KR20150144915A - Substrate treating apparatus and method - Google Patents
Substrate treating apparatus and method Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150144915A KR20150144915A KR1020140073804A KR20140073804A KR20150144915A KR 20150144915 A KR20150144915 A KR 20150144915A KR 1020140073804 A KR1020140073804 A KR 1020140073804A KR 20140073804 A KR20140073804 A KR 20140073804A KR 20150144915 A KR20150144915 A KR 20150144915A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- nozzle member
- substrate
- treatment liquid
- liquid
- spraying
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD}[0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD [0002]
반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들이 수행된다. 각각의 공정에서 생성된 이물 및 파티클을 제거하기 위해 각각의 공정이 진행되기 전 또는 후 단계에는 기판을 세정하는 세정공정이 실시된다. In order to manufacture semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition are performed on the substrate. A cleaning process is carried out to clean the substrate before or after each process for removing foreign matters and particles generated in each process.
세정공정으로는 기판 상에 잔류하는 이물 및 파티클을 제거하기 위해 케미칼을 분사하거나, 가스가 혼합된 처리액을 분사하거나, 진동이 제공된 처리액을 분사하는 등 다양한 방식이 사용된다. In the cleaning process, various methods are used, such as spraying a chemical to remove foreign particles and particles remaining on the substrate, spraying a mixed process liquid with gas, or spraying a process liquid provided with vibration.
이 중 진동을 이용하여 처리액을 분사하는 방식은 처리액의 입자 크기를 다양하게 조절할 수 있는 장점을 가지고 있다. 입자 크기가 조절된 처리액은 기판 상에 잔류하는 이물 및 파티클의 부착력을 약화시키거나 이를 제거한다. 이 때, 처리액이 기판 상에 전달하는 충격량이 강하면, 기판 상의 패턴 리닝 현상이 발생할 수 있다. 따라서, 처리액이 전달하는 충격량을 완화하기 위한 보호액이 공급된다.Among them, the method of spraying the treatment liquid by using the vibration has an advantage of variously controlling the particle size of the treatment liquid. The particle size controlled process liquid weakens or removes adherence of particles and particles remaining on the substrate. At this time, if the amount of impulse delivered to the substrate by the treatment liquid is strong, a pattern lining phenomenon may occur on the substrate. Therefore, a protective liquid for relieving the amount of the impulse delivered by the treatment liquid is supplied.
본 발명은 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 공급하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving cleaning efficiency.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판을 처리하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징 내에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드, 그리고 상기 스핀헤드에 놓인 기판으로 처리액을 분사하는 분사유닛을 포함하되, 상기 분사유닛은, 제 1 처리액을 분사하는 제 1 노즐부재, 제 2 처리액을 분사하는 제 2 노즐부재 그리고 상기 제 1 노즐부재 및 상기 제 2 노즐부재를 지지하는 노즐암을 포함하되, 상기 제 1 노즐부재는, 내부에 상기 제 1 처리액이 흐르는 분사유로 및 상기 분사유로와 연통되어 상기 기판으로 상기 제 1 처리액을 분사하는 제 1 토출구를 포함하는 몸체 및 상기 몸체 내에 설치되고, 상기 분사유로에 흐르는 상기 제 1 처리액에 진동을 제공하는 진동자를 포함하고, 상기 제 2 노즐부재는, 상기 기판으로 상기 제 2 처리액을 수직하게 토출하는 제 2 토출구를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a housing for providing a space for processing a substrate therein, a spin head for supporting and rotating the substrate in the housing, And a spray unit for spraying the treatment liquid onto the substrate placed on the spin head, wherein the spray unit comprises: a first nozzle member for spraying the first treatment liquid; a second nozzle member for spraying the second treatment liquid; Wherein the first nozzle member includes an injection path through which the first processing liquid flows and an injection path through which the first processing liquid flows and the first nozzle member is connected to the first nozzle member and the second nozzle member, A body including a first discharge port for spraying a treatment liquid and a vibrator provided in the body and providing vibration to the first treatment liquid flowing in the injection path, 2, the nozzle member is, as the substrate may include a second discharge opening perpendicular to the ejection of the second treatment liquid.
상기 기판으로 상기 제 2 처리액을 수직하게 토출하는 제 2 토출구를 포함할 수 있다.And a second discharge port for discharging the second processing liquid vertically to the substrate.
상기 제 2 노즐부재는 상기 제 1 노즐부재보다 상기 노즐암의 일단에 인접하게 제공될 수 있다.The second nozzle member may be provided adjacent to one end of the nozzle arm rather than the first nozzle member.
상부에서 바라볼 때, 상기 제 1 노즐부재는 원형 형상으로 제공되고, 상기 제 2 노즐부재는 상기 제 1 노즐부재를 감싸는 호 형상으로 제공될 수 있다.The first nozzle member may be provided in a circular shape and the second nozzle member may be provided in an arc shape surrounding the first nozzle member.
상부에서 바라볼 때, 상기 제 2 노즐부재의 호 형상의 폭은 상기 제 1 노즐부재의 직경을 넓게 제공될 수 있다.When viewed from the top, the arc-shaped width of the second nozzle member can be provided to widen the diameter of the first nozzle member.
상기 제 2 토출구는 슬릿 형상일 수 있다.The second discharge port may have a slit shape.
상기 제 2 토출구는 원형의 토출홀들을 복수 개 포함할 수 있다.The second discharge port may include a plurality of circular discharge holes.
상부에서 바라볼 때, 상기 분사유로는 링 형상의 제 1 영역 및 제 2 영역을 가지고, 상기 제 1 영역의 반지름은 상기 제 2 영역의 반지름보다 클 수 있다.The injection path has a ring-shaped first region and a second region, and the radius of the first region may be greater than the radius of the second region.
상부에서 바라볼 때, 상기 제 1 영역의 상기 제 1 토출구는 상기 제 1 영역을 따라 일열로 제공되고, 상기 제 2 영역의 상기 제 1 토출구는 상기 제 2 영역을 따라 이열로 제공될 수 있다. The first discharge port of the first area may be provided in a row along the first area and the first discharge port of the second area may be provided in a second row along the second area.
상기 제 1 처리액은 세정액이고, 상기 제 2 처리액은 보호액일 수 있다.The first treatment liquid may be a cleaning liquid, and the second treatment liquid may be a protective liquid.
본 발명의 실시예에 의하면, 세정 효율이 향상된 분사 유닛 및 기판 처리 장치를 제공할 수 있다. According to the embodiments of the present invention, it is possible to provide a spraying unit and a substrate processing apparatus with improved cleaning efficiency.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.
도 1는 기판처리설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3는 도 2의 제 1 노즐부재를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 제 1 노즐부재를 보여주는 저면도이다.
도 5는 제 2 노즐부재가 제 2 처리액을 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 5의 제 2 노즐부재를 보여주는 저면도이다.
도 7은 제 2 토출구의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 8은 제 2 토출구의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 9는, 제 2 노즐부재가 기판 상에 제 2 처리액을 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility.
2 is a sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG.
3 is a cross-sectional view showing the first nozzle member of Fig.
Fig. 4 is a bottom view showing the first nozzle member of Fig. 3; Fig.
Fig. 5 is a view showing a state in which the second nozzle member supplies the second treatment liquid. Fig.
Figure 6 is a bottom view showing the second nozzle member of Figure 5;
7 is a view showing an example of the second discharge port.
8 is a view showing another example of the second discharge port.
9 is a view showing a state in which the second nozzle member supplies the second treatment liquid onto the substrate.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.
이하, 도 1 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 9. FIG.
도 1은 본 발명의 기판처리설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility of the present invention. Referring to FIG. 1, the
로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is seated in the
공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 공정챔버(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정챔버(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The
공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. In the
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판처리장치(300)는 하우징(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 분사 유닛(380)을 가진다. 하우징(320)은 기판처리공정이 수행되는 공간을 가지며, 그 상부는 개방된다. 하우징(320)은 내부회수통(322), 및 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부회수통(322)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.2 is a sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2, the
스핀헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.The
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are spaced apart from the edge of the upper surface of the
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of the chuck pins 346 are provided. The
승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The
분사 유닛(380)은 기판(W) 상으로 처리액을 분사한다. 분사유닛은 다양한 종류의 처리액을 분사하거나, 동일한 종류의 처리액을 다양한 방식으로 분사하도록 복수 개로 제공될 수 있다. 분사 유닛(380)은 지지축(386), 노즐암(382), 제 1 노즐부재(400), 그리고 제 2 노즐부재(480)를 포함한다. 지지축(386)은 하우징(320)의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동 부재(388)에 의해 스윙 및 승강된다. 이와 달리 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 수평 방향으로 직선 이동 및 승강할 수 있다. 지지축의 상단에는 노즐암(382)이 고정결합된다. 노즐암(382)은 제 1 노즐부재(400) 및 제 2 노즐부재(480)를 지지한다. 제 1 노즐부재(400) 및 제 2 노즐부재(480)는 노즐암(382)의 끝단에 위치된다. 예컨대, 제 2 노즐부재(480)는 제 1 노즐부재(400)에 비해 노즐암(382)의 끝단에 가깝게 위치될 수 있다.The
도 3은 도 2의 제 1 노즐부재(400)를 보여주는 단면도이다. 도 4는 도 3의 제 1 노즐부재(400)를 보여주는 저면도이다. 상부에서 바라볼 때, 제 1 노즐부재(400)는 원형으로 제공된다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 제 1 노즐부재(400)는 제 1 처리액을 잉크젯 방식으로 분사한다. 제 1 노즐부재(400)는 몸체(410,430), 진동자(436), 처리액 공급라인(450), 그리고 처리액 회수라인(460)을 포함한다. 몸체(410,430)는 하판(410) 및 상판(430)을 가진다. 하판(410)은 원통 형상을 가지도록 제공된다. 하판(410)의 내부에는 제 1 처리액이 흐르는 분사유로(412)가 형성된다. 하판(410)의 저면에는 제 1 처리액을 분사하는 복수의 제 1 토출구(414)들이 형성되고, 각각의 제 1 토출구(414)는 분사유로(412)와 연통되게 제공된다. 제 1 토출구(414)는 미세공으로 제공된다. 분사유로(412)는 제 1 영역(412b), 제 2 영역(412c), 그리고 제 3 영역(412a)을 가질 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 제 1 영역(412b)과 제 2 영역(412c)은 링 형상으로 제공된다. 이 때, 제 1 영역(412b)의 반지름은 제 2 영역(412c)의 반지름보다 크다. 제 1 영역(412b)의 제 1 토출구(414)는, 제 1 영역(412b)을 따라 일열로 제공될 수 있다. 제 2 영역(412c)의 제 1 토출구(414)는, 제 2 영역(412c)을 따라 이열로 제공될 수 있다. 제 3 영역(412a)은 제 1 영역(412b) 및 제 2 영역(412c)을 유입유로(432)와 연결한다. 제 3 영역(412a)은 제 1 영역(412b) 및 제 2 영역(412c)을 회수유로(434)와 연결한다. 일 예로, 도 5와 같이, 제 3 영역(412a)은 유입유로(432) 또는 회수유로(434)와 제 3 영역(412a)까지 연결할 수 있다. 상판(430)은 하판(410)과 동일한 직경을 가지는 원통 형상으로 제공된다. 상판(430)은 하판(410)의 상면에 고정결합된다. 상판(430)의 내부에는 유입유로(432) 및 회수유로(434)가 형성된다. 유입유로(432) 및 회수유로(434)는 분사유로(412)의 제2영역(412b)과 통하도록 제공된다. 유입유로(432)는 분사유로(412)에 제 1 처리액이 유입되는 입구로 기능하고, 회수유로(434)는 분사유로(412)로부터 제 1 처리액이 회수되는 출구로 기능한다. 유입유로(432)와 회수유로(434)는 제 1 노즐부재(400)의 중심을 기준으로 서로 마주보도록 위치된다.3 is a cross-sectional view showing the
상판(430)의 내부에는 진동자(436)가 위치된다. 상부에서 바라볼 때, 진동자(436)는 원판 형상을 가지도록 제공된다. 일 예로, 진동자(436)은 제 1 영역(412b)과 동일한 직경을 가지도록 제공된다. 선택적으로 진동자(436)의 직경은 제 1 영역(412b)의 직경보다 크고, 상판(430)의 직경보다 작게 제공될 수 있다. 진동자(436)는 외부에 위치된 전원(438)과 전기적으로 연결된다. 진동자(436)는 분사되는 제 1 처리액에 진동을 제공하여 제 1 처리액의 입자 크기 및 유속을 제어한다. 일 예에 의하면, 진동자(436)는 압전소자일 수 있다. 제 1 처리액은 세정액으로 제공된다. 일 예로, 제 1 처리액은 전해이온수일 수 있다. 제 1 처리액은 수소수, 산소수, 그리고 오존수 중 어느 하나이거나 이들을 포함할 수 있다. 선택적으로 제 1 처리액은 순수일 수 있다.A
처리액 공급라인(450)은 유입유로(432)에 제 1 처리액을 공급하고, 처리액 회수라인(460)은 회수유로(434)로부터 제 1 처리액을 회수한다. 처리액 공급라인(450)은 유입유로(432)에 연결되고, 처리액 회수라인(460)은 회수유로(434)에 연결된다. 처리액 공급라인(450) 상에는 펌프(452)가 설치되고, 처리액 회수라인(460) 상에는 개폐밸브(462)가 설치된다. 펌프(452)는 처리액 공급라인(450)에서 유입유로(432)로 공급되는 제 1 처리액을 가압한다. 개폐밸브(462)는 처리액 회수라인(460)을 개폐한다. 일 예에 의하면, 공정 대기 중에는 개폐밸브(462)가 처리액 회수라인(460)을 개방한다. 이로 인해 제 1 처리액은 처리액 회수라인(460)을 통해 회수되고, 제1분사홀(414)을 통해 분사되지 않는다. 이와 달리, 공정 진행 중에는 개폐밸브(462)가 처리액 회수라인(460)을 닫는다. 이로 인해 분사유로(412)에 제 1 처리액이 채워지고, 분사유로(412)의 내부 압력이 높아지며, 진동자(436)에 전압이 인가되면, 제 1 처리액은 제1분사홀(414)을 통해 분사될 수 있다. The treatment
도 5는 도 2의 제 2 노즐부재(480)가 제 2 처리액을 공급하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 6은 도 5의 제 2 노즐부재(480)를 보여주는 저면도이다. 도 7은 제 2 토출구(480b)의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 8은 제 2 토출구(480c)의 다른 예를 보여주는 도면이다. 도 9는, 제 2 노즐부재(480)가 기판 상에 제 2 처리액을 공급하는 모습을 보여주는 도면이다. 이하, 도 5 내지 도 9를 이용하여 제 2 노즐부재(480)를 설명한다. Fig. 5 is a view showing a state in which the
제 2 노즐부재(480)는 기판 상에 제 2 처리액을 공급한다. 제 2 노즐부재(480)는 제 1 노즐부재(400)가 제 1 처리액을 공급할 때, 이와 동시에 제 2 처리액을 공급한다. 이 때, 제 2 노즐부재(480)는 제 1 노즐부재(400)가 제 1 처리액을 공급 시작하기 전에 먼저 제 2 처리액을 공급할 수 있다. 일 예로, 제 2 노즐부재(480)는 제 2 처리액을 적하방식으로 분사할 수 있다. 제 2 노즐부재(480)는 제 1 노즐부재(400)의 일부를 감싸도록 제공된다. 제 2 노즐부재(480)는 제 1 노즐부재(400)보다 노즐암(382)의 일단에 인접하게 제공된다. 제 2 노즐부재(480)는 기판 상에 제 2 처리액을 수직하게 토출하는 제 2 토출구(482)를 가진다. 상부에서 바라볼 때, 제 2 노즐부재(480)는 제 1 노즐부재(400)를 감싸는 호 형상으로 제공된다. 이 때, 제 1 노즐부재(400)와 제 2 노즐부재(480)는 동심을 가질 수 있다. 도 6을 참조하면, 제 2 노즐부재(480)의 일단에서 타단까지의 직선 거리(L)는, 제 1 노즐부재(400)의 직경(D)보다 길게 제공될 수 있다. 제 2 처리액은 보호액으로 제공된다. 일 예로, 제 2 처리액은 암모니아와 과산화수소를 포함하는 용액일 수 있다. 제 2 처리액은 기판(W) 상에 액막을 형성하고, 액막은 제 1 처리액이 기판(W)에 미치는 충격량을 완화시킨다. 이로 인해, 제 1 처리액에 의해 기판(W)상의 패턴이 쓰러지는 것을 방지할 수 있다. 제 2 처리액은 순수일 수 있다. 제 2 노즐부재(480)는 제 2 토출구(480)를 포함한다. 제 2 토출구(480)는 제 2 처리액을 기판에 수직하게 토출한다. 일 예로, 제 2 토출구(480)는 단일의 슬릿 형상(480a)으로 제공될 수 있다. 선택적으로, 제 2 토출구(480b)는 원형의 토출홀(480c)들을 복수 개 포함할 수 있다. 제 2 노즐부재(480)가 기판에 제 2 처리액을 분사하는 동안, 제 1 노즐부재(400) 또한 제 1 처리액을 기판 상으로 분사한다. 이 때, 제 2 노즐부재(480)는 제 1 노즐부재(400)가 제 1 처리액 분사를 시작하기 전에 제 2 처리액을 먼저 분사할 수 있다. 제 1 노즐부재(400) 및 제 2 노즐부재(480)는 각각 처리액 분사시, 기판의 중심 상부에 위치될 수 있다. 제 2 노즐부재(480)는 제 1 처리액이 분사되는 기판(W)의 영역과 인접한 영역으로 제 2 처리액을 분사할 수 있다. 제 2 처리액이 분사된 영역은 제 1 처리액이 분사된 영역에 비해 기판(W)의 중심영역에 더 가까울 수 있다. 선택적으로, 제 2 노즐부재(480)는 호 형상이 아닌 바 형상으로 제공될 수 있다. The
본 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 제 2 노즐부재(480)가 제 1 노즐부재(400)를 감싸는 형태로 제공되어, 제 1 토출구와 제 2 토출구의 거리 및 각각의 토출구와 기판 사이의 거리 차이를 줄일 수 있다. 또한, 기판 회전 속도에 따른 제 2 처리액의 액막 두께 산포를 줄일 수 있다. 또한, 종래의 일반적인 기판 처리 장치의 경우, 제 2 처리액을 기판 상에 경사지게 공급할 수 있다. 이러한 경우, 초기 접액부의 제 2 처리액들이 밀려, 액막 사이에 두께 편차가 발생한다. 일 예로, 초기 접액부에는 보호액이 두껍게 형성되나, 이에 멀어질수록 보호액막이 얇게 형성된다. 따라서, 액막 두께에 따라, 제 1 처리액의 충격량 차이가 발생하여 패턴 리닝 현상이 발생할 수 있다. 또한, 액막 두께 편차 및 기판 회전 속도에 따라 세정 효율이 차이날 수 있다. 그러나 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 제 2 노즐부재(480)가 제 2 처리액을 수직하게 토출한다. 따라서, 초기 접액부와 말기 접액부 사이에 제 2 처리액의 액막 두께 편차를 줄일 수 있다. 이에 따라, 제 1 처리액 분사시 충격량 차이를 줄일 수 있고, 분사 영역과 상관없이 균일한 세정 효율을 얻을 수 있다. In the substrate processing apparatus according to the present embodiment, the
이상에서 설명한 기판 처리 장치는 기판 세정 공정 뿐만 아니라 다양한 공정에 사용될 수 있다. 일 예로, 기판 식각 공정에도 사용될 수 있다. 또한, 기판 처리 장치는 별도의 린스액 부재를 포함할 수 있다. The above-described substrate processing apparatus can be used for various processes as well as a substrate cleaning process. For example, it can be used in a substrate etching process. Further, the substrate processing apparatus may include a separate rinsing liquid member.
이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. The present invention is not limited to the drawings. In addition, the embodiments described herein are not limited to be applied, and all or some of the embodiments may be selectively combined so that various modifications can be made.
320: 하우징
340: 스핀헤드
380: 분사유닛
382: 노즐암
400: 제 1 노즐부재
412: 분사유로
414: 제 1 토출구
436: 진동자
480: 제 2 노즐부재320: housing
340: spin head
380: injection unit
382: nozzle arm
400: first nozzle member
412:
414: first discharge port
436: Oscillator
480: second nozzle member
Claims (15)
상기 하우징 내에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드; 그리고
상기 스핀헤드에 놓인 기판으로 처리액을 분사하는 분사유닛을 포함하되,
상기 분사유닛은,
제 1 처리액을 분사하는 제 1 노즐부재;
제 2 처리액을 분사하는 제 2 노즐부재; 그리고
상기 제 1 노즐부재 및 상기 제 2 노즐부재를 지지하는 노즐암을 포함하되,
상기 제 1 노즐부재는,
내부에 상기 제 1 처리액이 흐르는 분사유로 및 상기 분사유로와 연통되어 상기 기판으로 상기 제 1 처리액을 분사하는 제 1 토출구를 포함하는 몸체; 및
상기 몸체 내에 설치되고, 상기 분사유로에 흐르는 상기 제 1 처리액에 진동을 제공하는 진동자를 포함하고,
상기 제 2 노즐부재는 상기 제 1 노즐부재의 일부를 감싸는 형상으로 제공되는 기판처리장치.A housing for providing a space for processing the substrate therein;
A spin head for supporting and rotating the substrate within the housing; And
And a spray unit for spraying the treatment liquid onto the substrate placed on the spin head,
Wherein the injection unit comprises:
A first nozzle member for spraying a first treatment liquid;
A second nozzle member for spraying a second treatment liquid; And
And a nozzle arm for supporting the first nozzle member and the second nozzle member,
Wherein the first nozzle member comprises:
A body including a jet flow path through which the first processing liquid flows, and a first discharge port communicating with the jet flow path and jetting the first processing liquid onto the substrate; And
And a vibrator installed in the body and providing vibration to the first treatment liquid flowing in the injection path,
Wherein the second nozzle member is provided in a shape to enclose a part of the first nozzle member.
상기 제 2 노즐부재는 상기 제 1 노즐부재보다 상기 노즐암의 일단에 인접하게 제공되는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the second nozzle member is provided adjacent to one end of the nozzle arm than the first nozzle member.
상부에서 바라볼 때, 상기 제 1 노즐부재는 원형 형상으로 제공되고, 상기 제 2 노즐부재는 상기 제 1 노즐부재를 감싸는 호 형상으로 제공되는 기판처리장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first nozzle member is provided in a circular shape and the second nozzle member is provided in an arc shape surrounding the first nozzle member when viewed from above.
상부에서 바라볼 때, 상기 제 2 노즐부재의 일단과 타단의 직선 거리는 상기 제 1 노즐부재의 직경보다 길게 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein a straight line distance between one end and the other end of the second nozzle member is longer than a diameter of the first nozzle member when viewed from above.
상기 제 1 노즐부재와 상기 제 2 노즐부재는 동심을 갖는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the first nozzle member and the second nozzle member are concentric.
상기 제 2 노즐부재는 상기 제 2 처리액을 수직하게 토출하는 제 2 토출구를 더 포함하는 기판처리장치.6. The method of claim 5,
And the second nozzle member further includes a second discharge port for vertically discharging the second processing liquid.
상기 제 2 노즐부재는 상기 제 2 처리액을 토출하는 슬릿 형상의 제 2 토출구를 더 포함하는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
And the second nozzle member further comprises a second discharge port in the form of a slit for discharging the second treatment liquid.
상기 제 2 노즐부재는 상기 제 2 처리액을 토출하는 원형의 제 2 토출구를 더 포함하는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
And the second nozzle member further comprises a circular second discharge port for discharging the second treatment liquid.
상부에서 바라볼 때, 상기 분사유로는 링 형상의 제 1 영역 및 제 2 영역을 가지고,
상기 제 1 영역의 반지름은 상기 제 2 영역의 반지름보다 큰 기판처리장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
When viewed from the top, the injection path has a ring-shaped first region and a second region,
Wherein the radius of the first region is greater than the radius of the second region.
상부에서 바라볼 때,
상기 제 1 영역의 상기 제 1 토출구는 상기 제 1 영역을 따라 일열로 제공되고, 상기 제 2 영역의 상기 제 1 토출구는 상기 제 2 영역을 따라 이열로 제공되는 기판처리장치.10. The method of claim 9,
From the top,
Wherein the first discharge port of the first area is provided in a row along the first area, and the first discharge port of the second area is provided in a second row along the second area.
상기 제 1 처리액은 세정액이고,
상기 제 2 처리액은 암모니아와 과산화수소를 포함하는 혼합액인 기판처리장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The first treatment liquid is a cleaning liquid,
Wherein the second treatment liquid is a mixed solution containing ammonia and hydrogen peroxide.
상기 제 2 처리액이 상기 기판 상에 분사되는 동안 상기 제 1 처리액이 분사되는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate using a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the first processing liquid is ejected while the second processing liquid is ejected onto the substrate.
상기 제 2 처리액은 상기 제 1 처리액보다 먼저 분사되기 시작하는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
And the second process liquid starts to be injected before the first process liquid.
상기 제 1 노즐부재는 상기 제 1 처리액을 잉크젯 방식으로 분사하고,
상기 제 2 노즐부재는 상기 제 2 처리액을 적하 방식으로 분사하는 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the first nozzle member ejects the first processing liquid in an inkjet manner,
And the second nozzle member is configured to spray the second process liquid in a dropping manner.
상기 제 1 노즐부재 및 상기 제 2 노즐부재는 각각 상기 제 1 처리액 및 상기 제 2 처리액을 분사할 때, 상기 기판의 중심 상부에 위치하는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
Wherein the first nozzle member and the second nozzle member are positioned above the center of the substrate when spraying the first process solution and the second process solution, respectively.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140073804A KR102250360B1 (en) | 2014-06-17 | 2014-06-17 | Substrate treating apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140073804A KR102250360B1 (en) | 2014-06-17 | 2014-06-17 | Substrate treating apparatus and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150144915A true KR20150144915A (en) | 2015-12-29 |
KR102250360B1 KR102250360B1 (en) | 2021-05-12 |
Family
ID=56506364
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140073804A KR102250360B1 (en) | 2014-06-17 | 2014-06-17 | Substrate treating apparatus and method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102250360B1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014041916A (en) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | Apparatus for processing semiconductor and method for manufacturing semiconductor device using the same |
KR20140032468A (en) * | 2011-03-01 | 2014-03-14 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | Nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method |
KR20140058190A (en) * | 2012-11-06 | 2014-05-14 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
-
2014
- 2014-06-17 KR KR1020140073804A patent/KR102250360B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140032468A (en) * | 2011-03-01 | 2014-03-14 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | Nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method |
JP2014041916A (en) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | Apparatus for processing semiconductor and method for manufacturing semiconductor device using the same |
KR20140058190A (en) * | 2012-11-06 | 2014-05-14 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102250360B1 (en) | 2021-05-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101536722B1 (en) | Method for treating substrate | |
KR101658969B1 (en) | Substrate treating apparatus and method | |
KR101681189B1 (en) | Inspecting unit and method, Apparatus for treating a substrate with the unit | |
JP2013207303A (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
KR101842128B1 (en) | Nozzle, Apparatus for treating a substrate with the same | |
KR20160008720A (en) | Substrate treating apparatus and method | |
KR101654623B1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate cleaning method | |
KR102012207B1 (en) | Liquid supplying unit and Apparatus for treating substrate with the unit | |
KR102262110B1 (en) | Discharging unit, substrate treating apparatus | |
KR102096945B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR101641948B1 (en) | Substrate treating apparatus and chemical nozzle | |
KR101870664B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR20160141249A (en) | Nozzle, Apparatus and method for treating a substrate with the same | |
KR102250359B1 (en) | Substrate treating apparatus and method | |
KR102404086B1 (en) | Apparatus and method for treating a substrate | |
KR102250360B1 (en) | Substrate treating apparatus and method | |
KR20170118995A (en) | Nozzle member and Apparatus for treating substrate with the nozzle member | |
KR20130039890A (en) | Nozzle | |
KR20140090588A (en) | Method for treating substrate | |
KR101885566B1 (en) | Vibration device, method for manufacturing the same, and apparatus for processing substrate including the same | |
KR101870654B1 (en) | Method for supplying fluid, and substrate processing apparatus using the same | |
KR102250358B1 (en) | Discharging unit and substrate treating apparatus | |
KR102422256B1 (en) | Inspecting unit and method, Apparatus for treating a substrate with the unit | |
KR102387276B1 (en) | Substrate treating apparatus and method | |
KR20140144800A (en) | Apparatus for treating substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |