KR20150131874A - 발광소자 패키지의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

실시예는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법은 패키지 몸체의 캐비티 상에 발광소자, 전극 및 몰딩부가 구비된 제1 발광소자 패키지지하는 단계; 상기 몰딩부를 일부를 제거하여 상기 캐비티 내에 제1 몰딩부를 잔존시키는 단계; 및 상기 제1 몰딩부 상에 제2 몰딩부를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.

Description

발광소자 패키지의 제조방법{MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
실시예는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자(electron)와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전자대(Valance band)의 밴드갭 에너지에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 발광소자가 되는 것이다.
도 1은 종래기술에 의한 제1 발광소자 패키지(11)의 단면도이다.
종래기술에 의한 제1 발광소자 패키지(11)는 패키지 몸체(10)와, 상기 패키지 몸체(10)에 배치된 전극(20)과, 상기 패키지 몸체(10)에 실장되며 상기 전극(20)과 전기적으로 연결되는 발광소자(30) 및 상기 발광소자(30)를 포위하는 수지(40)를 포함한다.
상기 수지(40)에 혼합된 형광체(41)는 발광소자(30)에서 발생하는 청색 또는 자외선 등의 빛을 다른 색으로 파장변환 시켜주는 역할을 한다.
한편, 종래기술에서 형광체가 도포된 발광소자 패키지 완제품 중에 형광체의 양, 균일도 차이 및 기타 여러 요인 등에 의해 색상(Color), CRI(연색성) 등의 스펙을 만족시키지 못하는(Spec out) 스크랩(scrap) 제품이 발생하며, 이러한 스크랩 제품비율은 수% 내지 10%에 이르며, 스크랩 제품은 폐기되거나 중량 단위로 저가 판매되는 실정이다.
이러한 spec-out 제품의 95% 이상은 전기적 불량이 아니라 단지 색좌표 값이 규격에서 벗어나기 때문이므로 색좌표만 재조정할 수 있으면 정상품으로 사용할 수 있다.
도 2는 종래기술에 의한 제2 발광소자의 패키지(12) 단면도이다.
종래기술에 의하면, TV나 모니터(Monitor)에 사용되는 스크랩 LED에, 도 2와 같이 경화된 하부 수지(40) 표면에 제2 형광체(51)를 포함하는 상부 수지(50)를 도포하여 조명용 LED로 변환시켜 사용하는 시도가 있다.
그러나, 이러한 종래 기술은 기 도포된 하부 수지(40)와 색변환을 위해 추가 도포한 상부 수지(50)의 계면접착력 및 신뢰성이 낮아 사용 중 단기간 내에 계면분리 현상이 나타나 신뢰성이 취약한 문제가 있다.
구체적으로, 경화된 하부 실리콘(40)은 다른 물질과의 접착력이 매우 낮은 특성이 있다.
또한 종래기술에 의하면, 제품 제작, 테스트 및 소팅(sorting) 등의 제조 공정 중에 오염이 발생하여 벌크(Bulk) 상태로 보관시 보관 상태가 적절하지 않아 표면에 오염이 발생하여 다른 물질과의 접착을 약화시킨다.
도 3은 종래기술에 의한 제2 발광소자의 패키지의 단면 사진이다.
종래기술에서 하부 수지(40)는 액체 상태일 때 기판 소재인 PPA 혹은 PCT 혹은 EMC와 접촉(wetting)이 우수하기 때문에, 종래기술에서 하부 수지(40)는 기판의 컵(Cup)의 끝 분까지 연결되어 있어, 추가 도포되는 상부 수지(50)는 패키지 몸체(10)와 접합하는 면적(A)이 없거나 매우 작고, 오히려 접합력이 약한 하부 수지(40)와 대부분 접합되어 결합력이 약하다.
또한 종래기술에 의하면, 하부 수지(40)에 포함된 형광체 양의 감소 없이 추가(증가)만 가능하므로, 스크랩(scrap) 발광소자 패키지의 색좌표를 미세하게 조절하는 것이 용이하지 않다.
특히 색온도가 낮은 제품을 색온도가 높은 제품으로 변환시키는 것이 용이하지 않는 등 색좌표 변경에 제약이 있기 때문에, 사용하는 색온도가 상대적으로 높은 BLU용 발광소자 패키지를 상대적으로 사용하는 색온도가 낮은 조명용 제품으로 바꾸는 용도로 주로 사용된다.
따라서 BLU용 발광패키지 제품을 다시 BLU용으로, 혹은 조명용 발광소자 패키지 제품을 비슷한 색온도를 갖는 조명용 제품으로 색조정을 하는 것은 거의 불가능한 실정이다.
또한 종래기술에 의하면, 추가 도포되는 상부의 표면이 위로 볼록하기 때문에 BLU용으로 사용시 많은 제약이 따르기 때문에 조명용으로만 사용되고 있다. 예를 들어, 기존방법을 적용하는 경우 추가도포된 몰딩 수지의 상부 표면이 볼록하면 BLU에 적용했을 때 광학적인 요건을 만족할 수 없기 때문에 사용이 불가능하다. 즉 기존 방법으로 색좌표를 재조정한 제품은 BLU용으로는 사용이 불가능한 실정이다.
또한 종래기술에 의하면, 수지(50) 내부가 매우 두껍고 외부가 얇게 되어 지향각에 따라 광학특성이 불균일할 수 있다.
또한 종래기술에 의하면, 하부 수지(40)의 높이가 높게 되면, 상부 수지(50)를 균일하게 도포하는 것이 용이하지 않는 문제가 있다.
실시예는 색재현성, 색온도 및 CRI 등의 발광소자 패키지의 특성을 만족시키지 못하는 제품에 대해, 추가적인 처리, 특히 기존 몰딩 수지를 일부 혹은 전부 제거한 뒤 2차 몰딩수지를 추가 도포하는 공정을 포함하는 처리를 통해 색좌표를 포함한 광학특성이 필요한 값으로 재조정될 뿐만 아니라 신뢰성이 우수한 발광소자 패키지를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법은 패키지 몸체(110)의 캐비티(C) 상에 발광소자(130), 전극(120) 및 몰딩부(140a)가 구비된 제1 발광소자 패키지(100)를 준비하는 단계; 상기 몰딩부(140a)를 일부를 제거하여 상기 캐비티(C) 내에 제1 몰딩부(140)를 잔존시키는 단계; 및 상기 제1 몰딩부(140) 상에 제2 몰딩부(150)를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
또한 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법은 패키지 몸체(110)의 캐비티(C) 상에 발광소자(130), 전극(120) 및 몰딩부(140a)가 구비된 제1 발광소자 패키지(100)를 준비하는 단계; 상기 몰딩부(140a) 전부를 제거하는 단계; 및 상기 몰딩부(140a) 전부가 제거된 상기 패키지 몸체 상에 제2 몰딩부(150)를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
실시예에 의하면, 원하는 광특성 값 범위를 벋어나는 발광소자 패키지에서 몰딩수지를 일부 혹은 전부 제거한 후 2차 몰딩수지를 추가 도포하는 공정을 포함하는 후처리 작업을 통해 발광소자 패키지의 광특성을 재조정함으로써 신뢰성이 우수한 발광소자 패키지로 변환시킬 수 있다.
뿐만 아니라 실시예에 의하면, 비슷한 색온도를 갖는 제품으로 색변환이 용이하기 때문에, 실시예에 의하면 BLU용 발광소자 패키지 스크랩(scrap)을 다시 동일한 용도의 BLU용에 적합한 발광소자 패키지로 광특성 조정이 가능하며, 또한 조명용 발광소자 패키지 스크랩(scrap)도 광특성 조정이 가능하여 조명용 발광소자 패키지로 활용할 수 있다.
따라서 실시예에 의하면, 종래 방법인 스크랩 발광소자 패키지에서 하부 몰딩수지를 제거하지 않고 단순히 2차 몰딩수지를 추가도포하는 방법으로는 얻을 수 없는 신뢰성이 우수한 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
도 1은 종래기술에 의한 제1 발광소자 패키지의 단면도.
도 2는 종래기술에 의한 제2 발광소자의 패키지 단면도.
도 3은 종래기술에 의한 제2 발광소자의 패키지의 단면 사진.
도 4는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 5는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면 사진.
도 6a 내지 도 6f는 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법의 공정 단면도.
도 7 및 도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법의 순서도.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
(실시예)
도 4는 실시예에 따른 발광소자 패키지(101)의 단면도이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지(101)는 캐비티(C)을 구비하는 패키지 몸체(110)와, 상기 패키지 몸체(110) 상에 발광소자(130)와, 상기 발광소자(130)와 전기적으로 연결되며 상기 패키지 몸체(110)에 배치되는 전극(120)과, 상기 캐비티 내의 전극(120)을 덮으면서 상기 캐비티(C)의 일부를 메우는 제1 몰딩부(140) 및 상기 캐비티(C)을 메우며 상기 제1 몰딩부(140) 상에 배치된 제2 몰딩부(150)을 포함할 수 있다.
실시예에 의하면, 원하는 광특성 값 범위를 벋어나는 발광소자 패키지에서 몰딩수지를 일부 혹은 전부 제거한 후 2차 몰딩수지를 추가 도포하는 공정을 포함하는 후처리 작업을 통해 발광소자 패키지의 광특성을 재조정함으로써 신뢰성이 우수한 발광소자 패키지로 변환시킬 수 있다.
상기 제1 몰딩부(140)의 상측 단면의 높이는 상기 발광소자(130)의 상면보다 높거나 같을 수 있으며, 이에 한정되지 않고, 상기 제1 몰딩부(140)의 상측 단면의 높이는 상기 발광소자(130)의 상면보다 낮을 수 있다.
실시예에서 패키지 몸체(110)는 PPA, PCT, EMC 등의 합성수지 재질, 금속 재질, 쎄라믹, 실리콘 재질 등으로 형성될 수 있으며, 소정의 캐비티(C)를 구비할 수 있고, 캐비티(C)에는 경사면이 형성되어 발광소자에서 발광된 빛의 외부 추출률을 높일 수 있다.
상기 발광소자(130)는 GaN, GaAs, GaAsP, GaP, InGaAIP, AIGaAs 등의 물질로 형성될 수 있으며, 발광파장에 따라 Green LED, Blue LED, Red LED, UV LED 등일 수 있다.
상기 전극(120)은 발광소자(130)가 실장되는 제1 전극층(121) 및 상기 제1 전극층(121)과 분리된 제2 전극층(122)을 포함할 수 있으며, 상기 발광소자(130)는 제2 와이어(W2)에 의해 제1 전극층(121)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제1 와이어(W1)에 의해 제2 전극층(122)과 전기적으로 연결될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전극(120)은 도전성 물질, 반사성 물질 등을 포함하여 발광소자(130)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할과 상기 발광소자(130)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수 있다.
상기 제1 몰딩부(140)와 제2 몰딩부(150)는 발광소자(130)를 포위하여 발광소자(130)를 보호할 수 있고, 소정의 형광체를 포함하여 발광소자(130)에서 방출된 광의 파장을 변환시킬 수 있다.
실시예는 기존 방법의 문제점들을 해결하기 위해, 제1 형광체(141)가 포함된 제1 몰딩부(140)를 소정 깊이 제거한 후 제2 형광체(151)를 포함한 제2 몰딩부(150)를 도포할 수 있다.
실시예에서 제2 몰딩부(150)에는 제2 형광체(151)가 포함될 수 있으나, 경우에 따라 형광체가 포함되지 않을 수도 있다.
실시예에 의하면 비슷한 색온도를 갖는 제품으로 색변환이 용이하기 때문에, 실시예에 의하면 BLU용 발광소자 패키지 스크랩(scrap)을 다시 동일한 용도의 BLU용에 적합한 발광소자 패키지로 광특성 조정이 가능하며, 또한 조명용 발광소자 패키지 스크랩(scrap)도 광특성 조정이 가능하여 조명용 발광소자 패키지로 활용할 수 있다.
따라서 종래 방법인, 스크랩 발광소자 패키지에서 하부 몰딩수지를 제거하지 않고 단순히 2차 몰딩수지를 추가도포하는 방법으로는 얻을 수 없는 신뢰성이 우수한 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
도 5는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면 사진이다.
실시예에 의하면, 제1 몰딩부(140)와 제2 몰딩부(150)의 경계면(B2)에서 접착력 및 접착 신뢰성이 향상될 수 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면 제1 몰딩부(140)를 일부 제거함으로써 제1 몰딩부(140) 표면에 오염된 물질 제거됨에 따라 접착력 향상될 수 있다. 또한 실시예에 의하면, 제1 몰딩부(140)가 일부 제거되고 남은 제1 몰딩부(140)의 표면에는 본딩(bonding)이 끊어진 부분이 발생하여 추가 도포된 제2 몰딩부(150)와 접착력이 개선될 수 있다.
또한 실시예에서 플라즈마 처리를 함으로써 그 효과를 극대화할 수 있다.
실시예에 의하면, 기 제1 몰딩부(140) 상에 배치된 상기 제2 몰딩부(150)가 상기 캐비티 측면과 직접 접촉하는 부분을 포함할 수 있다.
실시예에 의하면 추가 도포된 제2 몰딩부(150)와 패키지 몸체 캐비티(C) 측벽과의 접착면적이 증가(A2)함에 따라 접착 및 접착 신뢰성이 개선되어 사용 중 박리현상이 제거될 수 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면, 제1 몰딩부(140)의 일부 제거에 따라 캐비티(C) 측면의 노출영역이 확장됨으로써 추가로 형성되는 제2 몰딩부(150)와 캐비티 측면의 접촉면적이 증가(A2)하여 접착 및 접착 신뢰성이 개선되어 사용 중 박리현상이 방지될 수 있다.
즉, 실시예에 의하면 몰딩수지 제거 방법을 적용할 때, 제1 몰딩부(140)와 접하고 있던 캐비티 몸체 내부 표면(A2)이 새롭게 드러나고 추가 도포되는 제2 몰딩부(150)와 접하고, 이 접합면은 접합력이 우수하므로 신뢰성이 좋은 발광소자 패키지 제공이 가능하다.
또한 실시예에 의하면, 상기 제1 몰딩부(140)의 상면 모서리는 상기 전극(120)의 상면과 실질적으로 평행할 수 있다. 이에 따라 상기 제1 몰딩부(140)의 상측 단면은 거시적인 요철이 없는 평평한 단면을 구비할 수 있다.
종래기술에서는 수지층 형성시 표면 장력에 의해 수지층 상면이 아래로 오목한 형상으로 형성되게 되는데, 실시예에서 제1 몰딩부(140)이 일부 제거됨에 따라 돌출된 모서리 영역의 수지층이 제거되는 경우 제1 몰딩부(140) 상면 모서리 영역은 평평한 단면(C2)을 구비하여 하측에 배치된 전극의 상면과 실질적으로 평행하거나 소정의 각도를 가진 단면을 구비할 수 있는 특성이 있다.
또한 실시예에 의하면, 제2 형광체가 포함된 제2 몰딩부(150)를 도포할 수 있는 충분한 공간이 확보됨에 따라 기존 제품(도 3 참조)에서와 같이 캐비티의 상단보다 매우 높게 쌓지 않아도 된다. 이에 따라 사용할 수 있는 수지의 점도 범위가 넓어지고 비교적 저점도 수지도 사용 가능할 수 있다.
실시예에서 상기 제1형광체(141)의 조성과, 상기 제2 형광체(151)의 조성은 서로 상이할 수 있다.
또한 실시예에서, 상기 제2 형광체(151)의 농도가 상기 제1 몰딩부(140)와 접하는 경계면에서 가장 높고, 상기 제1 몰딩부(140) 상면으로부터 멀어질수록 농도가 옅어 질 수 있다.
실시예에서, 상기 제2 몰딩부(150)에 포함된 제2 형광체(151)는 상기 제1 몰딩부(140)에 포함된 제1 형광체(141)에 따른 연색성을 변경할 수 있다.
실시예에 의하면, 상기와 같이 제1 몰딩부(140)의 일부 혹은 전부를 제거한 뒤 제2 몰딩부(150)를 추가 도포하면, 제1 몰딩부(140)에 존재하는 형광체를 일부 혹은 전부 제거하고 추가 도포하므로, 제거하는 양을 조절함으로써 색특성을 완전히 바꿀 수도 있고, 또한 미세한 색온도 변경을 쉽게 할 수 있을 뿐만 아니라 색온도가 낮은 제품을 색온도가 높은 제품으로 바꾸는 것을 용이하게 할 수 있다.
또한 상기 제2 몰딩부(150)에 포함된 제2 형광체(151)는 상기 제1 몰딩부(140)에 포함된 제1 형광체(141)에 따른 색온도를 변경할 수 있다.
또한 상기 제2 몰딩부(150)는 상기 캐비티(C) 측면 또는 상기 전극(120) 표면에 부분적으로 잔류하는 제1 형광체를 일부 포함할 수 있다.
또한 실시예에 의하면, 추가 형성된 제2 몰딩부(150)의 제2 형광체(151)가 기존 제품대비 비교적 균일하므로, 지향각에 따른 광학특성 불균일성이 감소한다.
또한 실시예에 의하면, 제1 몰딩부(140)에 제1 형광체(141)가 존재하고 있으므로, 제1 형광체(141)를 이용할 수 있고, 제1 몰딩부(140)를 일부 제거했기 때문에 제2몰딩부(150)를 도포할 수 있는 공간이 증가하므로, 제2 몰딩부(150)에 사용되는 제2 형광체(151)의 농도를 종래 방법보다 낮게 하고 제2 형광체가 포함된 제2 몰딩부의 양도 종래 방법보다 많이 투입할 수 있어서 색분포가 줄어들어 제품 수율이 높아질 수 있다.
또한 실시예에 의하면, 제1 몰딩부(140) 제거 양을 제어함으로써 추가 도포하는 제2 몰딩부(150)에 고가의 형광체를 포함하지 않거나 포함하더라도 매우 적은 양을 포함함으로써 경제적으로 발광소자 패키지의 광특성의 재조정이 가능할 수 있다.
예를 들어, 또한 실시예에 의하면 spec-out 제품에서 형광체를 포함하는 몰딩부(140a)의 일부 혹은 전부 제거할 때 수지에 포함된 형광체가 함께 제거되므로, 색좌표가 spec보다 높은 불량인 경우에도 색좌표가 낮은 방향으로(색온도가 높은 영역으로) 조정이 가능하다.
그리고 몰딩수지 제거 깊이를 최적화하면 2차 추가 도포 때 고가의 형광체 없이 수지만 도포해도 되므로 비용이 감소하는 효과를 얻을 수 있다. 그리고 제거하는 몰딩수지의 양과 추가 도포시 포함되는 형광체의 양을 조절함으로써 색좌표상에서 모든 방향으로 미세한 색조정이 가능하므로 BLU용을 BLU용으로, 또는 조명용을 조명용으로 쉽게 적은 비용으로 색좌표 재조정이 가능하다.
또한 실시예에 의하면, spec-out 제품의 몰딩수지(형광체 포함)을 일부 혹은 전부 제거하기 때문에 추가 도포후 수지의 상부표면이 오목하게도 볼록하게도 가능하므로 BLU용으로 사용할 때는 오목하게 하여 제약이 없이 정상품과 같이 사용이 가능하다.
실시예에 의하면, 원하는 광특성 값 범위를 벋어나는 발광소자 패키지에서 몰딩수지를 일부 혹은 전부 제거한 후 2차 몰딩수지를 추가 도포하는 공정을 포함하는 후처리 작업을 통해 발광소자 패키지의 광특성을 재조정함으로써 신뢰성이 우수한 발광소자 패키지로 변환시킬 수 있다.
이하, 도 6a 내지 도 6f를 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명한다.
우선, 도 6a와 같은 제1 발광소자 패키지(100)를 준비한다. 상기 제1 발광소자 패키지(100)는 스크랩 발광소자 패키지(100)일 수 있으며, 패키지 몸체(110)의 캐비티(C) 상에 발광소자(130), 전극(120) 및 몰딩부(140a)가 구비될 수 있다.
이후, 도 6b와 같이 몰딩부(140a)를 화학적 에칭 또는 기계적인 방법으로 등으로 소정 깊이 제거하여 상기 캐비티(C) 내에 제1 몰딩부(140)를 잔존시킬 수 있다. 필요에 따라 몰딩부(140a)가 전부 제거될 수도 있다.
상기 몰딩부(140a)의 제거는 화학적 방법, 물리적 방법 또는 이들을 결합한 공정으로 실시할 수 있다. 실시예에 의하면, 상기 몰딩부(140a)를 일부를 제거한 후에 불순물을 제거를 위한 세척 및 건조공정을 더 포함할 수 있다.
실시예에서 화학적인 방법으로는 몰딩수지를 제거할 수 있는 용액에 담그거나 혹은 용액을 뿌리거나 혹은 이 두 가지를 혼합하는 방법을 채용할 수 있다.
이때 몰딩부(40)에만 반응하고 그 외의 부분인 발광소자(30), 와이어(W1,W2), 전극(20), 패키지 몸체(10) 등에는 손상을 주지 않는 용액을 사용하여 형광체를 포함하는 몰딩부(140a)를 일부 또는 전부 제거할 수 있다.
이에 사용되는 화학용액의 한 종류로는 몰딩수지에 침투하여 수지를 부풀게하는(swelling) 유기용제가 사용될 수 있다. 몰딩수지에 유기용제가 침투하여 부풀림(swelling)이 진행되면, 몰딩수지 내부 압력이 시간이 경과함에 따라 점점 증가하다 일정 수준이상이 되면, 몰딩수지가 작은 조각으로 쪼개지면서 제거되기 시작한다. 제거되는 속도는 용제의 종류와 공정조건(온도)에 따라 달라지며 완전히 제거도 가능하다. 이 경우는 몰딩수지가 부분제거 되는 경우 잔류하는 몰딩수지 표면이 도 6c과 같이 불규칙할 수 있다.
이 때 사용 가능한 유기용제로는 방향족 탄화수소 용제(예: 벤젠, 톨루엔, 크실렌(Xylene)등), 지방족 탄화수소 용제(예: 펜탄, 노말헥산, 헵탄 등), 방향족 탄화수소 용제 (예: 싸이클로헥산 등), 할로겐화합물계 용제(예: Methylene chloride 등), 질소화합물계 용제 (예: DMA(Dimethylacetamide), NMP(N-Methylpyrrolidone) 등), 불소화합물계용제(예: THF(tetrahydrofuran) 등), 케톤계 용제(예; 아세톤, MEK(Methyl ethyl ketone), MIBK(Methyl isobutyl ketone) 등), 에스테르 또는 에테르계 용제(예: 초산에틸(Ethyl acetate), 초산부틸(Butyl acetate), 3-methoxy butyl acetate, Cellosolve acetate, Methyl cellosolve, Butyl cellosolve, propylene glycol monomethyl ether 등), 알코올계 용제(예: 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 노멀부탄올, 이소부탄올 등) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 모든 유기용제가 사용될 수 있다.
또 다른 방법으로는 몰딩수지의 고분자 사슬을 끊어서 녹여내는 방법을 사용할 수 있으며, 이 경우 제거하고 남은 제1 몰딩부(140) 표면은 도 6b와 같이 대체로 평평할 수 있다. 이 때 사용되는 용액은 몰딩수지를 부풀리는(swelling) 유기용제뿐만 아니라 고분자 사슬을 끊어주는 반응을 촉진하는 성분이 추가로 포함할 수 있다. 이 때 사용되는 첨가 성분으로는 강산성(strong acid) 혹은 강 알칼리성(strong base)물질이 사용될 수 있다. 산성 성분으로는 황산(H2SO4), 불산(HF), CF3SO3H, HCl, FeCL3, HI3, 도데실벤젠설폰산(Benzene sulfonic acid, dodecyl-) 등이 사용될 수 있다. 그리고 알칼리 성분으로는 다음과 같은 형태를 갖는 화합물들이 가능하다.
AOH, GOSi=, GOR, GR, GSR
여기서 A 는 알칼리메탈 혹은 4차 암모늄(quaternary ammonium) 혹은 4차 포스포늄(phosphonium)을 의미하고, O는 산소(Oxygen), S는 황(sulfer), R 은 alkyl 혹은 polystyryl 혹은 poly(trimethylsilylvinyl)을 의미한다.
상기 알칼리성 화합물의 예로는 LiOH, KOH, NaOH, RbOH, CsOH, Triton B(Benzyltrimethylammonium hydroxide), TBAH(Tetrabutylammonium hydroxide), TMAH (Tetramethylammonium hydroxide), CAHS(Cocamidopropyl hydroxysultaine), CataCXium F sulf, THPC(Tetrakis hydroxymethyl phosphonium chloride), Tetraphenylphosphonium chloride 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한 실시예에 의하면, 도 6b와 같이, 상기 몰딩부(140a)는 물리적 제거 방법으로 제거될 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부에 고압의 물이나 상기 실시예에서 나열한 유기용제와 같은 유체를 분사하면 상기 몰딩부(140a)를 원하는 깊이만큼 제거 할 수 있다.
또 다른 방법으로는 상기 몰딩부(140a)에 흡수되어 수지 팽윤(swelling)을 유발하는 유기용제에 일정시간 담근 후 고압의 물 혹은 유기 용제를 분사하여 상기 몰딩부(140a)를 보다 용이하게 원하는 깊이만큼 제거할 수 있다.
실시예에서 몰딩부를 팽윤시키는(swelling) 화학적 용액은 벤젠, 톨루엔, 크실렌(Xylene), 펜탄, 노말헥산, 헵탄, 싸이클로헥산, Methylene chloride, DMA(Dimethylacetamide), NMP(N-Methylpyrrolidone), THF(tetrahydrofuran) 아세톤, MEK(Methyl Ethyl ketone), MIBK(Methyl isobutyl ketone), 초산에틸(Ethyl acetate), 초산부틸(Butyl acetate), 3-methoxy butyl acetate, Cellosolve acetate, Methyl cellosolve, Butyl cellosolve, propylene glycol monomethyl ether, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 노멀부탄올, 이소부탄올, Dimethyl sulfoxide, Hydrotreated light petrolium distillate, Hydrotreated heavy petrolium distillate 중 적어도 하나 이상 포함할 수 있다.
상기 예에서 언급했듯이 유기용제에 일정시간 이상 담그면 부풀림 현상과 그에 따른 압력증가에 의해 몰딩부가 잘게 쪼개지면서 스스로 제거된다.
그러므로 고압유체를 분사하기 전에는 자발적으로 몰딩부가 제거되지 않도록 유기용제의 종류와 담그는 시간을 적절히 조절해야 한다. 이 방법을 사용하면 용제의 종류, 용제에 담그는 시간 등을 조절하여, 분사하는 유체의 압력을 상대적으로 낮게 적용해도 쉽게 원하는 깊이만큼 몰딩부를 제거할 수 있다.
이 방법을 적용하는 경우 고압의 유체에 의해 wire(W1, W2)가 손상될 수 있으므로 wire가 노출되지 않는 깊이까지만 제거하는 것이 바람직하며, 제거되고 남은 몰딩부의 표면은 거시적(macroscopic)으로는 도 6b와 같이 평편하지만 미시적(microscopic)으로는 굴곡을 구비할 수 있다.
또는 실시예에 의하면, 몰딩부(140a)에 반응성을 갖는 활성이온 플라즈마를 이용하여 몰딩부(140a)를 선택적으로 원하는 깊이만큼 제거할 수 있다.
이후, 도 6d와 같이 제2 형광체(151)를 포함하는 예비 제2 몰딩부(150a)를 도포하고, 경화과정을 통해 상기 제1 몰딩부(140) 상에 제2 몰딩부(150)를 형성하여 실시예에 따른 색보정된 발광소자 패키지(101)를 제조할 수 있다.
상기 실시예들에서 화학적 제거방법 중 유기용제에서 부풀림에 의해 몰딩부를 제거하는 경우 도 6f와 같은, 화학적 제거방법에서 몰딩수지의 고분자 사슬을 끊어서 제거하는 경우와 고압의 유체를 분사하는 경우는 도 6e와 같은 색보정된 발광소자 패키지(102)를 각각 제조할 수 있다.
이하, 도 7 및 도 8의 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법의 순서도를 참조하여 이번 발명의 제조방법을 좀 더 상술하기로 한다.
실시예에 의하면, 발광소자 패키지의 광특성을 만족시키지 못하는 스크랩에서 형광체가 포함된 몰딩부(140a)의 일부 혹은 전부를 제거한 뒤 제2 몰딩부(150)를 추가 도포하여 광특성을 재조정하는 순서는 도 7 또는 도 8이 예가 될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
먼저, 도 7 또는 도 8과 같이, 스펙아웃(Spec-out) LED를 광특성별로 몇 개의 그룹(group)으로 분류한다(S10).
동일한 그룹에 속하는 발광소자 패키지들은 색좌표상에서 일정한 영역에 속하므로 이어지는 공정인 몰딩부(140a) 일부 또는 전부 제거 및 제2 몰딩부(150) 추가 도포공정에서 일정한 최적조건으로 작업을 했을 때 색좌표 값이 일정한 영역 내에 위치할 수 있다.
이 특성 측정 및 분류는 최초 정상제품을 만든 후 광특성 측정 및 분류하여 사용하므로 그때 스펙아웃(spec-out) 제품도 측정 결과에 따라 몇 개의 그룹으로 분류하면 추가공정은 필요하지 않을 수 있다.
다음으로, 이후 공정들에서 취급하기 용이하도록 이 분류된 발광소자 패키지들을 기구물에 규칙적으로 배열 또는 고정할 수 있다(S20). 이때 한 개의 기구물 내에 배열된 발광소자들은 동일한 색좌표 그룹에 속해야 다음 공정에서 동일한 조건으로 작업이 가능하다.
한편, 도 8과 같이, 이러한 기구물에 배열 또는 고정 단계(S20)는 광특성 측정 및 재분류 단계(S40) 이후에 진행될 수도 있다.
다음으로, 기구물에 배열된 발광소자 패키지 내부의 몰딩부(140a)를 일정한 조건으로 제거하고 잔류물 제거를 위해 세척을 한 뒤 필요한 경우 고온건조(baking)을 실시한다.
이 공정 후 잔류한 몰딩부(140)의 상부 표면은 제거방법과 용액의 종류에 따라 거시적으로 평평할 수도(도 6b) 있고 요철이 있을 수도(도 6c) 있다.
이때, 실시예에 의하면, 이미 발광소자들이 기구물에 고정되어 있어 고압으로 분사되는 액체에 의해 개별 발광소자 패키지들이 움직이지 않으므로 고압 액체 분사방법 적용에 유리할 수 있다.
한편, 실시예에서 발광소자 패키지가 기구물에 고정하지 않은 상태로 몰딩수지를 와이어가 노출될 정도로 깊이 제거하거나 완전히 제거하는 경우 몰딩부(140a) 제거공정 및 후속 공정에서 소자들간의 상호 충돌로 와이어가 손상을 받을 수 있다.
따라서 화학적 방법으로 몰딩수지를 와이어가 노출될 정도로 깊이 제거하거나 혹은 완전히 제거하거나 혹은 고압액체 분사방식을 적용하는 경우 먼저 기구물에 고정 또는 배열한 뒤 후속공정을 진행하는 것이 바람직하다.
이렇게 몰딩부(140a)를 일부 또는 전체 제거한 뒤 광특성을 측정하여 일정한 범위에 속하는지 확인하여 재분류하여(S40), 조건을 벗어나는 발광소자 패키지는 제2 몰딩부(150) 추가도포 공정에서 형광체의 양을 다르게 조절해야 한다.
그러나 몰딩수지 제거 공정에서 수지제거 양이 균일하게 제어되면 광특성 값이 일정한 조건 범위에 속하므로 이 측정 공정을 생략할 수도 있다.
실시예는 이전 공정들에서 오염이 발생하거나 혹은 다른 이유로 해서 필요한 경우 추가도포되는 제2 몰딩부(150)와의 접합력을 강화하기 위해 표면처리를 할 수 있다(S50). 이 표면처리는 플라즈마(plasma) 처리 혹은 화학용액을 통한 표면세척 및 표면개질 등이 가능하며, 표면처리 공정은 생략될 수 있다.
다음으로, 2차 몰딩수지를 추가도포하고 수지의 경화 조건에 맞게 고온에서 가열하여 경화(curing)하여 제2 몰딩부(150)를 형성한다(S60).
2차 몰딩수지 추가도포는 제품의 색좌표를 결정하는 중요한 공정이다. 이때 2차 몰딩수지에 첨가하는 형광체의 양과 종류에 의해 발광소자 패키지의 광학특성이 조절된다. 몰딩부(140a)의 제거양이나 깊이를 제어하여 고가의 형광체의 양을 최소화시킬 수 있으며, 최적조건인 경우 형광체를 생략하거나 극미량만 사용하여 색좌표를 재조정하여 제조원가를 최소화할 수 있다.
2차 몰딩수지 추가 도포와 경화가 끝나면 광학특성을 측정 검사(S70)하여 정상 제품을 선별한다.
실시예에 의하면, 원하는 광특성 값 범위를 벋어나는 발광소자 패키지에서 몰딩수지를 일부 혹은 전부 제거한 후 2차 몰딩수지를 추가 도포하는 공정을 포함하는 후처리 작업을 통해 발광소자 패키지의 광특성을 재조정함으로써 신뢰성이 우수한 발광소자 패키지로 변환시킬 수 있다.
또한 실시예에 의하면 비슷한 색온도를 갖는 제품으로 색변환이 용이하기 때문에, 실시예에 의하면 BLU용 발광소자 패키지 스크랩(scrap)을 다시 동일한 용도의 BLU용에 적합한 발광소자 패키지로 광특성 조정이 가능하며, 또한 조명용 발광소자 패키지 스크랩(scrap)도 광특성 조정이 가능하여 조명용 발광소자 패키지로 활용할 수 있다.
따라서 실시예에 의하면, 종래 방법인 스크랩 발광소자 패키지에서 하부 몰딩수지를 제거하지 않고 단순히 2차 몰딩수지를 추가도포하는 방법으로는 얻을 수 없는 신뢰성이 우수한 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 복수가 기판상에 어레이 되고, 발광소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다.
이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능을 하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있다. 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
캐비티(C), 패키지 몸체(110),
발광소자(130), 전극(120), 제1 전극(121), 제2 전극(122)
제1 몰딩부(140), 제1 형광체(141), 제2 몰딩부(150), 제2 형광체(151)

Claims (29)

  1. 패키지 몸체의 캐비티 상에 발광소자, 전극 및 몰딩부가 구비된 제1 발광소자 패키지를 준비하는 단계;
    상기 몰딩부를 일부를 제거하여 상기 캐비티 내에 제1 몰딩부를 잔존시키는 단계; 및
    상기 몰딩부일부를 제거한 패키지 몸체상에 제2 몰딩부를 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 몰딩부 일부를 제거한 후 잔존한 제1 몰딩부의 상부 표면이 평평하거나 혹은 굴곡을 갖는 발광소자 패키지의 제조방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 몰딩부와 제2 몰딩부 계면이 평평하거나 혹은 굴곡을 갖는 발광소자 패키지의 제조방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몰딩부의 제거는 화학적 방법, 물리적 방법 또는 이들을 결합한 공정으로 실시하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 몰딩부의 화학적 방법의 제거는,
    상기 몰딩부를 팽윤시키는(swelling) 방향족 탄화수소 용제, 지방족 탄화수소 용제, 지환족 탄화수소 용제, 할로겐화합물계 용제, 질소화합물계 용제, 불소화합물계용제, 케톤계 용제, 에스테르 및 에테르계 용제, 알코올계 용제, Hydrotreated light petrolium distillate, Hydrotreated heavy petrolium distillate 중 적어도 하나 이상 포함하는 화학용액을 사용하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 몰딩부를 팽윤시키는(swelling) 화학적 용액은
    벤젠, 톨루엔, 크실렌(Xylene), 펜탄, 노말헥산, 헵탄, 싸이클로헥산, Methylene chloride, DMA(Dimethylacetamide), NMP(N-Methylpyrrolidone), THF(tetrahydrofuran) 아세톤, MEK(Methyl Ethyl ketone), MIBK(Methyl isobutyl ketone), 초산에틸(Ethyl acetate), 초산부틸(Butyl acetate), 3-methoxy butyl acetate, Cellosolve acetate, Methyl cellosolve, Butyl cellosolve, propylene glycol monomethyl ether, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 노멀부탄올, 이소부탄올, Dimethyl sulfoxide, Hydrotreated light petrolium distillate, Hydrotreated heavy petrolium distillate 중 적어도 하나 이상 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 몰딩부의 제거는 상기 화학용액 중 적어도 하나 이상과,
    도데실 벤젠 설폰산(Benzene sulfonic acid, dodecyl-), 황산(sulfuric acid), 불산(HF), CF3SO3H, HCl, FeCl3, HI3 중 적어도 하나 이상을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 몰딩부의 제거는 상기 화학용액 중 적어도 하나 이상을 포함하고,
    다음과 같은 구조를 갖는 알칼리성 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
    AOH, AOSi=, AOR, AR, ASR
    여기서 A는 alkali metal 혹은 4차암모늄그룹(quaternary ammonium group) 혹은 4차 포스포늄 그룹(quaternary phosphonium group)을 의미함, R 은 alkyl, polystyryl, or poly(trimethylsilylvinyl)을 의미함.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 알칼리성 화합물은 LiOH, KOH, NaOH, RbOH, CsOH, Triton B(Benzyltrimethylammonium hydroxide), TBAH(Tetrabutylammonium hydroxide), TMAH (Tetramethylammonium hydroxide), CAHS(Cocamidopropyl hydroxysultaine), CataCXium F sulf, THPC(Tetrakis hydroxymethyl phosphonium chloride), Tetraphenylphosphonium chloride 중 어느 하나 이상을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  10. 제4 항에 있어서,
    상기 몰딩부의 물리적 제거 방법은,
    상기 몰딩부에 흡수되어 수지 팽윤(swelling)을 유발하는 상기 유기용제를 고압으로 분사하거나 유기용제에 일정시간 담근 후 고압의 물 또는 유기 용제를 분사하여 상기 몰딩부를 일정한 깊이만큼 제거하는 방법을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 몰딩부의 제거는
    상기 몰딩부에 반응성을 갖는 활성이온 플라즈마를 이용하여 상기 몰딩부를 선택적으로 소정 깊이 제거하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  12. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 몰딩부를 일부를 제거한 후에 불순물을 제거를 위한 세척 및 건조공정을 더 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  13. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 몰딩부를 제거하는 공정은 상기 제1 발광소자 패키지를 소정의 기구물에 고정 또는 배열한 뒤 진행하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  14. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제2 몰딩부는 형광체를 포함하지 않은 투명한 몰딩수지이거나 또는 소정의 형광체를 포함하는 몰딩수지를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  15. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제2 몰딩부를 형성하는 단계 후에 가열하여 몰딩수지를 경화하는 단계를 더 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  16. 제1 항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제2 몰딩부를 형성하는 단계 직전에 상기 잔존 제1 몰딩부 표면과 상기 캐비티 측벽의 표면을 활성화 시켜주는 표면처리 단계를 더 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  17. 패키지 몸체의 캐비티 상에 발광소자, 전극 및 몰딩부가 구비된 제1 발광소자 패키지를 준비하는 단계;
    상기 몰딩부를 전부 제거하는 단계; 및
    상기 몰딩부 전부가 제거된 상기 패키지 몸체 상에 제2 몰딩부를 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 몰딩부의 제거는 화학적 방법, 물리적 방법 또는 이들을 결합한 공정으로 실시하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 몰딩부의 화학적 방법의 제거는,
    상기 몰딩부의 수지를 팽윤시키는(swelling) 방향족 탄화수소 용제, 지방족 탄화수소 용제, 지환족 탄화수소 용체, 할로겐화합물계 용제, 질소화합물계 용제, 불소화합물계용제, 케톤계 용제, 에스테르 및 에테르계 용제, 알코올계 용제, Hydrotreated light petrolium distillate, Hydrotreated heavy petrolium distillate 중 적어도 하나 이상 포함하는 화학용액을 사용하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 몰딩부를 팽윤시키는(swelling) 화학적 용액은 벤젠, 톨루엔, 크실렌(Xylene), 펜탄, 노말헥산, 헵탄, 싸이클로헥산, Methylene chloride, DMA(Dimethylacetamide), NMP(N-Methylpyrrolidone), THF(tetrahydrofuran) 아세톤, MEK(Methyl Ethyl ketone), MIBK(Methyl isobutyl ketone), 초산에틸(Ethyl acetate), 초산부틸(Butyl acetate), 3-methoxy butyl acetate, Cellosolve acetate, Methyl cellosolve, Butyl cellosolve, propylene glycol monomethyl ether, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 노멀부탄올, 이소부탄올, Dimethyl sulfoxide, Hydrotreated light petrolium distillate, Hydrotreated heavy petrolium distillate 중 적어도 하나 이상 포함하는 화학용액을 사용하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  21. 제19항 또는 제 20 항에 있어서,
    상기 몰딩부의 제거는 상기 화학용액 중 적어도 하나 이상과,
    도데실 벤젠 설폰산(Benzene sulfonic acid, dodecyl-), 황산(sulfuric acid), 불산(HF), CF3SO3H, HCl, FeCl3, HI3, 중 적어도 하나 이상을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  22. 제19항 또는 제 20 항에 있어서,
    상기 몰딩부의 제거는 상기 화학용액 중 적어도 하나 이상을 포함하고,
    다음과 같은 구조를 갖는 알칼리성 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
    AOH, AOSi=, AOR, AR, ASR
    여기서 A는 alkali metal 혹은 4차암모늄그룹(quaternary ammonium group) 혹은 4차 포스포늄 그룹(quaternary phosphonium group)을 의미함. R 은 alkyl, polystyryl, or poly(trimethylsilylvinyl)을 의미함
  23. 제22 항에 있어서,
    상기 알칼리성 화합물은 LiOH, KOH, NaOH, RbOH, CsOH, Triton B(Benzyltrimethylammonium hydroxide), TBAH(Tetrabutylammonium hydroxide), TMAH (Tetramethylammonium hydroxide), CAHS(Cocamidopropyl hydroxysultaine), CataCXium F sulf, THPC(Tetrakis hydroxymethyl phosphonium chloride), Tetraphenylphosphonium chloride 중 어느 하나 이상을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  24. 제17항 내지 제20항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 몰딩부의 제거는
    상기 몰딩부에 반응성을 갖는 활성이온 플라즈마를 이용하여 상기 몰딩부를 전부 제거하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  25. 제17항 내지 제20항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 몰딩부를 전부를 제거한 후에 불순물을 제거를 위한 세척 및 건조공정을 더 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  26. 제17항 내지 제20항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 몰딩부를 제거하는 공정은 상기 제1 발광소자 패키지를 소정의 기구물에 고정 또는 배열한 뒤 진행하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  27. 제17항 내지 제20항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제2 몰딩부는 형광체를 포함하지 않은 투명한 몰딩수지이거나 또는 소정의 형광체를 포함하는 몰딩수지를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  28. 제17항 내지 제20항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제2 몰딩부를 형성하는 단계 후에 가열하여 몰딩수지를 경화하는 단계를 더 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  29. 제17항 내지 제20항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제2 몰딩부를 형성하는 단계 직전에 상기 캐비티 측벽의 표면을 활성화 시켜주는 표면처리 단계를 더 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
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