KR20160039030A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

Provided are an apparatus and a method for treating a substrate, capable of treating a substrate using at least two treating fluids. The apparatus for treating a substrate comprises: a container having a treating space therein; a substrate supporting unit supporting a substrate in the container; and a fluid supply unit supplying treating fluid to the substrate supported by the substrate supporting unit. The fluid supply unit includes an etching fluid supply nozzle supplying etching fluid to an edge area of the substrate supported by the substrate supporting unit, and an etching disturbing-fluid supply nozzle supplying etching disturbing-fluid to a center area of the substrate supported by the supporting unit. Therefore, the apparatus for treating a substrate can prevent the center area of the substrate from being dried.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 2 이상의 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for liquid-processing a substrate, and more particularly, to an apparatus and a method for processing a substrate using two or more processing liquids.

반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 박막(금속막, 산화막, 다결정 실리콘막, 그리고 포토 레지스트막 등)을 원하는 패턴으로 가공하는 고정이다.To fabricate semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on the substrate. Among these, the etching process is a process of processing a thin film (a metal film, an oxide film, a polycrystalline silicon film, a photoresist film, etc.) formed on a substrate into a desired pattern.

이러한 식각 공정은 크게 습식 에칭 및 건식 에칭으로 분류된다. 습식 에칭은 처리액을 사용하여 기판의 박막을 식각 처리하는 공정이고, 건식 에칭은 플라즈마 또는 이온 빔(Ion beam) 등을 사용하여 기판을 처리하는 공정이다. Such an etching process is largely divided into wet etching and dry etching. The wet etching is a process of etching a thin film of a substrate using a processing solution, and the dry etching is a process of processing a substrate by using plasma, an ion beam or the like.

일반적으로 습식 에칭은 기판을 회전시키고, 기판의 중앙 영역에 식각액을 공급한다. 기판의 중앙 영역에 공급된 식각액은 원심력에 의해 기판의 전체 영역으로 확산된다. 그러나 기판의 일부 영역에는 식각이 덜 되거나 과식각 처리되어 산화막을 형성되는 등 영역별 식각율이 불균일하다.Generally, wet etching rotates the substrate and supplies the etchant to the central region of the substrate. The etchant supplied to the central region of the substrate is diffused to the entire region of the substrate by centrifugal force. However, the etch rate of each region is uneven in some regions of the substrate where less etching is performed or over-etching is performed to form an oxide film.

이에 따라 기판의 가장자리 영역을 식각 처리하는 공정이 수행되며, 식각액은 기판의 가장자리 영역으로 공급된다. 그러나 가장자리 영역의 식각 공정이 수행되는 중에 기판의 중앙 영역은 자연 건조되어 패턴이 손상될 수 있다. 또한 기판의 가장자리 영역에 공급되는 식각액 중 일부는 비산되어 기판의 중앙 영역으로 공급되어 공정 불량을 야기시킬 수 있다.Thereby, a step of etching the edge region of the substrate is performed, and the etching liquid is supplied to the edge region of the substrate. However, during the etching process of the edge region, the central region of the substrate is naturally dried and the pattern may be damaged. Also, a part of the etchant supplied to the edge region of the substrate may be scattered and supplied to the central region of the substrate, which may cause process defects.

한국 특허 공개 번호: 2001-0050905호Korean Patent Publication No. 2001-0050905

본 발명은 기판의 가장자리 영역을 식각 처리 시 기판의 중앙 영역이 건조 처리되는 문제점을 해결할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to an apparatus and a method that can solve the problem that the central region of the substrate is dried during the etching of the edge region of the substrate.

본 발명은 기판의 가장자리 영역을 식각 처리 시 기판의 중앙 영역이 식각 처리되는 문제점을 해결할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and a method which can solve the problem that the central region of the substrate is etched when the edge region of the substrate is etched.

본 발명의 실시예는 2 이상의 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리공간을 가지는 처리 용기, 상기 용기 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역으로 식각액을 공급하는 식각액 공급 노즐 및 상기 지지유닛에 지지된 기판의 중앙 영역으로 식각 방해액을 공급하는 식각 방해액 공급 노즐을 포함한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus and a method for processing a substrate using two or more process liquids. The substrate processing apparatus includes a processing vessel having a processing space therein, a substrate supporting unit for supporting the substrate in the vessel, and a liquid supplying unit for supplying the processing liquid to the substrate supported by the substrate supporting unit, The unit includes an etchant supply nozzle for supplying an etchant to an edge region of the substrate supported by the substrate support unit and an etchant interrupter supply nozzle for supplying the etchant to the central region of the substrate supported by the support unit.

상기 액 공급 유닛은 상기 식각액 공급 노즐과 상기 식각 방해액 공급 노즐을 지지하는 지지 아암, 상기 지지 아암을 지지하는 회전축, 그리고 상기 회전축을 회전시키는 구동기를 더 포함하고, 상기 지지 아암은 상기 회전축에 결합되며 그 길이방향이 일 방향을 따라 제공되는 제1아암 및 상기 제1아암에 결합되며 그 길이방향이 상부에서 바라볼 때 상기 일 방향과 상이한 타 방향으로 제공되는 제2아암을 가지고, 상기 식각액 공급 노즐과 상기 식각 방해액 공급 노즐은 제2아암에 설치될 수 있다. 상기 제2아암에는 식각액 공급 노즐 및 상기 식각 방해액 공급 노즐이 체결 가능한 체결 포트들이 복수 개로 형성되되, 상기 체결 포트들은 상기 제2아암의 길이방향을 따라 나열될 수 있다. 상기 제2아암은 상기 제1아암에 대해 그 위치가 상대 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. The liquid supply unit may further include a support arm for supporting the etchant supply nozzle and the etchant interrupter solution supply nozzle, a rotation axis for supporting the support arm, and a driver for rotating the rotation axis, And a second arm coupled to the first arm and provided in a second direction different from the first direction when viewed from above, the second arm being coupled to the first arm, The nozzles and the etch stop solution supply nozzles may be installed in the second arm. The second arm is provided with a plurality of fastening ports for fastening the etchant supply nozzle and the etch stop solution supply nozzle, and the fastening ports may be arranged along the length direction of the second arm. The second arm may be provided so that its position relative to the first arm is relatively movable.

선택적으로, 상기 액 공급 유닛은 상기 식각액 공급 노즐을 지지하는 지지 아암, 상기 지지 아암을 지지하는 회전축, 그리고 상기 회전축을 회전시키는 구동기를 더 포함하되, 상기 식각 방해액 공급 노즐은 상기 처리 용기에 결합되어 그 위치가 고정될 수 있다. Alternatively, the liquid supply unit may further include a support arm for supporting the etchant supply nozzle, a rotary shaft for supporting the support arm, and a driver for rotating the rotary shaft, wherein the etchant interrupter supply nozzle is coupled to the processing container So that its position can be fixed.

또한 상기 액 공급 유닛은 상기 식각액 공급 노즐을 지지하는 제1지지 아암, 상기 제1지지 아암을 지지하는 제1회전축, 상기 제1회전축을 회전시키는 제1구동기, 상기 식각 방해액 공급 노즐을 지지하는 제2지지 아암, 상기 제2지지 아암을 지지하는 제2회전축, 그리고 상기 제2회전축을 회전시키는 구동기를 더 포함할 수 있다. The liquid supply unit may include a first support arm for supporting the etchant supply nozzle, a first rotation shaft for supporting the first support arm, a first driver for rotating the first rotation shaft, A second support arm, a second rotation shaft for supporting the second support arm, and a driver for rotating the second rotation shaft.

기판의 표면을 식각 처리하는 방법으로는, 식각액 공급 노즐이 상기 기판의 가장자리 영역으로 식각액을 공급하고, 식각 방해액 공급 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 식각 방해액을 공급한다.As a method of etching the surface of a substrate, an etchant supply nozzle supplies an etchant to an edge region of the substrate, and a etchant interrupter supply nozzle supplies a etch stopper to a central region of the substrate.

상기 식각액 및 상기 식각 방해액은 상기 기판으로 동시 공급될 수 있다. 상기 식각 방해액 공급 노즐은 상기 식각 방해액을 상기 기판 상에 공급하고, 이후에 상기 식각액 공급 노즐이 상기 식각액을 상기 기판 상에 공급하되, 상기 식각액이 공급되는 동안에는 상기 식각 방해액이 계속적으로 공급될 수 있다. 상기 식각액 공급 노즐 및 상기 식각 방해액 공급 노즐 각각은 지지 아암에 결합될 수 있다. 상기 식각액 공급 노즐 및 상기 식각 방해액 공급 노즐 간의 거리는 상기 기판의 반지름에 대응될 수 있다. 상기 식각액 공급 노즐은 제1아암에 의해 지지되고, 상기 식각 방해액 공급 노즐은 상기 제1아암에 연결되는 제2아암에 의해 지지되되, 상기 제2아암은 상기 제1아암에 대한 상대 위치가 조절 가능할 수 있다. The etchant and the etch stop solution may be simultaneously supplied to the substrate. Wherein the etch stop solution supply nozzle supplies the etch stop solution onto the substrate and then the etchant supply nozzle supplies the etchant onto the substrate while the etch stop solution is continuously supplied . Each of the etchant supply nozzle and the etch stop solution supply nozzle may be coupled to the support arm. The distance between the etchant supply nozzle and the etch stop solution supply nozzle may correspond to the radius of the substrate. Wherein the etchant supply nozzle is supported by a first arm, the etch stop solution supply nozzle is supported by a second arm connected to the first arm, wherein the second arm has a relative position to the first arm It can be possible.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 가장자리 영역에 식각액을 공급하는 중에 중앙 영역으로 식각 방해액을 공급한다. 이에 따라 기판의 중앙 영역이 건조되는 것을 방지할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the etch stop solution is supplied to the central region during the supply of the etchant to the edge region of the substrate. Thus, the central region of the substrate can be prevented from being dried.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 가장자리 영역으로부터 비산되는 식각액에 의해 기판의 중앙 영역이 식각되는 것을 방지할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, it is possible to prevent the center region of the substrate from being etched by the etchant scattered from the edge region of the substrate.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 3의 액 공급 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 5의 액 공급 유닛의 제2실시예를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 5의 액 공급 유닛의 제3실시예를 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 2의 액 공급 유닛의 제4실시예를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 2의 액 공급 유닛의 제5실시예를 보여주는 평면도이다.1 is a plan view showing a general substrate processing apparatus.
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG.
FIG. 4 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2; FIG.
5 is a perspective view showing the liquid supply unit of Fig.
Fig. 6 is a plan view showing a second embodiment of the liquid supply unit of Fig. 5;
FIG. 7 is a plan view showing a third embodiment of the liquid supply unit of FIG. 5; FIG.
FIG. 8 is a plan view showing a fourth embodiment of the liquid supply unit of FIG. 2; FIG.
FIG. 9 is a plan view showing a fifth embodiment of the liquid supply unit of FIG. 2; FIG.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 실시예에는 기판을 케미칼 처리 및 린스 처리하는 세정 공정을 일 예로 설명한다. 그러나 본 실시예는 세정 공정에 한정되지 않고, 식각 공정, 애싱 공정, 현상 공정 등, 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 공정에 적용 가능하다.In this embodiment, a cleaning process for chemical treatment and rinsing of the substrate will be described as an example. However, the present embodiment is not limited to the cleaning process, but can be applied to a process of processing a substrate by using a process liquid such as an etching process, an ashing process, and a developing process.

이하, 도 2 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2 to FIG.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a process processing module 20. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is seated in the load port 140. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the process module 20 and the like. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 for accommodating the substrates W horizontally with respect to the paper surface. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 기판처리부(260)들이 제공된다. 공정챔버들(260) 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버들(260)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. At one side and the other side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. A plurality of substrate processing units 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B. Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ In the buffer unit 220, a slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced along the third direction 16 from each other. The buffer unit 220 is opened on the side facing the transfer frame 140 and on the side facing the transfer chamber 240.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 130 and another portion of the index arms 144c from the carrier 130 to the processing module 20, ). ≪ / RTI > This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16.

공정 챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버들(260)은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치들(300)은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The process chamber 260 is provided with a substrate processing apparatus 300 that performs a cleaning process on the substrate W. The substrate processing apparatus 300 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. The process chambers 260 may be divided into a plurality of groups so that the substrate processing apparatuses 300 in the process chambers 260 belonging to the same group are identical to one another, The structures of the processing apparatus 300 may be provided differently from each other.

기판 처리 장치(300)는 도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 액 공급 유닛(380)을 포함한다. 3 is a sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2. FIG. 3, the substrate processing apparatus 300 includes a processing vessel 320, a spin head 340, a lift unit 360, and a liquid supply unit 380. [

처리 용기(320)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(320)은 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 내부회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부회수통(322)은 내부 회수통(322)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(322a)로서 기능한다. 내부 회수통(322)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(326a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(322a,326a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 처리액들은 회수라인(322b,326b)을 통해 외부의 처리액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.The processing vessel 320 has a cylindrical shape with an open top. The processing vessel 320 has an inner recovery cylinder 322 and an outer recovery cylinder 326. [ Each of the recovery cylinders 322 and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340 and the outer recovery cylinder 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery cylinder 326. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the inner recovery cylinder 322 function as a first inlet 322a through which the process liquid flows into the inner recovery cylinder 322. [ The space 326a between the inner recovery cylinder 322 and the outer recovery cylinder 326 functions as a second inlet 326a through which the process liquid flows into the outer recovery cylinder 326. [ According to one example, each inlet 322a, 326a may be positioned at a different height from each other. Collection lines 322b and 326b are connected under the bottom of each of the collection bins 322 and 326. The treatment liquids flowing into the respective recovery cylinders 322 and 326 can be supplied to an external treatment liquid regeneration system (not shown) through the recovery lines 322b and 326b and can be reused.

스핀 헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 구동부(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A supporting shaft 348 rotatable by a driving unit 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. [

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 344 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 344 support the rear edge of the substrate W such that the substrate W is spaced from the upper surface of the body 342 by a predetermined distance.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided to allow linear movement between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. The chuck pin 346 is positioned in the standby position when the substrate W is loaded or unloaded onto the spin head 340 and the chuck pin 346 is positioned in the supporting position when the substrate W is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀 헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The elevating unit 360 moves the processing vessel 320 linearly in the vertical direction. As the processing vessel 320 is moved up and down, the relative height of the processing vessel 320 to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the housing 320 and the bracket 362 is fixedly coupled to the moving shaft 364 which is moved up and down by the actuator 366. The housing 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes to the upper portion of the housing 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. When the process is performed, the height of the housing 320 is adjusted so that the treatment liquid can be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the treatment liquid supplied to the substrate W. Alternatively, the lifting unit 360 can move the spin head 340 in the vertical direction.

액 공급 유닛(380)은 기판(W) 상으로 처리액을 공급한다.액 공급 유닛은 노즐 이동 부재(381), 제1노즐(391), 그리고 제2노즐(392)을 포함한다. 노즐 이동 부재(381)는 각 노즐들(391,392)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐(391,392)이 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 노즐(391,392)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 노즐 이동 부재(381)는 회전축(386), 구동기(388), 그리고 지지 아암(382)을 포함한다. 회전축(386)은 처리 용기의 일측에 위치된다. 회전축(386)은 그 길이방향이 제3방향을 향하는 로드 형상을 가진다. 회전축(386)은 구동기(388)에 의해 회전 가능하다. 회전축(386)은 구동기(388)로부터 제공되는 구동력에 의해 그 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 지지 아암(382)은 노즐들(391,392)과 회전축(386)을 연결한다. 회전축(386)이 회전됨에 따라 지지 아암(382) 및 노즐들(391,392)은 회전축(386)의 중심축을 중심으로 회전된다. 각 노즐은 회전축(386)이 회전됨에 따라 공정 위치와 대기 위치로 이동 가능하다.The liquid supply unit 380 supplies the process liquid onto the substrate W. The liquid supply unit includes a nozzle moving member 381, a first nozzle 391, and a second nozzle 392. [ The nozzle moving member 381 moves each of the nozzles 391 and 392 to the process position and the standby position. Here, the process position is a position where the nozzles 391 and 392 are opposed to the substrate W supported by the substrate supporting unit 340, and the standby position is a position where the nozzles 391 and 392 are out of the process position. The nozzle moving member 381 includes a rotary shaft 386, a driver 388, and a support arm 382. The rotating shaft 386 is positioned on one side of the processing vessel. The rotary shaft 386 has a rod shape whose longitudinal direction faces the third direction. The rotary shaft 386 is rotatable by a driver 388. The rotary shaft 386 is rotatable about its central axis by a driving force provided from a driver 388. The support arm 382 connects the nozzles 391 and 392 to the rotary shaft 386. As the rotary shaft 386 rotates, the supporting arm 382 and the nozzles 391 and 392 are rotated around the central axis of the rotary shaft 386. [ Each nozzle is movable to a process position and a standby position as the rotation axis 386 is rotated.

지지 아암(382)은 제1아암(383) 및 제2아암(384)을 포함한다. 제1아암(383)은 그 길이방향이 제3방향과 수직한 일 방향을 향하는 로드 형상으로 제공된다. 이에 따라 제1아암(383)은 그 길이방향이 수평 방향을 향하도록 제공된다. 제1아암(383)의 일단은 회전축(386)의 상단에 고정 결합된다. 제1아암(383)의 일단과 반대되는 타단은 그 일단을 중심으로 회전 가능하다. 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 제1아암(383)의 타단이 이동되는 경로는 기판(W)의 중앙 영역을 지나도록 제공될 수 있다. 제2아암(384)은 제1아암(383)의 타단으로부터 연장되는 로드 형상을 가진다. 상부에서 바라볼 때, 제2아암(384)의 길이방향은 제1아암(383)과 상이한 타방향으로 제공된다. 제2아암(384)은 제1아암(383)의 타단으로부터 타방향으로 연장되게 제공된다. 따라서 상부에서 바라볼 때 지지 아암(382)은 "ㄱ" 자 형상을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 제2아암(384)의 길이는 적어도 기판(W)의 반지름 이상으로 제공된다. 일 예에 의하면, 제2아암(384)은 기판(W)의 반지름에 대응되는 길이로 제공될 수 있다. 제2아암(384)에는 제1노즐(391) 및 제2노즐(392) 각각이 지지된다. 제1노즐(391) 및 제2노즐(392) 각각은 제2아암(384)의 저면에 고정 결합된다. 이에 따라 제1노즐(391) 및 제2노즐(392)은 함께 이동된다.The support arm 382 includes a first arm 383 and a second arm 384. The first arm 383 is provided in a rod shape whose longitudinal direction is oriented in one direction perpendicular to the third direction. Accordingly, the first arm 383 is provided such that its longitudinal direction is directed to the horizontal direction. One end of the first arm 383 is fixedly coupled to the upper end of the rotation shaft 386. The other end opposite to one end of the first arm 383 is rotatable about one end thereof. The path through which the other end of the first arm 383 is moved may be provided to pass through the central region of the substrate W. [ The second arm 384 has a rod shape extending from the other end of the first arm 383. As viewed from above, the longitudinal direction of the second arm 384 is provided in a different direction than the first arm 383. The second arm 384 is provided to extend from the other end of the first arm 383 in the other direction. Therefore, the support arm 382 is provided so as to have an "a" shape when viewed from above. The length of the second arm 384 is provided at least above the radius of the substrate W as viewed from above. According to one example, the second arm 384 may be provided in a length corresponding to the radius of the substrate W. [ The first nozzle 391 and the second nozzle 392 are supported on the second arm 384, respectively. Each of the first nozzle 391 and the second nozzle 392 is fixedly coupled to the bottom surface of the second arm 384. Accordingly, the first nozzle 391 and the second nozzle 392 are moved together.

제1노즐(391) 및 제2노즐(392)은 서로 상이한 종류의 처리액을 공급한다. 제1노즐(391)은 제1처리액을 공급하고, 제2처리액은 제2처리액을 공급한다. 일 예에 의하면, 제1처리액은 기판(W) 상에 형성된 박막을 식각 처리하는 케미칼이고, 제2처리액은 제1처리액을 희석시키는 식각 방해액일 수 있다. 제1처리액은 불산(HF) 또는 인산(P2O5)과 같은 강산의 용액이고, 제2처리액은 순수일 수 있다. 선택적으로 제2노즐(392)은 비활성 가스일 수 있다. 따라서 제1노즐(391)은 식각액 공급 노즐(391)로 제공되고, 제2노즐(392)은 식각 방해액 공급 노즐(392)로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 제1노즐(391) 및 제2노즐(392)은 제2아암(384)의 길이방향을 따라 서로 이격되게 위치된다. 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 제1노즐(391)과 제2노즐(392) 간에 거리는 기판(W)의 반지름과 대응될 수 있다. 제1노즐(391)의 공정 위치는 기판(W)의 가장자리 영역에 대향되는 위치이고, 제2노즐(392)의 공정 위치는 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 위치일 수 있다. The first nozzle 391 and the second nozzle 392 supply processing solutions of different kinds. The first nozzle 391 supplies the first processing liquid, and the second processing liquid supplies the second processing liquid. According to one example, the first treatment liquid is a chemical for etching the thin film formed on the substrate W, and the second treatment liquid may be an etching inhibiting liquid for diluting the first treatment liquid. The first treatment liquid may be a solution of strong acid such as hydrofluoric acid (HF) or phosphoric acid (P 2 O 5 ), and the second treatment liquid may be pure water. Optionally, the second nozzle 392 may be an inert gas. The first nozzle 391 is provided to the etching liquid supply nozzle 391 and the second nozzle 392 is provided to the etching interfering liquid supply nozzle 392. [ The first nozzle 391 and the second nozzle 392 are spaced from each other along the longitudinal direction of the second arm 384. As shown in FIG. According to an example, the distance between the first nozzle 391 and the second nozzle 392 may correspond to the radius of the substrate W when viewed from above. The process position of the first nozzle 391 is opposite to the edge area of the substrate W and the process position of the second nozzle 392 is opposite the center area of the substrate W. [

선택적으로 제2아암(384)은 제1아암(383)으로부터 멀어질수록 하향 경사지거나 상향 경사지도록 제공될 수 있다.Optionally, the second arm 384 may be provided to be inclined downward or inclined upwardly away from the first arm 383.

다음은 상술한 기판 처리 장치(300)를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정을 설명한다. 기판 지지 유닛(340)에 기판(W)이 로딩되면, 제1노즐(391) 및 제2노즐(392) 각각은 공정위치로 이동되고, 기판(W)은 회전된다. 제2노즐(392)은 기판(W)의 중앙 영역으로 제2처리액을 공급한다. 제2처리액은 원심력에 의해 기판(W)의 전체 영역으로 확산되고, 기판(W) 상에는 제2처리액에 의한 액막이 형성된다. 제1노즐(391)은 제2처리액에 의한 액막이 형성된 기판(W)에 제1처리액을 공급한다. 제1노즐(391)은 기판(W)의 가장자리 영역에 제1처리액을 공급한다. 이에 따라 기판(W)의 가장자리 영역에 형성된 박막은 식각 처리된다. 기판(W)의 식각 처리 공정이 완료되면, 제1노즐(391)은 제1처리액의 공급을 중지한다. 이후 제2노즐(392)은 제2처리액의 공급을 중지하고 기판(W)의 가장자리 영역에 대한 식각 처리 공정을 완료한다.Next, a process of processing the substrate W using the above-described substrate processing apparatus 300 will be described. When the substrate W is loaded in the substrate supporting unit 340, the first nozzle 391 and the second nozzle 392 are each moved to the process position and the substrate W is rotated. The second nozzle 392 supplies the second processing liquid to the central region of the substrate W. [ The second processing liquid diffuses to the entire area of the substrate W by the centrifugal force and a liquid film is formed on the substrate W by the second processing liquid. The first nozzle 391 supplies the first processing liquid to the substrate W having the liquid film formed by the second processing liquid. The first nozzle 391 supplies the first processing liquid to the edge region of the substrate W. [ The thin film formed on the edge region of the substrate W is etched. When the etching processing of the substrate W is completed, the first nozzle 391 stops supplying the first processing liquid. The second nozzle 392 then stops supplying the second process liquid and completes the etching process for the edge region of the substrate W. [

상술한 실시예에는 기판(W)의 가장자리 영역에 대한 식각 처리 공정을 수행하는 중에 기판(W)의 중앙 영역으로 제2처리액을 공급한다. 이에 따라 기판(W) 처리 공정 중에 그 중앙 영역이 건조되는 것을 방지할 수 있다. In the above-described embodiment, the second process liquid is supplied to the central region of the substrate W during the etching process for the edge region of the substrate W. Accordingly, it is possible to prevent the central region from being dried during the substrate W processing process.

또한 기판(W)의 중앙 영역에는 제2처리액에 의한 액막이 형성되므로, 제1처리액의 일부가 그 중앙 영역에 비산될지라도, 기판(W)의 중앙 영역이 식각되는 것을 방지할 수 있다.Further, since the liquid film of the second processing liquid is formed in the central region of the substrate W, it is possible to prevent the central region of the substrate W from being etched even if a part of the first processing liquid is scattered in the central region thereof.

상술한 실시예에는 제1노즐(391) 및 제2노즐(392)이 제2아암(384)에 고정 결합되는 것으로 설명하였다. 그러나 제2아암(384)에는 복수 개의 체결 포트들(385)이 제공될 수 있다. 각각의 체결 포트들(385)은 제2아암(384)의 길이방향을 따라 나열될 수 있다. 각 체결 포트(385)에는 제1노즐(391) 및 제2노즐(392)이 체결 가능하도록 제공될 수 있다. 이에 따라 제1노즐(391)과 제2노즐(392) 간에 간격을 조절할 수 있다.The first nozzle 391 and the second nozzle 392 are fixedly coupled to the second arm 384 in the above-described embodiment. However, the second arm 384 may be provided with a plurality of fastening ports 385. Each of the fastening ports 385 may be arranged along the length of the second arm 384. The first nozzle 391 and the second nozzle 392 can be fastened to each fastening port 385. Accordingly, the distance between the first nozzle 391 and the second nozzle 392 can be adjusted.

다음은 액 공급 유닛(380)의 제2실시예에 대해 설명한다. 도 6은 도 5의 액 공급 유닛의 제2실시예를 보여주는 평면도이다. 도 6을 참조하면, 제2아암(384)은 제1아암(383)의 타단으로부터 연장되되, 상부에서 바라볼 때 지지 아암(382)은 "T" 자 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 제2아암(384)의 중간 영역은 제1아암(383)의 타단으로부터 연장되게 제공될 수 있다. 제2아암(384)의 양단에는 제1노즐(391) 및 제2노즐(392)이 각각 위치될 수 있다.Next, a second embodiment of the liquid supply unit 380 will be described. Fig. 6 is a plan view showing a second embodiment of the liquid supply unit of Fig. 5; Referring to FIG. 6, the second arm 384 extends from the other end of the first arm 383, and the support arm 382 can be provided with a "T" shape when viewed from above. An intermediate region of the second arm 384 may be provided extending from the other end of the first arm 383. A first nozzle 391 and a second nozzle 392 may be positioned at both ends of the second arm 384, respectively.

액 공급 유닛(380)의 제3실시예에 의하면, 제2아암(384)은 제1아암(383)의 타단 저면에 고정 결합될 수 있다. 도 7은 도 5의 액 공급 유닛의 제3실시예를 보여주는 평면도이다. 도 7을 참조하면, 제2아암(384)은 제1아암(383)에 대한 상대 위치가 이동될 수 있다. 제2아암(384)은 제1아암(383)에 결합되는 영역을 중심축으로 회전될 수 있다. 이에 따라 제1아암(383)은 회전축(386)을 중심으로 회전 가능하고, 제2아암(384)은 회전축(386) 및 제2아암(384)의 타탄 각각을 중심축으로 회전될 수 있다.According to the third embodiment of the liquid supply unit 380, the second arm 384 can be fixedly coupled to the bottom surface of the other end of the first arm 383. FIG. 7 is a plan view showing a third embodiment of the liquid supply unit of FIG. 5; FIG. Referring to FIG. 7, the second arm 384 can be moved relative to the first arm 383. The second arm 384 can be rotated about a central axis about an area coupled to the first arm 383. The first arm 383 is rotatable about the rotation axis 386 and the second arm 384 is rotatable about the rotation axis 386 and the tarts of the second arm 384 about the center axis.

액 공급 유닛(380)의 제4실시예에 의하면, 지지 아암(382)은 길이방향이 일방향을 향하는 바 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 도 8은 도 2의 액 공급 유닛의 제4실시예를 보여주는 평면도이다. 도 8을 참조하면, 제1노즐(391)은 지지 아암(382)에 고정 결합되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동되고, 제2노즐(392)은 처리 용기의 상단에 고정 결합되어 그 위치가 고정될 수 있다. 여기서 제2노즐(392)은 제2처리액이 기판(W)의 중앙 영역으로 공급되도록 작업자에 의해 유량 및 토출구의 각도가 조절될 수 있다.According to the fourth embodiment of the liquid supply unit 380, the support arm 382 can be provided so as to have a bar shape whose lengthwise direction is one direction. FIG. 8 is a plan view showing a fourth embodiment of the liquid supply unit of FIG. 2; FIG. 8, the first nozzle 391 is fixedly coupled to the support arm 382 and is moved to the process position and the standby position, and the second nozzle 392 is fixedly coupled to the upper end of the processing container, . Here, the flow rate and the angle of the discharge port can be adjusted by the operator so that the second nozzle 392 is supplied to the central area of the substrate W. [

액 공급 유닛(380)의 제5실시예에 의하면, 노즐 이동 부재(381)는 2 개로 제공될 수 있다. 도 9는 도 2의 액 공급 유닛의 제5실시예를 보여주는 평면도이다. 도 9를 참조하면, 하나의 노즐 이동 부재(381a)는 제1노즐(391)을 지지하고, 다른 하나의 노즐 이동 부재(381b)는 제2노즐(392)을 지지할 수 있다. 각 노즐 이동 부재(381)의 지지 아암(382)은 그 길이방향이 일방향을 향하는 바 형상으로 제공될 수 있다.According to the fifth embodiment of the liquid supply unit 380, the nozzle moving member 381 can be provided in two. FIG. 9 is a plan view showing a fifth embodiment of the liquid supply unit of FIG. 2; FIG. 9, one nozzle moving member 381a supports the first nozzle 391, and the other nozzle moving member 381b can support the second nozzle 392. [ The supporting arms 382 of the respective nozzle moving members 381 can be provided in the shape of a bar whose longitudinal direction is directed in one direction.

320: 처리 용기 340: 기판 지지 유닛
380: 액 공급 유닛 382: 지지 아암
383: 제1아암 384: 제2아암
391: 식각액 공급 노즐 392: 방해액 공급 노즐320: processing vessel 340: substrate supporting unit
380: liquid supply unit 382: support arm
383: first arm 384: second arm
391: etching liquid supply nozzle 392: disturbance liquid supply nozzle

Claims (12)

내부에 처리공간을 가지는 처리 용기와;
상기 용기 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 액 공급 유닛은,
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역으로 식각액을 공급하는 식각액 공급 노즐과 ;
상기 지지유닛에 지지된 기판의 중앙 영역으로 식각 방해액을 공급하는 식각 방해액 공급 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.A processing vessel having a processing space therein;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the container;
And a liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate supported by the substrate supporting unit,
The liquid supply unit includes:
An etchant supply nozzle for supplying an etchant to an edge region of the substrate supported by the substrate support unit;
And a etch stop solution supply nozzle for supplying an etch stop solution to a central region of the substrate supported by the support unit. 제1항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
상기 식각액 공급 노즐과 상기 식각 방해액 공급 노즐을 지지하는 지지 아암과;
상기 지지 아암을 지지하는 회전축과;
상기 회전축을 회전시키는 구동기를 더 포함하고,
상기 지지 아암은,
상기 회전축에 결합되며 그 길이방향이 일 방향을 따라 제공되는 제1아암과;
상기 제1아암에 결합되며 그 길이방향이 상부에서 바라볼 때 상기 일 방향과 상이한 타 방향으로 제공되는 제2아암을 가지고,
상기 식각액 공급 노즐과 상기 식각 방해액 공급 노즐은 제2아암에 설치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The liquid supply unit includes:
A support arm for supporting the etchant supply nozzle and the etch stop solution supply nozzle;
A rotation shaft for supporting the support arm;
Further comprising a driver for rotating the rotation shaft,
The support arm
A first arm coupled to the rotating shaft and having a longitudinal direction provided along one direction;
And a second arm coupled to the first arm and provided in a different direction from the one direction when the longitudinal direction is viewed from above,
Wherein the etchant supply nozzle and the etch stop solution supply nozzle are installed on the second arm. 제2항에 있어서,
상기 제2아암에는 식각액 공급 노즐 및 상기 식각 방해액 공급 노즐이 체결 가능한 체결 포트들이 복수 개로 형성되되,
상기 체결 포트들은 상기 제2아암의 길이방향을 따라 나열되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the second arm is formed with a plurality of fastening ports for fastening the etchant supply nozzle and the etch stop solution supply nozzle,
Wherein the fastening ports are arranged along the longitudinal direction of the second arm. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 제2아암은 상기 제1아암에 대해 그 위치가 상대 이동이 가능하도록 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 2 or 3,
Wherein the second arm is provided so that its position relative to the first arm is relatively movable. 제1항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은
상기 식각액 공급 노즐을 지지하는 지지 아암과;
상기 지지 아암을 지지하는 회전축과;
상기 회전축을 회전시키는 구동기를 더 포함하되,
상기 식각 방해액 공급 노즐은 상기 처리 용기에 결합되어 그 위치가 고정되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The liquid supply unit
A support arm for supporting the etchant supply nozzle;
A rotation shaft for supporting the support arm;
Further comprising a driver for rotating the rotation shaft,
Wherein the etch stop solution supply nozzle is coupled to the processing vessel and fixed in position. 제1항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
상기 식각액 공급 노즐을 지지하는 제1지지 아암과;
상기 제1지지 아암을 지지하는 제1회전축과;
상기 제1회전축을 회전시키는 제1구동기와;
상기 식각 방해액 공급 노즐을 지지하는 제2지지 아암과;
상기 제2지지 아암을 지지하는 제2회전축과;
상기 제2회전축을 회전시키는 구동기를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The liquid supply unit includes:
A first support arm for supporting the etchant supply nozzle;
A first rotation shaft for supporting the first support arm;
A first driver for rotating the first rotation shaft;
A second support arm for supporting the etch stop solution supply nozzle;
A second rotation shaft for supporting the second support arm;
And a driver for rotating the second rotation shaft. 기판의 표면을 식각 처리하는 방법에 있어서,
식각액 공급 노즐이 상기 기판의 가장자리 영역으로 식각액을 공급하고, 식각 방해액 공급 노즐이 상기 기판의 중앙 영역으로 식각 방해액을 공급하는 기판 처리 방법.A method of etching a surface of a substrate,
Wherein an etchant supply nozzle supplies an etchant to an edge region of the substrate and a etchant interruption liquid supply nozzle supplies an etch stop solution to a central region of the substrate. 제7항에 있어서,
상기 식각액 및 상기 식각 방해액은 상기 기판으로 동시 공급되는 기판 처리 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the etchant and the etch stop solution are simultaneously supplied to the substrate. 제7항에 있어서,
상기 식각 방해액 공급 노즐은 상기 식각 방해액을 상기 기판 상에 공급하고, 이후에 상기 식각액 공급 노즐이 상기 식각액을 상기 기판 상에 공급하되,
상기 식각액이 공급되는 동안에는 상기 식각 방해액이 계속적으로 공급되는 기판 처리 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the etch stop solution supply nozzle feeds the etch stop solution onto the substrate and then the etchant supply nozzle supplies the etchant onto the substrate,
And the etch stop solution is continuously supplied while the etchant is supplied. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 식각액 공급 노즐 및 상기 식각 방해액 공급 노즐 각각은 지지 아암에 결합되는 기판 처리 방법.10. The method according to any one of claims 7 to 9,
Wherein the etchant supply nozzle and the etch stop solution supply nozzle are each coupled to a support arm. 제10항에 있어서,
상기 식각액 공급 노즐 및 상기 식각 방해액 공급 노즐 간의 거리는 상기 기판의 반지름에 대응되는 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
Wherein a distance between the etchant supply nozzle and the etch stop solution supply nozzle corresponds to a radius of the substrate. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 식각액 공급 노즐은 제1아암에 의해 지지되고,
상기 식각 방해액 공급 노즐은 상기 제1아암에 연결되는 제2아암에 의해 지지되되,
상기 제2아암은 상기 제1아암에 대한 상대 위치가 조절 가능한 기판 처리 방법.10. The method according to any one of claims 7 to 9,
The etchant supply nozzle is supported by a first arm,
Wherein the etch stop solution supply nozzle is supported by a second arm connected to the first arm,
Wherein the second arm is adjustable relative to the first arm.
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