KR20150076864A - 기판 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 기판 처리의 효율성을 향상시키는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는, 제1 챔버와, 상기 제1챔버와 인접하게 배치되는 제2 챔버와, 상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버 내에 각각 배치되어 기판을 반송하는 반송 유닛과, 상기 제1 챔버에 위치한 기판 상의 영역에 제1 유체를 분사하는 제1 노즐과, 상기 제2 챔버에 위치한 기판 상의 영역에 제2 유체를 분사하는 제2 노즐을 포함하되, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐은 일체형으로 제공된다.
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 처리의 효율성을 향상시키는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
최근 들어, 정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하기 위해 디스플레이 장치를 가진다. 과거 디스플레이 장치로는 브라운관(Cathode Ray Tube) 모니터가 주로 사용되었으나, 최근에는 반도체 기술의 급속한 발전에 따라 가볍고 공간을 작게 차지하는 평판 디스플레이 장치의 사용이 급격히 증대하고 있다. 이러한 평판 디스플레이로는 다양한 종류가 있으며, 이들 중 전력 소모와 부피가 작고, 저전압 구동형인 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display) 등이 널리 사용되고 있다.
액정 표시 장치를 제조하기 위해서는 액정 표시 장치에 이용되는 기판 상에 다양한 공정들이 수행되며, 각각의 공정들에는 서로 다른 처리액들이 기판 상에 분사된다. 하지만, 상기 공정들이 수행되는 영역들 사이를 상기 기판이 이송함에 따라, 해당 공정에서 상기 기판 상에 분사된 처리액이 기판 상에서 다른 공정이 수행되는 영역으로 흘러들어가는 문제점이 발생한다.
해당 공정에서 상기 기판 상에 분사된 처리액이 다른 공정이 수행되는 영역으로 흘러들어가면, 서로 다른 공정들에 이용되는 처리액들이 혼합될 수 있고, 이에 따라, 기판 처리의 효율성이 저하될 수 있는 문제점이 있다.
특히, 처리액이 분사되는 하나의 노즐이 막히면 기판 상에는 가로줄 얼룩이 발생할 수 있고, 이러한 가로줄 얼룩 발생 후 다른 노즐로 빠른 치환을 하지 못하면 추후 얼룩으로 발전한다. 또한, 기존에 설치되는 여러 노즐들은 개별적으로 세팅으로 되어 있고 위치되는 노즐 간 거리가 멀어 상기와 같은 문제를 심화시킨다.
본 발명은 기판 처리의 효율성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는, 제1 챔버와, 상기 제1챔버와 인접하게 배치되는 제2 챔버와, 상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버 내에 각각 배치되어 기판을 반송하는 반송 유닛과, 상기 제1 챔버에 위치한 기판 상의 영역에 제1 유체를 분사하는 제1 노즐과, 상기 제2 챔버에 위치한 기판 상의 영역에 제2 유체를 분사하는 제2 노즐을 포함하되, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐은 일체형으로 제공된다.
일 예에 의하면, 상기 제1 챔버는 기판으로 케미컬을 공급하는 케미컬 노즐을 포함하고, 상기 제2 챔버는 기판으로 세정액을 공급하는 세정액 노즐을 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 세정액은 탈이온수이다.
일 예에 의하면, 상기 제1 유체는 가스이고, 상기 제2 유체는 액이다.
일 예에 의하면, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐은 상기 제2 챔버와 인접한 상기 제1 챔버 내에 위치된다.
일 예에 의하면, 상기 제1 노즐은 상기 반송 유닛에 의해 반송되는 기판에 수직으로 배치되고, 상기 제2 노즐은 기판이 반송되는 방향을 향해 하향 경사지게 배치된다.
일 예에 의하면, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐은 각각 그 길이 방향이 상부에서 바라볼 때 기판의 반송 방향에 수직하게 배치된다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 노즐들의 구조가 단순하고 설치가 용이할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판의 가로줄 얼룩을 최소화하여 기판 처리 공정의 효율성을 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판의 해당 공정에 이용되는 처리액이 다른 공정이 수행되는 영역으로 흘러들어가는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 측면 구성도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치에서 노즐 내부의 처리액 공급 모습을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 개략적인 모습을 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치에서 노즐 내부의 처리액 공급 모습을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 개략적인 모습을 보여주는 사시도이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)에 대해 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 따라서 도면에서의 도시된 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 측면 구성도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치에서 노즐 내부의 처리액 공급 모습을 보여주는 도면이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 개략적인 모습을 보여주는 사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 제1 챔버(100), 제2 챔버(200), 반송 유닛(300), 제1 노즐(400), 그리고 제2 노즐(500)을 포함한다. 이하, 각 구성에 대해 상세히 설명한다.
제1 챔버(100)는 기판(S)을 처리하는 일련의 공정들 중 어느 하나의 공정이 수행될 수 있다. 제2 챔버(200)는 제1 챔버(100)에서 수행되는 공정에 후속하는 공정이 수행되는 영역일 수 있다. 제2 챔버(200)는 제1 챔버(100)와 인접하게 배치된다.
예를 들면, 기판(110)은 액정 표시 패널에 사용되는 기판일 수 있다. 또한, 제1 챔버(100)는 기판(S)을 식각하는 챔버일 수 있으며, 제2 챔버(200)는 기판(S)을 세정하는 챔버일 수 있다.
제1 챔버(100)와 제2 챔버(200) 사이에는 기판(S)이 이동할 수 있는 공간이 제공된다. 이 경우, 기판(S)은 제1 챔버(100) 및 제2 챔버(200) 내에 각각 배치된 반송 유닛(300)에 의해 제1 방향(12)으로 반송된다. 반송 유닛(300)은 일렬로 나란하게 배치된 복수의 샤프트와 각각의 샤프트에 설치되는 다수의 롤러들을 갖는다.
즉, 기판(S)은 반송 유닛(300)에 의해 제1 챔버(100)로부터 제2 챔버(200)로 이송될 수 있다. 상기 다수의 롤러들이 고정 배치된 복수의 샤프트의 회전에 의해 기판(S)을 제1 챔버(100)로부터 제2 챔버(200)로 반송할 수 있다.
제1 챔버(100)는 기판(S)으로 케미컬을 공급하는 케미컬 노즐(600)을 포함한다. 상기 케미컬은 식각액 등의 약액일 수 있다. 케미컬 노즐(600)은 제1 챔버(100)내에서 제1 노즐(400)보다 상류에 배치된다.
제2 챔버(200)는 기판(S)으로 세정액을 공급하는 세정액 노즐(700)을 포함한다. 상기 세정액은 탈이온수일 수 있다. 세정액 노즐(700)은 제2 챔버(200) 내에서 제2 노즐(500)보다 하류에 배치된다.
제1 노즐(400)은 제1 챔버(100)에 위치한 기판 상의 영역으로 제1 유체를 분사한다. 제2 노즐(500)은 제2 챔버(200)에 위차한 기판 상의 영역으로 제2 유체를 분사한다. 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 노즐(400)과 제2 노즐(500)은 일체형으로 제공된다. 상기 제1 유체는 가스이고, 상기 제2 유체는 액일 수 있다.
제1 노즐(400)과 제2 노즐(500)은 제2 챔버(200)와 인접한 제1 챔버(100)의 하류에 위치된다. 즉, 제1 노즐(400)과 제2 노즐(500)은 제1 챔버(100)와 제2 챔버(200)의 경계 영역에서 제1 챔버(100) 내에 위치될 수 있다.
도시된 바와 같이, 제1 노즐(400)은 반송 유닛(300)에 의해 반송되는 기판(S)에 수직으로 배치된다. 즉, 제1 노즐(400)은 기판(S)의 직상방에 위치된다. 제2 노즐(500)은 기판이 반송되는 제1 방향(12)을 향해 하향 경사지게 배치된다.
또한, 도 3을 참조하면, 제1 노즐(200)과 제2 노즐(200)은 각각 그 길이 방향이 상부에서 바라볼 때 기판(S)의 반송 방향(12)에 수직하게 배치된다. 즉, 일체형으로 제공되는 제1 노즐(200)과 제2 노즐(200)은 기판(S)의 반송 방향(12)과 수직한 제2 방향(14)으로 길게 배치된다.
일 예로, 제1 노즐(400)은 액절 나이프일 수 있다. 액절 나이프는 제1 챔버(100) 및 제2 챔버(200) 사이에 위치한 기판(S) 상에 에어(air)를 포함한 가스를 분사한다. 액절 나이프가 에어를 분사함으로써, 제1 챔버(100)의 기판(S) 상에 케미컬 노즐(600)을 통해 분사된 케미컬 또는 약액이 기판(S) 상에서 제2 챔버(200)로 흐르는 것을 방지할 수 있다.
예를 들면, 상기 케미컬 또는 약액이 기판(S) 상에서 제2 챔버(200) 방향으로 흘러 제1 챔버(100) 및 제2 챔버(200) 사이에 위치할 경우, 액절 나이프로부터 분사되는 에어가 상기 케미컬 또는 약액을 건조시킬 수 있다.
일 예로, 제2 노즐(500)은 인샤워 나이프일 수 있다. 인샤워 나이프는 제1 챔버(100)를 막 통과하여 제2 챔버(200)에 유입되는 기판(S) 상에 처리액 등의 제2 유체를 분사한다. 상기 제2 유체는 순수(DIW)일 수 있다.
따라서, 본 발명은 제1 노즐(400)과 제2 노즐(500)이 일체형 노즐(450)로 제공되어, 양 노즐 사이의 거리가 매우 짧다. 이는 예를 든 액절 나이프의 막힘 등으로 기판 상에 가로줄 얼룩이 발생하더라도 빠르게 순수 인샤워 나이프를 가동하여 가로줄 얼룩을 최소화할 수 있게 된다.
도 2를 참조하면, 제1 유체 공급부(810)는 일체형 노즐(450)의 제1 가이드부(453)에 연결된 제1 배관(812)을 통해 제1 유체를 제1 노즐 분사구(451)에 공급하고, 제2 유체 공급부(820)는 일체형 노즐(450)의 제2 가이드부(454)에 연결된 제2 배관(822)을 통해 제2 유체를 제2 노즐 분사구(452)에 공급한다.
또한, 기판 처리 장치(10)는 제1 배관(812) 상에 제1 유체의 유량을 조절하는 제1 밸브(미도시)를 가질 수 있고, 제2 배관(822) 상에 제2 유체의 유량을 조절하는 제2 밸브(미도시)를 가질 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 노즐들의 구조가 단순하고 설치가 용이할 수 있다. 또한, 본 발명은 기판의 가로줄 얼룩을 최소화하여 기판 처리 공정의 효율성을 증가시킬 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 기판 처리 장치
100 : 제1 챔버
200 : 제2 챔버 300 : 반송 유닛
400 : 제1 노즐 500 : 제2 노즐
450 : 일체형 노즐 451 : 제1 노즐 분사구
452 : 제2 노즐 분사구 453 : 제1 가이드부
454 : 제2 가이드부 600 : 케미컬 노즐
700 : 세정액 노즐 810 : 제1 유체 공급부
812 : 제1 배관 820 : 제2 유체 공급부
822 : 제2 배관
200 : 제2 챔버 300 : 반송 유닛
400 : 제1 노즐 500 : 제2 노즐
450 : 일체형 노즐 451 : 제1 노즐 분사구
452 : 제2 노즐 분사구 453 : 제1 가이드부
454 : 제2 가이드부 600 : 케미컬 노즐
700 : 세정액 노즐 810 : 제1 유체 공급부
812 : 제1 배관 820 : 제2 유체 공급부
822 : 제2 배관
Claims (2)
- 기판을 처리하는 장치에 있어서,
제1 챔버와,
상기 제1챔버와 인접하게 배치되는 제2 챔버와,
상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버 내에 각각 배치되어 기판을 반송하는 반송 유닛과,
상기 제1 챔버에 위치한 기판 상의 영역에 제1 유체를 분사하는 제1 노즐과,
상기 제2 챔버에 위치한 기판 상의 영역에 제2 유체를 분사하는 제2 노즐을 포함하되,
상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐은 일체형으로 제공되는 기판 처리 장치. - 제 1항에 있어서,
상기 제1 챔버는 기판으로 케미컬을 공급하는 케미컬 노즐을 포함하고,
상기 제2 챔버는 기판으로 세정액을 공급하는 세정액 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130165532A KR102181781B1 (ko) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130165532A KR102181781B1 (ko) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 기판 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR20150076864A true KR20150076864A (ko) | 2015-07-07 |
KR102181781B1 KR102181781B1 (ko) | 2020-11-24 |
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ID=53789745
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020130165532A KR102181781B1 (ko) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 기판 처리 장치 |
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Citations (3)
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---|---|---|---|---|
KR20070119398A (ko) * | 2006-06-15 | 2007-12-20 | 세메스 주식회사 | 에어 나이프와 에어 나이프를 이용한 기판 건조 장치 |
KR20080078303A (ko) * | 2007-02-23 | 2008-08-27 | 세메스 주식회사 | 평판 패널 처리 장치 |
KR20120029493A (ko) * | 2010-09-16 | 2012-03-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
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2013
- 2013-12-27 KR KR1020130165532A patent/KR102181781B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20070119398A (ko) * | 2006-06-15 | 2007-12-20 | 세메스 주식회사 | 에어 나이프와 에어 나이프를 이용한 기판 건조 장치 |
KR20080078303A (ko) * | 2007-02-23 | 2008-08-27 | 세메스 주식회사 | 평판 패널 처리 장치 |
KR20120029493A (ko) * | 2010-09-16 | 2012-03-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
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