KR20160024165A - Apparatus for Manufacturing Wafer - Google Patents

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오현정
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Abstract

The present invention provides a wafer manufacturing device. The present invention is to improve flatness of a wafer by developing an epitaxial layer in an even thickness on the wafer. According to an embodiment, the wafer manufacturing device includes: a susceptor on which the wafer is mounted; a shaft arranged in the lower part of the susceptor and comprising a body formed in a post shape and multiple arms supporting the susceptor; and a lamp installed in the upper part of the susceptor and the lower part of the shaft to heat the wafer. The each arm includes: a first part extended from the body; and a second part extended from the first part. The first part and the second part have a preset angle to each other.

Description

웨이퍼 제조 장치{Apparatus for Manufacturing Wafer}[0001] Apparatus for Manufacturing Wafer [0002]

실시예는 웨이퍼 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에피택셜층 성장 공정에서 웨이퍼의 평탄도(flatness)를 개선하고자 하는 것이다.Embodiments relate to a wafer manufacturing apparatus and, more particularly, to improve the flatness of a wafer in an epitaxial layer growth process.

연마 웨이퍼(polished wafer) 표면에 실리콘 단결정의 에피택셜 박막을 성장시킨 것을 에피택셜 실리콘 웨이퍼(epitaxial silicon wafer)(이하, '에피 웨이퍼'라 한다.)라고 한다.An epitaxial silicon wafer (hereinafter referred to as an " epitaxial silicon wafer ") in which a silicon single crystal epitaxial thin film is grown on the surface of a polished wafer is referred to as an epitaxial silicon wafer.

이러한 에피 웨이퍼는 저저항률의 실리콘 웨이퍼 위에 고정항률의 실리콘 에피택셜층을 기상 성장시킨 것으로 게터링 능력과 낮은 래치업(latch-up) 특성, 그리고 고온에서 슬립(slip)에 강한 특징을 가지고 있어, 최근 MOS 디바이스 뿐만 아니라 LSI 디바이스용 웨이퍼로서 널리 이용되고 있다.These epitaxial wafers are obtained by vapor-phase growth of a silicon epitaxial layer with a fixed rate on a low-resistivity silicon wafer. These epitaxial wafers are characterized by gettering ability, low latch-up characteristics, and slip resistance at high temperatures, Has recently been widely used not only as a MOS device but also as a wafer for an LSI device.

에피 웨이퍼는 챔버 내에서 서셉터(susceptor) 위에 연마 웨이퍼를 안착시키고 1050℃ 이상의 고온으로 가열시킨 뒤 챔버에 원료 가스를 공급하고, 공급되는 원료 가스와 연마 웨이퍼를 반응시켜 웨이퍼 표면에 에피택셜 박막을 성장시키는 공정을 거쳐 제조된다.In the epitaxial wafer, the abrasive wafer is placed on a susceptor in a chamber, heated to a high temperature of 1050 ° C or higher, and then a raw material gas is supplied to the chamber, and an abrasive wafer is reacted with the supplied raw material gas to form an epitaxial thin film Lt; / RTI >

웨이퍼 제조 장치는, 챔버 내에 웨이퍼가 안착될 서셉터가 구비되고, 기둥형태로 형성되어 회전하는 바디와 바디의 상단 외주면을 따라 동일한 간격을 두고 복수 개가 형성되는 암을 포함하는 샤프트(shaft)가 서셉터를 지지하며 배치된다.A wafer manufacturing apparatus includes a shaft having a susceptor to which a wafer is to be placed in a chamber and having an arm that is formed in a columnar shape and includes a rotating body and a plurality of arms spaced at equal intervals along an upper outer circumferential surface of the body And arranged to support the susceptor.

서셉터의 상부와 하부에는 각각 램프가 배치되어 서셉터의 상부 영역과 하부 영역에 빛을 방출하는데, 램프의 빛이 샤프트를 투과하면서 복사열이 웨이퍼로 전달된다.A lamp is disposed at the top and bottom of the susceptor, respectively, to emit light to the upper and lower regions of the susceptor. Radiation heat is transmitted to the wafer as the light of the lamp is transmitted through the shaft.

이때, 웨이퍼의 상부 영역과 하부 영역 내에서 중앙 영역과 가장 자리 영역에 각각 복사열을 공급하는 램프가 따로 구분되고, 각각의 램프에서 방출되는 빛의 세기는 서로 다르게 설정된다.At this time, lamps for supplying radiant heat to the central region and the edge region are separately divided in the upper region and the lower region of the wafer, and the intensities of light emitted from the respective lamps are set to be different from each other.

그러나, 종래의 웨이퍼의 제조 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the conventional wafer manufacturing apparatus has the following problems.

램프, 특히 서셉터의 하부에 배치된 램프에서 서셉터 방향으로 복사열을 방출하더라도, 서셉터를 지지하는 샤프트 특히 암(arm)에 의하여 굴절되거나 차단되는 등의 영향으로 서셉터의 전영역에 고루 복사열이 전달되지 않을 수 있다.Even though the lamp, especially the lamp disposed at the lower portion of the susceptor, emits radiant heat in the direction of the susceptor, the radiant heat is radiated to the entire region of the susceptor due to the influence of the shafts supporting the susceptor, May not be delivered.

특히 서셉터의 중앙 영역에 전달되는 복사열이 증가하는 경우가 많은데, 온도가 높을 수록 박막이 두껍게 증착되는데 종래에는 웨이퍼의 중앙부에 전달되는 복사열의 양이 많기 때문에 웨이퍼의 중앙부로 갈수록 박막이 두껍게 형성되어 웨이퍼에 에피택셜층이 균일하게 형성되지 못하는 문제점이 있다.Particularly, the radiant heat transmitted to the central region of the susceptor is often increased. The higher the temperature, the thicker the thin film is deposited. In the past, since the amount of radiant heat transferred to the central portion of the wafer is large, There is a problem that the epitaxial layer can not be uniformly formed on the wafer.

실시예는 웨이퍼 상에 에피택셜층을 고른 두께로 성장시켜서, 웨이퍼의 평탄도를 개선하고자 한다.The embodiment attempts to improve the flatness of the wafer by growing the epitaxial layer to a uniform thickness on the wafer.

실시예는 웨이퍼가 안착되는 서셉터(susceptor); 상기 서셉터의 하부에 배치되고, 기둥형태로 형성된 바디(body)와 상기 서셉터를 지지하는 복수 개의 암(arm)으로 구성되는 샤프트(shaft); 및 상기 웨이퍼를 가열하기 위해 상기 서셉터의 상부와 상기 샤프트의 하부에 설치되는 램프를 포함하고, 상기 각각의 암은 상기 바디로부터 연장된 제1 부분과, 상기 제1 부분으로부터 연장된 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 기설정된 각도를 이루는 웨이퍼 제조 장치를 제공한다.An embodiment includes a susceptor on which a wafer is seated; A shaft disposed at a lower portion of the susceptor and including a body formed in a columnar shape and a plurality of arms supporting the susceptor; And a lamp mounted on top of the susceptor and under the shaft for heating the wafer, each arm having a first portion extending from the body and a second portion extending from the first portion, Wherein the first portion and the second portion form a predetermined angle.

제1 부분과 제2 부분은, 기설정된 각도를 이룰 수 있다.The first portion and the second portion may have a predetermined angle.

제1 부분은 상기 바디로부터 하방으로 기울어지며 연장될 수 있다.The first portion may be inclined downwardly from the body and extended.

제2 부분은 상기 제1 부분의 끝단으로부터 상방으로 기울어지며 연장될 수 있다.And the second portion may be inclined upwardly and extending from the end of the first portion.

제2 부분이 상기 서셉터와 접촉하는 영역의 높이는, 상기 제1 부분이 상기 바디와 접촉하는 영역의 높이보다 높을 수 있다.The height of the region where the second portion contacts the susceptor may be higher than the height of the region where the first portion contacts the body.

제1 부분은 상기 바디와 나란한 가상의 축과 48도 내지 64도를 이룰 수 있다.The first portion may be between 48 degrees and 64 degrees with an imaginary axis parallel to the body.

제2 부분은 상기 바디와 나란한 가상의 축과 26도 내지 42도를 이룰 수 있다.The second portion may be between 26 degrees and 42 degrees with an imaginary axis parallel to the body.

암은 3개가 구비되고, 상기 3개의 암은 상기 서셉터와 나란한 방향에서 서로 120도를 이룰 수 있다.Three arms may be provided, and the three arms may be at 120 degrees to each other in a direction parallel to the susceptor.

실시예는 웨이퍼 제조 장치는, 샤프트의 각각의 암의 제1 부분과 제2 부분의 경사로 인하여 서셉터로 전달되는 열 분포가 변경되어, 서셉터의 중앙부에 고르게 복사열이 전달될 수 있다.The embodiment allows the wafer manufacturing apparatus to change the heat distribution to be transmitted to the susceptor due to the inclination of the first portion and the second portion of each arm of the shaft, so that the radiant heat can be evenly distributed to the center portion of the susceptor.

도 1은 본 발명의 웨이퍼 제조 장치의 일실시예를 나타내는 단면도이고,
도 2는 종래의 샤프트의 구조를 나타낸 도면이고,
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 샤프트의 제1 실시예 내지 제3 실시예를 나타낸 도면이고,
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 샤프트의 제1 실시예 내지 제3 실시예를 구비한 웨이퍼 제조 장치 내의 온도 프로파일을 나타낸 도면이고,
도 5는 비교예와 실시예 1 내지 실시예 3의 샤프트를 구비한 웨이퍼 제조 장치 내의 온도 프로파일을 비교한 도면이다.1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a wafer manufacturing apparatus of the present invention,
2 is a view showing a structure of a conventional shaft,
FIGS. 3A to 3C are views showing the first to third embodiments of the shaft according to the present invention,
4A to 4C are diagrams showing the temperature profiles in the wafer manufacturing apparatus including the shaft according to the first to third embodiments of the present invention,
Fig. 5 is a diagram comparing the temperature profiles in the comparative example and the wafer manufacturing apparatus having the shafts of the first to third embodiments. Fig.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 웨이퍼 제조 장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a wafer manufacturing apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 웨이퍼 제조 장치의 일실시예를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a wafer manufacturing apparatus of the present invention.

실시예에 따른 웨이퍼 제조 장치는 서셉터(susceptor, 100), 샤프트(shaft, 200) 및 램프(300a~300d)를 포함하여 이루어진다.The wafer manufacturing apparatus according to the embodiment includes a susceptor 100, a shaft 200, and lamps 300a to 300d.

챔버에는 웨이퍼(W)의 표면에 에피텍셜(epitaxial)층과 같은 막을 형성하기 위해 가스 유입구(IN) 및 가스 배출구(OUT)가 형성될 수 있다.The chamber may be provided with a gas inlet IN and a gas outlet OUT to form a film such as an epitaxial layer on the surface of the wafer W. [

웨이퍼(W) 위에 에피택셜층을 성장시키기 위해 필요한 수소 같은 캐리어(carrier) 가스 및/또는 SiHCl3 또는 SiH2Cl2 같은 실란 등의 원료 가스(또는, 반응 가스)가 가스 유입구(IN)를 통해 유입되어 웨이퍼(W)에 에피택셜층이 형성될 수 있고, 에피택셜층의 형성 후에 잔존 가스는 가스 배출구(OUT)를 통해 배출될 수 있다. 도시된 바와 같이, 가스 유입구(IN)와 가스 배출구(OUT)는 서로 대향하여 형성될 수 있다.A carrier gas such as hydrogen necessary for growing an epitaxial layer on the wafer W and / or a source gas (or a reaction gas) such as SiHCl 3 or SiH 2 Cl 2 is supplied through the gas inlet IN An epitaxial layer can be formed to flow into the wafer W, and residual gas can be discharged through the gas outlet OUT after formation of the epitaxial layer. As shown, the gas inlet IN and the gas outlet OUT may be formed facing each other.

그리고, 가스 유입구(IN)와 가스 배출구(OUT) 사이에는 서셉터(100)가 구비되며, 서셉터(100)의 윗면과 거의 동일한 높이에 가스 유입구(IN)와 가스 배출구(OUT)가 위치하므로 가스 유입구(IN)를 통해 유입된 원료 가스가 웨이퍼(W)의 표면을 따라 상태로 흐를 수 있다.A susceptor 100 is provided between the gas inlet IN and the gas outlet OUT and the gas inlet IN and the gas outlet OUT are located at substantially the same height as the upper surface of the susceptor 100 The raw material gas introduced through the gas inlet IN can flow along the surface of the wafer W in a state.

서셉터(100)에는 외부로부터 반입되는 웨이퍼(W)가 안착된다. 서셉터(100)는 탄화 실리콘으로 커버되는 그래파이트(graphite) 재료로 이루어질 수 있으며, 원반 평면 형상을 가질 수 있다. 또한, 서셉터(100)는 다양한 단면 형상을 가질 수 있다.A wafer W to be carried from the outside is seated on the susceptor 100. The susceptor 100 may be made of a graphite material covered with silicon carbide and may have a disk-like shape. In addition, the susceptor 100 may have various cross-sectional shapes.

웨이퍼(W)는 서셉터(100)에 안착된 후, 급속 열처리될 수도 있고 에피텍셜층이 웨이퍼(W)의 주면 위에 성장될 수도 있다. 여기서, 웨이퍼(W)는 실리콘 웨이퍼일 수 있고, 실시예에 따른 웨이퍼(W)의 구경이 300mm일 수 있으나 반드시 이에 한정되지는 않는다.After the wafer W is placed on the susceptor 100, the wafer W may be subjected to rapid thermal processing and an epitaxial layer may be grown on the main surface of the wafer W. [ Here, the wafer W may be a silicon wafer, and the diameter of the wafer W according to the embodiment may be 300 mm, but is not limited thereto.

그리고, 서셉터(100)의 하부에는 서셉터(100)를 지지하는 샤프트(200)가 배치된다. 샤프트(200)는 기둥형태로 구비되는 바디(220)와 바디(220)와 연결되어 서셉터(100)를 지지하는 복수 개의 암(240)으로 구성된다. 웨이퍼(W)에 에피텍셜층을 형성할 때 웨이퍼(W)를 회전시켜야 하는데 웨이퍼(W)가 안착된 서셉터(100)를 샤프트(200)가 지지하면서 샤프트(200)가 회전함으로써 웨이퍼(W)가 회전된다. 여기서, 샤프트(200)의 바디(220) 하단에 회전 구동부(미도시)가 구동하여 샤프트(200)를 회전시킨다.A shaft 200 supporting the susceptor 100 is disposed below the susceptor 100. The shaft 200 includes a body 220 provided in a columnar shape and a plurality of arms 240 connected to the body 220 to support the susceptor 100. It is necessary to rotate the wafer W when the epitaxial layer is formed on the wafer W so that the shaft 200 supports the susceptor 100 on which the wafer W is placed, Is rotated. Here, a rotation driving unit (not shown) is driven at the lower end of the body 220 of the shaft 200 to rotate the shaft 200.

샤프트(200)는 서셉터(100)를 받치는 역할을 하는 부분으로서, 재질은 석영, 실리콘, 또는 탄화 규소일 수 있으며, 석영에 실리콘이나 탄화 규소의 피막을 입혀 구현될 수 있다.The shaft 200 serves to support the susceptor 100. The shaft 200 may be made of quartz, silicon, or silicon carbide. The shaft 200 may be made of quartz coated with silicon or silicon carbide.

그리고, 샤프트(200)의 암(240) 끝단에는 서셉터(100)를 지지하는 받침부(262)가 형성될 수 있다.A support portion 262 for supporting the susceptor 100 may be formed at an end of the arm 240 of the shaft 200.

그리고, 서셉터(100)를 지지하는 리프트 핀(250)이 별도로 배치될 수도 있다.Further, a lift pin 250 supporting the susceptor 100 may be separately disposed.

서셉터(100)의 상부와 샤프트(200)의 하부에는 각각 제1 램프(300a, 300b)와 제2 램프(300c, 300d)가 설치될 수 있다. 그리고, 웨이퍼(W)에 에피텍셜층을 형성하는 공정에서 웨이퍼를 가열해 주어야 하는데 제1 램프(300a, 300b)와 제2 램프(300c. 300d)의 빛에너지가 열에너지로 전환되어 복사열로 웨이퍼를 가열해 주게 된다.The first lamps 300a and 300b and the second lamps 300c and 300d may be installed on the upper portion of the susceptor 100 and the lower portion of the shaft 200, respectively. The wafer must be heated in the step of forming the epitaxial layer on the wafer W. The light energy of the first lamps 300a and 300b and the second lamps 300c and 300d is converted into thermal energy, And heated.

제1 램프(300a, 300b)와 제2 램프(300c. 300d)는 할로겐 램프(Halogen lamp)(적외선 램프 또는 원적외선 램프)로 구현될 수 있고 투명한 석영을 몸체로 할 수 있으나, 실시예는 이러한 램프의 형태에 국한되지 않는다.The first lamps 300a and 300b and the second lamps 300c and 300d may be realized as halogen lamps (infrared lamps or far-infrared lamps), and transparent quartz may be used as the body. However, The present invention is not limited thereto.

제1 램프(300a, 300b)와 제2 램프(300c. 300d)는 서셉터의 상부와 하부의 온도를 균일하게 가열하는 것이 이상적이며, 램프 하나의 파워는 최대 2 킬로와트일 수 있다.The first lamps 300a and 300b and the second lamps 300c and 300d are ideally to uniformly heat the upper and lower temperatures of the susceptor and the power of one lamp can be up to 2 kilowatts.

도 2는 종래의 샤프트의 구조를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a structure of a conventional shaft.

종래의 샤프트(200)는 기둥 형태의 바디(220)로부터 연결된 암(241, 242)을 포함하는데, 암(241, 242)은 적어도 3개가 구비되어 서셉터를 지지할 수 있다.The conventional shaft 200 includes arms 241 and 242 connected from a columnar body 220. At least three arms 241 and 242 are provided to support the susceptor.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 샤프트의 제1 실시예 내지 제3 실시예를 나타낸 도면이다.FIGS. 3A to 3C are views showing the first to third embodiments of the shaft according to the present invention.

실시예에 따른 샤프트(300)들은 기둥 형태의 바디(320)로부터 연결된 제1 암(341)과 제2 암(342)을 포함하는데, 암이 2개가 도시되고 있으나 서셉터(susceptor)의 안정적인 지지를 위하여 적어도 3개가 구비될 수 있다.The shaft 300 according to the embodiment includes a first arm 341 and a second arm 342 connected to each other from a columnar body 320. Although two arms are shown, a stable support of a susceptor At least three may be provided.

제1 암(341)은 바디(320)로부터 연장된 제1 부분(341a)와, 상기 제1 부분(341a)으로부터 연장된 제2 부분(341b)을 포함하여 이루어질 수 있다.The first arm 341 may include a first portion 341a extending from the body 320 and a second portion 341b extending from the first portion 341a.

제1 부분(341a)은 바디(320)로부터 하방으로 기울어지며 연장되고, 제2 부분(341b)은 제1 부분(341a)의 끝단으로부터 상방으로 기울어지며 연장되고 있다. 제2 부분(341b)이 서셉터와 접촉하는 영역의 높이는, 제1 부분(341a)이 바디(320)와 접촉하는 영역의 높이보다 높을 수 있다.The first portion 341a is inclined downwardly from the body 320 and extends and the second portion 341b is inclined upwardly from the end of the first portion 341a. The height of the region where the second portion 341b contacts the susceptor may be higher than the height of the region where the first portion 341a contacts the body 320. [

그리고, 도 3내지 도 3c에서 바디(320)의 나란한 가상의 축 I-I'가 도시되고 있으데, 도 3a에서 상기 축 I-I'과 제1 부분(341a)이 이루는 제1 각도(θ1)와 상기 축 I-I'과 제2 부분(341b)이 이루는 제1 각도(θ2)는 각각 64도와 26도이고, 도 3b에서 상기 축 I-I'과 제1 부분(341a)이 이루는 제1 각도(θ1)와 상기 축 I-I'과 제2 부분(341b)이 이루는 제1 각도(θ2)는 각각 56도와 34도이고, 도 3c에서 상기 축 I-I'과 제1 부분(341a)이 이루는 제1 각도(θ1)와 상기 축 I-I'과 제2 부분(341b)이 이루는 제1 각도(θ2)는 각각 48도와 42도일 수 있다.3A to 3C, a parallel imaginary axis I-I 'of the body 320 is shown. In FIG. 3A, a first angle? 1 between the axis I-I' and the first portion 341a 1 'and the first angle? 2 between the axis I-I' and the second portion 341b are 64 degrees and 26 degrees, respectively. In FIG. 3b, the axis I-I 'and the first portion 341a forming a first angle, the first angle (θ 2) are each 56 to help 34 degrees, and the axis I-I in Figure 3c is the second portion (341b) forms, and a (θ 1) and the axis I-I the first portion (341a) forming a first angle (θ 1) and the axis I-I 'and the second portion a first angle (θ 2) (341b) constituting a can 48 degrees and 42 degrees, respectively.

도 3a 내지 도 3c에서, 제2 암(342)은 바디(320)로부터 연장된 제1 부분(342a)와, 상기 제1 부분(342a)으로부터 연장된 제2 부분(342b)을 포함하여 이루어질 수있다. 제1 부분(342a)과 제2 부분(342b)의 구성은 제1 암(341)을 이루는 제1 암(341a) 및 제2 암(341b)의 구성과 동일하며, 도시되지 않았으나 제1 부분(341) 및 제2 부분(342)와 동일한 형상의 제3 암이 제1 암(341) 및 제2 암(342)과 수평 방향에서 각각 120도의 각도를 이룰 수 있는데, 여기서 수평 방향은 서셉터와 나란한 방향일 수 있다.3A-3C, the second arm 342 may include a first portion 342a extending from the body 320 and a second portion 342b extending from the first portion 342a. have. The configurations of the first portion 342a and the second portion 342b are the same as those of the first arm 341a and the second arm 341b constituting the first arm 341. Although not shown, A third arm having the same shape as the first portion 341 and the second portion 342 may be formed at an angle of 120 degrees with respect to the first arm 341 and the second arm 342 in the horizontal direction, May be in a side-by-side direction.

그리고, 제1 함(341)과 제2 암(342) 및 제3 암의 끝단에는 서셉터를 지지하는 받침부(362)가 형성되는데, 받침부(362)는 SiC(Silicon carbide)을 포함한다. 이는 웨이퍼 제작 공정 중에 샤프트(200)가 석영 등의 재질로 구비되었을 때 에칭(etching)이 많이 되기 때문에 내구성을 향상시키기 위함이다.A receiving portion 362 for supporting the susceptor is formed at the ends of the first box 341, the second arm 342 and the third arm. The receiving portion 362 includes SiC (Silicon Carbide) . This is because when the shaft 200 is made of quartz or the like during the wafer fabrication process, etching is performed more frequently, so that the durability is improved.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 샤프트의 제1 실시예 내지 제3 실시예를 구비한 웨이퍼 제조 장치 내의 온도 프로파일을 나타낸 도면이고, 도 5는 비교예와 실시예 1 내지 실시예 3의 샤프트를 구비한 웨이퍼 제조 장치 내의 온도 프로파일을 비교한 도면이다.4A to 4C are views showing the temperature profiles in the wafer manufacturing apparatus having the first to third embodiments of the shaft according to the present invention, FIG. 2 is a view showing a comparison of temperature profiles in a wafer manufacturing apparatus provided with a wafer.

이때, 도 5에서 비교예는 도 2에 도시된 종래의 서셉터 샤프트를 구비한 웨이퍼 제조 장치 내의 온도 프로파일을 나타낸다.In this case, the comparative example in Fig. 5 shows the temperature profile in the wafer manufacturing apparatus having the conventional susceptor shaft shown in Fig.

도 4a 내지 도 4c에서 웨이퍼의 중앙 영역의 온도 분포 편차가 비교적 적다.4A to 4C, the temperature distribution variation in the central region of the wafer is comparatively small.

도 5에서 비교예(REF. shaft)에 따른 웨이퍼의 온도 분포의 편차에 비하여 실시예 1 내지 실시예 3(CASE 1 내지 CASE 3)에 따른 웨이퍼의 온도 분포의 편차가 개선되고 있다.In FIG. 5, the deviation of the temperature distribution of the wafer according to the first to third embodiments (CASE 1 to CASE 3) is improved as compared with the deviation of the temperature distribution of the wafer according to the REF shaft.

상술한 결과는 샤프트의 각각의 암의 제1 부분과 제2 부분의 경사로 인하여 수소 등의 캐리어 가스의 흐름을 변경하여 열 분포가 변경되어, 서셉터의 중앙부에 고르게 복사열이 전달될 수 있기 때문인 것으로 추정된다.The above result is because the heat distribution is changed by changing the flow of the carrier gas such as hydrogen due to the inclination of the first portion and the second portion of each arm of the shaft and the radiant heat can be uniformly transferred to the center portion of the susceptor .

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100 : 서셉터 200 : 샤프트
220, 320 : 바디 240, 241, 241 : 암
262, 362: 받침부 341: 제1 암
341a, 342a: 제1 부분 341b, 342b: 제2 부분
300a, 300b, 300c, 300d : 램프 W : 웨이퍼100: susceptor 200: shaft
220, 320: body 240, 241, 241: arm
262, 362: receiving portion 341: first arm
341a, 342a: first part 341b, 342b: second part
300a, 300b, 300c, 300d: lamp W: wafer

Claims (7)

웨이퍼가 안착되는 서셉터(susceptor);
상기 서셉터의 하부에 배치되고, 기둥형태로 형성된 바디(body)와 상기 서셉터를 지지하는 복수 개의 암(arm)으로 구성되는 샤프트(shaft); 및
상기 웨이퍼를 가열하기 위해 상기 서셉터의 상부와 상기 샤프트의 하부에 설치되는 램프를 포함하고,
상기 각각의 암은 상기 바디로부터 연장된 제1 부분과, 상기 제1 부분으로부터 연장된 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분과 제2 부분은 기설정된 각도를 이루는 웨이퍼 제조 장치.A susceptor on which the wafer is seated;
A shaft disposed at a lower portion of the susceptor and including a body formed in a columnar shape and a plurality of arms supporting the susceptor; And
And a lamp mounted on an upper portion of the susceptor and a lower portion of the shaft for heating the wafer,
Each arm including a first portion extending from the body and a second portion extending from the first portion, the first portion and the second portion forming a predetermined angle. 제1 항에 있어서,
상기 제1 부분은 상기 바디로부터 하방으로 기울어지며 연장되는 웨이퍼 제조 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first portion is inclined and extends downwardly from the body. 제1 항에 있어서,
상기 제2 부분은 상기 제1 부분의 끝단으로부터 상방으로 기울어지며 연장되는 웨이퍼 제조 장치.The method according to claim 1,
And the second portion is inclined upwardly from the end of the first portion and extends. 제1 항에 있어서,
상기 제2 부분이 상기 서셉터와 접촉하는 영역의 높이는, 상기 제1 부분이 상기 바디와 접촉하는 영역의 높이보다 높은 웨이퍼 제조 장치.The method according to claim 1,
Wherein the height of the region where the second portion contacts the susceptor is higher than the height of the region where the first portion contacts the body. 제1 항에 있어서,
상기 제1 부분은 상기 바디와 나란한 가상의 축과 48도 내지 64도를 이루는 웨이퍼 제조 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first portion forms a 48-degree to 64-degree angle with an imaginary axis parallel to the body. 제1 항에 있어서,
상기 제2 부분은 상기 바디와 나란한 가상의 축과 26도 내지 42도를 이루는 웨이퍼 제조 장치.The method according to claim 1,
Wherein the second portion has an imaginary axis parallel to the body, the second portion being between 26 degrees and 42 degrees. 제1 항에 있어서,
상기 암은 3개가 구비되고, 상기 3개의 암은 상기 서셉터와 나란한 방향에서 서로 120도를 이루는 웨이퍼 제조 장치.The method according to claim 1,
Wherein three arms are provided, and the three arms form 120 degrees with each other in a direction parallel to the susceptor.
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