KR20150144915A - Substrate treating apparatus and method - Google Patents

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Abstract

The present invention provides an apparatus for treating a substrate. The substrate treatment apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a housing for providing a space to treat a substrate therein; a spin head for supporting and rotating the substrate in the housing; and a spraying unit for spraying a treatment liquid to the substrate placed on the spin head. The spraying unit includes a first nozzle member for spraying a first treatment liquid, a second nozzle member for spraying a second treatment liquid, and a nozzle arm for supporting the first nozzle member and the second nozzle member. The first nozzle member includes: a body including a spraying passage where the first treatment liquid flows in an inside thereof and a first discharge hole for spraying the first treatment liquid to the substrate by being connected to the spraying passage; and a vibrator which is installed in the body, and provides vibration to the first treatment liquid flowing in the spraying passage. The second nozzle member may include a second discharge hole for vertically discharging the second treatment liquid to the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD}[0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD [0002]

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD}[0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD [0002]

반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들이 수행된다. 각각의 공정에서 생성된 이물 및 파티클을 제거하기 위해 각각의 공정이 진행되기 전 또는 후 단계에는 기판을 세정하는 세정공정이 실시된다. In order to manufacture semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition are performed on the substrate. A cleaning process is carried out to clean the substrate before or after each process for removing foreign matters and particles generated in each process.

세정공정으로는 기판 상에 잔류하는 이물 및 파티클을 제거하기 위해 케미칼을 분사하거나, 가스가 혼합된 처리액을 분사하거나, 진동이 제공된 처리액을 분사하는 등 다양한 방식이 사용된다. In the cleaning process, various methods are used, such as spraying a chemical to remove foreign particles and particles remaining on the substrate, spraying a mixed process liquid with gas, or spraying a process liquid provided with vibration.

이 중 진동을 이용하여 처리액을 분사하는 방식은 처리액의 입자 크기를 다양하게 조절할 수 있는 장점을 가지고 있다. 입자 크기가 조절된 처리액은 기판 상에 잔류하는 이물 및 파티클의 부착력을 약화시키거나 이를 제거한다. 이 때, 처리액이 기판 상에 전달하는 충격량이 강하면, 기판 상의 패턴 리닝 현상이 발생할 수 있다. 따라서, 처리액이 전달하는 충격량을 완화하기 위한 보호액이 공급된다.Among them, the method of spraying the treatment liquid by using the vibration has an advantage of variously controlling the particle size of the treatment liquid. The particle size controlled process liquid weakens or removes adherence of particles and particles remaining on the substrate. At this time, if the amount of impulse delivered to the substrate by the treatment liquid is strong, a pattern lining phenomenon may occur on the substrate. Therefore, a protective liquid for relieving the amount of the impulse delivered by the treatment liquid is supplied.

본 발명은 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 공급하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving cleaning efficiency.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판을 처리하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징 내에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드, 그리고 상기 스핀헤드에 놓인 기판으로 처리액을 분사하는 분사유닛을 포함하되, 상기 분사유닛은, 제 1 처리액을 분사하는 제 1 노즐부재, 제 2 처리액을 분사하는 제 2 노즐부재 그리고 상기 제 1 노즐부재 및 상기 제 2 노즐부재를 지지하는 노즐암을 포함하되, 상기 제 1 노즐부재는, 내부에 상기 제 1 처리액이 흐르는 분사유로 및 상기 분사유로와 연통되어 상기 기판으로 상기 제 1 처리액을 분사하는 제 1 토출구를 포함하는 몸체 및 상기 몸체 내에 설치되고, 상기 분사유로에 흐르는 상기 제 1 처리액에 진동을 제공하는 진동자를 포함하고, 상기 제 2 노즐부재는, 상기 기판으로 상기 제 2 처리액을 수직하게 토출하는 제 2 토출구를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a housing for providing a space for processing a substrate therein, a spin head for supporting and rotating the substrate in the housing, And a spray unit for spraying the treatment liquid onto the substrate placed on the spin head, wherein the spray unit comprises: a first nozzle member for spraying the first treatment liquid; a second nozzle member for spraying the second treatment liquid; Wherein the first nozzle member includes an injection path through which the first processing liquid flows and an injection path through which the first processing liquid flows and the first nozzle member is connected to the first nozzle member and the second nozzle member, A body including a first discharge port for spraying a treatment liquid and a vibrator provided in the body and providing vibration to the first treatment liquid flowing in the injection path, 2, the nozzle member is, as the substrate may include a second discharge opening perpendicular to the ejection of the second treatment liquid.

상기 기판으로 상기 제 2 처리액을 수직하게 토출하는 제 2 토출구를 포함할 수 있다.And a second discharge port for discharging the second processing liquid vertically to the substrate.

상기 제 2 노즐부재는 상기 제 1 노즐부재보다 상기 노즐암의 일단에 인접하게 제공될 수 있다.The second nozzle member may be provided adjacent to one end of the nozzle arm rather than the first nozzle member.

상부에서 바라볼 때, 상기 제 1 노즐부재는 원형 형상으로 제공되고, 상기 제 2 노즐부재는 상기 제 1 노즐부재를 감싸는 호 형상으로 제공될 수 있다.The first nozzle member may be provided in a circular shape and the second nozzle member may be provided in an arc shape surrounding the first nozzle member.

상부에서 바라볼 때, 상기 제 2 노즐부재의 호 형상의 폭은 상기 제 1 노즐부재의 직경을 넓게 제공될 수 있다.When viewed from the top, the arc-shaped width of the second nozzle member can be provided to widen the diameter of the first nozzle member.

상기 제 2 토출구는 슬릿 형상일 수 있다.The second discharge port may have a slit shape.

상기 제 2 토출구는 원형의 토출홀들을 복수 개 포함할 수 있다.The second discharge port may include a plurality of circular discharge holes.

상부에서 바라볼 때, 상기 분사유로는 링 형상의 제 1 영역 및 제 2 영역을 가지고, 상기 제 1 영역의 반지름은 상기 제 2 영역의 반지름보다 클 수 있다.The injection path has a ring-shaped first region and a second region, and the radius of the first region may be greater than the radius of the second region.

상부에서 바라볼 때, 상기 제 1 영역의 상기 제 1 토출구는 상기 제 1 영역을 따라 일열로 제공되고, 상기 제 2 영역의 상기 제 1 토출구는 상기 제 2 영역을 따라 이열로 제공될 수 있다. The first discharge port of the first area may be provided in a row along the first area and the first discharge port of the second area may be provided in a second row along the second area.

상기 제 1 처리액은 세정액이고, 상기 제 2 처리액은 보호액일 수 있다.The first treatment liquid may be a cleaning liquid, and the second treatment liquid may be a protective liquid.

본 발명의 실시예에 의하면, 세정 효율이 향상된 분사 유닛 및 기판 처리 장치를 제공할 수 있다. According to the embodiments of the present invention, it is possible to provide a spraying unit and a substrate processing apparatus with improved cleaning efficiency.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1는 기판처리설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3는 도 2의 제 1 노즐부재를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 제 1 노즐부재를 보여주는 저면도이다.
도 5는 제 2 노즐부재가 제 2 처리액을 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 5의 제 2 노즐부재를 보여주는 저면도이다.
도 7은 제 2 토출구의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 8은 제 2 토출구의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 9는, 제 2 노즐부재가 기판 상에 제 2 처리액을 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility.
2 is a sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG.
3 is a cross-sectional view showing the first nozzle member of Fig.
Fig. 4 is a bottom view showing the first nozzle member of Fig. 3; Fig.
Fig. 5 is a view showing a state in which the second nozzle member supplies the second treatment liquid. Fig.
Figure 6 is a bottom view showing the second nozzle member of Figure 5;
7 is a view showing an example of the second discharge port.
8 is a view showing another example of the second discharge port.
9 is a view showing a state in which the second nozzle member supplies the second treatment liquid onto the substrate.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

이하, 도 1 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 9. FIG.

도 1은 본 발명의 기판처리설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a processing module 20. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is seated in the load port 140. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the process module 20 and the like. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 for accommodating the substrates W horizontally with respect to the paper surface. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 공정챔버(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정챔버(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on both sides of the transfer chamber 240, respectively. At one side and the other side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. A plurality of process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B. Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ In the buffer unit 220, a slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced along the third direction 16 from each other. The buffer unit 220 is opened on the side facing the transfer frame 140 and on the side facing the transfer chamber 240.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 130 and another portion of the index arms 144c from the carrier 130 to the processing module 20, ). ≪ / RTI > This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. In the process chamber 260, a substrate processing apparatus 300 for performing a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 300 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups such that the substrate processing apparatuses 300 in the process chambers 260 belonging to the same group are identical to one another, (300) may be provided differently from each other.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판처리장치(300)는 하우징(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 분사 유닛(380)을 가진다. 하우징(320)은 기판처리공정이 수행되는 공간을 가지며, 그 상부는 개방된다. 하우징(320)은 내부회수통(322), 및 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부회수통(322)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.2 is a sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2, the substrate processing apparatus 300 has a housing 320, a spin head 340, a lift unit 360, and a spray unit 380. The housing 320 has a space in which a substrate processing process is performed, and the upper portion thereof is opened. The housing 320 has an inner recovery cylinder 322 and an outer recovery cylinder 326. [ Each of the recovery cylinders 322 and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340 and the outer recovery cylinder 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery cylinder 322. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 326a between the inner recovery cylinder 322 and the outer recovery cylinder 326 are connected to each other by the inner recovery cylinder 322 and the outer recovery cylinder 326, And serves as an inflow port. Recovery passages 322b and 326b extending perpendicularly to the bottom of the recovery passages 322 and 326 are connected to the recovery passages 322 and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b and 326b discharges the processing liquid introduced through each of the recovery cylinders 322 and 326. [ The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

스핀헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342.

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 344 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 344 support the rear edge of the substrate W such that the substrate W is spaced from the upper surface of the body 342 by a predetermined distance.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided to allow linear movement between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. The chuck pin 346 is positioned in the standby position when the substrate W is loaded or unloaded onto the spin head 340 and the chuck pin 346 is positioned in the supporting position when the substrate W is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 moves the housing 320 linearly in the vertical direction. The relative height of the housing 320 with respect to the spin head 340 is changed as the housing 320 is moved up and down. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the housing 320 and the bracket 362 is fixedly coupled to the moving shaft 364 which is moved up and down by the actuator 366. The housing 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes to the upper portion of the housing 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. When the process is performed, the height of the housing 320 is adjusted so that the treatment liquid can be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the treatment liquid supplied to the substrate W. Alternatively, the lifting unit 360 can move the spin head 340 in the vertical direction.

분사 유닛(380)은 기판(W) 상으로 처리액을 분사한다. 분사유닛은 다양한 종류의 처리액을 분사하거나, 동일한 종류의 처리액을 다양한 방식으로 분사하도록 복수 개로 제공될 수 있다. 분사 유닛(380)은 지지축(386), 노즐암(382), 제 1 노즐부재(400), 그리고 제 2 노즐부재(480)를 포함한다. 지지축(386)은 하우징(320)의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동 부재(388)에 의해 스윙 및 승강된다. 이와 달리 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 수평 방향으로 직선 이동 및 승강할 수 있다. 지지축의 상단에는 노즐암(382)이 고정결합된다. 노즐암(382)은 제 1 노즐부재(400) 및 제 2 노즐부재(480)를 지지한다. 제 1 노즐부재(400) 및 제 2 노즐부재(480)는 노즐암(382)의 끝단에 위치된다. 예컨대, 제 2 노즐부재(480)는 제 1 노즐부재(400)에 비해 노즐암(382)의 끝단에 가깝게 위치될 수 있다.The ejection unit 380 ejects the process liquid onto the substrate W. The injection unit may be provided in a plurality of ways to inject various types of process liquids, or to jet the same kind of process liquids in various ways. The ejection unit 380 includes a support shaft 386, a nozzle arm 382, a first nozzle member 400, and a second nozzle member 480. The support shaft 386 is disposed on one side of the housing 320. The support shaft 386 has a rod shape whose longitudinal direction is provided in a vertical direction. The support shaft 386 is swung and lifted by the drive member 388. Alternatively, the support shaft 386 can move linearly and vertically in the horizontal direction by the drive member 388. [ A nozzle arm 382 is fixedly coupled to the upper end of the support shaft. The nozzle arm 382 supports the first nozzle member 400 and the second nozzle member 480. The first nozzle member 400 and the second nozzle member 480 are located at the end of the nozzle arm 382. For example, the second nozzle member 480 may be located closer to the end of the nozzle arm 382 than the first nozzle member 400.

도 3은 도 2의 제 1 노즐부재(400)를 보여주는 단면도이다. 도 4는 도 3의 제 1 노즐부재(400)를 보여주는 저면도이다. 상부에서 바라볼 때, 제 1 노즐부재(400)는 원형으로 제공된다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 제 1 노즐부재(400)는 제 1 처리액을 잉크젯 방식으로 분사한다. 제 1 노즐부재(400)는 몸체(410,430), 진동자(436), 처리액 공급라인(450), 그리고 처리액 회수라인(460)을 포함한다. 몸체(410,430)는 하판(410) 및 상판(430)을 가진다. 하판(410)은 원통 형상을 가지도록 제공된다. 하판(410)의 내부에는 제 1 처리액이 흐르는 분사유로(412)가 형성된다. 하판(410)의 저면에는 제 1 처리액을 분사하는 복수의 제 1 토출구(414)들이 형성되고, 각각의 제 1 토출구(414)는 분사유로(412)와 연통되게 제공된다. 제 1 토출구(414)는 미세공으로 제공된다. 분사유로(412)는 제 1 영역(412b), 제 2 영역(412c), 그리고 제 3 영역(412a)을 가질 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 제 1 영역(412b)과 제 2 영역(412c)은 링 형상으로 제공된다. 이 때, 제 1 영역(412b)의 반지름은 제 2 영역(412c)의 반지름보다 크다. 제 1 영역(412b)의 제 1 토출구(414)는, 제 1 영역(412b)을 따라 일열로 제공될 수 있다. 제 2 영역(412c)의 제 1 토출구(414)는, 제 2 영역(412c)을 따라 이열로 제공될 수 있다. 제 3 영역(412a)은 제 1 영역(412b) 및 제 2 영역(412c)을 유입유로(432)와 연결한다. 제 3 영역(412a)은 제 1 영역(412b) 및 제 2 영역(412c)을 회수유로(434)와 연결한다. 일 예로, 도 5와 같이, 제 3 영역(412a)은 유입유로(432) 또는 회수유로(434)와 제 3 영역(412a)까지 연결할 수 있다. 상판(430)은 하판(410)과 동일한 직경을 가지는 원통 형상으로 제공된다. 상판(430)은 하판(410)의 상면에 고정결합된다. 상판(430)의 내부에는 유입유로(432) 및 회수유로(434)가 형성된다. 유입유로(432) 및 회수유로(434)는 분사유로(412)의 제2영역(412b)과 통하도록 제공된다. 유입유로(432)는 분사유로(412)에 제 1 처리액이 유입되는 입구로 기능하고, 회수유로(434)는 분사유로(412)로부터 제 1 처리액이 회수되는 출구로 기능한다. 유입유로(432)와 회수유로(434)는 제 1 노즐부재(400)의 중심을 기준으로 서로 마주보도록 위치된다.3 is a cross-sectional view showing the first nozzle member 400 of FIG. 4 is a bottom view showing the first nozzle member 400 of FIG. As viewed from above, the first nozzle member 400 is provided in a circular shape. Referring to Figs. 3 and 4, the first nozzle member 400 ejects the first processing liquid in an inkjet manner. The first nozzle member 400 includes bodies 410 and 430, a vibrator 436, a process liquid supply line 450, and a process liquid recovery line 460. The bodies 410 and 430 have a lower plate 410 and an upper plate 430. The lower plate 410 is provided so as to have a cylindrical shape. An injection path 412 through which the first process liquid flows is formed in the lower plate 410. A plurality of first discharge ports 414 for discharging the first treatment liquid are formed on the bottom surface of the lower plate 410 and each first discharge port 414 is provided to communicate with the discharge flow path 412. The first discharge port 414 is provided with fine holes. The injection channel 412 may have a first region 412b, a second region 412c, and a third region 412a. As viewed from above, the first region 412b and the second region 412c are provided in a ring shape. At this time, the radius of the first region 412b is larger than the radius of the second region 412c. The first discharge port 414 of the first region 412b may be provided in a row along the first region 412b. The first discharge port 414 of the second region 412c may be provided in a second row along the second region 412c. The third region 412a connects the first region 412b and the second region 412c to the inflow channel 432. [ The third region 412a connects the first region 412b and the second region 412c to the recovery flow path 434. [ For example, as shown in FIG. 5, the third region 412a may be connected to the inflow channel 432 or the recovery channel 434 to the third region 412a. The upper plate 430 is provided in a cylindrical shape having the same diameter as the lower plate 410. The upper plate 430 is fixedly coupled to the upper surface of the lower plate 410. An inflow channel 432 and a recovery channel 434 are formed in the upper plate 430. The inflow passage 432 and the recovery passage 434 are provided to communicate with the second region 412b of the injection passage 412. The inflow channel 432 functions as an inlet through which the first processing liquid flows into the jetting channel 412 and the recovery channel 434 functions as an outlet through which the first processing liquid is recovered from the jetting channel 412. The inflow channel 432 and the recovery channel 434 are positioned to face each other with respect to the center of the first nozzle member 400.

상판(430)의 내부에는 진동자(436)가 위치된다. 상부에서 바라볼 때, 진동자(436)는 원판 형상을 가지도록 제공된다. 일 예로, 진동자(436)은 제 1 영역(412b)과 동일한 직경을 가지도록 제공된다. 선택적으로 진동자(436)의 직경은 제 1 영역(412b)의 직경보다 크고, 상판(430)의 직경보다 작게 제공될 수 있다. 진동자(436)는 외부에 위치된 전원(438)과 전기적으로 연결된다. 진동자(436)는 분사되는 제 1 처리액에 진동을 제공하여 제 1 처리액의 입자 크기 및 유속을 제어한다. 일 예에 의하면, 진동자(436)는 압전소자일 수 있다. 제 1 처리액은 세정액으로 제공된다. 일 예로, 제 1 처리액은 전해이온수일 수 있다. 제 1 처리액은 수소수, 산소수, 그리고 오존수 중 어느 하나이거나 이들을 포함할 수 있다. 선택적으로 제 1 처리액은 순수일 수 있다.A vibrator 436 is disposed inside the upper plate 430. When viewed from above, the vibrator 436 is provided to have a disc shape. In one example, the vibrator 436 is provided to have the same diameter as the first region 412b. Optionally, the diameter of the vibrator 436 may be greater than the diameter of the first region 412b and less than the diameter of the top plate 430. The vibrator 436 is electrically connected to an externally located power source 438. The vibrator 436 provides vibration to the first process liquid to control the particle size and the flow rate of the first process liquid. According to one example, the vibrator 436 may be a piezoelectric element. The first treatment liquid is provided as a cleaning liquid. In one example, the first treatment liquid may be electrolytic ionized water. The first treatment liquid may be any one of or including hydrogenated water, oxygenated water, and ozone water. Optionally, the first treatment liquid may be pure water.

처리액 공급라인(450)은 유입유로(432)에 제 1 처리액을 공급하고, 처리액 회수라인(460)은 회수유로(434)로부터 제 1 처리액을 회수한다. 처리액 공급라인(450)은 유입유로(432)에 연결되고, 처리액 회수라인(460)은 회수유로(434)에 연결된다. 처리액 공급라인(450) 상에는 펌프(452)가 설치되고, 처리액 회수라인(460) 상에는 개폐밸브(462)가 설치된다. 펌프(452)는 처리액 공급라인(450)에서 유입유로(432)로 공급되는 제 1 처리액을 가압한다. 개폐밸브(462)는 처리액 회수라인(460)을 개폐한다. 일 예에 의하면, 공정 대기 중에는 개폐밸브(462)가 처리액 회수라인(460)을 개방한다. 이로 인해 제 1 처리액은 처리액 회수라인(460)을 통해 회수되고, 제1분사홀(414)을 통해 분사되지 않는다. 이와 달리, 공정 진행 중에는 개폐밸브(462)가 처리액 회수라인(460)을 닫는다. 이로 인해 분사유로(412)에 제 1 처리액이 채워지고, 분사유로(412)의 내부 압력이 높아지며, 진동자(436)에 전압이 인가되면, 제 1 처리액은 제1분사홀(414)을 통해 분사될 수 있다. The treatment liquid supply line 450 supplies the first treatment liquid to the inflow channel 432 and the treatment liquid recovery line 460 withdraws the first treatment liquid from the recovery flow path 434. [ The treatment liquid supply line 450 is connected to the inflow channel 432 and the treatment liquid recovery line 460 is connected to the recovery channel 434. A pump 452 is provided on the treatment liquid supply line 450 and an on-off valve 462 is provided on the treatment liquid recovery line 460. The pump 452 pressurizes the first treatment liquid supplied from the treatment liquid supply line 450 to the inflow channel 432. The opening / closing valve 462 opens / closes the process liquid collecting line 460. According to one example, the open / close valve 462 opens the treatment liquid recovery line 460 during the process atmosphere. As a result, the first treatment liquid is recovered through the treatment liquid recovery line 460, and is not sprayed through the first injection hole 414. On the other hand, the open / close valve 462 closes the process liquid recovery line 460 during the process. As a result, the first processing liquid is filled in the injection path 412, the internal pressure of the injection path 412 is increased, and when the voltage is applied to the vibrator 436, the first processing liquid flows through the first injection hole 414 Lt; / RTI >

도 5는 도 2의 제 2 노즐부재(480)가 제 2 처리액을 공급하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 6은 도 5의 제 2 노즐부재(480)를 보여주는 저면도이다. 도 7은 제 2 토출구(480b)의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 8은 제 2 토출구(480c)의 다른 예를 보여주는 도면이다. 도 9는, 제 2 노즐부재(480)가 기판 상에 제 2 처리액을 공급하는 모습을 보여주는 도면이다. 이하, 도 5 내지 도 9를 이용하여 제 2 노즐부재(480)를 설명한다. Fig. 5 is a view showing a state in which the second nozzle member 480 in Fig. 2 supplies the second treatment liquid. 6 is a bottom view showing the second nozzle member 480 of FIG. 7 is a view showing an example of the second discharge port 480b. 8 is a view showing another example of the second discharge port 480c. 9 is a view showing a state in which the second nozzle member 480 supplies the second treatment liquid onto the substrate. Hereinafter, the second nozzle member 480 will be described with reference to FIGS. 5 to 9. FIG.

제 2 노즐부재(480)는 기판 상에 제 2 처리액을 공급한다. 제 2 노즐부재(480)는 제 1 노즐부재(400)가 제 1 처리액을 공급할 때, 이와 동시에 제 2 처리액을 공급한다. 이 때, 제 2 노즐부재(480)는 제 1 노즐부재(400)가 제 1 처리액을 공급 시작하기 전에 먼저 제 2 처리액을 공급할 수 있다. 일 예로, 제 2 노즐부재(480)는 제 2 처리액을 적하방식으로 분사할 수 있다. 제 2 노즐부재(480)는 제 1 노즐부재(400)의 일부를 감싸도록 제공된다. 제 2 노즐부재(480)는 제 1 노즐부재(400)보다 노즐암(382)의 일단에 인접하게 제공된다. 제 2 노즐부재(480)는 기판 상에 제 2 처리액을 수직하게 토출하는 제 2 토출구(482)를 가진다. 상부에서 바라볼 때, 제 2 노즐부재(480)는 제 1 노즐부재(400)를 감싸는 호 형상으로 제공된다. 이 때, 제 1 노즐부재(400)와 제 2 노즐부재(480)는 동심을 가질 수 있다. 도 6을 참조하면, 제 2 노즐부재(480)의 일단에서 타단까지의 직선 거리(L)는, 제 1 노즐부재(400)의 직경(D)보다 길게 제공될 수 있다. 제 2 처리액은 보호액으로 제공된다. 일 예로, 제 2 처리액은 암모니아와 과산화수소를 포함하는 용액일 수 있다. 제 2 처리액은 기판(W) 상에 액막을 형성하고, 액막은 제 1 처리액이 기판(W)에 미치는 충격량을 완화시킨다. 이로 인해, 제 1 처리액에 의해 기판(W)상의 패턴이 쓰러지는 것을 방지할 수 있다. 제 2 처리액은 순수일 수 있다. 제 2 노즐부재(480)는 제 2 토출구(480)를 포함한다. 제 2 토출구(480)는 제 2 처리액을 기판에 수직하게 토출한다. 일 예로, 제 2 토출구(480)는 단일의 슬릿 형상(480a)으로 제공될 수 있다. 선택적으로, 제 2 토출구(480b)는 원형의 토출홀(480c)들을 복수 개 포함할 수 있다. 제 2 노즐부재(480)가 기판에 제 2 처리액을 분사하는 동안, 제 1 노즐부재(400) 또한 제 1 처리액을 기판 상으로 분사한다. 이 때, 제 2 노즐부재(480)는 제 1 노즐부재(400)가 제 1 처리액 분사를 시작하기 전에 제 2 처리액을 먼저 분사할 수 있다. 제 1 노즐부재(400) 및 제 2 노즐부재(480)는 각각 처리액 분사시, 기판의 중심 상부에 위치될 수 있다. 제 2 노즐부재(480)는 제 1 처리액이 분사되는 기판(W)의 영역과 인접한 영역으로 제 2 처리액을 분사할 수 있다. 제 2 처리액이 분사된 영역은 제 1 처리액이 분사된 영역에 비해 기판(W)의 중심영역에 더 가까울 수 있다. 선택적으로, 제 2 노즐부재(480)는 호 형상이 아닌 바 형상으로 제공될 수 있다. The second nozzle member 480 supplies the second treatment liquid onto the substrate. The second nozzle member 480 simultaneously supplies the second processing liquid when the first nozzle member 400 supplies the first processing liquid. At this time, the second nozzle member 480 can supply the second processing solution first before the first nozzle member 400 starts to supply the first processing solution. As an example, the second nozzle member 480 may spray the second treatment liquid in a dropping manner. A second nozzle member 480 is provided to enclose a portion of the first nozzle member 400. The second nozzle member 480 is provided adjacent to one end of the nozzle arm 382 rather than the first nozzle member 400. The second nozzle member 480 has a second discharge port 482 for vertically discharging the second treatment liquid on the substrate. As viewed from above, the second nozzle member 480 is provided in the shape of a arc surrounding the first nozzle member 400. At this time, the first nozzle member 400 and the second nozzle member 480 may be concentric . 6, the linear distance L from one end to the other end of the second nozzle member 480 may be provided to be longer than the diameter D of the first nozzle member 400. The second treatment liquid is provided as a protective liquid. In one example, the second treatment liquid may be a solution containing ammonia and hydrogen peroxide. The second treatment liquid forms a liquid film on the substrate W, and the liquid film relaxes the amount of impact of the first treatment liquid on the substrate W. As a result, the pattern on the substrate W can be prevented from collapsing by the first process liquid. The second treatment liquid may be pure water. The second nozzle member 480 includes a second discharge port 480. The second discharge port 480 discharges the second treatment liquid vertically to the substrate. As an example, the second discharge port 480 may be provided in a single slit shape 480a. Alternatively, the second discharge port 480b may include a plurality of circular discharge holes 480c. While the second nozzle member 480 ejects the second process liquid onto the substrate, the first nozzle member 400 also ejects the first process liquid onto the substrate. At this time, the second nozzle member 480 may jet the second processing liquid before the first nozzle member 400 starts jetting the first processing liquid. The first nozzle member 400 and the second nozzle member 480 may be positioned above the center of the substrate when the process liquid is sprayed, respectively. The second nozzle member 480 can jet the second processing liquid to a region adjacent to the region of the substrate W onto which the first processing liquid is ejected. The area where the second processing liquid is sprayed may be closer to the central area of the substrate W than the area where the first processing liquid is sprayed. Alternatively, the second nozzle member 480 may be provided in a bar shape that is not arc-shaped.

본 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 제 2 노즐부재(480)가 제 1 노즐부재(400)를 감싸는 형태로 제공되어, 제 1 토출구와 제 2 토출구의 거리 및 각각의 토출구와 기판 사이의 거리 차이를 줄일 수 있다. 또한, 기판 회전 속도에 따른 제 2 처리액의 액막 두께 산포를 줄일 수 있다. 또한, 종래의 일반적인 기판 처리 장치의 경우, 제 2 처리액을 기판 상에 경사지게 공급할 수 있다. 이러한 경우, 초기 접액부의 제 2 처리액들이 밀려, 액막 사이에 두께 편차가 발생한다. 일 예로, 초기 접액부에는 보호액이 두껍게 형성되나, 이에 멀어질수록 보호액막이 얇게 형성된다. 따라서, 액막 두께에 따라, 제 1 처리액의 충격량 차이가 발생하여 패턴 리닝 현상이 발생할 수 있다. 또한, 액막 두께 편차 및 기판 회전 속도에 따라 세정 효율이 차이날 수 있다. 그러나 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 제 2 노즐부재(480)가 제 2 처리액을 수직하게 토출한다. 따라서, 초기 접액부와 말기 접액부 사이에 제 2 처리액의 액막 두께 편차를 줄일 수 있다. 이에 따라, 제 1 처리액 분사시 충격량 차이를 줄일 수 있고, 분사 영역과 상관없이 균일한 세정 효율을 얻을 수 있다. In the substrate processing apparatus according to the present embodiment, the second nozzle member 480 is provided so as to surround the first nozzle member 400 so that the distance between the first discharge port and the second discharge port and the distance between each discharge port and the substrate The difference can be reduced. In addition, it is possible to reduce the scattering of the liquid film thickness of the second treatment liquid depending on the rotation speed of the substrate. Further, in the case of a conventional general substrate processing apparatus, the second processing liquid can be supplied on the substrate in an inclined manner. In this case, the second treatment liquids in the initial wetting portion are pushed, and a thickness variation occurs between the liquid films. For example, the protective liquid is formed thick in the initial liquid contact portion, but the protective liquid film is formed thinner as the protective liquid is farther away. Therefore, depending on the thickness of the liquid film, a difference in the amount of impact of the first processing liquid may occur, and pattern lining may occur. Further, the cleaning efficiency may vary depending on the liquid film thickness deviation and the substrate rotation speed. However, in the substrate processing apparatus according to the present embodiment, the second nozzle member 480 vertically discharges the second process liquid. Therefore, the deviation of the liquid film thickness of the second treatment liquid can be reduced between the initial wetting portion and the last wetting portion. This makes it possible to reduce the difference in the amount of impact during the first process liquid spraying and to obtain a uniform cleaning efficiency irrespective of the jetting area.

이상에서 설명한 기판 처리 장치는 기판 세정 공정 뿐만 아니라 다양한 공정에 사용될 수 있다. 일 예로, 기판 식각 공정에도 사용될 수 있다. 또한, 기판 처리 장치는 별도의 린스액 부재를 포함할 수 있다. The above-described substrate processing apparatus can be used for various processes as well as a substrate cleaning process. For example, it can be used in a substrate etching process. Further, the substrate processing apparatus may include a separate rinsing liquid member.

이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. The present invention is not limited to the drawings. In addition, the embodiments described herein are not limited to be applied, and all or some of the embodiments may be selectively combined so that various modifications can be made.

320: 하우징
340: 스핀헤드
380: 분사유닛
382: 노즐암
400: 제 1 노즐부재
412: 분사유로
414: 제 1 토출구
436: 진동자
480: 제 2 노즐부재320: housing
340: spin head
380: injection unit
382: nozzle arm
400: first nozzle member
412:
414: first discharge port
436: Oscillator
480: second nozzle member

Claims (15)

내부에 기판을 처리하는 공간을 제공하는 하우징;
상기 하우징 내에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드; 그리고
상기 스핀헤드에 놓인 기판으로 처리액을 분사하는 분사유닛을 포함하되,
상기 분사유닛은,
제 1 처리액을 분사하는 제 1 노즐부재;
제 2 처리액을 분사하는 제 2 노즐부재; 그리고
상기 제 1 노즐부재 및 상기 제 2 노즐부재를 지지하는 노즐암을 포함하되,
상기 제 1 노즐부재는,
내부에 상기 제 1 처리액이 흐르는 분사유로 및 상기 분사유로와 연통되어 상기 기판으로 상기 제 1 처리액을 분사하는 제 1 토출구를 포함하는 몸체; 및
상기 몸체 내에 설치되고, 상기 분사유로에 흐르는 상기 제 1 처리액에 진동을 제공하는 진동자를 포함하고,
상기 제 2 노즐부재는 상기 제 1 노즐부재의 일부를 감싸는 형상으로 제공되는 기판처리장치.A housing for providing a space for processing the substrate therein;
A spin head for supporting and rotating the substrate within the housing; And
And a spray unit for spraying the treatment liquid onto the substrate placed on the spin head,
Wherein the injection unit comprises:
A first nozzle member for spraying a first treatment liquid;
A second nozzle member for spraying a second treatment liquid; And
And a nozzle arm for supporting the first nozzle member and the second nozzle member,
Wherein the first nozzle member comprises:
A body including a jet flow path through which the first processing liquid flows, and a first discharge port communicating with the jet flow path and jetting the first processing liquid onto the substrate; And
And a vibrator installed in the body and providing vibration to the first treatment liquid flowing in the injection path,
Wherein the second nozzle member is provided in a shape to enclose a part of the first nozzle member. 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 노즐부재는 상기 제 1 노즐부재보다 상기 노즐암의 일단에 인접하게 제공되는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the second nozzle member is provided adjacent to one end of the nozzle arm than the first nozzle member. 제 2 항에 있어서,
상부에서 바라볼 때, 상기 제 1 노즐부재는 원형 형상으로 제공되고, 상기 제 2 노즐부재는 상기 제 1 노즐부재를 감싸는 호 형상으로 제공되는 기판처리장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first nozzle member is provided in a circular shape and the second nozzle member is provided in an arc shape surrounding the first nozzle member when viewed from above. 제 3 항에 있어서,
상부에서 바라볼 때, 상기 제 2 노즐부재의 일단과 타단의 직선 거리는 상기 제 1 노즐부재의 직경보다 길게 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein a straight line distance between one end and the other end of the second nozzle member is longer than a diameter of the first nozzle member when viewed from above. 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 노즐부재와 상기 제 2 노즐부재는 동심을 갖는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the first nozzle member and the second nozzle member are concentric. 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 노즐부재는 상기 제 2 처리액을 수직하게 토출하는 제 2 토출구를 더 포함하는 기판처리장치.6. The method of claim 5,
And the second nozzle member further includes a second discharge port for vertically discharging the second processing liquid. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 노즐부재는 상기 제 2 처리액을 토출하는 슬릿 형상의 제 2 토출구를 더 포함하는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
And the second nozzle member further comprises a second discharge port in the form of a slit for discharging the second treatment liquid. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 노즐부재는 상기 제 2 처리액을 토출하는 원형의 제 2 토출구를 더 포함하는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
And the second nozzle member further comprises a circular second discharge port for discharging the second treatment liquid. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상부에서 바라볼 때, 상기 분사유로는 링 형상의 제 1 영역 및 제 2 영역을 가지고,
상기 제 1 영역의 반지름은 상기 제 2 영역의 반지름보다 큰 기판처리장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
When viewed from the top, the injection path has a ring-shaped first region and a second region,
Wherein the radius of the first region is greater than the radius of the second region. 제 9 항에 있어서,
상부에서 바라볼 때,
상기 제 1 영역의 상기 제 1 토출구는 상기 제 1 영역을 따라 일열로 제공되고, 상기 제 2 영역의 상기 제 1 토출구는 상기 제 2 영역을 따라 이열로 제공되는 기판처리장치.10. The method of claim 9,
From the top,
Wherein the first discharge port of the first area is provided in a row along the first area, and the first discharge port of the second area is provided in a second row along the second area. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 처리액은 세정액이고,
상기 제 2 처리액은 암모니아와 과산화수소를 포함하는 혼합액인 기판처리장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The first treatment liquid is a cleaning liquid,
Wherein the second treatment liquid is a mixed solution containing ammonia and hydrogen peroxide. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 제 2 처리액이 상기 기판 상에 분사되는 동안 상기 제 1 처리액이 분사되는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate using a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the first processing liquid is ejected while the second processing liquid is ejected onto the substrate. 제 12 항에 있어서,
상기 제 2 처리액은 상기 제 1 처리액보다 먼저 분사되기 시작하는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
And the second process liquid starts to be injected before the first process liquid. 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 노즐부재는 상기 제 1 처리액을 잉크젯 방식으로 분사하고,
상기 제 2 노즐부재는 상기 제 2 처리액을 적하 방식으로 분사하는 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the first nozzle member ejects the first processing liquid in an inkjet manner,
And the second nozzle member is configured to spray the second process liquid in a dropping manner. 제 14 항에 있어서,
상기 제 1 노즐부재 및 상기 제 2 노즐부재는 각각 상기 제 1 처리액 및 상기 제 2 처리액을 분사할 때, 상기 기판의 중심 상부에 위치하는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
Wherein the first nozzle member and the second nozzle member are positioned above the center of the substrate when spraying the first process solution and the second process solution, respectively.
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