KR20160044618A - p형 산화물 반도체의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조되는 p형 산화물 반도체 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 22
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 15
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 claims description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 46
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
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Abstract
본 발명은 p형 산화물 반도체의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조되는 p형 산화물 반도체에 관한 것으로서, n형 산화물 반도체 나노구조체를 준비하는 단계, 및 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체에 빔을 조사하여 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계를 포함함에 따라 p형 및 n 형을 모두 갖는 단일 소재를 제공할 수 있다. 또한, 별도의 p형 도펀트 없이 p형 산화물 반도체를 제조할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 산화물 반도체 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조되는 산화물 반도체에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 p형 산화물 반도체 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조되는 p형 산화물 반도체에 관한 것이다.
산화물 반도체는 특성이 질화물 반도체(GaN)와 매우 유사하고, 자유엑시톤 결합에너지(Free Exciton Binding Energy)가 질화물 반도체의 약 2배 이상이며, 저온 성장이 가능하다는 등의 장점을 가지고 있어 최근 산화물 반도체에 대한 연구가 매우 활발히 이루어지고 있다.
산화물 반도체는 전도성이 뛰어나고 투명하여 현재 투명전극(Transparent Electrode), 음성 어쿠스틱 파장소자(Sound Acoustic Wave Device), 배리스터 소자(Varistor Device)등의 많은 광전소자에 응용되고 있으며, 발광소자(Light-Emitting Diodes)와 유리나 구부릴 수 있는 고분자 기판을 이용한 투명 박막 트랜지스터 제작에 응용될 수 있도록 그에 관한 많은 연구가 활발히 이루어지고 있다.
전술된 바와 같은 산화물 기반의 광전소자를 제작하기 위해서는 반드시 양질의 고농도 n형과 p형 산화물 박막의 제작이 필수적이다. 현재까지 n형 산화물 반도체의 제조에 관한 연구는 박막 성장 분야에서 많은 발전이 이루어졌지만 광소자 및 전자소자 제작에 필수적인 p형 산화물 반도체의 제조는 아직 완벽히 성공하지 못하고 있다. 광소자의 경우, 반드시 전자와 정공이 서로 결합하면서 에너지 밴드 내에서 각각의 위치 차이에 해당하는 에너지를 빛으로 발산하게 되고 논리회로 제작에 필수적인 p형 박막 트랜지스터의 경우 채널(channel)이 정공으로 이루어져야 한다. 따라서 양질의 p형 산화물 반도체의 제조 없이는 상기의 전자소자들을 제작할 수 없다.
특히, p-n접합 소자의 경우, p-n 접합 시 변수제어를 용이하게 하기 위해서는 단일 재료를 쓰는 것이 바람직하다. 하지만, 아직까지 p형 및 n형을 모두 갖는 단일 소재는 많지 않다. 따라서 p형 및 n 형을 모두 갖는 단일 소재 개발이 시급한 실정이다.
이에 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 착안된 것으로서, n형 산화물 반도체를 이용하여 p형 산화물 반도체를 제조하는 데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 p형 및 n 형을 모두 갖는 단일 소재를 제공하는 데 또 다른 목적이 있다.
본 발명의 일 측면은 p형 산화물 반도체의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 n형 산화물 반도체 나노구조체를 준비하는 단계 및 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체에 빔을 조사하여 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계를 포함한다.
상기 빔은 전자빔, 이온빔, 중성자빔 또는 양성자빔일 수 있다. 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계에서, 상기 빔의 조사량은 10kGy 이상일 수 있고, 바람직하게 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계에서, 상기 빔의 조사량은 150kGy 내지 500kGy일 수 있다. 또한, 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계에서, 상기 빔의 에너지는 0.1MeV 내지 10MeV일 수 있다.
상기 나노구조체는 나노와이어 또는 나노두께의 박막일 수 있으며, 상기 나노와이어는 기체-액체-고체(vapor-liquid-solid, VLS)합성법을 이용할 수 있다. 상기 n형 산화물 반도체는 산화주석(SnO2) 및 그래핀산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있고, 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체에 빔을 조사함에 따라 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체에 공공결함(vacancy defect) 및 정공이 생성하여 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체가 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화될 수 있다.
본 발명의 다른 측면은 상기 p형 산화물 반도체의 제조방법에 의해 제조되는 p형 산화물 반도체를 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 측면은 p-n 접합 구조 산화물 반도체의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 n형 산화물 반도체 나노구조체를 준비하는 단계, 및 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체의 일부에 빔을 조사하여 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체의 일부를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계를 포함한다.
본 발명을 따르면 빔조사를 통하여 n형 산화물 반도체를 p형 산화물 반도체로 변화시킴으로써 p형 및 n 형을 모두 갖는 단일 소재를 제공할 수 있다.
또한, 별도의 p형 도펀트 없이 p형 산화물 반도체를 제조할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체의 제조방법을 나타낸 플로우차트이다.
도 2는 본 발명의 제조예 1, 비교예 1, 및 비교예 2의 SnO2 나노와이어의 SEM사진이다.
도 3은 본 발명의 제조예 1, 비교예 1, 및 비교예 2의 빔 조사에 따른 결정 구조 변화를 나타낸 이미지들이다.
도 4a 는 제조예 1, 비교예 1, 및 비교예 2의 저항 곡선이다.
도 4b는 제조예 1, 비교예 1, 및 비교예 2의 반도체 특성을 나타낸 표이다.
도 5a 및 도 5c는 본 발명의 제조예 2, 비교예 3, 및 비교예 4의 시간-정규화 저항에 대한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 제조예 2, 비교예 3, 및 비교예 4의 센서 응답 특성을 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 제조예 1, 비교예 1, 및 비교예 2의 SnO2 나노와이어의 SEM사진이다.
도 3은 본 발명의 제조예 1, 비교예 1, 및 비교예 2의 빔 조사에 따른 결정 구조 변화를 나타낸 이미지들이다.
도 4a 는 제조예 1, 비교예 1, 및 비교예 2의 저항 곡선이다.
도 4b는 제조예 1, 비교예 1, 및 비교예 2의 반도체 특성을 나타낸 표이다.
도 5a 및 도 5c는 본 발명의 제조예 2, 비교예 3, 및 비교예 4의 시간-정규화 저항에 대한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 제조예 2, 비교예 3, 및 비교예 4의 센서 응답 특성을 나타낸 그래프이다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체의 제조방법을 나타낸 플로우차트이다.
도 1을 참조하면 먼저 n형 산화물 반도체 나노구조체를 준비한다(S100).
n형 산화물 반도체가 나노구조체일 경우, 후술되는 바와 같이 n형 산화물 반도체에 빔을 조사했을 때 정공(hole)을 생성하는 공공결함(vacancy defect)이 발생하여 p형 산화물 반도체로의 변화가 가능하다.
전술된 n형 산화물 반도체는 산화주석(SnO2) 및 그래핀산화물(Graphene Oxide, GO)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
전술된 나노구조체는 나노와이어 또는 나노두께의 박막층일 수 있다. 이는 빔 조사의 대상물질의 크기 또는 두께가 클 경우, n형을 p형으로 변화시키기 위한 결함 발생이 충분하지 않은 염려가 있기 때문이다.
이 때, 전술된 나노와이어는 기체-액체-고체(vapor-liquid-solid, VLS)합성법을 이용하여 제조될 수 있다. VLS합성법을 이용할 경우, 나노구조체에 함유된 n형 산화물 반도체의 입자 크기가 작아짐에 따라, 후술되는 빔이 가해질 때 정공을 생성하는 결함 발생이 용이한 장점이 있다.
이 후, 전술된 n형 산화물 반도체 나노구조체에 빔을 조사하여 전술된 n형 산화물 반도체 나노구조체가 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화된다(S200).
전술된 n형 산화물 반도체 나노구조체에 빔을 조사하게 되면, 하기의 식(1) 및 식 (2)와 같이 산화물(MxOy)의 산소 및 산소와 결합된 원소(M)에서 공공(vacancy) 결함이 발생하게 된다.
MM = VM i- + ih+ + Mgas ········식 (1)
OO = VO 2+ + 2e- + ½O2gas ········식 (2)
(V : 공공, i : 1 ~ 4의 정수, h+ : 정공, e- : 전자)
전술된 빔은 전자빔, 이온빔, 중성자빔 또는 양성자빔일 수 있다.
전술된 빔의 조사량은 10kGy 이상인 것이 바람직하다. 전술된 빔의 조사량이 10kGy 미만일 경우 전술된 n형 산화물 반도체 나노구조체가 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화되는 시간이 오래걸려 공정 시간이 길어질 수 있다. 또한, 전술된 n형 산화물 반도체 나노구조체에서 산소로부터 생성되는 전자의 양이 산소와 결합된 원소로부터 생성되는 정공의 양보다 많거나 같기 때문에 n형 전도 특성 또는 무극성의 전도성을 나타내게 되어 p형 전도 특성을 나타내기 어렵다.
나아가, 전술된 빔 조사량은 150kGy 내지 500kGy인 것이 바람직하다. 전술된 빔 조사량이 150kGy 내지 500kGy인 경우 빔 조사 시간을 줄여 공정시간을 단축할 수 있으며 전술된 나노구조체의 표면 모폴로지(morphology)를 유지할 수 있다.
전술된 빔의 조사량이 150kGy 미만일 경우, 전술된 n형 산화물 반도체 나노구조체가 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화되는 시간이 오래걸려 공정 시간이 길어질 수 있다. 그리고, 전술된 n형 산화물 반도체 나노구조체에서 산소로부터 생성되는 전자의 양이 산소와 결합된 원소로부터 생성되는 정공의 양보다 많거나 같기 때문에 n형 전도 특성 또는 무극성의 전도성을 나타내게 되어 p형 전도 특성을 나타내기 어렵다.
또한, 빔의 조사량이 500kGy을 상회할 경우, 전술된 나노구조체의 표면 모폴로지(morphology)가 변화될 수 있다.
즉, 전술된 n형 산화물 반도체 나노구조체에 빔을 조사함에 따라 산소로부터 생성되는 전자의 양보다 산소와 결합된 원소로부터 생성되는 정공의 양이 훨씬 많기 때문에 전술된 산화물 반도체 구조 내의 정공의 양이 주도적이 되면서 p형 전도 특성을 나타내게 되는 것이다.
이 때, 전술된 빔의 에너지는 0.1MeV 내지 10MeV일 수 있다. 빔의 에너지가 0.1MeV 미만일 경우 정공을 생성시키는 결함 발생이 어려울 수 있고, 10MeV을 상회할 경우 전술된 나노구조체의 표면 모폴로지(morphology)가 변화될 수 있다.
정리하면, n형 산화물 반도체 나노구조체에 빔을 조사함에 따라 p형 산화물 반도체를 제조할 수 있다. 이에 따라, 별도의 도펀트 없이 n형 산화물 반도체로부터 p형 산화물 반도체를 제조할 수 있다.
또한, 전술된 n형 산화물 반도체 나노구조체의 일부에 빔을 조사하여 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체의 일부를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시킬 경우 p형 및 n 형을 모두 갖는 단일 소재를 제조할 수 있다. 이에, 단일 소재의 p-n 접합 구조 산화물 반도체를 제조할 수 있다. 전술된 p-n 접합 소자에 적용 시 공정 변수 제어가 필요 없기 때문에 공정을 단순화할 수 있는 장점이 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실험예(example)를 제시한다. 다만, 하기의 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
<제조예 1 - p형 SnO
2
반도체 제조>
VLS 합성법을 통해 Sn 파우더를 가열함에 따라 SnO2 나노와이어를 제조했다. 이 때, Ar 및 O2 가스의 혼합물을 성장 챔버를 통해 흐르게 하면서, 기판의 온도는 800℃로 유지했다.
이 후, 앞서 제조된 SnO2 나노와이어에 전자빔을 조사했다. 합성된 SnO2 나노와이어는 진공 시스템의 부재 하에 실온 대기압 분위기 하에서 조사했다. 전자빔 조사에 사용되는 장치는, ELV-8의 전자 가속기(EBTech, 대전, 한국)이었다. 이 때, 전자빔의 가속 전압, 조사량, 빔 전류, 및 펄스 지속시간은 각각 1.5MV, 150kGy, 1mA, 및 400ps였다.
<비교예 1>
전술된 제조예 1에서 제조된 SnO2 나노와이어에 전자빔 조사를 하지 않은 것을 제외하곤 동일한 조건으로 SnO2 나노와이어를 제조했다.
<비교예 2>
전술된 제조예 1에서 전자빔 조사시 전자빔의 조사량을 100kGy로 설정한 것을 제외하곤 전술된 제조예 1과 동일한 조건으로 전자빔이 조사된 SnO2 나노와이어를 제조했다.
<실험예 1 - 구조 특성 평가>
전술된 제조예 1, 비교예 1, 및 비교예 2에서 제조된 SnO2 나노와이어의 표면 모폴로지 특성을 분석하기 위해 X 선회절(XRD) 분석을 실시했다. 분석을 위해 필립스 X'pert MRD 회절 및 CuKα1 방사선을 사용했다.
나노 와이어의 미세 구조는 전계 방출 주사 전자 현미경(FE-SEM)(Hitachi S-4200)을 사용하여 관찰 하였다. 나노 와이어의 결함 특성을 조사하기 위해, SPEC-1403 발광 분광계 및 Hr-Cd 레이저(Kimon, Japan) 325 nm의 라인을 사용하여 실온에서 나노 와이어의 광 발광(PL) 스펙트럼을 분석했다.
도 2는 본 발명의 제조예 1, 비교예 1, 및 비교예 2의 SnO2 나노와이어의 SEM사진이다.
도 2를 참고하면, 본 발명의 제조예 1, 비교예 1, 및 비교예 2의 SnO2 나노와이어는 모두 표면 모폴로지 변화가 없음을 알 수 있다.
따라서, SnO2 나노와이어에 빔을 조사함에 따라 내부에 공공결함이 발생하지만 표면의 모폴로지 변화는 없음을 알 수 있다.
도 3은 본 발명의 제조예 1, 비교예 1, 및 비교예 2의 빔 조사에 따른 결정 구조 변화를 나타낸 이미지들이다.
도 3의 a, b, c, 및 d는 각각 SnO2의 결정구조, 비교예 1의 결정구조, 비교예 2의 결정구조 및 제조예 1의 결정구조를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 에너지 조사량이 0kGy 또는 50kGy(b, c 참조)일 경우에는 O의 공공의 양이 Sn의 공공 양과 비교하여 더 많거나 같음을 알 수 있고, 에너지 조사량이 150kGy인 경우(d 참조) Sn의 공공 양이 O의 공공 양과 비교하여 더 많음을 알 수 있다.
결론적으로, 에너지 조사량이 150kGy 이상일 경우 산소와 결합된 원소의 공공의 양이 산소 공공의 양보다 많아짐을 알 수 있다. 즉, 정공이 더 많아짐을 알 수 있다.
<실험예 2 - 반도체 특성 평가>
반도체 특성을 알아보기 위해, 전술된 제조예 제조예 1, 비교예 1, 및 비교예 2에서 제조된 SnO2 나노와이어를 센싱 물질로 사용하여 NO2 가스 센서를 제조했다.
센서의 전극 형성을 위해 인터디지털(interdigital) 전극 마스크 시료에 300nm의 두께를 갖는 Au 및 500nm의 두께를 Ti층을 순차적으로 스퍼터링 했다. 참고로, Ti/Au 전극 시스템은 센서용 오믹접합 형성에 효과적이다.
제작된 센서들은 수평형 튜브 퍼니스에 위치시켰다. 작동 온도는 실험 전 예비실험에서 NO2 센싱 성능이 가장 뛰어났던 300℃로 고정했다. 고정밀 질량 흐름 제어기를 사용하여 NO2 가스에 건조 공기의 혼합 비율을 변화시킴으로써 NO2의 농도를 제어했다. 전체 유속은 나노와이어의 감지 특성의 변화 가능성을 방지하기 위해 500sccm까지 설정했다.
가스 제조기(대덕가스(주), 대한민국)에 의해 제공되는 사양에 따라, 건조 공기/NO2 가스 혼합물 및 건조 공기 모두에서 물 함량은 무시할 수 있었다.
n 형 센싱 동작을 나타내는 센서의 경우, 센서 응답(R)은 다음 식을 사용하여 측정 하였다 : R = Rg/Ra 여기서, Ra 및 Rg는 각각 부재시 센서의 저항 및 NO2의 프레전스(presence)이다. p 형 감지 동작을 나타내는 센서의 경우, 응답은 R = Ra/Rg 식을 사용하여 측정되었다. 저항에 걸리는 시간은 각각, 대상 가스(NO2) 및 공기에 노출되면 90%로 변경하도록 센서의 응답과 복구 시간이 정의되었다.
도 4a 는 제조예 1, 비교예 1, 및 비교예 2의 저항 곡선이고, 도 4b는 제조예 1, 비교예 1, 및 비교예 2의 반도체 특성을 나타낸 표이다.
도 4a 및 4b를 참조하면, 비교예 1 및 비교예 2의 경우, n형 전도 특성을 나타내며 제조예 1의 경우 p형 전도 특성을 나타냄을 알 수 있다.
결론적으로, n형 산화물 반도체에 150kGy 이상의 빔을 조사함에 따라 p형 전도 특성을 나타내는 산화물 반도체가 제조됨을 알 수 있다.
<제조예 2 - p형 GO 반도체 제조>
먼저, Hummer 법을 기반으로 n형 GO 반도체를 제조한다. 상세하게는 그라파이트 1 g에 황산 46 ml와 인산 12 ml를 첨가하여 스터링 과정을 거쳐 균일하게 혼합하였다. 이렇게 혼합된 용액을 아이스배스(Ice bath)에 넣고 과망간산칼륨 12 g을 첨가하였다. 과망간산칼륨 첨가시 온도는 40℃를 넘지 않게 유지하였다. 첨가된 용액을 3시간 동안 35℃의 온도에서 반응시키고, 아이스배스에 넣어 온도를 낮추어 증류수 90 ml를 첨가시켰다. 증류수 첨가 후 90℃의 온도에서 5시간 동안 반응을 진행하였다. 반응이 끝나면 증류수 90 ml와 10 ml의 과산화수소를 첨가하였고, 반응이 완전히 일어나도록 30분동안 방치하였다. 반응이 완전히 끝난 후 필터링 과정을 거쳐 얻어진 그라파이트 산화물 분말을 0.3몰 염산 용액과 증류수로 세척을 하여 n형 GO 반도체 분말을 얻는다.
이 후, 앞서 제조된 n형 GO 반도체 분말을 p형 GO 반도체로 변화 시키기 위하여 전술된 n형 GO 반도체 분말에 전자빔의 에너지는 2MeV, 조사량은 500kGy으로 전자빔을 조사하여 최종적으로 p형 GO 반도체를 얻게 된다.
<비교예 3>
전술된 제조예 2에서 제조된 n형 GO 반도체 분말에 전자빔 조사를 하지 않은 것을 제외하곤 동일한 조건으로 n형 GO 반도체 분말를 제조했다.
<비교예 4>
전술된 제조예 2에서 전자빔 조사시 전자빔의 조사량을 100kGy로 설정한 것을 제외하곤 전술된 제조예 1과 동일한 조건으로 전자빔이 조사된 n형 GO 반도체 분말을 제조했다.
<실험예 3 - 반도체 특성 평가>
반도체 특성 평가는 전술된 제조예 2, 비교예 3, 및 비교예 4의 GO 반도체 분말로 NO2 가스 센서를 제조하여 진행하였다. ~10-3 Torr의 진공에서 유량을 100 sccm으로 고정하여 10 ppm의 NO2 가스를 상온에서 측정하였다.
도 5a 및 도 5c는 본 발명의 제조예 2, 비교예 3, 및 비교예 4의 시간-정규화 저항에 대한 그래프이다.
도 5a 및 도 5c를 참고하면, 비교예 3 및 비교예 4는 n형 전도 특성을 나타내며 제조예 2의 경우 p형 전도 특성을 나타냄을 알 수 있다.
결론적으로, 500kGy의 빔을 조사함에 따라 n형 GO가 p형 GO로 전도 특성이 변화됨을 알 수 있다.
도 6은 본 발명의 제조예 2, 비교예 3, 및 비교예 4의 센서 응답 특성을 나타낸 그래프이다.
도 6을 참조하면, 비교예 3 및 비교예 4는 NO2의 프레전스(presence)에서 부재시 센서의 저항의 차를 부재시 센서의 저항값으로 나눈 값이 양의 값을 가지나, 제조예 2의 경우 음의 값을 가짐을 알 수 있다. 즉, 비교예 3, 및 비교예 4와 제조예 2는 반대 전도 특성을 가짐을 알 수 있다.
결론적으로, 500kGy의 빔을 조사함에 따라 n형 GO가 p형 GO로 전도 특성이 변화됨을 알 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변화 및 변경이 가능하다.
Claims (11)
- n형 산화물 반도체 나노구조체를 준비하는 단계; 및
상기 n형 산화물 반도체 나노구조체에 빔을 조사하여 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계를 포함하는 p형 산화물 반도체의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 빔은 전자빔, 이온빔, 중성자빔 또는 양성자빔인 것을 특징으로 하는 p형 산화물 반도체의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 n형 산화물 반도체 나노구조체를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계에서, 상기 빔의 조사량은 10kGy 이상인 p형 산화물 반도체의 제조방법. - 제3항에 있어서,
상기 n형 산화물 반도체 나노구조체를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계에서, 상기 빔의 조사량은 150kGy 내지 500kGy인 p형 산화물 반도체의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 n형 산화물 반도체 나노구조체를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계에서,
상기 빔의 에너지는 0.1MeV 내지 10MeV인 p형 산화물 반도체의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 나노구조체는 나노와이어 또는 나노두께의 박막인 것을 특징으로 하는 p형 산화물 반도체의 제조방법. - 제6항에 있어서,
상기 나노와이어는 기체-액체-고체(vapor-liquid-solid, VLS)합성법을 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 p형 산화물 반도체의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 n형 산화물 반도체는 산화주석(SnO2) 및 그래핀산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 p형 산화물 반도체의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 n형 산화물 반도체 나노구조체에 빔을 조사함에 따라 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체에 공공결함(vacancy defect) 및 정공이 생성하여 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체가 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화되는 것을 특징으로 하는 p형 산화물 반도체의 제조방법. - 제1항 내지 제9항에서 선택되는 어느 한 항의 p형 산화물 반도체의 제조방법에 의해 제조되는 p형 산화물 반도체.
- n형 산화물 반도체 나노구조체를 준비하는 단계; 및
상기 n형 산화물 반도체 나노구조체의 일부에 빔을 조사하여 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체의 일부를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계를 포함하는 p-n 접합 구조 산화물 반도체의 제조방법.
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| KR1020140138799A KR20160044618A (ko) | 2014-10-15 | 2014-10-15 | p형 산화물 반도체의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조되는 p형 산화물 반도체 |
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|---|---|---|---|---|
| KR20200035797A (ko) * | 2018-09-27 | 2020-04-06 | 한국원자력연구원 | 붕소가 도핑된 탄소나노 소재의 제조 방법 |
-
2014
- 2014-10-15 KR KR1020140138799A patent/KR20160044618A/ko not_active Application Discontinuation
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| KR20200035797A (ko) * | 2018-09-27 | 2020-04-06 | 한국원자력연구원 | 붕소가 도핑된 탄소나노 소재의 제조 방법 |
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