KR20160026558A - 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터 및 이를 갖는 고주파 스위치 제어 장치 - Google Patents

로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터 및 이를 갖는 고주파 스위치 제어 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20160026558A
KR20160026558A KR1020140115663A KR20140115663A KR20160026558A KR 20160026558 A KR20160026558 A KR 20160026558A KR 1020140115663 A KR1020140115663 A KR 1020140115663A KR 20140115663 A KR20140115663 A KR 20140115663A KR 20160026558 A KR20160026558 A KR 20160026558A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
feedback
battery
battery voltage
output
Prior art date
Application number
KR1020140115663A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102029490B1 (ko
Inventor
김유환
김종명
유현환
나유삼
장대석
유현진
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020140115663A priority Critical patent/KR102029490B1/ko
Priority to US14/670,964 priority patent/US9389626B2/en
Publication of KR20160026558A publication Critical patent/KR20160026558A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102029490B1 publication Critical patent/KR102029490B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/575—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices characterised by the feedback circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

본 발명의 일 구현예에 따른 상기 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터는, 기준 전압과 피드백 전압 사이의 전압차에 따라 게이트 신호를 제공하는 오차 증폭부, 상기 게이트 신호에 따라 배터리 전압을 입력받는 입력단과 접지 사이의 전류를 조절하는 반도체 스위치, 상기 반도체 스위치와 접지 사이의 검출노드에서 검출 전압을 분할 검출하여 피드백 전압을 제공하는 피드백 회로부, 상기 배터리 전압을 감지하는 전압 감지부 및 상기 감지되는 배터리 전압에 따라 상기 피드백 전압을 조절하는 피드백 전압 제어부를 포함할 수 있다.

Description

로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터 및 이를 갖는 고주파 스위치 제어 장치{VOLTAGE REGULATOR OF LOW-DROP-OUTPUT AND RF SWITCH CONTROLL DEVICE HAVING THE SAME}
본 발명은 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터 및 이를 갖는 고주파 스위치 제어 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 이동 통신 단말기의 고주파 안테나 장치에 적용되는 고주파 스위치에 스위치 제어 신호를 출력하는 스위치 제어 장치는 스위치 제어 신호를 안정적으로 제어하기 위해서 전압 레귤레이터가 이용될 수 있다.
특히, 전압 레귤레이터 중에서, 전원 전압을 하향 변환할 수 있고, 간단히 설계 가능하며, 전류 소모를 줄일 수 있는 로우 드롭 아웃(Low Drop Output: LDO) 타입의 전압 레귤레이터가 이용될 수 있다.
이와 같은 LDO를 이용하는 스위치 제어 장치의 스위치 제어 신호의 크기는 LDO의 출력 전압에 의해 좌우되며, LDO의 출력 전압은 배터리 전압 범위 중 최소 값을 기준으로 정해진다. 즉, 스위치 제어 신호의 크기는 LDO 출력 전압보다 클 수 없게 된다.
그러나, 고주파 스위치의 선형 성능은 게이트 컨트롤 전압, 즉, 스위치 제어 신호의 크기가 클수록 커지게 되므로, 배터리 전압에 따라 출력 전압을 가변할 수 있는 전압 레귤레이터가 요구되고 있다.
하기의 특허문헌 1은 전압 레귤레이터에 관한 것이나, 상술한 문제에 대한 해결책을 제시하지 못하고 있다.
일본 공개특허공보 특개2001-175341호
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 배터리 전압을 감지하고, 감지된 배터리 전압에 따라 피드백 전압을 조절함으로써 출력 전압을 조절할 수 있는 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터를 제공한다.
또한, 배터리 전압에 따라 조절되는 출력 전압을 이용하여 스위치 컨트롤 전압을 조절함으로써 상기 스위치 컨트롤 전압을 제공받는 고주파 스위치의 선형 특성을 확보할 수 있는 고주파 스위치 제어 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예는 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터를 제안한다. 상기 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터는, 기준 전압과 피드백 전압 사이의 전압차에 따라 게이트 신호를 제공하는 오차 증폭부, 상기 게이트 신호에 따라 배터리 전압을 입력받는 입력단과 접지 사이의 전류를 조절하는 반도체 스위치, 상기 반도체 스위치와 접지 사이의 검출노드에서 검출 전압을 분할 검출하여 피드백 전압을 제공하는 피드백 회로부, 상기 배터리 전압을 감지하는 전압 감지부 및 상기 감지되는 배터리 전압에 따라 상기 피드백 전압을 조절하는 피드백 전압 제어부를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 피드백 회로부는, 상기 검출노드와 접지 사이에 연결된 제1 검출 저항 및 제2 검출 저항을 포함할 수 있고, 상기 제1 검출 저항 및 제2 검출 저항의 피드백 노드에서 상기 피드백 전압을 제공할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 검출 저항은 가변 저항이며, 상기 피드백 전압 제어부는 상기 제1 검출 저항의 저항값을 가변하여 상기 피드백 전압을 조절할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시 예는 고주파 스위치 제어 장치를 제안한다. 상기 고주파 스위치 제어 장치는, 배터리 전압을 감지하며, 상기 감지되는 배터리 전압에 따라 출력 전압을 조정하는 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터 및 상기 출력 전압을 이용하여 고주파 스위치에 온 또는 오프 신호를 출력하는 스위칭 제어부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 배터리 전압을 감지하고, 감지된 배터리 전압에 따라 피드백 전압을 조절함으로써 출력 전압을 조절할 수 있다.
또한, 배터리 전압에 따라 조절되는 출력 전압을 이용하여 스위치 컨트롤 전압을 조절함으로써 상기 스위치 컨트롤 전압을 제공받는 고주파 스위치의 선형 특성을 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치 제어 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터를 설명하기 위하 도면이다.
도 3은 도 2의 전압 감지부의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 배터리 전압의 크기에 따른 도 3의 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터의 출력 전압을 설명하기 위한 그래프이다.
도 5는 도 1의 고주파 스위치 제어 장치에서 출력되는 스위치 온 신호에 따른 고주파 스위치의 선형 특성을 설명하기 위한 그래프이다.
도 6은 도 1의 고주파 스위치 제어 장치에서 출력되는 스위치 오프 신호에 따른 고주파 스위치의 선형 특성을 설명하기 위한 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호가 사용될 것이며, 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치 제어 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치 제어 장치는 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터(10) 및 스위칭 제어부(20)를 포함할 수 있다.
로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터(10)는 배터리 전압(Vbat)을 감지하며, 상기 감지되는 배터리 전압(Vbat)에 따라 출력 전압(Vout)을 조정할 수 있다.
일 실시예에서, 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터(10)은 오차 증폭부(100), 반도체 스위치(200), 피드백 회로부(300), 전압 감지부(400) 및 피드백 전압 제어부(500)를 포함할 수 있다.
이러한 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터(10)에 대해서는 도 2를 참조하여 이하에서 보다 상세히 설명한다.
스위칭 제어부(20)는 출력 전압(Vout)을 이용하여 스위치 제어 신호(SW, SW(─))를 출력할 수 있다. 스위치 제어 신호(SW, SW(─))는 각각 온 또는 오프 신호 일 수 있으며, SW 신호와 SW(─) 신호는 서로 반대 신호일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터를 설명하기 위한 도면이며, 도 3은 도 2의 전압 감지부의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터(10)은 오차 증폭부(100), 반도체 스위치(200), 피드백 회로부(300), 전압 감지부(400) 및 피드백 전압 제어부(500)를 포함할 수 있다.
오차 증폭부(100)는 기준 전압(Vref)와 피드백 전압(Vfb)과의 차 전압에 따라 게이트 신호(SG)를 반도체 스위치(200)에 제공할 수 있다.
일 실시예에서, 오차 증폭부(100)는 기준 전압(Vref)을 입력받는 반전 입력단과 피드백 전압(Vfb)을 입력받는 비반전 입력단과 게이트 신호(SG)를 제어하기 위해 반도체 스위치(200)에 연결된 출력단을 갖는 연산 증폭기(OP1)를 포함할 수 있다.
이때, 연산 증폭기(OP1)는 기준 전압(Vref)과 피드백 전압(Vfb)의 차전압에 해당되는 레벨을 갖는 게이트 신호(SG)를 제공하여 기준 전압(Vref)과 피드백 전압(Vfb)이 같아지도록 제어할 수 있다.
반도체 스위치(200)는 게이트 신호(SG)에 따라 배터리 전압(Vbat)을 입력받는 입력단(IN)과 접지간의 전류를 조절할 수 있다.
일 실시예에서, 반도체 스위치(200)는 입력단(IN)에 연결된 소스와 오차 증폭부(100)의 출력단에 연결된 게이트와 피드백 회로부(300)에 연결된 드레인을 갖는 제1 PMOS 트랜지스터(PM1)를 포함할 수 있다.
이때, PMOS 트랜지스터(PM1)는 게이트 신호(SG)에 따라 소스-드레인 전류를 조절할 수 있다.
피드백 회로부(300)는 반도체 스위치(200)와 접지간의 검출노드(Nd)에서 검출전압을 분할 검출하여 피드백 전압(Vfb)을 오차 증폭부(100)에 제공할 수 있다.
일 실시예에서, 피드백 회로부(300)는 검출노드(Nd)와 접지 사이에 연결된 제1 검출 저항(R1) 및 제2 검출 저항(R2)을 포함할 수 있다.
여기서, 제1 검출 저항(R1) 및 제2 검출 저항(R2)의 저항값을 동일하게 설정하면, 피트백 전압(Vfb)은 검출 전압(Vdet)의 1/2 크기에 해당될 수 있다. 즉, 검출 전압(Vdet)은 피드백 전압(Vfb)의 2배 전압이 될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 검출 저항(R1)은 가변 저항일 수 있으며, 제1 검출 저항(R1)의 저항 값은 피드백 전압 제어부(500)에 의해 조정될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 비록 도면에 도시되진 않았지만, 제2 검출 저항(R2)은 가변 저항일 수 있으며, 제2 검출 저항(R2)의 저항 값은 피드백 전압 제어부(500)에 의해 조정될 수 있다.
전압 감지부(400)는 배터리 전압(Vbat)을 감지할 수 있다. 일 실시예에서, 전압 감지부(400)는, 도3에서와 같이, 입력단(IN)과 접지 사이에 연결되는 복수의 저항(410)과 복수의 저항 사이의 복수의 노드 전압을 각각 비교 전압과 비교하는 복수의 비교부(420, 430) 및 복수의 비교부(420, 430)의 비교 결과에 기초하여 배터리 전압(Vbat)을 감지하는 배터리 전압 감지부(440)을 포함할 수 있다.
복수의 저항(410)은 입력단(IN)과 접지 사이에 연결될 수 있다. 복수의 비교부(420, 430)는 복수의 저항 사이의 복수의 노드 전압을 각각 비교 전압과 비교할 수 있다.
일 실시예에서, 복수의 비교부(420, 430)는 복수의 저항 사이의 노드 중 제1 노드(N1)의 제1 전압(V1)과 미리 설정된 제1 비교 전압(Vref1)을 비교하여 그 결과를 출력하는 제1 비교부(420)와 복수의 저항 사이의 노드 중 제2 노드(N2)의 제2 전압(V2)과 미리 설정된 제1 비교 전압(Vref2)을 비교하여 그 결과를 출력하는 제2 비교부(430)를 포함할 수 있다.
배터리 전압 감지부(440)는 복수의 비교부(420, 430)의 비교 결과에 따라 배터리 전압(Vbat)을 감지할 수 있다.
피드백 전압 제어부(500)는 전압 감지부(400)에서 감지된 배터리 전압(Vbat)에 따라 피드백 전압(Vfb)을 조절할 수 있다.
일 실시예에서, 피드백 전압 제어부(500)는 전압 감지부(400)에서 감지한 배터리 전압(Vbat)이 미리 설정된 기준 전압과 비교하여 감지된 배터리 전압(Vbat)이 기준 전압보다 큰 경우, 제1 검출 저항(R1)의 저항값을 증가시키면 피드백 전압(Vfb)이 감소할 수 있다.
피드백 전압(Vfb)이 감소하게 되면, 오차 증폭부(100)에서 출력되는 게이트 신호(SG)가 증가하여 출력 전압(Vout)이 증가할 수 있다.
도 4는 배터리 전압의 크기에 따른 도 3의 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터의 출력 전압을 설명하기 위한 그래프이고, 도 5는 도 1의 고주파 스위치 제어 장치에서 출력되는 스위치 온 신호에 따른 고주파 스위치의 선형 특성을 설명하기 위한 그래프이며, 도 6은 도 1의 고주파 스위치 제어 장치에서 출력되는 스위치 오프 신호에 따른 고주파 스위치의 선형 특성을 설명하기 위한 그래프이다.
도 4에서, 가로축은 입력단(IN)에 입력되는 배터리 전압(Vbat)이고 세로축은 출력 전압(Vout)을 나타낸다. 본 발명의 일 실시예에 따른 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터는 복수의 비교부(420, 430)의 비교 결과에 따라 감지되는 배터리 전압(Vbat)에 따라 제1 검출 저항(R1)의 저항 값을 조절하여 피드백 전압(Vfb)을 조정함으로써 도 4에서와 같이 배터리 전압(Vbat)에 따른 출력 전압(Vout)을 얻을 수 있다.
도 5 및 도 6은 도 1의 고주파 스위치 제어 장치가 적용된 고주파 스위치의 선형특성을 나타내는 그래프이다. 여기서, 도 5는 고주파 스위치의 스위치가 온(ON) 인 경우, 스위치 컨트롤 전압(SW)에 따른 선형 특성을 나타내고 도 6은 상기 고주파 스위치의 스위치가 오프(OFF)인 경우, 스위치 컨트롤 전압(SW)에 따른 선형 특성을 나타낸다. 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 스위치 제어 장치는 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터가 배터리 전압에 따라 출력 전압을 조절하고, 이에 따라 스위칭 제어부의 스위치 컨트롤 전압(SW, SW)이 조절됨으로써 이를 제공받는 고주파 스위치의 선형 특성을 확보할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고 후술하는 특허청구범위에 의해 한정되며, 본 발명의 구성은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 그 구성을 다양하게 변경 및 개조할 수 있다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 쉽게 알 수 있다.
10: 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터
20: 스위칭 제어부
100: 오차 증폭부
200: 반도체 스위치
300: 피드백 회로부
400: 전압 감지부
410: 복수의 저항
420: 제1 비교부
430: 제2 비교부
440: 배터리 전압 감지부
500: 피드백 전압 제어부

Claims (19)

  1. 기준 전압과 피드백 전압 사이의 전압차에 따라 게이트 신호를 제공하는 오차 증폭부;
    상기 게이트 신호에 따라 배터리 전압을 입력받는 입력단과 접지 사이의 전류를 조절하는 반도체 스위치;
    상기 반도체 스위치와 접지 사이의 검출노드에서 검출 전압을 분할 검출하여 피드백 전압을 제공하는 피드백 회로부;
    상기 배터리 전압을 감지하는 전압 감지부; 및
    상기 감지되는 배터리 전압에 따라 상기 피드백 전압을 조절하는 피드백 전압 제어부;
    를 포함하는 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 피드백 전압 제어부는,
    상기 배터리 전압이 증가하면, 상기 피드백 전압을 감소시키고, 상기 배터리 전압이 감소하면, 상기 피드백 전압을 증가시키는 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 오차 증폭부는,
    상기 기준전압을 입력받는 반전 입력단과, 상기 피드백 전압을 입력받는 비반전 입력단과, 상기 게이트 신호를 제공하기 위해 상기 반도체 스위치에 연결된 출력단을 갖는 연산 증폭기를 포함하고,
    상기 게이트 신호는, 상기 기준 전압과 상기 피드백 전압과의 차 전압의 크기에 대응되는 레벨을 갖는 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반도체 스위치는,
    상기 입력 전압 단에 연결된 소스와, 상기 오차 증폭부의 출력단에 연결된 게이트와, 상기 피드백 회로부에 연결된 드레인을 갖는 PMOS 트랜지스터를 포함하고,
    상기 PMOS 트랜지스터는, 상기 게이트 신호에 따라 소스-드레인 전류를 조절하는 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터.
  5. 제1항에 있어서, 상기 피드백 회로부는,
    상기 검출노드와 접지 사이에 연결된 제1 검출 저항 및 제2 검출 저항을 포함하고,
    상기 제1 검출 저항 및 제2 검출 저항의 피드백 노드에서 상기 피드백 전압을 제공하는 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 검출 저항은 가변 저항이며,
    상기 피드백 전압 제어부는 상기 제1 검출 저항의 저항값을 가변하여 상기 피드백 전압을 조절하는 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터.
  7. 제6항에 있어서, 피드백 전압 제어부는,
    상기 배터리 전압이 증가하면, 상기 제1 검출 저항의 저항 값을 증가시켜 상기 피드백 전압을 감소시키는 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터.
  8. 제6항에 있어서, 피드백 전압 제어부는,
    상기 배터리 전압이 감소하면, 상기 제1 검출 저항의 저항 값을 감소시켜 상기 피드백 전압을 증가시키는 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터.
  9. 제1항에 있어서, 상기 전압 감지부는,
    상기 입력단과 접지 사이에 연결되는 복수개의 저항;
    상기 복수개의 저항 사이의 노드 중 제1 노드의 제1 전압과, 제1 비교전압을 비교하는 제1 비교기;
    상기 복수개의 저항 사이의 노드 중 제2 노드의 제2 전압과, 제2 비교전압을 비교하는 제2 비교기; 및
    상기 제1 비교기와 제2 비교기의 비교 결과에 따라 상기 배터리 전압을 감지하는 배터리 전압 감지부; 를 포함하는 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터.
  10. 배터리 전압을 감지하며, 상기 감지되는 배터리 전압에 따라 출력 전압을 조정하는 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터; 및
    상기 출력 전압을 이용하여 고주파 스위치에 온 또는 오프 신호를 출력하는 스위칭 제어부;
    를 포함하는 고주파 스위치 제어 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터는,
    기준 전압과 피드백 전압 사이의 전압차에 따라 게이트 신호를 제공하는 오차 증폭부;
    상기 게이트 신호에 따라 배터리 전압을 입력받는 입력단과 접지 사이의 전류를 조절하는 반도체 스위치;
    상기 반도체 스위치와 접지 사이의 검출노드에서 검출 전압을 분할 검출하여 피드백 전압을 제공하는 피드백 회로부;
    상기 검출노드와 출력단 사이에 접속되어, 상기 출력단으로 제공되는 출력전류에 따라 출력 전압을 강하 시키는 전압 강하부;
    상기 배터리 전압을 감지하는 전압 감지부; 및
    상기 감지되는 배터리 전압에 따라 상기 피드백 전압을 조절하는 피드백 전압 제어부;
    를 포함하는 고주파 스위치 제어 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 피드백 전압 제어부는,
    상기 배터리 전압이 증가하면, 상기 피드백 전압을 감소시키고, 상기 배터리 전압이 감소하면, 상기 피드백 전압을 증가시키는 고주파 스위치 제어 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 오차 증폭부는,
    상기 기준전압을 입력받는 반전 입력단과, 상기 피드백 전압을 입력받는 비반전 입력단과, 상기 게이트 신호를 제공하기 위해 상기 반도체 스위치에 연결된 출력단을 갖는 연산 증폭기를 포함하고,
    상기 게이트 신호는, 상기 기준 전압과 상기 피드백 전압과의 차 전압의 크기에 대응되는 레벨을 갖는 고주파 스위치 제어 장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 반도체 스위치는,
    상기 입력 전압 단에 연결된 소스와, 상기 오차 증폭부의 출력단에 연결된 게이트와, 상기 피드백 회로부에 연결된 드레인을 갖는 PMOS 트랜지스터를 포함하고,
    상기 PMOS 트랜지스터는, 상기 게이트 신호에 따라 소스-드레인 전류를 조절하는 고주파 스위치 제어 장치.
  15. 제11항에 있어서, 상기 피드백 회로부는,
    상기 검출노드와 접지 사이에 연결된 제1 검출 저항 및 제2 검출 저항을 포함하고,
    상기 제1 검출 저항 및 제2 검출 저항의 피드백 노드에서 상기 피드백 전압을 제공하는 고주파 스위치 제어 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1 검출 저항은 가변 저항이며,
    상기 피드백 전압 제어부는 상기 제1 검출 저항의 저항값을 가변하여 상기 피드백 전압을 조절하는 고주파 스위치 제어 장치.
  17. 제16항에 있어서, 피드백 전압 제어부는,
    상기 배터리 전압이 증가하면, 상기 제1 검출 저항의 저항 값을 증가시켜 상기 피드백 전압을 감소시키는 고주파 스위치 제어 장치.
  18. 제16항에 있어서, 피드백 전압 제어부는,
    상기 배터리 전압이 감소하면, 상기 제1 검출 저항의 저항 값을 감소시켜 상기 피드백 전압을 증가시키는 고주파 스위치 제어 장치.
  19. 제11항에 있어서, 상기 전압 감지부는,
    상기 입력단과 접지 사이에 연결되는 복수개의 저항;
    상기 복수개의 저항 사이의 노드 중 제1 노드의 제1 전압과, 제1 비교전압을 비교하는 제1 비교기;
    상기 복수개의 저항 사이의 노드 중 제2 노드의 제2 전압과, 제2 비교전압을 비교하는 제2 비교기; 및
    상기 제1 비교기와 제2 비교기의 비교 결과에 따라 상기 배터리 전압을 감지하는 배터리 전압 감지부; 를 포함하는 고주파 스위치 제어 장치.

KR1020140115663A 2014-09-01 2014-09-01 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터 및 이를 갖는 고주파 스위치 제어 장치 KR102029490B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140115663A KR102029490B1 (ko) 2014-09-01 2014-09-01 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터 및 이를 갖는 고주파 스위치 제어 장치
US14/670,964 US9389626B2 (en) 2014-09-01 2015-03-27 Low-drop-output type voltage regulator and RF switching control device having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140115663A KR102029490B1 (ko) 2014-09-01 2014-09-01 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터 및 이를 갖는 고주파 스위치 제어 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160026558A true KR20160026558A (ko) 2016-03-09
KR102029490B1 KR102029490B1 (ko) 2019-10-07

Family

ID=55402398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140115663A KR102029490B1 (ko) 2014-09-01 2014-09-01 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터 및 이를 갖는 고주파 스위치 제어 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9389626B2 (ko)
KR (1) KR102029490B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9984747B2 (en) 2016-10-18 2018-05-29 SK Hynix Inc. Voltage regulator and resistance variable memory apparatus having the same
CN112782453A (zh) * 2020-12-29 2021-05-11 广东高云半导体科技股份有限公司 一种电压传感器、芯片和电子设备

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10559971B2 (en) 2015-04-10 2020-02-11 Ossia Inc. Wirelessly chargeable battery apparatus
DE102016204571B4 (de) 2016-03-18 2018-08-09 Dialog Semiconductor (Uk) Limited Ladungsinjektion zur ultraschnellen spannungssteuerung in spannungsregler
US10663993B2 (en) * 2016-07-15 2020-05-26 Qualcomm Incorporated Low-dropout regulator with band-reject power supply rejection ratio for phase locked loop voltage controlled oscillator
US11146093B2 (en) * 2017-03-31 2021-10-12 Ossia Inc. Actively modifying output voltage of a wirelessly chargeable energy storage apparatus
TWI700571B (zh) * 2019-06-04 2020-08-01 瑞昱半導體股份有限公司 參考電壓產生裝置
KR102662910B1 (ko) 2020-04-01 2024-05-08 삼성디스플레이 주식회사 전력 관리 회로, 화소 전원 전압 생성 방법, 및 표시 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000194430A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Fujitsu Ten Ltd 電源回路
JP2001175341A (ja) 1999-12-20 2001-06-29 Fuji Electric Co Ltd 電圧レギュレータ
KR20080114489A (ko) * 2007-06-25 2008-12-31 삼성전자주식회사 전압 레귤레이터, 그것을 포함한 플래시 메모리 장치 및그것을 포함한 메모리 시스템
JP2011150582A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Ricoh Co Ltd 基準電圧発生回路及びそれを用いたアナログ回路
US20140210436A1 (en) * 2013-01-29 2014-07-31 Rf Micro Devices, Inc. Low noise radio frequency switching circuitry

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5528127A (en) * 1994-05-17 1996-06-18 National Semiconductor Corporation Controlling power dissipation within a linear voltage regulator circuit
US6509722B2 (en) * 2001-05-01 2003-01-21 Agere Systems Inc. Dynamic input stage biasing for low quiescent current amplifiers
JP3759133B2 (ja) * 2003-08-29 2006-03-22 ローム株式会社 電源装置
US7106032B2 (en) * 2005-02-03 2006-09-12 Aimtron Technology Corp. Linear voltage regulator with selectable light and heavy load paths
US7402987B2 (en) * 2005-07-21 2008-07-22 Agere Systems Inc. Low-dropout regulator with startup overshoot control
US7218168B1 (en) * 2005-08-24 2007-05-15 Xilinx, Inc. Linear voltage regulator with dynamically selectable drivers
US7126513B1 (en) * 2005-09-27 2006-10-24 Micrel, Incorporated Analog control of a digital decision process
US7589507B2 (en) * 2005-12-30 2009-09-15 St-Ericsson Sa Low dropout regulator with stability compensation
US7719241B2 (en) * 2006-03-06 2010-05-18 Analog Devices, Inc. AC-coupled equivalent series resistance
JP2007304850A (ja) 2006-05-11 2007-11-22 Rohm Co Ltd 電圧生成回路及びそれを備えた電気機器
US7629711B2 (en) * 2007-03-23 2009-12-08 Freescale Semiconductor, Inc. Load independent voltage regulator
US20090079406A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Chaodan Deng High-voltage tolerant low-dropout dual-path voltage regulator with optimized regulator resistance and supply rejection
US7701690B1 (en) * 2008-01-15 2010-04-20 National Semiconductor Corporation System and method for suppressing load transients in radio frequency power amplifier switching power supplies
US8072196B1 (en) * 2008-01-15 2011-12-06 National Semiconductor Corporation System and method for providing a dynamically configured low drop out regulator with zero quiescent current and fast transient response
US7714553B2 (en) * 2008-02-21 2010-05-11 Mediatek Inc. Voltage regulator having fast response to abrupt load transients
JP2009258787A (ja) * 2008-04-11 2009-11-05 Toshiba Corp 電源回路
US7915961B1 (en) * 2008-05-13 2011-03-29 National Semiconductor Corporation Power amplifier multiple stage control for polar modulation circuit
US7973518B2 (en) * 2008-06-05 2011-07-05 Intel Corporation Low noise voltage regulator
US7990119B2 (en) * 2008-07-29 2011-08-02 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Multimode voltage regulator circuit
JP5287191B2 (ja) * 2008-12-03 2013-09-11 株式会社リコー ヒステリシススイッチングレギュレータ及びその動作制御方法
US8401500B1 (en) * 2009-02-13 2013-03-19 Rf Micro Devices, Inc. High-efficiency low-cost power supply for radio frequency systems
US8044646B2 (en) * 2009-04-10 2011-10-25 Texas Instruments Incorporated Voltage regulator with quasi floating gate pass element
KR20110028712A (ko) * 2009-09-14 2011-03-22 삼성전자주식회사 전압 범위 판단 회로
US8841897B2 (en) * 2011-01-25 2014-09-23 Microchip Technology Incorporated Voltage regulator having current and voltage foldback based upon load impedance
US8525595B2 (en) * 2011-01-27 2013-09-03 Rf Micro Devices, Inc. Vramp limiting using resistors
TWI458241B (zh) * 2011-09-23 2014-10-21 Richtek Technology Corp 具動態壓降控制的電源供應器及其方法
US8786371B2 (en) * 2011-11-18 2014-07-22 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for voltage converters
US9515621B2 (en) * 2011-11-30 2016-12-06 Qorvo Us, Inc. Multimode RF amplifier system
US9041365B2 (en) * 2011-12-01 2015-05-26 Rf Micro Devices, Inc. Multiple mode RF power converter
US9280163B2 (en) * 2011-12-01 2016-03-08 Rf Micro Devices, Inc. Average power tracking controller
US8674672B1 (en) * 2011-12-30 2014-03-18 Cypress Semiconductor Corporation Replica node feedback circuit for regulated power supply
US8547077B1 (en) * 2012-03-16 2013-10-01 Skymedi Corporation Voltage regulator with adaptive miller compensation
US9588171B2 (en) * 2012-05-16 2017-03-07 Infineon Technologies Ag System and method for testing an integrated circuit
US9274534B2 (en) * 2012-12-21 2016-03-01 Advanced Micro Devices, Inc. Feed-forward compensation for low-dropout voltage regulator
JP6161339B2 (ja) * 2013-03-13 2017-07-12 ラピスセミコンダクタ株式会社 昇圧型スイッチングレギュレータおよび半導体装置
US9461539B2 (en) * 2013-03-15 2016-10-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Self-calibrated voltage regulator
EP2857922A1 (en) * 2013-10-07 2015-04-08 Dialog Semiconductor GmbH Circuits and method for controlling transient fault conditions in a low dropout voltage regulator
KR102161826B1 (ko) * 2013-11-13 2020-10-06 삼성전자주식회사 전압 컨버터, 이를 포함하는 무선 전력 수신 장치 및 무선 전력 전송 시스템

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000194430A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Fujitsu Ten Ltd 電源回路
JP2001175341A (ja) 1999-12-20 2001-06-29 Fuji Electric Co Ltd 電圧レギュレータ
KR20080114489A (ko) * 2007-06-25 2008-12-31 삼성전자주식회사 전압 레귤레이터, 그것을 포함한 플래시 메모리 장치 및그것을 포함한 메모리 시스템
JP2011150582A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Ricoh Co Ltd 基準電圧発生回路及びそれを用いたアナログ回路
US20140210436A1 (en) * 2013-01-29 2014-07-31 Rf Micro Devices, Inc. Low noise radio frequency switching circuitry

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9984747B2 (en) 2016-10-18 2018-05-29 SK Hynix Inc. Voltage regulator and resistance variable memory apparatus having the same
CN112782453A (zh) * 2020-12-29 2021-05-11 广东高云半导体科技股份有限公司 一种电压传感器、芯片和电子设备
CN112782453B (zh) * 2020-12-29 2021-11-26 广东高云半导体科技股份有限公司 一种电压传感器、芯片和电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR102029490B1 (ko) 2019-10-07
US9389626B2 (en) 2016-07-12
US20160062376A1 (en) 2016-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102029490B1 (ko) 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터 및 이를 갖는 고주파 스위치 제어 장치
US10613563B2 (en) Regulator circuit including error amplifiers respectively controlling transistors having different sizes according to state of load
KR101401131B1 (ko) 전압 조정기
US9170591B2 (en) Low drop-out regulator with a current control circuit
US8169202B2 (en) Low dropout regulators
US9891643B2 (en) Circuit to improve load transient behavior of voltage regulators and load switches
US20150188421A1 (en) Voltage regulator
EP2894537A1 (en) Voltage regulator
US8648586B2 (en) Circuit for sensing load current of a voltage regulator
US10067521B2 (en) Low dropout regulator with PMOS power transistor
EP3300235B1 (en) Voltage regulator
CN108021177B (zh) 基于nmos的电压调节器
JP2015005171A (ja) ボルテージレギュレータ
KR101474158B1 (ko) 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터 및 그 동작 방법
JP6513943B2 (ja) ボルテージレギュレータ
US10078015B2 (en) Temperature detection circuit and semiconductor device
US10175708B2 (en) Power supply device
KR102444199B1 (ko) 저전압 강하 레귤레이터들을 포함하는 전압 보상 회로 및 이의 동작 방법
JP2016143341A (ja) ボルテージレギュレータ
US9354647B2 (en) Adjustable reference current generating circuit and method for driving the same
KR101558063B1 (ko) 로우 드롭 출력 타입의 전압 레귤레이터
JP2015172904A (ja) Ｌｄｏ型電圧レギュレータ、及び、受電装置
US20170205842A1 (en) Voltage regulator
US20130229161A1 (en) Modulating determination apparatus, modulating determination method, and power supply circuit thereof
JP2019164800A (ja) ボルテージレギュレータ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant