KR20150139104A - 터치 스크린 패널 - Google Patents

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KR20150139104A
KR20150139104A KR1020140066957A KR20140066957A KR20150139104A KR 20150139104 A KR20150139104 A KR 20150139104A KR 1020140066957 A KR1020140066957 A KR 1020140066957A KR 20140066957 A KR20140066957 A KR 20140066957A KR 20150139104 A KR20150139104 A KR 20150139104A
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홍찬화
정우석
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한국전자통신연구원
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 셀 영역 및 상기 셀 영역 둘레의 배선 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 상기 셀 영역 상에 제 1 방향으로 배열되는 복수의 제 1 전극 셀들; 상기 기판의 상기 셀 영역 상에, 상기 제 1 전극 셀들 사이에 고립되어 형성되며, 제 2 방향으로 배열되는 복수의 제 2 전극 셀들; 상기 기판의 상기 셀 영역 상에, 상기 제 1 전극 셀들을 상기 제 1 방향으로 연결하며 배치되는 복수의 제 1 연결 전극들; 상기 제 1 연결 전극들 및 이웃하는 상기 제 2 전극 셀들의 일부를 덮되, 상기 제 2 전극 셀들과 중첩되는 영역에서 컨택홀들을 갖는 복수의 절연패턴들; 및 상기 절연패턴들 상에 배치되며, 상기 컨택홀들을 통해 이웃하는 상기 제 2 전극 셀들을 상기 제 2 방향으로 연결하는 복수의 제 2 연결 전극들을 포함할 수 있다.

Description

터치 스크린 패널{Touch screen panel}
본 발명은 터치 스크린 패널에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 컨택홀들을 갖는 절연패턴들을 포함하는 윈도우 일체형 터치 스크린 패널에 관한 것이다.
최근, 컴퓨터, 휴대용 이동통신 단말기 등의 전자 장치들이 보편화 되면서, 터치 스크린은 데이터를 입력하기 위한 수단으로써 널리 사용되고 있다. 터치 스크린은 저항막 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식, 및 적외선 방식으로 분류된다. 이 중에서 감성터치의 기본인 멀티터치가 가능하면서 고투과 센서를 제작하는 것은 정전용량 방식이 유력하다.
정전용량 방식 터치 스크린은 기판 위 투명 전극 상에 손가락 등의 도전체가 닿을 경우 절연층에 일정한 정전용량이 형성되고, 이 부분을 통해 신호가 전달되어 그 신호의 크기를 계산하고 위치를 파악한다.
기존의 정전용량 방식 터치 스크린 패널에서 사용되어 온 절연패턴은 아일랜드 모양과 컨택홀 모양이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 신뢰성 및 투과도가 향상된 터치 스크린 패널을 제시하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 셀 영역 및 상기 셀 영역 둘레의 배선 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 상기 셀 영역 상에 제 1 방향으로 배열되는 복수의 제 1 전극 셀들; 상기 기판의 상기 셀 영역 상에, 상기 제 1 전극 셀들 사이에 고립되어 형성되며, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 배열되는 복수의 제 2 전극 셀들; 상기 기판의 상기 셀 영역 상에, 상기 제 1 전극 셀들을 상기 제 1 방향으로 연결하며 배치되는 복수의 제 1 연결 전극들; 상기 제 1 연결 전극들 및 이웃하는 상기 제 2 전극 셀들의 일부를 덮되, 상기 제 2 전극 셀들과 중첩되는 영역에서 컨택홀들을 갖는 복수의 절연패턴들; 및 상기 절연패턴들 상에 배치되며, 상기 컨택홀들을 통해 이웃하는 상기 제 2 전극 셀들을 상기 제 2 방향으로 연결하는 복수의 제 2 연결 전극들을 포함할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 셀 영역 및 상기 셀 영역 둘레의 배선 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 상기 셀 영역 상에 일정한 간격으로 배치되는 복수의 제 2 연결 전극들; 상기 제 2 연결 전극들을 덮되, 상기 제 2 연결 전극들의 양 끝단들을 노출하는 컨택홀들을 갖는 복수의 절연패턴들; 상기 기판의 상기 셀 영역 상에, 상기 절연패턴들 사이에 배치되며 제 1 방향으로 배열되는 복수의 제 1 전극 셀들; 상기 기판의 상기 셀 영역 상에, 상기 제 1 전극 셀들 사이에 배치되며 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 배열되되, 상기 컨택홀들에 의해 노출된 상기 제 2 연결 전극들에 접촉되어 상기 제 2 방향으로 연결되는 복수의 제 2 전극 셀들; 및 상기 절연패턴들 상에, 상기 제 1 전극 셀들을 상기 제 1 방향으로 연결하는 복수의 제 1 연결 전극들을 포함하되, 상기 절연패턴들은 이웃하는 상기 제 2 전극 셀들의 일부분과 중첩될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 터치 스크린 패널에 따르면, 절연패턴들의 크기가 수 내지 수백 마이크로 미터에 해당하여 높은 투과도를 가질 수 있다.
본 발명의 터치 스크린 패널에 따르면, 절연패턴들의 적절한 폭 선택으로 최대의 정전 용량 값을 얻을 수 있다.
본 발명의 터치 스크린 패널에 따르면, 제 2 연결 전극들의 패턴 오류나 애칭 불량에 따른 쇼트 문제를 줄일 수 있다.
본 발명의 터치 스크린 패널에 따르면, 제 2 연결 전극들을 금속으로 형성할 경우, 제 2 연결 전극들과 금속 배선들을 동시에 형성할 수 있어 공정 단순화와 생산단가 하락에 기여할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 평면도이다.
도 1b은 도 1a 및 도 4의 I-I'선에 따른 단면도이다.
도 1c는 도 1a의 C부분의 확대도이다.
도 2a, 도 3a, 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법을 나타낸 평면도들이다.
도 2b 및 도 3b는 각각 도 2a 및 도 3a의 I-I'선에 따른 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 평면도이다.
도 5b은 도 5a의 I-I'선에 따른 단면도이다.
도 5c는 도 5a의 D부분의 확대도이다.
도 6a 내지 도 8a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법을 나타낸 평면도들이다.
도 6b 내지 도 8b는 각각 도 6a 내지 도 8a의 I-I'선에 따른 단면도들이다.
도 9는 절연패턴들의 폭에 따른 터치 스크린 패널의 정전용량 변화량 시뮬레이션을 나타낸 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 평면도이다. 도 1b은 도 1a의 I-I' 선에 따른 단면도이다. 도 1c는 도 1a의 C부분의 확대도이다. 이하, 도 1a 내지 도 1c를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널을 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 기판(100), 제 1 전극 셀들(200), 제 1 연결 전극들(210), 제 2 전극 셀들(300), 제 2 연결 전극들(310), 절연패턴들(400), 금속 배선들(500), 및 완충층(600)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 셀 영역(A) 및 셀 영역(A) 둘레의 배선 영역(B)을 포함할 수 있다. 기판(100)은 강화 유리 기판, 강화 플라스틱 기판, 강화필름이 코팅된 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 기판 또는 강화 처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET) 기판일 수 있다.
제 1 전극 셀들(200)은 기판(100)의 셀 영역(A) 상에 제 1 방향으로 배열될 수 있다. 제 1 방향은 x축 방향일 수 있다. 일 예로, 제 1 전극 셀들(200)은 마름모형 모양이고 마름모의 꼭지점 부분들이 상하좌우로 이웃하여 마주보도록 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 제 1 전극 셀들(200)은 원형, 타원형, 직사각형, 정사각형, 또는 다각형 모양으로 형성될 수 있다.
제 1 연결 전극들(210)은 기판(100)의 셀 영역(A) 상에 제 1 전극 셀들(200)을 제 1 방향으로 연결하며 배치될 수 있다. 일 예로, 제 1 방향으로 서로 이웃하고 있는 제 1 전극 셀들(200)의 꼭지점 부분을 연결할 수 있다.
제 2 전극 셀들(300)은 기판(100)의 셀 영역(A) 상에 제 2 방향으로 배열되며, 제 1 전극 셀들(200)과 접하지 않도록 제 1 전극 셀들(200) 사이에 고립되어 형성될 수 있다. 제 2 방향은 y축 방향일 수 있다. 일 예로, 제 2 전극 셀들(300)은 8각형 모양이고, 각 면들이 상하좌우로 마주보도록 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 제 2 전극 셀들(300)은 원형, 타원형, 직사각형, 정사각형, 또는 다각형 모양으로 형성될 수 있다.
일 예로, 제 1 연결 전극들(210)의 폭(도2a의 d1 참조) 및 제 2 전극 셀들(300) 사이의 제 1 방향으로의 간격(도2a의 d2 참조)은 약 20μm 내지 약 2000μm일 수 있다. 제 2 전극 셀들(300) 사이의 제 2 방향으로의 간격(도2a의 d3 참조)은 제 1 연결 전극들(210)의 폭(도 2a의 d1 참조)보다 넓을 수 있다. 서로 이웃하고 있는 제 1 전극 셀들(200)과 제 2 전극 셀들(300) 사이의 폭(도2a의 d4 참조)는 약 20μm 내지 약 2000μm일 수 있다. 제 2 방향으로 서로 이웃하고 있는 제 1 전극 셀들(200)의 꼭지점들 간의 간격(도2a의 d5 참조)은 약 10μm 내지 약 1000μm일 수 있다. 제 1 전극 셀들(200), 제 1 연결 전극들(210), 및 제 2 전극 셀들(300)은 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어질 수 있다.
절연패턴들(400)은 제 1 연결 전극들(210) 및 이웃하는 제 2 전극 셀들(300)의 일부를 덮되, 제 2 전극 셀들(300)과 중첩되는 영역에서 컨택홀들(410)을 가질 수 있다. 절연패턴들(400)은 제 1 연결 전극들(210)과 제 2 연결 전극들(310)을 절연시키는 절연바디(401)와 컨택홀(410) 주변의 절연댐(402)을 포함할 수 있다. 절연패턴들(400)의 폭(d6) 및 길이(d7)은 약 1μm 내지 약 500μm이고, 두께는 약 1nm 내지 약 10μm일 수 있다. 절연패턴들(400)의 폭(d6)에 따라 터치 스크린 패널의 정전용량 값이 달라지는데, 절연패턴들(400)의 폭(d6)이 약 50μm 내지 약 80μm일 때 높은 정전용량 값을 가질 수 있다(도 9 참조). 컨택홀들(410)의 폭(d8)은 후술할 제 2 연결 전극들(310)의 폭(d9)보다 크거나 같을 수 있다. 일 예로, 절연패턴들(400)은 SiOx, SiNx, MgF2, SiOxNy, 또는 유기물 절연체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
제 2 연결 전극들(310)은 절연패턴들(400) 상에 배치되며, 컨택홀(410)을 통해 제 2 방향에서 이웃하는 제 2 전극 셀들(300)을 연결할 수 있다. 제 2 연결 전극들(310)의 길이(d10)는 절연패턴들(400)의 길이(d7)보다 짧을 수 있다. 제 2 연결 전극들(310)의 폭(d9)은 약 1μm 내지 약 100μm일 수 있다. 일 예로, 제 2 연결 전극들(310)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 금속으로 이루어질 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 절연댐(402)이 제 2 연결 전극들(310)의 오정렬을 억제하여 아일랜드 모양의 기존 절연패턴에서 제 2 연결 전극들(310)의 에칭 불량 또는 위치 불량으로 인해 발생하던 쇼트문제를 줄일 수 있다. 또한 절연패턴들(400)이 충분히 작기 때문에, 컨택홀 모양의 기존 절연막에서 발생하던 굴절률 인덱싱 매칭 문제와 박막 오염 문제를 줄일 수 있다.
금속 배선들(500)은 기판(100)의 배선 영역(B) 상에 일정한 간격을 갖도록 형성될 수 있다. 금속 배선들(500)은 제 1 전극 셀들(200)과 연결되는 드라이빙 라인(Driving Line) 금속 배선들(510) 및 제 2 전극 셀들(300)과 연결되는 센싱 라인(Sensing Line) 금속 배선들(520)을 포함할 수 있다. 드라이빙 라인 금속 배선(510)들 사이의 간격과 센싱 라인 금속 배선들(520) 사이의 간격은 약 20μm 내지 약 2000μm일 수 있다. 드라이빙 라인 금속 배선들(510) 사이의 간격과 센싱 라인 금속 배선들(520) 사이의 간격은 같을 수 있다. 금속 배선들(500)의 두께는 터치 스크린 패널의 크기와 금속 배선들(500)의 저항값에 의해 달라질 수 있다. 일 예로, 금속 배선들(500)은 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Cu, 및 Mo/Al/Mo 중 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 제 2 연결 전극들(310)과 금속 배선들(500)은 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 이 경우 제 2 연결 전극들(310)과 금속 배선들(500)은 동시에 형성될 수 있다.
추가적으로, 완충층(600)은 기판(100)과 제 1 전극 셀들(200), 제 1 연결 전극들(210), 및 제 2 전극 셀(300)들 사이에 형성될 수 있다. 완충층(600)은 제 1 완충층(610)과 제 2 완충층(620)을 포함할 수 있다.
제 1 완충층(610)은 기판(100)의 상에 형성될 수 있다. 제 1 완충층(610)은 약 2nm 내지 약 20nm의 두께를 가질 수 있다. 제 1 완충층(610)은 제 2 완충층(620)보다 높은 굴절률(index of refraction)을 갖는 절연체 물질로, 약 1.8 내지 약 2.9 사이의 굴절률을 가진 투명 절연체 물질일 수 있다. 일 예로, 투명 절연체 물질은 TiO2, Nb2O5, ZrO2, Ta2O5, 및 HfO2 중 어느 하나일 수 있다.
제 2 완충층(620)은 제 1 완충층(610)의 상에 형성될 수 있다. 제 2 완충층(620)은 약 2nm 내지 약 20nm의 두께를 가질 수 있다. 제 2 완충층(620)은 제 1 완충층(610)보다 낮은 굴절률(index of refraction)을 갖는 절연체 물질로, 약 1.3 내지 약 1.8 사이의 굴절률을 갖는 투명 절연체 물질일 수 있다. 일 예로, 투명 절연체 물질은 SiO2, SiNx, MgF2, 및 SiOxNy 중 어느 하나일 수 있다.
도 2a, 도 3a, 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법을 나타낸 평면도들이다. 도 1b은 도 1a 및 도 4의 I-I' 선에 따른 단면도이다. 도 2b 및 도 3b는 각각 도 2a 및 도 3a의 I-I' 선에 따른 단면도이다. 이하, 도 1a 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법을 설명한다. 각 구성요소의 형성방법 및 구성물질에 관해 앞선 설명과 중복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 셀 영역(A) 및 셀 영역(A) 둘레의 배선 영역(B)을 포함하는 기판(100)을 준비할 수 있다.
기판(100) 상에 완충층(600)이 형성될 수 있다. 완충층(600)은 제 1 완충층(610)과 제 2 완충층(620)을 포함할 수 있다.
제 1 완충층(610)은 기판(100)의 상에 형성될 수 있다. 제 1 완충층(610)은 약 2nm 내지 약 20nm의 두께를 가질 수 있다. 제 1 완충층(610)은 제 2 완충층(620)보다 높은 굴절률(index of refraction)을 갖는 절연체 물질로, 약 1.8 내지 약 2.9 사이의 굴절률을 가진 투명 절연체 물질일 수 있다. 제 1 완충층(610)은 스크린 프린팅 방법(Screen printing), 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition), 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다.
제 2 완충층(620)은 제 1 완충층(610)의 상에 형성될 수 있다. 제 2 완충층(620)은 약 2nm 내지 약 20nm의 두께를 가질 수 있다. 제 2 완충층(620)은 제 1 완충층(610)보다 낮은 굴절률(index of refraction)을 갖는 절연체 물질로, 약 1.3 내지 약 1.8 사이의 굴절률을 갖는 투명 절연체 물질일 수 있다. 제 2 완충층(620)은 스크린 프린팅 방법(Screen printing), 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition), 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다.
완충층(600)의 셀 영역(A) 상에, 제 1 방향으로 배열되는 복수의 제 1 전극 셀들(200)을 형성할 수 있다. 제 1 방향은 x축 방향일 수 있다. 일 예로, 제 1 전극 셀들(200)은 마름모형 모양이고 마름모의 꼭지점 부분들이 상하좌우로 이웃하여 마주보도록 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 제 1 전극 셀들(200)은 원형, 타원형, 직사각형, 정사각형, 또는 다각형 모양으로 형성될 수 있다.
완충층(600)의 셀 영역(A) 상에, 제 1 전극 셀들(200) 사이에 배치되며 제 2 방향으로 배열되는 복수의 제 2 전극 셀들을 형성할 수 있다. 제 2 방향은 y축 방향일 수 있다. 일 예로, 제 2 전극 셀들(300)은 8각형 모양이고, 각 면들이 상하좌우로 마주보도록 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 제 2 전극 셀들(300)은 원형, 타원형, 직사각형, 정사각형, 또는 다각형 모양으로 형성될 수 있다.
완충층(600)의 셀 영역(A) 상에, 제 1 전극 셀들(200)을 제 1 방향으로 연결하며 배치되는 복수의 제 1 연결 전극들(210)을 형성할 수 있다. 일 예로, 제 1 방향으로 서로 이웃하고 있는 제 1 전극 셀들(200)의 꼭지점 부분을 연결할 수 있다.
일 예로, 제 1 연결 전극들(210)의 폭(d1) 및 제 2 전극 셀들(300) 사이의 제 1 방향으로의 간격(d2)은 약 20μm 내지 약 2000μm일 수 있다. 제 2 전극 셀들(300) 사이의 제 2 방향으로의 간격(d3)은 제 1 연결 전극들(210)의 폭(d1)보다 넓을 수 있다. 서로 이웃하고 있는 제 1 전극 셀들(200)과 제 2 전극 셀들(300) 사이의 폭(d4)는 약 20μm 내지 약 2000μm일 수 있다. 제 2 방향으로 서로 이웃하고 있는 제 1 전극 셀들(200)의 꼭지점들 간의 간격(d5)은 약 10μm 내지 약 1000μm일 수 있다.
제 1 전극 셀들(200), 제 1 연결 전극들(210), 및 제 2 전극 셀들(300)은 완충층(600) 상에 투명 도전막(미도시)을 형성하고, 투명 전도막(미도시)을 패터닝함으로써 동시에 형성될 수 있다. 일 예로, 투명 도전막(미도시)은 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어질 수 있다. 투명 도전막(미도시)은 스크린 프린팅 방법(Screen printing), 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition), 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 투명 도전막(미도시)은 포토레지스트 공정, 습식 식각 공정, 및 건식 식각 공정을 통해 패터닝될 수 있다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 제 1 연결 전극들(210) 및 이웃하는 제 2 전극 셀들(300)의 일부를 덮되, 제 2 전극 셀들(300)과 중첩되는 영역에서 컨택홀들(410)을 갖는 복수의 절연패턴들(400)을 형성할 수 있다. 절연패턴들(400)의 폭(도 1c의 d6 참조) 및 길이(도 1c의 d7 참조)는 약 1μm 내지 약 500μm이고, 두께는 약 1nm 내지 약 10μm일 수 있다. 컨택홀들(410)의 폭(도 1c의 d8 참조)은 후술할 제 2 연결 전극들(310)의 폭(도 1c의 d9 참조)보다 크거나 같을 수 있다. 절연 패턴들(400)은 제 1 전극 셀들(200), 제 1 연결 전극들(210) 및 제 2 전극 셀들(300)이 형성된 완충층(600) 상에 절연막(미도시)을 형성하고, 절연막(미도시)을 패터닝하여 형성될 수 있다. 절연막(미도시)은 스크린 프린팅 방법(Screen printing), 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition), 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 및 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 절연막(미도시)은 포토레지스트 공정, 습식 식각 공정, 및 건식 식각 공정을 통하여 패터닝될 수 있다.
도 4 및 도 1b를 참조하면, 절연패턴들(400) 상에 배치되며, 컨택홀들(410)을 통해 이웃하는 제 2 전극 셀들(300)들을 제 2 방향으로 연결하는 복수의 제 2 연결 전극들(310)을 형성할 수 있다. 제 2 연결 전극들(310)의 길이(도 1c의 d10 참조)는 절연패턴들(400)의 길이(도 1c의 d7 참조)보다 짧을 수 있다. 제 2 연결 전극들(310)의 폭(도 1c의 d9 참조)은 약 1μm 내지 약 100μm일 수 있다. 제 2 연결 전극들(310)은 제 1 전극 셀들(200), 제 1 연결 전극들(210), 제 2 전극 셀들(300) 및 절연패턴들(400)이 형성된 완충층(600) 상에 도전막(미도시)을 형성하고, 도전막(미도시)을 패터닝하여 형성될 수 있다. 일 예로, 도전막(미도시)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 금속으로 이루어질 수 있다. 도전막(미도시)은 스크린 프린팅 방법(Screen printing), 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition), 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 및 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 도전막(미도시)은 포토레지스트 공정, 습식 식각 공정, 및 건식 식각 공정을 통하여 패터닝될 수 있다.
도 1a를 참조하면, 제 2 연결 전극들(310)을 형성한 후에, 완충층(600)의 배선 영역(B) 상에 금속 배선들(500)을 형성할 수 있다. 금속 배선들(500)은 제 1 전극 셀들(200)과 연결되는 드라이빙 라인(Driving Line) 금속 배선들(510) 및 제 2 전극 셀들(300)과 연결되는 센싱 라인(Sensing Line) 금속 배선들(520)을 포함할 수 있다. 드라이빙 라인 금속 배선(510)들 사이의 간격과 센싱 라인 금속 배선들(520) 사이의 간격은 약 20μm 내지 약 2000μm일 수 있다. 드라이빙 라인 금속 배선들(510) 사이의 간격과 센싱 라인 금속 배선들(520) 사이의 간격은 같을 수 있다. 금속 배선들(500)의 두께는 터치 스크린 패널의 크기와 금속 배선들(500)의 저항값에 의해 달라질 수 있다. 금속 배선들(500)은 완충층(600)의 배선 영역(B) 상에 도전막(미도시)을 형성하고, 도전막(미도시)을 패터닝하여 형성될 수 있다. 일 예로, 도전막(미도시)은 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Cu, 및 Mo/Al/Mo 중 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 도전막(미도시)은 스크린 프린팅 방법(Screen printing), 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition), 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 및 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 도전막(미도시)은 포토레지스트 공정, 습식 식각 공정, 및 건식 식각 공정을 통하여 패터닝될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 제 2 연결 전극들(310)과 금속 배선들(500)은 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 이 경우 제 2 연결 전극들(310)과 금속 배선들(500)은 동시에 형성될 수 있다.
도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 평면도이다. 도 5b는 도 5a의 I-I' 선에 따른 단면도이다. 도 5c는 도 5a의 D부분의 확대도이다. 이하, 도 5a 내지 도 5c를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 스크린 패널을 설명한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 기판(100), 제 1 전극 셀들(200), 제 1 연결 전극들(210), 제 2 전극 셀들(300), 제 2 연결 전극들(310), 절연패턴들(400), 금속 배선들(500), 및 완충층(600)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 셀 영역(A) 및 셀 영역(A) 둘레의 배선 영역(B)을 포함할 수 있다. 기판(100)은 강화 유리 기판, 강화 플라스틱 기판, 강화필름이 코팅된 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 기판 또는 강화 처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET) 기판일 수 있다.
제 2 연결 전극들(310)은 기판(100)의 셀 영역(A) 상에 일정한 간격으로 배치될 수 있다. 제 2 연결 전극들(310)은 제 1 방향 및 제 2 방향으로 일정한 간격을 갖도록 배열될 수 있다. 제 1 방향은 x축 방향, 제 2 방향은 y축 방향일 수 있다. 제 2 연결 전극들(310)의 길이(d10)는 절연패턴들(400)의 길이(d7)보다 짧을 수 있다. 제 2 연결 전극들(310)의 폭(d9)은 약 1μm 내지 약 100μm일 수 있다. 일 예로, 제 2 연결 전극들(310)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 금속으로 이루어질 수 있다.
절연패턴들(400)은 제 2 연결 전극들(310)을 덮되, 제 2 연결 전극들(310)의 양 끝단들을 노출하는 컨택홀(410)을 가질 수 있다. 절연패턴들(400)은 제 1 연결 전극들(210)과 제 2 연결 전극들(310)을 절연시키는 절연바디(401)와 컨택홀(410) 주변의 절연댐(402)을 포함할 수 있다. 절연패턴들(400)의 폭(d6) 및 길이(d7)는 약 1μm 내지 약 500μm이고, 두께는 약 1nm 내지 약 10μm일 수 있다. 컨택홀들(410)의 폭(d8)은 제 2 연결 전극들(310)의 폭(d9)보다 크거나 같을 수 있다. 절연패턴들(400)의 길이(d7)는 제 2 연결 전극들(310)의 길이(d10)보다 길 수 있다. 일 예로, 절연패턴들(400)은 SiOx, SiNx, MgF2, SiOxNy, 또는 유기물 절연체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 절연패턴들(400)은 제 1 연결 전극들(210)과 제 2 연결 전극들(310) 간에 약간의 위치 불량이 발생하여도 서로가 절연되도록 해 줄 수 있다. 절연댐(402)은 제 2 연결 전극들(310) 패턴 시 불순물이 발생하더라도 이로 인해 제 1 전극 셀들(200)과 제 2 전극 셀들(300) 간에 쇼트가 발생하는 것을 줄일 수 있다. 또한 절연패턴들(400)이 충분히 작기 때문에, 컨택홀 모양의 기존 절연막에서 발생하던 굴절률 인덱싱 매칭 문제와 박막 오염 문제를 줄일 수 있다.
제 1 전극 셀들(200)은 기판(100)의 셀 영역(A) 상에, 상기 절연패턴들(400) 사이에 배치되며 제 1 방향으로 배열될 수 있다. 제 1 방향은 x축 방향일 수 있다. 일 예로, 제 1 전극 셀들(200)은 마름모형 모양이고 마름모의 꼭지점 부분들이 상하좌우로 이웃하여 마주보도록 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 제 1 전극 셀들(200)은 원형, 타원형, 직사각형, 정사각형, 또는 다각형 모양으로 형성될 수 있다.
제 1 연결 전극들(210)은 절연패턴들(400) 상에, 제 1 전극 셀들(200)을 제 1 방향으로 연결하도록 배치될 수 있다. 일 예로, 제 1 방향으로 서로 이웃하고 있는 제 1 전극 셀들(200)의 꼭지점 부분을 연결할 수 있다.
제 2 전극 셀들(300)은 기판(100)의 셀 영역(A) 상에, 제 1 전극 셀들(200) 사이에 배치되며, 제 2 방향으로 배열될 수 있다. 제 2 전극 셀들(300)은 컨택홀(410)에 의해 노출된 제 2 연결 전극들(310)에 의해 제 2 방향으로 연결될 수 있다. 절연패턴(400)들과 이에 이웃하는 제 2 전극 셀들(300)은 일부분에서만 중첩될 수 있다. 일 예로, 제 2 전극 셀들(300)은 8각형 모양이고, 각 면들이 상하좌우로 마주보도록 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 제 2 전극 셀들(300)은 원형, 타원형, 직사각형, 정사각형, 또는 다각형 모양으로 형성될 수 있다.
일 예로, 제 1 연결 전극들(210)의 폭(d1) 및 제 2 전극 셀들(300) 사이의 제 1 방향으로의 간격(d2)은 약 20μm 내지 약 2000μm일 수 있다. 제 2 전극 셀들(300) 사이의 제 2 방향으로의 간격(d3)은 제 1 연결 전극들(210)의 폭(d1)보다 넓을 수 있다. 서로 이웃하고 있는 제 1 전극 셀들(200)과 제 2 전극 셀들(300) 사이의 폭(d4)는 약 20μm 내지 약 2000μm일 수 있다. 제 2 방향으로 서로 이웃하고 있는 제 1 전극 셀들(200)의 꼭지점들 간의 간격(d5)은 약 10μm 내지 약 1000μm일 수 있다. 제 1 전극 셀들(200), 제 1 연결 전극들(210), 및 제 2 전극 셀들(300)은 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어질 수 있다.
금속 배선들(500)은 기판(100)의 배선 영역(B) 상에 일정한 간격을 갖도록 형성될 수 있다. 금속 배선들(500)은 제 1 전극 셀들(200)과 연결되는 드라이빙 라인(Driving Line) 금속 배선들(510) 및 제 2 전극 셀들(300)과 연결되는 센싱 라인(Sensing Line) 금속 배선들(520)을 포함할 수 있다. 드라이빙 라인 금속 배선(510)들 사이의 간격과 센싱 라인 금속 배선들(520) 사이의 간격은 약 20μm 내지 약 2000μm일 수 있다. 드라이빙 라인 금속 배선들(510) 사이의 간격과 센싱 라인 금속 배선들(520) 사이의 간격은 같을 수 있다. 금속 배선들(500)의 두께는 터치 스크린 패널의 크기와 금속 배선들(500)의 저항값에 의해 달라질 수 있다. 일 예로, 금속 배선들(500)은 Mo, Al, Cu, Cr, Ag, Ti/Cu, Ti/Ag, Cr/Ag, Cr/Cu, Al/Cu, 및 Mo/Al/Mo 중 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 제 2 연결 전극들(310)과 금속 배선들(500)은 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 이 경우 제 2 연결 전극들(310)과 금속 배선들(500)은 동시에 형성될 수 있다.
추가적으로, 기판(100)과 제 1 전극 셀들(200), 제 2 전극 셀(300)들, 및 제 2 연결 전극들(310) 사이에 완충층(600)이 형성될 수 있다. 완충층(600)은 제 1 완충층(610)과 제 2 완충층(620)을 포함할 수 있다.
제 1 완충층(610)은 기판(100)의 상에 형성될 수 있다. 제 1 완충층(610)은 약 2nm 내지 약 20nm의 두께를 가질 수 있다. 제 1 완충층(610)은 제 2 완충층(620)보다 높은 굴절률(index of refraction)을 갖는 절연체 물질로, 약 1.8 내지 약 2.9 사이의 굴절률을 가진 투명 절연체 물질일 수 있다. 일 예로, 투명 절연체 물질은 TiO2, Nb2O5, ZrO2, Ta2O5, 및 HfO2 중 어느 하나일 수 있다.
제 2 완충층(620)은 제 1 완충층(610)의 상에 형성될 수 있다. 제 2 완충층(620)은 약 2nm 내지 약 20nm의 두께를 가질 수 있다. 제 2 완충층(620)은 제 1 완충층(610)보다 낮은 굴절률(index of refraction)을 갖는 절연체 물질로, 약 1.3 내지 약 1.8 사이의 굴절률을 갖는 투명 절연체 물질일 수 있다. 일 예로, 투명 절연체 물질은 SiO2, SiNx, MgF2, 및 SiOxNy 중 어느 하나일 수 있다.
도 6a 내지 도 8a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법을 나타낸 평면도들이다. 도 6b 내지 도 8b는 각각 도 6a 내지 도 8a의 I-I' 선에 따른 단면도들이다. 이하, 도 5a 내지 도 8b를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법을 설명한다. 각 구성요소의 형성방법 및 구성물질에 관해 앞선 설명과 중복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 셀 영역(A) 및 셀 영역(A) 둘레의 배선 영역(B)을 포함하는 기판(100)을 준비할 수 있다.
기판(100) 상에 완충층(600)이 형성될 수 있다. 완충층(600)은 제 1 완충층(610)과 제 2 완충층(620)을 포함할 수 있다. 기판(100)은 강화 유리 기판, 강화 플라스틱 기판, 강화필름이 코팅된 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 기판 또는 강화 처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET) 기판일 수 있다.
제 1 완충층(610)은 기판(100)의 상에 형성될 수 있다. 제 1 완충층(610)은 약 2nm 내지 약 20nm의 두께를 가질 수 있다. 제 1 완충층(610)은 제 2 완충층(620)보다 높은 굴절률(index of refraction)을 갖는 절연체 물질로, 약 1.8 내지 약 2.9 사이의 굴절률을 가진 투명 절연체 물질일 수 있다.
제 2 완충층(620)은 제 1 완충층(610)의 상에 형성될 수 있다. 제 2 완충층(620)은 약 2nm 내지 약 20nm의 두께를 가질 수 있다. 제 2 완충층(620)은 제 1 완충층(610)보다 낮은 굴절률(index of refraction)을 갖는 절연체 물질로, 약 1.3 내지 약 1.8 사이의 굴절률을 갖는 투명 절연체 물질일 수 있다.
제 2 완충층(620)의 배선 영역(B) 상에 금속 배선들(500)을 형성할 수 있다. 금속 배선들(500)은 후술할 제 1 전극 셀들(200)과 연결되는 드라이빙 라인(Driving Line) 금속 배선들(510) 및 후술할 제 2 전극 셀들(300)과 연결되는 센싱 라인(Sensing Line) 금속 배선들(520)을 포함할 수 있다. 드라이빙 라인 금속 배선(510)들 사이의 간격과 센싱 라인 금속 배선들(520) 사이의 간격은 약 20μm 내지 약 2000μm일 수 있다. 드라이빙 라인 금속 배선들(510) 사이의 간격과 센싱 라인 금속 배선들(520) 사이의 간격은 같을 수 있다. 금속 배선들(500)의 두께는 터치 스크린 패널의 크기와 금속 배선들(500)의 저항값에 의해 달라질 수 있다. 금속 배선들(500)은 완충층(600)의 배선 영역(B) 상에 도전막(미도시)을 형성하고, 도전막(미도시)을 패터닝하여 형성될 수 있다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 금속 배선들(500)을 형성한 후에, 제 2 완충층(620)의 셀 영역(A) 상에 일정한 간격으로 배치되는 복수의 제 2 연결 전극들(310)을 형성할 수 있다. 제 2 연결 전극들(310)은 제 1 방향 및 제 2 방향으로 일정한 간격을 갖도록 배열될 수 있다. 제 1 방향은 x축 방향, 제 2 방향은 y축 방향일 수 있다. 제 2 연결 전극들(310)의 폭(도 5c의 d9 참조)은 약 1μm 내지 약 100μm일 수 있다. 제 2 연결 전극들(310)은 완충층(600) 상에 도전막(미도시)을 형성하고, 도전막(미도시)을 패터닝하여 형성될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 제 2 연결 전극들(310)과 금속 배선들(500)은 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 이 경우 제 2 연결 전극들(310)과 금속 배선들(500)은 동시에 형성될 수 있다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 제 2 연결 전극들(310)을 덮되, 제 2 연결 전극(310)의 양 끝단들을 노출하는 컨택홀들(410)을 갖는 복수의 절연패턴들(400)을 형성할 수 있다. 절연패턴들(400)의 폭(도 5c의 d6 참조) 및 길이(도 5c의 d7 참조)는 약 1μm 내지 약 500μm이고, 두께는 약 1nm 내지 약 10μm일 수 있다. 컨택홀들(410)의 폭(도 5c의 d8 참조)은 제 2 연결 전극들(310)의 폭(도 5c의 d9 참조)보다 크거나 같을 수 있다. 절연패턴들(400)의 길이(도 5c의 d7 참조)는 제 2 연결 전극들(310)의 길이(도 5c의 d10)보다 길 수 있다. 절연 패턴들(400)은 제 2 연결 전극들(310)이 형성된 완충층(600) 상에 절연막(미도시)을 형성하고, 절연막(미도시)을 패터닝하여 형성될 수 있다.
도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 기판(100)의 셀 영역(A) 상에, 상기 절연패턴들(400) 사이에 배치되며 제 1 방향으로 배열되는 복수의 제 1 전극 셀들(200)을 형성할 수 있다. 일 예로, 제 1 전극 셀들(200)은 마름모형 모양이고 마름모의 꼭지점 부분들이 상하좌우로 이웃하여 마주보도록 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 제 1 전극 셀들(200)은 원형, 타원형, 직사각형, 정사각형, 또는 다각형 모양으로 형성될 수 있다.
기판(100)의 셀 영역(A) 상에, 제 1 전극 셀들(200) 사이에 배치되며 제 2 방향으로 배열되되, 제 2 연결 전극들(310)에 의해 제 2 방향으로 연결되는 제 2 전극 셀들(300)을 형성할 수 있다. 절연패턴(400)들과 이웃하는 제 2 전극 셀들(300)은 일부분에서만 중첩될 수 있다. 일 예로, 제 2 전극 셀들(300)은 8각형 모양이고, 각 면들이 상하좌우로 마주보도록 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 제 2 전극 셀들(300)은 원형, 타원형, 직사각형, 정사각형, 또는 다각형 모양으로 형성될 수 있다.
절연패턴들(400) 상에, 제 1 전극 셀들(200)을 제 1 방향으로 연결하는 복수의 제 1 연결 전극들(210)을 형성할 수 있다. 일 예로, 제 1 방향으로 서로 이웃하고 있는 제 1 전극 셀들(200)의 꼭지점 부분을 연결할 수 있다. 제 1 전극 셀들(200), 제 1 연결 전극들(210), 및 제 2 전극 셀들(300)은 제 2 연결 전극들(310) 및 절연패턴들(400)이 형성된 완충층(600) 상에 투명 도전막(미도시)을 형성하고, 투명 전도막(미도시)을 패터닝함으로써 동시에 형성될 수 있다.
도 9는 절연패턴들의 폭에 따른 터치 스크린 패널의 정전용량 변화량 시뮬레이션을 나타낸 그래프이다. 도 10을 참조하면, 절연패턴들(400)의 폭에 따라 터치 스크린 패널의 정전용량 값이 변하는 것을 확인할 수 있다. 또한, 절연패턴들(400)의 폭이 약 50μm 내지 약 80μm일 때, 높은 정전용량 값을 가지는 것을 확인할 수 있다. 정전용량 값이 높아지면, 제 1 전극 셀들(200)과 제 2 전극 셀들(300) 사이에서 발생하는 전기장의 세기가 강해지고, 결과적으로 터치 패널의 감도를 향상시킬 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100 : 기판 200 : 제 1 전극 셀들
210 : 제 1 연결 전극들 300 : 제 2 전극 셀들
310 : 제 2 연결 전극들 400 : 절연패턴들
401 : 절연바디 402 : 절연댐
410 : 컨택홀 500 : 금속 배선들
510 : 드라이빙 라인 금속 배선들 520 : 센싱 라인 금속 배선들
600 : 완충층 610 : 제 1 완충층
620 : 제 2 완충층
A : 셀 영역 B : 배선 영역
d1 : 제 1 연결 전극들의 폭
d2 : 제 2 전극 셀들 사이의 제 1 방향으로의 간격
d3 : 제 2 전극 셀들 사이의 제 2 방향으로의 간격
d4 : 이웃하는 제 1 전극 셀들과 제 2 전극 셀들 사이의 폭
d5 : 제 2 방향으로 이웃하는 제 1 전극 셀들의 꼭지점들 사이의 간격
d6 : 절연패턴들의 폭
d7 : 절연패턴들의 길이
d8 : 컨택홀들의 폭
d9 : 제 2 연결 전극들의 폭
d10 : 제 2 연결 전극들의 길이

Claims (18)

  1. 셀 영역 및 상기 셀 영역 둘레의 배선 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판의 상기 셀 영역 상에 제 1 방향으로 배열되는 복수의 제 1 전극 셀들;
    상기 기판의 상기 셀 영역 상에, 상기 제 1 전극 셀들 사이에 고립되어 형성되며, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 배열되는 복수의 제 2 전극 셀들;
    상기 기판의 상기 셀 영역 상에, 상기 제 1 전극 셀들을 상기 제 1 방향으로 연결하며 배치되는 복수의 제 1 연결 전극들;
    상기 제 1 연결 전극들 및 이웃하는 상기 제 2 전극 셀들의 일부를 덮되, 상기 제 2 전극 셀들과 중첩되는 영역에서 컨택홀들을 갖는 복수의 절연패턴들; 및
    상기 절연패턴들 상에 배치되며, 상기 컨택홀들을 통해 이웃하는 상기 제 2 전극 셀들을 상기 제 2 방향으로 연결하는 복수의 제 2 연결 전극들을 포함하는 터치 스크린 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 배선 영역 상에, 상기 제 1 전극 셀들 및 상기 제 2 전극 셀들과 연결되는 금속 배선들을 더 포함하는 터치 스크린 패널.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 연결 전극들은 상기 금속 배선들과 동일한 물질로 이루어지는 터치 스크린 패널.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 제 1 전극 셀들, 상기 제 1 연결 전극들, 및 상기 제 2 전극 셀들 사이에 완충층을 더 포함하는 터치 스크린 패널.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 완충층은 제 1 완충층과 상기 제 1 완충층보다 낮은 굴절률(index of refraction)을 갖는 제 2 완충층이 차례로 적층된 구조를 갖는 터치 스크린 패널.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 컨택홀들의 상기 제 1 방향으로의 폭은 상기 제 2 연결 전극들의 상기 제 1 방향의 폭보다 크거나 같은 터치 스크린 패널.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 연결 전극들의 상기 제 2 방향으로의 길이는 상기 절연패턴의 상기 제 2 방향으로의 길이보다 짧은 터치 스크린 패널.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연패턴들의 상기 제 1 방향으로의 폭은 50μm 내지 80μm인 터치 스크린 패널.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연패턴들은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 마그네슘 플로라이드(MgF2), 실리콘 옥시니트라이드(SiOxNy) 또는 유기 절연막 중에서 선택된 어느 하나로 이루어진 터치 스크린 패널.
  10. 셀 영역 및 상기 셀 영역 둘레의 배선 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판의 상기 셀 영역 상에 일정한 간격으로 배치되는 복수의 제 2 연결 전극들;
    상기 제 2 연결 전극들을 덮되, 상기 제 2 연결 전극들의 양 끝단들을 노출하는 컨택홀들을 갖는 복수의 절연패턴들;
    상기 기판의 상기 셀 영역 상에, 상기 절연패턴들 사이에 배치되며 제 1 방향으로 배열되는 복수의 제 1 전극 셀들;
    상기 기판의 상기 셀 영역 상에, 상기 제 1 전극 셀들 사이에 배치되며 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 배열되되, 상기 컨택홀들에 의해 노출된 상기 제 2 연결 전극들에 접촉되어 상기 제 2 방향으로 연결되는 복수의 제 2 전극 셀들; 및
    상기 절연패턴들 상에, 상기 제 1 전극 셀들을 상기 제 1 방향으로 연결하는 복수의 제 1 연결 전극들을 포함하되, 상기 절연패턴들은 이웃하는 상기 제 2 전극 셀들의 일부분과 중첩되는 터치 스크린 패널.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 배선 영역 상에, 상기 제 1 전극 셀들 및 상기 제 2 전극 셀들과 연결되는 금속 배선들을 더 포함하는 터치 스크린 패널.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 연결 전극들은 상기 금속 배선들과 동일한 물질로 이루어지는 터치 스크린 패널.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 제 1 전극 셀들, 상기 제 2 전극 셀들, 및 상기 제 2 연결 전극들 사이에 완충층을 더 포함하는 터치 스크린 패널.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 완충층은 제 1 완충층과 상기 제 1 완충층보다 낮은 굴절률(index of refraction)을 갖는 제 2 완충층이 차례로 적층된 구조를 갖는 터치 스크린 패널.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 컨택홀들의 상기 제 1 방향으로의 폭은 상기 제 2 연결 전극들의 상기 제 1 방향의 폭보다 크거나 같은 터치 스크린 패널.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 연결 전극들의 상기 제 2 방향으로의 길이는 상기 절연패턴의 상기 제 2 방향으로의 길이보다 짧은 터치 스크린 패널.
  17. 제 10 항에 있어서,
    상기 절연패턴들의 상기 제 1 방향으로의 폭은 50μm 내지 80μm 인 터치 스크린 패널.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 절연패턴들은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 마그네슘 플로라이드(MgF2), 실리콘 옥시니트라이드(SiOxNy) 또는 유기 절연막 중에서 선택된 어느 하나로 이루어진 터치 스크린 패널.


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