KR20160035916A - Power module package and method of manufacturing the same - Google Patents

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KR20160035916A
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주용휘
오정미
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삼성전기주식회사
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Abstract

Disclosed are a power module package and a manufacturing method thereof. The power module package includes: a resin case integrally molded with an external connection terminal; a metal plate having a coupling unit on a side surface and integrally molded with the resin case with the coupling unit coupled to an inner side of the resin case to seal the bottom of the resin case; a circuit substrate formed on the metal plate; and a semiconductor device mounted on the circuit substrate. According to one embodiment of the present invention, the power module package has an excellent sealing performance.

Description

전력 모듈 패키지 및 그 제조방법{Power module package and method of manufacturing the same}Power module package and method of manufacturing same

전력 모듈 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
To a power module package and a manufacturing method thereof.

최근 산업용 전력 반도체 모듈 패키지는 부품이 실장되고, 와이어 본딩을 통해 회로가 연결된 기판을 방열판에 접합을 한 후, 사출한 케이스를 이용하여 회로를 보호하는 구조로 제작이 된다.
Recently, an industrial power semiconductor module package is manufactured in a structure in which a component is mounted, a substrate to which a circuit is connected through wire bonding is bonded to a heat sink, and a circuit is protected using an injected case.

미국 등록 특허 제 5057906호United States Patent No. 5057906

일 측면은 밀봉 성능이 우수한 전력 모듈 패키지를 제공하는 것이다.One aspect is to provide a power module package having excellent sealing performance.

다른 측면은 접합 불량을 방지하여 신뢰성을 향상시킨 전력 모듈 패키지를 제공하는 것이다.Another aspect is to provide a power module package that improves reliability by preventing junction failure.

또 다른 측면은 간소화된 공정을 통해서 불량 발생을 최소화할 수 있는 전력 모듈 패키지의 제조방법을 제공하는 것이다.
Another aspect is to provide a method of manufacturing a power module package that can minimize the occurrence of defects through a simplified process.

일 실시예에 따른 전력 모듈 패키지는 외부접속단자가 일체 성형된 수지 케이스와, 측면에 결합부를 가지며, 상기 결합부와 상기 수지 케이스의 내측이 결합된 형태로 상기 수지 케이스와 일체 성형되어 상기 수지 케이스의 저부를 밀봉하는 금속판(metal plate)을 포함한다.
The power module package according to an embodiment includes a resin case integrally molded with an external connection terminal and a coupling part formed on a side surface of the coupling part and integrally formed with the resin case so that the coupling part and the inside of the resin case are coupled, And a metal plate which seals the bottom portion of the metal plate.

일 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 제조방법은 외부접속단자와 금속판을 수지 케이스와 일체 성형하여 금속판의 측면에 형성된 결합부와 상기 수지 케이스의 내측이 결합된 형태로 상기 금속판에 의해 상기 수지 케이스의 저부를 밀봉시키는 단계를 포함한다.
A method of manufacturing a power module package according to an exemplary embodiment of the present invention is a method of manufacturing a power module package in which a metal plate is integrally formed with a resin case and an engaging portion formed on a side surface of a metal plate is coupled with an inner side of the resin case, And sealing the bottom.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 모듈 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 금속판을 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 금속판을 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 금속판을 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 금속판을 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 금속판을 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 제조방법을 공정순으로 도시한 공정 단면도이다.
1 is a cross-sectional view illustrating a power module package according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a metal plate of a power module package according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a metal plate of a power module package according to another embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a metal plate of a power module package according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a metal plate of a power module package according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating a metal plate of a power module package according to another embodiment of the present invention.
7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a power module package according to an embodiment of the present invention.
8 to 12 are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a power module package according to an embodiment of the present invention in order of process.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Prior to that, terms and words used in the present specification and claims should not be construed in a conventional and dictionary sense, and the inventor can properly define the concept of a term to describe its invention in the best possible way It should be construed as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서에서, 제1, 제2 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다. 첨부 도면에 있어서, 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
It should be noted that, in the present specification, the reference numerals are added to the constituent elements of the drawings, and the same constituent elements are assigned the same number as much as possible even if they are displayed on different drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. In this specification, the terms first, second, etc. are used to distinguish one element from another, and the element is not limited by the terms. In the accompanying drawings, some of the elements are exaggerated, omitted or schematically shown, and the size of each element does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

전력 모듈 패키지Power module package

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 모듈 패키지를 나타낸 단면도이다.
1 is a cross-sectional view illustrating a power module package according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 전력 모듈 패키지(100)는 외부접속단자(20)가 일체 성형된 수지 케이스(10)와, 상기 수지 케이스(10)와 일체 성형되어 상기 수지 케이스(10)의 저부를 밀봉하는 금속판(30)과, 상기 금속판(30) 상에 형성된 회로 기판(40)과, 상기 회로 기판(40) 상에 실장된 반도체 소자(50)를 포함한다.
1, the power module package 100 includes a resin case 10 integrally molded with an external connection terminal 20, a resin case 10 integrally molded with the resin case 10, A circuit board 40 formed on the metal plate 30; and a semiconductor device 50 mounted on the circuit board 40. The circuit board 40 includes a metal plate 30,

상기 수지 케이스(10)는 예를 들면, PPS(폴리페닐렌설파이드)와 같은 수지를 이용하여 외부접속단자(20) 및 금속판(30)을 인서트 사출 성형하여 일체로 제작된다.
The resin case 10 is integrally manufactured by insert injection molding of the external connection terminal 20 and the metal plate 30 using, for example, a resin such as PPS (polyphenylene sulfide).

상기 외부접속단자(20)는 예를 들어, L자 형으로 굽힘 가공되어 삽입되며, 상기 수지 케이스(10)의 상단으로 돌출되어 노출되는 단부를 구비한다. 상기 외부접속단자(20)는 구리 프레임으로 제작될 수 있다.
The external connection terminal 20 has, for example, an L-shaped bent end and an end protruding from the upper end of the resin case 10 to be exposed. The external connection terminal 20 may be made of a copper frame.

상기 금속판(30)은 측면에 결합부(31)를 가지며, 상기 결합부(31)와 상기 수지 케이스(10)의 내측이 결합된 형태로 상기 수지 케이스(10)와 일체 성형되어 상기 수지 케이스(10)의 저부를 밀봉한다.
The metal plate 30 has a coupling portion 31 on a side surface thereof and is integrally formed with the resin case 10 in such a manner that the coupling portion 31 and the inner side of the resin case 10 are coupled, 10).

상기 결합부(31)는 일체 성형 시 접합 특성 등 우수한 사출 품질을 확보할 수 있도록 홈부 또는 돌출부를 가질 수 있다. 상기 홈부 및 돌출부는 원형(타원형) 또는 다각형의 단면 형상을 갖도록 가공될 수 있다.
The engaging portion 31 may have a groove portion or a protruding portion so as to secure an excellent injection quality such as a bonding property when integrally molding. The grooves and protrusions may be machined to have a circular (oval) or polygonal cross-sectional shape.

도 2 내지 도 6은 상기 금속판(30)의 결합부(31)의 다양한 형상을 예시적으로 나타낸 단면도이다.
Figs. 2 to 6 are sectional views exemplarily showing various shapes of the engaging portion 31 of the metal plate 30. Fig.

도 2를 참조하면, 상기 결합부(31)에는 테이퍼진 단면 형상의 홈부(32)가 형성될 수 있다.
Referring to FIG. 2, a groove portion 32 having a tapered cross-sectional shape may be formed in the engaging portion 31.

도 3을 참조하면, 상기 결합부(31)에는 사각형의 단면 형상의 홈부(33)가 형성될 수 있다.
Referring to FIG. 3, the engaging portion 31 may have a groove 33 having a rectangular cross-sectional shape.

도 4을 참조하면, 상기 결합부(31)에는 사각형의 단면 형상의 돌출부(34)가 형성될 수 있다.
Referring to FIG. 4, a protruding portion 34 having a rectangular cross-sectional shape may be formed in the engaging portion 31.

도 5를 참조하면, 상기 결합부(31)에는 원형 단면 형상의 돌출부(35)가 형성될 수 있다.
Referring to FIG. 5, the engaging portion 31 may have a protrusion 35 having a circular cross-sectional shape.

도 6을 참조하면, 상기 결합부(31)에는 십자가 단면 형상의 돌출부(36)가 형성될 수 있다.
Referring to FIG. 6, the engaging portion 31 may be formed with a protrusion 36 having a cross-sectional shape.

상기와 같은 결합부(31)를 구비한 금속판(30)은 구리판 또는 알루미늄판으로 형성될 수 있다.
The metal plate 30 having the coupling portion 31 may be formed of a copper plate or an aluminum plate.

상기와 같이, 외부접속단자와 측면에 결합부를 갖는 금속판을 일체 성형에 의해 수지 케이스와 일체화함으로써 금속판이 고정틀 역할을 하여 휨(warpage) 현상을 방지할 수 있다.As described above, by integrally forming the metal plate having the external connection terminal and the engaging portion on the side surface with the resin case by integral molding, the metal plate acts as a fixed body, thereby preventing the warpage phenomenon.

뿐만 아니라, 일체 형성된 수지 케이스의 저부를 포함하여 완전 밀폐가 가능하여 밀봉부재의 누설 불량 등을 방지할 수 있다.
In addition, the sealing member can be completely sealed including the bottom portion of the integrally formed resin case, thereby preventing leakage of the sealing member.

상기 회로 기판(40)은 솔더(46)를 통해서 상기 금속판(30)에 고정될 수 있다.
The circuit board 40 may be fixed to the metal plate 30 through a solder 46.

상기 회로 기판(40)은 절연 기판(41)의 상면 및 하면에 DCB(Direct Copper Bonding) 법으로 형성된 복수의 금속 패턴(42, 43, 44)을 포함한다.
The circuit board 40 includes a plurality of metal patterns 42, 43, and 44 formed on the upper and lower surfaces of the insulating substrate 41 by DCB (Direct Copper Bonding) method.

여기서, 상기 절연 기판(41)은 예를 들어, 알루미나(Al2O3) 소결체의 세라믹으로 구성되며, 상기 금속 패턴(42, 43, 44)들은 통상의 회로용 전도성 금속으로서, 구리를 주성분으로 하는 금속으로 구성될 수 있다.
Here, the insulating substrate 41 is made of, for example, a ceramic of an alumina (Al 2 O 3 ) sintered body, and the metal patterns 42, 43, and 44 are conductive metals for general circuits, And the like.

상기 절연 기판(41)의 상면에 형성된 금속 패턴(43) 상에는 솔더(45)를 통하여 적어도 하나의 반도체 소자(50)가 이면측(예를 들면, 컬렉터 전극측)을 접합시킨 상태에서 탑재된다.
At least one semiconductor element 50 is mounted on the metal pattern 43 formed on the upper surface of the insulating substrate 41 via the solder 45 while the back side (for example, the collector electrode side) is bonded.

상기 반도체 소자(50)는 전력 반도체 소자일 수 있다.The semiconductor device 50 may be a power semiconductor device.

상기 반도체 소자(50)는 예를 들어, 상측의 주면에 주전극(예를 들면, 이미터 전극)과 제어 전극(게이트 전극)을 가지며, 하측의 주면에 다른 주전극(예를 들면, 컬렉터 전극)을 갖는 IGBT 소자일 수 있다.The semiconductor element 50 has a main electrode (for example, an emitter electrode) and a control electrode (gate electrode) on the upper main surface and another main electrode (for example, a collector electrode ). ≪ / RTI >

상기 반도체 소자(50)는 상술한 IGBT 소자에 한정되지 않고, 파워 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), 또는 FWD 소자일 수 있다.
The semiconductor device 50 is not limited to the above-described IGBT device, but may be a power MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) or an FWD device.

상기 회로 기판(40)의 금속 패턴(42)과 상기 반도체 소자(50)는 와이어(60)를 통하여 접속되며, 또한, 상기 회로 기판(40) 및 상기 반도체 소자(50)는 와이어(60)를 통하여 상기 수지 케이스(10)에 고정된 외부접속단자(20)에 접속된다.
The metal pattern 42 of the circuit board 40 and the semiconductor element 50 are connected via a wire 60 and the circuit board 40 and the semiconductor element 50 are connected to the wire 60 And is connected to an external connection terminal 20 fixed to the resin case 10 through a through-hole.

상기 반도체 소자(50)가 실장된 회로 기판(40)이 수용된 수지 케이스(10) 내부는 반도체 소자(50)와 와이어(60) 등의 보호를 목적으로 통상의 겔 충전에 의해 밀봉부재(70)로 밀봉된다. 상기 밀봉부재(70)로 사용되는 겔은 예를 들어, 실리콘을 베이스로 한 성분으로 구성될 수 있다.
The inside of the resin case 10 accommodating the circuit board 40 on which the semiconductor element 50 is mounted is sealed by sealing the sealing member 70 by the usual gel filling for the purpose of protecting the semiconductor element 50 and the wire 60, . The gel used as the sealing member 70 may be composed of, for example, a silicon-based component.

상기와 같이 내부가 밀봉된 수지 케이스(10)의 상부에 덮개(80)가 형성되고 봉합된다.
A lid 80 is formed on the upper part of the resin case 10 sealed inside as described above and is sealed.

전력 모듈 패키지의 제조방법Manufacturing method of power module package

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 제조방법을 개략적으로 설명하기 위한 순서도이다.7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a power module package according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 상기 전력 모듈 패키지의 제조방법은 금속판을 준비하는 단계(S100)와, 외부접속단자, 금속판 및 수지 케이스를 일체 성형하는 단계(S200)와, 상기 금속판 상에 반도체 소자가 실장된 회로 기판을 배치하는 단계(S300)를 포함한다.
Referring to FIG. 7, the method of manufacturing the power module package includes preparing a metal plate (S100), integrally molding an external connection terminal, a metal plate, and a resin case (S200) And arranging the circuit board (S300).

이하, 도 8 내지 도 12에 공정순으로 도시한 공정 단면도를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 모듈 패키지의 제조방법을 설명한다.
Hereinafter, a method of manufacturing a power module package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to process sectional views shown in the order of steps in FIGS. 8 to 12.

우선, 수지 케이스 제작용의 인서트 성형기의 금형에 외부접속단자와 금속판을 세팅하고, 케이스 제작용 수지, 예를 들어 폴리페닐렌설파이드 수지를 이용하여 사출 성형하여 일체형 수지 케이스를 제작한다. First, an external connection terminal and a metal plate are set in a mold of an insert molding machine for manufacturing a resin case, and injection molding is performed using a case-making resin, for example, polyphenylene sulfide resin to produce an integral resin case.

상기와 같이 제작된 일체형 수지 케이스는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 금속판(30)의 결합부(31)와 수지 케이스(10)의 내측이 결합되며, 또한 상기 금속판(30)에 의해 상기 수지 케이스(10)의 저부가 밀봉되는 구조를 갖는다.
As shown in Fig. 8, the integrally molded resin case thus manufactured is joined to the inner side of the resin case 10 with the engaging portion 31 of the metal plate 30, (10) is sealed.

상기 외부접속단자(20)는 L자 형으로 굽힘 가공되어 삽입되며, 상기 수지 케이스(10)의 상단으로 돌출되어 노출되는 단부를 구비한다.
The external connection terminal 20 is bent into an L shape and inserted, and has an end protruding from the upper end of the resin case 10 and exposed.

상기 금속판(30)의 결합부(31)에는 원형(타원형) 또는 다각형의 단면 형상을 갖는 홈부 또는 돌출부가 구비되어 일체 성형 시 접합 특성 등 사출 품질을 향상시킬 수 있다.The engaging portion 31 of the metal plate 30 is provided with a groove portion or a protruding portion having a circular (oval) or polygonal cross-sectional shape, so that the injection quality such as a bonding characteristic can be improved during integral molding.

상기 결합부(31)는 엔드밀과 같은 통상의 기계적 가공법을 이용하여 금속판(30)의 측면을 가공함으로써 형성될 수 있다.
The engaging portion 31 may be formed by machining a side surface of the metal plate 30 using a conventional mechanical working method such as an end mill.

상기와 같은 일체 성형을 통해서, 통상의 케이스 접합 공정, 예를 들어, 접착제 도포, 케이스 실장, 가열 등을 포함하는 일련의 과정을 생략할 수 있다.Through the above-described integral molding, a series of steps including a case bonding step, for example, application of an adhesive, case mounting, heating, and the like can be omitted.

또한, 금속판이 수지 케이스의 고정틀 기능을 함으로써 가열 공정에서 발생하는 기판 휨 현상을 억제할 수 있다.In addition, since the metal plate functions as a fixing frame of the resin case, it is possible to suppress the substrate warping phenomenon occurring in the heating step.

나아가, 통상 1차 와이어 본딩 공정 후 케이스 접합 공정을 위해 수행되던 가열 공정이 생략됨으로써 열에 의한 패드 산화를 막을 수 있어 본딩 품질을 향상시킬 수 있다.
In addition, since the heating process, which is usually performed for the case bonding process after the primary wire bonding process, is omitted, the oxidation of the pad due to heat can be prevented and the bonding quality can be improved.

다음, 도 9를 참조하면, 반도체 소자(50)가 실장된 회로 기판(40)을 솔더(46)를 이용하여 상기 일체형 수지 케이스(10) 내의 금속판(30) 상에 고정, 배치한다.
9, the circuit board 40 on which the semiconductor element 50 is mounted is fixed and placed on the metal plate 30 in the integrated resin case 10 by using the solder 46. Next, referring to FIG.

상기 회로 기판(40)은 절연 기판(41)의 상면 및 하면에 DCB(Direct Copper Bonding) 법으로 형성된 복수의 금속 패턴(42, 43, 44)을 포함한다.The circuit board 40 includes a plurality of metal patterns 42, 43, and 44 formed on the upper and lower surfaces of the insulating substrate 41 by DCB (Direct Copper Bonding) method.

또한, 상기 반도체 소자(50)는 상기 절연 기판(41)의 상면에 형성된 금속 패턴(43) 상에 솔더(45)를 통하여 탑재된다.
The semiconductor device 50 is mounted on the metal pattern 43 formed on the upper surface of the insulating substrate 41 through the solder 45.

상기 반도체 소자(50)는 전력 반도체 소자일 수 있다.
The semiconductor device 50 may be a power semiconductor device.

다음, 도 10을 참조하면, 와이어(60)를 이용하여 상기 회로 기판(40)의 금속 패턴(42)과 상기 반도체 소자(50)를 상호 접속시키고, 또한, 상기 회로 기판(40) 및 상기 반도체 소자(50)를 각각 상기 수지 케이스(10)에 고정된 외부접속단자(20)에 접속시킨다.
10, the metal pattern 42 of the circuit board 40 and the semiconductor element 50 are interconnected using a wire 60, and the circuit board 40 and the semiconductor The element 50 is connected to the external connection terminal 20 fixed to the resin case 10, respectively.

본 실시예에서는 상기와 같이 와이어 본딩 공정을 1회로 수행함으로써 통상의 2회 와이어 본딩 공정 대비 공정수를 감소시킬 수 있다.
In this embodiment, by performing the wire bonding process one time as described above, it is possible to reduce the number of process steps compared to the ordinary two-wire bonding process.

다음, 도 11을 참조하면, 상기 반도체 소자(50)가 실장된 회로 기판(40)이 수용된 수지 케이스(10) 내부를 예를 들어, 실리콘 겔과 같은 겔형 충전재 등을 이용하여 충전하고 경화시킴으로써 밀봉부재(70)를 형성한다.11, the inside of the resin case 10 accommodating the circuit board 40 on which the semiconductor element 50 is mounted is filled and cured by using, for example, a gel filler such as silicone gel, Thereby forming a member 70.

상기와 같이 형성된 밀봉부재(70)에 의해서 수지 케이스(10) 내부의 반도체 소자(30)와 와이어(60) 등을 보호할 수 있다.The semiconductor element 30 and the wire 60 in the resin case 10 can be protected by the sealing member 70 formed as described above.

본 실시예에 따르면, 수지 케이스와 금속판의 일체 성형을 통해서 수지 케이스의 저면이 밀봉되어 수지 케이스의 완전 밀폐가 가능하므로 상기 밀봉부재의 충전 시 누설 불량을 방지할 수 있다.
According to this embodiment, since the bottom surface of the resin case is sealed through the integral molding of the resin case and the metal plate, the resin case can be completely sealed, thereby preventing defective leakage during filling of the sealing member.

다음, 도 12에 나타낸 바와 같이, 밀봉부재(70)가 충전된 수지 케이스(10)의 상부를 덮개(80)로 덮는다.
Next, as shown in Fig. 12, the upper part of the resin case 10 filled with the sealing member 70 is covered with the lid 80. As shown in Fig.

추가로, 수지 케이스(10) 및 덮개(80)를 포함하는 부재들 사이를 접착제를 이용하여 봉합하는 공정을 수행할 수 있다.
In addition, a process of sealing the members including the resin case 10 and the cover 80 with an adhesive can be performed.

이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the present invention. It is obvious that the modification or improvement is possible.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

100: 전력 모듈 패키지
10: 수지 케이스
20: 외부접속단자
30: 금속판
31: 결합부
32, 33: 홈부
34, 35, 36: 돌출부
40: 회로 기판
41: 절연 기판
42, 43, 44: 금속 패턴
45, 46: 솔더
50: 반도체 소자
60: 와이어
70: 밀봉부재
80: 덮개
100: Power module package
10: Resin case
20: External connection terminal
30: metal plate
31:
32, 33:
34, 35, 36: projections
40: circuit board
41: Insulated substrate
42, 43, 44: metal pattern
45, 46: Solder
50: Semiconductor device
60: wire
70: sealing member
80: Cover

Claims (14)

외부접속단자가 일체 성형된 수지 케이스;
측면에 결합부를 가지며, 상기 결합부와 상기 수지 케이스의 내측이 결합된 형태로 상기 수지 케이스와 일체 성형되어 상기 수지 케이스의 저부를 밀봉하는 금속판(metal plate);
상기 금속판 상에 형성된 회로 기판; 및
상기 회로 기판 상에 실장된 반도체 소자;
를 포함하는 전력 모듈 패키지.
A resin case integrally molded with an external connection terminal;
A metal plate having a coupling portion on a side surface thereof and integrally formed with the resin case in such a manner that the coupling portion and the inner side of the resin case are coupled to each other to seal the bottom of the resin case;
A circuit board formed on the metal plate; And
A semiconductor element mounted on the circuit board;
Gt; power module package. ≪ / RTI >
청구항 1에 있어서,
상기 금속판의 결합부는 홈부 또는 돌출부를 갖는 전력 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the engaging portion of the metal plate has a groove portion or a protrusion portion.
청구항 2에 있어서,
상기 홈부 및 돌출부는 원형 또는 다각형의 단면 형상을 갖는 전력 모듈 패키지.
The method of claim 2,
Wherein the groove and the protrusion have a circular or polygonal cross-sectional shape.
청구항 1에 있어서,
상기 회로 기판과 상기 반도체 소자, 및 상기 회로 기판 또는 반도체 소자와 상기 외부접속단자를 접속시키기 위한 와이어를 더 포함하는 전력 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
And a wire for connecting the circuit board, the semiconductor element, and the circuit board or the semiconductor element to the external connection terminal.
청구항 1에 있어서,
상기 반도체 소자가 실장된 회로 기판이 수용된 수지 케이스의 내부를 밀봉하는 밀봉부재를 더 포함하는 전력 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
And a sealing member sealing the inside of the resin case accommodating the circuit board on which the semiconductor element is mounted.
청구항 1에 있어서,
상기 반도체 소자가 실장된 회로 기판이 수용된 수지 케이스의 상부를 덮는 덮개를 더 포함하는 전력 모듈 패키지.
The method according to claim 1,
And a cover covering an upper portion of the resin case accommodating the circuit board on which the semiconductor element is mounted.
측면에 결합부를 갖는 금속판을 준비하는 단계;
외부접속단자와 상기 금속판을 수지 케이스와 일체 성형하여 상기 금속판의 결합부와 상기 수지 케이스의 내측이 결합된 형태로 상기 금속판에 의해 상기 수지 케이스의 저부를 밀봉시키는 단계; 및
상기 수지 케이스 내의 금속판 상에 반도체 소자가 실장된 회로 기판을 배치하는 단계;
를 포함하는 전력 모듈 패키지의 제조방법.
Preparing a metal plate having a coupling portion on a side surface thereof;
Sealing the bottom of the resin case with the metal plate in such a manner that the metal plate is integrally formed with the resin case and the joint part of the metal plate is coupled with the inside of the resin case; And
Disposing a circuit board on which a semiconductor element is mounted on a metal plate in the resin case;
≪ / RTI >
청구항 7에 있어서,
상기 금속판의 결합부는 금속판의 측면을 기계적으로 가공하여 형성되는 전력 모듈 패키지의 제조방법.
The method of claim 7,
Wherein the connecting portion of the metal plate is formed by mechanically machining a side surface of the metal plate.
청구항 7에 있어서,
상기 일체 성형은 인서트 사출 성형에 의해 수행되는 전력 모듈 패키지의 제조방법.
The method of claim 7,
Wherein the integral molding is performed by insert injection molding.
청구항 7에 있어서,
상기 금속판의 결합부는 홈부 또는 돌출부를 갖는 전력 모듈 패키지의 제조방법.
The method of claim 7,
Wherein the engaging portion of the metal plate has a groove portion or a protrusion portion.
청구항 10에 있어서,
상기 홈부 및 돌출부는 원형 또는 다각형의 단면 형상을 갖는 전력 모듈 패키지의 제조방법.
The method of claim 10,
Wherein the groove and the protrusion have a circular or polygonal cross-sectional shape.
청구항 7에 있어서,
상기 회로 기판을 배치하는 단계 이후에,
상기 회로 기판과 상기 반도체 소자, 및 상기 회로 기판 또는 반도체 소자와 상기 외부접속단자를 와이어 본딩에 의해 접속시키는 단계를 더 포함하는 전력 모듈 패키지의 제조방법.
The method of claim 7,
After the step of arranging the circuit board,
And connecting the circuit board, the semiconductor element, and the circuit board or semiconductor element to the external connection terminal by wire bonding.
청구항 7에 있어서,
상기 반도체 소자가 실장된 회로 기판이 수용된 상기 수지 케이스의 내부를 밀봉부재를 이용하여 밀봉하는 단계를 더 포함하는 전력 모듈 패키지의 제조방법.
The method of claim 7,
And sealing the inside of the resin case accommodating the circuit board on which the semiconductor element is mounted using a sealing member.
청구항 7에 있어서,
상기 반도체 소자가 실장된 회로 기판이 수용된 상기 수지 케이스의 상부를 덮개로 커버하는 단계를 더 포함하는 전력 모듈 패키지의 제조방법.
The method of claim 7,
And covering the upper portion of the resin case housing the circuit board on which the semiconductor element is mounted with a lid.
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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0661748A1 (en) * 1993-12-28 1995-07-05 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
JP3168901B2 (en) * 1996-02-22 2001-05-21 株式会社日立製作所 Power semiconductor module
US20130175703A1 (en) * 2010-10-07 2013-07-11 Nissan Motor Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD866891S1 (en) 2016-01-22 2019-11-12 3M Innovative Properties Company Scouring article
JP2018206825A (en) * 2017-05-31 2018-12-27 新電元工業株式会社 Electronic module

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