KR20150116668A - Graphite film, preparing method thereof, and pellicle including the same - Google Patents
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Abstract
Description
본원은 흑연 박막, 상기 흑연 박막의 제조 방법, 및 상기 흑연 박막을 포함하는 펠리클에 관한 것이다.The present invention relates to a graphite thin film, a method for producing the graphite thin film, and a pellicle comprising the graphite thin film.
흑연 박막을 제조하는 기술은 대표적으로 고분자 물질을 2,000℃ 이상 고온에서 가열하여 제조하는 방법[Naohiro Sonobe et al., Carbon, Vol 24. No. I. 61-67. 1991 및 관련 논문] 및 철, 니켈, 코발트, 규소 등의 재료에 탄소를 포함한 기체나 물질을 탄소 공급원으로써 사용하여, 탄소를 금속에 용해 및 석출(상기 재료를 700℃ 이상의 고온에서 카바이드화 한 후 저온으로 급냉시켜 생성되는 석출상을 이용)시킴으로써 제조하는 방법[S.Yajima et al., JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS 17 (1965) 116-126; F. J. DERBYSHI et al., Carbon, 1975. Vol. 2. pp 111-113; S. D. Robertson et al., Carbon, 1972, Vol. 10, pp. 221-229; 및 후속논문] 등으로 발전되어 왔다.A technique for producing a graphite thin film is typically a method of preparing a polymer material by heating at a temperature of 2,000 DEG C or more [Naohiro Sonobe et al., Carbon, Vol. I. 61-67. 1991 and related papers], and a gas or a material containing carbon in a material such as iron, nickel, cobalt and silicon as a carbon source to dissolve and precipitate carbon in a metal (after the material is carbided at a high temperature of 700 ° C. or higher By using a precipitation phase produced by quenching at low temperature) (S. Yajima et al., JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS 17 (1965) 116-126; F. J. DERBYSHI et al., Carbon, 1975. Vol. 2. pp 111-113; S. D. Robertson et al., Carbon, 1972, Vol. 10, pp. 221-229; And subsequent articles].
전자의 방법은 주로 결정성이 높은 HOPG(highly oriented pyrolytic graphite)를 제조할 때 활용된 방법이며 두께를 조절하기 용이하다는 장점이 있으나, 일반적으로 2,000℃ 이상의 높은 온도와 압력을 이용하여 대면적 합성 및 대량 생산이 어렵다는 단점이 있다.The former method is mainly used for producing highly oriented pyrolytic graphite (HOPG) having a high crystallinity and it is advantageous in that it is easy to control the thickness. However, generally, by using a high temperature and pressure higher than 2,000 ° C., There is a disadvantage that mass production is difficult.
후자의 방법은 전자에 비해 공정 온도가 낮은 조건에서(~1,000℃) 합성이 가능하다는 장점이 있으나, 석출 공정의 특성상 까다로운 급냉 조건을 포함하기 때문에 나노미터 스케일에서의 두께 조절이 어렵고 형성된 흑연 박막의 균일도가 떨어진다는 단점이 있다.The latter method has an advantage that it can be synthesized at a low process temperature (~ 1,000 ° C) compared with the former. However, since it includes a severe quenching condition due to the characteristics of the precipitation process, it is difficult to control the thickness at the nanometer scale. There is a disadvantage in that uniformity is lowered.
상기 두 방법의 단점인 대면적 합성의 어려움, 두께 조절의 어려움, 흑연 박막의 낮은 균일도 등으로 인하여 극자외선 리소그래피용 펠리클의 조건인 높은 EUV 투과도와 상기 EUV 투과도의 높은 균일도를 만족하지 못하여 흑연이 적용되기 어려운 이유로 여겨지고 있다.Due to the difficulty of large area synthesis, difficulty in controlling the thickness, low uniformity of the graphite thin film, which is a disadvantage of the above two methods, high EUV permeability, which is a condition of a pellicle for extreme ultraviolet lithography, and high uniformity of EUV permeability are not satisfied, It is considered to be a difficult reason.
본원의 일 구현예는 흑연 박막, 상기 흑연 박막의 제조 방법, 및 상기 흑연 박막을 포함하는 펠리클을 제공하고자 한다.One embodiment of the present invention is to provide a graphite thin film, a method for producing the graphite thin film, and a pellicle comprising the graphite thin film.
다만, 본원의 구현예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.It should be understood, however, that the technical scope of the present invention is not limited to the above-described technical problems, and other technical problems may exist.
본원의 제 1 측면은, 촉매층에 탄소-함유 물질을 포함하는 기체를 공급하여 제 1 열처리함으로써 탄소가 과포화된 촉매층을 형성하고; 상기 탄소가 과포화된 촉매층을 급냉시키고; 및, 상기 급냉시킨 탄소가 과포화된 촉매층을 제 2 열처리하여 상기 촉매층에 흑연 박막을 성장시키는 것을 포함하는, 흑연 박막의 제조 방법을 제공한다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a process for producing a catalyst, comprising: supplying a gas containing a carbon-containing material to a catalyst layer and performing a first heat treatment to form a catalyst layer in which carbon is supersaturated; Quenching the carbon-supersaturated catalyst layer; And a second heat treatment of the catalyst layer in which the quenched carbon is supersaturated to grow a graphite thin film in the catalyst layer.
본원의 제 2 측면은, 상기 본원의 제 1 측면에 따른 제조 방법에 따라 제조되는 흑연 박막을 제공한다.The second aspect of the present invention provides a graphite thin film produced according to the manufacturing method according to the first aspect of the present invention.
본원의 제 3 측면은, 상기 본원의 제 2 측면에 따른 흑연 박막을 포함하는, 극자외선 리소그래피용 펠리클(pellicle)을 제공한다.A third aspect of the present invention provides a pellicle for extreme ultraviolet lithography comprising a graphite thin film according to the second aspect of the present invention.
전술한 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 석출 공정 시 두께 조절을 급냉 프로파일로부터 하지 않고 제 1 열처리 온도보다 낮은 온도에서 재열처리(제 2 열처리)를 수행함으로써 나노미터 스케일의 흑연 박막의 두께 조절이 용이하게 할 수 있다. 또한 균일한 두께의 흑연 박막을 형성시키기 위한 까다로운 급냉 조건이 불필요하여 흑연 박막의 두께 균일도를 향상시킬 수 있다. 전술한 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 종래 석출 공정에서 흑연의 측면 성장을 제어하여, 30 nm 이하의 흑연 박막 형성 공정에서 직경 10 μm 이상의 핀홀(pinhole)이 촉매층에 거북등 모양으로 다수 형성되었던 문제점을 해결할 수 있다. 전술한 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 철, 니켈, 또는 코발트 등의 촉매층의 열팽창계수와 흑연 박막의 열팽창계수가 상이하여 급냉 공정 시 형성되었던 릿지(ridge) 및 나노 사이즈 주름 형성을 억제할 수 있어서 극자외선 리소그래피용 펠리클 재료로서 흑연의 적용과 극자외선 리소그래피용 기술의 구현을 앞당기는 효과를 나타낼 수 있다.According to any one of the above-mentioned means for solving the problems, the thickness adjustment of the nanometer-scale graphite thin film is performed by performing the reheat treatment (the second heat treatment) at a temperature lower than the first heat treatment temperature, It can be facilitated. Further, it is unnecessary to perform a severe quenching condition for forming a graphite thin film having a uniform thickness, so that the uniformity of the thickness of the graphite thin film can be improved. According to any one of the above-mentioned means for solving the problems, the side growth of graphite is controlled in the conventional precipitation process, and pinholes having a diameter of 10 탆 or more are formed in a large number in the catalyst layer in the shape of turtle etc. in the graphite thin film formation process of 30 nm or less The problem can be solved. According to any one of the above-mentioned means for solving the problems, the thermal expansion coefficient of the catalyst layer such as iron, nickel, or cobalt is different from the thermal expansion coefficient of the graphite thin film, so that the formation of ridges and nano- Can be used to promote the application of graphite as a pellicle material for extreme ultraviolet lithography and the realization of the technology for extreme ultraviolet lithography.
도 1은, 본원의 일 구현예에 있어서, 흑연 박막의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 2는, 종래 급냉 공정을 이용하여 니켈 호일에 합성된 흑연 박막을 나타내는 광학현미경 이미지(×50)이다.
도 3은, 본원의 일 실시예에 있어서, 니켈 호일에 합성된 흑연 박막을 나타내는 광학현미경 이미지(×50)이다.
도 4는, 종래 급냉 공정을 이용하여 니켈 호일에 합성된 흑연 박막을 나타내는 광학현미경 이미지(×200)이다.
도 5는, 본원의 일 실시예에 있어서, 니켈호일에 합성된 흑연 박막을 나타내는 광학현미경 이미지(×200)이다.
도 6 은, 본원의 일 실시예에 있어서, 니켈 호일에 합성된 흑연 박막을 나타내는 AFM 이미지이다.
도 7 은, 본원의 일 실시예에 있어서, 니켈 호일에 합성된 흑연 박막의 두께를 나타내는 그래프이다.
도 8 은, 종래 급냉 공정을 이용하여 니켈 호일에 합성된 흑연 박막을 나타내는 AFM 이미지이다.
도 9 는, 종래 급냉 공정을 이용하여 니켈 호일에 합성된 흑연 박막의 두께를 나타내는 그래프이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a flow chart showing a method for producing a graphite thin film in one embodiment of the present invention. FIG.
2 is an optical microscope image (x50) showing a graphite thin film synthesized on a nickel foil using a conventional quenching process.
Fig. 3 is an optical microscope image (x50) showing a graphite thin film synthesized on a nickel foil in one embodiment of the present invention. Fig.
4 is an optical microscope image (× 200) showing a graphite thin film synthesized on a nickel foil using a conventional quenching process.
5 is an optical microscope image (× 200) showing a graphite thin film synthesized on a nickel foil in one embodiment of the present invention.
6 is an AFM image showing a graphite thin film synthesized on a nickel foil in one embodiment of the present invention.
7 is a graph showing the thickness of a graphite thin film synthesized on a nickel foil in one embodiment of the present invention.
8 is an AFM image showing a graphite thin film synthesized on a nickel foil using a conventional quenching process.
9 is a graph showing the thickness of a graphite thin film synthesized on a nickel foil using a conventional quenching process.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. It should be understood, however, that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, the same reference numbers are used throughout the specification to refer to the same or like parts.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout this specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it is not limited to a case where it is "directly connected" but also includes the case where it is "electrically connected" do.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is "on " another member, it includes not only when the member is in contact with the other member, but also when there is another member between the two members.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout this specification, when an element is referred to as "including " an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise.
본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. The terms "about "," substantially ", etc. used to the extent that they are used throughout the specification are intended to be taken to mean the approximation of the manufacturing and material tolerances inherent in the stated sense, Accurate or absolute numbers are used to help prevent unauthorized exploitation by unauthorized intruders of the referenced disclosure.
본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~를 위한 단계"를 의미하지 않는다.The word " step (or step) "or" step "used to the extent that it is used throughout the specification does not mean" step for.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합(들)"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.Throughout this specification, the term "combination (s) thereof " included in the expression of the machine form means a mixture or combination of one or more elements selected from the group consisting of the constituents described in the expression of the form of a marker, Quot; means at least one selected from the group consisting of the above-mentioned elements.
본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B"의 기재는, "A 또는 B, 또는 A 및 B"를 의미한다. Throughout this specification, the description of "A and / or B" means "A or B, or A and B".
본원 명세서 전체에서, 용어 "알칸"은, 각각, 선형 또는 분지형의, 포화 또는 불포화의 C1 -20 알칸를 포함하는 것일 수 있으며, 예를 들어, 메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 펜탄, 헥산, 헵산, 옥탄, 노난, 데칸, 운데칸, 도데칸, 트리데칸, 테트라데칸, 펜타데칸, 헥사데칸, 헵타데칸, 옥타데칸, 노나데칸, 에이코산, 또는 이들의 가능한 모든 이성질체를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. For the purposes of the present specification, the term "alkane" may be a linear or branched, saturated or unsaturated C 1 -20 alkane each containing, for example, methane, ethane, propane, butane, pentane, But not limited to, hexane, heptane, octane, nonane, decane, undecane, dodecane, tridecane, tetradecane, pentadecane, hexadecane, heptadecane, octadecane, nonadecane, eicosane, or all possible isomers thereof , But may not be limited thereto.
본원 명세서 전체에서, 용어 "알켄"은, 상기 정의된 알칸 중 탄소수 2 이상의 알칸에 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합이 포함된 형태의 1 가의 탄화수소기를 의미하는 것으로서, 선형 또는 분지형의, C2 -20 알켄을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.Throughout the present specification, the term "alkene" means, in the definition of an alkane having a carbon number of 2 or more of the alkane at least one carbon-in as meaning carbon double bond, a monovalent hydrocarbon group of the type comprising a linear or branched, C 2 -20 < / RTI > alkene.
본원 명세서 전체에서, 용어 "알킨"은, 상기 정의된 알칸 중 탄소수 2 이상의 알칸에 적어도 하나의 탄소-탄소 삼중 결합이 포함된 형태의 1 가의 탄화수소기를 의미하는 것으로서, 선형 또는 분지형의, C2 -20 알킨을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
Throughout the present specification, the term "alkynyl" is the above-defined alkane having a carbon number of 2 or more of the alkane at least one carbon-in as meaning a group carbon monovalent hydrocarbon of the type comprising a triple bond, linear or branched, C 2 But it may be, but not limited to, -20 alkyne.
이하, 본원의 구현예를 상세히 설명하였으나, 본원이 이에 제한되지 않을 수 있다.
Hereinafter, embodiments of the present invention are described in detail, but the present invention is not limited thereto.
본원의 제 1 측면은, 촉매층에 탄소-함유 물질을 포함하는 기체를 공급하여 제 1 열처리함으로써 탄소가 과포화된 촉매층을 형성하고; 상기 탄소가 과포화된 촉매층을 급냉시키고; 및, 상기 급냉시킨 탄소가 과포화된 촉매층을 제 2 열처리하여 상기 촉매층에 흑연 박막을 성장시키는 것을 포함하는, 흑연 박막의 제조 방법을 제공한다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a process for producing a catalyst, comprising: supplying a gas containing a carbon-containing material to a catalyst layer and performing a first heat treatment to form a catalyst layer in which carbon is supersaturated; Quenching the carbon-supersaturated catalyst layer; And a second heat treatment of the catalyst layer in which the quenched carbon is supersaturated to grow a graphite thin film in the catalyst layer.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 흑연 박막의 제조 방법은, 예를 들어, 고온(약 600℃ 내지 약 1,300℃)에서 철, 니켈, 또는 코발트 등을 포함하는 촉매층에 탄소를 용해시켜 포함시키는 공정 후 온도를 약 450℃ 이하로 급냉시키거나 ?칭(quenching)하는 것을 포함한다. 상기 흑연 박막의 제조 방법은 상기 촉매층에 흑연 물질(graphitic substance)이 생성되지 않도록 억제하는 공정 또는 상기 촉매층에 흑연 물질이 형성되더라도 제 1 열처리하여 표면에 형성된 흑연 물질을 제거하고 온도를 약 450℃ 이하로 떨어뜨리는 공정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 열처리 이후 형성된 ‘탄소가 과포화된 촉매층'을 약 450℃ 내지 약 1,300℃ (제 1 열처리의 온도보다 낮은 온도) 사이의 특정 온도에서 약 180 분 이하 또는 그 이상의 시간 동안 제 2 열처리하여 상기 과포화된 탄소의 석출에 의한 흑연 박막의 성장을 상기 촉매층에 유도하는 제 2 열처리 공정을 포함할 수 있다. 상기 재열처리(제 2 열처리) 공정 이후에 상온까지 급냉 또는 ?칭(quenching)하는 공정을 추가 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the process for producing the graphite thin film includes a step of dissolving carbon in a catalyst layer containing iron, nickel, cobalt or the like at a high temperature (about 600 ° C. to about 1,300 ° C.) Followed by quenching or quenching the post-temperature to below about 450 ° C. The graphite thin film manufacturing method may include a step of preventing a graphitic substance from being formed in the catalyst layer or a graphite material formed on the surface by performing a first heat treatment even if a graphite material is formed in the catalyst layer, To < / RTI > Also, the " carbon-supersaturated catalyst layer " formed after the first heat treatment may be subjected to a second heat treatment for a period of about 180 minutes or longer at a specific temperature between about 450 [deg.] C and about 1,300 [deg.] C (lower than the temperature of the first heat treatment) And a second heat treatment step of guiding the growth of the graphite thin film to the catalyst layer by precipitation of the supersaturated carbon. And may further include a step of quenching or quenching to room temperature after the re-heat treatment (second heat treatment).
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 촉매층은, 철, 니켈, 코발트, 구리, 규소 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 촉매층은, 기재에 물리적 증착 방법 또는 화학적 증착 방법에 의해 증착되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. In one embodiment of the present invention, the catalyst layer may include, but is not limited to, those selected from the group consisting of iron, nickel, cobalt, copper, silicon, and combinations thereof. For example, the catalyst layer may be deposited by a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method on a substrate, but the present invention is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 탄소-함유 물질은 C1 -10 알칸, C2 -10 알켄, C2-10 알킨 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. In one embodiment of the invention, the carbon-containing material, but can be to include those selected from the group consisting of C 1 -10 alkane, C 2 -10 alkenyl, C 2-10 alkynyl, and combinations thereof, whereby But may not be limited.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 제 1 열처리의 온도가 약 600℃ 내지 약 1,300℃인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 열처리의 온도는 약 600℃ 내지 약 1,300℃, 약 650℃ 내지 약 1,300℃, 약 700℃ 내지 약 1,300℃, 약 750℃ 내지 약 1,300℃, 약 800℃ 내지 약 1,300℃, 약 850℃ 내지 약 1,300℃, 약 900℃ 내지 약 1,300℃, 약 950℃ 내지 약 1,300℃, 약 1,000℃ 내지 약 1,300℃, 약 1,050℃ 내지 약 1,300℃, 약 1,100℃ 내지 약 1,300℃, 약 1,150℃ 내지 약 1,300℃, 약 1,200℃ 내지 약 1,300℃, 약 1,250℃ 내지 약 1,300℃, 약 600℃ 내지 약 1,250℃, 약 600℃ 내지 약 1,200℃, 약 600℃ 내지 약 1,150℃, 약 600℃ 내지 약 1,100℃, 약 600℃ 내지 약 1,050℃, 약 600℃ 내지 약 1,000℃, 약 600℃ 내지 약 950℃, 약 600℃ 내지 약 900℃, 약 600℃ 내지 약 850℃, 약 600℃ 내지 약 800℃, 약 600℃ 내지 약 750℃, 약 600℃ 내지 약 700℃, 또는 약 600℃ 내지 약 650℃ 일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.In one embodiment of the invention, the temperature of the first heat treatment may be about 600 ° C to about 1,300 ° C, but is not limited thereto. For example, the temperature of the first heat treatment may range from about 600 ° C to about 1,300 ° C, from about 650 ° C to about 1,300 ° C, from about 700 ° C to about 1,300 ° C, from about 750 ° C to about 1,300 ° C, About 900 ° C to about 1,300 ° C, about 950 ° C to about 1,300 ° C, about 1,000 ° C to about 1,300 ° C, about 1,050 ° C to about 1,300 ° C, about 1,100 ° C to about 1,300 ° C, From about 1,200 DEG C to about 1,300 DEG C, from about 1,250 DEG C to about 1,300 DEG C, from about 600 DEG C to about 1,250 DEG C, from about 600 DEG C to about 1,200 DEG C, from about 600 DEG C to about 1,150 DEG C, From about 600 ° C to about 900 ° C, from about 600 ° C to about 850 ° C, from about 600 ° C to about 1,050 ° C, from about 600 ° C to about 1,000 ° C, from about 600 ° C to about 950 ° C, 800 C, from about 600 C to about 750 C, from about 600 C to about 700 C, or from about 600 C to about 650 C, but is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 급냉 과정은 상기 탄소가 과포화된 촉매층의 온도가 약 450℃ 이하가 되도록 조절하는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 급냉과정에 의하여 탄소가 과포화된 촉매층의 온도는 약 450℃ 이하, 약 400℃ 이하, 약 350℃ 이하, 약 300℃ 이하, 약 250℃ 이하, 약 200℃ 이하, 약 150℃ 이하, 약 100℃ 이하, 약 50℃ 이하, 약 30℃ 이하, 약 10℃ 이하, 또는 약 5℃ 이하로 조절될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.In one embodiment of the present invention, the quenching may include, but is not limited to, controlling the temperature of the supersaturated carbon catalyst layer to below about 450 ° C. For example, the temperature of the catalyst layer in which the carbon is supersaturated by the quenching process may be about 450 ° C, about 400 ° C, about 350 ° C, about 300 ° C, about 250 ° C, about 200 ° C, About 50 ° C or less, about 30 ° C or less, about 10 ° C or less, or about 5 ° C or less, but the present invention is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 제 2 열처리의 온도는 상기 제 1 열처리 온도보다 낮으며 약 450℃ 내지 약 1,300℃인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 열처리의 온도는 약 450℃ 내지 약 1,300℃, 약 500℃ 내지 약 1,300℃, 약 550℃ 내지 약 1,300℃, 약 600℃ 내지 약 1,300℃, 약 650℃ 내지 약 1,300℃, 약 700℃ 내지 약 1,300℃, 약 750℃ 내지 약 1,300℃, 약 800℃ 내지 약 1,300℃, 약 850℃ 내지 약 1,300℃, 약 900℃ 내지 약 1,300℃, 약 950℃ 내지 약 1,300℃, 약 1,000℃ 내지 약 1,300℃, 약 1,050℃ 내지 약 1,300℃, 약 1,100℃ 내지 약 1,300℃, 약 1,150℃ 내지 약 1,300℃, 약 1,200℃ 내지 약 1,300℃, 약 1,250℃ 내지 약 1,300℃, 약 450℃ 내지 약 1,250℃, 약 450℃ 내지 약 1,200℃, 약 450℃ 내지 약 1,150℃, 약 450℃ 내지 약 1,100℃, 약 450℃ 내지 약 1,050℃, 약 450℃ 내지 약 1,000℃, 약 450℃ 내지 약 950℃, 약 450℃ 내지 약 900℃, 약 450℃ 내지 약 850℃, 약 450℃ 내지 약 800℃, 약 450℃ 내지 약 750℃, 약 450℃ 내지 약 700℃, 약 450℃ 내지 약 650℃, 약 450℃ 내지 약 600℃, 약 450℃ 내지 약 550℃, 또는 약 450℃ 내지 약 500℃일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 제 2 열처리의 온도는 상기 제 1 열처리의 온도보다 낮도록 조절되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.In one embodiment of the present invention, the temperature of the second heat treatment is lower than the first heat treatment temperature and may be about 450 캜 to about 1,300 캜, but is not limited thereto. For example, the temperature of the second heat treatment may range from about 450 ° C to about 1,300 ° C, from about 500 ° C to about 1,300 ° C, from about 550 ° C to about 1,300 ° C, from about 600 ° C to about 1,300 ° C, About 900 ° C to about 1,300 ° C, about 750 ° C to about 1,300 ° C, about 800 ° C to about 1,300 ° C, about 850 ° C to about 1,300 ° C, about 900 ° C to about 1,300 ° C, About 1,200 DEG C to about 1,300 DEG C, about 1,250 DEG C to about 1,300 DEG C, about 450 DEG C, and about 1,200 DEG C to about 1,300 DEG C, about 1,050 DEG C to about 1,300 DEG C, about 1,100 DEG C to about 1,300 DEG C, About 450 ° C to about 1,200 ° C, about 450 ° C to about 1,150 ° C, about 450 ° C to about 1,100 ° C, about 450 ° C to about 1,050 ° C, about 450 ° C to about 1,000 ° C, About 450 캜 to about 700 캜, about 450 캜 to about 900 캜, about 450 캜 to about 850 캜, about 450 캜 to about 800 캜, about 450 캜 to about 750 캜, About 650 ° C, about 450 ° C to about 600 ° C, about 450 ° C to about 550 ° C, or about 450 ° C to about 500 ° C. The temperature of the second heat treatment may be adjusted to be lower than the temperature of the first heat treatment, but the present invention is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 제 2 열처리의 시간이 약 5 시간 이하인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 열처리의 시간은 약 5 시간 이하, 약 4 시간 이하, 약 3 시간 이하, 약 2 시간 이하, 또는 약 1 시간 이하일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.In one embodiment of the present invention, the time of the second heat treatment may be about 5 hours or less, but the present invention is not limited thereto. For example, the time for the second heat treatment may be about 5 hours or less, about 4 hours or less, about 3 hours or less, about 2 hours or less, or about 1 hour or less, but is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 흑연 박막의 두께가 약 70 nm 이하인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 흑연 박막의 두께가 약 70 nm 이하, 약 65 nm 이하, 약 60 nm 이하, 약 55 nm 이하, 약 50 nm 이하, 약 45 nm 이하, 약 40 nm 이하, 약 35 nm 이하, 약 30 nm 이하, 약 25 nm 이하, 약 20 nm 이하, 약 15 nm 이하, 약 10 nm 이하, 약 5 nm 이하, 또는 약 10 nm 내지 약 20 nm 일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
In one embodiment of the present invention, the thickness of the graphite thin film may be about 70 nm or less, but the present invention is not limited thereto. For example, the thickness of the graphite thin film may be about 70 nm or less, about 65 nm or less, about 60 nm or less, about 55 nm or less, about 50 nm or less, about 45 nm or less, about 40 nm or less, But may not be limited to, about 30 nm or less, about 25 nm or less, about 20 nm or less, about 15 nm or less, about 10 nm or less, about 5 nm or less, or about 10 nm to about 20 nm.
본원의 제 2 측면은, 상기 본원의 제 1 측면에 따른 제조 방법에 따라 제조되는 흑연 박막을 제공한다.The second aspect of the present invention provides a graphite thin film produced according to the manufacturing method according to the first aspect of the present invention.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 흑연 박막의 두께가 약 70 nm 이하인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 흑연 박막의 두께가 약 70 nm 이하, 약 65 nm 이하, 약 60 nm 이하, 약 55 nm 이하, 약 50 nm 이하, 약 45 nm 이하, 약 40 nm 이하, 약 35 nm 이하, 약 30 nm 이하, 약 25 nm 이하, 약 20 nm 이하, 약 15 nm 이하, 약 10 nm 이하, 약 5 nm 이하, 또는 약 10 nm 내지 약 20 nm 일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
In one embodiment of the present invention, the thickness of the graphite thin film may be about 70 nm or less, but the present invention is not limited thereto. For example, the thickness of the graphite thin film may be about 70 nm or less, about 65 nm or less, about 60 nm or less, about 55 nm or less, about 50 nm or less, about 45 nm or less, about 40 nm or less, But may not be limited to, about 30 nm or less, about 25 nm or less, about 20 nm or less, about 15 nm or less, about 10 nm or less, about 5 nm or less, or about 10 nm to about 20 nm.
본원의 제 3 측면은, 상기 본원의 제 2 측면에 따른 흑연 박막을 포함하는, 극자외선 리소그래피용 펠리클 (pellicle)을 제공한다.
A third aspect of the present invention provides a pellicle for extreme ultraviolet lithography comprising a graphite thin film according to the second aspect of the present invention.
이하, 본 발명의 구현예 및 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
Hereinafter, embodiments and examples of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본원의 일 구현예에 있어서, 탄소 박막의 제조 방법에서 우선, 촉매층에 탄소-함유 물질을 포함하는 기체를 공급하여 제 1 열처리함으로써 탄소가 과포화된 촉매층을 형성한다(도 1의 S1). 그 다음 상기 탄소가 과포화된 촉매층을 450℃ 이하 또는 상온으로 급냉시킨다(급냉, ?칭공정, quenching, 도 1의 S2). 그 후 형성된 탄소가 과포화된 촉매층을 제 1 열처리 온도보다 낮은 온도에서 제 2 열처리한다(도 1의 S3). 상기 과정 후, 제어된 흑연 박막이 얻어진다(도 1의 S4). 이 경우 급냉을 통해 열이 빠져나가는 것을 제어하지 않고, 흑연 박막 전체에 균일하게 열을 전달하는 방법을 이용하여 흑연 박막 형성을 제어할 수 있고, 따라서 형성되는 핵의 밀도를 균일하게 만들어 측면 성장 시 수반되는 잠열에 의한 탄소 박막의 불균일성을 최소화할 수 있다.As shown in FIG. 1, in one embodiment of the present invention, a gas containing a carbon-containing material is first supplied to a catalyst layer in a method for producing a carbon thin film, followed by a first heat treatment to form a catalyst layer in which carbon is supersaturated 1, S1). Subsequently, the catalyst layer in which the carbon has been supersaturated is quenched (quenched, quenched, quenched, S2 in FIG. The catalyst layer in which the formed carbon is supersaturated is subjected to a second heat treatment at a temperature lower than the first heat treatment temperature (S3 in FIG. 1). After the above process, a controlled graphite thin film is obtained (S4 in FIG. 1). In this case, it is possible to control the formation of the graphite thin film by using a method of uniformly transferring heat to the entire graphite thin film without controlling heat escape through quenching, thereby making the density of nuclei formed uniform, The nonuniformity of the carbon thin film due to the accompanying latent heat can be minimized.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 제 2 열처리 시의 온도와 고온에서 탄소를 고용시키는 공정에서의 온도차에 따라 제 2 열처리 시 탄소의 석출 속도에 관여하는 고용도의 차이는 매우 커지게 되며, 표면으로의 석출되는 탄소의 양은 매우 커지게 된다. 이로 인해 표면에서의 핵의 밀도는 매우 커지며, 측면 성장 속도가 느려지면서 발생하는 거북등 모양의 핀홀(pinhole) 발생을 억제되게 한다. 또 탄소의 높은 벌크-to-표면 플럭스(bulk to surface flux)는 촉매층의 결정면에 따른 석출 속도의 차이와 핵 형성의 활성화 에너지의 차이를 감소시켜, 흑연 박막의 석출 및 성장 속도가 촉매층 표면의 결정면의 차이에 의해 달라지는 점을 감소시켜 흑연 박막의 균일도 향상을 가능하게 한다. 또한, 탄소가 과포화된 촉매층을 형성할 때, 고온으로부터 상온까지 급냉하는 동안 연속적으로 흑연 박막이 형성되는 경우 촉매층과 흑연 박막의 열팽창계수 차이로 인한 릿지(ridge)의 형성을 피할 수 없는데, 급냉 공정 및 제 2 열처리로부터 릿지의 형성을 억제할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the difference in solubility involved in the carbon deposition rate during the second heat treatment becomes very large according to the temperature during the second heat treatment and the temperature difference during the step of solidifying carbon at a high temperature, The amount of carbon to be precipitated in the solution becomes very large. As a result, the density of the nuclei on the surface becomes very large, and the occurrence of pinholes such as a turtle that occurs when the lateral growth rate is slowed down is suppressed. In addition, the high bulk-to-surface flux of carbon reduces the difference in the deposition rate depending on the crystal plane of the catalyst layer and the difference in the activation energy of nucleation so that the precipitation and growth rate of the graphite thin- And thus it is possible to improve the uniformity of the graphite thin film. When a graphite thin film is continuously formed during quenching from a high temperature to a room temperature when forming a catalyst layer in which the carbon is supersaturated, formation of a ridge due to a difference in thermal expansion coefficient between the catalyst layer and the graphite thin film can not be avoided. And formation of ridges from the second heat treatment can be suppressed.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 탄소 박막의 제조 방법은 철, 니켈, 코발트, 규소 등의 재료에 탄소를 포함한 기체나 물질을 탄소공급원으로써 사용하여, 탄소를 해당 금속에 용해 및 석출시킴으로써 흑연 박막을 제조한다. 상기 흑연 박막의 제조 방법은 종래의 제조 방법의 단점으로 지목된 두께조절의 어려움 및 흑연 박막의 낮은 두께 균일도를 극복하여, 극자외선 리소그래피용 펠리클 재료로서 흑연 박막의 물리적, 광학적 특성 저하를 해결하는 공정이다.In one embodiment of the present invention, the carbon thin film is produced by dissolving and precipitating carbon in a metal such as iron, nickel, cobalt, and silicon as a carbon source, . The method for producing a graphite thin film is a process for overcoming physical and optical properties of a graphite thin film as a pellicle material for extreme ultraviolet lithography by overcoming the difficulty of thickness control and low thickness uniformity of a graphite thin film, to be.
고체 촉매층에 대한 탄소의 고용도(solubility)는 상온으로부터 온도가 높아질수록 증가하게 되는데, 이를 이용하여 고온에서 탄소를 충분히 고용시킨 후 급냉하게 되면 고체 촉매층 표면에서 탄소석출상이 형성된다. 즉, 고온에서 촉매층에 다량 녹아있던 탄소가 저온이 되면서 촉매층 내부의 고용도가 감소함에 따라 촉매층 내부에 잔류하는 것이 불안정하게 되어 촉매층 내부에서 표면으로의 탄소 이동이 발생하여 표면에 탄소석출상이 형성되는 것이다. 그러나 이 경우 탄소의 석출속도, 표면에서 탄소의 핵 형성, 측면 성장, 및 두께 성장의 제어는 급냉 프로파일의 엄격한 제어를 요구한다. 탄소의 석출 속도와 핵 형성은 급냉 프로파일에서 순간의 온도변화율 및 온도에 영향을 받고, 측면 성장은 각 순간의 온도변화율과 온도뿐만 아니라 형성된 핵의 밀도 및 측면 성장 자체에 수반되는 잠열에 의해 영향을 받고, 두께 성장 역시 각 순간의 온도변화율 및 온도, 형성된 핵의 밀도, 측면 성장 속도에 의해 영향을 받기 때문이다.The solubility of carbon with respect to the solid catalyst layer increases from room temperature to the temperature. When carbon is sufficiently solidified at a high temperature and then quenched, a carbon precipitate phase is formed on the surface of the solid catalyst layer. That is, since the carbon dissolved in the catalyst layer at a high temperature becomes low temperature, the solubility in the catalyst layer decreases, and the residual in the catalyst layer becomes unstable, resulting in the carbon transfer from the catalyst layer to the surface, will be. However, in this case control of carbon deposition rate, nucleation of carbon at the surface, lateral growth, and thickness growth require strict control of the quench profile. The deposition rate and nucleation of carbon are influenced by instantaneous temperature change rate and temperature in the quench profile and lateral growth is influenced not only by the temperature change rate and temperature at each moment but also by the latent heat associated with the density of nuclei formed and lateral growth itself The thickness growth is also affected by the rate of temperature change and temperature at each moment, the density of nuclei formed, and the lateral growth rate.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 각 변수들은 급냉 시 촉매층에서 얼마나 균일하게 열이 빠져나가느냐에 따라 촉매층 표면에서 흑연 박막의 균일도(두께 균일도, 핵 밀도의 면적분포, 및 흑연 박막의 치밀성)를 결정하게 되는데, 이 때에 빠져나가는 열을 균일하게 유지하는 것이 용이하지 않다. 따라서 본원은 급냉 공정에서 발생하는 제어하기 어려운 여러 변수들의 영향을 최소화한다.
In one embodiment of the present invention, the above parameters determine the uniformity of the graphite thin film on the surface of the catalyst layer (uniformity of the thickness, area distribution of the nuclear density, and compactness of the graphite thin film) depending on how uniform heat is exited from the catalyst layer during quenching At this time, it is not easy to keep the heat escaping uniformly. Therefore, this paper minimizes the influence of various parameters that are difficult to control in the quenching process.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 흑연 박막이 극자외선 리소그래피용 펠리클에 적용되기 위해 꼭 달성되어야 할 두께 균일도 및 핀홀이 없는(pinhole-free) 나노미터 스케일의 흑연 박막을 합성할 수 있다.
In one embodiment of the present invention, it is possible to synthesize a graphite thin film having a thickness uniformity and a pinhole-free nanometer scale that the graphite thin film must attain to be applied to a pellicle for EUV lithography.
이하, 본원에 대하여 실시예를 이용하여 좀더 구체적으로 설명하지만, 하기 실시예는 본원의 이해를 돕기 위하여 예시하는 것일 뿐, 본원의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the following Examples are given for the purpose of helping understanding of the present invention, but the present invention is not limited to the following Examples.
[[ 실시예Example ]]
니켈 호일(두께 25 μm)이 촉매층으로서 사용되었고, 제 1 열처리가 900℃ ~ 1,035℃에서 메탄 가스의 압력을 약 0.03 Torr로 유지하면서 상기 촉매층과 60 분간 반응시켜 탄소를 니켈 호일에 고용시킨 후 급냉 조건 -10 ℃/s의 속도로 변화시키면서 400℃ 이하까지 급냉하였다. 상기 급냉시킨 촉매층을 상온까지 냉각하였다. 이후 제 2 열처리가 700℃에서 수행되었다. 상기 제 2 열처리시킨 촉매층을 상온까지 냉각시켰다. 형성된 흑연 박막의 형상과 미세 형상을 관찰하였다.
Nickel foil (thickness 25 mu m) was used as the catalyst layer, and the first heat treatment was carried out for 60 minutes with the catalyst layer maintained at a pressure of about 0.03 Torr at 900 DEG C to 1,035 DEG C to melt the carbon in the nickel foil, And was quenched to 400 캜 or lower while changing the temperature at a rate of -10 캜 / s. The quenched catalyst layer was cooled to room temperature. The second heat treatment was then carried out at 700 占 폚. The second heat-treated catalyst layer was cooled to room temperature. The shape and microstructure of the formed graphite thin film were observed.
도 2는, 제 2 열처리 하지 않는 종래 급냉 공정을 이용하여 니켈 호일에 합성된 흑연 박막의 광학현미경 이미지(×50)를 나타낸다.2 shows an optical microscope image (x50) of a graphite thin film synthesized on a nickel foil using a conventional quenching process without a second heat treatment.
도 3은, 본 실시예에서 니켈 호일에 합성된 흑연 박막의 광학현미경 이미지(×50)를 나타낸다.Fig. 3 shows an optical microscope image (x50) of a graphite thin film synthesized on a nickel foil in this embodiment.
도 4는, 제 2 열처리 하지 않는 종래 급냉 공정을 이용하여 니켈 호일에 합성된 흑연 박막의 광학현미경 이미지(×200)를 나타낸다.Fig. 4 shows an optical microscope image (x200) of a graphite thin film synthesized on a nickel foil using a conventional quenching process without a second heat treatment.
도 5는, 본 실시예에서 니켈 호일에 합성된 흑연 박막의 광학현미경 이미지(×200)를 나타낸다.
Fig. 5 shows an optical microscope image (x200) of a graphite thin film synthesized on a nickel foil in this embodiment.
상기 설명한 이미지들은 탄소를 고용시키는 공정에서 제 1 열처리의 온도를 910℃로 하여 합성한 흑연 박막의 이미지이다. 도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이, 각 흑연 박막의 두께는 약 10 nm 내지 약 20 nm 의 범위로서 측정되었다. 종래의 급냉 공정에서 합성된 흑연 박막은 두께 균일도가 떨어지고 릿지의 형성을 억제할 수 없었는데, 이러한 점들을 본원에서 극복하였다. 종래의 급냉 공정을 이용하여 합성된 흑연 박막과 비교할 때, 본 실시예의 흑연 박막은 두께 균일도가 현저하게 향상되었다(도 6 내지 도 9). 또한, 극자외선 투과 균일도의 향상은 두께 균일도가 향상되었을 때 기대되며, 면적 극자외선 빔이 입사했을 때 흑연박막의 두께 균일도가 높을수록 투과된 극자외선 빔의 면적 균일도는 향상된다. 상기 흑연 박막의 얇은 두께와 높은 극자외선 투과도, 강한 인장 강도 및 높은 균일도는 극자외선 리소그래피용 펠리클에 활용될 수 있다. 또한 넓은 주파수 영역에서 높은 감도를 갖는 오디오 트랜스듀서에 적용되기 위한 격막으로도 활용될 수 있다.
The above-described images are images of graphite thin films synthesized at the temperature of the first heat treatment at 910 캜 in the step of solidifying carbon. As shown in Figs. 6 and 7, the thickness of each graphite thin film was measured in the range of about 10 nm to about 20 nm. The graphite thin film synthesized in the conventional quenching process is not uniform in thickness and can not suppress the formation of ridges, and these points are overcome in the present invention. Compared with the graphite thin film synthesized using the conventional quenching process, the graphite thin film of the present example exhibited remarkably improved thickness uniformity (Figs. 6 to 9). The uniformity of extreme UV transmittance is expected when the thickness uniformity is improved. As the uniformity of the thickness of the graphite thin film is higher when the area extreme ultraviolet beam is incident, the area uniformity of the transmitted extreme ultraviolet beam is improved. The thin thickness, high extreme ultraviolet transmittance, high tensile strength and high uniformity of the graphite thin film can be utilized in extreme ultra violet lithography pellicles. It can also be used as a diaphragm for application to audio transducers with high sensitivity in a wide frequency range.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수도 있다.The foregoing description of the disclosure is exemplary, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위, 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are included in the scope of the present invention .
Claims (12)
상기 탄소가 과포화된 촉매층을 급냉시키고; 및
상기 급냉시킨 탄소가 과포화된 촉매층을 제 2 열처리하여 상기 촉매층에 흑연 박막을 성장시키는 것
을 포함하는, 흑연 박막의 제조 방법.
Supplying a gas containing a carbon-containing material to the catalyst layer and performing a first heat treatment to form a catalyst layer in which carbon is supersaturated;
Quenching the carbon-supersaturated catalyst layer; And
A second heat treatment is performed on the catalyst layer in which the quenched carbon is supersaturated to grow a graphite thin film in the catalyst layer
Wherein the graphite thin film has a thickness of 100 nm or less.
상기 촉매층은, 철, 니켈, 코발트, 구리, 규소 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 흑연 박막의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the catalyst layer comprises a material selected from the group consisting of iron, nickel, cobalt, copper, silicon, and combinations thereof.
상기 촉매층은, 기재에 물리적 증착 방법 또는 화학적 증착 방법에 의해 증착되는 것인, 흑연 박막의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the catalyst layer is deposited on a substrate by a physical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method.
상기 탄소-함유 물질은 C1 -10 알칸, C2 -10 알켄, C2 -10 알킨 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 흑연 박막의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the carbon-containing material comprises a material selected from the group consisting of C 1 -10 alkanes, C 2 -10 alkenes, C 2 -10 alkynes, and combinations thereof.
상기 제 1 열처리의 온도가 600℃ 내지 1,300℃ 인, 흑연 박막의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the temperature of the first heat treatment is 600 占 폚 to 1,300 占 폚.
상기 급냉 과정은 상기 탄소가 과포화된 촉매층의 온도가 450℃ 이하가 되도록 조절하는 것을 포함하는 것인, 흑연 박막의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the quenching step comprises controlling the temperature of the catalyst layer in which the carbon is supersaturated to be 450 캜 or less.
상기 제 2 열처리의 온도는 상기 제 1 열처리 온도보다 낮으며 450℃ 내지 1,300℃ 인, 흑연 박막의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the temperature of the second heat treatment is lower than the first heat treatment temperature and is from 450 ° C to 1,300 ° C.
상기 제 2 열처리의 시간이 5 시간 이하인, 흑연 박막의 제조 방법.
The method according to claim 1,
And the time of the second heat treatment is 5 hours or less.
상기 흑연 박막의 두께가 70 nm 이하인, 흑연 박막의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the graphite thin film has a thickness of 70 nm or less.
A graphite thin film produced by the method of any one of claims 1 to 9.
두께가 70 nm 이하인, 흑연 박막.
11. The method of claim 10,
A graphite thin film having a thickness of 70 nm or less.
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