KR20150077121A - Apparatus for processing flexible substrate and method of processing flexible substrate using the same - Google Patents

Apparatus for processing flexible substrate and method of processing flexible substrate using the same Download PDF

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Abstract

A flexible substrate processing device according to the present invention provides; a processing chamber; a supply roll which is located inside the processing chamber and supplies a flexible substrate processed in the processing chamber; a collection roll to collect the flexible substrate; a gas supply unit to supply processing gas in the processing chamber; a rotation stage which is installed inside the processing chamber to be able to rotate and support the flexible substrate which is consecutively provided while a placing area formed along the outer circumference surface is rotated; one or more heating members which are arranged in the inner side of the placing area of the rotation stage and transfer heat to the flexible substrate by discharging the heat to the outer circumference surface of the rotation stage; a bias electrode which is installed in the rotation stage to which a bias power source is applied; and a plasma generation unit having an external electrode is formed on a curved surface facing the placing area of the rotation stage. According to the present invention, productivity can be improved by using a roll-to-toll mode and damage by foreign substances can be prevented by performing the transfer and processing in a space in which a flexible substrate processing is performed at the same time. Therefore, the quality of a product can be improved.

Description

플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법{APPARATUS FOR PROCESSING FLEXIBLE SUBSTRATE AND METHOD OF PROCESSING FLEXIBLE SUBSTRATE USING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a flexible substrate processing apparatus and a flexible substrate processing method using the flexible substrate processing apparatus and a flexible substrate processing method using the flexible substrate processing apparatus. ≪ Desc / Clms Page number 1 >

본 발명은, 플렉시블 기판 처리장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플렉시블 기판을 롤투롤(Roll To Roll) 방식으로 처리하는 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a flexible substrate processing apparatus and method, and more particularly, to a flexible substrate processing apparatus that processes a flexible substrate by a roll-to-roll method and a flexible substrate processing method using the same.

플렉시블 기판은 최근 전자 부품과 부품 내장 기술의 발달에 의하여 수요가 지속적으로 성장하고 있으며, 우수한 화면 및 처리속도로 인하여 카메라, 휴대폰, 프린터, 액정표시장치 등에 이용되는 차세대 기술로 평가되며 전세계적으로 연구가 활발히 이루어지고 있다.In recent years, demand for flexible substrates has been growing steadily due to the development of electronic components and component integration technologies. As a result of its excellent screen and processing speed, it is evaluated as a next generation technology used in cameras, mobile phones, printers, liquid crystal display devices, .

또한, 롤투롤(Roll To Roll) 방식은 공급롤에 의해 플렉시블 기판을 공급하고 상기 플렉시블 기판 상의 다양한 소자층을 형성한 후에, 회수롤을 통해 플렉시블 기판을 회수하는 방식으로, 공정의 연속적 진행을 이루어 기존의 방식에 비하여 제조단가를 낮출 수 있으며 대량생산이 가능한 이점이 있다.In the roll-to-roll method, a flexible substrate is supplied by a supply roll, various element layers are formed on the flexible substrate, and then the flexible substrate is recovered through a recovery roll, The manufacturing cost can be lowered compared to the conventional method and there is an advantage that mass production can be performed.

이러한, 플렉시블 제조 방법에 대해서는 등록특허 10-1291703호에 개시된 바 있다. 그러나 상기 롤투롤에 의한 플렉시블 제조 방법은 개방된 공간에서 다수의 롤러가 구비되어 장폭 및 단폭 제조용 필름을 공급할 수 있는 구성에 해당하고, 기판이 처리되는 과정이 회전하는 곡면 형상의 스테이지에서 이루어지지 않는다. 따라서 이와 같은 공정에 의하면 개방된 공간에서 기판의 이송 및 처리가 이루어져서 이물질이 공정 공간으로 유입되고 이로 인하여 기판의 품질이 저하되는 문제점 및 인라인 연속 공정이 제대로 이루어지지 않은 문제점이 발생한다.Such a flexible manufacturing method is disclosed in Japanese Patent No. 10-1291703. However, the flexible manufacturing method by roll-to-roll corresponds to a configuration in which a plurality of rollers are provided in an open space to supply a film for manufacturing a long width and a short width, and the process of processing the substrate is not performed in a rotating curved stage . Therefore, according to such a process, the substrate is transferred and processed in the open space, so that the foreign matter flows into the process space, thereby deteriorating the quality of the substrate, and the inline continuous process is not properly performed.

등록특허 제10-1291703호(2012. 12. 04.)Registration No. 10-1291703 (Dec. 04, 2012)

본 발명의 목적은 공정 공간 내에 이송 및 처리가 동시에 인라인 공정으로 이루어질 수 있도록 하여 이물질로 인한 플렉시블 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있다.It is an object of the present invention to prevent the flexible substrate from being damaged due to foreign matter by allowing the transfer and processing in the process space to be simultaneously performed in an inline process.

또한, 본 발명의 목적은 드럼 타입 스테이지를 이용한 인라인 공정을 통하여 기판 처리에 따른 제품의 품질 및 속도를 향상시키도록 하는데 있다.It is also an object of the present invention to improve the quality and speed of a product during substrate processing through an inline process using a drum type stage.

본 발명에 따른 플렉시블 기판 처리장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 처리되는 플렉시블 기판을 공급하는 공급롤; 처리된 상기 플렉시블 기판이 회수되는 회수롤; 상기 공정 챔버 내에 공정가스를 공급하는 가스공급부; 상기 공정 챔버 내에 회전 가능하게 설치되며, 외주면을 따라 형성된 안착면이 회전하면서 연속적으로 공급되는 플렉시블 기판을 지지하는 회전 스테이지; 상기 회전 스테이지의 상기 안착면 내측에 배치되고, 상기 회전 스테이지 외주면으로 열을 발산하여 상기 플렉시블 기판에 열을 전달하는 적어도 하나의 히팅 부재; 및 상기 회전 스테이지에 설치되며 바이어스 전원이 인가되는 바이어스 전극 및 상기 회전 스테이지의 안착면과 대향되는 곡면으로 형성되는 외부 전극을 가지는 플라즈마 발생부를 포함할 수 있다.A flexible substrate processing apparatus according to the present invention includes a processing chamber; A supply roll for supplying a flexible substrate to be processed into the process chamber; A recovery roll for recovering the processed flexible substrate; A gas supply unit for supplying a process gas into the process chamber; A rotating stage rotatably installed in the process chamber, the rotating stage supporting a flexible substrate to which a seating surface formed along an outer circumferential surface is continuously supplied while rotating; At least one heating member disposed inside the seating surface of the rotary stage and transmitting heat to the flexible substrate by radiating heat to the outer surface of the rotary stage; And a plasma generating unit installed on the rotating stage and having a bias electrode to which a bias power is applied and an external electrode formed to have a curved surface facing the seating surface of the rotating stage.

또한, 상기 플라즈마 발생부는 상기 공정 챔버 내부에 ECCP 방식으로 향상된 용량결합 플라즈마를 발생시킬 수 있다.In addition, the plasma generating unit may generate an improved capacitively coupled plasma in the process chamber by an ECCP method.

또한, 상기 ECCP 방식은 인가되는 에너지 소스로 RF 에너지가 사용될 수 있다.In the ECCP method, RF energy may be used as an energy source to be applied.

또한, 상기 바이어스 전극의 전면에 텅스텐 또는 티타늄을 포함하는 내 에칭성 금속이 코팅될 수 있고, 상기 바이어스 전극은 금속 재질로 제작되며, 그 표면은 아노다이징 처리될 수 있다.In addition, an etch-resistant metal containing tungsten or titanium may be coated on the entire surface of the bias electrode, the bias electrode may be made of a metal material, and the surface of the bias electrode may be anodized.

그리고 상기 ECCP 방식으로 생성된 플라즈마는 상기 바이어스 전극에 의하여 딥 에칭이 이루어질 수 있다.The plasma generated by the ECCP method can be deeply etched by the bias electrode.

또한, 상기 플렉시블 기판은 상기 회전 스테이지의 회전시 동일한 각속도로 함께 회전하도록 구비될 수 있다.Further, the flexible substrate may be provided to rotate together with the same angular velocity when the rotation stage rotates.

또한, 또한, 상기 회전 스테이지의 회전축에 인접하여 설치되는 RF 커넥터 및 상기 RF 커넥터의 외측에 배치되고 자성 유체에 의해 실링이 이루어지는 자성 유체 실링부를 더 포함하고, 상기 RF 커넥터는 상기 회전 스테이지와 함께 회전 가능하게 설치되어 상기 제1 전극과 연결되는 회전부 및 고정된 상태에서 상기 회전부와 연결되어 상기 회전부로 RF 에너지를 전달하는 고정부를 포함할 수 있다.The RF connector may further include an RF connector disposed adjacent to the rotational axis of the rotating stage and a magnetic fluid sealing portion disposed outside the RF connector and sealed by a magnetic fluid, And a fixing unit connected to the rotation unit in a fixed state to transmit RF energy to the rotation unit.

또한, 상기 RF 커넥터는 회전 상태에서 통전이 가능도록 구비된 바이어스 전극을 포함할 수 있다.In addition, the RF connector may include a bias electrode provided to be energized in a rotating state.

그리고 상기 회전 스테이지 내부 안쪽 벽면에 배치되고, 상기 회전 스테이지 바깥 방향으로 열을 발산하여 상기 플렉시블 기판에 열을 전달하는 적어도 하나의 히팅 부재를 포함할 수 있다.And at least one heating member disposed on an inner wall surface of the rotary stage and transmitting heat to the flexible substrate by radiating heat toward the outer side of the rotary stage.

또한, 상기 히팅 부재의 내부 안쪽으로 대향되도록 배치되고, 상기 히팅 부재의 열을 상기 플렉시블 기판을 향하여 반사시키는 히팅 리플렉터를 더 포함할 수 있다.The heating unit may further include a heating reflector disposed to be opposed to the inside of the heating member and reflecting the heat of the heating member toward the flexible substrate.

그리고 상기 공정 챔버 내에 배치되고, 상기 플렉시블 기판을 처리하는 동안 진공을 유지시키는 공정 펌프부 및 상기 공정 챔버 내, 외부로 상기 플렉시블 기판을 이송하는 입구 및 출구를 형성하는 게이트 부를 포함하여 구성될 수 있다.A process pump disposed in the process chamber to maintain a vacuum during processing of the flexible substrate and a gate unit forming an inlet and an outlet for transferring the flexible substrate to the outside in the process chamber .

또한, 상기 공급롤 및 상기 회수롤이 구비되는 이송 챔버, 상기 이송 챔버와 상기 공정 챔버 사이에 배치되고, 상기 공정챔버 내부의 이물질이 상기 이송챔버 내부로 유입되는 것을 방지하도록 상기 이물질이 배출 가능한 유로가 형성된 버퍼챔버를 더 포함할 수 있다.A transfer chamber provided with the supply roll and the recovery roll; a transfer chamber disposed between the transfer chamber and the process chamber, the transfer chamber being capable of discharging the foreign substance into the transfer chamber to prevent foreign substances in the process chamber from entering the transfer chamber; The buffer chamber may include a buffer chamber.

또한, 상기 가스 공급부는 에칭 공정을 수행하기 위한 식각 소스를 공급할 수 있으며, 상기 가스 공급부는 증착 공정을 수행하기 위한 공정 가스를 공급할 수 있다.The gas supply unit may supply an etch source for performing an etching process, and the gas supply unit may supply a process gas for performing a deposition process.

또한, 상기 공급롤 및 상기 회전롤은 상기 회전 스테이지 일측에 구비되며, 상기 플렉시블 기판은 상기 공급롤로부터 상기 회전 스테이지를 향해 수평방향으로 공급되고, 처리된 상기 플렉시블 기판은 상기 회전 스테이지로부터 상기 회수롤을 향해 수평으로 회수될 수 있다.The supply roll and the rotary roll are provided on one side of the rotary stage, and the flexible substrate is supplied in a horizontal direction from the supply roll toward the rotary stage. The processed flexible substrate is transferred from the rotary stage to the take- As shown in FIG.

또한, 상기 공급롤 및 상기 회전롤은 상기 회전 스테이지 일측에 구비되며, 상기 플렉시블 기판은 상기 공급롤로부터 상기 회전 스테이지를 향해 수직방향으로 공급되고, 처리된 상기 플렉시블 기판은 상기 회전 스테이지로부터 상기 회수롤을 향해 수직으로 회수될 수 있다.The supply roll and the rotary roll are provided at one side of the rotary stage, the flexible substrate is supplied from the supply roll in the vertical direction toward the rotary stage, and the processed flexible substrate is transferred from the rotary stage to the take- As shown in FIG.

플렉시블 기판 처리방법으로 (a)이송 챔버 내에 배치된 기판 공급부로부터 플렉시블 기판이 공정 챔버로 이송되는 단계, (b)상기 공정 챔버로 이송된 상기 플렉시블 기판이 공정 챔버 내 회전 스테이지에 안착되는 단계, (c)상기 회전 스테이지에 안착된 상기 플렉시블 기판이 처리되는 단계, (d)상기 처리된 플렉시블 기판이 상기 이송챔버 내부에 배치된 기판 회수부로 회수되는 단계를 포함할 수 있다.A flexible substrate processing method comprising the steps of: (a) transferring a flexible substrate from a substrate supply unit disposed in a transfer chamber to a process chamber; (b) placing the flexible substrate transferred to the process chamber on a rotating stage in the process chamber; (c) the flexible substrate mounted on the rotary stage is processed, and (d) the processed flexible substrate is recovered to a substrate recovery unit disposed in the transfer chamber.

또한, 상기 (a)단계는, 상기 이송 챔버에서 상기 공정 챔버로 이송되는 중간에 상기 공정 챔버 내에 압력을 일정하게 유지시키기 위하여, 상기 플렉시블 기판이 버퍼 챔버 통해 이송할 수 있다.In addition, the step (a) may transfer the flexible substrate through the buffer chamber in order to maintain a constant pressure in the process chamber during the transfer from the transfer chamber to the process chamber.

또한, 상기 (b)단계는, 상기 공정 챔버 내에 회전 가능하게 설치된 상기 회전 스테이지의 외주면을 따라 형성된 안착면에 회전하면서 연속적으로 공급되는 상기 플렉시블 기판이 안착되어 이송할 수 있다.In the step (b), the flexible substrate, which is continuously supplied while being rotated on a seating surface formed along the outer peripheral surface of the rotary stage rotatably installed in the process chamber, can be seated and transported.

또한, 상기 (c)단계는, 상기 플렉시블 기판은 상기 회전 스테이지의 회전시 동일한 각속도로 함께 회전하도록 구비할 수 있다.In the step (c), the flexible substrate may be rotated to rotate at the same angular velocity when the rotation stage rotates.

또한, 상기 (c)단계는, ECCP 방식에 의해 발생한 플라즈마에 의해 상기 플렉시블 기판이 처리될 수 있고, 상기 회전 스테이지 내부 안쪽 벽면에 배치된 히팅 부재에서 상기 플렉시블 기판을 향해 열을 전달할 수 있다.In the step (c), the flexible substrate may be processed by the plasma generated by the ECCP method, and heat may be transmitted from the heating member disposed on the inner wall surface of the rotation stage toward the flexible substrate.

그리고 상기 (a) 단계 및 (d) 단계는, 엔드 포지션 컨트롤러에 의해 상기 기판 공급부로부터 공급되는 상기 플렉시블 기판의 엔드 포지션과, 상기 기판 회수부로 회수되는 상기 플렉시블 기판의 엔드 포지션이 컨트롤될 수 있다.In the steps (a) and (d), the end position of the flexible substrate supplied from the substrate supply unit by the end position controller and the end position of the flexible substrate recovered to the substrate returning unit can be controlled.

기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명에 따른 플렉시블 기판 처리장치는 롤투롤 방식을 사용하여 생산성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 플렉시블 기판 처리가 수행되는 공간에 이송 및 처리를 동시에 수행할 수 있도록 하여 이물질에 의한 손상을 방지하여 제품의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The flexible substrate processing apparatus according to the present invention not only improves productivity by using a roll-to-roll method, but also can perform transfer and processing simultaneously in a space in which a flexible substrate processing is performed, Thereby improving the quality of the image.

도 1은 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치를 간략하게 나타낸 구성도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 공정 챔버 내 회전 스테이지 단면의 히팅 부재를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 실시예에 따른 회전 스테이지을 상측에서 자른 단면도이다.
도 4는 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리방법을 나타낸 순서도이다.
도 5는 도 1과 다른 방향의 플렉시블 기판 처리장치를 간략하게 나타낸 구성도이다.Fig. 1 is a configuration diagram briefly showing a flexible substrate processing apparatus according to the present embodiment.
2 is a cross-sectional view schematically showing a heating member of a rotary stage section in a process chamber according to the present embodiment.
3 is a cross-sectional view of the rotation stage according to the present embodiment cut from above.
4 is a flowchart showing a flexible substrate processing method according to this embodiment.
Fig. 5 is a schematic view showing a flexible substrate processing apparatus in a direction different from that of Fig.

이하, 본 발명의 실시 예에 따른 플렉시블 기판 처리장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예의 이하에서 개시되는 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Hereinafter, a flexible substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It is to be understood, however, that the terminology or words of the present disclosure should not be construed as limited to conventional or preliminary, and that the inventor may properly define the concept of a term to describe its invention in its best possible manner And should be construed in accordance with the meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에 있어서 이를 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all the technical ideas of the present invention. Therefore, various equivalents It should be understood that water and variations may be present.

본 발명은 공정 챔버, 상기 공정챔버에서 처리되는 플렉시블 기판을 공급하는 공급롤, 처리된 상기 플렉시블 기판이 회수되는 회수롤, 상기 공정 챔버 내에 공정가스를 공급하는 가스공급부, 상기 공정 챔버 내에 회전 가능하게 설치되며, 외주면을 따라 형성된 안착면이 회전하면서 연속적으로 공급되는 플렉시블 기판을 지지하는 회전 스테이지, 상기 회전 스테이지에 설치되며 바이어스 전원이 인가되는 바이어스 전극 및 상기 회전 스테이지의 안착면과 대향되는 곡면으로 형성되는 외부 전극을 가지는 플라즈마 발생부를 포함할 수 있다. 이하에서는, 본 발명의 일실시예에 따른 단일챔버를 이송챔버 및 공정챔버로 설정하여 설명하였다.The present invention relates to a process cartridge, comprising a process chamber, a supply roll for supplying a flexible substrate to be processed in the process chamber, a recovery roll for recovering the processed flexible substrate, a gas supply for supplying a process gas into the process chamber, A bias electrode provided on the rotating stage and adapted to receive a bias power, and a curved surface opposed to the seating surface of the rotating stage, wherein the rotating stage includes: And a plasma generating unit having an external electrode. Hereinafter, a single chamber according to an embodiment of the present invention is described as a transfer chamber and a process chamber.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치를 간략하게 도시한 구성도이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a configuration diagram briefly showing a flexible substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치는 이송 챔버(200) 및 공정 챔버(100)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the flexible substrate processing apparatus according to the present embodiment may include a transfer chamber 200 and a process chamber 100.

이송 챔버(200) 내부에는 기판 공급부(210) 및 기판 회수부(220)을 포함할 수 있다. The transfer chamber 200 may include a substrate supply unit 210 and a substrate recovery unit 220.

이송 챔버(200)는 플렉시블 기판(S)이 이송되는 공간을 외부로부터 차단하여 이물질이 배제된 환경을 제공한다. 이송 챔버(200)에는 챔버 내부를 배기하는 이송 펌프부(미도시)가 연결되며, 이송 챔버(200)의 내부는 소정 압력(예를 들어, 10-2 Torr)이 유지될 수 있다.The transfer chamber 200 shields the space to which the flexible substrate S is transferred from the outside to provide an environment in which foreign substances are excluded. A transfer pump unit (not shown) for evacuating the inside of the chamber is connected to the transfer chamber 200. A predetermined pressure (for example, 10-2 Torr) may be maintained inside the transfer chamber 200.

기판 공급부(210)는 플렉시블 기판(S)을 공급한다. 기판 공급부(210)는 기판 공급롤(211) 및 배리어 배출롤(213)을 포함할 수 있다. 기판 공급롤(211)에는 롤 형태로 제공되는 플렉시블 기판(S)이 지지될 수 있다. 배리어 배출롤(213)은 기판 공급롤(211)의 일측방에 배치된다. 배리어 배출롤(213)은 플렉시블 기판(S)으로부터 박리되는 배리어 필름(B1)이 감긴다. The substrate supply unit 210 supplies the flexible substrate S. The substrate supply unit 210 may include a substrate supply roll 211 and a barrier discharge roll 213. The flexible substrate S provided in the form of a roll may be supported on the substrate feed roll 211. A barrier discharge roll 213 is disposed on one side of the substrate feed roll 211. The barrier discharge roll 213 is wound around the barrier film B1 which is peeled from the flexible substrate S. [

기판 회수부(220)는 기판 공급롤(211)에서 풀려나오는 플렉시블 기판(S)을 회수한다. 기판 회수부(220)는 기판 회수롤(221) 및 배리어 공급롤(223)을 포함할 수 있다.The substrate recovery unit 220 recovers the flexible substrate S released from the substrate supply roll 211. The substrate recovery unit 220 may include a substrate recovery roll 221 and a barrier supply roll 223.

기판 회수롤(221)에는 플렉시블 기판(S)이 기판 회수롤(221)에 감기도록 동력을 제공하는 구동모터(미도시)가 설치될 수 있다. 따라서 기판 공급롤(211)에 롤 형태로 지지되는 플렉시블 기판(S)은 기판 회수롤(221)의 회전에 따라 기판 공급롤(211)로부터 인출되고 기판 회수롤(221)에 회수될 수 있다.A drive motor (not shown) may be installed in the substrate recovery roll 221 to provide power to the flexible substrate S so that the flexible substrate S is wound on the substrate recovery roll 221. The flexible substrate S supported on the substrate supply roll 211 in the form of a roll can be withdrawn from the substrate supply roll 211 and recovered to the substrate recovery roll 221 as the substrate recovery roll 221 rotates.

배리어 공급롤(223)은 기판 회수롤(221)의 일측방에 배치된다. 배리어 공급롤(223)은 플렉시블 기판(S)의 표면을 보호하기 위한 배리어 필름(B2)을 공급한다. 기판 회수롤(221)에 회수되는 플렉시블 기판(S)의 표면에는 배리어 필름(B2)에 의해 표면이 보호될 수 있다.The barrier supply roll 223 is disposed on one side of the substrate recovery roll 221. The barrier supply roll 223 supplies a barrier film (B2) for protecting the surface of the flexible substrate (S). The surface of the flexible substrate S recovered in the substrate recovery roll 221 can be protected by the barrier film B2.

다시 도 1을 참조하면, 이송 챔버(200)의 내부에는 기판 공급부(210)로부터 기판 회수부(220)에 이르기까지 플렉시블 기판(S)을 원활하게 이송하기 위한 구성으로, 아이들롤러(260), 로드셀(261), 장력조절 모터(270)가 배치될 수 있다.1, the transfer chamber 200 has a structure for smoothly transferring the flexible substrate S from the substrate supply unit 210 to the substrate recovery unit 220. The idle rollers 260, A load cell 261, and a tension adjusting motor 270 may be disposed.

아이들롤러(260)는 기판 공급부(210)로부터 기판 회수부(220)의 사이에 적어도 하나로 마련되어 플렉시블 기판(S)의 이송경로를 형성한다. 로드셀(261)은 아이들롤러(260)의 회전축에 설치될 수 있다. 장력조절 모터(270)는 기판 공급부(210)로부터 기판 회수부(220)에 이르기까지 적어도 하나로 마련될 수 있다. 특히, 공정 챔버(100)의 내부에서 플렉시블 기판(S)이 평탄한 상태로 유지되기 위하여, 장력조절 모터(270)는 공정 챔버(100)의 입구(141) 측과, 공정 챔버(100)의 출구(142) 측에 한 쌍으로 마련되는 것이 바람직하다. The idle rollers 260 are provided at least between the substrate supply part 210 and the substrate recovery part 220 to form a transport path of the flexible substrate S. [ The load cell 261 can be installed on the rotating shaft of the idle roller 260. The tension adjusting motor 270 may be provided from at least one of the substrate feeding unit 210 to the substrate collecting unit 220. Particularly, in order to keep the flexible substrate S in a flat state inside the process chamber 100, the tension adjusting motor 270 is connected to the inlet 141 side of the process chamber 100 and the outlet 141 of the process chamber 100 It is preferable that they are provided in pairs on the side of the light guide plate 142.

이와 같이 구성되는 본 실시예는 로드셀(261)이 아이들롤러(260)의 회전축에 전달되는 압력을 감지하고 이송되는 플렉시블 기판(S)의 장력을 감지할 수 있다. 그리고 로드셀(261)에 감지되는 플렉시블 기판(S)의 장력을 바탕으로 장력조절 모터(270)의 회전수가 조절될 수 있다. 따라서 플렉시블 기판(S)은 공정 챔버(100)의 내부에서 평탄한 상태를 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 공정 챔버(100)로 출입되는 플렉시블 기판(S)의 공급과 회수가 원활하게 이루어질 수 있다.In this embodiment configured as described above, the load cell 261 senses the pressure transmitted to the rotary shaft of the idler roller 260 and can sense the tension of the flexible substrate S being conveyed. The rotation number of the tension adjusting motor 270 can be adjusted based on the tension of the flexible substrate S sensed by the load cell 261. Therefore, not only the flexible substrate S can maintain a flat state in the process chamber 100, but also the supply and recovery of the flexible substrate S to and from the process chamber 100 can be performed smoothly.

도 1에서, 아이들롤러(260)는 기판 공급롤(211)과 공정 챔버(100)의 사이에 2개, 공정 챔버(100)와 기판 회수롤(221)의 사이에 1개로 배치되며, 장력조절 모터(270)는 공정 챔버(100)의 입구(141)와 출구(142)의 외측에 각각 배치되는 것으로 도시하고 있지만, 아이들롤러(260), 장력조절 모터(270)의 개수를 본 발명의 권리범위를 한정하는 것으로 이해되서는 아니될 것이다.1, the idle rollers 260 are disposed between the substrate feed roll 211 and the process chamber 100, one between the process chamber 100 and the substrate recovery roll 221, The number of the idle rollers 260 and the number of tension adjusting motors 270 can be controlled by the right of the present invention But should not be construed as limiting the scope.

한편, 상술된 바와 같이 플렉시블 기판(S)의 표면에는 이미 소정의 패턴이 형성되고 플렉시블 기판(S)은 배리어 필름(B1)이 점착된 롤 형태로 제공되기 때문에, 플렉시블 기판(S)에는 습기가 잔류할 수 있다. On the other hand, as described above, since the predetermined pattern is already formed on the surface of the flexible substrate S and the flexible substrate S is provided in the form of a roll in which the barrier film B1 is adhered, It may remain.

따라서 기판 공급롤(211)과 공정 챔버(100)의 사이에는 플렉시블 기판(S)에 잔류하는 습기를 제거하기 위해 플렉시블 기판(S)을 건조시키는 드라이 모듈(230)이 배치될 수 있다. 드라이 모듈(230)로는 적외선 히터를 사용할 수 있다. 그리고 드라이 모듈(230)과 공정 챔버(100)의 사이에는 드라이 모듈(230)에 의해 가열된 플렉시블 기판(S)을 다시 냉각시키는 쿨링 모듈(240)이 설치될 수 있다. A dry module 230 for drying the flexible substrate S may be disposed between the substrate feed roll 211 and the process chamber 100 in order to remove the moisture remaining on the flexible substrate S. [ As the dry module 230, an infrared heater may be used. A cooling module 240 for cooling the flexible substrate S heated by the dry module 230 may be installed between the dry module 230 and the process chamber 100.

도 1에서 드라이 모듈(230)와 쿨링 모듈(240)은 기판 공급롤(211)과 공정 챔버(100)의 사이에 각각 단수로 마련되는 것으로 도시하고 있지만, 드라이 모듈(230)와 쿨링 모듈(240)은 기판 공급롤(211)과 공정 챔버(100)의 사이, 공정 챔버(100)와 기판 회수롤(221)의 사이에서 플렉시블 기판(S)의 온도, 플렉시블 기판(S) 표면 상태에 따라 얼마든지 추가로 설치될 수 있을 것이다. 1, the dry module 230 and the cooling module 240 are provided in a single unit between the substrate supply roll 211 and the process chamber 100, May vary depending on the temperature of the flexible substrate S and the surface state of the flexible substrate S between the substrate supply roll 211 and the process chamber 100, between the process chamber 100 and the substrate recovery roll 221 Additional installation may be possible.

그리고 기판 공급롤(211)로부터 플렉시블 기판(S)이 풀려나오는 측과, 기판 회수롤(221)을 향해 플렉시블 기판(S)이 인입되는 측에는, 엔드 포지션 컨트롤러(280)가 설치될 수 있다. 엔드 포지션 컨트롤러(280)는 플렉시블 기판(S)의 장력이 유지된 상태로 기판 공급롤(211)로부터 풀려나오게 하고, 장력조절 모터(270)에 의해 조절된 플렉시블 기판(S)의 장력이 유지되는 상태로 기판 회수롤(221)에 감기도록 할 수 있다.
An end position controller 280 may be installed on the side from which the flexible substrate S is unwound from the substrate feed roll 211 and the side from which the flexible substrate S is directed toward the substrate recovery roll 221. The end position controller 280 causes the tension of the flexible substrate S to be released from the substrate feed roll 211 while the tension of the flexible substrate S is maintained and the tension of the flexible substrate S controlled by the tension adjusting motor 270 is maintained So that the substrate can be wound on the substrate recovery roll 221 in a state of being rotated.

다시 도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치(10)는 공정 챔버(100), 플렉시블 기판(S)을 지지하는 회전 스테이지(130) 및 플라즈마 발생을 유도하는 플라즈마 발생부(120)를 포함할 수 있다.1, the flexible substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment includes a process chamber 100, a rotation stage 130 for supporting the flexible substrate S, and a plasma generation unit 120 ).

공정 챔버(100)는 기판 공급롤(211)을 거쳐 기판 회수롤(221)로 이송되는 중간에 위치하며, 이송 사이에 플렉시블 기판(S)의 일련의 처리 공정을 수행하는 몸체를 형성한다. 또한, 공정 챔버(100)는 이송 챔버(200)과 게이트 부(140)를 통해 서로 연결될 수 있다.The process chamber 100 is located in the middle of being fed to the substrate recovery roll 221 via the substrate feed roll 211 and forms a body for performing a series of processing steps of the flexible substrate S between the transfers. In addition, the process chamber 100 may be connected to each other through the transfer chamber 200 and the gate unit 140.

공정 챔버(100)는 플렉시블 기판(S)이 이송하면서 드라이 에칭 공정 및 증착공정 등을 수행할 수 있는 공간을 제공한다. 드라이 에칭 공정에 의한 기판 처리가 잘 이루어질 수 있도록 공정 챔버(100) 내부 공간은 이송 챔버(200)에 비하여 상대적으로 저압을 형성하여야 하며, 되도록 공간 내에 혼재되어 있는 이물질이 적도록 기밀 공간을 유지해야 한다.The process chamber 100 provides a space in which the flexible substrate S can perform a dry etching process, a deposition process, and the like while transferring. The inner space of the process chamber 100 should be relatively low in pressure relative to the transfer chamber 200 so that the substrate can be well processed by the dry etching process. do.

회전 스테이지(130)는 공정 챔버(100) 내에 회전 가능하게 설치되며, 외주면을 따라 형성된 안착면이 회전하면서 연속적으로 공급되는 플렉시블 기판(S)을 지지할 수 있도록 구성된다.The rotation stage 130 is rotatably installed in the process chamber 100 and is configured to support a flexible substrate S that is continuously supplied while the seating surface formed along the outer circumferential surface rotates.

회전 스테이지(130)는 플렉시블 기판(S)이 안착되는 면을 제공하고, 회전 스테이지(130)는 플렉시블 기판(S)이 안착된 상태에서 드럼 형상의 회전 스테이지(130)의 중심축을 기준으로 회전한다. 또한, 회전 스테이지(130)의 회전을 통하여 상기 플렉시블 기판(S)이 공정 챔버(100) 내에서 처리와 동시에 이송이 가능하게 구성할 수 있다.The rotation stage 130 provides a surface on which the flexible substrate S is seated and the rotation stage 130 rotates about the central axis of the drum-shaped rotation stage 130 in a state where the flexible substrate S is seated . In addition, the flexible substrate S can be configured to be transferred simultaneously with the processing in the process chamber 100 through the rotation of the rotation stage 130.

회전 스테이지(130)는 외주면에 플렉시블 기판(S)이 안정되게 안착되도록 홈이나 그루브를 형성할 수 있다. 또한, 중심축에는 회전 스테이지(130)의 회전이 가능하도록 모터 및 제어부를 설치하여, 플렉시블 기판(S)의 이송에 따른 회전 스테이지(130)의 속도 조절 및 균형을 유지할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.The rotary stage 130 can form grooves or grooves so that the flexible substrate S can be stably mounted on the outer circumferential surface. In addition, it is preferable that a motor and a control unit are provided on the center shaft so that the rotation stage 130 can be rotated, so that the speed of the rotation stage 130 can be controlled and balanced with the transfer of the flexible substrate S.

특히, 플렉시블 기판(S)은 플렉시블 기판(S)이 안착된 회전 스테이지(130)가 회전시 동일한 각속도로 함께 회전하도록 구비될 수 있다.In particular, the flexible substrate S may be provided so that the rotation stage 130 on which the flexible substrate S is placed rotates together at the same angular velocity when rotating.

상기 도 1의 실시예에 의하면, 회전 스테이지(130)가 드럼 형상의 외주면을 기준으로 형성되어 있지만, 이에 한정된 것은 아니며 다각형 등의 다양한 구조로 형성될 수 있다.1, the rotary stage 130 is formed on the basis of the drum-shaped outer circumferential surface, but the present invention is not limited thereto. The rotary stage 130 may be formed in a variety of structures such as a polygonal shape.

도 2 및 3은 회전 스테이지의 내부 히팅 부재 등을 간략히 나타낸 단면도이다. Figs. 2 and 3 are cross-sectional views schematically showing an internal heating member or the like of the rotating stage.

도2 및 3을 참조하면, 회전 스테이지(130)는 드럼 내부에 플렉시블 기판(S)에 열을 전달하는 히팅 부재(111)와 히팅 부재(111)를 보조하는 히팅 리플렉터(112)를 포함하여 구성할 수 있다.2 and 3, the rotary stage 130 includes a heating member 111 for transferring heat to the flexible substrate S in the drum and a heating reflector 112 for supporting the heating member 111, can do.

히팅 부재(111)는 회전 스테이지(130)의 내부 안쪽 벽면에 배치되고, 회전 스테이지(130)의 외부 바깥 방향을 향하여 열을 발산하여 플렉시블 기판(S)에 열을 전달할 수 있도록 구성된다. The heating member 111 is disposed on the inner inner wall surface of the rotary stage 130 and is configured to transmit heat to the flexible substrate S by radiating heat toward the outer outward direction of the rotary stage 130.

회전 스테이지(130) 내부에는 복수개의 홀이 구성되어 있으며, 각 홀은 내부적으로 서로 연결될 수 있도록 구비되어 있다. 각 홀에는 히팅 부재(111)로 채워지며 회전 스테이지(130)의 외부 라인을 통하여 전원이 공급될 수 있다.A plurality of holes are formed in the rotation stage 130, and the holes are internally connected to each other. Each hole is filled with a heating member 111 and power can be supplied through an external line of the rotation stage 130.

또한, 각 회전 스테이지(130) 내부의 히팅 부재(111)는 회전 스테이지(130)의 벽면, 즉 회전 스테이지(130) 하부에 배치되어, 회전 스테이지(130) 상면의 온도를 균일하게 제어하도록 설치될 수 있다. 따라서 기판 처리시 히팅 부재(111)를 제어하여 회전 스테이지(130) 상면의 플렉시블 기판(S)에 처리가 원활하게 진행될 수 있도록 공정 분위기를 조성한다. 본 실시예에는, 히팅 부재(111)의 성질에 따라 600℃ 이상까지 회전 스테이지(130)를 가열할 수 있는 히팅 부재(111)를 제공하는 것이 바람직하다.The heating member 111 in each of the rotation stages 130 is disposed on the wall surface of the rotation stage 130, that is, below the rotation stage 130 so as to control the temperature of the upper surface of the rotation stage 130 uniformly . Accordingly, when the substrate is processed, the heating member 111 is controlled to create a process atmosphere so that the process can smoothly proceed on the flexible substrate S on the upper surface of the rotation stage 130. According to the present embodiment, it is preferable to provide the heating member 111 capable of heating the rotating stage 130 to 600 ° C or higher depending on the properties of the heating member 111.

다시 도 2 및 3을 참조하면, 회전 스테이지(130)는 히팅 부재(111) 내부 안쪽으로 히팅 부재(111)의 열을 반사시키는 히팅 리플렉터(112)를 더 포함하여 구성할 수 있다. 히팅 리플렉터(112)는 히팅 부재(111)에서 발산되는 열이 회전 스테이지(130)의 내부로 전달되는 것을 막고 상기 플렉시블 기판(S)을 향하여 전달되는 열을 극대화할 수 있다.2 and 3, the rotating stage 130 may further include a heating reflector 112 for reflecting the heat of the heating member 111 to the inside of the heating member 111. The heating reflector 112 can prevent the heat emitted from the heating member 111 from being transferred to the inside of the rotation stage 130 and maximize the heat transmitted toward the flexible substrate S. [

도 2는 공정 챔버 내 회전 스테이지와 연결된 실링부 및 전극을 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a sealing portion and an electrode connected to a rotating stage in a process chamber.

도 2를 참조하면, 회전 스테이지(130)의 회전축에 인접하여 설치되는 RF 커넥터(114) 및 RF 커넥터(114)의 외측에 배치되고 자성 유체에 의해 실링이 이루어지는 자성 유체 실링부(113)를 더 포함하고, RF 커넥터(114)는 상기 회전 스테이지와 함께 회전 가능하게 설치되어 상기 접지 전극(121)과 연결되는 회전부(115) 및 고정된 상태에서 상기 회전부와 연결되어 상기 회전부로 RF 에너지를 전달하는 고정부(116)를 포함할 수 있다.2, the RF connector 114 disposed adjacent to the rotation axis of the rotating stage 130 and the magnetic fluid sealing portion 113 disposed outside the RF connector 114 and sealed by the magnetic fluid The RF connector 114 includes a rotation unit 115 rotatably installed together with the rotation stage and connected to the ground electrode 121 and a rotation unit 115 connected to the rotation unit in a fixed state to transmit RF energy to the rotation unit. And may include a fixing portion 116.

회전 스테이지(130)의 상부 및 하부에는 자성 유체에 의하여 실링이 이루어지도록 자성 유체 실링부(113)를 구비할 수 있다. 자성 유체 실링부(113)는 자성 유체에 자기장을 걸어 막의 형태를 띄게 하여 진공을 유지하게 하고 이물질의 출입이 이루어지지 못하게 하는데 매우 좋은 효과를 보일 수 있다.The magnetic fluid sealing portion 113 may be provided on the upper and lower portions of the rotating stage 130 so as to be sealed by a magnetic fluid. The magnetic fluid sealing portion 113 can apply a magnetic field to the magnetic fluid to form a film so as to maintain a vacuum, and prevent a foreign matter from entering and exiting.

이와 같이 자성 유체는 그 효과적인 밀폐성을 이용하여 실로서 이용하며 플렉시블 기판을 처리하는 과정에서 유리한 진공 실로 사용될 수 있다.As described above, the magnetic fluid is utilized as a seal by taking advantage of its effective hermeticity and can be used as an advantageous vacuum chamber in the process of processing the flexible substrate.

따라서 회전 스테이지(130)의 상부 및 하부에 자성 유체 실링부(113)를 구비하여 회전 스테이지(130)이 회전하면서 회전 스테이지(130)에 안착된 플렉시블 기판(S)이 이송하는 도중에도 공정 챔버(100) 내부를 진공으로 유지하게 함으로써 좀 더 유리한 플렉시블 기판(S) 처리가 이루어질 수 있도록 한다.The magnetic fluid sealing portion 113 is provided at the upper and lower portions of the rotating stage 130 so that the flexible substrate S mounted on the rotating stage 130 while rotating the rotating stage 130 is also transferred to the processing chamber 100 are kept in a vacuum so that a more advantageous flexible substrate (S) treatment can be performed.

회전 스테이지(130)의 상측에는 자성 유체 실링부(113)와 연결되고, 회전 스테이지의 회전 상태에서 통전이 가능하도록 구비된 RF 커넥터(114)를 더 포함하여 구성될 수 있다.And an RF connector 114 connected to the magnetic fluid sealing part 113 at an upper side of the rotating stage 130 and adapted to be energized in a rotating state of the rotating stage.

RF 커넥터(114)는 회전자에 외부로부터 전류를 흐르게 하기 위하여 회전자 축에 부착하는 접촉자 형태를 말하여, 상기 회전하는 장비에 전원 또는 신호라인을 공급할 시에 전선의 꼬임 없이 전달 가능한 회전형 커넥터로 작용한다.The RF connector 114 is a contact type that is attached to the rotor shaft so as to allow a current to flow from the outside to the rotor and is a rotatable connector that can be transmitted without twisting the wire when supplying power or a signal line to the rotating equipment. Lt; / RTI >

RF 커넥터(114)의 고정부(116)는 일단에 고정된 상태로 설치되어 RF 커넥터(114)를 지지 및 RF 에너지를 전달하며, 회전부(115)는 고정부(116)와 연결되어 타단에 설치되며 회전 스테이지(130)와 함께 회전 가능하게 접지 전극(121)과 연결된다. The fixed part 116 of the RF connector 114 is fixed at one end to support the RF connector 114 and transmit RF energy and the rotating part 115 is connected to the fixed part 116, And is rotatably connected to the ground electrode 121 together with the rotation stage 130.

따라서 RF 커넥터(114)는 회전하면서 플라즈마 발생부(120)에서 플라즈마를 발생하는데 사용하는 ECCP 방식으로 전류를 전달할 수 있도록 접지 기능을 할 수 있다. 즉, 회전이 가능하면서 접지 기능을 할 수 있어서 전원과 연결되고, 플렉시블 기판(S)이 회전 스테이지(130)에 안착된 상태로 회전하면서 처리될 수 있도록 도움을 준다.Therefore, the RF connector 114 can function as a ground to transmit electric current in the ECCP method used for generating plasma in the plasma generating part 120 while rotating. In other words, the flexible substrate S can be rotated while being grounded, so that it can be connected to the power source, and the flexible substrate S can be rotated while being mounted on the rotation stage 130.

상기 RF 커넥터(114)는 회전 스테이지(130)의 상측 뿐만 아니라 하측의 조인트 부분에도 설치될 수 있으며, 마찬가지로 회전하면서 전류를 흐를 수 있는 접지 기능을 할 수 있다.The RF connector 114 can be installed not only on the upper side of the rotary stage 130 but also on the lower joint portion, and can function as a ground that can flow current while rotating.

그리고 상기 공정 챔버(100) 내부에는 플렉시블 기판(S) 처리시, 일정한 쿨링이 일어날 수 있도록 쿨링부(170)가 구비될 수 있다. A cooling unit 170 may be provided in the process chamber 100 to perform uniform cooling during the processing of the flexible substrate S.

쿨링부(170)는 드럼 내에 유로(171)가 형성되고, 유로(171) 내부로 냉매에 의한 순환에 의하여 플렉시블 기판(S)을 쿨링할 수 있다.The cooling unit 170 is provided with a flow path 171 in the drum and can cool the flexible substrate S by circulation of the coolant into the flow path 171.

즉, 쿨링부(170)는 드럼 스테이지(130) 인접부 및 드럼 벽면 내부에 유로(171)를 배치할 수 있고, 드럼 중심축으로 냉매가 공급 회수되는 제 1 및 제 2 유로 홀(171, 172)이 구비될 수 있다.That is, the cooling unit 170 can arrange the flow path 171 in the vicinity of the drum stage 130 and the inside of the drum wall surface, and the first and second flow holes 171 and 172 May be provided.

제 1유로 홀(171) 및 제 2유로 홀(172)로 냉매가 공급되는 구조는 종래 기술에 해당하는 바, 자세한 설명은 생략한다.The structure in which the refrigerant is supplied to the first flow hole 171 and the second flow hole 172 corresponds to the prior art, and a detailed description thereof will be omitted.

도 3을 참조하면, 냉매가 드럼 중심축에 배치된 제 1유로 홀(172a)을 통하여 공급되도록 구성되고, 공정 드럼(110)의 벽면 내부를 전체적으로 순환에 의하여 플렉시블 기판(S)을 쿨링한 후, 다시 드럼 중심축에 위치한 제 2유로 홀(172b)에 의하여 회수된다.Referring to FIG. 3, the refrigerant is supplied through a first flow passage hole 172a disposed on the center axis of the drum, and the flexible substrate S is cooled by circulating the inside of the wall surface of the process drum 110 as a whole , And is recovered by the second flow path hole 172b located on the central axis of the drum again.

유로(171)를 통하여 순환하는 냉매로는 PCW(process clean water) 또는 galden 용매를 사용한다. 이는 열전달 효율이 양호하고 금속 및 플라스틱과의 상용성이 우수하고 점도가 낮아 냉매로 사용되기에 용이하다.PCW (process clean water) or galden solvent is used as the refrigerant circulating through the flow path 171. It has good heat transfer efficiency, is excellent in compatibility with metals and plastics, and has low viscosity, which makes it easy to be used as a refrigerant.

또한, 히팅 부재(111)는 드럼 스테이지(130) 회전에 의해 영향을 받지 않고 고정된 형상을 유지하는 데 반하여, 쿨링부(170)는 드럼 스테이지(130)의 회전에 의하여 함께 회전할 수 있다. 쿨링부(170)는 회전에 의하면서도 냉매의 순환에 일정하게 유지될 수 있도록 나선형으로 구성하거나 각 유로(171) 상에 휘어지는 부분에 완만한 굴곡을 형성하는 것이 바람직하다.In addition, the cooling member 170 can rotate together with the rotation of the drum stage 130 while the heating member 111 maintains the fixed shape without being affected by the rotation of the drum stage 130. It is preferable that the cooling part 170 be formed in a spiral shape so that the cooling part 170 can be kept constant in the circulation of the refrigerant by the rotation or gentle bending is formed in the bent part on each flow path 171.

쿨링부는 기판의 처리를 도울 수 있도록 약 25~50℃사이를 유지하는 것이 바람직하다.The cooling part is preferably maintained at about 25 to 50 DEG C so as to facilitate the processing of the substrate.

다시 도 1을 참조하면, 공정 챔버(100) 내에는 플라즈마 발생부(120)를 구비할 수 있다. Referring again to FIG. 1, the plasma generator 120 may be provided in the process chamber 100.

플라즈마 발생부(120)는 회전 스테이지(130)에 원주 방향을 따라 설치되는 접지 전극(121), 회전 스테이지(130)의 안착면과 대향되는 곡면으로 형성되는 외부 전극(122) 접지 전극(121)과 이격되어 설치되며 바이어스 전원이 인가되는 바이어스 전극(미도시)으로 구성될 수 있다. The plasma generating unit 120 includes a ground electrode 121 disposed along the circumferential direction of the rotating stage 130, an external electrode 122 formed by a curved surface facing the seating surface of the rotating stage 130, And a bias electrode (not shown) spaced apart from the bias electrode and applied with a bias power.

즉, 외부 전극(122)은 회전 스테이지(130)의 곡률 반경 형태와 유사한 형태로 일정 간격 이격되어 설치될 수 있다. 상기 일정 간격 이격된 공간에 플라즈마 발생을 유도할 수 있다.That is, the external electrodes 122 may be spaced apart from each other at a predetermined interval in a shape similar to that of the curvature radius of the rotation stage 130. And plasma generation can be induced in the space spaced apart by the predetermined interval.

따라서 회전 스테이지(130)에 안착된 플렉시블 기판(S)이 회전하는 동안 플라즈마 발생부(120)에서 형성된 플라즈마가 상기 일정한 간격이 이격된 공간에 균일하게 유지될 수 있고, 이에 따라 기판의 처리가 균일하게 이루어질 수 있다.Therefore, the plasma formed in the plasma generating part 120 can be uniformly maintained in the space spaced apart by the predetermined distance while the flexible substrate S mounted on the rotating stage 130 rotates, .

플라즈마 발생을 유도하는 플라즈마 발생부(120)는 적어도 하나 이상으로 구비될 수 있다. 도 1에서 제시된 사항에 플라즈마 발생부(120)의 외부 전극(122)은 잘린 원 형상을 가지며 두 개를 나타내고 있으나, 이는 한 실시예에 불과하고 그 이상의 복수개의 외부 전극(122)을 형성할 수 있다.At least one plasma generating unit 120 for inducing plasma generation may be provided. 1, the outer electrode 122 of the plasma generating part 120 has a rounded circular shape, but two outer electrodes 122 are formed in only one embodiment, and a plurality of outer electrodes 122 have.

또한, 플라즈마 발생부(120)의 외부 전극(122)과 연결되도록 승강부를 구비하여, 플라즈마가 발생하는 상기 이격된 공간의 조절이 가능하다. 따라서 플라즈마가 밸생하는 공간을 적절히 변경할 수 있으며, 이에 따라 발생하는 플라즈마 양 및 에칭의 정도를 조절할 수 있다.Further, it is possible to adjust the spaced-apart space in which the plasma is generated by providing the elevating portion to be connected to the external electrode 122 of the plasma generating portion 120. Accordingly, the space in which the plasma is valued can be appropriately changed, and the amount of plasma generated and the degree of etching can be controlled.

각 플라즈마 발생부(120)는 개별적으로 전극이 형성되고, 각 전극에 개별적으로 전원을 공급하는 선이 연결되어 구성될 수 있다. 따라서 복수개의 플라즈마 발생부(120)를 개별적으로 ON/OFF 할 수 있어, 선택적인 전원의 공급에 의하여 원하는 발생부에만 전원을 인가하여 플라즈마를 생성하는 것도 가능하다. 또한, 개별적으로 전원이 인가되기 위하여, 스위치를 설치하여 전원을 조절할 수도 있다.Each of the plasma generators 120 may be formed by individually forming an electrode and connecting a line that supplies power to each electrode separately. Accordingly, it is possible to individually turn ON / OFF the plurality of plasma generating units 120, and it is also possible to generate plasma by applying power to only a desired generating unit by supplying an optional power source. Further, in order to separately apply power, a switch may be provided to adjust the power supply.

본 발명의 플렉시블 기판 처리장치(10)에는 공정 챔버(100) 내부에 상기 플라즈마 발생부(120)와 연결되도록 배치되고, 향상된 용량결합 플라즈마가 발생하도록 하는 ECCP 방식을 제공할 수 있다.The flexible substrate processing apparatus 10 of the present invention may be provided with an ECCP method which is arranged to be connected to the plasma generating unit 120 in the process chamber 100 and generates an improved capacitively coupled plasma.

또한, 플라즈마 발생부와 이격하여 설치되며, 바이어스 전원이 인가되는 바이어스 전극을 더 포함하여 구성한다.The plasma display apparatus further includes a bias electrode which is provided apart from the plasma generating unit and to which bias power is applied.

향상된 용량결합형 플라즈마(ECCP) 전극은 평행한 전극 간에 전력을 인가하여, 전극의 표면에 분포된 전하에 의해 형성된 축전 전기장에 의해 플라즈마를 발생한다. 그리고 한 전극에 바이어스 전원을 인가하는 바이어스 전극을 구성하여 생성된 플라즈마가 바이어스의 파워에 의하여 더 깊은 에칭(deep etching)이 가능하도록 할 수 있다.An enhanced capacitively coupled plasma (ECCP) electrode applies power between parallel electrodes to generate plasma by the charge field created by the charge distributed on the surface of the electrode. In addition, a bias electrode for applying a bias power to one electrode can be formed, and the generated plasma can be deep-etched by the power of the bias.

따라서 상기 회전 스테이지(130) 외측의 RF 커넥터(114)에 접지 전극(121)과 바이어스 전극을 구비하고 플라즈마 발생부(120) 상부에 외부 전극(122)을 설치한 후 각 평행한 전극 간에 고주파 전압을 인가하여 방전시키면, 전극 표면에 분포된 전하에 의해 형성된 축전 전기장을 이용하여 플라즈마를 발생케 할 수 있다. 그리고 바이어스 전극이 상부에서 생성된 이온을 강하게 끌어당겨 플렉시블 기판(S)에 딥 에칭을 할 수 있다. 또한, 플라즈마를 발생시키기 위한 소스로는 RF 에너지를 이용할 수 있다.A ground electrode 121 and a bias electrode are provided on the RF connector 114 outside the rotation stage 130 and an external electrode 122 is provided on the plasma generating part 120. Then, The plasma can be generated by using the charge accumulating electric field formed by the charge distributed on the electrode surface. Then, the ions generated from the upper part of the bias electrode are strongly attracted, and the flexible substrate S can be deeply etched. Further, RF energy can be used as a source for generating the plasma.

또한, 바이어스 전극은 금속재질로 그 표면이 아노다이징(anodizing) 처리되어 플라즈마 발생시 금속 분술물에 의한 오염을 방지할 수 있다. 또한, 전면에 텅스텐 또는 티타늄을 포함하는 내 에칭성 금속을 코팅하여 표면에 축척된 전하에 의한 아크 현상을 방지할 수 있다. 즉, 상기 구성에 의하여 바이어스 전극의 표면에 잔류하는 전하에 의해 소규모의 아크 방전이 발생하더라도 충분히 견딜 수 있는 이점을 가질 수 있다.In addition, the bias electrode is made of a metal material, and the surface of the bias electrode is anodized to prevent contamination by the metal powder during plasma generation. In addition, an etch-resistant metal including tungsten or titanium may be coated on the entire surface to prevent an arc phenomenon due to charges accumulated on the surface. In other words, the above-described structure can advantageously be able to withstand even if a small-scale arc discharge occurs due to the charge remaining on the surface of the bias electrode.

본 실시예에 따른 플렉시블 기판(S)에 플라즈마를 발생하기 위한 주파수 및 전력은 10~15MHz 및 3~7kW로 설정될 수 있으며, 바람직하게는 13.56MHz, 5kW이 될 수 있다.The frequency and power for generating plasma on the flexible substrate S according to the present embodiment may be set to 10 to 15 MHz and 3 to 7 kW, preferably 13.56 MHz, and 5 kW.

다시 도 1을 참조하면, 공정 챔버(100) 내부에는 공정 챔버(100)가 이송 챔버(200)에 비하여 상대적으로 저압 상태를 유지할 수 있도록 공정 펌프부(160)를 구비할 수 있다.Referring again to FIG. 1, the process chamber 100 may include a process pump unit 160 so that the process chamber 100 can maintain a relatively low pressure state relative to the transfer chamber 200.

공정 펌프부(160)는 상기 공정 챔버(100) 내에 플라즈마 발생부(120)에서 상대적으로 원거리에 위치되어 플라즈마 발생부(120)에서 생성된 플라즈마가 공정 펌프부(160)의 펌핑에 의하여 불균형적인 밀도가 형성되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 따라서 본 실시예에 따르면 공정 펌프부(160)는 게이트 부(140) 근처에 형성되어 있으나, 이에 한정된 것은 아니고 플라즈마의 밀도의 균일성을 유지할 수 있는 어느 곳에도 설치될 수 있다.The process pump unit 160 is disposed at a relatively long distance in the plasma generating unit 120 in the process chamber 100 so that the plasma generated in the plasma generating unit 120 is imbalanced by the pumping of the process pump unit 160 It is preferable that the density is not formed. Therefore, although the process pump unit 160 is formed near the gate unit 140 according to the present embodiment, the process pump unit 160 may be installed anywhere that can maintain the density uniformity of the plasma.

공정 펌프부(160)에 의하여 대체적으로 진공에 가까운 압력을 항상 유지할 수 있도록 하며, 상기에서 제시된 자성 유체 실링부(113)는 이러한 저압 상태를 유지하도록 도움을 줄 수 있다. 따라서 공정 챔버(100)에는 상기 제시된 챔버 내부를 배기하는 공정 펌프부(160)가 연결되어, 이송 챔버(200)보다 저압(예를 들어, 10-3 Torr)이 유지될 수 있다.So that the process pump portion 160 can always maintain a pressure almost always close to vacuum, and the magnetic fluid sealing portion 113 shown above can help maintain such a low pressure state. Accordingly, the process chamber 100 may be connected to a process pump unit 160 for evacuating the interior of the chamber to maintain a lower pressure (for example, 10 -3 Torr) than the transfer chamber 200.

또한, 공정 챔버(100) 내부에는 플렉시블 기판(S)의 처리에 대한 에칭의 시작과 종료를 알 수 있는 센서(미도시)가 구비되어 기판의 처리를 도울 수 있다.In addition, a sensor (not shown) can be provided inside the process chamber 100 to recognize the start and end of etching for the processing of the flexible substrate S, thereby facilitating the processing of the substrate.

그리고 공정 챔버(100)에는 플렉시블 기판(S)의 반입을 위한 게이트 부(140)가 형성될 수 있다. 즉, 공정 챔버(100)에는 플렉시블 기판(S)의 반입을 위한 입구(141)가 형성되고 플렉시블 기판(S)의 반출을 위한 출구(142)가 형성될 수 있다. A gate 140 for carrying the flexible substrate S may be formed in the process chamber 100. That is, an inlet 141 for carrying the flexible substrate S is formed in the process chamber 100, and an outlet 142 for carrying out the flexible substrate S can be formed.

게이트 부(140)의 입구(141) 및 출구(142)는 되도록 플렉시블 기판(S)이 이송할 수 있는 최소한의 공간만을 유지하도록 하는 것 외에도 그 근처에 공정 펌프부(160)를 위치시켜 이송 챔버(200)와 공정 챔버(100)의 연결 부위에 발생하는 압력차를 최소화시켜 공정 챔버(100) 내에 저압을 형성하는데 유리하게 할 수 있다.The inlet 141 and the outlet 142 of the gate unit 140 are arranged so as to keep only the minimum space that the flexible substrate S can transport so that the process pump unit 160 is positioned near the inlet 141 and the outlet 142, It is possible to minimize the pressure difference occurring at the connecting portion of the process chamber 100 and the process chamber 100, thereby making it possible to advantageously form a low pressure in the process chamber 100.

게이트 부(140)의 입구(141) 및 출구(142)는 각각의 압력이 상이한 이송 챔버(200)과 공정 챔버(100)를 연결하는 통로를 제공하지만, 공정 챔버(100)의 내부 압력이 이송 챔버(200)의 내부 압력보다 저압으로 유지되기 때문에 공정 챔버(100) 내부의 가스가 이송 챔버(200)로 되도록 유출되지 않는다.The inlet 141 and outlet 142 of the gate 140 provide a passage connecting the process chamber 100 and the transfer chamber 200 with different pressures but the internal pressure of the process chamber 100 is transferred The gas inside the process chamber 100 is not discharged to the transfer chamber 200 because it is maintained at a lower pressure than the internal pressure of the chamber 200. [

그리고 상기 이송 챔버(200) 및 공정 챔버(100) 사이에는 각 압력을 더욱 일정하게 유지하게 위하여 버퍼 챔버(150)를 추가로 구성할 수 있다.Further, a buffer chamber 150 may be additionally provided between the transfer chamber 200 and the process chamber 100 to maintain the respective pressures more constant.

버퍼 챔버(150)는 공정 챔버(100)에서 플렉시블 기판(S) 처리시 유리한 압력이 일정하게 유지될 수 있도록 하는 기능을 한다. 일반적으로 이송 챔버(200) 와 공정 챔버(100) 사이의 압력 차이로 인하여 각 챔버 내 가스가 역류하여 챔버 내의 장비의 손상을 가져올 수 있어 그 사이에 버퍼 작용을 할 수 있는 챔버를 구비토록 한 것이다.The buffer chamber 150 functions to maintain a favorable pressure at the process chamber 100 during the processing of the flexible substrate S. Generally, due to the pressure difference between the transfer chamber 200 and the process chamber 100, the gas in each chamber flows backward and may damage the equipment in the chamber, thereby providing a chamber capable of buffering therebetween .

버퍼 챔버(150)의 압력은 이송 챔버(200)과 공정 챔버(100) 사이의 압력을 유지하는 것이 바람직하며, 버퍼 챔버(150) 내부로 펌핑되는 반대측에 비활성 가스(N2)를 주입할 수 있다. 즉, 일측에는 일정하게 펌핑 공정이 수행되고 타측에서 비활성 가스가 샤워링하는 공정이 이루어져 버퍼 챔버(150) 내부의 압력을 일정하게 유지할 수 있다.The pressure in the buffer chamber 150 preferably maintains the pressure between the transfer chamber 200 and the process chamber 100 and may inject an inert gas N2 on the opposite side pumped into the buffer chamber 150 . That is, the pumping process is performed at one side and the inert gas is showered at the other side, so that the pressure inside the buffer chamber 150 can be kept constant.

일반적으로 이송 챔버(200)에서 수행되는 펌핑은 이송 챔버(200) 외부의 드라이 펌프(미도시)를 통하여 이루어지고, 공정 챔버(100)에서 수행되는 펌핑은 공정 챔버(100) 외부의 프로세스용 드라이 펌프(미도시)를 통해 이루어진다.Generally, the pumping performed in the transfer chamber 200 is performed through a dry pump (not shown) outside the transfer chamber 200, and the pumping performed in the process chamber 100 is performed by a process dry Through a pump (not shown).

버퍼 챔버(150)에서 펌핑이 이루어지는 배기부는 이송 챔버(200)의 펌핑이 이루어지는 드라이 펌프와 연결되는 것이 각각의 챔버의 압력을 유지하는데 바람직하지만, 별도의 개구율을 조절할 수 있는 압력밸브가 설치된다면 프로세스용 펌프를 통하여 연결될 수 있다.Although it is preferable that the exhaust port where pumping is performed in the buffer chamber 150 is connected to the dry pump in which the transfer chamber 200 is pumped, it is preferable to maintain the pressure of each chamber, but if a pressure valve capable of adjusting a different aperture ratio is provided, For example.

플렉시블 기판(S)이 안착된 회전 스테이지(130)는 그루브 또는 홈 형상으로 구비될 수 있다. 한 예로 회전 스테이지(130)의 안착면은 크로스 트렌치 형상(미도시)으로 설치될 수 있다. 크로스 트렌치 형상은 회전 스테이지(130)가 플렉시블 기판(S)과 맞닿은 면에 형성되어 상기 플렉시블 기판(S)이 처리되면서 이송하는 경우 연속적으로 공정이 처리될 수 있도록 도움을 줄 수 있다.The rotary stage 130 on which the flexible substrate S is mounted may be provided in a groove or groove shape. For example, the seating surface of the rotating stage 130 may be provided in a cross-trench shape (not shown). The cross-trench shape can be formed on the surface where the rotating stage 130 abuts the flexible substrate S, and can help the process to be continuously processed when the flexible substrate S is being transported while being processed.

크로스 트렌치 형상은 회전 스테이지(130) 상면에 크로스 형태의 일정한 홈이 형성되어 있으며, 각각의 일정하게 파여진 홈이 교차하는 부위(크로스 부위)에 헬륨이 공급되는 헬륨 홀이 배치될 수 있다.In the cross-trench shape, a cross-shaped constant groove is formed on the upper surface of the rotary stage 130, and a helium hole to which helium is supplied may be disposed at a crossing portion where each of the regularly grooved grooves cross each other.

각각의 헬륨 홀에서 플렉시블 기판(S)이 안착되는 면을 향하여 헬륨이 공급되고, 헬륨의 공급으로 일정 이격된 공간이 형성되어 플렉시블 기판(S)은 살짝 떠 있는 상태로 이송할 수 있다.Helium is supplied toward the surface on which the flexible substrate S is placed in each helium hole, and a space spaced apart by the supply of helium is formed, so that the flexible substrate S can be transported in a floating state.

상기 현상은 예를 들면, 빗길에 타이어에 발생하는 수막현상과 유사한 원리로서 이루어 질 수 있다.The above phenomenon can be made, for example, as a principle similar to a water film phenomenon occurring in a tire on a comb tooth.

이격된 상태로 회전 스테이지(130) 위에서 플렉시블 기판(S)의 이송은 스텝 바이 스텝(step by step) 방식이 아닌 연속 공정으로 기판 처리를 수월하게 하여 전 이송 과정이 부드러운 움직임으로 이루어질 수 있도록 할 수 있다.The transfer of the flexible substrate S from the rotating stage 130 in a separated state can be facilitated by a continuous process rather than a step by step process so that the entire transfer process can be performed smoothly have.

또한, 일정 이격 이상의 공간이 발생하는 경우, 플렉시블 기판(S)이 회전 스테이지(130)를 벗어나 뜰 수 있는바, 적절한 양압을 조절하여 플렉시블 기판(S)이 뜨는 것을 방지하는 조절부를 따로 구비할 수 있다.Further, when a space above a certain distance occurs, the flexible substrate S can be moved out of the rotation stage 130, and a control unit for preventing the floating of the flexible substrate S by adjusting an appropriate positive pressure can be provided separately have.

상기 크로스 트렌치 형상은 플렉시블 기판(S)이 처음 닿는 부위가 마름모 형태의 꼭지점부터 서서히 넓어지는 부분으로 하여 회전 스테이지(130)에 플렉시블 기판(S)에 안착되도록 할 수 있다. 이에 따라, 플렉시블 기판(S)이 지나가는 방향으로 직접 그루브가 부딪히는 면적을 감소시킬 수 있어 기판에 스크래치 발생을 감소할 수 있다.The cross trench shape can be made to be seated on the flexible substrate S in the rotation stage 130 as a portion where the first contact of the flexible substrate S is gradually widened from the vertex of the rhombus shape. This can reduce the area of the groove directly bending in the direction in which the flexible substrate S passes, thereby reducing the occurrence of scratches on the substrate.

또한, 각 크로스 트렌치 형상에 존재하는 각 그루브 사이의 길이는 약 1mm 정도가 적절하며, 이러한 그루브가 존재하여 쿨링 현상 능력이 우수해지는 효과도 발생한다.Further, the length between the grooves existing in each cross-trench shape is preferably about 1 mm or so, and the grooves may be present to improve the cooling developing ability.

본 발명인 플렉시블 기판 처리장치(10)는 일반적으로 인라인 공정을 유리하게 수행하는 것을 실시예로 제시하고 있으나, 이에 한정된 것은 아니며 스텝 바이 스텝 공정으로 진행을 원하는 경우에도 기판 처리가 가능할 것이다.Although the flexible substrate processing apparatus 10 according to the present invention generally performs an in-line process advantageously, it is not limited thereto, and a substrate can be processed even if it is desired to proceed to a step-by-step process.

즉, 상기 회전 스테이지(130)는 에칭 공정 등을 수행하는 단계에 있어서, 플라즈마 발생부(120)가 설치된 위치에 따라 그 구역에서 공정을 수행하기 위하여 정지 상태를 유지한 후 기판 처리가 이루어질 수 있다.That is, in the step of performing the etching process or the like, the rotating stage 130 may be subjected to substrate processing after the plasma generating part 120 is maintained in a stopped state in order to perform a process in the area thereof .

그리고 상기에 제시된 회전 스테이지(110)와 각 공급 및 회수롤(211, 221)은 횡 방향으로 배치될 수 있다. 즉, 공급롤(211) 및 회전롤(221)은 회전 스테이지(110) 일측에 구비되며, 플렉시블 기판(S)은 공급롤(211)로부터 회전 스테이지(100)를 향해 수평방향으로 공급되고, 처리된 플렉시블 기판(S)은 회전 스테이지(110)로부터 회수롤(221)을 향해 수평으로 회수될 수 있다.And the rotation stage 110 and each of the supply and recovery rolls 211 and 221 shown above may be disposed in the lateral direction. The supply roll 211 and the rotary roll 221 are provided on one side of the rotary stage 110. The flexible substrate S is supplied in the horizontal direction from the supply roll 211 to the rotary stage 100, The flexible substrate S can be recovered horizontally from the rotation stage 110 toward the recovery roll 221. [

또한 도 5를 참조하면, 상기에 제시된 회전 스테이지(110)와 각 공급 및 회수롤(211, 221)은 종 방향으로 배치될 수 있다. 즉, 공급롤(211) 및 회전롤(221)은 회전 스테이지(110) 일측에 구비되며, 플렉시블 기판(S)은 공급롤(211)로부터 회전 스테이지(110)를 향해 수직방향으로 공급되고, 처리된 플렉시블 기판(S)은 회전 스테이지(110)로부터 회수롤(221)을 향해 수직으로 회수될 수 있다.
5, the rotation stage 110 and each of the supply and recovery rolls 211 and 221 shown above may be arranged in the longitudinal direction. That is, the supply roll 211 and the rotary roll 221 are provided on one side of the rotary stage 110, the flexible substrate S is supplied in the vertical direction from the supply roll 211 to the rotary stage 110, The flexible substrate S can be recovered vertically from the rotation stage 110 toward the recovery roll 221. [

이하, 본 발명에 따른 플렉시블 기판 처리방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of processing a flexible substrate according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치 방법을 나타낸 순서도이다.4 is a flowchart showing a method of a flexible substrate processing apparatus according to the present embodiment.

도 4를 참조하면, 플렉시블 기판(S)은 롤 형태로 제공되어 기판 공급롤(211)에 지지된다. 물론, 공정이 개시되기 이전에는 이송 챔버(200)은 이송 펌프부(미도시)에 의해 배기되고, 공정 챔버(100)는 공정 펌프부(160)에 의해 배기된다. Referring to Fig. 4, the flexible substrate S is provided in a roll form and supported by a substrate supply roll 211. Fig. Of course, before the process is started, the transfer chamber 200 is evacuated by a transfer pump unit (not shown), and the process chamber 100 is evacuated by the process pump unit 160.

이어 이송 챔버(200) 내에 배치된 기판 공급부(210)로부터 플렉시블 기판(S)이 공정 챔버(100)로 이송된다.(단계 S11)The flexible substrate S is transferred from the substrate supply unit 210 disposed in the transfer chamber 200 to the process chamber 100. In step S11,

즉, 기판 공급롤(211)로부터 풀려나오는 플렉시블 기판(S)에 점착된 배리어 필름(B1)은 배리어 배출롤(213)에 감기며 배출된다. 배리어 필름(B1)이 박리된 플렉시블 기판(S)은 드라이 모듈(230)을 통과한다. 플렉시블 기판(S)은 드라이 모듈(230)에 의해 가열되면서 습기가 제거된다. 드라이 모듈(230)에 의해 건조된 플렉시블 기판(S)은 쿨링 모듈(240)을 통과한다. 플렉시블 기판(S)은 드라이 모듈(230)에 의해 건조되면서 상승된 온도가 쿨링 모듈(240)에 의해 냉각되면서 안정화될 수 있다. 이와 같이 온도가 안정화된 플렉시블 기판(S)은 공정 챔버(100)로 반입된다.That is, the barrier film B 1 adhered to the flexible substrate S released from the substrate supply roll 211 is wound and discharged to the barrier discharge roll 213. The flexible substrate S on which the barrier film (B1) has been peeled passes through the dry module (230). The flexible substrate (S) is heated by the dry module (230) to remove moisture. The flexible substrate S dried by the dry module 230 passes through the cooling module 240. The flexible substrate S can be stabilized while being cooled by the cooling module 240 while being raised by the dry module 230. [ The temperature-stabilized flexible substrate S is brought into the process chamber 100.

다만, 공정 챔버(100)로 반입되기 전에 플렉시블 기판(S)은 공정 챔버(100) 내의 진공 상태을 유지하기 위한 버퍼 챔버(150)를 통과하여 이송될 수 있다.(단계 S12) 버퍼 챔버(150)를 거치면서 이송 챔버(200)과 공정 챔버(100) 간의 압력 차에 의해 발생하는 가스의 직접적인 이동을 방지하여 공정 챔버(100) 내의 기판 처리의 효율을 높일 수 있다.The flexible substrate S may be transferred through the buffer chamber 150 for maintaining the vacuum state in the process chamber 100 before being transferred to the process chamber 100. Step S12 [ It is possible to prevent the direct movement of the gas caused by the pressure difference between the transfer chamber 200 and the process chamber 100 while increasing the efficiency of the substrate processing in the process chamber 100.

공정 챔버(100)의 입구를 통과한 플렉시블 기판(S)은 공정 챔버 내에 위치한 회전 스테이지(130)에 안착된다.(단계 S13)The flexible substrate S that has passed through the inlet of the process chamber 100 is seated on the rotating stage 130 located in the process chamber (step S13)

즉, 공정 챔버(100) 내에 회전 가능하게 설치된 상기 회전 스테이지(130)의 외주면을 따라 형성된 안착면에, 회전하면서 연속적으로 공급되는 상기 플렉시블 기판(S)이 안착되어 이송된다.That is, the flexible substrate S, which is continuously supplied while rotating, is seated and transported on a seating surface formed along the outer peripheral surface of the rotary stage 130 rotatably installed in the process chamber 100.

그리고 플렉시블 기판(S)은 플렉시블 기판(S)이 안착된 상기 회전 스테이지(130)가 회전시 동일한 각속도로 함께 회전하면서 인라인 이송이 이루어진다.In the flexible substrate S, the rotation stage 130, on which the flexible substrate S is mounted, rotates together at the same angular velocity while rotating, and the inline transport is performed.

공정 챔버 내에 반입된 플렉시블 기판(S)은 회전 스테이지(130)에 안착되어 ECCP 방식에 의해 발생한 플라즈마 공간을 통과한다.(단계 S14)The flexible substrate S carried into the process chamber is placed on the rotating stage 130 and passes through the plasma space generated by the ECCP method. (Step S14)

즉, ECCP 방식에 인가되는 고주파 파워에 의해 플라즈마 발생부(120)에서 향상된 용량결합 플라즈마가 발생된다. 이와 같이 플라즈마 발생부(120)에서 발생한 플라즈마는 플렉시블 기판(S)의 전 면적에 대하여 균일한 식각, 또는 증착 공정이 처리되도록 한다.(단계 S15)That is, an improved capacitive coupling plasma is generated in the plasma generating part 120 by the high frequency power applied to the ECCP method. Thus, the plasma generated in the plasma generating unit 120 is subjected to a uniform etching or deposition process with respect to the entire area of the flexible substrate S. (Step S15)

향상된 용량결합형 플라즈마(ECCP) 방식은 평행한 전극 간에 전력을 인가하여, 전극의 표면에 분포된 전하에 의해 형성된 축전 전기장에 의해 플라즈마를 발생한다. 그리고 한 전극에 바이어스 전원을 인가하는 바이어스 전극을 구성하여 생성된 플라즈마가 바이어스의 파워에 의하여 더 깊은 에칭(deep etching)이 가능하도록 할 수 있다.In the advanced capacitive coupled plasma (ECCP) system, power is applied between parallel electrodes to generate a plasma by a condensing electric field formed by the charge distributed on the surface of the electrode. In addition, a bias electrode for applying a bias power to one electrode can be formed, and the generated plasma can be deep-etched by the power of the bias.

계속해서, 플렉시블 기판(S)은 공정 챔버(100)의 출구(142)를 통해 이송 챔버(200)로 배출된다. 플렉시블 기판(S)은 기판 회수롤(221)에 감기며, 배리어 공급롤(223)은 플렉시블 기판(S)으로 배리어 필름(B2)으로 공급하여 플렉시블 기판(S)은 배리어 필름(B2)에 의해 그 표면이 보호되며 기판 회수롤(221)에 감긴다.(단계 S16)Subsequently, the flexible substrate S is discharged to the transfer chamber 200 through the outlet 142 of the process chamber 100. The flexible substrate S is wound on the substrate recovery roll 221 and the barrier supply roll 223 is supplied to the barrier film B 2 by the flexible substrate S so that the flexible substrate S is transported by the barrier film B 2 Its surface is protected and wound on the substrate recovery roll 221. (Step S16)

상술된 바와 같이 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치는 롤 투 롤(Roll To Roll) 방식으로 플렉시블 기판을 처리하여 플렉시블 기판의 연속 처리가 가능하여 생산성이 향상될 수 있다. 또한, 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치는 플렉시블 기판의 이송을 위한 이송챔버의 내부에 플렉시블 기판의 처리를 위한 공정챔버가 구성되고, 이송챔버와 공정챔버가 서로 다른 압력이 유지되므로, 간편한 구성으로도 기판의 이송 및 처리가 가능하다. As described above, the flexible substrate processing apparatus according to the present embodiment can process the flexible substrate by a roll-to-roll method, thereby enabling the continuous processing of the flexible substrate, and the productivity can be improved. Further, in the flexible substrate processing apparatus according to the present embodiment, a process chamber for processing the flexible substrate is formed inside the transfer chamber for transferring the flexible substrate, and the transfer chamber and the process chamber are kept at different pressures, The substrate can be transferred and processed.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징들이 변경되지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것으로 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, . Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

플렉시블 기판: S 배리어 필름: B1, B2
플렉시블 기판 처리장치 : 10 공정 챔버 : 100
이송 챔버 : 200 회전 스테이지 : 110
회전 스테이지 : 130 플라즈마 발생부 : 120
게이트 부 : 140 버퍼 챔버 : 150
히팅 부재 : 111 히팅 리플렉터 : 112
자성 유체 실링부 : 113 RF 커넥터 : 114
회전부 : 115 고정부 : 116
접지 전극 : 121 외부 전극 : 122
입구 : 141 출구 : 142
기판 공급부 : 210 기판 처리부 : 220
드라이 모듈 : 230 쿨링 모듈 : 240
엔드 포지션 컨트롤러 : 280 공정 펌프부 : 160Flexible substrate: S-barrier film: B1, B2
Flexible substrate processing apparatus: 10 Process chambers: 100
Transfer chamber: 200 Rotation stage: 110
Rotation stage: 130 Plasma generating part: 120
Gate part: 140 Buffer chamber: 150
Heating member: 111 Heating Reflector: 112
Magnetic fluid sealing section: 113 RF connector: 114
Rotating part: 115 Fixed part: 116
Ground electrode: 121 External electrode: 122
Entrance: 141 Exit: 142
Substrate supply unit: 210 Substrate processing unit: 220
Dry Module: 230 Cooling Module: 240
End position controller: 280 Process pump section: 160

Claims (25)

공정 챔버;
상기 공정 챔버에서 처리되는 플렉시블 기판을 공급하는 공급롤;
처리된 상기 플렉시블 기판이 회수되는 회수롤;
상기 공정 챔버 내에 공정가스를 공급하는 가스공급부;
상기 공정 챔버 내에 회전 가능하게 설치되며, 외주면을 따라 형성된 안착면이 회전하면서 상기 공급롤로부터 공급되는 상기 플렉시블 기판을 지지하는 회전 스테이지;
상기 회전 스테이지의 상기 안착면 내측에 배치되고, 상기 회전 스테이지 외주면으로 열을 발산하여 상기 플렉시블 기판에 열을 전달하는 적어도 하나의 히팅 부재; 및
상기 회전 스테이지에 설치되며 바이어스 전원이 인가되는 바이어스 전극 및 상기 회전 스테이지의 안착면과 대향되는 곡면으로 형성되는 외부 전극을 가지는 플라즈마 발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
A process chamber;
A supply roll for supplying a flexible substrate to be processed in the process chamber;
A recovery roll for recovering the processed flexible substrate;
A gas supply unit for supplying a process gas into the process chamber;
A rotating stage rotatably installed in the process chamber, the rotating stage supporting the flexible substrate supplied from the supply roll while rotating a seating surface formed along the outer circumferential surface;
At least one heating member disposed inside the seating surface of the rotary stage and transmitting heat to the flexible substrate by radiating heat to the outer surface of the rotary stage; And
And a plasma generating unit provided on the rotating stage and having a bias electrode to which a bias power is applied and an external electrode formed to have a curved surface facing the seating surface of the rotating stage.
제 1항에 있어서,
상기 공급롤 및 상기 회수롤은 상기 회전 스테이지 일측에 구비되며, 상기 플렉시블 기판은 상기 공급롤로부터 상기 회전 스테이지를 향해 수평방향으로 공급되고, 처리된 상기 플렉시블 기판은 상기 회전 스테이지로부터 상기 회수롤을 향해 수평으로 회수되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
Wherein the supply roll and the recovery roll are provided on one side of the rotation stage, the flexible substrate is supplied in a horizontal direction from the supply roll toward the rotation stage, and the processed flexible substrate is transported from the rotation stage to the recovery roll And is horizontally collected.
제 1항에 있어서,
상기 공급롤 및 상기 회수롤은 상기 회전 스테이지 일측에 구비되며, 상기 플렉시블 기판은 상기 공급롤로부터 상기 회전 스테이지를 향해 수직방향으로 공급되고, 처리된 상기 플렉시블 기판은 상기 회전 스테이지로부터 상기 회수롤을 향해 수직으로 회수되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
Wherein the supply roll and the recovery roll are provided on one side of the rotation stage, the flexible substrate is supplied in a vertical direction from the supply roll toward the rotation stage, and the processed flexible substrate is transported from the rotation stage to the recovery roll And is recovered vertically.
제 1항에 있어서,
상기 플라즈마 발생부에 인가되는 에너지 소스로 RF 에너지가 사용되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
Wherein RF energy is used as an energy source to be applied to the plasma generating unit.
제 1항에 있어서,
상기 바이어스 전극의 전면에 텅스텐 또는 티타늄을 포함하는 내 에칭성 금속이 코팅되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
Wherein an etching resistant metal including tungsten or titanium is coated on the entire surface of the bias electrode.
제 5항에 있어서,
상기 바이어스 전극은 금속 재질로 제작되며, 그 표면은 아노다이징 처리되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the bias electrode is made of a metal material, and the surface of the bias electrode is anodized.
제 1항에 있어서,
상기 플라즈마 발생부에서 생성된 플라즈마는 상기 바이어스 전극에 의하여 딥 에칭이 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
Wherein the plasma generated in the plasma generating portion is subjected to deep etching by the bias electrode.
제 1항에 있어서,
상기 플렉시블 기판은 상기 회전 스테이지의 회전시 동일한 각속도로 함께 회전하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
Wherein the flexible substrate is provided so as to rotate together with the same angular velocity during rotation of the rotation stage.
제 8항에 있어서,
상기 회전 스테이지의 회전축에 인접하여 설치되는 RF 커넥터 및 상기 RF 커넥터의 외측에 배치되고 자성 유체에 의해 실링이 이루어지는 자성 유체 실링부를 더 포함하고,
상기 RF 커넥터는 상기 회전 스테이지와 함께 회전 가능하게 설치되어 상기 제1 전극과 연결되는 회전부 및 고정된 상태에서 상기 회전부와 연결되어 상기 회전부로 RF 에너지를 전달하는 고정부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
9. The method of claim 8,
Further comprising: an RF connector disposed adjacent to a rotation axis of the rotating stage; and a magnetic fluid sealing portion disposed outside the RF connector and sealed by a magnetic fluid,
The RF connector includes a rotation unit rotatably installed with the rotation stage and connected to the first electrode, and a fixing unit connected to the rotation unit in a fixed state to transmit RF energy to the rotation unit. The flexible substrate processing apparatus.
제 9항에 있어서,
상기 RF 커넥터는 회전 상태에서 통전이 가능도록 구비된 바이어스 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the RF connector includes a bias electrode configured to be energized in a rotating state.
제 1항에 있어서,
상기 회전 스테이지의 반경 방향을 기준으로, 상기 히팅부재의 내측에 배치되고, 상기 히팅 부재로부터 발산되는 열을 상기 외주면 방향을 향하여 반사시키는 히팅 리플렉터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a heating reflector disposed inside the heating member with respect to a radial direction of the rotating stage and reflecting the heat emitted from the heating member toward the outer circumferential surface.
제 1항에 있어서,
상기 공정 챔버 내에 배치하고, 상기 플렉시블 기판을 처리하는 동안 진공을 유지시키는 공정 펌프부; 및
상기 공정 챔버 내, 외부로 상기 플렉시블 기판을 이송하는 입구 및 출구를 형성하는 게이트 부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
A process pump unit disposed in the process chamber and maintaining a vacuum during the processing of the flexible substrate; And
And a gate portion forming an inlet and an outlet for transferring the flexible substrate to and from the process chamber.
제 1항에 있어서,
상기 공급롤 및 상기 회수롤이 구비되는 이송 챔버;
상기 이송 챔버와 상기 공정 챔버 사이에 배치되고, 상기 공정챔버 내부의 이물질이 상기 이송챔버 내부로 유입되는 것을 방지하도록 상기 이물질이 배출 가능한 유로가 형성된 버퍼챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
A transfer chamber having the supply roll and the recovery roll;
Further comprising a buffer chamber disposed between the transfer chamber and the process chamber and having a flow path through which foreign substances can be discharged to prevent foreign matter from flowing into the transfer chamber. Device.
제 1항에 있어서,
상기 가스 공급부는 에칭 공정을 수행하기 위한 식각 소스를 공급하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
Wherein the gas supply unit supplies an etching source for performing an etching process.
제 1항에 있어서,
상기 가스 공급부는 증착 공정을 수행하기 위한 공정 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
Wherein the gas supply unit supplies a process gas for performing a deposition process.
제 1항에 있어서,
상기 공급롤 및 상기 회수롤은 상기 회전 스테이지 일측에 구비되며, 상기 플렉시블 기판은 상기 공급롤로부터 상기 회전 스테이지를 향해 수평방향으로 공급되고, 처리된 상기 플렉시블 기판은 상기 회전 스테이지로부터 상기 회수롤을 향해 수평으로 회수되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
Wherein the supply roll and the recovery roll are provided on one side of the rotation stage, the flexible substrate is supplied in a horizontal direction from the supply roll toward the rotation stage, and the processed flexible substrate is transported from the rotation stage to the recovery roll And is horizontally collected.
제 1항에 있어서,
상기 공급롤 및 상기 회수롤은 상기 회전 스테이지 일측에 구비되며, 상기 플렉시블 기판은 상기 공급롤로부터 상기 회전 스테이지를 향해 수직방향으로 공급되고, 처리된 상기 플렉시블 기판은 상기 회전 스테이지로부터 상기 회수롤을 향해 수직으로 회수되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
The method according to claim 1,
Wherein the supply roll and the recovery roll are provided on one side of the rotation stage, the flexible substrate is supplied in a vertical direction from the supply roll toward the rotation stage, and the processed flexible substrate is transported from the rotation stage to the recovery roll And is recovered vertically.
(a)이송 챔버 내에 배치된 기판 공급부로부터 플렉시블 기판이 공정 챔버로 이송되는 단계;
(b)상기 공정 챔버로 이송된 상기 플렉시블 기판이 상기 공정 챔버 내 회전 스테이지에 안착되는 단계;
(c)상기 회전 스테이지에 안착된 상기 플렉시블 기판이 처리되는 단계;
(d)상기 처리된 플렉시블 기판이 상기 이송챔버 내부에 배치된 기판 회수부로 회수되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리방법.
(a) transferring a flexible substrate from a substrate supply portion disposed in the transfer chamber to a process chamber;
(b) the flexible substrate transferred to the process chamber is seated on a rotating stage in the process chamber;
(c) the flexible substrate mounted on the rotating stage is processed;
(d) recovering the processed flexible substrate to a substrate recovery unit disposed in the transfer chamber.
제 18항에 있어서,
상기 (a)단계는
상기 이송 챔버에서 상기 공정 챔버로 이송되는 중간에 상기 공정 챔버 내의 압력을 일정하게 유지시키기 위하여, 상기 플렉시블 기판이 버퍼 챔버를 통해 이송되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리방법.
19. The method of claim 18,
The step (a)
Wherein the flexible substrate is transferred through a buffer chamber to maintain a constant pressure in the process chamber during transfer to the process chamber from the transfer chamber.
제 18항에 있어서,
상기 (b)단계는
상기 공정 챔버 내에 회전 가능하게 설치된 상기 회전 스테이지의 외주면를 따라 형성된 안착면에 회전하면서 연속적으로 공급되는 상기 플렉시블 기판이 안착되어 이송하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리방법.
19. The method of claim 18,
The step (b)
Wherein the flexible substrate, which is continuously supplied while being rotated on a seating surface formed along an outer peripheral surface of the rotary stage rotatably installed in the process chamber, is seated and transported.
제 18항에 있어서,
상기 (c)단계는
상기 플렉시블 기판은 상기 회전 스테이지의 회전시 동일한 각속도로 함께 회전하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리방법.
19. The method of claim 18,
The step (c)
Wherein the flexible substrate is provided so as to rotate together with the same angular velocity when the rotation stage rotates.
제 18항에 있어서,
상기 (c)단계는
ECCP 방식의 향상된 용량결합 플라즈마에 의해 상기 플렉시블 기판이 처리되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리방법.
19. The method of claim 18,
The step (c)
Wherein said flexible substrate is processed by an improved capacitively coupled plasma of the ECCP type.
제 18항에 있어서,
상기 (c)단계는
상기 회전 스테이지 내부 안쪽 벽면에 배치된 히팅 부재에서 상기 플렉시블 기판을 향해 열을 전달하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리방법.
19. The method of claim 18,
The step (c)
And transferring heat from the heating member disposed on the inner wall surface of the rotating stage toward the flexible substrate.
제 18항에 있어서,
상기 (a) 단계 및 (d) 단계는
엔드 포지션 컨트롤러에 의해 상기 기판 공급부로부터 공급되는 상기 플렉시블 기판의 엔드 포지션과, 상기 기판 회수부로 회수되는 상기 플렉시블 기판의 엔드 포지션이 컨트롤되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리방법.
19. The method of claim 18,
The steps (a) and (d)
Wherein the end position of the flexible substrate supplied from the substrate supply unit by the end position controller and the end position of the flexible substrate recovered by the substrate returning unit are controlled.
공정 챔버;
상기 공정 챔버에서 처리되는 플렉시블 기판을 공급하는 공급롤;
처리된 상기 플렉시블 기판이 회수되는 회수롤;
상기 공정 챔버 내에 공정가스를 공급하는 가스공급부;
상기 공정 챔버 내에 회전 가능하게 설치되며, 외주면을 따라 형성된 안착면이 회전하면서 상기 공급롤로부터 공급되는 플렉시블 기판을 지지하는 회전 스테이지; 및
상기 회전 스테이지에 설치되며 바이어스 전원이 인가되는 바이어스 전극 및 상기 회전 스테이지의 안착면과 대향되는 곡면으로 형성되는 외부 전극을 가지는 플라즈마 발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.













A process chamber;
A supply roll for supplying a flexible substrate to be processed in the process chamber;
A recovery roll for recovering the processed flexible substrate;
A gas supply unit for supplying a process gas into the process chamber;
A rotating stage rotatably installed in the process chamber, the rotating stage supporting a flexible substrate supplied from the supply roll while rotating a seating surface formed along an outer circumferential surface thereof; And
And a plasma generating unit provided on the rotating stage and having a bias electrode to which a bias power is applied and an external electrode formed to have a curved surface facing the seating surface of the rotating stage.













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