KR20160068253A - The plasma generating module and the plasma process apparatus having that - Google Patents

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Abstract

Provided are a plasma generating module and a plasma processing device including the same. The plasma generating module comprises: a high frequency power source supplying high frequency power; a first antenna unit which includes a first antenna which forms plasma in a process space by receiving the high frequency power, and a first resonant capacitor which controls the output of the first antenna by varying impedance, and is connected to the first antenna in series; and a second antenna unit which includes a second antenna which is connected to the first antenna unit in series, and forms the plasma in the process space by receiving the high frequency power, and a second resonant capacitor which controls the output of the second antenna by varying the impedance, and is connected to the second antenna in series. The present invention is provided to divide one antenna section and control the output for each section in two or more multiple sections, thereby precisely controlling plasma density. Even through the installation length of an antenna is long, the present invention delivers power without a loss, and uniformly generates plasma.

Description

플라즈마 발생모듈 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치{THE PLASMA GENERATING MODULE AND THE PLASMA PROCESS APPARATUS HAVING THAT}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a plasma generating module and a plasma processing apparatus including the plasma generating module.

본 발명은 플라즈마 발생모듈 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이며, 보다 상세하게는 복수의 안테나가 구비되어 공정 공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생모듈 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a plasma generating module and a plasma processing apparatus including the plasma generating module, and more particularly, to a plasma generating module and a plasma processing apparatus including the plasma generating module.

플라즈마 처리장치는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치를 의미하며, 증착, 식각 또는 이온 주입 등 다양한 방식이 기판 처리 공정에 이용될 수 있다.The plasma processing apparatus refers to an apparatus for processing a substrate using a plasma, and various methods such as vapor deposition, etching, or ion implantation can be used in the substrate processing process.

이러한 플라즈마 처리장치는 플라즈마를 생성하는 방식에 따라 용량 결합형 플라즈마 생성 방식, 유도 결합형 플라즈마 생성 방식, ECR 플라즈마 생성 방식 및 마이크로파 플라즈마 생성 방식 등 다양한 방식이 적용될 수 있다.Such a plasma processing apparatus may be implemented by various methods such as a capacitively coupled plasma generation method, an inductively coupled plasma generation method, an ECR plasma generation method, and a microwave plasma generation method according to a method of generating plasma.

이 중에서도 유도 결합형 플라즈마 생성 방식은 고주파 안테나에 고주파 전력을 인가하여 유도 자기장에 의해 플라즈마를 발생시키는 방식으로, 한국 대한민국 등록특허 제 131,882호에는 이러한 유도 결합형 플라즈마 생성장치가 개시되어 있다. 이러한 유도 결합형 플라즈마 생성 방식은 대면적 기판을 처리하는데 널리 적용되고 있으며, 최근에는 대면적 기판의 위치에 따라 균일하게 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 복수개의 안테나를 이용하는 기술이 적용되고 있다.Among these methods, an inductively coupled plasma generation method is a method of generating a plasma by an induction magnetic field by applying a high frequency power to a high frequency antenna. Korean Unexamined Patent Publication No. 131,882 discloses such an inductively coupled plasma generation device. Such an inductively coupled plasma generation method has been widely applied to a large area substrate processing. Recently, a technology using a plurality of antennas has been applied to generate a plasma uniformly according to the position of a large area substrate.

그러나 이러한 플라즈마 처리장치는 안테나가 길어지는 경우 전선저항 때문에 유효전력이 원하는 거리까지 도달하지 못하고, 하나의 안테나에서 구간별로 출력을 제어할 수 없기 때문에 플라즈마를 정밀하게 제어하기 어렵고 결국 플라즈마가 균일하게 발생되지 못하는 문제점이 있었다.However, in such a plasma processing apparatus, since the effective power can not reach the desired distance due to the wire resistance when the antenna is long, it is difficult to precisely control the plasma because one antenna can not control the output for each section. As a result, .

대한민국 등록특허 131,882호Korea registered patent No. 131,882

본 발명은 종래의 안테나에 전달되는 유효전력이 원하는 거리까지 도달하지 못하고, 하나의 안테나 구간에서 구간별로 출력의 제어가 어려운 문제점을 해결하는 플라즈마 발생모듈 및 플라즈마 처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a plasma generating module and a plasma processing apparatus which can solve the problem that the effective power transmitted to the conventional antenna does not reach a desired distance and the output is difficult to control for each section in one antenna section.

상기 과제의 해결 수단은, 본 발명에 따라, 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원, 고주파 전력을 인가받아 공정 공간에 플라즈마를 형성하는 제1 안테나 및 임피던스를 가변시켜 제1 안테나의 출력을 제어하며 제1 안테나에 직렬 연결되는 제1 공진커패시터를 포함하여 구성되는 제1 안테나부, 제1 안테나부와 직렬로 연결되며, 고주파 전력을 인가받아 공정 공간에 플라즈마를 형성하는 제2 안테나 및 임피던스를 가변시켜 제2 안테나의 출력을 제어하며 제2 안테나에 직렬 연결되는 제2 공진커패시터를 포함하여 구성되는 제2 안테나부를 포함하여 구성되는 플라즈마 발생모듈이 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a high frequency power supply for supplying a high frequency power; a first antenna for receiving a high frequency power to form a plasma in a process space; A first antenna unit including a first resonance capacitor connected in series to the antenna, a second antenna connected in series with the first antenna unit, receiving a high frequency power to form a plasma in the process space, And a second antenna unit including a second resonant capacitor connected in series to the second antenna for controlling the output of the second antenna.

나아가, 제2 안테나부와 직렬 또는 병렬로 연결되며, 고주파 전력을 인가받아 공정 공간에 플라즈마를 형성하는 제3 안테나 및 임피던스 가변시켜 제3 안테나의 출력을 제어하며 제3 안테나에 연결되는 제3 공진커패시터를 포함하여 구성되는 제3 안테나부를 더 포함하여 구성될 수 있다.A third antenna connected in series or parallel to the second antenna unit and receiving a high frequency power to form a plasma in the process space, a third resonator connected to the third antenna for controlling the output of the third antenna by varying the impedance, And a third antenna unit including a capacitor.

또한, 제1 안테나부 및 제2 안테나부가 직렬로 연결되어 구성된 안테나모듈이 복수로 구비되어 각각 병렬로 연결되어 구성될 수 있다.In addition, the first antenna unit and the second antenna unit may be connected in parallel by having a plurality of antenna modules connected in series.

그리고, 제1 공진커패시터는 전력이 공급되는 방향으로 제1 안테나 후단에 연결되며, 제2 공진커패시터는 전력이 공급되는 방향으로 제2 안테나 후단에 연결될 수 있다.The first resonant capacitor may be connected to the rear end of the first antenna in a direction in which power is supplied and the second resonant capacitor may be connected to the second antenna in a direction in which power is supplied.

나아가, 제1 안테나부 또는 제2 안테나부에 인가되는 전류의 일부가 드레인되는 경로를 형성하는 드레인회로를 더 포함하여 구성될 수 있다.Further, it may further comprise a drain circuit forming a path through which a part of the current applied to the first antenna unit or the second antenna unit is drained.

또한, 드레인회로는 일측이 제1 안테나부와 제2 안테나부 사이의 지점에 연결되고, 타측은 접지되며 하나 이상의 가변소자를 포함하여 구성될 수 있으며, 드레인되는 전류가 조절될 수 있도록 드레인 가변저항을 포함하여 구성될 수 있다.Also, the drain circuit may be configured such that one side is connected to a point between the first antenna part and the second antenna part, the other side is grounded and includes one or more variable elements, and the drain variable resistor As shown in FIG.

추가로 내부에 공정 공간이 형성되는 챔버, 챔버의 내부에 구비되어 기판이 안착되는 공간을 형성하는 스테이지 및 전술한 플라즈마 발생모듈을 포함하여 구성되는 플라즈마 처리장치가 제공된다.There is further provided a plasma processing apparatus comprising a chamber in which a process space is formed, a stage provided inside the chamber to form a space in which the substrate is seated, and the plasma generation module.

본 발명에 따른 플라즈마 발생모듈 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치를 사용하면 하나의 안테나 구간에서 분할된 2개 이상의 다중구간에 구간별로 출력제어가 가능하므로 플라즈마 밀도를 보다 정밀하게 제어할 수 있는 효과가 있고, 안테나가 설치되는 길이가 길더라도 손실 없이 전력전달이 가능하여 플라즈마를 보다 균일하게 발생시킬 수 있는 효과가 있다.The use of the plasma generating module and the plasma processing apparatus including the plasma generating module according to the present invention can control the plasma density more precisely because the output control can be performed for each section in two or more multiple sections divided in one antenna section , The power can be transmitted without loss even if the length of the antenna is long, so that the plasma can be generated more uniformly.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 제1 실시예인 플라즈마 발생모듈의 회로도이다.
도 3은 제1 실시예의 안테나모듈 부분을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 안테나모듈의 변형예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 제1 안테나부 내지 제3 안테나부의 다른 변형예를 도시한 회로도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a plasma processing apparatus according to the present invention.
2 is a circuit diagram of a plasma generating module according to a first embodiment of the present invention.
3 is a view schematically showing an antenna module portion of the first embodiment.
4 is a view schematically showing a modified example of the antenna module according to the present invention.
5 is a circuit diagram showing another modification of the first to third antenna units.

이하, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생모듈 및 플라즈마 처리장치에 대하여, 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 이하의 실시예의 설명에서 각각의 구성요소의 명칭은 당업계에서 다른 명칭으로 호칭될 수 있다. 그러나 이들의 기능적 유사성 및 동일성이 있다면 변형된 실시예를 채용하더라도 균등한 구성으로 볼 수 있다. 또한 각각의 구성요소에 부가된 부호는 설명의 편의를 위하여 기재된다. 그러나 이들 부호가 기재된 도면상의 도시 내용이 각각의 구성요소를 도면내의 범위로 한정하지 않는다. 마찬가지로 도면상의 구성을 일부 변형한 실시예가 채용되더라도 기능적 유사성 및 동일성이 있다면 균등한 구성으로 볼 수 있다. 또한 당해 기술분야의 일반적인 기술자 수준에 비추어 보아, 당연히 포함되어야 할 구성요소로 인정되는 경우, 이에 대하여는 설명을 생략한다.Hereinafter, a plasma generating module and a plasma processing apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the embodiments, the names of the respective components may be referred to as other names in the art. However, if there is a functional similarity and an equivalence thereof, the modified structure can be regarded as an equivalent structure. In addition, reference numerals added to respective components are described for convenience of explanation. However, the contents of the drawings in the drawings in which these symbols are described do not limit the respective components to the ranges within the drawings. Likewise, even if the embodiment in which the structure on the drawing is partially modified is employed, it can be regarded as an equivalent structure if there is functional similarity and uniformity. Further, in view of the level of ordinary skill in the art, if it is recognized as a component to be included, a description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a plasma processing apparatus according to the present invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 단면을 도시한 단면도이다. 여기서, 플라즈마 처리장치라 함은 공정 가스를 이용하여 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 공정에 적용하는 장치를 의미하며, 기판 증착 장치, 기판 식각 장치, 이온 주입 장치 등 다양한 장치일 수 있다.1 is a cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. Here, the plasma processing apparatus means an apparatus applied to a process of generating a plasma by using a process gas to process a substrate, and may be a variety of apparatuses such as a substrate deposition apparatus, a substrate etching apparatus, and an ion implantation apparatus.

그리고, 도 1에서는 클러스터 타입에 적용되는 구조의 플라즈마 처리장치를 도시하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 인라인 타입에 적용되는 플라즈마 처리장치에도 적용할 수 있음을 앞서 밝혀둔다.Although FIG. 1 shows a plasma processing apparatus having a structure adapted to a cluster type, it is noted that the present invention is not limited to this and can be applied to a plasma processing apparatus applied to an in-line type.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 챔버(10), 스테이지(40), 안테나 설치부(20) 및 플라즈마 발생모듈(100)을 포함하여 구성될 수 있다.1, the plasma processing apparatus according to the present embodiment may include a chamber 10, a stage 40, an antenna mounting unit 20, and a plasma generating module 100.

우선, 챔버(10)는 다수의 벽면으로 둘러싸인 밀폐 구조로 형성되며, 플라즈마 처리장치의 몸체를 구성한다. 챔버(10)의 내부는 크게 기판이 수용되어 기판 처리 공정이 수행되는 공정 공간(30) 및 후술할 플라즈마 발생모듈(100)이 설치되는 안테나 설치부(20)로 구성될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 안테나 설치부(20)는 챔버(10) 내부의 상측에 배치되며, 안테나 설치부(20)의 하측에 공정 공간(30)이 위치할 수 있다.First, the chamber 10 is formed in a closed structure surrounded by a plurality of wall surfaces, and constitutes the body of the plasma processing apparatus. The interior of the chamber 10 may include a processing space 30 in which a substrate is accommodated and a substrate processing process is performed and an antenna mounting unit 20 in which a plasma generating module 100 to be described later is installed. 1, the antenna mount 20 is disposed on the upper side of the chamber 10, and the process space 30 may be located on the lower side of the antenna mount 20.

그리고, 도 1에서는 도시되지 않았으나, 챔버(10)의 일측에는 기판이 출입하기 위한 게이트 밸브(미도시)가 형성될 수 있으며, 기판 처리 공정에 사용되는 공정 가스를 챔버 내부의 공정 공간으로 공급하고 외부로 배기하기 위한 가스 공급부(미도시) 및 가스 배기부(미도시)가 구비될 수 있다.Although not shown in FIG. 1, a gate valve (not shown) may be formed at one side of the chamber 10 to allow the substrate to flow in and out. The process gas used in the substrate processing process is supplied to the process space inside the chamber A gas supply unit (not shown) and a gas exhaust unit (not shown) for exhausting the gas to the outside may be provided.

한편, 공정 공간(30)의 내측에는 스테이지(40)가 구비된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 스테이지(40)는 기판(S)을 지지하도록 구성되며, 기판(S)은 스테이지(40)에 안착된 상태에서 처리가 이루어질 수 있다. 스테이지(40)에는 공정 공간(30) 상에 형성되는 플라즈마의 분포를 조절하기 위해 외부의 RF 전원부(60)와 연결 설치되는 바이어스 전극(50)이 형성될 수 있다. 또한, 도 1에 구체적으로 도시되어 있지는 않으나 스테이지(40)의 내부에는 히터(미도시)와 같은 온도 조절 부재가 구비되어 기판 처리 공정 중 기판의 온도를 조절하도록 구성될 수 있다.On the other hand, a stage 40 is provided inside the process space 30. As shown in Fig. 1, the stage 40 is configured to support the substrate S, and the substrate S can be processed while being placed on the stage 40. Fig. A bias electrode 50 connected to an external RF power source unit 60 may be formed on the stage 40 to control the distribution of the plasma formed on the process space 30. 1, a temperature adjusting member such as a heater (not shown) may be provided inside the stage 40 to adjust the temperature of the substrate during the substrate processing process.

전술한 바와 같이, 안테나 설치부(20)는 스테이지(40)의 상측에 구비되며, 플라즈마 발생모듈(100)이 설치되는 공간을 형성한다. 안테나 설치부(20)는 적어도 하나의 윈도우에 의해 공정 공간으로부터 구획된 공간을 형성한다. 윈도우(21)는 챔버 벽면에 설치된 지지 부재(22)에 의해 지지될 수 있다. 이러한 윈도우(21)는 금속 재질을 이용하여 구성될 수 있고 금속 재질 이외의 유전체 물질을 이용하여 구성되는 것도 가능하다.As described above, the antenna mounting part 20 is provided on the upper side of the stage 40, and forms a space in which the plasma generating module 100 is installed. The antenna mounting portion 20 forms a space defined by at least one window from the process space. The window 21 can be supported by a support member 22 provided on the wall surface of the chamber. The window 21 may be formed of a metal material or may be formed of a dielectric material other than a metal material.

플라즈마 발생모듈(100)은 공정 공간 내측으로 유도 전계를 발생시켜, 공정 공간 내의 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키기 위한 구성이다. 이러한 플라즈마 발생모듈(100)는 고주파 전원(110), 정합부(120), 안테나모듈(200), 드레인회로(300)를 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 고주파 전원(110) 및 정합부(120)는 챔버(10)의 외측에 설치될 수 있으며, 안테나모듈(200) 및 드레인회로(300)는 안테나 설치부(20)에 설치될 수 있다.The plasma generation module 100 is a structure for generating an induction electric field inside the process space to generate plasma from the process gas in the process space. The plasma generating module 100 may include a high frequency power source 110, a matching unit 120, an antenna module 200, and a drain circuit 300. At this time, the RF power supply 110 and the matching unit 120 may be installed outside the chamber 10, and the antenna module 200 and the drain circuit 300 may be installed in the antenna mounting unit 20.

이하에서는 플라즈마 발생모듈(100)에 대하여 도 2 내지 도 4를 참조하여 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, the plasma generating module 100 will be described in detail with reference to FIG. 2 to FIG.

도 2는 본 발명에 따른 제1 실시예인 플라즈마 발생모듈의 회로도이다. 전술한 바와 같이, 플라즈마 발생모듈은 고주파 전원(110), 정합부(120), 안테나모듈(200), 드레인회로(300)를 포함하여 구성될 수 있다.2 is a circuit diagram of a plasma generating module according to a first embodiment of the present invention. As described above, the plasma generating module may include a high frequency power source 110, a matching unit 120, an antenna module 200, and a drain circuit 300.

고주파 전원(110)은 고주파(radiofrequency) 전력을 발생시켜 복수의 안테나모듈(200)로 제공한다. 정합부(120)는 고주파 전원(110)과 복수의 안테나(130) 사이에 구비되며, 고주파 전원(110) 측과 안테나(130) 사이에서 임피던스 정합을 수행할 수 있다. 이러한 정합부(120)는 가변 콘덴서 또는 가변 인덕터를 포함하는 회로로 구성되며, 가변 콘덴서 또는 가변 인덕터를 제어하는 방식으로 임피던스 정합을 수행한다. 다만, 이러한 고주파 전원(110) 및 정합부(120)의 구성은 널리 적용되고 있는 구성이므로 구체적인 설명은 생략한다.The RF power supply 110 generates radiofrequency power and provides it to a plurality of antenna modules 200. The matching unit 120 is provided between the RF power supply 110 and the plurality of antennas 130 and can perform impedance matching between the RF power supply 110 and the antenna 130. The matching unit 120 is composed of a circuit including a variable capacitor or a variable inductor, and performs impedance matching in such a manner as to control the variable capacitor or the variable inductor. However, since the configuration of the high-frequency power source 110 and the matching unit 120 is widely applied, a detailed description thereof will be omitted.

안테나모듈(200)은 제1 안테나부(210) 및 제2 안테나부(220)를 포함하여 구성되며, 대면적을 처리할 수 있도록 복수로 구비되어 안테나 설치부의 분할된 단위영역에 규칙적으로 배열 될 수 있다. 또한 복수의 단위영역에 대응하는 공정 공간(30)에 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 복수의 안테나모듈(200)은 서로 병렬로 연결될 수 있다.The antenna module 200 includes a first antenna unit 210 and a second antenna unit 220. The antenna module 200 includes a plurality of antenna units 210 for processing large areas and is regularly arranged in divided unit areas of the antenna mounting unit . The plurality of antenna modules 200 may be connected to each other in parallel so as to generate a uniform plasma in the process space 30 corresponding to a plurality of unit areas.

여기서, 제1 안테나부(210)와 제2 안테나부(220)는 직렬로 연결되며, 드레인회로(300)는 제1 안테나부(210)와 제2 안테나부(220)의 사이의 지점에 연결될 수 있다.The first antenna unit 210 and the second antenna unit 220 are connected in series and the drain circuit 300 is connected to a point between the first antenna unit 210 and the second antenna unit 220 .

제1 안테나부(210)는 제1 안테나(211) 및 제1 공진커패시터(212)를 포함하여 구성될 수 있다. 제1 안테나(211)는 고주파 전력을 인가받아 공정 공간에 플라즈마를 형성할 수 있도록 도체부재로 구성된다. 제1 공진커패시터(212)는 제1 안테나(211)와 연결되어 상호작용으로 직렬공진현상을 일으켜 제1 안테나(211)의 출력을 증폭시킬 수 있도록 제1 안테나(211)의 후단에 직렬로 연결될 수 있다.The first antenna unit 210 may include a first antenna 211 and a first resonance capacitor 212. The first antenna 211 is composed of a conductor member to receive a high-frequency power and form a plasma in the process space. The first resonant capacitor 212 is connected to the first antenna 211 and is connected in series to the rear end of the first antenna 211 in order to amplify the output of the first antenna 211 due to a series resonance phenomenon .

이때, 제1 안테나(211)에서 출력이 증폭되는 조건을 살펴보면, RF파워의 주파수가 w이고 제1 안테나(211)의 인덕턴스(inductance) 값을 L, 제1 공진커패시터(212)의 커패시턴스(capacitance) 값을 C라 할 때,

Figure pat00001
의 조건을 만족할 때, 공진회로의 임피던스 값이 최소가 되며, 회로에 흐르는 전류가 최대가 되어, 결국 큰 출력을 낼 수 있게 된다. 전술한 식을 만족하는 주파수를 공진주파수라고 하며, L과 C의 관계가 공진주파수와 유사한 값을 갖는 경우에도 공진이 일어날 수 있다. 공진현상을 이용하면 증폭된 전류를 이용할 수 있으므로, 적은 RF파워를 인가하더라도 높은 출력을 얻을 수 있게 된다.The frequency of the RF power is w and the inductance value of the first antenna 211 is L and the capacitance of the first resonant capacitor 212 is L. In this case, ) When the value is C,
Figure pat00001
The impedance value of the resonant circuit is minimized, the current flowing through the circuit is maximized, and a large output can be obtained. Resonance may occur even when the frequency satisfying the above-described expression is referred to as a resonance frequency and the relationship between L and C has a value similar to the resonance frequency. The use of the resonance phenomenon allows the amplified current to be used, so that even if less RF power is applied, high output can be obtained.

제1 안테나(211) 또는 후술할 제2 안테나(221)의 인덕턴스 값(L)은 안테나를 구성하는 형상이나 재질 등 전기적 특성에 의해 결정되며, 일반적으로 안테나의 인덕턴스 값(L)은 고정 된 값을 갖는다. 따라서 임피던스를 가변시켜 전술한 직렬공진현상을 이용하여 증폭되는 출력이 제어될 수 있도록 제1 공진커패시터(212)는 가변 커패시터로 구성될 수 있다. 한편 각 안테나(211,221)도 저항이 될 수 있으므로 이를 반영하여 출력을 제어할 수 있도록 구성된다.The inductance value L of the first antenna 211 or a second antenna 221 to be described later is determined by the electrical characteristics such as the shape and the material of the antenna. In general, the inductance value L of the antenna is a fixed value Respectively. Accordingly, the first resonance capacitor 212 may be configured as a variable capacitor so that the output amplified by varying the impedance and using the series resonance phenomenon described above can be controlled. Meanwhile, each of the antennas 211 and 221 may be a resistor, so that the output can be controlled by reflecting the same.

제2 안테나부(220)는 제2 안테나(221) 및 제2 공진커패시터(222)를 포함하여 구성될 수 있다. 제1 안테나(211)는 고주파 전력을 인가받아 공정 공간에 플라즈마를 형성할 수 있도록 도체부재로 구성된다. 제2 공진커패시터(222)는 직렬공진현상을 일으켜 제2 안테나(221)의 출력을 증폭시킬 수 있도록 제2 안테나(221)의 후단에 직렬로 연결될 수 있다. 또한 임피던스를 가변시켜 제2 안테나(221)에서 증폭되는 출력을 조절할 수 있도록 가변 커패시터로 구성될 수 있다.The second antenna unit 220 may include a second antenna 221 and a second resonant capacitor 222. The first antenna 211 is composed of a conductor member to receive a high-frequency power and form a plasma in the process space. The second resonant capacitor 222 may be connected in series to the rear end of the second antenna 221 to amplify the output of the second antenna 221 due to a series resonance phenomenon. The second antenna 221 may be a variable capacitor for adjusting the output of the second antenna 221 by varying the impedance.

한편 각 안테나(211,221)의 후단에는 안테나에 인가되는 전류량을 측정하여 각 가변 커패시터(212,222)를 제어할 수 있도록 전류측정부(미도시)가 연결될 수 있다. Meanwhile, a current measuring unit (not shown) may be connected to the rear end of each of the antennas 211 and 221 to measure the amount of current applied to the antenna and to control the variable capacitors 212 and 222.

드레인회로(300)는 안테나모듈(200)에 인가되는 전류의 일부를 드레인하는 경로를 형성하도록 구성된다. 사용자의 필요에 따라 각 안테나부에 전류를 다르게 인가해야 할 경우, 예를 들면, 각 부분의 식각율(etching rate)을 각각 다르게 적용하여 공정을 진행해야 하는 경우에 남는 전류를 드레인하여 다른 안테나부에 미치는 영향을 최소화하도록 구성될 수 있다. The drain circuit 300 is configured to form a path for draining a part of the current applied to the antenna module 200. When the current needs to be differently applied to each antenna unit according to the user's need, for example, when the etching rate of each part is differently applied, the current is drained, In order to minimize the effect on the image quality.

구체적으로 살펴보면, 드레인회로(300)는 적어도 하나 이상의 가변소자가 포함되어 구성될 수 있으며, 본 실시예에서는 드레인 가변저항(310) 및 드레인 커패시터(320)가 직렬로 연결된 구성이 나타나 있다. 드레인회로(300)의 일측은 제1 안테나부(210)와 제2 안테나부(220)의 사이의 지점에 연결되며, 타측은 접지부와 연결 되어 안테나모듈(200)에 인가되는 전류의 일부를 드레인할 수 있다. 이러한 구성은 각 안테나(211,221)에서 증폭되는 전류를 변화시키는 경우에, 하나의 안테나부에서 소비하는 RF파워를 일정하게 유지하기 위하여 작동된다. 즉, 드레인회로(300)는 제1 안테나부(210)에서 증폭되는 전류는 증가시키는 경우, 드레인 가변저항(310)의 값을 줄여 드레인되는 전류량을 증가시켜 제2 안테나부(220)에 인가되는 전류의 양을 일정하게 유지시킬 수 있다. 즉, 드레인회로(300)는 제1 안테나부(210) 및 제2 안테나부(220)의 출력을 각각 제어할 때, 인가되는 전류량의 증감분을 드레인회로(300)에서 드레인양을 조절하여 보상하여 다른 안테나부에 대한 영향을 최소화 할 수 있으므로 각 안테나부의 출력을 개별적으로 제어하는 것이 용이해질 수 있다.Specifically, the drain circuit 300 may include at least one variable element. In this embodiment, the drain variable resistor 310 and the drain capacitor 320 are connected in series. One end of the drain circuit 300 is connected to a point between the first antenna unit 210 and the second antenna unit 220 and the other end is connected to the ground unit to partially receive the current applied to the antenna module 200 Drain. This configuration is operated in order to keep the RF power consumed by one antenna unit constant when the current amplified by each of the antennas 211 and 221 is changed. That is, when the current amplified by the first antenna unit 210 is increased, the drain circuit 300 decreases the value of the drain variable resistor 310 to increase the amount of current to be drained to be applied to the second antenna unit 220 The amount of current can be kept constant. That is, when controlling the output of the first antenna unit 210 and the second antenna unit 220, the drain circuit 300 compensates for the increase / decrease of the applied current by adjusting the drain amount in the drain circuit 300 It is possible to minimize the influence on other antenna portions, so that it becomes easy to individually control the outputs of the respective antenna portions.

이하에서는 도 3을 참조하여 제1 실시예의 안테나모듈(200)의 형상 및 배치에 대하여 설명한다.Hereinafter, the shape and arrangement of the antenna module 200 of the first embodiment will be described with reference to FIG.

도 3은 제1 실시예의 안테나모듈(200) 부분을 개략적으로 도시한 도면이다.3 is a view schematically showing a portion of the antenna module 200 of the first embodiment.

도시된 부분은 복수로 분할된 안테나 설치부(20) 중 하나의 단위영역에 설치된 안테나모듈(200)을 나타낸 것이다. 도시된 바와 같이, 안테나모듈(200)은 분할된 단위영역의 평면에 중심부로부터 외측으로 휘감으며 나선형상으로 배치될 수 있으며, 내측에 제1 안테나부(210) 및 제1 안테나부(210)와 직렬로 연결되는 제2 안테나부(220)로 구성될 수 있다. The illustrated portion shows an antenna module 200 installed in one unit area of the plurality of divided antenna mounting portions 20. As shown in the figure, the antenna module 200 can be arranged in a spiral shape by being wound on the plane of the divided unit area outward from the center, and includes a first antenna unit 210, a first antenna unit 210, And a second antenna unit 220 connected in series.

구체적으로 살펴보면, 제1 안테나부(210)의 제1 안테나(211)는 사각 나선형상으로 배치되며, 제1 공진커패시터(212)는 제1 안테나(211)의 끝단과 직렬로 연결된다. 제2 안테나부(220)의 제2 안테나(211)는 제1 안테나(211)의 외측에 배치되며, 끝단이 제2 공진커패시터(222)와 직렬로 연결된다. 제2 공진커패시터(222)의 끝단은 접지라인과 연결된다. 그리고 드레인회로(300)의 일단은 제1 공진커패시터(212)와 제2 안테나(221) 사이에 연결되며, 타단은 접지라인과 연결된다.Specifically, the first antenna 211 of the first antenna unit 210 is arranged in a square spiral shape, and the first resonance capacitor 212 is connected in series with the end of the first antenna 211. The second antenna 211 of the second antenna unit 220 is disposed outside the first antenna 211 and the end of the second antenna 211 is connected in series with the second resonant capacitor 222. The end of the second resonant capacitor 222 is connected to the ground line. One end of the drain circuit 300 is connected between the first resonant capacitor 212 and the second antenna 221, and the other end is connected to the ground line.

이와 같이 안테나모듈(200)은, 하나의 안테나 라인에 분할된 제1 안테나(211) 및 제2 안테나(221)로 구성되고, 각각 공진커패시터(212,222)가 구비되므로 커패시터가 체결된 길이에 따라 각 안테나(211,221)에 인가되는 전류량을 다르게 인가할 수 있다. 따라서 이에 대응하는 공정 공간(30)에 발생되는 플라즈마를 단위영역 내에서 미세하게 제어하는 것이 가능하다.Since the antenna module 200 includes the first antenna 211 and the second antenna 221 that are divided into one antenna line and are provided with the resonance capacitors 212 and 222 respectively, The amount of current applied to the antennas 211 and 221 can be differently applied. Therefore, it is possible to finely control the plasma generated in the process space 30 corresponding thereto in the unit area.

이하에서는 도 4를 참조하여 본 발명에 따른 제2 실시예에 대하여 설명한다. 제2 실시예에서도 제1 실시예와 동일한 구성요소를 포함할 수 있으며, 이에 대하여는 중복설명을 피하기 위하여 설명을 생략한다.Hereinafter, a second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. The second embodiment may include the same components as those of the first embodiment, and a description thereof will be omitted in order to avoid redundant description.

도 4는 본 발명에 따른 안테나모듈(200)의 변형예를 개략적으로 도시한 도면이다.4 is a view schematically showing a modified example of the antenna module 200 according to the present invention.

도시된 바와 같이, 안테나 설치부의 단위영역에 안테나모듈(200)이 배치되어 있다. 4개의 개별안테나가 직렬로 연결되어 있으며 각각 4개의 공진커패시터와 직렬로 연결되어 있다. 이와 같이 복수의 안테나부가 직렬로 연결되어 하나의 분할영역에 설치되므로 각 안테나별로 미세한 전류조절이 가능하다. 즉 분할영역 내측에 구간별로 출력을 제어하는 것이 가능하다.As shown in the figure, the antenna module 200 is disposed in the unit area of the antenna mounting part. Four separate antennas are connected in series, each in series with four resonant capacitors. Since a plurality of antenna units are connected in series and are installed in one divided region, a minute current can be controlled for each antenna. That is, it is possible to control the output for each section within the divided area.

또한 안테나가 길게 설치되어야 하는 경우, 복수의 안테나부가 구비되어 각 안테나부에서 직렬공진을 이용하게 되므로, 장거리를 전력손실 없이 전달하는 것이 가능하다. 다만 이와같은 구성은 일 예일 뿐 안테나의 개수, 형상, 배치 등은 다양하게 변형될 수 있다.Also, when the antenna is to be installed long, since a plurality of antenna portions are provided and each antenna portion uses the series resonance, it is possible to transmit a long distance without power loss. However, such a configuration is only an example, and the number, shape, arrangement, and the like of the antennas can be variously modified.

도 5 는 제1 안테나부(210) 내지 제3 안테나부(230)의 다른 변형예를 도시한 회로도이다. 본 변형예에서도 전술한 실시예와 동일한 구성요소를 포함하여 구성될 수 있으며, 이에 대하여 중복기재를 피하기 위해 설명을 생략한다. 5 is a circuit diagram showing another modification of the first antenna unit 210 to the third antenna unit 230. As shown in FIG. In this modified example, the same constituent elements as those of the above-described embodiment can be included, and a description thereof will be omitted in order to avoid redundant description.

도시된 바와 같이, 제2 안테나부(220)에는 제3 안테나부(230)가 연결될 수 있다.As shown in the figure, a third antenna unit 230 may be connected to the second antenna unit 220.

제3 안테나부(230)는 도 5 (a), 도 5 (b)와 같이 제2 안테나부(220)와 병렬로 연결되어 전류의 일부가 드레인 되는 경로를 형성한다. 또한, 전류를 인가받아 공정 공간(30)에 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 구성될 수 있다.The third antenna unit 230 is connected in parallel with the second antenna unit 220 as shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b) to form a path through which a part of current is drained. Further, it can be configured to generate a plasma in the process space 30 by receiving a current.

제3 안테나부(230)는 제3 안테나(231) 및 제3 공진커패시터(232)가 구비되며, 제3 공진커패시터(232)는 임피던스를 가변시켜 제3 안테나(231)의 출력을 제어할 수 있도록 구성된다. 제3 안테나(231)와 제3 공진커패시터(232)는 도 5 (a)와 같이 서로 직렬로 연결될 수 있으며, 도 5 (b)와 같이 병렬로 연결될 수 있다. 이 때, 제3 안테나(231)에서 공진현상을 이용하여 출력이 증폭될 수 있다. 한편 이와 같은 공진현상과 관련된 내용은 전술하였다.The third antenna unit 230 includes a third antenna 231 and a third resonant capacitor 232 and the third resonant capacitor 232 can vary the impedance to control the output of the third antenna 231 . The third antenna 231 and the third resonant capacitor 232 may be connected in series as shown in FIG. 5 (a) or may be connected in parallel as shown in FIG. 5 (b). At this time, the output can be amplified by using the resonance phenomenon in the third antenna 231. On the other hand, the contents related to such a resonance phenomenon have been described above.

도 5 (c) 및 도 5 (d) 에는 제2 안테나부(220)와 직렬로 연결된 제3 안테나부(230)의 구성이 나타나 있다. 이와 같이 제2 안테나부(220)와 제3 안테나부(230)가 직렬로 연결되어 구성될 수 있다.5C and 5D illustrate the configuration of the third antenna unit 230 connected in series with the second antenna unit 220. In FIG. In this manner, the second antenna unit 220 and the third antenna unit 230 may be connected in series.

제3 안테나(231) 및 제3 공진커패시터(232)는 도 5 (c)와 같이 직렬로 연결될 수 있으며, 도 5 (d)와 같이 병렬로 연결될 수 있다.The third antenna 231 and the third resonant capacitor 232 may be connected in series as shown in FIG. 5 (c) and may be connected in parallel as shown in FIG. 5 (d).

한편 도시되지는 않았으나, 복수의 제3 안테나부(230)가 구비되어 제2 안테나부(220)와 직렬 및 병렬로 연결되어 구성될 수 있으며, 각 안테나부 사이에 드레인회로(300)가 추가로 구비되어 구성될 수 있다.Although not shown, a plurality of third antenna units 230 may be provided and connected in series and in parallel with the second antenna unit 220. A drain circuit 300 may be additionally provided between the antenna units As shown in FIG.

전술한 플라즈마 발생모듈 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치를 사용하면 하나의 안테나 구간을 분할하여 2개 이상의 다중구간으로 나눌 수 있고, 각각의 개별구간의 출력제어가 가능하여 플라즈마 밀도를 보다 정밀하게 제어할 수 있는 효과가 있다. 또한, 각 구간별로 직렬공진을 이용하므로, 안테나가 설치되어야 하는 길이가 길더라도 먼 곳까지 전력손실을 최소화하여 전력전달이 가능하여 플라즈마를 보다 균일하게 발생시킬 수 있는 효과가 있다.By using the plasma generation module and the plasma processing apparatus including the plasma generation module, it is possible to divide one antenna section into two or more multiple sections, and to control output of each individual section to control the plasma density more precisely There is an effect that can be. In addition, since the series resonance is used for each section, the power loss can be minimized even if the antenna has a long length, and the power can be transmitted to generate plasma more uniformly.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징들이 변경되지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것으로 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, . It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

110: 고주파 전원 120: 정합부(Impedance matching box)
200: 안테나모듈
210: 제1 안테나부 211: 제1 안테나 212: 제1 공진커패시터
220: 제2 안테나부 221: 제2 안테나 222: 제2 공진커패시터
300: 드레인회로 310: 드레인 가변저항 320: 드레인 커패시터110: RF power supply 120: Impedance matching box
200: Antenna module
210: first antenna unit 211: first antenna 212: first resonance capacitor
220: second antenna unit 221: second antenna 222: second resonant capacitor
300: drain circuit 310: drain variable resistor 320: drain capacitor

Claims (10)

고주파 전력을 공급하는 고주파 전원;
상기 고주파 전력을 인가받아 공정 공간에 플라즈마를 형성하는 제1 안테나 및 임피던스를 가변시켜 상기 제1 안테나의 출력을 제어하며 상기 제1 안테나에 직렬 연결되는 제1 공진커패시터를 포함하여 구성되는 제1 안테나부; 및
상기 제1 안테나부와 직렬로 연결되며, 상기 고주파 전력을 인가받아 공정 공간에 플라즈마를 형성하는 제2 안테나 및 임피던스를 가변시켜 상기 제2 안테나의 출력을 제어하며 상기 제2 안테나에 직렬 연결되는 제2 공진커패시터를 포함하여 구성되는 제2 안테나부를 포함하는 플라즈마 발생모듈.A high frequency power supply for supplying high frequency power;
A first antenna that receives the high frequency power and forms a plasma in a process space, and a first resonance capacitor that controls an output of the first antenna by varying impedance and is connected in series to the first antenna, part; And
A second antenna connected in series with the first antenna unit and receiving the RF power to form a plasma in a process space, and a second antenna for controlling the output of the second antenna by varying the impedance, And a second antenna portion including the first resonant capacitor and the second resonant capacitor. 제1 항에 있어서,
상기 제2 안테나부와 직렬 또는 병렬로 연결되며,
상기 고주파 전력을 인가받아 공정 공간에 플라즈마를 형성하는 제3 안테나 및 임피던스 가변시켜 상기 제3 안테나의 출력을 제어하며 상기 제3 안테나에 연결되는 제3 공진커패시터를 포함하여 구성되는 제3 안테나부를 더 포함하여 구성되는 플라즈마 발생모듈.The method according to claim 1,
A second antenna unit connected in series or in parallel,
A third antenna for receiving a high frequency power and forming a plasma in a process space, and a third antenna unit including a third resonant capacitor for controlling an output of the third antenna by varying an impedance and being connected to the third antenna And a plasma generation module. 제2 항에 있어서,
상기 제1 공진커패시터는 전력이 공급되는 방향으로 상기 제1 안테나 후단에 연결되며,
상기 제2 공진커패시터는 전력이 공급되는 방향으로 상기 제2 안테나 후단에 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생모듈.3. The method of claim 2,
Wherein the first resonant capacitor is connected to a downstream end of the first antenna in a direction in which electric power is supplied,
And the second resonant capacitor is connected to the second antenna end in a direction in which electric power is supplied. 제2 항에 있어서,
상기 제1 안테나부 또는 상기 제2 안테나부에 인가되는 전류의 일부가 드레인되는 경로를 형성하는 드레인회로를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생모듈.3. The method of claim 2,
Further comprising a drain circuit forming a path through which a part of the current applied to the first antenna unit or the second antenna unit is drained. 제4 항에 있어서,
상기 드레인회로는,
일측이 상기 제1 안테나부와 상기 제2 안테나부 사이의 지점에 연결되고,
타측은 접지되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생모듈.5. The method of claim 4,
Wherein the drain circuit comprises:
One side of which is connected to a point between the first antenna portion and the second antenna portion,
And the other side is grounded. 제5 항에 있어서,
상기 드레인 회로는 드레인되는 전류의 양이 조절될 수 있도록 하나 이상의 가변소자를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생모듈.6. The method of claim 5,
Wherein the drain circuit comprises at least one variable element so that the amount of current to be drained can be adjusted. 제6 항에 있어서,
상기 드레인회로는 드레인 가변저항을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생모듈.The method according to claim 6,
And the drain circuit includes a drain variable resistor. 내부에 공정 공간이 형성되는 챔버;
상기 챔버의 내부에 구비되어 기판이 안착되는 공간을 형성하는 스테이지; 및
상기 스테이지의 상측에 배치되고, 상기 공정 공간에 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생모듈을 포함하며,
상기 플라즈마 발생모듈은,
고주파 전력을 공급하는 고주파 전원, 상기 고주파 전력을 인가받아 공정 공간에 플라즈마를 형성하는 제1 안테나 및 상기 제1 안테나의 출력을 증폭시키며 상기 제1 안테나에 직렬 연결되는 제1 공진커패시터를 포함하여 구성되는 제1 안테나부, 상기 제1 안테나부와 직렬로 연결되며, 상기 고주파 전력을 인가받아 공정 공간에 플라즈마를 형성하는 제2 안테나 및 상기 제2 안테나의 출력을 증폭시키고 상기 제2 안테나에 직렬 연결되는 제2 공진커패시터를 포함하여 구성되는 제2 안테나부를 포함하여 구성되는 플라즈마 발생장치.A chamber in which a process space is formed;
A stage provided inside the chamber to form a space in which the substrate is seated; And
And a plasma generation module disposed on the stage and generating a plasma in the process space,
The plasma generation module includes:
And a first resonance capacitor for amplifying an output of the first antenna and serially connected to the first antenna, and a second resonance capacitor for amplifying an output of the first antenna and being connected in series to the first antenna, wherein the high- A second antenna connected in series to the first antenna unit and receiving the RF power to form a plasma in the process space, and a second antenna for amplifying the output of the second antenna and serially connected to the second antenna, And a second resonant capacitor connected to the second resonant capacitor. 제8 항에 있어서,
상기 제1 공진커패시터는 상기 제1 안테나의 출력을 조절할 수 있도록 가변 커패시터로 구성되며, 상기 제2 공진커패시터는 상기 제2 안테나의 출력을 조절할 수 있도록 가변 커패시터로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.9. The method of claim 8,
Wherein the first resonant capacitor comprises a variable capacitor to adjust the output of the first antenna and the second resonant capacitor comprises a variable capacitor to control the output of the second antenna. . 제9 항에 있어서,
상기 제1 안테나부 또는 상기 제2 안테나부에 인가되는 전류의 일부를 드레인 시키는 드레인회로를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.10. The method of claim 9,
And a drain circuit for draining a part of the current applied to the first antenna unit or the second antenna unit.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114080864A (en) * 2019-07-12 2022-02-22 日新电机株式会社 Plasma control system and plasma control program

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010007933A (en) * 2000-10-25 2001-02-05 이래덕 Auto Combination Equipment of Filter Cover
KR20020092834A (en) * 2001-06-05 2002-12-12 삼성전자 주식회사 Handheld terminal
JP2006278219A (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Utec:Kk Icp circuit, plasma treatment device, and plasma processing method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010007933A (en) * 2000-10-25 2001-02-05 이래덕 Auto Combination Equipment of Filter Cover
KR20020092834A (en) * 2001-06-05 2002-12-12 삼성전자 주식회사 Handheld terminal
JP2006278219A (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Utec:Kk Icp circuit, plasma treatment device, and plasma processing method

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
대한민국 등록특허 131,882호

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN114080864A (en) * 2019-07-12 2022-02-22 日新电机株式会社 Plasma control system and plasma control program
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