KR20160049555A - Light Emitting Diodes with Graphene Electrodes and Manufacturing Methods therefore - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 82
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000007773 growth pattern Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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Abstract
Description
본 발명은 환원된 그래핀 옥사이드를 전극구조에 이용하는 발광 다이오드에 관한 것으로서, 환원된 그래핀 옥사이드는 N형 반도체층 하부에 형성되고, 전자를 공급하는 층으로 전류 확산 동작을 수행하는 것을 특징으로 한다. 또한 환원된 그래핀 옥사이드를 이용함으로써 열방출 효과도 증대된다.The present invention relates to a light emitting diode using reduced graphene oxide for an electrode structure, characterized in that the reduced graphene oxide is formed under the N-type semiconductor layer and performs a current diffusion operation to a layer for supplying electrons . The use of reduced graphene oxide also increases the heat release effect.
종래의 논문 혹은 특허들은 그래핀을 p형 반도체층 상부에 전류확산층으로 형성하는 것 등에 대해 언급하고 있다. 그래핀과 관련된 선행기술로써 한국출원 공개번호 10-2012-0126594에서 공개하고 있는 그래핀을 이용한 수직형 발광다이오드 제조방법은 희생기판 상에 그래핀을 형성함으로써, 희생기판 분리시 점착 테이프 또는 정전척 등을 이용하는 물리적 방법으로 간단하고 용이하게 희생기판을 제거할 수 있다. 한국출원 공개번호 10-2011-0049673에서는 소자용 기판 상에 1차원 구조물, 상기 1차원 구조물 상에 위치한 그래핀 박막을 포함하는 전자 소자와 이러한 전자 소자를 간단한 공정으로 제조하는 방법을 제공한다. 한국출원 공개번호 10-2012-0122057에서는 p형 반도체층 상부에 금속전극이 형성되고 금속전극의 상부에 그라핀층이 형성된다. 그라핀층은 광투과율을 가지고, 전류확산 기능을 수행한다. 또한, 그라핀층 상부에는 추가 금속막이 형성되어 그라핀층은 금속 전극에 용이하게 접착될 수 있다. 한국출원 공개번호 10-2010-0042122에서는 접착제가 도포된 가요성 필름 면에 흑연가루를 붙인 다음 상기 가요성필름을 접었다 떼었다를 반복하며 흑연을 도포해 나간다. 이 가용성 필름을 소자의 전극 형성 위치에 붙인 다음, 전극 형성 위치에 그래핀을 남기고 가요성 필름을 제거해낸다. Conventional articles or patents refer to forming graphene as a current diffusion layer on top of a p-type semiconductor layer and the like. As a prior art related to graphene, Korean Patent Application Laid-Open Publication No. 10-2012-0126594 discloses a method of fabricating a vertical type light emitting diode using graphene, in which graphenes are formed on a sacrificial substrate, It is possible to easily and easily remove the sacrificial substrate by using a physical method using an electron beam or the like. Korean Patent Publication No. 10-2011-0049673 provides an electronic device including a one-dimensional structure on a substrate for a device, a graphene thin film positioned on the one-dimensional structure, and a method of manufacturing such an electronic device by a simple process. In Korean Patent Publication No. 10-2012-0122057, a metal electrode is formed on the p-type semiconductor layer and a graphene layer is formed on the metal electrode. The graphene layer has a light transmittance and performs a current spreading function. Further, an additional metal film is formed on the upper part of the graphene layer, so that the graphene layer can be easily adhered to the metal electrode. In Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2010-0042122, a graphite powder is applied to a surface of a flexible film to which an adhesive is applied, and then the flexible film is repeatedly folded and peeled, and the graphite is applied. The soluble film is attached to the electrode formation position of the device, and then the flexible film is removed while leaving graphene at the electrode formation position.
종래의 논문 혹은 특허들은 그래핀을 p형 반도체층 상부에 전류확산층으로 형성하는 것에 대해 언급하고 있다. 그러나 그래핀 옥사이드를 p형 반도체층 상부에 적용하면, 900oC 이상의 온도에서 환원을 진행하는 과정에서 GaN가 분해(decomposition)되어 식각(etch)되는 문제가 있었다. 이러한 문제를 극복하기 위해 그래핀을 n형 반도체층 하부에 전류확산층으로 적용하는 것이 본 발명의 목적이다. Conventional articles or patents refer to forming graphene as a current diffusion layer on top of a p-type semiconductor layer. However, when graphene oxide is applied on the p-type semiconductor layer, there is a problem that GaN is decomposed and etched during the reduction process at a temperature of 900 ° C or higher. In order to overcome this problem, it is an object of the present invention to apply graphene as a current diffusion layer below the n-type semiconductor layer.
본 발명의 발광다이오드는 n층 하부에 형성된 전도층을 가지며, 상기 전도층이 n전극과 연결되고, 상기 전도층이 환원된 그래핀 옥사이드이다. 또한, 본 발명의 발광다이오드에 있어서, 상기 전도층이 전류확산층일 수 있다. 또한, 본 발명의 발광다이오드에 있어서, 상기 전도층의 하부층이 n-GaN일 수 있다. 또한, 본 발명의 발광다이오드에 있어서, 상기 전도층의 하부층이 un-GaN일 수 있다. 또한 본 발명의 발광다이오드에 있어서, 상기 전도층이 수평방향으로의 전류흐름을 원활하게 할 수 있다. The light emitting diode of the present invention is a graphene oxide having a conductive layer formed under the n-layer, the conductive layer being connected to the n-electrode, and the conductive layer being reduced. Further, in the light emitting diode of the present invention, the conductive layer may be a current diffusion layer. In addition, in the light emitting diode of the present invention, the lower layer of the conductive layer may be n-GaN. In the light emitting diode of the present invention, the lower layer of the conductive layer may be un-GaN. In the light emitting diode of the present invention, the conductive layer can smoothly flow current in the horizontal direction.
본 발명의 발광다이오드에 있어서, 상기 전도층이 패턴을 이루며, 상기 패턴의 폭(W)과 여백의 폭(A)이 GaN 성장에 영향을 미치며, 상기 패턴의 폭(W)과 여백의 폭(A)의 비율이 1 ± 0.25 범위 이내인 것을 특징으로 한다. 이때 상기 패턴은 스트라이프패턴일 수 있다. In the light emitting diode of the present invention, the conductive layer forms a pattern, and the width W of the pattern and the width A of the blank affect the growth of GaN, and the width W of the pattern and the width A) is within a range of 1 ± 0.25. The pattern may be a stripe pattern.
본 발명의 발광다이오드제조방법은 하부층을 형성하는 단계: 그래핀 옥사이드 패턴을 형성하는 단계; n-GaN층을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 그래핀 옥사이드 패턴은 n층이 형성되는 동시에 환원되는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 발광다이오드제조방법에 있어서, 상기 n-GaN층은 상기 전도층위에 수평성장(ELOG)될 수 있다. The light emitting diode manufacturing method of the present invention includes the steps of forming a lower layer: forming a graphene oxide pattern; and forming an n-GaN layer, wherein the graphene oxide pattern is an n-layer and is reduced at the same time. In addition, in the method of manufacturing a light emitting diode of the present invention, the n-GaN layer may be horizontally grown (ELOG) on the conductive layer.
본 발명은 환원된 그래핀 옥사이드를 전극구조에 이용하는 발광 다이오드이다. 환원된 그래핀 옥사이드는 N형 반도체층 하부에 형성되고, 전자를 공급하는 층으로 전류 확산 동작을 수행하는 것을 특징으로 한다. N형 반도체층을 성장시키면서 동시에 열처리를 진행하기 때문에 열처리에 의한 식각이 발생하지 않고, 그 위에 GaN가 수평성장(ELOG) 방법을 통하여 평탄(flat)하게 성장된다. 또한 환원된 그래핀 옥사이드를 이용함으로써 열방출 효과도 볼 수 있다.The present invention is a light emitting diode using reduced graphene oxide for an electrode structure. The reduced graphene oxide is formed under the N-type semiconductor layer and is characterized in that a current spreading operation is performed to a layer which supplies electrons. The N-type semiconductor layer is grown and the heat treatment is performed at the same time. Therefore, the etching by the heat treatment does not occur, and the GaN is flat grown thereon by the horizontal growth (ELOG) method. The use of reduced graphene oxide can also be used to dissipate heat.
도 1은 P형 GaN 반도체 상부에 그래핀 옥사이드를 코팅한 후, 열처리한 모습을 SEM으로 관측한 이미지.
도 2는 환원된 그래핀 옥사이드의 특성 (a) 그래핀 옥사이드와 (b) 환원된 그래핀 옥사이드의 XPS 그래프
도 3은 GO(그래핀 옥사이드) pattern의 모식도
도 4는 GO pattern의 Optical microscope images
도 5는 GO pattern의 Optical microscope images
도 6은 GO pattern 위에 성장된 GaN의 Optical microscope images
도 7은 환원된 그래핀 옥사이드를 적용한 발광다이오드소자의 단면 이미지
도 8은 LED fabrication processes의 Schematic diagram
도 9는 전기적 및 광학적 특성을 도시
도 10은 환원된 그래핀 옥사이드를 적용한 경우의 I-V 그래프.
도 11은 Junction temperature의 분포
도 12는 패턴성장을 위한 조건
도 13은 A/W ratio 변화에 따른 동작특성의 변화FIG. 1 is an image obtained by observing the state of the P-type GaN semiconductor after the graphene oxide is coated thereon and the annealed state by SEM.
Figure 2 shows the characteristics of reduced graphene oxide (a) XPS graph of graphene oxide and (b) reduced graphene oxide
FIG. 3 is a schematic diagram of the GO (graphene oxide) pattern
FIG. 4 shows optical microscope images of the GO pattern
FIG. 5 shows optical microscope images
Figure 6 shows the optical microscope images of GaN grown on the GO pattern
7 is a cross-sectional image of a light emitting diode device to which reduced graphene oxide is applied
8 is a schematic diagram of LED fabrication processes
Figure 9 shows the electrical and optical properties
FIG. 10 is an IV graph when reduced graphene oxide is applied. FIG.
11 shows the distribution of the junction temperature
FIG. 12 shows the conditions for pattern growth
13 is a graph showing changes in operating characteristics according to A / W ratio variation
그래핀 옥사이드는 열처리를 통해 환원시켜 그래핀 시트로 만든다. 열처리는 1050도에서 수소 분위기에서 진행되며, 암모니아 가스도 주입된다. 도2와 관련하여, XPS를 통해 그래핀 옥사이드의 oxygen-functional group 들이 열처리 후에 감소되는 것과, C-C bond가 증가함으로 그래핀 시트가 만들어 지는 것을 확인하였다. 열적 환원 과정에서 암모니아 가스를 주입한 결과, C-N bond가 형성되는 것을 확인하였고, 이는 환원된 그래핀 옥사이드 (rGO : reduced gaphene oxide)가 도핑이 된 것으로 해석된다. 암모니아 가스의 N 원자들이 도펀트로 작용하여 환원되는 과정에서 그래핀 옥사이드에 도핑되었고, 도핑의 효과로 환원된 그래핀 옥사이드 내에 excess 전자들이 발생한다. Graphene oxide is reduced to a graphene sheet by heat treatment. The heat treatment is carried out in a hydrogen atmosphere at 1050 degrees, and ammonia gas is also injected. Referring to FIG. 2, it has been confirmed that graphene oxide is formed by XPS and that the oxygen-functional groups of graphene oxide are reduced after heat treatment and C-C bond is increased. As a result of the ammonia gas injection in the thermal reduction process, it was confirmed that a C-N bond was formed, which is interpreted as a result of doping of reduced reduced graphene oxide (rGO). N atoms of ammonia gas act as a dopant and are doped into graphene oxide in the process of reduction, and excess electrons are generated in the reduced graphene oxide by the effect of doping.
도3과 관련하여, 환원된 그래핀 옥사이드는 N형 반도체층 하부 즉, 기판 상에 pattern으로 형성되며, GaN가 성장할 때 그래핀 옥사이드 pattern이 open 된 부분으로 기판이 드러난 부분 위에 GaN seed가 증착할 수 있게 한다. 그래핀 옥사이드의 열처리는 MOCVD 내에서 진행하며 환원과정이 진행된다. Referring to FIG. 3, the reduced graphene oxide is patterned on the N-type semiconductor layer, that is, on the substrate. When the GaN is grown, the graphene oxide pattern is opened, and the GaN seed is deposited on the exposed portion of the substrate I will. The heat treatment of graphene oxide proceeds in MOCVD and the reduction process proceeds.
GaN 성장은 그래핀 옥사이드 패턴 위에 수평성장(ELOG) 방법을 통하여 이루어진다. 도5와 관련하여, GaN 성장시 환원된 그래핀 옥사이드 패턴의 electrode 부분 (메탈과 직접 연결되어야 하는 부분)의 성장 방지 위해 SiO2를 선택적으로 patterning한다. 도3과 관련하여, 빨간 네모 부분이 환원된 그래핀 옥사이드 패턴의 electrode 부분이다. GaN growth is achieved by a horizontal growth (ELOG) method on a graphene oxide pattern. Referring to FIG. 5 , SiO 2 is selectively patterned to prevent growth of the electrode portion of the reduced graphene oxide pattern (the portion to be directly connected to the metal) during GaN growth. Referring to FIG. 3, the red square portion is the electrode portion of the reduced graphene oxide pattern.
N형 전류확산의 효율을 향상시키기 위해서 undoped-GaN과 n형 반도체층 상부에 GO패턴을 형성하고, n형 반도체층 부터 재성장하여 GaN-based LED를 만든다. 이러한 경우 n형 반도체층을 성장시키면서 동시에 열처리를 진행하기 때문에 식각이 발생하지 않고, 그 위에 GaN가 봉합되어 평탄도가 좋은(flat) 표면을 가지면서 성장되는 것을 도6의 현미경 사진에서와 같이 확인하였다.In order to improve the efficiency of N-type current diffusion, a GO pattern is formed on the undoped-GaN layer and the n-type semiconductor layer, and a GaN-based LED is formed by regrowing from the n-type semiconductor layer. In this case, since the n-type semiconductor layer is grown at the same time as the heat treatment is carried out, etching is not caused, and GaN is stuck thereon and grown with a flat surface. Respectively.
도 4와 관련하여, 그래핀 옥사이드 패턴이 형성된 것을 광학현미경으로 확인할 수 있다. With reference to FIG. 4, formation of a graphene oxide pattern can be confirmed by an optical microscope.
도 5와 관련하여, 광학현미경을 통해 그래핀 옥사이드 패턴 상에 SiO2로 patterning 되어 있는 부분(빨간 네모난 부분)을 확인하였다. Referring to FIG. 5, a portion (red square portion) patterned with SiO 2 on the graphene oxide pattern was observed through an optical microscope.
도 6과 관련하여, 그래핀 옥사이드 패턴 위에 GaN 성장한 후에 광학현미경으로 관측한 사진 상에 SiO2로 patterning 되어 있는 부분은 GaN 가 성장되어 있지 않은 것으로 관측되었다. Referring to FIG. 6, it was observed that the portion patterned with SiO 2 on the photographic image observed under an optical microscope after GaN growth on the graphene oxide pattern was not grown GaN.
도 7과 관련하여, 환원된 그래핀 옥사이드를 undoped/n-type GaN 위에 패터닝하여 전류 확산(current spreading)효과를 높이는 구조를 보여주고 있다. Referring to FIG. 7, there is shown a structure for patterning reduced graphene oxide over undoped / n-type GaN to enhance the current spreading effect.
도 8과 관련하여, 소자 제작 과정의 개요가 도시되어 있다. With reference to Fig. 8, an outline of a device fabrication process is shown.
도 9와 관련하여, 환원된 그래핀 옥사이드를 적용한 발광다이오드의 전기적 특성은 일반적인 소자보다 향상된 것을 확인할 수 있다. 발광이미지 사진을 통해 일반적인 소자보다 환원된 그래핀 옥사이드를 적용한 발광다이오드가 더 밝게 발광되는 것이 관측된다. 이에 따라 광학적 특성의 향상도 관측되었다. 일반적으로 환원된 그래핀 옥사이드가 없는 undoped GaN에 금속접합을 할 경우 undoped GaN의 resistivity가 높아 활성층의 전류주입이 거의 없으며 전류 확산 역시 매우 나쁘지만, sample A는 환원된 그래핀 옥사이드의 영향으로 일반적인 소자와 비슷한 특성을 나타낸다. sample B는 일반적인 소자보다 좋은 특성을 나타내는데, 이는 환원된 그래핀 옥사이드와 n-type GaN의 resistivity의 영향으로 감소된 것으로 설명한다. 이는 환원된 그래핀 옥사이드가 LED 내부에서 conducting layer로 작용하였고, 환원된 그래핀 옥사이드를 통하여 전류 주입이 발생했다. 또한 LED 내부에 길게 이어진 환원된 그래핀 옥사이드층을 통하여 먼저 전류 주입이 이루어지고, 그 위에 재성장된 n형 GaN 층으로 전류 주입이 일어나는 것으로 추측된다. 이러한 이유로 인하여 환원된 그래핀 옥사이드를 통하여 수평방향으로 전류가 확산되어 전기적 특성에도 영향을 주었고 광학적 그래프와 발광이미지상의 효과로 나타남을 확인할 수 있다. sample B의 광학적 특성 증가는 환원된 그래핀 옥사이드로 인하여 전류 확산이 잘 일어나 넓은 면적의 활성층에서 광추출이 일어나도록 하며, 낮은 전류 밀도에서 광추출이 발생하기 때문이다. 이는 낮은 전류 밀도에서 넓은 면적의 활성층에서 고르게 발광하여 광학적 특성이 개선된 것으로 보인다. Referring to FIG. 9, it can be confirmed that the electrical characteristics of the light emitting diode to which the reduced graphene oxide is applied are improved as compared with general devices. It is observed that light emitting diodes employing reduced graphene oxide are emitted more brighter than ordinary devices through photoluminescence images. As a result, improvement of optical characteristics was observed. In general, undoped GaN without doped GaN has a high resistivity, resulting in very low current injection of the active layer and very poor current spreading. However, sample A is affected by the reduced graphene oxide Exhibit similar characteristics. Sample B shows better properties than conventional devices, which is explained by the reduced resistivity of graphene oxide and n-type GaN. The reduced graphene oxide acted as a conducting layer inside the LED, and current injection occurred through the reduced graphene oxide. It is also presumed that the current injection is performed first through the reduced graphene oxide layer extended inside the LED, and the current injection is performed to the regrown n-type GaN layer thereon. For this reason, it is confirmed that the electric current is diffused in the horizontal direction through the reduced graphene oxide, and it is also influenced on the electric characteristic and the effect on the optical graph and the luminescence image. The increase in the optical properties of sample B is due to the fact that current is diffused well due to the reduced graphene oxide so that light extraction occurs in a wide area active layer and light extraction occurs at a low current density. It appears that the optical properties are improved by emitting evenly in a wide area active layer at low current density.
도 10과 관련하여 환원된 그래핀 옥사이드가 전류 확산에 미치는 영향을 확인하기 위하여 수평방향으로의 전류 흐름을 측정하였다. 각 sample은 동일한 거리와 면적을 가지고 있도록 제작하였고, 전기적 특성을 분석하였다. 그 결과는 LED 소자 내부에 conducting layer로써 환원된 그래핀 옥사이드를 삽입한 결과와 유사하게 나타났다. 환원된 그래핀 옥사이드가 코팅된 undoped/n-type GaN sample이 undoped/n-type GaN로 구성되어있는 sample에 비해 전도도가 개선되는 것을 확인하였다. undoped-GaN 위에 환원된 그래핀 옥사이드가 코팅된 샘플은 n-GaN과 비슷한 기울기를 가지고 있는 것을 알 수 있으며, n-GaN 위에 환원된 그래핀 옥사이드가 코팅된 샘플이 가장 많은 전류가 흐르는 것으로 보아 환원된 그래핀 옥사이드가 전류확산층으로 작용하는 것을 알 수 있다. 1V 의 전압에서 전류값은 n-GaN 위에 환원된 그래핀 옥사이드가 코팅된 샘플이 가장 많이 흐른다.Referring to FIG. 10, the current flow in the horizontal direction was measured to confirm the influence of the reduced graphene oxide on the current diffusion. Each sample was fabricated to have the same distance and area, and electrical characteristics were analyzed. The results are similar to the result of inserting reduced graphene oxide as a conducting layer inside the LED device. It was confirmed that the reduced graphene oxide-coated undoped / n-type GaN sample improves the conductivity compared to the sample composed of undoped / n-type GaN. It can be seen that a sample coated with reduced graphene oxide on undoped-GaN has a similar slope to that of n-GaN, and a sample coated with reduced graphene oxide on n-GaN shows the most current, It can be seen that the graphene oxide acts as a current diffusion layer. At a voltage of 1 V, the current value is highest for a sample coated with reduced graphene oxide over n-GaN.
도 11과 관련하여, forward voltage method 방법을 이용하여 LED의 접합온도를 측정한 결과, 환원된 그래핀 옥사이드를 적용한 발광다이오드의 접합온도가 일반적인 소자보다 더 낮은 온도를 내며, 이는 환원된 그래핀 옥사이드의 높은 열전도도(thermal conductivity: ~ 500 W/mK)의 영향으로 열방출(heat dissipation)이 원활하게 이루어진 것으로 해석된다. 11, as a result of measuring the junction temperature of the LED using the forward voltage method, the junction temperature of the light emitting diode using the reduced graphene oxide is lower than that of the general device, The thermal conductivity (~ 500 W / mK) of the heat dissipation is considered to be smooth.
도 12와 관련하여, 그래핀 옥사이드 패턴의 형태에 따라 GaN층의 결정성 달라지는데, 그래핀 옥사이드 패턴 폭 (W) 과 GaN의 seed buffer가 성장되는 하부층의 open된 폭 (A) 의 비율에 따라 결정성을 나타내는 XRD 반폭치값을 비교하여 나타냈다. 도 12에서 A (하부층이 open된 폭 혹은 여백의 폭)의 값이 커질수록 GaN seed buffer가 성장되는 부분(면적)이 많아져 ELOG 형태로 성장하여 결정성이 좋아지지만, A의 값이 계속해서 커질 경우에는 LED 소자 내에서의 그래핀 옥사이드 패턴의 면적이 줄어들면서 그에 따른 영향이 줄어들 것이다. 또한 ELOG 성장형태가 사라지지게 되고 이로 인해 결정성이 나빠진다. 반대로 A의 값이 작아질수록 GaN 성장될 때의 seed buffer 가 성장되는 부분(면적)이 좁아져 ELOG 방법을 이용해도 그래핀 옥사이드 패턴으로 GaN가 봉합 되지 않아 성장된 표면이 평탄하지 않으며 불투명하고 결정성 또한 매우 나빠진다. 이는 그래핀 옥사이드의 패턴 폭과 하부층의 open된 폭의 비율이 GaN 성장과 상관관계가 있는 것을 나타낸다. 12, the crystallinity of the GaN layer depends on the shape of the graphene oxide pattern. It is determined according to the ratio of the graphene oxide pattern width W and the open width A of the lower layer in which the seed buffer of GaN is grown And XRD half-width values indicating the properties were compared. In FIG. 12, as the value of A (the width of the lower layer opened or the width of the margin) becomes larger, the portion (area) where the GaN seed buffer grows increases and the ELOG is grown to improve the crystallinity. However, The area of the graphene oxide pattern in the LED device will be reduced and the influence thereof will be reduced. In addition, the ELOG growth pattern disappears and the crystallinity deteriorates. On the contrary, as the value of A becomes smaller, the area (area) in which the seed buffer grows becomes narrower when the GaN is grown. Even if the ELOG method is used, the grown surface is not flat due to the graphene oxide pattern being not sealed, The castle is also very bad. This indicates that the ratio of the pattern width of graphene oxide to the open width of the lower layer correlates with GaN growth.
도 13은 GaN층 결정성에 영향을 주는 그래핀 옥사이드 패턴 형태에 따라 LED 소자를 제작하여 전기적 특성을 측정한 결과이다. 그래핀 옥사이드 패턴의 A/W 비율에 따른 LED 소자의 전기적 특성은 A/W 비율 ~ 1과 2일 때의 소자는 A/W 비율이 0인 경우(일반적인 소자로서 소자 내에 패턴이 없는 경우)와 비슷한 특성을 나타냄을 알 수 있다. 이는 A/W 비율이 ~ 1과 2 일 때 GaN 성장시 봉합이 잘 이루어지고 성장된 표면이 평탄해져 LED 소자가 구동되는 것을 알 수 있었다. 그러나 A/W 비율이 ~ 0.5 인 소자의 경우에는 GaN 성장시에 봉합이 이루어지지 않아 성장된 표면이 평탄하지 않고, 그래핀 옥사이드가 드러나게 되어 LED 소자 구동이 되지 않음을 알 수 있었다. 13 shows the result of measuring the electrical characteristics of an LED device fabricated according to a graphene oxide pattern shape that affects the crystallinity of the GaN layer. The electrical characteristics of the LED device according to the A / W ratio of graphene oxide pattern are as follows: when the A / W ratio is 1 or 2, the device has 0 / A ratio (when there is no pattern in the device) Similar characteristics can be seen. When the A / W ratio was ~ 1 and 2, it was found that the LED device was driven by GaN growth. However, in the case of the device having the A / W ratio of ~ 0.5, the grown surface was not smooth during the GaN growth, and the graphene oxide was exposed, so that the LED device was not driven.
따라서 그래핀 옥사이드 패턴의 A/W 비율이 증가할수록 GaN 성장이 원활하게 이루어지며 LED 소자 구동이 일반적인 소자와 비슷해짐을 알 수 있다. 그래핀 옥사이드 패턴의 A/W 비율과 GaN 결정성이 최적인 범위를 그래프 상으로 확인한 결과 LED 소자 내에서 그래핀 옥사이드 패턴의 A/W 비율이 ~ 1 ± 0.25 일 때 최적의 소자 구동 및 GaN 품질이 확보되어 좋은 발광소자 제작이 가능함을 알 수 있다. Therefore, as the A / W ratio of the graphene oxide pattern increases, the growth of GaN becomes smooth and the driving of the LED element becomes similar to a general device. The optimum range of A / W ratio and GaN crystallinity of graphene oxide pattern was investigated. As a result, optimum device driving and GaN quality were obtained when the A / W ratio of graphene oxide pattern in LED device was ~ 1 ± 0.25. It is possible to fabricate a light emitting device having a good quality.
Claims (8)
상기 전도층이 n전극과 연결되고,
상기 전도층이 환원된 그래핀 옥사이드인 것을 특징으로 하는 발광다이오드. and a conductive layer formed under the n-layer,
The conductive layer is connected to the n-electrode,
Wherein the conductive layer is reduced graphene oxide.
상기 전도층이 전류확산층인 것을 특징으로 하는 발광다이오드The method according to claim 1,
And the conductive layer is a current diffusion layer.
상기 전도층의 하부층이 n-GaN인 것을 특징으로 하는 발광다이오드. The method according to claim 1,
And the lower layer of the conductive layer is n-GaN.
상기 전도층의 하부층이 un-GaN인 것을 특징으로 하는 발광다이오드. The method according to claim 1,
And the lower layer of the conductive layer is un-GaN.
상기 전도층이 수평방향으로의 전류흐름을 원활하게 하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.The method according to claim 1,
Wherein the conductive layer smoothes current flow in the horizontal direction.
상기 전도층이 패턴을 이루고,
상기 패턴의 폭(W)과 여백의 폭(A)이 GaN 성장에 영향을 미치며,
상기 패턴의 폭(W)과 여백의 폭(A)의 비율이 1 ± 0.25 범위 내인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.The method according to claim 1,
The conductive layer forms a pattern,
The width W of the pattern and the width A of the margin affect the GaN growth,
Wherein a ratio of the width (W) of the pattern to the width (A) of the margin is within a range of 1 +/- 0.25.
그래핀 옥사이드 패턴을 형성하는 단계;
n-GaN층을 형성하는 단계;를 포함하며,
상기 그래핀 옥사이드 패턴은 n층이 형성되는 동시에 환원되는 것을 특징하는 발광다이오드의 제조방법.Forming a lower layer:
Forming a graphene oxide pattern;
and forming an n-GaN layer,
Wherein the graphene oxide pattern is an n-layer and is reduced at the same time.
상기 n-GaN층은 상기 전도층위에 수평성장(ELOG)되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.8. The method of claim 7,
And the n-GaN layer is horizontally grown (ELOG) on the conductive layer.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020140132239A KR101696889B1 (en) | 2014-10-01 | 2014-10-01 | Light Emitting Diodes with Graphene Electrodes and Manufacturing Methods therefore |
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|---|---|
| KR20160049555A true KR20160049555A (en) | 2016-05-10 |
| KR101696889B1 KR101696889B1 (en) | 2017-01-18 |
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| KR1020140132239A KR101696889B1 (en) | 2014-10-01 | 2014-10-01 | Light Emitting Diodes with Graphene Electrodes and Manufacturing Methods therefore |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR101696889B1 (en) |
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