KR20150040396A - Transparent conductor and method of manufacturing the same and electronic device including the transparent conductor - Google Patents

Abstract

The present invention relates to a transparent conductor including metallic glass nanostructures, a method for manufacturing the same, and an electronic device including the same. According to an embodiment of the present invention, the transparent conductor ensures transparency and resistivity; can be flexibly formed on a large area; and can be manufactured at a low cost.

Description

투명 도전체 및 그 제조 방법과 상기 투명 도전체를 포함하는 전자 소자{TRANSPARENT CONDUCTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE TRANSPARENT CONDUCTOR} TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a transparent conductor, a method of manufacturing the same, and an electronic device including the transparent conductor. BACKGROUND ART < RTI ID = 0.0 >

투명 도전체 및 그 제조 방법과 상기 투명 도전체를 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.
A transparent conductor, a manufacturing method thereof, and an electronic device including the transparent conductor.

액정 표시 장치 또는 유기 발광 장치와 같은 전자 소자는 투명 전극으로서 투명 도전체로 포함한다. An electronic device such as a liquid crystal display or an organic light emitting device is included as a transparent conductor as a transparent electrode.

상기 투명 도전체는 재료에 따라 크게 세 가지로 분류될 수 있다. 첫째는 도전성 고분자, 탄소 나노체 또는 그래핀과 같은 유기물 기반의 투명 도전체이고, 둘째는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO)와 같은 산화물 기반의 투명 도전체이고, 셋째는 금속 그리드(metal grid)와 같은 금속 기반의 투명 도전체이다.The transparent conductor may be roughly classified into three types according to the material. The first is an organic-based transparent conductor such as a conductive polymer, a carbon nanometer or a graphene. The second is an oxide-based transparent conductor such as indium tin oxide (ITO). The third is a metal grid Lt; RTI ID = 0.0 > metal-based < / RTI >

그러나 상기 도전성 고분자는 비저항이 높고 투명도가 낮으며 수분 및 공기에 노출시 쉽게 열화될 수 있고 상기 탄소 나노체는 제조비용이 높으며 상기 그래핀은 대면적 투명 도전체로 형성하기 어렵다. 또한 상기 인듐 틴 옥사이드(ITO)는 플렉서블 소자에 적용하기 어렵고 핵심 원소인 인듐의 가격이 비싸서 제조비용이 높아질 수 있으며 상기 금속 그리드는 진공 공정이 필요하여 제조비용이 높아질 수 있다.However, the conductive polymer has a high resistivity, low transparency, and can be easily deteriorated when exposed to moisture and air. The carbon nanosheets are expensive to manufacture, and the graphene is difficult to be formed into a large-area transparent conductor. In addition, the indium tin oxide (ITO) is difficult to apply to a flexible device, the cost of indium is high, which is a core element, and thus the manufacturing cost may be high, and the metal grid requires a vacuum process, which may increase the manufacturing cost.

이에 따라 비저항 및 투명도를 확보하면서도 플렉서블하게 대면적으로 형성가능하고 제조비용을 낮출 수 있는 투명 도전체가 필요하다.
Accordingly, there is a need for a transparent conductor that can be formed in a large area flexibly and low in manufacturing cost while securing the resistivity and transparency.

일 구현예는 비저항 및 투명도를 확보하면서도 플렉서블하게 대면적으로 형성가능하고 제조비용을 낮출 수 있는 투명 도전체를 제공한다.One embodiment provides a transparent conductor that can be formed in a large area flexibly and at low manufacturing cost while ensuring specific resistance and transparency.

다른 구현예는 상기 투명 도전체의 제조 방법을 제공한다.Another embodiment provides a method of making the transparent conductor.

또 다른 구현예는 상기 투명 도전체를 포함하는 전자 소자를 제공한다.
Yet another embodiment provides an electronic device comprising the transparent conductor.

일 구현예에 따르면, 금속유리 나노구조체(metallic glass nanostructures)를 포함하는 투명 도전체를 제공한다.According to one embodiment, there is provided a transparent conductor comprising metallic glass nanostructures.

상기 금속유리 나노구조체는 아스펙트 비(aspect ratio)가 약 5 이상일 수 있다.The metal glass nanostructure may have an aspect ratio of about 5 or more.

상기 금속유리 나노구조체는 나노와이어, 나노로드, 나노튜브 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.The metal glass nanostructure may include nanowires, nanorods, nanotubes, or a combination thereof.

상기 금속유리 나노구조체들이 접합되어 있는 복수의 접합점을 가질 수 있다.And a plurality of bonding points to which the metal glass nanostructures are bonded.

상기 접합점은 상기 금속유리 나노구조체의 과냉각 액체 구간에서 소성변형되어 형성될 수 있다.The bonding point may be formed by plastic deformation in a supercooled liquid section of the metallic glass nanostructure.

상기 금속유리 나노구조체들은 상기 접합점을 통하여 서로 연결되어 도전성 네트워크 구조를 형성될 수 있다.The metal glass nanostructures may be connected to each other through the junction to form a conductive network structure.

상기 금속유리 나노구조체는 적어도 두 종류 이상의 금속을 포함하는 무질서한 원자 구조를 가진 비정질 합금일 수 있고, 상기 금속유리 나노구조체는 유리 전이 온도(Tg) 및 과냉각 액체 구간을 가질 수 있다.The metal glass nanostructure may be an amorphous alloy having a disordered atomic structure including at least two kinds of metals, and the metal glass nanostructure may have a glass transition temperature (Tg) and a supercooled liquid phase.

상기 금속유리 나노구조체의 유리 전이 온도(Tg)는 약 25℃ 내지 800℃일 수 있고, 상기 금속유리 나노구조체의 과냉각 액체 구간은 약 1K 내지 200K일 수 있다. The glass transition temperature (Tg) of the metal glass nanostructure may be about 25 ° C to 800 ° C, and the supercooled liquid section of the metal glass nanostructure may be about 1K to 200K.

상기 금속유리 나노구조체는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 세륨(Ce), 스트론튬(Sr), 이테르븀(Yb), 아연(Zn), 백금(Pt), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 세륨(Ce), 란탄(La), 이트륨(Y), 가돌륨(Gd), 베릴륨(Be), 탄탈늄(Ta), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 네오디뮴(Nd), 납(Pb), 백금(Pt), 은(Ag), 인(P), 보론(B), 규소(Si), 카본(C), 주석(Sn), 아연(Zn), 리튬(Li), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 에르븀(Er), 크롬(Cr), 프라세오디뮴(Pr), 툴륨(Tm) 및 이들의 조합 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 합금일 수 있다.The metal glass nanostructure may include at least one selected from the group consisting of Al, Cu, Zr, Ti, Ni, Fe, Au, Mg, (Ce), lanthanum (La), yttrium (Y), cerium (Ce), strontium (Sr), ytterbium (Yb), zinc (Zn), platinum (Pt), cobalt , Gallium (Gd), beryllium (Be), tantalum (Ta), gallium (Ga), hafnium (Hf), niobium (Nb), neodymium (Nd), lead (Pb) (P), boron (B), silicon (Si), carbon (C), tin (Sn), zinc (Zn), lithium (Li), molybdenum (Mo), tungsten Mn, erbium (Er), chromium (Cr), praseodymium (Pr), thulium (Tm), and combinations thereof.

상기 투명 도전체는 고분자 바인더를 포함하지 않을 수 있다.The transparent conductor may not include a polymeric binder.

상기 투명 도전체는 투과율 약 85% 이상 및 비저항 약 10^-3Ω㎝ 이하를 만족할 수 있다.The transparent conductor may satisfy a transmittance of about 85% or more and a resistivity of about 10 ^-3 ? Cm or less.

다른 구현예에 따르면, 금속유리 나노구조체를 준비하는 단계, 상기 금속유리 나노구조체를 포함하는 혼합물을 적용하는 단계, 그리고 상기 금속유리 나노구조체의 유리 전이 온도(Tg)보다 높은 온도에서 상기 금속유리 나노구조체를 소성하는 단계를 포함하는 투명 도전체의 제조 방법을 제공한다.According to another embodiment, there is provided a method of fabricating a glass nanostructure, comprising the steps of preparing a metallic glass nanostructure, applying a mixture comprising the metallic glass nanostructure, and applying the mixture to the metallic glass nanostructure at a temperature higher than the glass transition temperature (Tg) And firing the structure. The present invention also provides a method of manufacturing a transparent conductor.

상기 금속유리 나노구조체를 준비하는 단계는 기체 분무법(gas atomization process), 주형법(template process) 또는 전기방사법(electrospinning process)으로 수행할 수 있다.The preparation of the metal glass nanostructure may be performed by a gas atomization process, a template process, or an electrospinning process.

상기 금속유리 나노구조체를 포함하는 혼합물을 적용하는 단계는 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 인쇄 또는 스크린 인쇄로 수행할 수 있다.The step of applying the mixture including the metal glass nanostructure may be performed by spin coating, slit coating, ink jet printing or screen printing.

상기 금속유리 나노구조체를 포함하는 혼합물은 잉크 또는 페이스트 형태일 수 있다. The mixture containing the metal glass nanostructure may be in the form of ink or paste.

상기 금속유리 나노구조체를 소성하는 단계는 약 50 내지 800℃에서 수행할 수 있다.The step of firing the metal glass nanostructure may be performed at about 50 to 800 ° C.

또 다른 구현예에 따르면, 투명 도전체를 포함하는 전자 소자를 제공한다.
According to another embodiment, there is provided an electronic device comprising a transparent conductor.

비저항 및 투명도를 확보하면서도 플렉서블하게 대면적으로 형성가능하고 제조비용을 낮출 수 있는 투명 도전체를 구현할 수 있다.
It is possible to realize a transparent conductor which can be formed in a large area flexibly and low in manufacturing cost while securing specific resistance and transparency.

도 1은 일 구현예에 따른 투명 도전체를 적용한 유기 발광 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting device to which a transparent conductor according to one embodiment is applied.

이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

이하 일 구현예에 따른 투명 도전체를 설명한다.Hereinafter, a transparent conductor according to one embodiment will be described.

일 구현예에 따른 투명 도전체는 금속유리 나노구조체(metallic glass nanostructures)를 포함한다.A transparent conductor according to one embodiment includes metallic glass nanostructures.

상기 금속유리 나노구조체는 금속 유리(metallic glass)로 만들어진 나노구조체이다. 여기서 나노구조체는 길이 및 폭 중 적어도 하나가 수 내지 수백 나노미터인 구조체일 수 있고, 예컨대 길이 및 폭 중 적어도 하나가 약 400nm 이하, 그 중에서도 약 200nm 이하, 그 중에서도 약 100nm 이하인 구조체일 수 있다.The metallic glass nanostructure is a nanostructure made of metallic glass. Wherein the nanostructure may be a structure having at least one of length and width of from several to several hundred nanometers, for example at least one of length and width of about 400 nm or less, in particular about 200 nm or less, in particular about 100 nm or less.

상기 나노구조체는 길이와 폭이 상이한 선형 모양일 수 있으며, 예컨대 길이와 폭의 비율인 아스펙트 비(aspect ratio)가 약 5 이상인 이방성 모양을 가질 수 있다. 상기 나노구조체는 예컨대 나노와이어(nanowires), 나노로드(nanorods), 나노튜브(nanotubes) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.The nanostructure may have a linear shape having a different length and width, and may have an anisotropic shape having an aspect ratio of about 5 or more, for example, a ratio of length to width. The nanostructure may include, for example, nanowires, nanorods, nanotubes, or a combination thereof.

상기 금속 유리는 복수의 원소들이 무질서한 원자 구조를 가지는 비정질 상태의 합금으로, 비정질 금속(amorphous metal)이라고도 부른다. 상기 금속 유리는 복수의 원소들이 급속 응고됨으로써 형성된 비정질 부분을 가진다. 여기서 '원소'는 금속 및 반금속을 포괄하는 용어이다. 상기 비정질 부분은 상기 금속 유리의 약 50 내지 100부피%일 수 있고, 그 중에서 약 70 내지 100부피%일 수 있고, 그 중에서 약 90 내지 100부피%일 수 있다.The metal glass is an amorphous alloy in which a plurality of elements have disordered atomic structure and is also called an amorphous metal. The metal glass has an amorphous portion formed by rapid solidification of a plurality of elements. Here, 'element' is a term covering metal and semimetal. The amorphous portion may be about 50 to 100 vol% of the metal glass, and may be about 70 to 100 vol%, of which about 90 to 100 vol%.

상기 금속 유리는 고온에서 액체(liquid) 상태일 때 형성된 비정질 부분을 상온(room temperature)에서도 그대로 유지할 수 있다. 따라서, 상기 금속 유리는 고상으로 응고되었을 때 원자들이 규칙적인 배열 구조를 가지는 결정질 구조의 일반 합금과 다르고, 상온에서 액체(liquid) 상태로 존재하는 액체 금속(liquid metals)과도 다르다. 또한 상기 금속 유리는 실리케이트(silicate)와 같은 일반 유리와 달리 비저항이 낮아 도전성을 나타낸다.The metal glass can maintain an amorphous portion formed when the liquid glass is in a liquid state at a high temperature, at room temperature. Therefore, the metal glass is different from a liquid alloy in a liquid state at room temperature, which is different from a general alloy of a crystalline structure in which atoms have a regular arrangement when solidified into a solid phase. In addition, the metal glass has low resistivity and exhibits conductivity, unlike ordinary glass such as silicate.

상기 금속 유리는 유리 전이 온도(glass transition temperature, Tg) 및 과냉각 액체 구간(supercooled liquid region, ΔTx)을 가진다. 상기 유리 전이 온도(Tg)는 상기 금속 유리가 소성 변형(plastic deformation)을 일으키기 시작하는 온도로, 유리 전이 온도의 이상에서 연화되어 액체와 같은 거동을 보일 수 있다. 이러한 액체와 같은 거동은 유리 전이 온도(Tg)와 결정화 온도(crystalline temperature, T_x) 사이에서 유지되며, 이 온도 구간을 과냉각 액체구간(ΔTx)이라 한다. 상기 금속 유리는 과냉각 액체구간(?Tx)에서 액체와 같은 거동을 보이면서 하부막에 대하여 젖음성을 나타내거나 인접한 금속유리와 들러붙어 접합(junction)을 형성할 수 있다.The metal glass has a glass transition temperature (Tg) and a supercooled liquid region (ΔTx). The glass transition temperature (Tg) is a temperature at which the metal glass starts to cause plastic deformation, and can be softened at a temperature higher than the glass transition temperature to exhibit a liquid-like behavior. Such liquid-like behavior is maintained between the glass transition temperature (Tg) and the crystallization temperature (T _x ), which is referred to as the supercooled liquid section (ΔTx). The metal glass exhibits a liquid-like behavior in a supercooled liquid section (? Tx) and exhibits wettability to the lower film or can form a junction with the adjacent metal glass.

상기 금속 유리의 유리전이온도(Tg)는 예컨대 약 800℃ 이하일 수 있으며, 예컨대 약 25℃ 내지 800℃ 일 수 있다. 상기 금속 유리의 과냉각 액체구간(ΔTx)은 약 1K 내지 200K일 수 있다.The glass transition temperature (Tg) of the metal glass may be, for example, about 800 캜 or lower, for example, about 25 캜 to 800 캜. The supercooling liquid section? Tx of the metal glass may be about 1K to 200K.

상기 금속 유리는 예컨대 결정화 후 비저항이 약 500μΩ㎝ 이하일 수 있으며, 상기 범위의 비저항을 가짐으로써 도전체로서 효과적으로 사용될 수 있다. 상기 범위 내에서 비저항은 약 150μΩ㎝ 이하일 수 있다.The metal glass may have a resistivity of about 500 mu OMEGA cm or less after crystallization, for example, and can be effectively used as a conductor by having a resistivity in the above range. Within this range, the specific resistance may be about 150 mu OMEGA cm or less.

상기 금속 유리는 전이 금속, 귀금속, 희토류 금속, 알칼리 토금속, 반금속(semimetal)의 합금 등의 조합으로 이루어질 수 있으며, 예컨대 알루미늄(Al), 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 세륨(Ce), 스트론튬(Sr), 이테르븀(Yb), 아연(Zn), 백금(Pt), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 세륨(Ce), 란탄(La), 이트륨(Y), 가돌륨(Gd), 베릴륨(Be), 탄탈늄(Ta), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 네오디뮴(Nd), 납(Pb), 백금(Pt), 은(Ag), 인(P), 보론(B), 규소(Si), 카본(C), 주석(Sn), 아연(Zn), 리튬(Li), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 에르븀(Er), 크롬(Cr), 프라세오디뮴(Pr), 툴륨(Tm) 및 이들의 조합 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 합금일 수 있다.The metal glass may be formed of a combination of a transition metal, a noble metal, a rare earth metal, an alkaline earth metal, a semimetal alloy, or the like. Examples of the metal glass include Al, Cu, Zr, Ti, (Ni), iron (Fe), gold (Au), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), ytterbium (Yb), zinc (Zn) Cobalt (Co), palladium (Pd), cerium (Ce), lanthanum (La), yttrium (Y), gallium (Gd), beryllium (Be), tantalum (Ta), gallium (Hf), niobium (Nb), neodymium (Nd), lead (Pb), platinum (Pt), silver (Ag), phosphorus (P), boron (B), silicon Sn, Zr, Li, Mo, W, Mn, Er, Cr, Prs, Th, And combinations thereof.

상기 금속 유리는 예컨대 알루미늄계 금속 유리, 구리계 금속 유리, 지르코늄계 금속 유리, 티타늄계 금속 유리, 니켈계 금속 유리, 철계 금속 유리, 세륨계 금속 유리, 스트론튬계 금속 유리, 골드계 금속 유리, 이테르븀 금속 유리, 아연계 금속 유리, 칼슘계 금속 유리, 마그네슘계 금속 유리 및 플라티늄계 금속 유리 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The metal glass may be at least one selected from the group consisting of aluminum based metal glass, copper based metallic glass, zirconium based metallic glass, titanium based metallic glass, nickel based metallic glass, iron based metallic glass, cerium based metallic glass, Metal glass, zinc-based metal glass, calcium-based metal glass, magnesium-based metal glass, and platinum-based metal glass, but is not limited thereto.

상기 알루미늄계 금속 유리, 구리계 금속 유리, 지르코늄계 금속 유리, 티타늄계 금속 유리, 니켈계 금속 유리, 철계 금속 유리, 세륨계 금속 유리, 스트론튬계 금속 유리, 골드계 금속 유리, 이테르븀 금속 유리, 아연계 금속 유리, 칼슘계 금속 유리, 마그네슘계 금속 유리 및 플라티늄계 금속 유리는 각각 알루미늄, 구리, 지르코늄, 티타늄, 니켈, 철, 세륨, 스트론튬, 골드, 이테르븀, 아연, 칼슘, 마그네슘 및 플라티늄을 주성분으로 하고, 예컨대 니켈(Ni), 이트륨(Y), 코발트(Co), 란탄(La), 지르코늄(Zr), 철(Fe), 티타늄(Ti), 칼슘(Ca), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 나트륨(Na), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 주석(Sn), 아연(Zn), 칼륨(K), 리튬(Li), 인(P), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루비듐(Rb), 크롬(Cr), 스트론튬(Sr), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 프로메티윰(Pm), 사마리움(Sm), 루테티움(Lu), 네오디뮴(Nd), 니오븀(Nb), 가돌리늄(Gd), 테르비움(Tb), 디스프로슘(Dy), 호르미움(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 도륨(Th), 스칸듐(Sc), 바륨(Ba), 이테르븀(Yb), 유로퓸(Eu), 하프늄(Hf), 비소(As), 플루토늄(Pu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 안티몬(Sb), 규소(Si), 카드뮴(Cd), 인듐(In), 백금(Pt), 망간(Mn), 오스뮴(Os), 바나듐(V), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag) 및 수은(Hg)에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 합금일 수 있다. 여기서 주성분이란 금속 유리 중 가장 많은 몰 비율을 가지는 원소를 말한다.Wherein the metal-based material is at least one selected from the group consisting of aluminum-based metal glass, copper-based metal glass, zirconium-based metal glass, titanium-based metal glass, nickel-based metal glass, iron-based metal glass, cerium-based metal glass, strontium- The metal-glass, the calcium-based metallic glass, the magnesium-based metallic glass and the platinum-based metallic glass are mainly composed of aluminum, copper, zirconium, titanium, nickel, iron, cerium, strontium, gold, ytterbium, zinc, calcium, magnesium and platinum For example, nickel (Ni), yttrium (Y), cobalt (Co), lanthanum (La), zirconium (Zr), iron (Fe), titanium (Ti), calcium (Ca), beryllium Mg, Na, Mo, W, Sn, Zn, K, Li, P, Pd, Pt, rubidium, chromium, strontium, cerium, praseodymium, promethium, samarium, lutetium, (Nd), niobium (Nb), gadolinium (Gd), terbium (Tb), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm), thorium ), Barium (Ba), ytterbium (Yb), europium (Eu), hafnium (Hf), arsenic (As), plutonium (Pu), gallium (Ga), germanium (Ge), antimony ), Cadmium (Cd), indium (In), platinum (Pt), manganese (Mn), osmium (Os), vanadium (V), aluminum (Al), copper (Cu) ). ≪ / RTI > Here, the main component is the element having the highest molar ratio among the metal glasses.

표 1 내지 표 3은 상기 금속 유리의 예를 보여주나, 이에 한정되는 것은 아니다.Tables 1 to 3 show examples of the above-mentioned metal glass, but the present invention is not limited thereto.

조성Furtherance Tg(℃)Tg (占 폚) Tx(℃)Tx (占 폚) 조성Furtherance Tg(℃)Tg (占 폚) Tx(℃)Tx (占 폚) Ce₇₀Al₁₀Cu₂₀ Ce ₇₀ Al ₁₀ Cu ₂₀ 6868 128128 Yb₆₄Zn₂₀Mg₁₅Cu₁ Yb ₆₄ Zn ₂₀ Mg ₁₅ Cu ₁ 8484 129129 Ce₆₈Al₁₀Cu₂₀Nb₂ Ce ₆₈ Al ₁₀ Cu ₂₀ Nb ₂ 6868 149149 Au₄₉Cu_{26 .9}Ag_{5 .5}Pd_{2 .3}Si_{16 .3} Au ₄₉ Cu _{26 .9} Ag _{5 .5} Pd _{2 .3} Si _{16 .3} 128128 186186 Sr₆₀Mg₁₈Zn₂₂ Sr ₆₀ Mg ₁₈ Zn ₂₂ 5858 101101 Yb₇₀Zn₂₀Mg1₀ Yb ₇₀ Zn ₂₀ Mg 1 _O 7474 113113 Sr₆₀Li₁₁Mg₉Zn₂₀ Sr ₆₀ Li ₁₁ Mg ₉ Zn ₂₀ 2626 5050 Yb_{62 .5}Zn₂₀Mg_{17 .5} Yb _{62 .5} Zn ₂₀ Mg _{17 .5} 9494 125125 Sr₆₀Li₅Mg₁₅Zn₂₀ Sr ₆₀ Li ₅ Mg ₁₅ Zn ₂₀ 4242 6363 Yb₆₄Zn₂₀Mg₁₅Cu₁ Yb ₆₄ Zn ₂₀ Mg ₁₅ Cu ₁ 8484 129129 Sr₆₀Mg₂₀Zn₁₅Cu₅ Sr ₆₀ Mg ₂₀ Zn ₁₅ Cu ₅ 6262 101101 Yb₆₅Zn₂₀Mg₁₀Cu₅ Yb ₆₅ Zn ₂₀ Mg ₁₀ Cu ₅ 111111 146146 Sr₄₀Yb₂₀Mg₂₀Zn₁₅Cu₅ Sr ₄₀ Yb ₂₀ Mg ₂₀ Zn ₁₅ Cu ₅ 6363 105105 Yb_{62 .5}Zn₁₅Mg_{17 .5}Cu_{5 Yb 62 .5 Zn 15 Mg 17 .5} Cu 5 108108 128128 Au₅₀Cu₃₃Si₁₇ Au ₅₀ Cu ₃₃ Si ₁₇ 110110 132132 Zn₄₀Mg₁₁Ca₃₁Yb₁₈ Zn ₄₀ Mg ₁₁ Ca ₃₁ Yb ₁₈ 123123 148148 Au₅₀Cu_{25 .5}Ag_{7 .5}Si₁₇ Au ₅₀ Cu _{25 .5} Ag _{7 .5} Si ₁₇ 104104 146146 Zn₄₀Mg₁₁Ca₃₅Yb₁₄ Zn ₄₀ Mg ₁₁ Ca ₃₅ Yb ₁₄ 120120 147147 Au₆₀Cu_{15 .5}Ag_{7 .5}Si₁₇ Au ₆₀ Cu _{15 .5} Ag _{7 .5} Si ₁₇ 8686 130130 Ca₆₅Mg₁₅Zn₂₀ Ca ₆₅ Mg ₁₅ Zn ₂₀ 102102 137137 Au₆₅Cu_{10 .5}Ag_{7 .5}Si₁₇ Au ₆₅ Cu _{10 .5} Ag _{7 .5} Si ₁₇ 6969 119119 Ca₆₅Li_{9 .96}Mg_{8 .54}Zn_{16 .5} Ca ₆₅ Li _{9 .96} Mg _{8 .54} Zn _{16 .5} 4444 6666 Au₇₀Cu_{5 .5}Ag_{7 .5}Si₁₇ Au ₇₀ Cu _{5 .5} Ag _{7 .5} Si ₁₇ 6666 102102 Mg₆₅Cu₂₅Y₁₀ Mg ₆₅ Cu ₂₅ Y ₁₀ 155155 219219 Ca₆₅Li_{9 .96}Mg_{8 .54}Zn_{16 .5} Ca ₆₅ Li _{9 .96} Mg _{8 .54} Zn _{16 .5} 4444 6666 Pt _57.5Cu_{14 .7}Ni_{5 .3}P_{22 .5} Pt _57.5 Cu _{14 .7} Ni _{5 .3} P _{22 .5} 236236 325325 Ce₇₀Cu₂₀Al₁₀ Ce ₇₀ Cu ₂₀ Al ₁₀ 6868 135135

조성Furtherance Tg(℃)Tg (占 폚) Tx(℃)Tx (占 폚) 조성Furtherance Tg(℃)Tg (占 폚) Tx(℃)Tx (占 폚) Ca₆₅Mg₁₅Zn₂₀ Ca ₆₅ Mg ₁₅ Zn ₂₀ 106106 139139 Cu₄₆Y_{42 .5}Al₇ Cu ₄₆ Y _{42 .5} Al ₇ 290290 319319 Mg₆₅Cu₁₅Ag₁₀Gd1₀ Mg ₆₅ Cu ₁₅ Ag ₁₀ Gd 1 ₀ 143143 186186 Ti₅₅Zr₁₈Be₁₄Cu₇Ni₆ Ti ₅₅ Zr ₁₈ Be ₁₄ Cu ₇ Ni ₆ 312312 349349 Mg₆₅Cu₁₅Ag₁₀Gd₁₀ Mg ₆₅ Cu ₁₅ Ag ₁₀ Gd ₁₀ 143143 186186 Ti₅₁Y₄Zr₁₈Be₁₄Cu₇Ni₆ Ti ₅₁ Y ₄ Zr ₁₈ Be ₁₄ Cu ₇ Ni ₆ 312312 339339 Mg₆₅Cu₂₅Gd₁₀ Mg ₆₅ Cu ₂₅ Gd ₁₀ 150150 211211 Ti₄₀Zr₂₈Cu₉Ni₇Be₁₆ Ti ₄₀ Zr ₂₈ Cu ₉ Ni ₇ Be ₁₆ 337337 357357 Mg₆₅Cu₂₀Ag₅Y₁₀ Mg ₆₅ Cu ₂₀ Ag ₅ Y ₁₀ 152152 204204 Ti₄₀Zr₂₅Ni₈Cu₉Be1₈ Ti ₄₀ Zr ₂₅ Ni ₈ Cu _{9 Be 1 8} 348348 395395 Mg₆₅Cu₂₅Y₁₀ Mg ₆₅ Cu ₂₅ Y ₁₀ 153153 215215 Ti₄₉Nb₆Zr₁₈Be₁₄Cu₇Ni₆ Ti ₄₉ Nb ₆ Zr ₁₈ Be ₁₄ Cu ₇ Ni ₆ 348348 375375 Mg₆₅Cu₁₅Ag₁₀Y₁₀ Mg ₆₅ Cu ₁₅ Ag ₁₀ Y ₁₀ 155155 196196 Ti₅₀Zr₁₅Be₁₈Cu₉Ni₈ Ti ₅₀ Zr ₁₅ Be ₁₈ Cu ₉ Ni ₈ 349349 389389 Mg₆₅Cu₁₅Ag₅Pd₅Gd₁₀ Mg ₆₅ Cu ₁₅ Ag ₅ Pd ₅ Gd ₁₀ 157157 199199 Ti₃₄Zr₃₁Cu₁₀Ni₈Be₁₇ Ti ₃₄ Zr ₃₁ Cu ₁₀ Ni ₈ Be ₁₇ 352352 378378 Mg₆₅Cu_{7 .5}Ni_{7 .5}Ag₅Zn₅Y₁₀ Mg ₆₅ Cu _{7 .5} Ni _{7 .5} Ag ₅ Zn ₅ Y ₁₀ 157157 186186 Zr₃₆Ti₂₄Be₄₀ Zr ₃₆ Ti ₂₄ Be ₄₀ 354354 440440 Mg₈₀Ni₁₀Gd₁₀ Mg ₈₀ Ni ₁₀ Gd ₁₀ 158158 178178 Ti₆₅Be₁₈Cu₉Ni₈ Ti ₆₅ Be ₁₈ Cu ₉ Ni ₈ 362362 397397 Ca₆₀Mg₂₅Ni₁₅ Ca ₆₀ Mg ₂₅ Ni ₁₅ 158158 180180 Zr₆₅Al_{7 .5}Cu_{17 .5}Ni₁₀ Zr ₆₅ Al _{7 .5} Cu _{17 .5} Ni ₁₀ 380380 443443 Mg₆₅Cu_{7 .5}Ni_{7 .5}Ag₅Zn₅Gd₁₀ Mg ₆₅ Cu _{7 .5} Ni _{7 .5} Ag ₅ Zn ₅ Gd ₁₀ 167167 204204 Zr₆₅Al_{7 .5}Cu_{12 .6}Ni₁₀Ag₅ Zr ₆₅ Al _{7 .5} Cu _{12 .6} Ni ₁₀ Ag ₅ 386386 436436 Mg₇₅Ni₁₅Gd₁₀ Mg ₇₅ Ni ₁₅ Gd ₁₀ 190190 231231 Cu₅₀Zr₄₀Ti₁₀ Cu ₅₀ Zr ₄₀ Ti ₁₀ 387387 435435 Mm₅₅Al₂₅Ni₁₀Cu₁₀ Mm ₅₅ Al ₂₅ Ni ₁₀ Cu ₁₀ 199199 267267 Cu₃₀Ag₃₀Zr₃₀Ti₁₀ Cu ₃₀ Ag ₃₀ Zr ₃₀ Ti ₁₀ 393393 427427 Mn₅₅Al₂₅Ni₁₀Cu₅Co₅ Mn ₅₅ Al ₂₅ Ni ₁₀ Cu ₅ Co ₅ 205205 289289 Cu₅₀Zr₅₀ Cu ₅₀ Zr ₅₀ 402402 451451 _{Mg70Ni10Gd20Mg70Ni10Gd20} 215215 237237 Ti₄₅Ni₁₅Cu₂₅Sn₃Be₇Zr₅ Ti ₄₅ Ni ₁₅ Cu ₂₅ Sn ₃ Be ₇ Zr ₅ 407407 468468 Mm₅₅Al₂₅Ni2₀ Mm ₅₅ Al ₂₅ Ni 2 _O 220220 277277 Ti₅₀Ni₁₅Cu₃₂Sn₃ Ti ₅₀ Ni ₁₅ Cu ₃₂ Sn ₃ 413413 486486 (Mm₅₅Al₂₅Ni₁₀Cu₅Co₅)₉₆C₄ (Mm ₅₅ Al ₂₅ Ni ₁₀ Cu ₅ Co ₅ ) ₉₆ C ₄ 220220 290290 Ti₅₀Ni₁₅Cu₂₅Sn₃Be₇ Ti ₅₀ Ni ₁₅ Cu ₂₅ Sn ₃ Be ₇ 415415 460460 Cu₄₆Gd₄₇Al₇ Cu ₄₆ Gd ₄₇ Al ₇ 245245 266266 Ni₅₅Zr₁₂Al₁₁Y₂₂ Ni ₅₅ Zr ₁₂ Al ₁₁ Y ₂₂ 423423 460460 Cu₄₀Ni₅Ag₁₅Zr₃₀Ti₁₀ Cu ₄₀ Ni ₅ Ag ₁₅ Zr ₃₀ Ti ₁₀ 424424 454454

조성Furtherance Tg(℃)Tg (占 폚) Tx(℃)Tx (占 폚) 조성Furtherance Tg(℃)Tg (占 폚) Tx(℃)Tx (占 폚) Cu_{47 .5}Zr₄₀Be_{12 .5} Cu _{47 .5} Zr ₄₀ Be _{12 .5} 425425 483483 Fe₆₇Mn₁₃B₁₇Y₃ Fe ₆₇ Mn ₁₃ B ₁₇ Y ₃ 506506 555555 Cu₅₀Zr₃₅Ti₁₀Al₅ Cu ₅₀ Zr ₃₅ Ti ₁₀ Al ₅ 427427 468468 Cu₄₆Hf_{42 .5}Al₇ Cu ₄₆ Hf _{42 .5} Al ₇ 519519 551551 Cu₄₇Ti₃₃Zr₉Y₂Ni₈Si₁ Cu ₄₇ Ti ₃₃ Zr ₉ Y ₂ Ni ₈ Si ₁ 429429 456456 Fe₇₇Nb₆B₁₇ Fe ₇₇ Nb ₆ B ₁₇ 524524 541541 Cu₄₇Ti₃₃Zr₁₁In₈Si₁ Cu ₄₇ Ti ₃₃ Zr ₁₁ In ₈ Si ₁ 430430 460460 Ni₅₉Zr₂₀Ti₁₆Si₂Sn₃ Ni ₅₉ Zr ₂₀ Ti ₁₆ Si ₂ Sn ₃ 548548 604604 Cu₄₆Zr₄₆Al₈ Cu ₄₆ Zr ₄₆ Al ₈ 430430 513513 Fe₇₀Mo₁₃B₁₇ Fe ₇₀ Mo ₁₃ B ₁₇ 549549 577577 Cu₅₀Zr₄₅Al₅ Cu ₅₀ Zr ₄₅ Al ₅ 434434 494494 Ni_{57 .5}Zr₃₅Al7_.5 Ni ₅₇ Zr _{35 .5 .5} Al7 550550 575575 Cu₄₇Ti₃₃Zr₁₁Ni₆Sn₂Si₁ Cu ₄₇ Ti ₃₃ Zr ₁₁ Ni ₆ Sn ₂ Si ₁ 436436 489489 Fe₇₄Nb₆B₂₀ Fe ₇₄ Nb ₆ B ₂₀ 550550 574574 Cu₄₇Ti₃₃Nb₁₁Ni₈Si₁ Cu ₄₇ Ti ₃₃ Nb ₁₁ Ni ₈ Si ₁ 437437 459459 Fe₇₄Nb₆Y₃B₁₇ Fe ₇₄ Nb ₆ Y ₃ B ₁₇ 558558 606606 Cu₄₇Ti₃₃Zr₁₁Ni₆Ag₂Si₁ Cu ₄₇ Ti ₃₃ Zr ₁₁ Ni ₆ Ag ₂ Si ₁ 441441 465465 Fe₆₅Mn₁₃B₁₇Y₃ Fe ₆₅ Mn ₁₃ B ₁₇ Y ₃ 561561 611611 Cu₄₆Zr₄₇Al₇ Cu ₄₆ Zr ₄₇ Al ₇ 445445 504504 Ni₅₅Zr₃₄Al₁₁ Ni ₅₅ Zr ₃₄ Al ₁₁ 562562 580580 Cu₄₇Ti₃₃Zr₁₁Ni₆Co₂Si₁ Cu ₄₇ Ti ₃₃ Zr ₁₁ Ni ₆ Co ₂ Si ₁ 447447 491491 Ni₅₉Zr₁₁Ti₁₆Si₂Sn₃Nb₉ Ni ₅₉ Zr ₁₁ Ti ₁₆ Si ₂ Sn ₃ Nb ₉ 569569 609609 Cu₄₇Ti₃₃Zr₁₁Ni₈Si₁ Cu ₄₇ Ti ₃₃ Zr ₁₁ Ni ₈ Si ₁ 447447 484484 Fe₇₂Nb₄B₂₀Si₄ Fe ₇₂ Nb ₄ B ₂₀ Si ₄ 569569 607607 Ni₂₀Nb₂₀P₂₀ Ni ₂₀ Nb ₂₀ P ₂₀ 448448 462462 Ni₆₀Nb₁₅Zr₂₅ Ni ₆₀ Nb ₁₅ Zr ₂₅ 570570 601601 Cu₄₃Zr₄₃Al₇Ag₇ Cu ₄₃ Zr ₄₃ Al ₇ Ag ₇ 449449 521521 Ni₆₁Zr₂₈Nb₇Al₄ Ni ₆₁ Zr ₂₈ Nb ₇ Al ₄ 575575 625625 Cu₆₀Zr₃₀Ti1₀ Cu ₆₀ Zr ₃₀ Ti 1 _O 451451 473473 Ni_{57 .5}Zr₂₄Nb₁₁Al_{7 .5 Ni 57 .5 Zr 24 Nb 11 Al} 7 .5 576576 609609 Cu₆₀Zr₄₀ Cu ₆₀ Zr ₄₀ 453453 503503 Fe₆₇Mo₁₃B₁₇Y₃ Fe ₆₇ Mo ₁₃ B ₁₇ Y ₃ 587587 628628 Cu₄₀Ni₂₀Zr₃₀Ti₁₀ Cu ₄₀ Ni ₂₀ Zr ₃₀ Ti ₁₀ 454454 476476 Ni₆₁Zr₂₀Nb₇Al₄Ta₈ Ni ₆₁ Zr ₂₀ Nb ₇ Al ₄ Ta ₈ 603603 661661 Cu₄₇Ti₃₃Zr₉Nb₂Ni₈Si₁ Cu ₄₇ Ti ₃₃ Zr ₉ Nb ₂ Ni ₈ Si ₁ 455455 489489 (Fe₇₂Nb₄B₂₀Si₄)₉₆Y₄ (Fe ₇₂ Nb ₄ B ₂₀ Si ₄ ) ₉₆ Y ₄ 632632 660660 Cu₅₇Zr_{28 .5}Ti_{9 .5}Ta5 _{Cu 57 Zr 28 .5 Ti 9 .5} Ta5 456456 478478 Ni₆₀Nb₃₀Ta₁₀ Ni ₆₀ Nb ₃₀ Ta ₁₀ 661661 688688 Cu₅₀Zr₄₃Al₇ Cu ₅₀ Zr ₄₃ Al ₇ 458458 519519

상기 투명 도전체는 랜덤하게 배열된 복수의 금속유리 나노구조체를 포함할 수 있다.The transparent conductor may include a plurality of randomly arranged metal glass nanostructures.

상기 금속유리 나노구조체는 금속(metal) 또는 소위 금속 합금(metal alloy)이라 불리우는 결정계 금속 합금으로 만들어진 나노구조체와 달리 내산화성 및 연성(ductility)이 우수하여 도전성이 확보된 플렉서블 투명 전극을 구현할 수 있다. 예컨대 투명 전극은 약 10^-3Ω㎝ 이하의 비저항을 가지면서도 투명 전극을 구부렸을 때 굽혀진 부분의 곡률반경이 약 5mm 이하, 그 중에서도 약 1mm 이하로 낮추어 플렉서블 특성을 구현할 수 있다.The metal glass nanostructure can realize a flexible transparent electrode having excellent oxidation resistance and ductility and having conductivity, unlike a nanostructure made of a crystalline metal alloy called a metal or a so-called metal alloy . For example, the transparent electrode has a resistivity of about 10 < ^-3 > OMEGA cm or less, and when the transparent electrode is bent, the curved radius of the bent portion is reduced to about 5 mm or less, particularly about 1 mm or less.

또한 상기 금속유리 나노구조체는 전술한 바와 같이 유리전이온도 및 과냉각 액체 구간을 가지며 상기 과냉각 액체 구간에서 소성 변형이 가능하므로 별도의 고분자 바인더 없이도 인접한 금속유리 나노구조체와의 접합이 가능하다. 따라서 금속유리 나노구조체는 유리 전이 온도(Tg) 이상에서 소성될 때 형성된 접합점에 의해 서로 연결되어 도전성 네트워크 구조를 형성할 수 있다. 따라서 투명 전극의 도전성을 확보할 수 있다. 또한 상기 금속유리 나노구조체는 금속 나노구조체 또는 금속합금 나노구조체와 달리 고분자 바인더를 사용할 필요가 없으므로 고분자 바인더에 의해 도전성이 저하되는 것을 방지하여 도전성을 더욱 개선할 수 있다. As described above, the metal glass nanostructure has a glass transition temperature and a supercooled liquid interval. Since the metal glass nanostructure can be plastic-deformed in the supercooled liquid section, the metal glass nanostructure can be bonded to the adjacent metal glass nanostructure without a separate polymer binder. Accordingly, the metal glass nanostructures can be connected to each other by a junction formed when they are fired at a glass transition temperature (Tg) or higher to form a conductive network structure. Therefore, the conductivity of the transparent electrode can be secured. Further, unlike the metal nanostructure or the metal alloy nanostructure, the metal glass nanostructure does not need to use a polymer binder, so that the conductivity is prevented from being lowered by the polymer binder, and the conductivity can be further improved.

상기 투명 도전체는 전술한 바와 같이 투명도 및 도전성을 동시에 확보함으로써, 가시광선 영역에서 약 85% 이상의 투과율을 가지는 동시에 약 10^-3Ω㎝ 이하의 비저항을 가질 수 있다. 상기 범위 내에서 약 85 내지 99.9%의 투과율 및 약 10^-4 내지 10^-3 Ω㎝의 비저항을 만족할 수 있다.The transparent conductor can have a transmittance of about 85% or more in the visible light region and a specific resistance of about 10 < ^-3 > OMEGA cm or less by simultaneously ensuring transparency and conductivity as described above. Within this range, a transmittance of about 85 to 99.9% and a resistivity of about 10 ^-4 to 10 ^-3 Ω cm can be satisfied.

상기 투명 도전체는 상기와 같이 비저항 및 투명도를 확보할 수 있는 동시에, 대기(air)에서 공정을 수행할 수 있으므로 제조 비용을 낮출 수 있다. 또한 대면적 투명 도전체를 형성하는데 한계가 없으므로 대면적 투명 전극을 형성하는데 유용하게 적용될 수 있고, 인듐 틴 옥사이드(ITO)의 인듐(In)과 같은 고가의 재료를 사용하지 않으므로 제조 비용을 낮출 수 있다.The transparent conductor can secure the resistivity and transparency as described above, and can perform the process in the air, thereby reducing the manufacturing cost. In addition, since there is no limitation in forming a large-area transparent conductor, it can be effectively applied to forming a large area transparent electrode, and an expensive material such as indium (In) tin oxide (ITO) have.

이하 상기 투명 도전체의 제조 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the transparent conductor will be described.

일 구현예에 따른 투명 도전체의 제조 방법은 금속유리 나노구조체를 준비하는 단계, 상기 금속유리 나노구조체를 포함하는 혼합물을 적용하는 단계, 그리고 상기 금속유리 나노구조체의 유리 전이 온도(Tg)보다 높은 온도에서 상기 금속유리 나노구조체를 소성하는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a transparent conductor, comprising the steps of preparing a metal glass nanostructure, applying a mixture containing the metal glass nanostructure, and forming a metal glass nanostructure having a glass transition temperature (Tg) And firing the metal glass nanostructure at a temperature.

상기 금속유리 나노구조체는 예컨대 기체 분무법(gas atomization process), 주형법(template process) 또는 전기방사법(electrospinning process)으로 수행할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The metal glass nanostructure may be, for example, a gas atomization process, a template process, or an electrospinning process, but is not limited thereto.

상기 기체 분무법을 사용하는 경우, 예컨대 수정관(quartz tube), 인덕션 가열 코일(induction heating coil) 및 기체 노즐(gas nozzle)을 구비한 기체분무장치에 모합금을 넣고 기체 분사 압력 및 용융 합금의 흐름 속도 등을 조절하여 원하는 크기의 금속유리 나노구조체로 형성할 수 있다. When the gas atomization method is used, the parent alloy is introduced into a gas atomizing device having, for example, a quartz tube, an induction heating coil and a gas nozzle, and the gas injection pressure and the flow rate of the molten alloy And the like can be adjusted to form a metal glass nano structure having a desired size.

상기 주형법을 사용하는 경우, 예컨대 양극산화알루미늄(anodic aluminum oxide, AAO) 주형을 사용할 수 있다. 예컨대 일면에 나노사이즈의 패턴들을 가진 양극산화 알루미늄 주형에 용융된 금속유리를 적용하고 양극산화 알루미늄 주형을 제거함으로써 소정 모양의 금속유리 나노구조체를 얻을 수 있다.When the casting method is used, for example, anodic aluminum oxide (AAO) molds may be used. For example, a molten metal glass may be applied to an anodized aluminum mold having nano-sized patterns on one side and an anodized aluminum mold may be removed to obtain a metallic glass nanostructure of a predetermined shape.

상기 전기방사법은 고분자 용액에 고전압을 가하여 전기적으로 하전시키는 방법으로 나노구조체를 형성하는 방법으로, 금속유리 전구체와 고분자의 혼합물을 전기방사하여 원하는 크기의 금속유리 나노구조체를 형성할 수 있다.The electrospinning method is a method of forming a nanostructure by applying a high voltage to a polymer solution to electrically charge the nanostructure. A mixture of a metal glass precursor and a polymer may be electrospun to form a metal glass nanostructure of a desired size.

상기 금속유리 나노구조체를 포함하는 혼합물을 적용하는 단계는 예컨대 잉크(ink) 또는 페이스트(paste) 형태로 적용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 잉크 또는 페이스트는 예컨대 상기 금속유리 나노구조체를 용매와 혼합하거나 선택적으로 유기 비히클을 추가적으로 더 포함할 수 있다. The step of applying the mixture including the metal glass nanostructure may be applied, for example, in the form of an ink or a paste, but is not limited thereto. The ink or paste may further include, for example, mixing the metal glass nanostructure with a solvent or, alternatively, additionally an organic vehicle.

상기 용매는 상기 금속유리 나노구조체를 잉크 또는 페이스트 형태로 혼합할 수 있으면 특히 한정되지 않으며, 예컨대 터피네올, 부틸카비톨, 부틸카비톨 아세테이트, 펜테인디올, 다이펜틴, 리모닌, 에틸렌글리콜 알킬에테르, 디에틸렌글리콜 알킬에테르, 에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트 디에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디알킬에테르 아세테이트, 트리에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 트리에틸렌 글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 페닐에테르, 디프로필렌글리콜 알킬에테르, 트리프로필렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 트리프로필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 디메틸프탈산, 디에틸프탈산, 디부틸프탈산 및 탈염수에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.The solvent is not particularly limited as long as the metal glass nanostructure can be mixed in the form of ink or paste. Examples of the solvent include terpineol, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, pentanediol, dibutyltin, limonin, ethylene glycol alkyl Ethers, diethylene glycol alkyl ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates diethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ether acetates, triethylene glycol alkyl ether acetates, triethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol alkyl ethers, propylene glycol phenyl ethers , Dipropylene glycol alkyl ethers, tripropylene glycol alkyl ethers, propylene glycol alkyl ether acetates, dipropylene glycol alkyl ether acetates, tripropylene glycol alkyl ether acetates, dimethyl phthalic acid, diethyl phthalic acid, dibutyl phthalate And it may be at least one selected from the deionized water.

상기 유기 화합물은 예컨대 (메타)아크릴레이트계 수지; 에틸 셀룰로오스와 같은 셀룰로오스 수지; 페놀 수지; 알코올 수지; 테플론; 및 이들의 조합에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 분산제, 계면활성제, 증점제 및 안정화제와 같은 첨가제를 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The organic compound includes, for example, a (meth) acrylate-based resin; Cellulosic resins such as ethylcellulose; Phenolic resin; Alcohol resin; Teflon; And combinations thereof, and may further include additives such as a dispersant, a surfactant, a thickener, and a stabilizer. However, the present invention is not limited thereto.

상기 금속유리 나노구조체를 포함하는 혼합물은 예컨대 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 인쇄 또는 스크린 인쇄로 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The mixture containing the metal glass nanostructure can be performed by, for example, spin coating, slit coating, inkjet printing, or screen printing, but is not limited thereto.

상기 금속유리 나노구조체를 소성하는 단계는 유리 전이 온도(Tg)보다 높은 온도에서 수행할 수 있으며, 예컨대 약 50 내지 800℃에서 수행할 수 있다. 상기 범위로 소성함으로써 전술한 바와 같이 금속유리 나노구조체가 소성변형되면서 서로 접합하여 도전성 네트워크를 형성할 수 있다. The step of baking the metal glass nanostructure may be performed at a temperature higher than the glass transition temperature (Tg), for example, about 50 to 800 ° C. By firing in the above-described range, the metal glass nanostructures are plastic-deformed as described above, and they are bonded to each other to form a conductive network.

예컨대 플렉서블 소자와 같이 비교적 저온의 소성이 필요한 경우에는 낮은 유리 전이 온도(Tg)를 가지는 금속유리 나노구조체를 사용할 수 있으며, 예컨대 알루미늄계 금속 유리, 티타늄계 금속 유리, 칼슘계 금속 유리, 마그네슘계 금속 유리 및/또는 지르코늄계 금속 유리 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, when a relatively low-temperature firing is required, such as a flexible element, a metal glass nano structure having a low glass transition temperature (Tg) can be used. Examples thereof include aluminum-based metal glass, titanium-based metal glass, Glass and / or zirconium-based metal glass, but are not limited thereto.

여기서는 상기 투명 도전체를 형성하는 방법을 예시적으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않고 다양한 방법으로 형성될 수 있다.Here, the method of forming the transparent conductor is described as an example, but the present invention is not limited to this, and various methods can be used.

상기 투명 도전체는 투명성 및 도전성이 요구되는 용도에 모두 적용될 수 있으며, 예컨대 전자 소자의 투명 전극으로 적용될 수 있다.The transparent conductor can be applied to all applications requiring transparency and conductivity, and can be applied, for example, as a transparent electrode of an electronic device.

상기 전자 소자는 예컨대 액정 표시 장치, 유기 발광 장치, 플라즈마 표시 장치, 태양 전지, 터치 패널 소자 등일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The electronic device may be, for example, a liquid crystal display device, an organic light emitting device, a plasma display device, a solar cell, a touch panel device, or the like, but is not limited thereto.

상기 전자 소자 중 하나인 유기 발광 장치에 대하여 도면을 참고하여 예시적으로 설명한다.An organic light emitting device, which is one of the electronic devices, will be described by way of example with reference to the drawings.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. Whenever a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion, but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

도 1은 일 구현예에 따른 투명 도전체를 적용한 유기 발광 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting device to which a transparent conductor according to one embodiment is applied.

일 구현예에 따른 유기 발광 장치는 기판(10), 하부 전극(20), 하부 전극(20)과 마주하는 상부 전극(40), 그리고 하부 전극(20)과 상부 전극(40) 사이에 개재되어 있는 발광층(30)을 포함한다. The organic light emitting device according to one embodiment includes a substrate 10, a lower electrode 20, an upper electrode 40 facing the lower electrode 20, and a lower electrode 20 interposed between the lower electrode 20 and the upper electrode 40 The light emitting layer 30 is formed.

기판(10)은 예컨대 유리와 같은 무기 물질 또는 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아미드, 폴리에테르술폰 또는 이들의 조합과 같은 유기 물질, 실리콘웨이퍼 등으로 만들어질 수 있다.The substrate 10 is made of an inorganic material such as glass or an organic material such as polycarbonate, polymethylmethacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyamide, polyethersulfone or a combination thereof, a silicon wafer or the like .

하부 전극(20)과 상부 전극(40) 중 하나는 캐소드(cathode)이고 다른 하나는 애노드(anode)이다. 예컨대 하부 전극(20)은 애노드이고 상부 전극(40)은 캐소드일 수 있다.One of the lower electrode 20 and the upper electrode 40 is a cathode and the other is an anode. For example, the lower electrode 20 may be an anode and the upper electrode 40 may be a cathode.

하부 전극(20)과 상부 전극(40) 중 적어도 하나는 투명 전극이며, 하부 전극(10)이 투명 전극인 경우 기판(10) 측으로 빛을 내는 배면 발광(bottom emission)일 수 있으며 상부 전극(40)이 투명 전극인 경우 기판(10)의 반대 측으로 빛을 내는 전면 발광(top emission)일 수 있다. 또한 하부 전극(20) 및 상부 전극(40)이 모두 투명 전극인 경우 기판(10) 측 및 기판(10)의 반대 측으로 양면 발광할 수 있다.At least one of the lower electrode 20 and the upper electrode 40 may be a transparent electrode and may be a bottom emission that emits light toward the substrate 10 when the lower electrode 10 is a transparent electrode, ) May be top emission that emits light toward the opposite side of the substrate 10 if it is a transparent electrode. When both the lower electrode 20 and the upper electrode 40 are transparent electrodes, both surfaces of the substrate 10 and the opposite side of the substrate 10 can emit light.

상기 투명 전극은 전술한 금속유리 나노구조체를 포함하는 투명 도전체로 만들어진다. 상기 투명 도전체에 대한 설명은 전술한 바와 같으며, 여기서는 생략한다.The transparent electrode is made of a transparent conductor containing the above-described metal glass nanostructure. The description of the transparent conductor is as described above, and is omitted here.

발광층(30)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 만들어지며, 예컨대 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌((poly)paraphenylenevinylene) 유도체, 폴리페닐렌(polyphenylene) 유도체, 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole), 폴리티오펜(polythiophene) 유도체 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌(perylene)계 색소, 쿠마린(cumarine)계 색소, 로더민계 색소, 루브렌(rubrene), 페릴렌(perylene), 9,10-디페닐안트라센(9,10-diphenylanthracene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 나일 레드(Nile red), 쿠마린(coumarin), 퀴나크리돈(quinacridone) 등을 도핑한 화합물이 포함될 수 있다. 유기 발광 장치는 발광층에서 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다. The light emitting layer 30 is made of a mixture of an organic material or an organic material and an inorganic material that uniquely emits any one of primary colors such as red, green, and blue primary colors. For example, a polyfluorene derivative , Polyparaphenylenevinylene derivatives, polyphenylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole, polythiophene derivatives, and the like. A perylene pigment, a cumarine pigment, a rudder pigment, rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, A compound doped with tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin, quinacridone, or the like may be included. The organic light emitting device displays a desired image with a spatial sum of basic color light emitted from the light emitting layer.

발광층(30)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색들의 조합에 의해 백색 발광할 수 있으며, 이 때 색의 조합은 이웃하는 서브화소들의 색을 조합하여 백색 발광할 수도 있고 수직 방향으로 적층된 색을 조합하여 백색 발광할 수도 있다.The light emitting layer 30 may emit white light by a combination of basic colors such as red, green, and blue. In this case, the combination of colors may be a combination of colors of neighboring sub-pixels to emit white light, It is also possible to emit white light by combining colors.

발광층(30)과 상부 전극(40) 사이에는 발광층(30)의 발광 효율을 개선하기 위한 보조층(50)을 포함한다. 도면에서는 발광층(30)과 상부 전극(40) 사이에만 도시하였지만 이에 한정되지 않고 발광층(30)과 하부 전극(20) 사이에 위치하거나 발광층(30)과 상부 전극(40) 사이 및 발광층(30)과 하부 전극(20) 사이에 모두 위치할 수도 있다.An auxiliary layer 50 is provided between the light emitting layer 30 and the upper electrode 40 to improve the luminous efficiency of the light emitting layer 30. The light emitting layer 30 is disposed between the light emitting layer 30 and the upper electrode 40 and the light emitting layer 30 is disposed between the light emitting layer 30 and the lower electrode 20, And the lower electrode 20, as shown in FIG.

보조층(50)은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer) 및 정공 수송층(hole transport layer)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injection layer) 및 정공 주입층(hole injection layer) 등이 있으며, 이 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 층을 포함할 수 있다. The auxiliary layer 50 includes an electron transport layer and a hole transport layer for balancing electrons and holes, an electron injection layer for enhancing injection of electrons and holes, A hole injection layer, and the like, and may include one or two or more layers selected from the above.

또한 여기서는 투명 도전체를 유기 발광 장치에 적용한 예를 설명하였지만, 이에 한정되지 않고 투명 전극이 사용되는 모든 전자 소자의 전극으로 사용될 수 있으며, 예컨대 액정 표시 장치의 화소 전극 및/또는 공통 전극, 유기 발광 장치의 애노드 및/또는 캐소드, 플라즈마 표시 장치의 표시 전극, 터치 패널 소자의 투명 전극 등으로 사용될 수 있다.
In this embodiment, the transparent conductor is applied to the organic light emitting device. However, the present invention is not limited thereto. The transparent electrode may be used as an electrode of any electronic device in which a transparent electrode is used. For example, An anode and / or a cathode of a device, a display electrode of a plasma display device, a transparent electrode of a touch panel device, or the like.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, And falls within the scope of the invention.

10: 기판 20: 하부 전극
30: 발광층 40: 상부 전극
50: 보조층 10: substrate 20: lower electrode
30: light emitting layer 40: upper electrode
50: auxiliary layer

Claims (17)

금속유리 나노구조체(metallic glass nanostructures)를 포함하는 투명 도전체.
A transparent conductor comprising metallic glass nanostructures.
제1항에서,
상기 금속유리 나노구조체는 아스펙트 비(aspect ratio)가 5 이상인 이방성 모양을 가지는 투명 도전체.
The method of claim 1,
Wherein the metal glass nanostructure has an anisotropic shape with an aspect ratio of 5 or more.
제2항에서,
상기 금속유리 나노구조체는 나노와이어, 나노로드, 나노튜브 또는 이들의 조합을 포함하는 투명 도전체.
3. The method of claim 2,
Wherein the metal glass nanostructure comprises a nanowire, a nanorod, a nanotube, or a combination thereof.
제1항에서,
상기 금속유리 나노구조체들이 접합되어 있는 복수의 접합점을 가지는 투명 도전체.
The method of claim 1,
And a plurality of bonding points to which the metal glass nanostructures are bonded.
제4항에서,
상기 접합점은 상기 금속유리 나노구조체의 과냉각 액체 구간에서 소성변형되어 형성된 투명 도전체.
5. The method of claim 4,
Wherein the junction is formed by plastic deformation in a supercooled liquid section of the metallic glass nanostructure.
제4항에서,
상기 금속유리 나노구조체들은 상기 접합점을 통하여 서로 연결되어 도전성 네트워크 구조를 형성하는 투명 도전체.
5. The method of claim 4,
Wherein the metal glass nanostructures are connected to each other through the junction to form a conductive network structure.
제1항에서,
상기 금속유리 나노구조체는 적어도 두 종류 이상의 금속을 포함하는 무질한 원자 구조를 가진 비정질 합금이고,
상기 금속유리 나노구조체는 유리 전이 온도(Tg) 및 과냉각 액체 구간(ΔTx)을 가지는 투명 도전체.
The method of claim 1,
Wherein the metal glass nanostructure is an amorphous alloy having a non-crystalline atomic structure including at least two kinds of metals,
Wherein the metal glass nanostructure has a glass transition temperature (Tg) and a supercooled liquid section (DELTA Tx).
제7항에서,
상기 금속유리 나노구조체의 유리 전이 온도(Tg)는 25℃ 내지 800℃이고,
상기 금속유리 나노구조체의 상기 과냉각 액체 구간은 1K 내지 200K인
투명 도전체.
8. The method of claim 7,
The glass transition temperature (Tg) of the metal glass nanostructure is 25 ° C to 800 ° C,
Wherein the supercooled liquid section of the metallic glass nanostructure is in the range of 1K to 200K
Transparent conductor.
제1항에서,
상기 금속유리 나노구조체는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 세륨(Ce), 스트론튬(Sr), 이테르븀(Yb), 아연(Zn), 백금(Pt), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 세륨(Ce), 란탄(La), 이트륨(Y), 가돌륨(Gd), 베릴륨(Be), 탄탈늄(Ta), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 네오디뮴(Nd), 납(Pb), 백금(Pt), 은(Ag), 인(P), 보론(B), 규소(Si), 카본(C), 주석(Sn), 아연(Zn), 리튬(Li), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 에르븀(Er), 크롬(Cr), 프라세오디뮴(Pr), 툴륨(Tm) 및 이들의 조합 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 합금인 투명 도전체.
The method of claim 1,
The metal glass nanostructure may include at least one selected from the group consisting of Al, Cu, Zr, Ti, Ni, Fe, Au, Mg, (Ce), lanthanum (La), yttrium (Y), cerium (Ce), strontium (Sr), ytterbium (Yb), zinc (Zn), platinum (Pt), cobalt , Gallium (Gd), beryllium (Be), tantalum (Ta), gallium (Ga), hafnium (Hf), niobium (Nb), neodymium (Nd), lead (Pb) (P), boron (B), silicon (Si), carbon (C), tin (Sn), zinc (Zn), lithium (Li), molybdenum (Mo), tungsten Mn, Er, Cr, Prs, Th, and combinations thereof.
제1항에서,
고분자 바인더를 포함하지 않는 투명 도전체.
The method of claim 1,
A transparent conductor containing no polymeric binder.
제1항에서,
투과율 85% 이상 및 비저항 10^-3Ω㎝ 이하를 만족하는 투명 도전체.
The method of claim 1,
A transmittance of 85% or more, and a specific resistance of 10 < ^-3 >
금속유리 나노구조체를 준비하는 단계,
상기 금속유리 나노구조체를 포함하는 혼합물을 적용하는 단계, 그리고
상기 금속유리 나노구조체의 유리 전이 온도(Tg)보다 높은 온도에서 상기 금속유리 나노구조체를 소성하는 단계
를 포함하는 투명 도전체의 제조 방법.
Preparing a metallic glass nanostructure,
Applying a mixture comprising said metallic glass nanostructure, and
Firing the metal glass nanostructure at a temperature higher than the glass transition temperature (Tg) of the metal glass nanostructure
Wherein the transparent conductive material is a transparent conductive material.
제12항에서,
상기 금속유리 나노구조체를 준비하는 단계는 기체 분무법(gas atomization process), 주형법(template process) 또는 전기방사법(electrospinning process)으로 수행하는 투명 도전체의 제조 방법.
The method of claim 12,
Wherein the step of preparing the metallic glass nanostructure is performed by a gas atomization process, a template process, or an electrospinning process.
제12항에서,
상기 금속유리 나노구조체를 포함하는 혼합물을 적용하는 단계는 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 인쇄 또는 스크린 인쇄로 수행하는 투명 도전체의 제조 방법.
The method of claim 12,
Wherein the step of applying the mixture comprising the metal glass nanostructure is performed by spin coating, slit coating, inkjet printing, or screen printing.
제12항에서,
상기 금속유리 나노구조체를 포함하는 혼합물은 잉크 또는 페이스트 형태인 투명 도전체의 제조 방법.
The method of claim 12,
Wherein the mixture comprising the metallic glass nanostructure is in the form of an ink or a paste.
제12항에서,
상기 금속유리 나노구조체를 소성하는 단계는 50℃ 내지 800℃에서 수행하는 투명 도전체의 제조 방법.
The method of claim 12,
Wherein the step of firing the metal glass nanostructure is performed at a temperature of 50 ° C to 800 ° C.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 투명 도전체를 포함하는 전자 소자.


An electronic device comprising the transparent conductor according to any one of claims 1 to 11.

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