KR20150086955A - Adjusted Light Module having Reflected Light Optimized to Light Sensor and Film Thickness Measurement Apparatus using this - Google Patents

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KR20150086955A
KR20150086955A KR1020140007230A KR20140007230A KR20150086955A KR 20150086955 A KR20150086955 A KR 20150086955A KR 1020140007230 A KR1020140007230 A KR 1020140007230A KR 20140007230 A KR20140007230 A KR 20140007230A KR 20150086955 A KR20150086955 A KR 20150086955A
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Abstract

The present invention relates to a thin film thickness measuring apparatus (spectral reflectometer) which measures the thickness of a thin film formed on a specimen by radiating light generated by a light source to the specimen with the thin film in order to measure the wavelength of reflected light. The thin film thickness measuring apparatus comprises: a light source unit which includes n (here, n is an integer above 1) kinds of LEDs with a different wavelength from one another; and a control unit which regulates current applied to the light source unit in order to control the brightness of individual wavelengths to be the same. Therefore, the thin film thickness measuring apparatus can consistently control the intensity of light by wavelengths by controlling the amount of current flowing LEDs with various wavelengths, respectively.

Description

시편에서 반사된 빛의 스펙트럼이 광 센서의 측정감도에 최적화되도록 파장영역별로 밝기가 제어되는 광원 모듈 및 이를 이용한 박막두께 측정장치{Adjusted Light Module having Reflected Light Optimized to Light Sensor and Film Thickness Measurement Apparatus using this}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light source module in which the brightness of light reflected by a specimen is optimized for a sensitivity of a light sensor, and a thin film thickness measuring device using the light source module. }

본 발명은 시편에서 반사된 빛의 스펙트럼이 광 센서의 측정감도에 최적화되도록 파장영역별로 밝기가 제어된 광원 모듈 및 이를 이용한 박막두께 측정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 광원으로 LED(Light Emitting Diode)를 구비하고, 광 섬유로 빛의 일부를 기판의 특정 부위로 유도하여 반사된 빛의 파장별 간섭 여부를 기반으로 박막의 두께를 측정하는 시편에서 반사된 빛의 스펙트럼이 광 센서의 측정감도에 최적화되도록 파장영역별로 밝기가 제어된 광원 모듈 및 이를 이용한 박막두께 측정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light source module whose brightness is controlled for each wavelength region so that the spectrum of light reflected from a specimen is optimized for the sensitivity of the photosensor and a thin film thickness measuring apparatus using the same. More particularly, The spectrum of the light reflected from the specimen, which measures the thickness of the thin film on the basis of whether or not the reflected light is interfering with the wavelength of the light, A light source module whose brightness is controlled for each wavelength region so as to be optimized, and a thin film thickness measuring apparatus using the same.

반도체 제조 프로세스에는 박막을 성장시키거나 박막을 식각하는 공정이 포함된다. 이때 박막을 성장시키거나 식각하는 일이 박막 전 표면에서 균일하게 일어나지 않을 수 있다. 플라스마 분포가 균일하지 않은 이상 식각에 어느 정도의 불균일성은 필연적이기 때문이다. 물론 성장에도 동일한 불균일이 발생한다.The semiconductor manufacturing process includes a step of growing a thin film or etching a thin film. At this time, the growth or etching of the thin film may not occur uniformly on the entire surface of the thin film. This is because a certain degree of non-uniformity is inevitable for abnormal etching when the plasma distribution is not uniform. Of course, the same unevenness occurs in growth.

따라서 반도체 공정에서는 박막의 두께를 측정하고 제품을 가공하는 공정이 포함된다.Therefore, the semiconductor process includes a process of measuring the thickness of the thin film and processing the product.

도 1은 박막에 의한 간섭현상을 나타낸 도면이다. 시편(10) 상에 박막(20)을 코팅한 경우 박막(20)은 빛을 상단과 하단에서 각각 반사한다. 따라서 박막(20)의 두께에 비례한 경로차가 생긴다. 이 경로차가 빛의 파장의 정수배와 같으면 보강간섭이 일어나고 빛의 파장의 정수배보다 반파장만큼 길면 상쇄간섭이 일어난다.(자유단 반사의 경우) 반사광의 파장별 빛의 대소에 따라 보강간섭이 일어나는지 상쇄간섭이 일어나는지 알 수 있으므로, 보강간섭 또는 상쇄간섭이 일어나는 빛의 파장을 확인하는 방법으로 경로차를 계산할 수 있다.Fig. 1 is a diagram showing an interference phenomenon caused by a thin film. When the thin film 20 is coated on the test piece 10, the thin film 20 reflects light at the upper and lower sides, respectively. Therefore, a path difference in proportion to the thickness of the thin film 20 is generated. If the path difference is equal to an integral multiple of the wavelength of the light, constructive interference occurs, and if it is longer than the integral multiple of the wavelength of the light by half the wavelength, destructive interference occurs (free-end reflection). Since it is known whether interference occurs, the path difference can be calculated by a method of confirming the wavelength of the light in which the constructive interference or destructive interference occurs.

박막의 두께에 의하여 경로차가 발생하고 입사된 빛의 파장에 따라 경로차에 의한 보강 간섭 조건이 달라지므로 박막(20)의 두께는 반사광의 파장별 빛의 세기를 측정하는 방법으로 계산할 수 있다. 다시 말해서 박막(20)에 빛을 입사시키고, 반사광을 분광한 후 각 파장별 빛의 세기를 측정하는 방법으로 박막(20)의 두께를 측정할 수 있다.Since the path difference is caused by the thickness of the thin film and the condition of the constructive interference due to the path difference is changed according to the wavelength of the incident light, the thickness of the thin film 20 can be calculated by measuring the intensity of light according to the wavelength of the reflected light. In other words, the thickness of the thin film 20 can be measured by introducing light into the thin film 20, measuring the reflected light, and measuring the intensity of light according to each wavelength.

한편, 분광시 빛의 파장에 따라 광 센서(CCD; Charge Coupled Device)에 도달한 빛의 세기가 너무 낮으면 유효한 측정값을 얻을 수 없고, 빛의 세기가 너무 강하면 해당 영역의 광 센서가 포화되어 두께측정에 필요한 정보로 사용할 수가 없게 된다. 따라서 조사된 후 반사된 빛의 세기는 전체파장영역에서 균일한 것이 이상적이다.On the other hand, if the intensity of the light reaching the CCD (Charge Coupled Device) is too low according to the wavelength of light at the time of spectroscopy, the effective measurement value can not be obtained. If the intensity of light is too strong, It can not be used as information necessary for thickness measurement. Therefore, it is ideal that the intensity of the reflected light after irradiation is uniform in the entire wavelength range.

도 2는 기존의 박막의 두께를 측정하는 기기에 사용되는 광원의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.2 is a graph showing a spectrum of a light source used in an apparatus for measuring the thickness of a conventional thin film.

기존의 박막 두께를 측정하는 기기의 광원은 제논 램프와 듀트리움-할로겐 램프(Deuterium-Halogen lamp)이다. 도 (a)와 같은 제논 램프나 도 b)의 듀트리움-할로겐 램프는 내부에 차있는 기체의 발광 물성에 따라 스펙트럼이 정해져 있다. 이 스펙트럼은 도면에 보이는 바와 같이 기체의 발광 스펙트럼에 따라서 발광하는 빛의 스펙트럼 분포가 정해져 있으며, 이 스펙트럼의 형태를 조절하는 것이 불가능하다.Conventional thin film thickness measuring devices are Xenon lamps and Deuterium-Halogen lamps. The spectra of the xenon lamp as shown in Fig. 1 (a) and the ditolium-halogen lamp of Fig. 2 (b) are determined according to the luminous properties of the gas contained therein. In this spectrum, as shown in the figure, the spectrum distribution of the light emitted according to the emission spectrum of the gas is fixed, and it is impossible to control the shape of this spectrum.

기존의 발명으로 램프 형태의 광원을 활용하여 연속으로 측정하는 한국 공개 특허 1993-0013681과 같은 발명이 있으나 반사광의 파장별 세기를 제어하는 방법을 제시하지는 못하였다.Korean Unexamined Patent Application Publication No. 1993-0013681 discloses a method of continuously controlling the intensity of reflected light by using a lamp-shaped light source.

따라서, 파장과 관계없이 균일한 세기의 빛을 제공하는 광원 모듈 및 이 광원 모듈을 사용한 박막두께 측정장치의 개발이 필요하다.Accordingly, it is necessary to develop a light source module that provides light of uniform intensity regardless of wavelength and a thin film thickness measuring device using the light source module.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 광원에서 생성된 빛에서 특정 파장이 낮은 세기일 때 그 파장의 빛을 LED를 사용하여 강화함으로써 반사광이 파장별로 균일한 밝기를 갖는 광원 모듈 및 이를 이용한 박막두께 측정장치를 제공하고자 하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a light source module in which light of a specific wavelength is low in intensity generated by a light source, And a thin film thickness measuring device using the same.

또한, 빛의 발광 시점을 한정하여 노이즈가 적고 수명이 긴 반사광이 파장별로 균일한 밝기를 갖는 광원 모듈 및 이를 이용한 박막두께 측정장치를 제공하는데 그 목적이 있다.It is also an object of the present invention to provide a light source module in which the light emission time is limited and the reflected light having a small noise and long lifetime has uniform brightness for each wavelength and a thin film thickness measuring device using the same.

본 발명의 일 측면에 따르면, 박막이 형성된 시편에 광원이 생성한 빛을 조사하여 간섭이 일어나는 반사광의 파장을 측정하여 상기 시편 상에 형성된 상기 박막의 두께를 측정하는 박막두께 측정장치(Spectral Reflectometor)에 있어서, 서로 다른 파장을 가진 n(단, n은 1 이상의 정수)가지 종류의 LED를 포함하는 광원부;및 상기 광원부에 인가되는 전류를 조절하여 각 파장별로 동일한 밝기로 발광하도록 제어하는 제어부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막두께 측정장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a thin film thickness measuring apparatus (Spectral Reflectometer) for measuring the thickness of the thin film formed on a specimen by measuring the wavelength of reflected light by irradiating light generated by the light source onto the thin film formed specimen, A light source unit including n LEDs having different wavelengths (n is an integer equal to or greater than 1) having different wavelengths, and a control unit controlling the current applied to the light source unit to emit light of the same brightness for each wavelength; And a thickness measurement unit for measuring a thickness of the thin film.

여기서, 상기 광원부는, 제논 램프를 더 포함할 수 있다.Here, the light source unit may further include a xenon lamp.

여기서, 상기 제어부는, 상기 LED와 상기 제논 램프가 상기 박막의 두께를 측정하는 순간에만 발광하도록 제어하며, 상기 LED와 상기 제논 램프가 일정한 밝기로 수렴한 후에 상기 박막의 두께를 측정하도록 제어할 수 있다.Here, the controller controls the LED and the xenon lamp to emit light only when the thickness of the thin film is measured, and controls the thickness of the thin film to be measured after the LED and the xenon lamp converge to a predetermined brightness have.

여기서, 상기 제어부는, 상기 광원부가 상기 박막의 두께를 측정하는 순간에만 발광하도록 제어할 수 있다.Here, the control unit may control the light source unit to emit light only at the moment when the thickness of the thin film is measured.

여기서, 상기 광원이 생성한 빛을 일단에서 수집하는 광 섬유를 더 포함할 수 있다.Here, the optical fiber may further include optical fibers collecting the light generated by the light source at one end.

여기서, 상기 광 섬유의 일단에 상기 광원이 생성한 빛을 집광하는 광 깔때기를 더 포함할 수 있다.Here, the optical fiber may further include an optical funnel for condensing the light generated by the light source at one end of the optical fiber.

여기서, 상기 광 깔때기는, 일측이 타측에 비해 넓은 유선형의 광섬유일 수 있다.Here, the optical funnel may be a streamlined optical fiber having one side thereof wider than the other side thereof.

여기서, 상기 광 섬유의 타단이 상기 시편을 향할 수 있다.Here, the other end of the optical fiber may be directed to the specimen.

여기서, 상기 시편에 평행한 빛을 조사하도록 상기 광 섬유의 타단에 콜리메이팅(Collimating) 광학계가 추가로 구비될 수 있다.Here, a collimating optical system may be further provided at the other end of the optical fiber to irradiate light parallel to the specimen.

여기서, 상기 광 섬유는 상기 시편에 수직으로 구비되며, 상기 광 섬유에 수용구를 더 구비하여 반사된 빛을 상기 수용구로 수집할 수 있다.Here, the optical fiber is provided perpendicularly to the specimen, and the optical fiber may further include a receiving port to collect the reflected light into the receiving port.

여기서, 상기 수용구는 분광분석기에 연결될 수 있다.Here, the receptacle may be connected to a spectroscopic analyzer.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 서로 다른 파장을 가진 n(단, n은 1 이상의 정수)가지 종류의 LED를 포함하는 광원부;및 각 파장별로 동일한 밝기로 발광하도록 상기 광원부에 인가되는 전류를 제어하는 제어부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light source device including a light source section including n types of LEDs having different wavelengths (n is an integer of 1 or more), and a light source section for controlling currents applied to the light source section A control unit; The light source module includes a light source module and a light source module.

여기서, 상기 광원부는 제논 램프를 더 포함할 수 있다.Here, the light source unit may further include a xenon lamp.

여기서, 상기 광원부의 빛을 유도하는 광 섬유를 구비할 수 있다.Here, optical fibers for guiding light of the light source unit may be provided.

여기서, 상기 광 섬유의 일단에 상기 광원부가 생성한 빛을 집광하는 광 깔때기를 더 포함할 수 있다.The optical fiber may further include an optical funnel for condensing light generated by the light source unit at one end of the optical fiber.

여기서, 상기 광 깔때기는, 일측이 타측에 비해 넓은 유선형의 광섬유일 수 있다.Here, the optical funnel may be a streamlined optical fiber having one side thereof wider than the other side thereof.

이상에서 살펴본 본 발명에 의하면, 광원에 파장이 다른 LED를 구비함으로써 넓은 범위의 파장을 가진 빛을 생성하는 효과가 있다.According to the present invention, LEDs having different wavelengths are provided in the light source, thereby generating light having a wide range of wavelengths.

또한, 다양한 파장의 LED에 흐르는 전류량을 반사광을 기준으로 각각 제어함으로써, 파장별 빛의 세기를 균일하게 제어하는 효과가 있다.In addition, the amount of current flowing through the LEDs having various wavelengths is controlled based on the reflected light, thereby controlling the intensity of light for each wavelength uniformly.

도 1은 박막에 의한 간섭현상을 나타낸 도면이다.
도 2는 기존의 박막의 두께를 측정하는 기기에 사용되는 광원의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 LED의 스펙트럼 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈의 구성도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부의 구성도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 섬유와 발광체를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 조사부와 콜리메이팅 광학계(Collimator)를 나타낸 도면이다.Fig. 1 is a diagram showing an interference phenomenon caused by a thin film.
2 is a graph showing a spectrum of a light source used in an apparatus for measuring the thickness of a conventional thin film.
3 is a spectral graph of an LED according to an embodiment of the present invention.
4 is a configuration diagram of a light source module according to an embodiment of the present invention.
5 is a configuration diagram of a control unit according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing an optical fiber and a light emitting body according to an embodiment of the present invention.
7 is a view illustrating a light irradiating unit and a collimating optical system according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 이때 도면에 도시되고 또 이것에 의해서 설명되는 본 발명의 구성과 작용은 적어도 하나의 실시예로서 설명되는 것이며, 이것에 의해서 본 발명의 기술적 사상과 그 핵심 구성 및 작용이 제한되지는 않는다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to designate the same or similar components throughout the drawings. The structure and operation of the present invention shown in the drawings and described by the drawings are described as at least one embodiment, and the technical ideas and the core structure and operation of the present invention are not limited thereby.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 LED의 스펙트럼 그래프이다.3 is a spectral graph of an LED according to an embodiment of the present invention.

가로축은 파장을 나타내고 세로축은 빛의 세기를 나타낸다. LED(430)는 각각의 밴드갭 에너지에 해당하는 파장을 피크로 하는 파장의 빛을 방출한다. 특히 백색 LED(430)는 400nm에서 600nm 사이에 넓고 균일한 세기의 빛을 생산하도록 제작되었고, UV 및 IR LED도 다양한 파장의 빛을 생산할 수 있도록 제작되었다. 따라서 이들의 조합 또는 세기 조절을 통해 자외선과 적외선을 포함하여, 넓은 파장 범위에서 균일한 밝기의 빛을 생성할 수 있다.The horizontal axis represents the wavelength and the vertical axis represents the intensity of light. The LED 430 emits light having a wavelength corresponding to a wavelength corresponding to each band gap energy. In particular, the white LED 430 is manufactured to produce a wide and uniform intensity of light between 400 nm and 600 nm, and UV and IR LEDs are also manufactured to produce light of various wavelengths. Therefore, it is possible to generate light of uniform brightness over a wide wavelength range, including ultraviolet rays and infrared rays, through their combination or intensity control.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈의 구성도이다.4 is a configuration diagram of a light source module according to an embodiment of the present invention.

광원 모듈(400)은 제어부(410)와 광원부(440)를 포함한다. 이때 광원부(440)는 LED(430)일 수 있으며, 제논 램프(420)를 더 포함할 수 있다.The light source module 400 includes a control unit 410 and a light source unit 440. At this time, the light source unit 440 may be an LED 430 and may further include a xenon lamp 420.

LED(430)만으로 광원부(440)를 구성할 경우 LED(430) 각각의 밝기를 조절하여 파장별로 균일한 밝기를 유지할 수 있다.When the light source unit 440 is composed of only the LEDs 430, the brightness of each of the LEDs 430 can be adjusted to maintain uniform brightness for each wavelength.

제논 램프(420)를 병용할 경우, 제논 램프(420)는 전체적인 파장 영역에서 기준광원으로 사용되고, LED(430)는 제논 램프(420)에서 생성된 빛 중 낮은 세기의 파장영역을 보완하는 역할을 한다. 제논 램프(420) 스스로는 LED(430)와 달리 파장별 세기를 조절할 수 없기 때문이다. LED(430)는 다양한 파장의 빛을 발생하는 것으로 구비하여 각각 제어할 수 있다. 이때 제어하는 값은 기설정된 값이라면 어떠한 값도 무방하다. 예컨대, 반사광이 너무 낮아서 측정이 어렵다면, 해당 파장의 LED를 더 강하게 발광하도록 제어할 수 있다. 다시 말해서, 반사광의 스펙트럼이 반사광을 측정하고 분석하는 광 센서가 측정감도에 최적화되도록 광원의 파장영역별 세기를 제어할 수 있다.When the xenon lamp 420 is used in combination, the xenon lamp 420 is used as a reference light source in the entire wavelength region, and the LED 430 serves to complement the low intensity wavelength region of the light generated in the xenon lamp 420 do. Unlike the LED 430, the xenon lamp 420 itself can not control intensity by wavelength. The LEDs 430 are provided to emit light of various wavelengths and can be controlled. The value to be controlled may be any value as long as it is a predetermined value. For example, if the reflected light is too low to be measured, it is possible to control the LED of the corresponding wavelength to emit stronger light. In other words, the intensity of the reflected light can be controlled by the wavelength region of the light source so that the optical sensor for measuring and analyzing the reflected light is optimized for the measurement sensitivity.

LED(430)만으로 구성하여도 원하는 파장 대역의 빛을 균일하게 생성할 수 있으나, 기존의 제논 램프(420)를 사용한 박막(20) 두께 측정기와 호환할 수 있기 위하여 제논 램프(420)를 더 구비할 수 있다. 제논 램프(420)는 그 자체만으로 특정 파장을 제외하고 비교적 균일한 파장의 빛을 생성하므로, 한두 LED(430)가 오작동하여도 비교적 균일한 파장의 빛을 보장할 수 있다.The Xenon lamp 420 may be further provided so as to be compatible with the thin film thickness measuring apparatus using the conventional Xenon lamp 420. In this case, can do. The xenon lamp 420 alone generates light of a relatively uniform wavelength except for a specific wavelength so that light of relatively uniform wavelength can be assured even if one or two LEDs 430 malfunction.

여기서 파장별로 균일하게 생성된 빛은 엄밀한 의미의 동일한 크기의 밝기를 의미하지 않는다. 오차가 발생한다고 하더라도, 빛이 부존재하는 영역의 파장을 보완하기 위하여 LED를 구비하고 밝기를 제어하는 구조를 의미한다. 파장별 반사광의 평균강도보다 약 25% 내외의 오차가 발생한다 하더라도 분광 분석에 문제가 없으므로 본 발명의 광원으로 사용할 수 있다. 따라서 25%내외의 오차가 발생하는 파장별 동일한 세기의 빛을 제공하는 광원일지라도 다양한 파장의 LED와 제어장치를 사용하여 빛을 생성한다면 본 발명의 권리범위에 속한다 할 것이다.Here, light generated uniformly by wavelength does not mean the same size of brightness in a strict sense. Even if an error occurs, it means a structure in which an LED is provided and brightness is controlled in order to compensate for the wavelength of a region in which light is absent. Even if an error of about 25% or more is generated from the average intensity of the reflected light by wavelength, there is no problem in spectral analysis, so that it can be used as a light source of the present invention. Therefore, even if a light source providing light of the same intensity per wavelength generating an error of about 25%, generating light by using LEDs and control devices of various wavelengths will be within the scope of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부의 구성도이다.5 is a configuration diagram of a control unit according to an embodiment of the present invention.

제어부(410)는 마이크로프로세서(510), 디지털/아날로그 변환기(520, 이하 D/A 변환기) 및 각 발광체별로 할당된 채널(530)을 포함한다.The controller 410 includes a microprocessor 510, a digital-to-analog converter 520 (hereinafter referred to as a D / A converter), and a channel 530 allocated to each light emitter.

마이크로프로세서(510)는 연산장치로부터 제어신호를 입력받아서 디지털 제어신호로 변환한다. 제어신호는 각 파장별로 균일한 밝기를 갖도록 기설정된 값일 수 있으며, 반사광의 밝기를 기준으로 되먹임을 통해 조절된 신호일 수 있다. 따라서 분광분석기와 같은 장치가 반사광을 분광하고 분석할 때, 파장별 세기가 너무 낮거나 높다면 이를 조절할 수 있도록 신호를 입력받아서 기설정된 광원부의 세기로 제어신호가 결정될 수 있다.The microprocessor 510 receives a control signal from the computing device and converts it into a digital control signal. The control signal may be a predetermined value to have a uniform brightness for each wavelength and may be a signal adjusted by feedback based on the brightness of the reflected light. Therefore, when a device such as a spectrometer analyzes and analyzes reflected light, if the intensity per wavelength is too low or high, the control signal can be determined based on the intensity of the predetermined light source by receiving a signal to control the intensity.

연속적인 되먹임이어도 무방하나, 시편에 1차적으로 빛을 조사하여 한 번만 재조정할 수 있다. 다시 말해서, 디지털 제어신호는 채널(530)을 특정하는 신호와 파장별 반사광의 세기가 기설정된 영역에 있도록 각 채널(530)별 빛의 세기를 결정하는 전류량제어 또는 PWM(Pulse Width Modulation)제어에 관한 신호일 수 있다.Continuous feedback is possible, but the specimen can be readjusted only once by irradiating it with light. In other words, the digital control signal is controlled by current amount control or PWM (Pulse Width Modulation) control for determining the intensity of light for each channel 530 so that the intensity of the signal specifying the channel 530 and the intensity of the reflected light for each wavelength are in a predetermined range ≪ / RTI >

D/A 변환기(520)는 디지털 제어신호에 포함된 채널(530)을 특정하는 신호에 따라 해당하는 채널(530)에 흐르는 전류량에 관한 신호를 아날로그 신호(전류량 또는 전압 등)로 변환하여 전달한다.The D / A converter 520 converts a signal related to the amount of current flowing in the corresponding channel 530 into an analog signal (current amount or voltage, etc.) according to a signal specifying the channel 530 included in the digital control signal .

채널(530)은 각 발광체별로 할당된다. 채널(530)은 개념에 불과할 뿐 실제로는 신호를 전달하는 도선으로 구현된다. 채널(530)별로 아날로그 신호가 입력되면 해당 신호에 맞는 전류를 발광체에 인가하여 밝기를 제어한다.A channel 530 is allocated for each emitter. The channel 530 is implemented as a conductor that carries only a concept but actually transmits a signal. When an analog signal is input for each channel 530, a current corresponding to the analog signal is applied to the light emitting body to control the brightness.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 섬유와 발광체를 나타낸 도면이다.6 is a view showing an optical fiber and a light emitting body according to an embodiment of the present invention.

광 섬유(600)는 LED 광원 연결부(610)와 광 조사부(620)를 포함한다. 광 조사부(620)는 빛을 조사하는 조사구(640)와 빛을 수용하는 수용구(650)를 포함한다. 발광체에서 발생한 빛은 광 섬유(600)의 LED 광원 연결부(610)에 유기된다. LED(430)에서 발생하여 LED 광원 연결부(610)를 통해 유기된 빛은 조사구(640)를 통해 방출되며, 수용구(650)를 통해 수용된 빛은 LED 광원 연결부(610)를 통해 분광분석기(630)로 방출된다. 수용구(650)는 수광용 광 섬유(600)를 별개로 구비할 수도 있지만, 조사구(640)와 수용구(650)는 같은 방향을 향하는 편이 조사구(640)에서 방출된 빛이 수용구(650)로 직접 전달되는 것을 막을 수 있어서 유리하다. 본 실시예에서는 조사구(640)의 가운데에 수용구(650)를 구비한 것을 예로 들었다.The optical fiber 600 includes an LED light source connection portion 610 and a light irradiation portion 620. The light irradiation unit 620 includes an irradiation port 640 for irradiating light and a receiving port 650 for receiving light. Light emitted from the light emitting body is emitted to the LED light source connecting portion 610 of the optical fiber 600. The light emitted from the LED 430 and emitted through the LED light source connection portion 610 is emitted through the irradiation port 640 and the light received through the receiving port 650 passes through the LED light source connection portion 610, 630). The receiving port 650 may be provided separately from the receiving optical fiber 600 so that the irradiation port 640 and the receiving port 650 are arranged such that the light emitted from the irradiation port 640, It is advantageous to prevent direct transmission to the second electrode 650. In this embodiment, the receiving port 640 is provided with a receiving port 650 at the center thereof.

LED(430)는 광원 모듈(400)에 함께 구비되는 것이 일반적인 설계방법일 것이므로 LED 광원 연결부(610)에 함께 구비하는 것이 바람직하지만, 분광분석기(630)가 별개의 장치로 구비된다면 수용구(650)에서 연결된 선은 별개의 선으로 나뉠 수 있다.It is preferable that the LEDs 430 are provided together in the LED light source connection part 610 because they are included in the light source module 400. However, if the spectroscopic analyzer 630 is provided as a separate device, ), The connected lines can be divided into separate lines.

일반적으로 빛의 경로차가 매우 중요하여 파장에 관계없이 동일한 경로로 빛이 이동하기를 바라는 경우 집광을 위해 렌즈 또는 반사경을 사용하는 것이 바람직하다. 그러나 LED(430)와 LED 광원 연결부(610) 사이와 같이 좁은 영역에 광각으로 퍼지는 빛을 집광해야 하는 경우 부득이하게 렌즈를 사용해야 할 필요도 있다. 본 발명에서는 광 깔때기(660)를 사용하여 집광시키는 방법을 제안한다.Generally, if the light path difference is very important, and it is desired that the light travels in the same path regardless of wavelength, it is preferable to use a lens or a reflector for collecting light. However, in a case where the light spreading at a wide angle in a narrow region, such as between the LED 430 and the LED light source connection portion 610, needs to be inevitably used. In the present invention, a method of condensing light using an optical funnel 660 is proposed.

광 깔때기(660)는 일측이 넓고 타측이 좁게 구성된 유선형의 광섬유이다. 이때 일측과 타측은 연마되어 빛이 쉽게 투과될 수 있고, 일측과 타측을 연결한 부분은 일반적인 광섬유와 같이 전반사가 일어나도록 서로 다른 굴절률의 소재로 코팅될 수 있다. 광 깔때기(660)의 일측에 빛이 유기되면, 전반사를 통해 타측으로 빠져나오므로, 일측과 타측의 면적비 만큼 집광되는 효과를 갖는다. 따라서 렌즈 없이 전반사만으로 좁은 영역에서 빛을 집광시킬 수 있다. 또한, 기존에는 LED 하나에 광섬유 하나를 배치하여 빛을 전달하였으나, 광 깔때기(660)를 사용하면 다수의 LED에서 발생하는 빛을 하나의 광섬유에 손쉽게 집광할 수 있다.The optical funnel 660 is a streamlined optical fiber which is wide on one side and narrow on the other side. At this time, one side and the other side can be polished so that light can be easily transmitted, and a part connecting one side and the other side can be coated with materials having different refractive indexes such that total reflection occurs like a general optical fiber. When light is emitted to one side of the optical funnel 660, the light is extracted through the total reflection to the other side, so that the light is condensed by an area ratio of one side and the other side. Therefore, light can be condensed in a narrow area without total reflection of the lens. Conventionally, one optical fiber is disposed on one LED to transmit light. However, when the optical funnel 660 is used, light generated from a plurality of LEDs can be easily condensed on one optical fiber.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 조사부와 콜리메이팅 광학계(Collimator)를 나타낸 도면이다.7 is a view illustrating a light irradiating unit and a collimating optical system according to an embodiment of the present invention.

콜리메이팅 광학계(710)는 점파원에서 방출된 빛을 평행광으로 변환하는 역할을 한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 일정 영역의 범위에 빛을 조사하고 그 반사광을 분석하여 평균 두께를 측정하므로 콜리메이팅 광학계(710)는 빛을 분산하는 부수적인 역할도 함께 수행한다. 콜리메이팅 광학계(710)는 광 조사부(620)를 점파원으로 보았을 때, 광 조사부(620)의 위치를 초점으로 하는 렌즈의 일부분일 수 있다. 이 경우 빛이 투과되는 방향으로 평행한 빛이 조사된다. 콜리메이팅 광학계(710)는 조사된 빛을 평행광으로 변환할 뿐 아니라 평행하게 들어오는 반사광을 광 조사부(620)로 모아주는 역할도 한다.The collimating optical system 710 serves to convert light emitted from the point source into parallel light. According to an exemplary embodiment of the present invention, the collimating optical system 710 also performs an incidental role of dispersing light, by irradiating light to a range of a predetermined area and analyzing the reflected light to measure an average thickness. The collimating optical system 710 may be a part of a lens focusing on the position of the light irradiation part 620 when the light irradiation part 620 is viewed as a point source. In this case, parallel light is emitted in a direction in which light is transmitted. The collimating optical system 710 not only converts the irradiated light into parallel light, but also collects reflected light coming in parallel into the light irradiating unit 620.

막 두께 측정 장치는 광원 모듈(400)과 분광분석기(630)를 포함하며, 광원 모듈(400)로부터 빛을 전달하는 광 섬유(600)와 콜리메이팅 광학계(710) 및 연산기가 더 포함될 수 있다.The film thickness measuring apparatus includes a light source module 400 and a spectroscopic analyzer 630 and may further include an optical fiber 600 for transmitting light from the light source module 400, a collimating optical system 710, and a calculator.

광원 모듈(400)은 다양한 파장을 가진 n가지 종류의 LED(430)와 이 LED(430)에 인가되는 전류를 조절하여 각 파장별로 동일한 밝기로 발광하도록 제어하는 제어부(410)가 더 포함될 수 있다. 광원 모듈(400)에는 제논 램프(420)가 LED(430)에 포함하여 구비될 수 있다.The light source module 400 may further include n types of LEDs 430 having various wavelengths and a control unit 410 for controlling the currents applied to the LEDs 430 to emit light of the same brightness for each wavelength . A xenon lamp 420 may be included in the LED 430 in the light source module 400.

측정되는 내내 발광체가 발광한다면 발광체의 수명이 짧아지기 때문에 제어부(410)는 두께를 측정하는 순간에만 발광하도록 발광체들을 제어할 수 있다. 이때 제논 램프(420)와 LED(430)가 함께 구비된 경우 제논 램프(420)와 LED(430)는 빛의 세기가 최고점에 도달하는 시점이 다르므로 측정이 일어나는 시점에 맞도록 발광 시점을 제어할 수 있다. 일반적으로 LED(430)에 비해 제논 램프(420)의 반응시간이 더 길다. 따라서 제논 램프(420)의 제어시점이 LED(430) 보다 조금 이르게 설정할 수 있다.If the luminous body emits light throughout the measurement, the life of the luminous body is shortened, so that the control unit 410 can control the luminous bodies to emit light only at the moment of measuring the thickness. In this case, when the xenon lamp 420 and the LED 430 are provided together, the time point at which the intensity of the light reaches the peak of the xenon lamp 420 and the LED 430 is different. Therefore, can do. Generally, the reaction time of the xenon lamp 420 is longer than that of the LED 430. Therefore, the control point of the xenon lamp 420 can be set slightly earlier than the LED 430.

광원 모듈(400)로부터 빛을 전달하는 광 섬유(600)는 일단에 LED 광원 연결부(610)를 구비하여 LED(430)나 제논 램프(420)에서 방출된 빛을 유기할 수 있다. 광 섬유(600)는 타단에 광 조사부(620)를 구비하여 시편(10)을 향해 빛이 방출되도록 설치될 수 있다. 광원 모듈(400)과 광 섬유(600)의 LED 광원 연결부(610) 사이에 광 깔때기(660)를 구비하여 빛이 추가로 집광되는 효과를 도모할 수 있다.The optical fiber 600 for transmitting light from the light source module 400 may include an LED light source connection part 610 at one end to emit light emitted from the LED 430 or the Xenon lamp 420. The optical fiber 600 may include a light irradiating unit 620 at the other end thereof to emit light toward the specimen 10. An optical funnel 660 may be provided between the light source module 400 and the LED light source connecting portion 610 of the optical fiber 600 so that light is further condensed.

광 조사부(620)는 콜리메이팅 광학계(710)를 향해 빛을 방출하여 평행광으로 변환하고 시편(10)에 빛을 조사할 수 있다. 이 평행광은 시편(10)을 향해 수직으로 조사되어 패턴이 형성된 시편(10)의 두께가 정확히 측정되도록 할 수 있다.The light irradiation unit 620 emits light toward the collimating optical system 710, converts the light into parallel light, and irradiates the light to the specimen 10. The parallel light is irradiated vertically toward the test piece 10, so that the thickness of the test piece 10 on which the pattern is formed can be accurately measured.

광 조사부(620)에는 빛을 조사하는 조사구(640)와 빛이 수용되는 수용구(650)를 함께 구비하는 것이 바람직하지만, 수용구(650)는 광원 모듈(400)이 아닌 분광분석기(630)로 연결될 수 있다.It is preferable that the light irradiating unit 620 is provided with an irradiation port 640 for irradiating light and a receiving port 650 for receiving light. However, the receiving port 650 is provided not to the light source module 400 but to the spectral analyzer 630 ).

분광분석기(630)는 빛을 입력받아서 파장별로 분광하여 각각의 세기를 측정한다. 분광분석기(630)로부터 정보를 입력받은 연산기는 측정된 결과를 분석하여 보강 간섭이 일어난 파장과 상쇄간섭이 일어난 파장을 검출하여, 시편(10)에 생성된 박막(20)의 두께를 측정한다. 이때 박막(20)을 형성하기 전의 시편(10)에 빛을 비추어 반사된 값을 참조값으로 이용하여 보강간섭 및 상쇄간섭 여부를 확인할 수 있다.The spectroscopic analyzer 630 receives the light and spectroscopically measures the intensity of each of the wavelengths. The operator having received the information from the spectroscope analyzer 630 analyzes the measured result to detect a wavelength at which the constructive interference occurs and a wavelength at which the destructive interference occurs and measures the thickness of the thin film 20 generated in the test piece 10. At this time, light reflected on the specimen 10 before the thin film 20 is formed can be used as a reference value to confirm whether constructive interference and destructive interference exist.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, Modification is possible.

따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명의 사상적 범주에 속한다.Accordingly, it is intended that the scope of the invention be defined solely by the claims appended hereto, and that all equivalents or equivalent variations thereof fall within the spirit and scope of the invention.

10: 시편 20: 박막
130: 박막 표면 반사광 140: 시편 표면 반사광
400: 광원 모듈 410: 제어부
420: 제논 램프 430: LED
440: 광원부 510: 마이크로프로세서
520: 디지털/아날로그 변환기 530: 채널
600: 광 섬유 610: LED 광원 연결부
620: 광 조사부 630: 분광분석기
640: 조사구 650: 수용구
660: 광 깔때기 710: 콜리메이팅 광학계10: Specimen 20: Thin film
130: Thin film surface reflection light 140: Specular surface reflection light
400: light source module 410: control unit
420: Xenon lamp 430: LED
440: Light source unit 510: Microprocessor
520: digital / analog converter 530: channel
600: optical fiber 610: LED light source connection
620: light irradiator 630: spectrometer
640: Investigation area 650: Receiving area
660: Optical funnel 710: Collimating optical system

Claims (16)

박막이 형성된 시편에 광원이 생성한 빛을 조사하여 상기 시편에서 반사된 빛의 스펙트럼을 광 센서로 분석하여 상기 시편 상에 형성된 상기 박막의 두께를 측정하는 박막두께 측정장치(Spectral Reflectometor)에 있어서,
서로 다른 파장을 가진 n(단, n은 1 이상의 정수)가지 종류의 LED를 포함하는 광원부; 및
상기 광원부에 인가되는 전류를 조절하여 상기 스펙트럼의 밝기가 상기 광 센서의 측정감도에 최적화되도록 상기 광원부의 발광을 제어하는 제어부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막두께 측정장치.A thin film thickness measuring apparatus (Spectral Reflectometer) for measuring a thickness of the thin film formed on a specimen by irradiating light generated by a light source onto the thin film formed specimen and analyzing the spectrum of the light reflected from the specimen with an optical sensor,
A light source section including n types of LEDs having different wavelengths (n is an integer of 1 or more); And
A control unit for controlling the light emission of the light source unit by adjusting the current applied to the light source unit so that the brightness of the spectrum is optimized to the measurement sensitivity of the optical sensor;
And the thickness of the thin film is measured. 제1항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 광원부가 상기 박막의 두께를 측정하는 순간에 최대 밝기가 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 박막두께 측정장치.The method according to claim 1,
Wherein,
Wherein the control unit controls the light source unit to have a maximum brightness at a moment of measuring the thickness of the thin film. 제1항에 있어서,
상기 광원부는, 제논 램프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막두께 측정장치.The method according to claim 1,
Wherein the light source unit further comprises a xenon lamp. 제3항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 LED와 상기 제논 램프가 상기 박막의 두께를 측정하는 순간에만 발광하도록 제어하며, 상기 LED와 상기 제논 램프가 일정한 밝기로 수렴한 후에 상기 박막의 두께를 측정하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 박막두께 측정장치.The method of claim 3,
Wherein,
Wherein the controller controls the LED and the xenon lamp to emit light only when the thickness of the thin film is measured, and controls the thickness of the thin film to be measured after the LED and the xenon lamp converge to a predetermined brightness. Device. 제1항에 있어서,
상기 광원이 생성한 빛을 일단에서 수집하는 광 섬유를 더 포함하고, 상기 광 섬유의 일단에 상기 광원이 생성한 빛을 집광하는 광 깔때기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막두께 측정장치.The method according to claim 1,
Further comprising an optical fiber for collecting the light generated by the light source at one end, and an optical funnel for condensing the light generated by the light source at one end of the optical fiber. 제5항에 있어서,
상기 광 깔때기는, 일측이 타측에 비해 넓은 유선형의 광섬유인 것을 특징으로 하는 박막두께 측정장치.6. The method of claim 5,
Wherein the optical funnel is a streamlined optical fiber having one side thereof wider than the other side thereof. 제5항에 있어서,
상기 광 섬유의 타단이 상기 시편을 향하는 것을 특징으로 하는 박막두께 측정장치.6. The method of claim 5,
And the other end of the optical fiber faces the specimen. 제7항에 있어서,
상기 시편에 평행한 빛을 조사하도록 상기 광 섬유의 타단에 콜리메이팅(Collimating) 광학계가 추가로 구비되는 것을 특징으로 하는 박막두께 측정장치.8. The method of claim 7,
And a collimating optical system is further provided at the other end of the optical fiber to irradiate light parallel to the specimen. 제7항에 있어서,
상기 광 섬유는 상기 시편에 수직으로 구비되며, 상기 광 섬유의 타단에 수용구를 더 구비하여 반사된 빛을 상기 수용구로 수집하는 것을 특징으로 하는 박막두께 측정장치.8. The method of claim 7,
Wherein the optical fiber is vertically provided to the specimen and further comprises a receiving port at the other end of the optical fiber to collect the reflected light into the receptacle. 제9항에 있어서,
상기 수용구는 분광분석기에 연결되는 것을 특징으로 하는 박막두께 측정장치.10. The method of claim 9,
Wherein the receptacle is connected to a spectroscopic analyzer. 제10항에 있어서,
상기 분광분석기는, 상기 반사된 빛을 분광하고 분석하여, 상기 반사된 빛의 스펙트럼이 광 센서의 측정 감도에 최적화되도록 계산된 상기 광원부의 세기를 상기 제어부에 전달하는 것을 특징으로 하는 박막두께 측정장치.11. The method of claim 10,
Wherein the spectroscopic analyzer spectroscopically analyzes the reflected light and transmits the intensity of the light source section calculated to optimize the spectrum of the reflected light to the sensitivity of the photosensor to the controller. . 서로 다른 파장을 가진 n(단, n은 1 이상의 정수)가지 종류의 LED를 포함하는 광원부; 및
각 파장별로 기 설정된 밝기로 발광하도록 상기 광원부에 인가되는 전류를 제어하는 제어부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.A light source section including n types of LEDs having different wavelengths (n is an integer of 1 or more); And
A control unit for controlling a current applied to the light source unit so as to emit light with a predetermined brightness for each wavelength;
The light source module comprising: 제12항에 있어서,
상기 광원부는 제논 램프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.13. The method of claim 12,
Wherein the light source unit further comprises a xenon lamp. 제12항에 있어서,
상기 광원부의 빛을 유도하는 광 섬유를 구비하고, 상기 광 섬유의 일단에 상기 광원부가 생성한 빛을 집광하는 광 깔때기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.13. The method of claim 12,
Further comprising an optical fiber for guiding light of the light source unit, and an optical funnel for condensing the light generated by the light source unit at one end of the optical fiber. 제14항에 있어서,
상기 광 깔때기는, 일측이 타측에 비해 넓은 유선형의 광섬유인 것을 특징으로 하는 광원 모듈.15. The method of claim 14,
Wherein the optical funnel is a streamlined optical fiber having one side thereof wider than the other side thereof. 제12항에 있어서,
상기 기설정된 밝기는 입력신호에 따라 제어되는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.13. The method of claim 12,
Wherein the predetermined brightness is controlled according to an input signal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20190011593A (en) * 2017-07-25 2019-02-07 삼성전자주식회사 Spectrum measurement apparatus and method
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