KR20150045042A - 표시 패널 - Google Patents

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KR20150045042A
KR20150045042A KR20130124095A KR20130124095A KR20150045042A KR 20150045042 A KR20150045042 A KR 20150045042A KR 20130124095 A KR20130124095 A KR 20130124095A KR 20130124095 A KR20130124095 A KR 20130124095A KR 20150045042 A KR20150045042 A KR 20150045042A
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KR
South Korea
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substrate
common electrode
conductive
sensing wiring
display panel
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KR20130124095A
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아츠시 타카쿠와
남중건
이대영
조국래
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삼성디스플레이 주식회사
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • GPHYSICS
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Abstract

표시 패널이 제공된다. 표시 패널은 제1 기판, 상기 제1 기판에 대향하여 배치된 제2 기판, 상기 제2 기판 상에 위치하는 공통전극, 상기 제1 기판 상에 위치하고 상기 제2 기판을 향하여 돌출된 도전성 스페이서를 포함하고, 상기 공통전극은, 전도성 물질로 이루어진 복수의 와이어를 포함할 수 있다.

Description

표시 패널{DISPLAY PANEL}
본 발명은 표시 패널에 관한 것이다.
터치 패널은 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display: LCD), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display: FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계 발광 소자(Electro Luminescence: ELD), 유기발광소자(Organic Light Emitting Diode: OLED)를 이용한 표시 장치 등의 화상 표시면에 설치되어 사용자가 화면을 가압하면 정보를 입력하는 입력 수단이다.
터치 패널은 동작 원리에 따라 정전용량식과 저항막식으로 나뉘는데, 정전용량식 터치 패널은 1개의 투명한 도전성 필름 또는 투명 도전성 글래스에 정전용량의 충방전 상태가 반복되는 가운데, 펜 형태의 입력수단인 스타일러스(stylus)와 도전성 필름 사이에 소량의 전하가 축적되고 이 전하량을 입력점으로부터 검출하여 좌표값을 환산하는 방식이다. 그리고, 저항막식 터치 패널은 2개의 대향하는 도전막층에 전압이 인가된 상태에서 사용자가 화면을 눌러 대향하는 두 도전막층이 접촉되게 하고 그 접촉점에서 발생하는 전압 또는 전류 변화를 검출하여 접촉점의 좌표값을 읽는 방식이다.
상기한 터치 패널 중 저항막식의 터치 패널의 경우, 완성된 액정 표시 장치(LCD; Liquid Crystal Display)의 표시 패널 전면에 부착되어 사용될 수 있다. 여기에서, 완성된 표시 패널은, 일반적으로 결합된 어레이 기판과 칼라필터 기판 사이에 액정이 채워져 있으며, 칼라필터 기판 위에는 상부 편광판이 부착되고, 어레이 기판 밑에는 하부 편광판이 배치된 구성을 가질 수 있다.
상기한 바와 같이, 종래의 표시 패널의 전면쪽에는 상부 편광판이 마련되어 있고, 그 전면에 터치 패널이 부착되므로, 전체 두께도 두꺼워지는 문제점이 존재하였으며, 이에 따라 표시 패널의 경박 단소화에 어려움이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 터치 패널 기능과 편광 기능을 함께 갖춘 표시 패널을 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널은, 제1 기판, 상기 제1 기판에 대향하여 배치된 제2 기판, 상기 제2 기판 상에 위치하는 공통전극, 상기 제1 기판 상에 위치하고 상기 제2 기판을 향하여 돌출된 도전성 스페이서를 포함하고, 상기 공통전극은, 전도성 물질로 이루어진 복수의 와이어를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널은, 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 위치하고 제1 방향으로 연장된 게이트선, 상기 게이트선과 절연되고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 데이터선, 상기 게이트선과 나란히 연장된 제1 센싱 배선, 상기 데이터선과 나란히 연장된 제2 센싱 배선, 상기 제1 기판에 대향하여 배치된 제2 기판, 상기 제2 기판 상에 위치하는 공통전극, 상기 제1 기판 상에 위치하고 상기 제2 기판을 향하여 돌출된 도전성 스페이서를 포함하고, 상기 공통전극은 전도성 물질로 이루어진 복수의 와이어를 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
표시 패널 외측에 별도의 터치 패널을 부착하지 않음에 따라 표시 패널을 경박단소화 할 수 있는 이점이 존재한다.
또한, 별도의 상부 편광판을 사용하지 않음에 따라 표시 패널을 더욱 경박단소화 할 수 있는 이점이 존재한다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 패널을 I-I' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 표시 패널을 II-II' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 공통 전극의 편광 기능을 나타낸 도면이다.
도 5는 도 2에 도시된 공통 전극의 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도 6은 도 2에 도시된 공통 전극의 또 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소 또는 동작들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소 또는 하나의 동작을 다른 구성요소 또는 다른 동작과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 절단한 상태의 단면도이고, 도 3은 도 1의 II-II' 라인을 따라 절단한 상태의 단면도이다.도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(1)은 서로 대향하여 배치되는 하부 기판(100)과 상부 기판(200) 및 두 기판(100, 200) 사이에 개재된 액정층(미도시)를 포함할 수 있다.
하부 기판(100)은 제1 기판(110) 상부에 제1방향으로 연장되는 복수의 게이트선(121)과, 게이트선(121)과 교차되어 제2방향으로 연장된 복수의 데이터 선(160)과, 게이트선(121)과 데이터선(160)에 의해 정의된 서브 픽셀 영역에 형성된 화소 전극(180)과, 게이트선(121), 데이터선(160) 및 화소 전극(180)에 접속되며, 활성층(141) 및 오믹 콘택층(151)을 구비하는 박막 트랜지스터(T)를 포함할 수 있다. 또한, 게이트선(121)과 이격되어 제1 방향으로 연장된 제 1 센싱 배선(410)과, 데이터 라인(160)과 이격되어 제2 방향으로 연장된 제 2 센싱 배선(420)과, 제 1 센싱 배선(410)과 제 2 센싱 배선(420)의 교차 지점에 형성된 도전성 패드(41)를 더 포함할 수 있으며, 셀갭 스페이서(20) 및 도전성 스페이서(40)를 더 포함할 수 있다.제1 기판(110)은 투명 유리 또는 플라스틱과 같이 내열성 및 투광성을 갖는 절연 기판으로 형성될 수 있다.
제1 기판(110) 상에는 제1 센싱 배선(410) 및 게이트선(121)이 형성된다. 게이트선(121)은 제1 기판(110) 상에 제1 방향으로 형성되어 게이트 신호를 박막 트랜지스터(T)에 전달한다. 제1 방향은 예를 들어 제1 기판(110)의 가로 방향이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 게이트선(121)은 몰리브덴(Mo), 니오브(Nb), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 게이트선(121)은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(미도시)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 게이트선(121)의 신호 지연이나 전압강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 산화 아연(ZnO), ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 상부막, 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막, 및 티타늄 하부막과 구리 상부막을 들 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 게이트선(121)은 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 만들어질 수 있다. 게이트선(121)의 일부는 분지되어 게이트 전극(122)을 형성할 수 있다.
제1 센싱 배선(410)은 게이트선(121)과 나란히 제1 방향으로 형성될 수 있다. 이와 같은 제1 센싱 배선(410)은 게이트선(121)과 동일한 층에 동일한 물질로 형성될 수 있다.
게이트선(121) 및 제1 센싱 배선(410) 상에는 게이트 절연막(130)이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(130)은 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등과 같은 무기물질로 형성되거나 아크릴(Acrylic), 폴리이미드(polyimide), 벤조크릴로부텐(Benzoclylobutene: BCB) 등과 같은 유기물질로 형성될 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 게이트 절연막(130)은 단일층 구조로 이루어질 수도 있으며, 다층구조로 이루어질 수도 있다.
게이트 절연막(130) 상부에는 게이트전극(122)과 적어도 일부가 중첩하고 비정질 실리콘 등의 반도체로 이루어진 활성층(141)이 각각 위치할 수 있으며, 활성층(141)의 상부에는 실리사이드 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 실리콘 등의 반도체로 이루어진 오믹 콘택층(151)이 위치할 수 있다.
오믹 컨택층(151) 및 게이트 절연막(130) 상에는 데이터선(160) 및 데이터선(160)에 각각 대응하는 드레인 전극(162)이 위치할 수 있다. 데이터 선(160)은 게이트선(121)과 교차하는 제2방향으로 연장 형성될 수 있으며, 예시적으로 제2방향은 기판의 세로 방향일 수 있다. 데이터선(160)이 게이트선(121)과 교차되는 영역이 서브 픽셀 영역으로 정의될 수 있으며, 이러한 데이터선(160)은 데이터 신호를 각 서브 픽셀에 전달할 수 있다. 데이터선(160)은 몰리브덴(Mo), 니오브(Nb), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 티타늄(Ti) 또는 이들의 합금 중 어느 하나의 재질로 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 센싱 배선(420)은 데이터선(160)과 나란히 형성될 수 있다. 이와 같은 제2 센싱 배선(166)은 데이터선(162)과 동일한 층에 동일한 물질로 형성될 수 있다. 데이터선(160)에는 드레인 전극(162)을 향하여 각각 뻗은 소스 전극(161)이 형성되어 있다. 드레인 전극(164)은 후술할 화소 전극(180)에 데이터 신호를 전달한다.
게이트 전극(122), 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)은 박막 트랜지스터(T)의 삼단자를 이룬다. 이러한 박막 트랜지스터(T)는 게이트 신호에 응답하여 소스 전극(161)으로 입력되는 데이터 신호를 드레인 전극(162)을 통하여 후술할 화소 전극(181)으로 전달한다.
박막 트랜지스터(T)는 게이트 전극(122)과, 게이트 절연막(130)을 사이에 두고 중첩되면서 소스 전극(161)과 드레인 전극(164) 사이에 채널을 형성하는 반도체층(140)을 포함한다.
보호막(170)은 절연을 위해 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)등과 같은 무기물질로 형성되거나, 아크릴(Acrylic), 폴리이미드(polyimide) 또는 벤조크릴로부텐(Benzoclylobutene: BCB) 등과 같은 유기물질로 형성될 수 있다. 보호막(170)은 무기물질 및 유기물질이 단일층 또는 복층으로 적층되어 형성수도 있다. 이와 같은, 보호막(170)은 박막 트랜지스터(T)와 게이트 절연막(130)을 덮도록 형성되어 박막 트랜지스터(T)와 화소 전극(180)을 절연시킨다.
게이트 전극(122), 소스 전극(161) 및 드레인 전극(162)은 박막 트랜지스터(T)의 삼단자를 이룬다. 이러한 박막 트랜지스터(T)는 게이트 신호에 응답하여 소스 전극(161)으로 입력되는 데이터 신호를 드레인 전극(162)을 통하여 후술할 화소 전극(180)으로 전달한다.
보호막(170)은 드레인 전극(162)과 제1 센싱 배선(410) 및 제2 센싱 배선(420)을 노출하는 제1 내지 제3 콘택홀(171, 172, 173)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 내지 제3 콘택홀(171, 172, 173)은 보호막(170)의 일부분을 마스크를 통해 식각하여 형성된다.
화소 전극(180)은 보호막(170)의 상부에 형성된다. 이러한 화소 전극(180)은 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(162)과 제1 콘택홀(171)을 통해 연결된다. 이와 같은, 화소 전극(180)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide: ITO) 또는 인듐 주석 산화물(Indium Zinc Oxide: IZO) 과 같은 투명 도전체 또는 알루미늄 재질의 반사성 도전체로 이루어질 수 있다.
도전성 패드(41)는 제 1 센싱 배선(410)과 제 2 센싱 배선(420)의 교차 지점에 형성될 수 있으며, 제 2 및 제 3 콘택홀(172 및 173)을 통해 제 1 및 제 2 센싱 배선(410 및 420)과 연결될 수 있다. 도전성 패드(41))는 후술할 공통전극(250)과 접촉하여 X축 좌표값을 인식할 수 있는 신호를 제1 센싱 배선 (410)에 제공하고, Y축 좌표값을 인식할 수 있는 신호를 제2 센싱 배선(420)에 제공할 수 있다. 이러한 도전성 패드(41)는 화소 전극(180)과 동일한 물질로 동일한 공정을 통하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
셀갭 스페이서(20)는 게이트선(121), 데이터선(160) 및 박막 트랜지스터 (T)중 적어도 어느 하나와 중첩되게 형성되어 상부 기판(200) 및 하부기판(100) 사이의 셀갭을 유지시킨다. 셀갭 스페이서(20)는 하부 기판(100)과 상부 기판(200) 사이의 절연을 위해 절연성 물질로 이루어질 수 있다.
도전성 스페이서(40)는 도전성 패드(41) 상에 위치하여 도전성 패드(41)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라 상부기판(200)에 압력이 인가되는 경우 도전성 스페이서(40)는 공통 전극(250)과 접촉하게 되며, 도전성 스페이서와 도전성 패드(41)를 매개로 전기적으로 연결된 제1 센싱배선(410) 및 제2센싱 배선(420)을 통해 신호를 검출하여 X축 및 Y축의 위치좌표를 판단할 수 있다.
도전성 스페이서(40)는 그 자체가 전기 전도성을 갖는 물질, 예컨대 전도성 폴리머 또는 금속재질로 이루어질 수 있다. 또는 도전성 스페이서(40)는 절연체 외부에 금속막이 형성된 구조로 이루어질 수도 있으며, 이러한 경우 상기 금속막은 도전성 패드(41)일 수 있다. 즉, 도 3에 도시된 바와는 달리, 도전성 스페이서(40)의 외면에 도전성 패드(41)가 형성될 수도 있다. 이러한 도전성 스페이서(40)의 높이(H2)는 셀갭 스페이서(20)의 높이(H1)보다 작게 형성된다.
상부 기판(200)은 제2 기판(210) 상에 형성된 블랙 매트릭스(220)와, 컬러 필터(230)와, 공통 전극(250)을 포함할 수 있으며, 공통 전극(250)과 컬러 필터(230) 사이에 위치하는 오버코트층(240)을 더 포함할 수 있다.
제2 기판(210)은 빛이 투과될 수 있는 투명한 절연 물질로 형성될 수 있으며, 상부에 가해지는 압력에 따라 유연하게 굴곡을 이룰 수 있는 플라스틱 또는 유리와 같은 물질로 형성될 수 있다.
블랙 매트릭스(220)는 서브 픽셀 사이에 형성되며, 서브 픽셀 이외의 영역으로 빛이 새는 것과 인접한 서브 픽셀들 사이의 광 간섭을 방지할 수 있다. 또한 블랙 매트릭스(220)는 액정을 제어할 수 없는 영역을 통해 빛이 출광되는 것을 막기 위해 하부 기판(100)의 박막 트랜지스터(T), 게이트선(121), 데이터선(160), 제1 센싱 배선(410) 및 제2 센싱 배선(420)과 중첩되도록 형성될 수도 있다. 이와 같은 블랙 매트릭스(220)는 불투명한 유기물질 또는 불투명한 금속으로 형성될 수 있다.
컬러 필터(230)는 색을 구현하기 위해 세부적으로 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 필터로 형성될 수 있다. 컬러필터(230)는 각각 자신이 포함하고 있는 적색, 녹색 및 청색 안료를 통해 특정 파장의 광을 흡수 또는 투과시킴으로써 적색, 녹색 및 청색을 띄게 된다. 이때, 컬러필터(230)는 각각 투과한 적색, 녹색 및 청색 광의 가법혼색을 통해 다양한 색상을 구현한다. 이러한 컬러 필터(320)는 블랙 매트릭스(220)를 경계로 하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 필터가 반복 배치된 구조를 가질 수 있다. 이러한 컬러 필터(230)는 게이트선(121)과 데이터선(160)에 의해 정의되는 서브 픽셀 영역 각각과 대응되도록 배치될 수 있다.
컬러필터(230)와 블랙 매트릭스(220) 상에는 단차를 줄여주는 오버코트층(240)이 형성될 수 있으며, 공통 전극(250)은 오버코트층(240)의 상부에 형성될 수 있다. 여기서, 오버코트층(240)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)등과 같은 무기물질로 형성되거나, 아크릴(Acrylic), 폴리이미드(polyimide) 또는 벤조크릴로부텐(Benzoclylobutene: 이하 BCB) 등과 같은 유기물질로 형성될 수 있다. 오버코트층(240)은 무기물질 및 유기물질이 단일층 또는 복층으로 적층되어 형성될 수도 있다.
공통 전극(250)은 전도성 물질로 이루어질 수 있으며, 공통 전압 발생부로부터 공급된 공통 전압과 화소 전극(180)의 데이터 신호의 전압차로 형성된 액정 구동 전계를 액정층(300)에 인가한다.
공통 전극(250)은 편광 기능을 가진 와이어 그리드로 이루어질 수 있다. 상기 와이어 그리드는 다수의 와이어들(251)로 이루어지며, 상기 다수의 와이어들(251)은, 오버코트층(240)의 상면에 전도성 물질, 예컨대 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag) 또는 그 합금 등을 증착하여 금속막을 형성한 뒤, 그 금속막을 서로 평행한 스트립 형상으로 패터닝함으로써 형성될 수 있다.
상기 와이어 그리드를 구성하는 다수의 와이어들(251)은 터치 패널의 전극으로 이용될 뿐만 아니라 편광판으로서의 역할도 할 수 있다.
상세하게 설명하면, 다수의 와이어들(251)은 상기한 바와 같이 전기 전도성이 좋은 금속으로 이루어지므로, 터치 패널의 전극으로 이용될 수 있다. 예컨대 사용자가 상부 기판(200)의 어느 지점에 압력을 가하면, 제2 기판(210)은 변형되어 하부 기판(100) 측으로 휘게 된다. 그리고 와이어들(251) 중 변형된 부분(하부로 휘어진 부분)과 도전성 스페이서(40)가 접촉하게 되며, 와이어들(251)에 인가된 공통 전압이 제1 센싱 배선(410) 및 제2 센싱 배선(420)에 전달되어 압력이 가해진 지점을 인식할 수 있게 된다.
따라서, 종래의 투명 전극 물질로 이루어진 전극들에 비해 전기 전도도가 높아서 센싱 감도가 높아지고 대형화에 유리할 수 있다. 또한. 종래의 투명 전극 재료보다 값싼 재료를 이용하여 전극을 형성하게 되므로 재료비도 절감될 수 있다. 아울러, 표시 패널 내부에 터치 패널의 전극을 형성함에 따라 표시 패널을 보다 경박단소화 할 수 있는 이점 및 공통전극(250)을 터치 패널의 전극으로 이용함에 따라 표시 패널(250)의 구조를 간소화 할 수 있는 이점이 존재한다.
와이어들(251)은, 그 단부들을 연결하여 다발로 만들 수 있다. 즉, 하나의 다발은 단부가 서로 연결된 두 개 이상의 와이어들(251)을 포함할 수 있으며, 공통 전극(250)은 상기 다발을 복수개 포함하는 구조를 가질 수도 있다. 이 경우, 와이어들(251)의 전기 저항이 더욱 낮아지게 되어 터치 인식 감도가 높아질 수 있다.
와이어들(251)은 편광판으로서의 역할도 할 수 있다. 예컨대 [화]이어들(251)의 배열 주기, 즉 폭과 간격이 입사되는 빛의 파장보다 작은 값을 가지도록 형성됨으로써, 편광 기능도 갖출 수 있다. 와이어들(251)의 배열 주기가 입사되는 빛의 파장보다 크다면, 통상적인 회절 현상이 나타나지만, 와이어들(251)의 배열 주기가 입사되는 빛의 파장보다 작다면, 특이한 편광 현상이 나타난다.
도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 공통전극의 편광 기능을 보여주는 도면으로서, 보다 구체적으로는 와이어 그리드로 이루어진 공통 전극의 편광 기능을 나타낸 도면이다. 예컨대 도 4에 도시된 바와 같이, 와이어 그리드를 구성하는 와이어들(251)의 배열 주기가 충분히 작다면, 와이어들(251)에 평행하게 편파된 빛은 반사되고, 와이어들(251)에 수직하게 편파된 빛은 투과된다. 따라서, 상기한 바와 같이 다수의 와이어들(251)로 이루어진 와이어 그리드는 표시 패널에 마련되는 편광판을 대체할 수 있게 된다. 이에 따라 표시 패널(250)을 더욱 경박화, 간소화 할 수 있는 이점을 갖게 된다.
도 5는 도 2에 도시된 공통 전극의 다른 실시예를 도시한 단면도로서, 보다 구체적으로는 도 2에 도시된 공통 전극의 다른 실시예를 도 2의 P부분을 기준으로 확대 도시한 단면도이다.
도 2 및 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 공통 전극(250-1)은, 도 2에 도시된 공통 전극(250)과는 달리, 다수의 와이어들(251)의 상부에 위치하는 전도성 수지패턴(253)을 더 포함할 수 있다. 전도성 수지패턴(253)을 다수의 와이어들(251) 상부에 형성함에 따라, 반복적인 터치 지점 인식 과정에서 발생 가능한 와이어들(251)의 손상을 방지하고 와이어들(251)의 내구성을 향상시킬 수 있게 된다.
이러한 전도성 수지패턴(253)은 전도성 고분자로 이루어질 수 있으며, 예컨대 폴리(3,4-에틸렌 디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌설포네이트) (PEDOT/PSS), 폴리 아닐린(polyaniline) 등이 상술한 전도성 고분자로 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 전도성 수지패턴(253)의 단부는, 모서리를 제거한 라운드 형상으로 이루어질 수 있다. 일반적으로 모서리 부위는 크랙에 취약한 바, 터치 지점 인식 과정에서 모서리에 크랙이 발생할 수 있으며, 이에 따라 접촉 불량에 따른 감도 저하 문제가 발생할 수도 있다.
하지만, 상술한 바와 같이 전도성 수지패턴(253)의 단부를 모서리를 제거하여 라운드 형상으로 형성하게 되면, 모서리의 크랙 문제를 억제할 수 있게 되며 감도 저하 문제도 억제할 수 있게 된다.
도 6은 도 2에 도시된 공통 전극의 또 다른 실시예를 도시한 단면도로서, 보다 구체적으로는 도 2에 도시된 공통 전극의 다른 실시예를 도 2의 P부분을 기준으로 확대 도시한 단면도이다.
도 2 및 도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 공통 전극(250-2)은, 하부 기판(도 1의 100)을 향하는 상부의 폭(W2)이, 상기 상부와 대향하는 하부의 폭(W1)보다 큰 역테이퍼 형상으로 이루어진 다수의 와이어(255)를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 와이어(255)는 상부의 폭(W2)을 타 부분에 비해 상대적으로 크게 형성함에 따라, 사용자가 제2 기판(도 2의 210)을 가압할 때 도전성 스페이서(40)와 공통 전극(250-2) 사이의 접촉 표면적을 증가시킬 수 있게 된다. 이에 따라, 도전성 스페이서(40)와 공통 전극(250-2) 사이의 접촉 저항을 감소시킬 수 있으며, 터치 감도를 향상시킬 수 있게 된다.
한편, 도면에는 미도시 하였으나, 도 6에 도시된 와이어들(255)의 상부에 도 5에 도시된 전도성 수지패턴(도 5의 253)을 형성하는 것도 가능하다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 표시 패널
20: 셀갭 스페이서
40: 도전성 스페이서
41: 도전성 패드
100 : 하부 기판 110: 제1 기판
121: 게이트선 122: 게이트 전극
130: 게이트 절연막
140: 활성층
T :박막 트랜지스터
160: 데이터선
161: 소스 전극 162: 드레인 전극
170 : 보호막 171, 172, 173: 제1, 제2, 제3 컨택홀
200: 상부 기판 210: 제2 기판
220: 블랙 매트릭스
230: 컬러 필터
240: 오버코트층
250: 공통 전극
251, 255 : 와이어
253: 전도성 수지패턴

Claims (13)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판에 대향하여 배치된 제2 기판;
    상기 제2 기판 상에 위치하는 공통전극;
    상기 제1 기판 상에 위치하고 상기 제2 기판을 향하여 돌출된 도전성 스페이서;를 포함하고,
    상기 공통전극은,
    전도성 물질로 이루어진 복수의 와이어를 포함하는 표시 패널.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 공통전극은,
    상기 와이어 상부에 위치하는 전도성 수지패턴을 더 포함하는 표시 패널.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 전도성 수지패턴의 단부는 라운드 형상으로 이루어진 표시 패널.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 기판과 대향하는 상기 와이어의 상면 폭은,
    상기 제2 기판과 대향하는 상기 와이어의 하면 폭보다 큰 표시 패널.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 기판 상에 위치하고 제1 방향으로 연장된 제1 센싱배선;
    상기 제1 기판 상에 위치하고 상기 제1 센싱배선과 교차하는 제2방 향으로 연장된 제2 센싱배선;을 더 포함하고,
    상기 도전성 스페이서는 상기 제1 센싱배선 및 상기 제2 센싱배선과 전기적으로 연결된 표시패널.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 셀갭 스페이서를 더 포함하는 표시 패널.
  7. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 위치하고 제1 방향으로 연장된 게이트선;
    상기 게이트선과 절연되고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 데이터선;
    상기 게이트선과 나란히 연장된 제1 센싱배선;
    상기 데이터선과 나란히 연장된 제2 센싱배선;
    상기 제1 기판에 대향하여 배치된 제2 기판;
    상기 제2 기판 상에 위치하는 공통전극;
    상기 제1 기판 상에 위치하고 상기 제2 기판을 향하여 돌출된 도전성 스페이서; 를 포함하고,
    상기 공통전극은 전도성 물질로 이루어진 복수의 와이어를 포함하는 표시 패널.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 도전성 스페이서는 상기 제1 센싱배선 및 상기 제2 센싱배선과 전기적으로 연결된 표시 패널.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 공통전극은,
    상기 와이어 상부에 위치하는 전도성 수지패턴을 더 포함하는 표시패널.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 전도성 수지패턴의 단부는 라운드 형상으로 이루어진 표시 패널.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 기판과 대향하는 상기 와이어의 상면 폭은,
    상기 제2 기판과 대향하는 상기 와이어의 하면 폭보다 큰 표시 패널.
  12. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 셀갭 스페이서를 더 포함하는 표시 패널.
  13. 제 7항에 있어서,
    상기 제2 기판 상에 위치하는 블랙 매트릭스 및 컬러 필터;
    상기 블랙 매트릭스 및 상기 컬러 필터 상에 위치하는 오버코트층; 을 더 포함하고,
    상기 공통전극은 상기 오버코트층 상에 위치하는 표시 패널.
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