KR20160026959A - Method and system for processing substrate and computer-readable storage medium storing substrate processing program - Google Patents

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노부히코 모리
미츠노리 나카모리
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

The present invention is to suppress bad influence on substrate surface processing according to remaining of a removal target, by removing the removal target from a rear surface of a substrate well. In the present invention, the substrate processing method (substrate processing system (1)) for removing the removal target of the rear surface of the substrate (5) has: a rear surface processing process (rear surface processing apparatus (10)) of supporting an outer circumference part of the substrate (5) by a substrate supporting body (34) using the rear surface of the substrate (5) as a top surface, and removing the removal target within a fixed processing range (50) to the vicinity of the substrate supporting body (34) from an inner circumference part of the rear surface of the substrate (5); and a rear surface edge part processing process (rear surface edge part processing apparatus (11)) of adsorbing and holding the inner circumference part of the rear surface of the substrate (5) using the rear surface of the substrate (5) as a bottom surface, and removing the removal target within a fixed processing range (7) at an inner circumference side from the outer circumference part of the rear surface of the substrate (5). After performing the rear surface edge part processing process, the substrate processing method performs inversion of the substrate, and then performs the rear surface processing process.

Description

기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체{METHOD AND SYSTEM FOR PROCESSING SUBSTRATE AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM STORING SUBSTRATE PROCESSING PROGRAM}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing method, a substrate processing system, and a substrate processing program.

본 발명은 기판의 이면의 제거 대상물을 제거하기 위한 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method for removing an object to be removed on a back surface of a substrate, a substrate processing system, and a computer readable storage medium storing a substrate processing program.

종래부터, 반도체 부품 및 플랫 패널 디스플레이 등을 제조할 경우에는 반도체 웨이퍼 또는 액정 기판 등의 기판을 기판 보지(保持) 기구로 보지한 상태에서 기판의 표면에 대하여 에칭 처리 또는 성막 처리 또는 세정 처리 등의 각종의 처리를 반복하여 행하고 있다. Conventionally, in the case of manufacturing a semiconductor component and a flat panel display or the like, a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate is held by a substrate holding mechanism, and the surface of the substrate is subjected to an etching treatment, a film forming treatment, Various processes are repeatedly performed.

이 때문에, 기판에 대하여 각종의 처리를 행할 시, 기판의 이면이 기판 보지 기구에 접촉함으로써 기판의 이면에 파티클 등의 오염 물질이 부착되거나 기판의 이면에 볼록부가 형성되는 경우가 있다. Therefore, when carrying out various kinds of processing on the substrate, the back surface of the substrate is brought into contact with the substrate holding mechanism, so that contaminants such as particles adhere to the back surface of the substrate or a convex portion is formed on the back surface of the substrate.

이 기판의 이면에 부착된 오염 물질 및 기판의 이면에 형성된 볼록부는 기판의 각종 처리에 악영향을 미칠 우려가 있다. 이 때문에, 기판의 이면에 대하여 회전하는 브러시로 세정 또는 연마 등의 처리를 실시하여 기판의 이면으로부터 오염 물질 및 볼록부 등의 제거 대상물을 제거하고 있다. 이 때에는, 기판의 표면이 패턴 형성에 사용되기 때문에 기판의 표면을 흡착하여 기판을 보지할 수 없어, 기판의 외주단(外周端) 가장자리를 기판 지지체로 지지하여 기판의 이면의 내주부로부터 외주측의 소정 범위를 브러시로 처리하고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).The contaminants attached to the back surface of the substrate and the convex portions formed on the back surface of the substrate may adversely affect various processes of the substrate. Therefore, cleaning or polishing treatment is performed with a brush rotating with respect to the back surface of the substrate to remove objects such as contaminants and convex portions from the back surface of the substrate. At this time, since the surface of the substrate is used for pattern formation, the substrate can not be held by the surface of the substrate, so that the edge of the outer peripheral edge of the substrate is supported by the substrate supporting body, (For example, refer to Patent Document 1).

특허 문헌 1: 일본특허공개공보 평10-209254호Patent Document 1: JP-A-10-209254

그런데, 기판의 외주단 가장자리를 기판 지지체로 지지하여, 기판의 이면의 내주부로부터 외주측의 소정 범위를 브러시로 처리할 경우에는 기판의 외주단 부근에서는 브러시가 기판 지지체에 접촉하여, 기판의 외주단 부근까지 브러시로 처리할 수 없었다. In the case where the outer peripheral edge of the substrate is supported by the substrate support and the predetermined range on the outer peripheral side from the inner peripheral portion of the back surface of the substrate is treated with the brush, the brush comes into contact with the substrate support near the outer peripheral edge of the substrate, It was not possible to brush the area around the edge.

이 때문에, 종래에서는 기판의 외주단까지 정밀도 좋게 처리하는 것이 곤란하며, 기판의 외주단 부근의 제거 대상물을 양호하게 제거할 수 없었다. 제거 대상물이 잔존함으로써, 기판의 이면에 잔존하는 오염 물질 및 볼록부의 영향으로 기판의 표면에서의 처리 정밀도가 저하되어, 기판의 표면의 처리에 악영향을 줄 우려가 있었다.Therefore, conventionally, it is difficult to precisely process the peripheral edge of the substrate, and the object to be removed in the vicinity of the peripheral edge of the substrate can not be satisfactorily removed. The object to be removed remains, the processing accuracy on the surface of the substrate is lowered due to the influence of the contaminants remaining on the back surface of the substrate and the convex portions, which may adversely affect the surface treatment of the substrate.

따라서, 본 발명에서는 기판의 이면의 제거 대상물을 제거하는 기판 처리 방법에 있어서, 기판의 이면을 상면으로 하여 기판 지지체로 기판의 외주단을 지지하고, 기판의 이면의 내주부로부터 기판 지지체의 근방까지의 소정의 처리 범위에서 제거 대상물을 제거하는 이면 처리 공정과, 기판의 이면을 하면으로 하여 기판의 이면의 내주부를 흡착하여 보지하고, 기판의 이면의 외주단으로부터 내주측의 소정의 처리 범위에서 제거 대상물을 제거하는 이면 주연부 처리 공정을 가지고, 상기 이면 주연부 처리 공정을 행한 후에 상기 기판의 반전을 행하고, 그 후, 상기 이면 처리 공정을 행하도록 했다. In accordance with the present invention, there is provided a substrate processing method for removing an object to be removed from a back surface of a substrate, the method comprising: supporting the outer peripheral edge of the substrate with the substrate support with the back surface of the substrate as an upper surface; A back surface treatment step of removing the object to be removed in a predetermined treatment range of the substrate; and a step of holding the inner peripheral portion of the back surface of the substrate by suction, And a back side peripheral processing step of removing the object to be removed. After the back side edge processing step is performed, the substrate is reversed, and then the back side processing step is performed.

또한, 상기 이면 처리 공정을 행한 후에 추가로 상기 기판의 반전을 행하도록 했다. Further, after the above-described back surface treatment step, the substrate is further reversed.

또한, 상기 이면 처리 공정에서의 처리 범위와 상기 이면 주연부 처리 공정에서의 처리 범위가 중첩되는 중첩 처리 범위를 마련하도록 했다.In addition, an overlap processing range in which the processing range in the back side processing step overlaps the processing range in the back side periphery processing step is provided.

또한, 상기 이면 처리 공정은, 브러시를 기판의 이면에 상방으로부터 접촉시켜서 상기 제거 대상물을 제거하도록 했다. Further, in the back surface treatment step, the brush is brought into contact with the back surface of the substrate from above to remove the object to be removed.

또한, 상기 이면 주연부 처리 공정은, 브러시를 기판의 이면에 하방으로부터 접촉시켜서 상기 제거 대상물을 제거하도록 했다. Further, in the back side peripheral edge processing step, the brush is brought into contact with the back surface of the substrate from below to remove the object to be removed.

또한, 본 발명에서는, 기판의 이면의 제거 대상물을 제거하는 기판 처리 시스템에 있어서, 기판의 이면을 상면으로 하여 기판 지지체로 기판의 외주단을 지지하고, 기판의 이면의 내주부로부터 기판 지지체의 근방까지의 소정의 처리 범위에서 제거 대상물을 제거하는 이면 처리 장치와, 기판의 이면을 하면으로 하여 기판의 이면의 내주부를 흡착하여 보지하고, 기판의 이면의 외주단으로부터 내주측의 소정의 처리 범위에서 제거 대상물을 제거하는 이면 주연부 처리 장치와, 기판을 반전시키는 기판 반전 장치를 가지고, 상기 이면 주연부 처리 장치에서 기판의 이면을 처리한 후에, 상기 기판 반전 장치로 기판의 반전을 행하고, 그 후, 상기 이면 처리 장치에서 기판의 이면을 처리하도록 했다. The present invention also provides a substrate processing system for removing an object to be removed from a back surface of a substrate, the substrate processing system comprising: a substrate supporting body for supporting an outer peripheral edge of the substrate with the back surface of the substrate as an upper surface; And an inner peripheral portion of the back surface of the substrate is held by suction with the rear surface of the substrate as a lower surface and a predetermined processing range on the inner peripheral side from the outer peripheral edge of the back surface of the substrate And a substrate reversing device for reversing the substrate. After the backside peripheral processing device processes the backside of the substrate, the substrate is reversed by the substrate reversing device, and thereafter, And the back surface of the substrate is processed by the back side processing apparatus.

또한, 상기 이면 처리 장치에서 기판의 이면을 처리한 후에, 추가로 상기 기판 반전 장치에서 기판의 반전을 행하도록 했다.Further, after the back side of the substrate is processed in the above-described back side processing apparatus, the substrate inversion apparatus further reverses the substrate.

또한, 상기 이면 처리 장치에서의 처리 범위와 상기 이면 주연부 처리 장치에서의 처리 범위가 중첩되는 중첩 처리 범위를 마련하도록 했다. Further, an overlap processing range in which the processing range in the back side peripheral processing apparatus and the processing range in the back side peripheral processing apparatus are overlapped is provided.

또한, 상기 이면 처리 장치는, 브러시를 기판의 이면에 상방으로부터 접촉시켜서 상기 제거 대상물을 제거하도록 했다. Further, in the above-described back surface treatment apparatus, the brush is brought into contact with the back surface of the substrate from above to remove the object to be removed.

또한, 상기 이면 주연부 처리 장치는, 브러시를 기판의 이면에 하방으로부터 접촉시켜서 상기 제거 대상물을 제거하도록 했다. Further, in the above-mentioned peripheral edge processing apparatus, the brush is brought into contact with the rear surface of the substrate from below to remove the object to be removed.

또한, 본 발명에서는, 기판 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서, 상기 기재의 기판 처리 방법을 실행하도록 했다. Further, in the present invention, in the computer readable storage medium storing the substrate processing program, the substrate processing method of the substrate is executed.

본 발명에서는 기판의 이면의 가장자리부로부터 제거 대상물을 양호하게 제거할 수 있어, 제거 대상물이 잔존함으로써 기판의 표면의 처리에 주는 악영향을 억제할 수 있다.In the present invention, the object to be removed can be well removed from the edge of the back surface of the substrate, and the adverse effect on the surface of the substrate due to the object to be removed can be suppressed.

도 1은 기판 처리 시스템을 도시한 평면 설명도이다.
도 2는 표면 처리 장치를 도시한 측면 설명도이다.
도 3은 표면 처리 장치의 동작을 도시한 측면 설명도이다.
도 4는 이면 처리 장치를 도시한 측면 설명도이다.
도 5는 이면 처리 장치의 동작을 도시한 측면 설명도이다.
도 6은 처리 범위를 도시한 설명도이다.
도 7은 이면 주연부 처리 장치를 도시한 측면 설명도이다.
도 8은 이면 주연부 처리 장치의 동작을 도시한 측면 설명도이다.
도 9는 처리 공정을 나타낸 설명도이다.1 is a plan explanatory view showing a substrate processing system.
2 is a side view illustrating the surface treatment apparatus.
3 is a side view illustrating the operation of the surface treatment apparatus.
4 is a side view illustrating the back side processing apparatus.
5 is a side view illustrating the operation of the back side processing apparatus.
Fig. 6 is an explanatory diagram showing the processing range.
7 is a side view illustrating the back side peripheral processing apparatus.
8 is a side view illustrating the operation of the back side peripheral processing apparatus.
Fig. 9 is an explanatory view showing a processing step.

이하에, 본 발명에 따른 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 그리고 기판 처리 프로그램의 구체적인 구성에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. Hereinafter, specific configurations of the substrate processing system, the substrate processing method, and the substrate processing program according to the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은 하우징(2)의 전단부(前端部)에 기판 반입출대(3)를 형성하고, 또한 기판 반입출대(3)의 후부에 기판 처리실(4)을 형성하고 있다. 1, the substrate processing system 1 includes a substrate loading / unloading unit 3 formed at a front end portion of the housing 2, and a substrate processing chamber (not shown) 4) are formed.

기판 반입출대(3)는 기판(5)(여기서는, 반도체 웨이퍼)을 복수 매(예를 들면, 25 매) 수용한 복수 개(여기서는, 3 개)의 캐리어(6)를 상부에 좌우로 배열하여 재치(載置)하고 있다. The substrate carry-in carriage 3 has a plurality of (three in this example) carriers 6 accommodating a plurality of (for example, 25) substrates 5 (here, semiconductor wafers) And is placed on the ground.

그리고, 기판 반입출대(3)는 캐리어(6)와 후부의 기판 처리실(4)의 사이에서 기판(5)의 반입 및 반출을 행하도록 하고 있다. The substrate loading / unloading unit 3 performs loading / unloading of the substrate 5 between the carrier 6 and the rear substrate processing chamber 4.

기판 처리실(4)은 중앙부에 기판 반송 장치(7)를 배치하고, 기판 반송 장치(7)의 일측부에 기판 반전 장치(8)와 표면 처리 장치(9)를 전후로 배열하여 배치하고, 또한 기판 반송 장치(7)의 타측부에 이면 처리 장치(10)와 이면 주연부 처리 장치(11)를 전후로 배열하여 배치하고 있다. 여기서, 기판 반전 장치(8)는 기판(5)의 표리를 반전시키는 장치이다. 표면 처리 장치(9)는, 구체적인 구성은 후술하지만, 기판(5)의 표면에 부착된 오염 물질 및 기판(5)의 표면에 형성된 볼록부 등의 제거 대상물을 기판(5)의 표면으로부터 제거하는 장치이다. 이면 처리 장치(10)는, 구체적인 구성은 후술하지만, 기판 지지체로 외주단(外周端) 가장자리를 지지시킨 기판(5)의 이면의 내주부로부터 기판 지지체의 근방까지의 범위의 제거 대상물을 제거하는 장치이다. 이면 주연부 처리 장치(11)는, 구체적인 구성은 후술하지만, 기판(5)의 외주단으로부터 내주측의 범위의 제거 대상물을 제거하는 장치이다. The substrate processing chamber 4 is provided with a substrate transfer device 7 at a central portion thereof and a substrate inverting device 8 and a surface treatment device 9 are arranged in a front and rear direction on one side of the substrate transfer device 7, The back side processing device 10 and the back side peripheral processing device 11 are arranged in the front and rear direction on the other side of the transfer device 7. Here, the substrate reversing device 8 is a device for reversing the front and back of the substrate 5. [ The surface treatment apparatus 9 is configured to remove a contaminant attached to the surface of the substrate 5 and a removal object such as a convex portion formed on the surface of the substrate 5 from the surface of the substrate 5 Device. The rear surface treatment apparatus 10 is configured to remove the object to be removed in a range from the inner peripheral portion of the back surface of the substrate 5 on which the peripheral edge of the substrate 5 is supported by the substrate support to the vicinity of the substrate support, Device. The peripheral surface treatment apparatus 11 is a device for removing the object to be removed in the range from the outer peripheral edge to the inner peripheral edge of the substrate 5,

그리고, 기판 처리실(4)은 기판 반송 장치(7)로 기판 반입출대(3)의 소정의 캐리어(6)로부터 1 매의 기판(5)을 수취하고, 기판 반송 장치(7)로 표면 처리 장치(9), 이면 처리 장치(10), 이면 주연부 처리 장치(11) 및 기판 반전 장치(8)와의 사이에서 기판(5)을 반송한다. 기판(5)은 각 장치(9 ~ 11)에서 처리되고, 기판 반송 장치(7)로 기판 반입출대(3)의 소정의 캐리어(6)로 전달된다. The substrate processing chamber 4 receives one substrate 5 from the predetermined carrier 6 of the substrate loading and unloading unit 3 with the substrate transfer device 7 and transfers the substrate 5 to the substrate processing apparatus 7, The substrate 5 is transported between the substrate processing apparatus 9, the back side processing apparatus 10, the back side substrate processing apparatus 11, and the substrate reversing apparatus 8. The substrate 5 is processed in each of the devices 9 to 11 and is transferred to the predetermined carrier 6 of the substrate carry-in exit 3 by the substrate transfer device 7.

이 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(12)(컴퓨터)가 접속되어 있고, 제어 장치(12)로 판독 가능한 기억 매체(13)에 기억한 기판 처리 프로그램에 따라 기판(5)을 처리한다. 또한, 기억 매체(13)는 기판 처리 프로그램 등의 각종 프로그램을 기억할 수 있는 매체이면 되고, ROM 또는 RAM 등의 반도체 메모리형의 기억 매체여도, 하드 디스크 또는 CD-ROM 등의 디스크형의 기억 매체여도 된다. The substrate processing system 1 is connected to a control device 12 (computer) and processes the substrate 5 in accordance with the substrate processing program stored in the storage medium 13 readable by the control device 12. [ The storage medium 13 may be a medium capable of storing various programs such as a substrate processing program or a semiconductor memory type storage medium such as a ROM or a RAM or a disk type storage medium such as a hard disk or a CD- do.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 시스템은, 상기 구성과 같이, 기판 반전 장치(8)와 표면 처리 장치(9)와 이면 처리 장치(10)와 이면 주연부 처리 장치(11)를 일체적으로 구성한 시스템에 한정되지 않고, 각 장치(8 ~ 11)를 각각 따로 따로 독립적으로 구성한 시스템이어도 된다. 또한, 기판 처리 시스템은 기판(5)의 이면으로부터 제거 대상물을 제거하는 것이며, 후술하는 바와 같이, 세정액을 이용한 세정 처리에 의해 제거 대상물을 제거하는 경우에 한정되지 않고, 연마재를 이용한 연마 처리에 의해 제거 대상물을 제거하는 것이어도 된다. The substrate processing system according to the present invention is a system in which the substrate reversing device 8, the surface treatment device 9, the back surface treatment device 10, and the back surface peripheral device 11 are integrated But may be a system in which each of the devices 8 to 11 is independently configured separately. The substrate processing system is for removing the object to be removed from the back surface of the substrate 5 and is not limited to the case where the object to be removed is removed by a cleaning process using a cleaning liquid as described later, The object to be removed may be removed.

이 기판 처리 시스템(1)에서 표면 처리 장치(9)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 케이싱(14)의 내부에 기판 보지 기구(15)와 기판 처리 기구(16)를 수용하고 있다. 2, the surface treatment apparatus 9 in the substrate processing system 1 accommodates the substrate holding mechanism 15 and the substrate processing mechanism 16 in the casing 14. [

기판 보지 기구(15)는 기판(5)의 표면(주면: 회로 형성면)을 상측을 향한 상태에서 기판(5)의 이면의 중앙부(내주부)를 흡착하여 기판(5)을 수평으로 보지하고, 또한 보지한 기판(5)을 회전시키는 기구이다. 이 기판 보지 기구(15)는 회전축(17)의 상단부에 원판 형상의 흡인 테이블(18)을 장착하고 있다. 회전축(17)에는 기판 회전 구동 기구(20)가 접속되어 있고, 흡인 테이블(18)에는 흡인 기구(21)가 접속되어 있다. 기판 회전 구동 기구(20) 및 흡인 기구(21)는 제어 장치(12)에 접속되어 있고, 제어 장치(12)로 각각 제어된다. 또한, 흡인 테이블(18)의 외주 외방에는 처리액 등의 비산을 방지하는 컵(22)이 설치되어 있다. 기판 보지 기구(15)는 기판(5)의 이면을 흡착하여 기판(5)을 보지하는 구조에 한정되지 않고, 기판(5)의 외주단 가장자리를 기판 지지체로 지지하여 기판(5)을 보지하는 구조로 해도 된다. The substrate holding mechanism 15 holds the substrate 5 horizontally by absorbing the central portion (inner peripheral portion) of the back surface of the substrate 5 with the surface (main surface: circuit forming surface) of the substrate 5 facing upward , And a mechanism for rotating the held substrate 5. In this substrate holding mechanism 15, a disk-shaped suction table 18 is mounted on the upper end of the rotating shaft 17. A substrate rotation driving mechanism 20 is connected to the rotary shaft 17 and a suction mechanism 21 is connected to the suction table 18. The substrate rotation driving mechanism 20 and the suction mechanism 21 are connected to the control device 12 and controlled by the control device 12, respectively. In addition, a cup 22 for preventing the scattering of processing liquid and the like is provided outside the outer periphery of the suction table 18. The substrate holding mechanism 15 is not limited to the structure in which the back surface of the substrate 5 is attracted to the substrate 5 to hold the substrate 5 and the substrate 5 is held by the substrate supporting body, Structure.

기판 처리 기구(16)는 기판(5)의 표면으로 세정액을 공급하여, 기판(5)의 표면을 세정액으로 세정 처리함으로써 기판(5)의 표면으로부터 제거 대상물을 제거하는 기구이다. 이 기판 처리 기구(16)는 지지축(23)의 상단부에 암(24)의 기단부를 장착하고, 암(24)의 선단부에 노즐(25)을 장착하고 있다. 또한, 기판 처리 기구(16)에서는 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급원(26)이 노즐(25)에 유량 조정기(27)를 개재하여 접속되어 있다. 지지축(23)에는 암 회전 구동 기구(28)가 접속되어 있다. 유량 조정기(27) 및 암 회전 구동 기구(28)는 제어 장치(12)에 접속되어 있고, 제어 장치(12)로 각각 제어된다. The substrate processing mechanism 16 is a mechanism that removes an object to be removed from the surface of the substrate 5 by supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate 5 and cleaning the surface of the substrate 5 with a cleaning liquid. The substrate processing mechanism 16 has a proximal end portion of an arm 24 mounted on the upper end portion of the support shaft 23 and a nozzle 25 mounted on the distal end portion of the arm 24. In the substrate processing mechanism 16, a cleaning liquid supply source 26 for supplying a cleaning liquid is connected to the nozzle 25 via a flow rate regulator 27. The support shaft 23 is connected to the arm rotation drive mechanism 28. The flow rate regulator 27 and the arm rotation drive mechanism 28 are connected to the controller 12 and controlled by the controller 12, respectively.

그리고, 표면 처리 장치(9)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 기판 보지 기구(15)로 기판(5)을 수평으로 보지하여 회전시키고, 기판 처리 기구(16)로 기판(5)의 표면으로 세정액을 공급하고, 노즐(25)을 기판(5)의 표면의 중앙부로부터 외주단으로 이동시킨다. 이에 의해, 표면 처리 장치(9)는 기판(5)의 표면 전체를 세정 처리하여 기판(5)의 표면으로부터 제거 대상물을 제거한다. 3, the surface treatment apparatus 9 holds the substrate 5 horizontally by the substrate holding mechanism 15 and rotates it, and the substrate 5 is held by the substrate processing mechanism 16 on the surface of the substrate 5 And the nozzle 25 is moved from the central portion of the surface of the substrate 5 to the outer peripheral end. Thereby, the surface treatment apparatus 9 cleans the entire surface of the substrate 5 and removes the object to be removed from the surface of the substrate 5.

또한, 기판 처리 시스템(1)에서 이면 처리 장치(10)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 케이싱(29)의 내부에 기판 보지 기구(30)와 기판 처리 기구(31)를 수용하고 있다. In the substrate processing system 1, the back side processing apparatus 10 accommodates the substrate holding mechanism 30 and the substrate processing mechanism 31 in the casing 29, as shown in Fig.

기판 보지 기구(30)는 기판(5)의 이면을 상측을 향한 상태로 기판(5)의 외주단 가장자리를 협지하여 기판(5)을 수평으로 보지하고, 또한 보지한 기판(5)을 회전시키는 기구이다. 이면 처리 장치(10)에서는 기판(5)의 표면(주면)을 하측을 향한 상태로 기판을 보지하기 때문에, 중앙부를 흡착하여 기판(5)을 보지할 수는 없고, 외주단 가장자리를 협지하여 기판(5)을 보지한다. 이 기판 보지 기구(30)는 회전축(32)의 상단부에 원판 형상의 테이블(33)을 장착하고, 테이블(33)의 외주부에 3 개의 기판 지지체(34)를 원주 방향으로 간격을 두고 장착하고 있다. 기판 지지체(34)는 기판 반송 장치(7)로부터 기판(5)을 수취하는 수취 위치와 기판(5)의 외주단 가장자리를 협지하는 보지 위치와의 사이를 이동 가능하게 되어 있고, 보지 위치에서는 기판(5)의 외주단 상방을 가리고 있다(도 6 참조). 회전축(32)에는 기판 회전 구동 기구(35)가 접속되어 있고, 기판 지지체(34)에는 이동 기구(36)가 접속되어 있다. 기판 회전 구동 기구(35) 및 이동 기구(36)는 제어 장치(12)에 접속되어 있고, 제어 장치(12)로 각각 제어된다. 또한, 테이블(33)의 외주 외방에는 처리액 등의 비산을 방지하는 컵(37)이 설치되어 있다. The substrate holding mechanism 30 holds the substrate 5 horizontally by holding the outer peripheral edge of the substrate 5 in a state that the back surface of the substrate 5 faces upward and rotates the held substrate 5 Mechanism. The substrate 5 can not be held and the center portion can not be held and the substrate 5 can be held by the substrate processing apparatus 10 while the substrate 5 is held on the substrate 5, (5). The substrate holding mechanism 30 is provided with a disc table 33 on the upper end of the rotating shaft 32 and three substrate holders 34 on the outer periphery of the table 33 with a circumferential spacing . The substrate support 34 is movable between a receiving position for receiving the substrate 5 from the substrate transfer device 7 and a holding position for holding the outer peripheral edge of the substrate 5, (See Fig. 6). A substrate rotation driving mechanism 35 is connected to the rotating shaft 32 and a moving mechanism 36 is connected to the substrate supporting body 34. [ The substrate rotation driving mechanism 35 and the moving mechanism 36 are connected to the control device 12 and controlled by the control device 12, respectively. A cup 37 for preventing scattering of processing liquid and the like is provided outside the outer periphery of the table 33.

이 기판 보지 기구(30)에는 회전축(32) 및 테이블(33)의 중앙부에 토출 유로(38)가 형성되어 있다. 이 토출 유로(38)에는 불활성 가스(예를 들면, 질소 가스)를 공급하기 위한 불활성 가스 공급원(39)이 유량 조정기(40)를 개재하여 접속되어 있다. 유량 조정기(40)는 제어 장치(12)에 접속되어 있고, 제어 장치(12)로 제어된다. The substrate holding mechanism 30 is provided with a discharge passage 38 at a central portion of the rotary shaft 32 and the table 33. An inert gas supply source 39 for supplying an inert gas (for example, nitrogen gas) is connected to the discharge flow path 38 via a flow rate regulator 40. The flow rate regulator 40 is connected to the controller 12, and is controlled by the controller 12.

기판 처리 기구(31)는 기판(5)의 이면으로 세정액을 공급하면서 기판(5)의 이면을 브러시로 세정 처리함으로써, 기판(5)의 이면으로부터 제거 대상물을 제거하는 기구이다. 이 기판 처리 기구(31)는 지지축(41)의 상단부에 암(42)의 기단부를 장착하고, 암(42)의 선단부에 브러시 헤드(43)를 장착하고, 브러시 헤드(43)에 세정 브러시(44)를 장착하고 있다. 지지축(41)에는 암 승강·회전 구동 기구(48)가 접속되어 있고, 브러시 헤드(43)에는 브러시 회전 구동 기구(49)가 접속되어 있다. 또한, 기판 처리 기구(31)에는 기판(5)(테이블(33))의 중앙부를 향해 노즐(45)이 배치되고, 노즐(45)로 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급원(46)이 유량 조정기(47)를 개재하여 접속되어 있다. 유량 조정기(47), 암 승강·회전 구동 기구(48) 및 브러시 회전 구동 기구(49)는 제어 장치(12)에 접속되어 있고, 제어 장치(12)로 각각 제어된다. The substrate processing mechanism 31 is a mechanism for removing an object to be removed from the back surface of the substrate 5 by cleaning the back surface of the substrate 5 with a brush while supplying a cleaning liquid to the back surface of the substrate 5. [ The substrate processing mechanism 31 is provided with the base end of the arm 42 mounted on the upper end of the support shaft 41 and the brush head 43 mounted on the distal end of the arm 42. The brush head 43 is provided with a cleaning brush (44). The support shaft 41 is connected to the arm lift / rotation drive mechanism 48, and the brush rotation drive mechanism 49 is connected to the brush head 43. A nozzle 45 is disposed toward the central portion of the substrate 5 (table 33) in the substrate processing mechanism 31 and a cleaning liquid supply source 46 for supplying the cleaning liquid to the nozzle 45 is connected to a flow regulator 47, respectively. The flow rate regulator 47, the arm elevation / rotation driving mechanism 48 and the brush rotation driving mechanism 49 are connected to the controller 12 and controlled by the controller 12, respectively.

그리고, 이면 처리 장치(10)는, 도 5에 도시한 바와 같이, 기판 보지 기구(30)로 기판(5)을 이면을 상측을 향한 상태로 수평으로 보지하여 회전시키고, 기판 처리 기구(31)로 기판(5)의 이면으로 세정액을 공급하고, 세정 브러시(44)를 회전시키면서 기판(5)의 이면의 내주부(여기서는, 중앙부)로부터 기판 지지체(34)의 근방이고 또한 세정 브러시(44)가 기판 지지체(34)에 접촉하지 않는 위치까지 이동시킨다. 이에 의해, 이면 처리 장치(10)는, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 기판(5)의 이면의 내주부로부터 기판 지지체(34)의 근방까지의 소정의 처리 범위(50)를 세정 처리하여 기판(5)의 이면으로부터 제거 대상물을 제거한다. 5, the substrate processing apparatus 10 holds the substrate 5 horizontally with the back surface facing upward by the substrate holding mechanism 30 and rotates the substrate 5 to the substrate processing mechanism 31, A cleaning liquid is supplied to the back surface of the substrate 5 and the cleaning brush 44 is rotated to rotate the cleaning brush 44 in the vicinity of the substrate supporting body 34 from the inner peripheral portion (here, To a position at which it does not contact the substrate support 34. 6 (a), the back side processing apparatus 10 is provided with a predetermined processing range 50 from the inner peripheral portion of the back surface of the substrate 5 to the vicinity of the substrate support 34 And the object to be removed is removed from the back surface of the substrate 5 by a cleaning process.

또한, 기판 처리 시스템(1)에서 이면 주연부 처리 장치(11)는, 도 7에 도시한 바와 같이, 케이싱(52)의 내부에 기판 보지 기구(53)와 기판 처리 기구(54)를 수용하고 있다. 7, the substrate peripheral processing apparatus 11 in the substrate processing system 1 accommodates the substrate holding mechanism 53 and the substrate processing mechanism 54 in the casing 52 .

기판 보지 기구(53)는 기판(5)의 표면을 상측을 향한 상태로 기판(5)의 이면의 중앙부(내주부)를 흡착하여 기판(5)을 수평으로 보지하고, 또한 보지한 기판(5)을 회전시키는 기구이다. 이 기판 보지 기구(53)는 회전축(55)의 상단부에 원판 형상의 흡인 테이블(56)을 장착하고 있다. 이면 주연부 처리 장치(11)에서는 기판(5)의 주연부를 세정 처리하기 때문에, 외주단 가장자리를 협지하여 기판(5)을 보지할 수는 없고, 기판(5)의 이면의 중앙부를 흡착하여 보지한다. 회전축(55)에는 회전 구동 기구(57)가 접속되어 있고, 흡인 테이블(56)에는 흡인 기구(58)가 접속되어 있다. 회전 구동 기구(57) 및 흡인 기구(58)는 제어 장치(12)에 접속되어 있고, 제어 장치(12)로 각각 제어된다. 또한, 흡인 테이블(56)의 외주 외방에는 처리액 등의 비산을 방지하는 컵(59)이 설치되어 있다. The substrate holding mechanism 53 holds the substrate 5 horizontally by absorbing the central portion (inner peripheral portion) of the back surface of the substrate 5 with the surface of the substrate 5 facing upward, ). In the substrate holding mechanism 53, a disk-shaped suction table 56 is mounted on the upper end of the rotating shaft 55. The periphery processing device 11 can clean the periphery of the substrate 5 so that the periphery of the substrate 5 can not be held by holding the peripheral edge of the substrate 5 and the central portion of the back surface of the substrate 5 is sucked and held . A rotary drive mechanism 57 is connected to the rotary shaft 55 and a suction mechanism 58 is connected to the suction table 56. The rotary drive mechanism 57 and the suction mechanism 58 are connected to the controller 12 and controlled by the controller 12, respectively. A cup 59 for preventing the scattering of the processing liquid and the like is provided outside the outer periphery of the suction table 56.

기판 처리 기구(54)는 기판(5)의 외주단 가장자리 및 기판(5)의 이면의 외주단으로 세정액을 공급하면서 기판(5)의 외주단 가장자리 및 기판(5)의 이면의 주연부를 동시에 브러시로 세정 처리함으로써, 기판(5)의 외주단 가장자리 및 이면의 주연부로부터 제거 대상물을 제거하는 기구이다. 기판(5)의 이면의 주연부란, 기판(5)의 외주단으로부터 내주측의 소정의 처리 범위를 말한다. 이 기판 처리 기구(54)는 지지축(60)의 상단부에 암(61)의 기단부를 장착하고, 암(61)의 선단부에 브러시 헤드(62)를 장착하고, 브러시 헤드(62)에 세정 브러시(63)를 장착하고 있다. 또한, 기판 처리 기구(54)에는, 기판(5)의 외주단을 향해 노즐(64)이 배치되고, 노즐(64)로 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급원(65)이 유량 조정기(66)를 개재하여 접속되어 있다. 지지축(60)에는 회전 구동 기구(67)가 접속되어 있고, 브러시 헤드(62)에는 회전 구동 기구(68)가 접속되어 있다. 유량 조정기(66) 및 회전 구동 기구(67, 68)는 제어 장치(12)에 접속되어 있고, 제어 장치(12)로 각각 제어된다. 여기서, 세정 브러시(63)는 기판(5)의 외주단 가장자리에 접촉하여 세정 처리하는 소경 브러시부(69)와, 소경 브러시부(69)의 하방에 연결되어 설치되고, 소경 브러시부(69)보다 큰 직경으로 기판(5)의 이면의 외주단에 접촉하여 주연부를 세정 처리하는 대경 브러시부(70)로 구성되어 있다. 소경 브러시부(69)를 기판(5)의 외주단 가장자리에 접촉시키고, 또한 대경 브러시부(70)를 기판(5)의 이면의 외주단에 접촉시킴으로써, 기판(5)의 외주단 가장자리와 이면의 주연부를 동시에 세정 처리할 수 있다. 또한, 세정 브러시(63)는 소경 브러시부(69)를 생략하여 대경 브러시부(70)만으로 구성하고, 대경 브러시부(70)를 기판(5)의 외주단 가장자리에 접촉시킨 후, 외주단으로부터 내주 방향으로 이동시켜 이면의 주연부를 처리하도록 해도 된다. The substrate processing mechanism 54 simultaneously brushes the peripheral edge of the substrate 5 and the peripheral edge of the back surface of the substrate 5 while supplying the cleaning liquid to the peripheral edge of the substrate 5 and the peripheral edge of the back surface of the substrate 5. [ So as to remove the object to be removed from the periphery of the peripheral edge and the back surface of the substrate 5. The peripheral edge of the rear surface of the substrate 5 refers to a predetermined processing range on the inner peripheral side from the peripheral edge of the substrate 5. [ The substrate processing mechanism 54 is provided with a base end portion of an arm 61 mounted on the upper end of a support shaft 60 and a brush head 62 mounted on a distal end portion of the arm 61. The brush head 62 is provided with a cleaning brush (Not shown). A nozzle 64 is disposed toward the outer peripheral edge of the substrate 5 and a cleaning liquid supply source 65 for supplying the cleaning liquid to the nozzle 64 is provided in the substrate processing mechanism 54 with the flow rate regulator 66 interposed Respectively. A rotary drive mechanism 67 is connected to the support shaft 60 and a rotary drive mechanism 68 is connected to the brush head 62. The flow rate regulator 66 and the rotation drive mechanisms 67 and 68 are connected to the controller 12 and controlled by the controller 12, respectively. The cleaning brush 63 includes a small diameter brush portion 69 for cleaning the outer peripheral edge of the substrate 5 to be cleaned, a small diameter brush portion 69 connected to the lower side of the small diameter brush portion 69, And a large-diameter brush portion 70 for contacting the peripheral edge of the back surface of the substrate 5 with a larger diameter to clean the peripheral portion. The outer circumferential edge of the substrate 5 and the outer circumferential edge of the substrate 5 are brought into contact with each other by bringing the small diameter brush portion 69 into contact with the outer peripheral edge of the substrate 5 and bringing the large diameter brush portion 70 into contact with the outer peripheral edge of the back surface of the substrate 5. [ It is possible to simultaneously perform the cleaning process. The cleaning brush 63 is composed of only the large diameter brush portion 70 by omitting the small diameter brush portion 69 so that the large diameter brush portion 70 is brought into contact with the outer peripheral edge of the substrate 5, It may be moved in the inner circumferential direction to process the peripheral edge of the back surface.

그리고, 이면 주연부 처리 장치(11)는, 도 8에 도시한 바와 같이, 기판 보지 기구(53)로 기판(5)을 이면을 하측을 향한 상태로 수평으로 보지하여 회전시키고, 기판 처리 기구(54)로 기판(5)의 이면의 외주단으로 세정액을 공급하고, 세정 브러시(63)를 회전시키면서 기판(5)의 외주단 가장자리로 이동시킨다. 이에 의해, 이면 주연부 처리 장치(11)는, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 기판(5)의 외주단 가장자리 및 이면의 주연부인 외주단으로부터 내주측의 소정의 처리 범위(71)를 세정 처리하여 기판(5)의 외주단 가장자리 및 이면의 주연부로부터 제거 대상물을 제거한다. 8, the substrate peripheral mechanism 11 holds the substrate 5 horizontally with the back surface facing downward by the substrate holding mechanism 53 and rotates the substrate 5, and the substrate processing mechanism 54 And the cleaning brush 63 is moved to the peripheral edge of the substrate 5 while the cleaning brush 63 is rotated. 6 (b), the peripheral edge processing apparatus 11 is provided with a predetermined processing range 71 on the inner peripheral side from the peripheral edge which is the peripheral edge of the outer peripheral edge and the back surface of the substrate 5, So that the object to be removed is removed from the periphery of the peripheral edge and the peripheral edge of the substrate 5.

기판 처리 시스템(1)에서는, 도 6의 (c)에 도시한 바와 같이, 이면 처리 장치(10)에서 처리하는 기판(5)의 이면의 처리 범위(50)와, 이면 주연부 처리 장치(11)에서 처리하는 기판(5)의 이면의 처리 범위(71)와의 사이에, 이면 처리 장치(10) 및 이면 주연부 처리 장치(11)의 양방에서 처리하는 대략 링 형상의 중첩 처리 범위(72)를 설정하고 있다. 기판 처리 시스템(1)에서는 이 중첩 처리 범위(72)를 이면 처리 장치(10)와 이면 주연부 처리 장치(11)에서 전후로 중복하여 처리함으로써, 기판(5)의 이면으로부터 제거 대상물을 양호하게 제거하여, 제거 대상물이 잔존함에 따른 기판(5)의 표면의 처리에 주는 악영향을 억제하고 있다. 6 (c), the processing range 50 of the back surface of the substrate 5 to be processed by the back surface processing apparatus 10 and the processing range 50 of the back surface peripheral processing apparatus 11 are processed in the substrate processing system 1, Like overlap processing range 72 to be processed by both of the back side peripheral processing unit 11 and the processing range 71 on the back side of the substrate 5 to be processed in the back side processing unit 10 . In the substrate processing system 1, the superimposing process range 72 is repeatedly processed in the back-side processing unit 10 and the back-side substrate processing unit 11 in a back-and-forth direction to remove the object to be removed well from the back surface of the substrate 5 And adverse effects on the treatment of the surface of the substrate 5 due to the remained object to be removed are suppressed.

이 중첩 처리 범위(72)는 넓게 설정할수록 제거 대상물을 양호하게 제거할 수 있지만, 그 만큼 처리 시간이 길어져 스루풋의 저하를 초래한다. 한편, 중첩 처리 범위(72)를 형성하는 이면 처리 장치(10)의 처리 범위(50)의 외주와, 이면 주연부 처리 장치(11)의 처리 범위(71)의 내주와의 사이의 거리가 기판 보지 기구(30, 53)의 편심량보다 길면, 기판 보지 기구(30, 53)의 구조 상의 편심량을 흡수하여 기판(5)의 이면을 양호하게 처리할 수 있다. 특히, 세정 브러시(63)를 소경 브러시부(69)와 대경 브러시부(70)로 구성할 경우에는 소경 브러시부(69)로부터 돌출된 대경 브러시부(70)의 반경 방향의 돌출량을 이면 처리 장치(10)의 기판 보지 기구(30)가 편심했을 때의 기판 외주단으로부터 처리 범위(50)의 외주까지의 거리 중 가장 긴 거리도 길게 함으로써, 중첩 처리 범위(72)를 형성할 수 있다. As the overlapping processing range 72 is set to a larger value, the object to be removed can be satisfactorily removed, but the processing time is longer and the throughput is lowered. The distance between the outer periphery of the processing range 50 of the back side processing apparatus 10 forming the overlapping processing range 72 and the inner periphery of the processing range 71 of the back side periphery processing apparatus 11 is, The back surface of the substrate 5 can be satisfactorily treated by absorbing the eccentric amount of the structure of the substrate holding mechanisms 30 and 53 if the amount of eccentricity of the mechanisms 30 and 53 is longer than that. Particularly, when the cleaning brush 63 is constituted by the small-diameter brush portion 69 and the large-diameter brush portion 70, the radial projection amount of the large diameter brush portion 70 protruding from the small- The overlapping processing range 72 can be formed by lengthening the longest distance from the outer peripheral edge of the substrate when the substrate holding mechanism 30 of the apparatus 10 is eccentric to the outer periphery of the processing range 50. [

기판 처리 시스템(1)은 이상에 설명한 바와 같이 구성되어 있고, 기억 매체(13)에 기억한 기판 처리 프로그램에 따라 이하에 설명하는 바와 같이 기판(5)의 처리를 행한다. The substrate processing system 1 is constructed as described above and performs the processing of the substrate 5 as described below in accordance with the substrate processing program stored in the storage medium 13. [

우선, 기판 처리 프로그램에서는, 도 9의 (a)에 나타낸 바와 같이, 기판 반전 공정을 실행한다. 이 기판 반전 공정에서는 기판 반전 장치(8)를 이용하여 기판(5)의 표리를 반전시켜, 기판(5)의 이면을 상측을 향한 상태로 한다. First, in the substrate processing program, as shown in Fig. 9A, the substrate inversion process is performed. In this substrate reversing step, the front and rear surfaces of the substrate 5 are reversed by using the substrate reversing device 8 so that the back surface of the substrate 5 faces upward.

이어서, 기판 처리 프로그램에서는, 도 9의 (a)에 도시한 바와 같이, 이면 처리 공정을 실행한다. 기판 처리 시스템(1)은, 도 5에 도시한 바와 같이, 제어 장치(12)로 기판 보지 기구(30)의 이동 기구(36)를 제어하여 기판 지지체(34)를 열린 상태로 하여, 기판 반송 장치(7)가 기판 반전 장치(8)로부터 반송해온 1 매의 기판(5)을 수취한 다음, 이동 기구(36)를 제어하여 기판 지지체(34)를 닫힌 상태로 하여, 이에 의해 기판(5)의 외주단 가장자리를 기판 지지체(34)로 보지한다. Subsequently, in the substrate processing program, as shown in Fig. 9A, the back side processing step is executed. 5, the substrate processing system 1 controls the moving mechanism 36 of the substrate holding mechanism 30 with the control device 12 to bring the substrate holding body 34 into an open state, The apparatus 7 receives one substrate 5 carried from the substrate reversing device 8 and then controls the moving mechanism 36 to bring the substrate supporter 34 into a closed state, ) Is held by the substrate support 34. The substrate supporting body 34 is made of a metal.

이 후, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(12)로 기판 보지 기구(30)의 기판 회전 구동 기구(35)를 제어하여 회전축(32)을 회전시켜, 기판(5)을 회전시킨다. 또한, 제어 장치(12)로 기판 처리 기구(31)의 유량 조정기(47)를 제어하여, 세정액 공급원(46)으로부터 노즐(45)을 거쳐 기판(5)의 이면 중앙부를 향해 세정액을 토출한다. 또한, 제어 장치(12)로 기판 처리 기구(31)의 암 승강·회전 구동 기구(48) 및 브러시 회전 구동 기구(49)를 제어하여, 세정 브러시(44)를 회전시키면서 기판(5)의 이면 중앙부와 기판 지지체(34)의 근방의 사이를 기판(5)의 이면을 따라 이동시킨다. 이에 의해, 기판(5)의 이면의 내주부(중앙부)로부터 기판 지지체(34)의 근방까지의 소정의 처리 범위(50)에서 제거 대상물을 제거한다. 이 때, 제어 장치(12)로 유량 조정기(40)를 제어하여, 불활성 가스 공급원(39)으로부터 토출 유로(38)를 거쳐 기판(5)의 표면(하면: 패턴 형성면)을 향해 불활성 가스를 토출하도록 하고 있다. 이에 의해, 기판(5)의 이면(상면)에서 제거된 제거 대상물이 기판(5)의 표면(하면)으로 유입되어 부착되는 것을 방지하고 있다. Thereafter, the substrate processing system 1 controls the substrate rotation driving mechanism 35 of the substrate holding mechanism 30 by the control device 12 to rotate the rotation shaft 32 to rotate the substrate 5. [ The control device 12 controls the flow rate regulator 47 of the substrate processing mechanism 31 to discharge the cleaning liquid from the cleaning liquid supply source 46 through the nozzle 45 toward the central portion of the back surface of the substrate 5. [ The control device 12 controls the arm elevation and rotation driving mechanism 48 and the brush rotation driving mechanism 49 of the substrate processing mechanism 31 to rotate the cleaning brush 44 while rotating the cleaning brush 44, The center portion and the vicinity of the substrate support body 34 are moved along the back surface of the substrate 5. [ Thereby, the object to be removed is removed in a predetermined processing range 50 from the inner peripheral portion (central portion) of the back surface of the substrate 5 to the vicinity of the substrate supporting body 34. At this time, the flow rate regulator 40 is controlled by the controller 12 so that an inert gas is supplied from the inert gas supply source 39 to the surface (lower surface: pattern formation surface) of the substrate 5 via the discharge flow path 38 . Thereby, the object to be removed, which is removed from the back surface (upper surface) of the substrate 5, is prevented from flowing into the surface (lower surface) of the substrate 5 and adhering thereto.

이 후, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(12)로 유량 조정기(40, 47)를 제어하여 세정액 및 불활성 가스의 토출을 정지하고, 필요에 따라 기판(5)의 린스 처리 또는 건조 처리를 행한다. 이 후, 제어 장치(12)로 기판 보지 기구(30)의 기판 회전 구동 기구(35)를 제어하여 기판(5)의 회전을 정지한다. 이 후, 제어 장치(12)로 기판 보지 기구(30)의 이동 기구(36)를 제어하여 기판 지지체(34)를 열린 상태로 하여, 기판 반송 장치(7)로 기판(5)을 전달한다. Thereafter, the substrate processing system 1 controls the flow rate regulators 40 and 47 by the control device 12 to stop the discharge of the cleaning liquid and the inert gas, and rinses or dries the substrate 5 as needed I do. Thereafter, the control device 12 controls the substrate rotation driving mechanism 35 of the substrate holding mechanism 30 to stop the rotation of the substrate 5. Thereafter, the control device 12 controls the moving mechanism 36 of the substrate holding mechanism 30 to bring the substrate support 34 into an open state, and transfers the substrate 5 to the substrate transfer device 7. [

이어서, 기판 처리 프로그램에서는, 도 9의 (a)에 도시한 바와 같이, 기판 반전 공정을 실행한다. 이 기판 반전 공정에서는 기판 반송 장치(7)로부터 기판(5)을 수취한 기판 반전 장치(8)가 기판(5)의 표리를 반전시켜, 기판(5)의 표면을 상측을 향한 상태로 한다. Subsequently, in the substrate processing program, as shown in Fig. 9A, the substrate inversion process is performed. In this substrate reversing step, the substrate inverting apparatus 8, which has received the substrate 5 from the substrate transport apparatus 7, inverts the front and back sides of the substrate 5, and makes the surface of the substrate 5 face upward.

이어서, 기판 처리 프로그램에서는, 도 9의 (a)에 나타낸 바와 같이, 이면 주연부 처리 공정을 실행한다. 기판 처리 시스템(1)은 도 8에 도시한 바와 같이, 기판 반송 장치(7)가 기판 반전 장치(8)로부터 반송해온 1 매의 기판(5)을 수취한 다음, 제어 장치(12)로 기판 보지 기구(53)의 흡인 기구(58)를 제어하여 흡인 테이블(56)로 기판(5)의 이면의 중앙부를 흡인하고, 흡인 테이블(56)의 상부에 기판(5)을 보지한다. Subsequently, in the substrate processing program, as shown in Fig. 9A, the back side edge processing step is executed. 8, the substrate processing system 1 receives a single substrate 5 transferred from the substrate inverting apparatus 8, and then transfers the substrate 5 to the substrate processing apparatus 1, The suction mechanism 58 of the holding mechanism 53 is controlled so that the central portion of the back surface of the substrate 5 is sucked by the suction table 56 and the substrate 5 is held on the upper portion of the suction table 56.

이 후, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(12)로 기판 보지 기구(53)의 회전 구동 기구(57)를 제어하여 회전축(55)을 회전시켜, 기판(5)을 회전시킨다. 또한, 제어 장치(12)로 기판 처리 기구(54)의 유량 조정기(66)를 제어하여, 세정액 공급원(65)으로부터 노즐(64)을 거쳐 기판(5)의 이면의 외주단을 향해 세정액을 토출한다. 또한, 제어 장치(12)로 기판 처리 기구(54)의 회전 구동 기구(67, 68)를 제어하여, 세정 브러시(63)를 회전시키면서 기판(5)의 외주단 가장자리에 접촉시키고, 세정 브러시(63)의 소경 브러시부(69)로 기판(5)의 외주단 가장자리를 세정하고, 또한 세정 브러시(63)의 대경 브러시부(70)로 기판(5)의 이면의 주연부인 외주단으로부터 내주측의 소정의 처리 범위(71)를 세정한다. 이에 의해, 기판(5)의 외주단 가장자리 및 기판(5)의 주연부, 즉 외주단으로부터 내주측의 소정의 처리 범위(71)에서 제거 대상물을 제거한다. Thereafter, the substrate processing system 1 controls the rotation driving mechanism 57 of the substrate holding mechanism 53 by the control device 12 to rotate the rotating shaft 55 to rotate the substrate 5. [ The control device 12 controls the flow rate regulator 66 of the substrate processing mechanism 54 to discharge the cleaning liquid from the cleaning liquid supply source 65 through the nozzle 64 toward the outer peripheral edge of the back surface of the substrate 5 do. The control device 12 controls the rotation driving mechanisms 67 and 68 of the substrate processing mechanism 54 to bring the cleaning brush 63 into contact with the peripheral edge of the substrate 5 while rotating the cleaning brush 63, The outer peripheral edge of the substrate 5 is cleaned by the small diameter brush portion 69 of the cleaning brush 63 from the outer peripheral edge of the back surface of the back surface of the substrate 5 by the large diameter brush portion 70 of the cleaning brush 63, The predetermined processing range 71 is cleaned. Thereby, the object to be removed is removed from the peripheral edge of the substrate 5 and the periphery of the substrate 5, that is, from the peripheral edge to the inner peripheral edge in the predetermined processing range 71.

이 후 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(12)로 유량 조정기(66)를 제어하여 세정액의 토출을 정지하고, 필요에 따라 기판(5)의 린스 처리 또는 건조 처리를 행한다. 이 후, 제어 장치(12)로 기판 보지 기구(53)의 회전 구동 기구(57)를 제어하여 기판(5)의 회전을 정지한다. 이 후, 제어 장치(12)로 기판 보지 기구(53)의 흡인 기구(58)를 제어하여 기판(5)의 흡인을 정지하고, 기판 반송 장치(7)로 기판(5)을 전달한다. Subsequently, the substrate processing system 1 controls the flow rate regulator 66 by the controller 12 to stop the discharge of the cleaning liquid, and rinses or dries the substrate 5 if necessary. Thereafter, the rotation of the substrate 5 is stopped by controlling the rotation drive mechanism 57 of the substrate holding mechanism 53 with the control device 12. Thereafter, the control device 12 controls the suction mechanism 58 of the substrate holding mechanism 53 to stop the suction of the substrate 5 and to transfer the substrate 5 to the substrate transfer device 7. [

이어서, 기판 처리 프로그램에서는, 도 9의 (a)에 나타낸 바와 같이, 표면 처리 공정을 실행한다. 기판 처리 시스템(1)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 기판 반송 장치(7)로부터 1 매의 기판(5)을 수취한 다음, 제어 장치(12)로 기판 보지 기구(15)의 흡인 기구(21)를 제어하여 흡인 테이블(18)로 기판(5)의 이면의 중앙부를 흡인하고, 흡인 테이블(18)의 상부에 기판(5)을 보지한다. Subsequently, in the substrate processing program, a surface treatment process is performed as shown in Fig. 9 (a). 3, the substrate processing system 1 receives one substrate 5 from the substrate transfer apparatus 7 and then transfers the substrate 5 to the controller 12 via the suction mechanism of the substrate holding mechanism 15 The center of the back surface of the substrate 5 is sucked by the suction table 18 and the substrate 5 is held on the upper portion of the suction table 18. [

이 후, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(12)로 기판 보지 기구(15)의 기판 회전 구동 기구(20)를 제어하여 회전축(17)을 회전시켜, 기판(5)을 회전시킨다. 또한, 제어 장치(12)로 기판 처리 기구(16)의 유량 조정기(27)를 제어하여, 세정액 공급원(26)으로부터 노즐(25)을 거쳐 기판(5)의 표면 중앙부를 향해 세정액을 토출한다. 또한, 제어 장치(12)로 기판 처리 기구(16)의 암 회전 구동 기구(28)를 제어하여, 노즐(25)을 기판(5)의 표면 중앙부와 외주단의 사이를 이동시키고, 이에 의해 기판(5)의 표면으로부터 제거 대상물을 제거한다. Thereafter, the substrate processing system 1 controls the substrate rotation driving mechanism 20 of the substrate holding mechanism 15 with the control device 12 to rotate the rotating shaft 17 to rotate the substrate 5. [ The control device 12 controls the flow rate regulator 27 of the substrate processing mechanism 16 to discharge the cleaning liquid from the cleaning liquid supply source 26 through the nozzle 25 toward the central portion of the surface of the substrate 5. [ The control device 12 controls the arm rotation driving mechanism 28 of the substrate processing mechanism 16 to move the nozzle 25 between the central portion of the surface of the substrate 5 and the outer peripheral edge thereof, The object to be removed is removed from the surface of the substrate 5.

이 후, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(12)로 유량 조정기(27)를 제어하여 세정액의 토출을 정지하고, 필요에 따라 기판(5)의 린스 처리 또는 건조 처리를 행한다. 이 후, 제어 장치(12)로 기판 보지 기구(15)의 기판 회전 구동 기구(20)를 제어하여 기판(5)의 회전을 정지한다. 이 후, 제어 장치(12)로 기판 보지 기구(15)의 흡인 기구(21)를 제어하여 기판(5)의 흡인을 정지하고, 기판 반송 장치(7)로 기판(5)을 전달한다. Thereafter, the substrate processing system 1 controls the flow rate regulator 27 by the controller 12 to stop the discharge of the cleaning liquid, and rinses or dries the substrate 5 as necessary. Thereafter, the control device 12 controls the substrate rotation driving mechanism 20 of the substrate holding mechanism 15 to stop the rotation of the substrate 5. Thereafter, the control device 12 controls the suction mechanism 21 of the substrate holding mechanism 15 to stop the suction of the substrate 5, and transfers the substrate 5 to the substrate transfer device 7. [

기판 처리 프로그램으로 실행하는 기판 처리 방법은, 도 9의 (a)에 나타낸 바와 같이, 기판 반전 공정, 이면 처리 공정, 기판 반전 공정, 이면 주연부 처리 공정, 표면 처리 공정의 순으로 행하는 경우에 한정되지 않고, 이면 처리 공정과 이면 주연부 처리 공정을 적절히 조합하여 처리할 수 있고, 도 9의 (b)에 나타낸 바와 같이, 이면 주연부 처리 공정을 행한 다음 표면 처리 공정을 행하고, 이 후 기판 반전 공정을 행하여, 이면 처리 공정과 기판 반전 공정을 행하도록 해도 된다. 또한, 도 9의 (c), (d)에 나타낸 바와 같이, 이면 주연부 처리 공정에서 기판(5)의 이면을 흡착하여 보지하고, 기판(5)의 이면의 주연부의 처리에 더하여 기판(5)의 표면의 처리(표면 처리 공정)를 동일한 처리 장치로 행하도록 해도 된다. The substrate processing method executed by the substrate processing program is not limited to the case of performing the substrate inversion process, the back surface process process, the substrate inversion process, the back side peripheral process process, and the surface treatment process in this order as shown in Fig. 9A 9 (b), the surface of the substrate is subjected to a surface treatment process, followed by a substrate inversion process. Thereafter, as shown in Fig. 9 (b) , The back side process step and the substrate inversion process may be performed. 9 (c) and 9 (d), the rear surface of the substrate 5 is sucked and held in the back side peripheral portion processing step, and the substrate 5 is further processed in addition to the peripheral portion of the back surface of the substrate 5. [ (Surface treatment step) may be performed by the same treatment apparatus.

도 9의 (a)에 나타낸 바와 같이, 이면 처리 공정을 행한 다음 이면 주연부 처리 공정을 행하고, 이 후 표면 처리 공정을 행할 경우에는 표면 처리 공정이 마지막으로 행해지기 때문에, 기판(5)의 표면을 양호한 상태로 할 수 있다. 또한, 기판(5)의 이면의 처리가 이면 주연부의 처리 및 표면의 처리보다 먼저 행해지기 때문에, 기판(5)의 표면을 처리할 시 기판 보지 기구(53, 15)의 흡인 테이블(56, 18)을 오염시키지 않는다. As shown in Fig. 9 (a), the surface of the substrate 5 is subjected to the peripheral surface treatment step after the back surface treatment step and then to the surface treatment step after the surface treatment step. It can be made in a good state. The processing of the back surface of the substrate 5 is performed before the processing of the peripheral edge portion and the processing of the surface so that the suction tables 56 and 18 of the substrate holding mechanisms 53 and 15 ).

또한, 도 9의 (b)에 나타낸 바와 같이, 이면 주연부 처리 공정을 행한 다음 표면 처리 공정을 행하고, 이 후 이면 처리 공정을 행할 경우에는 이면 주연부 처리 공정 및 표면 처리 공정에서 기판(5)의 이면에 부착된 오염 물질 등을 마지막의 이면 처리 공정으로 제거할 수 있어, 기판(5)의 표면에의 전사를 방지할 수 있다. 또한, 이면 주연부 처리 공정에서 기판(5)의 이면에 흡인 흔적이 남아도 마지막의 이면 처리 공정으로 흡인 흔적을 제거할 수 있다. 또한, 기판의 외주단 가장자리 및 이면 주연부의 처리가 먼저 행해지기 때문에, 이면 처리 공정 시에 기판 지지체(34)가 기판의 외주단 가장자리를 협지해도 기판 지지체(34)를 오염시키지 않는다. 9 (b), when the surface treatment process is performed after the back side peripheral portion treatment process is performed, and then the back side treatment process is performed, the back side of the substrate 5 in the back side peripheral treatment process and the surface treatment process, The surface of the substrate 5 can be prevented from being transferred to the surface of the substrate 5. [ In addition, although there is a suction mark on the back surface of the substrate 5 in the back side peripheral processing step, the suction traces can be removed by the last back side process. In addition, since the peripheral edge and the peripheral edge of the substrate are processed first, the substrate support 34 does not contaminate the substrate support 34 even if the substrate support 34 sandwiches the peripheral edge of the substrate during the backside treatment process.

또한, 도 9의 (c), (d)에 나타낸 바와 같이, 이면 주연부 처리 공정으로 표면 처리 공정을 동시에 행할 경우에는, 기판(5)의 표리의 처리에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있어, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 9 (c) and 9 (d), it is possible to shorten the time required for the processing of the front and back surfaces of the substrate 5 when the surface treatment process is simultaneously performed in the back side peripheral edge treatment process, The throughput can be improved.

이상에 설명한 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)에서는 이면 처리 공정으로 기판(5)의 이면의 내주부로부터 기판 지지체(34)의 근방까지의 소정의 처리 범위(50)를 처리하여 기판(5)의 이면으로부터 제거 대상물을 제거하고, 또한 이면 주연부 처리 공정으로 기판(5)의 외주단으로부터 내주측의 소정의 처리 범위(71)를 처리하여 기판(5)의 이면으로부터 제거 대상물을 제거하고, 이면 처리 공정 및 이면 주연부 처리 공정으로 중첩 처리 범위(72)를 중복하여 처리하고 있다. 이에 의해, 기판 처리 시스템(1)에서는 기판(5)의 이면으로부터 제거 대상물을 양호하게 제거할 수 있어, 오염 물질 등의 전사 및 기판(5)의 이면의 요철에 의한 디포커스 등과 같은 제거 대상물이 잔존함에 따른 기판(5)의 표면의 처리에 주는 악영향을 억제할 수 있다.The substrate processing system 1 processes the predetermined processing range 50 from the inner peripheral portion of the back surface of the back surface of the substrate 5 to the vicinity of the substrate support 34 in the back surface treatment process, The substrate 1 is removed from the back surface of the substrate 5 and the substrate 1 is removed from the back surface of the substrate 5 by processing a predetermined processing range 71 on the inner peripheral side from the peripheral edge of the substrate 5 by the peripheral edge processing, The overlapping processing range 72 is duplicated in the processing step and the back side peripheral processing step. Thereby, the object to be removed can be well removed from the back surface of the substrate 5 in the substrate processing system 1, and the object to be removed, such as the transfer of contaminants or the defocus due to the unevenness of the back surface of the substrate 5, Adverse effects on the surface treatment of the substrate 5 due to the remaining can be suppressed.

1 : 기판 처리 시스템
5 : 기판
10 : 이면 처리 장치
11 : 이면 주연부 처리 장치
34 : 기판 지지체
50 : 처리 범위
71 : 처리 범위
72 : 중첩 처리 범위1: substrate processing system
5: substrate
10:
11: peripheral side processing unit
34: substrate support
50: Processing range
71: Processing range
72: overlap processing range

Claims (11)

기판의 이면의 제거 대상물을 제거하는 기판 처리 방법에 있어서,
기판의 이면을 상면으로 하여 기판 지지체로 기판의 외주단을 지지하고, 기판의 이면의 내주부로부터 기판 지지체의 근방까지의 소정의 처리 범위에서 제거 대상물을 제거하는 이면 처리 공정과,
기판의 이면을 하면으로 하여 기판의 이면의 내주부를 흡착하여 보지하고, 기판의 이면의 외주단으로부터 내주측의 소정의 처리 범위에서 제거 대상물을 제거하는 이면 주연부 처리 공정
을 가지고,
상기 이면 주연부 처리 공정을 행한 후에 상기 기판의 반전을 행하고, 그 후, 상기 이면 처리 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. A substrate processing method for removing an object to be removed on a back surface of a substrate,
A back surface treatment step of supporting the outer peripheral edge of the substrate with the substrate support with the back surface of the substrate as an upper surface and removing the object to be removed in a predetermined treatment range from the inner peripheral portion of the back surface of the substrate to the vicinity of the substrate support,
A rear surface peripheral processing step of removing an object to be removed in a predetermined processing range on the inner peripheral side from the outer peripheral edge of the back surface of the substrate by suctioning and holding the inner peripheral part of the back surface of the substrate with the rear surface of the substrate as a lower surface,
To have,
Wherein the substrate is inverted after the back side peripheral processing step is performed, and then the back side processing step is performed. 제 1 항에 있어서,
상기 이면 처리 공정을 행한 후에 추가로 상기 기판의 반전을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The method according to claim 1,
And the substrate is further reversed after the back side treatment step is performed. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 이면 처리 공정에서의 처리 범위와 상기 이면 주연부 처리 공정에서의 처리 범위가 중첩되는 중첩 처리 범위를 마련한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein a superimposing process range in which a process range in the back side process step and a process range in the back side periphery process step are overlapped is provided. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 이면 처리 공정은, 브러시를 기판의 이면에 상방으로부터 접촉시켜서 상기 제거 대상물을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. 3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the back surface treatment step comprises bringing the brush into contact with the back surface of the substrate from above to remove the object to be removed. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 이면 주연부 처리 공정은, 브러시를 기판의 이면에 하방으로부터 접촉시켜서 상기 제거 대상물을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the back side peripheral edge processing step comprises bringing the brush into contact with the back surface of the substrate from below to remove the object to be removed. 기판의 이면의 제거 대상물을 제거하는 기판 처리 시스템에 있어서,
기판의 이면을 상면으로 하여 기판 지지체로 기판의 외주단을 지지하고, 기판의 이면의 내주부로부터 기판 지지체의 근방까지의 소정의 처리 범위에서 제거 대상물을 제거하는 이면 처리 장치와,
기판의 이면을 하면으로 하여 기판의 이면의 내주부를 흡착하여 보지하고, 기판의 이면의 외주단으로부터 내주측의 소정의 처리 범위에서 제거 대상물을 제거하는 이면 주연부 처리 장치와,
기판을 반전시키는 기판 반전 장치
를 가지고,
상기 이면 주연부 처리 장치에서 기판의 이면을 처리한 후에, 상기 기판 반전 장치로 기판의 반전을 행하고, 그 후, 상기 이면 처리 장치에서 기판의 이면을 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. A substrate processing system for removing an object to be removed on a back surface of a substrate,
A back surface treatment apparatus for supporting an outer peripheral edge of a substrate with a substrate support with an upper surface of the substrate as an upper surface and removing an object to be removed in a predetermined treatment range from an inner peripheral portion of the back surface of the substrate to a vicinity of the substrate support,
A back surface peripheral processing device which removes an object to be removed from the outer peripheral edge of the back surface of the substrate in a predetermined processing range on the inner peripheral side by adsorbing and holding the inner peripheral portion of the back surface of the substrate,
A substrate inverting apparatus for inverting a substrate
Lt; / RTI &
Wherein the backside peripheral processing apparatus processes the backside of the substrate, then reverses the substrate with the substrate inversion apparatus, and thereafter, the backside processing apparatus processes the backside of the substrate. 제 6 항에 있어서,
상기 이면 처리 장치에서 기판의 이면을 처리한 후에, 추가로 상기 기판 반전 장치에서 기판의 반전을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. The method according to claim 6,
Wherein after the back side of the substrate is processed in the back side processing apparatus, the substrate inversion apparatus further reverses the substrate. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 이면 처리 장치에서의 처리 범위와 상기 이면 주연부 처리 장치에서의 처리 범위가 중첩되는 중첩 처리 범위를 마련한 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템. 8. The method according to claim 6 or 7,
Wherein a superimposing process range in which a process range in the back side peripheral device and a process range in the back side peripheral device are overlapped is provided. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 이면 처리 장치는, 브러시를 기판의 이면에 상방으로부터 접촉시켜서 상기 제거 대상물을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.8. The method according to claim 6 or 7,
Wherein the back surface treatment apparatus is configured to bring the brush into contact with the back surface of the substrate from above to remove the object to be removed. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 이면 주연부 처리 장치는, 브러시를 기판의 이면에 하방으로부터 접촉시켜서 상기 제거 대상물을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.8. The method according to claim 6 or 7,
Wherein the backside peripheral edge processing apparatus is configured to bring the brush into contact with the back surface of the substrate from below to remove the object to be removed. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 기판 처리 방법을 실행하기 위한 기판 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
A computer-readable storage medium storing a substrate processing program for executing the substrate processing method according to claim 1 or 2.
KR1020160021071A 2011-07-07 2016-02-23 Method and system for processing substrate and computer-readable storage medium storing substrate processing program KR101688492B1 (en)

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