KR20160069986A - Display device and displaying method of the same, and programing method of the same - Google Patents

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Abstract

A luminous amount of a light-emitting device is corrected in a more desirable manner according to a degradation amount of the light-emitting device with respect to each pixel. A display device comprises a pixel circuit disposed in a matrix form. The pixel circuit comprises: a light-emitting device which emits light in brightness according to an amount of current; a driving circuit which controls the amount of current supplied to the light-emitting device according to a first voltage applied thereto; a first transistor which switches between a conduction state and a non-conduction state of the light-emitting device and the driving circuit according to a first gate voltage applied to a control terminal; a light sensor which detects brightness of the light emitted from the light-emitting device; a capacitor which maintains a second voltage applied according to the first voltage; and a second transistor which controls an application of the first gate voltage to the first transistor. The second transistor is controlled to be switched to the conduction state based on the detection result of the light sensor and a second gate voltage determined according to the second voltage maintained by the capacitor. As the second transistor is switched to the conduction state, the first transistor is controlled to be switched to the non-conduction state based on the first gate voltage applied thereto.

Description

표시 장치 및 표시 방법 {DISPLAY DEVICE AND DISPLAYING METHOD OF THE SAME, AND PROGRAMING METHOD OF THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a display device and a method of displaying the same,

본 발명은 표시 장치, 표시 방법, 및 프로그램에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, a display method, and a program.

최근에 있어서는, 표시 장치로서, 유기 EL(Organic Electro-Luminescence) 소자 등의 자발광 소자를 포함하는 화소가 행렬 형상(매트릭스 형상)으로 배치되어 있는 평면형(플랫 패널 형)의 표시 장치가 제공되고 있다.Recently, a flat type (flat panel type) display device in which pixels including self-luminous elements such as organic EL (Organic Electro-Luminescence) elements are arranged in a matrix form (matrix shape) is provided as a display device .

일본 특허 공개 공보 2001-524090Japanese Patent Laid-Open No. 2001-524090 일본 특허 공개 공보 2006-506307Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2006-506307

한편, 유기 EL 소자와 같은 자발광 소자(이후에는, 단지 「발광 소자」로 기재하는 경우가 있다)는 그 발광 휘도와 발광 시간에 비례하여 열화하는 특성이 있는 것으로 알려져 있다. 표시 장치에 표시되는 영상의 내용은 일률적이지 않기 때문에 발광 소자(유기 EL 소자)의 열화도 일률적이지 않다. 예를 들어, 흰색과 같이 휘도가 높은 색을 표시하고 있는 발광 소자는 흑색과 같이 휘도가 낮은 색을 표시하고 있는 발광 소자에 비해 더 쉽게 열화될 수 있다.On the other hand, it is known that a self-luminous element such as an organic EL element (hereinafter referred to simply as a " luminous element ") is deteriorated in proportion to the luminous brightness and the luminous time. Since the content of the image displayed on the display device is not uniform, the deterioration of the light emitting element (organic EL element) is not uniform. For example, a light-emitting element displaying a high-luminance color such as white can be more easily deteriorated than a light-emitting element displaying a low-luminance color such as black.

열화가 많이 진행된 발광 소자는 열화의 진행이 늦은 다른 발광 소자에 비해 휘도가 상대적으로 저하하는 경향이 있다. 이와 같은 현상은 일반적으로 「이미지·스틱킹(번인:burn-in)」으로서 알려져 있다.The light emitting element in which deterioration has progressed greatly tends to have a relatively lower luminance as compared with other light emitting elements in which deterioration progresses slowly. This phenomenon is generally known as " image sticking (burn-in) ".

이와 같이, 발광 소자의 열화에 따른 화소 사이의 휘도의 변화를 저감하는 기술의 일 예가 특허 문헌 1(일본 특허 공개 공보 2001-524090)에 개시되어 있다. 즉, 특허 문헌1에 개시된 기술에 따르면, 화소 회로 내에 마련된 포토다이오드에 의해 발광 소자로부터의 광의 일부를 수광하고, 수광 결과에 기초하여 발광 소자로 공급되는 전류량을 제어함으로써, 당해 발광 소자의 휘도 열화를 보상하고 있다. 그러나, 특허 문헌 1에 따른 기술에서는, 발광 소자로 공급되는 전류량을 제어하기 위한 트랜지스터를 포화 영역에서 동작시키게 되기 때문에, 당해 트랜지스터의 특성 변동의 영향을 받고, 동작이 불안정하게 되는 경우가 있다.As described above, an example of a technique for reducing a change in brightness between pixels due to deterioration of a light emitting element is disclosed in Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-524090). That is, according to the technique disclosed in Patent Document 1, a part of light from the light emitting element is received by the photodiode provided in the pixel circuit, and the amount of current supplied to the light emitting element is controlled based on the light receiving result, . However, in the technique according to Patent Document 1, since the transistor for controlling the amount of current supplied to the light emitting element is operated in the saturation region, the operation may become unstable due to the influence of the characteristic variation of the transistor.

또한, 다른 일 예로서, 특허 문헌 2(일본 특허 공개 공보 2006-506307)에는, 화소 회로 내에 마련된 포토다이오드에 의해 발광 소자로부터의 광의 일부를 수광하고, 수광 결과에 기초하여 발광 소자의 발광 시간(듀티비)를 제어함으로써, 당해 발광 소자의 휘도 열화를 보상하는 기술이 개시되어 있다. 그러나, 특허 문헌 2에 따르면, 발광 시의 듀티비를 제어함으로써 발광 소자의 발광량을 제어하는 구동 방식 때문에, 동영상을 표시하는 경우에 있어서, 본래 표시되어 있지 않은 윤곽이 관측되는 이른바 유사 윤곽이 발생하는 경우가 있다.As another example, Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2006-506307) discloses a technique in which a part of light from a light emitting element is received by a photodiode provided in a pixel circuit, and the light emitting time Quot; duty ratio ") to compensate for the luminance deterioration of the light emitting element. However, according to Patent Document 2, a so-called pseudo contour in which a contour that is not originally displayed is observed in the case of displaying a moving picture due to a driving method of controlling the light emission amount of the light emitting element by controlling the duty ratio at the time of light emission There is a case.

여기서, 본 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것이고, 본 발명의 목적으로 하는 것은 화소마다의 발광 소자의 열화량에 따라서, 당해 발광 소자의 발광량을 보다 바람직한 형태로 보정하는 것이 가능한, 표시 장치, 표시 방법, 및 프로그램을 제공하는 것에 있다.The present invention has been made in view of the above problems and it is an object of the present invention to provide a display device and a display device capable of correcting the light emission amount of the light emitting element in a more preferable form according to the deterioration amount of the light emitting element for each pixel, A method, and a program.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 화소 회로는 발광 소자, 구동 회로, 제1 트랜지스터, 제1 광 센서, 용량, 및 제2 트랜지스터를 포함한다. 상기 발광 소자는 전류량에 따른 휘도의 광을 출사하고, 상기 구동회로는 인가된 제1 전압에 대응하게 상기 발광 소자에 공급되는 전류량을 제어한다. 상기 제1 트랜지스터는 제1 제어 단자로 인가된 제1 게이트 전압에 응답하여 상기 발광 소자와 상기 구동 회로의 전기적 연결을 스위칭한다. 상기 제1 광 센서는 상기 발광 소자로부터 출사된 광의 휘도를 검출한다. 상기 용량은 상기 제1 전압을 반영한 제2 전압을 유지한다. 상기 제2 트랜지스터는 상기 제1 트랜지스터에 상기 제1 게이트 전압을 제공한다. 상기 제2 트랜지스터는 상기 검출된 광의 휘도와 상기 용량에 유지된 상기 제2 전압에 의해 결정되는 제2 게이트 전압에 응답하여 턴-온된다. 상기 제1 트랜지스터는 상기 제2 트랜지스터가 턴-온될 때 인가되는 상기 제1 게이트 전압에 응답하여 턴-오프된다.A pixel circuit of a display device according to an embodiment of the present invention includes a light emitting element, a driving circuit, a first transistor, a first photosensor, a capacitor, and a second transistor. The light emitting device emits light of a luminance corresponding to the amount of current, and the driving circuit controls an amount of current supplied to the light emitting device corresponding to the applied first voltage. The first transistor switches the electrical connection of the light emitting element and the driving circuit in response to a first gate voltage applied to the first control terminal. The first photosensor detects the brightness of light emitted from the light emitting element. The capacitance maintains the second voltage reflecting the first voltage. The second transistor provides the first gate voltage to the first transistor. The second transistor is turned on in response to a second gate voltage determined by the brightness of the detected light and the second voltage held at the capacitance. The first transistor is turned off in response to the first gate voltage applied when the second transistor is turned on.

상기 용량에 유지된 상기 제2 전압의 방전 기간은 상기 검출된 광의 휘도에 따라 제어된다. 상기 방전 기간에 기초하여 상기 발광 소자의 발광 기간이 제어될 수 있다.The discharge period of the second voltage held in the capacitance is controlled according to the brightness of the detected light. And the light emitting period of the light emitting device can be controlled based on the discharge period.

상기 제1 트랜지스터는 상기 제1 제어 단자, 제1 단자, 및 제2 단자를 포함할 수 있다.The first transistor may include the first control terminal, the first terminal, and the second terminal.

상기 제2 트랜지스터는 제2 제어 단자, 제3 단자, 및 제4 단자를 포함할 수 있다.The second transistor may include a second control terminal, a third terminal, and a fourth terminal.

상기 제2 트랜지스터의 상기 제3 단자는 상기 제1 트랜지스터의 상기 제1 제어 단자에 접속될 수 있다. 상기 제1 광 센서의 한 쪽 단자와 상기 용량의 한 쪽 단자 각각은 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자에 접속될 수 있다.And the third terminal of the second transistor may be connected to the first control terminal of the first transistor. One terminal of the first photosensor and one terminal of the capacitor may be connected to the second control terminal of the second transistor.

상기 제1 광센서에 직렬 접속하고 상기 용량에 대해 병렬 접속하며 상기 발광 소자로부터 출사된 광이 직접 인가되지 않는 제2 광 센서를 더 포함하고, 상기 제2 전압의 방전 기간은 상기 제1 광 센서 및 상기 제2 광 센서의 검출 결과에 의해 제어될 수 있다.Further comprising a second photosensor connected in series to said first photosensor and connected in parallel to said capacitance and wherein light emitted from said light emissive element is not directly applied, And the detection result of the second photosensor.

상기 제2 제어 단자와 상기 제3 단자 사이의 전기적 연결을 스위칭하는 제1 스위칭 소자를 더 포함할 수 있다. And a first switching device for switching an electrical connection between the second control terminal and the third terminal.

상기 발광 소자의 발광 기간 이전에 정의된 준비 기간 동안에 상기 제2 트랜지스터와 상기 제1 스위칭 소자가 턴-온되고, 상기 제2 제어 단자는 상기 제2 트랜지스터의 문턱값 전압을 반영한 전위를 가질 수 있다.The second transistor and the first switching element may be turned on during a preparation period defined before the light emitting period of the light emitting element and the second control terminal may have a potential reflecting the threshold voltage of the second transistor .

상기 제2 전압에 상기 문턱값 전압이 보상될 수 있다.The threshold voltage may be compensated for by the second voltage.

상기 준비 기간 동안에 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자의 전위는 문턱값 전압이 반영되지 않은 값에서 문턱값 전압이 반영된 값으로 변경될 수 있다.During the preparation period, the potential of the second control terminal of the second transistor may be changed from a value not reflecting the threshold voltage to a value reflecting the threshold voltage.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 화소 회로는 제2 용량 및 상기 제1 용량의 한 쪽 단자에 상기 제2 전압을 제공하는 제2 스위칭 소자를 더 포함할 수 있다.The pixel circuit of the display device according to an embodiment of the present invention may further include a second capacitor and a second switching element for providing the second voltage to one terminal of the first capacitor.

상기 제2 용량은 상기 제2 스위칭 소자와 상기 제1 용량의 한 쪽 단자 사이에 개재한다. 상기 제2 스위칭 소자가 턴-온 될 때, 상기 제2 전압이 상기 제2 용량을 통하여 상기 제1 용량의 상기 한 쪽 단자로 인가된다.The second capacitor is interposed between the second switching element and one terminal of the first capacitor. When the second switching element is turned on, the second voltage is applied to the one terminal of the first capacitor through the second capacitor.

상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자가 상기 제2 트랜지스터의 문턱값 전압을 반영한 전위를 가진 이후에, 상기 제2 스위칭 소자가 턴-온될 수 있다.After the second control terminal of the second transistor has a potential reflecting the threshold voltage of the second transistor, the second switching element can be turned on.

상기 제2 트랜지스터의 상기 제4 단자에 상기 제2 전압을 제공하는 제3 스위칭 소자를 더 포함할 수 있다.And a third switching element for providing the second voltage to the fourth terminal of the second transistor.

상기 제2 트랜지스터, 상기 제1 스위칭 소자, 및 상기 제3 스위칭 소자가 턴-온 될때, 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자로 상기 제2 전압이 인가됨으로써, 상기 제2 제어 단자는 상기 제2 트랜지스터의 문턱값 전압이 반영된 전위를 가질 수 있다.The second voltage is applied to the second control terminal of the second transistor when the second transistor, the first switching element, and the third switching element are turned on, The threshold voltage of the two transistors can be reflected.

상기 제3 스위칭 소자는 상기 제1 스위칭 소자에 동기하여 스위칭될 수 있다.The third switching element may be switched in synchronization with the first switching element.

본 발명의 일 실시예에 따른 영상 표시 방법은 상기 제1 광 센서에서 검출된 광의 휘도와 상기 용량에 유지된 상기 제2 전압에 의해 결정되는 제2 게이트 전압에 기초하여 상기 제2 트랜지스터가 턴-온 되는 단계 및 상기 제2 트랜지스터가 턴-온될 때 인가되는 상기 제1 게이트 전압에 기초하여 상기 제1 트랜지스터가 턴-오프되는 단계를 포함할 수 있다.The method of displaying an image according to an embodiment of the present invention is characterized in that the second transistor is turned on based on a luminance of light detected by the first photosensor and a second gate voltage determined by the second voltage held in the capacitor, And turning on the first transistor based on the first gate voltage applied when the second transistor is turned on.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 화소 회로마다의 발광 소자의 열화량에 따라서, 당해 발광 소자의 발광량을 보다 바람직한 형태로 보정하는 것이 가능한, 표시 장치, 표시 방법, 및 프로그램이 제공된다.As described above, according to the present invention, a display device, a display method, and a program capable of correcting the light emission amount of the light emitting element in a more preferable form in accordance with the amount of deterioration of the light emitting element for each pixel circuit are provided.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치에 있어서 휘도 열화 보상의 원리에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 표시 장치에 있어서 휘도 열화 보상의 원리에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 표시 장치의 구성의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.
도 4는 동 실시 형태에 따른 화소 회로의 구성의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명하기 위한 개략적인 타이밍차트이다.
도 6은 도 5에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 7은 도 5에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 8은 도 5에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 9는 도 5에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 10은 도 5에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 11은 발광 휘도에 따른, 보상용 데이터 신호의 제어의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.
도 12는 발광 휘도에 따른, 보상용 데이터 신호의 제어의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.
도 13은 발광 휘도에 따른, 보상용 데이터 신호의 제어의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.
도 14는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 화소 회로의 구성의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.
도 15는 동 실시 형태에 따른 화소 회로의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명하기 위한 개략적인 타이밍차트이다.
도 16은 도 15에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 17은 도 15에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 18은 도 15에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 19는 도 15에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.
도 20은 도 15에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.1 is an explanatory view for explaining the principle of luminance degradation compensation in a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is an explanatory view for explaining the principle of luminance degradation compensation in a display device according to an embodiment of the present invention.
3 is an explanatory diagram for explaining an example of a configuration of a display device according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 4 is an explanatory view for explaining an example of the configuration of the pixel circuit according to the embodiment.
5 is a schematic timing chart for explaining an example of the driving timing of the pixel circuit 110 according to the embodiment.
Fig. 6 is an explanatory view for explaining the connection relation of each element constituting the pixel circuit at each timing shown in Fig. 5; Fig.
Fig. 7 is an explanatory view for explaining the connection relationship of each element constituting the pixel circuit at each timing shown in Fig. 5; Fig.
FIG. 8 is an explanatory view for explaining the connection relationship of each element constituting the pixel circuit at each timing shown in FIG. 5; FIG.
Fig. 9 is an explanatory view for explaining the connection relationship of each element constituting the pixel circuit at each timing shown in Fig. 5; Fig.
Fig. 10 is an explanatory view for explaining the connection relationship of each element constituting the pixel circuit at each timing shown in Fig. 5; Fig.
11 is an explanatory view for explaining an example of control of the data signal for compensation according to the light emission luminance.
12 is an explanatory view for explaining an example of control of a data signal for compensation according to the light emission luminance.
13 is an explanatory view for explaining an example of control of a data signal for compensation according to the light emission luminance.
14 is an explanatory view for explaining an example of the configuration of the pixel circuit according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 15 is a schematic timing chart for explaining an example of the driving timing of the pixel circuit according to the embodiment.
Fig. 16 is an explanatory view for explaining the connection relationship of each element constituting the pixel circuit at each timing shown in Fig. 15. Fig.
Fig. 17 is an explanatory view for explaining the connection relationship of each element constituting the pixel circuit at each timing shown in Fig. 15. Fig.
Fig. 18 is an explanatory view for explaining the connection relationship of each element constituting the pixel circuit at each timing shown in Fig. 15. Fig.
Fig. 19 is an explanatory view for explaining the connection relationship of each element constituting the pixel circuit at each timing shown in Fig. 15; Fig.
Fig. 20 is an explanatory diagram for explaining the connection relationship of each element constituting the pixel circuit at each timing shown in Fig. 15. Fig.

이하에 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 붙임으로써, 중복 설명을 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present specification and drawings, constituent elements having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

<1. 보상의 원리><1. Principle of compensation>

먼저, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치의 특징을 보다 쉽게 이해하기 위해, 당해 표시 장치가, 화소 회로마다 발광 소자의 열화량에 따라서, 당해 발광 소자의 발광량을 보상(보정)하는 제어(즉, 휘도 열화 보상)의 원리에 대해서 설명한다.First, in order to easily understand the characteristics of the display device according to the embodiment of the present invention, it is preferable that the display device controls (compensates) the amount of light emitted by the light emitting element in accordance with the deterioration amount of the light emitting element for each pixel circuit , Luminance deterioration compensation) will be described.

예를 들어, 도 1 및 도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치에 있어서 휘도 열화 보상의 원리를 설명하기 위한 설명도이다. 예를 들어, 도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치의 화소 회로의 회로 구성을 나타낸다. 특히, 휘도 열화 보상을 위한 회로에 초초점을 맞추어 모델화하였다. 또한, 도 2는 도 1에서 나타낸 회로의 개략적인 구동 타이밍에 대해서 특히, 발광 소자의 발광 시간에 초점을 맞추어 나타내고 있다.For example, Figs. 1 and 2 are explanatory diagrams for explaining the principle of luminance degradation compensation in a display device according to an embodiment of the present invention. For example, Fig. 1 shows a circuit configuration of a pixel circuit of a display device according to an embodiment of the present invention. In particular, we focused on the circuit for luminance degradation compensation and modeled it. Fig. 2 shows the schematic driving timing of the circuit shown in Fig. 1 particularly focusing on the light emitting time of the light emitting element.

도 1에 나타내는 화소 회로는 구동 회로(117), 제어 트랜지스터(EM-TFT), 유기 EL 소자(OLED), 광 센서(Ps), 및 센서 용량(Cs)을 포함한다.The pixel circuit shown in Fig. 1 includes a driving circuit 117, a control transistor (EM-TFT), an organic EL element OLED, an optical sensor Ps, and a sensor capacitance Cs.

유기 EL 소자(OLED)는 이른바, 전류 구동 소자이고, 공급되는 구동 전류(Ic)에 비례하여 발광 휘도가 변화한다.The organic EL element OLED is a so-called current driving element, and the light emission luminance changes in proportion to the supplied driving current Ic.

구동 회로(117)는 데이터 신호(Data, 휘도에 따른 전압 신호)의 공급을 받아서, 당해 데이터 신호(Data)에 따른 휘도로 유기 EL 소자(OLED)를 발광시킨다. 구동 회로(117)는 데이터 신호(Data)에 대응하는 구동 전류(Ic)를 출력한다.The driving circuit 117 receives supply of the data signal (Data, voltage signal according to luminance), and causes the organic EL element OLED to emit light with a luminance corresponding to the data signal Data. The driving circuit 117 outputs the driving current Ic corresponding to the data signal Data.

구동 회로(117)는 예를 들어, 2 개의 트랜지스터와 하나의 유지 용량을 포함하는 이른바 2T1C 회로나, 6 개의 트랜지스터와 하나의 유지 용량을 포함하는 이른바 6T1C 회로 등에 의해 구성될 수 있다. 이와 같은 구성인 경우에는, 구동 회로(117)는 예를 들어, 이른바 구동 트랜지스터를 포함하고, 당해 구동 트랜지스터의 게이트 단자에 데이터 신호(Data)를 공급함으로써, 당해 데이터 신호(Data)에 따라서 변화하는 소스-드레인 사이 전류를 구동 전류(Ic)로서 출력한다.The driving circuit 117 may be constituted by, for example, a so-called 2T1C circuit including two transistors and a holding capacitor, or a so-called 6T1C circuit including six transistors and a holding capacitor. In such a configuration, the driving circuit 117 includes, for example, a so-called driving transistor, and supplies the data signal Data to the gate terminal of the driving transistor to change the data signal Data according to the data signal Data And outputs the source-drain current as the driving current Ic.

물론, 상기에 나타내는 구동 회로(117)의 구성은 어디까지나 일 예이고, 공급된 데이터 신호(Data)에 따라서, 출력되는 구동 전류(Ic)를 제어 가능하면(즉, 데이터 신호(Data)를 아날로그 전류(Ic)로 변환 가능하면), 당해 구동 회로(117)의 구성은 특별히 한정되지 않는다.Of course, the configuration of the driving circuit 117 is merely an example, and if the output driving current Ic can be controlled in accordance with the supplied data signal (that is, the data signal Data is analog Current Ic), the configuration of the drive circuit 117 is not particularly limited.

제어 트랜지스터(EM-TFT)는 예를 들어, P 채널형의 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)에 의해 구성될 수 있다.The control transistor EM-TFT may be constituted by, for example, a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) of a P-channel type.

제어 트랜지스터(EM-TFT)의 소스 단자 측에는 구동 회로(117)가 접속되어 있고, 드레인 단자 측에는, 유기 EL 소자(OLED)의 애노드 측이 접속되어 있다. 또한, 유기 EL 소자의 캐소드 측에는 전원 전압(ELVSS)이 접속되어 있다. 즉, 제어 트랜지스터(EM-TFT)가 턴-온된 경우(즉, 소스-드레인 사이에 전류 패스가 형성된 상태)에는, 구동 회로(117)로부터의 구동 전류(Ic)가 제어 트랜지스터(EM-TFT)를 통하여 유기 EL 소자(OLED)로 공급되고, 당해 구동 전류(Ic)에 대응하게 유기 EL 소자(OLED)가 발광하게 된다.A driving circuit 117 is connected to the source terminal side of the control transistor EM-TFT and an anode side of the organic EL element OLED is connected to the drain terminal side. A power source voltage ELVSS is connected to the cathode side of the organic EL element. That is, when the control transistor EM-TFT is turned on (i.e., the current path is formed between the source and the drain), the driving current Ic from the driving circuit 117 is applied to the control transistor EM- And the organic EL element OLED emits light corresponding to the driving current Ic.

광 센서(Ps)는 예를 들어, 포토다이오드나 포토트랜지스터 등에 의해 구성될 수 있다. 또한, 광 센서(Ps)의 재료로서는, 예를 들어, 폴리 실리콘, 아모퍼스 실리콘 등을 들 수 있다. 광 센서(Ps)는 한 쪽의 단자가 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 소정의 전위의 전극에 접속되어 있다. 광 센서(Ps)는 유기 EL 소자(OLED)로부터의 출사된 광의 일부를 수신한다.The optical sensor Ps may be constituted by, for example, a photodiode or a phototransistor. As a material of the photosensor (Ps), for example, polysilicon, amorphous silicon and the like can be given. In the optical sensor Ps, one terminal is connected to the gate terminal of the control transistor (EM-TFT), and the other terminal is connected to the electrode of the predetermined potential. The light sensor Ps receives a part of the light emitted from the organic EL element OLED.

또한, 센서 용량(Cs)의 한 쪽의 단자는 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자에 접속되고, 다른 쪽의 단자는 광 센서(Ps)와 마찬가지로 소정의 전위의 전극에 접속되어 있다. 센서 용량(Cs)은 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자로 인가된 전압을 유지한다.One terminal of the sensor capacitance Cs is connected to the gate terminal of the control transistor EM-TFT, and the other terminal is connected to the electrode of a predetermined potential in the same manner as the photosensor Ps. The sensor capacitance Cs holds the voltage applied to the gate terminal of the control transistor EM-TFT.

광 센서(Ps)에 의해 유기 EL 소자(OLED)로부터 출사된 광이 검출되면, 검출된 광의 휘도(즉, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도)에 대응하는 전류가 광 센서(Ps)에 흐른다. 이하, 광 센서(Ps)의 검출 결과(검출된 광의 휘도)에 대응하게 광 센서(Ps)에 흐르는 전류를 「센싱 전류(Is)」로 기재하는 경우가 있다.When light emitted from the organic EL element OLED is detected by the optical sensor Ps, a current corresponding to the luminance of the detected light (i.e., the luminance of the organic EL element OLED) flows in the optical sensor Ps. Hereinafter, the current flowing in the optical sensor Ps corresponding to the detection result (the brightness of the detected light) of the optical sensor Ps may be described as the &quot; sensing current Is &quot;.

센서 용량(Cs)에 유지된 전압은 광 센서(Ps)의 검출 결과에 따른 센싱 전류(Is)에 의해 방전되고, 센서 용량(Cs)의 방전에 의해 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자의 전위가 상승한다. 즉, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자의 전위(Vg)는 광 센서(Ps)에서 검출된 광의 휘도에 따른 센싱 전류(Is), 및 센서 용량(Cs)의 시정수에 의존하여 상승한다. 그리고, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자의 전위(Vg)가 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 문턱값 전압(Vth)에 도달하면, 제어 트랜지스터(EM-TFT)는 턴-오프(즉, 소스-드레인 사이에 전류패스가 차단된 상태) 된다.The voltage held in the sensor capacitance Cs is discharged by the sensing current Is according to the detection result of the photosensor Ps and the potential of the gate terminal of the control transistor EM- The potential increases. That is, the potential Vg of the gate terminal of the control transistor EM-TFT rises depending on the sensing current Is according to the brightness of the light detected by the photosensor Ps and the time constant of the sensor capacitance Cs . Then, when the potential Vg of the gate terminal of the control transistor EM-TFT reaches the threshold voltage Vth of the control transistor EM-TFT, the control transistor EM-TFT is turned off (that is, The current path is blocked between the source and the drain).

이하, 트랜지스터나 스위칭 소자에 전류패스가 형성된 상태를 「턴-온 상태」라 칭하고, 전류패스가 차단된 상태를 「턴-오프 상태」라 칭하는 경우가 있다.Hereinafter, a state in which a current path is formed in a transistor or a switching element is referred to as a "turn-on state", and a state in which a current path is blocked is referred to as a "turn-off state".

여기서, 도 2를 참조하여, 유기 EL 소자(OLED)의 열화량에 따른, 유기 EL 소자(OLED)의 발광량 보상(보정)에 대해서 설명한다. 도 2에 있어서, 참조 부호(T0)는 1 프레임 기간에 정의된 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간을 나타내고 있다. 또한, 참조 부호(T1)는 열화 전의 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간을 나타내고 있다. 또한, 유기 EL 소자(OLED)의 열화 전의 상태를, 이후에는 「초기 상태」로 기재하는 경우가 있다.Here, compensation of the amount of emitted light of the organic EL element OLED (correction) according to the amount of deterioration of the organic EL element OLED will be described with reference to FIG. In Fig. 2, reference character T 0 denotes a light emitting period of the organic EL element OLED defined in one frame period. In addition, reference character T 1 denotes a light emitting period of the organic EL element OLED before deterioration. In addition, the state before deterioration of the organic EL element OLED may hereinafter be described as &quot; initial state &quot;.

초기 상태에 비해 유기 EL 소자(OLED)의 열화가 진행하면, 열화에 따라 유기 EL 소자(OLED)의 휘도는 저하하기 때문에, 광 센서(Ps)에 따른 센싱 전류(Is)는 유기 EL 소자(OLED)의 열화에 따라 감소한다. 센서 용량(Cs)에 유지된 전압의 방전 시간이 길어지고, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자의 전위(Vg)가 문턱값 전압(Vth)에 도달하는 시간이 길어지기 때문에, 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간도 길어진다. 도 2에 있어서, 참조 부호(T2)로 나타낸 보상 발광 기간은 유기 EL 소자(OLED)의 열화에 따라 연장된 발광 기간을 나타내고 있다.As the deterioration of the organic EL element OLED progresses compared to the initial state, the luminance of the organic EL element OLED decreases with deterioration. Therefore, the sensing current Is according to the optical sensor Ps is lower than the sensing current Is of the organic EL element OLED ). &Lt; / RTI &gt; The discharge time of the voltage held in the sensor capacitance Cs becomes long and the time for the potential Vg of the gate terminal of the control transistor EM-TFT to reach the threshold voltage Vth becomes long, The light emitting period of the organic light emitting diode (OLED) also becomes longer. In FIG. 2, the compensated light-emitting period indicated by reference numeral T 2 indicates a light-emitting period extended with deterioration of the organic EL element OLED.

여기서, 유기 EL 소자(OLED)의 발광량은 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류(즉, 구동 전류(Ic))와 발광 기간의 길이에 비례한다. 그러므로, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치에서는, 유기 EL 소자(OLED)의 열화에 따라 발광 기간을 연장시킴으로써, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화를 보상할 수 있다.Here, the amount of light emitted from the organic EL element OLED is proportional to the current flowing through the organic EL element OLED (i.e., the driving current Ic) and the length of the light emitting period. Therefore, in the display device according to the embodiment of the present invention, the luminance deterioration of the organic EL element OLED can be compensated by extending the light emission period in accordance with deterioration of the organic EL element OLED.

또한, 상기에 설명한 유기 EL 소자(OLED)의 열화에 따라 발광 기간을 연장시키기 위한 화소 회로의 상세한 구성의 일 예에 대하여는 별도로 후술한다.An example of the detailed configuration of the pixel circuit for extending the light emission period according to the deterioration of the organic EL element OLED described above will be separately described later.

이상, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 따른 표시 장치가, 화소 회로마다 발광 소자의 열화량에 따라서 발광 소자의 발광량을 보상(보정)하는 제어의 원리에 대해서 설명하였다.1 and 2, the principle of control in which the display device according to the embodiment of the present invention compensates (corrects) the light emission amount of the light emitting element in accordance with the amount of deterioration of the light emitting element for each pixel circuit has been described.

<2. 제1 실시 형태><2. First Embodiment>

[2.1. 표시 장치의 구성][2.1. Configuration of display device]

이어서, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 표시 장치에 대해서 설명한다. 먼저, 도 3을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)의 기능 구성의 일 예에 대하여 설명한다. 도 3은 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)의 구성의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다. 또한, 도 3에 있어서, 도면의 횡 방향을 행 방향(X 방향), 세로 방향을 열 방향(Y 방향)으로 나타낸다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 표시부(100), 스캔 드라이버(120), 및 데이터 드라이버(130)를 갖는다.Next, a display device according to a first embodiment of the present invention will be described. First, an example of the functional configuration of the display device 10 according to the present embodiment will be described with reference to Fig. 3 is an explanatory view for explaining an example of the configuration of the display apparatus 10 according to the present embodiment. 3, the lateral direction in the drawing is indicated by a row direction (X direction) and the longitudinal direction is indicated by a column direction (Y direction). 3, the display device 10 according to the present embodiment includes a display portion 100, a scan driver 120, and a data driver 130.

표시부(100)는 복수의 화소 회로(110)를 갖는다. 데이터 신호에 대응하는 영상은 복수의 화소 회로(110)에 의해 정의되는 표시 화소에서 표시된다. 표시부(100)에는 각각이 행 방향(X 방향)을 향하여 연장된 복수의 주사 선(112 및 113)과, 복수의 초기화 신호 선(116)이 배치된다. 또한, 표시부(100)에는 각각이 열 방향(Y 방향)을 향하여 연장된 복수의 데이터 선(114) 및 보상용 신호 선(115)이 배치된다. 또한, 본 설명에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 표시부(100)에는, n(n은 2 이상의 정수)개의 주사 선(112), n(n은 2 이상의 정수)개의 주사 선(113), 및 n(n은 2 이상의 정수)개의 초기화 신호 선(116)과, m(m은 2 이상의 정수)개의 데이터 선(114) 및 m(m은 2 이상의 정수)개의 보상용 신호 선(115)가 배치될 수 있다.The display section 100 has a plurality of pixel circuits 110. The image corresponding to the data signal is displayed on the display pixel defined by the plurality of pixel circuits 110. [ A plurality of scanning lines 112 and 113 and a plurality of initialization signal lines 116 extending in the row direction (X direction) are arranged in the display portion 100, respectively. A plurality of data lines 114 and a compensation signal line 115 extending in the column direction (Y direction) are disposed in the display portion 100, respectively. 3, n (n is an integer of 2 or more) scanning lines 112, n (n is an integer of 2 or more) scanning lines 113, and (m is an integer of 2 or more) data lines 114 and m (m is an integer of 2 or more) number of compensation signal lines 115 are arranged .

복수의 화소 회로(110) 각각은 행 방향(X 방향)으로 연장된 복수의 주사 선(112 및 113)과, 열 방향(Y 방향)으로 연장된 복수의 데이터 선(114)이 교차하는 영역에 각각 배치될 수 있다. 화소 회로(110)의 상세한 구성에 대하여는 별도로 후술한다.Each of the plurality of pixel circuits 110 includes a plurality of scanning lines 112 and 113 extending in the row direction (X direction) and a plurality of data lines 114 extending in the column direction (Y direction) Respectively. The detailed configuration of the pixel circuit 110 will be separately described later.

또한, 표시부(100)에는, 고전위 전원(VDD, 도 4 참조), 저전위 전원(VGL, 도 4 참조), 전원 전압(ELVDD 및 ELVSS, 도 4 참조)이 접속되고, 도시하지 않은 상위의 제어 회로에 의한 제어에 기초하여, 각 전원으로부터 전원에 대응하는 전압이 인가된다.4), a low potential power source (VGL, see Fig. 4), and a power source voltage (ELVDD and ELVSS, see Fig. 4) are connected to the display unit 100, Based on the control by the control circuit, a voltage corresponding to the power source is applied from each power source.

스캔 드라이버(120)에는 Y 방향으로 배열된 복수의 주사 선(112 및 113)과, 복수의 초기화 신호 선(116)이 접속되어 있다.A plurality of scan lines 112 and 113 arranged in the Y direction and a plurality of initialization signal lines 116 are connected to the scan driver 120.

스캔 드라이버(120)는 X 방향으로 배열된 복수의 주사 선(112 및 113)을 통하여 화소행들에 Scan 신호들을 공급한다. 이때, 주사 선(113)에는 주사 선(112)에 Scan 신호가 공급되는 타이밍보다도 1 수평 주사 기간만큼 빠른 타이밍으로 Scan 신호가 공급된다. 즉, i 번째(1 ≤ i ≤ n)의 수평 주사 기간에 공급되는 Scan 신호를 Scan(i) 신호라 하면, 화소 회로(110)는 주사 선(112)을 통하여 Scan(i) 신호를 수신하고 주사 선(113)를 통하여 Scan(i-1) 신호를 수신한다.The scan driver 120 supplies scan signals to the pixel rows through a plurality of scan lines 112 and 113 arranged in the X direction. At this time, the scan signal is supplied to the scan line 113 at a timing that is faster than the timing at which the scan signal is supplied to the scan line 112 by one horizontal scan period. That is, when the scan signal supplied in the i-th (1? I? N) horizontal scanning period is a Scan (i) signal, the pixel circuit 110 receives the Scan (i) signal through the scanning line 112 And receives the Scan (i-1) signal through the scanning line 113.

또한, 스캔 드라이버(120)는 화소 회로(110)에 Scan 신호를 공급하는 타이밍에 따라서 화소 회로(110)에 초기화 신호(Init)를 공급한다. 또한, 이후의 설명에서는, i 번째의 수평 주사 기간에 대응하여 공급되는 초기화 신호(Init)를 「초기화 신호(Init(i))」로 기재하는 경우가 있다.The scan driver 120 supplies the initialization signal Init to the pixel circuit 110 in accordance with the timing of supplying the scan signal to the pixel circuit 110. [ In the following description, the initialization signal Init supplied corresponding to the i-th horizontal scanning period may be described as &quot; initialization signal Init (i) &quot;.

데이터 드라이버(130)에는 X 방향으로 배열된 복수의 데이터 선(114) 및 복수의 보상용 신호 선(115)가 접속되어 있다.A plurality of data lines 114 and a plurality of compensation signal lines 115 arranged in the X direction are connected to the data driver 130.

데이터 드라이버(130)는 화소열들마다 배열된 데이터 선들(114)을 통하여 화소열들에 대응하는 발광 휘도(바꾸어 말하면, 계조)에 따른 데이터 신호들(Data)(전압 신호)을 공급한다. 또한, 이후의 설명에서는, 제 j 열의 화소 회로(110)에 대해 공급되는 데이터 신호(Data)를 「데이터 신호(Data)(j)」로 기재하는 경우가 있다.The data driver 130 supplies data signals (data signals) (voltage signals) corresponding to light emission luminances (that is, gradations) corresponding to the pixel columns through the data lines 114 arranged for each pixel column. In the following description, the data signal Data supplied to the pixel circuit 110 in the jth column may be described as &quot; data signal (Data) (j) &quot;.

또한, 데이터 드라이버(130)는 화소열들마다 배열된 보상용 신호 선들(115)을 통하여 화소열들에 대응하는 발광 휘도(계조)에 따른 보상용 데이터 신호들(Comp. Data)을 공급한다. 또한, 이후의 설명에서는 제 j 열의 화소 회로(110)에 대해 공급되는 보상용 데이터 신호(Comp. Data)를 「Data(j)」라 기재하는 경우가 있다. The data driver 130 supplies compensation data signals (Comp. Data) according to the light emission luminance (gradation) corresponding to the pixel columns through the compensation signal lines 115 arranged for each pixel column. In the following description, the compensation data signal (Comp. Data) supplied to the pixel circuit 110 in the j-th column may be described as "Data (j)".

이상, 도 3을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)의 기능 구성의 일 예에 대하여 설명하였다. 또한, 상기에 설명한 표시 장치(10)의 기능 구성은 어디까지나 일 예이고, 화소 회로(110)에 대해, 각 신호를 공급하는 것이 가능하면, 스캔 드라이버(120)나 데이터 드라이버(130)의 구성은 특별히 한정되지 않는다.As described above, an example of the functional configuration of the display apparatus 10 according to the present embodiment has been described with reference to Fig. The functional configuration of the display device 10 described above is merely an example and if the signals can be supplied to the pixel circuit 110, the configuration of the scan driver 120 and the data driver 130 Is not particularly limited.

[2.2. 화소 회로의 구성][2.2. Configuration of Pixel Circuit]

이어서, 도 4를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 일 예에 대하여 설명한다. 도 4는 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다. 도 4는 도 3에 나타내는 표시부(100)를 구성하는 복수의 화소 회로(110) 중 제 n 행에 배치되는 화소 회로(110)의 일 예를 나타내고 있다. 또한, 표시부(100)를 구성하는 다른 화소 회로(110)에 대하여는, 도 4에 나타내는 화소 회로(110)의 구성과 동일한 구성을 취하는 것이 가능하기 때문에, 상세한 설명을 생략한다.Next, an example of the pixel circuit 110 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 4 is an explanatory view for explaining an example of the pixel circuit 110 according to the present embodiment. Fig. 4 shows an example of the pixel circuit 110 arranged in the n-th row among the plurality of pixel circuits 110 constituting the display section 100 shown in Fig. Further, the other pixel circuits 110 constituting the display section 100 can have the same configuration as the pixel circuit 110 shown in Fig. 4, and thus the detailed description thereof will be omitted.

도 4에 나타내는 바와 같이, 화소 회로(110)는 유기 EL 소자(OLED), 구동 회로(117), 제어 트랜지스터(M1 및 M3), 스위칭 트랜지스터(M2, M4, M15, 및 M31), 광 센서들(Ps1 및 Ps2), 센서 용량(Cs), 및 용량들(C1 및 C2)을 포함한다.4, the pixel circuit 110 includes an organic EL element OLED, a driving circuit 117, control transistors M1 and M3, switching transistors M2, M4, M15 and M31, (Ps1 and Ps2), a sensor capacitance Cs, and capacitances C1 and C2.

제어 트랜지스터(M1 및 M3)는 예를 들어, P 채널형의 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)에 의해 구성될 수 있다.The control transistors M1 and M3 may be constituted by, for example, a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) of a P-channel type.

또한, 구동 회로(117)는 도 1을 참조하여 전술한 구동 회로(117)에 상당한다.The driving circuit 117 corresponds to the driving circuit 117 described above with reference to Fig.

도 4에 나타내는 바와 같이, 제어 트랜지스터(M1)의 소스 단자 측에는 구동 회로(117)가 접속되어 있고, 드레인 단자 측에는, 유기 EL 소자(OLED)의 애노드 측이 접속되어 있다. 또한, 유기 EL 소자의 캐소드 측에는 전원 전압(ELVSS)이 접속되어 있다.As shown in Fig. 4, a drive circuit 117 is connected to the source terminal side of the control transistor M1, and an anode side of the organic EL element OLED is connected to the drain terminal side. A power source voltage ELVSS is connected to the cathode side of the organic EL element.

구동 회로(117)는 스위칭 트랜지스터(M31)를 통하여, 데이터 선(114)에 접속되어 있다. 스위칭 트랜지스터(M31)는 주사 선(112)을 통하여 전달되는 Scan(n) 신호에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프된다. 즉, Scan(n) 신호에 기초하여 스위칭 트랜지스터(M31)가 턴-온 됨으로써, 데이터 선(114)을 통하여 전달된 데이터 신호(Data)가 구동 회로(117)로 공급된다. 또한, 구동 회로(117)에는, 도시하지 않은 전원 전압(ELVDD)으로부터 전원 전압이 공급된다.The driving circuit 117 is connected to the data line 114 through the switching transistor M31. The switching transistor M31 is turned on or off in response to the Scan (n) signal transmitted through the scan line 112. [ That is, the switching transistor M31 is turned on based on the Scan (n) signal, so that the data signal Data transmitted through the data line 114 is supplied to the driving circuit 117. The drive circuit 117 is supplied with a power supply voltage from a power supply voltage ELVDD (not shown).

이와 같은 구성에 의해, 구동 회로(117)는 데이터 선(114) 및 스위칭 트랜지스터(M31)를 통하여 공급된 데이터 신호(Data)에 따른 구동 전류(Ic)를 제어 트랜지스터(M1)의 소스 단자로 공급한다.The driving circuit 117 supplies the driving current Ic according to the data signal Data supplied through the data line 114 and the switching transistor M31 to the source terminal of the control transistor M1 do.

제어 트랜지스터(M3)의 소스 단자에는 고전위 전원(VDD)이 접속되고, 드레인 단자에는 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자가 접속된다. 즉, 제어 트랜지스터(M3)가 턴-온 또는 턴-오프됨에 따라 제어 트랜지스터(M1)가 턴-온 또는 턴-오프된다. 또한, 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자가 접속되는 노드를 이후에는, 「노드(Na)」로 기재하는 경우가 있다. 또한, 제어 트랜지스터(M1 및 M3) 각각이 턴-온 상태 또는 턴-오프 상태로 전환하는 타이밍에 대한 상세한 설명은 화소 회로(110)의 구동 타이밍에 맞추어 별도로 후술한다.The source terminal of the control transistor M3 is connected to the high potential power supply VDD and the drain terminal is connected to the gate terminal of the control transistor M1. That is, as the control transistor M3 is turned on or off, the control transistor Ml is turned on or off. The node to which the gate terminal of the control transistor M1 is connected may be hereinafter referred to as &quot; node (Na) &quot;. A detailed description of the timing at which each of the control transistors Ml and M3 switches to the turn-on state or the turn-off state will be separately described later in accordance with the driving timing of the pixel circuit 110. [

용량(C1)은 한 쪽의 단자가 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자에 접속하는 노드(Nb)에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 고전위 전원(VDD)에 접속된다. 또한, 노드(Nb)와 저전위 전원(VGL) 사이에는 스위칭 트랜지스터(M2)가 개재된다. 스위칭 트랜지스터(M2)는 초기화 신호 선(116)을 통하여 공급되는 초기화 신호(Init)에 따라서 턴-온 또는 턴-오프된다.The capacitor C1 has one terminal connected to the node Nb connected to the gate terminal of the control transistor M1 and the other terminal connected to the high potential power supply VDD. A switching transistor M2 is interposed between the node Nb and the low potential power supply VGL. The switching transistor M2 is turned on or off according to the initialization signal Init supplied through the initialization signal line 116. [

또한, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자가 접속되는 노드를 「노드(Na)」라 한 경우 보상용 신호 선(115)과 노드(Na)는 스위칭 트랜지스터(M15) 및 용량(C2)을 통하여 접속된다. 스위칭 트랜지스터(M15)는 주사 선(112)을 통하여 전달되는 Scan(n) 신호에 따라서 턴-온 또는 턴-오프된다. 즉, Scan(n) 신호에 기초하여 스위칭 트랜지스터(M15)가 턴-온 됨으로써, 보상용 신호 선(115)을 통하여 전달된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 노드(Na)로 공급된다.When the node to which the gate terminal of the control transistor M3 is connected is referred to as a "node Na", the compensation signal line 115 and the node Na are connected through the switching transistor M15 and the capacitor C2 do. The switching transistor M15 is turned on or off according to the Scan (n) signal transmitted through the scan line 112. [ That is, the switching transistor M15 is turned on based on the Scan (n) signal, so that the compensation data signal (Comp.Data) transmitted through the compensation signal line 115 is supplied to the node Na.

제어 트랜지스터(M3)의 드레인 단자(바꾸어 말하면, 노드(Nb))와 게이트 단자(바꾸어 말하면, 노드(Na)) 사이에는 스위칭 트랜지스터(M4)가 개재한다. 스위칭 트랜지스터(M4)는 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자와 드레인 단자 사이를 바이패스함으로써, 제어 트랜지스터(M3)를 다이오드 접속시킨다. 스위칭 트랜지스터(M4)는 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압의 변화를 보상한다. 스위칭 트랜지스터(M4)는 주사 선(113)을 통하여 전달되는 Scan(n-1) 신호에 응답하여 턴-온 또는 턴-오프된다.The switching transistor M4 is interposed between the drain terminal (in other words, the node Nb) of the control transistor M3 and the gate terminal (in other words, the node Na). The switching transistor M4 diodes the control transistor M3 by bypassing between the gate terminal and the drain terminal of the control transistor M3. The switching transistor M4 compensates for a change in the threshold voltage of the control transistor M3. The switching transistor M4 is turned on or off in response to the Scan (n-1) signal transmitted through the scan line 113. [

광 센서(Ps1 및 Ps2)는 예를 들어, 포토다이오드나 포토트랜지스터 등에 의해 구성될 수 있다. 또한, 광 센서(Ps1 및 Ps2)의 재료로서는 예를 들어, 폴리 실리콘, 아모퍼스 실리콘 등을 들 수 있다.The optical sensors Ps1 and Ps2 may be constituted by, for example, a photodiode or a phototransistor. Examples of the material of the photosensors Ps1 and Ps2 include polysilicon, amorphous silicon, and the like.

광 센서(Ps1, 이하 제1 광 센서)는 유기 EL 소자(OLED)로부터 출사된 광의 일부를 수신한다. 제1 광 센서(Ps1)는 한 쪽의 단자가 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자기 접속한 노드(Na)에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 저전위 전원(VGL)에 접속된다.The optical sensor Ps1 (hereinafter referred to as a first optical sensor) receives a part of the light emitted from the organic EL element OLED. One terminal of the first photosensor Ps1 is connected to the node Na of the gate of the control transistor M3 and the other terminal thereof is connected to the low potential power source VGL.

광 센서(Ps2, 이하 제2 광 센서)는 유기 EL 소자(OLED)로부터 출사된 광을 직접 수신하지는 않는다. 화소 회로(110)의 구조 등의 요인에 의해, 주위로부터 침입하여 오는 반사 광이나, 다른 화소 회로(110)로부터 제공되는 광 등의 노이즈 성분을 검출한다. 제2 광 센서(Ps2)는 한 쪽의 단자가 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자가 접속한 노드(Na)에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 고전위 전원(VDD)에 접속된다. 이때, 광 센서(Ps1 및 Ps2)는 직렬로 접속된다. 이와 같은 구성에 의해, 제1 광 센서(Ps1)의 검출 결과에 기초하여, 제1 광 센서(Ps1)를 흐르는 센싱 전류(Is)로부터, 제2 광 센서(Ps2)의 검출 결과에 기초한 노이즈 성분이 제거(캔슬)된다.The light sensor Ps2 (hereinafter referred to as the second light sensor) does not directly receive the light emitted from the organic EL element OLED. A noise component such as reflected light coming from the surroundings or light provided from the other pixel circuit 110 is detected by factors such as the structure of the pixel circuit 110 and the like. The second photosensor Ps2 has one terminal connected to the node Na connected to the gate terminal of the control transistor M3 and the other terminal connected to the high potential power supply VDD. At this time, the photosensors Ps1 and Ps2 are connected in series. Based on the detection result of the first photosensor Ps1, the noise component based on the detection result of the second photosensor Ps2 from the sensing current Is flowing through the first photosensor Ps1, (Canceled).

센서 용량(Cs)은 한 쪽의 단자가 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자가 접속된 노드(Na)에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 저전위 전원(VGL)에 접속된다. 센서 용량(Cs)에 유지된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)는 광 센서들(Ps1 및 Ps2)의 검출 결과에 따라서 방전되고, 상기 방전에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 제어된다. 또한, 상세에 대하여는, 별도 후술한다.One terminal of the sensor capacitance Cs is connected to the node Na to which the gate terminal of the control transistor M3 is connected and the other terminal is connected to the low potential power supply VGL. The compensation data signal Comp.Data held in the sensor capacitance Cs is discharged in accordance with the detection result of the photosensors Ps1 and Ps2 and the gate voltage Vg of the control transistor M3 Respectively. Details will be described later.

이상, 도 4를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 구성의 일 예에 대하여 설명하였다.As described above, an example of the configuration of the pixel circuit 110 according to the present embodiment has been described with reference to FIG.

[2.3. 구동 타이밍][2.3. Drive timing]

이어서, 도 5 ~ 도 10을 참조하여, 도 4에 나타낸, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명한다. 도 5는 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명하기 위한 개략적인 타이밍차트이다. 또한, 도 6 ~ 도 10은 도 5에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.Next, with reference to Figs. 5 to 10, an example of driving timing of each element constituting the pixel circuit 110 shown in Fig. 4 according to the present embodiment will be described. 5 is a schematic timing chart for explaining an example of the driving timing of the pixel circuit 110 according to the present embodiment. Figs. 6 to 10 are explanatory diagrams for explaining the connection relationship of each element constituting the pixel circuit 110 at each timing shown in Fig.

도 5에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 1 프레임 기간(Frame)을 복수의 기간(T11~T16)으로 나눠서, 화소 회로(110)를 구동한다. 또한, 복수의 기간(T11~T16) 중 일부의 기간(T13~T15)이 유기 EL 소자(OLED)가 발광하는 발광 기간에 상당하고, 다른 기간(T11, T12, 및 T16)이 유기 EL 소자(OLED)가 소등하는 비발광 기간에 상당한다. 또한, 도 5는 복수의 기간(T11~T16)에 나타나는 초기화 신호(Init), Scan(n-1) 신호, 및 Scan(n) 신호의 변화와 노드들(Na 및 Nb)의 전위의 변화를 도시하였다. 또한, 일부의 기간(T11 및 T12)으로 나타낸 기간이 1개의 수평 주사 기간(1H)에 상당한다. 또한, 기간(T11 및 T12)으로 나타낸 기간과 동일한 시간 폭을 갖는 기간(T13 및 T14)으로 나타낸 기간도 1개의 수평 주사 기간(1H)에 상당하게 된다.5, the display device 10 according to this embodiment divides one frame period (Frame) into a plurality of periods (T 11 T ~ 16), and drives the pixel circuit 110. Further, a plurality of periods (T 11 ~ T 16) the period of some of (T 13 ~ T 15) corresponds to the emission period of the organic EL element (OLED) emits light, a different period (T 11, and T 12, and T 16 correspond to the non-emission period in which the organic EL element OLED extinguishes. In addition, Figure 5 is the potential of the initialization signal (Init), Scan (n- 1) signal, and Scan (n) changes in the signal to the node (Na and Nb) appears in a plurality of periods (T 11 ~ T 16) Change. Further, the periods indicated by the partial periods T 11 and T 12 correspond to one horizontal scanning period (1H). Also, the periods indicated by the periods T 13 and T 14 having the same time width as the periods indicated by the periods T 11 and T 12 also correspond to one horizontal scanning period (1H).

먼저, 제1 기간(T11)에 대해 설명한다. 도 6은 제1 기간(T11)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제1 기간(T11) 동안에 초기화 신호(Init)에 따라서 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴-온 상태로 전환되고, Scan(n-1) 신호에 따라서 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴-온 상태로 전환된다. 또한, 이때, 스위칭 트랜지스터(M15 및 M31)는 턴-오프 상태이다. 또한, 제어 트랜지스터(M1 및 M3)는턴-오프 상태로 된다.First, the first period T 11 will be described. 6 shows the connection relation of the respective components in the first period (T 11), constituting the pixel circuit 110. A first period (T 11) during the initialization signal (Init) As a result, the turn the switching transistor (M2) - being turned on, Scan (n-1) a switching transistor (M4) in accordance with a signal turn-switch in an on state do. At this time, the switching transistors M15 and M31 are in the turn-off state. In addition, the control transistors Ml and M3 are turned off.

도 6에 나타내는 바와 같이, 스위칭 트랜지스터(M2 및 M4)가 턴-온 상태로 전환됨으로써, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자에 저전위 전원(VGL)이 라이트된다. 이것에 의해, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자(바꾸어 말하면, 노드(Na)의 전위)가 저전위 전원(VGL)으로 초기화된다.As shown in Fig. 6, the switching transistors M2 and M4 are switched to the turn-on state, whereby the low potential power source VGL is written to the gate terminal of the control transistor M3. As a result, the gate terminal (in other words, the potential of the node Na) of the control transistor M3 is initialized to the low potential power supply VGL.

이어서, 제2 기간(T12)에 대해 설명한다. 도 7은 제2 기간(T12)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제2 기간(T12) 동안에 초기화 신호(Init)에 따라서 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴-오프 상태로 전환한다. 또한, 제1 기간(T11) 동안에 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자가 전압(VGL)에 의해 초기화됨으로써, 제2 기간(T12) 동안에 제어 트랜지스터(M3)가 톤-온 상태로 전환한다. 그러므로, 제어 트랜지스터(M3)와 스위칭 트랜지스터(M4) 각각이 턴-온 상태로 되고, 제어 트랜지스터(M3)의 드레인 단자(노드(Nb))와 게이트 단자(노드(Na))가 바이패스된다. 제어 트랜지스터(M3)는 이른바 다이오드 접속 된다.Next, the second period T 12 will be described. 7 shows the connection relationship of each element constituting the pixel circuit 110 in the second period T 12 . Is switched off - the second time period (T 12) during the initialization signal (Init) according to a switching transistor (M2) is turned. Further, the first period of time (T 11) while being initialized by a control transistor (M3), the gate terminal voltage (VGL) of the second period (T 12) during the control transistor (M3) is tone-switches to the on state. Therefore, the control transistor M3 and the switching transistor M4 are each turned on, and the drain terminal (node Nb) and the gate terminal (node Na) of the control transistor M3 are bypassed. The control transistor M3 is so-called diode-connected.

여기서, 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압을 Vth라 하면, 제어 트랜지스터(M3)가 다이오드 접속됨으로써 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자(노드(Na))의 전위는 문턱값 전압(Vth)을 반영한 전위(VDD-Vth)로 제어된다. 이와 같은 제어에 의해, 복수의 화소 회로(110) 사이에 있어서, 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth)의 변화가 보상된다.Here, supposing that the threshold voltage of the control transistor M3 is Vth, the potential of the gate terminal (node Na) of the control transistor M3 is controlled by the threshold voltage Vth as a result of diode connection of the control transistor M3 And is controlled to the potential (VDD-Vth). Such a control compensates for a change in the threshold voltage Vth of the control transistor M3 between the plurality of pixel circuits 110. [

이어서, 제3 기간(T13) 및 제4 기간(T14)에 대해 설명한다. 도 8은 제3 기간(T13) 및 제4 기간(T14)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제3 기간(T13) 및 제4 기간(T14) 동안에 Scan(n) 신호에 응답하여 스위칭 트랜지스터(M31)가 턴-온 상태로 전환된다. 이것에 의해, 데이터 선(114)을 통하여 전달된 데이터 신호(Data)가 구동 회로(117)로 공급된다.Next, the third period T 13 and the fourth period T 14 will be described. 8 shows a connection relation of the respective components in the third period of time (T 13) and the fourth period (T 14), constituting the pixel circuit 110. The third period is (T 13) and the fourth period (T 14) during Scan (n) in response to the signal switching transistor (M31) are turned turned on. Thus, the data signal (Data) transferred through the data line 114 is supplied to the driving circuit 117.

또한, 제3 기간(T13) 및 제4 기간(T14) 동안에 Scan(n) 신호에 응답하여 스위칭 트랜지스터(M15)가 턴-온 상태로 전환되고, Scan(n-1) 신호에 응답하여 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴-오프 상태로 전환된다. 이것에 의해, 보상용 신호 선(115)을 통하여 전달된 보상용 데이터 신호(Comp.Data )가 스위칭 트랜지스터(M15) 및 용량(C2)을 통하여 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자(노드(Na))에 라이트된다. 또한, 이때, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)은 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth) 보다 높아지기 때문에, 제어 트랜지스터(M3)는 턴-오프 상태로 전환한다.Further, the by the third period (T 13) and the fourth period (T 14) during a response to a Scan (n) signal turns the switching transistor (M15) - it is switched to the on state, in response to a Scan (n-1) signal The switching transistor M4 is switched to the turn-off state. The compensation data signal Comp.Data transmitted through the compensation signal line 115 is supplied to the gate terminal (node Na) of the control transistor M3 through the switching transistor M15 and the capacitor C2, ). At this time, since the gate voltage Vg of the control transistor M3 becomes higher than the threshold voltage Vth of the control transistor M3, the control transistor M3 switches to the turn-off state.

또한, 스위칭 트랜지스터(M2)는 초기화 신호(Init)에 의해 제3 기간(T13) 동안에 턴-온 상태로 전환되고, 제4 기간(T14) 동안에 턴-오프 상태로 전환한다. 이것에 의해, 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자(노드(Nb))에, 저전위 전원(VGL)이 라이트되고, 제어 트랜지스터(M1)가 턴-온 상태로 전환된다.In addition, the switching transistor (M2) is the third period (T 13) during the turn by the initialization signal (Init) - Switch to the off state while being switched to the on state, the fourth time period (T 14) turns. As a result, the low potential power source VGL is written to the gate terminal (node Nb) of the control transistor Ml, and the control transistor Ml is switched to the turn-on state.

이상과 같은 제어에 기초하여, 구동 회로(117)로부터, 데이터 신호(Data)에 대응하는 구동 전류(Ic)가 제어 트랜지스터(M1)를 통하여 유기 EL 소자(OLED)에 공급되고, 유기 EL 소자(OLED)가 구동 전류(Ic)에 대응하는 휘도로 발광한다.The drive current Ic corresponding to the data signal Data is supplied from the drive circuit 117 to the organic EL element OLED through the control transistor M1 based on the control described above and the organic EL element OLED emits light at a luminance corresponding to the driving current Ic.

이어서, 제5 기간(T15)에 대해 설명한다. 도 9는 제5 기간(T15)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제5 기간(T15) 동안에 Scan(n) 신호에 응답하여 스위칭 트랜지스터(M15 및 M31)가 턴-오프 상태로 전환된다.Next, a description will be given of a fifth period (T 15). 9 shows a connection relationship of respective components according to the fifth period (T 15), constituting the pixel circuit 110. The five periods (T 15) during Scan (n) in response to the signal switching transistors (M15 and M31) are turned switched off.

스위칭 트랜지스터(M15)가 턴-오프 상태로 전환되면, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자(노드(Na))가 플로팅되고, 센서 용량(Cs)에 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 유지된다. 또한, 유기 EL 소자(OLED)가 발광됨에 따라 발광된 광의 휘도에 대응하는 센싱 전류(Is)가 광 센서들(Ps1 및 Ps2)에 흐른다. 이때, 센싱 전류(Is)에 의해 센서 용량(Cs)에 유지된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 방전되고, 방전에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 저하한다, When the switching transistor M15 is switched to the turn-off state, the gate terminal (node Na) of the control transistor M3 is floated and the compensation data signal Comp.Data is held in the sensor capacitance Cs . Further, as the organic EL element OLED emits, a sensing current Is corresponding to the luminance of the emitted light flows in the photosensors Ps1 and Ps2. At this time, the compensation data signal Comp.Data held in the sensor capacitance Cs is discharged by the sensing current Is, and the gate voltage Vg of the control transistor M3 is lowered by the discharge,

이어서, 제6 기간(T16)에 대해 설명한다. 도 10은 제6 기간(T16)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 도 10에 도시된 것과 같이, 광 센서(Ps1 및 Ps2)의 검출된 광의 휘도에 기초하는 센싱 전류(Is)에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth)에 도달하도록 낮아지고, 제어 트랜지스터(M3)가 턴-온 상태로 전환한다. 이것에 의해, 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자(노드(Nb))에 전압(VDD)이 라이트되고, 제어 트랜지스터(M1)가 턴-오프 상태로 전환된다. 이것에 의해, 구동 회로(117)로부터 유기 EL 소자(OLED)에 공급되는 구동 전류(Ic)가 차단되고, 유기 EL 소자(OLED)는 소등한다.Next, the sixth period T 16 will be described. 10 shows a connection relationship of each element constituting the pixel circuit 110 in the sixth period T 16 . The gate voltage Vg of the control transistor M3 is set to the threshold value of the control transistor M3 by the sensing current Is based on the detected brightness of the light sensors Ps1 and Ps2, Is lowered to reach the voltage Vth, and the control transistor M3 is switched to the turn-on state. As a result, the voltage VDD is written to the gate terminal (node Nb) of the control transistor M1, and the control transistor M1 is switched to the turn-off state. As a result, the driving current Ic supplied from the driving circuit 117 to the organic EL element OLED is cut off, and the organic EL element OLED is turned off.

또한, 상술한 일련의 동작은 표시 장치(10)의 각 구성을 동작시키는 장치의 CPU를 기능시키기 위한 프로그램에 의해 달성할 수 있다. 이 프로그램은 그 장치에 인스톨된 OS(Operating System)를 통하여 실행되도록 구성할 수 있다. 또한, 이 프로그램은 상술한 처리를 실행하는 구성이 포함되는 장치가 읽기 가능하면, 기억되는 위치에 한정되지 않는다. 예를 들어, 장치의 외부로부터 접속되는 기록 매체에 프로그램이 저장될 수도 있다. 이 경우에는 프로그램이 저장된 기록 매체를 장치에 접속함으로써, 그 장치의 CPU에 프로그램을 실행시키도록 구성하면 된다.The above-described series of operations can be achieved by a program for causing the CPU of the apparatus that operates each configuration of the display apparatus 10 to function. This program can be configured to be executed through an OS (Operating System) installed in the apparatus. Further, this program is not limited to the location where it is stored, provided that the apparatus including the configuration for executing the above-described processing is readable. For example, a program may be stored in a recording medium connected from the outside of the apparatus. In this case, the recording medium storing the program may be connected to the apparatus so that the program of the apparatus is executed by the CPU of the apparatus.

이상, 도 5 내지 도 10을 참조하여, 도 4에 도시된 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명하였다. 또한, 상기에 설명한 예에있어서 P 채널 형의 제어 트랜지스터(M1 및 M3)를 적용하는 경우를 예에 설명하였으나, 제어 트랜지스터(M1 및 M3)는 반드시 P 채널형의 트랜지스터에 한정되지 않는다. 구체적인 일 예로서, 제어 트랜지스터(M1 및 M3)를 N 채널형의 트랜지스터로 하여 구성할 수 있다. 또한, 그 경우에는, 각 신호의 전위의 관계를 각 트랜지스터의 특성에 맞춰서 적절하게 변경할 수 있다.Up to now, an example of the driving timing of each element constituting the pixel circuit 110 according to this embodiment shown in Fig. 4 has been described with reference to Figs. 5 to 10. Fig. In the example described above, the case of applying the P-channel type control transistors M1 and M3 has been described as an example. However, the control transistors M1 and M3 are not necessarily limited to the P-channel type transistors. As a specific example, the control transistors Ml and M3 may be configured as N-channel transistors. In this case, the relationship between the potentials of the respective signals can be appropriately changed in accordance with the characteristics of each transistor.

[2.4. 보상용 데이터 신호의 제어][2.4. Control of Data Signal for Compensation]

본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에 있어서, 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 제어의 일 예에 대하여 설명한다.An example of control of the compensation data signal (Comp.Data) in the display device 10 according to the present embodiment will be described.

도 5 및 도 8을 참조하여 전술한 바와 같이, 하나의 프레임 기간(Frame) 중의 제3 및 제4 기간(T13 및 T14, 도 5 참조)에 있어서, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)은 보상용 데이터 신호(Comp.Data)에 기초하여 결정된다. 또한, 제3 및 제4 기간(T13 및 T14, 도 5 참조)에 있어서 게이트 전압(Vg)은 광 센서들(Ps1 및 Ps2)의 센싱 전류(Is)에 의해 변화되는 제5 기간(T15)의 게이트 전압(Vg)의 초기 값에 상당한다. 즉, 게이트 전압(Vg)의 초기 값에 의해유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간(특히, 제5 기간(T15))이 변화하게 된다.5 and, in the third and the fourth period (see T 13 and T 14, Fig. 5) in one frame period (Frame), the gate voltage of the control transistor (M3) as described with reference to FIG above ( Vg) is determined based on the compensation data signal (Comp.Data). In addition, the third and the fourth period the gate voltage (Vg) in the (T 13 and T 14, see Fig. 5) is the fifth time period is varied by the sensing current (Is) of the optical sensor (Ps1 and Ps2), (T 15 of the gate voltage Vg. That is, the emission period (in particular, the fifth period T 15 ) of the organic EL element OLED changes depending on the initial value of the gate voltage Vg.

또한, 계조에 따른 데이터 신호(Data)에 의해 유기 EL 소자(OLED)의 발광 휘도도 변화되고, 발광 휘도의 변화에 의해 제1 광 센서(Ps1)를 흐르는 센싱 전류(Is)도 변화한다.Further, the light emission luminance of the organic EL element OLED is also changed by the data signal Data corresponding to the gradation, and the sensing current Is flowing through the first photosensor Ps1 also changes due to the change of the light emission luminance.

구체적인 일 예로서, 흰색(255 계조)를 표시시키는 경우, 유기 EL 소자(OLED)의 발광 휘도는 높아진다. 발광 휘도가 높아짐에 따라 제1 광 센서(Ps1)를 흐르는 센싱 전류(Is)가 커지고 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간은 짧아진다.As a specific example, when white (255 tones) is displayed, the light emission luminance of the organic EL element OLED becomes high. As the emission luminance increases, the sensing current Is flowing through the first photosensor (Ps1) increases and the emission period of the organic EL device (OLED) becomes shorter.

흰색(255 계조)을 표시시키는 경우에 비해 회색 등의 중간 계조(예를 들어, 128 계조)를 표시시키는 경우, 유기 EL 소자(OLED)의 발광 휘도는 낮아지고 제1 광 센서(Ps1)를 흐르는 센싱 전류(Is)도 작아진다. 그러므로, 흰색(255 계조)을 표시시키는 경우에 비해 회색 등의 중간 계조(예를 들어, 128 계조)를 표시시키는 경우, 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간은 길어지는(예를 들어, 2 배의 길이로 되는) 경향이 있다.(For example, 128 gradations) such as gray is displayed as compared with the case of displaying white (255 gradations), the light emission luminance of the organic EL element OLED is lowered and the luminance of the organic EL element OLED The sensing current Is also decreases. Therefore, when the intermediate gradation (for example, 128 gradations) such as gray is displayed compared to the case of displaying white (255 gradations), the period of light emission of the organic EL element OLED becomes long (for example, Of the length).

한편으로, 상기에 나타내는 바와 같이, 표시시키는 계조에 의존하여 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간이 변화되면 보상 정밀도에 영향을 미친다. 계조 표시를 위해 발광된 광과 휘도 열화 보상을 위해 발광된 광 중 제1 광 센서(Ps1)의 검출 대상이 되는 광을 판별하는 것이 곤란하기 때문이다.On the other hand, as described above, when the emission period of the organic EL element OLED changes depending on the gradation to be displayed, the compensation accuracy is affected. This is because it is difficult to discriminate between the light emitted for gray scale display and the light to be detected by the first photosensor Ps1 among the light emitted for luminance degradation compensation.

이와 같은 상황을 감안하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에서는, 발광 휘도(계조)에 따라서 보상용 데이터 신호(Comp.Data)를 제어하고 있다. 여기서, 도 11 내지 도 13을 참조하여, 발광 휘도(계조)에 따른, 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 제어의 일 예에 대하여 설명한다. 도 11 내지 도 13은 발광 휘도(계조)에 따른 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 제어의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.In view of this situation, the display device 10 according to the present embodiment controls the compensation data signal (Comp.Data) in accordance with the light emission luminance (gradation). Here, an example of the control of the compensation data signal (Comp.Data) according to the light emission luminance (gradation) will be described with reference to Figs. 11 to 13. Fig. 11 to 13 are explanatory diagrams for explaining an example of control of the compensation data signal (Comp.Data) according to the light emission luminance (gradation).

예를 들어, 도 11은 발광 휘도(계조)에 따른 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 제어에 대해서 설명하기 위해, 모델화된 화소 회로의 회로 구성의 일 예를 나타내고 있다. 도 11에 도시된 화소 회로는 도 1을 참조하여 설명한 화소 회로에 비해 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자에 보상용 데이터 신호(Comp.Data)를 공급하기 위한 구성을 더 포함하고 있다.For example, Fig. 11 shows an example of a circuit configuration of a modeled pixel circuit in order to explain the control of the compensation data signal (Comp.Data) according to the light emission luminance (gradation). The pixel circuit shown in Fig. 11 further includes a configuration for supplying a data signal (Comp.Data) for compensation to the gate terminal of the control transistor (EM-TFT) as compared with the pixel circuit described with reference to Fig.

즉, 도 11에 도시된 화소 회로에 따르면, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자로 공급된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 센서 용량(Cs)에 유지된다. 또한, 센서 용량(Cs)에 유지된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)는 광 센서(Ps)의 검출 결과에 따른 센싱 전류(Is)에 의해 방전되고, 센서 용량의 방전에 의해 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자의 전위가 상승한다. 그리고, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 단자의 전위(Vg)가 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 문턱값 전압(Vth)으로 상승하면, 제어 트랜지스터(EM-TFT)는 턴-오프 상태로 된다.That is, according to the pixel circuit shown in Fig. 11, the compensation data signal (Comp.Data) supplied to the gate terminal of the control transistor (EM-TFT) is held in the sensor capacitance Cs. The compensation data signal Comp.Data held in the sensor capacitance Cs is discharged by the sensing current Is according to the detection result of the photosensor Ps and is discharged by the discharge of the sensor capacitance Cs -TFT) increases. Then, when the potential Vg of the gate terminal of the control transistor EM-TFT rises to the threshold voltage Vth of the control transistor EM-TFT, the control transistor EM-TFT enters the turn-off state .

여기서, 도 12를 참조한다. 도 12는 발광 휘도(계조)에 의존하지 않고 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 전압 값을 고정 한 경우에 있어서, 발광 휘도들(계조) 각각의 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 전압(Vg)의 시계열에 따른 변화의 일 예를 나타내고 있다. 도 12에 나타내는 그래프에 있어서, 횡축은 시간(t)을 나타내고 있고, 종축은 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 전압(Vg)을 나타내고 있다. 또한, 도 12에 나타내는 예에서는, 흰색(255 계조)를 표시시키는 경우와 회색 등의 중간 계조(128 계조)를 표시시키는 경우 각각에 대해서 시계열에 따른 게이트 전압(Vg)의 변화를 예시적으로 나타내고 있다. 또한, 도 12에 나타내는 예에서는, 유기 EL 소자(OLED)가 열화하지 않은 상태(초기 상태)인 것으로 가정한다.Reference is now made to FIG. 12 shows the relationship between the gate voltage of the control transistor EM-TFT of each of the light emission luminances (gradations) (the gradation) Vg) according to the time series. In the graph shown in Fig. 12, the horizontal axis represents time t, and the vertical axis represents the gate voltage Vg of the control transistor EM-TFT. In the example shown in Fig. 12, the change of the gate voltage Vg according to the time series is exemplarily shown for each of the case of displaying white (255 gradations) and the case of displaying an intermediate gradation (128 gradations) such as gray have. In the example shown in Fig. 12, it is assumed that the organic EL element OLED is not deteriorated (initial state).

도 12에 나타내는 바와 같이, 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 전압 값이 발광 휘도(계조)에 의존하지 않고 일정하기 때문에, 흰색(255 계조)의 게이트 전압(Vg)의 초기 값과 중간 계조(128 계조)의 게이트 전압(Vg)의 초기 값은 서로 동일하다. 또한, 도 12에 나타내는 게이트 전압(Vg)의 전압 값(Vginit)은 도 12에 나타내는 예에 있어서, 게이트 전압(Vg)의 초기 값을 나타내고 있다.12, since the voltage value of the compensation data signal Comp.Data is constant without depending on the light emission luminance (gradation), the initial value of the gate voltage Vg of white (255 gradations) (128 gradations) of the gate voltage Vg are equal to each other. The voltage value Vginit of the gate voltage Vg shown in Fig. 12 indicates the initial value of the gate voltage Vg in the example shown in Fig.

전술한 바와 같이, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 전압(Vg)은 광 센서(Ps)를 흐르는 센싱 전류(Is)에 의해 초기 값(Vginit)으로부터 시계열에 따라 상승한다. 그리고, 게이트 전압(Vg)이 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 문턱값 전압(Vth)에 도달하면, 제어 트랜지스터(EM-TFT)는 턴-오프 상태로 전환되고, 유기 EL 소자(OLED)는 소등한다.As described above, the gate voltage Vg of the control transistor EM-TFT rises according to the time series from the initial value Vginit by the sensing current Is flowing through the photosensor Ps. Then, when the gate voltage Vg reaches the threshold voltage Vth of the control transistor EM-TFT, the control transistor EM-TFT is switched to the turn-off state and the organic EL element OLED is turned off do.

이때, 도 12에 나타내는 바와 같이, 게이트 전압(Vg)이 문턱값 전압(Vth)에 도달하는 기간은 광 센서(Ps)에 의해 검출된 유기 EL 소자(OLED)의 발광 휘도에 따라 다르다. 예를 들어, 도 12에 도시된 거소가 같이 유기 EL 소자(OLED)가 흰색(255 계조)를 표시하는 경우에 비해 중간 계조(128 계조)를 표시하는 경우, 게이트 전압(Vg)이 문턱값 전압(Vth)에 도달하는 시간이 길어진다(예를 들어 2배 길어진다.).At this time, as shown in Fig. 12, a period in which the gate voltage Vg reaches the threshold voltage Vth depends on the light emission luminance of the organic EL element OLED detected by the photosensor Ps. For example, when the organic EL element OLED displays the intermediate gradation (128 gradations) as compared with the case where the organic EL element OLED displays white (255 gradations), the gate voltage Vg becomes equal to the threshold voltage (For example, two times longer).

도 13은 발광 휘도(계조)에 따라 다르게 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 전압 값을 제어한 경우, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 전압(Vg)의 시계열에 따른 변화를 예시적으로 나타내고 있다. 또한, 도 12에 나타내는 그래프에 있어서 횡축 및 종축은 도 12에 나타내는 그래프와 동일하다. 또한, 도 13에 나타내는 예에서는, 도 12에 나타내는 예와 마찬가지로, 흰색(255 계조)를 표시시키는 경우와, 회색 등의 중간 계조(128 계조)를 표시시키는 경우의 쌍방에 대해서, 시계열에 따른 게이트 전압(Vg)의 변화의 일 예를 나타내고 있다. 또한, 도 13에 나타내는 예에서는, 유기 EL 소자(OLED)가 열화하지 않은 상태(초기 상태) 인 것으로 한다.13 shows an example of a change in the gate voltage Vg of the control transistor EM-TFT according to a time series when the voltage value of the compensation data signal Comp.Data is controlled differently depending on the light emission luminance (gradation) Respectively. 12, the horizontal axis and the vertical axis are the same as those in the graph shown in FIG. In the example shown in Fig. 13, in the case of displaying white (255 gradations) and displaying both halftone gradations (128 gradations) such as gray, as in the example shown in Fig. 12, And shows an example of the change of the voltage Vg. In the example shown in Fig. 13, it is assumed that the organic EL element OLED is not deteriorated (initial state).

도 13에 있어서, 참조 부호(Vg128)는 중간 계조(128 계조)를 표시시키는 경우에 있어서 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 전압 값에 따른 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 전압(Vg)의 초기 값의 일 예를 나타내고 있다. 또한, 참조 부호(Vg255)는 흰색(255 계조)를 표시시키는 경우에 있어서 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 전압 값에 따른 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 전압(Vg)의 초기 값의 일 예를 나타내고 있다.13, reference numeral Vg 128 denotes a gate voltage Vg (Vg) of the control transistor EM-TFT according to the voltage value of the compensation data signal Comp.Data in the case of displaying the intermediate gradation (128 gradations) ) Is shown as an example of the initial value. Reference numeral Vg 255 denotes an initial value of the gate voltage Vg of the control transistor EM-TFT according to the voltage value of the compensation data signal Comp.Data in the case of displaying white (255 gradations) As shown in Fig.

도 13에 나타내는 예에서는, 흰색(255 계조) 및 중간 계조(128 계조)을 표시하는 경우, 제어 트랜지스터(EM-TFT)의 게이트 전압(Vg)이 문턱값 전압(Vth)에 도달하기까지의 기간(즉, 도 13 중의 기준 발광 기간(T5))이 일정하게 되도록 게이트 전압(Vg)의 초기 값(Vg255 및 Vg128)이 조정되어 있다.In the example shown in Fig. 13, when white (255 gray scales) and intermediate gray scales (128 gray scales) are displayed, the period until the gate voltage Vg of the control transistor EM-TFT reaches the threshold voltage Vth (Vg 255 and Vg 128 ) of the gate voltage Vg are adjusted such that the reference emission period (T 5 ) in FIG. 13 is constant.

구체적인 일 예로서, 중간 계조(128 계조)를 표시한 경우에 비해 흰색(255 계조)를 표시한 경우에 단위 시간당 게이트 전압(Vg)의 변화량이 2배 일 수 있다. 흰색(255 계조)를 표시한 경우에 있어서, 문턱값 전압(Vth)에 도달하기까지의 게이트 전압(Vg)의 변화량이 중간 계조(128 계조)를 표시한 경우의 2 배가 되도록, 게이트 전압(Vg)의 초기 값(Vg256 및 Vg128)을 설정할 수 있다. 또한, 도 13에 나타내는 바와 같이, 흰색(255 계조)에 대응하는 게이트 전압(Vg)의 초기 값(Vg255)과 중간 계조(128 계조)에 대응하는 게이트 전압(Vg)의 초기 값(Vg128) 사이의 대소 관계는 Vg255 < Vg128로 된다.As a specific example, the amount of change in the gate voltage Vg per unit time may be doubled in the case of displaying white (255 gradations) as compared with the case where the intermediate gradation (128 gradations) is displayed. The gate voltage Vg (255 gradations) is set so that the amount of change in the gate voltage Vg until the threshold voltage Vth is reached is twice that in the case where the intermediate gradation (128 gradations) (Vg 256 and Vg 128 ) of the input image data. In addition, the initial value of the gate voltage (Vg) corresponding to the steps shown in Fig. 13, white (255 gray scale) (Vg 255) and the initial value of the gate voltage (Vg) corresponding to an intermediate gradation (128 gradations) (Vg 128 ) Is Vg 255 < Vg 128 .

또한, 흰색(255 계조) 및 중간 계조(128 계조) 이외의 다른 계조에 대해서도, 기준 발광 기간(T5)이 일정하게 되도록, 게이트 전압(Vg)의 초기 값을 설정할 수 있다. 물론, 반드시 모든 계조에 대해 게이트 전압(Vg)의 초기 값을 설정하는 필요는 없고, 일부의 계조에 대하여는, 보간 처리에 기초하여 게이트 전압(Vg)의 초기 값이 산출될 수 있다.It is also possible to set the initial value of the gate voltage Vg so that the reference emission period T 5 is constant even for gradations other than white (255 gradations) and intermediate gradations (128 gradations). Of course, it is not necessary to necessarily set the initial value of the gate voltage Vg for all the gradations, and for some gradations, the initial value of the gate voltage Vg can be calculated based on the interpolation processing.

이상과 같이, 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가, 발광 휘도(계조)에 따라서 제어됨으로써, 초기 상태(즉, 열화 전)의 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간이, 발광 휘도(계조)에 의존하지 않고 일정하게 되도록 제어된다. 이와 같은 구성에 의해, 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간은 계조 데이터에 영향을 미치지 않기 때문에, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 유기 EL 소자(OLED)의 열화량을 검출하고 검출 결과에 따라서 발광 기간을 연장하는 것이 가능하게 된다.As described above, by controlling the compensation data signal Comp.Data in accordance with the light emission luminance (gradation), the light emission period of the organic EL element OLED in the initial state (i.e., before deterioration) So as to be constant. With this configuration, since the light emission period of the organic EL element OLED does not affect the gray scale data, the display apparatus 10 according to the present embodiment detects the deterioration amount of the organic EL element OLED, It is possible to extend the light emission period.

이상, 도 11 ~ 도 13를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에 있어서, 보상용 데이터 신호(Comp.Data)의 제어의 일 예에 대하여 설명하였다.An example of the control of the compensation data signal (Comp.Data) has been described above with reference to Figs. 11 to 13 in the display device 10 according to the present embodiment.

[2.5. 정리][2.5. theorem]

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)는 발광 휘도(계조)에 따른 데이터 신호(Data)에 따라서 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 제어를 수행하기 위한 구동 회로(117)와 구동 회로(117)의 후단에 위치하는 유기 EL 소자(OLED)의 발광량을 보정하기 위한 회로 군을 구비한다. 이와 같은 구성에 의해, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 발광 휘도(계조)에 따른 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 제어와 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화의 보상을 독립하여 제어하는 것이 가능하게 된다.As described above, the pixel circuit 110 according to the present embodiment includes the driving circuit 117 for performing the luminance control of the organic EL element OLED in accordance with the data signal Data in accordance with the light emission luminance (gradation) And a circuit group for correcting the light emission amount of the organic EL element OLED located at the rear end of the circuit 117. [ With such a configuration, the display device 10 according to the present embodiment can independently control the luminance control of the organic EL element OLED and the compensation of the luminance deterioration of the organic EL element OLED according to the light emission luminance (gradation) Lt; / RTI &gt;

또한, 제1 광 센서(Ps1)의 검출 결과에 대응하게 센서 용량(Cs)의 방전 기간이 변화하고, 센서 용량(Cs)의 방전에 대응하게 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 제어된다. 이것에 의해, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에 따르면, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화량에 대응하게 센서 용량(Cs)의 방전 기간이 연장되고, 방전 기간이 연장됨에 따라 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간(특히, 도 5의 제5 기간(T15))이 연장된다. 즉, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에 의하면, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화량에 대응하게 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간이 연장되기 때문에, 결과적으로 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화를 보상하는 것이 가능하게 된다.The discharge period of the sensor capacitance Cs changes in accordance with the detection result of the first photosensor Ps1 and the gate voltage Vg of the control transistor M3 is controlled in accordance with the discharge of the sensor capacitance Cs do. As a result, according to the pixel circuit 110 according to the present embodiment, as the discharge period of the sensor capacitance Cs is extended corresponding to the luminance deterioration amount of the organic EL element OLED and the discharge period is extended, The light emitting period of the element OLED (in particular, the fifth period T 15 in Fig. 5) is extended. That is, according to the pixel circuit 110 according to the present embodiment, since the light emitting period of the organic EL element OLED is extended corresponding to the amount of luminance deterioration of the organic EL element OLED, It is possible to compensate for the luminance deterioration of the display device.

또한, 상기에 나타낸 화소 회로(110)의 구성(도 4 참조)과 화소 회로(110)의 제어(도 5 내지 도 10)에 의해 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화의 보상에 따른 제어를 화소 회로(110) 내부에서 완결시키는 것이 가능하게 된다.The control according to the compensation of the luminance deterioration of the organic EL element OLED by the control of the pixel circuit 110 (see Fig. 4) and the pixel circuit 110 (Figs. 5 to 10) It is possible to complete it within the circuit 110.

또한, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)는 유기 EL 소자(OLED)의 발광을 제어하기 위해 제어 트랜지스터(M1)의 온/오프가 제어 트랜지스터(M3)의 온/오프에 의해 제어될 수 있다. 이와 같은 구성에 의해, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에서는, 제어 트랜지스터(M1)의 온/오프 시간이 더 짧아지도록 제어될 수 있다.The pixel circuit 110 according to the present embodiment can be turned on and off by turning on / off the control transistor M3 to control the light emission of the organic EL element OLED . With such a configuration, in the pixel circuit 110 according to the present embodiment, the ON / OFF time of the control transistor Ml can be controlled to be shorter.

또한, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에서는, 복수의 화소 회로(110) 사이에 있어서 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth)의 편차가 보상되기 때문에, 문턱값 전압(Vth)의 변화에 따른 제어 트랜지스터(M1)의 전환 타이밍의 변화가 제어된다. 즉, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에 의하면, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화에 따른 보상 발광 기간을 더 정밀하게 제어하는 것이 가능하게 된다.In the display device 10 according to the present embodiment, since the deviation of the threshold voltage Vth of the control transistor M3 is compensated between the plurality of pixel circuits 110, And the change in the switching timing of the control transistor Ml in accordance with the change is controlled. That is, with the display device 10 according to the present embodiment, it is possible to more precisely control the compensated light emission period resulting from the deterioration of the luminance of the organic EL element OLED.

이상과 같은 구성에 의해, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 보다 바람직한 형태로, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 설정과 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화량에 따른 발광량의 보정을 실현하는 것이 가능하게 된다.With the above configuration, the display device 10 according to the present embodiment realizes correction of the amount of emitted light according to the luminance setting of the organic EL element OLED and the luminance deterioration amount of the organic EL element OLED in a more preferable form .

<3. 제2 실시 형태><3. Second Embodiment>

이어서, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에 대해서 설명한다. 또한, 제2 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 전술한 제1 실시 형태에 따른 표시 장치(10)와, 화소 회로(110)의 구성이나, 화소 회로(110)의 구동 타이밍이 특히 다르다. 그러므로, 본 설명에서는, 화소 회로(110)의 구성, 및, 화소 회로(110)의 구동 타이밍에 초점을 맞추어 설명하고, 그 외의 구성에 대하여는, 상세한 설명은 생략한다.Next, a display device 10 according to a second embodiment of the present invention will be described. The display device 10 according to the second embodiment differs from the display device 10 according to the first embodiment described above in the structure of the pixel circuit 110 and the driving timing of the pixel circuit 110 in particular. Therefore, in this description, the configuration of the pixel circuit 110 and the driving timing of the pixel circuit 110 will be described with focus, and a detailed description of other configurations will be omitted.

[3.1. 화소 회로의 구성][3.1. Configuration of Pixel Circuit]

먼저, 도 14를 참조하여, 제2 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 구성의 일 예에 대하여 설명한다. 도 14는 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 구성의 일 예에 대하여 설명하기 위한 설명도이다. 도 14에서는, 도 3에 나타내는 표시부(100)를 구성하는 복수의 화소 회로(110) 중, 제 n 행에 배치되는 화소 회로(110)의 일 예를 나타내고 있다. 또한, 표시부(100)를 구성하는 다른 화소 회로(110)에 대하여는, 도 14에 나타내는 화소 회로(110)의 구성과 동일할 수 있기 때문에, 상세한 설명을 생략한다.First, an example of the configuration of the pixel circuit 110 according to the second embodiment will be described with reference to FIG. 14 is an explanatory view for explaining an example of the configuration of the pixel circuit 110 according to the present embodiment. 14 shows an example of the pixel circuit 110 arranged in the n-th row among the plurality of pixel circuits 110 constituting the display section 100 shown in Fig. The other pixel circuits 110 constituting the display section 100 may be the same as those of the pixel circuit 110 shown in Fig. 14, and thus the detailed description thereof will be omitted.

도 14에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)는 유기 EL 소자(OLED), 구동 회로(117), 제어 트랜지스터(M1 및 M3), 스위칭 트랜지스터(M2, M4, M25, M26, 및 M31), 광 센서들(Ps1 및 Ps2), 센서 용량(Cs), 및 용량(C1)을 포함한다.14, the pixel circuit 110 according to the present embodiment includes an organic EL element OLED, a driving circuit 117, control transistors M1 and M3, switching transistors M2, M4, M25, M26, And M31, light sensors Ps1 and Ps2, a sensor capacitance Cs, and a capacitance C1.

또한, 도 14에 나타내는, 구동 회로(117), 제어 트랜지스터(M1 및 M3), 및 유기 EL 소자(OLED)는 전술한 제1 실시 형태(도 4 참조)에 따른, 구동 회로(117), 제어 트랜지스터(M1 및 M3), 및 유기 EL 소자(OLED)에 상당한다. 마찬가지로, 광 센서들(Ps1 및 Ps2), 및 센서 용량(Cs)은 전술한 제1 실시 형태(도 4 참조)에 따른, 광 센서들(Ps1 및 Ps2), 및 센서 용량(Cs)에 상당한다. 또한, 도 14에 나타내는, 스위칭 트랜지스터(M2, M4, 및 M31), 및 용량(C1)은 전술한 제1 실시 형태(도 4 참조)에 따른, 스위칭 트랜지스터(M2, M4, 및 M31), 및 용량(C1)에 상당한다.The driving circuit 117, the control transistors Ml and M3 and the organic EL element OLED shown in Fig. 14 are constituted by a driving circuit 117, a control circuit (not shown) according to the first embodiment Transistors M1 and M3, and organic EL element OLED. Similarly, the optical sensors Ps1 and Ps2 and the sensor capacitance Cs correspond to the optical sensors Ps1 and Ps2 and the sensor capacitance Cs according to the above-described first embodiment (see Fig. 4) . The switching transistors M2, M4 and M31 and the capacitor C1 shown in Fig. 14 correspond to the switching transistors M2, M4 and M31 according to the first embodiment (see Fig. 4) Corresponds to the capacitance C1.

도 14에 나타내는 바와 같이, 제어 트랜지스터(M1)의 소스 단자 측에는 구동 회로(117)가 접속되어 있고, 드레인 단자 측에는, 유기 EL 소자(OLED)의 애노드 측이 접속되어 있다. 또한, 유기 EL 소자의 캐소드 측에는 전원 전압(ELVSS)이 접속되어 있다.As shown in Fig. 14, a drive circuit 117 is connected to the source terminal side of the control transistor M1, and an anode side of the organic EL element OLED is connected to the drain terminal side. A power source voltage ELVSS is connected to the cathode side of the organic EL element.

구동 회로(117)는 스위칭 트랜지스터(M31)를 통하여, 데이터 선(114)에 접속되어 있다. 스위칭 트랜지스터(M31)는 주사 선(112)를 통하여 전달되는 Scan(n) 신호에 따라서, 턴-온 또는 턴-오프한다. 즉, Scan(n) 신호에 기초하여 스위칭 트랜지스터(M31)가 턴-온 상태(즉, 도통 상태)로 됨으로써, 데이터 선(114)를 통하여 전달된 데이터 신호(Data)가 구동 회로(117)로 공급된다. 또한, 구동 회로(117)에는, 도시하지 않은 전원 전압(ELVDD)으로부터 전원 전압이 공급된다.The driving circuit 117 is connected to the data line 114 through the switching transistor M31. The switching transistor M31 turns on or off according to the Scan (n) signal transmitted through the scanning line 112. [ That is, the switching transistor M31 is turned on (that is, in a conductive state) based on the Scan (n) signal so that the data signal Data transmitted through the data line 114 is supplied to the driving circuit 117 . The drive circuit 117 is supplied with a power supply voltage from a power supply voltage ELVDD (not shown).

이와 같은 구성에 의해, 구동 회로(117)는 데이터 선(114) 및 스위칭 트랜지스터(M31)를 통하여 공급된 데이터 신호(Data)에 따른 구동 전류(Ic)를 후단에 위치하는 제어 트랜지스터(M1)의 소스 단자로 공급한다.The driving circuit 117 supplies the driving current Ic corresponding to the data signal Data supplied through the data line 114 and the switching transistor M31 to the control transistor M1 Source terminal.

제어 트랜지스터(M3)의 소스 단자는 스위칭 트랜지스터(M25)를 통하여 고전위 전원(VDD)이 접속되고, 드레인 단자는 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자에 접속된다. 스위칭 트랜지스터(M25)는 후술하는 Sense 신호에 의해 턴-온 또는 턴-오프한다. 또한, Sense 신호는 예를 들어, 스캔 드라이버(120)가 각 화소 회로(110)에 대해 공급할 수 있다. 각 화소 회로(110)에 대해 소정의 타이밍에서 Sense 신호를 공급하는 것이 가능하면, Sense 신호의 공급원은 특히 한정되지 않는다.The source terminal of the control transistor M3 is connected to the high potential power supply VDD via the switching transistor M25 and the drain terminal is connected to the gate terminal of the control transistor M1. The switching transistor M25 is turned on or off by a sense signal to be described later. Also, the Sense signal can be supplied to each pixel circuit 110 by the scan driver 120, for example. If it is possible to supply the Sense signal to each pixel circuit 110 at a predetermined timing, the source of the Sense signal is not particularly limited.

또한, 제어 트랜지스터(M3)의 소스 단자는 스위칭 트랜지스터(M26)를 통하여 보상용 신호 선(115)이 접속된다. 스위칭 트랜지스터(M25)는 주사 선(113)을 통하여 전달되는 Scan(n-1) 신호에 의해 턴-온 또는 턴-오프된다. 즉, Scan(n-1) 신호에 기초하여 스위칭 트랜지스터(M26)가 턴-온됨으로써, 보상용 신호 선(115)를 통하여 전달된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 제어 트랜지스터(M3)의 소스 단자로 공급된다.The source terminal of the control transistor M3 is connected to the compensation signal line 115 through the switching transistor M26. The switching transistor M25 is turned on or off by the Scan (n-1) signal transmitted through the scan line 113. [ That is, the switching transistor M26 is turned on based on the Scan (n-1) signal so that the compensation data signal Comp.Data transmitted through the compensation signal line 115 is supplied to the control transistor M3 Source terminal.

또한, 이후에는, 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자가 접속되는 노드를 「노드(Nb)」로 기재하는 경우가 있다. 또한, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자가 접속되는 노드를 「노드(Na)」로 기재하는 경우가 있다.Hereinafter, the node to which the gate terminal of the control transistor M1 is connected may be described as &quot; node Nb &quot;. The node to which the gate terminal of the control transistor M3 is connected may be described as &quot; node Na &quot;.

용량(C1)의 한 쪽 단자가 노드(Nb)에 접속되고, 다른 쪽 단자가 고전위 전원(VDD)에 접속된다. 또한, 노드(Nb)와 저전위 전원(VGL) 사이에는 스위칭 트랜지스터(M2)가 개재한다. 스위칭 트랜지스터(M2)는 초기화 신호 선(116)을 통하여 공급되는 초기화 신호(Init)에 의해 턴-온 또는 턴-오프한다.One terminal of the capacitor C1 is connected to the node Nb, and the other terminal is connected to the high potential power supply VDD. A switching transistor M2 is interposed between the node Nb and the low potential power supply VGL. The switching transistor M2 is turned on or off by the initialization signal Init supplied through the initialization signal line 116. [

제어 트랜지스터(M3)의 드레인 단자(바꾸어 말하면, 노드(Nb))와, 게이트 단자(바꾸어 말하면, 노드(Na)) 사이에는 스위칭 트랜지스터(M4)가 개재한다. 스위칭 트랜지스터(M4)는 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자와 드레인 단자 사이를 바이패스함으로써, 제어 트랜지스터(M3)를 다이오드 접속시킨다. 스위칭 트랜지스터(M4)에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압의 변화가 보상될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(M4)는 주사 선(113)을 통하여 전달되는 Scan(n-1) 신호에 의해 턴-온 또는 턴-오프한다.A switching transistor M4 is interposed between the drain terminal (in other words, the node Nb) of the control transistor M3 and the gate terminal (in other words, the node Na). The switching transistor M4 diodes the control transistor M3 by bypassing between the gate terminal and the drain terminal of the control transistor M3. The change of the threshold voltage of the control transistor M3 can be compensated by the switching transistor M4. The switching transistor M4 is turned on or off by the Scan (n-1) signal transmitted through the scan line 113. [

광 센서(Ps1, 이하 제1 광 센서)는 유기 EL 소자(OLED)로부터의 광의 일부가 조사되도록 마련되어 있다. 제1 광 센서(Ps1)는 한 쪽의 단자가 노드(Na)에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 저 전위 전원(VGL)에 접속된다.The light sensor Ps1 (hereinafter referred to as a first light sensor) is provided such that a part of the light from the organic EL element OLED is irradiated. One terminal of the first photosensor (Ps1) is connected to the node (Na), and the other terminal is connected to the low potential power source (VGL).

광 센서(Ps2, 이하 제2 광센서)는 유기 EL 소자(OLED)로부터의 직접 광이 차폐되도록 배치된다. 제2 광센서(Ps2)는 화소 회로(110)의 구조 등의 요인에 의한 노이즈 광, 즉 주위로부터 침입하여 오는 반사 광이나 다른 화소 회로(110)에서 출사된 광을 노이즈 성분으로써 검출한다. 광 센서(Ps2)의 한 쪽 단자가 노드(Na)에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 고전위 전원(VDD)에 접속된다. 이때, 광 센서들(Ps1 및 Ps2)은 직렬로 접속된다. 이와 같은 구성에 의해, 제1 광 센서(Ps1)의 검출 결과에 기초하여 제1 광 센서(Ps1)를 흐르는 센싱 전류(Is)를 산출하고, 광 센서(Ps2)의 검출 결과에 기초하여 노이즈 성분이 제거(캔슬)된다.The optical sensor Ps2 (hereinafter referred to as a second optical sensor) is arranged to shield direct light from the organic EL element OLED. The second photosensor Ps2 detects noise light due to factors such as the structure of the pixel circuit 110, that is, light reflected from the surroundings or emitted from the other pixel circuits 110 as a noise component. One terminal of the optical sensor Ps2 is connected to the node Na and the other terminal is connected to the high potential power supply VDD. At this time, the optical sensors Ps1 and Ps2 are connected in series. With this configuration, the sensing current Is flowing through the first photosensor (Ps1) is calculated based on the detection result of the first photosensor (Ps1), and the noise component (Canceled).

센서 용량(Cs)은 한 쪽의 단자가 노드(Na)에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 저전위 전원(VGL)에 접속된다. 센서 용량(Cs)은 노드(Na)에 대해 공급된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)를 유지한다. 센서 용량(Cs)에 유지된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)는 광 센서들(Ps1 및 Ps2)의 검출 결과에 따라서 방전되고, 상기 방전에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 제어된다.One terminal of the sensor capacitance Cs is connected to the node Na and the other terminal is connected to the low potential power supply VGL. The sensor capacitance Cs holds the compensation data signal Comp.Data supplied to the node Na. The compensation data signal Comp.Data held in the sensor capacitance Cs is discharged in accordance with the detection result of the photosensors Ps1 and Ps2 and the gate voltage Vg of the control transistor M3 Respectively.

이상, 도 14를 참조하여 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 구성의 일 예에 대하여 설명하였다.As described above, an example of the configuration of the pixel circuit 110 according to the present embodiment has been described with reference to Fig.

[3.2. 구동 타이밍][3.2. Drive timing]

도 15 내지 도 20을 참조하여, 도 14에 나타낸, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명한다. 도 15는 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명하기 위한 개략적인 타이밍차트이다. 또한, 도 16 내지 도 20은 도 15에 나타낸 각 타이밍에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계에 대해서 설명하기 위한 설명도이다.An example of the driving timing of each element constituting the pixel circuit 110 shown in Fig. 14 according to this embodiment will be described with reference to Figs. 15 to 20. Fig. 15 is a schematic timing chart for explaining an example of the driving timing of the pixel circuit 110 according to the present embodiment. 16 to 20 are explanatory diagrams for explaining the connection relationship of each element constituting the pixel circuit 110 at each timing shown in Fig.

도 15에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 1 프레임 기간(Frame)을 복수의 기간들(T21~T25)로 나눠서 화소 회로(110)를 구동한다. 또한, 기간들(T21~T25) 중 일부의 기간(T23 및 T24)이 유기 EL 소자(OLED)가 발광하는 발광 기간에 상당하고, 다른 일부의 기간(T21, T22, 및 T25)이 유기 EL 소자(OLED)가 소등하는 비발광 기간에 상당한다. 또한, 도 15는 기간들(T21~T25)에 있어서, 초기화 신호(Init), Scan(n-1) 신호, Scan(n) 신호, 및 Sense 신호의 변화를 나타내고, 노드(Na 및 Nb)의 전위의 변화를 나타내고 있다. 또한, 일부의 기간(T21 및 T22)으로 나타낸 기간이 1개의 수평 주사 기간(1H)에 상당한다.As shown in Figure 15, the display device 10 according to the present embodiment drives a plurality of periods of one frame period (Frame) (~ T 21 T 25) to the pixel circuit 110 is divided. In addition, the period (T 2 1 ~ T 25) the period of some of (T 23 and T 24) corresponds to the emission period of the organic EL element (OLED) emit light, and some other period (T 21, T 22, and T 25) is equivalent to the non-emission period of the organic EL element (OLED) lights out. Further, 15 is a period of in the (T 21 ~ T 25), the initialization signal (Init), Scan (n- 1) signal Scan (n) signal, and shows a variation of the Sense signal node (Na and Nb ) Of the potential difference. A period indicated by a part of periods T 21 and T 22 corresponds to one horizontal scanning period (1H).

먼저, 제1 기간(T21)에 대해 설명한다. 도 16은 제1 기간(T21)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제1 기간(T21) 동안에 초기화 신호(Init)에 따라서 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴-온 상태로 전환되고, Scan(n-1) 신호에 따라서 스위칭 트랜지스터(M4 및 M26)가 턴-온 상태로 전환한다.First, a description will be given of a first period (T 21). 16 shows the connection relationship of the respective components in the first period (T 21), constituting the pixel circuit 110. Switches to the on state, Scan (n-1) in accordance with the signal, the switching transistor (M4 and M26) turn-first time period (T 21) during the initializing switching transistor (M2) in accordance with a signal (Init) turn-on state .

도 16에 나타내는 바와 같이, 스위칭 트랜지스터(M2 및 M4)가 턴-온 상태로 전환함으로써, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자에 저전위 전원(VGL)이 라이트되고, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자(바꾸어 말하면, 노드(Na)의 전위)가 저전위 전원(VGL)에 의해 초기화된다. 그리고, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자가 저전위 전원(VGL)에 의해 초기화됨으로써, 제어 트랜지스터(M3)는 턴-온 상태로 전환한다. 또한, 이때, 스위칭 트랜지스터(M25 및 M31)는 턴-오프 상태이다. 또한, 제어 트랜지스터(M1)도 턴-오프 상태로 된다.The low potential power source VGL is written to the gate terminal of the control transistor M3 by switching the switching transistors M2 and M4 to the turn-on state as shown in Fig. 16, (In other words, the potential of the node Na) is initialized by the low potential power source VGL. Then, the gate terminal of the control transistor M3 is initialized by the low potential power source VGL, so that the control transistor M3 is switched to the turn-on state. At this time, the switching transistors M25 and M31 are in the turn-off state. Also, the control transistor Ml is also turned off.

이어서, 제2 기간(T22)에 대해 설명한다. 도 17은 제2 기간(T22)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제2 기간(T22) 동안에 초기화 신호(Init)에 의해 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴-오프 상태로 전환한다. 이것에 의해, 제2 기간(T22) 동안에 제어 트랜지스터(M3)는 드레인 단자(노드(Na))와 게이트 단자(노드(Na))가 바이패스된다. 이른바, 제어 트랜지스터(M3)는 다이오드 접속된다.Next, a description will be given of a second period (T 22). 17 shows the connection relationship of each element constituting the pixel circuit 110 in the second period T 22 . Is switched off - the second time period (T 22) turns while the switching transistor (M2) by an initialization signal (Init). As a result, the second period (T 22) during the control transistor (M3) is a drain terminal (node (Na)) and gate terminal (node (Na)) bypass. The so-called control transistor M3 is diode-connected.

보상용 신호 선(115)을 통하여 전달된 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 스위칭 트랜지스터(M26)를 통하여 제어 트랜지스터(M3)의 소스 단자로 공급된다. 이것에 의해, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자(노드(Na))의 전위가 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth)과 보상용 데이터 신호(Comp.Data)를 반영한 전위(Comp. Data-Vth)로 제어된다. 이와 같은 제어에 의해, 복수의 화소 회로(110)들의 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth)의 변화가 보상된다.The compensation data signal Comp.Data transmitted through the compensation signal line 115 is supplied to the source terminal of the control transistor M3 through the switching transistor M26. Thus, the potential of the gate terminal (node Na) of the control transistor M3 is lowered to the potential (Comp. Data) reflecting the threshold voltage Vth of the control transistor M3 and the compensation data signal Comp.Data -Vth). By such control, a change in the threshold voltage Vth of the control transistor M3 of the plurality of pixel circuits 110 is compensated.

이어서, 제3 기간(T23)에 대해 설명한다. 도 18은 제3 기간(T23)에 있어서, 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제3 기간(T23) 동안에 Scan(n) 신호에 의해 스위칭 트랜지스터(M31)가 턴-온 상태로 전환한다. 이것에 의해, 데이터 선(114)를 통하여 전달된 데이터 신호(Data)가 구동 회로(117)로 공급된다.Next, the third period T 23 will be described. 18 shows the connection relationship of the respective components in the third period of time (T 23), constituting the pixel circuit 110. The switching transistor M31 is turned on by the Scan (n) signal during the third period T 23 . Thus, the data signal (Data) transferred through the data line 114 is supplied to the driving circuit 117.

또한, 제3 기간(T23) 동안에 초기화 신호(Init)에 의해 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴-온 상태로 전환한다. 또한, Scan(n-1) 신호에 의해 스위칭 트랜지스터(M26 및 M4)가 턴-오프 상태로 전환한다. 이것에 의해, 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자(노드(Na))에, 저전위 전원(VGL)이 라이트되고, 제어 트랜지스터(M1)가 턴-온 상태로 전환한다.Further, a switching transistor (M2) by an initialization signal (Init) during the third period of time (T 23) turned on is switched to the on state. Further, the switching transistors M26 and M4 are switched to the turn-off state by the Scan (n-1) signal. As a result, the low potential power source VGL is written to the gate terminal (node Na) of the control transistor M1, and the control transistor M1 is switched to the turn-on state.

또한, 제3 기간(T23) 동안에 Sense 신호에 의해 스위칭 트랜지스터(M25)가 턴-온 상태로 전환한다. 이것에 의해, 제어 트랜지스터(M3)의 소스 단자가 고전위 전원(VDD)에 접속된다.Further, a switching transistor (M25) by the Sense signal during a third period of time (T 23) turned on is switched to the on state. Thereby, the source terminal of the control transistor M3 is connected to the high potential power supply VDD.

이상과 같은 제어에 기초하여, 구동 회로(117)로부터 데이터 신호(Data)에 따른 구동 전류(Ic)가 제어 트랜지스터(M1)를 통하여 유기 EL 소자(OLED)에 공급되고, 유기 EL 소자(OLED)가 구동 전류(Ic)에 따른 휘도로 발광한다.A drive current Ic in accordance with the data signal Data is supplied from the drive circuit 117 to the organic EL element OLED through the control transistor M1 and the organic EL element OLED is driven, Emits light with a luminance corresponding to the driving current Ic.

이어서, 제4 기간(T24)에 대해 설명한다. 도 19는 기간(T24) 동안에 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 제4 기간(T24) 동안에 초기화 신호(Init)에 의해 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴-오프 상태로 전환한다.Next, a description will be given of a fourth period of time (T 24). Figure 19 shows the connection relationship between respective elements constituting the pixel circuit 110 during the period (T 24). Is switched off - the fourth period (T 24) turns while the switching transistor (M2) by an initialization signal (Init).

스위칭 트랜지스터(M2)가 턴-오프 상태로 전환하면, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자(노드(Na))가 플로팅되고, 센서 용량(Cs)에 문턱값 전압(Vth)이 보상된 보상용 데이터 신호(Comp. Data-Vth)가 유지된다. 또한, 유기 EL 소자(OLED)가 발광함에 따라센싱 전류(Is)가 광 센서(Ps1)에 흐른다. 센싱 전류(Is)에 의해 센서 용량(Cs)에 유지된 보상용 데이터 Data-Vth)가 방전되고, 방전에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 저하한다.The gate terminal (node Na) of the control transistor M3 is floated and the threshold voltage Vth is compensated for the sensor capacitance Cs when the switching transistor M2 is switched to the turn- Signal (Comp. Data-Vth) is maintained. Further, as the organic EL element OLED emits, the sensing current Is flows to the photosensor Ps1. The compensation data Data-Vth held in the sensor capacitance Cs is discharged by the sensing current Is and the gate voltage Vg of the control transistor M3 is lowered by the discharge.

이어서, 제5 기간(T25)에 대해 설명한다. 도 20은 제5 기간(T25) 동안에 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 접속 관계를 나타내고 있다. 도 20에 나타내는 상태에서는, 광 센서들(Ps1 및 Ps2)의 검출 결과에 기초한 센싱 전류(Is)에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth)에 도달하고, 제어 트랜지스터(M3)가 턴-온 상태로 전환한다. 이것에 의해, 제어 트랜지스터(M1)의 게이트 단자(노드(Nb))에, 고전위 전원(VDD)이 라이트되고, 제어 트랜지스터(M1)가 턴-오프 상태로 전환한다. 이것에 의해, 구동 회로(117)으로부터 유기 EL 소자(OLED)에 공급되는 구동 전류(Ic)가 차단되고, 유기 EL 소자(OLED)는 소등한다.Next, a description will be given of a fifth period (T 25). 20 shows the connection relationship between respective elements constituting the pixel circuit 110 during a fifth period of time (T 25). 20, the gate voltage Vg of the control transistor M3 is lowered to the threshold voltage Vth of the control transistor M3 by the sensing current Is based on the detection results of the light sensors Ps1 and Ps2 , And the control transistor M3 is switched to the turn-on state. As a result, the high potential power supply VDD is written to the gate terminal (node Nb) of the control transistor M1, and the control transistor M1 is switched to the turn-off state. As a result, the driving current Ic supplied from the driving circuit 117 to the organic EL element OLED is cut off, and the organic EL element OLED is turned off.

이상, 도 15 내지 도 20을 참조하여, 도 14에 나타낸, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자의 구동 타이밍의 일 예에 대하여 설명하였다. 또한, 상기에 설명한 예에서는, 제어 트랜지스터(M1 및 M3) P 채널 형의 제어 트랜지스터(M1 및 M3)를 예시적으로 설명하였으나, 제어 트랜지스터(M1 및 M3)는 P 채널형의 트랜지스터에는 한정되지 않는다. 구체적인 일 예로서, 제어 트랜지스터(M1 및 M3)를 N 채널형의 트랜지스터로서 구성할 수 있다. 또한, 그 경우에는, 각 신호의 전위의 관계를 각 트랜지스터의 특성에 맞춰서 적절하게 변경할 수 있다.15 to 20, an example of the driving timing of each element constituting the pixel circuit 110 shown in Fig. 14 according to the present embodiment has been described. Although the control transistors M1 and M3 of the control transistors M1 and M3 have been exemplarily described in the example described above, the control transistors M1 and M3 are not limited to the P-channel type transistors . As a specific example, the control transistors Ml and M3 can be configured as N-channel transistors. In this case, the relationship between the potentials of the respective signals can be appropriately changed in accordance with the characteristics of each transistor.

[3.3. 정리]3.3. theorem]

본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 이상 설명한 화소 회로(110)의 회로 구성, 및 화소 회로(110)의 제어에 기초하여 전술한 제1 실시 형태에 따른 표시 장치(10)와 동일한 작용 효과를 나타내는 것이 가능하게 된다.The display device 10 according to the present embodiment has the same operation effects as those of the display device 10 according to the first embodiment described above based on the circuit configuration of the pixel circuit 110 described above and the control of the pixel circuit 110 . &Lt; / RTI &gt;

즉, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)는 발광 휘도(계조)에 따른 데이터 신호(Data)에 따라서 유기 EL 소자(OLED)의 휘도를 제어하기 위한 구동 회로(117)와 구동 회로(117)의 후단에 위치하는 유기 EL 소자(OLED)의 발광량을 보정하기 위한 회로 군을 구비한다. 이와 같은 구성에 의해, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)는 발광 휘도(계조)에 따른 유기 EL 소자(OLED)의 휘도를 제어할 수 있고, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화의 보상을 제어할 수 있다. 상기 2개의 제어를 독립적으로 실시할 수 있다.That is, the pixel circuit 110 according to the present embodiment includes a driving circuit 117 and a driving circuit 117 for controlling the luminance of the organic EL element OLED in accordance with the data signal Data according to the light emission luminance (gradation) And a circuit group for correcting the light emission amount of the organic EL element OLED located at the rear end of the organic EL element OLED. With such a configuration, the display device 10 according to the present embodiment can control the luminance of the organic EL element OLED according to the light emission luminance (gradation), and compensates for the luminance deterioration of the organic EL element OLED Can be controlled. The two controls can be performed independently.

또한, 구동 회로(117)의 후단에 위치하는 회로 군을 참조하면, 광 센서(Ps1)의 검출 결과에 따라서 센서 용량(Cs)의 방전 기간이 변화하고, 센서 용량(Cs)의 방전에 의해 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 전압(Vg)이 제어된다. 이것에 의해, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에서는, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화량에 대응하게 센서 용량(Cs)의 방전 기간이 연장되고, 방전 기간의 연장에 의해 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간(특히, 도 15의 기간(T24))가 연장된다. 즉, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에 의하면, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화량에 대응하게 유기 EL 소자(OLED)의 발광 기간이 연장되기 때문에, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화를 보상하는 것이 가능하게 된다.Referring to the circuit group located at the rear end of the drive circuit 117, the discharge period of the sensor capacitance Cs changes in accordance with the detection result of the photosensor Ps1, and the control is performed by the discharge of the sensor capacitance Cs The gate voltage Vg of the transistor M3 is controlled. As a result, in the pixel circuit 110 according to the present embodiment, the discharge period of the sensor capacitance Cs is extended corresponding to the amount of luminance deterioration of the organic EL element OLED, (In particular, the period (T 24 ) in FIG. 15) of the organic light emitting diode OLED is extended. That is, according to the pixel circuit 110 according to the present embodiment, since the light emitting period of the organic EL element OLED is extended corresponding to the amount of luminance deterioration of the organic EL element OLED, the luminance of the organic EL element OLED It becomes possible to compensate for the deterioration.

또한, 상기에 나타낸 화소 회로(110)의 구성(도 14)과 화소 회로(110)의 제어(도 15 내지 도 20)에 의해, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화의 보상에 따른 제어를 화소 회로(110) 내부에서 완결시키는 것이 가능하게 된다.14) and the control of the pixel circuit 110 (Fig. 15 to Fig. 20), the control according to the compensation of the luminance deterioration of the organic EL element OLED is controlled by the pixel It is possible to complete it within the circuit 110.

또한, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)는 유기 EL 소자(OLED)의 발광을 제어하기 위한 제어 트랜지스터(M1)의 스위칭이 제어 트랜지스터(M3)의 스위칭에 의해 제어될 수 있다. 이와 같은 구성에 의해, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에서는 제어 트랜지스터(M1)의 스위칭 시간이 보다 짧아지도록 제어된다.The switching of the control transistor Ml for controlling the light emission of the organic EL element OLED can be controlled by the switching of the control transistor M3 in the pixel circuit 110 according to the present embodiment. With such a configuration, in the pixel circuit 110 according to the present embodiment, the switching time of the control transistor M1 is controlled to be shorter.

또한, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에서는, 복수의 화소 회로(110) 사이에 있어서 제어 트랜지스터(M3)의 문턱값 전압(Vth)의 변화가 보상되기 때문에, 문턱값 전압(Vth)의 변화에 따른, 제어 트랜지스터(M1)의 전환 타이밍의 변화가 제어된다. 즉, 본 실시 형태에 따른 표시 장치(10)에 의하면, 유기 EL 소자(OLED)의 휘도 열화에 따른 보상 발광 기간을 고정밀도로 제어하는 것이 가능하게 된다.In the display device 10 according to the present embodiment, since the change of the threshold voltage Vth of the control transistor M3 is compensated between the plurality of pixel circuits 110, The change in the switching timing of the control transistor M1 is controlled in accordance with the change. That is, according to the display device 10 according to the present embodiment, it is possible to control the compensation light emission period corresponding to the deterioration of the luminance of the organic EL element OLED with high accuracy.

또한, 전술한 제1 실시 형태에 따른 화소 회로(110, 도 8 참조)에서는, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자에는 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 용량(C2)을 통해 라이트되어 있다. 이것에 대해, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110, 도 17 참조)에서는, 제어 트랜지스터(M3)의 게이트 단자에는 보상용 데이터 신호(Comp.Data)가 스위칭 트랜지스터(M26) 및 제어 트랜지스터(M3)를 통하여 라이트된다. 이와 같은 구성에 의해, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)는 전술한 제1 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에 비해, 용량 소자의 수가 감소된다. 일반적으로, 화소 회로 중에 있어서 용량 소자가 차지하는 면적은 다른 소자에 비해 커지는 경향이 있다. 그러므로, 본 실시 형태에 따른 화소 회로(110)는 전술한 제1 실시 형태에 따른 화소 회로(110)에 비해, 보다 소형화하는 것이 가능하게 되는 경우가 있다.In the pixel circuit 110 (see Fig. 8) according to the first embodiment described above, a compensation data signal (Comp.Data) is written in the gate terminal of the control transistor M3 through the capacitor C2. 17), the data signal Comp.Data for compensation is supplied to the gate terminal of the control transistor M3 via the switching transistor M26 and the control transistor M3, Lt; / RTI &gt; With such a configuration, the number of capacitor elements is reduced in the pixel circuit 110 according to the present embodiment as compared with the pixel circuit 110 according to the first embodiment described above. In general, an area occupied by a capacitor element in a pixel circuit tends to be larger than that of other elements. Therefore, the pixel circuit 110 according to the present embodiment may be made smaller in size as compared with the pixel circuit 110 according to the first embodiment described above.

<4. 정리><4. Theorem>

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 본 발명의 속하는 기술의 분야에 있어서 통상의 지식을 갖는 자이면, 특허 청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에 있어서, 각 종의 변경예 또는 수정예에 착안하여 얻는 것은 명확하고, 이들에 대해서도, 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 해석된다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to these examples. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the scope of the invention as defined in the appended claims. Of course, fall within the technical scope of the present invention.

10 표시 장치 100 표시부
110 화소 회로 112 주사 선
113 주사 선 114 데이터 선
115 보상용 신호 선 116 초기화 신호 선
117 구동 회로 120 스캔 드라이버
130 데이터 드라이버10 Display device 100 Display unit
110 pixel circuit 112 scanning line
113 scan line 114 data line
115 compensation signal line 116 initialization signal line
117 drive circuit 120 scan driver
130 data driver

Claims (11)

매트릭스 형상으로 배치된 화소 회로를 포함하는 표시 장치에 있어서,
상기 화소 회로는,
전류량에 따른 휘도의 광을 출사하는 발광 소자;
인가된 제1 전압에 대응하게 상기 발광 소자에 공급되는 전류량을 제어하는 구동 회로;
제1 제어 단자로 인가된 제1 게이트 전압에 응답하여 상기 발광 소자와 상기 구동 회로의 전기적 연결을 스위칭하는 제1 트랜지스터;
상기 발광 소자로부터 출사된 광의 휘도를 검출하는 제1 광 센서;
상기 제1 전압을 반영한 제2 전압을 유지하는 용량; 및
상기 제1 트랜지스터에 상기 제1 게이트 전압을 제공하는 제2 트랜지스터를 포함하고,
상기 제2 트랜지스터는 상기 검출된 광의 휘도와 상기 용량에 유지된 상기 제2 전압에 의해 결정되는 제2 게이트 전압에 응답하여 턴-온되고,
상기 제1 트랜지스터는 상기 제2 트랜지스터가 턴-온될 때 인가되는 상기 제1 게이트 전압에 응답하여 턴-오프되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.In a display device including a pixel circuit arranged in a matrix,
The pixel circuit includes:
A light emitting element for emitting light of a luminance corresponding to an amount of current;
A driving circuit for controlling an amount of current supplied to the light emitting element corresponding to the applied first voltage;
A first transistor for switching an electrical connection between the light emitting element and the driving circuit in response to a first gate voltage applied to a first control terminal;
A first photosensor for detecting a brightness of light emitted from the light emitting element;
A capacitor for holding a second voltage reflecting the first voltage; And
And a second transistor for providing the first gate voltage to the first transistor,
The second transistor is turned on in response to a second gate voltage determined by the brightness of the detected light and the second voltage held in the capacitance,
Wherein the first transistor is turned off in response to the first gate voltage applied when the second transistor is turned on. 제1 항에 있어서,
상기 용량에 유지된 상기 제2 전압의 방전 기간은 상기 검출된 광의 휘도에 따라 제어되고,
상기 방전 기간에 기초하여 상기 발광 소자의 발광 기간이 제어되는 표시 장치.The method according to claim 1,
The discharge period of the second voltage held in the capacitance is controlled according to the luminance of the detected light,
And the light emitting period of the light emitting element is controlled based on the discharge period. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 제1 트랜지스터는 상기 제1 제어 단자, 제1 단자, 및 제2 단자를 포함하고,
상기 제2 트랜지스터는 제2 제어 단자, 제3 단자, 및 제4 단자를 포함하고,
상기 제2 트랜지스터의 상기 제3 단자는 상기 제1 트랜지스터의 상기 제1 제어 단자에 접속되고,
상기 제1 광 센서의 한 쪽 단자와 상기 용량의 한 쪽 단자 각각은 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the first transistor includes the first control terminal, the first terminal, and the second terminal,
The second transistor includes a second control terminal, a third terminal, and a fourth terminal,
The third terminal of the second transistor is connected to the first control terminal of the first transistor,
Wherein one terminal of the first photosensor and one terminal of the capacitor are connected to the second control terminal of the second transistor. 제3 항에 있어서,
상기 제1 광센서에 직렬 접속하고 상기 용량에 대해 병렬 접속하며 상기 발광 소자로부터 출사된 광이 직접 인가되지 않는 제2 광 센서를 더 포함하고, 상기 제2 전압의 방전 기간은 상기 제1 광 센서 및 상기 제2 광 센서의 검출 결과에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The method of claim 3,
Further comprising a second photosensor connected in series to said first photosensor and connected in parallel to said capacitance and wherein light emitted from said light emissive element is not directly applied, And a detection result of the second photosensor. 제3 항에 있어서,
상기 제2 제어 단자와 상기 제3 단자 사이의 전기적 연결을 스위칭하는 제1 스위칭 소자를 더 포함하고,
상기 발광 소자의 발광 기간 이전에 정의된 준비 기간 동안에 상기 제2 트랜지스터와 상기 제1 스위칭 소자가 턴-온되고, 상기 제2 제어 단자는 상기 제2 트랜지스터의 문턱값 전압을 반영한 전위를 갖고,
상기 제2 전압에 상기 문턱값 전압이 보상된 것을 특징으로 하는 표시 장치.The method of claim 3,
Further comprising a first switching element for switching an electrical connection between the second control terminal and the third terminal,
Wherein the second transistor and the first switching element are turned on during a preparation period defined before the light emitting period of the light emitting element and the second control terminal has a potential reflecting the threshold voltage of the second transistor,
And the threshold voltage is compensated for the second voltage. 제5 항에 있어서,
상기 준비 기간 동안에 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자의 전위는 문턱값 전압이 반영되지 않은 값에서 문턱값 전압이 반영된 값으로 변경되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the potential of the second control terminal of the second transistor is changed from a value not reflecting the threshold voltage to a value reflecting the threshold voltage during the preparation period. 제 5 항에 있어서,
제2 용량; 및
상기 제1 용량의 한 쪽 단자에 상기 제2 전압을 제공하는 제2 스위칭 소자;
를 더 포함하고,
상기 제2 용량은 상기 제2 스위칭 소자와 상기 제1 용량의 한 쪽 단자 사이에 개재하고,
상기 제2 스위칭 소자가 턴-온 될 때, 상기 제2 전압이 상기 제2 용량을 통하여 상기 제1 용량의 상기 한 쪽 단자로 인가되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.6. The method of claim 5,
A second capacity; And
A second switching element for providing the second voltage to one terminal of the first capacitor;
Further comprising:
The second capacitor is interposed between the second switching element and one terminal of the first capacitor,
And the second voltage is applied to the one terminal of the first capacitor through the second capacitor when the second switching element is turned on. 제 7 항에 있어서,
상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자가 상기 제2 트랜지스터의 문턱값 전압을 반영한 전위를 가진 이후에, 상기 제2 스위칭 소자가 턴-온되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.8. The method of claim 7,
And the second switching element is turned on after the second control terminal of the second transistor has a potential reflecting the threshold voltage of the second transistor. 제 5 항에 있어서,
상기 제2 트랜지스터의 상기 제4 단자에 상기 제2 전압을 제공하는 제3 스위칭 소자를 더 포함하고,
상기 제2 트랜지스터, 상기 제1 스위칭 소자, 및 상기 제3 스위칭 소자가 턴-온 될때, 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 제어 단자로 상기 제2 전압이 인가됨으로써, 상기 제2 제어 단자는 상기 제2 트랜지스터의 문턱값 전압이 반영된 전위를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.6. The method of claim 5,
And a third switching element for providing the second voltage to the fourth terminal of the second transistor,
The second voltage is applied to the second control terminal of the second transistor when the second transistor, the first switching element, and the third switching element are turned on, And the second transistor has a potential at which the threshold voltage of the second transistor is reflected. 제 9 항에 있어서,
상기 제3 스위칭 소자는 상기 제1 스위칭 소자에 동기하여 스위칭되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.10. The method of claim 9,
And the third switching element is switched in synchronization with the first switching element. 매트릭스 형상으로 배치된 화소 회로들을 포함하는 표시 장치의 영상 표시 방법에 있어서,
상기 화소 회로는,
전류량에 따른 휘도의 광을 출사하는 발광 소자;
인가된 제1 전압에 대응하게 상기 발광 소자에 공급되는 전류량을 제어하는 구동 회로;
제1 제어 단자로 인가된 제1 게이트 전압에 응답하여 상기 발광 소자와 상기 구동 회로의 전기적 연결을 스위칭하는 제1 트랜지스터;
상기 발광 소자로부터 출사된 광의 휘도를 검출하는 제1 광 센서;
상기 제1 전압을 반영한 제2 전압을 유지하는 용량; 및
상기 제1 트랜지스터에 상기 제1 게이트 전압을 제공하는 제2 트랜지스터를 포함하고,
상기 제1 광 센서에서 검출된 광의 휘도와 상기 용량에 유지된 상기 제2 전압에 의해 결정되는 제2 게이트 전압에 기초하여 상기 제2 트랜지스터가 턴-온 되는 단계; 및
상기 제2 트랜지스터가 턴-온될 때 인가되는 상기 제1 게이트 전압에 기초하여 상기 제1 트랜지스터가 턴-오프되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 영상 표시 방법.A method of displaying an image on a display device including pixel circuits arranged in a matrix,
The pixel circuit includes:
A light emitting element for emitting light of a luminance corresponding to an amount of current;
A driving circuit for controlling an amount of current supplied to the light emitting element corresponding to the applied first voltage;
A first transistor for switching an electrical connection between the light emitting element and the driving circuit in response to a first gate voltage applied to a first control terminal;
A first photosensor for detecting a brightness of light emitted from the light emitting element;
A capacitor for holding a second voltage reflecting the first voltage; And
And a second transistor for providing the first gate voltage to the first transistor,
Turning on the second transistor based on a brightness of light detected by the first photosensor and a second gate voltage determined by the second voltage held in the capacitor; And
And turning on the first transistor based on the first gate voltage applied when the second transistor is turned on.
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