KR20150034047A - Organic Light Emitting Diode Display - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 이웃하는 화소 사이에 칼라 필터를 이용한 광 차단 댐을 구비하여 빛샘을 방지한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display. In particular, the present invention relates to a bottom emission type organic light emitting diode display device having a light blocking dam using a color filter between neighboring pixels to prevent light leakage.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광 표시장치 (Electroluminescence Device, EL) 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), have been developed. Such flat panel display devices include a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), an electroluminescence device (EL) .
전계발광 표시장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광 표시장치와 유기발광다이오드 표시장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.An electroluminescent display device is divided into an inorganic electroluminescent display device and an organic light emitting diode display device depending on the material of the light emitting layer, and is self-luminous device that emits itself, has a high response speed, and has a large luminous efficiency, brightness and viewing angle.
도 1은 일반적인 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면이다. 유기발광 다이오드는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다. 1 is a view showing a structure of a general organic light emitting diode. The organic light emitting diode includes an organic electroluminescent compound layer that electroluminesces as shown in FIG. 1 and a cathode electrode and an anode that face each other with the organic electroluminescent compound layer interposed therebetween. The organic electroluminescent compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer layer, EIL).
유기발광 다이오드는 애노드 전극(Anode)과 캐소드 전극(Cathode)에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드의 발광층(EML)에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.In the organic light emitting diode, an excitation is formed in the excitation process when the holes and electrons injected into the anode electrode and the cathode electrode recombine in the light emitting layer (EML), and the organic light emitting diode emits light due to energy from the exciton. The organic light emitting diode display device displays an image by electrically controlling the amount of light generated in the emission layer (EML) of the organic light emitting diode as shown in FIG.
전계발광 소자인 유기발광 다이오드의 특징을 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다.2. Description of the Related Art An organic light emitting diode display (OLEDD) using an organic light emitting diode as an electroluminescent device includes a passive matrix type organic light emitting diode display (PMOLED) Type organic light emitting diode display device (Active Matrix type Organic Light Emitting Diode Display (AMOLED)).
액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(AMOLED)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 혹은 "TFT")를 이용하여 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다. 도 2는 일반적인 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도의 한 예이다. 도 3은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.An active matrix type organic light emitting diode display device (AMOLED) displays an image by controlling a current flowing in an organic light emitting diode using a thin film transistor (or "TFT"). 2 is an example of an equivalent circuit diagram showing the structure of one pixel in a general organic light emitting diode display device. 3 is a plan view showing a structure of a pixel in an organic light emitting diode display device according to the related art. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting diode display device according to a related art cut along a perforated line I-I 'in FIG.
도 2 내지 3을 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다.2 to 3, the active matrix organic light emitting diode display device includes a switching thin film transistor ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT . The switching TFT ST is formed at a portion where the scan line SL and the data line DL intersect each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD which branch off from the scan line SL.
그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.The driving TFT DT serves to drive the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST and a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA and the driving current wiring VDD, DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLED.
좀 더 상세히 살펴보기 위해 도 4를 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는, 투명 기판(SUB) 위에 채널 층들(SA, DA)을 포함하는 반도체 층이 형성되어 있다. 반도체 층 중에서 나중에 형성되는 게이트 전극들(SG, DG) 각각과 중첩하는 중앙 영역은 채널 층(SA, DA)으로 정의되고, 그 양 옆에는 불순물이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역으로 정의된다.4, in an active matrix organic light emitting diode display device, a semiconductor layer including channel layers SA and DA is formed on a transparent substrate SUB. A central region overlapping each of the gate electrodes (SG, DG) formed later in the semiconductor layer is defined as a channel layer (SA, DA), and both sides thereof are defined as a source region and a drain region doped with impurities.
반도체 층 위에는 기판(SUB) 전체 표면을 덮는 게이트 절연막(GI)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(GI) 위에서 채널 층(SA, DA)과 중첩되는 위치에는 금속 물질을 포함하는 게이트 전극(SG, DG)들이 배치된다. 게이트 전극들(SG, DG)이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에는 중간 절연막(IN)이 도포된다.A gate insulating film GI covering the entire surface of the substrate SUB is formed on the semiconductor layer. Gate electrodes SG and DG including a metal material are disposed at positions overlapping the channel layers SA and DA on the gate insulating film GI. The intermediate insulating film IN is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the gate electrodes SG and DG are formed.
중간 절연막(IN) 위에는 소스 전극(SS, DS)들 및 드레인 전극(SD, DD)들이 형성된다. 또한, 소스 전극(SS, DS)들을 연결하는 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDD)이 배치된다. 소스 전극(SS, DS)들 및 드레인 전극(SD, DD)들은 중간 절연막(IN) 및 게이트 절연막(GI)을 관통하여 형성된 콘택홀을 통해, 채널 층(SA, DA)들의 양 옆에 정의된 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 접촉한다.Source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are formed on the intermediate insulating film IN. In addition, a data line DL and a driving current wiring VDD connecting the source electrodes SS and DS are arranged. The source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are connected to the source and drain electrodes SD and DD through a contact hole formed through the intermediate insulating film IN and the gate insulating film GI, Source region and drain region, respectively.
이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)를 덮도록 보호층(PAS)이 전면에 도포된다. 하부 발광식이며, 백색 유기발광 층을 사용하는 경우, 보호층(PAS) 위에서 화소 영역에 대응하는 영역을 덮는 칼라 필터(CF)를 형성할 수 있다. 칼라 필터(CF)는 가급적 넓은 면적을 차지하도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 전단의 스캔 배선(SL)의 많은 영역과 중첩하도록 형성할 수도 있다.The protective layer PAS is applied to the entire surface so as to cover the switching TFT ST and the driving TFT DT having such a structure. When a white organic light emitting layer is used, a color filter CF covering a region corresponding to the pixel region may be formed on the passivation layer PAS. It is preferable that the color filter CF is formed so as to occupy a wide area as much as possible. For example, it may be formed so as to overlap with many areas of the data line DL, the driving current wiring VDD and the scanning wiring SL of the previous stage.
이와 같이 칼라 필터(CF)가 형성된 기판은 여러 구성요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 따라서, 기판의 표면을 평탄하게 할 목적으로 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다.As described above, the substrate on which the color filter CF is formed is formed with various components, the surface is not flat, and many steps are formed. Therefore, the overcoat layer OC is applied over the entire surface of the substrate in order to flatten the surface of the substrate.
오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호층(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.An anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLED is formed on the overcoat layer OC. Here, the anode electrode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through the contact hole formed in the overcoat layer OC and the protective layer PAS.
애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크패턴(BN)을 형성한다. 뱅크 패턴(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다.A bank pattern BN is formed on a region where a switching TFT ST, a driving TFT DT and various wirings DL, SL, VDD are formed on a substrate on which an anode electrode ANO is formed to define a pixel region . The anode electrode ANO exposed by the bank pattern BN becomes a light emitting region.
뱅크 패턴(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극(CAT)이 순차적으로 적층된다. 유기발광 층(OLE)은 백색광을 발하는 유기물질로 이루어진 경우, 아래에 위치한 칼라 필터(CF)에 의해 각 화소에 배정된 색상을 나타낸다. 도 4와 같은 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치는 아래 방향으로 발광하는 하부 발광(Bottom Emission)형 표시 장치가 된다.The organic light emitting layer OLE and the cathode electrode CAT are sequentially stacked on the anode electrode ANO exposed by the bank pattern BN. When the organic light emitting layer (OLE) is made of an organic material emitting white light, the organic coloring layer (OLE) exhibits a color assigned to each pixel by a color filter (CF) located below. The organic light emitting diode display device having the structure as shown in FIG. 4 is a bottom emission type display device emitting light in a downward direction.
이와 같은 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치에서는, 발광 소자인 유기발광 다이오드가 구동 소자인 박막 트랜지스터보다 상부에 위치하는 구조가 된다. 유기발광 층(OLE)에서 출사되는 빛의 대부분이 바로 아래에 위치한 칼라 필터(CF)를 통과한다. 하지만, 유기발광 층(OLE)에서 측면으로 방사되는 빛도 존재한다. 측면으로 방사되는 빛은 박막 트랜지스터(ST, DT)와 같은 구동 소자들에 의해 반사되어, 이웃하는 화소 영역의 칼라 필터(CF)로 유입될 수 있다.In such a bottom emission organic light emitting diode display device, the organic light emitting diode, which is a light emitting device, is located above the thin film transistor as the driving device. Most of the light emitted from the organic light emitting layer (OLE) passes through the color filter CF located immediately below. However, light radiated laterally from the organic light emitting layer (OLE) is also present. Light radiated to the side surface may be reflected by the driving elements such as the thin film transistors ST and DT and may enter the color filter CF of the neighboring pixel region.
이 경우, 발광하지 않아야 하는 화소 영역에서 빛이 누설되는 현상이 발생한다. 예를 들어, 유기발광 다이오드 표시장치에서, 스캔 배선(SL)이 선택될 때마다, 한 행씩 발광한다. 즉, 표시 패널의 상부변에서 하부변에 이르기까지 모든 행들이 순차적으로 발광한다. 어느 한 행이 발광할 때, 그 빛이 발광하지 않는 바로 위 및/혹은 바로 아래에 있는 행들의 화소 영역으로 누설되어 구현하는 계조에 왜곡이 발생할 수 있다.In this case, a phenomenon occurs in which light is leaked in a pixel region which should not emit light. For example, in the organic light emitting diode display, one row is emitted every time the scan line SL is selected. That is, all the rows from the upper side to the lower side of the display panel sequentially emit light. When a certain row emits light, the light leaks to the pixel region of the row immediately above and / or below the non-light emitting region, thereby causing distortion in the implemented gradation.
본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써, 이웃하는 화소 사이에 빛이 누설되지 않는 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 이웃하는 화소 행 사이에 빛이 누설되지 않도록 방지하는 광 차단 댐을 구비한 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the problems of the prior art and to provide a bottom emission type organic light emitting diode display device in which light does not leak between neighboring pixels. Another object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display device having a light blocking dam which prevents light from leaking between neighboring pixel rows.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판 위에 가로 방향으로 배열된 다수 개의 스캔 배선들; 상기 기판 위에 상기 스캔 배선들과 직교하도록 배열된 다수 개의 데이터 배선들; 상기 스캔 배선들과 상기 데이터 배선들의 교차 구조로 정의되며, 상기 기판 위에 매트릭스 방식으로 배열된 다수 개의 화소들; 그리고 상기 화소들 중 이웃하는 화소 행들 사이에 배치된 광 차단 댐을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display device including: a plurality of scan lines arranged in a horizontal direction on a substrate; A plurality of data lines arranged on the substrate so as to be orthogonal to the scan lines; A plurality of pixels arranged in a matrix manner on the substrate, the pixels being defined as an intersection structure of the scan lines and the data lines; And a light blocking dam disposed between neighboring pixel rows of the pixels.
상기 다수 개의 화소들 각각에 배정되며, 적색, 녹색 및 청색 중 어느 한 색상을 갖는 칼라 필터를 더 포함하고, 상기 광 차단 댐은 상기 칼라 필터를 포함하는 것을 특징으로 한다.Further comprising a color filter assigned to each of the plurality of pixels and having one of red, green, and blue colors, and the light blocking dam includes the color filter.
상기 광 차단 댐은, 상기 스캔 배선을 중심으로 서로 이웃하는 두 화소들에 배치된 칼라 필터와 다른 색상을 갖는 칼라 필터를 포함하는 것을 특징으로 한다.The light blocking dam may include a color filter having a color different from that of the color filter disposed in two neighboring pixels around the scan line.
상기 광 차단 댐은, 상기 스캔 배선의 일부와 중첩하며 제1 너비를 갖는 제1 패턴; 그리고 상기 제1 패턴과 중첩하며, 적층되는 제2 너비를 갖는 제2 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.The light blocking dam may include a first pattern overlapping a part of the scan line and having a first width; And a second pattern overlapping the first pattern and having a second width to be laminated.
상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴은, 상기 스캔 배선을 중심으로 서로 이웃하는 두 화소들에 배치된 칼라 필터와 다른 색상을 갖는 칼라 필터를 포함하는 것을 특징으로 한다.The first pattern and the second pattern may include a color filter having a color different from that of the color filter disposed on two neighboring pixels around the scan line.
상기 제1 패턴은 적색 칼라 필터를 포함하고, 상기 제2 패턴은 청색 칼라 필터를 포함하는 것을 특징으로 한다.The first pattern includes a red color filter, and the second pattern includes a blue color filter.
상기 제1 패턴은 상기 스캔 배선 위에서 상기 이웃하는 두 화소들 중에서 어느 한 화소 쪽으로 치우쳐 배치되고, 상기 제2 패턴은 상기 스캔 배선 위에서 상기 이웃하는 두 화소들 중에서 다른 화소 쪽으로 치우쳐 배치되는 것을 특징으로 한다.Wherein the first pattern is disposed on one of the two neighboring pixels on the scan line and the second pattern is disposed on the scan line so as to be offset toward the other pixel among the neighboring two pixels .
상기 제2 너비는 상기 제1 너비보다 큰 값을 갖고, 상기 제2 패턴은 상기 제1 패턴을 완전히 덮도록 적층된 것을 특징으로 한다.And the second width is larger than the first width, and the second pattern is stacked so as to completely cover the first pattern.
상기 화소 내에 배치된 박막 트랜지스터; 그리고 상기 박막 트랜지스터보다 상부에 형성되어 상기 박막 트랜지스터에 연결되고 상기 화소 내에 형성된 유기발광 다이오드를 더 포함하고, 상기 칼라 필터는 상기 유기발광 다이오드 아래에 형성된 것을 특징으로 한다.A thin film transistor disposed in the pixel; The organic light emitting diode further includes an organic light emitting diode formed above the thin film transistor and connected to the thin film transistor and formed in the pixel, wherein the color filter is formed below the organic light emitting diode.
상기 유기발광 다이오드는, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 애노드 전극; 상기 애노드 전극 위에 적층된 유기발광 층; 그리고 상기 유기발광 층 위에 적층된 캐소드 전극을 포함하고, 상기 광 차단층의 높이는 상기 유기발광 층의 높이보다 높은 것을 특징으로 한다.The organic light emitting diode includes: an anode electrode connected to the thin film transistor; An organic light emitting layer stacked on the anode electrode; And a cathode electrode laminated on the organic light emitting layer, wherein a height of the light blocking layer is higher than a height of the organic light emitting layer.
본 발명에 의한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치는, 이웃하는 화소 영역 사이에, 특히 이웃하는 화소 행들 사이에 광 차단 댐을 구비한다. 이로써, 발광 행의 화소에서 방사되는 빛이 발광하지 않는 행의 화소 영역으로 빛이 누설되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 색조 대비 및/혹은 명암 대비를 향상한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다. 특히, 구성 요소로 사용하는 칼라 필터를 이용하여 광 차단 댐을 형성함으로써, 제조 공정의 복잡성이 추가되지 않고, 추가 비용이 발생하지 않는다.A bottom emission type organic light emitting diode display device according to the present invention includes a light blocking dam between neighboring pixel regions, particularly between neighboring pixel rows. This makes it possible to prevent light from leaking to the pixel region of the row where light emitted from the pixels in the light-emitting row does not emit light. As a result, it is possible to provide a bottom emission type organic light emitting diode display device with improved contrast and / or contrast. In particular, by forming a light blocking dam using a color filter used as a component, the complexity of the manufacturing process is not added and no additional cost is incurred.
도 1은 일반적인 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면.
도 2는 일반적인 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.
도 3은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 6은 도 5에서 절취선 II-II'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.1 is a view showing the structure of a general organic light emitting diode.
2 is an equivalent circuit diagram showing the structure of one pixel in a general organic light emitting diode display device.
3 is a plan view showing the structure of one pixel in an organic light emitting diode display according to a related art.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a structure of an organic light emitting diode display device according to a related art cut in a cutting line I-I 'in FIG. 3;
5 is a plan view showing the structure of a pixel in an organic light emitting diode display device according to the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a structure of a conventional organic light emitting diode display device cut into a perforated line II-II 'in FIG. 5;
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description, a detailed description of known technologies or configurations related to the present invention will be omitted when it is determined that the gist of the present invention may be unnecessarily obscured.
이하, 도 5 내지 6을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명한다. 도 5는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 6은 도 5에서 절취선 II-II'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 5 is a plan view showing the structure of one pixel in the organic light emitting diode display according to the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view showing a structure of a conventional organic light emitting diode display device cut into a perforated line II-II 'in FIG.
본 발명에 의한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치는 종래 기술에 의한 것과 많이 유사하다. 주요한 차이가 있다면, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 화소 영역과 화소 영역 사이에, 특히 이웃하는 화소 행들 사이에 배치된 광 차단 댐을 더 구비하고 있다.The bottom emission type organic light emitting diode display device according to the present invention is very similar to the conventional art. If there are major differences, the organic light emitting diode display according to the present invention further comprises a light blocking dam disposed between the pixel region and the pixel region, particularly between neighboring pixel rows.
본 발명에 의한 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는, 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다.The active matrix organic light emitting diode display device according to the present invention includes a switching thin film transistor ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT. The switching TFT ST is formed at a portion where the scan line SL and the data line DL intersect each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD which branch off from the scan line SL.
그리고 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.The driving TFT DT serves to drive the organic light emitting diode OLED of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST and a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA and the driving current wiring VDD, DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLED.
또한, 이웃하는 화소 행들 사이에 배치된 스캔 배선(SL) 위에는 광 차단 댐(DM)이 배치되어 있다. 어느 한 행, 예를 들어 n번째의 스캔 배선(SL)이 선택되면, 그 스캔 배선(SL)에 연결된 스위칭 박막 트랜지스터들(ST)이 선택되고, 결국 그 행의 유기발광 다이오드(OLED)들이 구동되어 빛을 방사한다. 이때, 선택되지 않은 (n-1)번째 및/또는 (n+1)번째의 행에 배열된 화소 영역으로 빛이 누설될 수 있는데, 광 차단 댐(DM)이 이를 방지하는 기능을 한다.The light blocking dam DM is disposed on the scan line SL disposed between neighboring pixel rows. When one row, for example, the nth scan line SL is selected, the switching thin film transistors ST connected to the scan line SL are selected so that the organic light emitting diodes OLED of the row are driven And emits light. At this time, light may leak to the pixel regions arranged in the (n-1) th and / or (n + 1) th rows which are not selected, and the light blocking dam DM functions to prevent the light.
좀 더 상세히 살펴보기 위해 도 6을 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는, 투명 기판(SUB) 위에 채널 층들(SA, DA)을 포함하는 반도체 층이 형성되어 있다. 반도체 층 중에서 나중에 형성되는 게이트 전극들(SG, DG) 각각과 중첩하는 중앙 영역은 채널 층(SA, DA)으로 정의되고, 그 양 옆에는 불순물이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역으로 정의된다.6, in an active matrix organic light emitting diode display device, a semiconductor layer including channel layers SA and DA is formed on a transparent substrate SUB. A central region overlapping each of the gate electrodes (SG, DG) formed later in the semiconductor layer is defined as a channel layer (SA, DA), and both sides thereof are defined as a source region and a drain region doped with impurities.
반도체 층 위에는 기판(SUB) 전체 표면을 덮는 게이트 절연막(GI)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(GI) 위에서 채널 층(SA, DA)과 중첩되는 위치에는 금속 물질을 포함하는 게이트 전극(SG, DG)들이 배치된다. 게이트 전극들(SG, DG)이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에는 중간 절연막(IN)이 도포된다.A gate insulating film GI covering the entire surface of the substrate SUB is formed on the semiconductor layer. Gate electrodes SG and DG including a metal material are disposed at positions overlapping the channel layers SA and DA on the gate insulating film GI. The intermediate insulating film IN is coated on the entire surface of the substrate SUB on which the gate electrodes SG and DG are formed.
중간 절연막(IN) 위에는 소스 전극(SS, DS)들 및 드레인 전극(SD, DD)들이 형성된다. 또한, 소스 전극(SS, DS)들을 연결하는 데이터 배선(DL) 및 구동 전류 배선(VDD)이 배치된다. 소스 전극(SS, DS)들 및 드레인 전극(SD, DD)들은 중간 절연막(IN) 및 게이트 절연막(GI)을 관통하여 형성된 콘택홀을 통해, 채널 층(SA, DA)들의 양 옆에 정의된 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 접촉한다.Source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are formed on the intermediate insulating film IN. In addition, a data line DL and a driving current wiring VDD connecting the source electrodes SS and DS are arranged. The source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are connected to the source and drain electrodes SD and DD through a contact hole formed through the intermediate insulating film IN and the gate insulating film GI, Source region and drain region, respectively.
이와 같은 구조를 갖는 스위칭 TFT(ST) 및 구동 TFT(DT)를 덮도록 보호층(PAS)이 전면에 도포된다. 하부 발광식이며, 백색 유기발광 층을 사용하는 경우, 보호층(PAS) 위에서 화소 영역에 대응하는 영역을 덮는 칼라 필터(CF)를 형성할 수 있다. 칼라 필터(CF)는 가급적 넓은 면적을 차지하도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD) 및 전단의 스캔 배선(SL)의 많은 영역과 중첩하도록 형성할 수도 있다.The protective layer PAS is applied to the entire surface so as to cover the switching TFT ST and the driving TFT DT having such a structure. When a white organic light emitting layer is used, a color filter CF covering a region corresponding to the pixel region may be formed on the passivation layer PAS. It is preferable that the color filter CF is formed so as to occupy a wide area as much as possible. For example, it may be formed so as to overlap with many areas of the data line DL, the driving current wiring VDD and the scanning wiring SL of the previous stage.
한편, 각 화소 행들 사이에 배치되는 스캔 배선(SL) 위에는 칼라 필터(CF)와 동일한 물질로 형성된 광 차단 댐(DM)이 더 형성된다. 본 실시 예에서 편의상 스캔(SL) 위에 광 차단댐(DM)을 설치하는 것으로 설명하였지만, 수평 방향으로 진행하는 다른 어떠한 배선 위에 설치할 수도 있다. 예를 들어, 수평 방향으로 전원 배선이 형성되는 경우에는 전원 배선과 중첩하도록 광 차단 댐(DM)을 형성할 수 있다.On the other hand, a light blocking dam DM formed of the same material as the color filter CF is further formed on the scan line SL disposed between the pixel rows. In the present embodiment, the light blocking dam DM is provided on the scan line SL for the sake of convenience. However, the light blocking dam DM may be provided on any other wiring extending in the horizontal direction. For example, when the power supply wiring is formed in the horizontal direction, the light blocking dam DM may be formed so as to overlap with the power supply wiring.
광 차단 댐(DM)은 어느 하나의 화소 영역에서 상변, 하변, 좌측변 및 우측변 모두에 형성될 수 있다. 본 발명은 한 화소 행에 배정된 화소 영역들이 동시에 발광하는 구조에 관한 것이다. 즉, 좌우로 이웃하는 화소 사이에서의 빛 샘 및/또는 빛 간섭에 대해서는 고려하지 않는다.The light blocking dam DM may be formed on the upper side, the lower side, the left side and the right side in any pixel region. The present invention relates to a structure in which pixel regions assigned to one pixel row emit light at the same time. That is, consideration is not given to the light source and / or the light interference between the left and right neighboring pixels.
따라서, 본 발명에서는 광 차단 댐(DM)은 이웃하는 화소 행들 사이에서 빛 간섭 및/또는 빛 샘을 차단하기 위한 것이다. 칼라 필터(CF)들이 한 열에서 적색(R)-녹색(G)-청색(B)의 방식으로 배열된다. 이와 같은 칼라 필터(CF) 배열에서는, 이웃하는 두 행들의 화소들에는 동일한 색상을 갖는 칼라 필터(CF)가 배정된다. 광 차단 댐(DM)은 어느 한 색상을 갖는 칼라 필터(CF)가 적어도 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다.Accordingly, in the present invention, the light blocking dam DM is for blocking light interference and / or light leakage between neighboring pixel rows. The color filters CF are arranged in a row from red (R) to green (G) to blue (B). In such a color filter (CF) arrangement, a color filter (CF) having the same color is assigned to the pixels of two neighboring rows. The light blocking dam DM preferably includes at least one color filter CF having a certain color.
예를 들어, 광 차단 댐(DM)은 하나의 칼라 필터(CF)층을 포함할 수도 있고, 두 개 이상의 칼라 필터(CF)층을 포함할 수도 있다. 하나의 칼라 필터(CF)를 포함하는 경우, 이웃하는 행들의 화소 영역에 배치된 칼라 필터(CF)와 동일한 칼라 필터(CF)로 형성할 수도 있고, 다른 색상의 칼라 필터(CF)로 형성할 수도 있다.For example, the light blocking dam DM may include one color filter (CF) layer or may include two or more color filter (CF) layers. In the case of including one color filter CF, it may be formed of the same color filter CF as the color filter CF disposed in the pixel region of the neighboring rows, or may be formed of a color filter CF of another color It is possible.
하나의 칼라 필터(CF)로 광 차단 댐(DM)을 형성하는 경우, 칼라 필터 물질은 이웃하는 행들에 배치된 칼라 필터(CF)와 다른 색상을 갖는 칼라 필터(CF)로 형성하는 것이 바람직하다. 동일한 색상을 갖는 칼라 필터(CF)로 광 차단 댐(DM)을 형성하는 것보다, 다른 색상의 칼라 필터(CF)로 형성하는 것이 광 차단 효율을 높이는 데 더 바람직하다.When forming the light blocking dam DM with one color filter CF, it is preferable that the color filter material is formed of a color filter CF having a color different from that of the color filter CF disposed in neighboring rows . It is more preferable to form the color filter CF of a different color than the case of forming the light blocking dam DM with the color filter CF having the same color to enhance the light blocking efficiency.
예를 들어, 적색(R) 칼라 필터(CF) 사이에 적색(R) 광 차단 댐(DM)이 배치된 경우, 광 차단 댐(DM)을 투과한 빛은 적색을 띠고, 이는 이웃한 화소 영역에 배치된 적색 칼라 필터(CF)를 통과할 수 있으므로, 빛 간섭 및/또는 빛 샘이 여전히 발생할 수 있다. 하지만, 적색(R) 칼라 필터(CF)를 갖는 화소 행들 사이에 녹색(G) 혹은 청색(B) 광 차단 댐(DM)을 배치하면, 광 차단 댐(DM)을 통과한 누설된 빛이 적색(R)이 아닌 색상을 가지므로, 적색 칼라 필터(CF)에 영향을 거의 주지 않을 수 있다.For example, in the case where the red (R) light blocking dam DM is disposed between the red (R) color filters CF, the light transmitted through the light blocking dam DM has a red color, May pass through the red color filter (CF) disposed in the light source, so that light interference and / or light leakage may still occur. However, when the green (G) or blue (B) light blocking dam DM is disposed between the pixel rows having the red (R) color filter CF, the leaked light passing through the light blocking dam DM is red (R), it may have little effect on the red color filter (CF).
더 바람직하게는, 두 개 이상의 칼라 필터(CF)들을 적층하여 광 차단 댐(DM)을 형성하는 것이 좋다. 적색(R)-녹색(G), 적색(R)-청색(B) 그리고 녹색(G)-청색(B)의 조합 중 어느 한 조합으로 두 개 층의 칼라 필터(CF)들이 중첩된 구조를 갖도록 광 차단 댐(DM)을 형성할 수 있다. 특히, 광 차단 효율을 높이기 위해서는 적색(R) 칼라 필터(CF)와 청색(B) 칼라 필터(CF)가 서로 중첩되도록 적층된 구조를 갖는 광 차단 댐(DM)을 형성하는 것이 바람직하다.More preferably, the light blocking dam DM is formed by laminating two or more color filters CF. The structure in which two layers of color filters (CF) are superimposed by a combination of red (R) - green (G), red (R) - blue (B) and green (G) The light blocking dam DM can be formed. Particularly, in order to increase the light blocking efficiency, it is preferable to form the light blocking dam DM having a structure in which the red (R) color filter (CF) and the blue (B) color filter (CF)
여기서, 적층 구조란, 상하 방향으로 2층 구조를 갖는 것을 말한다. 또한, 중첩 구조란, 좌우 방향으로 나란히 배열된 것을 말한다. 따라서, 중첩되도록 적층된 구조란, 어느 한 칼라 필터(CF)로 제1 패턴을 형성한 후, 다른 칼라 필터(CF)로 제1 패턴(D1)과 일부가 상부에 겹치고 타부는 측면에 겹치도록 제2 패턴(D2)을 형성한 구조를 말한다. 예를 들어, 제1 패턴(D1)을 스캔 배선(SL) 위에서 어느 한 화소 행에 치우치도록 형성하고, 제2 패턴(D2)을 다른 한 화소 행에 치우치며 제1 패턴(D1)과 어긋나도록 중첩하도록 형성할 수 있다.Here, the laminated structure means a structure having a two-layer structure in the vertical direction. The term " superposed structure " refers to a structure arranged side by side in the left-right direction. Therefore, after the first pattern is formed by one of the color filters CF, the first pattern D1 and the first pattern D1 are overlapped on the upper portion and the other portion is overlapped on the side surface And the second pattern D2 is formed. For example, the first pattern D1 is formed so as to be shifted to a pixel row on the scan line SL, the second pattern D2 is shifted to another pixel row, and the first pattern D1 is shifted from the first pattern D1 As shown in Fig.
특히, 도 6에 도시한 바와 같이, 적색(R) 칼라 필터(CF)로 형성한 제1 패턴(D1)을 완전히 덮는 청색(B) 칼라 필터(CF)로 형성한 제2 패턴(D2)을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 적색(R) 칼라 필터(CF)를 형성할 때, 제1 너비를 갖는 제1 패턴(D1)을 먼저 형성하고, 청색(B) 칼라 필터(CF)를 형성할 때, 제1 너비보다 더 넓은 제2 너비를 갖도록 제2 패턴(D2)을 형성하여 광 차단 댐(DM)을 완성할 수도 있다.In particular, as shown in FIG. 6, a second pattern D2 formed of a blue (B) color filter CF that completely covers the first pattern D1 formed of a red (R) . For example, when forming a red (R) color filter (CF), a first pattern (D1) having a first width is first formed and a blue (B) color filter It is possible to complete the light blocking dam DM by forming the second pattern D2 so as to have a second width wider than the width.
필요하다면, 도면에 도시하지 않았지만, 적색(R)-녹색(G)-청색(B) 세 색상의 칼라 필터(CF)들이 모두 중첩되도록 적층된 구조를 갖는 광 차단 댐(DM)을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 제1 칼라 필터로 제1 너비를 갖는 제1 패턴, 제2 칼라 필터로 제2 너비를 갖는 제2 패턴 그리고 제3 칼라 필터로 제3 너비를 갖는 제3 패턴이 서로 중첩되며 적층된 광 차단 댐(DM)을 형성할 수 있다.If necessary, a light blocking dam (DM) having a structure in which color filters (CF) of three colors of red (R) -green (G) have. For example, a first pattern having a first width with a first color filter, a second pattern having a second width with a second color filter, and a third pattern having a third width with a third color filter overlap each other, So that the light blocking dam DM can be formed.
이와 같이 칼라 필터(CF) 및 광 차단 댐(DM)이 형성된 기판(SUB)의 표면 위에 오버코트 층(OC)을 기판 전면에 도포한다. 오버 코트 층(OC)은 기판(SUB) 표면을 평탄하게 하기도 하지만, 광 차단 댐(DM)이 두 개 이상의 칼라 필터(CF)들로 형성한 경우, 광 차단 댐(DM)이 형성된 부분은 돌출된 형상을 가질 수 있다.The overcoat layer OC is applied to the entire surface of the substrate on the surface of the substrate SUB on which the color filter CF and the light blocking dam DM are formed. When the light blocking dam DM is formed of two or more color filters CF, the portion where the light blocking dam DM is formed is protruded Shaped shape.
오버코트 층(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 오버코트 층(OC) 및 보호층(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.An anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLED is formed on the overcoat layer OC. Here, the anode electrode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving TFT DT through the contact hole formed in the overcoat layer OC and the protective layer PAS.
애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 TFT(ST), 구동 TFT(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크패턴(BN)을 형성한다. 뱅크 패턴(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다. 또한, 광 차단 댐(DM)이 형성된 부분에서는 뱅크 패턴(BN)의 높이가 더 돌출된 구조를 가질 수 있다.A bank pattern BN is formed on a region where a switching TFT ST, a driving TFT DT and various wirings DL, SL, VDD are formed on a substrate on which an anode electrode ANO is formed to define a pixel region . The anode electrode ANO exposed by the bank pattern BN becomes a light emitting region. In addition, at the portion where the light blocking dam DM is formed, the height of the bank pattern BN can be further protruded.
뱅크 패턴(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OLE)과 캐소드 전극(CAT)이 순차적으로 적층된다. 유기발광 층(OLE)은 백색광을 발하는 유기물질로 이루어진 경우, 아래에 위치한 칼라 필터(CF)에 의해 각 화소에 배정된 색상을 나타낸다. 도 6과 같은 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치는 아래 방향으로 발광하는 하부 발광(Bottom Emission)형 표시 장치가 된다.The organic light emitting layer OLE and the cathode electrode CAT are sequentially stacked on the anode electrode ANO exposed by the bank pattern BN. When the organic light emitting layer (OLE) is made of an organic material emitting white light, the organic coloring layer (OLE) exhibits a color assigned to each pixel by a color filter (CF) located below. The organic light emitting diode display device having the structure as shown in FIG. 6 is a bottom emission type display device emitting light in a downward direction.
이와 같이 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 각 화소 행 사이에서 이웃하는 화소 영역 사이에는 광 차단 댐(DM)을 더 포함한다. 광 차단 댐(DM)은 칼라 필터(CF)를 형성할 때, 동일한 물질로 동일한 층에 형성함으로써, 공정의 복잡성이 증가하지 않는다. 광 차단 댐(DM)은 적어도 이웃하는 화소 행들에 배치된 칼라 필터(CF)와 다른 색상을 갖는 칼라 필터(CF)를 포함하는 것이 바람직하다. As described above, the organic light emitting diode display according to the present invention further includes a light blocking dam (DM) between neighboring pixel regions between pixel rows. When forming the color filter CF, the light blocking dam DM is formed in the same layer with the same material, so that the complexity of the process is not increased. The light blocking dam DM preferably includes at least a color filter CF disposed in neighboring pixel rows and a color filter CF having a different color.
특히, 적어도 두 개 층 이상의 칼라 필터가 중첩되도록 적층된 구조를 갖는 것이 더 바람직하다. 그럼으로써, 광 차단 댐(DM)은 서로 이웃하는 유기발광 다이오드(OLED)의 유기발광 층(OLE)보다 돌출된 높이를 가질 수 있다.
Particularly, it is more preferable to have a structure in which at least two or more color filters are stacked. Thus, the light blocking dam DM can have a height that is higher than the organic light emitting layer OLE of the neighboring organic light emitting diode OLED.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description, but should be defined by the claims.
DL: 데이터 배선 SL: 스캔 배선
VDD: 구동 전류 배선 ST: 스위칭 TFT
DT: 구동 TFT OLED: 유기발광 다이오드
CAT: 캐소드 전극(층) ANO: 애노드 전극(층)
BN: 뱅크 패턴 CF: 칼라 필터
OLE: (백색) 유기층 SUB: 기판
PAS: 보호막 OC: 오버코트 층
SG, DG: 게이트 전극 SE: 반도체 층
SS, DS: 소스 전극 SD, DD: 드레인 전극
ES, SE, DE: 에치 스토퍼 PH: 화소 콘택홀
TLS: 보조 용량 차광층 STG: 보조 용량
DM: 광 차단 댐 D1: 제1 패턴
D2: 제2 패턴DL: Data line SL: Scan line
VDD: drive current wiring ST: switching TFT
DT: Driving TFT OLED: Organic Light Emitting Diode
CAT: cathode electrode (layer) ANO: anode electrode (layer)
BN: Bank pattern CF: Color filter
OLE: (white) organic layer SUB: substrate
PAS: Protective film OC: Overcoat layer
SG, DG: gate electrode SE: semiconductor layer
SS, DS: source electrode SD, DD: drain electrode
ES, SE, DE: etch stopper PH: pixel contact hole
TLS: auxiliary capacity shielding layer STG: auxiliary capacity
DM: Light blocking dam D1: 1st pattern
D2: Second pattern
Claims (10)
상기 기판 위에 상기 스캔 배선들과 직교하도록 배열된 다수 개의 데이터 배선들;
상기 스캔 배선들과 상기 데이터 배선들의 교차 구조로 정의되며, 상기 기판 위에 매트릭스 방식으로 배열된 다수 개의 화소들; 그리고
상기 화소들 중 이웃하는 화소 행들 사이에 배치된 광 차단 댐을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
A plurality of scan lines arranged in the horizontal direction on the substrate;
A plurality of data lines arranged on the substrate so as to be orthogonal to the scan lines;
A plurality of pixels arranged in a matrix manner on the substrate, the pixels being defined as an intersection structure of the scan lines and the data lines; And
And a light blocking dam disposed between neighboring pixel rows of the pixels.
상기 다수 개의 화소들 각각에 배정되며, 적색, 녹색 및 청색 중 어느 한 색상을 갖는 칼라 필터를 더 포함하고,
상기 광 차단 댐은 상기 칼라 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a color filter assigned to each of the plurality of pixels and having a color of red, green, and blue,
Wherein the light blocking dam includes the color filter.
상기 광 차단 댐은, 상기 스캔 배선을 중심으로 서로 이웃하는 두 화소들에 배치된 칼라 필터와 다른 색상을 갖는 칼라 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the light blocking dam includes a color filter having a color different from that of the color filter disposed in two neighboring pixels around the scan line.
상기 광 차단 댐은,
상기 스캔 배선의 일부와 중첩하며 제1 너비를 갖는 제1 패턴; 그리고
상기 제1 패턴과 중첩하며, 적층되는 제2 너비를 갖는 제2 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the light blocking dam comprises:
A first pattern overlapping a part of the scan line and having a first width; And
And a second pattern overlapping the first pattern and having a second width to be stacked.
상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴은,
상기 스캔 배선을 중심으로 서로 이웃하는 두 화소들에 배치된 칼라 필터와 다른 색상을 갖는 칼라 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the first pattern and the second pattern are pattern-
And a color filter having a color different from that of the color filter disposed in two neighboring pixels around the scan line.
상기 제1 패턴은 적색 칼라 필터를 포함하고,
상기 제2 패턴은 청색 칼라 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the first pattern comprises a red color filter,
Wherein the second pattern comprises a blue color filter. ≪ RTI ID = 0.0 > 31. < / RTI >
상기 제1 패턴은 상기 스캔 배선 위에서 상기 이웃하는 두 화소들 중에서 어느 한 화소 쪽으로 치우쳐 배치되고,
상기 제2 패턴은 상기 스캔 배선 위에서 상기 이웃하는 두 화소들 중에서 다른 화소 쪽으로 치우쳐 배치되는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the first pattern is disposed to be shifted toward one of the two neighboring pixels on the scan line,
Wherein the second pattern is disposed to be shifted toward the other pixel among the neighboring two pixels on the scan line.
상기 제2 너비는 상기 제1 너비보다 큰 값을 갖고,
상기 제2 패턴은 상기 제1 패턴을 완전히 덮도록 적층된 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the second width has a value greater than the first width,
Wherein the second pattern is stacked so as to completely cover the first pattern.
상기 화소 내에 배치된 박막 트랜지스터; 그리고
상기 박막 트랜지스터보다 상부에 형성되어 상기 박막 트랜지스터에 연결되고 상기 화소 내에 형성된 유기발광 다이오드를 더 포함하고,
상기 칼라 필터는 상기 유기발광 다이오드 아래에 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
5. The method of claim 4,
A thin film transistor disposed in the pixel; And
Further comprising an organic light emitting diode formed above the thin film transistor and connected to the thin film transistor and formed in the pixel,
And the color filter is formed under the organic light emitting diode.
상기 유기발광 다이오드는,
상기 박막 트랜지스터에 연결된 애노드 전극;
상기 애노드 전극 위에 적층된 유기발광 층; 그리고
상기 유기발광 층 위에 적층된 캐소드 전극을 포함하고,
상기 광 차단층의 높이는 상기 유기발광 층의 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.10. The method of claim 9,
The organic light emitting diode includes:
An anode electrode connected to the thin film transistor;
An organic light emitting layer stacked on the anode electrode; And
And a cathode electrode laminated on the organic light emitting layer,
Wherein a height of the light blocking layer is higher than a height of the organic light emitting layer.
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|---|---|---|---|
| KR1020130114125A KR102063988B1 (en) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | Organic Light Emitting Diode Display |
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| KR20150034047A true KR20150034047A (en) | 2015-04-02 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170070439A (en) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
| US11557642B2 (en) | 2019-12-30 | 2023-01-17 | Lg Display Co., Ltd. | Display panel and repair method thereof |
| US11925084B2 (en) | 2019-12-30 | 2024-03-05 | Lg Display Co., Ltd. | Display panel and repair method thereof |
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|---|---|---|---|---|
| JP2007200765A (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent display |
-
2013
- 2013-09-25 KR KR1020130114125A patent/KR102063988B1/en active IP Right Grant
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