KR20150112251A - Light Emitting Diode Package and Method for manufacturing thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 액상 수지의 충진재 상면에 형광 필름을 배치한 상태에서 베이킹함으로써 형광 필름이 충진재에 밀착되어 발광 다이오드 소자에서 발광되는 광원의 색 균일도를 효과적으로 유지할 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a light emitting diode package and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a light emitting diode package and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a light emitting diode package, Emitting diode package and a method of manufacturing the same.
요즘 GaN에 Al 또는 In을 첨가한 발광 다이오드는 종래의 백열등에 비해 긴 수명, 낮은 전력 소비, 우수한 밝기, 인체에 유해하지 않은 환경 친화적 요소 등으로 인하여 주목받고 있으며, 특히 형광 필름을 채용하여 백색광을 제공하는 발광 다이오드 칩이 더욱 더 각광받고 있다.Recently, light emitting diodes containing Al or In added to GaN have been attracting attention due to their long lifetime, low power consumption, excellent brightness, and environmentally friendly factors that are not harmful to human body as compared with conventional incandescent lamps. In particular, Emitting diode (LED) chip provided by the present invention is getting more and more popular.
이러한 발광 다이오드 칩은 상술한 장점으로 인하여 자동차 조명, 교통 신호등, 액정 표시 장치의 백라이트 유닛(Back Light Unit) 등에 이용되고 있다.Such a light emitting diode chip has been used for automobile lighting, traffic signal light, backlight unit of a liquid crystal display device, and the like due to the advantages described above.
최근에, 인공 광원에서 측정된 색좌표가 인간의 눈으로 보았을 때의 색좌표와 동일한 것인지를 평가하는 지표로서 MacAdam Rule이 제시되었다. 이러한 MacAdam Rule은 4 단계 기준을 제공하고 있다. 미주 지역에서는 MacAdam Rule의 3 단계 기준에 부합되지 못하는 인공 광원은 판매가 허가되지 않고 있는 실정이다. MacAdam Rule의 3 단계를 만족시키기 위해서는 백색광의 색 편차를 줄이는 것이 매우 중요하다.Recently, the MacAdam Rule has been proposed as an index for evaluating whether the color coordinates measured in the artificial light source are the same as the color coordinates when viewed with human eyes. These MacAdam Rule provides a four-step criteria. In the Americas, artificial light sources that do not meet the MacAdam Rule's three-step criteria are not allowed to be sold. In order to satisfy the three steps of MacAdam Rule, it is very important to reduce the color deviation of white light.
한편, 대한민국 공개특허공보 10-2008-0070193에는 수지재의 필름 면 상에 형광물질이 형성되어 있는 형광필름이 게시되어 있으며, 상술한 형광필름이 발광 다이오드에 부착되는 경우에 형광물질과 수지재의 필름 사이에 정전기력(Electrostatic force)이나 접착력(Adhesive force)으로 인하여 원하는 위치에 효과적으로 부착되지 않아서 백색광의 색 편차를 줄이는 것이 어려웠으며 발광 다이오드와 형광필름의 접착력이 좋지 않아 신뢰성 문제가 발생되었다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2008-0070193 discloses a fluorescent film on which a fluorescent material is formed on a film surface of a resin material. When the fluorescent film is attached to a light emitting diode, It is difficult to reduce the color deviation of the white light due to the electrostatic force or the adhesive force, and the adhesion between the light emitting diode and the fluorescent film is not good, which causes reliability problems.
또한, 상술한 형광 필름을 리드프레임 또는 회로 기판 상에 부착 시에 부가적인 접착제 코팅공정이 도입되거나 형광 필름과 실리콘 충진재 사이에 불규칙한 간극이 발생되며 이러한 간극에 존재하는 공기층으로 인하여 발광 다이오드 소자에서 발광되는 광원의 색 균일도를 유지하는 것이 매우 어려웠다.
In addition, when the above-mentioned fluorescent film is adhered onto a lead frame or a circuit board, an additional adhesive coating process is introduced, or an irregular gap is generated between the fluorescent film and the silicon filler. Due to the air layer existing in the gap, It is very difficult to maintain the color uniformity of the light source.
따라서 본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 액상 수지의 충진재 상면에 형광 필름을 배치한 상태에서 베이킹함으로써 형광 필름이 충진재에 밀착되어 발광 다이오드 소자에서 발광되는 광원의 색 균일도를 효과적으로 유지할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a light emitting diode device in which a fluorescent film is adhered to a filler by baking in a state in which a fluorescent film is disposed on a top surface of a filler, A light emitting diode package that can effectively maintain color uniformity of light emitted from the light emitting diode package.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상술한 발광 다이오드 패키지를 용이하게 제조하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 제공하는 것이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting diode package that easily manufactures the light emitting diode package.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are not intended to limit the invention to the precise forms disclosed. Other objects, which will be apparent to those skilled in the art, It will be possible.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 컵 형상의 리드프레임, 상기 리드프레임 내부의 상면에 부착되며, 와이어를 통해서 상기 리드프레임과 연결되는 발광 다이오드 소자, 상기 발광 다이오드 소자가 상기 리드프레임에 부착되어 있는 상태에서 상기 리드프레임의 내부를 채우는 충진부 및 상기 충진부의 상면에 배치되며 상기 발광 다이오드 소자로부터 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 상기 발광 다이오드 소자가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시키는 형광 필름을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package comprising: a cup-shaped lead frame; a light emitting diode device attached to an upper surface of the lead frame and connected to the lead frame through a wire; A filler portion for filling the interior of the lead frame in a state where the light emitting diode device is attached to the lead frame, and a light emitting diode device disposed on the top surface of the filler portion and changing the wavelength of light emitted from the light emitting diode device, And a fluorescent film for converting light into white light.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 상기 형광 필름이 상기 충진부에 밀착되어 배치될 수 있다.In the light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, the fluorescent film may be disposed in close contact with the filling portion.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 상기 충진부가 실리콘으로 이루어질 수 있다.In the light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, the filling portion may be made of silicon.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 회로 기판, 상기 회로 기판의 상면에 부착되며, 와이어를 통해서 상기 회로 기판과 연결되는 발광 다이오드 소자, 상기 회로 기판의 상면에 상기 발광 다이오드 소자와 이격되고 상기 발광 다이오드 소자를 둘러싸며 배치되는 울타리부, 상기 발광 다이오드 소자가 상기 회로 기판에 부착되어 있는 상태에서 상기 울타리부의 내부를 채우는 충진부 및 상기 충진부의 상면에 배치되며 상기 발광 다이오드 소자로부터 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 상기 발광 다이오드 소자가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시키는 형광 필름을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package including a circuit board, a light emitting diode element attached to an upper surface of the circuit board and connected to the circuit board through a wire, A fence part spaced apart from the light emitting diode device and disposed to surround the light emitting diode device, a filling part filling the inside of the fence part in a state where the light emitting diode device is attached to the circuit board, And a fluorescent film that changes the wavelength of light emitted from the light emitting diode device to convert the light provided by the light emitting diode device into white light.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 상기 울타리부가 상기 발광 다이오드 소자로부터 발광되는 빛이 투과되지 않는 불투명한 도체 또는 부도체로 이루어질 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the fence part may be formed of an opaque conductor or non-conductor which does not transmit light emitted from the light emitting diode element.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 상기 형광 필름이 상기 충진부에 밀착되어 배치될 수 있다.The light emitting diode package according to another embodiment of the present invention may be disposed such that the fluorescent film is in close contact with the filling portion.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 상기 충진부가 실리콘으로 이루어질 수 있다.
According to another embodiment of the present invention, the light emitting diode package may be formed of silicon.
상기와 같은 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은 컵 형상의 리드프레임 내부의 상면에 발광 다이오드 소자를 부착하고, 와이어를 통해서 상기 리드프레임과 상기 발광 다이오드 소자를 연결하는 단계, 상기 발광 다이오드 소자가 상기 리드프레임에 부착되어 있는 상태에서 소정의 액상 수지로 상기 리드프레임의 내부를 채우는 단계, 상기 소정의 액상 수지의 상면에 상기 발광 다이오드 소자로부터 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 상기 발광 다이오드 소자가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시키는 형광 필름을 배치하는 단계 및 상기 소정의 액상 수지의 상면에 상기 형광 필름이 배치되어 있는 상태의 결과물을 60℃ ~ 170℃에서 20분 내지 40분 동안 오븐에서 베이킹하여 상기 소정의 액상 수지를 경화시킴으로써 충진부를 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting diode package including attaching a light emitting diode device to a top surface of a cup-shaped lead frame, Filling the inside of the lead frame with a predetermined liquid resin in a state where the light emitting diode element is attached to the lead frame, connecting light emitting from the light emitting diode element to the upper surface of the predetermined liquid resin, A step of disposing a fluorescent film for converting the light provided by the light emitting diode element into white light by changing the wavelength of the liquid resin, and arranging the resultant in a state where the fluorescent film is arranged on the upper surface of the predetermined liquid resin, Baked in an oven for 20 minutes to 40 minutes to remove the predetermined liquid resin To form a filling portion.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은, 상기 형광 필름이 상기 충진부에 밀착되어 배치될 수 있다.In the method of manufacturing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, the fluorescent film may be disposed in close contact with the filling part.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은, 상기 소정의 액상 수지가 실리콘 액상 수지이며, 상기 실리콘 액상 수지의 점도가 400 cP ~ 300,000 cP일 수 있다.In the method of manufacturing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, the predetermined liquid resin is a silicone liquid resin, and the viscosity of the silicone liquid resin may be 400 cP to 300,000 cP.
상기와 같은 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은 회로 기판의 상면에 발광 다이오드 소자를 부착하고, 와이어를 통해서 상기 회로 기판과 상기 발광 다이오드 소자를 연결하는 단계, 상기 회로 기판의 상면에 상기 발광 다이오드 소자와 이격되고 상기 발광 다이오드 소자를 둘러싸며 배치되는 울타리부를 형성하는 단계, 상기 발광 다이오드 소자가 상기 회로 기판에 부착되어 있는 상태에서 소정의 액상 수지로 상기 울타리부의 내부를 채우는 단계, 상기 소정의 액상 수지의 상면에 상기 발광 다이오드 소자로부터 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 상기 발광 다이오드 소자가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시키는 형광 필름을 배치하는 단계 및 상기 소정의 액상 수지의 상면에 상기 형광 필름이 배치되어 있는 상태의 결과물을 60℃ ~ 170℃에서 20분 내지 40분 동안 오븐에서 베이킹하여 상기 소정의 액상 수지를 경화시킴으로써 충진부를 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting diode package including attaching a light emitting diode device to a top surface of a circuit board, connecting the circuit substrate to the light emitting diode device through a wire, Forming a fence part on the upper surface of the circuit board, the fence part being spaced apart from the light emitting diode device and surrounding the light emitting diode device, the step of forming the fence part with the predetermined liquid resin in a state where the light emitting diode device is attached to the circuit board, Arranging a fluorescent film for converting light emitted from the light emitting diode element into white light by changing a wavelength of light emitted from the light emitting diode element on an upper surface of the predetermined liquid resin; On the upper surface of the liquid resin By the name is baked in an oven it is the result of a condition in 60 ℃ ~ 170 ℃ for 20 to 40 minutes in place curing the predetermined liquid resin comprises the step of forming a filling.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은, 상기 울타리부가 상기 발광 다이오드 소자로부터 발광되는 빛이 투과되지 않는 불투명한 도체 또는 부도체로 형성될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the fence portion may be formed of an opaque conductor or nonconductor which does not transmit light emitted from the light emitting diode device.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은, 상기 형광 필름이 상기 충진부에 밀착되어 배치될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting diode package, wherein the fluorescent film is disposed in close contact with the filling portion.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은, 상기 소정의 액상 수지가 실리콘 액상 수지이며, 상기 실리콘 액상 수지의 점도가 400 cP ~ 300,000 cP일 수 있다.
According to another embodiment of the present invention, the predetermined liquid resin is a silicone liquid resin, and the viscosity of the silicone liquid resin may be 400 cP to 300,000 cP.
본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지는 액상 수지의 충진재 상면에 형광 필름을 배치한 상태에서 베이킹함으로써 형광 필름이 충진재에 밀착되어 발광 다이오드 소자에서 발광되는 광원의 색 균일도를 효과적으로 유지할 수 있다.The light emitting diode package according to embodiments of the present invention can maintain the color uniformity of the light source emitted from the light emitting diode device by closely bonding the fluorescent film to the filler by baking the fluorescent film on the upper surface of the filler of the liquid resin.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은 상술한 발광 다이오드 패키지를 용이하게 제조할 수 있다.In addition, the method of manufacturing a light emitting diode package according to embodiments of the present invention can easily manufacture the light emitting diode package described above.
또한, 충진용 액상 수지인 실리콘위에 형광 필름이 존재하므로 추가적인 접착제 도포공정없이 발광 다이오드 패키지를 용이하게 제조할 수 있다.
In addition, since the fluorescent film is present on silicon, which is a liquid resin for filling, a light emitting diode package can be easily manufactured without an additional adhesive application process.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도.
도 2a 내지 도 2d는 도 1의 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 도시하기 위한 세부 공정의 단면도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도.
도 5a 내지 도 5d는 도 3의 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 도시하기 위한 세부 공정의 단면도.1 is a sectional view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention;
FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views of a detailed process for illustrating a method of manufacturing the light emitting diode package of FIG. 1;
3 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
4 is a plan view of a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
5A to 5D are cross-sectional views of a detailed process for illustrating a method of manufacturing the light emitting diode package of FIG.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 발명의 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. However, it should be understood that the present invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the exemplary embodiments set forth herein. It is intended that the scope of the invention be defined by the claims and the equivalents thereof. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 도 1에 도시된 것처럼, 리드프레임(1100), 발광 다이오드 소자(1200), 충진부(1320) 및 형광 필름(1400)을 포함하여 구성될 수 있다.The light emitting diode package according to an embodiment of the present invention may include a
발광 다이오드 소자(1200)는 컵 형상의 리드프레임(1100) 내부의 상면에 부착되며, 와이어를 통해서 리드프레임(1100)과 연결되며, 충진부(1320)는 발광 다이오드 소자(1200)가 상기 리드프레임(1100)에 부착되어 있는 상태에서 상기 리드프레임(1100)의 내부를 채운다.The light
한편, 발광 다이오드 소자(1200)로부터 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 상기 발광 다이오드 소자(1200)가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시키는 형광 필름(1400)은 충진부(1320)의 상면에 밀착되어 배치되며, 이러한 충진부(1320)는 실리콘으로 이루어진다.The
이하에서는, 도 2a 내지 도 2d를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법에 대해서 설명한다.Hereinafter, a method of fabricating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A to 2D. FIG.
먼저, 도 2a에 도시된 것처럼, 컵 형상의 리드프레임(1100) 내부의 상면에 발광 다이오드 소자(1200)를 부착하고, 와이어를 통해서 상기 리드프레임(1100)과 상기 발광 다이오드 소자(1200)를 연결한다.2A, a light
다음으로, 도 2b에 도시된 것처럼, 발광 다이오드 소자(1200)가 상기 리드프레임(1100)에 부착되어 있는 상태에서 소정의 액상 수지(1310)로 상기 리드프레임(1100)의 내부를 채운다. 여기에서, 소정의 액상 수지(1310)는 실리콘 액상 수지(1310)이며, 이러한 실리콘 액상 수지(1310)의 점도는 400 cP ~ 300,000 cP이다.Next, as shown in FIG. 2B, the
다음으로, 도 2c에 도시된 것처럼, 소정의 액상 수지(1310)의 상면에 발광 다이오드 소자(1200)로부터 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 상기 발광 다이오드 소자(1200)가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시키는 형광 필름(1400)을 배치한다.Next, as shown in FIG. 2C, the wavelength of light emitted from the light
다음으로, 도 2d에 도시된 것처럼, 소정의 액상 수지(1310)의 상면에 상기 형광 필름(1400)이 배치되어 있는 상태의 결과물을 60℃ ~ 170℃에서 20분 내지 40분 동안 오븐에서 베이킹하여 상기 소정의 액상 수지(1310)를 경화시킴으로써 충진부(1320)를 형성하며, 형광 필름(1400)은 상기 충진부(1320)에 밀착되어 배치된다.Next, as shown in FIG. 2D, the resultant product in which the
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 도 3 또는 도 4에 도시된 것처럼, 회로 기판(2100), 발광 다이오드 소자(2200), 울타리부(2300), 충진부(2420) 및 형광 필름(2500)을 포함하여 구성될 수 있다.3 or 4, the light emitting diode package according to another embodiment of the present invention includes a
발광 다이오드 소자(2200)는 회로 기판(2100)의 상면에 부착되며, 와이어를 통해서 상기 회로 기판(2100)과 연결되고, 울타리부(2300)는 회로 기판(2100)의 상면에 상기 발광 다이오드 소자(2200)와 이격되고 상기 발광 다이오드 소자(2200)를 둘러싸며 배치되며, 울타리부(2300)는 도 4에 도시된 것처럼, 반드시 원형으로 형성될 필요는 없다.The light
상기 울타리부(2300)는 상기 발광 다이오드 소자(2200)로부터 발광되는 빛이 투과되지 않는 불투명한 도체 또는 부도체로 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 울타리부(2300)는 실리콘, 폴리에틸렌(PE) 등의 열가소성수지, 에폭시 레진 등의 열경화성수지 또는 파라핀 등을 이용하여 형성될 수 있다.The
한편, 충진부(2420)는 발광 다이오드 소자(2200)가 상기 회로 기판(2100)에 부착되어 있는 상태에서 상기 울타리부(2300)의 내부를 채우고, 상기 충진부(2420)의 상면에 발광 다이오드 소자(2200)로부터 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 상기 발광 다이오드 소자(2200)가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시키는 형광 필름(2500)이 밀착되어 배치되며, 이러한 충진부(2420)는 실리콘으로 이루어진다.The filling
이하에서는, 도 5a 내지 도 5d를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법에 대해서 설명한다.Hereinafter, a method for fabricating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5A to 5D. FIG.
먼저, 도 5a에 도시된 것처럼, 회로 기판(2100)의 상면에 발광 다이오드 소자(2200)를 부착하고, 와이어를 통해서 상기 회로 기판(2100)과 상기 발광 다이오드 소자(2200)를 연결한다.5A, a light emitting
다음으로, 도 5a에 도시된 것처럼, 회로 기판(2100)의 상면에 상기 발광 다이오드 소자(2200)와 이격되고 상기 발광 다이오드 소자(2200)를 둘러싸며 배치되는 울타리부(2300)를 형성한다.5A, a
상기 울타리부(2300)는 상기 발광 다이오드 소자(2200)로부터 발광되는 빛이 투과되지 않는 불투명한 도체 또는 부도체로 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 울타리부(2300)는 실리콘, 폴리에틸렌(PE) 등의 열가소성수지, 에폭시 레진 등의 열경화성수지 또는 파라핀 등을 이용하여 형성될 수 있다.The
다음으로, 도 5b에 도시된 것처럼, 발광 다이오드 소자(2200)가 상기 회로 기판(2100)에 부착되어 있는 상태에서 소정의 액상 수지(2410)로 상기 울타리부(2300)의 내부를 채운다. 여기에서, 소정의 액상 수지(2410)는 실리콘 액상 수지(2410)이며, 이러한 실리콘 액상 수지(2410)의 점도는 400 cP ~ 300,000 cP이다.Next, as shown in FIG. 5B, the inside of the
다음으로, 도 5c에 도시된 것처럼, 소정의 액상 수지(2410)의 상면에 상기 발광 다이오드 소자(2200)로부터 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 상기 발광 다이오드 소자(2200)가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시키는 형광 필름(2500)을 배치한다.Next, as shown in FIG. 5C, the wavelength of light emitted from the light emitting
다음으로, 도 5d에 도시된 것처럼, 소정의 액상 수지(2410)의 상면에 상기 형광 필름(2500)이 배치되어 있는 상태의 결과물을 60℃ ~ 170℃에서 20분 내지 40분 동안 오븐에서 베이킹하여 상기 소정의 액상 수지(2410)를 경화시킴으로써 충진부(2420)를 형성하며, 형광 필름(2500)은 상기 충진부(2420)에 밀착되어 배치된다.
Next, as shown in FIG. 5D, the resultant product in which the
1100 : 리드프레임
1200 : 발광 다이오드 소자
1320 : 충진부
1310 : 액상 수지
1400 : 형광 필름
2100 : 회로 기판
2200 : 발광 다이오드 소자
2300 : 울타리부
2410 : 액상 수지
2420 : 충진부
2500 : 형광 필름1100: lead frame 1200: light emitting diode element
1320: filling part 1310: liquid resin
1400: Fluorescent film 2100: Circuit board
2200: light emitting diode element 2300: fence part
2410: liquid resin 2420: filling part
2500: Fluorescent film
Claims (14)
상기 리드프레임 내부의 상면에 부착되며, 와이어를 통해서 상기 리드프레임과 연결되는 발광 다이오드 소자;
상기 발광 다이오드 소자가 상기 리드프레임에 부착되어 있는 상태에서 상기 리드프레임의 내부를 채우는 충진부; 및
상기 충진부의 상면에 배치되며 상기 발광 다이오드 소자로부터 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 상기 발광 다이오드 소자가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시키는 형광 필름을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
A cup-shaped lead frame;
A light emitting diode element attached to an upper surface of the lead frame and connected to the lead frame through a wire;
A filling part filling the inside of the lead frame in a state where the light emitting diode device is attached to the lead frame; And
And a fluorescent film disposed on an upper surface of the filling part and converting a wavelength of light emitted from the light emitting diode device to convert light provided by the light emitting diode device into white light.
상기 형광 필름은 상기 충진부에 밀착되어 배치되는 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the fluorescent film is disposed in close contact with the filling portion.
상기 충진부는 실리콘으로 이루어진 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the filling portion is made of silicon.
상기 회로 기판의 상면에 부착되며, 와이어를 통해서 상기 회로 기판과 연결되는 발광 다이오드 소자;
상기 회로 기판의 상면에 상기 발광 다이오드 소자와 이격되고 상기 발광 다이오드 소자를 둘러싸며 배치되는 울타리부;
상기 발광 다이오드 소자가 상기 회로 기판에 부착되어 있는 상태에서 상기 울타리부의 내부를 채우는 충진부; 및
상기 충진부의 상면에 배치되며 상기 발광 다이오드 소자로부터 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 상기 발광 다이오드 소자가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시키는 형광 필름을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
A circuit board;
A light emitting diode element attached to an upper surface of the circuit board and connected to the circuit board through a wire;
A fence part disposed on an upper surface of the circuit board, the fence part being spaced apart from the light emitting diode device and surrounding the light emitting diode device;
A filling part for filling the inside of the fence part in a state where the light emitting diode device is attached to the circuit board; And
And a fluorescent film disposed on an upper surface of the filling part and converting a wavelength of light emitted from the light emitting diode device to convert light provided by the light emitting diode device into white light.
상기 울타리부는 상기 발광 다이오드 소자로부터 발광되는 빛이 투과되지 않는 불투명한 도체 또는 부도체로 이루어진 발광 다이오드 패키지.
5. The method of claim 4,
Wherein the fence includes an opaque conductor or a non-conductor which does not transmit light emitted from the light emitting diode element.
상기 형광 필름은 상기 충진부에 밀착되어 배치되는 발광 다이오드 패키지.
5. The method of claim 4,
Wherein the fluorescent film is disposed in close contact with the filling portion.
상기 충진부는 실리콘으로 이루어진 발광 다이오드 패키지.
5. The method of claim 4,
Wherein the filling portion is made of silicon.
상기 발광 다이오드 소자가 상기 리드프레임에 부착되어 있는 상태에서 소정의 액상 수지로 상기 리드프레임의 내부를 채우는 단계;
상기 소정의 액상 수지의 상면에 상기 발광 다이오드 소자로부터 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 상기 발광 다이오드 소자가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시키는 형광 필름을 배치하는 단계; 및
상기 소정의 액상 수지의 상면에 상기 형광 필름이 배치되어 있는 상태의 결과물을 60℃ ~ 170℃에서 20분 내지 40분 동안 오븐에서 베이킹하여 상기 소정의 액상 수지를 경화시킴으로써 충진부를 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
Attaching a light emitting diode element to an upper surface of a cup-shaped lead frame, and connecting the lead frame and the light emitting diode element through a wire;
Filling the interior of the lead frame with a predetermined liquid resin in a state where the light emitting diode device is attached to the lead frame;
Disposing a fluorescent film on the upper surface of the predetermined liquid resin to change the wavelength of light emitted from the light emitting diode device to convert the light provided by the light emitting diode device into white light; And
Baking the resulting product in a state where the fluorescent film is disposed on the predetermined liquid resin at 60 ° C to 170 ° C for 20 minutes to 40 minutes in an oven to cure the predetermined liquid resin to form a filled portion Gt; a < / RTI > light emitting diode package.
상기 형광 필름은 상기 충진부에 밀착되어 배치되는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the fluorescent film is disposed in close contact with the filling portion.
상기 소정의 액상 수지는 실리콘 액상 수지이며, 상기 실리콘 액상 수지의 점도는 400 cP ~ 300,000 cP인 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the predetermined liquid resin is a silicone liquid resin, and the viscosity of the silicone liquid resin is 400 cP to 300,000 cP.
상기 회로 기판의 상면에 상기 발광 다이오드 소자와 이격되고 상기 발광 다이오드 소자를 둘러싸며 배치되는 울타리부를 형성하는 단계;
상기 발광 다이오드 소자가 상기 회로 기판에 부착되어 있는 상태에서 소정의 액상 수지로 상기 울타리부의 내부를 채우는 단계;
상기 소정의 액상 수지의 상면에 상기 발광 다이오드 소자로부터 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 상기 발광 다이오드 소자가 제공하는 빛을 백색광으로 변환시키는 형광 필름을 배치하는 단계; 및
상기 소정의 액상 수지의 상면에 상기 형광 필름이 배치되어 있는 상태의 결과물을 60℃ ~ 170℃에서 20분 내지 40분 동안 오븐에서 베이킹하여 상기 소정의 액상 수지를 경화시킴으로써 충진부를 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
Attaching a light emitting diode device to an upper surface of a circuit board and connecting the circuit board and the light emitting diode device through a wire;
Forming a fence portion on the upper surface of the circuit board, the fence portion being spaced apart from the light emitting diode device and surrounding the light emitting diode device;
Filling the inside of the fence with a predetermined liquid resin in a state where the light emitting diode element is attached to the circuit board;
Disposing a fluorescent film on the upper surface of the predetermined liquid resin to change the wavelength of light emitted from the light emitting diode device to convert the light provided by the light emitting diode device into white light; And
Baking the resulting product in a state where the fluorescent film is disposed on the predetermined liquid resin at 60 ° C to 170 ° C for 20 minutes to 40 minutes in an oven to cure the predetermined liquid resin to form a filled portion Gt; a < / RTI > light emitting diode package.
상기 울타리부는 상기 발광 다이오드 소자로부터 발광되는 빛이 투과되지 않는 불투명한 도체 또는 부도체로 형성되는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the fence portion is formed of an opaque conductor or a non-conductor which does not transmit light emitted from the light emitting diode element.
상기 형광 필름은 상기 충진부에 밀착되어 배치되는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the fluorescent film is disposed in close contact with the filling portion.
상기 소정의 액상 수지는 실리콘 액상 수지이며, 상기 실리콘 액상 수지의 점도는 400 cP ~ 300,000 cP인 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the predetermined liquid resin is a silicone liquid resin, and the viscosity of the silicone liquid resin is 400 cP to 300,000 cP.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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|---|---|---|---|---|
| WO2018155731A1 (en) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | (주)라이타이저코리아 | Convex chip scale package and method for manufacturing same |
| WO2018159883A1 (en) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | (주)라이타이저코리아 | Convex chip scale package and method for manufacturing same |
| KR101953227B1 (en) | 2017-09-26 | 2019-02-28 | 윤후남 | Preparing method for yeast from a rice bran and the product using the same |
| KR20200105029A (en) | 2019-02-28 | 2020-09-07 | 윤후남 | Preparing method for yeast from a rice bran and the product using the same |
-
2014
- 2014-03-27 KR KR1020140035961A patent/KR20150112251A/en not_active Application Discontinuation
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| WO2018155731A1 (en) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | (주)라이타이저코리아 | Convex chip scale package and method for manufacturing same |
| WO2018159883A1 (en) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | (주)라이타이저코리아 | Convex chip scale package and method for manufacturing same |
| KR101953227B1 (en) | 2017-09-26 | 2019-02-28 | 윤후남 | Preparing method for yeast from a rice bran and the product using the same |
| KR20200105029A (en) | 2019-02-28 | 2020-09-07 | 윤후남 | Preparing method for yeast from a rice bran and the product using the same |
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