KR20150050283A - 기판 처리 설비 - Google Patents

기판 처리 설비 Download PDF

Info

Publication number
KR20150050283A
KR20150050283A KR1020130164396A KR20130164396A KR20150050283A KR 20150050283 A KR20150050283 A KR 20150050283A KR 1020130164396 A KR1020130164396 A KR 1020130164396A KR 20130164396 A KR20130164396 A KR 20130164396A KR 20150050283 A KR20150050283 A KR 20150050283A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
module
developing
buffer
development
disposed
Prior art date
Application number
KR1020130164396A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101579510B1 (ko
Inventor
황수민
노형래
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=53388197&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20150050283(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to US14/527,897 priority Critical patent/US9685357B2/en
Priority to CN201410602068.7A priority patent/CN104600003B/zh
Publication of KR20150050283A publication Critical patent/KR20150050283A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101579510B1 publication Critical patent/KR101579510B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명의 기판 처리 설비는 기판이 담겨진 용기가 놓여지는 포트 및 인덱스 로봇을 가지는 인덱스부; 기판을 현상하는 공정을 진행하는 제1현상 처리실과 제2현상처리실이 서로 층으로 구획되어 배치되는 현상 처리부를 갖는 공정 처리부; 상기 현상 처리부와 상기 인덱스부 사이에 배치되는 제1패스부를 포함하되; 상기 제1현상 처리실은 현상 모듈 및 제1가열 모듈 그리고, 상기 현상 모듈 및 상기 제1가열 모듈에 접근 가능한 이동 통로상에 배치되는 제1메인반송로봇을 포함하고, 상기 제1패스부는 제2가열 모듈, 제1버퍼 모듈, 쿨링 모듈, 제2버퍼 모듈 그리고 상기 제2가열 모듈, 상기 제1버퍼 모듈, 상기 쿨링 모듈 및 상기 제2버퍼 모듈에 접근 가능한 이동 통로상에 배치되는 제1 버퍼 반송 로봇을 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 설비{Apparatus for Processing Substrate}
본 발명은 기판 처리 설비에 관한 것으로, 더 상세하게는 도포, 현상, 베이크 공정을 수행하는 기판 처리 설비에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자용 제조 장치는 기판 상에 소정의 막을 형성하고, 그 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다. 패턴은 막 형성, 사진(photolithogrphy), 식각, 세정 등과 같은 단위 공정들의 순차적 또는 반복적인 수행에 의해 형성된다.
여기서, 사진 공정은 실리콘 기판 상에 포토레지스트막을 도포하여 형성하는 도포 공정과 이 포토레지스트막이 형성된 기판 상에 마스크를 이용하여 선택적으로 노광하는 노광 공정과 이 노광된 포토레지스트막을 현상하여 미세회로 패턴을 형성하는 현상 공정, 그리고 도포 공정, 노광 공정 및 현상 공정 후 각각 진행하는 베이크 공정으로 이루어진다.
사진 공정을 수행하기 위한 설비는 도포 공정을 담당하는 도포 처리 영역, 현상 공정을 담당하는 현상 처리 영역 및 베이크 공정을 담당하는 베이크 처리 영역을 구비하는 설비와, 노광 공정을 담당하는 별도의 노광 설비로 구별된다. 도포, 현상, 베이크 공정을 수행하는 포토리소그래피 설비는 기판 이송의 효율을 올리기 위해 일측에 도포 처리 영역과 현상 처리 영역을 복층으로 구분하여 배치하면서, 이와 대향되는 측에 베이크 처리 영역을 배치한다. 따라서, 각 층에 기판 이송을 담당하는 로봇이 별도로 설치된다.
그러나, 이와 같은 구성은 설비의 가동율을 증대시키는데 한계를 가지고 있다. 예를 들어, 현상 처리를 수행하는 층에 배치된 1개의 반송 로봇은 버퍼- 노광후베이크 - 쿨링 - 현상 - 하드베이크 - 쿨링 - 버퍼로 이루어지는 7개 스텝을 처리한다. 따라서, 1개 층에 배치된 반송 로봇에는 큰 부하가 걸리게 되고, 그에 따른 설비 생산 효율이 감소된다.
본 발명의 실시예들은 반송 로봇의 부하를 분산시킬 수 있는 레이아웃을 갖는 기판 처리 설비를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예들은 포지티브형 현상 공정과 네거티브형 현상 공정을 선택적으로 수행하면서 기판 생산량을 향상시킬 수 있는 기판 처리 설비를 제공하고자 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판이 담겨진 용기가 놓여지는 포트 및 인덱스 로봇을 가지는 인덱스부; 기판을 현상하는 공정을 진행하는 제1현상 처리실과 제2현상처리실이 서로 층으로 구획되어 배치되는 현상 처리부를 갖는 공정 처리부; 상기 현상 처리부와 상기 인덱스부 사이에 배치되는 제1패스부를 포함하되; 상기 제1현상 처리실은 현상 모듈 및 제1가열 모듈 그리고, 상기 현상 모듈 및 상기 제1가열 모듈에 접근 가능한 이동 통로상에 배치되는 제1메인반송로봇을 포함하고, 상기 제1패스부는 제2가열 모듈, 제1버퍼 모듈, 쿨링 모듈, 제2버퍼 모듈 그리고 상기 제2가열 모듈, 상기 제1버퍼 모듈, 상기 쿨링 모듈 및 상기 제2버퍼 모듈에 접근 가능한 이동 통로상에 배치되는 제1 버퍼 반송 로봇을 포함하는 기판 처리 설비가 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1버퍼 모듈과 상기 쿨링 모듈은 상기 제1메인 반송 로봇과 상기 제1 버퍼 반송 로봇이 모두 접근 가능한 위치에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1버퍼 모듈과 상기 쿨링 모듈은 상기 제1메인반송로봇의 이동통로와 상기 제1 버퍼 반송 로봇의 이동통로 사이에 적층되어 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1메인반송로봇의 이동통로는 수평방향으로 제공되고, 상기 제1 버퍼 반송 로봇의 이동통로는 수직방향으로 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1가열 모듈은 노광후베이크(PEB;Post Exposure Bake) 모듈일 수 있다.
또한, 상기 제2가열 모듈은 하드 베이크(H/B;Hard Bake) 모듈일 수 있다.
또한, 상기 제1현상 처리실의 현상 모듈은 포지티브형 현상을 행하는 포지티브형 현상 모듈과 네거티브형 현상을 행하는 네거티브형 현상 모듈 중 어느 하나만으로 제공되고, 상기 제2현상 처리실의 현상 모듈은 포지티브형 현상을 행하는 포지티브형 현상 모듈과 네거티브형 현상을 행하는 네거티브형 현상 모듈 중 다른 하나만으로 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1현상 처리실의 개수는 상기 제2현상 처리실의 개수보다 적을 수 있다.
또한, 상기 공정 처리부는 기판에 대해 포토 레지스트 도포 공정을 수행하는 도포 처리실들이 층으로 구획되어 배치되는 도포 처리부를 더 포함하되; 상기 도포 처리부는 상기 현상 처리부와는 층으로 구획되어 배치될 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 인덱스부; 포지티브형 현상 공정을 진행하는 제1현상 처리실과 네가티브형 현상 공정을 진행하는 제2현상 처리실이 적층되어 배치되는 현상 처리부; 및 상기 현상 처리부와 상기 인덱스부 사이에 배치되는 제1패스부를 포함하되; 상기 제1현상 처리실과 제2현상 처리실 중 어느 하나의 처리실은 노광후 베이크와 쿨링 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행하기 위해 현상 모듈, 노광후베이크(PEB;Post Exposure Bake) 모듈, 쿨링 모듈이 제1메인반송로봇의 이송통로 상에 배치되고, 상기 제1패스부는 상기 현상 모듈에서 처리된 기판에 대한 하드 베이크(H/B;Hard Bake)공정을 수행하기 위한 하드 베이크 모듈이 제1버퍼반송로봇의 이송통로 상에 배치되는 기판 처리 설비가 제공될 수 있다.
또한, 상기 쿨링 모듈은 상기 제1메인 반송 로봇과 상기 제1 버퍼 반송 로봇이 모두 접근 가능한 위치에 배치되며, 상기 쿨링 모듈에는 기판이 일시적으로 머무르는 제1버퍼 모듈이 적층되어 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1패스부는 상기 인덱스부와의 기판 인계를 위한 제2버퍼 모듈을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1메인반송로봇의 이동통로는 수평방향으로 제공되고, 상기 제1 버퍼 반송 로봇의 이동통로는 수직방향으로 제공될 수 있다.
또한, 상기 어느 하나의 처리실 수량은 다른 하나의 처리실 수량보다 적을 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 인덱스부; 제1현상 처리실과 제2현상처리실이 서로 층으로 구획되어 배치되는 현상 처리부; 상기 현상 처리부와 상기 인덱스부 사이에 배치되는 제1패스부를 포함하되; 상기 제1현상 처리실은 노광후 베이크와 쿨링 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행하기 위해 처리 모듈들이 제1메인반송로봇의 수평 이송통로 상에 배치되고, 상기 제1패스부는 상기 제1현상 처리실에서 현상 처리된 기판에 대한 하드 베이크(H/B;Hard Bake)공정을 수행하기 위한 처리 모듈이 제1버퍼반송로봇의 수직 이송통로 상에 배치되며,상기 제1버퍼반송로봇은 이웃하는 상기 제1현상 처리실과 상기 제2현상처리실들로 층간 이동이 가능하도록 승강 가능하게 제공되는 기판 처리 설비가 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1현상 처리실은 포지티브형 현상을 행하는 현상 모듈 또는 네거티브형 현상을 행하는 현상 모듈 중에서 어느 한 종류의 현상 모듈만을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1메인 반송 로봇과 상기 제1 버퍼 반송 로봇이 모두 접근 가능한 위치에는 제1버퍼 모듈과 쿨링 모듈이 배치될 수 있다.
본 발명에 의하면, 반송 로봇의 부하를 분산시켜 기판 생산량을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 포지티브형 현상 공정과 네거티브형 현상 공정을 선택적으로 수행하면서 기판 생산량을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 외관도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 설비에서의 각 층별 레이아웃을 보여주는 구성도이다.
도 3은 현상 처리부와 제1 현상 패스부 그리고 제2 현상 패스부를 설명하기 위한 구성도이다.
도 4는 현상 처리부와 제1 현상 패스부 그리고 제2 현상 패스부를 설명하기 위한 사시도이다.
본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수 있다. 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에 있어서, 각각의 장치는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 개략적으로 도시된 것이다. 또한, 각각의 장치에는 본 명세서에서 자세히 설명되지 아니한 각종의 다양한 부가 장치가 구비되어 있을 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
본 실시예에서는 기판으로 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명한다. 그러나 기판은 반도체 웨이퍼 이외에 포토마스크, 평편 표시 패널 등 다양한 종류의 기판일 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 기판 처리 설비가 포토리소그래피 공정을 수행하는 설비인 것을 예로 들어 설명한다. 그러나 기판 처리 설비는 웨이퍼 등과 같은 다른 종류의 기판에 세정 공정을 수행하는 설비일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 외관도이고, 도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 설비에서의 각 층별 레이아웃을 보여주는 구성도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 기판 처리 설비(1000)는 인덱스부(10), 공정 처리부(20), 제1패스부(30), 제2패스부(40) 그리고 인터페이스부(50)를 포함할 수 있다.
인덱스부(10), 제1패스부(30), 공정 처리부(20), 제2패스부(40) 그리고 인터페이스부(50)는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10), 제1패스부(30), 공정 처리부(20), 제2패스부(40) 그리고 인터페이스부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 정의한다.
기판(W)은 용기(16) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 용기(16)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 용기(16)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. 이하 도 1 내지 도 3을 참조하여, 각각의 구성에 대해서 상세히 설명한다.
(인덱스부)
인덱스부(10)는 기판 처리 설비(1000)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 4개의 로드 포트(12) 및 1개의 인덱스 로봇(13)을 포함한다.
4개의 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 설비(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 용기(예컨대, 카세트, FOUP등)가 안착된다.
인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 제1패스부(30) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 제1패스부(30)와 로드 포트(12) 간에 기판을 이송한다. 제1패스부(30)의 버퍼 모듈에 대기하는 기판(W)을 용기(16)로 이송하거나, 용기(16)에서 대기하는 기판(W)을 제1패스부(30)의 버퍼 모듈로 이송한다.
(인터페이스부)
인터페이스부(50)는 제2패스부(40)와 노광 장치(미도시됨) 간에 기판을 이송한다. 인터페이스부(50)는 인터페이스 로봇(510)을 포함한다. 도시하지 않았지만, 인터페이스부(50)는 기판이 일시적으로 대기하는 버퍼 모듈들이 제공될 수 있다.
(공정처리부)
공정 처리부(20)에서는 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정과 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정이 진행될 수 있다.
공정 처리부(20)는 도포 공정 처리를 수행하기 위한 도포 처리부(200a)와, 현상 공정 처리를 수행하기 위한 현상 처리부(200b)가 층으로 구획되도록 적층되어 제공될 수 있다. 도포 처리부(200-a)는 3개 층의 도포 처리실(200-1,200-2,200-3)을 포함하고, 현상 처리부(200b)는 3개 층의 현상 처리실(200-4, 200-5, 200-6)을 포함할 수 있다.
일 예로, 도포 처리부(200a)와, 현상 처리부(200b)의 처리실들(200-1 ~ 200-6) 각각은 중앙 통로(210), 제1메인 반송로봇(240,250) 그리고 해당 처리실의 공정 수행을 위한 처리 모듈들을 포함할 수 있다. 처리 모듈들은 열처리 모듈들과 스핀 처리 모듈들을 포함할 수 있으며, 스핀 처리 모듈들에는 도포 공정을 위한 도포 모듈들 또는 현상 공정을 위한 현상 모듈들을 포함할 수 있다. 이처럼, 도포 처리부(200a)와, 현상 처리부(200b)의 처리실들(200-1 ~ 200-6) 각각에는 각 공정 특성에 맞는 모듈들이 배치될 수 있다.
제1메인 반송로봇(240,250)은 중앙 통로(210)상에서의 기판 반송을 책임진다. 제1메인 반송로봇(240,250)과 기판을 직접 핸들링하는 핸드가 제 1 방향, 제 2 방향, 제3 방향으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 다축 구동이 가능한 구조를 가질 수 있다.
처리 모듈들은 제1메인 반송로봇(240,250)이 접근 가능한 중앙 통로(210)를 따라 설치될 수 있다.
본 실시예에서는 1~3층의 도포 처리실에는 도포 공정을 위한 모듈들이, 그리고 4~6층의 현상 처리실에는 현상 공정을 위한 모듈들을 구비하는 것으로 도시하였다. 그러나, 이와 달리, 1~3층에는 현상 공정을 위한 처리실들이, 그리고 4~6층의 도포 공정을 처리실들이 배치될 수 있으며, 처리실의 개수는 변경될 수 있다.
(제1패스부 및 제2패스부)
제1패스부(30)는 공정 처리부(20)와 인덱스부(10) 사이에 배치된다. 제1패스부(30)는 도포 처리실(200-1,200-2,200-3)과 연결되는 제1도포 패스부(30-1)와, 현상 처리실(200-4, 200-5, 200-6)과 연결되는 제1현상 패스부(30-2)를 포함하며, 제1도포 패스부(30-1)와 제1현상 패스부(30-2)는 층으로 구획되어 제공된다.
제1도포 패스부(30-1)는 도포 처리부(200a)와 인덱스부(10) 간의 기판 반송 뿐만 아니라 도포 처리실(200-1,200-2,200-3)들 간의 기판 반송을 위한 층간 반송 로봇(310a)이 제공된다.
제1현상 패스부(30-2)는 현상 처리부(200b)와 인덱스부(10) 간의 기판 반송 뿐만 아니라 현상 처리실(200-4,200-5,200-6)들 간의 기판 반송을 위한 층간 반송 로봇(310b)이 제공된다.
제2패스부(40)는 인터페이스부(50)와 공정 처리부(20) 사이에 배치된다. 제2패스부(40)는 도포 처리실(200-1,200-2,200-3)과 연결되는 제2도포 패스부(40-1)와, 현상 처리실(200-4, 200-5, 200-6)과 연결되는 제2현상 패스부(40-2)를 포함하며, 제2도포 패스부(40-1)와 제2현상 패스부(40-2)는 층으로 구획되어 제공된다. 제2도포 패스부(40-1)와 제2현상 패스부(40-2)에는 기판이 일시적으로 대기하는 버퍼 모듈(420)들이 제공된다.
제1패스부(30)와 제2패스부(40)는 공정 처리부(20)를 사이에 두고 서로 대향되게 배치된다.
도 3 및 도 4는 현상 처리부와 제1 현상 패스부 그리고 제2 현상 패스부를 설명하기 위한 구성도 및 사시도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 현상 처리부(200b)는 3개 층의 현상 처리실(200-4, 200-5, 200-6)을 포함한다. 3개의 현상 처리실(200-4, 200-5, 200-6) 각각은 층별로 포지티브형 현상 공정을 수행하거나 또는 네거티브형 현상 공정을 수행할 수 있다. 일 예로, 4층과 5층의 현상 처리실(200-4, 200-5)은 포지티브형 현상 공정을 수행하기 위한 현상 모듈(DEV+)들이 층별로 4개씩 제공되며, 6층의 현상 처리실(200-6)은 네거티브형 현상 공정을 수행하기 위한 4개의 현상 모듈(DEV-)이 제공될 수 있다. 즉, 현상 처리부(200b)는 8개의 포지티브형 현상 모듈(DEV+)과 4개의 네거티브형 현상 모듈(DEV-)을 갖는다.
본 실시예에 따른 현상 처리부(200b)는 네거티브형 현상 모듈(DEV-)이 포지티브형 현상 모듈(DEV+) 보다 개수가 적기 때문에 네거티브형 현상 모듈(DEV-)이 구비된 6층의 현상 처리실(200-6)은 4층 및 5층의 현상 처리실(200-4, 200-5)과는 다른 배치 구조를 갖는다. 6층의 현상 처리실(200-6)이 4,5층의 현상 처리실(200-4, 200-5)과 가장 큰 차이점은 하드 베이크 모듈을 동일 층에 배치하지 않고 별도의 영역인 제1현상 패스부(30-2)에 배치하였다는 점이다.
일 예로, 6층의 현상 처리실(200-6)은 네거티브형 현상 모듈(DEV-)들, 제1가열 모듈(220)들 그리고, 제1메인반송로봇(240)을 포함한다. 네거티브형 현상 모듈(DEV-) 및 제1가열 모듈(220)은 제1메인반송로봇(240)이 접근 가능한 이동 통로(210)상에 배치된다. 여기서, 제1가열 모듈(220)은 노광후베이크(PEB;Post Exposure Bake) 모듈일 수 있다. 6층의 현상 처리실(200-6)은 제1가열 유닛의 수량이 4,5층의 현상 처리실(200-4, 200-5)의 제1가열 유닛의 수량보다 증가하게 된다. 이로 인해, 시스템 반도체 생산 공정과 같이 노광후베이크 사용 온도가 빈번한 경우 온도 변화에 따른 대기 시간을 줄여서 생산 로스를 감소시켜 설비 운영 효율을 증가시킬 수 있다.
제1현상 패스부(30-2)는 제2가열 모듈(340), 제1버퍼 모듈(320), 쿨링 모듈(330), 제2버퍼 모듈(350) 그리고 제1 버퍼 반송 로봇(310b)을 포함한다. 제2가열 모듈(340), 제1버퍼 모듈(320), 쿨링 모듈(330), 제2버퍼 모듈(350)은 제1 버퍼 반송 로봇(310b)이 접근 가능한 이동 통로(390)상에 배치된다. 여기서, 제2가열 모듈(340)은 하드 베이크(H/B;Hard Bake) 모듈일 수 있다.
제1버퍼 모듈(320)과 쿨링 모듈(330)은 제1메인 반송 로봇(240)과 제1 버퍼 반송 로봇(310b)이 모두 접근 가능한 위치에 배치된다. 일 예로, 제1버퍼 모듈(320)과 쿨링 모듈(330)은 제1메인반송로봇(240)의 이동통로(210)와 제1 버퍼 반송 로봇(310b)의 이동통로(390) 사이에 적층되어 배치될 수 있다. 제1메인반송로봇(240)의 이동통로(210)는 수평방향으로 제공되며, 제1 버퍼 반송 로봇(310b)의 이동통로(390)는 수직방향으로 제공된다. 제1버퍼 모듈(320)과 쿨링 모듈(330)은 제1메인반송로봇(240)이 기판을 반입 또는 반출할 수 있도록 제1메인반송로봇(240)이 제공된 방향과, 제1 버퍼 반송 로봇(310b)이 기판을 반입 및 반출할 수 있도록 제1 버퍼 반송 로봇(310b)이 제공된 방향에 각각 개구를 가진다.
4층 및 5층의 현상 처리실(200-4,200-5)은 포지티브형 현상 모듈(DEV+)들, 제1가열 모듈(220)들, 제2가열 모듈(280) 그리고, 제1메인반송로봇(240)을 포함한다. 포지티브형 현상 모듈(DEV+)들, 제1가열 모듈(220)들, 제2가열 모듈(280)은 제1메인반송로봇(240)이 접근 가능한 이동 통로(210)상에 배치된다.
4층 및 5층의 현상 처리실(200-4,200-5)에서는 노광후베이크 - 쿨링 - 현상 - 하드베이크 - 쿨링으로 이루어지는 현상 공정이 동일 층에서 진행된다. 그리고, 6층의 현상 처리실(200-6)에서는 노광후베이크 - 쿨링 - 현상 과정만 동일 층에서 진행되고, 나머지 하드베이크 - 쿨링 과정은 제1현상 패스부(30-2)에서 진행된다.
이처럼, 포지티브형 현상 모듈(DEV+) 보다 개수가 적은 네거티브형 현상 모듈(DEV-)이 구비된 6층의 현상 처리실(200-6)에서는 제1메인반송로봇(240)이 버퍼모듈(420) -> 제1가열모듈(220) -> 쿨링 모듈(330) -> 네거티브형 현상 모듈(DEV-) -> 제1버퍼 모듈(320)로 이어지는 5개 스텝을 수행하고, 제1현상 패스부(30-2)의 제1 버퍼 반송 로봇(310b)이 제1버퍼 모듈(320) -> 제2가열 모듈(340) -> 쿨링 모듈(330) -> 제2버퍼 모듈(350)로 이어지는 4개 스텝을 수행한다. 이처럼, 2개의 반송 로봇이 분산하여 5개 스텝 이내로 현상 공정을 처리한다.
일 예로, 반송 로봇의 1 스텝의 사이클 타임이 3.5초라 가정하면, 기존 레이 아웃에서 네거티브형 현상 공정을 처리하면 기판 생산량은 시간당 146매 정도 처리하지만, 본 발명의 현상 처리부에서는 기판 생산량이 시간당 205매 정도로 처리가 가능하다. 따라서, 본 발명의 반송 분산 및 로봇 사용 최적화를 통해 기판 생산량을 40% 이상 향상시킬 수 있다.
만약, 5층 및 6층의 현상 처리실(200-5, 200-6)에서 네거티브형 현상 공정을 수행하고, 4층의 현상 처리실(200-4)에서 포지티브형 현상 공정을 수행할 경우, 포지티브형 현상 모듈(DEV+)이 네거티브형 현상 모듈(DEV-) 보다 개수가 적기 때문에 포지티브형 현상 모듈(DEV+)이 구비된 4층의 현상 처리실(200-4)은 5층 및 6층의 현상 처리실(200-5, 200-6)과는 다른 배치 구조를 갖도록 재구성될 수 있다.
본 발명의 기판 처리 설비는 네거티브형 현상 공정과 포지티브형 현상 공정을 모두 사용하는 리소그라피 처리 장치에 매우 유용하게 적용할 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 인덱스부 20 : 공정 처리부
30 : 제1패스부 40 : 제2패스부
50 : 인터페이스부

Claims (17)

  1. 기판 처리 설비에 있어서:
    기판이 담겨진 용기가 놓여지는 포트 및 인덱스 로봇을 가지는 인덱스부;
    기판을 현상하는 공정을 진행하는 제1현상 처리실과 제2현상처리실이 서로 층으로 구획되어 배치되는 현상 처리부를 갖는 공정 처리부;
    상기 현상 처리부와 상기 인덱스부 사이에 배치되는 제1패스부를 포함하되;
    상기 제1현상 처리실은 현상 모듈 및 제1가열 모듈 그리고, 상기 현상 모듈 및 상기 제1가열 모듈에 접근 가능한 이동 통로상에 배치되는 제1메인반송로봇을 포함하고,
    상기 제1패스부는 제2가열 모듈, 제1버퍼 모듈, 쿨링 모듈, 제2버퍼 모듈 그리고 상기 제2가열 모듈, 상기 제1버퍼 모듈, 상기 쿨링 모듈 및 상기 제2버퍼 모듈에 접근 가능한 이동 통로상에 배치되는 제1 버퍼 반송 로봇을 포함하는 기판 처리 설비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1버퍼 모듈과 상기 쿨링 모듈은 상기 제1메인 반송 로봇과 상기 제1 버퍼 반송 로봇이 모두 접근 가능한 위치에 배치되는 기판 처리 설비.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1버퍼 모듈과 상기 쿨링 모듈은 상기 제1메인반송로봇의 이동통로와 상기 제1 버퍼 반송 로봇의 이동통로 사이에 적층되어 배치되는 기판 처리 설비.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1메인반송로봇의 이동통로는 수평방향으로 제공되고, 상기 제1 버퍼 반송 로봇의 이동통로는 수직방향으로 제공되는 기판 처리 설비.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1가열 모듈은 노광후베이크(PEB;Post Exposure Bake) 모듈인 기판 처리 설비.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제2가열 모듈은 하드 베이크(H/B;Hard Bake) 모듈인 기판 처리 설비.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1현상 처리실의 현상 모듈은 포지티브형 현상을 행하는 포지티브형 현상 모듈과 네거티브형 현상을 행하는 네거티브형 현상 모듈 중 어느 하나만으로 제공되고,
    상기 제2현상 처리실의 현상 모듈은 포지티브형 현상을 행하는 포지티브형 현상 모듈과 네거티브형 현상을 행하는 네거티브형 현상 모듈 중 다른 하나만으로 제공되는 기판 처리 설비.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1현상 처리실의 개수는 상기 제2현상 처리실의 개수보다 적은 기판 처리 설비.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 공정 처리부는
    기판에 대해 포토 레지스트 도포 공정을 수행하는 도포 처리실들이 층으로 구획되어 배치되는 도포 처리부를 더 포함하되;
    상기 도포 처리부는 상기 현상 처리부와는 층으로 구획되어 배치되는 기판 처리 설비.
  10. 기판 처리 설비에 있어서:
    인덱스부;
    포지티브형 현상 공정을 진행하는 제1현상 처리실과 네가티브형 현상 공정을 진행하는 제2현상 처리실이 적층되어 배치되는 현상 처리부; 및
    상기 현상 처리부와 상기 인덱스부 사이에 배치되는 제1패스부를 포함하되;
    상기 제1현상 처리실과 제2현상 처리실 중 어느 하나의 처리실은
    노광후 베이크와 쿨링 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행하기 위해 현상 모듈, 노광후베이크(PEB;Post Exposure Bake) 모듈, 쿨링 모듈이 제1메인반송로봇의 이송통로 상에 배치되고,
    상기 제1패스부는 상기 현상 모듈에서 처리된 기판에 대한 하드 베이크(H/B;Hard Bake)공정을 수행하기 위한 하드 베이크 모듈이 제1버퍼반송로봇의 이송통로 상에 배치되는 기판 처리 설비.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 쿨링 모듈은 상기 제1메인 반송 로봇과 상기 제1 버퍼 반송 로봇이 모두 접근 가능한 위치에 배치되며,
    상기 쿨링 모듈에는 기판이 일시적으로 머무르는 제1버퍼 모듈이 적층되어 배치되는 기판 처리 설비.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1패스부는
    상기 인덱스부와의 기판 인계를 위한 제2버퍼 모듈을 더 포함하는 기판 처리 설비.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1메인반송로봇의 이동통로는 수평방향으로 제공되고, 상기 제1 버퍼 반송 로봇의 이동통로는 수직방향으로 제공되는 기판 처리 설비.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 어느 하나의 처리실 수량은 다른 하나의 처리실 수량보다 적은 기판 처리 설비.
  15. 기판 처리 설비에 있어서:
    인덱스부;
    제1현상 처리실과 제2현상처리실이 서로 층으로 구획되어 배치되는 현상 처리부;
    상기 현상 처리부와 상기 인덱스부 사이에 배치되는 제1패스부를 포함하되;
    상기 제1현상 처리실은 노광후 베이크와 쿨링 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행하기 위해 처리 모듈들이 제1메인반송로봇의 수평 이송통로 상에 배치되고,
    상기 제1패스부는 상기 제1현상 처리실에서 현상 처리된 기판에 대한 하드 베이크(H/B;Hard Bake)공정을 수행하기 위한 처리 모듈이 제1버퍼반송로봇의 수직 이송통로 상에 배치되며,
    상기 제1버퍼반송로봇은 이웃하는 상기 제1현상 처리실과 상기 제2현상처리실들로 층간 이동이 가능하도록 승강 가능하게 제공되는 기판 처리 설비.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제1현상 처리실은 포지티브형 현상을 행하는 현상 모듈 또는 네거티브형 현상을 행하는 현상 모듈 중에서 어느 한 종류의 현상 모듈만을 포함하는 기판 처리 설비.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 제1메인 반송 로봇과 상기 제1 버퍼 반송 로봇이 모두 접근 가능한 위치에는 제1버퍼 모듈과 쿨링 모듈이 배치되는 기판 처리 설비.
KR1020130164396A 2013-10-31 2013-12-26 기판 처리 설비 KR101579510B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/527,897 US9685357B2 (en) 2013-10-31 2014-10-30 Apparatus for treating substrate
CN201410602068.7A CN104600003B (zh) 2013-10-31 2014-10-31 基板处理设备

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130131353 2013-10-31
KR1020130131353 2013-10-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150050283A true KR20150050283A (ko) 2015-05-08
KR101579510B1 KR101579510B1 (ko) 2015-12-23

Family

ID=53388197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130164396A KR101579510B1 (ko) 2013-10-31 2013-12-26 기판 처리 설비

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101579510B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200034575A (ko) * 2018-09-21 2020-03-31 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101736854B1 (ko) 2015-10-29 2017-05-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100274858B1 (ko) * 1996-06-10 2000-12-15 이시다 아키라 기판처리장치 및 기판처리시스템
KR20120025393A (ko) * 2010-09-02 2012-03-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100274858B1 (ko) * 1996-06-10 2000-12-15 이시다 아키라 기판처리장치 및 기판처리시스템
KR20120025393A (ko) * 2010-09-02 2012-03-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200034575A (ko) * 2018-09-21 2020-03-31 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치
US11101156B2 (en) 2018-09-21 2021-08-24 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR101579510B1 (ko) 2015-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI665746B (zh) 具有多站處理及前處理及/或後處理站之緊密的基板處理工具
US20060012771A1 (en) System and method for manufacturing a flat panel display
US8236132B2 (en) Substrate processing system and substrate transfer method
TW202004957A (zh) 用於基板處理的混合平台式裝置、系統,以及方法
JP2009158925A (ja) 基板処理装置及びこれを用いる基板移送方法
KR100476500B1 (ko) 처리장치
US7997813B2 (en) Coating and developing system with a direct carrying device in a processing block, coating and developing method and storage medium
US9685357B2 (en) Apparatus for treating substrate
JPH1022358A (ja) 基板処理装置
CN101473416B (zh) 衬底处理***以及衬底搬送方法
KR101579510B1 (ko) 기판 처리 설비
KR102000013B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100830304B1 (ko) 처리장치
KR20170074377A (ko) 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
KR101570160B1 (ko) 기판 처리 설비
KR101681185B1 (ko) 인터페이스 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
JP2004014966A (ja) 基板処理装置
KR102666544B1 (ko) 포토리소그래피 장치용 처리 블록 및 이를 이용한 포토리소그래피 장치
KR100542631B1 (ko) 반도체 제조 설비
KR20050104456A (ko) 반도체 제조 설비
KR101402578B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치
KR102583261B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20190053340A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230059871A (ko) 포토리소그래피 장치용 처리 블록 및 이를 이용한 포토리소그래피 장치
KR20230029443A (ko) 기판 세정 라인 및 이를 포함하는 기판 세정 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
J204 Invalidation trial for patent
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2016100000723; TRIAL DECISION FOR INVALIDATION REQUESTED 20160322

Effective date: 20170215

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181213

Year of fee payment: 4