KR20150098272A

KR20150098272A - Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: KR20150098272A
Application number: KR1020140019110A
Authority: KR
Inventors: 김효민; 이성민; 김선화; 전혁상; 조주경
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2014-02-19
Filing date: 2014-02-19
Publication date: 2015-08-28

Abstract

According to one embodiment of the present invention, an organic light emitting display device is provided. The organic light-emitting display device comprises: a substrate defined by a light emitting unit and a non-light emitting unit; a plurality of first electrodes formed to be spaced from each other on the substrate; a pixel definition layer formed between the first electrodes on the substrate; a second electrode formed on the first electrode and the pixel definition layer; and an auxiliary electrode electrically connected with the second electrode on the pixel definition layer. The pixel definition layer has a recess unit having a predetermined pattern, and the patterned auxiliary electrode is formed in the recess unit.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display and a method of manufacturing the same.

유기 발광 표시 장치는 복수의 화소를 포함할 수 있으며, 복수의 화소 각각은 제1 전극, 제2 전극 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 유기층을 포함할 수 있다. 유기층은 제1 전극과 제2 전극 사이에 흐르는 전류에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 제1 전극과 제2 전극 사이에 흐르는 전류를 제어하여 원하는 화상을 표시할 수 있다.The organic light emitting display may include a plurality of pixels, and each of the plurality of pixels may include a first electrode, a second electrode, and an organic layer disposed between the first electrode and the second electrode. The organic layer can emit light with a luminance corresponding to the current flowing between the first electrode and the second electrode. The organic light emitting display device can display a desired image by controlling a current flowing between the first electrode and the second electrode.

제1 전극은 각각의 화소별로 분리된 전극일 수 있으며, 각각의 화소가 표시하는 계조에 대응되는 신호가 제1 전극에 인가될 수 있다. 제2 전극은 복수의 화소에 걸쳐 배치된 전극일 수 있으며, 단일의 제2 전극이 배치된 복수의 화소에는 제2 전극에 공통되는 신호가 인가될 수 있다. 제1 전극, 제2 전극 및 유기층은 회로적으로 다이오드로서 기능할 수 있으며, 제1 전극은 애노드로서 기능하고, 제2 전극은 캐소드로서 기능할 수 있다.The first electrode may be an electrode separated for each pixel, and a signal corresponding to a gray level indicated by each pixel may be applied to the first electrode. The second electrode may be an electrode disposed over a plurality of pixels, and a signal common to the second electrode may be applied to a plurality of pixels in which a single second electrode is disposed. The first electrode, the second electrode and the organic layer may function as a diode in a circuit, the first electrode serving as an anode, and the second electrode serving as a cathode.

유기 발광 표시 장치가 제2 전극을 통과하는 빛을 외부로 방출하여 화상을 표시하는 전면 발광 타입인 경우, 제2 전극은 투명한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 화합물, 칼슘(Ca)과 은(Ag)의 화합물 또는 리튬(Li)과 알루미늄(Al)의 화합물 등으로 형성될 수 있다. 제2 전극을 형성하는 투명한 도전성 물질은 일반적으로, 단일의 금속보다 비저항이 높다. When the organic light emitting display device is a front emission type in which light passing through the second electrode is emitted to the outside to display an image, the second electrode may be formed of a transparent conductive material. For example, the second electrode may be made of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), a compound of magnesium and silver, a compound of calcium and silver, And a compound of aluminum (Al) or the like. The transparent conductive material forming the second electrode generally has a higher resistivity than a single metal.

제2 전극에서 전압이 인가되는 부분보다 멀리 떨어진 곳에서는 전압 강하가 발생하여, 유기 발광 표시 장치의 표시 품질을 저하시킬 수 있다. 이러한 제2 전극에서의 전압 강하를 방지하기 위하여, 유기 발광 표시 장치는 제2 전극과 연결되며, 비저항이 낮은 금속으로 형성된 보조 전극을 더 포함할 수 있다. A voltage drop occurs at a position farther away from the portion where the voltage is applied at the second electrode, and the display quality of the organic light emitting display device may be deteriorated. In order to prevent a voltage drop at the second electrode, the OLED display may further include an auxiliary electrode connected to the second electrode and formed of a metal having a low specific resistance.

보조 전극이 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되면, 유기 발광 표시 장치의 두께가 두꺼워질 수 있으며, 보조 전극과 제2 전극을 연결하기 위해, 보조 전극 상에 형성되는 유기층을 식각하거나, 유기층 형성시 추가적인 마스크를 사용하는 공정이 추가될 수 있다. 식각 공정이 부가되거나, 추가적인 마스크가 사용되면, 유기 발광 표시 장치의 제조 공정이 복잡해질 수 있다. When the auxiliary electrode is formed between the first electrode and the second electrode, the thickness of the organic light emitting display may be increased. In order to connect the auxiliary electrode and the second electrode, the organic layer formed on the auxiliary electrode may be etched, A process using additional masks may be added during formation. If an etching process is added or an additional mask is used, the manufacturing process of the organic light emitting display may become complicated.

이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 보조 전극이 추가되더라도, 유기 발광 표시 장치의 두께가 두꺼워지지 않는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide an OLED display device in which the thickness of an OLED display device is not increased even if an auxiliary electrode is added, and a method of manufacturing the same.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 제조 공정을 간소화할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다. Another object of the present invention is to provide an OLED display device and a manufacturing method thereof that can simplify the manufacturing process.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 표시 품질을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.It is another object of the present invention to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same that can improve display quality.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing the same.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광부와 비발광부로 정의된 기판, 상기 기판 상에 서로 이격되어 형성된 복수의 제1 전극, 상기 기판 상에 상기 복수의 제1 전극 사이에 형성되는 화소정의막, 상기 제1 전극 및 화소 정의막 상에 형성되는 제2 전극 및 상기 화소 정의막 상에 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되어 형성되는 보조 전극을 포함하되, 상기 화소 정의막은 소정의 패턴에 따른 오목부를 포함하며, 상기 오목부에 패턴화된 상기 보조 전극이 형성될 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display including a substrate defined by a light emitting portion and a non-emitting portion, a plurality of first electrodes formed on the substrate and spaced apart from each other, A second electrode formed on the first electrode and the pixel defining layer; and an auxiliary electrode electrically connected to the second electrode on the pixel defining layer, The pixel defining layer may include a concave portion corresponding to a predetermined pattern, and the auxiliary electrode patterned in the concave portion may be formed.

상기 보조 전극은 제2 전극 물질보다 내부 저항이 낮은 도전성 물질로 형성되며, 상기 비발광부상에 위치할 수 있다.The auxiliary electrode may be formed of a conductive material having a lower internal resistance than the second electrode material, and may be located on the non-light emitting portion.

상기 제2 전극은 상기 발광부와 비발광부 전면에 걸쳐 형성되며, 상기 보조 전극과 중첩되는 영역에서 상기 제2 전극의 두께는 상기 보조 전극과 중첩되지 않은 영역에서 상기 제2 전극의 두께보다 얇을 수 있다. The second electrode is formed over the entire surface of the light emitting portion and the non-light emitting portion. In a region where the second electrode overlaps with the auxiliary electrode, the thickness of the second electrode may be thinner than the thickness of the second electrode, have.

상기 제2 전극은 상기 발광부와 비발광부 전면에 걸쳐 형성되며, 상기 보조 전극과 중첩되는 영역에서 상기 제2 전극의 두께는 상기 보조 전극과 중첩되지 않은 영역에서 상기 제2 전극의 두께보다 두꺼울 수 있다. The second electrode is formed to extend over the entire surface of the light emitting portion and the non-light emitting portion. In a region overlapping the auxiliary electrode, the thickness of the second electrode may be thicker than the thickness of the second electrode, have.

상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되는 유기층을 더 포함하되, 상기 유기층은 상기 복수의 제1 전극 상에 형성되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층의 하부에 배치되는 정공 수송층, 상기 정공 수송층의 하부에 배치되는 정공 주입층, 상기 유기 발광층의 상부에 배치되는 전자 수송층, 및 상기 전자 수송층의 상부에 배치되는 전자 주입층 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. Wherein the organic layer further includes an organic light emitting layer formed on the plurality of first electrodes, a hole transporting layer disposed on a lower portion of the organic light emitting layer, a hole transporting layer disposed on the organic light emitting layer, An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer, and an electron injection layer disposed on the electron transport layer.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 발광부와 비발광부로 정의된 기판 상에 서로 이격된 복수의 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 복수의 제1 전극 사이에 화소정의막을 형성하는 단계, 상기 화소 정의막을 식각하여 소정의 패턴을 가지는 오목부를 형성하는 단계, 상기 오목부에 패턴화된 보조 전극을 형성하는 단계 및 상기 보조 전극과 연결되며, 상기 화소 정의막 및 제1 전극 상에 형성되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting diode display, comprising: forming a plurality of first electrodes spaced apart from each other on a substrate defined by a light emitting portion and a non-light emitting portion; Forming a concave portion having a predetermined pattern by etching the pixel defining layer, forming a patterned auxiliary electrode in the concave portion, and connecting the auxiliary electrode to the auxiliary electrode, And forming a pixel defining layer and a second electrode formed on the first electrode.

상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되는 유기층을 더 포함하되, 상기 유기층은 상기 복수의 제1 전극 상에 형성되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층의 하부에 배치되는 정공 수송층, 상기 정공 수송층의 하부에 배치되는 정공 주입층, 상기 유기 발광층의 상부에 배치되는 전자 수송층 및 상기 전자 수송층의 상부에 배치되는 전자 주입층 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. Wherein the organic layer further includes an organic light emitting layer formed on the plurality of first electrodes, a hole transporting layer disposed on a lower portion of the organic light emitting layer, a hole transporting layer disposed on the organic light emitting layer, An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer, and an electron injection layer disposed on the electron transport layer.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과 있다.According to the embodiments of the present invention, at least the following effects are obtained.

즉, 보조 전극의 추가에 따른 유기 발광 표시 장치의 두께가 두꺼워지지 않을 수 있다. That is, the thickness of the organic light emitting display device due to the addition of the auxiliary electrode may not be increased.

또한, 유기 발광 표시 장치의 제조 공정을 간소화할 수 있으며, 제2 전극의 내부 저항에 의한 전압 강하를 감소시킬 수 있다. In addition, the manufacturing process of the OLED display device can be simplified, and the voltage drop due to the internal resistance of the second electrode can be reduced.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1에서 II 내지 II'에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 전극을 형성하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 정의막을 형성하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기층 형성 단계를 나타낸 순서도이다.
도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 정공 주입층 형성 단계 및 정공 수송층 형성 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광층 형성 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 수송층 및 전자 주입층 형성 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기층 및 화소 정의막에 오목부를 형성하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 오목부가 형성된 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극 형성 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 전극을 형성하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기층, 보조 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 나타낸 순서도이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기층 및 화소 정의막을 식각하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 보조 전극을 형성하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 주입층 및 전자 수송층을 형성하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기층을 식각하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 보조 전극이 노출된 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2 전극이 형성되는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.1 is a plan view of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the OLED display according to II to II 'in FIG.
3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an OLED display according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view of an OLED display showing a step of forming a pixel defining layer according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
6 is a flowchart showing an organic layer formation step according to an embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display device illustrating a step of forming a hole injection layer and a step of forming a hole transport layer according to an embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.
FIG. 9 is a cross-sectional view of an OLED display showing steps of forming an electron transport layer and an electron injection layer according to an embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.
11 is a cross-sectional view of an OLED display device having a concave portion according to an embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
14 is a flowchart showing a step of forming an organic layer, an auxiliary electrode, and a second electrode according to another embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display showing steps of etching an organic layer and a pixel defining layer according to another embodiment of the present invention.
16 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.
FIG. 17 is a cross-sectional view of an OLED display showing steps of forming an electron injection layer and an electron transport layer according to another embodiment of the present invention.
18 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display showing a step of etching an organic layer according to another embodiment of the present invention.
19 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device in which an auxiliary electrode according to another embodiment of the present invention is exposed.
20 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. One element is referred to as being "connected to " or" coupled to "another element, either directly connected or coupled to another element, One case. On the other hand, when one element is referred to as being "directly connected to" or "directly coupled to " another element, it does not intervene another element in the middle. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. "And / or" include each and every combination of one or more of the mentioned items.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.1 is a plan view of an OLED display according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다. 복수의 화소(PX) 각각은 광을 방출할 수 있으며, 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소(PX) 각각이 방출하는 광의 휘도를 제어하여 화상을 표시할 수 있다. 복수의 화소(PX)는 매트릭스 형상으로 배치될 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 1, the OLED display may include a plurality of pixels PX. Each of the plurality of pixels PX can emit light, and the organic light emitting display can display an image by controlling the brightness of light emitted by each of the plurality of pixels PX. The plurality of pixels PX may be arranged in a matrix, but are not limited thereto.

복수의 화소(PX)는 서로 이격되어 형성되어 있으며, 보조 전극(AE)이 각 화소 사이에 형성될 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 발광부(PA)와 비발광부(DA)를 포함할 수 있으며, 보조 전극(AE)은 비발광부(DA) 상에 형성될 수 있다. A plurality of pixels PX are formed spaced apart from each other, and an auxiliary electrode AE may be formed between each pixel. The organic light emitting diode display may include a light emitting portion PA and a non-emitting portion DA, and the auxiliary electrode AE may be formed on the non-emitting portion DA.

이하 도 2를 참조하여, 유기 발광 표시 장치에 대하여 보다 상세히 설명하도록 한다. 도 2는 도 1에서 II 내지 II'에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.Hereinafter, the organic light emitting display will be described in more detail with reference to FIG. 2 is a cross-sectional view of the OLED display according to II to II 'in FIG.

도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(10), 복수의 제1 전극(E1), 평탄화막(50), 화소 정의막(60), 보조 전극(AE), 유기층(70) 및 제2 전극(E2)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the OLED display includes a substrate 10, a plurality of first electrodes E1, a planarization layer 50, a pixel defining layer 60, an auxiliary electrode AE, an organic layer 70, And two electrodes E2.

기판(10)은 발광부와 비발광부로 구분될 수 있다. 기판(10)은 판상의 형상을 가질 수 있으며, 기판(10) 상에 형성되는 타 구조물들을 지지할 수 있다. 기판(10)은 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(10)은 유리, PET(polyethyeleneterepthalate), PC(polycarbonate), PES(polyethersulfone), PI(polyimide) 또는 PMMA(polymethylmetharcylate) 등으로 형성될 수 있으며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에 의하면, 기판(10)은 가요성을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The substrate 10 may be divided into a light emitting portion and a non-light emitting portion. The substrate 10 may have a plate-like shape and may support other structures formed on the substrate 10. The substrate 10 may be formed of an insulating material. For example, the substrate 10 may be formed of glass, polyethyeleneterephthalate (PC), polycarbonate (PC), polyethersulfone (PES), polyimide (PI), or polymethylmethacrylate (PMMA). According to some embodiments, the substrate 10 may be formed of a material having flexibility.

평탄화막(50)은 기판(10) 상에 배치될 수 있다. 평탄화막(50)의 상부에 배치되는 유기층(70)의 발광 효율을 높이기 위하여, 평탄화막(50)의 상부면은 단차가 없이 평탄한 면으로 형성될 수 있다. 평탄화막(50)은 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 평탄화막(50)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolicresin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The planarizing film 50 may be disposed on the substrate 10. In order to increase the luminous efficiency of the organic layer 70 disposed on the planarization layer 50, the upper surface of the planarization layer 50 may be formed as a flat surface without a step. The planarizing film 50 may be formed of an insulating material. For example, the planarization layer 50 may be formed of a material selected from the group consisting of polyacrylates resin, epoxy resin, phenolicresin, polyamides resin, polyimides resin, May be formed of at least one of unsaturated polyesters resin, polyphenylenethers resin, polyphenylenesulfides resin, and benzocyclobutene (BCB) But is not limited thereto.

평탄화막(50)에는 컨택홀(H)이 형성될 수 있다. 컨택홀(H)은 후술할 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(D)을 상부로 노출시키도록 형성될 수 있다. 컨택홀(H)을 통하여 제1 전극(E1)과 드레인 전극(D)은 연결될 수 있다.A contact hole H may be formed in the planarization film 50. [ The contact hole H may be formed to expose the drain electrode D of the thin film transistor T to be described later. The first electrode E1 and the drain electrode D may be connected through the contact hole H. [

제1 전극(E1)은 평탄화막(50) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(E1)은 컨택홀(H)을 통하여 드레인 전극(D)과 연결될 수 있다. 드레인 전극(D)으로부터 제1 전극(E1)에 전달된 신호에 의하여, 유기층(80)의 발광이 제어될 수 있다.The first electrode E1 may be disposed on the planarizing film 50. [ The first electrode E1 may be connected to the drain electrode D through the contact hole H. [ The emission of the organic layer 80 can be controlled by a signal transmitted from the drain electrode D to the first electrode E1.

복수의 제1 전극(E1)은 기판(10) 상에 형성될 수 있다. 복수의 제1 전극(E1) 각각은 후술할 박막 트랜지스터(T)에 연결될 수 있으며, 박막 트랜지스터(T)로부터 인가되는 신호에 의하여 유기층(70)에 흐르는 전류가 제어될 수 있다. 복수의 제1 전극(E1)은 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 전극(E1)은 Ag/ITO(Indium Tin Oxide), ITO/Ag/ITO, Mo/ITO, Al/ITO 또는 Ti/ITO의 구조로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 복수의 제1 전극(E1)은 반사형 도전성 물질로 형성되어, 유기층(70)에서 생성된 빛을 상부로 반사시킬 수 있다. A plurality of first electrodes E1 may be formed on the substrate 10. [ Each of the plurality of first electrodes E1 may be connected to a thin film transistor T to be described later and a current flowing through the organic layer 70 may be controlled by a signal applied from the thin film transistor T. [ The plurality of first electrodes E1 may be formed of a reflective conductive material. For example, the plurality of first electrodes E1 may be formed of a structure of Ag / ITO, ITO / Ag / ITO, Mo / ITO, Al / ITO or Ti / It is not. The plurality of first electrodes E1 may be formed of a reflective conductive material to reflect the light generated in the organic layer 70 upward.

화소 정의막(60)은 평탄화막(50) 및 제1 전극(E1)의 상부에 배치될 수 있다. 화소 정의막(60)은 유기 발광 표시 장치에 포함되는 복수의 화소 각각의 영역들을 정의할 수 있다. 화소 정의막(60)은 평탄화막(50) 상부의 전면을 커버하는 것은 아니다. 유기 발광 표시 장치는 화소 정의막(60)이 배치되지 않은 제1 전극(E1)을 노출시키는 발광부(PA) 및 화소 정의막(60)이 배치된 비발광부(DA)를 포함할 수 있다. 발광부(PA)는 화소로 정의될 수 있다. 화소 정의막(60)은 소정의 형태로 패턴화된 오목부를 포함할 수 있다. 오목부는 화소 정의막(60)이 식각되어 형성된 형태로, 오목부에 상기 소정의 형태로 패턴화된 보조 전극(AE)가 형성될 수 있다. The pixel defining layer 60 may be disposed on the planarization layer 50 and the first electrode E1. The pixel defining layer 60 may define regions of each of a plurality of pixels included in the OLED display. The pixel defining layer 60 does not cover the entire upper surface of the flattening film 50. [ The organic light emitting display device may include a light emitting portion PA for exposing the first electrode E1 on which the pixel defining layer 60 is not disposed and a non-light emitting portion DA in which the pixel defining layer 60 is disposed. The light emitting portion PA may be defined as a pixel. The pixel defining layer 60 may include a concave portion patterned in a predetermined shape. The concave portion may be formed by etching the pixel defining layer 60, and the auxiliary electrode AE patterned in the predetermined shape may be formed in the concave portion.

보조 전극(AE)은 기판(10) 및 화소 정의막 상에 복수의 제1 전극(E1)과 이격되어 배치될 수 있으며, 비발광부(DA) 상에 형성될 수 있다. 보조 전극(AE)는 제2 전극(E2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 보조 전극(AE)은 도전성의 물질로 형성될 수 있으며, 제2 전극(E2)보다 비저항이 낮은 물질로 이루어 질 수 있으며, 제2 전극(E2)과 전기적으로 연결되어, 제2 전극(E2)에 인가되는 전압의 제2 전극(E2) 내부 저항에 의한 강하를 감소시킬 수 있다. The auxiliary electrode AE may be disposed on the substrate 10 and the pixel defining layer so as to be spaced apart from the plurality of first electrodes E1 and may be formed on the non-emitting portion DA. The auxiliary electrode AE may be electrically connected to the second electrode E2. The auxiliary electrode AE may be formed of a conductive material and may be made of a material having a lower resistivity than the second electrode E2 and may be electrically connected to the second electrode E2, It is possible to reduce the voltage applied to the second electrode E2 due to the internal resistance.

유기층(70)은 복수의 제1 전극(E1) 상에 배치될 수 있다. 유기층(70)은 복수의 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이에 흐르는 전류에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다. The organic layer 70 may be disposed on the plurality of first electrodes E1. The organic layer 70 can emit light at a luminance corresponding to the current flowing between the first electrode E1 and the second electrode E2.

유기층(70)은 정공 주입층(71), 정공 수송층(72), 전자 수송층(73), 전자 주입층(74) 및 유기 발광층(75)를 포함할 수 있다. The organic layer 70 may include a hole injecting layer 71, a hole transporting layer 72, an electron transporting layer 73, an electron injecting layer 74 and an organic light emitting layer 75.

정공 주입층(71)은 복수의 제1 전극(E1) 상부에 배치될 수 있다. 정공 주입층(71)은 복수의 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이에 전계가 인가되는 경우, 정공이 용이하게 유기 발광층(75)으로 주입되도록 보조할 수 있다. The hole injection layer 71 may be disposed above the plurality of first electrodes E1. The hole injection layer 71 may assist the hole to be easily injected into the organic light emitting layer 75 when an electric field is applied between the first electrode E1 and the second electrode E2.

정공 수송층(72)은 정공 주입층(71)의 상부에 배치될 수 있다. 정공 주입층(71)으로부터 전달된 정공이 정공 수송층(72)을 통하여 유기 발광층(75)으로 수송될 수 있다.The hole transport layer 72 may be disposed on the upper side of the hole injection layer 71. The holes transferred from the hole injection layer 71 can be transported to the organic light emitting layer 75 through the hole transport layer 72. [

전자 수송층(73)은 정공 수송층(72)의 상부에 배치될 수 있다. 전자 주입층(74)으로부터 전달된 전자가 전자 수송층(73)을 통하여 유기 발광층(75)으로 수송될 수 있다.The electron transport layer 73 may be disposed above the hole transport layer 72. Electrons transferred from the electron injection layer 74 can be transported to the organic emission layer 75 through the electron transport layer 73. [

전자 주입층(74)은 전자 수송층(73)의 상부에 배치될 수 있다. 전자 수송층(74)은 복수의 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이에 전계가 인가되는 경우, 전자가 용이하게 유기 발광층(75)으로 주입되도록 보조할 수 있다.The electron injection layer 74 may be disposed on the electron transport layer 73. The electron transport layer 74 can assist electrons to be easily injected into the organic light emitting layer 75 when an electric field is applied between the first and second electrodes E1 and E2.

정공 주입층(71), 정공 수송층(72), 전자 수송층(73) 및 전자 주입층(74)은 별도의 마스크 없이 유기 발광 표시 장치의 발광부(PA)의 전면에 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 정공 주입층(71), 정공 수송층(72), 전자 수송층(73) 및 전자 주입층(74) 중 하나 이상의 층은 생략될 수도 있으며, 유기층(70)은 정공 주입층(71), 정공 수송층(72), 전자 수송층(73) 및 전자 주입층(74) 중 하나의 층만을 포함할 수도 있다.The hole injecting layer 71, the hole transporting layer 72, the electron transporting layer 73 and the electron injecting layer 74 may be formed on the entire surface of the light emitting portion PA of the organic light emitting display device without a separate mask. According to some embodiments, one or more layers of the hole injection layer 71, the hole transport layer 72, the electron transport layer 73, and the electron injection layer 74 may be omitted, and the organic layer 70 may be a hole injection layer 71, the hole transporting layer 72, the electron transporting layer 73, and the electron injecting layer 74, as shown in FIG.

유기 발광층(75)은 정공 수송층(72)과 정공 주입층(73) 사이에 배치될 수 있다. 유기 발광층(75)은 복수의 제1 전극(E1)과 캐소드 전극(E2) 사이에 인가되는 전계에 대응하여, 유기 발광층(75)에 흐르는 전류의 크기에 대응되는 밝기로 발광할 수 있다. 정공과 전자가 만나 형성되는 엑시톤의 에너지 준위의 변화에 따라 방출되는 에너지에 대응하여 유기 발광층(75)은 발광할 수 있다. 유기 발광층(75)은 마스크를 이용한 증착 또는 프린팅 방법에 의하여, 복수의 제1 전극(E1) 상에 형성될 수 있다. The organic light emitting layer 75 may be disposed between the hole transport layer 72 and the hole injection layer 73. The organic light emitting layer 75 emits light with brightness corresponding to the magnitude of the current flowing through the organic light emitting layer 75 corresponding to the electric field applied between the plurality of first electrodes E1 and the cathode electrode E2. The organic light emitting layer 75 can emit light corresponding to the energy emitted according to the change of the energy level of the excitons formed by the holes and electrons. The organic light emitting layer 75 may be formed on the plurality of first electrodes E1 by a deposition or printing method using a mask.

제2 전극(E2)은 유기층(70) 및 보조 전극(AE)상에 배치될 수 있다. 제2 전극(E2)은 보조 전극(AE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(E2)은 별도의 마스크 없이 유기 발광 표시 장치의 발광부(PA) 전면에 형성될 수 있다. 제2 전극(E2)은 광학적으로 투명 또는 반투명한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(E2)은 ITO, IZO(Indium Zinc Oxide), 마그네슘(Mg)와 은(Ag)의 화합물, 칼슘(Ca)과 은(Ag)의 화합물 또는 리튬(Li)과 알루미늄(Al)의 화합물로 형성될 수 있으며, 이에 반드시 한정되는 것은 아니다. 유기층(70)에서 생성된 빛은 제2 전극(E2)을 통하여 외부로 방출될 수 있다. 제2 전극(E2)의 광투과율을 향상시키기 위하여 제2 전극(E2)의 두께는 얇게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(E2)의 두께는 200Å이하로 형성될 수 있다.The second electrode E2 may be disposed on the organic layer 70 and the auxiliary electrode AE. The second electrode E2 may be electrically connected to the auxiliary electrode AE. The second electrode E2 may be formed on the entire surface of the light emitting portion PA of the organic light emitting display device without a separate mask. The second electrode E2 may be formed of an optically transparent or semi-transparent conductive material. For example, the second electrode E2 may be made of ITO, IZO (indium zinc oxide), a compound of magnesium and silver, a compound of calcium and silver or a compound of lithium (Li) and aluminum (Al), and the present invention is not limited thereto. Light generated in the organic layer 70 may be emitted to the outside through the second electrode E2. In order to improve the light transmittance of the second electrode E2, the thickness of the second electrode E2 may be made thin. For example, the thickness of the second electrode E2 may be less than 200 angstroms.

제2 전극(E2)을 형성하는 물질은 일반적인 금속보다 비저항이 상대적으로 높을 수 있다. 또한, 제2 전극(E2)의 두께가 얇게 형성될 수 있으므로, 제2 전극(C)에 인가되는 전압은 제2 전극(E2)의 비저항에 의하여 강하될 수 있다. 따라서, 복수의 화소(PX) 각각에서 제2 전극(E2)의 전압 값이 달라질 수 있으며, 그에 따라 유기 발광 표시 장치에 휘도 얼룩이 발생할 수 있다. 보조 전극(AE)은 제2 전극(E2)과 낮은 비저항을 가질 수 있으며, 제2 전극(E2)과 연결되어, 제2 전극(E2)의 전압 강하를 감소시킬 수 있다.The material forming the second electrode E2 may have a relatively higher resistivity than a general metal. Also, since the thickness of the second electrode E2 can be made thin, the voltage applied to the second electrode C can be lowered by the resistivity of the second electrode E2. Therefore, the voltage value of the second electrode E2 may vary in each of the plurality of pixels PX, thereby causing luminance unevenness in the OLED display. The auxiliary electrode AE may have a low resistivity with the second electrode E2 and may be connected to the second electrode E2 to reduce the voltage drop of the second electrode E2.

유기 발광 표시 장치는 버퍼층(20), 반도체층(A), 게이트 절연막(30), 게이트 전극(G), 층간 절연막(30), 소스 전극(S), 드레인 전극(D)을 더 포함할 수 있다.The organic light emitting display device may further include a buffer layer 20, a semiconductor layer A, a gate insulating film 30, a gate electrode G, an interlayer insulating film 30, a source electrode S, and a drain electrode D have.

버퍼층(20)은 기판(10)의 상부면 상에 형성될 수 있다. 버퍼층(20)은 불순 원소의 침투를 방지하며 기재(10)의 상부면을 평탄화할 수 있다. 버퍼층(20)은 이와 같은 기능을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(20)으로서 질화 규소(SiN_x)막, 산화 규소(SiO₂)막, 산질화 규소(SiO_xN_y)막 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 버퍼층(20)은 생략될 수도 있다.The buffer layer 20 may be formed on the upper surface of the substrate 10. The buffer layer 20 prevents penetration of impurities and can flatten the upper surface of the substrate 10. [ The buffer layer 20 may be formed of various materials capable of performing such functions. For example, as the buffer layer 20, any one of a silicon nitride (SiN _x ) film, a silicon oxide (SiO ₂ ) film, and a silicon oxynitride (SiO _x N _y ) film can be used. According to some embodiments, the buffer layer 20 may be omitted.

반도체층(A)은 버퍼층(20)의 상부에 배치될 수 있다. 반도체층(A)은 비정질 규소막 또는 다결정 규소막으로 형성될 수 있다. 반도체층(A)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역, 채널 영역의 양 측에 배치되고 p+ 도핑되어 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D) 과 각각 접촉하는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 반도체층(A)에 도핑되는 불순물은 붕소(B)를 포함하는 P형 불순물일 수 있으며, 예를 들어, B₂H₆ 등이 불순물로서 사용될 수 있다. 반도체층(A)에 도핑되는 불순물의 종류는 실시예에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 몇몇 실시예에 의하면, 반도체층(A)은 산화 반도체층으로 대체될 수도 있다.The semiconductor layer (A) may be disposed on the buffer layer (20). The semiconductor layer (A) may be formed of an amorphous silicon film or a polycrystalline silicon film. The semiconductor layer A may include a source region and a drain region that are disposed on both sides of the channel region and are p + doped to contact the source electrode S and the drain electrode D, respectively, . The impurity to be doped in the semiconductor layer (A) may be a P-type impurity including boron (B), for example, B ₂ H ₆ or the like may be used as an impurity. The kinds of impurities to be doped in the semiconductor layer (A) can be variously changed according to the embodiment. According to some embodiments, the semiconductor layer (A) may be replaced with an oxide semiconductor layer.

게이트 절연막(30)은 반도체층(A) 상부에 배치될 수 있다. 게이트 절연막(30)은 후술할 게이트 전극(G)과 반도체층(A)을 상호 절연시킬 수 있다. 게이트 절연막(30)은 질화 규소(SiN_x) 또는 산화 규소(SiO₂)로 형성될 수 있다.The gate insulating film 30 may be disposed on the semiconductor layer A. The gate insulating film 30 can isolate the gate electrode G and the semiconductor layer A, which will be described later, from each other. The gate insulating film 30 may be formed of silicon nitride (SiN _x ) or silicon oxide (SiO ₂ ).

게이트 전극(G)은 게이트 절연막(30)의 상부에 배치될 수 있다. 게이트 전극(G)은 반도체층(A)의 적어도 일부 영역과 중첩되도록 배치될 수 있다. 게이트 전극(G)에 인가되는 전압에 의하여, 반도체층(A)이 도전성 또는 비도전성을 갖는지 여부가 제어될 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(G)에 상대적으로 높은 전압이 인가되는 경우, 반도체층(A)이 도전성을 가져, 드레인 전극(D) 및 소스 전극(S)이 상호 전기적으로 연결되도록 할 수 있으며, 게이트 전극(G)에 상대적으로 낮은 전압이 인가되는 경우, 반도체층(A)이 비도전성을 가져, 드레인 전극(D) 및 소스 전극(S)이 상호 절연되도록 할 수 있다.The gate electrode G may be disposed on the gate insulating film 30. The gate electrode G may be arranged so as to overlap with at least a part of the region of the semiconductor layer (A). By the voltage applied to the gate electrode G, it can be controlled whether or not the semiconductor layer A has conductivity or non-conductivity. For example, when a relatively high voltage is applied to the gate electrode G, the semiconductor layer A may have conductivity, and the drain electrode D and the source electrode S may be electrically connected to each other, When a relatively low voltage is applied to the gate electrode G, the semiconductor layer A may be non-conductive and the drain electrode D and the source electrode S may be insulated from each other.

층간 절연막(40)은 게이트 전극(G)의 상부에 배치될 수 있다. 층간 절연막(40)은 게이트 전극(G)을 커버하여, 게이트 전극(G)을 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)과 절연시킬 수 있다. 층간 절연막(40)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 등으로 형성될 수 있다.The interlayer insulating film 40 may be disposed on the gate electrode G. [ The interlayer insulating film 40 covers the gate electrode G and can isolate the gate electrode G from the source electrode S and the drain electrode D. [ The interlayer insulating film 40 may be formed of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiO2) or the like.

소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)은 층간 절연막(40)의 상부에 배치될 수 있다. 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)은 층간 절연막(40)과 게이트 절연막(30)을 관통하여 형성된 컨택홀을 통하여 각각 반도체층(A)과 연결될 수 있다. 소스 전극(S), 드레인 전극(D) 게이트 전극(G) 및 반도체층(A)은 박막 트랜지스터(T)를 형성할 수 있으며, 박막 트랜지스터(T)는 게이트 전극(G)에 인가되는 전압에 따라, 소스 전극(S)에 전달되는 신호를 드레인 전극(D)에 전달할지 여부를 결정할 수 있다.The source electrode (S) and the drain electrode (D) may be disposed on the interlayer insulating film (40). The source electrode S and the drain electrode D may be connected to the semiconductor layer A through a contact hole formed through the interlayer insulating film 40 and the gate insulating film 30, respectively. The source electrode S and the drain electrode D and the gate electrode G and the semiconductor layer A may form a thin film transistor T and the thin film transistor T may be connected to a voltage applied to the gate electrode G Thus, it is possible to determine whether or not a signal transmitted to the source electrode S is to be transmitted to the drain electrode D.

이하 도 3을 참조하여, 유기 발광 표시 제조 방법에 대하여 설명하도록 한다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting display will be described with reference to FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an OLED display according to an embodiment of the present invention.

도 3를 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 복수의 제1 전극(E1) 형성 단계(S10), 화소 정의막(60) 형성 단계(S20), 유기층 형성(70) 단계(S30), 보조 전극 형성 단계(S40) 및 제2 전극(C) 형성 단계(S50)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, a method of fabricating an organic light emitting display includes forming a plurality of first electrodes E1 (S10), forming a pixel defining layer 60 (S20), forming an organic layer 70 (S30) An auxiliary electrode forming step S40 and a second electrode forming step S50.

유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 먼저 평탄화막(50) 상에 복수의 제1 전극(E1)을 서로 이격하여 형성(S10)할 수 있다. 서로 이격되어 형성된 제1 전극 사이의 이격된 영역에 화소 정의막(60)을 형성할 수 있다. 그리고 화소 정의막(60) 및 제1 전극에 걸쳐 유기층(70)을 형성(S30)할 수 있으며, 유기층(70)을 식각하여 오목부를 형성할 수 있다. 상기 오목부에 보조 전극을 형성(S40)할 수 있으며, 보조 전극 및 유기층(70) 전면에 형성되는 제2 전극을 형성(S50)할 수 있다. In the method of manufacturing an organic light emitting diode display, a plurality of first electrodes E1 may be formed on the planarization layer 50 in step S10. The pixel defining layer 60 can be formed in a spaced-apart region between the first electrodes formed apart from each other. The organic layer 70 may be formed over the pixel defining layer 60 and the first electrode (S30), and the organic layer 70 may be etched to form a recess. The auxiliary electrode may be formed in the recess (S40), and the auxiliary electrode and the second electrode may be formed on the entire surface of the organic layer (S50).

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 전극을 형성하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 정의막을 형성하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view of an OLED display showing a step of forming a pixel defining layer according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

이하 도 4를 참조하면, 복수의 제1 전극(E1) 형성 단계(S10)에 대하여 설명하도록 한다. 복수의 제1 전극(E1) 형성 단계(S10)에서, 복수의 제1 전극(E1)은 기판(10) 상에 형성될 수 있다. 기판(10) 상에는 버퍼층(20), 게이트 절연막(30), 층간 절연막(40), 평탄화막(50), 반도체층(A), 게이트 전극(G), 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)이 형성될 수 있으며, 복수의 제1 전극(E1)은 평탄화막(50) 상에 형성될 수 있다. 복수의 제1 전극(E1) 각각은 서로 이격되며, 드레인 전극(D)과 평탄화막(50)에 형성된 컨택홀을 통하여 연결될 수 있다. Referring to FIG. 4, a description will now be made of a step S10 of forming a plurality of first electrodes E1. In the plurality of first electrodes E1 forming step S10, a plurality of first electrodes E1 may be formed on the substrate 10. [ A buffer layer 20, a gate insulating film 30, an interlayer insulating film 40, a planarization film 50, a semiconductor layer A, a gate electrode G, a source electrode S and a drain electrode D , And a plurality of first electrodes E1 may be formed on the planarization layer 50. [ Each of the plurality of first electrodes E1 may be spaced apart from each other and may be connected to the drain electrode D through a contact hole formed in the planarization layer 50. [

이하 도 5을 참조하여, 화소 정의막(60) 형성 단계(S20)에 대하여 설명하도록 한다. 도 5은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 정의막 형성 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 화소 정의막(60)은 기판(10) 및 평탄화막(50)의 상부에 형성될 수 있다. 화소 정의막(60)은 복수의 제1 전극(E1)과 일부 중첩하도록 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 화소 정의막(60)은 복수의 제1 전극(E1) 각각의 적어도 일부를 상부로 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(60)은 발광부(PA)에는 형성되지 않을 수 있으며, 비발광부(DA) 상에 형성될 수 있다.Hereinafter, the step of forming the pixel defining layer 60 (S20) will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view of an OLED display showing a pixel defining layer forming step according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. The pixel defining layer 60 may be formed on the substrate 10 and the planarization layer 50. The pixel defining layer 60 may be formed to partially overlap the plurality of first electrodes E1, but the present invention is not limited thereto. The pixel defining layer 60 may expose at least a part of each of the plurality of first electrodes E1. The pixel defining layer 60 may not be formed in the light emitting portion PA and may be formed on the non-light emitting portion DA.

이하 도 6 내지 도 9를 참조하여, 유기층(70) 형성 단계(S30)에 대하여 설명하도록 한다. Hereinafter, the organic layer forming step S30 will be described with reference to FIGS. 6 to 9. FIG.

도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기층 형성 단계를 나타낸 순서도이다. 도 6을 참조하면, 유기층(70) 형성 단계(S30)는 정공 주입층(71) 형성 단계(S31), 정공 수송층(72) 형성 단계(S32), 유기 발광층(75) 형성 단계(S33), 전자 수송층(73) 형성 단계(S34) 및 전자 주입층(74) 형성 단계(S35)를 포함할 수 있다.6 is a flowchart showing an organic layer formation step according to an embodiment of the present invention. 6, forming the organic layer 70 includes forming a hole injection layer 71 (S31), forming a hole transport layer 72 (S32), forming an organic light emitting layer 75 (S33) An electron transport layer 73 formation step S34 and an electron injection layer formation step S35.

이하 도 7를 참조하여, 정공 주입층(71) 형성 단계(S31)에 및 정공 수송층 형성 단계(S32)에 대하여 설명하도록 한다. 도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 정공 주입층 형성 단계 및 정공 수송층 형성 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.Hereinafter, the hole injection layer forming step S31 and the hole transport layer forming step S32 will be described with reference to FIG. 7 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display device illustrating a step of forming a hole injection layer and a step of forming a hole transport layer according to an embodiment of the present invention.

도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 정공 주입층 형성 단계 및 정공 수송층 형성 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 7를 참조하면, 정공 주입층(71) 형성 단계(S31)에서, 정공 주입층(71)은 복수의 제1 전극(E1), 화소 정의막(60) 상에 형성될 수 있다. 정공 수송층(72) 형성 단계(S32)에서, 정공 수송층(72)은 정공 주입층(71)의 상부에 형성될 수 있다. 7 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display device illustrating a step of forming a hole injection layer and a step of forming a hole transport layer according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, in the step S31 of forming the hole injection layer 71, the hole injection layer 71 may be formed on the plurality of first electrodes E1 and the pixel defining layer 60. Referring to FIG. In the step S32 of forming the hole transport layer 72, the hole transport layer 72 may be formed on the upper side of the hole injection layer 71. [

이하 도 8을 참조하여, 유기 발광층(75) 형성 단계(S33)에 대하여 설명하도록 한다. 도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광층 형성 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 8을 참조하면, 복수의 유기 발광층(75) 형성 단계(S33)에서, 복수의 유기 발광층(75)은 제1 전극(E1) 각각의 상부 및 정공 수송층(72)의 상부에 형성될 수 있다. 복수의 유기 발광층(75)은 잉크젯 프린팅 또는 마스크를 이용한 증착을 통하여 형성될 수 있다. Hereinafter, the organic emission layer forming step (S33) will be described with reference to FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8, a plurality of organic light emitting layers 75 may be formed on top of each of the first electrodes E1 and on the hole transport layer 72 in the plurality of organic light emitting layer forming step S33 . The plurality of organic light emitting layers 75 may be formed by inkjet printing or deposition using a mask.

이하 도 9을 참조하여, 전자 수송층(73) 형성 단계(S34) 및 전자 주입층(74) 형성 단계(S35)에 대하여 설명하도록 한다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 수송층 및 전자 주입층 형성 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 9을 참조하면, 전자 수송층(73) 형성 단계(S34)에서, 전자 수송층(73)은 정공 수송층(72) 및 유기 발광층(75)의 상부에 형성될 수 있다. 전자 주입층(74) 형성 단계(S35)에서, 전자 주입층(74)은 전자 수송층(73)의 상부에 형성될 수 있다. Hereinafter, the electron-transporting layer forming step S34 and the electron-injecting layer forming step S35 will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view of an OLED display showing steps of forming an electron transport layer and an electron injection layer according to an embodiment of the present invention. 9, in the step S34 of forming the electron transporting layer 73, the electron transporting layer 73 may be formed on the hole transporting layer 72 and the organic light emitting layer 75. In the electron injecting layer 74 forming step S35, the electron injecting layer 74 may be formed on the electron transporting layer 73. [

유기 발광 표시 장치에서 정공 주입층(71), 정공 수송층(72), 전자 수송층(73) 또는 전자 주입층(74)이 생략되는 경우, 생략된 층을 형성하는 단계는 실시되지 않을 수 있다.In the case where the hole injecting layer 71, the hole transporting layer 72, the electron transporting layer 73, or the electron injecting layer 74 are omitted in the organic light emitting display device, the step of forming the omitted layer may not be performed.

이하 도 10을 참조하여, 유기층 및 화소 정의막에 오목부를 형성하는 단계에 대하여 설명하도록 한다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기층 및 화소 정의막에 오목부를 형성하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 10을 참조하면, 유기층 상에 마스크 패턴(LM)을 형성하고, 노광 작업을 수행한다. 마스크 패턴(LM)의 광투과부는 비발광부 및 화소 정의막 상에 형성될 수 있으며, 마스크 패턴(LM)의 광차단부는 발광부 상에 형성될 수 있다. Hereinafter, the step of forming the recesses in the organic layer and the pixel defining layer will be described with reference to FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. Referring to FIG. 10, a mask pattern LM is formed on an organic layer, and an exposure operation is performed. The light transmitting portion of the mask pattern LM may be formed on the non-light emitting portion and the pixel defining layer, and the light blocking portion of the mask pattern LM may be formed on the light emitting portion.

또한, 노광 시에는 노광면인 유기층(70)의 표면에 광(L)의 초점이 정확하게 맺히지 않도록 초점을 이동시키는 디포커싱(defocusing)으로 진행할 수 있다. 광(L)의 초점이 노광면보다 낮은 지점에 형성될 수 있도록 디포커싱시키면, 노광 후 식각에 의해 형성된 오목부의 테이퍼 각도가 완만하게 형성될 수 있다. 즉, 광(L)의 초점의 위치에 따라서 상기 오목부 패턴 형상이 결정될 수 있다. Further, during exposure, defocusing may be performed to move the focal point so that the focal point of the light L is not accurately formed on the surface of the organic layer 70 which is the exposure surface. When the focal point of the light L is defocused so as to be formed at a position lower than the exposure surface, the taper angle of the recess formed by the post-exposure etching can be gently formed. That is, the concave pattern shape can be determined according to the position of the focus of the light L. [

이하, 도 11을 참조하여, 오목부가 형성된 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명하도록 한다. 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 오목부가 형성된 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 11을 참조하면, 정공 주입층(71), 정공 수송층(72), 전자 수송층(73), 전자 주입층(74) 및 화소 정의막(60) 상에 마스크 패턴(LM)에 의해 노광되어, 오목부 패턴이 형성된다. 상기 오목부 패턴은 서로 이격되어 형성되며, 화소(PX)간의 경계에 형성될 수 있다. 다만, 상기 오목부 패턴이 각 화소(PX)의 경계에 형성되는 것으로 한정되지 않으며, 복수의 화소(PX)를 단위로 상기 화소(PX) 단위 사이에 형성될 수 있다. 도 11은 상기 오목부 패턴이 화소 정의막(60) 및 유기층(70)에 걸쳐 형성되어 있는 구조가 도시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 오목부 패턴의 형상은 다양하게 변형 가능하다. 즉, 상기 오목부 패턴은 유기층(70) 상에만 형성될 수도 있다. Hereinafter, an organic light emitting diode display having a concave portion will be described with reference to FIG. 11 is a cross-sectional view of an OLED display device having a concave portion according to an embodiment of the present invention. 11, a mask pattern LM is formed on the hole injection layer 71, the hole transport layer 72, the electron transport layer 73, the electron injection layer 74 and the pixel defining layer 60, A concave portion pattern is formed. The concave portions may be formed at a boundary between the pixels PX. However, the recess pattern is not limited to being formed at the boundary of each pixel PX, and may be formed between the pixels PX in units of a plurality of pixels PX. 11 illustrates a structure in which the recess pattern is formed over the pixel defining layer 60 and the organic layer 70. However, the present invention is not limited thereto, and the shape of the recess pattern may be variously modified. That is, the concave pattern may be formed only on the organic layer 70.

이하, 도 12를 참조하여, 보조 전극 형성 단계를 설명하도록 한다. 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극 형성 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 12를 참조하면, 보조 전극(AE)은 상기 오목부 패턴 상에 형성될 수 있다. 보조 전극(AE)은 스퍼터링 기법에 의해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 다양한 방법에 의해 상기 오목부 패턴 상에 형성될 수 있다. 보조 전극(AE)은 격자 형상일 수 있으며, 격자 형상의 보조 전극(AE)에 의하여 둘러싸인 공간 내측에는 제1 전극(E1)이 각각 하나씩 배치될 수 있다. 다만, 보조 전극(AE)에 의해 둘러싸인 공간 내측에 제1 전극(E1)이 하나씩 배치되는 것이 한정되지 않으며, 몇몇 실시예에 의하면, 복수의 제1 전극(E1)이 배치될 수 있다. 도 12에서는 보조 전극(AE)이 격자 형상인 것을 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 보조 전극(AE)의 형상은 다양하게 변형 가능하다.Hereinafter, the auxiliary electrode forming step will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a cross-sectional view of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. Referring to FIG. 12, an auxiliary electrode AE may be formed on the concave pattern. The auxiliary electrode AE may be formed by a sputtering technique, but not limited thereto, and may be formed on the concave pattern by various methods. The auxiliary electrode AE may be in the shape of a lattice, and the first electrodes E1 may be disposed one by one inside the space surrounded by the grid-shaped auxiliary electrode AE. However, it is not limited that the first electrodes E1 are arranged one by one inside the space surrounded by the auxiliary electrode AE, and according to some embodiments, the plurality of first electrodes E1 may be arranged. In FIG. 12, the auxiliary electrode AE has a lattice shape, but it is not limited thereto, and the shape of the auxiliary electrode AE may be variously modified.

도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 전극을 형성하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 13을 참조하면, 제2 전극(E2) 형성 단계(S50)에서는 유기층(70) 및 보조 전극(AE) 상부에 제2 전극을 형성할 수 있다. 제2 전극(E2)은 발광부 및 비발광부에 걸쳐 기판 전면에 형성될 수 있으며, 보조 전극(AE)과 마찬가지로 스퍼터링 기법에 의해 형성될 수 있다. 제2 전극(E2) 형성 단계(S50)가 실시되면, 도 2의 유기 발광 표시 장치가 형성될 수 있다. 제2 전극(E2)은 균일한 두께로 유기층(70) 및 화소 정의막(60) 상에 형성될 수 있으나, 보조 전극(AE) 상의 제2 전극(E2)은 유기층(70) 상에 돌출되어 있는 보조 전극(AE)의 높이만큼 두께가 얇아질 수 있다. 하지만 제2 전극(E2)의 두께는 이에 한정되지 않으며, 다양한 두께를 가질 수 있다. 후술할 본 발명의 다른 실시예에서는 보조 전극(AE)상의 제2 전극(E2)의 두께가 다른 영역에서의 제2 전극(E2)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 보조 전극(AE)과 제2 전극(E2)은 서로 맞닿아 있으며, 전기적으로 연결될 수 있다. 보조 전극(AE)는 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 제2 전극(E2)에 비해 비저항이 낮은 물질로 이루어 질 수 있어, 제2 전극(E2)에 인가되는 전압의 제2 전극(E2) 내부 저항에 의한 강하를 감소시킬 수 있다.FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. Referring to FIG. 13, a second electrode may be formed on the organic layer 70 and the auxiliary electrode AE in the second electrode E2 forming step S50. The second electrode E2 may be formed on the entire surface of the substrate over the light emitting portion and the non-emitting portion, and may be formed by a sputtering method like the auxiliary electrode AE. When the second electrode E2 forming step S50 is performed, the OLED display of FIG. 2 may be formed. The second electrode E2 may be formed on the organic layer 70 and the pixel defining layer 60 to have a uniform thickness while the second electrode E2 on the auxiliary electrode AE may protrude on the organic layer 70 The thickness of the auxiliary electrode AE may be reduced by the height of the auxiliary electrode AE. However, the thickness of the second electrode E2 is not limited thereto, and it may have various thicknesses. In another embodiment of the present invention to be described later, the thickness of the second electrode E2 on the auxiliary electrode AE may be thicker than the thickness of the second electrode E2 in the other region. The auxiliary electrode AE and the second electrode E2 are in contact with each other and can be electrically connected. The auxiliary electrode AE may be formed of a conductive material and may be made of a material having a lower resistivity than the second electrode E2 so that the voltage applied to the second electrode E2 It is possible to reduce the resistance-induced drop.

도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기층, 보조 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 나타낸 순서도이다. 도 14를 참조하면, 유기층(70) 형성 단계(S30)는 정공 주입층(71) 형성 단계(S31), 정공 수송층(72) 형성 단계(S32), 유기 발광층(75) 형성 단계(S33), 전자 수송층(73) 형성 단계(S34), 전자 주입층(74) 형성 단계(S35), 유기층(70) 및 화소 정의막(60) 식각 단계(S36) 및 유기층(70) 식각 단계(S37)를 포함할 수 있다. 유기 발광층(75) 형성 단계(S33)와 전자 수송층(73) 형성 단계(S34) 후에 유기층(70) 및 화소 정의막(60) 식각 단계(S36)를 더 포함할 수 있으며, 전자 주입층(74) 형성 단계(S35) 후에 유기층(70) 식각 단계(S37)가 수행될 수 있다. 보조 전극(AE) 형성 단계(S40)는 유기층(70) 및 화소 정의막(60) 식각 단계(S36) 후에 수행될 수 있으며, 제2 전극 형성 단계(S50)는 유기층(70) 식각 단계(S37)에 이어 수행될 수 있다. 다만, 도 14에서는 유기층(70) 및 화소 정의막(60) 식각 단계(S36)가 유기 발광층(75) 형성 단계(S33)에 이어 실시되고 있으나, 정공 수송층(72) 형성 단계(S32)에 이어 유기층(70) 및 화소 정의막(60) 식각 단계(S36)와 보조 전극(AE) 형성 단계(S40)가 실시될 수 있다. 또한, 유기 발광층(75) 형성 단계(S33)는 유기층(70) 및 화소 정의막(60) 식각 단계(S36)와 보조 전극(AE) 형성 단계(S40) 후에 실시될 수도 있으며, 유기층(70) 및 화소 정의막(60) 식각 단계(S36)와 보조 전극(AE) 형성 단계(S40) 사이에 실시될 수도 있다. 14 is a flowchart showing a step of forming an organic layer, an auxiliary electrode, and a second electrode according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 14, the organic layer forming step S30 includes forming the hole injecting layer 71, forming the hole transporting layer 72, forming the organic light emitting layer 75, The electron injection layer 74 formation step S35, the organic layer 70 and the pixel defining layer 60 etching step S36 and the organic layer 70 etching step S37 . The organic layer 70 and the pixel defining layer 60 may be further etched after the organic light emitting layer 75 forming step S33 and the electron transporting layer forming step S34 and the electron injecting layer 74 ) Forming step S35, the organic layer 70 etching step S37 may be performed. The auxiliary electrode AE formation step S40 may be performed after the organic layer 70 and the pixel defining layer 60 are etched in step S36 and the second electrode formation step S50 may be performed in the organic layer etching step S37 ). &Lt; / RTI > 14, although the organic layer 70 and the pixel defining layer 60 are etched after the organic light emitting layer 75 forming step S33, the organic light emitting layer 75 is formed after the hole transporting layer forming step S32 The etching step S36 of the organic layer 70 and the pixel defining layer 60 and the auxiliary electrode AE forming step S40 may be performed. The organic light emitting layer forming step S33 may be performed after the organic layer 70 and the pixel defining layer 60 are etched at step S36 and the auxiliary electrode AE forming step S40. And between the etching step S36 of the pixel defining layer 60 and the auxiliary electrode AE forming step S40.

도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기층 및 화소 정의막을 식각하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 15를 참조하면, 정공 주입층(71) 형성 단계(S31)에서, 정공 주입층(71)은 복수의 제1 전극(E1), 화소 정의막(60) 상에 형성될 수 있다. 정공 수송층(72) 형성 단계(S32)에서, 정공 수송층(72)은 정공 주입층(71)의 상부에 형성될 수 있다. 복수의 유기 발광층(75) 형성 단계(S33)에서, 복수의 유기 발광층(75)은 제1 전극(E1) 각각의 상부 및 정공 수송층(72)의 상부에 형성될 수 있다. FIG. 15 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display showing steps of etching an organic layer and a pixel defining layer according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 15, in the step S31 of forming the hole injection layer 71, the hole injection layer 71 may be formed on the plurality of first electrodes E1 and the pixel defining layer 60. Referring to FIG. In the step S32 of forming the hole transport layer 72, the hole transport layer 72 may be formed on the upper side of the hole injection layer 71. [ A plurality of organic light emitting layers 75 may be formed on each of the first electrodes E1 and on the hole transport layer 72 in the step S33 of forming a plurality of organic light emitting layers 75. [

유기 발광 표시 장치에서 정공 주입층(71) 또는 정공 수송층(72)이 생략되는 경우, 생략된 층을 형성하는 단계는 실시되지 않을 수 있다.In the case where the hole injection layer 71 or the hole transport layer 72 is omitted in the organic light emitting display, the step of forming the omitted layer may not be performed.

유기층(70) 상에 마스크 패턴(LM)을 형성하고, 노광 작업을 수행한다. 마스크 패턴(LM)의 광투과부는 비발광부 및 화소 정의막 상에 형성될 수 있으며, 마스크 패턴(LM)의 광차단부는 발광부 상에 형성될 수 있다. A mask pattern LM is formed on the organic layer 70, and an exposure operation is performed. The light transmitting portion of the mask pattern LM may be formed on the non-light emitting portion and the pixel defining layer, and the light blocking portion of the mask pattern LM may be formed on the light emitting portion.

또한, 노광 시에는 노광면인 유기층(70)의 표면에 광(L)의 초점이 정확하게 맺히지 않도록 초점을 이동시키는 디포커싱(defocusing)으로 진행할 수 있다. 상기 노광 작업을 수행함으로써, 화소 정의막(60), 정공 주입층(71) 및 정공 수송층(72) 상에 상기 오목부 패턴 형상이 형성될 수 있다.Further, during exposure, defocusing may be performed to move the focal point so that the focal point of the light L is not accurately formed on the surface of the organic layer 70 which is the exposure surface. By performing the above exposure process, the recess pattern can be formed on the pixel defining layer 60, the hole injection layer 71, and the hole transport layer 72.

도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 보조 전극을 형성하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 16을 참조하면, 보조 전극(AE)은 상기 오목부 패턴 상에 형성될 수 있다. 보조 전극(AE)은 스퍼터링 기법에 의해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 다양한 방법에 의해 상기 오목부 패턴 상에 형성될 수 있다. 보조 전극(AE)은 격자 형상일 수 있으며, 격자 형상의 보조 전극(AE)에 의하여 둘러싸인 공간 내측에는 제1 전극(E1)이 각각 하나씩 배치될 수 있다. 다만, 보조 전극(AE)에 의해 둘러싸인 공간 내측에 제1 전극(E1)이 하나씩 배치되는 것이 한정되지 않으며, 복수의 제1 전극(E1)이 배치될 수 있다. 도 1에서는 보조 전극(AE)이 격자 형상인 것을 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 보조 전극(AE)의 형상은 다양하게 변형 가능하다.16 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 16, an auxiliary electrode AE may be formed on the concave pattern. The auxiliary electrode AE may be formed by a sputtering technique, but not limited thereto, and may be formed on the concave pattern by various methods. The auxiliary electrode AE may be in the shape of a lattice, and the first electrodes E1 may be disposed one by one inside the space surrounded by the grid-shaped auxiliary electrode AE. However, the arrangement of the first electrodes E1 is not limited to one inside the space surrounded by the auxiliary electrode AE, and a plurality of the first electrodes E1 may be arranged. In FIG. 1, the auxiliary electrode AE is in the form of a lattice. However, the auxiliary electrode AE is not limited thereto, and the shape of the auxiliary electrode AE may be variously modified.

도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 주입층 및 전자 수송층을 형성하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 17을 참조하면, 전자 수송층(73) 형성 단계(S34)에서, 전자 수송층(73)은 정공 수송층(72), 유기 발광층(75) 및 보조 전극(AE)의 상부에 형성될 수 있다. 도 17에서는 보조 전극(AE) 상부에 전자 수송층(73)이 형성되어 있지 않은 것으로 도시되어 있으나, 보조 전극(AE) 상부에 전자 수송층(73)이 형성될 수도 있다. 전자 주입층(74) 형성 단계(S35)에서, 전자 주입층(74)은 전자 수송층(73)의 상부에 형성될 수 있다. 도 17에서는 보조 전극(AE) 상부에 전자 주입층(74)이 형성되어 있는 것으로 도시되어 있으나, 보조 전극(AE) 상부에 전자 주입층(73)이 형성되지 않을 수 있다. FIG. 17 is a cross-sectional view of an OLED display showing steps of forming an electron injection layer and an electron transport layer according to another embodiment of the present invention. 17, in the step S34 of forming the electron transporting layer 73, the electron transporting layer 73 may be formed on the hole transporting layer 72, the organic light emitting layer 75, and the auxiliary electrode AE. In FIG. 17, the electron transport layer 73 is not formed on the auxiliary electrode AE. However, the electron transport layer 73 may be formed on the auxiliary electrode AE. In the electron injecting layer 74 forming step S35, the electron injecting layer 74 may be formed on the electron transporting layer 73. [ In FIG. 17, the electron injection layer 74 is formed on the auxiliary electrode AE. However, the electron injection layer 73 may not be formed on the auxiliary electrode AE.

유기 발광 표시 장치에서 전자 수송층(73) 또는 전자 주입층(74)이 생략되는 경우, 생략된 층을 형성하는 단계는 실시되지 않을 수 있다.In the case where the electron-transporting layer 73 or the electron-injecting layer 74 is omitted in the organic light-emitting display device, the step of forming the omitted layer may not be performed.

도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기층을 식각하는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 18을 참조하면, 유기층(70) 상에 마스크 패턴(LM)을 형성하고, 노광 작업을 수행한다. 마스크 패턴(LM)은 보조 전극(AE)의 상부 영역에 광투과부가 형성하며, 그 외의 영역에 광차단부가 형성될 수 있다. 18 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display showing a step of etching an organic layer according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 18, a mask pattern LM is formed on the organic layer 70, and an exposure operation is performed. In the mask pattern LM, the light transmitting portion is formed in the upper region of the auxiliary electrode AE, and the light blocking portion may be formed in the other region.

또한, 노광 시에는 노광면인 유기층(70)의 표면에 광(L)의 초점이 정확하게 맺히지 않도록 초점을 이동시키는 디포커싱(defocusing)으로 진행할 수 있다. 상기 노광 작업을 수행함으로써, 전자 수송층(73) 및 전자 주입층(74)이 식각되어, 보조 전극(AE)이 유기층(70) 외부로 노출될 수 있다. Further, during exposure, defocusing may be performed to move the focal point so that the focal point of the light L is not accurately formed on the surface of the organic layer 70 which is the exposure surface. The electron transport layer 73 and the electron injection layer 74 are etched to expose the auxiliary electrode AE to the outside of the organic layer 70. [

도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 보조 전극이 노출된 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 19를 참조하면, 유기층(70)이 보조 전극(AE) 상에 형성되지 않으므로, 제2 전극(E2) 형성 단계(S50)가 수행되면 제2 전극(E2)과 보조 전극(AE)이 전기적으로 연결될 수 있다. 도 19는 보조 전극(AE) 상에 전자 주입층(74)만이 식각된 것으로 도시되어 있으나, 보조 전극(AE)의 두께에 따라, 보조 전극(AE) 상에 전자 수송층(73) 및 전자 주입층(74)이 식각된 구조를 가질 수 있다. 19 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device in which an auxiliary electrode according to another embodiment of the present invention is exposed. Referring to FIG. 19, since the organic layer 70 is not formed on the auxiliary electrode AE, when the second electrode E2 forming step S50 is performed, the second electrode E2 and the auxiliary electrode AE are electrically . 19 shows that only the electron injection layer 74 is etched on the auxiliary electrode AE but the electron injection layer 74 is formed on the auxiliary electrode AE in accordance with the thickness of the auxiliary electrode AE, (74) may have an etched structure.

도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2 전극이 형성되는 단계를 나타낸 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 20을 참조하면, 제2 전극(E2) 형성 단계(S50)에서는 유기층(70) 및 보조 전극(AE) 상부에 제2 전극을 형성할 수 있다. 제2 전극(E2)은 발광부 및 비발광부에 걸쳐 기판 전면에 형성될 수 있으며, 보조 전극(AE)과 마찬가지로 스퍼터링 기법에 의해 형성될 수 있다. 제2 전극(E2)은 균일한 두께로 유기층(70) 및 화소 정의막(60) 상에 형성될 수 있으나, 보조 전극(AE)상의 제2 전극(E2)의 두께가 다른 영역에서의 제2 전극(E2)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 보조 전극(AE)과 제2 전극(E2)은 서로 맞닿아 있으며, 전기적으로 연결될 수 있다. 보조 전극(AE)는 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 제2 전극(E2)에 비해 비저항이 낮은 물질로 이루어 질 수 있어, 제2 전극(E2)에 인가되는 전압의 제2 전극(E2) 내부 저항에 의한 강하를 감소시킬 수 있다.20 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 20, a second electrode may be formed on the organic layer 70 and the auxiliary electrode AE in the step of forming the second electrode E2 (S50). The second electrode E2 may be formed on the entire surface of the substrate over the light emitting portion and the non-emitting portion, and may be formed by a sputtering method like the auxiliary electrode AE. The second electrode E2 may be formed on the organic layer 70 and the pixel defining layer 60 with a uniform thickness but the thickness of the second electrode E2 on the auxiliary electrode AE may be different from the thickness of the second electrode E2 It may be thicker than the thickness of the electrode E2. The auxiliary electrode AE and the second electrode E2 are in contact with each other and can be electrically connected. The auxiliary electrode AE may be formed of a conductive material and may be made of a material having a lower resistivity than the second electrode E2 so that the voltage applied to the second electrode E2 It is possible to reduce the resistance-induced drop.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, You will understand. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

10: 기판 20: 버퍼층
30: 게이트 절연막 40: 층간 절연막
50: 평탄화 막 60: 화소 정의막
70: 유기층 71: 전공 주입층
72: 정공 수송층 73: 전자 수송층
74: 전자 주입층 75: 유기 발광층
E1: 제1 전극 E2: 제2 전극
PA: 발광부 DA: 비발광부
PX: 화소 AE: 보조 전극
Tr: 박막 트랜지스터 S: 소스 전극
A: 반도체층 G: 게이트 전극
D: 드레인 전극10: substrate 20: buffer layer
30: gate insulating film 40: interlayer insulating film
50: planarization film 60: pixel defining film
70: organic layer 71: major injection layer
72: Hole transport layer 73: Electron transport layer
74: electron injection layer 75: organic light emitting layer
E1: first electrode E2: second electrode
PA: light emitting portion DA: non-light emitting portion
PX: pixel AE: auxiliary electrode
Tr: thin film transistor S: source electrode
A: semiconductor layer G: gate electrode
D: drain electrode

Claims

발광부와 비발광부로 정의된 기판;
상기 기판 상에 서로 이격되어 형성된 복수의 제1 전극;
상기 기판 상에 상기 복수의 제1 전극 사이에 형성되는 화소정의막;
상기 제1 전극 및 화소 정의막 상에 형성되는 제2 전극; 및
상기 화소 정의막 상에 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되어 형성되는 보조 전극을 포함하되,
상기 화소 정의막은 소정의 패턴에 따른 오목부를 포함하며,
상기 오목부에 패턴화된 상기 보조 전극이 형성된 유기 발광 표시 장치.A substrate defined as a light emitting portion and a non-light emitting portion;
A plurality of first electrodes spaced apart from each other on the substrate;
A pixel defining layer formed between the plurality of first electrodes on the substrate;
A second electrode formed on the first electrode and the pixel defining layer; And
And an auxiliary electrode electrically connected to the second electrode on the pixel defining layer,
Wherein the pixel defining layer includes a concave portion corresponding to a predetermined pattern,
And the auxiliary electrode patterned in the concave portion is formed.

제1항에 있어서,
상기 보조 전극은 제2 전극 물질보다 내부 저항이 낮은 도전성 물질로 형성되며, 상기 비발광부상에 위치하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary electrode is formed of a conductive material having a lower internal resistance than the second electrode material, and is located on the non-light emitting portion.

제2항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 발광부와 비발광부 전면에 걸쳐 형성되며, 상기 보조 전극과 중첩되는 영역에서 상기 제2 전극의 두께는 상기 보조 전극과 중첩되지 않은 영역에서 상기 제2 전극의 두께보다 얇은 유기 발광 표시 장치.3. The method of claim 2,
The second electrode is formed over the entire surface of the light emitting portion and the non-light emitting portion. In a region where the second electrode overlaps the auxiliary electrode, the thickness of the second electrode is smaller than the thickness of the second electrode, Emitting display device.

제2항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 발광부와 비발광부 전면에 걸쳐 형성되며, 상기 보조 전극과 중첩되는 영역에서 상기 제2 전극의 두께는 상기 보조 전극과 중첩되지 않은 영역에서 상기 제2 전극의 두께보다 두꺼운 유기 발광 표시 장치.3. The method of claim 2,
The second electrode is formed over the entire surface of the light emitting portion and the non-light emitting portion. In a region overlapping the auxiliary electrode, the thickness of the second electrode is greater than the thickness of the second electrode Emitting display device.

제1항에 있어서.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되는 유기층을 더 포함하되,
상기 유기층은 상기 복수의 제1 전극 상에 형성되는 유기 발광층;
상기 유기 발광층의 하부에 배치되는 정공 수송층;
상기 정공 수송층의 하부에 배치되는 정공 주입층;
상기 유기 발광층의 상부에 배치되는 전자 수송층; 및
상기 전자 수송층의 상부에 배치되는 전자 주입층 중 하나 이상을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
And an organic layer formed between the first electrode and the second electrode,
Wherein the organic layer comprises an organic light emitting layer formed on the plurality of first electrodes;
A hole transport layer disposed under the organic light emitting layer;
A hole injection layer disposed under the hole transport layer;
An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer; And
And an electron injection layer disposed on an upper portion of the electron transport layer.

발광부와 비발광부로 정의된 기판 상에 서로 이격된 복수의 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 복수의 제1 전극 사이에 화소정의막을 형성하는 단계;
상기 화소 정의막을 식각하여 소정의 패턴을 가지는 오목부를 형성하는 단계;
상기 오목부에 패턴화된 보조 전극을 형성하는 단계; 및
상기 보조 전극과 연결되며, 상기 화소 정의막 및 제1 전극 상에 형성되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.Forming a plurality of first electrodes spaced apart from each other on a substrate defined as a light emitting portion and a non-light emitting portion;
Forming a pixel defining layer between the plurality of first electrodes;
Etching the pixel defining layer to form a recess having a predetermined pattern;
Forming a patterned auxiliary electrode in the recess; And
And forming a second electrode on the pixel defining layer and the first electrode, the second electrode being connected to the auxiliary electrode.

제6항에 있어서,
상기 보조 전극은 제2 전극 물질보다 내부 저항이 낮은 도전성 물질로 형성되며, 상기 비발광부상에 위치하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 6,
Wherein the auxiliary electrode is formed of a conductive material having a lower internal resistance than the second electrode material, and is located on the non-light emitting portion.

제7항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 발광부와 비발광부 전면에 걸쳐 형성되며, 상기 보조 전극과 중첩되는 영역에서 상기 제2 전극의 두께는 상기 보조 전극과 중첩되지 않은 영역에서 상기 제2 전극의 두께보다 얇은 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.8. The method of claim 7,
The second electrode is formed over the entire surface of the light emitting portion and the non-light emitting portion. In a region where the second electrode overlaps the auxiliary electrode, the thickness of the second electrode is smaller than the thickness of the second electrode, A method of manufacturing a light emitting display device.

제7항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 발광부와 비발광부 전면에 걸쳐 형성되며, 상기 보조 전극과 중첩되는 영역에서 상기 제2 전극의 두께는 상기 보조 전극과 중첩되지 않은 영역에서 상기 제2 전극의 두께보다 두꺼운 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.8. The method of claim 7,
The second electrode is formed over the entire surface of the light emitting portion and the non-light emitting portion. In a region overlapping the auxiliary electrode, the thickness of the second electrode is greater than the thickness of the second electrode A method of manufacturing a light emitting display device.

제6항에 있어서.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되는 유기층을 더 포함하되,
상기 유기층은 상기 복수의 제1 전극 상에 형성되는 유기 발광층;
상기 유기 발광층의 하부에 배치되는 정공 수송층;
상기 정공 수송층의 하부에 배치되는 정공 주입층;
상기 유기 발광층의 상부에 배치되는 전자 수송층; 및
상기 전자 수송층의 상부에 배치되는 전자 주입층 중 하나 이상을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 6,
And an organic layer formed between the first electrode and the second electrode,
Wherein the organic layer comprises an organic light emitting layer formed on the plurality of first electrodes;
A hole transport layer disposed under the organic light emitting layer;
A hole injection layer disposed under the hole transport layer;
An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer; And
And an electron injection layer disposed on an upper portion of the electron transport layer.