KR20160034861A - Supporting substrate for light eimming device and method of manufacturing a light emitting device using the same - Google Patents

Supporting substrate for light eimming device and method of manufacturing a light emitting device using the same Download PDF

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KR20160034861A KR1020160012325A KR20160012325A KR20160034861A KR 20160034861 A KR20160034861 A KR 20160034861A KR 1020160012325 A KR1020160012325 A KR 1020160012325A KR 20160012325 A KR20160012325 A KR 20160012325A KR 20160034861 A KR20160034861 A KR 20160034861A
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이성현
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Abstract

The present disclosure relates to a supporting substrate for a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the semiconductor light emitting device having the same. The supporting substrate includes a support layer which is integrated with a plurality of semiconductor layers on an opposite side of a growth substrate based on the plurality of semiconductor layers; a warpage preventing layer which is formed on the opposite side of the plurality of semiconductor layers based on the support layer and prevents the warpage of the plurality of semiconductor layers having no grow substrate; and a separation layer which fixes the warpage preventing layer to the support layer and separates the warpage preventing layer from the support layer by energy supplied from the outside after the growth substrate is removed from the plurality of semiconductor layers.

Description

반도체 발광소자용 지지 기판 및 이를 이용하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법{SUPPORTING SUBSTRATE FOR LIGHT EIMMING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a support substrate for a semiconductor light-emitting device, and a method of manufacturing a semiconductor light-

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자용 지지 기판 및 이를 이용하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 성장 기판 제거 후 복수의 반도체층의 휨(bowing)을 줄일 수 있는 반도체 발광소자용 지지 기판 및 이를 이용하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a support substrate for a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing a semiconductor light emitting device using the same, and more particularly to a semiconductor light emitting device using a support for a semiconductor light emitting device capable of reducing bowing of a plurality of semiconductor layers after removal of a growth substrate. And a method of manufacturing a semiconductor light emitting device using the same.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체(GaN, GaAs, InP 등) 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting element refers to a semiconductor (GaN, GaAs, InP, etc.) optical element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The Group III nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 3족 질화물 반도체 발광소자가 예시되어 있다. 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되며 제1 도전성을 제1 반도체층(300; 예: Si 도핑된 GaN), 제1 반도체층(300) 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합을 이용하여 빛을 생성하는 활성층(400; 예: InGaN/(In)GaN 다중양자우물구조), 활성층(400) 위에 성장되며 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: Mg 도핑된 GaN), 제2 반도체층(500) 위에 형성되는 전극(700), 제2 반도체층(500)과 활성층(400)이 메사식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 형성되는 전극(800), 그리고 보호막(900)을 포함한다. 보호막(900)은 이산화규소와 같은 물질로 형성되며, 생략될 수도 있다. 바람직하게는, 반도체층(300,400,500)의 막질 향상을 위한 버퍼층(200)과, 원활한 전류 확산을 위한 전류 확산 전극(600; 예: ITO)이 구비된다. 제1 반도체층(300; 예: Si 도핑된 GaN)과 제2 반도체층(500; 예: Mg 도핑된 GaN)의 위치는 바뀔 수 있다.FIG. 1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device, which is an example of a group III nitride semiconductor light emitting device. The Group III nitride semiconductor light emitting device is grown on a substrate 100 and a substrate 100 and a first conductivity is grown on the first semiconductor layer 300 (e.g., Si-doped GaN), the first semiconductor layer 300, An active layer 400 (e.g., InGaN / (In) GaN multiple quantum well structure) that generates light using recombination of holes, a second semiconductor layer 400 grown on the active layer 400 and having a second conductivity different from the first conductivity The first semiconductor layer 300 exposed by mesa etching the second semiconductor layer 500 and the active layer 400 is formed on the second semiconductor layer 500, An electrode 800 formed on the substrate 800, and a protective film 900. The protective film 900 is formed of a material such as silicon dioxide and may be omitted. Preferably, the buffer layer 200 for improving the film quality of the semiconductor layers 300, 400 and 500 and the current diffusion electrode 600 (for example, ITO) for smooth current diffusion are provided. The positions of the first semiconductor layer 300 (e.g., Si doped GaN) and the second semiconductor layer 500 (e.g., Mg doped GaN) may be changed.

도 2는 미국특허 제5,008,718호에 제시된 수직형 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 제1 도전성을 가지는 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 반도체층(500), 성장 기판이 제거된 측에 형성된 전극(800), 반도체층(500)에 전류를 공급하는 한편 반도체층(300,400,500)을 지지하는 지지 기판(S), 그리고 지지 기판(S)에 형성된 전극(700)을 포함한다. 전극(800)은 와이어 본딩을 이용해 외부와 전기적으로 연결된다.FIG. 2 is a diagram showing an example of a vertical type semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 5,008,718. The semiconductor light emitting device includes a semiconductor layer 300 having a first conductivity, an active layer A semiconductor layer 500 having a second conductivity different from that of the first conductivity, an electrode 800 formed on the side where the growth substrate is removed, and a semiconductor layer 300, 400, 500 while supplying current to the semiconductor layer 500 A support substrate S for supporting the substrate S, and an electrode 700 formed on the support substrate S. The electrode 800 is electrically connected to the outside using wire bonding.

도 3은 미국 등록특허공보 제8,008,683호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 제1 도전성을 가지는 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 반도체층(500)을 포함한다. 전류는 제1 반도체층(300)과 전기적으로 연통하는 전극 또는 전기적 연결(810)과, 제2 반도체층(500)과 전기적으로 연통하는 전극(700)에 의해 공급된다. 전극 또는 전기적 연결(810)은 비아 홀(H)을 통해 제1 반도체층(300)과 전기적으로 연결되어, 보호막 또는 절연층(910)에 의해 타 반도체층(400,500)과 전기적으로 절연되어 있다. 전극(700)은 전류 확산 전극 또는 금속 반사막(610; 예: TIO, Ag, Al)을 통해 제2 반도체층(500)과 전기적으로 연결되어 있다. 전극(700)은 와이어 본딩을 이용해 외부와 전기적으로 연결된다. 다만, 도 2에 도시된 반도체 발광소자와 달리, 전극(800; 도 2 참조)이 제1 반도체층(300) 위에 형성되어 있지 않으므로, 전극(800)에 의한 광 흡수를 방지하고, 와이어에 의한 광 흡수를 줄일 수 있게 된다. 지지 기판(S)은 웨이퍼 본딩, 도금 및/또는 증착을 통해 형성될 수 있으며, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등과 같은 물질로 된 웨이퍼로 이루어지거나, 구리(Cu-copper), 금(Au-gold), 니켈(Ni-nickel), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속 또는 금속합금을 도금 및/또는 증착함으로써 형성할 수 있고, 그 방법에 특별한 제한이 있는 것은 아니다.FIG. 3 shows an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 8,008,683, wherein the semiconductor light emitting device includes a semiconductor layer 300 having a first conductivity, an active layer 300 that generates light through recombination of electrons and holes, (400), and a semiconductor layer (500) having a second conductivity different from the first conductivity. The current is supplied by an electrode or electrical connection 810 in electrical communication with the first semiconductor layer 300 and by an electrode 700 in electrical communication with the second semiconductor layer 500. The electrode or the electrical connection 810 is electrically connected to the first semiconductor layer 300 through the via hole H and is electrically insulated from the other semiconductor layers 400 and 500 by the protective layer or the insulating layer 910. The electrode 700 is electrically connected to the second semiconductor layer 500 through a current diffusion electrode or a metal reflective layer 610 (e.g., TIO, Ag, Al). The electrode 700 is electrically connected to the outside using wire bonding. 2) is not formed on the first semiconductor layer 300, unlike the semiconductor light emitting device shown in FIG. 2, absorption of light by the electrode 800 is prevented, Light absorption can be reduced. The support substrate S may be formed by wafer bonding, plating and / or vapor deposition, and may be formed of a wafer made of a material such as Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, or the like, a metal or a metal alloy such as nickel, nickel, molybdenum, and copper-tungsten (Cu-W), and there is a special limitation to the method no.

이러한 종래의 반도체 발광소자에서 성장 기판이 제거되면, 지지 기판(S)이 존재하더라도 최종 제품에 이르기에 앞서, 웨이퍼 상태의 반도체 발광소자에서 휨(bowing)이 발생한다. 이러한 휨은, 성장 기판의 제거 후에 행해지는 포토레지스트 패턴 공정, 건식 식각 공정, 패시베이션 막 증착 공정, 전극 패드 증착 공정 등에 문제를 야기하여 공정 자동화를 어렵게 하고, 수율을 저하시킬 수 있다.When the growth substrate is removed from such a conventional semiconductor light emitting device, bowing occurs in the semiconductor light emitting device in a wafer state before reaching the final product even if the support substrate S is present. Such deflection may cause problems such as a photoresist pattern process, a dry etching process, a passivation film deposition process, and an electrode pad deposition process, which are performed after removal of the growth substrate, thereby making the process automation difficult and reducing the yield.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자용 지지 기판;으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하며 성장 기판에 형성되는 복수의 반도체층으로부터, 성장 기판을 제거할 때 복수의 반도체층을 지지하도록 사용되는, 반도체 발광소자용 지지 기판에 있어서, 복수의 반도체층을 기준으로 성장 기판의 반대 측에서 복수의 반도체층과 일체화되는 지지층; 지지층을 기준으로 복수의 반도체층의 반대 측에 구비되며, 성장 기판이 제거된 복수의 반도체층의 휨을 억제하는 휨 억제층; 그리고, 휨 억제층을 지지층에 고정시키며, 복수의 반도체층으로부터 성장 기판이 제거된 후 외부로부터 공급되는 에너지에 의해 지지층으로부터 휨 억제층을 분리시키는 분리층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판이 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a supporting substrate for a semiconductor light emitting device, comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; And a plurality of semiconductor layers formed on the growth substrate and having an active layer interposed between the first and second semiconductor layers to generate light through recombination of electrons and holes, A supporting layer which is integrated with the plurality of semiconductor layers on the opposite side of the growth substrate with respect to the plurality of semiconductor layers; A bending inhibiting layer provided on an opposite side of the plurality of semiconductor layers with respect to the supporting layer and suppressing warping of the plurality of semiconductor layers from which the growth substrate is removed; And a separation layer for fixing the bending inhibiting layer to the supporting layer and separating the bending inhibiting layer from the supporting layer by energy supplied from the outside after the growth substrate is removed from the plurality of semiconductor layers, Is provided.

본 개시에 따른 또 다른 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 성장 기판에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수의 반도체층을 형성하는 단계; 복수의 반도체층에 부착되는 지지층, 성장 기판이 제거된 복수의 반도체층의 휨을 억제하는 휨 억제층, 및 지지층과 휨 억제층을 고정시키고 이후 분리시키는 분리층을 구비하는 지지 기판을, 복수의 반도체층에 부착하는 단계; 복수의 반도체층으로부터 성장 기판을 제거하는 단계; 그리고, 분리층에 에너지를 가하여 지지층으로부터 휨 억제층을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제공된다.According to another aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising the steps of: forming a first semiconductor layer having a first conductivity on a growth substrate; Forming a plurality of semiconductor layers having a first semiconductor layer, a second semiconductor layer having conductivity, and an active layer interposed between the first and second semiconductor layers to generate light through recombination of electrons and holes; A support substrate having a support layer attached to a plurality of semiconductor layers, a bending inhibiting layer for suppressing bending of a plurality of semiconductor layers from which a growth substrate has been removed, and a separation layer for fixing and separating the support layer and the bending inhibiting layer, Layer; Removing the growth substrate from the plurality of semiconductor layers; And separating the bending inhibiting layer from the supporting layer by applying energy to the separating layer.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국특허 제5,008,718호에 제시된 수직형 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 미국 등록특허공보 제8,008,683호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 지지 기판에 복수의 반도체층이 고정된 상태의 일 예를 나타내는 도면,
도 5 내지 도 8은 본 개시에 따른 지지 기판을 이용한 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 설명하는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 제조된 반도체 발광소자 웨이퍼와 비교예를 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device,
2 is a view showing an example of a vertical type semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 5,008,718,
3 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 8,008,683,
4 is a view showing an example of a state in which a plurality of semiconductor layers are fixed to a support substrate for a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
5 to 8 are views for explaining an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device using a supporting substrate according to the present disclosure,
9 is a view showing a comparative example of the semiconductor light emitting device wafer manufactured according to the present disclosure.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 지지 기판에 복수의 반도체층이 고정된 상태의 일 예를 나타내는 도면이다. 반도체 발광소자를 구성하는 복수의 반도체층(30,40,50)은 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN), 및 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50) 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예: InGaN/GaN 다중양자우물구조)을 구비한다. 제1 반도체층(30) 및 제2 반도체층(50)은 다층 구조로 이루어질 수 있으며, 복수의 반도체층(30,40,50) 내외에 다른 물질로 된 층(예: 버퍼층, ITO 전류 확산 전극)이 구비될 수도 있다. 후술하는 바와 같이, 복수의 반도체층(30,40,50)은 성장 기판을 이용하여 성장된다. 성장 기판은 복수의 반도체층(30,40,50)이 성장가능하다면 특별히 제한되지 않으며, 복수의 반도체층(30,40,50)을 이루는 물질을 고려하여 선택되며, 예를 들어, Si, SiC, GaAs, Al2O3, ZnO로 이루어질 수 있다. 복수의 반도체층(30,40,50)이 3족 질화물 반도체로 이루어지는 경우에, 사파이어(Al2O3) 기판이 주로 사용되고 있다. 본 개시에 따른 반도체 발광소자용 지지 기판(1,2,3)은 복수의 반도체층(30,40,50)과 일체화되는 지지층(1), 성장 기판이 제거된 복수의 반도체층(30,40,50)의n휨을 억제하도록 지지층(1)을 기준으로 복수의 반도체층(30,40,50)의 반대 측에 구비되는 휨 억제층(3), 그리고 휨 억제층(3)을 지지층(1)에 고정시키며, 이후, 휨 억제층(3)을 지지층(1)으로부터 분리하는 분리층(2)을 구비한다. 복수의 반도체층(30,40,50)과 지지 기판(1,2,3)은 예를 들어, 웨이퍼 본딩법을 이용하여 서로 일체화될 수 있다. 예를 들어, Au/Sn 합금을 이용하는 유테틱 본딩을 이용할 수 있다. 유테틱 본딩 물질은 복수의 반도체(30,40,50) 측 및 지지 기판(1,2,3) 측 중의 일 측 또는 양 측에 구비될 수 있다. 지지 기판(1,2,3)을 준비하는 과정에서 본딩 물질이 지지층(1)에 미리 준비될 수 있으며, 따라서 지지 기판(1,2,3)은 추가적으로 지지층(1) 측에 Au/Sn, Au와 같은 본딩 물질 또는 본딩층(4)을 구비할 수 있다. 제1 반도체층(30)에 전자와 정공 중의 하나를 공급하는 전극(80)이 구비되어 있으며, 지지층(1)이 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하도록 기능할 수 있다. 도 3에 제시된 구조를 가지는 것도 가능하며, 복수의 반도체층과 여기에 형성되는 전극의 형태에 특별한 제한이 있는 것은 아니다.4 is a view showing an example of a state in which a plurality of semiconductor layers are fixed to a support substrate for a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. The plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 constituting the semiconductor light emitting device are formed by a first semiconductor layer 30 (e.g., n-type GaN) having a first conductivity, a second semiconductor Layer 50 (e.g., p-type GaN), and an active layer 40 (e.g., InGaN / GaN) interposed between the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 to generate light through recombination of electrons and holes, GaN multiple quantum well structure). The first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 may have a multi-layered structure. The first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 may include a layer made of a different material inside or outside the plurality of semiconductor layers 30, May be provided. As described later, the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 are grown using a growth substrate. The growth substrate is not particularly limited as long as a plurality of semiconductor layers 30, 40, 50 can be grown, and is selected in consideration of a material constituting the plurality of semiconductor layers 30, 40, 50. For example, Si, SiC , GaAs, Al 2 O 3 , and ZnO. In the case where the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 are made of a group III nitride semiconductor, a sapphire (Al 2 O 3 ) substrate is mainly used. The supporting substrate (1, 2, 3) for a semiconductor light emitting device according to the present disclosure includes a support layer (1) integrated with a plurality of semiconductor layers (30, 40, 50), a plurality of semiconductor layers The warpage suppressing layer 3 provided on the opposite side of the plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50 with respect to the supporting layer 1 so as to suppress the n deflection of the supporting layer 1 And thereafter separating the bending inhibiting layer 3 from the supporting layer 1. The separating layer 2 is made of the same material as that of the supporting layer 1, The plurality of semiconductor layers 30, 40, 50 and the support substrates 1, 2, 3 may be integrated with each other using, for example, a wafer bonding method. For example, eutectic bonding using an Au / Sn alloy can be used. The eutectic bonding material may be provided on one side or both sides of the plurality of semiconductors 30, 40, 50 and the supporting substrate 1, 2, 3. In the process of preparing the supporting substrates 1, 2 and 3, the bonding material may be prepared in advance in the supporting layer 1, and thus the supporting substrates 1, A bonding material such as Au or a bonding layer 4 may be provided. The first semiconductor layer 30 is provided with an electrode 80 for supplying one of electrons and holes, and the supporting layer 1 can function to supply the remaining one of electrons and holes. It is also possible to have the structure shown in Fig. 3, and there is no particular limitation on the form of the plurality of semiconductor layers and the electrode formed thereon.

바람직하게는, 휨 억제층(3)을 광 투과성 물질(예: 사파이어, GaN, SiC, ZnO, 글라스, AlN)로 구성함으로써, 휨 억제층(3)을 지지층(1)으로부터 분리할 때, 레이저 리프트-오프 기법을 사용할 수 있게 된다. 성장 기판이 광 투과성 물질로 이루어지는 경우에, 성장 기판의 분리와 휨 억제층(3)의 분리에 동일한 공정(레이저 리프트-오프 기법)을 이용함으로써, 공정 및 공정 비용상의 여러 이점을 가질 수 있게 된다. 레이저 리프트-오프 기법은 당업자에게 잘 알려져 있는 기술이다. 휨 억제층(3)의 두께는 복수의 반도체층의 휨을 억제할 수 있을 정도의 두께라면 특별한 제한은 없으며, 재질에 따라 달라질 수 있지만, 지지 기판(1,2,3) 전체로 100㎛ 이상의 두께를 가져서, 복수의 반도체층의 휨에 억제력을 부여할 수 있게 된다. 지지층(1) 자체가 100㎛의 두께를 가지는 것이 바람직하다. 이외에도 휨 억제층(3)은 Si, Ge, GaAs, Al, Mo, MoCu, W, WCu, Cu, Ni, Sus, Ti, 또는 상기 물질들의 조합으로서 합금 또 적층으로서 이루어질 수 있다.Preferably, when the bending inhibiting layer 3 is separated from the supporting layer 1 by constituting the bending inhibiting layer 3 with a light-transmitting substance (e.g., sapphire, GaN, SiC, ZnO, glass, AlN) The lift-off technique can be used. When the growth substrate is made of a light-transmitting material, by using the same process (laser lift-off technique) for separation of the growth substrate and separation of the bending inhibiting layer 3, it is possible to have various advantages in process and process cost . The laser lift-off technique is a technique well known to those skilled in the art. The thickness of the bending inhibiting layer 3 is not particularly limited as long as the thickness of the bending inhibiting layer 3 is sufficient to suppress warpage of the plurality of semiconductor layers and may vary depending on the material. It is possible to impart restraining force to the warpage of the plurality of semiconductor layers. It is preferable that the support layer 1 itself has a thickness of 100 mu m. Alternatively, the flexural restraining layer 3 may be made of an alloy or a laminate of Si, Ge, GaAs, Al, Mo, MoCu, W, WCu, Cu, Ni, Sus, Ti or a combination of these materials.

지지층(1)을 구성하는 물질(예: Si)에는 특별한 제한이 없으나(도 3과 관련하여 예시한 다양한 물질로 구성될 수 있다.), 레이저 리프트-오트 기법으로 휨 억제층(3)을 제거하는 경우에, 분리층(2)에서 분리가 잘 일어나도록 불투명한 물질로 이루질 수 있다. 한편 지지층(1)을 도전체(예: 금속, 금속함금, 도핑된 반도체)로 구성함으로써, 지지 기판(1,2,3)을 통해 전자 및 전공 중의 하나를 복수의 반도체층(30,40,50)으로 공급할 수 있게 된다. 지지층(1)은 예를 들어, Si, Ge, GaAs, Al, Mo, MoCu, W, WCu, Cu, Ni, Sus, Ti 또는 상기 물질들의 조합으로서 합금 또는 이들의 적층으로 이루어질 수 있으며, 그 두께에 특별한 제한이 있는 것은 아니지만, 칩 절단 공정을 위해 200um이하의 두께를 가지는 것이 일반적이다.There is no particular limitation on the material (for example, Si) constituting the support layer 1 (it may be composed of various materials exemplified in connection with Fig. 3), but the bending inhibiting layer 3 is removed by the laser lift- , It may be made of a material which is opaque so that separation in the separation layer (2) takes place well. On the other hand, since the support layer 1 is made of a conductor (e.g., metal, metal alloy, doped semiconductor), one of the electrons and electrons is supported by the plurality of semiconductor layers 30, 50). The support layer 1 may be made of, for example, Si, Ge, GaAs, Al, Mo, MoCu, W, WCu, Cu, Ni, Sus, Ti, There is no particular limitation, but it is general to have a thickness of 200 [mu] m or less for the chip cutting process.

분리층(2)은 지지층(1)과 휨 억제층(3)을 부착시키고, 이후 레이저 리프트-오프, 습식 식각, 열에 의한 분리, 기계적 연마, 기계적 가압 등의 방법으로 지지층(1)과 휨 억제층(3)을 분리 또는 제거시킬 수 있는 물질이라면 특별한 제한은 없으며, 예를 들어, AuSn, AgSn, NiSn, CuSn, AgSnCu, AuIn, AuGe, AuSi, AlGe과 같은 금속 합금으로 이루어지거나, In, Pb, Sn과 같은 금속으로 이루어질 수 있다. 또한 분리층(2)으로 합성수지로 된 양면 테이프, 점착제 또는 접착제(예: 폴리이미드, Temploc)를 이용하여 지지층(1)과 휨 억제층(3)을 접합 및 분리하는 것도 가능하다. 예를 들어, 지지층(1; 예: MoCu)과 휨 억제층(3; 예: 사파이어) 각각에 AuSn을 e-beam 증착, 도금, 열(thermal) 증착 등의 방법으로 1.5㎛ 정도의 두께로 형성한 다음, 웨이퍼 본딩 장비를 이용하여 300℃ 온도에서 20kg/cm2 이상의 압력을 10분이상 가해주면 본딩이 이루어진다. 지지층(1) 및 휨 억제층(3) 중의 한 쪽에 Au를, 나머지 한 쪽에 Sn을 형성할 수도 있다. KrF laser를 이용하여 900mJ/cm2의 조건에서 휨 억제층(3) 측으로부터 레이저를 조사해 주면 지지층(1)과 휨 억제층(3)이 분리될 수 있다. 이 때, 휨 억제층(3)으로 양면 연마된(polished) 또는 경면화된 기판을 사용함으로써, 레이저 조사의 효율을 높일 수 있게 된다. 폴리이미드와 같은 수지제로 분리층(2)이 이루어진 경우에, 적절한 식각액으로 이를 제거하는 것도 가능하다. 또한 유테틱 본딩 온도보다 높은 온도의 열을 가함으로써 이들을 분리하는 것도 가능하다. 또한 합성 수지가 접합력을 유지하는 이하의 온도 상태에 지지 기판을 둠으로써 접합력을 잃게 하여 분리하는 것도 가능하다. 본딩층(4)도 지지층(1; 예: MoCu)에 AuSn을 e-beam 증착, 도금, 열(thermal) 증착 등의 방법으로 1.5㎛ 정도의 두께로 형성할 수 있다.The separating layer 2 is formed by adhering the supporting layer 1 and the bending inhibiting layer 3 and then applying the supporting layer 1 and the bending inhibiting layer 3 by a method such as laser lift-off, wet etching, heat separation, mechanical polishing, The metal layer may be made of a metal alloy such as AuSn, AgSn, NiSn, CuSn, AgSnCu, AuIn, AuGe, AuSi or AlGe, , Sn, and the like. It is also possible to bond and separate the support layer 1 and the bending inhibiting layer 3 using a double-faced tape, a pressure-sensitive adhesive or an adhesive (for example, polyimide or Temploc) made of synthetic resin as the separation layer 2. For example, AuSn is formed to a thickness of about 1.5 탆 by e-beam deposition, plating, thermal deposition or the like on each of the support layer 1 (for example, MoCu) and the bending inhibiting layer 3 Then, the bonding is performed by applying a pressure of 20 kg / cm 2 or more at 300 ° C. for 10 minutes or more using a wafer bonding equipment. Au may be formed on one of the support layer 1 and the bending inhibiting layer 3, and Sn may be formed on the other. When the laser beam is irradiated from the side of the bending inhibiting layer 3 under the condition of 900 mJ / cm 2 using the KrF laser, the supporting layer 1 and the bending inhibiting layer 3 can be separated. At this time, by using a polished or mirror-polished substrate as the bending inhibiting layer 3, the laser irradiation efficiency can be increased. When a resin-made separating layer 2 such as polyimide is formed, it is also possible to remove it with an appropriate etching solution. It is also possible to separate them by applying heat at a temperature higher than the eutectic bonding temperature. It is also possible to separate the bonding resin by losing the bonding force by placing the supporting substrate in the following temperature state where the synthetic resin maintains the bonding force. The bonding layer 4 may also be formed to have a thickness of about 1.5 탆 by e-beam deposition, plating, thermal deposition or the like on the support layer 1 (e.g., MoCu).

분리층(2)을 구성하는 물질들의 조성과 유테틱 온도를 아래 표 1에 예시하였다.The composition of the materials constituting the separation layer 2 and the elliptic temperature are shown in Table 1 below.

Eutectic alloyEutectic alloy Eutectic compositionEutectic composition Eutectic temperatureEutectic temperature Au-InAu-In 0.6 / 99.4 wt-%0.6 / 99.4 wt-% 156℃156 ℃ Cu-SnCu-Sn 5 / 95 wt-%5/95 wt-% 231℃231 ° C Au-SnAu-Sn 80 / 20 wt-%80/20 wt-% 280℃280 ℃ Au-GeAu-Ge 28 / 72 wt-%28/72 wt-% 361℃361 ° C Au-SiAu-Si 97.15 / 2.85 wt-%97.15 / 2.85 wt-% 370℃370 ° C Al-GeAl-Ge 49 / 51 wt-%49/51 wt-% 419℃419 DEG C Al-SiAl-Si 87.5 / 12.5 wt-%87.5 / 12.5 wt-% 580℃580 ° C

이외에도 분리층(2)은 Epoxies(EPO), Polyimides(PI or PSPI), Benzocyclobutene(BCB), Polybenzoxazole(PBO), Silicones(Siloxanes) 등의 물질로 이루어질 수 있다. 통상의 이러한 물질들은 그 용도에 맞게끔 주문되어 사용된다.In addition, the separation layer 2 may be made of a material such as Epoxies (EPO), Polyimides (PI or PSPI), Benzocyclobutene (BCB), Polybenzoxazole (PBO), Silicones (Siloxanes) These materials are customarily used for their intended use.

도 5 내지 도 8은 본 개시에 따른 지지 기판을 이용한 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 설명하는 도면으로서, 먼저, 도 5에 도시된 바와 같이, 성장 기판(10) 위에, 복수의 반도체층(30,40,50)을 성장시킨다. 다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 지지 기판(1,2,3)을 구성하는 지지층(1), 분리층(2) 및 휨 억제층(3)을 복수의 반도체층(30,40,50)에 형성한다. 이 때, 본딩층(4)을 이용한 유테틱 본딩이 이용될 수 있다. 다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 성장 기판(10; 도 6 참조)이 제거되고, 전극(80) 형성, 거친 표면 형성, 아이솔레이션 공정, 패시베이션 막 형성과 같은 후속 공정이 행해진다. 마지막으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 휨 억제층(3)이 지지층(1)으로부터 분리된다. 지지층(1)의 아래에 전극을 별도로 형성하는 것도 가능하다. 이후, 스크라이빙 공정 등을 거쳐, 웨이퍼 상태에서 개별 칩으로 제조된다.5 to 8 are diagrams for explaining an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device using the supporting substrate according to the present disclosure. First, as shown in Fig. 5, a plurality of semiconductors The layers 30, 40, and 50 are grown. 6, the supporting layer 1, the separating layer 2, and the bending inhibiting layer 3 constituting the supporting substrates 1, 2 and 3 are divided into a plurality of semiconductor layers 30, 40, 50). At this time, eutectic bonding using the bonding layer 4 may be used. Next, as shown in Fig. 7, the growth substrate 10 (see Fig. 6) is removed, and subsequent processes such as electrode formation 80, rough surface formation, isolation process, and passivation film formation are performed. Finally, as shown in Fig. 8, the bending inhibiting layer 3 is separated from the supporting layer 1. Fig. It is also possible to separately form an electrode under the support layer 1. [ Thereafter, they are manufactured into individual chips in a wafer state via a scribing process or the like.

도 9는 본 개시에 따른 제조된 반도체 발광소자 웨이퍼와 비교예를 나타내는 도면으로서, 비교예(a)의 경우에, 성장 기판의 제거 후 웨이퍼의 휨이 심하다는 것을 알 수 있으며, 반면 본 개시에 따른 웨이퍼(b)의 경우에 휨이 거의 발생하지 않았음을 알 수 있다. 여기서, 성장 기판으로 6인치 사파이어 기판이 사용되었으며, 지지층으로 100㎛ 두께를 가지는 MoCu 기판이 되었고, 휨 억제층으로 양면 폴리싱된 6인치 직경, 650㎛ 두께를 가지는 사파이어 기판이 사용되었다.9 is a diagram showing a comparative example with a semiconductor light emitting device wafer manufactured according to the present disclosure. In the case of the comparative example (a), it can be seen that warping of the wafer is severe after removal of the growth substrate, It can be seen that almost no warpage occurs in the case of the wafer (b). Here, a 6-inch sapphire substrate was used as a growth substrate, a MoCu substrate having a thickness of 100 탆 as a support layer, and a sapphire substrate having a 6-inch diameter and a 650 탆 thickness, both surfaces of which were polished as a bending inhibiting layer, were used.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자용 지지 기판;으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하며 성장 기판에 형성되는 복수의 반도체층으로부터, 성장 기판을 제거할 때 복수의 반도체층을 지지하도록 사용되는, 반도체 발광소자용 지지 기판에 있어서, 복수의 반도체층을 기준으로 성장 기판의 반대 측에서 복수의 반도체층과 일체화되는 지지층; 지지층을 기준으로 복수의 반도체층의 반대 측에 구비되며, 성장 기판이 제거된 복수의 반도체층의 휨을 억제하는 휨 억제층; 그리고, 휨 억제층을 지지층에 고정시키며, 복수의 반도체층으로부터 성장 기판이 제거된 후 외부로부터 공급되는 에너지에 의해 지지층으로부터 휨 억제층을 분리시키는 분리층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판. 여기서 공급되는 에너지는 레이저(광학 에너지), 히터(열 에너지), 습식 식각(화학 에너지), 휨 억제층의 기계적 연마, 기계적 shear stress 등일 수 있으며, 휨 억제층이 제거되도록 외부로부터 공급되는 것으로 족하고, 그 형태에 특별히 제한이 있는 것은 아니다.(1) A supporting substrate for a semiconductor light emitting device, comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; and a second semiconductor layer Which is used for supporting a plurality of semiconductor layers when removing a growth substrate from a plurality of semiconductor layers formed on a growth substrate and having an active layer for generating light through recombination of electrons and holes, A supporting layer integrated with the plurality of semiconductor layers on the opposite side of the growth substrate with respect to the plurality of semiconductor layers; A bending inhibiting layer provided on an opposite side of the plurality of semiconductor layers with respect to the supporting layer and suppressing warping of the plurality of semiconductor layers from which the growth substrate is removed; And a separation layer for fixing the bending inhibiting layer to the supporting layer and separating the bending inhibiting layer from the supporting layer by energy supplied from the outside after the growth substrate is removed from the plurality of semiconductor layers, Supporting substrate. The energy supplied here can be laser (optical energy), heater (thermal energy), wet etching (chemical energy), mechanical polishing of the flexural restraining layer, mechanical shear stress and the like, , And the form thereof is not particularly limited.

(2) 휨 억제층은 광 투과성인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.(2) The supporting substrate for a semiconductor light-emitting element, wherein the bending inhibiting layer is light-transmitting.

(3) 지지층은 불투명한 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.(3) The support substrate for a semiconductor light-emitting element is characterized in that the support layer is opaque.

(4) 지지층은 도전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.(4) The support substrate for a semiconductor light-emitting element, wherein the support layer comprises a conductor.

(5) 휨 억제층은 사파이어, GaN, SiC, ZnO로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.(5) The support substrate for a semiconductor light-emitting device according to (5), wherein the bending inhibiting layer is one selected from the group consisting of sapphire, GaN, SiC and ZnO.

(6) 지지층은 Si을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.(6) The supporting substrate for a semiconductor light-emitting element, wherein the supporting layer contains Si.

(7) 지지층은 금속 또는 금속합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.(7) The supporting substrate for a semiconductor light-emitting element, wherein the supporting layer is made of a metal or a metal alloy.

(8) 분리층은 휨 방지층을 통과한 빛에 의해 분리되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.(8) The supporting substrate for a semiconductor light-emitting element according to any one of (8) to (9), wherein the separation layer is made of a material separated by light passing through the bending prevention layer.

(9) 지지층은 복수의 반도체층에 일체화되는 측에 복수의 반도체층과 접합되는 본딩층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.(9) The supporting substrate for a semiconductor light emitting device according to any one of the above (1) to (10), further comprising a bonding layer bonded to the plurality of semiconductor layers on a side where the supporting layer is integrated with the plurality of semiconductor layers.

(10) 성장 기판에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수의 반도체층을 형성하는 단계; 복수의 반도체층에 부착되는 지지층, 성장 기판이 제거된 복수의 반도체층의 휨을 억제하는 휨 억제층, 및 지지층과 휨 억제층을 고정시키고 이후 분리시키는 분리층을 구비하는 지지 기판을, 복수의 반도체층에 부착하는 단계; 복수의 반도체층으로부터 성장 기판을 제거하는 단계; 그리고, 분리층에 에너지를 가하여 지지층으로부터 휨 억제층을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(10) A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: (a) forming a first semiconductor layer having a first conductivity on a growth substrate, a second semiconductor layer having a second conductivity different from that of the first conductivity, Forming a plurality of semiconductor layers having an active layer that generates light through recombination; A support substrate having a support layer attached to a plurality of semiconductor layers, a bending inhibiting layer for suppressing bending of a plurality of semiconductor layers from which a growth substrate has been removed, and a separation layer for fixing and separating the support layer and the bending inhibiting layer, Layer; Removing the growth substrate from the plurality of semiconductor layers; And separating the bending inhibiting layer from the supporting layer by applying energy to the separating layer.

(11) 분리하는 단계에서, 에너지는 레이저에 의한 광 조사에 의해 가해지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(11) In the step of separating, the energy is applied by light irradiation by a laser.

(12) 부착하는 단계에서, 지지 기판은 복수의 반도체층에 유테틱 본딩되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(12), the support substrate is subjected to eutectic bonding to a plurality of semiconductor layers.

(13) 휨 억제층으로, 양면 연마된 광 투광성 휨 억제층이 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판 및 이를 이용하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. (13) A support substrate for a semiconductor light-emitting device, characterized in that a double-side polished light-transmitting bending inhibiting layer is used as a bending inhibiting layer, and a method for manufacturing the semiconductor light-emitting device using the same.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자용 지지 기판 및 이를 이용하는 반도체 발광소자의 제조 방법에 의하면, 성장 기판 제거 후 복수의 반도체층의 휨(bowing)을 줄일 수 있게 된다.According to one supporting substrate for a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing a semiconductor light emitting device using the same according to the present disclosure, bowing of a plurality of semiconductor layers after a growth substrate is removed can be reduced.

본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자용 지지 기판 및 이를 이용하는 반도체 발광소자의 제조 방법에 의하면, 투광성의 휨 억제층을 사용함으로써, 레이저 리프트-오프 기법을 이용하여 지지층으로부터 휨 억제층을 분리할 수 있게 된다.According to another supporting substrate for a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing a semiconductor light emitting device using the same according to the present disclosure, by using a light-transmissive bending inhibiting layer, a bending inhibiting layer is separated from a supporting layer by using a laser lift- .

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자용 지지 기판 및 이를 이용하는 반도체 발광소자의 제조 방법에 의하면, 분리된 휨 억제층을 재사용할 수 있게 된다.According to another supporting substrate for a semiconductor light emitting device according to the present disclosure and a method for manufacturing a semiconductor light emitting device using the same, the separated deflection suppressing layer can be reused.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자용 지지 기판 및 이를 이용하는 반도체 발광소자의 제조 방법에 의하면, 지지층의 연마가 불필요하게 된다.According to another supporting substrate for a semiconductor light emitting device according to the present disclosure and a method for manufacturing a semiconductor light emitting device using the same, polishing of the supporting layer is not required.

100: 성장 기판, 300: 제1 반도체층, 400: 활성층, 500: 제2 반도체층100: growth substrate, 300: first semiconductor layer, 400: active layer, 500: second semiconductor layer

Claims (18)

반도체 발광소자용 지지 기판;으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하며 성장 기판에 형성되는 복수의 반도체층으로부터, 성장 기판을 제거할 때 복수의 반도체층을 지지하도록 사용되는, 반도체 발광소자용 지지 기판에 있어서,
복수의 반도체층을 기준으로 성장 기판의 반대 측에서 복수의 반도체층과 일체화되는 지지층;
지지층을 기준으로 복수의 반도체층의 반대 측에 구비되며, 성장 기판이 제거된 복수의 반도체층의 휨을 억제하는 휨 억제층; 그리고,
휨 억제층을 지지층에 고정시키며, 복수의 반도체층으로부터 성장 기판이 제거된 후 외부로부터 공급되는 에너지에 의해 지지층으로부터 휨 억제층을 분리시키는 분리층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.A supporting substrate for a semiconductor light emitting device, comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; and a second semiconductor layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A supporting substrate for a semiconductor light emitting device, which is used to support a plurality of semiconductor layers when removing a growth substrate from a plurality of semiconductor layers formed on a growth substrate and having an active layer that generates light through recombination of holes,
A supporting layer integrated with the plurality of semiconductor layers on the opposite side of the growth substrate with respect to the plurality of semiconductor layers;
A bending inhibiting layer provided on an opposite side of the plurality of semiconductor layers with respect to the supporting layer and suppressing warping of the plurality of semiconductor layers from which the growth substrate is removed; And,
And a separation layer for fixing the bending inhibiting layer to the supporting layer and separating the bending inhibiting layer from the supporting layer by energy supplied from the outside after the growth substrate is removed from the plurality of semiconductor layers. Board. 청구항 1에 있어서,
휨 억제층은 광 투과성인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.The method according to claim 1,
Wherein the bending inhibiting layer is light transmissive. 청구항 1에 있어서,
지지층은 불투명한 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.The method according to claim 1,
Wherein the support layer is opaque. 청구항 2에 있어서,
지지층은 불투명한 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.The method of claim 2,
Wherein the support layer is opaque. 청구항 1에 있어서,
지지층은 도전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.The method according to claim 1,
Wherein the support layer comprises a conductor. 청구항 2에 있어서,
지지층은 도전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.The method of claim 2,
Wherein the support layer comprises a conductor. 청구항 4에 있어서,
지지층은 도전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.The method of claim 4,
Wherein the support layer comprises a conductor. 청구항 1에 있어서,
휨 억제층은 사파이어, GaN, SiC, ZnO로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.The method according to claim 1,
Wherein the bending inhibiting layer is one selected from the group consisting of sapphire, GaN, SiC, and ZnO. 청구항 1에 있어서,
지지층은 Si을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.The method according to claim 1,
Wherein the support layer contains Si. 청구항 1에 있어서,
지지층은 금속 또는 금속합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.The method according to claim 1,
Wherein the support layer is made of a metal or a metal alloy. 청구항 2에 있어서,
휨 억제층은 양면 연마되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.The method of claim 2,
Wherein the bending inhibiting layer is polished on both sides. 청구항 2, 청구항 4, 청구항 6, 청구항 7 및 청구항 11 중의 어느 한 항에 있어서,
분리층은 휨 방지층을 통과한 빛에 의해 분리되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.Claim 2, claim 4, claim 6, claim 7 and claim 11,
Wherein the separation layer is made of a material which is separated by light passing through the bending prevention layer. 청구항 1 내지 청구항 11 중의 어느 한 항에 있어서,
지지층은 복수의 반도체층에 일체화되는 측에 복수의 반도체층과 접합되는 본딩층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.The method according to any one of claims 1 to 11,
Wherein the supporting layer further comprises a bonding layer bonded to a plurality of semiconductor layers on a side integrated with the plurality of semiconductor layers. 청구항 12에 있어서,
지지층은 복수의 반도체층과 일체화되는 측에 복수의 반도체층과 접합되는 본딩층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자용 지지 기판.The method of claim 12,
And a bonding layer which is bonded to the plurality of semiconductor layers on a side where the support layer is integrated with the plurality of semiconductor layers. 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서,
성장 기판에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수의 반도체층을 형성하는 단계;
복수의 반도체층에 부착되는 지지층, 성장 기판이 제거된 복수의 반도체층의 휨을 억제하는 휨 억제층, 및 지지층과 휨 억제층을 고정시키고 이후 분리시키는 분리층을 구비하는 지지 기판을, 복수의 반도체층에 부착하는 단계;
복수의 반도체층으로부터 성장 기판을 제거하는 단계; 그리고,
분리층에 에너지를 가하여 지지층으로부터 휨 억제층을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.A method of manufacturing a semiconductor light emitting device,
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a second semiconductor layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, Forming a plurality of semiconductor layers having active layers for generating light;
A support substrate having a support layer attached to a plurality of semiconductor layers, a bending inhibiting layer for suppressing bending of a plurality of semiconductor layers from which a growth substrate has been removed, and a separation layer for fixing and separating the support layer and the bending inhibiting layer, Layer;
Removing the growth substrate from the plurality of semiconductor layers; And,
And separating the bending inhibiting layer from the supporting layer by applying energy to the separating layer. 청구항 15에 있어서,
분리하는 단계에서, 에너지는 레이저에 의한 광 조사에 의해 가해지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.16. The method of claim 15,
Wherein in the step of separating, energy is applied by light irradiation by a laser. 청구항 15에 있어서,
휨 억제층으로, 양면 연마된 광 투광성 휨 억제층이 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. 16. The method of claim 15,
Characterized in that a double-side polished light-transmitting bending inhibiting layer is used as the bending inhibiting layer. 청구항 15 내지 청구항 17항 중의 어느 한 항에 있어서,
부착하는 단계에서, 지지 기판은 복수의 반도체층에 유테틱 본딩되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to any one of claims 15 to 17,
Wherein the supporting substrate is eutectic-bonded to the plurality of semiconductor layers in the attaching step.
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