KR20150138564A - Transparent electrode, Fabrication method thereof and display device - Google Patents
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Abstract
Description
실시 예는 투명전극에 관한 것이다.An embodiment relates to a transparent electrode.
실시 예는 투명전극의 제조방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a method of manufacturing a transparent electrode.
실시 예는 표시장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a display device.
발광 다이오드, 터치 스크린 및 액정표시장치등은 투명 전극을 이용하여 전기적 신호를 인가한다. 이러한 투명전극으로서, 일반적으로 인듐-주석 산화물(indium tin oxide, ITO)가 많이 사용되고 있다. 그러나, 인듐-주석 산화물은 면저항이 높고, 재료 비용이 높으며, 또한 원료 시장에서의 인듐 수급이 불안정한 한계가 있으며, 최근의 추세인 플렉서블 표시장치에 사용되지 못하는 문제가 있다.A light emitting diode, a touch screen, a liquid crystal display, or the like applies an electrical signal using a transparent electrode. As such a transparent electrode, indium tin oxide (ITO) is generally widely used. However, the indium-tin oxide has a high sheet resistance, a high material cost, and an unstable supply / demand of indium in the raw material market, which is a problem in that it can not be used in a flexible display device which is a recent trend.
최근에는, 인듐-주석 산화물을 대체하는 투명 전극 물질에 대한 연구가 이루어지고 있다.Recently, studies have been made on transparent electrode materials replacing indium-tin oxide.
이 중 나노 와이어는 유연성을 가지나 면저항이 낮은 문제점이 있고, 상기 나노 와이어의 유연성 또한 플렉서블 표시장치를 구현하기에는 충분한 유연성이 확보되지 않는다.Among them, nanowires have a problem in that they have flexibility but low sheet resistance, and the flexibility of the nanowires is not sufficient enough to realize a flexible display device.
또한, 최근에는 유기발광 표시장치가 플렉서블 표시장치로써 제조되는 추세에 있으나, 유기발광 표시장치에 사용되는 폴리머 기판의 경우 투습 또는 외부물질 침투로 인해 수명이 저하되는 문제점이 있다.In addition, in recent years, organic light emitting displays have been in the process of being manufactured as flexible display devices. However, in the case of a polymer substrate used for an organic light emitting display, lifetime is reduced due to moisture permeation or penetration of foreign materials.
실시 예는 면저항을 줄일 수 있는 투명전극 제조방법을 제공한다.The embodiment provides a method of manufacturing a transparent electrode capable of reducing sheet resistance.
실시 예는 전기적 개방을 방지할 수 있는 투명전극을 제공한다.The embodiment provides a transparent electrode capable of preventing electrical opening.
실시 예는 유연성을 향상시킬 수 있는 표시장치를 제공한다. The embodiment provides a display device capable of improving flexibility.
실시 예에 따른 투명전극 제조방법은, 기판상에 나노 와이어 패턴층을 형성하는 단계; 상기 나노 와이어 패턴층을 줄히팅 처리하는 단계; 및 상기 나노 와이어 패턴층을 플라즈마 처리하는 단계를 포함한다.A method of fabricating a transparent electrode according to an embodiment includes forming a nanowire pattern layer on a substrate; Line heating the nanowire pattern layer; And subjecting the nanowire pattern layer to a plasma treatment.
실시 예에 따른 투명전극은, 기판; 상기 기판상에 형성되는 나노 와이어 패턴층; 및 상기 나노 와이어 패턴층 상에 형성되는 전도성 폴리머를 포함한다.A transparent electrode according to an embodiment includes a substrate; A nanowire pattern layer formed on the substrate; And a conductive polymer formed on the nanowire pattern layer.
실시 예에 따른 표시장치는, 제1 기판 및 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 상기 제1 기판 상에 형성되는 나노 와이어 패턴층; 및 상기 나노 와이어 패턴층 상에 형성되는 전도성 폴리머를 포함한다.A display device according to an embodiment includes a first substrate and a second substrate facing the first substrate; A nanowire pattern layer formed on the first substrate; And a conductive polymer formed on the nanowire pattern layer.
실시 예에 따른 투명전극 제조방법은 도포된 나노 와이어 패턴층에 줄히팅 처리 및 플라즈마 처리를 순차적으로 진행하여 면저항을 줄일 수 있다.In the method of manufacturing a transparent electrode according to an embodiment, the sheet resistance and the plasma treatment are sequentially performed on the applied nanowire pattern layer to reduce sheet resistance.
실시 예에 따른 투명전극은 전도성 폴리머를 도포하여 표면 거칠기를 감소시켜 단차형성을 방지하여 투명전극의 전기적 개방을 방지할 수 있다.The transparent electrode according to the embodiment can prevent the formation of the step by preventing the surface of the transparent electrode from being electrically opened by applying the conductive polymer to reduce the surface roughness.
실시 예에 따른 표시장치는 전도성 폴리머 및 고분자 필름을 도포하여 유연성을 향상시켜 플렉서블 표시장치를 구현할 수 있다.The display device according to the embodiment can realize the flexible display device by improving the flexibility by applying the conductive polymer and the polymer film.
도 1은 제1 실시 예에 따른 투명전극의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 2는 제1 실시 예에 따라 형성된 투명전극의 단면도이다.
도 3은 제1 실시 예에 따른 나노 와이어 패턴층의 형성방법을 나타내는 순서도이다.
도 4는 제1 실시 예에 따른 투명전극의 제조방법 중 줄히팅처리를 나타내는 도면이다.
도 5는 줄히팅 시간에 따른 면저항 감소율을 나타내는 그래프이다.
도 6은 제1 실시 예에 따른 플라즈마 처리단계에서 플라즈마 처리 시간에 따른 면저항 감소율을 나타내는 그래프이다.
도 7은 제2 실시 예에 따른 투명전극의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 8은 제2 실시 예에 따라 형성된 투명전극의 단면도이다.
도 9는 제2 실시 예의 전도성 폴리머 도포후의 면저항 변화를 나타내는 그래프이다.
도 10은 제2 실시 예의 전도성 폴리머 도포후의 표면거칠기값 변화를 나타내는 그래프이다.
도 11은 제2 실시 예에의 유연성을 측정하기 위한 비교 예에 대한 단면도이다.
도 12는 제2 실시 예와 비교 예의 구부림 횟수에 대한 투명전극의 면저항의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 13은 제3 실시 예에 따른 투명전극의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 14는 제3 실시 예에 따라 형성된 투명전극을 포함하는 유기발광 표시장치를 나타내는 단면도이다.1 is a flowchart showing a method of manufacturing a transparent electrode according to the first embodiment.
2 is a cross-sectional view of a transparent electrode formed according to the first embodiment.
3 is a flowchart showing a method of forming a nanowire pattern layer according to the first embodiment.
4 is a view showing a line heating process in the method of manufacturing a transparent electrode according to the first embodiment.
5 is a graph showing the rate of sheet resistance reduction according to the line heating time.
6 is a graph showing a sheet resistance reduction rate according to plasma processing time in the plasma processing step according to the first embodiment.
7 is a flowchart showing a method of manufacturing a transparent electrode according to the second embodiment.
8 is a cross-sectional view of a transparent electrode formed according to the second embodiment.
9 is a graph showing changes in sheet resistance after application of the conductive polymer of the second embodiment.
10 is a graph showing changes in surface roughness value after application of the conductive polymer of the second embodiment.
11 is a cross-sectional view of a comparative example for measuring the flexibility in the second embodiment.
12 is a graph showing changes in sheet resistance of the transparent electrode with respect to the number of bends in the second embodiment and the comparative example.
13 is a flowchart showing a method for manufacturing a transparent electrode according to the third embodiment.
FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display including a transparent electrode formed according to the third embodiment.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경, 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다.
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventive concept. Other embodiments falling within the scope of the inventive concept may readily be suggested, but are also considered to be within the scope of the present invention.
또한, 각 실시예의 도면에 나타나는 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.
The same reference numerals are used to designate the same components in the same reference numerals in the drawings of the embodiments.
도 1은 제1 실시 예에 따른 투명전극의 제조방법을 나타내는 순서도이고, 도 2는 제1 실시 예에 따라 형성된 투명전극의 단면도이다.FIG. 1 is a flowchart showing a method of manufacturing a transparent electrode according to the first embodiment, and FIG. 2 is a sectional view of a transparent electrode formed according to the first embodiment.
도 1 및 도2를 참조하면, 제1 실시 예에 따른 투명전극의 제조방법은 제1 기판(1) 상에 나노 와이어 패턴층(11)을 형성하는 단계(S100), 상기 제1 기판(1) 상에 형성된 나노 와이어 패턴층(11)을 줄히팅(Joule heating)하는 단계(S110) 및 상기 줄히팅 처리된 나노 와이어 패턴층(11)을 플라즈마 처리하는 단계(S120)를 포함한다.1 and 2, a method of manufacturing a transparent electrode according to a first embodiment includes forming a
상기 제1 기판(1)은 광을 투과하는 투명한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 기판(1)은 원하는 파장의 광을 선별적으로 통과시키는 물질을 포함할 수 있다.The
상기 제1 기판(1)은 유리, 폴리카보네이트들, 아크릴계, 등을 포함한다. 적합한 유연한 기판들은 폴리에스터들(예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에스터 나프탈레이트, 및 폴리카보네이트), 폴리올레핀들(예를 들면; 선형, 가지를 가진(branched), 및 환형 폴리올레핀들), 폴리비닐들(예를 들면, 폴리비닐 클로라이드, 폴리비닐리덴 클로라이드, 폴리비닐 아세탈들, 폴리스티렌, 폴리아크릴레이트들, 등), 셀룰로스 에스테르 염기들(예를 들면, 셀룰로스 트리아세테이트, 셀룰로스 아세테이트), 폴리에테르술폰과 같은 폴리술폰들, 폴리이미드들, 실리콘 및 그외 통상적인 폴리머 필름들을 포함하나, 이들로 제한되지 않는다.The
상기 제1 기판(1)은 가요성(flexible)물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 기판(1)은 이에 따라 상기 투명전극이 플렉서블한 특성을 가질 수 있다.The
상기 제1 기판(1)은 50㎛ 내지 200 ㎛의 두께를 가질 수 있다.The
도 3을 참조하여, 상기 제1 기판(1) 상에 나노 와이어 패턴층(11)을 형성하는 단계(S100)를 설명한다.Referring to FIG. 3, a step S100 of forming the
상기 제1 기판(1) 상에 나노 와이어 패턴층(11)을 형성하는 단계(S100)는 제1 기판(1) 상에 나노 와이어층을 도포한다. (S101)The step of forming the
상기 나노 와이어층은 전도성 나노구조들(13) 및 매트릭스(15)를 포함할 수 있다. 상기 전도성 나노구조(13)는 전기적 전도성 나노크기(nano-sized) 구조들을 지칭하고, 그 적어도 하나의 치수(즉, 폭 또는 직경)는 500 nm 미만이고, 100 nm 미만 또는 50 nm 미만일 수 있다. 또는 상기 나노구조의 치수는 10nm 내지 40 nm, 20nm내지 40 nm, 5nm 내지 20 nm, 10nm 내지 30 nm, 40nm 내지 60 nm, 50nm 내지 70 nm의 범위일 수 있다.The nanowire layer may comprise
상기 전도성 나노구조(13)는 전도성 재료일 수 있다. 상기 전도성 나노구조(13)는 원소 금속(elemental metal)(예를 들어, 전이 금속들) 또는 금속 화합물(metal compound)(예를 들어, 금속 옥사이드)을 포함하는 금속 재료로 형성된다. 또한, 금속 재료는 2개 이상의 유형들의 금속을 포함하는 이종금속 재료(bimetallic material) 또는 금속 합금일 수 있다. 상기 금속은 은(silver), 금(gold), 구리(copper), 니켈(nickel), 금-도금 은(goldplated silver), 백금(platinum) 및 팔라듐(palladium)을 포함할 수 있다. The
상기 은을 전도성 재료로 이용하는 전도성 나노구조(13)를 은나노 와이어로 정의할 수 있다. 상기 은 나노와이어는 폴리올(polyol)(예를 들어, 에틸렌 글리콜(ethylene glycol)) 및 폴리(비닐 피롤리돈)[poly(vinyl pyrrolidone)]의 존재 시에 은염(silver salt)[예를 들어, 질산은(silver nitrate)]의 액상 환원(solution-phase reduction)을 통해 합성될 수 있다.The
상기 매트릭스(15)는 상기 전도성 나노구조(13)가 그 내부로 분산되거나 내장되는 고체상태의 재료를 지칭한다. 상기 전도성 나노구조(13)의 일부는 상기 매트릭스(15)로부터 돌출될 수 있다.The
상기 매트릭스(15)는 상기 전도성 나노구조(13)가 부식 및 마모되는 것을 방지한다. 상기 매트릭스(15)는 상기 제1 기판(1)에 접착력을 제공할 수도 있다.The
상기 매트릭스(15)는 폴리머일 수 있다. 상기 매트릭스(15)는 폴리메타크릴레이트(polymethacrylate)들(예를 들어, 폴리(메틸 메타크릴레이트)[poly(methyl methacrylate)]), 폴리아크릴레이트(polyacrylate)들 및 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile)들, 폴리비닐 알콜(polyvinyl alcohol)들, 폴리에스테르(polyester)들(예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET : polyethylene terephthalate), 폴리에스테르 나프탈레이트(polyester naphthalate) 및 폴리카보네이트(polycarbonate)들), 높은 방향성도(degree of aromaticity)를 갖는 폴리머(polymer)들 예컨대, 페놀계(phenolics) 또는 크레졸-포름알데히드(cresol-formaldehyde)(Novolacs), 폴리스티렌(polystyrene)들, 폴리비닐톨루엔(polyvinyltoluene), 폴리비닐자일렌(polyvinylxylene), 폴리이미드(polyimide)들, 폴리아미드(polyamide)들, 폴리아미드이미드(polyamideimide)들, 폴리에테르이미드(polyetherimide)들, 폴리술파이드(polysulfide)들, 폴리술폰(polysulfone)들, 폴리페닐렌(polyphenylene)들, 및 폴리페닐 에테르(polyphenylether)들, 폴리우레탄(PU : polyurethane), 에폭시(epoxy), 폴리올레핀(polyolefin)들(예를 들어, 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리메틸펜텐(polymethylpentene), 및 환형 올레핀(cyclic olefin)들), 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 코폴리머(ABS : acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer), 셀룰로스 물질(cellulosics), 실리콘(silicones) 및 다른 실리콘-함유 폴리머(silicon-containing polymer)들(예를 들어, 폴리실세스퀴옥산(polysilsesquioxane)들 및 폴리실란(polysilane)들), 폴리비닐클로라이드(PVC : polyvinylchloride), 폴리아세테이트(polyacetate)들, 폴리노보넨(polynorbornene)들, 합성 고무(synthetic rubber)들(예를 들어, EPR, SBR, EPDM), 및 플루오르폴리머(fluoropolymer)들(예를 들어, 폴리비닐리덴 플루라이드(polyvinylidenefluoride), 폴리테트라플루오르에틸렌(TFE : polytetrafluoroethylene) 또는 폴리헥사플루오르프로필렌(polyhexafluoropropylene)), 플루오르올레핀(fluoro-olefin) 및 하이드로카본 올레핀(hydrocarbon olefin)의 코폴리머들(예를 들어, Lumiflon, 비정질 플루오르카본 폴리머들 또는 코폴리머들(예를 들어, Asahi Glass 주식회사에 의한 CYTOP 또는 DuPont에 의한 Teflon, 및 셀룰로스 물질 예컨대, 카르복시 메틸 셀룰로스(CMC: carboxy methyl cellulose), 2-하이드록시 에틸 셀룰로스(HEC : hydroxy ethyl cellulose), 하이드록시 프로필 메틸 셀룰로스(HPMC : hydroxy propyl methyl cellulose), 메틸 셀룰로스(MC : methyl cellulose)를 포함하지만, 이것으로 한정되지 않는다.The
상기 도포된 나노 와이어층을 패터닝한다. (S103)The applied nanowire layer is patterned. (S103)
상기 나노 와이어층은 패터닝되어 나도 와이어 패턴층(11)을 형성할 수 있다.The nanowire layer may be patterned to form the
상기 나노 와이어층은 포토 리소그래피 공정 또는 선택적인 에칭제 도포를 통해 패터닝될 수 있다.The nanowire layer may be patterned through a photolithographic process or selective etchant application.
상기 나노 와이어 패턴층(11)이 상기 포토 리소그래피 공정을 통해 형성되는 경우는 상기 나노 와이어층 상에 포토 레지스트가 도포되고, 투과 영역과 차단영역을 가지는 마스크 상부에 광을 조사한다.When the
상기 포토 레지스트의 일부 영역이 광에 의해 경화된 후 에칭액을 투여하고, 상기 에칭액에 의해 상기 나노 와이어층이 선택적으로 에칭되어 상기 나노 와이어 패턴층(11)이 형성된다.An etching solution is applied after a part of the photoresist is cured by light, and the nanowire layer is selectively etched by the etching solution to form the
또한, 상기 나노 와이어 패턴층(11)이 선택적인 에칭제 도포를 통해 형성되는 경우는 물리 마스크를 사용하거나 스크린 인쇄법을 통해 부분적으로 에칭액을 도포한후 에칭하여 상기 나노 와이어 패턴층(11)을 형성할 수 있다.In the case where the
상기 나노 와이어 패턴층(11)이 형성된 후 어닐링 공정을 통해 상기 투명전극을 경화할 수 있다.(S105)After the
상기 나노 와이어 패턴층(11)에 대한 어닐링 공정 후 상기 나노 와이어 패턴층(11)을 용액에 노출시킬 수 있다. (S107)After the annealing process for the
상기 용액은 염기성 용액일 수 있다. 상기 용액은 일정한 pH를 가지는 용액일 수 있다. 상기 용액은 NaOH, 수산화칼륨, 테트라메틸 암모늄 수산화물 및 트리에틸아민을 포함한 유기염기들을 포함할 수 있다.The solution may be a basic solution. The solution may be a solution having a constant pH. The solution may comprise organic bases including NaOH, potassium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide and triethylamine.
상기 나노 와이어 패턴층(11)이 용액에 노출된 후 상기 나노 와이어 패턴층(11)은 물로 세정될 수 있다. (S109)After the
상기 나노 와이어 패턴층(11)은 물 또는 다른 용액으로 가압분사 또는 수조에 투입됨으로써 세정될 수 있다.The
상기 세정공정을 마지막으로 상기 나노 와이어 패턴층 형성단계(S100)가 종료된다.Finally, the nanowire pattern layer forming step (S100) is completed.
상기 나노 와이어 패턴층(11)의 형성이후 상기 나노 와이어 패턴층(11)이 형성된 제1 기판(1)에 대한 줄히팅이 진행될 수 있다. (S110)
After the formation of the
도 4는 제1 실시 예에 따른 투명전극의 제조방법 중 줄히팅처리를 나타내는 도면이다.4 is a view showing a line heating process in the method of manufacturing a transparent electrode according to the first embodiment.
도 4를 참조하면, 상기 나노 와이어 패턴층(11)에는 전류원(5)이 연결될 수 있다.Referring to FIG. 4, a
상기 전류원(5)은 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 양단에 연결될 수 있다. 상기 전류원(5)은 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 양단에 연결되어 상기 나노 와이어 패턴층(11)에 전류를 인가할 수 있다.The
상기 전류원(5)은 일정한 전류를 공급하는 정전류원일 수 있다. 상기 전류원(5)은 상기 나노 와이어 패턴층(11)에 정전류를 인가할 수 있다. 상기 전류원(5)은 상기 나노 와이어 패턴층(11)에 전하를 전달하고, 상기 전하의 흐름에 의해 상기 나노 와이어 패턴층(11)이 가열되는 줄히팅 현상이 일어나며, 상기 줄히팅에 의해 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 내부저항이 감소한다.The
상기 나노 와이어 패턴층(11)의 내부저항이 감소함으로써 상기 나노 와이어 패턴층(11)을 전극으로 하는 기기의 RC지연에 의한 신호왜곡 현상을 줄일 수 있고, 고주파수로 구동되는 기기의 신호 간섭을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Since the internal resistance of the
도 5는 줄히팅 시간에 따른 면저항 감소율을 나타내는 그래프이다.5 is a graph showing the rate of sheet resistance reduction according to the line heating time.
도 5의 그래프는, 상기 전류원(5)에서 상기 나노 와이어 패턴층(11)으로 0.2A의 정전류가 인가되는 경우 전류 인가시간에 따른 면저항 감소율을 나타낸다.The graph of FIG. 5 shows the rate of sheet resistance reduction according to current application time when a constant current of 0.2 A is applied to the
상기 전류원(5)에서 상기 나노 와이어 패턴층(11)으로 30초 동안 0.2A의 정전류를 인가하는 경우 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 면저항은 11% 감소한다.When a constant current of 0.2 A is applied to the
상기 전류원(5)에서 상기 나노 와이어 패턴층(11)으로 90초 동안 0.2A의 정전류를 인가하는 경우 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 면저항은 23% 감소한다.When a constant current of 0.2 A is applied to the
상기 전류원(5)에서 상기 나노 와이어 패턴층(11)으로 150초 동안 0.2A의 정전류를 인가하는 경우 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 면저항은 26% 감소한다.When a constant current of 0.2 A is applied to the
상기 전류원(5)에서 상기 나노 와이어 패턴층(11)으로 300초 동안 0.2A의 정전류를 인가하는 경우 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 면저항은 3% 감소한다.When a constant current of 0.2 A is applied to the
이에 따라, 상기 나노 와이어 패턴층(11)은 면저항 감소를 위해 0.5초 내지 300초동안 줄히팅 처리를 할 수 있고, 바람직하게는 0.5초 내지 150초의 줄히팅 처리를 통해 면저항 감소를 유도할 수 있다. 또한, 90초 내지 150초의 줄히팅 처리를 통해 20%이상의 면저항 감소를 유도할 수 있다.Accordingly, the
상기 줄히팅 처리가 150초 초과인 경우 면저항 감소효과가 급격히 작아지는 것을 확인할 수 있다.When the line heating process is performed for more than 150 seconds, it is confirmed that the sheet resistance reduction effect is drastically reduced.
바람직하게는 상기 나노 와이어 패턴층(11)에 대해 150초 동안의 줄히팅 처리를 함으로써 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 면저항을 26%감소시킬 수 있다.
Preferably, the sheet resistance of the
도 6은 제1 실시 예에 따른 플라즈마 처리단계에서 플라즈마 처리 시간에 따른 면저항 감소율을 나타내는 그래프이다.6 is a graph showing a sheet resistance reduction rate according to plasma processing time in the plasma processing step according to the first embodiment.
도 6을 참조하면, 제1 실시 예에 따른 나노 와이어 패턴층(11)은 줄히팅 처리단계(S110) 이후 플라즈마 처리를 실시한다. (S120)Referring to FIG. 6, the
상기 플라즈마 처리는 상기 나노 와이어 패턴층(11)이 형성된 제1 기판(1)을 플라즈마 처리한다. 상기 플라즈마 처리에 의해 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 면저항이 감소할 수 있다. 상기 플라즈마 처리에 의해 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 외부저항이 감소하고 이에 따라 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 면저항이 감소한다.In the plasma treatment, the
상기 플라즈마 처리는 아르곤(Ar)가스를 이용하여 250W의 전력으로 5mtorr의 기압에서 진행한다.The plasma treatment is performed using argon (Ar) gas at a power of 250 W and a pressure of 5 mtorr.
상기 나노 와이어 패턴층(11)에 1분의 플라즈마 처리가 실시된 경우 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 면저항은 37% 감소한다.When the
상기 나노 와이어 패턴층(11)에 2분의 플라즈마 처리가 실시된 경우 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 면저항은 54% 감소한다.When the
상기 나노 와이어 패턴층(11)에 5분의 플라즈마 처리가 실시된 경우 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 면저항은 33% 감소한다.When the
상기 나노 와이어 패턴층(11)에 10분의 플라즈마 처리가 실시된 경우 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 면저항은 28%감소한다.When the
이에 따라, 상기 나노 와이어 패턴층(11)은 면저항 감소를 위해 30초 내지 10분동안 플라즈마 처리를 할 수 있다.Accordingly, the
바람직하게는 상기 나노 와이어 패턴층(11)은 1분 내지 5분의 플라즈마 처리를 하여 면저항 감소를 유도할 수 있다. 상기 나노 와이어 패턴층(11)은 1분 내지 5분의 플라즈마 처리를 통해 30%이상의 현저한 면저항 감소를 유도할 수 있다. 또한, 상기 플라즈마 처리가 1분 미만 및 5분 초과인 경우 면저항 감소율은 급격히 줄어든다.Preferably, the
바람직하게는 상기 나노 와이어 패턴층(11)은 10분의 플라즈마 처리에 의해 54%의 현저한 면저항 감소의 효과를 도출할 수 있다.Preferably, the
도 5 및 도 6의 줄히팅과 플라즈마 처리의 순서에 따른 면저항 감소율을 검토하기 위해 최적의 면저항 감소율을 가지는 줄히팅 조건인 0.2A정전류의 150초 처리와 최적의 면저항 감소율을 가지는 플라즈마 처리 조건인 아르곤을 이용한250W전력, 5mtorr의 처리조건에서 줄히팅 후 플라즈마처리, 플라즈마 처리 후 줄히팅 처리를 순차적으로 진행하였다.In order to examine the reduction rate of sheet resistance according to the order of row heating and plasma treatment shown in FIG. 5 and FIG. 6, a 150 second treatment of 0.2 A constant current, which is a line heating condition having an optimal sheet resistance reduction rate, and a treatment condition of argon , Plasma treatment after line heating, and line heating after plasma treatment were sequentially performed under the condition of 250 W power and 5 mtorr.
상기 나노 와이어 패턴(11)의 줄히팅 처리 후 플라즈마 처리의 경우 56.5%의 면저항 감소가 확인되었고, 플라즈마 처리 후 줄히팅 처리의 경우 28.4%의 면저항 감소가 확인되었다.The sheet resistance of the
이에 따라, 상기 나노 와이어 패턴(11)의 줄히팅 처리 후 플라즈마 처리를 하는 것이 면저항 측면에서 현저항 효과를 가진다.
Accordingly, plasma treatment after the row heating process of the
도 7은 제2 실시 예에 따른 투명전극의 제조방법을 나타내는 순서도이고, 도 8은 제2 실시 예에 따라 형성된 투명전극의 단면도이다.FIG. 7 is a flowchart showing a method of manufacturing a transparent electrode according to the second embodiment, and FIG. 8 is a sectional view of a transparent electrode formed according to the second embodiment.
제2 실시 예는 제1 실시 예와 비교하여 전도성 폴리머가 추가적으로 도포되는 것 이외에는 제1 실시 예와 동일하다. 따라서, 제2 실시 예를 설명함에 있어서, 제1 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 동일한 도면번호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다.The second embodiment is the same as the first embodiment except that the conductive polymer is additionally applied as compared with the first embodiment. Therefore, in describing the second embodiment, the same reference numerals are assigned to the same components as those of the first embodiment, and a detailed description thereof is omitted.
도 7 및 도 8을 참조하면, 제2 실시 예에 따른 투명전극의 제조방법은 제1 기판(1) 상에 나노 와이어 패턴층(11)을 형성하는 단계(S200), 상기 제1 기판(1) 상에 형성된 나노 와이어 패턴층(11)을 줄히팅하는 단계(S210), 상기 줄히팅 처리된 나노 와이어 패턴층(11)을 플라즈마 처리하는 단계(S220) 및 상기 나노 와이어 패턴층(11) 상에 전도성 폴리머(21)를 도포하는 단계(S230)를 포함한다.7 and 8, a method of manufacturing a transparent electrode according to a second embodiment includes forming a
상기 나노 와이어 패턴층(11)의 전면에는 전도성 폴리머(21)가 도포된다. 결과적으로 상기 나노 와이어 패턴층(11)은 상기 전도성 폴리머(21)와 상기 제1 기판(1) 사이에 위치할 수 있다.A
상기 전도성 폴리머(21)는 폴리(3,4-에틸렌디옥시디오펜)(PEDOT[poly(3,4-ethylenedioxythiophene]), 폴리아닐린(polyaniline) 및 폴리디오펜(polythiophene)을 포함할 수 있다.The
상기 전도성 폴리머(21)가 도포됨으로써 상기 투명전극의 표면의 표면거칠기가 감소할 수 있다. 상대적으로 표면의 표면거칠기가 작은 상기 전도성 폴리머(21)가 상대적으로 표면의 표면거칠기가 큰 상기 나노 와이어 패턴층(11)에 도포됨으로써 상기 전도성 폴리머(21)가 외부로 노출됨으로써 상기 투명전극의 표면의 표면거칠기가 작아진다. 또한, 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 미세 공극에 상기 전도성 폴리머(21)가 채워짐으로써 상기 투명전극의 표면의 표면거칠기가 작아진다.By applying the
상기 전도성 폴리머(21)가 상기 투명전극의 표면의 표면거칠기를 감소시킴으로써 상기 투명전극 상부에 적층될 수 있는 구조의 단차발생을 방지하여, 전기적인 개방을 방지할 수 있어, 불량률을 줄일 수 있는 효과가 있다.By reducing the surface roughness of the surface of the
상기 전도성 폴리머(21)가 도포됨으로써 상기 투명전극의 면저항값이 감소할 수 있다. 상기 전도성 폴리머(21)는 전자의 이동통로가 될 수 있으므로, 상기 전도성 폴리머(21)가 상기 나노 와이어 패턴층(11)에 형성됨으로써 상기 투명전극의 면저항이 감소될 수 있다.By applying the
상기 전도성 폴리머(21)가 도포됨으로써 상기 투명전극의 유연성(flexibility)이 증가할 수 있다. 상대적으로 유연성이 큰 상기 전도성 폴리머(21)가 상기 제1 기판(1) 상의 상기 나노 와이어 패턴(11) 상에 도포됨으로써 상기 투명전극이 휘거나 구부러지더라도 상기 투명전극의 깨짐을 방지할 수 있어 상기 투명전극의 유연성이 향상된다.The flexibility of the transparent electrode can be increased by applying the
상기 전도성 폴리머(21)에 의해 상기 투명전극의 유연성이 향상되어 상기 투명전극을 플렉서블 디스플레이 장치에 사용할 수 있다. 즉, 상기 투명전극을 포함한 유기발광 표시장치(OLED) 또는 액정표시장치(LCD)를 플렉서블 표시장치로 구현할 수 있다.The flexibility of the transparent electrode is improved by the
상기 전도성 폴리머(21)의 두께는 50nm 내지 200nm일 수 있다. 상기 전도성 폴리머(21)가 50nm 내지 200nm의 두께를 가짐으로써 투과율, 표면거칠기 및 면저항 측면에서 현저한 효과를 가질 수 있다.The thickness of the
예를 들어, 상기 전도성 폴리머(21)의 두께가 50nm미만으로 형성되는 경우 인 경우 상기 전도성 폴리머(21)에 의한 표면거칠기 감소 및 면저항 감소 측면에서 효과가 작고, 상기 전도성 폴리머(21)의 두께가 200nm를 초과하는 경우 상기 전도성 폴리머(21)에 의해 차단되는 빛이 많아져 투과율이 나빠져 디스플레이 장치 또는 터치패널에 이용시 휘도가 나빠지며, 소비전력이 증가되는 단점을 가진다.For example, in the case where the thickness of the
바람직하게는 상기 전도성 폴리머(21)는 160nm의 두께를 가질 수 있다.
Preferably, the
도 9는 제2 실시 예의 전도성 폴리머 도포후의 면저항 변화를 나타내는 그래프이다.9 is a graph showing changes in sheet resistance after application of the conductive polymer of the second embodiment.
도 9에서 상기 나노 와이어 패턴층(11) 상에는 160nm의 전도성 폴리머(21)가 도포된다.In FIG. 9, a 160 nm
상기 나노 와이어 패턴층(11)만 도포된 2개의 투명전극을 준비한다. 각각의 투명전극은 52.4Ω/㎠, 47Ω/㎠의 면저항 값을 가진다. 상기 2개의 투명전극이 서로 다른 면저항 값을 가지는 이유는 공정편차에 기인한다.Two transparent electrodes coated with only the
상기 47Ω/㎠의 면저항 값을 가지는 투명전극에 전술한 줄히팅 처리 및 플라즈마 처리를 수행하는 경우 상기 투명전극의 면저항값은 34Ω/㎠으로 감소한다. 이후 상기 나노 와이어 패턴층(11)에 160nm의 전도성 폴리머(21)를 도포하는 경우 면저항 값이 29.2Ω/㎠으로 감소한다.When the row heating process and the plasma process are performed on the transparent electrode having the sheet resistance value of 47? /
상기 줄히팅 및 플라즈마 처리 후 전도성 폴리머(21) 도포에 의해 47 Ω/㎠이었던 면저항 값이 29.2Ω/㎠으로 감소하였으므로, 제2 실시 예에 따른 투명전극의 면저항 값은 37.87%가 감소되는 효과를 가진다.Since the sheet resistance value of 47 Ω /
비교 예에 따른 52.4Ω/㎠의 면저항 값을 가지는 투명전극은 줄히팅 및 플라즈마 처리 없이 전도성 폴리머(21)만 도포됨으로써 면저항값이 38.9 Ω/㎠으로 감소한다. 즉, 비교 예에 따른 투명전극의 면저항 값은 25.76%의 감소효과를 가진다.The transparent electrode having the sheet resistance value of 52.4? /
즉, 제2 실시 예에 따른 투명전극은 줄히팅 및 플라즈마 처리 후 전도성 폴리머(21)를 도포함으로써 상기 투명전극의 면저항값이 현저히 감소되는 효과를 가진다. 상기 면저항값 감소에 의해 상기 투명전극을 포함하는 기기의 RC지연에 의한 신호왜곡 현상을 줄일 수 있고, 고주파수로 구동되는 기기의 신호 간섭을 방지할 수 있는 효과가 있다.
That is, the transparent electrode according to the second embodiment has the effect that the sheet resistance value of the transparent electrode is remarkably reduced by applying the
도 10은 제2 실시 예의 전도성 폴리머 도포후의 표면거칠기값 변화를 나타내는 그래프이다.10 is a graph showing changes in surface roughness value after application of the conductive polymer of the second embodiment.
도 10에서 상기 나노 와이어 패턴층(11) 상에는 160nm의 전도성 폴리머(21)가 도포된다.In FIG. 10, a 160 nm
도 10의 그래프에서 세로축은 RMS표면거칠기를 나타내며, 단위는 Å이다.In the graph of Fig. 10, the vertical axis represents the RMS surface roughness, and the unit is Å.
상기 RMS표면거칠기는 표면을 상기 표면과 직각인 평면으로 절단하고, 그 단면의 곡선의 평균값으로부터의 제곱평균값으로 나타낸 RMS 중심선의 양쪽 높이의 절대값의 평균을 의미한다.The RMS surface roughness refers to an average of the absolute values of the heights of both sides of the RMS center line, which are obtained by cutting the surface into a plane perpendicular to the surface and representing a square mean value from the average value of the curves of the cross section.
상기 전도성 폴리머(21)가 도포되기 전의 RMS표면 거칠기 값은 317Å값을 가지고, 상기 전도성 폴리머(21)가 도포된 이후의 RMS 표면 거칠기 값은 78Å값을 가지므로, 75.39%의 RMS표면 거칠기 값의 감소효과를 가진다.The RMS surface roughness value before the
상기 전도성 폴리머(21)가 도포됨으로써 상대적으로 표면 거칠기가 큰 나노 와이어 패턴층(11)이 외부로 노출되지 않고, 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 미세 공극에 상기 전도성 폴리머(21)가 채워짐으로써 상기 투명전극의 표면의 표면거칠기가 작아진다.The
상기 전도성 폴리머(21)의 도포에 의해 상기 표면 거칠기가 현저히 감소되고, 이에 따라 상기 제1 기판(1), 나노 와이어 패턴층(11) 및 전도성 폴리머(21)를 포함하는 투명전극의 상부에 적층될 수 있는 구조의 단차발생을 방지하여, 전기적인 개방을 방지할 수 있어 결과적으로 기기의 불량률을 줄일 수 있는 효과가 있다.
The surface roughness is remarkably reduced by the application of the
도 11은 제2 실시 예에의 유연성을 측정하기 위한 비교 예에 대한 단면도이고, 도 12는 제2 실시 예와 비교 예의 구부림 횟수에 대한 투명전극의 면저항의 변화를 나타내는 그래프이다.FIG. 11 is a cross-sectional view of a comparative example for measuring the flexibility in the second embodiment, and FIG. 12 is a graph showing a change in sheet resistance of the transparent electrode with respect to the number of bends in the second embodiment and the comparative example.
도 11 및 도 12에서는 제2 실시 예의 유연성을 설명하기 위해 3개의 비교 예와 비교하여 유연성 검사를 실시하였다. 제2 실시 예와 3개의 비교 예의 제1 기판(1)은 두께 및 특성이 동일하고, 제2 실시 예와 비교 예의 동일한 물질은 동일한 두께와 특성을 가지는 것을 전제로 한다.In FIGS. 11 and 12, flexibility tests were performed in comparison with the three comparative examples in order to explain the flexibility of the second embodiment. It is assumed that the
도 11 및 도 12를 참조하면, 제2 실시 예에 따른 투명전극은 제1 기판(1)에 형성된 상기 나노 와이어 패턴층(11) 및 상기 나노 와이어 패턴층(11) 상에 도포된 전도성 폴리머(21)를 포함한다.11 and 12, the transparent electrode according to the second embodiment includes the
제1 비교 예에 따른 투명전극은 상기 제1 기판(1) 상에 도포된 ITO(Indium tin oxide, 19)를 포함하고, 제2 비교 예에 따른 투명전극은 상기 제1 기판(1) 상에 도포된 ITO(19)와 상기 ITO(19) 상에 도포된 나노 와이어 패턴층(11)을 포함하며, 제3 비교 예에 따른 투명전극은 제1 기판(1) 상에 도포된 전도성 폴리머(21)와 상기 전도성 폴리머(21) 상에 도포된 나노 와이어 패턴층(11)을 포함한다.The transparent electrode according to the first comparative example includes ITO (Indium Tin Oxide) 19 coated on the
상기 제2 실시 예에 따른 투명전극과 상기 제1 내지 제3 비교 예에 따른 투명전극에 구부림 검사를 실시 한다. 상기 구부림 검사는 상기 투명전극의 일측을 고정하고, 상기 일측과 이격된 타측을 수평이동하여 상기 투명전극의 굽힘과 원위치를 반복적으로 실시하여 구부림 횟수에 따른 면저항을 측정하는 것으로 실시 하였다.The transparent electrodes according to the second embodiment and the transparent electrodes according to the first to third comparative examples are checked for bending. The bending test was performed by fixing one side of the transparent electrode and horizontally moving the other side spaced apart from the one side to repeatedly perform bending and in-situ of the transparent electrode to measure the sheet resistance according to the number of bending.
상기 제2 실시 예에 따른 투명전극은 구부림 검사 실시전 4Ω/㎠의 면저항 값을 가지고, 구부림 횟수가 1000회에 도달하더라도 면저항의 변화량이 크지 않다.The transparent electrode according to the second embodiment has a sheet resistance value of 4? /
이에 반해, 제1 비교 예의 경우 구부림 횟수가 증가할수록 면저항 값도 증가하여 구부림 횟수가 1000회에 도달했을 때, 면저항이 약 2500Ω/㎠으로 증가하였다.On the other hand, in the first comparative example, as the number of bending increases, the sheet resistance value also increases, and when the number of bending reaches 1000 times, the sheet resistance increases to about 2500? /
상기 제1 비교 예의 경우 제1 기판(1)과 ITO(19)를 포함하는 투명전극으로 유연성이 부족한 ITO(19)에 의해 ITO(19)가 구부러짐으로써 면저항이 급격히 상승하는 것으로 볼 때, 깨짐이 발생하여 전극의 다수 영역이 전기적으로 개방되는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 투명전극으로 ITO(19)보다는 제2 실시 예의 상기 나노 와이어 패턴층(11)이 플렉서블 디스플레이에 보다 적합함을 확인할 수 있다.In the first comparative example, when the
상기 제2 비교 예의 경우 구부림 횟수가 1000회에 도달하였을 때, 면저항 값이 약 200Ω/㎠으로 증가하였다.In the second comparative example, when the number of bending times reached 1000, the sheet resistance value was increased to about 200? /
상기 제2 비교 예의 경우 제1 기판(1), ITO(19) 및 나노 와이어 패턴층(11)이 순차적으로 적층된 투명전극으로 제2 실시 예와 비교하여 전도성 폴리머(21)를 포함하지 않는 형태이다.In the second comparative example, a transparent electrode in which the
상기 제2 비교 예의 경우 상기 나노 와이어 패턴층(11)이 형성되더라도 제2 실시 예와 같이 전도성 폴리머(21)가 없어 유연성을 증가시킬 수 있는 구성이 없으므로 구부러짐에 의해 상기 나노 와이어 패턴층(11)과 상기 전도성 폴리머(21)가 전기적으로 개방되어 면저항이 급격히 상승한다. 즉, 플렉서블 디스플레이에 적합한 투명전극은 전도성 폴리머(21)를 포함하여야 함을 확인할 수 있다.In the second comparative example, the
상기 제3 비교 예의 경우 구부림 횟수가 1000회에 도달하였을 때, 면저항 값이 약 750Ω/㎠으로 증가하였다.In the third comparative example, when the number of bending times reached 1000, the sheet resistance value increased to about 750? /
상기 제3 비교 예의 경우 제1 기판(1), 전도성 폴리머(21) 및 나노 와이어 패턴층(11)이 순차적으로 적층된 투명전극으로 제2 실시 예와 비교하여 상기 전도성 폴리머(21)와 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 적층 순서가 상이한 형태이다.In the case of the third comparative example, the
상기 제3 비교 예의 경우 제2 실시 예와 비교하여 포함하는 층은 동일하나 적층 순서가 다른 경우로써 상기 나노 와이어 패턴층(11)이 상기 전도성 폴리머(21)와 기판(1) 사이에 형성되었을 때 유연성이 큰 것을 확인할 수 있다.In the case of the third comparative example, the layers included are the same as those of the second embodiment but are different in the stacking order. When the
즉, 제2 실시 예와 같이 상기 제1 기판(1), 나노 와이어 패턴층(11) 및 전도성 폴리머(21)를 순차적으로 적층하는 경우 가장 유연성이 높다.That is, when the
상기 전도성 폴리머(21)의 적층구조에 의해 상기 투명전극의 유연성이 향상되어 상기 투명전극을 플렉서블 디스플레이 장치에 사용할 수 있다. 즉, 상기 투명전극을 포함한 유기발광 표시장치(OLED) 또는 액정표시장치(LCD)를 플렉서블 표시장치로 구현할 수 있다.
The flexibility of the transparent electrode is improved by the laminated structure of the
도 13은 제3 실시 예에 따른 투명전극의 제조방법을 나타내는 순서도이고, 도 14는 제3 실시 예에 따라 형성된 투명전극을 포함하는 유기발광 표시장치를 나타내는 단면도이다.FIG. 13 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a transparent electrode according to a third embodiment, and FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display including a transparent electrode formed according to a third embodiment.
제3 실시 예는 제2 실시 예와 비교하여 고분자 필름이 추가적으로 도포되는 것 이외에는 동일하다. 따라서, 제3 실시 예를 설명함에 있어서, 제1 및 제2 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 동일한 도면번호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다.The third embodiment is the same as the second embodiment except that the polymer film is additionally applied. Therefore, in describing the third embodiment, the same reference numerals are given to the components common to the first and second embodiments, and the detailed description is omitted.
도 13 및 도 14를 참조하면 제3 실시 예에 따른 투명전극의 제조방법은 제1 기판(1) 상에 나노 와이어 패턴층(11)을 형성하는 단계(S300), 상기 제1 기판(1) 상에 형성된 나노 와이어 패턴층(11)을 줄히팅하는 단계(S310), 상기 줄히팅 처리된 나노 와이어 패턴층(11)을 플라즈마 처리하는 단계(S320), 상기 나노 와이어 패턴층(11) 상에 전도성 폴리머(21)를 도포하는 단계(S33) 및 상기 제1 기판(31)에 고분자 필름(31)을 도포하는 단계(S340)를 포함한다.13 and 14, a method of fabricating a transparent electrode according to a third embodiment of the present invention includes forming a
상기 고분자 필름(31)은 상기 나노 와이어 패턴층(11)의 반대면에 형성될 수 있다. 상기 고분자 필름(31)은 상기 나노 와이어 패턴층(11)이 형성되지 않은 제1 기판(31)에 형성될 수 있다. The polymer film 31 may be formed on the opposite side of the
상기 제1 기판(1)의 일면에는 상기 나노 와이어 패턴층(11)이 형성되고, 상기 제1 기판(1)의 타면에는 상기 고분자 필름(31)이 형성될 수 있다. 상기 제1 기판(1)은 상기 나노 와이어 패턴층(11) 및 상기 고분자 필름(31) 사이에 위치할 수 있다.The
상기 고분자 필름(31)은 상기 제1 기판(1) 상에 도포될 수 있다. 또는 상기 고분자 필름(31)은 상기 제1 기판(1)에 부착될 수 있다. 상기 고분자 필름(31)이 상기 제1 기판(1)에 부착되는 경우에 상기 고분자 필름(31)은 상기 제1 기판(1)에 접착제를 통해 부착될 수 있다. The polymer film 31 may be applied on the
상기 고분자 필름(31)은 PI(polyimide) 등의 연성 폴리머 물질을 포함할 수 있다.The polymer film 31 may include a soft polymer material such as PI (polyimide).
상기 고분자 필름(31)은 상기 제1 기판(1)에 부착되어 상기 투명전극의 유연성(flexibility)을 향상시킬 수 있다. 상기 고분자 필름(31)이 연성 폴리머 물질을 포함함으로써 상기 투명전극이 휘거나 구부러지더라도 상기 투명전극의 깨짐을 방지할 수 있어 상기 투명전극의 유연성이 향상된다.The polymer film 31 may be attached to the
상기 고분자 필름(31)에 의해 상기 투명전극의 유연성이 향상되어 상기 투명전극을 플렉서블 디스플레이 장치에 사용할 수 있다. 즉, 상기 투명전극을 포함한 유기 발광 표시장치(OLED) 또는 액정표시장치(LCD)를 플렉서블 표시장치로 구현할 수 있다.The flexibility of the transparent electrode is improved by the polymer film 31, and the transparent electrode can be used in a flexible display device. That is, the organic light emitting display (OLED) or the liquid crystal display (LCD) including the transparent electrode may be implemented as a flexible display device.
제3 실시 예에서는 제1 기판(1) 상에 나노 와이어 패턴(11)을 형성하여 ITO 대비 높은 유연성을 확보하고, 상기 전도성 폴리머(11) 및 고분자 필름(31)을 도포함으로써 유연성을 향상시켜 플렉서블 표시장치에 적합한 투명전극을 제공한다.In the third embodiment, the
다만, 상기 제1 실시 예와 같이 상기 전도성 폴리머(11)를 생략하고, 상기 고분자 필름(31)을 도포할 수도 있다. 이 경우에도 상기 고분자 필름(31)에 의해 투명전극의 유연성이 향상될 수 있다.However, the
상기 투명전극을 표시장치에 이용하는 경우 상기 제1 기판(1)과 대향하는 제2 기판(3)이 구비된다.When the transparent electrode is used for a display device, a
상기 제2 기판(3)은 상기 제1 기판(1)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상기 제2 기판(3)에는 전극 또는 컬러필터가 형성될 수도 있으나, 이에 대해서는 설명을 생략한다.The
상기 제1 기판(1)과 제2 기판(3) 사이에는 간격을 유지하기 위한 스페이서(41)가 형성된다. 상기 스페이서(41)는 상기 제1 기판(1) 상의 상기 전도성 폴리머(21)와 상기 제2 기판(3) 사이에 형성될 수 있다. 상기 스페이서(41)는 상기 전도성 폴리머(21)의 상면과 상기 제2 기판(3)의 하면 사이에 형성될 수 있다.A spacer 41 is formed between the
상기 스페이서(41)는 상기 제1 기판(1)과 제2 기판(3) 사이의 간격을 유지하는 역할을 하며, 다수의 스페이서(41) 내부를 외부로부터 보호하는 봉지제 역할을 할 수 있다.The spacers 41 serve to maintain a gap between the
즉, 상기 스페이서(41)에 의해 외부물질이 상기 스페이서(41) 사이로 침투하는 것을 방지할 수 있다.That is, it is possible to prevent the external material from penetrating between the spacers 41 by the spacer 41.
상기 다수의 스페이서(41) 사이에는 유기발광 물질 또는 액정층이 형성될 수 있다. An organic light emitting material or a liquid crystal layer may be formed between the plurality of spacers 41.
상기 다수의 스페이서(41) 사이에 유기발광 물질이 형성되는 경우 상기 표시장치는 유기발광 표시장치(OLED)가 되고, 상기 나노 와이어 패턴(11)을 포함하는 투명전극은 상기 유기발광 표시장치(OLED)의 전극으로 사용될 수 있다.When the organic light emitting material is formed between the plurality of spacers 41, the display device becomes an organic light emitting diode (OLED), and the transparent electrode including the
상기 다수의 스페이서(41) 사이에 액정층이 형성되는 경우 상기 표시장치는 액정표시장치(LCD)가 되고, 상기 나노 와이어 패턴(11)을 포함하는 투명전극은 상기 액정표시장치(LCD)의 전극으로 사용될 수 있다.When the liquid crystal layer is formed between the plurality of spacers 41, the display device becomes a liquid crystal display (LCD), and the transparent electrode including the
또한, 상기 투명전극의 유연성으로 인해 상기 유기발광 표시장치(OLED) 또는 액정표시장치(LCD)는 플렉서블 표시장치로 사용될 수 있다.Further, due to the flexibility of the transparent electrode, the organic light emitting display (OLED) or the liquid crystal display (LCD) can be used as a flexible display device.
도 14에서는 제3 실시 예에 따라 형성된 투명전극을 이용한 표시장치를 예로 들어 설명하였으나, 제1 실시 예 또는 제2 실시 예에 따라 형성된 투명전극을 이용하여 표시장치를 제조할 수도 있다.
In FIG. 14, the display device using the transparent electrode formed according to the third embodiment is described as an example, but the display device may be manufactured using the transparent electrode formed according to the first embodiment or the second embodiment.
상기에서는 본 발명에 따른 실시예를 기준으로 본 발명의 구성과 특징을 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상과 범위 내에서 다양하게 변경 또는 변형할 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게 명백한 것이며, 따라서 이와 같은 변경 또는 변형은 첨부된 특허청구범위에 속함을 밝혀둔다.
While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be apparent to those skilled in the art that changes or modifications may fall within the scope of the appended claims.
1: 제1 기판
3: 제2 기판
11: 나노 와이어 패턴층
21: 전도성 폴리머
31: 고분자 필름
41: 스페이서1: first substrate
3: second substrate
11: nanowire pattern layer
21: Conductive polymer
31: polymer film
41: Spacer
Claims (17)
상기 나노 와이어 패턴층을 줄히팅 처리하는 단계; 및
상기 나노 와이어 패턴층을 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는 투명전극 제조방법.Forming a nanowire pattern layer on the substrate;
Line heating the nanowire pattern layer; And
And a step of plasma-treating the nanowire pattern layer.
상기 줄히팅 처리단계는 0.5초 내지 150초의 줄히팅을 통해 처리하는 투명전극 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the line heating process step is performed through line heating for 0.5 to 150 seconds.
상기 줄히팅 처리단계는 정전류를 상기 나노 와이어 패턴층에 인가함으로써 수행하는 투명전극 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the line heating process is performed by applying a constant current to the nanowire pattern layer.
상기 플라즈마 처리단계는 30초 내지 10분의 플라즈마를 통해 처리하는 투명전극 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the plasma treatment step is performed through a plasma for 30 seconds to 10 minutes.
상기 나노 와이어 패턴층 상에 전도성 폴리머를 도포하는 단계를 더 포함하는 투명전극 제조방법.The method according to claim 1,
Further comprising the step of applying a conductive polymer on the nanowire pattern layer.
상기 전도성 폴리머는 PEDOT 물질을 포함하는 투명전극 제조방법.6. The method of claim 5,
Wherein the conductive polymer comprises a PEDOT material.
상기 전도성 폴리머의 두께는 50nm 내지 200nm인 투명전극 제조방법.6. The method of claim 5,
Wherein the thickness of the conductive polymer is 50 nm to 200 nm.
상기 기판상에 고분자 필름을 도포하는 단계를 더 포함하는 투명전극 제조방법.The method according to claim 1,
Further comprising the step of applying a polymer film on the substrate.
상기 기판의 일면에는 상기 나노 와이어 패턴층이 도포되고,
상기 기판의 타면에는 상기 고분자 필름이 도포되는 투명전극 제조방법.9. The method of claim 8,
Wherein the nanowire pattern layer is coated on one surface of the substrate,
And the polymer film is applied to the other surface of the substrate.
상기 고분자 필름은 PI(polyimide)를 포함하는 투명전극 제조방법.9. The method of claim 8,
Wherein the polymer film comprises polyimide (PI).
상기 기판상에 형성되는 나노 와이어 패턴층; 및
상기 나노 와이어 패턴층 상에 형성되는 전도성 폴리머를 포함하는 투명전극.Board;
A nanowire pattern layer formed on the substrate; And
And a conductive polymer formed on the nanowire pattern layer.
상기 전도성 폴리머의 두께는 50nm 내지 200nm인 투명전극.12. The method of claim 11,
Wherein the conductive polymer has a thickness of 50 nm to 200 nm.
상기 나노 와이어 패턴층이 형성된 기판의 반대면에 형성되는 고분자 필름을 더 포함하는 투명전극.12. The method of claim 11,
And a polymer film formed on an opposite surface of the substrate on which the nanowire pattern layer is formed.
상기 제1 기판 상에 형성되는 나노 와이어 패턴층; 및
상기 나노 와이어 패턴층 상에 형성되는 전도성 폴리머를 포함하는 표시장치.A second substrate facing the first substrate and the first substrate;
A nanowire pattern layer formed on the first substrate; And
And a conductive polymer formed on the nanowire pattern layer.
상기 전도성 폴리머의 두께는 50nm 내지 200nm인 표시장치.15. The method of claim 14,
Wherein the thickness of the conductive polymer is 50 nm to 200 nm.
상기 나노 와이어 패턴층이 형성된 기판의 반대면에 형성되는 고분자 필름을 더 포함하는 표시장치.15. The method of claim 14,
And a polymer film formed on an opposite surface of the substrate on which the nanowire pattern layer is formed.
상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 형성되는 다수의 스페이서를 더 포함하는 표시장치.
15. The method of claim 14,
And a plurality of spacers formed between the first substrate and the second substrate.
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|---|---|---|---|
| KR1020140065529A KR20150138564A (en) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | Transparent electrode, Fabrication method thereof and display device |
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|---|---|
| KR20150138564A true KR20150138564A (en) | 2015-12-10 |
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| WO2018093014A1 (en) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 울산과학기술원 | Silver nanowire film and manufacturing method therefor, and touch screen panel and manufacturing method therefor |
| KR20180056060A (en) * | 2016-11-18 | 2018-05-28 | 울산과학기술원 | Silver nanowire film and method for manufacturing thereof |
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| KR20180056060A (en) * | 2016-11-18 | 2018-05-28 | 울산과학기술원 | Silver nanowire film and method for manufacturing thereof |
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