KR20150089650A - 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 실시예는 디지털 마이크로렌즈의 불량을 개선할 수 있는 이미지 센서 및 그의 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 실시예에 따른 이미지 센서는 광전변환영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 형성된 배선을 포함하는 층간절연층; 상기 층간절연층 위로 돌출된 제1영역과 상기 층간절연층에 매립된 제2영역을 포함하고 제1굴절률을 갖는 집광패턴; 및 상기 집광패턴 상에 상기 집광패턴 사이를 매립하는 컬러필터를 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 실시예는 상부가 평탄한 이미지 센서를 형성함으로써 요철에 의한 불량을 개선하는 효과, 층간절연막에 매립된 고집광패턴을 더 포함하는 이미지 센서를 형성함으로써 이미지 센서의 집광효과를 개선하는 효과가 있다.
Description
본 실시예는 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 디지털 마이크로 렌즈를 포함하는 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이미지센서(Image Sensor)는 광학적 영상(Optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 장치이다. 일반적으로 이미지 센서는 CCD(Charge Coupled Device)형 이미지 센서와 CMOS형 이미지 센서(CMOS Image Sensor, CIS)가 있다. 이미지 센서는 복수의 픽셀들을 구비하고, 각각의 픽셀은 입사광에 상응하는 픽셀 신호를 출력한다. 이때, 복수의 픽셀들 각각은 포토다이오드로 대표되는 광전변환소자를 통해 입사광에 상응하는 광전하를 축적하고, 축적된 광전하에 기초하여 픽셀 신호를 출력한다.
한편, 기존의 곡률을 이용한 이미지 센서의 집광렌즈는 곡률에 의한 광 굴절 효율에 한계가 있어서 큰 CRA(Chief Ray Angle)에서의 적용이 어려운 문제점이 있다. 이를 위해, 디지털 마이크로렌즈(DML, Digital Micro Lens)가 제안되었다. 디지털 마이크로렌즈는 고굴절률층과 저굴절률층을 이용하여 집광하며, 이를 위해 이중 패턴 등을 이용한 요철구조로 형성될 수 있다.
그러나, 디지털 마이크로렌즈의 요철구조는 조립공정에서 파티클 등이 끼여 화소 결함 불량 등을 유발하는 문제점이 있다.
본 실시예는 디지털 마이크로렌즈의 불량을 개선할 수 있는 이미지 센서 및 그의 제조 방법을 제공한다.
본 실시예에 따른 이미지 센서는 광전변환영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 형성된 배선을 포함하는 층간절연층; 상기 층간절연층 위로 돌출된 제1영역과 상기 층간절연층에 매립된 제2영역을 포함하고 제1굴절률을 갖는 집광패턴; 및 상기 집광패턴 상에 상기 집광패턴 사이를 매립하는 컬러필터를 포함할 수 있다.
특히, 상기 집광패턴의 제1굴절률은 상기 컬러필터의 굴절률보다 클 수 있다. 또한, 상기 집광패턴은 실리콘질화물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 집광패턴의 제1영역은 요철형태를 가질 수 있다. 상기 집광패턴의 제2영역은 각 픽셀의 바깥쪽에 위치할 수 있고, 상기 집광패턴의 제2영역은 각 픽셀을 둘러싸는 링타입을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 이미지 센서 제조 방법은 광전변환영역을 포함하는 기판 상에 배선을 포함하는 층간절연층을 형성하는 단계; 상기 층간절연층 위로 돌출된 제1영역과 상기 층간절연층에 매립된 제2영역을 포함하고, 제1굴절률을 갖는 집광패턴을 형성하는 단계; 및 상기 집광패턴 상에 상기 집광패턴 사이를 매립하는 컬러필터를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
특히, 상기 집광패턴을 형성하는 단계는, 상기 층간절연층을 선택적으로 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치를 매립하는 고굴절률층을 형성하는 단계; 상기 고굴절률층 상에 마스크패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크패턴을 식각배리어로 상기 고굴절률층을 식각하여 제1굴절률을 갖는 집광패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 기술은 상부가 평탄한 이미지 센서를 형성함으로써 요철에 의한 불량을 개선하는 효과가 있다.
본 기술은 층간절연막에 매립된 고집광패턴을 더 포함하는 이미지 센서를 형성함으로써 이미지 센서의 집광효과를 개선하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 레이이아웃도이다.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 고굴절층의 일 예를 나타내는 평면도이다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 일 예를 나타내는 공정 단면도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 레이이아웃도이다.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 고굴절층의 일 예를 나타내는 평면도이다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 일 예를 나타내는 공정 단면도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시예들이 상세히 설명된다.
도면은 반드시 일정한 비율로 도시된 것이라 할 수 없으며, 몇몇 예시들에서, 실시예들의 특징을 명확히 보여주기 위하여 도면에 도시된 구조물 중 적어도 일부의 비례는 과장될 수도 있다. 도면 또는 상세한 설명에 둘 이상의 층을 갖는 다층 구조물이 개시된 경우, 도시된 것과 같은 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 특정 실시예를 반영할 뿐이어서 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 달라질 수도 있다. 또한, 다층 구조물의 도면 또는 상세한 설명은 특정 다층 구조물에 존재하는 모든 층들을 반영하지 않을 수도 있다(예를 들어, 도시된 두 개의 층 사이에 하나 이상의 추가 층이 존재할 수도 있다). 예컨대, 도면 또는 상세한 설명의 다층 구조물에서 제1 층이 제2 층 상에 있거나 또는 기판상에 있는 경우, 제1 층이 제2 층 상에 직접 형성되거나 또는 기판상에 직접 형성될 수 있음을 나타낼 뿐만 아니라, 하나 이상의 다른 층이 제1 층과 제2 층 사이 또는 제1 층과 기판 사이에 존재하는 경우도 나타낼 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 회로도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 레이아웃도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위화소는 포토다이오드(PD, Photo Diode), 전송 트랜지스터(Tx, Transfer transistor), 부유확산영역(FD, Floating diffusion), 리셋 트랜지스터(Rx, Reset transistor), 드라이브 트랜지스터(Dx, Drive transistor) 및 선택 트랜지스터(Sx, Selection transistor)를 포함할 수 있다.
포토다이오드(PD)는 빛 에너지를 수신하여 광 전하를 생성하고 축적하는 광전변환영역에 포함될 수 있다.
전송 트랜지스터(Tx)는 게이트로 입력되는 전송 제어신호에 응답하여 포토다이오드에 의해서 축적된 전하(또는 광전류)를 부유확산영역(FD)으로 전송하는 역할을 할 수 있다.
부유확산영역(FD)은 전송 트랜지스터를 통해 포토다이오드로부터 생성된 전하를 수신하고 저장하는 역할을 할 수 있다.
리셋 트랜지스터(Rx)는 전원전압(Vdd)과 부유확산영역 사이에 접속되고, 리셋 신호(RST)에 응답하여 부유확산영역에 저장된 전하를 전원전압으로 드레인 시킴으로써, 부유확산영역을 리셋시키는 역할을 할 수 있다.
드라이브 트랜지스터(Dx)는 소스 팔로워 버퍼 증폭기(Source follower buffer amplifier) 역할을 하며, 부유확산영역에 충전된 전하에 따른 신호를 버퍼링(Buffering)하는 역할을 할 수 있다.
선택 트랜지스터(Sx)는 단위 화소를 선택하기 위한 스위칭(switching) 및 어드레싱(addressing) 역할을 할 수 있다.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 일 예를 나타내는 단면도이다. 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 고굴절층의 일 예를 나타내는 평면도이다.
도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 복수의 픽셀(pixel)을 갖는 기판(11)에 광전변환영역(12)과 인접한 픽셀 사이를 분리하는 소자분리막(미도시)이 형성된다. 그리고, 기판(11) 전면 상에 신호생성회로(13)를 포함하는 층간절연층(14)이 형성된다. 그리고, 층간절연층(14) 상에 요철을 갖는 집광패턴(100)이 형성되고, 집광패턴(100) 상에 집광패턴(100) 사이를 매립하는 컬러필터(18)가 형성된다.
기판(11)은 반도체 기판을 포함할 수 있다. 반도체 기판은 단결정 상태일 수 있으며, 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 즉, 기판(11)은 단결정의 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 일예로, 기판(11)은 벌크 실리콘기판이거나, 또는 실리콘에피층을 포함한 SOI(Silicon On Insulator)기판일 수 있다.
광전변환영역(12)은 수직적으로 중첩되는 복수개의 광전변환부(미도시)들을 포함할 수 있으며, 광전변환부들 각각은 N형 불순물영역과 P형 불순물영역을 포함하는 포토다이오드(Photo Diode)일 수 있다. 광전변환영역(12)은 기판(11)의 전면과 후면에 모두 접하여 기판(11)을 관통하는 형태를 가질 수 있다. 또한, 광전변환영역(12)은 기판(11)의 전면에는 접하고 기판(11)의 후면으로부터 소정 간격 이격된 형태를 가질 수도 있다.
층간절연층(14)은 산화물, 질화물 및 산화질화물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 둘 이상의 물질을 포함할 수 있다. 층간절연층(14) 내부에 형성된 신호생성회로(13)는 복수의 트랜지스터(미도시), 다층의 금속배선(미도시) 및 이들을 상호 연결하는 콘택플러그(미도시)를 포함할 수 있다. 신호생성회로(13)는 광전변환영역(12)에서 생성된 광전하에 상응하는 픽셀 신호(또는 전기 신호)를 생성(또는 출력)하는 역할을 수행할 수 있다.
집광패턴(100)은 층간절연층(14) 위로 돌출된 제1영역(17B)과 층간절연층(14)에 매립된 제2영역(17A)을 포함할 수 있다. 집광패턴(100)은 컬러필터(18)의 굴절률보다 큰 제1굴절률을 갖는 고굴절률층을 포함할 수 있다. 집광패턴(100)은 예컨대, 실리콘질화물을 포함할 수 있다. 집광패턴(100)은 마이크로렌즈 역할을 수행할 수 있다.
집광패턴의 제1영역(17B) 및 제2영역(17A)은 동일한 물질 즉, 동일한 굴절률을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 집광패턴의 제1 및 제2영역(17B, 17A)은 동일한 공정 또는 각각 다른 공정으로 형성할 수 있으며, 이에 대하여는 후속 공정에서 자세히 설명하기로 한다.
층간절연층(14)에 매립된 제2영역(17A)은 필요에 따라 각 픽셀의 외곽지역에 형성될 수 있고, 도 3b와 같이 각 픽셀의 주변을 둘러싸는 링타입으로 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 링타입으로 각 픽셀의 외곽지역에 형성하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 필요에 따라 바타입 또는 섬타입 등으로 형성이 가능하며, 외곽지역 외에 중심지역에도 형성될 수 있고, 하나의 패턴이 아닌 복수의 패턴으로 형성될 수 있다. 이에 대하여는 후속 도 5 내지 7에서 자세히 설명하기로 한다.
컬러필터(18)는 광전변환영역(12)에 대응하여 해당 필터들이 형성될 수 있다. 예컨대, 레드(R), 그린(G), 블루(B) 픽셀의 광전변환영역(12)에 각각 대응하여 형성되거나, 이미지 센서가 적외선 광전변환영역(12)을 포함하는 경우, 적외선 수광 소자에 대응한 적외선(infrared) 필터가 형성될 수 있다.
컬러필터(18)는 집광패턴(100) 사이를 매립하여 이미지센서를 평탄화할 수 있는 두께로 형성할 수 있다. 집광패턴(100) 사이에 매립된 컬러필터(18)는 제1굴절률보다 낮은 제2굴절률을 갖는 집광패턴 즉, 마이크로렌즈 역할을 할 수 있다.
본 실시예에서는 평탄한 표면을 갖는 컬러필터(18)를 도시하고 있으나, 표면반사를 감소시킬 목적으로 컬러필터 표면을 엠보싱(embossing) 형태로 형성할 수 있다.
위와 같이, 본 실시예의 집광패턴(100)은 층간절연층 상부로 돌출된 제1영역(17B)외에 층간절연층에 매립된 제2영역(17A)을 형성하여, 입사광의 파장에 따른 굴절률의 조절 및 보완이 가능하여 집광효율을 극대화 시킬 수 있다. 즉, 더 넓은 입사각에 대해서도 이미지 왜곡 없이 광 집속을 가능케 할 수 있다. 또한, 요철모양의 집광패턴(100) 상부에 컬러필터(18)를 형성함으로써 추가적인 공정 없이 이미지 센서 표면을 평탄화하여 파티클 등에 의한 불량을 미연에 방지할 수 있다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 일 예를 나타내는 공정 단면도이다. 도 4a 내지 도 4e는 도 3의 이미지 센서를 형성하는 제조방법의 일 예를 나타내는 것으로, 이해를 돕기 위해 도 3과 동일한 도면부호를 사용하여 설명하기로 한다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 복수의 픽셀(pixel)들이 정의된 기판(11)을 준비한다. 기판(11)은 반도체 기판을 포함할 수 있다. 반도체 기판은 단결정 상태일 수 있으며, 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 즉, 기판(11)은 단결정의 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 일예로, 기판(11)은 벌크 실리콘기판이거나, 또는 실리콘에피층을 포함한 SOI(Silicon On Insulator) 기판일 수 있다.
이어서, 복수의 픽셀들이 접하는 경계지역을 따라 기판(11)에 소자분리영역(미도시)을 형성할 수 있다. 소자분리영역은 기판(11)에 소자분리 트렌치를 형성하고, 소자분리 트렌치를 절연물질로 갭필하는 STI(Shallow Trench Isolation) 공정으로 형성할 수 있다.
이어서, 기판(11)에 광전변환영역(12)을 형성할 수 있다. 광전변환영역(12)은 수직적으로 중첩되는 복수개의 광전변환부(미도시)들을 포함할 수 있으며, 광전변환부들 각각은 N형 불순물영역과 P형 불순물영역을 포함하는 포토다이오드(Photo Diode)일 수 있다. 포토다이오드는 불순물 이온주입공정을 통해 형성할 수 있다.
이어서, 기판(11) 전면 상에 신호생성회로(13)를 포함한 층간절연층(14)을 형성할 수 있다. 층간절연층(14)은 산화물, 질화물 및 산화질화물로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 둘 이상의 물질을 포함할 수 있으며, 다층구조를 가질 수 있다. 신호생성회로(13)는 광전변환영역에서 생성된 광전하에 상응하는 전기신호를 생성(또는 출력)하는 역할을 수행할 수 있다. 신호생성회로(13)는 광전변환영역(12)에서 생성된 광전하에 상응하는 픽셀 신호(또는 전기신호)를 생성(또는 출력)하는 역할을 수행한다. 복수의 트랜지스터는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx), 선택 트랜지스터(Sx), 리셋 트랜지스터(Rx) 및 억세스 트랜지스터(Ax)를 포함할 수 있다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 층간절연층(14) 상에 트렌치(16)를 형성할 수 있다. 트렌치(16)는 층간절연층(14) 상에 제1마스크패턴(15)을 형성하고, 제1마스크패턴(15)을 식각배리어로 층간절연층(14)을 일정 깊이 식각하여 형성할 수 있다. 트렌치(16)는 후속 집광패턴의 제2영역을 형성하기 위한 것으로, 필요에 따라 위치 및 모양을 다양하게 변경할 수 있다.
도 4c에 도시된 바와 같이, 층간절연층(14) 상에 트렌치(16)를 매립하는 고굴절률층(17)을 형성한다. 고굴절률층(17)을 형성하기 전에, 트렌치(16) 형성을 위한 제1마스크패턴(도 4b참조)을 제거할 수 있다. 제1마스크패턴이 감광막인 경우 건식스트립공정으로 제거할 수 있다.
고굴절률층(17)은 공기 및 후속 컬러필터보다 굴절률이 큰 제1굴절률을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 고굴절률층(17)은 실리콘질화물을 포함할 수 있다.
이어서, 고굴절률층(17) 상에 제2마스크패턴(18)을 형성한다. 제2마스크패턴(18)은 고굴절률층(17)을 식각하여 집광패턴을 형성하기 위한 것으로, 고굴절률층(17) 및 층간절연층(14)에 대해 식각선택비를 갖는 물질로 형성할 수 있다.
도 4d에 도시된 바와 같이, 고굴절률층(17, 도 4c 참조)을 식각하여 층간절연층(14) 상부로 돌출된 제1영역(17B)과 층간절연층(14)에 매립된 제2영역(17A)을 포함하는 집광패턴(100)을 형성한다.
집광패턴(100)은 층간절연층(14)에 매립된 제2영역(17A)을 형성하고, 고굴절률층 증착 및 식각 공정을 반복하여 층간절연층(14) 상부로 돌출된 제1영역(17B)을 추가로 형성할 수 있다. 또 다른 실시예로, 집광패턴(100)은 층간절연층(14)에 매립된 제2영역(17A)과 층간절연층(14) 상부로 돌출된 제1영역(17B)을 한번의 식각공정을 통해 동시에 형성할 수 있다. 또 다른 실시예로, 층간절연층(14) 상부에 돌출된 제1영역(17B)을 요철 형태로 만들기 위해 고굴절률층의 증착 및 식각 공정을 여러번 반복 진행할 수 있다.
본 실시예의 집광패턴(100)은 각 픽셀의 외곽지역에 제2영역(17A)을 형성하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 필요에 따라 도 5 내지 7과 같이 여러가지 구조로 형성할 수 있다. 이에 대하여는 후속 도면과 함께 상세히 설명하기로 한다.
도 4e에 도시된 바와 같이, 집광패턴(100) 상에 집광패턴(100) 사이를 매립하고 평탄화하는 컬러필터(18)를 형성한다. 컬러필터(18)는 광전변환영역(12)에 대응하는 해당 필터들이 형성될 수 있다. 또한, 집광패턴 사이를 매립하는 컬러필터(18)는 제1굴절률보다 낮은 제2굴절률을 갖는 집광패턴 즉, 마이크로렌즈 역할을 할 수 있다. 또한, 컬러필터(18)는 요철모양의 집광패턴(100) 사이를 완전히 매립하는 두께로 형성하여 이미지 센서 표면을 평탄화시킬 수 있다.
본 실시예에서는 컬러필터(18)를 평탄한 표면으로 도시하고 있으나, 컬러필터(18) 형성시 그리드 마스크(grid mask)를 이용한 노광 및 현상공정을 통해 표면을 엠보싱 형태로 만들어 표면 반사를 감소시킬 수 있다.
이후, 공지된 제조방법을 통해 이미지 센서를 완성할 수 있다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 집광패턴의 제2영역(25A)을 각 픽셀의 외곽지역 외에 중심지역에도 형성할 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 집광패턴의 제2영역(35A)을 각 픽셀의 중심지역에만 형성할 수도 있으며, 이때 층간절연층(34) 상부로 형성된 제1영역(35B)의 요철 높이를 감소시킬 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 집광패턴의 제2영역(45A)을 각 픽셀의 외곽지역 외에 중심지역에도 형성할 수 있다. 이때 도 5와 같이 층간절연층(44) 상부로 형성된 제1영역(45B)의 요철높이를 감소시킬 수 있다.
본 실시예는 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 집광패턴의 제1영역과 제2영역의 위치와 높이를 변경할 수 있다.
본 실시예의 기술 사상은 상기 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 실시예의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 실시예의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
11 : 기판
12 : 광전변환영역
14 : 층간절연층 100 : 집광패턴
18 : 컬러필터
14 : 층간절연층 100 : 집광패턴
18 : 컬러필터
Claims (12)
- 광전변환영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상에 형성된 배선을 포함하는 층간절연층;
상기 층간절연층 위로 돌출된 제1영역과 상기 층간절연층에 매립된 제2영역을 포함하고 제1굴절률을 갖는 집광패턴; 및
상기 집광패턴 상에 상기 집광패턴 사이를 매립하는 컬러필터
를 포함하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,
상기 집광패턴의 제1굴절률은 상기 컬러필터의 굴절률보다 큰 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,
상기 집광패턴은 실리콘질화물을 포함하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,
상기 집광패턴의 제1영역은 요철형태를 갖는 이미지 센서. - 제1항에 있어서,
상기 집광패턴의 제2영역은 각 픽셀의 바깥쪽에 위치하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,
상기 집광패턴의 제2영역은 각 픽셀을 둘러싸는 링타입을 포함하는 이미지 센서.
- 광전변환영역을 포함하는 기판 상에 배선을 포함하는 층간절연층을 형성하는 단계;
상기 층간절연층 위로 돌출된 제1영역과 상기 층간절연층에 매립된 제2영역을 포함하고, 제1굴절률을 갖는 집광패턴을 형성하는 단계; 및
상기 집광패턴 상에 상기 집광패턴 사이를 매립하는 컬러필터를 형성하는 단계
를 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제7항에 있어서,
상기 집광패턴을 형성하는 단계는,
상기 층간절연층을 선택적으로 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;
상기 트렌치를 매립하는 고굴절률층을 형성하는 단계;
상기 고굴절률층 상에 마스크패턴을 형성하는 단계; 및
상기 마스크패턴을 식각배리어로 상기 고굴절률층을 식각하여 제1굴절률을 갖는 집광패턴을 형성하는 단계
를 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제7항에 있어서,
상기 집광패턴의 제1굴절률은 상기 컬러필터의 굴절률보다 큰 이미지 센서 제조 방법.
- 제7항에 있어서,
상기 집광패턴은 실리콘질화물을 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제7항에 있어서,
상기 집광패턴의 제2영역은 각 픽셀의 바깥쪽에 위치하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제7항에 있어서,
상기 집광패턴의 제2영역은 각 픽셀을 둘러싸는 링타입을 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
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