 내지 30℃)에서 경화 초기 및 경화 5시간 후 전단 응력 변화율이 40 내지 95 %인, 유연(Flexible) 전도성 기판.
A separation protective layer;
A conductive pattern layer formed on the isolation protective layer;
And an insulating layer formed on the conductive pattern layer,
Wherein the separation protective layer and the insulating layer each have a tensile elastic modulus of 2 to 10 MPa and a shear stress change rate of 40 to 95% at an initial temperature of 15 to 30 DEG C and after 5 hours of curing.
청구항 1에 있어서, 상기 분리보호층 및 절연층의 인장 탄성률은 2 내지 7 MPa인, 유연(Flexible) 전도성 기판.
The flexible conductive substrate according to claim 1, wherein the separation protective layer and the insulating layer have a tensile elastic modulus of 2 to 7 MPa.
청구항 1에 있어서, 상기 분리보호층 및 절연층의 전단 응력 변화율은 50 내지 95 %인, 유연(Flexible) 전도성 기판.
The flexible conductive substrate according to claim 1, wherein the shear stress change rate of the separation protective layer and the insulating layer is 50 to 95%.
청구항 1에 있어서, 상기 분리보호층 및 절연층은 유리 기판에 대한 박리력이 5N/25㎜ 이하인, 유연(Flexible) 전도성 기판.
The flexible conductive substrate according to claim 1, wherein the separation protective layer and the insulating layer have a peeling force of 5 N / 25 mm or less on the glass substrate.
청구항 1에 있어서, 상기 분리보호층 및 절연층의 두께는 0.02 내지 2 ㎛인, 유연(Flexible) 전도성 기판.
The flexible conductive substrate according to claim 1, wherein the thickness of the isolation protective layer and the insulating layer is 0.02 to 2 탆.
청구항 1에 있어서, 상기 분리보호층 및 절연층은 실록산 수지, 우레탄 수지 중 적어도 하나를 포함하여 제조된 것인, 유연(Flexible) 전도성 기판.
The flexible conductive substrate according to claim 1, wherein the separation protection layer and the insulating layer are made of at least one of a siloxane resin and a urethane resin.
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 패턴층은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 폴리(3.4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 탄소나노튜브(CNT), 금속 와이어 및 금속 메쉬로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 형성되는 전도성 패턴을 포함하는, 유연(Flexible) 전도성 기판.
The conductive pattern layer of claim 1, wherein the conductive pattern layer comprises at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO) Wherein the conductive pattern comprises a conductive pattern formed of at least one selected from the group consisting of PEDOT, carbon nanotubes (CNT), metal wires, and metal meshes.
청구항 1 내지 7 중 어느 한 항의 유연 전도성 기판을 구비한 플렉서블 터치 스크린 패널.
A flexible touch screen panel comprising the flexible conductive substrate according to any one of claims 1 to 7.
청구항 8의 플렉서블 터치 스크린 패널을 구비한 화상표시장치.
An image display apparatus comprising the flexible touch screen panel according to claim 8.
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