KR20150101110A - 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템 - Google Patents
비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150101110A KR20150101110A KR1020140022369A KR20140022369A KR20150101110A KR 20150101110 A KR20150101110 A KR 20150101110A KR 1020140022369 A KR1020140022369 A KR 1020140022369A KR 20140022369 A KR20140022369 A KR 20140022369A KR 20150101110 A KR20150101110 A KR 20150101110A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- silicon thin
- laser
- crystallization
- measuring
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 124
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 67
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 67
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 66
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title abstract description 16
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 82
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 76
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 30
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 26
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 claims description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 8
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract description 12
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
본 발명은 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템에 관한 것으로서, 비정질 실리콘 박막에 펄스 레이저광을 조사하고 비정질 실리콘 박막을 결정화하여 다결정 실리콘 박막을 형성하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 있어서, 레이저 어닐링 장치의 레이저 소스에 의해서 스테이지 상의 실리콘 박막 샘플에 펄스 레이저를 조사하는 단계와; TRR장치에 의하여 상기 스테이지상의 조사된 위치에 헬륨-네온 레이저소스를 함께 조사하여 반사광의 거동을 획득하고 사전에 수집된 정보들을 비교하여 결정화 정도를 측정하는 단계와; 결정화 특성 측정장치에 의하여 상기 TRR장치에서 측정한 결정도 값이 목표치에 미달할 경우 추가로 결정화 특성을 측정하는 단계; 및 상기 결정화 특성 측정장치에서 얻은 측정값에 대응되어 스테이지 상의 실리콘 박막 샘플에 펄스 레이저를 조사하여 실리콘 박막 샘플을 결정화 하는 단계;를 포함한다.
따라서, 본 발명은, 비정질 실리콘 박막에 펄스 레이저를 조사하여 결정화 시키는 경우에 조사된 위치에 헬륨-네온 레이저소스를 함께 조사하여 반사광의 거동을 획득하는 TRR장치를 통해 사전에 수집된 정보들을 비교하여 결정화 정도를 측정하고, 측정한 결정도 값이 목표치에 미달할 경우 엘립소미터 측정장치 및 라만장치 중 어느 하나의 결정화 특성 측정장치를 이용하여 정확한 결정화 특성을 측정함으로써 우수한 다결정 실리콘 박막을 얻을 수 있는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템을 제공하는 효과가 있다.
따라서, 본 발명은, 비정질 실리콘 박막에 펄스 레이저를 조사하여 결정화 시키는 경우에 조사된 위치에 헬륨-네온 레이저소스를 함께 조사하여 반사광의 거동을 획득하는 TRR장치를 통해 사전에 수집된 정보들을 비교하여 결정화 정도를 측정하고, 측정한 결정도 값이 목표치에 미달할 경우 엘립소미터 측정장치 및 라만장치 중 어느 하나의 결정화 특성 측정장치를 이용하여 정확한 결정화 특성을 측정함으로써 우수한 다결정 실리콘 박막을 얻을 수 있는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템을 제공하는 효과가 있다.
Description
본 발명은 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 비정질 실리콘 박막에 펄스 레이저를 조사하여 결정화 시키는 경우에 조사된 위치에 헬륨-네온 레이저소스를 함께 조사하여 반사광의 거동을 획득하는 TRR장치를 통해 사전에 수집된 정보들을 비교하여 결정화 정도를 측정하고, 측정한 결정도 값이 목표치에 미달할 경우 엘립소미터 측정장치 및 라만장치 중 어느 하나의 결정화 특성 측정장치를 이용하여 정확한 결정화 특성을 측정함으로써 우수한 다결정 실리콘 박막을 얻을 수 있는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템에 관한 것이다.
일반적으로, 실리콘은 결정 상태에 따라 비정질 실리콘(amorphous silicon)과 결정질 실리콘(crystalline silicon)으로 나눌 수 있다. 비정질 실리콘은 낮은 온도에서 증착하여 박막(thin film)을 형성하는 것이 가능하여, 주로 낮은 용융점을 가지는 유리를 기판으로 사용하는 액정패널(liquid crystal panel)의 스위칭 소자(switching device)에 많이 사용된다.
그러나, 상기 비결정 실리콘 박막은 액정패널 구동소자의 전기적 특성과 신뢰성 저하 및 표시소자 대면적화에 어려움이 있다.
대면적, 고정밀, 고세밀화 및 패널 영상구동회로, 일체형 랩톱 컴퓨터(laptop computer), 벽걸이 TV용 액정표시소자의 상용화는 우수한 전기적 특성[예를 들면 높은 전계효과 이동도(30cm²/vs)와 고주파 동작특성 및 낮은 누설전류(leakage curent)]의 화소 구동소자를 요구하며 이는 고품위 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)의 응용을 요구하고 있다.
실리콘 박막을 결정화하여 다결정 실리콘 박막을 형성하는 방법 중 레이저를 이용한 결정화 방법이 있다.
이러한 , 레이저를 이용한 결정화 방법은 엑시머 레이저(Eximer Laser)어닐링 방법을 가리키는 것으로서 현재 저온 다결정 실리콘 TFT-LCD를 제조하는 핵심적인 방법에 해당한다.
보다 상세하게 설명하면, 30 ~ 200ns의 짧은 시간 내에만 레이저 빔을 "온(on)"시켜주어 비정질 실리콘을 순간적으로 다결정 실리콘으로 바꾸어 주는 방법이다. 이 방법에서는 아주 짧은 시간에 비정질 실리콘의 용융과 결정화가 이루어지므로, 유리 기판이 전혀 손상을 입지 않는다는 장점이 있다. 실제 걸리는 시간은 각 펄스(pulse)당 수백 ns(nano second)에 불과하며, 실제 상온에서 사용 가능한 기술이다. 단일 펄스만을 사용하지는 않으며, 빔의 길이가 15 ~ 30cm, 폭은 0.2 ~ 3mm정도이다.
그러나, 종래 기술에 따른 레이저를 이용한 결정화 방법은, 레이저의 빔 프로파일(beam profile), 펄스의 수, 최초의 기판온도, 비정질 실리콘 박막의 증착조건 및 방법 등이 주요 변수가 되어 최종 결정성에 큰 영향을 미치게 되기 때문에 실리콘 박막의 결정화 특성 열화의 원인이 되고 있으며, 그에 따라 별도의 추가적인 레이저 어닐 공정을 필요로 하기 때문에 제조비용이 증가하는 문제점이 있었다.
따라서, 레이저를 이용한 결정화 방법을 이용하여 다결정 실리콘 박막을 형성하는 경우에 다결정 실리콘 박막의 품질을 향상시키고 제조비용을 절감할 수 있는 현실적이고도 적용이 가능한 기술이 절실히 요구되고 있는 실정이다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 비정질 실리콘 박막에 펄스 레이저를 조사하여 결정화 시키는 경우에 조사된 위치에 헬륨-네온 레이저소스를 함께 조사하여 반사광의 거동을 획득하는 TRR(Time-resolved reflectance)장치를 통해 사전에 수집된 정보들을 비교하여 결정화 정도를 측정하고, 측정한 결정도 값이 목표치에 미달할 경우 엘립소미터 측정장치 및 라만장치 중 어느 하나의 결정화 특성 측정장치를 이용하여 정확한 결정화 특성을 측정함으로써 우수한 다결정 실리콘 박막을 얻을 수 있는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 실시예에 따른 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법은, 비정질 실리콘 박막에 펄스 레이저광을 조사하고 비정질 실리콘 박막을 결정화하여 다결정 실리콘 박막을 형성하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 있어서, 레이저 어닐링 장치의 레이저 소스에 의해서 스테이지 상의 실리콘 박막 샘플에 펄스 레이저를 조사하는 단계와; TRR장치에 의하여 상기 스테이지상의 조사된 위치에 헬륨-네온 레이저소스를 함께 조사하여 반사광의 거동을 획득하고 사전에 수집된 정보들을 비교하여 결정화 정도를 측정하는 단계와; 결정화 특성 측정장치에 의하여 상기 TRR장치에서 측정한 결정도 값이 목표치에 미달할 경우 추가로 결정화 특성을 측정하는 단계; 및 상기 결정화 특성 측정장치에서 얻은 측정값에 대응되어 스테이지 상의 실리콘 박막 샘플에 펄스 레이저를 조사하여 실리콘 박막 샘플을 결정화 하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템은, 비정질 실리콘 박막 샘플이 배치되는 스테이지와, 상기 비정질 실리콘 박막샘플로 펄스레이저를 조사할 수 있는 레이저 소스와, 상기 레이저 소스에서 조사되는 레이저광의 경로를 수평에서 수직으로 바꾸는 제 1 미러, 및 상기 제 1 미러를 통과하는 레이저광을 상기 비정질 실리콘 박막 샘플에 대응되게 촛점을 모으는 렌즈를 구비하는 레이저 어닐링 장치와; TRR신호를 받을 수 있는 헬륨-네온 레이저를 조사할 수 있는 헬륨-네온 레이저 소스, 및 상기 레이저 어닐링 장치의 레이저 소스와 상기 헬륨-네온 레이저 소스에서 반사되는 반사광의 거동을 획득할 수 있는 복수개의 포토디텍터를 구비하고, 상기 복수개의 포토디텍터에서 검출된 신호값을 외부 모니터링 장치로 전송하기 위하여 상기 외부 모니터링 장치에 구비되는 TRR 인터페이스부에 접속하는 TRR장치; 및 엘립소미터 측정장치 및 라만장치 중 어느 하나인 결정화 특성 측정장치;를 구비한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은, 비정질 실리콘 박막에 펄스 레이저를 조사하여 결정화 시키는 경우에 조사된 위치에 헬륨-네온 레이저소스를 함께 조사하여 반사광의 거동을 획득하는 TRR장치를 통해 사전에 수집된 정보들을 비교하여 결정화 정도를 측정하고, 측정한 결정도 값이 목표치에 미달할 경우 엘립소미터 측정장치 및 라만장치 중 어느 하나의 결정화 특성 측정장치를 이용하여 정확한 결정화 특성을 측정함으로써 우수한 다결정 실리콘 박막을 얻을 수 있는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템을 제공하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 실시예에 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법을 구현하기 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템의 인터페이스 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 도 2 에 도시된 TRR장치를 개략적으로 나타내기 위한 구성도이다.
도 5 및 도 6은 도 4에 도시된 TRR장치를 통한 레이저 펄스 시그널을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따라 도 2의 결정화 특성 측정장치에 엘립소미터 측정장치가 적용될 경우의 엘립소미터를 개략적으로 나타내기 위하 구성도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따라 도 2의 결정화 특성 측정장치에 라만장치가 적용될 경우의 라만장치를 개략적으로 나타내기 위하 구성도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따라 도 8에 도시된 라만장치를 이용한 결정화 특성 측정단계를 나타내는 흐름도이다.
도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 실시예에 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법을 구현하기 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템의 인터페이스 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 도 2 에 도시된 TRR장치를 개략적으로 나타내기 위한 구성도이다.
도 5 및 도 6은 도 4에 도시된 TRR장치를 통한 레이저 펄스 시그널을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따라 도 2의 결정화 특성 측정장치에 엘립소미터 측정장치가 적용될 경우의 엘립소미터를 개략적으로 나타내기 위하 구성도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따라 도 2의 결정화 특성 측정장치에 라만장치가 적용될 경우의 라만장치를 개략적으로 나타내기 위하 구성도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따라 도 8에 도시된 라만장치를 이용한 결정화 특성 측정단계를 나타내는 흐름도이다.
본 발명의 실시예에 따른 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법은, 비정질 실리콘 박막에 펄스 레이저광을 조사하고 비정질 실리콘 박막을 결정화하여 다결정 실리콘 박막을 형성하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에 따라 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템을 구성하는 TRR장치는, 펄스 레이저를 조사하는 스테이지상의 실리콘 박막 샘플에 헬륨-네온 레이저소스를 함께 조사하여 반사광을 획득하고 사전에 수집된 정보들을 비교하여 결정화 정도를 측정하는 장치이다.
게다가, 본 발명의 실시예에 따라 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템을 구성하는 엘립소미터 측정장치는, 실리콘 박막 샘플의 표면에 대한 엘립소미터 패러미터를 측정하여 박막의 두께를 측정하는 장치이다.
뿐만 아니라, 본 발명의 실시예에 따라 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템을 구성하는 라만장치는, 복수개의 레이저 신호를 스테이지상의 실리콘 박막 샘플에 조사하여 파장별로 분리한 다음 조사된 레이저 신호와 동일한 파장의 라만 산란 신호들을 이용하여 결정화 특성을 측정할 수 있는 장치이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법을 나타내는 흐름도이고, 도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 실시예에 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법을 구현하기 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법은, 레이저 어닐링 장치(10)의 레이저 소스(11)에 의해서 스테이지 상의 실리콘 박막 샘플(2)에 펄스 레이저를 조사하는 단계(S10)와, TRR장치(20)에 의하여 상기 스테이지(1)상의 조사된 위치에 헬륨-네온 레이저소스를 함께 조사하여 반사광의 거동을 획득하고 사전에 수집된 정보들을 비교하여 결정화 정도를 측정하는 단계(S20), 결정화 특성 측정장치(30)에 의하여 상기 TRR장치(20)에서 측정한 결정도 값이 목표치에 미달할 경우 추가로 결정화 특성을 측정하는 단계(S30), 및 상기 결정화 특성 측정장치(30)에서 얻은 측정값에 대응되어 스테이지(1)상의 실리콘 박막 샘플(2)에 펄스 레이저를 조사하여 실리콘 박막 샘플을 결정화 하는 단계(S40)를 포함한다.
여기서, 상기 결정화 특성 측정장치(30)에 의하여 추가로 결정화 특성을 측정하는 단계는, 엘립소미터 측정장치(40) 및 라만장치(100) 중 어느 하나의 측정장치를 이용하여 결정화 특성을 측정하는 단계인 것이 바람직하다.
도 3은 도 2에 도시된 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템의 인터페이스 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도면에 도시된 바와 같이, 외부 모니터링 장치(50)는, 레이저 어닐링 장치(10)의 레이저소스(11)에서 조사되는 레이저광을 제어하기 위한 레이저인터페이스부(51)와, 상기 스테이지(1)의 위치를 조정할 수 있는 스테이지 인터페이스부(52)와, TRR장치(20)에 구비되는 복수개의 포토디텍터(26,27)에서 검출된 신호값을 수신하는 TRR 인터페이스부(53), 및 상기 엘립소미터 측정장치(40)와 라만장치(100) 중 어느 하나의 결정화 특성 측정장치(30)에 연결되어 측정값을 수신할 수 있는 측정장치 인터페이스부(54), 및 상기 결정화 특성 측정장치(30)에 의하여 측정된 실리콘 박막 샘플(2)의 결정도 측정값을 표시하기 위한 표시장치(55)를 구비한다.
도 4는 도 2 에 도시된 TRR장치를 개략적으로 나타내기 위한 구성도이고, 도 5 및 도 6은 도 4에 도시된 TRR장치를 통한 레이저 펄스 시그널을 나타내는 도면이다.
본 발명의 실시예에 따른 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템을 구성하는 TRR장치는, 레이저 어닐링 장치(10)의 레이저 소스(11)와 헬륨-네온 레이저소스(21)에서 반사되는 반사광의 거동을 실시간으로 획득하여 플루언스(fluence)에 따른 실리콘 박막 샘플(2)의 TRR 신호를 획득하도록 구성된다.
여기서, 도면에 도시된 바와 같이 상기 레이저 어닐링 장치(10)는, 비정질 실리콘 박막 샘플(2)이 배치되는 스테이지(1)와, 상기 비정질 실리콘 박막샘플(2)로 펄스레이저를 조사할 수 있는 레이저 소스(11)와, 상기 레이저 소스(11)에서 조사되는 레이저광의 경로를 수평에서 수직으로 바꾸는 제 1 미러(12), 및 상기 제 1 미러(12)를 통과하는 레이저광을 상기 비정질 실리콘 박막 샘플(2)에 대응되게 촛점을 모으는 렌즈(13)를 구비한다.
또한, 상기 TRR장치(20)는, TRR신호를 받을 수 있는 헬륨-네온 레이저를 조사할 수 있는 헬륨-네온 레이저 소스(21), 및 상기 레이저 어닐링 장치(10)의 레이저 소스(11)와 상기 헬륨-네온 레이저 소스(21)에서 반사되는 반사광의 거동을 획득할 수 있는 복수개의 포토디텍터(26,27)를 구비하고, 상기 복수개의 포토디텍터(26, 27)에서 검출된 신호값을 외부 모니터링 장치(50)로 전송하기 위하여 TRR 인터페이스부(53)에 접속하게 된다.
여기서, 빔스플리터(25)에서 통해 조사된 레이저광은 제 1 포토디텍터(26)를 통해 감지되고, 이와 관계없이 조사되는 헬륨-네온 레이저 소스(21)의 레이저광은 미러(22)를 통해 실리콘 박막 샘플(2)에 정확히 조사된다.
한편, 레이저 소스(11)에서 조사된 레이저광 때문에 실리콘 박막 샘플(2)이 어닐링 되어질 때의 전후 모두의 반사도 정도에 해당하는 헬륨-네온 레이저 소스(21)의 반사된 레이저광이 반사되어 미러(23)를 통하고, 핀홀(24)를 통하여 정확히 제 2 포토디텍터(27)로 감지된다.
도 5 및 도 6은 포토디텍터(26,27)에서 감지한 결과를 오실로스코프로 측정한 결과이다.
CH1은 제 2 포토디텍터(27)에서 감지한 신호이며, CH2는 제 1 포토디텍터(26)에서 감지한 신호이다.
도 5 및 도 6의 그래프가 다른 것은 레이저의 출력의 차이에 따른 것이다. 여기서, CH1에 대한 크기의 의미는 레이저가 조사되면서 실리콘 박막 샘플(2)이 고체에서 액체로 변화될 때 표면의 반사도가 변화되게 되는데, 각 재료마다 반사도의 상태가 고체 및 액체에 따라 달라지게 된다.
이와 같이, 도 5 및 도 6은 레이저 조사의 양에 따라 감지되는 반사도가 다르다는 것을 나타내며, 또한, 측정하고자 하는 대상, 예를 들어 샘플이 비정질의 실리콘인 경우에 레이저가 조사되어 질때 결정화 정도에 따라 반사도가 달라지며 그 상대적 출력양을 검출하면 결정화를 판단할 수 있게 된다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따라 도 2의 결정화 특성 측정장치에 엘립소미터 측정장치가 적용될 경우의 엘립소미터를 개략적으로 나타내기 위한 구성도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 엘립소미터 측정장치(40)는, 스테이지(1)상에 배치되는 실리콘 박막 샘플(2)의 두께를 실시간으로 측정하기 위하여 상기 실리콘 박막 샘플(2)에 조사되는 레이저광의 편광방향에 따라 회전가능한 보상기(43)를 구비한다. 이때, 상기 보상기(43)는 프로세서(47)의 제어를 받는 모터(46) 에 연결되는 것이 바람직하다. 또한, 편광자(42,44)와 포토디텍터(45)를 구비한다.
또한, 본 발명의 실시예에 따라, 엘립소미터 측정장치(40)를 이용하여 결정화 특성을 측정하기 위해서는, 스테이지(1)상의 실리콘 박막 샘플(2)로부터 시간에 따라 불변하는 편광신호를 반사시키고, 상기 실리콘 박막 샘플(2)에 대해 엘립소미터 패러미터를 실시간으로 측정해야 하는 과정을 필요로 한다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따라 도 2의 결정화 특성 측정장치에 라만장치가 적용될 경우의 라만장치를 개략적으로 나타내기 위한 구성도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 라만장치(100)는, 레이저 제어부(101), 레이저 조사부(111), 신호처리부(114), 및 측정부(115)를 포함한다.
레이저 제어부(101)는 레이저 발진부(102), 제1 및 제2 파장판(wave plate, 105, 106), 및 제1 및 제2 빔 확대기(107, 108)를 포함한다.
레이저 발진부(102)는 레이저를 발진하되, 적어도 2 개의 파장을 포함하는 레이저 신호를 발진할 수 있다.
제1 및 제2 파장판(105, 106)은 통과하는 레이저 신호의 편광상태를 변경하는 광학 소자로서, 서로 다른 편광방향을 갖는다. 여기서, 제1 파장판(105)은 복수 개의 파장을 포함하는 레이저 신호가 제1 빔 분할기(103)를 통과하면서 분리된, 단일 파장의 제1 레이저 신호를 선형 편광시킬 수 있고, 제2 파장판(106)은 제1 빔 분할기(103)에서 분리된 다른 단일 파장의 제2 레이저 신호를 제2 빔 분할기(104)를 통해 수신하여, 상기 제1 레이저 신호와 다른 편광방향으로 선형 편광시킬 수 있다.
제1 및 제2 빔 확대기(107, 108)는 레이저 신호를 해당 파장에서 최저의 발산각으로 확대하는 제1 빔 확대기(107)는 제1 파장판(105)을 통해 선형 편광 제어된 제1 레이저 신호를 해당 파장에서 최적의 신호로 확대하고, 제2 빔 확대기(108)는 제2 파장판(106)을 통해 선형 편광 제어된 제2 레이저 신호를 해당 파장에서 최적의 신호로 확대할 수 있다.
제1 빔 확대기(107)에서 확대된 제1 레이저 신호 및 제2 빔 확대기(108)에서 확대된 제2 레이저 신호는 제 3 빔 거울 (109) 및 분할기(110)를 각각 통해, 레이저 조사부(111)로 입력될 수 있다.
레이저 조사부(111)는 조사 거울(112)을 포함할 수 있다. 조사 거울(112)은 복수 개의 파장을 포함하는 레이저 신호를 실리콘 박막 샘플(2)에 조사할 수 있다.
즉, 조사 거울(112)은 제1 레이저 신호 및 제2 레이저 신호를 포함하는 레이저 신호를 실리콘 박막 샘플(2)에 조사할 수 있다.
반사 거울(113)은 실리콘 박막 샘플에 의해 산란된 레이저 산란 신호를 수신하여, 조사 거울(112)의 뒷면 방향으로 반사시킬 수 있다. 즉, 반사 거울(113)은 후방으로 다중 산란되어, 조사 반대 방향으로 후방산란되는 레이저 산란 신호를 수신하여, 조사 거울(112)로 다시 반사시킬 수 있다.
이때, 조사 거울(112)은 반사 거울(113)에 의해 반사된 레이저 산란 신호를 수집하여, 신호 처리부(114)로 전달 할 수 있다.
신호 처리부(114)는 광학장치로서, 실리콘 박막 샘플에 의해 산란된 레이저 산란 신호를 조사 거울(112)를 통해 수신하여, 파장 별로 분리하여 각 센서에 입력할 수 있다. 즉, 신호 처리부(114)는 산란된 레이저 산란신호를 수신하고, 상기 수신된 레이저 산란 신호를 파장 및 편광별로 분리하여, 라만 산란 신호를 모두 함께 획득할 수 있다.
이때, 파장 별로 분리된 레이저 신호는 증폭기, ADC(Analog to Digital Converter) 또는 광자 계수기(Photon Counter)를 통해, 변환되어 측정부(115)로 입력될 수 있다.
측정부(115)는 파장 별로 분리된 레이저 산란 신호를 이용하여, 실리콘 박막 샘플의 특성을 측정하는 프로세서일 수 있다. 이때, 측정부(115)는 신호 처리부(114)의 각 센서에 파장 별로 분리되어 입력된 레이저 산란 신호를 이용하여, 실리콘 박막 샘플의 특성을 측정할 수 있다.
즉, 측정부(115)는 분리된 레이저 산란 신호 중 상기 복수 개의 파장과 동일한 파장의 라만 산란 신호에 대한 비편광도의 측정을 통해, 소광계수(extinction coefficient)를 획득하고, 상기 획득된 소광계수에 기초하여 대상 물체를 구성하는 입자의 크기를 측정할 수 있다.
구체적으로, 측정부(115)는 조사한 제1 레이저 신호 및 제2 레이저 신호와 동일한 파장의 라만 산란 신호의 제1 레이저 산란 신호 및 제2 레이저 신호에 대한, 비편광도(degree of polarization)의 측정을 통해 광학적 깊이를 획득할 수 있다. 또한, 측정부(115)는 제1 레이저 산란 신호에 대한 광학적 깊이 및 제2 레이저 산란 신호에 대한 광학적 깊이를 이용하여, 각각의 제1 및 제2 소광계수를 계산하고, 제1 소광계수와 제2 소광계수의 소광계수 비(extinction ratio)에 기초하여, 실리콘 박막 샘플를 구성하는 입자의 크기를 획득할 수 있다.
또한, 측정부(115)는 분리된 레이저 산란 신호 중 라만 산란 신호를 이용하여 상기 실리콘 박막 샘플의 상태를 측정할 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따라 도 8에 도시된 라만장치를 이용한 결정화 특성 측정단계를 나타내는 흐름도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 라만장치를 이용하여 결정화 특성을 측정하는 단계(30)는, 복수개의 파장을 포함하는 레이저신호를 실리콘 박막 샘플에 조사하는 단계(31)와, 상기 실리콘 박막 샘플에 의해 산란된 레이저 산란 신호를 수신하여 파장별로 분리하는 단계(32), 및 상기 분리된 레이저 산란 신호를 이용하여 상기 실리콘 박막 샘플의 결정화 특성을 추출하는 단계(33)를 포함한다.
상기와 같이, 본 발명은, 비정질 실리콘 박막에 펄스 레이저를 조사하여 결정화 시키는 경우에 조사된 위치에 헬륨-네온 레이저소스를 함께 조사하여 반사광의 거동을 획득하는 TRR장치를 통해 사전에 수집된 정보들을 비교하여 결정화 정도를 측정하고, 측정한 결정도 값이 목표치에 미달할 경우 엘립소미터 측정장치 및 라만장치 중 어느 하나의 결정화 특성 측정장치를 이용하여 정확한 결정화 특성을 측정함으로써 우수한 다결정 실리콘 박막을 얻을 수 있는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템을 제공하는 효과가 있다.
지금까지 본 발명에 대해서 상세히 설명하였으나, 그 과정에서 언급한 실시예는 예시적인 것일 뿐이며, 한정적인 것이 아님을 분명히 하고, 본 발명은 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 기술적 사상이나 분야를 벗어나지 않는 범위내에서, 균등하게 대처될 수 있는 정도의 구성요소 변경은 본 발명의 범위에 속한다 할 것이다.
10 : 레이저 어닐장치 20 : TRR장치
30 : 결정화 특성 측정장치 40 : 엘립소미터 측정장치
100 : 라만장치 101 : 레이저 제어부
111 : 레이저 조사부 114 : 신호처리부
115 : 측정부
30 : 결정화 특성 측정장치 40 : 엘립소미터 측정장치
100 : 라만장치 101 : 레이저 제어부
111 : 레이저 조사부 114 : 신호처리부
115 : 측정부
Claims (10)
- 비정질 실리콘 박막에 펄스 레이저광을 조사하고 비정질 실리콘 박막을 결정화하여 다결정 실리콘 박막을 형성하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 있어서,
레이저 어닐링 장치의 레이저 소스에 의해서 스테이지 상의 실리콘 박막 샘플에 펄스 레이저를 조사하는 단계와;
TRR장치에 의하여 상기 스테이지상의 조사된 위치에 헬륨-네온 레이저소스를 함께 조사하여 반사광의 거동을 획득하고 사전에 수집된 정보들을 비교하여 결정화 정도를 측정하는 단계와;
결정화 특성 측정장치에 의하여 상기 TRR장치에서 측정한 결정도 값이 목표치에 미달할 경우 추가로 결정화 특성을 측정하는 단계; 및
상기 결정화 특성 측정장치에서 얻은 측정값에 대응되어 스테이지 상의 실리콘 박막 샘플에 펄스 레이저를 조사하여 실리콘 박막 샘플을 결정화 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
- 제 1 항에 있어서, 상기 TRR장치는,
상기 레이저 어닐링 장치의 레이저 소스와 헬륨-네온 레이저소스에서 반사되는 반사광의 거동을 실시간으로 획득하여 플루언스(fluence)에 따른 실리콘 박막 샘플의 TRR 신호를 획득하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
- 제 1 항에 있어서, 상기 결정화 특성 측정장치에 의하여 추가로 결정화 특성을 측정하는 단계는,
엘립소미터 측정장치 및 라만장치 중 어느 하나의 측정장치를 이용하여 결정화 특성을 측정하는 단계인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
- 제 3 항에 있어서, 엘립소미터 측정장치를 이용하여 결정화 특성을 측정하는 단계는,
상기 스테이지 상의 실리콘 박막 샘플로부터 시간에 따라 불변하는 편광신호를 반사시키는 단계와;
상기 실리콘 박막 샘플에 대해 엘립소미터 패러미터를 실시간으로 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
- 제 3 항에 있어서, 라만장치를 이용하여 결정화 특성을 측정하는 단계는,
복수개 파장을 포함하는 레이저신호를 실리콘 박막 샘플에 조사하는 단계와;
상기 실리콘 박막 샘플에 의해 산란된 레이저 산란 신호를 수신하여 파장별로 분리하는 단계; 및
상기 분리된 레이저 산란 신호를 이용하여 상기 실리콘 박막 샘플의 결정화 특성을 추출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 의한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법을 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템에 있어서,
비정질 실리콘 박막 샘플이 배치되는 스테이지와, 상기 비정질 실리콘 박막샘플로 펄스레이저를 조사할 수 있는 레이저 소스와, 상기 레이저 소스에서 조사되는 레이저광의 경로를 수평에서 수직으로 바꾸는 제 1 미러, 및 상기 제 1 미러를 통과하는 레이저광을 상기 비정질 실리콘 박막 샘플에 대응되게 촛점을 모으는 렌즈를 구비하는 레이저 어닐링 장치와;
TRR신호를 받을 수 있는 헬륨-네온 레이저를 조사할 수 있는 헬륨-네온 레이저 소스, 및 상기 레이저 어닐링 장치의 레이저 소스와 상기 헬륨-네온 레이저 소스에서 반사되는 반사광의 거동을 획득할 수 있는 복수개의 포토디텍터를 구비하고, 상기 복수개의 포토디텍터에서 검출된 신호값을 외부 모니터링 장치로 전송하기 위하여 상기 외부 모니터링 장치에 구비되는 TRR 인터페이스부에 접속하는 TRR장치; 및
엘립소미터 측정장치 및 라만장치 중 어느 하나인 결정화 특성 측정장치;를 구비하는 것을 특징으로 하는 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템
- 제 6 항에 있어서, 상기 외부 모니터링 장치는,
레이저 어닐링 장치의 레이저소스에서 조사되는 레이저광을 제어하기 위한 레이저인터페이스부와, 상기 스테이지의 위치를 조정할 수 있는 스테이지 인터페이스부와, 상기 엘립소미터 측정장치와 라만장치 중 어느 하나의 결정화 특성 측정장치에 연결되어 측정값을 수신할 수 있는 측정장치 인터페이스부, 및 상기 결정화 특성 측정장치에 의하여 측정된 실리콘 박막 샘플의 결정도 측정값을 표시하기 위한 표시장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템
- 제 7 항에 있어서, 상기 엘립소미터 측정장치는,
상기 스테이지 상에 배치되는 실리콘 박막 샘플의 두께를 실시간으로 측정하기 위하여 상기 실리콘 박막 샘플에 조사되는 레이저광의 편광방향에 따라 회전가능한 보상기를 구비하는 것을 특징으로 하는 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템
- 제 7 항에 있어서, 상기 라만장치는,
복수개의 레이저 신호를 실리콘 박막 샘플에 조사하는 레이저 조사부;
상기 실리콘 박막 샘플에 의해 산란된 레이저 산란 신호를, 파장별로 분리하는 신호처리부; 및
상기 분리된 레이저 산란 신호 중에서, 상기 조사된 레이저 신호와 동일한 파장의 라만 산란 신호들에 대한 비편광도(degree of polarization)의 측정을 통해 광학적 깊이를 획득하고, 상기 획득된 광학적 깊이를 이용하여 상기 라만 산란 신호 각각의 소광계수(extinction coefficient)를 계산하며, 상기 소광계수에 기초하여 상기 실리콘 박막 샘플을 구성하는 입자의 크기를 측정하는 측정부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템
- 제 9 항에 있어서,
상기 신호처리부는,
상기 파장 별로 분리된 레이저 산란 신호를 기초하여 분리하고,
상기 측정부는,
상기 분리된 레이저 산란 신호를 이용하여 상기 실리콘 박막 샘플의 결정화 특성을 측정하는 것을 특징으로 하는 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140022369A KR20150101110A (ko) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140022369A KR20150101110A (ko) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150101110A true KR20150101110A (ko) | 2015-09-03 |
Family
ID=54242342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140022369A KR20150101110A (ko) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20150101110A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190066650A (ko) * | 2017-12-05 | 2019-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 결정화 장치 |
| WO2020021554A1 (en) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Optical technique for material characterization |
-
2014
- 2014-02-26 KR KR1020140022369A patent/KR20150101110A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190066650A (ko) * | 2017-12-05 | 2019-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 결정화 장치 |
| WO2020021554A1 (en) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Optical technique for material characterization |
| JP2021531469A (ja) * | 2018-07-25 | 2021-11-18 | ノヴァ リミテッドNova Ltd | 材料特性評価のための光学技術 |
| US11543294B2 (en) | 2018-07-25 | 2023-01-03 | Nova Ltd. | Optical technique for material characterization |
| IL280200B1 (en) * | 2018-07-25 | 2023-10-01 | Nova Ltd | Optical technique for material characterization |
| US11927481B2 (en) | 2018-07-25 | 2024-03-12 | Nova Ltd. | Optical technique for material characterization |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2019169732A (ja) | エキシマレーザアニーリングの制御のための監視方法および装置 | |
| JP2015528201A (ja) | エキシマレーザアニーリングプロセスのための監視する方法および装置 | |
| CN106770311B (zh) | 一种晶体激光预处理与点对点损伤测试装置及测试方法 | |
| KR100988454B1 (ko) | 두께 측정방법 | |
| US8404498B2 (en) | Method of inspecting semiconductor thin film by transmission imaging and inspection device for the same | |
| CN104390935A (zh) | 太赫兹波段测试非线性极化系数和吸收系数的装置及方法 | |
| CN106166643A (zh) | 一种提高飞秒激光加工精度的方法 | |
| TWI453086B (zh) | 應用雷射光束之退火及即時監控之方法及系統 | |
| CN101520955B (zh) | 一种精确测量及控制两束超短脉冲激光延时的方法 | |
| US20180283957A1 (en) | Apparatus and method to measure temperature of 3d semiconductor structures via laser diffraction | |
| US9658150B2 (en) | System and method for semiconductor wafer inspection and metrology | |
| CN107117609A (zh) | 一种带光学原位检测的石墨烯减薄装置 | |
| CN110261071A (zh) | 激光参数监测与矫正***和方法 | |
| KR20150101110A (ko) | 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 위한 이중 모니터링이 가능한 실리콘 박막 결정화 시스템 | |
| JP2006226995A (ja) | 光学的異方性パラメータ測定方法及び測定装置 | |
| CN103903967B (zh) | 一种激光退火装置及方法 | |
| JP2017067613A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
| TW201739554A (zh) | 雷射加工裝置、及雷射加工方法 | |
| KR100958639B1 (ko) | 레이저 조사 장치 및 레이저 조사 방법 | |
| KR20150030523A (ko) | 반도체 검사 장치 및 방법 | |
| JP7475211B2 (ja) | レーザー加工装置の検査方法 | |
| US20100197050A1 (en) | Method of forming semiconductor thin film and inspection device of semiconductor thin film | |
| KR101309807B1 (ko) | 레이저 어닐링 장치 및 레이저 어닐링 방법 | |
| JP2013051362A (ja) | 薄膜検査装置及び方法 | |
| JP4728830B2 (ja) | 光学的異方性パラメータ測定方法及び測定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |