KR20160007236A - Organic light emitting diode device - Google Patents

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Abstract

Provided is an organic light emitting display device which performs compensation of increasing a level of a driving signal outputted from the inside or the outside of a pixel to an organic light emitting element depending on a change in a level of threshold voltage or ground voltage, thereby preventing voltage drop occurring in the organic light emitting element caused by a decrease in a level of the driving signal by the change in the level of the threshold voltage or the ground voltage. The organic light emitting display device comprises: a driving unit for outputting the driving signal of the organic light emitting element from driving power in response to a first gate signal and a data signal; and a first sensing unit connected to the driving unit, and outputting a first sensing signal depending on a change in a level of ground power in response to a second gate signal and the ground power.

Description

유기발광표시장치{Organic light emitting diode device}[0001] The present invention relates to an organic light emitting diode

본 발명은 유기발광표시장치에 관한 것으로, 특히 기저전원(Vss)의 레벨변동으로 인해 유기발광소자에서 전압강하(IR drop)가 발생되는 것을 방지할 수 있는 유기발광표시장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display, and more particularly, to an OLED display capable of preventing a voltage drop (IR drop) from occurring in an organic light emitting diode due to a level change of a base power source

평판표시장치로서 현재까지는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)가 널리 이용되었지만, 액정표시장치는 별도의 광원으로 백라이트가 필요하고, 밝기, 명암비 및 시야각 등에서 기술적 한계가 있다. 이에, 자체발광이 가능하여 별도의 광원이 필요하지 않고, 밝기, 명암비 및 시야각 등에서 상대적으로 우수한 유기발광표시장치(Organic Light Emitting diode Device; OLED)에 대한 관심이 증대되고 있다.As a flat panel display device, a liquid crystal display device has been widely used. However, a liquid crystal display device requires a backlight as a separate light source and has technical limitations in terms of brightness, contrast ratio, and viewing angle. Accordingly, there is an increasing interest in an organic light emitting diode (OLED) device, which is self-emitting and does not require a separate light source and is relatively superior in brightness, contrast ratio, and viewing angle.

유기발광표시장치는 전자(electron)를 주입하는 음극(cathode)과 정공(hole)을 주입하는 양극(anode) 사이에 발광층이 형성된 발광소자, 즉 유기발광소자를 구비한다. 유기발광표시장치는 유기발광소자의 음극에서 발생된 전자 및 양극에서 발생된 정공이 발광층 내부로 주입되면 주입된 전자 및 정공이 결합하여 발광을 일으킴으로써 화상을 표시하는 표시장치이다.The organic light emitting diode display includes a light emitting device, that is, an organic light emitting diode, having a light emitting layer formed between a cathode for injecting electrons and an anode for injecting holes. The organic light emitting diode display is a display device in which electrons generated from a cathode of an organic light emitting diode and holes injected from an anode into a light emitting layer are injected into the light emitting layer to emit light.

도 1은 종래의 유기발광표시장치의 하나의 화소에 대한 등가 회로도이다.1 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a conventional OLED display.

도 1을 참조하면, 종래의 유기발광표시장치는 서로 교차하도록 배열된 게이트라인(GL), 데이터라인(DL) 및 구동전원라인(VDDL)에 의해 화소영역이 정의된다.Referring to FIG. 1, a pixel region is defined by a gate line GL, a data line DL, and a driving power supply line VDDL arranged so as to intersect with each other in a conventional organic light emitting display device.

화소영역 내에는 스위칭트랜지스터(ST) 및 구동트랜지스터(DT)의 스위칭 소자들과, 스토리지 커패시터(C) 및 유기발광소자(OLED)가 형성된다. 스위칭트랜지스터(ST)와 구동트랜지스터(DT)는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)로 구성된다.In the pixel region, the switching elements of the switching transistor ST and the driving transistor DT, the storage capacitor C, and the organic light emitting element OLED are formed. The switching transistor ST and the driving transistor DT are formed of a thin film transistor (TFT).

스위칭트랜지스터(ST)는 게이트라인(GL)을 통해 공급되는 게이트신호에 따라 스위칭 되어 데이터라인(DL)을 통해 공급되는 데이터신호를 구동트랜지스터(DT)로 공급한다. The switching transistor ST is switched according to a gate signal supplied through the gate line GL and supplies a data signal supplied through the data line DL to the driving transistor DT.

구동트랜지스터(DT)는 스위칭트랜지스터(ST)로부터 공급된 데이터신호에 따라 스위칭 되어 구동전원라인(VDDL)으로부터 유기발광소자(OLED)로 흐르는 전류, 예컨대 구동전류를 제어한다. The driving transistor DT is switched according to a data signal supplied from the switching transistor ST to control a current flowing from the driving power supply line VDDL to the organic light emitting diode OLED, e.g., a driving current.

스토리지 커패시터(C)는 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극과 유기발광소자(OLED)의 애노드전극 사이에 접속되며, 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극에 공급되는 데이터신호와 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압으로 구동트랜지스터(DT)의 턴-온 상태를 1프레임 동안 일정하게 유지시킨다.The storage capacitor C is connected between the gate electrode of the driving transistor DT and the anode electrode of the organic light emitting diode OLED and stores a voltage corresponding to the data signal supplied to the gate electrode of the driving transistor DT, And maintains the turn-on state of the driving transistor DT constant for one frame with the stored voltage.

유기발광소자(OLED)는 구동트랜지스터(DT)의 소스전극 또는 드레인전극과 기저전원라인(VssL) 사이에 접속되며, 구동트랜지스터(DT)로부터 공급되는 구동전류에 의해 발광된다. The organic light emitting element OLED is connected between a source electrode or a drain electrode of the driving transistor DT and the base power supply line VssL and is driven by a driving current supplied from the driving transistor DT.

도 2는 종래의 유기발광표시장치의 구조 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically showing a part of a structure of a conventional organic light emitting diode display.

도 2를 참조하면, 종래의 유기발광표시장치(1)는 기판(10), 구동트랜지스터(DT) 및 유기발광소자(OLED)를 포함한다. 기판(10)은 투명한 유리, 플라스틱 또는 고분자 필름 등의 절연물질로 이루어진다. Referring to FIG. 2, a conventional OLED display 1 includes a substrate 10, a driving transistor DT, and an organic light emitting diode (OLED). The substrate 10 is made of an insulating material such as transparent glass, plastic, or polymer film.

구동트랜지스터(DT)는 반도체층(11), 게이트전극(12), 소스전극(13) 및 드레인전극(14)을 포함한다. 구동트랜지스터(DT)의 반도체층(11)은 기판(10) 상에 형성되고, 반도체층(11) 상에는 게이트절연막(15)이 형성된다. 게이트절연막(15) 상에는 게이트전극(12)을 포함하는 게이트라인(미도시)이 형성된다. 게이트전극(12) 상에는 층간절연막(16)이 형성되고, 층간절연막(16) 상에는 소스전극(13) 및 드레인전극(14)을 포함하는 데이터라인(미도시)이 형성된다. 소스전극(13)과 드레인전극(14)은 층간절연막(16)에 형성된 콘택홀(미도시)을 통해 반도체층(11)과 접속된다. 소스전극(13) 및 드레인전극(14) 상에는 평탄화막(17)이 형성된다. The driving transistor DT includes a semiconductor layer 11, a gate electrode 12, a source electrode 13, and a drain electrode 14. The semiconductor layer 11 of the driving transistor DT is formed on the substrate 10 and the gate insulating film 15 is formed on the semiconductor layer 11. [ A gate line (not shown) including a gate electrode 12 is formed on the gate insulating film 15. An interlayer insulating film 16 is formed on the gate electrode 12 and a data line (not shown) including the source electrode 13 and the drain electrode 14 is formed on the interlayer insulating film 16. The source electrode 13 and the drain electrode 14 are connected to the semiconductor layer 11 through a contact hole (not shown) formed in the interlayer insulating film 16. A planarizing film 17 is formed on the source electrode 13 and the drain electrode 14.

유기발광소자(OLED)는 제1전극(22), 유기발광층(23) 및 제2전극(24)을 포함한다. 제1전극(22)은 평탄화막(17) 상에 형성되고, 평탄화막(17)에 형성된 콘택홀(미도시)을 통해 구동트랜지스터(DT)의 드레인전극(14)과 연결된다. 제1전극(22) 상에는 화소영역을 정의하는 뱅크(21)가 형성된다. 뱅크(21)는 제1전극(22) 가장자리 주변을 둘러싸도록 형성된다. 유기발광층(23)은 제1전극(22)과 제2전극(24) 사이에 형성된다. 유기발광층(23)은 제1전극(22)으로부터 공급되는 정공과 제2전극(24)으로부터 공급되는 전자의 결합에 의해 발광된다. 제2전극(24)은 유기발광층(23) 상에 형성된다. 여기서, 종래의 유기발광표시장치(1)에서는 발광영역의 극대화를 위해 구동트랜지스터(DT)가 탑 게이트(top gate) 구조로 형성되고, 유기발광소자(OLED)의 제2전극(24)이 얇게 형성된다. The organic light emitting device OLED includes a first electrode 22, an organic light emitting layer 23, and a second electrode 24. The first electrode 22 is formed on the planarization film 17 and is connected to the drain electrode 14 of the driving transistor DT through a contact hole (not shown) formed in the planarization film 17. On the first electrode 22, a bank 21 defining a pixel region is formed. The bank 21 is formed so as to surround the periphery of the first electrode 22. An organic light emitting layer 23 is formed between the first electrode 22 and the second electrode 24. The organic light emitting layer 23 emits light by the combination of the holes supplied from the first electrode 22 and the electrons supplied from the second electrode 24. The second electrode 24 is formed on the organic light-emitting layer 23. Here, in the conventional organic light emitting diode display device 1, the driving transistor DT is formed in a top gate structure to maximize the light emitting region, and the second electrode 24 of the organic light emitting element OLED is thin .

이에 따라, 종래의 유기발광표시장치(1)에서는 유기발광소자(OLED)의 제2전극(24)의 저항이 높아지게 되고, 제2전극(24)의 높은 저항에 의해 각 화소에서 기저전원(Vss)이 라이징(rising)되어 그 레벨이 변동된다. Accordingly, the resistance of the second electrode 24 of the organic light emitting diode OLED increases in the conventional organic light emitting diode display device 1, and the resistance of the second electrode 24 increases, And the level thereof is changed.

이와 같이, 종래의 유기발광표시장치(1)에서는 기저전원(Vss)의 레벨변동에 의해 유기발광소자(OLED)에 입력되는 구동전류의 변동이 발생되며, 이는 유기발광소자(OLED)의 전압강하를 발생시켜 유기발광표시장치의 휘도 불균일을 초래한다. 유기발광소자(OLED)의 전압강하는 대면적 유기발광표시장치(1)에서 더욱 심해진다. As described above, in the conventional organic light emitting diode display device 1, fluctuations in the driving current inputted to the organic light emitting element OLED due to the level variation of the base power supply Vss are generated, Thereby causing unevenness in luminance of the organic light emitting display device. The voltage drop of the organic light emitting diode OLED is further increased in the large area organic light emitting diode display 1.

본 발명은 유기발광표시장치의 각 화소에서 기저전압의 레벨 변동에 따라 유기발광소자에서 전압강하가 발생되는 것을 방지할 수 있는 유기발광표시장치를 제공하고자 하는데 있다. The present invention provides an organic light emitting diode (OLED) display device capable of preventing a voltage drop from occurring in an organic light emitting device in accordance with a level change of a base voltage in each pixel of the organic light emitting display device.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치는, 제1게이트신호 및 데이터신호에 응답하여 구동전원으로부터 유기발광소자의 구동신호를 출력하는 구동부; 및 상기 구동부에 접속되며, 제2게이트신호 및 기저전원에 응답하여 상기 기저전원의 레벨변동에 따른 제1센싱신호를 출력하는 제1센싱부를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising: a driver for outputting a driving signal of an organic light emitting diode from a driving power source in response to a first gate signal and a data signal; And a first sensing unit connected to the driving unit and responsive to a second gate signal and a base power supply for outputting a first sensing signal according to a level change of the base power supply.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치는, 제1게이트신호 및 데이터신호에 응답하여 구동전원으로부터 구동신호를 생성하여 출력하는 구동부; 상기 구동부로부터 출력된 상기 구동신호에 따라 빛을 방출하는 유기발광소자; 및 제2게이트신호 및 기저전원에 응답하여 상기 기저전원의 레벨변동에 따른 제1보상신호를 생성하고, 상기 제1보상신호를 상기 유기발광소자의 애노드전극으로 출력하여 상기 구동신호의 레벨을 조절하는 제1보상부를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising: a driver for generating and outputting a driving signal from a driving power source in response to a first gate signal and a data signal; An organic light emitting diode emitting light according to the driving signal outputted from the driving unit; And generating a first compensation signal in response to a level change of the base power supply in response to a second gate signal and a base power supply and outputting the first compensation signal to the anode electrode of the organic light emitting element, And a second compensating unit for compensating the second compensating unit.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치는, 기판 상에 형성된 구동트랜지스터; 상기 구동트랜지스터 상에 형성되며, 제1전극, 유기발광층 및 제2전극을 구비하는 유기발광소자; 상기 기판 상에 상기 구동트랜지스터와 이격되어 형성된 센싱트랜지스터; 및 상기 센싱트랜지스터의 게이트전극과 상기 제2전극 사이에 형성되며, 상기 제2전극을 통해 상기 게이트전극에 기저전원을 제공하는 적어도 하나의 보조전극을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an OLED display including: a driving transistor formed on a substrate; An organic light emitting element formed on the driving transistor and including a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode; A sensing transistor formed on the substrate and spaced apart from the driving transistor; And at least one auxiliary electrode formed between the gate electrode and the second electrode of the sensing transistor and providing base power to the gate electrode through the second electrode.

본 발명에 따른 유기발광표시장치는, 각 화소에 기저전원을 게이트전압으로 입력받아 동작하는 센싱트랜지스터를 구비하고, 이를 이용하여 기저전원의 레벨변화를 센싱하여 외부 회로로 출력하며, 외부 회로에서 기저전원의 변화에 따라 구동신호의 레벨을 증가시키는 보상을 수행함으로써, 기저전원의 레벨변화에 의한 구동신호의 크기 감소로 인해 유기발광소자에서 전압강하가 발생되는 것을 방지할 수 있다. The organic light emitting display according to the present invention includes a sensing transistor that operates by receiving a base voltage as a gate voltage for each pixel. The sensing transistor senses a level change of the base voltage and outputs the sensed voltage to an external circuit. It is possible to prevent a voltage drop from occurring in the organic light emitting element due to a reduction in the size of the driving signal due to the level change of the base power supply by performing the compensation to increase the level of the driving signal according to the change of the power supply.

또, 유기발광표시장치는, 각 화소에 기저전원을 게이트전압으로 입력받아 동작하는 보상트랜지스터를 구비하고, 이를 이용하여 기저전원의 레벨변화에 따라 보상신호를 생성하여 유기발광소자로 출력하여 유기발광소자로 인가되는 구동신호의 레벨을 증가시키는 보상을 수행함으로써, 기저전원의 레벨변화에 의한 구동신호의 크기 감소로 인해 유기발광소자에서 전압강하가 발생되는 것을 방지할 수 있다. Further, the organic light emitting display device includes a compensating transistor that operates by receiving a base voltage as a gate voltage for each pixel, generates a compensation signal according to the level change of the base voltage, and outputs the compensation signal to the organic light emitting element, It is possible to prevent a voltage drop from occurring in the organic light emitting element due to a reduction in the size of the driving signal due to the level change of the base power supply by performing compensation to increase the level of the driving signal applied to the element.

또, 유기발광표시장치는 각 화소에 문턱전압 센싱트랜지스터 또는 문턱전압 보상트랜지스터를 구비하여 문턱전압의 레벨변화에 따라 데이터신호의 크기를 조절함으로써, 유기발광소자에 인가되는 구동신호의 레벨을 증가시켜 유기발광소자에서 전압강하가 발생되는 것을 방지할 수 있다.The organic light emitting display device includes a threshold voltage sensing transistor or a threshold voltage compensating transistor for each pixel to increase the level of the driving signal applied to the organic light emitting element by adjusting the magnitude of the data signal according to the level change of the threshold voltage It is possible to prevent a voltage drop from occurring in the organic light emitting element.

도 1은 종래의 유기발광표시장치의 하나의 화소에 대한 등가 회로도이다.
도 2는 종래의 유기발광표시장치의 구조 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 하나의 화소에 대한 회로도이다.
도 4는 도 3에 도시된 화소회로의 동작에 따른 타이밍도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치의 하나의 화소에 대한 회로도이다.
도 6은 도 5에 도시된 화소회로의 동작에 따른 타이밍도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 하나의 화소영역에 대한 단면도이다.1 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a conventional OLED display.
2 is a cross-sectional view schematically showing a part of a structure of a conventional organic light emitting diode display.
3 is a circuit diagram of one pixel of an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a timing chart according to the operation of the pixel circuit shown in Fig.
5 is a circuit diagram of one pixel of an OLED display according to another embodiment of the present invention.
6 is a timing chart according to the operation of the pixel circuit shown in Fig.
7 is a cross-sectional view of one pixel region of an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광표시장치에 대해 상세히 설명한다.
Hereinafter, an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 하나의 화소에 대한 회로도이다. 3 is a circuit diagram of one pixel of an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 유기발광표시장치(100)는 다수의 화소를 포함할 수 있으며, 다수의 화소 각각은 유기발광소자(OLED), 구동부(110) 및 적어도 2개의 센싱부(120, 130)가 구비된 화소회로를 포함할 수 있다.3, the OLED display 100 may include a plurality of pixels, and each of the plurality of pixels includes an organic light emitting diode (OLED), a driver 110, and at least two sensing units 120 and 130, And a pixel circuit including the pixel circuit.

유기발광소자(OLED)는 애노드전극, 유기박막 및 캐소드전극이 적층된 구조이며, 유기박막은 발광층, 전자수송층, 정공수송층, 정공주입층 및 전자주입층을 포함할 수 있다. 이러한 유기발광소자(OLED)는 구동부(110)로부터 출력된 구동신호(Id)에 따라 동작하여 빛을 방출할 수 있다. 유기발광소자(OLED)로부터 방출되는 빛의 휘도는 구동신호(Id)의 레벨에 따라 달라질 수 있다.The organic light emitting device OLED has a structure in which an anode electrode, an organic thin film, and a cathode electrode are stacked, and the organic thin film may include a light emitting layer, an electron transporting layer, a hole transporting layer, a hole injecting layer, and an electron injecting layer. The organic light emitting diode OLED operates according to the driving signal Id output from the driving unit 110 to emit light. The luminance of light emitted from the organic light emitting diode OLED may be varied depending on the level of the driving signal Id.

구동부(110)는 스위칭트랜지스터(ST), 구동트랜지스터(DT) 및 커패시터(C)를 포함할 수 있다. 구동부(110)는 구동전원라인(미도시)으로부터 인가된 구동전원(VDD)에 따라 구동신호(Id)를 생성하고, 생성된 구동신호(Id)를 유기발광소자(OLED)로 출력할 수 있다. 구동부(110)로부터 출력된 구동신호(Id)은 유기발광소자(OLED)를 동작시킬 수 있는 구동전류 또는 그에 상응하는 구동전압일 수 있다.The driving unit 110 may include a switching transistor ST, a driving transistor DT, and a capacitor C. The driving unit 110 may generate the driving signal Id in accordance with the driving power supply VDD applied from the driving power supply line and output the generated driving signal Id to the organic light emitting diode OLED . The driving signal Id output from the driving unit 110 may be a driving current capable of operating the organic light emitting device OLED or a driving voltage corresponding thereto.

스위칭트랜지스터(ST)의 게이트전극은 유기발광표시장치의 게이트라인(미도시)에 연결되고, 소스전극은 데이터라인(미도시)에 연결되면, 드레인전극은 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극과 연결될 수 있다. When the gate electrode of the switching transistor ST is connected to the gate line (not shown) of the OLED display and the source electrode is connected to the data line (not shown), the drain electrode is connected to the gate electrode of the driving transistor DT .

구동트랜지스터(DT)의 게이트전극은 스위칭트랜지스터(ST)에 연결되고, 드레인전극은 구동전원라인(미도시)에 연결되며, 소스전극은 유기발광소자(OLED)의 애노드전극과 연결될 수 있다. The gate electrode of the driving transistor DT is connected to the switching transistor ST, the drain electrode of the driving transistor DT is connected to the driving power line (not shown), and the source electrode of the driving transistor DT is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED.

커패시터(C)는 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극과 유기발광소자(OLED)의 애노드전극 사이에 연결될 수 있다. The capacitor C may be connected between the gate electrode of the driving transistor DT and the anode electrode of the organic light emitting diode OLED.

스위칭트랜지스터(ST)는 게이트라인을 통해 제공되는 게이트신호, 예컨대 제1게이트신호(Ga)에 의해 동작되어 데이터라인으로부터 제공된 데이터신호(Vdata)를 출력할 수 있다. 구동트랜지스터(DT)는 데이터신호(Vdata)에 의해 동작되어 구동전원라인으로부터 제공된 구동전원(VDD)에 따라 구동신호(Id)를 출력할 수 있다. 구동신호(Id)는 유기발광소자(OLED)의 애노드전극에 출력되어 유기발광소자(OLED)를 구동할 수 있다. 커패시터(C)는 구동트랜지스터(DT)에 데이터신호(Vdata)가 인가되는 동안 데이터신호(Vdata)에 상응하는 레벨의 전압을 충전할 수 있다. 커패시터(C)에 충전된 전압은 구동트랜지스터(DT)의 턴-온 상태를 1프레임 동안 일정하게 유지시킬 수 있다.The switching transistor ST may be operated by a gate signal provided through the gate line, for example, the first gate signal Ga to output the data signal Vdata provided from the data line. The driving transistor DT is operated by the data signal Vdata and can output the driving signal Id in accordance with the driving power supply VDD provided from the driving power supply line. The driving signal Id may be output to the anode electrode of the organic light emitting device OLED to drive the organic light emitting device OLED. The capacitor C can charge a voltage of a level corresponding to the data signal Vdata while the data signal Vdata is applied to the driving transistor DT. The voltage charged in the capacitor C can keep the turn-on state of the driving transistor DT constant for one frame.

여기서, 구동트랜지스터(DT)는 소스-팔로워(source-follower)로 동작할 수 있다. 이에 따라, 구동트랜지스터(DT)는 게이트전극에 인가된 데이터신호(Vdata)에서 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)을 제외한 레벨의 구동신호(Id)를 출력할 수 있다. Here, the driving transistor DT may operate as a source-follower. Thus, the driving transistor DT can output the driving signal Id at a level excluding the threshold voltage Vth of the driving transistor DT from the data signal Vdata applied to the gate electrode.

센싱부(120, 130)는 구동부(110)의 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth) 및 기저전원라인(미도시)을 통해 인가되는 기저전원(Vss)을 센싱할 수 있다. 센싱부(120, 130)는 문턱전압 센싱부(120) 및 기저전압 센싱부(130)를 포함할 수 있다. The sensing units 120 and 130 can sense the threshold voltage Vth of the driving transistor DT of the driving unit 110 and the base power supply Vss applied through the base power supply line (not shown). The sensing units 120 and 130 may include a threshold voltage sensing unit 120 and a base voltage sensing unit 130.

문턱전압 센싱부(120)는 구동부(110)의 출력과 연결된 제1센싱트랜지스터(ST1)를 포함할 수 있다. 제1센싱트랜지스터(ST1)의 게이트전극은 게이트라인에 연결되고, 드레인전극은 구동트랜지스터(DT)의 소스전극과 연결될 수 있다. The threshold voltage sensing unit 120 may include a first sensing transistor ST1 connected to an output of the driving unit 110. [ The gate electrode of the first sensing transistor ST1 may be connected to the gate line, and the drain electrode may be connected to the source electrode of the driving transistor DT.

제1센싱트랜지스터(ST1)는 게이트라인을 통해 제공되는 제2게이트신호(Gb)에 의해 동작되며, 드레인전극을 통해 제공되는 구동신호(Id)로부터 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하고, 그에 따라 제1센싱신호(Vth_s)를 출력할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 구동트랜지스터(DT)가 소스-팔로워로 동작한다. 따라서, 턴-온된 제1센싱트랜지스터(ST1)는 구동트랜지스터(DT)로부터 출력된 구동신호(Id)를 제1센싱신호(Vth_s)로 출력할 수 있다. 여기서, 데이터신호(Vdata)의 레벨은 미리 설정되어 있으므로, 제1센싱트랜지스터(ST1)로부터 출력된 제1센싱신호(Vth_s)로부터 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)의 크기를 알 수 있다. The first sensing transistor ST1 is operated by the second gate signal Gb provided through the gate line and the threshold voltage Vth of the driving transistor DT from the driving signal Id provided through the drain electrode And can output the first sensing signal Vth_s accordingly. As described above, the driving transistor DT operates as a source-follower. Accordingly, the turned-on first sensing transistor ST1 can output the driving signal Id output from the driving transistor DT as the first sensing signal Vth_s. Here, since the level of the data signal Vdata is set in advance, the magnitude of the threshold voltage Vth of the driving transistor DT can be determined from the first sensing signal Vth_s output from the first sensing transistor ST1 .

기저전압 센싱부(130)는 구동부(110)의 출력과 연결된 제2센싱트랜지스터(ST2) 및 상기 제2센싱트랜지스터(ST2)와 연결된 제3센싱트랜지스터(ST3)를 포함할 수 있다.The base voltage sensing unit 130 may include a second sensing transistor ST2 connected to the output of the driving unit 110 and a third sensing transistor ST3 connected to the second sensing transistor ST2.

제2센싱트랜지스터(ST2)의 게이트전극은 제1센싱트랜지스터(ST1)의 게이트전극과 함께 게이트라인에 연결되고, 드레인전극은 구동트랜지스터(DT)의 소스전극과 연결될 수 있다. 제3센싱트랜지스터(ST3)의 게이트전극은 기저전원라인에 연결되고, 드레인전극은 제2센싱트랜지스터(ST2)의 소스전극과 연결될 수 있다. The gate electrode of the second sensing transistor ST2 may be connected to the gate line of the first sensing transistor ST1 and the drain electrode of the second sensing transistor ST2 may be connected to the source electrode of the driving transistor DT. The gate electrode of the third sensing transistor ST3 may be connected to the base power supply line, and the drain electrode may be connected to the source electrode of the second sensing transistor ST2.

제2센싱트랜지스터(ST2)는 게이트라인을 통해 제공되는 제2게이트신호(Gb)에 의해 동작되며, 드레인전극을 통해 제공되는 구동신호(Id)를 출력할 수 있다. 제3센싱트랜지스터(ST3)는 기저전원라인을 통해 제공되는 기저전원(Vss)에 의해 동작되며, 제2센싱트랜지스터(ST2)로부터 출력된 구동신호(Id)에 따라 기저전원(Vss)을 센싱하고, 그에 따른 제2센싱신호(Vss_s)를 출력할 수 있다.The second sensing transistor ST2 is operated by the second gate signal Gb provided through the gate line and can output the driving signal Id provided through the drain electrode. The third sensing transistor ST3 is operated by the base power supply Vss provided through the base power supply line and senses the base power supply Vss according to the driving signal Id output from the second sensing transistor ST2 , And can output the second sensing signal (Vss_s) accordingly.

여기서, 제3센싱트랜지스터(ST3)는 구동트랜지스터(DT)와 마찬가지로 소스-팔로워로 동작할 수 있다. 따라서, 제3센싱트랜지스터(ST3)는 게이트전극에 인가된 기저전원(Vss)에서 제3센싱트랜지스터(ST3)의 문턱전압(Vth)을 제외한 레벨의 제2센싱신호(Vss_s)를 출력할 수 있다. 여기서, 제3센싱트랜지스터(ST3)의 문턱전압(Vth)은 앞서 센싱된 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)과 동일할 수 있다.Here, the third sensing transistor ST3 can operate as a source-follower like the driving transistor DT. Therefore, the third sensing transistor ST3 can output the second sensing signal Vss_s at a level excluding the threshold voltage Vth of the third sensing transistor ST3 from the base power supply Vss applied to the gate electrode . Here, the threshold voltage Vth of the third sensing transistor ST3 may be equal to the threshold voltage Vth of the sensing transistor DT previously sensed.

또한, 제3센싱트랜지스터(ST3)는 기저전원(Vss)이 접지레벨(GND)이 아닌 경우, 즉 기저전원(Vss)의 소정 레벨을 가지는 경우에만 동작될 수 있다. 따라서, 제3센싱트랜지스터(ST3)로부터 출력되는 제2센싱신호(Vss_s)로부터 기저전원(Vss)의 크기를 알 수 있다. The third sensing transistor ST3 can be operated only when the base power supply Vss is not at the ground level GND, that is, when the base power supply Vss has a predetermined level. Therefore, the magnitude of the base power supply Vss can be determined from the second sensing signal Vss_s output from the third sensing transistor ST3.

상술한 바와 같이, 유기발광표시장치(100)의 화소회로는 문턱전압 센싱부(120)와 기저전압 센싱부(130)를 통해 문턱전압(Vth)과 기저전원(Vss)의 크기를 센싱할 수 있다. 센싱된 결과, 즉 문턱전압 센싱부(120)의 제1센싱신호(Vth_s)와 기저전압 센싱부(130)의 제2센싱신호(Vss_s)는 각각 유기발광표시장치(100)의 구동회로(미도시)로 출력될 수 있다. 구동회로는 타이밍제어부(미도시)를 포함할 수 있으며, 타이밍제어부는 제1센싱신호(Vth_s) 및 제2센싱신호(Vss_s)에 따라 각 화소회로에서 구동신호(Id)의 레벨을 보상할 수 있다. 이와 같이, 외부 회로, 즉 타이밍제어부에 의해 구동신호(Id)의 레벨이 보상되는 것을 외부보상이라고 한다.The pixel circuit of the OLED display 100 can sense the threshold voltage Vth and the magnitude of the base power supply Vss through the threshold voltage sensing unit 120 and the base voltage sensing unit 130 have. The first sensing signal Vth_s of the threshold voltage sensing unit 120 and the second sensing signal Vss_s of the ground voltage sensing unit 130 are applied to the driving circuit of the OLED display 100 Time. The driving circuit may include a timing controller (not shown). The timing controller may compensate the level of the driving signal Id in each pixel circuit according to the first sensing signal Vth_s and the second sensing signal Vss_s have. In this way, the compensation of the level of the driving signal Id by the external circuit, that is, the timing control unit is referred to as external compensation.

도 4는 도 3에 도시된 화소회로의 동작에 따른 타이밍도이다.4 is a timing chart according to the operation of the pixel circuit shown in Fig.

도 3 및 도 4를 참조하면, 시간축(t) 시간 t1~t3 동안 제1게이트신호(Ga), 제2게이트신호(Gb) 및 기저전원(Vss)이 화소회로에 인가될 수 있다. 제1게이트신호(Ga)와 제2게이트신호(Gb)는 서로 다른 게이트라인 또는 동일한 게이트라인에서 출력되는 신호일 수 있으며, 동일한 위상을 가질 수 있다. 기저전원(Vss)은 시간 t1~t2 동안 접지레벨이 인가되고, 시간 t2~t3 동안 접지레벨이 아닌 소정 레벨을 가지는 신호가 인가될 수 있다. 3 and 4, the first gate signal Ga, the second gate signal Gb, and the base power supply Vss may be applied to the pixel circuit during the time period t from t1 to t3. The first gate signal Ga and the second gate signal Gb may be signals output from different gate lines or the same gate line, and may have the same phase. The base power supply Vss is applied with the ground level during the time t1 to t2 and the signal having the predetermined level other than the ground level during the time t2 to t3.

구동부(110)의 스위칭트랜지스터(ST)는 제1게이트신호(Ga)에 따라 턴-온되어 데이터신호(Vdata)를 출력할 수 있다. 구동부(110)의 구동트랜지스터(DT)는 데이터신호(Vdata)에 따라 턴-온되어 구동전원(VDD)에 따른 구동신호(Id)를 출력할 수 있다.The switching transistor ST of the driving unit 110 may turn on according to the first gate signal Ga to output the data signal Vdata. The driving transistor DT of the driving unit 110 may be turned on according to the data signal Vdata to output the driving signal Id corresponding to the driving power supply VDD.

문턱전압 센싱부(120)의 제1센싱트랜지스터(ST1)는 제2게이트신호(Gb)에 따라 턴-온되며, 구동트랜지스터(DT)로부터 출력된 구동신호(Id)로부터 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하여 제1센싱신호(Vth_s)를 출력할 수 있다. 제1센싱신호(Vth_s)는 시간 t1~t2동안 출력될 수 있다. The first sensing transistor ST1 of the threshold voltage sensing unit 120 is turned on in response to the second gate signal Gb and is turned on based on the driving signal Id output from the driving transistor DT, The first sensing signal Vth_s can be output by sensing the threshold voltage Vth. The first sensing signal Vth_s can be output during the time t1 to t2.

한편, 이상적인 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)은 0V에 가까워야 한다. 그러나, 유기발광표시장치(100)의 공정 상 또는 동작 상의 문제로 인해 문턱전압(Vth)은 소정 레벨을 가질 수 있다. 이와 같이, 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)이 소정 레벨을 가지게 되면 구동신호(Id)는 이와 반비례하여 그 크기가 감소될 수 있다. 따라서, 문턱전압(Vth)의 센싱 결과, 즉 제1센싱신호(Vth_s)에 따라 구동신호(Id)의 크기를 보상할 수 있는 보상동작이 필요하다.On the other hand, the threshold voltage Vth of the ideal driving transistor DT should be close to 0V. However, the threshold voltage Vth may have a predetermined level due to a problem in operation or operation of the OLED display 100. [ As described above, when the threshold voltage Vth of the driving transistor DT has a predetermined level, the driving signal Id can be reduced in inverse proportion thereto. Therefore, a compensating operation is required to compensate the magnitude of the driving signal Id in accordance with the sensing result of the threshold voltage Vth, that is, the first sensing signal Vth_s.

예컨대, 제1센싱트랜지스터(ST1)는 구동트랜지스터(DT)로부터 출력된 구동신호(Id)로부터 제1레벨의 제1센싱신호(Vth_s)를 출력할 수 있다. 제1센싱신호(Vth_s)는 유기발광표시장치(100)의 구동회로, 즉 타이밍제어부로 전달될 수 있다. 타이밍제어부는 제1센싱신호(Vth_s)에 따라 각 화소회로에 공급되는 데이터신호(Vdata)를 증가시켜 출력할 수 있다. 여기서, 데이터신호(Vdata)는 제1센싱신호(Vth_s)의 크기, 즉 제1레벨만큼 증가될 수 있다. For example, the first sensing transistor ST1 can output the first sensing signal Vth_s of the first level from the driving signal Id output from the driving transistor DT. The first sensing signal Vth_s may be transmitted to the driving circuit of the OLED display 100, that is, to the timing controller. The timing control section can increase the data signal Vdata supplied to each pixel circuit in accordance with the first sensing signal Vth_s and output it. Here, the data signal Vdata may be increased by the magnitude of the first sensing signal Vth_s, that is, the first level.

기저전압 센싱부(130)의 제2센싱트랜지스터(ST2)는 제2게이트신호(Gb)에 따라 턴-온되며, 구동트랜지스터(DT)로부터 출력된 구동신호(Id)를 제3센싱트랜지스터(ST3)로 전달할 수 있다. 제3센싱트랜지스터(ST3)는 기저전원(Vss)에 따라 턴-온되며, 제2센싱트랜지스터(ST2)로부터 출력된 구동신호(Id)에 따라 기저전원(Vss)의 크기를 센싱하여 제2센싱신호(Vss_s)를 출력할 수 있다. 제2센싱신호(Vss_s)는 시간 t2~t3동안 출력될 수 있다. The second sensing transistor ST2 of the base voltage sensing unit 130 is turned on in response to the second gate signal Gb and supplies the driving signal Id output from the driving transistor DT to the third sensing transistor ST3 ). ≪ / RTI > The third sensing transistor ST3 is turned on according to the base power source Vss and senses the magnitude of the base power source Vss according to the driving signal Id output from the second sensing transistor ST2, It is possible to output the signal Vss_s. The second sensing signal Vss_s may be output during the time t2 to t3.

한편, 이상적인 기저전원(Vss)은 접지레벨이어야 한다. 그러나, 유기발광표시장치(100)의 공정 상 또는 동작 상의 문제로 인해 기저전원(Vss)은 소정 레벨로 라이징(rising)될 수 있다. 이와 같이, 기저전원(Vss)이 소정레벨을 가지게 되면 구동신호(Id)는 그 크기가 감소될 수 있다. 따라서, 기저전원(Vss)의 센싱 결과, 즉 제2센싱신호(Vss_s)에 따라 구동신호(Id)의 크기를 보상할 수 있는 보상동작이 필요하다.On the other hand, the ideal base power supply Vss must be at the ground level. However, the base power supply Vss may be raised to a predetermined level due to a problem in operation or operation of the organic light emitting diode display 100. As described above, when the base power supply Vss has a predetermined level, the driving signal Id can be reduced in size. Therefore, a compensating operation is required to compensate the magnitude of the driving signal Id in accordance with the sensing result of the base power supply Vss, that is, the second sensing signal Vss_s.

예컨대, 제3센싱트랜지스터(ST3)는 라이징 된 기저전원(Vss)에 따라 제1레벨의 제2센싱신호(Vss_s)를 출력할 수 있다. 제2센싱신호(Vss_s)는 유기발광표시장치(100)의 타이밍제어부로 전달될 수 있다. 타이밍제어부는 제2센싱신호(Vss_s)에 따라 각 화소회로에 공급되는 데이터신호(Vdata)를 증가시켜 출력할 수 있다. 여기서, 데이터신호(Vdata)는 제2센싱신호(Vss_s)의 크기, 즉 제1레벨만큼 증가될 수 있다. For example, the third sensing transistor ST3 may output the second sensing signal Vss_s of the first level in accordance with the grounded base voltage Vss. The second sensing signal Vss_s may be transmitted to the timing controller of the OLED display 100. The timing controller can increase the data signal Vdata supplied to each pixel circuit in accordance with the second sensing signal Vss_s and output it. Here, the data signal Vdata may be increased by the magnitude of the second sensing signal Vss_s, that is, the first level.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 화소회로각 화소마다 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth) 및 기저전원(Vss)의 크기를 센싱할 수 있는 문턱전압 센싱부(120)와 기저전압 센싱부(130)를 포함할 수 있다. 그리고, 문턱전압 센싱부(120)와 기저전압 센싱부(130)에서 각각 센싱된 문턱전압(Vth)과 기저전원(Vss)에 따라 유기발광표시장치(100)의 구동회로에서 데이터신호(Vdata)의 레벨을 조절하는 외부보상을 수행할 수 있다. 이때, 외부보상에 따라 데이터신호(Vdata)의 크기가 증가됨으로써, 구동트랜지스터(DT)로부터 출력되는 구동신호(Id)의 크기 또한 증가되므로, 유기발광소자(OLED)에서의 전압강하를 방지할 수 있다. 따라서, 유기발광표시장치(100)의 휘도 불균일을 해소할 수 있다.
As described above, the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiment has a threshold voltage Vth capable of sensing the threshold voltage Vth of the driving transistor DT and the size of the base power supply Vss for each pixel circuit, And may include a sensing unit 120 and a ground voltage sensing unit 130. The data signal Vdata is supplied from the driving circuit of the OLED display 100 according to the threshold voltage Vth and the base voltage Vss sensed by the threshold voltage sensing unit 120 and the base voltage sensing unit 130, Lt; RTI ID = 0.0 > level. ≪ / RTI > At this time, since the magnitude of the data signal Vdata increases according to the external compensation, the magnitude of the driving signal Id output from the driving transistor DT also increases, so that the voltage drop in the organic light emitting diode OLED can be prevented have. Therefore, the luminance unevenness of the OLED display 100 can be eliminated.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치의 하나의 화소에 대한 회로도이다. 5 is a circuit diagram of one pixel of an OLED display according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 유기발광표시장치(101)는 다수의 화소를 포함할 수 있고, 다수의 화소 각각은 유기발광소자(OLED), 구동부(111) 및 적어도 2개의 보상부(121, 131)를 구비하는 화소회로를 포함할 수 있다. 5, the OLED display 101 may include a plurality of pixels, and each of the plurality of pixels includes an organic light emitting diode (OLED), a driver 111, and at least two compensators 121 and 131, And a pixel circuit including the pixel circuit.

유기발광소자(OLED)는 구동부(111)로부터 출력된 구동신호(Id)에 따라 빛을 방출하며, 앞서 도 3을 참조하여 설명한 바와 동일하다. The organic light emitting diode OLED emits light according to the driving signal Id output from the driving unit 111, and is the same as that described above with reference to FIG.

구동부(111)는 스위칭트랜지스터(ST), 구동트랜지스터(DT) 및 제1커패시터(C1)를 포함할 수 있다. 구동부(111)는 구동전원라인(미도시)으로부터 인가된 구동전원(VDD)에 따라 구동신호(Id)를 생성하고, 생성된 구동신호(Id)를 유기발광소자(OLED)로 출력할 수 있다. The driving unit 111 may include a switching transistor ST, a driving transistor DT, and a first capacitor C1. The driving unit 111 may generate the driving signal Id in accordance with the driving power supply VDD applied from the driving power supply line and output the generated driving signal Id to the organic light emitting diode OLED .

스위칭트랜지스터(ST)는 유기발광표시장치(101)의 게이트라인(미도시) 및 데이터라인(미도시)에 연결되며, 게이트라인을 통해 제공되는 게이트신호, 예컨대 제1게이트신호(Ga)에 의해 동작되어 데이터라인으로부터 제공된 데이터신호(Vdata)를 출력할 수 있다. The switching transistor ST is connected to a gate line (not shown) and a data line (not shown) of the organic light emitting diode display device 101 and is controlled by a gate signal, e.g., a first gate signal Ga, And can be operated to output the data signal Vdata provided from the data line.

구동트랜지스터(DT)는 스위칭트랜지스터(ST) 및 구동전원라인(미도시)에 연결되며, 스위칭트랜지스터(ST)로부터 출력된 데이터신호(Vdata)에 따라 동작되어 구동전원(VDD)에 의한 구동신호(Id)를 출력할 수 있다. 구동트랜지스터(DT)는 소스-팔로워일 수 있으며, 이에 따라 구동트랜지스터(DT)로부터 출력되는 구동신호(Id)는 게이트전극에 인가된 데이터신호(Vdata)에서 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)을 제외한 크기의 전압 또는 그에 상응하는 전류일 수 있다. The driving transistor DT is connected to the switching transistor ST and a driving power supply line (not shown) and is operated in accordance with the data signal Vdata output from the switching transistor ST to generate a driving signal Id). The driving transistor DT may be a source-follower so that the driving signal Id output from the driving transistor DT is a threshold voltage Vth of the driving transistor DT from the data signal Vdata applied to the gate electrode ) Or a current corresponding thereto.

제1커패시터(C1)는 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극과 유기발광소자(OLED)의 애노드전극 사이에 연결되며, 구동트랜지스터(DT)에 데이터신호(Vdata)가 인가되는 동안 데이터신호(Vdata)에 상응하는 레벨의 전압을 충전할 수 있다. 제1커패시터(C1)에 충전된 전압은 구동트랜지스터(DT)의 턴-온 상태를 1프레임 동안 일정하게 유지시킬 수 있다.The first capacitor C1 is connected between the gate electrode of the driving transistor DT and the anode electrode of the organic light emitting diode OLED and receives the data signal Vdata while the data signal Vdata is applied to the driving transistor DT. A voltage of a level corresponding to the voltage of the power source can be charged. The voltage charged in the first capacitor C1 can keep the turn-on state of the driving transistor DT constant for one frame.

보상부(121, 131)는 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth) 및 기저전원(Vss)에 따라 구동신호(Id)의 레벨을 보상할 수 있다. 보상부(121, 131)는 문턱전압 보상부(121) 및 기저전압 보상부(131)를 포함할 수 있다. The compensation sections 121 and 131 can compensate the level of the drive signal Id in accordance with the threshold voltage Vth of the drive transistor DT and the base power supply Vss. The compensating units 121 and 131 may include a threshold voltage compensating unit 121 and a base voltage compensating unit 131. [

문턱전압 보상부(121)는 구동부(111)의 출력과 연결된 제1보상트랜지스터(CT1)를 포함할 수 있다. 제1보상트랜지스터(CT1)의 게이트전극은 게이트라인에 연결되고, 드레인전극은 구동트랜지스터(DT)의 소스전극과 연결되며, 소스전극은 보상전압라인(미도시)에 접속될 수 있다. The threshold voltage compensating unit 121 may include a first compensating transistor CT1 connected to the output of the driving unit 111. [ The gate electrode of the first compensation transistor CT1 is connected to the gate line, the drain electrode is connected to the source electrode of the driving transistor DT, and the source electrode is connected to the compensation voltage line (not shown).

제1보상트랜지스터(CT1)는 게이트라인을 통해 제공된 제1게이트신호(Ga)에 따라 동작되며, 보상전압라인으로부터 제공된 보상전압(Vref)에 따라 제1보상신호(C1)를 출력할 수 있다. 제1보상신호(C1)는 구동부(111)의 제1커패시터(C1)에 충전될 수 있다. 이에 따라, 구동부(111)의 A노드에는 데이터신호(Vdata)에 제1보상신호(C1)가 가산된 크기의 전압 또는 그에 상응하는 전류가 인가될 수 있다. The first compensation transistor CT1 is operated according to the first gate signal Ga provided through the gate line and can output the first compensation signal C1 according to the compensation voltage Vref provided from the compensation voltage line. The first compensation signal C1 may be charged to the first capacitor C1 of the driving unit 111. [ Accordingly, a voltage having a magnitude that the first compensation signal C1 is added to the data signal Vdata or a current corresponding thereto can be applied to the A node of the driving unit 111. [

기저전압 보상부(131)는 구동전원라인에 연결된 제2보상트랜지스터(CT2), 상기 제2보상트랜지스터(CT2)와 연결된 제3보상트랜지스터(CT3) 및 제2커패시터(C2)를 포함할 수 있다.The base voltage compensation unit 131 may include a second compensation transistor CT2 connected to the driving power supply line, a third compensation transistor CT3 connected to the second compensation transistor CT2, and a second capacitor C2 .

제2보상트랜지스터(CT2)의 게이트전극은 게이트라인에 연결되고, 드레인전극은 구동전원라인에 연결되며, 소스전극은 제3보상트랜지스터(CT3)의 드레인전극과 연결될 수 있다. 제3보상트랜지스터(CT3)의 게이트전극은 기저전원라인(미도시)에 연결되고, 드레인전극은 제2보상트랜지스터(CT2)의 소스전극에 연결되며, 소스전극은 제2커패시터(C2)의 일단에 연결될 수 있다. 제2커패시터(C2)는 B노드, 즉 유기발광소자(OLED)의 애노드전극과 제3보상트랜지스터(CT3) 사이에 접속될 수 있다. The gate electrode of the second compensation transistor CT2 may be connected to the gate line, the drain electrode may be connected to the driving power supply line, and the source electrode may be connected to the drain electrode of the third compensation transistor CT3. The gate electrode of the third compensating transistor CT3 is connected to the base power supply line (not shown), the drain electrode is connected to the source electrode of the second compensating transistor CT2, Lt; / RTI > The second capacitor C2 may be connected between the anode node of the B node, that is, the organic light emitting element OLED, and the third compensation transistor CT3.

제2보상트랜지스터(CT2)는 게이트라인을 통해 제공되는 제2게이트신호(Gb)에 따라 동작되며, 구동전원라인을 통해 제공된 구동전압에 해당하는 신호를 출력할 수 있다. The second compensation transistor CT2 is operated according to the second gate signal Gb provided through the gate line and can output a signal corresponding to the driving voltage provided through the driving power supply line.

제3보상트랜지스터(CT3)는 구동트랜지스터(DT)와 마찬가지로 소스-팔로워일 수 있으며, 이에 따라 제3보상트랜지스터(CT3)는 게이트전극에 인가된 기저전원(Vss)에서 제3센싱트랜지스터(ST3)의 문턱전압(Vth)을 제외한 레벨의 제2보상신호(C2)를 출력할 수 있다. The third compensating transistor CT3 may be source-follower like the driving transistor DT so that the third compensating transistor CT3 is connected to the third sensing transistor ST3 from the base power supply Vss applied to the gate electrode, It is possible to output the second compensation signal C2 of the level excluding the threshold voltage Vth of the second compensation signal Cs.

제2보상신호(C2)는 제2커패시터(C2)에 충전될 수 있다. 이에 따라, B노드에는 구동신호(Id)에 제2보상신호(C2)가 가산된 크기의 전압 또는 그에 상응하는 전류가 인가될 수 있다. The second compensation signal C2 may be charged to the second capacitor C2. Accordingly, a voltage having a magnitude that the second compensation signal C2 is added to the drive signal Id or a current corresponding thereto may be applied to the B node.

상술한 바와 같이, 유기발광표시장치(101)의 화소회로는 문턱전압 보상부(121)와 기저전압 보상부(131)를 통해 문턱전압(Vth) 및 기저전원(Vss)에 의한 구동신호(Id)의 레벨변동을 보상할 수 있다. 이와 같이, 화소회로 자체에서 구동신호(Id)의 레벨이 보상되는 것을 내부보상이라 한다. The pixel circuit of the organic light emitting diode display 101 is driven by the threshold voltage Vth through the threshold voltage compensating unit 121 and the base voltage compensating unit 131 and the driving signal Id Can be compensated for. In this manner, the compensation of the level of the driving signal Id in the pixel circuit itself is called internal compensation.

도 6은 도 5에 도시된 화소회로의 동작에 따른 타이밍도이다.6 is a timing chart according to the operation of the pixel circuit shown in Fig.

도 5 및 도 6을 참조하면, 시간축(t) 시간 t1~t3동안 게이트신호, 예컨대 제1게이트신호(Ga)와 제2게이트신호(Gb)가 화소회로에 인가될 수 있다. 제1게이트신호(Ga)와 제2게이트신호(Gb)는 동일한 게이트라인에서 출력되는 서로 다른 신호일 수 있다. 다시 말해, 유기발광표시장치(101)의 1수평기간(1H)동안 제1게이트신호(Ga)는 시간 t1~t2 동안 출력되고, 제2게이트신호(Gb)는 시간 t3~t4동안 출력될 수 있다.5 and 6, a gate signal, for example, a first gate signal Ga and a second gate signal Gb may be applied to the pixel circuit during the time t (t) time t1 to t3. The first gate signal Ga and the second gate signal Gb may be different signals output from the same gate line. In other words, during one horizontal period (1H) of the organic light emitting diode display 101, the first gate signal Ga is outputted during the time period t1 to t2, and the second gate signal Gb is outputted during the time period t3 to t4 have.

구동부(111)의 스위칭트랜지스터(ST)는 시간축(t) 시간 t1~t2동안 제1게이트신호(Ga)에 따라 턴-온되어 데이터신호(Vdata)를 출력할 수 있다. 구동부(111)의 구동트랜지스터(DT)는 데이터신호에 따라 동작하여 구동전원(VDD)에 따른 구동신호(Id)를 출력할 수 있다.The switching transistor ST of the driving unit 111 can turn on and output the data signal Vdata according to the first gate signal Ga during the time period t from t1 to t2. The driving transistor DT of the driving unit 111 operates in accordance with the data signal and can output the driving signal Id corresponding to the driving power supply VDD.

문턱전압 보상부(121)의 제1보상트랜지스터(CT1)는 시간축(t) 시간 t1~t2동안 제1게이트신호(Ga)에 따라 턴-온되어 외부로부터 제공된 보상전압(Vref)에 따른 제1보상신호(C1)를 출력할 수 있다. 제1보상신호(C1)는 데이터신호(Vdata)와 함께 제1커패시터(C1)에 충전될 수 있다. 이에 따라, A노드에는 제1보상신호(C1)의 레벨(?1)만큼 증가된 크기의 데이터신호(Vdata)가 인가될 수 있다. The first compensating transistor CT1 of the threshold voltage compensating unit 121 is turned on in response to the first gate signal Ga during the time period t1 to t2 so that the first compensating transistor CT1 is turned on according to the compensating voltage Vref supplied from the outside, It is possible to output the compensation signal C1. The first compensation signal C1 may be charged to the first capacitor C1 together with the data signal Vdata. Accordingly, the data signal Vdata of the size increased by the level (? 1) of the first compensation signal C1 may be applied to the node A.

기저전압 보상부(131)의 제2보상트랜지스터(CT2)는 시간축(t) 시간 t3~t4동안 제2게이트신호(Gb)에 따라 턴-온되며, 구동전원라인으로부터 제공된 구동전원(VDD)에 따른 신호를 출력할 수 있다. 제3보상트랜지스터(CT3)는 기저전원라인으로부터 제공된 기저전원(Vss)에 따라 턴-온되며, 제2보상트랜지스터(CT2)로부터 출력된 신호에 따라 제2보상신호(C2)를 출력할 수 있다. 제2보상신호(C2)는 구동신호(Id)와 함께 제2커패시터(C2)에 충전될 수 있다. 이에 따라, B노드에는 제2보상신호(C2)의 레벨(?2)만큼 증가된 크기의 구동신호(Id)가 인가될 수 있다. The second compensation transistor CT2 of the base voltage compensation unit 131 is turned on according to the second gate signal Gb during the time period t3 to t4 and is supplied with the driving power VDD supplied from the driving power supply line Can be output. The third compensation transistor CT3 is turned on according to the base power supply Vss provided from the base power supply line and can output the second compensation signal C2 in accordance with the signal output from the second compensation transistor CT2 . The second compensating signal C2 may be charged to the second capacitor C2 together with the driving signal Id. Accordingly, the driving signal Id having the magnitude increased by the level (? 2) of the second compensation signal C2 may be applied to the B node.

따라서, 구동신호(Id)는 시간축(t) 시간 t1~t2에서는 제1보상신호(C1)에 의해 제1레벨(?I1)만큼 레벨이 1차 증가되고, 시간축(t) 시간 t3~t4에서는 제2보상신호(C2)에 의해 제2레벨(?I2)만큼 레벨이 2차 증가되어 출력될 수 있다. 이와 같이, 본 실시예의 화소회로는 문턱전압(Vth) 및 기저전원(Vss)에 따라 구동신호(Id)의 레벨을 보상하여 출력함으로써, 유기발광소자(OLED)에서의 전압강하를 방지할 수 있고, 유기발광표시장치(101)의 휘도 불균일을 해소할 수 있다.
Therefore, the drive signal Id is firstly increased in level by the first level (? I1) by the first compensation signal C1 in the time period t1 to t2 during the time axis t, The level can be increased by a second level (? I2) by the second compensation signal C2 and output. As described above, the pixel circuit of this embodiment can prevent the voltage drop in the organic light emitting element OLED by compensating for the level of the driving signal Id in accordance with the threshold voltage Vth and the base power supply Vss , The luminance unevenness of the organic light emitting diode display 101 can be solved.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 하나의 화소영역에 대한 단면도이다.7 is a cross-sectional view of one pixel region of an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하에서는 설명의 편의를 위하여 앞서 도 3에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치에 대해 설명하나, 도 5에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치도 동일한 구조를 가질 수 있다. Hereinafter, an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3 for convenience of explanation, and the organic light emitting diode display according to another embodiment of the present invention shown in FIG. Lt; / RTI >

도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 전면 발광방식(Top Emission Type)을 가지며, 기판(210) 상에 형성된 구동트랜지스터(DT), 센싱트랜지스터(ST) 및 유기발광소자(OLED)를 포함할 수 있다.7, the organic light emitting diode display 100 according to an embodiment of the present invention has a top emission type and includes a driving transistor DT formed on a substrate 210, a sensing transistor ST And an organic light emitting diode (OLED).

기판(210) 상에는 제1반도체층(211)과 제2반도체층(221)이 형성될 수 있다. 제1반도체층(211)과 제2반도체층(221)은 동일한 공정으로 서로 동일한 층에 형성되되, 서로 이격될 수 있다. The first semiconductor layer 211 and the second semiconductor layer 221 may be formed on the substrate 210. The first semiconductor layer 211 and the second semiconductor layer 221 may be formed on the same layer and may be spaced from each other by the same process.

제1반도체층(211)은 순수 폴리실리콘의 제1영역(211a) 및 불순물이 도핑된 제2영역(211b, 211c)으로 구성될 수 있다. 제2반도체층(221)도 순수 폴리실리콘의 제1영역(221a) 및 불순물이 도핑된 제2영역(221b, 221c)으로 구성될 수 있다. The first semiconductor layer 211 may include a first region 211a of pure polysilicon and second regions 211b and 211c doped with impurities. The second semiconductor layer 221 may also include a first region 221a of pure polysilicon and second regions 221b and 221c doped with impurities.

제1반도체층(211) 및 제2반도체층(221) 상에는 게이트절연막(231)이 형성될 수 있다. 게이트절연막(231) 상에는 제1반도체층(211)의 제1영역(211a)과 대응되는 제1게이트전극(213)이 형성될 수 있다. 또, 제1게이트전극(213)과 동일 공정으로 동일 층에 제2반도체층(221)의 제1영역(221a)과 대응되는 제2게이트전극(223)이 형성될 수 있다. A gate insulating layer 231 may be formed on the first semiconductor layer 211 and the second semiconductor layer 221. A first gate electrode 213 corresponding to the first region 211a of the first semiconductor layer 211 may be formed on the gate insulating layer 231. [ In addition, a second gate electrode 223 corresponding to the first region 221a of the second semiconductor layer 221 may be formed in the same layer as the first gate electrode 213 in the same process.

제1게이트전극(213) 및 제2게이트전극(223) 상에는 층간절연막(233)이 형성될 수 있다. 층간절연막(233)과 게이트절연막(231)에는 콘택홀(미도시)이 각각 형성될 수 있다. 예컨대, 층간절연막(233)과 게이트절연막(231)에는 제1반도체층(211)의 제2영역(211b, 211c) 및 제2반도체층(221)의 제2영역(221b, 221c)을 노출시키는 콘택홀이 각각 형성될 수 있다. 또한, 층간절연막(233)에는 제2게이트전극(223)을 노출시키는 콘택홀이 형성될 수 있다.An interlayer insulating film 233 may be formed on the first gate electrode 213 and the second gate electrode 223. A contact hole (not shown) may be formed in the interlayer insulating film 233 and the gate insulating film 231, respectively. The second regions 211b and 211c of the first semiconductor layer 211 and the second regions 221b and 221c of the second semiconductor layer 221 are exposed in the interlayer insulating film 233 and the gate insulating film 231 And a contact hole may be respectively formed. A contact hole may be formed in the interlayer insulating film 233 to expose the second gate electrode 223.

층간절연막(233) 상에는 소스전극(214, 224) 및 드레인전극(215, 225)이 형성될 수 있다. 소스전극(214, 224)은 콘택홀을 통해 제1반도체층(211)의 제2영역(211b, 211c)에 연결된 제1소스전극(214) 및 제2반도체층(221)의 제2영역(221b, 221c)에 연결된 제2소스전극(224)을 포함할 수 있다. 드레인전극(215, 225)은 콘택홀을 통해 제1반도체층(211)의 제2영역(211b, 211c)에 연결된 제1드레인전극(215) 및 제2반도체층(221)의 제2영역(221b, 221c)에 연결된 제2드레인전극(225)을 포함할 수 있다. Source electrodes 214 and 224 and drain electrodes 215 and 225 may be formed on the interlayer insulating film 233. The source electrodes 214 and 224 are electrically connected to the first source electrode 214 connected to the second regions 211b and 211c of the first semiconductor layer 211 through the contact holes and the second source electrode 214 connected to the second region 211b and 211c of the second semiconductor layer 221 221b, and 221c, respectively. The drain electrodes 215 and 225 are electrically connected to the first drain electrode 215 connected to the second regions 211b and 211c of the first semiconductor layer 211 through the contact holes and the second region 215b of the second semiconductor layer 221 221b, and 221c, respectively.

제1반도체층(211), 제1게이트전극(213), 제1소스전극(214) 및 제1드레인전극(215)은 구동트랜지스터(DT)를 형성할 수 있다. 또, 제2반도체층(221), 제2게이트전극(223), 제2소스전극(224) 및 제2드레인전극(225)은 센싱트랜지스터, 예컨대 도 3에 도시된 제3센싱트랜지스터(ST3)를 형성할 수 있다. The first semiconductor layer 211, the first gate electrode 213, the first source electrode 214, and the first drain electrode 215 may form the driving transistor DT. The second semiconductor layer 221, the second gate electrode 223, the second source electrode 224 and the second drain electrode 225 are connected to a sensing transistor, for example, the third sensing transistor ST3 shown in FIG. Can be formed.

구동트랜지스터(DT) 및 제3센싱트랜지스터(ST3)는 각각의 반도체층, 즉 제1반도체층(211) 및 제2반도체층(221)에 도핑된 불순물에 따라 P형 또는 N형의 트랜지스터를 이룰 수 있다. P형 트랜지스터의 경우 제1반도체층(211) 및 제2반도체층(221)에 붕소(B) 등과 같은 3족의 원소가 도핑될 수 있다. N형 트랜지스터의 경우 제1반도체층(211) 및 제2반도체층(221)에 인(P) 등과 같은 불순물이 도핑될 수 있다. The driving transistor DT and the third sensing transistor ST3 may be either P-type or N-type transistors depending on the impurities doped in the respective semiconductor layers, that is, the first semiconductor layer 211 and the second semiconductor layer 221 . In the case of the P-type transistor, the first semiconductor layer 211 and the second semiconductor layer 221 may be doped with a group III element such as boron (B). In the case of the N-type transistor, impurities such as phosphorus (P) may be doped in the first semiconductor layer 211 and the second semiconductor layer 221.

한편, 층간절연막(233) 상에는 제1보조전극(226)이 형성될 수 있다. 제1보조전극(226)은 콘택홀을 통해 제2게이트전극(223)과 연결될 수 있다. 제1보조전극(226)은 제2소스전극(224) 및 제2드레인전극(225)과 동일 공정으로 형성될 수 있다.On the other hand, a first auxiliary electrode 226 may be formed on the interlayer insulating film 233. The first auxiliary electrode 226 may be connected to the second gate electrode 223 through the contact hole. The first auxiliary electrode 226 may be formed in the same process as the second source electrode 224 and the second drain electrode 225.

구동트랜지스터(DT) 및 제3센싱트랜지스터(ST3) 상에는 보호층(235)이 형성될 수 있다. 보호층(235)에는 구동트랜지스터(DT)의 드레인전극, 즉 제1드레인전극(215)을 노출시키는 콘택홀(237)이 형성될 수 있다. 또, 보호층(235)에는 제3센싱트랜지스터(ST3)의 제1보조전극(226)을 노출시키는 콘택홀(237)이 형성될 수 있다.A protective layer 235 may be formed on the driving transistor DT and the third sensing transistor ST3. The protective layer 235 may be formed with a contact hole 237 for exposing the drain electrode of the driving transistor DT, that is, the first drain electrode 215. A contact hole 237 may be formed in the passivation layer 235 to expose the first auxiliary electrode 226 of the third sensing transistor ST3.

보호층(235) 상에는 콘택홀(237)을 통해 제1드레인전극(215)과 연결되는 제1전극(241)이 형성될 수 있다. 제1전극(241)은 빛의 투과가 이루어지도록 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(IZO)로 형성될 수 있다. A first electrode 241 connected to the first drain electrode 215 through the contact hole 237 may be formed on the passivation layer 235. The first electrode 241 may be formed of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) so that light is transmitted.

또한, 보호층(235) 상에는 콘택홀(236)을 통해 제2게이트전극(223)과 연결되는 제2보조전극(251)이 형성될 수 있다. 제2보조전극(251)은 제1전극(241)과 동일 공정에서 형성될 수 있다.A second auxiliary electrode 251 connected to the second gate electrode 223 through the contact hole 236 may be formed on the passivation layer 235. The second auxiliary electrode 251 may be formed in the same process as the first electrode 241.

제1전극(241)의 양측에는 제1전극(241)을 둘러싸며 화소영역을 정의하는 뱅크(260)가 형성될 수 있다. 또한, 화소영역에는 다층으로 구성된 유기발광층(243)이 형성될 수 있다. 여기서, 제1전극(241)이 애노드 전극인 경우에 유기발광층(243)은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어질 수 있다.On both sides of the first electrode 241, a bank 260 surrounding the first electrode 241 and defining a pixel region may be formed. Further, an organic light emitting layer 243 composed of multiple layers may be formed in the pixel region. Here, when the first electrode 241 is an anode electrode, the organic light emitting layer 243 may include a hole injection layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer.

유기발광층(243) 상에는 제2전극(245)이 형성될 수 있다. 제2전극(245)은 ITO 또는 IZO로 형성될 수 있다. 제2전극(245)은 캐소드전극일 수 있으며, 기저전압라인(미도시)에 접속될 수 있다. A second electrode 245 may be formed on the organic light emitting layer 243. The second electrode 245 may be formed of ITO or IZO. The second electrode 245 may be a cathode electrode and may be connected to a base low voltage line (not shown).

제1전극(241), 유기발광층(243) 및 제2전극(245)은 유기발광소자(OLED)를 형성할 수 있다.The first electrode 241, the organic light emitting layer 243, and the second electrode 245 may form an organic light emitting diode (OLED).

한편, 제2보조전극(251) 상에는 격벽(255)이 형성될 수 있다. 격벽(255)은 유기발광층(243)이 제2보조전극(251) 상에 형성되는 것을 방지할 수 있다. 격벽(255)은 역 테이퍼 형태를 가지도록 형성될 수 있으며, 테이퍼의 각도는 자유롭게 설정될 수 있다. 그리고, 유기발광소자(OLED)의 제2전극(245)은 격벽(255)을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2전극(245)의 일측은 제2보조전극(251)과 연결될 수 있다. On the other hand, a barrier rib 255 may be formed on the second auxiliary electrode 251. The barrier ribs 255 may prevent the organic light emitting layer 243 from being formed on the second auxiliary electrode 251. The barrier ribs 255 may be formed to have an inverted taper shape, and the angle of the taper may be freely set. The second electrode 245 of the organic light emitting diode OLED may be formed to surround the barrier rib 255. Accordingly, one side of the second electrode 245 may be connected to the second auxiliary electrode 251.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 유기발광소자(OLED)의 캐소드전극, 즉 제2전극(245)과 연결되는 센싱트랜지스터, 즉 제3센싱트랜지스터(ST3)를 포함할 수 있다. 제3센싱트랜지스터(ST3)는 외부로부터 유기발광소자(OLED)의 제2전극(245)에 인가되는 기저전원(Vss)을 게이트전극, 즉 제2게이트전극(223)으로 입력받아 턴-온될 수 있다. 턴-온된 제3센싱트랜지스터(ST3)는 기저전원(Vss)의 크기를 센싱하여 외부, 예컨대 유기발광표시장치(100)의 타이밍제어부(미도시)로 출력할 수 있다.The OLED display 100 according to the present embodiment includes a sensing transistor connected to the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED, that is, the second electrode 245, that is, the third sensing transistor ST3 . The third sensing transistor ST3 may be turned on by receiving the base power supply Vss applied to the second electrode 245 of the organic light emitting device OLED from the outside to the gate electrode or the second gate electrode 223 have. The turned-on third sensing transistor ST3 can sense the size of the base power supply Vss and output it to a timing controller (not shown) of the OLED display 100, for example.

한편, 도 5에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)도 유사한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 앞서 설명된 제3센싱트랜지스터(ST3)는 제3보상트랜지스터(CT3)일 수 있으며, 제3보상트랜지스터(CT3)는 유기발광소자(OLED)의 제2전극(245)에 인가되는 기저전원(Vss)을 입력받아 턴-온될 수 있다. 턴-온된 제3보상트랜지스터(CT3)는 제2보상트랜지스터(CT2)로부터 출력된 신호에 따라 제2보상신호(C2)를 생성하여 출력함으로써, 유기발광소자(OLED)의 애노드전극, 즉 제1전극(241)에 입력되는 구동신호(Id)의 크기를 증가시킬 수 있다.
Meanwhile, the OLED display 100 according to another embodiment of the present invention shown in FIG. 5 may have a similar structure. For example, the third sensing transistor ST3 may be a third compensating transistor CT3, and the third compensating transistor CT3 may be a base power source applied to the second electrode 245 of the organic light emitting diode OLED. (Vss) and can be turned on. The turned-on third compensating transistor CT3 generates and outputs the second compensating signal C2 in accordance with the signal outputted from the second compensating transistor CT2 so that the anode electrode of the organic light emitting element OLED, that is, The magnitude of the drive signal Id input to the electrode 241 can be increased.

전술한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.While a number of embodiments have been described in detail above, it should be construed as being illustrative of preferred embodiments rather than limiting the scope of the invention. Therefore, the invention should not be construed as limited to the embodiments described, but should be determined by equivalents to the appended claims and the claims.

100, 101: 화소회로 110, 111: 구동부
120: 문턱전압 센싱부 130: 기저전압 센싱부
121: 문턱전압 보상부 131: 기저전압 보상부
226: 제1보조전극 251: 제2보조전극
255: 격벽100, 101: pixel circuit 110, 111:
120: threshold voltage sensing unit 130:
121: Threshold voltage compensating unit 131:
226: first auxiliary electrode 251: second auxiliary electrode
255:

Claims (12)

제1게이트신호 및 데이터신호에 응답하여 구동전원으로부터 유기발광소자의 구동신호를 출력하는 구동부; 및
상기 구동부에 접속되며, 제2게이트신호 및 기저전원에 응답하여 상기 기저전원의 레벨변동에 따른 제1센싱신호를 출력하는 제1센싱부를 포함하는 유기발광표시장치.A driver for outputting a driving signal of the organic light emitting element from the driving power source in response to the first gate signal and the data signal; And
And a first sensing unit connected to the driving unit and outputting a first sensing signal in response to a level change of the base power supply in response to a second gate signal and a base power supply. 제1항에 있어서, 상기 제1센싱부는,
상기 제2게이트신호에 응답하여 상기 구동부로부터 전달된 상기 구동신호를 출력하는 제1센싱트랜지스터; 및
상기 기저전원에 응답하여 상기 제1센싱트랜지스터로부터 전달된 상기 구동신호로부터 상기 제1센싱신호를 출력하는 제2센싱트랜지스터를 포함하는 유기발광표시장치.The apparatus of claim 1, wherein the first sensing unit comprises:
A first sensing transistor for outputting the driving signal transmitted from the driving unit in response to the second gate signal; And
And a second sensing transistor for outputting the first sensing signal from the driving signal transmitted from the first sensing transistor in response to the base power supply. 제2항에 있어서,
상기 제1센싱신호는 상기 기저전원에서 문턱전압을 차감한 레벨에 따른 신호인 유기발광표시장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first sensing signal is a signal according to a level obtained by subtracting a threshold voltage from the base power supply. 제1항에 있어서,
상기 구동부에 접속되며, 제2게이트신호에 응답하여 상기 구동신호로부터 문턱전압의 레벨변동에 따른 제2센싱신호를 출력하는 제2센싱부를 더 포함하는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
And a second sensing unit connected to the driving unit and responsive to the second gate signal for outputting a second sensing signal according to a level variation of a threshold voltage from the driving signal. 제1항에 있어서,
상기 제1센싱신호에 따라 상기 데이터신호의 레벨이 조절되는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
And the level of the data signal is adjusted according to the first sensing signal. 제1게이트신호 및 데이터신호에 응답하여 구동전원으로부터 구동신호를 생성하여 출력하는 구동부;
상기 구동부로부터 출력된 상기 구동신호에 따라 빛을 방출하는 유기발광소자; 및
제2게이트신호 및 기저전원에 응답하여 상기 기저전원의 레벨변동에 따른 제1보상신호를 생성하고, 상기 제1보상신호를 상기 유기발광소자의 애노드전극으로 출력하여 상기 구동신호의 레벨을 조절하는 제1보상부를 포함하는 유기발광표시장치.A driver for generating and outputting a driving signal from a driving power source in response to a first gate signal and a data signal;
An organic light emitting diode emitting light according to the driving signal outputted from the driving unit; And
Generates a first compensation signal in response to a level change of the base power supply in response to a second gate signal and a base power supply and outputs the first compensation signal to the anode electrode of the organic light emitting element to adjust a level of the driving signal And a first compensator. 제6항에 있어서, 상기 제1보상부는,
상기 구동전원에 접속되며, 상기 제2게이트신호에 응답하여 상기 구동전원에 따른 제1신호를 출력하는 제1보상트랜지스터; 및
상기 기저전원에 응답하여 상기 제1신호로부터 상기 제1보상신호를 생성하여 출력하는 제2보상트랜지스터를 포함하는 유기발광표시장치.7. The apparatus of claim 6, wherein the first compensation unit comprises:
A first compensating transistor connected to the driving power source and outputting a first signal corresponding to the driving power in response to the second gate signal; And
And a second compensation transistor generating and outputting the first compensation signal from the first signal in response to the base power supply. 제7항에 있어서,
상기 제1보상신호는 상기 기저전원에서 문턱전압을 차감한 레벨에 따른 신호인 유기발광표시장치.8. The method of claim 7,
Wherein the first compensation signal is a signal corresponding to a level obtained by subtracting a threshold voltage from the base power supply. 제6항에 있어서,
상기 구동부에 접속되고, 상기 제2게이트신호에 응답하여 외부에서 인가된 전압으로부터 문턱전압의 레벨변동에 따른 제2보상신호를 생성하며, 상기 제2보상신호를 상기 구동부로 출력하여 상기 데이터신호의 레벨을 조절하는 제2보상부를 더 포함하는 유기발광표시장치.The method according to claim 6,
And a second compensation signal generating circuit for generating a second compensation signal according to a level variation of a threshold voltage from a voltage applied externally in response to the second gate signal and outputting the second compensation signal to the driving unit, And a second compensator that adjusts the level of the light emitted from the organic light emitting diode. 제6항에 있어서,
상기 제1게이트신호와 상기 제2게이트신호는 1수평기간 동안 서로 다른 시간에 각각 출력되는 유기발광표시장치.The method according to claim 6,
Wherein the first gate signal and the second gate signal are respectively output at different times during one horizontal period. 기판 상에 형성된 구동트랜지스터;
상기 구동트랜지스터 상에 형성되며, 제1전극, 유기발광층 및 제2전극을 구비하는 유기발광소자;
상기 기판 상에 상기 구동트랜지스터와 이격되어 형성된 센싱트랜지스터; 및
상기 센싱트랜지스터의 게이트전극과 상기 제2전극 사이에 형성되며, 상기 제2전극을 통해 상기 게이트전극에 기저전원을 제공하는 적어도 하나의 보조전극을 포함하는 유기발광표시장치.A driving transistor formed on a substrate;
An organic light emitting element formed on the driving transistor and including a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode;
A sensing transistor formed on the substrate and spaced apart from the driving transistor; And
And at least one auxiliary electrode formed between the gate electrode and the second electrode of the sensing transistor and providing a base power supply to the gate electrode through the second electrode. 제11항에 있어서, 상기 센싱트랜지스터는,
상기 기판 상에 형성된 반도체층;
상기 반도체층 상에 형성된 상기 게이트전극;
상기 게이트전극 상에 형성되어 상기 반도체층과 연결된 소스전극 및 드레인전극;
상기 게이트전극 상에 형성되어 상기 게이트전극과 연결된 제1보조전극;
상기 제1보조전극 상에 형성되어 상기 제1보조전극과 연결된 제2보조전극; 및
상기 제2보조전극 상에 형성된 격벽을 포함하고,
상기 유기발광소자의 상기 제2전극은 상기 격벽을 둘러싸도록 형성되어 상기 제2보조전극 및 상기 제1보조전극을 통해 상기 게이트전극과 연결되는 유기발광표시장치.12. The semiconductor memory device according to claim 11,
A semiconductor layer formed on the substrate;
The gate electrode formed on the semiconductor layer;
A source electrode and a drain electrode formed on the gate electrode and connected to the semiconductor layer;
A first auxiliary electrode formed on the gate electrode and connected to the gate electrode;
A second auxiliary electrode formed on the first auxiliary electrode and connected to the first auxiliary electrode; And
And a barrier rib formed on the second auxiliary electrode,
Wherein the second electrode of the organic light emitting diode is formed to surround the barrier rib and is connected to the gate electrode through the second auxiliary electrode and the first auxiliary electrode.
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