KR20160018255A - Crystal device package and a method for manufacturing thereof - Google Patents

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KR20160018255A
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Abstract

A method for manufacturing a quartz crystal oscillator package is disclosed. The method for manufacturing a quartz crystal oscillator package according to the present invention comprises the following steps of: preparing a substrate having a terminal to be installed; applying an adhesive member including a glass ingredient to the surface of the substrate which surrounds the terminal; performing primary high-temperature treatment on the adhesive member-applied substrate to sinter the adhesive member; mounting a quartz crystal plate on the terminal; disposing a cap housing so that the cap housing accommodates the quartz crystal plate inside and that the lower surface thereof comes in contact with the adhesive member; and performing secondary high-temperature treatment on the adhesive member-applied substrate and the cap housing to seal a space between the substrate and the cap housing by means of the adhesive member.

Description

수정 진동자 패키지 및 이의 제조 방법{CRYSTAL DEVICE PACKAGE AND A METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}≪ Desc / Clms Page number 1 > CRYSTAL DEVICE PACKAGE AND A METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF &

본 발명은 수정 진동자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 캡 형태의 패키지와 유리 성분을 포함하는 접착 부재를 포함하는 수정 진동자 패키지와 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a quartz crystal resonator package and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a quartz crystal resonator package including a cap-type package and an adhesive member including a glass component, and a method of manufacturing the same.

수정 진동자는 외부에서 가해지는 전압에 의해 수정편이 진동하고, 상기의 진동을 통해서 특정 주파수를 가지는 신호를 발생시키는 전자 부품이다. 이러한 수정 진동자는 전자 장치 또는 통신 장치 등의 발진 회로에 사용될 수 있다. 수정 진동자는 가격이 저렴하고, 다른 압전 소자를 이용한 것보다 안정적인 주파수를 얻을 수 있어 널리 사용되고 있다.The quartz crystal is an electronic component that vibrates the quartz crystal by a voltage applied from the outside and generates a signal having a specific frequency through the above-mentioned vibration. Such a crystal oscillator can be used in an oscillation circuit such as an electronic device or a communication device. The quartz crystal is inexpensive and widely used because it can obtain a stable frequency than other piezoelectric elements.

수정진동자는 세밀한 주파수 조정이 가능하도록, 기능에 따라 전압조정형 수정진동자(VCXO), 온도보상형 수정진동자(TCXO) 또는 항온조정형 수정진동자(OCXO) 등이 사용되기도 한다.For the crystal oscillator, a voltage-controlled crystal oscillator (VCXO), a temperature-compensated crystal oscillator (TCXO), or a constant-temperature quartz crystal oscillator (OCXO) may be used depending on the function.

이러한 수정 진동자는 통상적으로 기판에 실장된 수정편이 패키지 부재에 의해 수용되어 있는 패키지 형태로 사용된다. 수정 진동자의 패키지 형태는 다양한 환경에서 안정적으로 주파수가 발생될 수 있으면서, 최근의 소형화 및 박형화된 전자 장치에도 무리 없이 탑재될 수 있도록 형성되는 것이 중요한 요소이다.Such a quartz oscillator is usually used in the form of a package in which a crystal piece mounted on a substrate is accommodated by a package member. The package type of the quartz crystal vibrator can be stably generated in a variety of environments, and it is important that the quartz crystal oscillator can be mounted so that it can be easily mounted on recent miniaturized and thinned electronic devices.

도 1은 종래의 일반적인 형태의 수정 진동자 패키지를 도시한 분해 사시도이다. 도 1을 참조하면, 수정 진동자 패키지는 기판(10), 실장 단자, 수정편(30), 측벽부(40) 및 리드(41)를 포함한다. 기판(10)에 형성된 실장 단자에 수정편(30)이 실장된다. 수정편(30) 주변을 둘러싸도록 측벽부(40)가 기판(10)에 결합된다. 측벽부(40)의 상부에는 리드(41)가 결합되어 내부 공간이 밀봉된다. 여기서 기판(10)과 측벽부(40) 및 측벽부(40)와 리드(41)를 결합하기 위해서 에폭시 등의 수지재의 접착제(20, 21)를 통상적으로 사용한다.1 is an exploded perspective view showing a conventional quartz crystal resonator package in a general form. 1, the quartz oscillator package includes a substrate 10, a mounting terminal, a crystal piece 30, a side wall portion 40, and a lead 41. The crystal pieces 30 are mounted on the mounting terminals formed on the substrate 10. The side wall portion 40 is coupled to the substrate 10 so as to surround the periphery of the quartz crystal 30. A lead 41 is coupled to an upper portion of the side wall portion 40 to seal the inner space. Adhesives 20 and 21 made of resin such as epoxy are conventionally used to bond the substrate 10 and the side wall portion 40 and the side wall portion 40 to the lid 41. [

그러나 상술한 종래의 수정 진동자 패키지는 측벽부(40)를 기판(10)에 결합시키고, 리드(41)를 측벽부(40)에 결합시키는 2단계의 결합 공정이 수행되어야 하므로 공정이 복잡하고, 치수 오차 등에 의해 불량율이 높아질 수 있다는 단점이 있었다.However, since the above-described conventional quartz oscillator package requires a two-step bonding process of bonding the side wall portion 40 to the substrate 10 and bonding the lid 41 to the side wall portion 40, There is a disadvantage that the defective ratio can be increased due to dimensional error or the like.

또한, 에폭시 등의 수지재의 접착제(20, 21)는 경화 과정에서 가스가 발생할 수 있는데, 상기의 가스가 내부 공간이 잔여하게 되면 가스로 인해 수정편(30)의 오차가 발생할 수 있다는 단점이 있었다.In addition, adhesives 20 and 21 made of resin such as epoxy can generate gas during the curing process. If the gas remains in the inner space, errors may occur in the quartz piece 30 due to gas .

본 발명이 해결하려는 과제는, 캡 형태의 패키지가 기판에 바로 결합되어 구조가 간단하고 조립 공정이 간소하며, 유리 성분의 접착 부재를 사용하여 수정편의 오차를 발생시킬 수 있는 가스의 발생을 억제하는 것을 특징으로 하는 수정 진동자 패키지 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a cap type package is directly coupled to a substrate to simplify the structure and simplify the assembling process and to suppress the generation of gas, And a method of manufacturing the same.

본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 유리 성분의 접착 부재를 사용하는 것에 있어서, 고온 처리 과정에서 수정편의 발생 주파수에 영향을 주지 않을 수 있는 수정 진동자 패키지 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a quartz crystal resonator package and a method of manufacturing the quartz crystal resonator package which can not affect the frequency of occurrence of quartz crystal during a high temperature process in the use of a bonding member made of a glass component.

본 발명이 해결하려는 또 다른 과제는, 수정편이 기판에 실장되는 것에 있어서, 수정편과 기판 상면의 간섭을 해결할 수 있으면서 구조가 간단하고 공정이 간소한 수정 진동자 패키지 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object to be solved by the present invention is to provide a quartz crystal resonator package which can solve the interference between the quartz crystal and the upper face of the substrate while the quartz crystal is mounted on a substrate, and which has a simple structure and a simple process and a manufacturing method thereof.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 수정 진동자 패키지의 제조 방법 은, 실장 단자를 구비하는 기판을 준비하는 단계, 상기 실장 단자 주변을 둘러싸는 상기 기판의 표면에 유리 성분을 포함하는 접착 부재를 도포하는 단계, 상기 접착 부재가 도포된 기판을 제1 차 고온 처리하여 상기 접착 부재를 소성시키는 단계, 상기 실장 단자에 수정편을 실장하는 단계, 상기 수정편을 내부에 수용하고, 하면이 상기 접착 부재에 맞닿도록 캡 하우징을 배치하는 단계 및 상기 접착 부재가 도포된 기판과 상기 캡 하우징을 제2 차 고온 처리하여 상기 기판과 상기 캡 하우징 사이를 상기 접착 부재를 매개하로 밀봉하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a quartz crystal resonator package including the steps of preparing a substrate having a mounting terminal, applying an adhesive member containing a glass component to a surface of the substrate surrounding the mounting terminal A first step of subjecting the substrate coated with the adhesive member to a first high temperature treatment to burn the adhesive member; mounting a crystal piece on the mounting terminal; Disposing the cap housing in contact with the cap housing and sealing the substrate between the substrate and the cap housing via the adhesive member by subjecting the substrate and the cap housing coated with the adhesive member to a second high temperature treatment.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 차 고온 처리 과정의 처리 온도는 상기 제2 차 고온 처리 과정의 처리 온도보다 높을 수 있다.In one embodiment of the present invention, the treatment temperature of the first high temperature treatment process may be higher than the treatment temperature of the second high temperature treatment process.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 차 고온 처리 과정의 처리 온도는 290℃ 이상이고, 상기 제2 차 고온 처리 과정의 처리 온도는 290℃ 미만일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the treatment temperature of the first high-temperature treatment process may be 290 ° C or higher, and the treatment temperature of the second high-temperature treatment process may be less than 290 ° C.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 접착 부재를 소성시키는 단계는 상기 수정편을 실장하는 단계 이전에 수행되고, 상기 밀봉하는 단계는 상기 수정편을 실장하는 단계 이후에 수행될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the step of baking the adhesive member is performed before the step of mounting the quartz crystal, and the step of sealing may be performed after the step of mounting the quartz crystal.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 밀봉하는 단계는, 상기 소성된 접착 부재가 제2 차 고온 처리 과정에서 반용융상태 또는 용융상태가 되고, 상기 반용융상태 또는 용융상태의 접착 부재는 상기 기판의 표면 및 상기 캡 하우징의 하면과 기밀하게 결합할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the sealing step may be performed such that the fired bonding member is in a semi-molten state or a molten state in the second high-temperature processing step, And the bottom surface of the cap housing.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 밀봉하는 단계는, 상기 제2 차 고온 처리 과정에서 상기 접착 부재에 수직 방향으로 상기 캡 하우징의 중력에 의한 압력에 더불어 추가적인 압력이 가해질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the sealing step may be accompanied by an additional pressure in addition to the gravity pressure of the cap housing in a direction perpendicular to the adhesive member in the second high temperature treatment process.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 접착 부재에 가해지는 총 압력은 1㎠당 60g 이상 120g 이하일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the total pressure applied to the adhesive member may be 60 g or more and 120 g or less per 1 cm 2.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 밀봉하는 단계는, 진공의 상태에서 수행되며, 상기 접착 부재에 수직 방향으로 1㎠당 0.5kg 이상 2kg 이하의 압력이 가해질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the sealing step is performed in a vacuum state, and a pressure of 0.5 kg or more and 2 kg or less per 1 cm 2 in a direction perpendicular to the adhesive member may be applied.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기판 중 수정편이 배치될 위치에 상기 기판의 상부로 개방되고 소정의 깊이를 가지는 캐비티를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the method may further include the step of forming a cavity having a predetermined depth and opening to the upper portion of the substrate at a position where the quartz crystal piece is to be arranged in the substrate.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 캐비티는 상기 기판의 표면에 조사되는 레이저에 의해 상기 기판의 일부가 제거되는 것에 의해 형성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the cavity may be formed by removing a part of the substrate by a laser irradiated on a surface of the substrate.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수정편은 중심 부분이 테두리 부분보다 두껍게 형성되고, 상기 수정편을 실장하는 단계에서, 상기 수정편의 중심 부분의 하부의 일부는 상기 캐비티 내부에 위치할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the center portion of the quartz is formed thicker than the rim portion, and in the step of mounting the quartz piece, a portion of the lower portion of the center portion of the quartz crystal can be located inside the cavity .

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 캡 하우징은 철 및 니켈을 포함하는 합금으로 형성 수 있다.In an embodiment of the present invention, the cap housing may be formed of an alloy including iron and nickel.

또한, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 수정 진동자 패키지의 제조 방법은 적어도 일 방향으로 배열된 복수의 실장 단자를 구비하는 기판을 준비하는 단계, 상기 복수의 실장 단자 주변을 둘러싸는 상기 기판의 표면에 유리 성분을 포함하는 접착 부재를 도포하는 단계, 상기 접착 부재가 도포된 기판을 제1 차 고온 처리하여 상기 접착 부재를 소성시키는 단계, 상기 복수의 실장 단자에 복수의 수정편을 각각 실장하는 단계, 상기 각각의 수정편을 내부에 수용하고, 하면이 상기 접착 부재에 맞닿도록 캡 하우징을 상기 배열에 맞게 배치하는 단계, 상기 접착 부재가 도포된 기판과 상기 복수의 캡 하우징을 제2 차 고온 처리하여 상기 기판과 상기 복수의 캡 하우징 사이를 상기 접착 부재를 매개하로 밀봉하는 단계, 상기 캡 하우징 외부의 상기 접착 부재 주변에 수지층을 형성하는 단계 및 하나의 수정편과 캡 하우징을 포함하는 개별 수정 진동자 패키지가 형성되도록 상기 기판을 절단하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a quartz crystal resonator package, comprising: preparing a substrate having a plurality of mounting terminals arranged in at least one direction; A step of applying a bonding material containing a glass component to the bonding terminals, a step of subjecting the substrate coated with the bonding material to a first high-temperature treatment to fuse the bonding member, Placing the cap housing in the array so that the respective quartz pieces are received therein and the lower surface thereof abuts the adhesive member; Sealing the substrate and the plurality of cap housings through the adhesive member, Forming a resin layer around the member, and cutting the substrate such that an individual quartz crystal package comprising one quartz and cap housing is formed.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수지층을 형성하는 단계는, 상기 배열에서 인접하는 수지층이 서로 연속되도록 형성되고, 상기 절단하는 단계는 상기 연속되는 수지층을 절단하여 분리하는 단계를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the step of forming the resin layer is formed such that adjacent resin layers in the arrangement are continuous with each other, and the step of cutting includes cutting and separating the continuous resin layer can do.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수지층을 형성하는 단계는, 상기 수지층을 상기 캡 하우징의 상방에서 수지재를 분사하여 형성할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the resin layer may be formed by spraying a resin material from above the cap housing.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수지층을 형성하는 단계는, 상기 수지층을 상기 캡 하우징 및 상기 기판 중 노출된 부분의 표면에 형성할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the step of forming the resin layer may form the resin layer on the surface of the exposed portion of the cap housing and the substrate.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수지층을 형성하는 단계는, 상기 수지층을 평판형의 수지 시트를 상기 캡 하우징 및 상기 기판 중 노출된 부분에 결합시켜 형성할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the step of forming the resin layer may be performed by bonding the resin layer to the exposed portion of the cap housing and the substrate.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 차 고온 처리 과정의 처리 온도는 상기 제2 차 고온 처리 과정의 처리 온도보다 높을 수 있다.In one embodiment of the present invention, the treatment temperature of the first high temperature treatment process may be higher than the treatment temperature of the second high temperature treatment process.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기판 중 복수의 수정편이 배치될 각각의 위치에 상기 기판의 상부로 개방되고 소정의 깊이를 가지는 복수의 캐비티를 상기 배열에 따라 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the method may further comprise forming a plurality of cavities, which are open to the top of the substrate and have a predetermined depth, in each position at which the plurality of crystal pieces in the substrate are to be arranged, have.

또한, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 수정 진동자 패키지는 실장 단자를 구비하는 기판, 상기 실장 단자에 실장된 수정편, 개방된 하면이 상기 기판과 결합되어 형성하는 내부 공간에 상기 수정편을 수용하는 캡 하우징 및 상기 기판 및 상기 캡 하우징 사이를 밀봉하고 유리 성분을 포함하는 접착 부재를 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a quartz crystal resonator package including a substrate having a mounting terminal, a quartz piece mounted on the mounting terminal, And an adhesive member sealing between the substrate and the cap housing and containing a glass component.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 수정편은 중심 부분이 테두리 부분보다 두껍게 형성되고, 상기 기판은 상부로 개방되고 소정의 깊이를 가지는 캐비티를 구비하되, 상기 수정편의 중심 부분의 하부의 일부는 상기 캐비티 내부에 위치할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the quartz piece is formed such that the center portion thereof is thicker than the rim portion, and the substrate has a cavity opened to the top and having a predetermined depth, And may be located inside the cavity.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 접착 부재는 상기 접착 부재의 소결을 위한 온도가 상기 접착 부재가 다른 부분과 결합하여 밀봉하기 위한 온도보다 높을 수 있다.In one embodiment of the present invention, the bonding member may have a temperature for sintering of the bonding member that is higher than a temperature at which the bonding member seals in combination with the other portion.

본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지 및 이의 제조 방법은, 캡 형태의 패키지가 기판에 바로 결합되어 구조가 간단하고 조립 공정이 간소하며, 유리 성분의 접착 부재를 사용하여 수정편의 오차를 발생시킬 수 있는 가스의 발생을 억제할 수 있다.The quartz crystal resonator package and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention are characterized in that a cap type package is directly coupled to a substrate to simplify the structure and simplify the assembling process, It is possible to suppress the generation of the gas that can be supplied.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지 및 이의 제조 방법은, 유리 성분의 접착 부재를 사용하는 것에 있어서, 고온 처리 과정에서 수정편의 발생 주파수에 영향을 주지 않을 수 있다는 장점이 있다.In addition, the quartz crystal resonator package and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention have an advantage in that the use of a glass component bonding member does not affect the frequency of occurrence of quartz crystal during a high temperature process.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지 및 이의 제조 방법은, 수정편이 기판에 실장되는 것에 있어서, 수정편과 기판 상면의 간섭을 해결할 수 있으면서 구조가 간단하고 공정이 간소하다는 장점이 있다.The quartz crystal resonator package and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention are advantageous in that the quartz crystal package is mounted on a substrate and interference between the quartz crystal and the upper face of the substrate can be solved, .

도 1은 종래의 일반적인 형태의 수정 진동자 패키지를 도시한 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 기판 준비 단계를 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 캐비티 형성 단계를 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 접착 부재 도포 단계를 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 소성 단계를 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 수정편 실장 단계를 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 캡 하우징 배치 단계를 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 밀봉 단계를 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 11은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 밀봉 단계까지 수행된 수정 진동자 패키지의 배열의 일부를 도시한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 수지층 형성 단계를 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 13은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 절단 단계를 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 수지층 형성 단계를 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 단면도이다.
도 16은 도 15에 도시된 수정 진동자 패키지의 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view showing a conventional quartz crystal resonator package in a general form.
2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to an embodiment of the present invention.
3 is a process cross-sectional view illustrating a substrate preparation step in a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a process sectional view illustrating a cavity forming step in a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to an embodiment of the present invention.
5 is a process sectional view illustrating a step of applying an adhesive member in a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to an embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating a firing step in a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to an embodiment of the present invention.
7 is a process cross-sectional view illustrating a quartz crystal mounting step in a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to an embodiment of the present invention.
8 is a process cross-sectional view illustrating a cap housing arrangement step in a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to an embodiment of the present invention.
9 is a process sectional view illustrating a sealing step in a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to an embodiment of the present invention.
10 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to another embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view showing a part of the arrangement of the quartz crystal package performed up to the sealing step in the method of manufacturing the quartz crystal resonator package according to another embodiment of the present invention.
12 is a process sectional view illustrating a resin layer forming step of a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to another embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a cross-sectional view of a quartz crystal resonator package according to another embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a resin layer forming step of a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to another embodiment of the present invention.
15 is a cross-sectional view of a quartz crystal resonator package according to an embodiment of the present invention.
16 is an exploded perspective view of the quartz crystal resonator package shown in Fig.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하는데 있어서, 해당 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, if it is judged that it is possible to make the gist of the present invention obscure by adding a detailed description of a technique or configuration already known in the field, it is omitted from the detailed description. In addition, terms used in the present specification are terms used to appropriately express embodiments of the present invention, which may vary depending on the person or custom in the field. Therefore, the definitions of these terms should be based on the contents throughout this specification.

이하, 첨부한 도 2 내지 도 9를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 9 attached hereto.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 기판 준비 단계(S100)를 설명하기 위한 공정 단면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 캐비티 형성 단계(S200)를 설명하기 위한 공정 단면도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 접착 부재 도포 단계(S300)를 설명하기 위한 공정 단면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 소성 단계(S400)를 설명하기 위한 공정 단면도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 수정편 실장 단계(S500)를 설명하기 위한 공정 단면도이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 캡 하우징 배치 단계(S600)를 설명하기 위한 공정 단면도이다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 밀봉 단계(S700)를 설명하기 위한 공정 단면도이다.
2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to an embodiment of the present invention. 3 is a process cross-sectional view illustrating a substrate preparation step (S100) in a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a process sectional view illustrating a cavity forming step (S200) of a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to an embodiment of the present invention. 5 is a process sectional view for explaining an adhesive member applying step (S300) in a manufacturing method of a quartz oscillator package according to an embodiment of the present invention. 6 is a process sectional view for explaining a sintering step (S400) in a method of manufacturing a quartz oscillator package according to an embodiment of the present invention. FIG. 7 is a process sectional view illustrating a quartz crystal mounting step (S500) in a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to an embodiment of the present invention. 8 is a process sectional view for explaining a cap housing arrangement step (S600) in a manufacturing method of a quartz oscillator package according to an embodiment of the present invention. 9 is a process sectional view for explaining the sealing step (S700) in the manufacturing method of the quartz oscillator package according to the embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법은 기판 준비 단계(S100), 캐비티 형성 단계(S200), 접착 부재 도포 단계(S300), 소성 단계(S400), 수정편 실장 단계(S500), 캡 하우징 배치 단계(S600) 및 밀봉 단계(S700)를 포함한다.Referring to FIG. 2, a method of fabricating a quartz oscillator package according to an embodiment of the present invention includes a substrate preparing step S100, a cavity forming step S200, an adhesive member applying step S300, a firing step S400, (S500), a cap housing arrangement step (S600), and a sealing step (S700).

도 2에 도시된 것과 이하의 설명은 상기의 각 단계가 일정한 순서에 의해 나열된다. 그러나 상기의 각 단계는 반드시 나열되거나 설명되는 순서에 따라서 순차적으로 수행되어야 하는 것은 아니다. 몇몇 경우에 있어서, 하나의 단계가 수행된 후 다른 단계가 후속적으로 수행되어야 하는 것도 있지만 특별한 언급이 없는한 각 단계는 나열되거나 설명된 순서와 달리 수행될 수 있다. 각 단계의 순서는 설계자 및 제조자의 기호 및 선택에 따라서 또는 구조 및 공정 라인의 상황 등에 따라서 변경될 수 있다.
2 and the following description, the above-mentioned steps are listed in a certain order. However, each of the above steps need not necessarily be performed sequentially in accordance with the order listed or described. In some cases, although one step may be performed and the other step subsequently performed, each step may be performed in a different order than listed or described unless specifically stated otherwise. The order of each step may vary depending on the preferences and preferences of the designer and the manufacturer, or the structure and process line conditions.

도 3을 참조하면, 기판 준비 단계(S100)는 실장 단자(101)를 구비하는 기판(100)을 준비하는 단계이다. 여기서, 기판(100)은 수정 진동자 패키지의 하부를 형성한다. 기판(100)의 상면에는 실장 단자(101)가 구비되어 있고, 이 실장 단자(101)를 통해 수정편(300)이 기판(100) 상에 실장되어 결합될 수 있다. 기판(100)의 하면에는 외부에서 전원이 공급되고, 수정편(300)이 생성하는 주파수 신호가 출력되는 입출력 단자(103)가 형성된다. 기판(100) 상면의 실장 단자(101)와 기판(100) 하면의 입출력 단자(103)는 기판(100)을 관통하는 적어도 하나의 비아홀(미도시)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 3, a substrate preparation step (S100) is a step of preparing a substrate 100 having a mounting terminal (101). Here, the substrate 100 forms the lower portion of the quartz crystal resonator package. A mounting terminal 101 is provided on the upper surface of the substrate 100 and the quartz crystal piece 300 can be mounted on the substrate 100 through the mounting terminal 101 and coupled thereto. An input / output terminal 103 is provided on the lower surface of the substrate 100, from which power is supplied from the outside and a frequency signal generated by the crystal part 300 is output. The mounting terminals 101 on the upper surface of the substrate 100 and the input and output terminals 103 on the lower surface of the substrate 100 may be electrically connected by at least one via hole (not shown) passing through the substrate 100.

기판(100)은 수지재 또는 세라믹 등으로 형성될 수 있다. 기판(100)은 후술할 캐비티(110)가 형성될 수 있도록 형성하려는 캐비티(110)의 깊이보다는 두꺼운 두께를 가지는 것이 바람직하다.
The substrate 100 may be formed of a resin material, a ceramic, or the like. It is preferable that the substrate 100 has a greater thickness than the depth of the cavity 110 to be formed so that the cavity 110 to be described later can be formed.

도 4를 참조하면, 캐비티 형성 단계(S200)는 기판(100)의 상면에 캐비티(110)를 형성하는 단계이다. 캐비티(110)는 기판(100)의 상면에 형성되고, 상부로 개방되도록 형성된다. 캐비티(110)는 소정의 깊이를 가지도록 형성된다.Referring to FIG. 4, the cavity forming step S200 is a step of forming the cavity 110 on the upper surface of the substrate 100. Referring to FIG. The cavity 110 is formed on the upper surface of the substrate 100 and is formed to open upward. The cavity 110 is formed to have a predetermined depth.

캐비티(110)는 수정 진동자 패키지의 중앙 부분에 형성되고, 이후의 단계에서 수정편(300)이 실장되는 경우 수정편(300)의 중심이 겹쳐져 위치하는 부분에 형성된다. 캐비티(110)의 일측에 실장 단자(101)가 형성되는 것이 바람직하다.The cavity 110 is formed in a central portion of the quartz crystal package and is formed in a portion where the center of the quartz crystal 300 overlaps when the quartz piece 300 is mounted in a subsequent step. It is preferable that the mounting terminal 101 is formed on one side of the cavity 110.

캐비티(110)의 테두리는 캐비티(110) 주변과 캐비티(110)의 깊이에 해당하는 만큼의 단차를 가지도록 형성된다. 경우에 따라 캐비티(110)가 중심부로 갈수록 깊이가 깊어지는 형태로 형성될 수 있다. 이는 캐비티(110)의 하면이 중심부가 가장 낮은 형태인 경사면으로 형성되는 것일 수 있고, 캐비티(110)의 하면이 중심부가 가장 낮은 형태인 계단식으로 형성되는 것일 수 있다.The rim of the cavity 110 is formed to have a step corresponding to the depth of the cavity 110 and the periphery of the cavity 110. In some cases, the cavity 110 may be formed to have a deeper depth toward the center. The lower surface of the cavity 110 may be formed as an inclined surface having the lowest center portion, and the lower surface of the cavity 110 may be formed as a stepped surface having the lowest center portion.

캐비티(110)는 다양한 방식에 의해 형성될 수 있다. 구체적으로, 캐비티(110)는 물리적 방식 또는 화학적 방식에 의해 기판(100)의 상면의 일부가 제거되는 것에 의해 형성될 수 있다.The cavity 110 may be formed by various methods. Specifically, the cavity 110 may be formed by removing a part of the upper surface of the substrate 100 by a physical method or a chemical method.

물리적 방식에 의해 기판(100)의 상면의 일부가 제거되는 것은 그라인더 등의 도구에 의해 캐비티(110) 부분의 기판(100)이 나머지 부분과 분리되어 제거되는 방식이 사용될 수 있다. 또한, 소정의 에너지를 가지는 레이저를 기판(100)의 상면에 조사하여 기판(100)의 상면의 일부를 연소 등에 의해 제거하는 방식이 사용될 수 있다. 레이저 조사 방식을 사용하는 경우, 캐비티(110)의 형태를 정교하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 캐비티(110)의 깊이도 정교하게 형성할 수 있다는 장점이 있다.A part of the upper surface of the substrate 100 may be removed by a physical method such that a method such that the substrate 100 of the part of the cavity 110 is separated and removed from the remaining part by a tool such as a grinder may be used. A method of irradiating a laser beam having a predetermined energy to the upper surface of the substrate 100 to remove a part of the upper surface of the substrate 100 by burning or the like can be used. When the laser irradiation method is used, not only the shape of the cavity 110 can be precisely formed, but also the depth of the cavity 110 can be precisely formed.

화학적 방식에 의해 기판(100)의 상면의 일부가 제거되는 것은 선택적 에칭 등을 통해 캐비티(110) 부분의 기판(100)만 식각하여 제거되는 방식이 사용될 수 있다.A method in which a part of the upper surface of the substrate 100 is removed by a chemical method may be used such that only the substrate 100 of the part of the cavity 110 is etched and removed through selective etching or the like.

또한, 초기에 기판(100)을 형성하는 과정에서 캐비티(110)가 형성되도록 기판(100)이 형성될 수도 있다. 구체적으로, 기판(100)은 다층의 레이어가 적층된 형태일 수 있다. 여기서 다층의 레이어는 상부층과 하부층을 포함한다. 상부층과 하부층은 각각 다수의 층들이 적층된 것일 수 있다. 하부층은 개구가 형성되지 않은 평판 형태로 형성된다. 상부층은 하부층의 상면에 접합되어 결합된다. 상부층에는 소정의 크기의 개구가 형성되어 있다. 하부층의 상면에 하부층의 하면이 맞닿으면 결합되어, 하부층의 상면 및 상부층의 개구의 내측면으로 둘러싸이는 캐비티(110)가 형성된다.In addition, the substrate 100 may be formed such that the cavity 110 is formed in the process of forming the substrate 100 in the initial stage. Specifically, the substrate 100 may have a multilayered layer structure. Wherein the multilayer layer includes an upper layer and a lower layer. The upper layer and the lower layer may be stacked with a plurality of layers respectively. The lower layer is formed in the form of a flat plate on which no openings are formed. The upper layer is joined to the upper surface of the lower layer. An opening of a predetermined size is formed in the upper layer. When the lower surface of the lower layer is brought into contact with the upper surface of the lower layer, the cavity 110 is formed to be coupled to the upper surface of the lower layer and the inner surface of the opening of the upper layer.

다른 방법으로, 기판(100)이 캐비티(110)를 구비하도록 사출 성형되어 형성될 수도 있다.Alternatively, the substrate 100 may be formed by injection molding so as to have the cavity 110.

캐비티(110)의 형성 방식은 상술한 것에 제한되는 것은 아니며, 공정의 편의성, 단가, 제조자의 기호 등에 따라 다양하게 선택되어 사용될 수 있다.
The method of forming the cavity 110 is not limited to the above-described one, and may be variously selected depending on the convenience of the process, the unit price, the preference of the manufacturer, and the like.

도 5를 참조하면, 접착 부재 도포 단계(S300)는 기판(100)의 표면 중 일부에 유리 성분을 포함하는 접착 부재(200)를 도포하는 단계이다. 접착 부재(200)는 실장 단자(101) 주변을 둘러싸도록 도포된다. 구체적으로, 접착 부재(200)는 후속적으로 수행되는 단계(S500)에서 실장되는 수정편(300)의 주변을 둘러싸도록 형성되며, 이는 링 형태로 도포되는 접착 부재(200) 내부에 수정편(300), 실장 단자(101) 및 캐비티(110)가 위치하는 것을 의미한다. 접착 부재(200)는 후속적으로 수행되는 단계에서 접착 부재(200)와 맞닿는 캡 하우징(400)의 하면과 맞닿는 영역에 형성되는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 5, the adhesive member applying step (S300) is a step of applying an adhesive member (200) containing a glass component to a part of the surface of the substrate (100). The adhesive member 200 is applied so as to surround the periphery of the mounting terminal 101. [ Specifically, the adhesive member 200 is formed so as to surround the periphery of the quartz piece 300 to be mounted in the subsequent step S500, 300, the mounting terminal 101, and the cavity 110 are located. It is preferable that the adhesive member 200 is formed in a region in contact with the lower surface of the cap housing 400 which abuts the adhesive member 200 in a subsequent step.

접착 부재(200)는 유리 성분을 포함한다. 유리 섬유를 포함하는 접착 부재(200)는 종래에 수정 진동자 패키지에 사용되었던 에폭시 등의 수지재의 접착제보다 경화 과정에서 발생하는 가스의 양이 적다는 장점이 있다. 또한, 기판(100) 및 캡 하우징(400)과 열 팽창 계수가 유사하여 패키지가 결합된 후에 열적 안정성이 높다는 장점이 있다. 구체적으로, 접착 부재(200)의 열 팽창 계수는 100 내지 200[*10^-7/℃]인 것이 바람직하다.The adhesive member 200 includes a glass component. The adhesive member 200 including the glass fiber has an advantage that the amount of gas generated in the curing process is smaller than that of a resin adhesive such as epoxy which was conventionally used in the quartz crystal package. In addition, since the thermal expansion coefficient is similar to that of the substrate 100 and the cap housing 400, there is an advantage that the thermal stability is high after the package is coupled. Specifically, the thermal expansion coefficient of the adhesive member 200 is preferably 100 to 200 [* 10 ^ -7 / ° C].

접착 부재(200)는 초기 상태에서 점성이 있는 액상으로 존재할 수 있다. 유리 성분을 포함하는 이러한 특성의 접착 부재(200)로서, 글라스 페이스트(glass paste)가 사용될 수 있다. 이러한 접착 부재(200)는 후술할 소성 및 밀봉 과정(S400, S700)을 거쳐 서로 분리된 둘 이상의 물체를 결합시킬 수 있다.The adhesive member 200 may exist in a viscous liquid phase in an initial state. As the adhesive member 200 having such a characteristic including a glass component, a glass paste may be used. Such an adhesive member 200 can couple two or more objects separated from each other through a firing and sealing process (S400, S700) to be described later.

접착 부재(200)는 소정의 두께를 가지도록 도포된다. 접착 부재(200)의 두께는 도포되는 부분에서 균일하게 형성되는 것이 바람직하다. 접착 부재(200)는 도포된 이후에 건조, 소성 및 밀봉 단계(S400, S700)를 거치면서 그 두께가 변화될 수 있는데, 이러한 변화는 접착 부재(200)가 도포되는 기판(100)과 결합되는 캡 캐비티(110)의 재질 및 표면의 형태, 건조 및 소성의 조건 및 밀봉 시 가해지는 압력 등에 의해 상이하게 결정될 수 있다. 바람직하게는, 최종적으로 밀봉 단계(S700)에서 두께가 10㎛ 내지 20㎛이 되는 것이 좋으며, 이를 위해서는 통상적인 환경에서 소성 후 두께가 15㎛ 내지 25㎛이 되는 것이 좋으며, 이를 위해서는 건조 후 두께가 30㎛ 내지 40㎛이 되는 것이 좋으며, 이를 위해서는 도포 시 두께가 50㎛ 내지 65㎛이 되는 것이 좋다. 그러나 이러한 두께는 바람직한 일 실시예에 불과한 것이며 환경 및 조건 등에 따라서 달라질 수 있다. 이와 같이 공정의 수행에 따른 접착 부재(200)의 두께의 변화는 첨부한 도 5 내지 도 9에서 개략적으로 표현되어 도시되어 있다.The adhesive member 200 is applied to have a predetermined thickness. It is preferable that the thickness of the adhesive member 200 is uniformly formed at the portion to be coated. The thickness of the adhesive member 200 can be changed through the drying, firing, and sealing steps S400 and S700 after the application, The material and surface shape of the cap cavity 110, the conditions of drying and firing, and the pressure applied at the time of sealing. Preferably, the thickness is finally 10 to 20 m in the sealing step (S700). For this purpose, the thickness after firing in a typical environment is preferably 15 to 25 m, It is preferable that the thickness is 30 占 퐉 to 40 占 퐉, and for this purpose, the thickness is preferably 50 占 퐉 to 65 占 퐉. However, this thickness is only one preferred embodiment, and may vary depending on environment, conditions, and the like. The variation of the thickness of the adhesive member 200 as the process is performed is shown schematically in FIGS. 5 to 9.

접착 부재(200)는 소정의 폭을 가지도록 도포된다. 접착 부재(200)의 폭은 후속적으로 수행되는 단계에서 접착 부재(200)와 맞닿는 캡 하우징(400)의 하면의 폭과 동일하거나 약간 초과되는 정도로 형성되는 것이 바람직하다.
The adhesive member 200 is applied to have a predetermined width. It is preferable that the width of the adhesive member 200 is formed to be equal to or slightly greater than the width of the lower surface of the cap housing 400 abutting the adhesive member 200 at a subsequent step.

도 6을 참조하면, 소성 단계(S400)는 접착 부재(200)를 제1 차 고온 처리하여 소성시키는 단계이다. 소성 단계(S400)는 접착 부재 도포 단계(S300) 이후에 수행되어야 한다. 접착 부재(200)는 소성되기 전 건조 과정을 추가로 거칠 수 있다.Referring to FIG. 6, the firing step (S400) is a step of firstly subjecting the adhesive member (200) to high temperature treatment and firing. The firing step S400 should be performed after the adhesive member applying step S300. The adhesive member 200 may further undergo a drying process before being fired.

소성을 위해서, 접착 부재(200)가 도포된 기판(100)을 고온의 환경에서 소정의 시간동안 노출시킨다. 소성을 위한 제1 차 고온 처리의 온도 및 시간은 접착 부재(200)의 특징에 따라 달라질 수 있지만, 통상적으로 290℃ 이상의 온도에서 20분 이상 처리되는 것이 바람직하다. 고온의 소성 단계(S400)를 거치면 점성이 있는 액상의 페이스트 상태였던 접착 부재(200)는 고체와 같은 상태로 경화된다. 또한, 고온의 소성 단계(S400)를 거치면 도포된 접착 부재(200)의 높이가 감소한다.For firing, the substrate 100 to which the bonding member 200 is applied is exposed in a high-temperature environment for a predetermined time. The temperature and time of the first high-temperature treatment for firing may vary depending on the characteristics of the adhesive member 200, but it is preferable that the treatment is normally performed at a temperature of 290 DEG C or more for 20 minutes or more. After the high-temperature firing step (S400), the adhesive member (200), which has been in a viscous liquid paste state, is cured to a solid state. In addition, when the high-temperature firing step (S400) is performed, the height of the applied adhesive member 200 decreases.

도 3 내지 도 6을 참조하여 상술한 기판 준비 단계(S100), 캐비티 형성 단계(S200) 및 접착 부재 도포 단계(S300) 이후 수행되는 소성 단계(S400)는 반드시 상술한 순서대로 수행되어야 하는 것은 아니다. 예를 들어, 기판(100)이 준비되면 먼저 캐비티(110)를 형성하고, 실장 단자(101)는 그 이후에 형성하는 것도 가능하다. 또한, 캐비티(110)를 형성하기 전에 접착 부재(200)를 도포하고, 소성시키는 것도 가능하다.The firing step S400 performed after the substrate preparing step S100, the cavity forming step S200, and the adhesive member applying step S300 described above with reference to Figs. 3 to 6 is not necessarily performed in the above-described order . For example, when the substrate 100 is prepared, the cavity 110 may be formed first, and the mounting terminal 101 may be formed thereafter. It is also possible to apply the adhesive member 200 and to sinter it before the cavity 110 is formed.

그러나 접착 부재(200)를 도포(S300)하고 소성시키는 것(S400)은 후술할 수정편 실장 단계(S500)보다 먼저 수행되는 것이 바람직하다. 이는 앞서 설명한 것과 같이 소성 단계(S400)에서 통상적으로 290℃ 이상의 온도의 제1 차 고온 처리 과정을 거치는데, 이러한 고온의 환경에 수정편(300)이 노출되는 경우 수정편(300)이 발생하는 주파수 특성이 변화될 수 있기 때문이다. 따라서 수정편(300)이 제1 차 고온 처리 과정을 거치지 않도록 수정편(300)이 실장되기 전에 소성 단계(S400)가 수행되는 것이 바람직하다.
However, it is preferable that the adhesive member 200 is applied (S300) and fired (S400) is performed before the quartz-crystal-mounting step (S500) described later. As described above, in the firing step (S400), the first high temperature treatment process is usually performed at a temperature of 290 ° C or higher. When the quartz piece (300) is exposed to such a high temperature environment, the quartz piece This is because the frequency characteristics can be changed. Therefore, it is preferable that the firing step (S400) is performed before the quartz piece (300) is mounted so that the quartz crystal (300) does not undergo the first high temperature treatment process.

도 7을 참조하면, 수정편 실장 단계(S500)는 수정편(300)을 기판(100)의 실장 단자(101)에 실장하여, 수정편(300)이 기판(100)의 상면 상에 위치하도록 하는 단계이다.7, the quartz crystal mounting step S500 includes mounting the quartz crystal substrate 300 on the mounting terminal 101 of the substrate 100 so that the quartz crystal substrate 300 is positioned on the upper surface of the substrate 100 .

수정편(300)은 사각형의 판 형태로 형성될 수 있다. 수정편(300)의 상부면 및/또는 하부면에는 여진전극이 패터닝되어 있을 수 있다. 상기의 여진전극의 패턴에 따라 수정편(300)이 발생하는 공진주파수가 트리밍될 수 있다. 수정편(300)은 하부면이 기판(100)의 상면과 마주보도록 배향되어 실장된다. 수정편(300)의 하부면과 기판(100)의 상면은 거리 소정을 거리를 유지하며 이격된다.The quartz piece 300 may be formed in the form of a rectangular plate. An excitation electrode may be patterned on the upper surface and / or the lower surface of the quartz crystal 300. The resonance frequency generated by the quartz crystal 300 may be trimmed according to the pattern of the excitation electrode. The quartz crystal piece 300 is oriented in such a manner that its lower surface faces the upper surface of the substrate 100. The lower surface of the quartz crystal 300 and the upper surface of the substrate 100 are spaced apart from each other by a predetermined distance.

수정편(300)의 일측이 기판(100)의 실장 단자(101)에 결합된다. 구체적으로 수정편(300)의 일측과 실장 단자(101)는 도전성의 접착제(310)를 매개로하여 결합될 수 있다. 도전성의 접착제(310)를 통해 외부의 전압이 공급되고, 수정편(300)이 발생하는 주파수 신호가 출력될 수 있다. 앞서 설명한 것과 같이, 수정편(300)이 발생하는 주파수 신호는 실장 단자(101), 비아홀(미도시)을 통해 기판(100) 하면의 입출력 단자(103)까지 전달된다.One side of the quartz crystal piece 300 is coupled to the mounting terminal 101 of the substrate 100. Specifically, one side of the quartz crystal 300 and the mounting terminal 101 can be coupled via a conductive adhesive 310. An external voltage is supplied through the conductive adhesive 310 and a frequency signal generated by the crystal ball 300 can be output. The frequency signal generated by the quartz crystal 300 is transmitted to the input / output terminal 103 of the lower surface of the substrate 100 through the mounting terminal 101 and a via hole (not shown).

수정편(300)은 중심 부분이 테두리 부분보다 두꺼운 형태로 형성된다. 따라서 기판(100)의 상면이 평평하게 형성되어 있고, 실장 단자(101)가 기판(100)의 상면과 같은 높이 상에 형성되어 있는 것이라면 수정편(300)의 중심 부분이 기판(100)의 상면에 접촉될 수 있다. 그러나 본 발명에서는 기판(100)의 상면에 캐비티(110) 형성 과정에서 형성된 캐비티(110)가 형성되어 있다. 수정편(300)의 중심 부분의 두꺼운 부분은 상방에서 봤을 때, 캐비티(110) 영역에 겹쳐지도록 위치한다. 이에 따라서 수정편(300)의 중심 부분의 하부의 일부가 캐비티(110)의 내부에 위치하게 된다. 이 경우에도 수정편(300)의 중심의 하부면은 캐비티(110)의 바닥면에 접하지 않고 이격되도록 위치하는 것이 바람직하다.
The quartz piece 300 is formed such that its central portion is thicker than the rim portion. If the upper surface of the substrate 100 is formed flat and the mounting terminals 101 are formed on the same height as the upper surface of the substrate 100, As shown in FIG. However, in the present invention, the cavity 110 formed in the process of forming the cavity 110 is formed on the upper surface of the substrate 100. The thick portion of the central portion of the quartz crystal 300 is positioned to overlap the region of the cavity 110 as viewed from above. Accordingly, a part of the lower portion of the central portion of the quartz crystal 300 is positioned inside the cavity 110. [ Also in this case, it is preferable that the lower surface of the center of the quartz piece 300 is spaced apart from the bottom surface of the cavity 110 without contacting the bottom surface.

이하에서 설명할 캡 하우징 배치 단계(S600) 및 밀봉 단계(S700)를 각각 순차적으로 수행되어야 한다. 또한, 캡 하우징 배치 단계(S600) 및 밀봉 단계(S700)의 순차적인 수행은 상술한 수정편 실장 단계(S500)가 수행된 이후에 수행되어야 한다. 이는 캡 하우징(400)이 내부에 수정편(300)을 수용하여 결합되기 때문이다.The cap housing arranging step S600 and the sealing step S700, which will be described below, must be performed sequentially. In addition, the sequential execution of the cap housing placement step (S600) and the sealing step (S700) must be performed after the above-described crystal tablet mounting step (S500) is performed. This is because the cap housing 400 receives and receives the quartz crystal 300 therein.

도 8을 참조하면, 캡 하우징 배치 단계(S600)는 캡 하우징(400)의 하면이 접착 부재(200)에 맞닿도록 캡 하우징(400)을 배치하는 단계이다.Referring to FIG. 8, the cap housing placement step S600 is a step of disposing the cap housing 400 such that the lower surface of the cap housing 400 abuts against the adhesive member 200. Referring to FIG.

캡 하우징(400)은 하면이 개방되어 있고, 상면과 상면에서 수직 방향으로 연장되어 형성된 측면을 포함하는 구조물이다. 본 발명의 캡 하우징(400)은 측면과 상면이 일체로서 형성되는 캡 타입으로서 측면의 결합 과정과 상면에 해당하는 리드의 결합 과정을 별개로 수행하지 않을 수 있다는 장점이 있다. 캡 하우징(400)은 하면 부분이 기판(100)의 상면과 결합되어 내부 공간을 형성하게 된다. 상기의 내부 공간에는 앞서 설명한 수정편(300)이 위치하게 된다.The cap housing 400 is a structure including a lower surface opened and a side surface extending vertically from an upper surface and an upper surface. The cap housing 400 according to the present invention is a cap type in which a side surface and an upper surface are integrally formed, and it is advantageous that the coupling process of the side surface and the coupling process of the lead corresponding to the upper surface are not separately performed. The bottom surface of the cap housing 400 is coupled with the top surface of the substrate 100 to form an inner space. The above-described quartz crystal piece 300 is located in the above-mentioned internal space.

기판(100)과 캡 하우징(400)에 의해서 형성된 내부 공간은 외부와 기밀(氣密)하게 밀봉되어야 한다. 외부의 공기가 유입되게 되면 수정편(300)에 영향을 주어 발생하는 주파수 신호가 변경될 수 있다. 이를 위해서 기판(100)과 캡 하우징(400) 사이는 후속적인 단계에서 접착 부재(200)에 의해 기밀하게 밀봉된다.The inner space formed by the substrate 100 and the cap housing 400 should be airtightly sealed to the outside. When external air is introduced, the frequency signal generated by influencing the quartz crystal 300 can be changed. To this end, the space between the substrate 100 and the cap housing 400 is hermetically sealed by the adhesive member 200 at a subsequent step.

캡 하우징(400)은 하면 중 측면의 두께 부분에 해당하는 측면의 하면이 기판(100)의 상면과 접착 부재(200)를 매개로 하여 결합한다. 캡 하우징(400)의 하면이 기판(100)의 상면과 기밀하게 결합기 위해서 측면의 하면은 평평하게 형성되는 것이 바람직하다.The cap housing 400 is coupled to the upper surface of the substrate 100 via the adhesive member 200 by a lower surface of the side surface corresponding to the thickness of the lower surface of the lower surface. Preferably, the lower surface of the cap housing 400 is formed flat so as to be hermetically coupled with the upper surface of the substrate 100.

캡 하우징(400)은 철 및 니켈을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 캡 하우징(400)은 철, 코발트 및 니켈을 포함하는 합금인 코바(kovar) 재질로 형성될 수 있다. 코바 합금 재질은 기판(100) 및 유리 성분을 포함하는 접착 부재(200)와 접합성이 뛰어나고, 열 팽창 계수가 유사하여 안정적이라는 장점이 있다.
The cap housing 400 may be formed of an alloy including iron and nickel. For example, the cap housing 400 may be formed of a kovar material, which is an alloy including iron, cobalt, and nickel. The Koba alloy material has an excellent bonding property with the substrate 100 and the bonding member 200 including a glass component, and has a similar thermal expansion coefficient and is stable.

도 9를 참조하면, 밀봉 단계(S700)는 기판(100)과 캡 하우징(400) 사이를 접착 부재(200)를 매개하로 밀봉하는 단계이다.Referring to Fig. 9, the sealing step S700 is a step of sealing the substrate 100 and the cap housing 400 via the adhesive member 200. [

기판(100)의 상면 상에 도포된 접착 부재(200) 상에 하면이 접하도록 캡 하우징(400)이 배치된 상태에서 제2 차 고온 처리 과정이 수행된다. 제2 차 고온 처리 과정이 수행되면서 접착 부재(200)는 기판(100)의 상면과 캡 하우징(400)의 하면에 결합되어 둘의 사이를 기밀하게 밀봉한다.A second high temperature treatment process is performed in a state where the cap housing 400 is disposed such that the lower surface thereof is in contact with the adhesive member 200 applied on the upper surface of the substrate 100. The bonding material 200 is bonded to the upper surface of the substrate 100 and the lower surface of the cap housing 400 to hermetically seal the space between the two.

구체적으로, 제2 차 고온 처리 과정이 수행되면서 접착 부재(200)가 고온에 노출되면 접착 부재(200)는 경화된 상태에서 반용융상태 또는 용융상태가 된다. 즉, 접착 부재(200)는 적어도 일부가 용융되어 유체상태로 변화된다. 이러한 상태의 접착 부재(200)는 기판(100)의 표면 및 캡 하우징(400)의 하면과 기밀하게 결합된다. 이후, 제2 차 고온 처리 과정이 종료되면 접착 부재(200)는 기판(100)의 표면 및 캡 하우징(400)의 하면과 결합된 상태로 경화되어 그 사이를 견고하게 기밀하게 결합한 것이 유지될 수 있다.Specifically, when the bonding material 200 is exposed to a high temperature while the second high temperature process is being performed, the bonding member 200 is in a semi-molten state or a molten state in a cured state. That is, at least a part of the adhesive member 200 is melted and changed into a fluid state. The bonding member 200 in this state is hermetically engaged with the surface of the substrate 100 and the lower surface of the cap housing 400. Thereafter, when the second high temperature process is completed, the adhesive member 200 is cured in a state of being coupled with the surface of the substrate 100 and the lower surface of the cap housing 400, have.

여기서, 제2 차 고온 처리 과정의 처리 온도는 제1 차 고온 처리 과정의 처리 온도보다 낮은 것이 바람직하다. 예를 들어, 앞서 설명한 것과 같이 제1 차 고온 처리 과정의 처리 온도가 290℃ 이상인 경우, 제2 차 고온 처리 과정의 처리 온도는 290℃ 미만인 것이 바람직하다. 이는 제2 차 고온 처리 과정에서는 수정편(300)도 고온에 노출되게 되는데, 수정편(300)은 상대적으로 고온에 취약하기 때문이다. 여기서 290℃는 통상적인 수정편(300)이 영향을 받을 수 있는 기준이 되는 온도 일 수 있다. 그러나 수정편(300)의 종류 및 형태 등에 따라 상기 기준이 되는 온도가 바뀔 수 있음에 유의하여 한다.Here, the treatment temperature of the second high-temperature treatment process is preferably lower than the treatment temperature of the first high-temperature treatment process. For example, as described above, when the treatment temperature of the first high temperature treatment process is 290 ° C or higher, the treatment temperature of the second high temperature treatment process is preferably lower than 290 ° C. This is because the quartz crystal 300 is also exposed to high temperatures in the second high temperature treatment process because the quartz crystal 300 is vulnerable to relatively high temperatures. Here, 290 deg. C may be a temperature at which a normal crystal piece 300 can be influenced. However, it should be noted that the reference temperature may be changed according to the type and shape of the quartz crystal 300.

상술한 것과 같이, 유리 성분을 포함하는 접착 부재(200)를 사용하는 경우에 있어서, 제1 차 고온 처리 과정을 통해 소성을 먼저 수행하고, 후속적으로 밀봉을 위한 제2 차 고온 처리 과정을 수행하면 제2 차 고온 처리 과정에서는 제1 차 고온 처리 과정보다 낮은 온도를 사용할 수 있다는 특징이 있다. 이러한 특징을 활용하면 수정편(300)이 노출되는 고온의 온도를 상대적으로 낮출 수 있다. 이로 인해 결과적으로 수정편(300)이 발생시키는 신호의 주파수 정확도를 향상시킬 수 있다.As described above, in the case of using the adhesive member 200 including a glass component, the firing is first performed through the first high-temperature treatment process, and then the second high-temperature treatment process for sealing is performed The second high temperature treatment process can use a lower temperature than the first high temperature treatment process. With this feature, the temperature of the high temperature at which the quartz piece 300 is exposed can be relatively lowered. As a result, the frequency accuracy of the signal generated by the crystal ball 300 can be improved.

밀봉 단계(S700)에서 접착 부재(200)에는 수직 방향의 압력이 가해질 수 있다. 접착 부재(200)에 압력이 가해지는 경우, 접합성 및 기밀성을 증대시킬 수 있다. 또한, 압력이 가해지는 경우 제2 차 고온 처리 과정에서의 처리 온도 또는 시간을 감소시킬 수 있다. 본 발명에서, 제2 차 고온 처리 과정의 처리 온도를 낮추는 것은 수정편(300)의 정확성을 향상시킬 수 있기 때문에 적절한 압력을 가하면서 제2 차 고온 처리 과정의 처리 온도를 낮추는 것이 바람직하다.In the sealing step (S700), a pressure in the vertical direction may be applied to the adhesive member (200). When pressure is applied to the adhesive member 200, bonding property and airtightness can be increased. Also, if pressure is applied, the treatment temperature or time in the second high temperature treatment process can be reduced. In the present invention, lowering the treatment temperature of the second high temperature treatment process may improve the accuracy of the quartz piece 300, so it is desirable to lower the treatment temperature of the second high temperature treatment process while applying appropriate pressure.

밀봉 단계(S700)에서 접착 부재(200)에 가해지는 수직 방향의 압력은 기본적으로 캡 하우징(400)에 의한 중력을 포함한다. 이에 더불어 추가적인 압력이 가해질 수 있다. 실험 결과 통상적으로 사용되는 글라스 페이스트의 접착 부재(200)를 사용하는 경우 캡 하우징(400)의 중력을 포함하여 가해지는 총 압력이 1㎠당 60g 이상 120g 이하인 것이 바람직하다. 이러한 경우 제2 차 고온 처리 과정에서의 처리 온도를 270℃ 정도로 수행할 수 있음이 실험적으로 입증되었다. 이와 같이 밀봉 단계(S700)에서 접착 부재(200)에 수직 방향의 압력을 가하는 경우, 소성 단계(S400)의 온도가 높은 것이 필요하다. 따라서 상술한 것과 같이 밀봉 단계(S700)에서 접착 부재(200)에 수직 방향의 압력을 가하는 경우, 소성 단계(S400)에서의 온도는 320℃ 정도로 처리되는 것이 바람직한 것으로 실험적으로 입증되었다.The pressure in the vertical direction applied to the adhesive member 200 in the sealing step S700 basically includes gravity by the cap housing 400. [ In addition, additional pressure may be applied. As a result of the experiment, it is preferable that the total pressure including the gravity of the cap housing 400 is not less than 60 g and not more than 120 g per cm 2 when the adhesive member 200 of the glass paste is used. In this case, it has been experimentally proved that the treatment temperature in the second high temperature treatment process can be about 270 캜. When the pressure in the vertical direction is applied to the adhesive member 200 in the sealing step S700, the temperature of the sintering step S400 is required to be high. Therefore, as described above, it has been experimentally proven that when the pressure in the vertical direction is applied to the bonding member 200 in the sealing step (S700), the temperature in the firing step (S400) is preferably about 320 deg.

상술한 것에서, 밀봉 단계(S700)에서 밀봉의 상태가 바람직하다는 것은 밀봉된 상태의 접착 부재(200)의 단면을 확대해 봤을 때 단면에 빈 공간 또는 공기 층이 최소화되어 기밀성이 높은 것을 의미한다. 또한, 접착 부재(200)가 기판(100) 및 캡 캐비티(110)와 결합된 결합 강도가 높다는 것을 의미한다. 통상적으로 밀봉 단계(S700)에서의 제2 차 고온 처리 과정의 처리 온도가 지나치게 높을 경우에는 접착 부재(200)의 내부에 빈 공간 또는 공기 층이 형성될 수 있다. 반대로, 밀봉 단계(S700)에서의 제2 차 고온 처리 과정의 처리 온도가 지나치게 낮을 경우에는 접착 부재(200)가 기판(100) 및 캡 캐비티(110)와 결합된 결합 강도가 낮을 수 있다.In the above description, the state of the sealing in the sealing step S700 is preferable, meaning that when the cross-section of the sealing member 200 in the sealed state is enlarged, the void space or the air layer is minimized in the cross section and thus the airtightness is high. It also means that the bonding strength of the bonding member 200 to the substrate 100 and the cap cavity 110 is high. Generally, when the processing temperature of the second high temperature treatment process in the sealing step S700 is excessively high, an empty space or an air layer may be formed in the adhesive member 200. [ Conversely, if the processing temperature of the second high temperature treatment process in the sealing step S700 is too low, the bonding strength of the bonding member 200 to the substrate 100 and the cap cavity 110 may be low.

경우에 따라서, 밀봉 단계(S700)가 진공의 상태에서 수행되는 것도 가능하다. 진공 상태에서 제2 차 고온 처리 과정이 수행되는 경우 대기압 상태에서 수행되는 것보다 처리 온도를 낮출 수 있음이 실험적으로 입증되었다. 여기서 진공의 상태라는 것은 0.002mmHg이하의 저압을 의미하는 것이다.In some cases, it is also possible that the sealing step S700 is performed in a vacuum state. It has been experimentally proven that when the second high temperature process is performed in a vacuum state, the process temperature can be lowered than that performed at atmospheric pressure. The state of vacuum here means a low pressure of 0.002 mmHg or less.

다만, 진공 상태에서는 접착 부재(200)에 가해지는 압력을 크게 하는 것이 필요하다. 구체적으로 통상적으로 사용되는 글라스 페이스트의 접착 부재(200)를 사용하는 경우 캡 하우징(400)의 중력을 포함하여 가해지는 총 압력이 1㎠당 0.5kg 이상 2kg 이하인 것이 바람직하다. 이러한 경우 접착 부재(200)의 결합성 및 기밀성을 향상시킬 수 있으면서 제2 차 고온 처리 과정의 처리 온도를 260℃ 정도로 낮출 수 있다.However, it is necessary to increase the pressure applied to the adhesive member 200 in a vacuum state. Specifically, when a commonly used glass paste bonding member 200 is used, it is preferable that the total pressure including the gravity of the cap housing 400 is 0.5 kg or more and 2 kg or less per 1 cm 2. In this case, the bonding property and the airtightness of the adhesive member 200 can be improved, and the processing temperature of the second high-temperature treatment process can be lowered to about 260 ° C.

상술한 단계들에 의해 수정 진동자 패키지가 제조될 수 있다. 본 발명에 의해 제조된 수정 진동자 패키지는 캡 타입의 캡 하우징(400)을 사용하여 조립 공정이 간결하다. 또한, 기판(100)의 상면에 캐비티(110)를 형성하는 것을 통해, 실장 단자(101)의 높이를 높이는 것보다 수정 진동자 패키지의 전체 높이를 줄일 수 있다. 또한, 유리 성분이 포함된 접착 부재(200)를 사용하여 가스에 의한 수정편(300)의 오차를 억제할 수 있다. 또한, 온도가 다른 제1 차 및 제2 차 고온 처리 과정을 이용하여 접착 부재(200)의 결합성 및 기밀성을 높게 유지하면서도 수정편(300)이 발생시키는 신호의 주파수 정확도를 향상시킬 수 있다.
The quartz oscillator package can be manufactured by the steps described above. The quartz oscillator package manufactured by the present invention uses a cap-type cap housing 400, and the assembling process is simple. The overall height of the quartz crystal package can be reduced by increasing the height of the mounting terminal 101 by forming the cavity 110 on the upper surface of the substrate 100. Further, by using the adhesive member 200 containing a glass component, it is possible to suppress the error of the quartz crystal piece 300 caused by the gas. In addition, frequency accuracy of the signal generated by the quartz crystal 300 can be improved while keeping the bonding property and the airtightness of the adhesive member 200 high by using the first and second high temperature processing processes different in temperature.

이하, 첨부한 도 10 내지 도 13을 참조하여, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

도 10은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 11은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 밀봉 단계(S701)까지 수행된 수정 진동자 패키지의 배열의 일부를 도시한 단면도이다. 도 12는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 수지층 형성 단계를 설명하기 위한 공정 단면도이다. 도 13은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 절단 단계를 설명하기 위한 공정 단면도이다.10 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to another embodiment of the present invention. 11 is a cross-sectional view showing a part of the arrangement of a quartz oscillator package performed up to the sealing step S701 in the manufacturing method of the quartz oscillator package according to another embodiment of the present invention. 12 is a process sectional view illustrating a resin layer forming step of a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to another embodiment of the present invention. FIG. 13 is a cross-sectional view of a quartz crystal resonator package according to another embodiment of the present invention.

이 실시예는 도 2 내지 도 9를 참조하여 설명한 수정 진동자 패키지의 제조 방법에서의 수정 진동자 패키지가 다수 개가 어레이 형태로 배열되어 제조되어 한 번의 공정에서 다수의 수정 진동자 패키지를 제조하는 것에 관한 것이다.This embodiment relates to a method for manufacturing a quartz crystal package described with reference to Figs. 2 to 9, in which a plurality of quartz oscillator packages are manufactured by arranging in array form to manufacture a plurality of quartz oscillator packages in a single process.

기본적으로, 하나의 수정 진동자 패키지를 제조하는 방법은 앞서 설명한 실시예와 대부분 동일하다. 따라서 설명의 편의성을 위해 이 실시예의 설명에서는 앞서 설명한 실시예의 설명과 동일한 내용 중 일부는 생략하도록 한다.Basically, the method of manufacturing one quartz crystal resonator package is almost the same as the above-described embodiment. Therefore, in the description of this embodiment for the sake of convenience of explanation, some of the same contents as the description of the embodiment described above will be omitted.

도 10을 참조하면, 이 실시예의 수정 진동자 패키지의 제조 방법도, 기판 준비 단계(S101), 캐비티 형성 단계(S201), 접착 부재 도포 단계(S301), 소성 단계(S401), 수정편 실장 단계(S501), 캡 하우징 배치 단계(S601) 및 밀봉 단계(S701)를 포함한다.10, the manufacturing method of the quartz oscillator package of this embodiment also includes a step of preparing a substrate (S101), a cavity forming step (S201), an adhesive member applying step (S301), a firing step (S401) S501), a cap housing arrangement step (S601), and a sealing step (S701).

도 11을 참조하면, 상기의 단계들(S101~S701)에서 복수의 수정 진동자 패키지를 제조하기 위해서 각 단계가 기판(100) 상에서 적어도 일 방향으로 배열된 형태를 이루면서 반복될 수 있다.11, each of the steps may be repeated on the substrate 100 in the form of arranging them in at least one direction in order to manufacture a plurality of quartz oscillator packages in the steps S101 to S701.

기판(100)은 복수의 실장 단자(101)가 구비되고, 기판(100)의 상면에는 복수의 캐비티(110)가 형성되고, 상기 복수의 실장 단자(101) 및 캐비티(110)에 복수의 수정편(300)이 각각 실장되어 위치한다.The substrate 100 is provided with a plurality of mounting terminals 101 and a plurality of cavities 110 are formed on the upper surface of the substrate 100. The plurality of mounting terminals 101 and the cavities 110 are provided with a plurality of modifications And the flakes 300 are respectively mounted and positioned.

상기 복수의 실장 단자(101), 캐비티(110) 및 수정편(300)은 기판(100) 상에서 적어도 일 방향으로 배열된다. 바람직하게는, 이들은 가로와 세로의 두 방향으로 배열될 수 있다. 이를 통해 공정 효율성을 높일 수 있으며 대량 생산이 가능하도록 할 수 있다. 도 11 내지 도 13에서는 일 방향으로 배열된 것으로 단면도를 도시하였지만 설명의 편의성을 위한 것으로 본 발명이 이와 같은 배열에 한정되는 것은 아니다.The plurality of mounting terminals 101, the cavity 110, and the quartz crystal piece 300 are arranged on the substrate 100 in at least one direction. Preferably, they may be arranged in two directions, horizontal and vertical. This can increase process efficiency and enable mass production. 11 to 13 are arranged in one direction to show a cross-sectional view. However, the present invention is not limited to such an arrangement for convenience of explanation.

밀봉 단계(S701)까지 모두 수행된 이후에 어레이 기판(100) 상에는 복수의 수정 진동자 패키지가 하나의 기판(100)에 연결되어 형성되어 있게 된다. 밀봉 단계(S701) 이후에 개별의 수정 진동자 패키지 사이의 기판(100)을 절단하여 개별 수정 진동자 패키지를 형성한다.A plurality of quartz oscillator packages are connected to one substrate 100 on the array substrate 100 after all the steps up to the sealing step S701 are performed. After the sealing step S701, the substrate 100 between individual quartz oscillator packages is cut to form individual quartz oscillator packages.

절단 단계(S901)가 수행되기 전에 수지층 형성(S801)가 수행될 수 있다. 도 12를 참조하면, 수지층 형성 단계(S801)는 캡 하우징(400)의 외부에서 접착 부재(200) 주변에 수지층(500)을 형성하는 단계이다. 따라서 캡 하우징(400)의 외부로 노출된 접착 부재(200)의 일부는 수지층(500)에 의해 봉지될 수 있다.The resin layer formation (S801) may be performed before the cutting step (S901) is performed. Referring to FIG. 12, the resin layer forming step S801 is a step of forming the resin layer 500 around the adhesive member 200 from outside the cap housing 400. Therefore, a part of the adhesive member 200 exposed to the outside of the cap housing 400 can be sealed by the resin layer 500.

경우에 따라 수지층(500)은 인접하는 수정 진동자 패키지의 수지층(500)과 연속되도록 형성될 수 있다. 즉, 수지층(500)이 인접하는 수정 진동자 패키지의 캡 하우징(400) 사이에 충진되어 서로 연속적으로 이어지도록 형성되는 것이다.In some cases, the resin layer 500 may be formed to be continuous with the resin layer 500 of the adjacent quartz crystal package. That is, the resin layer 500 is filled between the cap housings 400 of adjacent quartz oscillator packages, and is formed to continuously connect with each other.

수지층(500)은 수지재를 토출하는 디스펜서에 의해 캡 하우징(400) 사이로 노출된 기판(100) 상에 선택적으로 토출되어 형성될 수 있다. 또한, 경우에 따라서 수지층(500)은 캡 하우징(400)의 상방에서 스프레이 방식으로 수지재를 분사하는 것에 의해 형성될 수 있다. 이에 따라 수지층(500)은 캡 하우징(400) 및 기판(100) 중 캡 하우징(400) 사이로 노출된 부분의 표면에 형성될 수 있다.The resin layer 500 may be selectively formed on the substrate 100 exposed between the cap housings 400 by a dispenser for discharging the resin material. In addition, the resin layer 500 may be formed by spraying the resin material from above the cap housing 400 by spraying. The resin layer 500 may be formed on the surfaces of the cap housing 400 and the exposed portion of the substrate 100 between the cap housings 400.

수지층(500)은 에폭시 등의 통상적인 수지재 접착제가 사용될 수 있다.As the resin layer 500, a conventional resin adhesive such as epoxy may be used.

도 13을 참조하면, 절단 단계(S901)에서는 기판(100)의 절단부 상에 도포된 수지재가 기판(100)과 함께 절단되어 개별 수정 진동자 패키지로 분리된다.Referring to FIG. 13, in the cutting step S901, the resin material coated on the cutting portion of the substrate 100 is cut together with the substrate 100 and separated into individual quartz oscillator packages.

상기의 수지층(500)이 도포되지 않는 경우, 접착 부재(200)가 깨지거나 박리되면서 접착 부재(200)의 결합력 및 기밀성이 약화될 수 있다. 접착 부재(200)는 소성과 밀봉 과정에서 고온 처리를 거치게 되고, 그 후에 상온 상태에서는 경화되어 존재한다. 이러한 접착 부재(200)는 상온 상태에서 연성이 크지 않아 블레이드에 의해 기판(100)이 절단되는 경우에 표면에 크랙 등이 형성되는 깨짐 또는 박리 등이 발생할 수 있다. 이러한 깨짐 또는 박리 등은 접착 부재(200)의 결합력 및 기밀성을 약화시킨다. 수지층(500)이 접착 부재(200)의 표면에 도포되는 경우, 수지층(500)의 연성에 의해서 접착 부재(200)의 깨짐 또는 박리를 억제할 수 있다.
When the resin layer 500 is not applied, the bonding force and the airtightness of the bonding member 200 may be weakened as the bonding member 200 is broken or peeled off. The adhesive member 200 undergoes a high-temperature treatment in the course of firing and sealing, and then is cured at a normal temperature. Such an adhesive member 200 may not crack at a normal temperature and may crack or peel off when cracks or the like are formed on the surface when the substrate 100 is cut by the blade. Such cracking or peeling may weaken the bonding force and airtightness of the adhesive member 200. When the resin layer 500 is applied to the surface of the adhesive member 200, cracking or peeling of the adhesive member 200 can be suppressed by the ductility of the resin layer 500.

이하, 첨부한 도 14를 참조하여, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 14는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 제조 방법 중 수지층 형성 단계를 설명하기 위한 공정 단면도이다.
Hereinafter, a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a resin layer forming step of a method of manufacturing a quartz crystal resonator package according to another embodiment of the present invention.

본 실시예에서 도 10 내지 도 13을 참조하여 앞서 설명한 실시예와 다른 점을 중심으로 설명한다.The present embodiment will be described with reference to FIGS. 10 to 13, focusing on differences from the previously described embodiments.

본 실시예에서, 수지층 형성 단계(S801)는 평판형의 수지 시트를 캡 하우징(400) 및 기판(100)의 상방에서 결합시키는 것이다. 수지 시트는 결합되어 수지층(500)을 형성하는 것으로 에폭시 등의 수지재 접착제로 형성된다. 수지 시트는 기판(100)에 대응되는 형상으로 소정의 두께를 가지는 평판형으로 형성된다. 수지 시트는 반경화 상태로 캡 하우징(400) 및 기판(100)의 상면에 결합한다. 이에 따라 수지 시트는 그 형태가 캡 하우징(400) 및 기판(100)의 상면에 맞도록 변형된다. 결합된 수지 시트는 경화 과정을 거쳐 수지층(500)으로 형성된다.
In this embodiment, the resin layer forming step S801 is to bond the flat resin sheet to the cap housing 400 and the substrate 100 from above. The resin sheet is combined with the resin layer 500 to form a resin adhesive such as epoxy. The resin sheet is formed in a flat plate shape having a predetermined thickness corresponding to the substrate 100. The resin sheet is bonded to the upper surface of the cap housing 400 and the substrate 100 in a semi-cured state. The resin sheet is deformed so that its shape conforms to the top surface of the cap housing 400 and the substrate 100. The combined resin sheet is formed into the resin layer 500 through a curing process.

이하, 도 15 내지 도 16을 참조하여, 본 발명의 형태의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지에 대해 설명한다. 본 발명의 다른 형태의 일 실시예는 수정 진동자 패키지에 관한 것이다. 이 수정 진동자 패키지는 도 1 내지 도 13을 참조하여 상술한 수정 진동자 패키지의 제조 방법에 의해 제조된 수정 진동자 패키지에 관한 것이다.Hereinafter, a quartz oscillator package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 15 to 16. FIG. One embodiment of another aspect of the present invention relates to a quartz crystal package. This quartz oscillator package relates to a quartz crystal oscillator package manufactured by the method of manufacturing a quartz crystal resonator package described above with reference to Figs.

따라서 설명의 편의성을 위해 앞서 설명한 실시예의 설명과 동일한 내용 중 일부는 생략하도록 한다.Therefore, for the sake of convenience of explanation, some of the same contents as the description of the embodiment described above will be omitted.

도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정 진동자 패키지의 단면도이다. 도 16은 도 15에 도시된 수정 진동자 패키지의 분해 사시도이다.15 is a cross-sectional view of a quartz crystal resonator package according to an embodiment of the present invention. 16 is an exploded perspective view of the quartz crystal resonator package shown in Fig.

도 15 내지 도 16을 참조하면, 수정 진동자 패키지는 기판(100), 수정편(300), 캡 하우징(400) 및 접착 부재(200)를 포함한다.15 to 16, the quartz oscillator package includes a substrate 100, a crystal piece 300, a cap housing 400, and an adhesive member 200.

기판(100)에는 실장 단자(101)가 구비되어 있고, 수정편(300)은 상기 실장 단자(101)에 실장된다. 수정편(300)이 위치하는 부근의 기판(100)에는 상부로 개방되고 소정의 깊이를 가지는 캐비티(110)가 구비되어 있다. 수정편(300)은 중심 부분이 테두리 부분보다 두껍게 형성될 수 있는데, 이러한 경우 수정편(300)의 중심 부분의 하부의 일부는 상기 캐비티(110) 내부에 위치하게 된다.The substrate 100 is provided with a mounting terminal 101 and the quartz crystal piece 300 is mounted on the mounting terminal 101. The substrate 100 in the vicinity of the quartz crystal 300 is provided with a cavity 110 which is opened upward and has a predetermined depth. In this case, a part of the lower portion of the central portion of the quartz crystal 300 may be positioned inside the cavity 110. In this case,

캡 하우징(400)은 개방된 하면이 기판(100)과 결합되어 형성하는 내부 공간에 수정편(300)을 수용한다. 캡 하우징(400)과 기판(100)은 접착 부재(200)에 의해 밀봉된다. 접착 부재(200)는 유리 성분을 포함한다. 접착 부재(200)는 접착 부재(200)의 소결을 위한 온도가 접착 부재(200)가 다른 부분과 결합하여 밀봉하기 위한 온도보다 높은 특징이 있다.The cap housing 400 accommodates the quartz piece 300 in an inner space formed by coupling the open bottom surface with the substrate 100. The cap housing 400 and the substrate 100 are sealed by the adhesive member 200. The adhesive member 200 includes a glass component. The adhesive member 200 is characterized in that the temperature for sintering the adhesive member 200 is higher than the temperature at which the adhesive member 200 is sealed to be engaged with another portion.

캡 하우징(400)의 외부로 노출된 접착 부재(200)에는 수지층(500)이 형성되어 접착 부재(200)의 표면을 봉지할 수 있다. 수지층(500)은 기판(100)의 끝단까지 연장되어 형성될 수 있다.
A resin layer 500 is formed on the adhesive member 200 exposed to the outside of the cap housing 400 to seal the surface of the adhesive member 200. The resin layer 500 may extend to the end of the substrate 100.

이상, 본 발명의 수정 진동자 패키지 및 이의 제조 방법의 실시예들에 대해 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.The embodiments of the quartz crystal package and the manufacturing method thereof of the present invention have been described above. The present invention is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various modifications and changes may be made by those skilled in the art to which the present invention pertains. Therefore, the scope of the present invention should be determined by the equivalents of the claims and the claims.

100: 기판 110: 캐비티
200: 접착 부재 300: 수정편
400: 캡 하우징 500: 수지층100: substrate 110: cavity
200: Adhesive member 300: Crystal piece
400: cap housing 500: resin layer

Claims (23)

실장 단자를 구비하는 기판을 준비하는 단계;
상기 실장 단자 주변을 둘러싸는 상기 기판의 표면에 유리 성분을 포함하는 접착 부재를 도포하는 단계;
상기 접착 부재가 도포된 기판을 제1 차 고온 처리하여 상기 접착 부재를 소성시키는 단계;
상기 실장 단자에 수정편을 실장하는 단계;
상기 수정편을 내부에 수용하고, 하면이 상기 접착 부재에 맞닿도록 캡 하우징을 배치하는 단계; 및
상기 접착 부재가 도포된 기판과 상기 캡 하우징을 제2 차 고온 처리하여 상기 기판과 상기 캡 하우징 사이를 상기 접착 부재를 매개하로 밀봉하는 단계를 포함하는 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
Preparing a substrate having a mounting terminal;
Applying an adhesive member comprising a glass component to a surface of the substrate surrounding the mounting terminals;
Subjecting the substrate coated with the adhesive member to a first high-temperature treatment to burn the adhesive member;
Mounting a crystal piece on the mounting terminal;
Disposing the cap housing such that the quartz piece is accommodated therein and the lower surface thereof abuts against the adhesive member; And
And sealing the substrate between the substrate and the cap housing via the adhesive member by subjecting the substrate coated with the adhesive member and the cap housing to a second high temperature treatment.
제1 항에 있어서,
상기 제1 차 고온 처리 과정의 처리 온도는 상기 제2 차 고온 처리 과정의 처리 온도보다 높은 것을 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the processing temperature of the first high-temperature processing step is higher than the processing temperature of the second high-temperature processing step.
제1 항에 있어서,
상기 제1 차 고온 처리 과정의 처리 온도는 290℃ 이상이고, 상기 제2 차 고온 처리 과정의 처리 온도는 290℃ 미만인 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the process temperature of the first high-temperature process is higher than or equal to 290 ° C, and the process temperature of the second higher-temperature process is lower than 290 ° C.
제1 항에 있어서,
상기 접착 부재를 소성시키는 단계는 상기 수정편을 실장하는 단계 이전에 수행되고,
상기 밀봉하는 단계는 상기 수정편을 실장하는 단계 이후에 수행되는 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
The method according to claim 1,
The step of baking the adhesive member is performed before the step of mounting the quartz crystal,
Wherein the sealing step is performed after the step of mounting the quartz crystal.
제1 항에 있어서,
상기 밀봉하는 단계는, 상기 소성된 접착 부재가 제2 차 고온 처리 과정에서 반용융상태 또는 용융상태가 되고, 상기 반용융상태 또는 용융상태의 접착 부재는 상기 기판의 표면 및 상기 캡 하우징의 하면과 기밀하게 결합하는 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
The method according to claim 1,
The sealing step may be performed such that the fired bonding member is brought into a semi-molten state or a molten state in the second high-temperature processing step, and the bonding member in the semi-molten or molten state is brought into contact with the surface of the substrate and the lower surface of the cap housing A method of manufacturing a quartz crystal package that is tightly coupled.
제1 항에 있어서,
상기 밀봉하는 단계는, 상기 제2 차 고온 처리 과정에서 상기 접착 부재에 수직 방향으로 상기 캡 하우징의 중력에 의한 압력에 더불어 추가적인 압력이 가해지는 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the sealing step applies additional pressure in addition to the gravity pressure of the cap housing in a direction perpendicular to the adhesive member in the second high temperature processing step.
제6 항에 있어서,
상기 접착 부재에 가해지는 총 압력은 1㎠당 60g 이상 120g 이하인 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the total pressure applied to the adhesive member is not less than 60 g and not more than 120 g per cm 2.
제1 항에 있어서,
상기 밀봉하는 단계는, 진공의 상태에서 수행되며, 상기 접착 부재에 수직 방향으로 1㎠당 0.5kg 이상 2kg 이하의 압력이 가해지는 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the sealing step is performed in a vacuum state and a pressure of 0.5 kg or more and 2 kg or less per cm 2 is applied to the adhesive member in a direction perpendicular to the adhesive member.
제1 항에 있어서,
상기 기판 중 수정편이 배치될 위치에 상기 기판의 상부로 개방되고 소정의 깊이를 가지는 캐비티를 형성하는 단계를 더 포함하는 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of forming a cavity open to the top of the substrate and having a predetermined depth at a position in the substrate where the quartz crystal piece is to be placed.
제9 항에 있어서,
상기 캐비티는 상기 기판의 표면에 조사되는 레이저에 의해 상기 기판의 일부가 제거되는 것에 의해 형성되는 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the cavity is formed by removing a part of the substrate by a laser irradiated on the surface of the substrate.
제9 항에 있어서,
상기 캐비티를 형성하는 단계는, 하부층의 상면에 개구가 형성된 상부층를 결합시켜 상기 하부층의 상면 및 상기 상부층의 개구의 내측면으로 둘러싸이는 캐비티를 형성하는 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein forming the cavity comprises joining an upper layer having an opening formed on an upper surface of the lower layer to form a cavity surrounded by an upper surface of the lower layer and an inner surface of the opening of the upper layer.
제9 항에 있어서,
상기 수정편은 중심 부분이 테두리 부분보다 두껍게 형성되고,
상기 수정편을 실장하는 단계에서, 상기 수정편의 중심 부분의 하부의 일부는 상기 캐비티 내부에 위치하는 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the central portion of the quartz piece is formed thicker than the rim portion,
Wherein a part of the lower portion of the center portion of the quartz crystal piece is located inside the cavity in the step of mounting the quartz crystal piece.
제1 항에 있어서,
상기 캡 하우징은 철 및 니켈을 포함하는 합금으로 형성되는 수정 진동자의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the cap housing is formed of an alloy including iron and nickel.
적어도 일 방향으로 배열된 복수의 실장 단자를 구비하는 기판을 준비하는 단계;
상기 복수의 실장 단자 주변을 둘러싸는 상기 기판의 표면에 유리 성분을 포함하는 접착 부재를 도포하는 단계;
상기 접착 부재가 도포된 기판을 제1 차 고온 처리하여 상기 접착 부재를 소성시키는 단계;
상기 복수의 실장 단자에 복수의 수정편을 각각 실장하는 단계;
상기 각각의 수정편을 내부에 수용하고, 하면이 상기 접착 부재에 맞닿도록 캡 하우징을 상기 배열에 맞게 배치하는 단계;
상기 접착 부재가 도포된 기판과 상기 복수의 캡 하우징을 제2 차 고온 처리하여 상기 기판과 상기 복수의 캡 하우징 사이를 상기 접착 부재를 매개하로 밀봉하는 단계;
상기 캡 하우징 외부의 상기 접착 부재 주변에 수지층을 형성하는 단계; 및
하나의 수정편과 캡 하우징을 포함하는 개별 수정 진동자 패키지가 형성되도록 상기 기판을 절단하는 단계를 포함하는 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
Preparing a substrate having a plurality of mounting terminals arranged in at least one direction;
Applying an adhesive member comprising a glass component to a surface of the substrate surrounding the plurality of mounting terminals;
Subjecting the substrate coated with the adhesive member to a first high-temperature treatment to burn the adhesive member;
Mounting a plurality of crystal pieces on each of the plurality of mounting terminals;
Disposing the cap housing in the array so that the respective quartz pieces are housed in the interior and the lower surface is in contact with the adhesive member;
Sealing the substrate on which the adhesive member is applied and the plurality of cap housings by a second high temperature treatment to mediate between the substrate and the plurality of cap housings via the adhesive member;
Forming a resin layer around the adhesive member outside the cap housing; And
And cutting the substrate such that an individual quartz oscillator package is formed that includes a single crystal and a cap housing.
제14 항에 있어서,
상기 수지층을 형성하는 단계는, 상기 배열에서 인접하는 수지층이 서로 연속되도록 형성되고,
상기 절단하는 단계는 상기 연속되는 수지층을 절단하여 분리하는 단계를 포함하는 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
15. The method of claim 14,
Wherein the step of forming the resin layer is formed so that adjacent resin layers in the arrangement are continuous with each other,
Wherein the cutting step comprises cutting and separating the continuous resin layer.
제14 항에 있어서,
상기 수지층을 형성하는 단계는, 상기 수지층을 상기 캡 하우징의 상방에서 수지재를 분사하여 형성하는 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
15. The method of claim 14,
Wherein the step of forming the resin layer comprises forming the resin layer by spraying a resin material from above the cap housing.
제14 항에 있어서,
상기 수지층을 형성하는 단계는, 상기 수지층을 상기 캡 하우징 및 상기 기판 중 노출된 부분의 표면에 형성하는 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
15. The method of claim 14,
Wherein the resin layer is formed on the surface of the exposed portion of the cap housing and the substrate.
제14 항에 있어서,
상기 수지층을 형성하는 단계는, 상기 수지층을 평판형의 수지 시트를 상기 캡 하우징 및 상기 기판 중 노출된 부분에 결합시켜 형성하는 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
15. The method of claim 14,
Wherein the resin layer is formed by bonding the resin layer to a portion of the cap housing and the exposed portion of the substrate.
제14 항에 있어서,
상기 제1 차 고온 처리 과정의 처리 온도는 상기 제2 차 고온 처리 과정의 처리 온도보다 높은 것을 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
15. The method of claim 14,
Wherein the processing temperature of the first high-temperature processing step is higher than the processing temperature of the second high-temperature processing step.
제14 항에 있어서,
상기 기판 중 복수의 수정편이 배치될 각각의 위치에 상기 기판의 상부로 개방되고 소정의 깊이를 가지는 복수의 캐비티를 상기 배열에 따라 형성하는 단계를 더 포함하는 수정 진동자 패키지의 제조 방법.
15. The method of claim 14,
Further comprising the step of forming a plurality of cavities with a predetermined depth in accordance with the arrangement, the plurality of cavities being open to the top of the substrate at respective positions in the substrate where a plurality of crystal defects are to be arranged.
실장 단자를 구비하는 기판;
상기 실장 단자에 실장된 수정편;
개방된 하면이 상기 기판과 결합되어 형성하는 내부 공간에 상기 수정편을 수용하는 캡 하우징; 및
상기 기판 및 상기 캡 하우징 사이를 밀봉하고 유리 성분을 포함하는 접착 부재를 포함하는 수정 진동자 패키지.
A substrate having a mounting terminal;
A correction piece mounted on the mounting terminal;
A cap housing for accommodating the quartz crystal in an inner space formed by being coupled with the substrate on an opened lower surface; And
And an adhesive member sealing between the substrate and the cap housing and including a glass component.
제21 항에 있어서,
상기 수정편은 중심 부분이 테두리 부분보다 두껍게 형성되고,
상기 기판은 상부로 개방되고 소정의 깊이를 가지는 캐비티를 구비하되,
상기 수정편의 중심 부분의 하부의 일부는 상기 캐비티 내부에 위치하는 수정 진동자 패키지.
22. The method of claim 21,
Wherein the central portion of the quartz piece is formed thicker than the rim portion,
The substrate having a cavity open at the top and having a predetermined depth,
And a part of a lower portion of a central portion of the quartz crystal piece is located inside the cavity.
제21 항에 있어서,
상기 접착 부재는 상기 접착 부재의 소결을 위한 온도가 상기 접착 부재가 다른 부분과 결합하여 밀봉하기 위한 온도보다 높은 수정 진동자 패키지.22. The method of claim 21,
Wherein the adhesive member is higher in temperature for sintering of the adhesive member than the temperature for sealing and bonding the adhesive member with the other portion.
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