KR20160002246A - Preparing method for conductive film having fine metal layer and conductive film manufactured thereby - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전도성 필름의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 수지 패턴층에 형성된 홈부에 금속층을 포함하는 전도성 필름의 제조방법이다.
The present invention relates to a method for producing a conductive film, and more specifically, to a method for producing a conductive film including a metal layer in a trench formed in a resin pattern layer.
폴리머 필름 또는 유리 기판에 전도성 미세 패턴이 형성되어 있는 전도성 기판은 전자파 차폐 필터, 열선 유리, 터치 패널, 액정 디스플레이 등의 다양한 분야에서 사용되고 있다.
BACKGROUND ART [0002] Conductive substrates having conductive fine patterns formed on polymer films or glass substrates are used in various fields such as electromagnetic wave shielding filters, heat ray glasses, touch panels, and liquid crystal displays.
종래에는 이러한 전도성 미세 패턴이 형성된 전도성 기판을 형성하기 위해 유리기판이나 폴리머 기판상에 홈부를 형성하고, 홈부에 전도성 물질을 습식 코팅 등의 방법을 통해 충진하고, 닥터 블레이드 등을 이용하여 홈부 이외 부분에 도포된 전도성 재료를 제거하는 방법이나, 홈부에 금속 입자 또는 금속 산화물 등을 충진하고, 열 및/또는 압력을 가하여 압축시키는 방법 등을 사용하였다.
Conventionally, a groove is formed on a glass substrate or a polymer substrate to form a conductive substrate on which conductive fine patterns are formed, a conductive material is filled in the groove through a wet coating method or the like, and by using a doctor blade or the like, A method of filling the groove with metal particles or metal oxides and compressing the groove by applying heat and / or pressure is used.
그러나, 습식 코팅법을 이용하는 경우에는 전도성 물질로 전도성 고분자나 전도성 입자를 포함하는 수지 등을 사용하여야 하는데, 이 경우 도전율이 고체 금속에 비해 현저하게 작다는 문제점이 있고, 열 및/또는 압력을 가하여 금속 입자 또는 금속 산화물 입자를 압축시키는 방법의 경우, 열 및/또는 압력에 의해 패턴 변형이 일어나기 쉬워 정밀도가 떨어지고, 미세 패턴을 형성하는데 한계가 있다는 문제점이 있었다. 상기 방법 이외에도 기판 상에 전도성 잉크를 미세 패턴으로 인쇄하거나 도금하는 등의 방식을 통해 전도성 미세 패턴이 형성된 전도성 기판을 제조하는 방법이 제안되었으나, 이러한 방법들의 경우, 패턴 선폭을 5㎛ 미만으로 형성하는 것이 어렵다. 그러나 이와 같이 전도성 미세 패턴의 선폭이 클 경우, 전도성 패턴층과 기판의 반사율 차이에 의해 전도성 패턴이 외부에서 쉽게 시인되며, 따라서, 모바일용 터치 패널이나 디스플레이 장치에 사용될 시 한계가 있었다.
However, in the case of using the wet coating method, a conductive polymer or a resin containing conductive particles should be used as the conductive material. In this case, the conductivity is significantly smaller than that of the solid metal, and heat and / In the case of the method of compressing the metal particles or the metal oxide particles, there is a problem that the pattern is easily deformed due to heat and / or pressure, resulting in a decrease in precision and a limitation in forming a fine pattern. In addition to the above-mentioned methods, there has been proposed a method of manufacturing a conductive substrate on which a conductive fine pattern is formed by printing or plating a conductive ink on a substrate in a fine pattern. However, in these methods, It is difficult. However, when the line width of the conductive fine pattern is large, the conductive pattern is easily recognized from the outside due to the difference in reflectivity between the conductive pattern layer and the substrate.
이를 극복하기 위해, 홈부를 포함하는 기판에 금속 패턴을 형성하는 방법을 이용할 수 있으나, 상기 패턴을 형성하기 위해서는 홈부를 제외한 영역의 금속층 또는 금속 박막만을 선택적으로 제거하는 과정에 어려움이 있었다.
In order to overcome this problem, it is possible to use a method of forming a metal pattern on a substrate including a groove portion. However, in order to form the pattern, it is difficult to selectively remove only the metal layer or the metal thin film except for the groove portion.
상기 금속층 또는 금속 박막을 제거하기 위한 종래의 방법으로, 식각 용액 등을 사용하는 화학적 방법을 이용하는 경우, 원하는 위치만을 선택적으로 제거하기가 용이하지 않고, 선택적 제거를 위해 홈부에 형성된 금속층 상부에 별도의 내에칭성 물질을 삽입하는 등의 별도의 공정을 수행하여야 하는 등 공정이 복잡하고, 유독성 물질을 사용하여야 한다는 문제점이 있었다.
In the conventional method for removing the metal layer or the metal thin film, when a chemical method using an etching solution or the like is used, it is not easy to selectively remove only a desired position, and a separate metal layer There is a problem that the process is complicated and a toxic substance must be used.
한편, 금속층 제거를 위해 폴리싱이나 디태칭과 같은 물리적 방법을 이용하는 경우, 박막 제거 후, 필름 및 유리 기판에 잔해물 및 이물질을 남기거나 완벽하게 제거되지 않는다는 문제점이 존재하였다. 또한, 장력을 가하여 박막 또는 금속층을 제거하는 디태칭법의 경우, 박막 제거 시에 홈부 내의 금속층이 함께 제거되기 쉬워 패턴을 균일하게 형성하기 어렵고, 단락 등이 발생하기 쉽다는 문제점이 있었다.
On the other hand, when a physical method such as polishing or detaching is used to remove a metal layer, there is a problem that debris and foreign matter are left on the film and the glass substrate after the removal of the thin film or are not completely removed. Further, in the case of the dequantizing method in which a thin film or a metal layer is removed by applying a tensile force, the metal layer in the trench is likely to be removed together at the time of removing the thin film, so that it is difficult to form the pattern uniformly and a short circuit easily occurs.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 금속층을 형성하는 단계 이전에 접착력이 약한 이형층을 형성함으로써, 금속층 박리가 용이하도록 하며, 공정이 간단하고, 균일한 금속층이 형성된 전도성 필름의 제조방법 및 이에 의한 전도성 필름을 제공하고자 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a conductive film having a simple metal layer and a simple metal layer, And to provide a conductive film therefor.
일 측면에서, 본 발명은 다수의 홈부를 포함하는 수지 패턴층을 형성하는 단계; 상기 수지 패턴층 상부에 이형층을 형성하는 단계; 상기 홈부 및 이형층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 이형층 상에 형성된 금속층을 물리적인 방법으로 제거하는 단계를 포함하는 전도성 필름의 제조방법을 제공한다.
In one aspect, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a resin pattern layer including a plurality of grooves; Forming a release layer on the resin pattern layer; Forming a metal layer on the trench and the release layer; And removing the metal layer formed on the release layer by a physical method.
상기 수지 패턴층은 활성 에너지선 경화형 수지, 열 경화형 수지, 전도성 고분자 수지 또는 이들의 조합을 포함하는 것이 바람직하다.
The resin pattern layer preferably includes an active energy ray-curable resin, a thermosetting resin, a conductive polymer resin, or a combination thereof.
한편, 상기 홈부는 최대 폭이 0.1㎛ 내지 5㎛ 정도이고, 최대 깊이가 0.1㎛ 내지 15㎛ 정도인 것이 바람직하다.
On the other hand, it is preferable that the groove has a maximum width of about 0.1 탆 to 5 탆 and a maximum depth of about 0.1 탆 to 15 탆.
다음으로, 상기 이형층은 실리콘계 수지, 불소계 수지, 멜라민계 수지, 파라핀 왁스 또는 이들의 혼합물을 포함하는 이형제를 이용하여 형성된 것이 바람직하다.
Next, the release layer is preferably formed using a releasing agent comprising a silicone resin, a fluorine resin, a melamine resin, a paraffin wax or a mixture thereof.
또한, 상기 이형층을 형성하는 이형제는 25℃에서의 점도가 3000cP 내지 100000cP인 것이 바람직하다.
The releasing agent for forming the releasing layer preferably has a viscosity at 25 DEG C of from 3000 cP to 100000 cP.
한편, 상기 이형층은 두께가 0.001㎛ 내지 0.5㎛인 것이 바람직하다.
On the other hand, the release layer preferably has a thickness of 0.001 탆 to 0.5 탆.
이때, 상기 수지 패턴층 상부에 이형층을 형성하는 단계는 그라비아 코팅, 메이어 바 코팅, 에어나이프코팅, 닥터나이프 코팅 또는 실크스크린 코팅 방법에 의해 수행되는 것이 바람직하다.
At this time, it is preferable that the step of forming the release layer on the resin pattern layer is performed by a gravure coating, a Meyer bar coating, an air knife coating, a doctor knife coating or a silk screen coating method.
상기 금속층은 구리, 은, 금, 알루미늄, 니켈, 황동, 철, 크롬, 백금, 몰리브덴 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.
The metal layer may be made of copper, silver, gold, aluminum, nickel, brass, iron, chromium, platinum, molybdenum, or an alloy thereof.
이때, 상기 금속층은 그 선폭이 0.1㎛ 내지 5㎛이고, 그 평균 두께가 홈부 최대 깊이 대비 1% 내지 50%인 것이 바람직하며, 또한, 상기 금속층의 수직 단면의 면적(S)은 하기 식 1을 만족하는 것이 바람직하다.Preferably, the metal layer has a line width of 0.1 μm to 5 μm and an average thickness thereof is 1% to 50% of a maximum depth of the groove, and the area S of the vertical section of the metal layer is expressed by the following equation It is preferable to satisfy it.
[식 1][Formula 1]
0.01H[D-0.5H(tanθ1+tanθ2)]≤ S ≤0.7H[D-0.5H(tanθ1+tanθ2)] 0.01H [D-0.5H (tanθ 1 + tanθ 2)] ≤ S ≤0.7H [D-0.5H (tanθ 1 + tanθ 2)]
(상기 식 1에서, H는 홈부의 최대 깊이를 의미하고, D는 홈부의 최대 폭을 의미하고, θ1 및 θ2는 홈부 벽면의 경사각을 의미함.)
(Where H denotes the maximum depth of the groove portion, D denotes the maximum width of the groove portion, and? 1 and? 2 mean the inclination angle of the groove portion wall surface).
또한, 상기 수지 패턴층 상에 금속층을 형성하는 단계는 무전해 도금법, 화학기상증착법, 물리기상증착법 또는 습식 코팅법에 의해 수행될 수 있다.
The step of forming the metal layer on the resin pattern layer may be performed by an electroless plating method, a chemical vapor deposition method, a physical vapor deposition method, or a wet coating method.
다음으로, 상기 이형층 상에 형성된 금속층을 물리적인 방법으로 제거하는 단계는 폴리싱법, 스크래칭법, 샌드블래스팅법, 디태칭법 또는 이들의 조합으로 수행되는 것이 바람직하다.
Next, the step of removing the metal layer formed on the release layer by a physical method is preferably performed by a polishing method, a scratching method, a sandblasting method, a dithering method, or a combination thereof.
이때, 금속층과 이형층이 접촉하는 면의 접착력은 금속층과 홈부가 접촉하는 면의 접착력 대비 70% 이하인 것이 바람직하다.
At this time, it is preferable that the adhesive force of the surface of the metal layer and the surface of the release layer contacting is 70% or less of the adhesive force of the metal layer and the surface contacting the groove.
필요에 따라, 상기 금속층을 제거하는 단계 이후에 상기 수지 패턴층을 평탄화하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
If necessary, the step of flattening the resin pattern layer may be further included after the step of removing the metal layer.
또 다른 측면에서 본 발명은, 상기 제조방법에 의해 제조되며, 투명 기재 상에 형성된 다수의 홈부를 포함하는 수지 패턴층; 및 상기 홈부 내에 형성되는 금속층을 포함하는 것이 바람직하다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting device comprising: a resin pattern layer which is manufactured by the above manufacturing method and includes a plurality of grooves formed on a transparent substrate; And a metal layer formed in the groove portion.
또 다른 측면에서 본 발명은, 박리하는 단계를 거치기 전의 중간체로서, 투명 기재 상에 형성된 다수의 홈부를 포함하는 수지 패턴층; 상기 수지 패턴층 상부에 형성되는 이형층; 및 상기 홈부 내에 형성되는 금속층을 포함하는 전도성 필름을 제공한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a resin composition comprising: a resin pattern layer containing a plurality of grooves formed on a transparent substrate as an intermediate before the peeling step; A release layer formed on the resin pattern layer; And a metal layer formed in the groove portion.
본 발명의 전도성 필름의 제조방법은 수지 패턴층 상부와 금속층 사이에 이형층을 형성함으로써, 금속층의 물리적 제거가 쉽게 일어날 수 있어, 수지 패턴층 상부의 금속층을 제거할 때, 홈부의 금속층도 함께 제거가 되는 문제점을 극복할 수 있다. 즉, 금속 세선의 단락 발생을 최소화할 수 있다. 또한, 공정이 간단하며, 미세하고 균일한 금속층을 갖는 전도성 필름을 제조할 수 있다.
In the method of manufacturing a conductive film of the present invention, the metal layer can be physically removed easily by forming the release layer between the upper part of the resin pattern layer and the metal layer. When removing the metal layer above the resin pattern layer, Can be overcome. That is, it is possible to minimize the occurrence of short-circuiting of the metal thin wire. Further, a conductive film having a simple and fine and uniform metal layer can be produced.
뿐만 아니라, 본 상기 이형층에 의해, 표면의 조도가 낮고 균일한 전도성 필름을 제조할 수 있다. 그 결과, 터치 패널이나 투명 OLED와 같은 디스플레이 분야에서 유용하게 적용될 수 있다.In addition, it is possible to produce a uniform conductive film with low surface roughness by the release layer. As a result, it can be advantageously applied to a display field such as a touch panel or a transparent OLED.
도 1은 본 발명에 따른 전도성 필름의 제조방법의 구현예들을 보여주는 수직 단면도를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 홈부 단면 형상 및 구성 요소 중 폭(D), 깊이(H) 및 홈부 벽면 경사각(θ1 및 θ2)을 보여 주는 수직 단면도를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1의 (c)에 홈부 부근을 보다 자세히 나타낸 수직 단면도를 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 전도성 필름의 수직 단면도를 나타낸 도면이다.
도 5는 종래의 금속 세선을 포함하는 전도성 필름의 제조방법의 구현예를 보여주는 도면이다.1 is a vertical cross-sectional view showing an embodiment of a method of manufacturing a conductive film according to the present invention.
2 is a vertical cross-sectional view showing the groove sectional shape and the width (D), the depth (H), and the inclined wall surface inclination angles (? 1 and? 2 ) of the grooves in the present invention.
Fig. 3 is a vertical sectional view showing the vicinity of the groove portion in Fig. 1 (c) in more detail.
4 is a vertical cross-sectional view of a conductive film according to the present invention.
5 is a view showing an embodiment of a method of manufacturing a conductive film including a conventional metal thin wire.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장, 축소 또는 생략될 수 있다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are also provided for a more complete understanding of the present invention to those skilled in the art. The shape and size of elements in the drawings may be exaggerated, reduced or omitted for clarity.
본 발명자들은, 금속층을 포함하는 전도성 필름의 제조방법에 있어서, 금속층을 형성하기 전에, 수지 패턴층 상부에 이형층을 형성함으로써, 이후, 금속층을 제거하는 과정에서, 수지 패턴층 상부의 금속층을 쉽게 제거하며, 홈부 내에 미세하고 균일한 금속층을 형성할 수 있음을 알아내고 본 발명을 완성하였다.
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present inventors have found that, in a method of manufacturing a conductive film including a metal layer, a metal layer is formed on the resin pattern layer before forming the metal layer, And a fine and uniform metal layer can be formed in the trench, thereby completing the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 금속층을 포함하는 전도성 필름의 제조방법은, 다수의 홈부(24)를 포함하는 수지 패턴층(20)을 형성하는 단계(도 1의 (a) 참조); 상기 수지 패턴층 상부(25)에 이형층(30)을 형성하는 단계(도 1의 (b) 참조); 상기 홈부 및 이형층 상에 금속층(40)을 형성하는 단계(도 1의 (c) 참조); 및 상기 이형층 상에 형성된 금속층을 물리적인 방법으로 제거하는 단계 (도 1의 (d) 참조)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
1, a method of manufacturing a conductive film including a metal layer according to the present invention includes the steps of forming a
한편, 본 발명에 있어서, 상기 홈부(24)에 존재하는 금속층(40)은, 전체 전도성 필름에 있어서 금속 세선을 형성한다. 따라서, 본 명세서에서 홈부(24)에 존재하는 금속층(40)은 금속 세선을 의미한다.
On the other hand, in the present invention, the
또한, 수지 패턴층 상부(25)란, 도 1(a)에 표시한 바와 같이, 수지 패턴층(20)에 있어서 홈부(24)를 제외한 영역의 상부 표면을 말한다.
The resin pattern layer
먼저, 상기 ⅰ) 다수의 홈부(24)를 포함하는 수지 패턴층(20)을 형성한다. 이때, 상기 수지 패턴층(20)은, 도 1에 도시된 바와 같이 투명 기재(10) 상에 형성될 수 있으나, 이로써 한정되는 것은 아니며, 별도의 기재를 사용하지 않고 형성하여도 무방하다.
First, the
한편, 수지 패턴층(20)을 투명 기재(10) 상에 형성할 경우에 사용될 수 있는 투명 기재(10)는 특별히 한정되지는 않으나, 유리 기판 또는 투명 고분자 필름일 수 있다. 이때, 상기 고분자 필름은, 투명하기만 하면 되고, 그 재질이 특별히 한정되는 것은 아니나, 보다 구체적으로, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리에틸렌나프탈렌 필름, 폴리이미드 필름 또는 셀룰로오스 필름등이 이용될 수 있다.
On the other hand, the
한편, 상기 수지 패턴층(20)은 요철 패턴 구조를 포함한 수지층을 말하며, 당해 기술 분야에 잘 알려진 수지들, 예를 들면, 활성 에너지선 경화형 수지, 열 경화형 수지, 전도성 고분자 수지 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있고, 예를 들면, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에스테르아크릴레이트, 폴리다이메틸실록세인, 폴리아세틸렌, 폴리파라페닐렌, 폴리아닐린, 폴리피르롤 등을 포함할 수 있다.
On the other hand, the
상기 수지 패턴층(20)을 형성하는 방법으로는 당해 기술 분야에 잘 알려진 패턴 형성 방법, 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 임프린팅법(Imprinting), 포토 리소그래피(Photo lithography) 또는 이-빔 리소그래피(e-beam lithography) 등과 같이 당해 기술 분야에 잘 알려진 수지 패터닝 방법을 이용하여 다수의 홈부(24)를 패터닝함으로써 형성될 수 있으며, 그 형성 방법이 특별히 한정되는 것은 아니다. 공정의 간편성 및 제조 비용 등을 고려할 때, 이 중에서도 임프린팅법을 사용하는 것이 특히 바람직하다.
As the method of forming the
이때, 상기 수지 패턴층(20)은, 당해 기술 분야에 알려진 다양한 수지들을 이용하여 형성될 수 있으며, 그 재질이 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 본 발명에 있어서, 상기 수지 패턴층(20)은, 활성 에너지선 경화형 수지, 열 경화형 수지, 전도성 고분자 수지 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있으며, 예를 들면, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에스테르아크릴레이트, 폴리다이메틸실록세인, 폴리아세틸렌, 폴리파라페닐렌, 폴리아닐린, 폴리피르롤 등을 포함할 수 있다.
At this time, the
한편, 상기 수지 패턴층(20)은 다수의 홈부(24)를 포함하는바, 상기 홈부(24)는 금속층을 형성하기 위한 공간으로, 스트라이프(stripe) 형태의 음각 패턴으로 형성된다. 상기 홈부(24)는 바람직하게는, 일 방향으로 연장 형성된 다수의 홈부와 다른 방향으로 연장 형성된 다수의 홈부가 격자형으로 교차되도록 형성될 수 있다.
The
이때, 상기 홈부(24)의 단면 형상은 그 형태에 제한을 두지 않으나, 예를 들면, 그 단면 형상이 사각형, 사다리꼴, 다각형 또는 그 조합으로 이루어질 수 있다. 도 2의 (a) 내지 (c)에는 본 발명의 홈부(24)의 다양한 단면 형상들이 예시적으로 도시되어 있다. 상기 홈부(24)의 수직 단면 형상은 도 2(a)에 도시된 바와 같이, 역사다리꼴 형상일 수도 있고, 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 측면은 역사다리꼴 형태로 이루어지고, 바닥면은 곡선 형태로 이루어진 형태일 수도 있고, 도 2(c)에 도시된 바와 같이, 측면의 상부 모서리가 라운드 형태로 형성될 수도 있다. 이와 같이, 본 발명에 있어서, 홈부(24)의 형상은 특별히 한정되지는 않으나, 홈부(24)의 상부 영역의 폭이 하부 영역의 폭보다 작을 경우, 패턴 형성이 어려우므로, 홈부(24) 상부의 폭이 홈부(24)의 하부의 폭보다 작아지지 않도록 형성되는 것이 바람직하다. 즉 홈부(24)의 최상면의 폭이 최하면의 폭과 같거나, 최하면의 폭보다 크게 형성되는 것이 바람직하다.
At this time, the cross-sectional shape of the
한편, 본 발명에 있어서, 상기 홈부(24)는 최대 폭(D)이 0.1㎛ 내지 5㎛ 정도, 바람직하게는 0.3㎛ 내지 2㎛ 정도일 수 있다. 상기 최대 폭(D)이 0.1㎛이하인 경우 금속층이 형성된 이후 충분히 낮은 저항값을 얻기가 어렵고, 상기 최대 폭(D)이 5㎛ 이상인 경우 금속 반사에 의한 시인효과로 인해 모바일 기기에 적용하기 어렵다. 이때, 상기 홈부(24)의 최대 폭(D)은 도 2의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 홈부(24)에 있어서 가장 넓은 너비를 의미한다.
Meanwhile, in the present invention, the maximum width D of the
또한, 상기 홈부(24)는 최대 깊이(H)가 0.1㎛ 내지 15㎛ 정도, 바람직하게는 0.3 내지 3㎛ 정도일 수 있다. 최대 깊이(H)가 0.1㎛ 이하인 경우 물리적 제거방법을 적용하기 어렵고, 최대 깊이(H)가 15㎛ 이상인 경우 최대 폭 대비 최대 깊이(H)의 값이 커 임프린트에 의한 홈부(24) 형성이 어렵다. 이때, 상기 홈부(24)의 최대 깊이(H)는 홈부(24)의 바닥면에서 수지 패턴층 상부(25) 표면까지의 높이를 의미한다.
The
한편, 도 2(c)에 도시된 바와 같이, 홈부(24) 측면의 상부 모서리가 라운드 형태로 형성될 경우, 상기 상부 모서리의 곡율 반경(r)은 홈부 최대 깊이(H)의 0.3배 이하, 바람직하게는, 0.01배 내지 0.15배 정도인 것이 바람직하다. 상부 모서리의 곡율 반경이 홈부 최대 깊이의 0.3배를 초과하는 경우에는 금속층 제거 시에 홈부 내에 금속층의 깨짐 현상이 줄어들어, 제거 속도 및 균일도가 저하되기 때문이다.
2 (c), when the upper edge of the side surface of the
또한, 상기 수지 패턴층(20)에 있어서, 상기 홈부(24)의 형성 면적은 수지 패턴층(20) 전체 면적에 대하여 0.1% 내지 5% 정도인 것이 바람직하다. 홈부(24) 형성 면적이 5%를 초과할 경우, 금속층(40)에 의해 기판의 투명성이 저해될 수 있고, 홈부(24) 형성 면적이 0.1% 미만일 경우에는 충분한 도전성을 확보하지 못하는 문제점이 발생할 수 있기 때문이다.
In addition, in the
다음으로, ⅱ) 상기 수지 패턴층 상부(25)에 이형층(30)을 형성한다. 상기 이형층(30)은 수지 패턴층(20)과 수지 패턴층 상부(25)에 형성된 금속층(40)을 분리시켜 수지 패턴층(20)과 금속층(40)간의 접착력을 약화시켜 박리가 용이하게 수행되도록 하는 역할을 한다.
Next, ii) a
이때, 상기 이형층(30)을 형성하는 이형제로는, 이형성을 가지는 것이면 모두 적용이 가능하고, 이형성을 부여하는 방법으로는, 당해 기술 분야의 통상적인 방법을 선택하여 실시할 수 있다. 예를 들면, 실리콘이나 불소 등의 이형성을 갖는 공지의 이형제를 코팅하여 이형층을 형성시킬 수도 있다. 이때, 상기 이형제는 이로써 제한되는 것은 아니나, 실리콘계 수지, 불소계 수지, 멜라민계 수지, 파라핀 왁스 또는 이들의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다.
At this time, as the release agent for forming the
보다 구체적으로, 본 발명에 사용하는 실리콘계 수지 이형제는 특별히 한정되지 않으며, 오일형, 용액형, 오일 컴파운드형, 에어졸형 등의 일반적인 실리콘을 사용할 수 있으며, 톨루엔, 크실렌 등의 용제 또는 유화제화 혼합되어 있는 종이형 실리콘을 이용할 수 있다.
More specifically, the silicone-based resin releasing agent to be used in the present invention is not particularly limited, and general silicon such as an oil type, a solution type, an oil compound type and an aerosol type can be used, and a silicone such as toluene, xylene, Paper-type silicon can be used.
특히, 이형층에 있어서의 실리콘계 수지는 기본 골격이 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane,PDMS)으로 이루어지는 폴리머 또는 올리고머로서, 말단이나 측쇄에 페닐기나 알킬기 등을 갖는 것이 바람직하다. 구체예로서, 폴리페닐폴리실록산, 히드록실기 치환 디페닐폴리실록산 등을 들 수 있다.
In particular, the silicone-based resin in the release layer is preferably a polymer or oligomer having a basic skeleton of polydimethylsiloxane (PDMS), and has a phenyl group, an alkyl group, or the like at the terminal or side chain. Specific examples include polyphenyl polysiloxane and hydroxyl group-substituted diphenyl polysiloxane.
한편, 상기 불소계 수지 이형제는 수지의 분자 구조식 중에 불소를 포함하는 수지이다. 상기 불소계 수지로는, 이로써 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 테트라플루오로에틸렌계 수지, 클로로트리플루오로에틸렌계 수지, 불화비닐리덴계 수지, 불화비닐계 수지, 이들 수지의 혼합물 등을 들 수 있다.
On the other hand, the fluororesin releasing agent is a resin containing fluorine in the molecular structural formula of the resin. Examples of the fluorine-based resin include, but are not limited to, tetrafluoroethylene-based resins, chlorotrifluoroethylene-based resins, vinylidene fluoride-based resins, vinyl fluoride-based resins, and mixtures of these resins .
한편, 이형성 면에서 우수한 테트라플루오로에틸렌계 수지로는, 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로(알킬비닐에테르) 공중합체 (PFA), 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-퍼플루오로(알킬비닐에테르) 공중합체 (EPE), 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌 공중합체 (FEP), 테트라플루오로에틸렌-에틸렌 공중합체 (ETFE) 등을 들 수 있고, 성형성 면에서, PFA, ETFE, FEP, EPE가 바람직하며, 강도가 우수한 점에서, ETFE가 바람직하다.
On the other hand, examples of the tetrafluoroethylene resin excellent in releasability include polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene-perfluoro (alkyl vinyl ether) copolymer (PFA), tetrafluoroethylene (Ethylene vinyl ether) copolymer (EPE), tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP), tetrafluoroethylene-ethylene copolymer (ETFE), and the like In view of moldability, PFA, ETFE, FEP and EPE are preferable, and ETFE is preferable because of its excellent strength.
한편, 상기 이형층(30)을 형성하는 이형제는 25℃에서의 점도가 3000cP 내지 100000cP 정도, 바람직하게는 4000cP 내지 10000cP 정도, 더욱 바람직하게는, 4000cP 내지 7000cP 정도이다. 상기 점도의 범위를 만족하는 경우, 제조 공정에 있어서, 이형제가 홈부(24)로 흘러 들어가지 않아, 홈부 내의 수지 패턴층(20)과 금속층 간의 접착력을 유지시킨 채, 수지 패턴층 상부(25)와 금속층 간의 접착력만을 저하시킬 수 있다.
On the other hand, the release agent for forming the
한편, 상기 이형층을 형성하는 이형제의 도포량은 특별히 한정되지 않으나, 박리성능을 고려하여 0.03~2g/㎡이 바람직하고, 0.05~0.4g/㎡이 가장 바람직하다. 기재의 종류에 따라서 이형력은 다르게 나타나지만, 도공량이 0.03g/㎡ 미만이면 박리 성능이 부족할 수 있고, 2g/㎡을 초과하면, 과량의 이형제에 의한 수지 패터층의 오염 및 홈부로 이형제가 흘러 들어가는 등의 우려가 있다.
On the other hand, the application amount of the releasing agent for forming the release layer is not particularly limited, but is preferably 0.03 to 2 g / m 2, and most preferably 0.05 to 0.4 g / m 2 in consideration of the peeling performance. If the coating amount is less than 0.03 g / m < 2 >, the peeling performance may be insufficient. If the coating amount exceeds 2 g / m < 2 >, excessive contamination of the resin layer by the release agent and the release agent There is a concern such as.
이때, 상기 이형층(30)은 그 두께가 0.001㎛ 내지 0.5㎛ 정도 바람직하게는 0.01㎛ 내지 0.3㎛정도, 더욱 바람직하게는 0.01㎛ 내지 0.1㎛ 정도일 수 있다. 두께가 너무 얇을 경우, 금속층(40)을 제거하는 단계에서 금속층(40)과 수지 패턴층(20) 사이의 접착력을 감소하는 효과를 충분히 얻기 어렵고, 상기 두께 범위를 초과하는 경우, 홈부 내에 금속층을 형성시키기 어렵고, 공정비용 증가만 초래할 뿐이다.
At this time, the thickness of the
상기 이형층(30)은 이형성을 갖는 조성물의 종류에 따라, 당해 기술 분야에 잘 알려진 이형층 형성 방법이 제한 없이 사용될 수 있다. 이로써 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, 그라비아 코팅, 메이어 바 코팅, 에어나이프코팅, 닥터나이프 코팅, 실크스크린 코팅 등의 여러 가지의 방법에 의하여 수지 패턴층 상에 도포한 뒤, 상온 처리, 가열 처리, 자외선 조사 등의 방법으로 건조, 경화하여 형성될 수 있다. 이때, 이형층의 균일성 및 공정의 편의상 실크스크린 코팅이 보다 바람직하다.
The
다음으로, ⅲ) 홈부(24) 및 이형층(30) 상에 금속층(40)을 형성하는 단계에서, 상기 금속층(40)은 이로써 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, 구리, 은, 금, 알루미늄, 니켈, 황동, 철, 크롬, 백금, 몰리브덴 또는 이들의 합금을 포함하는 것일 수 있으며, 경제성 및 전도성을 고려할 때, 이 중에서도 구리, 알루미늄 등이 특히 바람직하다.
Next, in the step of iii) forming the
한편, 상기 금속층(40)은 그 선폭이 0.1㎛ 내지 5㎛ 정도, 바람직하게는 0.3㎛ 내지 3㎛ 정도, 더 바람직하게는, 0.5㎛ 내지 2㎛ 정도일 수 있다. 금속층의 선폭이 0.1㎛ 미만인 경우, 금속층의 선폭이 너무 작아 저항이 높아지고, 전도성이 떨어진다는 문제점이 있으며, 선폭이 5㎛를 초과하는 경우에는 금속층 반사로 인해 금속선이 인지되어 제품의 외관 품질이 떨어진다는 문제점이 있기 때문이다.
On the other hand, the
이때, 상기 금속층(40)은 그 평균 두께가 홈부(24) 최대 깊이(H) 대비 1% 내지 50% 정도, 바람직하게는 5% 내지 50% 정도, 더 바람직하게는, 10% 내지 40% 정도가 되도록 형성될 수 있다. 두께가 너무 얇을 경우 충분히 낮은 수준의 저항값을 얻기가 어렵고, 두께가 홈부(24) 최대 깊이 대비 50% 이상인 경우 물리적 제거 방법에 의해 홈부(24)의 금속층(40) 또한 영향을 받아 일부 혹은 전체가 제거되어(도 5 참조), 불규칙한 금속층(40)이 형성될 수 있다.
The average thickness of the
또한, 도 2에 표시된 것을 참조하면, 상기 금속층(40)의 수직 단면의 면적(S)은 하기 식 1을 만족하는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 금속층의 수직 단면적이 작을 경우에는, 충분히 낮은 수준의 저항값을 얻기가 어렵고, 수직 단면적이 너무 큰 경우에는, 물리적 제거 방법에 의해 홈부의 금속층(40) 또한 영향을 받아 일부 혹은 전체가 제거될 수 있다.
2, the area S of the vertical cross section of the
[식 1][Formula 1]
0.01H[D-0.5H(tanθ1+tanθ2)]≤ S ≤0.7H[D-0.5H(tanθ1+tanθ2)] 0.01H [D-0.5H (tanθ 1 + tanθ 2)] ≤ S ≤0.7H [D-0.5H (tanθ 1 + tanθ 2)]
상기 식 1에서, H는 홈부의 최대 깊이를 의미하고, D는 홈부의 최대 폭을 의미하고, θ1 및 θ2는 홈부 벽면의 경사각을 의미한다.
In Equation 1, H denotes the maximum depth of the groove, D denotes the maximum width of the groove, and? 1 and? 2 mean the inclination angle of the groove portion wall surface.
상기 금속층(40)은 금속 물질을 고려하여, 적절한 방식으로 형성될 수 있다. 이때, 구체적으로, 예를 들면, 본 발명의 상기 금속층(40)은 상기 홈부(24) 및 이형층(30) 상에 상기 금속 물질을 도금하거나, 증착하거나 또는 습식 코팅함으로써 형성될 수 있다. 보다 구체적으로는, 상기 금속층(40)은 무전해 도금법, 화학기상증착법, 물리기상증착법 또는 습식 코팅법에 의해 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
The
한편, 상기 금속층(40)은 상기 수지 패턴층(20) 상에 금속을 증착시켜 형성될 수 있으며, 이때, 상기 증착은 앞서 살펴본 바와 같이, 금속의 증착 높이가 홈부 최대 깊이의 50% 이하이고, 특히 화학기상증착법 또는 물리기상증착법으로 금속층을 형성하는 경우에, 증착되는 금속 입자의 입사각도가 수직 방향을 기준으로 -15도 내지 15도 범위 내가 되도록 수행하는 것이 바람직하다. 상기 입사각도는 -10도 내지 10도 또는 -5도 내지 5도 정도인 것이 더욱 바람직하다.
The
본 발명자들의 연구에 따르면, 5㎛ 이하의 폭을 갖는 홈부에 종래에 일반적으로 사용되는 금속 세선 형성방법을 통해 금속층을 형성할 경우, 금속층(40) 제거 시에 홈부 내의 금속층(40)이 함께 제거되어 단락이 발생할 수 있었다. 그러나, 금속 증착시에 증착 높이 및 금속 입자의 입사 각도가 상기 범위를 만족할 경우, 단락 없이 미세한 금속 세선을 형성할 수 있으며, 그 결과 전도성 및 투명성이 모두 우수한 기판을 제조할 수 있다.
According to the studies of the present inventors, when a metal layer is formed through a method of forming a thin metal line conventionally used in a conventional trench having a width of 5 탆 or less, the
마지막으로, ⅳ)상기 이형층(30) 상에 형성된 금속층을 물리적인 방법으로 제거하는 단계는, 상기와 같은 방법을 통해 홈부(24) 및 이형층(30) 상에 금속층을 형성한 다음, 상기 수지 패턴층의 홈부(24)를 제외한 영역에 존재하는 금속층, 즉, 이형층(30)의 상부 표면에 부착된 금속층을 선택적으로 제거하는 단계이다. 이때, 금속층(40) 제거와 함께 이형층(30)도 제거하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 금속층의 제거는 물리적인 방법으로 수행되는 것이 바람직하다. 여기서 물리적인 방법이란, 물리적인 힘을 통해 금속층을 제거하는 것을 의미하는 것으로, 에칭과 같이 화학적 반응을 통해 금속층을 제거하는 방법과 구별되는 방법을 의미한다.
Finally, iv) removing the metal layer formed on the
보다 구체적으로는, 상기 금속층을 물리적으로 제거하는 단계는 폴리싱법, 스크래칭법, 샌드블래스팅법 또는 디태칭(detaching)법 또는 그 조합 등으로 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
More specifically, the step of physically removing the metal layer may be performed by a polishing method, a scratching method, a sandblasting method, a detaching method, or a combination thereof, but is not limited thereto.
이때, 상기 폴리싱법은 나노 입자 또는 마이크로 입자를 이용하여 금속층을 연마함으로써, 금속층을 수지 패턴층으로부터 이탈시키는 방법을 의미하고, 상기 스크래칭법은 멜라민폼 또는 조면을 갖는 직물을 이용하여 금속층을 문질러 제거하는 방법을 의미하며, 상기 샌드블래스팅법은 마이크로 입자를 금속층의 표면에 투사하여 금속층을 수지 패턴층으로부터 이탈시키는 방법을 의미한다. 또한, 상기 디태칭(detaching)법은 금속층의 일단에서부터 장력을 가하여 금속층을 수지 패턴층으로부터 이탈시키는 방법을 말한다.
Here, the polishing method refers to a method of removing a metal layer from a resin pattern layer by polishing a metal layer using nanoparticles or microparticles. In the scratching method, a metal layer is rubbed and removed using a melamine foam or a cloth having a roughened surface , And the sandblasting method refers to a method of projecting the microparticles on the surface of the metal layer to separate the metal layer from the resin pattern layer. The detaching method refers to a method of removing a metal layer from a resin pattern layer by applying tension from one end of the metal layer.
특히, 일반적으로 디태칭법의 경우, 금속층과 수지 패턴층의 접착력이 낮은 경우에 사용되는 방법으로, 본 발명의 경우, 이형층의 존재로 인하여, 수지 패턴층 상부와 금속층의 접착력이 크게 저하되는바, 디태칭 방법을 사용하는 것이 가장 바람직하다.
Particularly, in the case of the retardation method, in general, the adhesion strength between the metal layer and the resin pattern layer is low. In the case of the present invention, , It is most preferable to use a dithering method.
또한, 상기 디태칭법을 다른 제거 방법과 함께 하나의 공정에서 함께 수행이 가능하며, 예를 들면, 수지 패턴층과의 접착력이 상대적으로 높은 부분의 금속층은 스크래칭법으로, 접착력이 상대적으로 낮은 부분은 디태칭법으로 제거할 수도 있다. 보다 구체적으로, 멜라민폼 또는 조면을 갖는 직물을 개구부의 일 모서리에서부터 다른 모서리 부분까지 문질러 나감으로써 접착력이 상대적으로 높은 모서리 부분을 긁어내고, 접착력이 상대적으로 낮은 개구부의 중앙 부분은 직물을 문지를 때 발생하는 장력을 이용하여 제거할 수 있다.
For example, a portion of the metal layer having a relatively high adhesive force with the resin pattern layer may be removed by a scratching method, and a portion having a relatively low adhesive force may be removed by a scratching method. It can also be removed by the decoding method. More specifically, the fabric having a melamine foam or roughened surface is rubbed from one edge of the opening portion to the other corner portion, thereby scraping a corner portion having a relatively high adhesive force, and a central portion of the opening portion having a relatively low adhesive force is generated when the fabric is rubbed Can be removed by using a tensile force.
한편, 상기와 같이 물리적 방법을 이용하여 금속층을 제거할 경우, 종래에 사용되던 화학적 방법을 이용한 금속층 제거 방법에 비해 공정이 단순할 뿐만 아니라, 친환경적이라는 장점이 있다. 화학적 방법을 이용해 금속층을 제거할 경우에는 홈부 이외의 영역에서 금속층을 선택적으로 제거하기 위해서 홈부에 형성된 금속층 상부에 별도의 내에칭성 물질을 삽입하는 등의 방법을 통해, 홈부의 금속층을 보호할 필요가 있다. 이 경우 내에칭성 물질 삽입 공정이 추가되어 공정비용 및 제품의 수율에 영향을 줄 수 있다. 이에 비해 물리적 방법을 이용하여 금속층을 제거하는 본 발명의 경우, 추가 공정이 필요없으며, 에칭액 및 내에칭성 물질과 같은 유독성 화학물질을 사용하지 않으므로 친환경적이다. 또한, 상기와 같이 물리적 방법을 이용할 경우, 연속 공정으로 금속층을 제거할 수 있기 때문에, 생산성이 향상되고, 제조시간을 단축할 수 있다는 장점이 있다.
On the other hand, when the metal layer is removed using the physical method as described above, the metal layer removal method is advantageous in that the process is simpler and more environmentally friendly than the metal layer removal method using the conventional chemical method. In the case of removing the metal layer using a chemical method, it is necessary to protect the metal layer of the groove portion by a method of inserting an additional etch resistant material over the metal layer formed in the groove portion to selectively remove the metal layer in the region other than the groove portion . In this case, an etch resistant material inserting process may be added to affect the process cost and the yield of the product. In contrast, in the case of the present invention in which a metal layer is removed by using a physical method, no additional process is required, and it is eco-friendly because it does not use toxic chemicals such as an etchant and an etch resistant material. In addition, when the physical method is used as described above, since the metal layer can be removed by a continuous process, the productivity is improved and the manufacturing time can be shortened.
한편, 상기 금속층(40)과 이형층(30)이 접촉하는 면의 접착력은 금속층(40)과 홈부(24)가 접촉하는 면의 접착력에 비하여, 70% 이하인 것이 바람직하며, 50% 이하 또는 30% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 본 발명은 패턴층 상부(25)의 금속층을 쉽게 제거하는 것에 목적이 있는 바, 금속층과 이형층이 접촉하는 면의 접착력과 금속층과 홈부가 접촉하는 면의 접착력의 차이가 상기 범위를 만족시킬 때, 홈부 내의 금속층이 함께 제거되지 않으며, 금속층 모서리에 단락이 발생하는 현상을 최소화 할 수 있다.
On the other hand, the adhesive force of the surface of the
본 발명에 있어서, 상기 금속층과 이형층(30) 또는 금속층과 홈부(24)가 접촉하는 면의 접착력은, 금속층을 이형층 또는 패턴층 상부에 형성하여 고정한 후, 면 방향에 대해 수직(90도)한 방향으로 힘을 가하여 각각 0.5cm/s의 속도로 3cm 이동하였을때 측정한 박리력(Peel Strength)을 말하며, 이때 측정 기기로는 Stable Micro Systems사의 Texture Analyzer (모델명: TA-XT Plus)를 사용하였다.
In the present invention, the adhesion between the metal layer and the surface of the
한편, 본 발명과 같이, 금속층(40)을 수지 패턴층(20) 상에 형성시키는 경우, 선택적으로 박막을 제거하는 것이 핵심이다.
On the other hand, when the
보다 구체적으로, 도 1의 (c)에 홈부(24) 부근을 보다 자세히 나타낸 도 3을 살펴보면, 수지 패턴층 상부(25)에 형성된 이형층(30) 및 홈부(24) 상에 금속층 형성시키게 되면, 홈부(24)의 금속층과 이형층(30) 상에 형성된 금속층은 일반적으로 서로 연결되어 하나의 연속된 금속층(40)을 이루게 된다. 종래의 물리적인 방법으로 금속층을 제거하는 경우, 패턴층 상부(25)에 형성된 금속층과 홈부(24)의 금속층이 함께 제거되거나, 불완전한 제거가 일어날 수 있다(도 5 참조). 그러나, 본 발명의 경우, 상기 수지 패턴층 상부(25)에 이형층(30)을 형성함으로써, 수지 패턴층(20)과 이형층 상부에 형성된 금속층 간의 접착력을 약화시킬 수 있다. 즉, 금속층에 장력을 가하여 박막하는 디태칭법을 사용하는 경우, 수지 패턴층 상부(25)에 형성된 금속층 및 홈부(24)의 금속층의 수지 패턴층(30)에 대한 접착력이 현저히 차이 나게 되는바, 수지 패턴층 상부(25)에 형성된 금속층만 쉽게 제거시킬 수 있으므로, 홈부(24)의 금속층이 함께 제거되는 문제점을 해결할 수 있게 된다.
3, when a metal layer is formed on the
또한, 본 발명의 전도성 필름의 제조방법은, 필요에 따라, 상기 금속층을 물리적으로 제거하는 단계 이후에 수지 패턴층을 평탄화하는 단계를 추가로 포함할 수 있다(도 1의 (e) 참조). 상기 평탄화 단계를 수행할 경우, 평탄화층(50)에 의해 금속층이 산화되는 것을 방지하고, 스크래치 저항성이 향상되며 수지 형상에 의한 광산란이 줄어드는 효과가 있다.
In addition, the method for producing a conductive film of the present invention may further comprise, if necessary, a step of planarizing the resin pattern layer after the step of physically removing the metal layer (see FIG. 1 (e)). When the planarization step is performed, the metal layer is prevented from being oxidized by the
한편, 상기 평탄화 단계는 수지 패턴층(20) 및 홈부(24)에 투명한 재질의 수지 조성물을 도포하는 방식으로 수행될 수 있으며, 이때, 평탄화층(50) 형성 물질은 수지 패턴층 형성 물질과 동일하거나, 상이할 수 있다. 바람직하게는 상기 평탄화층(50)은 수지 패턴층 형성 물질과의 굴절율 차가 0.3 이하인 물질로 형성되는 것이 좋다. 평탄화층(50)과 수지 패턴층(20)의 굴절율 차가 커지면, 빛이 통과되면서 굴절, 반사 또는 산란되어 헤이즈가 발생하고, 그 결과 투명성이 저하될 수 있기 때문이다.
Meanwhile, the planarization step may be performed by applying a transparent resin composition to the
다음으로, 본 발명에 따른 전도성 필름의 제조방법에 의해 제조된 전도성 필름을 설명하기로 한다.
Next, the conductive film produced by the method for producing a conductive film according to the present invention will be described.
본 발명에 있어서, 상기 제조방법에 의해 제조된 전도성 필름은, 다수의 홈부를 포함하는 수지 패턴층; 및 상기 홈부는 금속층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
In the present invention, the conductive film produced by the above-mentioned manufacturing method comprises: a resin pattern layer including a plurality of grooves; And the groove portion includes a metal layer.
상기 전도성 필름의 구성요소인, 투명 기재, 홈부, 수지 패턴층 및 금속층은 전술한 바와 동일한 바, 자세한 설명은 생략하기로 한다.
The transparent substrate, the groove, the resin pattern layer, and the metal layer, which are components of the conductive film, are the same as those described above, and a detailed description thereof will be omitted.
상기 제조방법에 의해 제조된 전도성 필름는, 미세하고 균일한 금속층, 즉 미세하고 균일한 금속 세선이 패턴화된 것을 특징으로 한다. 종래의 제조방법에 의해 수지 패턴층 상부의 금속층을 제거하는 단계를 이용할 경우, 물리적 제거에 의해, 수지 패턴층 상부에 금속층의 잔해 및 이물질이 잔존하거나, 수지 패턴층에 손상이 가게 되어 수지 패턴층 상부의 조도가 조악한 전도성 필름을 형성하였다. 반면에, 본 발명의 제조방법에 따라, 수지 패턴층 상부에 이형층을 형성하는 경우, 금속층의 제거 시 수지 패턴층에 발생하는 잔해 및 손상을 최소화 할 수 있다. 따라서 표면이 고른 전도성 필름을 제조할 수 있다.
The conductive film produced by the above production method is characterized in that a fine and uniform metal layer, that is, a fine and uniform metal thin line is patterned. When the step of removing the metal layer above the resin pattern layer by the conventional manufacturing method is used, debris and foreign matter of the metal layer remain on the resin pattern layer due to physical removal or damage to the resin pattern layer, The upper illuminance formed a coarse conductive film. On the other hand, according to the manufacturing method of the present invention, when the release layer is formed on the resin pattern layer, it is possible to minimize the debris and damage occurring in the resin pattern layer during removal of the metal layer. Thus, a conductive film having a uniform surface can be produced.
한편, 본 발명은 박리하는 단계를 거치기 전의 중간체로서, 다수의 홈부를 포함하는 수지 패턴층; 및 상기 수지 패턴층 상부에 이형층을 포함하고, 상기 홈부는 금속층을 포함하는 전도성 필름을 제공한다.
On the other hand, the present invention relates to a resin pattern layer comprising a plurality of grooves as an intermediate before being peeled off, And a release layer on the resin pattern layer, wherein the groove portion provides a conductive film including a metal layer.
상기 전도성 필름의 구성요소인, 투명 기재, 홈부, 수지 패턴층, 금속층 및 이형층은 전술한 바와 동일한 바, 자세한 설명은 생략하기로 한다.
The transparent substrate, the groove, the resin pattern layer, the metal layer, and the release layer, which are components of the conductive film, are the same as those described above, and a detailed description thereof will be omitted.
상기와 같은 방법에 의해 제조된 전도성 필름은, 터치 패널, 유기태양전지용 전극, 투명 OLED, 전자파 차폐 필름, 발열 유리 등에 유용하게 적용될 수 있다. 본 발명의 방법에 따르면, 금속층을 매우 미세하게 형성하는 것이 가능하기 때문에, 금속층 즉, 금속 세선의 반사에 따른 투명성 저하를 최소화할 수 있고, 그 결과 고도의 투명성을 갖는 투명 기판을 제조할 수 있기 때문에, 터치 패널이나 투명 OLED와 같은 디스플레이 분야에서 매우 유용하게 적용될 수 있다.
The conductive film produced by the above method can be applied to a touch panel, an electrode for an organic solar battery, a transparent OLED, an electromagnetic wave shielding film, a heating glass, and the like. According to the method of the present invention, since it is possible to form the metal layer very finely, it is possible to minimize the deterioration of transparency due to the reflection of the metal layer, that is, the metal thin wire, and as a result, a transparent substrate having high transparency can be manufactured Therefore, it can be very usefully applied to a display field such as a touch panel or a transparent OLED.
10 : 투명 기재
20 : 수지 패턴층
24 : 홈부
25 : 수지 패턴층 상부
30 : 이형층
40 : 금속층
50 : 평탄화층
D : 홈부의 최대 폭
H : 홈부의 최대 깊이
θ1, θ2 : 홈부 벽면의 경사각
r : 곡률반경10: transparent substrate
20: Resin pattern layer
24:
25: upper part of the resin pattern layer
30:
40: metal layer
50: planarization layer
D: Maximum width of the groove portion
H: maximum depth of groove
θ 1 , θ 2 : the inclination angle of the wall portion of the groove portion
r: Curvature radius
Claims (17)
상기 수지 패턴층 상부에 이형층을 형성하는 단계;
상기 홈부 및 이형층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및
상기 이형층 상에 형성된 금속층을 물리적으로 제거하는 단계를 포함하는 전도성 필름의 제조방법.
Forming a resin pattern layer including a plurality of grooves;
Forming a release layer on the resin pattern layer;
Forming a metal layer on the trench and the release layer; And
And physically removing the metal layer formed on the release layer.
상기 수지 패턴층은 활성 에너지선 경화형 수지, 열 경화형 수지, 전도성 고분자 수지 또는 이들의 조합을 포함하는 전도성 필름의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the resin pattern layer comprises an active energy ray-curable resin, a thermosetting resin, a conductive polymer resin, or a combination thereof.
상기 홈부는 최대 폭이 0.1㎛ 내지 5㎛이고, 최대 깊이가 0.1㎛ 내지 15㎛인 전도성 필름의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the groove has a maximum width of 0.1 to 5 占 퐉 and a maximum depth of 0.1 to 15 占 퐉.
상기 이형층은 실리콘계 수지, 불소계 수지, 멜라민계 수지, 파라핀 왁스 또는 이들의 혼합물을 포함하는 이형제를 이용하여 형성된 것인 전도성 필름의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the releasing layer is formed using a releasing agent comprising a silicone resin, a fluorine resin, a melamine resin, a paraffin wax or a mixture thereof.
상기 이형층을 형성하는 이형제는 25℃에서의 점도가 3000cP 내지 100000cP인 전도성 필름의 제조방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the releasing agent for forming the releasing layer has a viscosity at 25 DEG C of from 3000 cP to 100000 cP.
상기 이형층은 두께가 0.001㎛ 내지 0.5㎛ 인 전도성 필름의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the release layer has a thickness of 0.001 탆 to 0.5 탆.
상기 수지 패턴층 상부에 이형층을 형성하는 단계는 그라비아 코팅, 메이어 바 코팅, 에어나이프코팅, 닥터나이프 코팅 또는 실크스크린 코팅 방법에 의해 수행되는 전도성 필름의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the release layer on the resin pattern layer is performed by a gravure coating method, a Meyer bar coating method, an air knife coating method, a doctor knife coating method or a silk screen coating method.
상기 금속층은 구리, 은, 금, 알루미늄, 니켈, 황동, 철, 크롬, 백금, 몰리브덴 또는 이들의 합금을 포함하는 전도성 필름의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the metal layer comprises copper, silver, gold, aluminum, nickel, brass, iron, chromium, platinum, molybdenum or an alloy thereof.
상기 금속층은 그 평균 두께가 홈부 최대 깊이 대비 1% 내지 50% 전도성 필름의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the metal layer has an average thickness of 1% to 50% of the maximum depth of the groove.
상기 금속층의 수직 단면의 면적(S)은 하기 식 1을 만족하는 것인 전도성 필름의 제조방법.
[식 1]
0.01H[D-0.5H(tanθ1+tanθ2)]≤ S ≤0.7H[D-0.5H(tanθ1+tanθ2)]
(상기 식 1에서, H는 홈부의 최대 깊이를 의미하고, D는 홈부의 최대 폭을 의미하고, θ1 및 θ2는 홈부 벽면의 경사각을 의미함.)
The method according to claim 1,
(S) of the vertical cross section of the metal layer satisfies the following formula (1): " (1) "
[Formula 1]
0.01H [D-0.5H (tanθ 1 + tanθ 2)] ≤ S ≤0.7H [D-0.5H (tanθ 1 + tanθ 2)]
(Where H denotes the maximum depth of the groove portion, D denotes the maximum width of the groove portion, and? 1 and? 2 mean the inclination angle of the groove portion wall surface).
상기 수지 패턴층 상에 금속층을 형성하는 단계는 무전해 도금법, 화학기상증착법, 물리기상증착법 또는 습식 코팅법에 의해 수행되는 것인 전도성 필름의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the metal layer on the resin pattern layer is carried out by an electroless plating method, a chemical vapor deposition method, a physical vapor deposition method, or a wet coating method.
상기 이형층 상에 형성된 금속층을 물리적인 방법으로 제거하는 단계는 폴리싱법, 스크래칭법, 샌드블래스팅법, 디태칭법 또는 이들의 조합으로 수행되는 것인 전도성 필름의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of removing the metal layer formed on the release layer by a physical method is performed by a polishing method, a scratching method, a sandblasting method, a dithering method, or a combination thereof.
상기 금속층과 이형층이 접촉하는 면의 접착력은 금속층과 홈부가 접촉하는 면의 접착력 대비 70% 이하인 것인 전도성 필름의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the adhesive force of the surface of the metal layer and the surface of the release layer contacting the metal layer is 70% or less of the adhesive force of the surface of the metal layer contacting the groove.
상기 금속층을 제거하는 단계 이후에 상기 수지 패턴층을 평탄화하는 단계를 추가로 포함하는 전도성 필름의 제조방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of planarizing the resin pattern layer after the step of removing the metal layer.
다수의 홈부를 포함하는 수지 패턴층; 및
상기 홈부 내에 형성되는 금속층을 포함하는 전도성 필름.
15. A method of manufacturing a semiconductor device, which is manufactured by any one of claims 1 to 14,
A resin pattern layer including a plurality of grooves; And
And a metal layer formed in the groove.
상기 금속층의 수직 단면의 면적(S)은 하기 식 1을 만족하는 것인 전도성 필름.
[식 1]
0.01H[D-0.5H(tanθ1+tanθ2)]≤ S ≤0.7H[D-0.5H(tanθ1+tanθ2)]
(상기 식 1에서, H는 홈부의 최대 깊이를 의미하고, D는 홈부의 최대 폭을 의미하고, θ1 및 θ2는 홈부 벽면의 경사각을 의미함.)
16. The method of claim 15,
(S) of the vertical cross section of the metal layer satisfies the following formula (1): " (1) "
[Formula 1]
0.01H [D-0.5H (tanθ 1 + tanθ 2)] ≤ S ≤0.7H [D-0.5H (tanθ 1 + tanθ 2)]
(Where H denotes the maximum depth of the groove portion, D denotes the maximum width of the groove portion, and? 1 and? 2 mean the inclination angle of the groove portion wall surface).
상기 수지 패턴층 상부에 형성되는 이형층; 및
상기 홈부 내에 형성되는 금속층을 포함하는 전도성 필름.A resin pattern layer including a plurality of grooves;
A release layer formed on the resin pattern layer; And
And a metal layer formed in the groove.
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