KR20150031639A

KR20150031639A - Reference voltage generator and display device

Info

Publication number: KR20150031639A
Application number: KR20130111084A
Authority: KR
Inventors: 이길재; 신충선
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2013-09-16
Filing date: 2013-09-16
Publication date: 2015-03-25

Abstract

A reference voltage generator according to an embodiment of the present invention, supplying stable voltage even at the high temperature, comprises: a comparator including a second input terminal receiving voltage, applied to a contact point between a collector of a first transistor and one end of a first resistor, as an input and a first input terminal, applied to a contact point between a collector of a second transistor and an anode of a second diode; a third transistor connected to an output end of the comparator and a base; a second resistor having one end connected to a collector of the third transistor; and a temperature compensation circuit increasing a size of the voltage applied to a contact point between the collector of the third transistor and the second resistor based on a size of current applied to the inside at more than a set temperature.

Description

기준 전압 생성부 및 표시 장치{REFERENCE VOLTAGE GENERATOR AND DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a reference voltage generator,

본 발명은 기준 전압 생성부 및 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a reference voltage generator and a display device.

표시 장치에는 발광 다이오드 표시 장치(light emitting diode display, LED), 전계 발광 표시 장치(field emission display, FED), 진공 형광 표시 장치(vacuum fluorescent display, VFD), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel, PDP) 등과 같이 스스로 발광하는 자체 발광형 표시 장치와 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCE), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display) 등과 같이 스스로 발광하지 못하고 광원을 필요로 하는 수광형 표시 장치가 있다.A display device includes a light emitting diode (LED) display, a field emission display (FED), a vacuum fluorescent display (VFD), a plasma display panel (PDP) There is a light-receiving type display device which can not emit light by itself and which requires a light source, such as a self-emission type display device which emits light by itself such as a liquid crystal display (LCE) and an electrophoretic display.

이러한 표시 장치는 각 구성을 제어하는 신호 제어부를 포함한다.Such a display apparatus includes a signal control section for controlling each configuration.

또한 이러한 신호 제어부의 동작을 위해서는 기준 전압(또는 전원 전압)이 필요한데, 특히 온도 변화에도 안정적인 기준 전압을 신호 제어부로 제공하는 장치가 요구되고 있다.In addition, a reference voltage (or a power supply voltage) is required for the operation of the signal controller, and a device that provides a stable reference voltage to the signal controller is required particularly in response to temperature changes.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 고온에도 안정적인 전압을 제공하는 기준 전압 생성부를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a reference voltage generator for providing a stable voltage even at a high temperature.

본 발명의 실시예에 따른 기준 전압 발행장치는 제1 트랜지스터의 컬렉터와 제1 저항의 일단의 접점에 인가된 전압을 입력으로 받는 제2 입력단자 및 제2 트랜지스터의 컬렉터와 제2 다이오드의 애노드의 접점에 인가된 전압을 입력으로 받는 제1 입력단자를 포함하는 비교기; 상기 비교기의 출력단과 베이스가 연결된 제3 트랜지스터; 상기 제3 트랜지스터의 컬렉터와 일단이 연결된 제2 저항; 및 소정의 온도 이상에서 내부로 인가되는 전류의 크기에 기초하여 상기 제3 트랜지스터의 컬렉터와 상기 제2 저항의 접점에 인가되는 전압의 크기를 증가 시키는 온도보상회로를 포함하고, 상기 제1 저항의 타단은 제1 다이오드의 애노드와 연결되고, 상기 제1 다이오드 및 상기 제2 다이오드의 캐소드는 접지되고, 상기 비교기의 출력단은 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터의 베이스와도 연결되고, 상기 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터 및 제3 트랜지스터의 이미터에는 동작전압이 인가되고,상기 제3 트랜지스터의 컬렉터와 상기 제2 저항의 접점에 인가되는 전압을 기준 전압으로 출력한다.The reference voltage generating apparatus according to an embodiment of the present invention includes a collector of a first transistor, a second input terminal receiving a voltage applied to a contact of one end of the first resistor, a collector of the second transistor, A comparator including a first input terminal receiving as an input a voltage applied to a contact; A third transistor having an output terminal connected to the base of the comparator; A second resistor connected at one end to the collector of the third transistor; And a temperature compensation circuit for increasing a magnitude of a voltage applied to a contact of the collector and the second resistor of the third transistor based on a magnitude of a current applied to the first transistor at a predetermined temperature or higher, And the other end is connected to the anode of the first diode, the cathode of the first diode and the second diode is grounded, the output terminal of the comparator is also connected to the bases of the first transistor and the second transistor, An operating voltage is applied to the emitters of the transistor, the second transistor and the third transistor, and the voltage applied to the contact of the collector of the third transistor and the second resistor is output as a reference voltage.

상기 온도보상회로는 직렬로 연결된 복수의 다이오드를 포함할 수 있다.The temperature compensation circuit may comprise a plurality of diodes coupled in series.

상기 복수의 다이오드는 2개일 수 있다.The plurality of diodes may be two.

상기 2개의 다이오드 중 어느 한 다이오드의 애노드는 상기 비교기의 제1 입력단자에 연결되고, 나머지 한 다이오드의 캐소드는 접지될 수 있다.The anode of one of the two diodes may be connected to the first input terminal of the comparator, and the cathode of the other diode may be grounded.

상기 복수의 다이오드는 순방향 바이어스를 이용하는 PN 다이오드일 수 있다.The plurality of diodes may be PN diodes using forward bias.

상기 모든 다이오드 및 상기 모든 트랜지스터는 MOS 소자이며, 상기 비교기는 MOS 소자인 OP-Amp를 포함할 수 있다.All of the diodes and all of the transistors are MOS devices, and the comparator may include an OP-Amp MOS device.

상기 온도보상회로는 상기 제1 입력단자에 연결될 수 있다.The temperature compensation circuit may be connected to the first input terminal.

상기 온도보상회로는 상기 제1 입력단자 및 상기 제2 입력단자에 모두 연결될 수 있다.The temperature compensation circuit may be connected to both the first input terminal and the second input terminal.

상기 온도보상회로는 상기 제2 입력단자에 연결될 수 있다.The temperature compensation circuit may be connected to the second input terminal.

상기 소정의 온도는 40도일 수 있다.The predetermined temperature may be 40 degrees.

본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 기준 전압을 발생하는 기준 전압 생성부; 상기 기준 전압에 기초하여 동작하고, 데이터 전압을 생성하는 데이터 구동부; 상기 기준 전압에 기초하여 동작하고, 상기 데이터 구동부를 제어하는 신호 제어부를 포함하고 상기 기준 전압 생성부는 제1 트랜지스터의 컬렉터와 제1 저항의 일단의 접점에 인가된 전압을 입력으로 받는 제2 입력단자 및 제2 트랜지스터의 컬렉터와 제2 다이오드의 애노드의 접점에 인가된 전압을 입력으로 받는 제1 입력단자를 포함하는 비교기; 상기 비교기의 출력단과 베이스가 연결된 제3 트랜지스터; 상기 제3 트랜지스터의 컬렉터와 일단이 연결된 제2 저항; 및 소정의 온도 이상에서 내부로 인가되는 전류의 크기에 기초하여 상기 제3 트랜지스터의 컬렉터와 상기 제2 저항의 접점에 인가되는 전압의 크기를 증가 시키는 온도보상회로를 포함하고, 상기 제1 저항의 타단은 제1 다이오드의 애노드와 연결되고, 상기 제1 다이오드 및 상기 제2 다이오드의 캐소드는 접지되고, 상기 비교기의 출력단은 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터의 베이스와도 연결되고, 상기 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터 및 제3 트랜지스터의 이미터에는 동작전압이 인가되고, 상기 제3 트랜지스터의 컬렉터와 상기 제2 저항의 접점에 인가되는 전압을 기준 전압으로 출력한다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a reference voltage generator for generating a reference voltage; A data driver operative based on the reference voltage and generating a data voltage; And a signal controller for controlling the data driver based on the reference voltage, wherein the reference voltage generator includes a collector of the first transistor and a second input terminal for receiving a voltage applied to a contact of one end of the first resistor, And a first input terminal receiving as an input a voltage applied to a contact of the collector of the second transistor and the anode of the second diode; A third transistor having an output terminal connected to the base of the comparator; A second resistor connected at one end to the collector of the third transistor; And a temperature compensation circuit for increasing a magnitude of a voltage applied to a contact of the collector and the second resistor of the third transistor based on a magnitude of a current applied to the first transistor at a predetermined temperature or higher, And the other end is connected to the anode of the first diode, the cathode of the first diode and the second diode is grounded, the output terminal of the comparator is also connected to the bases of the first transistor and the second transistor, An operating voltage is applied to the emitters of the transistor, the second transistor and the third transistor, and the voltage applied to the contact of the collector of the third transistor and the second resistor is output as a reference voltage.

본 발명의 실시예에 따른 기준 전압 생성부는 고온에서도 안정적인 전압을 제공할 수 있다.The reference voltage generator according to the embodiment of the present invention can provide a stable voltage even at a high temperature.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 블록도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에서 한 화소의 등가 회로도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기준 전압 생성부의 회로도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 온도보상회로(10)의 회로도를 나타낸 도면이다.
도 5는 각 소자의 온도 특성을 나타낸 그래프이다.
도 6은 비교예에 따른 기준 전압 생성부의 회로도이다.
도 7은 본 발명의 실시예와 비교예에 따른 출력단에서의 온도 특성 그래프를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기준 전압 생성부의 회로도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기준 전압 생성부의 회로도이다.FIG. 1 is a block diagram of a display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a pixel in a display device according to an embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram of a reference voltage generator according to an embodiment of the present invention.
4 is a circuit diagram of the temperature compensation circuit 10 according to the embodiment of the present invention.
5 is a graph showing temperature characteristics of each device.
6 is a circuit diagram of a reference voltage generator according to a comparative example.
7 is a graph showing a temperature characteristic graph at an output terminal according to an embodiment of the present invention and a comparative example.
8 is a circuit diagram of a reference voltage generator according to another embodiment of the present invention.
9 is a circuit diagram of a reference voltage generator according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

먼저, 도 1 및 도 2를 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다.First, a display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 블록도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에서 한 화소의 등가 회로도이다.FIG. 1 is a block diagram of a display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a pixel in a display device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널 (liquid crystal panel)(300), 게이트 구동부(gate driver)(400), 데이터 구동부(data driver)(500), 계조 전압 생성부(gray voltage generator)(800), 기준 전압 생성부(reference voltage generator)(900)및 신호 제어부(signal controller)(600)를 포함한다. 본 발명의 실시예에 따른 기준 전압 생성부는 고온에서도 일정한 크기의 기준 전압을 발생한다.1, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a liquid crystal panel 300, a gate driver 400, a data driver 500, A gray voltage generator 800, a reference voltage generator 900, and a signal controller 600. The reference voltage generator according to the embodiment of the present invention generates a reference voltage having a constant magnitude even at a high temperature.

도 1을 참고하면, 표시 패널(300)는 등가 회로로 볼 때 복수의 신호선(signal line)(G_1-G_n, D_1-D_m)과 이에 연결되어 있으며 대략 행렬의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)(PX)를 포함한다. 반면, 도 2에 도시한 구조로 볼 때 표시 패널(300)는 서로 마주하는 하부 및 상부 표시판(100, 200)과 그 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.1, the display panel 300 includes a plurality of signal lines (G ₁ -G _n , D ₁ -D _m ) and a plurality of signal lines And a pixel PX of the pixel PX. 2, the display panel 300 includes lower and upper display panels 100 and 200 facing each other and a liquid crystal layer 3 interposed therebetween.

신호선(G_1-G_n, D_1-D_m)은 게이트 신호("주사 신호"라고도 함)를 전달하는 복수의 게이트선(G_1-G_n)과 데이터 전압을 전달하는 복수의 데이터선(D_1-D_m)을 포함한다. 게이트선(G_1-G_n)은 대략 행 방향으로 뻗으며 서로가 거의 평행하고, 데이터선(D_1-D_m)은 대략 열 방향으로 뻗으며 서로가 거의 평행하다.The signal lines G ₁ -G _n and D ₁ -D _m include a plurality of gate lines G ₁ -G _n for transferring gate signals (also referred to as "scan signals") and a plurality of data lines D _{1 -} D _m ). The gate lines G ₁ -G _n extend substantially in the row direction and are substantially parallel to each other, and the data lines D ₁ -D _m extend in a substantially column direction and are substantially parallel to each other.

각 화소(PX), 예를 들면 i번째(i=1, 2, …, n) 게이트선(G_i)과 j번째(j=1, 2, …, m) 데이터선(D_j)에 연결된 화소(PX)는 신호선(G_i, D_j)에 연결된 스위칭 소자(Q)와 이에 연결된 액정 축전기(liquid crystal capacitor)(Clc) 및 유지 축전기(storage capacitor)(Cst)를 포함한다. 유지 축전기(Cst)는 필요에 따라 생략할 수 있다.Connected to each of the pixels (PX), for instance the i-th (i = 1, 2, ... , n) gate line (G _i) and the j-th (j = 1, 2, ... , m) data line (D _j) The pixel PX includes a switching element Q connected to the signal lines G _i and D _j and a liquid crystal capacitor Clc and a storage capacitor Cst connected thereto. The storage capacitor Cst can be omitted if necessary.

스위칭 소자(Q)는 하부 표시판(100)에 구비되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서, 그 제어 단자는 게이트선(G_i)과 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(D_j)과 연결되어 있으며, 출력 단자는 액정 축전기(Clc) 및 유지 축전기(Cst)와 연결되어 있다.The switching element Q is a three terminal element such as a thin film transistor provided in the lower panel 100. The control terminal is connected to the gate line G _i and the input terminal is connected to the data line D _j And the output terminal is connected to the liquid crystal capacitor Clc and the storage capacitor Cst.

액정 축전기(Clc)는 하부 표시판(100)의 화소 전극(191)과 상부 표시판(200)의 공통 전극(270)을 두 단자로 하며 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)은 유전체로서 기능한다. 화소 전극(191)은 스위칭 소자(Q)와 연결되며, 공통 전극(270)은 상부 표시판(200)의 전면에 형성되어 있고 공통 전압(Vcom)을 인가받는다. 도 2에서와는 달리 공통 전극(270)이 하부 표시판(100)에 구비되는 경우도 있으며 이때에는 두 전극(191, 270) 중 적어도 하나가 선형 또는 막대형으로 만들어질 수 있다.The liquid crystal capacitor Clc has the pixel electrode 191 of the lower panel 100 and the common electrode 270 of the upper panel 200 as two terminals and the liquid crystal layer 3 between the two electrodes 191 and 270, . The pixel electrode 191 is connected to the switching element Q and the common electrode 270 is formed on the entire surface of the upper panel 200 to receive the common voltage Vcom. 2, the common electrode 270 may be provided on the lower panel 100. At this time, at least one of the two electrodes 191 and 270 may be linear or bar-shaped.

액정 축전기(Clc)의 보조적인 역할을 하는 유지 축전기(Cst)는 하부 표시판(100)에 구비된 별개의 신호선(도시하지 않음)과 화소 전극(191)이 절연체를 사이에 두고 중첩되어 이루어지며 이 별개의 신호선에는 공통 전압(Vcom) 따위의 정해진 전압이 인가된다. 그러나 유지 축전기(Cst)는 화소 전극(191)이 절연체를 매개로 바로 위의 전단 게이트선(G_i-1)과 중첩되어 이루어질 수 있다.The storage capacitor Cst serving as an auxiliary capacitor of the liquid crystal capacitor Clc is formed by superimposing a separate signal line (not shown) and a pixel electrode 191 provided on the lower panel 100 with an insulator interposed therebetween, A predetermined voltage such as the common voltage Vcom is applied to the separate signal lines. However, the storage capacitor Cst may be formed by overlapping the pixel electrode 191 with the immediately preceding gate line G _i-1 via an insulator.

한편, 색 표시를 구현하기 위해서는 각 화소(PX)가 기본색(primary color) 중 하나를 고유하게 표시하거나(공간 분할) 각 화소(PX)가 시간에 따라 번갈아 기본색을 표시하게(시간 분할) 하여 이들 기본색의 공간적, 시간적 합으로 원하는 색상이 인식되도록 한다. 기본색의 예로는 적색, 녹색, 청색 등 삼원색을 들 수 있다. 도 2는 공간 분할의 한 예로서 각 화소(PX)가 화소 전극(191)에 대응하는 상부 표시판(200)의 영역에 기본색 중 하나를 나타내는 색 필터(230)를 구비함을 보여주고 있다. 도 2와는 달리 색 필터(230)는 하부 표시판(100)의 화소 전극(191) 위 또는 아래에 둘 수도 있다.On the other hand, in order to implement color display, each pixel PX uniquely displays one of primary colors (space division), or each pixel PX alternately displays a basic color (time division) So that the desired color is recognized by the spatial and temporal sum of these basic colors. Examples of basic colors include red, green, and blue. 2 shows that each pixel PX has a color filter 230 indicating one of the basic colors in an area of the upper panel 200 corresponding to the pixel electrode 191 as an example of space division. 2, the color filter 230 may be disposed above or below the pixel electrode 191 of the lower panel 100. [

표시 패널(300)에는 적어도 하나의 편광자(도시하지 않음)가 구비되어 있다.The display panel 300 is provided with at least one polarizer (not shown).

다시 도 1을 참고하면, 계조 전압 생성부(800)는 화소(PX)의 투과율과 관련된 전체 계조 전압 또는 한정된 수효의 계조 전압(앞으로 "기준 계조 전압"이라 한다)을 생성한다. (기준) 계조 전압은 공통 전압(Vcom)에 대하여 양의 값을 가지는 것과 음의 값을 가지는 것을 포함할 수 있다.Referring again to FIG. 1, the gradation voltage generator 800 generates the total gradation voltage related to the transmittance of the pixel PX or a limited number of gradation voltages (hereinafter referred to as "reference gradation voltage"). (Reference) gradation voltage may have a positive value and a negative value with respect to the common voltage Vcom.

게이트 구동부(400)는 표시 패널(300)의 게이트선(G_1-G_n)과 연결되어 게이트 온 전압(Von)과 게이트 오프 전압(Voff)의 조합으로 이루어진 게이트 신호를 게이트선(G_1-G_n)에 인가한다.Gate lines of the gate driver 400, a display panel (300) _(1- G G _n) and is connected to the gate turn-on voltage (Von) and the gate line Gate a gate signal which is a combination of a turn-off voltage (Voff) _(1- G G _n ).

데이터 구동부(500)는 표시 패널(300)의 데이터선(D_1-D_m)과 연결되어 있으며, 계조 전압 생성부(800)로부터의 계조 전압을 선택하고 이를 데이터 전압으로서 데이터선(D_1-D_m)에 인가한다. 그러나 계조 전압 생성부(800)가 계조 전압을 모두 제공하는 것이 아니라 한정된 수효의 기준 계조 전압만을 제공하는 경우에, 데이터 구동부(500)는 기준 계조 전압을 분압하여 원하는 데이터 전압을 생성한다.The data driver 500 is connected to the data lines D ₁ -D _m of the display panel 300 and selects the gradation voltages from the gradation voltage generator 800 and supplies them as data voltages to the data lines D _1- D _m . However, when the gradation voltage generator 800 provides only a limited number of reference gradation voltages instead of providing all of the gradation voltages, the data driver 500 divides the reference gradation voltage to generate a desired data voltage.

신호 제어부(600)는 게이트 구동부(400) 및 데이터 구동부(500) 등을 제어한다.The signal controller 600 controls the gate driver 400, the data driver 500, and the like.

기준 전압 생성부(900)는 기준 전압(Vbgr)을 발생시킨다. 발생된 기준 전압(Vbgr)은 각각 신호 제어부(600) 및 데이터 구동부(500)에 인가된다. 신호 제어부(600) 및 데이터 구동부(500)는 인가된 기준 전압(Vbgr)에 기초하여 동작한다.The reference voltage generator 900 generates the reference voltage Vbgr. The generated reference voltage Vbgr is applied to the signal controller 600 and the data driver 500, respectively. The signal controller 600 and the data driver 500 operate based on the applied reference voltage Vbgr.

이러한 구동 장치(400, 500, 600, 800, 900) 각각은 적어도 하나의 집적 회로 칩의 형태로 표시 패널(300) 위에 직접 장착되거나, 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되어 TCP(tape carrier package)의 형태로 표시 패널(300)에 부착되거나, 별도의 인쇄 회로 기판(printed circuit board)(도시하지 않음) 위에 장착될 수도 있다. 이와는 달리, 이들 구동 장치(400, 500, 600, 800, 900)가 신호선(G_1-G_n, D_1-D_m) 및 박막 트랜지스터 스위칭 소자(Q) 따위와 함께 표시 패널(300)에 집적될 수도 있다. 또한, 구동 장치(400, 500, 600, 800, 900)는 단일 칩으로 집적될 수 있으며, 이 경우 이들 중 적어도 하나 또는 이들을 이루는 적어도 하나의 회로 소자가 단일 칩 바깥에 있을 수 있다.Each of the driving devices 400, 500, 600, 800, 900 may be directly mounted on the display panel 300 in the form of at least one integrated circuit chip, or may be a flexible printed circuit film And may be attached to the display panel 300 in the form of a tape carrier package (TCP), or may be mounted on a separate printed circuit board (not shown). Alternatively, these driving devices 400, 500, 600, 800, 900 may be integrated in the display panel 300 together with the signal lines G ₁ -G _n , D ₁ -D _m and the thin film transistor switching elements Q, . In addition, the drivers 400, 500, 600, 800, 900 may be integrated into a single chip, in which case at least one of them, or at least one circuit element that makes up the at least one, may be outside a single chip.

그러면 이러한 표시 장치의 동작에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the operation of the display device will be described in detail.

신호 제어부(600)는 외부의 그래픽 제어기(도시하지 않음)로부터 입력 영상 신호(R, G, B) 및 이의 표시를 제어하는 입력 제어 신호를 수신한다. 입력 영상 신호(R, G, B)는 각 화소(PX)의 휘도(luminance) 정보를 담고 있으며 휘도는 정해진 수효, 예를 들면 1024(=2¹⁰), 256(=2⁸) 또는 64(=2⁶) 개의 계조(gray)를 가지고 있다. 입력 제어 신호의 예로는 수직 동기 신호(Vsync)와 수평 동기 신호(Hsync), 메인 클록 신호(MCLK), 데이터 인에이블 신호(DE) 등이 있다.The signal controller 600 receives an input control signal for controlling the display of the input image signals R, G, and B from an external graphic controller (not shown). The input image signals R, G and B contain luminance information of each pixel PX and the luminance has a predetermined number, for example, 1024 (= 2 ¹⁰ ), 256 (= 2 ⁸ ) 2 ⁶ ) gray levels. Examples of the input control signal include a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a main clock signal MCLK, and a data enable signal DE.

신호 제어부(600)는 입력 영상 신호(R, G, B)와 입력 제어 신호를 기초로 입력 영상 신호(R, G, B)를 표시 패널(300)의 동작 조건에 맞게 적절히 처리하고 게이트 제어 신호(CONT1) 및 데이터 제어 신호(CONT2) 등을 생성한 후, 게이트 제어 신호(CONT1)를 게이트 구동부(400)로 내보내고 데이터 제어 신호(CONT2)와 처리한 영상 신호(DAT)를 데이터 구동부(500)로 내보낸다.The signal controller 600 appropriately processes the input image signals R, G, and B according to the operation conditions of the display panel 300 based on the input image signals R, G, and B and the input control signals, The data driver 500 generates a data control signal CONT1 and a data control signal CONT2 and then outputs the gate control signal CONT1 to the gate driver 400 and the video signal DAT processed with the data control signal CONT2, .

게이트 제어 신호(CONT1)는 주사 시작을 지시하는 주사 시작 신호(STV)와 게이트 온 전압(Von)의 출력 주기를 제어하는 적어도 하나의 클록 신호를 포함한다. 게이트 제어 신호(CONT1)는 또한 게이트 온 전압(Von)의 지속 시간을 한정하는 출력 인에이블 신호(OE)를 더 포함할 수 있다.The gate control signal CONT1 includes at least one clock signal for controlling the output period of the scan start signal STV indicating the start of scanning and the gate-on voltage Von. The gate control signal CONT1 may further include an output enable signal OE that defines the duration of the gate on voltage Von.

데이터 제어 신호(CONT2)는 한 행의 화소(PX)에 대한 디지털 영상 신호(DAT)의 전송 시작을 알리는 수평 동기 시작 신호(STH)와 데이터선(D_1-D_m)에 아날로그 데이터 전압을 인가하라는 로드 신호(LOAD) 및 데이터 클록 신호(HCLK)를 포함한다. 데이터 제어 신호(CONT2)는 또한 공통 전압(Vcom)에 대한 데이터 전압의 극성(이하 "공통 전압에 대한 데이터 전압의 극성"을 줄여 "데이터 전압의 극성"이라 함)을 반전시키는 반전 신호(RVS)를 더 포함할 수 있다.The data control signal (CONT2) is applied to the analog data voltages to the digital image horizontal synchronization start signal indicating the start of transmission (DAT) signal (STH) and the data line (D _1- D _m) for the pixels (PX) in a line The load signal LOAD and the data clock signal HCLK. The data control signal CONT2 also includes an inverted signal RVS for inverting the polarity of the data voltage to the common voltage Vcom (hereinafter referred to as "polarity of the data voltage with respect to the common voltage" As shown in FIG.

신호 제어부(600)로부터의 데이터 제어 신호(CONT2)에 따라, 데이터 구동부(500)는 한 행의 화소(PX)에 대한 디지털 영상 신호(DAT)를 수신하고, 각 디지털 영상 신호(DAT)에 대응하는 계조 전압을 선택함으로써 디지털 영상 신호(DAT)를 아날로그 데이터 전압으로 변환한 다음, 이를 해당 데이터선(D_1-D_m)에 인가한다.The data driver 500 receives the digital video signal DAT for one row of the pixels PX in accordance with the data control signal CONT2 from the signal controller 600 and outputs the digital video signal DAT corresponding to each digital video signal DAT And converts the digital video signal DAT into an analog data voltage and applies it to the corresponding data line D _{1 -} D _m .

게이트 구동부(400)는 신호 제어부(600)로부터의 게이트 제어 신호(CONT1)에 따라 게이트 온 전압(Von)을 게이트선(G_1-G_n)에 인가하여 이 게이트선(G_1-G_n)에 연결된 스위칭 소자(Q)를 턴온시킨다. 그러면, 데이터선(D_1-D_m)에 인가된 데이터 전압이 턴온된 스위칭 소자(Q)를 통하여 해당 화소(PX)에 인가된다.Gate driver 400 is a gate line (G _1- G _n) is applied to the gate line of the gate-on voltage (Von) _(1- G G _n) in accordance with the gate control signal (CONT1) from the signal controller 600, The switching element Q is turned on. This is applied to the data lines (D _1- D _m) the corresponding pixel (PX) the applied data voltage through the turned-on switching element (Q) on.

화소(PX)에 인가된 데이터 전압과 공통 전압(Vcom)의 차이는 액정 축전기(Clc)의 충전 전압, 즉 화소 전압으로서 나타난다. 액정 분자들은 화소 전압의 크기에 따라 그 배열을 달리하며 이에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 편광이 변화한다. 이러한 편광의 변화는 편광자에 의하여 빛의 투과율 변화로 나타나며, 이를 통해 화소(PX)는 영상 신호(DAT)의 계조가 나타내는 휘도를 표시한다.The difference between the data voltage applied to the pixel PX and the common voltage Vcom appears as the charging voltage of the liquid crystal capacitor Clc, that is, the pixel voltage. The liquid crystal molecules have different arrangements according to the magnitude of the pixel voltage, and thus the polarization of light passing through the liquid crystal layer 3 changes. This change in polarization is caused by a change in transmittance of light by the polarizer, whereby the pixel PX displays the luminance represented by the gray level of the image signal DAT.

1 수평 주기["1H"라고도 쓰며, 수평 동기 신호(Hsync) 및 데이터 인에이블 신호(DE)의 한 주기와 동일함]를 단위로 하여 이러한 과정을 되풀이함으로써, 모든 게이트선(G_1-G_n)에 대하여 차례로 게이트 온 전압(Von)을 인가하고 모든 화소(PX)에 데이터 전압을 인가하여 한 프레임(frame)의 영상을 표시한다.And the one horizontal period [writes, also known as "1H", the same as one period of the horizontal synchronization signal (Hsync) and the data enable signal (DE)] as a unit by repeating this procedure, all gate lines (G _n G _1- On voltage Von is sequentially applied to all the pixels PX and a data voltage is applied to all the pixels PX to display an image of one frame.

한 프레임이 끝나면 다음 프레임이 시작되고 각 화소(PX)에 인가되는 데이터 전압의 극성이 이전 프레임에서의 극성과 반대가 되도록 데이터 구동부(500)에 인가되는 반전 신호(RVS)의 상태가 제어된다("프레임 반전"). 이때, 한 프레임 내에서도 반전 신호(RVS)의 특성에 따라 한 데이터선을 통하여 흐르는 데이터 전압의 극성이 주기적으로 바뀌거나(보기: 행 반전, 점 반전), 한 화소행에 인가되는 데이터 전압의 극성도 서로 다를 수 있다(보기: 열 반전, 점 반전).When one frame ends, the next frame starts and the state of the inversion signal RVS applied to the data driver 500 is controlled such that the polarity of the data voltage applied to each pixel PX is opposite to the polarity of the previous frame "Frame inversion"). In this case, the polarity of the data voltage flowing through one data line periodically changes (for example, row inversion and dot inversion) depending on the characteristics of the inversion signal RVS in one frame, or the polarity of the data voltage applied to one pixel row They may be different (example: column inversion, dot inversion).

다음은 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기준 전압 생성부를 설명한다.Next, a reference voltage generator according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 5. FIG.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기준 전압 생성부의 회로도이다.3 is a circuit diagram of a reference voltage generator according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면 본 발명의 실시예에 따른 기준 전압 생성부(900)는 복수의 트랜지스터(BJT1-BJT3), 비교기(OP1), 복수의 다이오드(D1-D3), 두개의 저항(R1, R3) 및 온도보상회로(10)을 포함한다. 본 발명의 실시예에 따른 각 소자들은 모스(MOS)소자 이다. 즉 본 발명의 실시예에 따른 다이오드 및 트랜지스터 및 비교기(OP1)은 모스(MOS) 소자일 수 있다. Referring to FIG. 3, reference voltage generator 900 includes a plurality of transistors BJT1-BJT3, a comparator OP1, a plurality of diodes D1-D3, ) And a temperature compensation circuit (10). Each of the elements according to the embodiment of the present invention is a MOS (MOS) element. That is, the diode and the transistor and the comparator OP1 according to the embodiment of the present invention may be a MOS device.

본 발명의 실시예에 따른 다이오드는 순방향 PN 접합 다이오드이며, 순방향 바이어스가 인가될 수 있다. 또한 본 발명의 실시예에 따른 트랜지스터는 바이폴라 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor, BJT)일 수 있다.The diode according to the embodiment of the present invention is a forward PN junction diode, and forward bias can be applied. Also, the transistor according to an embodiment of the present invention may be a bipolar junction transistor (BJT).

본 발명의 실시예에 따른 트랜지스터(BJT1-BJT3)는 PNP형이면, 각 트랜지스터(BJT1-BJT3)의 이미터(Emitter)에는 동작전압(VDD)가 인가된다. When the transistors BJT1 to BJT3 according to the embodiment of the present invention are of the PNP type, the operating voltage VDD is applied to the emitters of the transistors BJT1 to BJT3.

제1 트랜지스터(BJT1)의 컬렉터(Collector)에는 제1 저항(R1)의 일단, 온도보상회로(10) 및 비교기(OP1)의 제1 입력단자가 연결된다. 제1 저항(R1)의 타단은 제1 다이오드(D1)의 애노드(Anode)에 연결된다. 제1 다이오드(D1)의 캐소드(Cathode)는 접지된다. 본 발명의 제1 다이오드(D1)는 병렬로 연결된 복수의 다이오드를 포함할 수 있다.The collector of the first transistor BJT1 is connected to one end of the first resistor R1 and the first input terminal of the temperature compensation circuit 10 and the comparator OP1. The other end of the first resistor R1 is connected to the anode of the first diode D1. The cathode of the first diode D1 is grounded. The first diode D1 of the present invention may include a plurality of diodes connected in parallel.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 온도보상회로(10)의 회로도를 나타낸 도면이다. 4 is a circuit diagram of the temperature compensation circuit 10 according to the embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 온도보상회로(10)는 직렬로 연결된 복수의 다이오드를 포함할 수 있다. 도 4를 참조하면 제4 다이오드(D4) 및 제5 다이오드(D5)가 직렬로 연결되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 얼마든지 더 많은 수의 다이오드가 연결된 경우에도 적용 가능하다. 본 발명의 실시예에 따르면 제5 다이오드(D5)의 애노드는 비교기(OP1)의 제1 입력단자에 연결된다. 또한 제4 다이오드(D4)의 캐소드는 접지된다.The temperature compensation circuit 10 according to the embodiment of the present invention may include a plurality of diodes connected in series. Referring to FIG. 4, the fourth diode D4 and the fifth diode D5 are connected in series. However, the present invention is not limited to this and can be applied to any number of diodes connected as many as possible. According to the embodiment of the present invention, the anode of the fifth diode D5 is connected to the first input terminal of the comparator OP1. The cathode of the fourth diode D4 is grounded.

다시 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기준 전압 생성부(900)을 설명한다.Referring to FIG. 3 again, a reference voltage generator 900 according to an embodiment of the present invention will be described.

제2 트랜지스터(BJT2)의 컬렉터(Collector)에는 비교기(OP1)의 제2 입력단자 및 제2 다이오드(D2)의 애노드(Anode)가 연결된다. 제2 다이오드(D2)의 캐소드(Cathode)는 접지된다. A collector of the second transistor BJT2 is connected to a second input terminal of the comparator OP1 and an anode of the second diode D2. The cathode of the second diode D2 is grounded.

제3 트랜지스터(BJT3)의 컬렉터(Collector)에는 제2 저항(R3)의 일단이 연결된다. 제2 저항(R3)의 타단은 제3 다이오드(D3)의 애노드(Anode)에 연결된다. 제3 다이오드(D3)의 캐소드(Cathode)는 접지된다. One end of the second resistor R3 is connected to a collector of the third transistor BJT3. The other end of the second resistor R3 is connected to the anode of the third diode D3. The cathode of the third diode D3 is grounded.

제1 내지 3 트랜지스터(BJT1, BJT2, BJT3)의 베이스(Base)는 서로 비교기(OP1)의 출력단과 연결된다. The bases of the first to third transistors BJT1, BJT2 and BJT3 are connected to the output terminal of the comparator OP1.

본 발명의 실시예에 따른 비교기(OP1)은 제1 및 제2 입력단자를 갖고 있는 OP-Amp일 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 비교기(OP1)은 제1 및 제2 입력단자에 인가되는 전압이 동일하도록 출력전압을 조정한다. The comparator OP1 according to the embodiment of the present invention may be an OP-Amp having first and second input terminals. The comparator OP1 according to the embodiment of the present invention adjusts the output voltage so that the voltages applied to the first and second input terminals are equal.

도 5는 각 소자의 온도 특성을 나타낸 그래프이다.5 is a graph showing temperature characteristics of each device.

도 5를 참조하여 본 발명의 동작을 설명한다.The operation of the present invention will be described with reference to FIG.

도 5를 참조하면, 저항(Resistor)는 온도가 올라갈수록 인가되는 전압의 크기가 증가한다. 또한 트랜지스터(BJT)는 온도가 올라갈수록 인가되는 전압의 크기가 감소한다. 본 발명의 실시예에 따른 트랜지스터(BJT)의 온도 특성은 약 -2.2mV/K 일 수 있다. 또한 출력단(bgr)에서의 전압 즉 직렬 연결된 저항과 트랜지스터에 인가되는 전압의 크기는 어느 구간까지는 온도의 증가에 따라 인가되는 전압의 크기도 커지나, 어느 구간부터는 온도가 증가하면 인가되는 전압의 크기는 작아진다. 즉 본 발명의 출력단(bgr)에서의 온도 특성 그래프는 포물선 형태를 가진다.Referring to FIG. 5, the resistance of the resistor increases as the temperature increases. Also, the voltage applied to the transistor (BJT) decreases as the temperature increases. The temperature characteristic of the transistor (BJT) according to an embodiment of the present invention may be about -2.2 mV / K. Also, the voltage at the output terminal (bgr), that is, the resistance of the serially connected resistor and the voltage applied to the transistor increases in accordance with the increase of the temperature up to a certain point. Lt; / RTI > That is, the temperature characteristic graph at the output terminal bgr of the present invention has a parabolic shape.

비교기(OP1)에 의해서 제1 입력단자 및 제2 입력단자에 인가되는 전압이 같아지면, 그 때의 비교기(OP1)의 출력전압에 제1 내지 3 다이오드에 각각 전류(id1) 내지 전류(id3)가 유입된다. 이때 기준 전압 생성부(900)가 저온 상태 즉 약 40도 미만에 있다면, 온도보상회로(10)로 전류가 흐르지 않는다. 또한 이때 제2 다이오드(D2) 및 제3 다이오드(D3)에 인가되는 전압(V2에 인가되는 전압)는 0.7V일 수 있다. 그러나 제1 다이오드(D1)에 인가되는 전압(V1에 인가되는 전압)은 0.7V미만 일 수 있다. 또한 이 경우 제1 다이오드(D1)로 유입되는 전류(id1), 제2 다이오드(D2)로 유입되는 전류(id2) 및 제3 다이오드(D3)로 유입되는 전류(id3)의 크기는 같다. 또한 이때 출력단(bgr)에서의 전압(Vbgr)의 크기는 1.2V일 수 있다.When the voltages applied to the first input terminal and the second input terminal are equalized by the comparator OP1, the current Id1 to the current id3 are respectively applied to the first to third diodes at the output voltage of the comparator OP1 at that time, Respectively. At this time, if the reference voltage generator 900 is in a low temperature state, that is, less than about 40 degrees, no current flows to the temperature compensation circuit 10. At this time, the voltage (voltage applied to V2) applied to the second diode D2 and the third diode D3 may be 0.7V. However, the voltage applied to the first diode D1 (the voltage applied to V1) may be less than 0.7V. In this case, the current id1 flowing into the first diode D1, the current id2 flowing into the second diode D2, and the current id3 flowing into the third diode D3 are the same. At this time, the magnitude of the voltage Vbgr at the output terminal bgr may be 1.2V.

기준 전압 생성부(900)가 고온 상태 즉 약 40도 이상에 있다면 온도보상회로(10)로 전류가 흐른다. 이 전류는 다이오드 특성에 의해 흐르는 서브스레숄드 누설전류(Sub threshold leakage current, ileak)일 수 있다. 이 때 제3 다이오드(D3)에 인가되는 전류(id3)의 크기는 제2다이오드로 인가되는 전류(id2)와 서브스레숄드 누설전류(ileak)의 합과 같다. 따라서 출력단(bgr)에서의 전압(Vbgr)은 온도보상회로(10)가 없을 때 보다 ileak*R3만큰 커지게 된다.When the reference voltage generator 900 is in a high temperature state, that is, about 40 degrees or more, a current flows to the temperature compensation circuit 10. This current may be the subthreshold leakage current (ileak) flowing by the diode characteristic. At this time, the magnitude of the current id3 applied to the third diode D3 is equal to the sum of the current id2 applied to the second diode and the sum of the subthreshold leakage current ileak. Therefore, the voltage Vbgr at the output terminal bgr becomes larger than ileak * R3 more than when the temperature compensation circuit 10 is not provided.

즉 고온에서 온도보상회로(10)에 흐르는 전류의 크기에 기초하여 출력단(bgr)에서의 전압(Vbgr)이 커지게 된다. 다시 도 4를 참조하면 출력단(bgr)에서의 온도 특성을 보면, 고온에서 출력단(bgr)에 인가된 전압의 크기가 감소하게 된다. 따라서 온도보상회로(10)는 고온에서 출력단(bgr)에 인가된 전압의 크기가 감소를 일정부분 상쇄시킨다. 이 경우 고온에서 출력단(bgr)에서의 전압(Vbgr)의 크기는 1.2V일 수 있다.That is, the voltage Vbgr at the output terminal bgr becomes larger based on the magnitude of the current flowing through the temperature compensation circuit 10 at a high temperature. Referring again to FIG. 4, the magnitude of the voltage applied to the output terminal bgr decreases at a high temperature when the temperature characteristic at the output terminal bgr is observed. Therefore, the temperature compensation circuit 10 cancels the decrease in the magnitude of the voltage applied to the output terminal bgr at a high temperature. In this case, the magnitude of the voltage Vbgr at the output terminal bgr at a high temperature may be 1.2V.

도 6은 비교예에 따른 기준 전압 생성부의 회로도이다.6 is a circuit diagram of a reference voltage generator according to a comparative example.

도 6을 참조하여, 비교예에 기준 전압 생성부를 설명한다.Referring to Fig. 6, a reference voltage generator will be described as a comparative example.

도 6의 비교예에 따르면 도 3의 기준 전압 생성부(900)에서 온도보상회로(10)가 생략되어 있다. 비교예에 따른 출력단(bgr)의 온도 특성 그래프는 도 5의 온도 특성 그래프를 따른다. 따라서 비교예에 따르면, 기준 전압 생성부(900)가 고온 상태 즉 약 40도 이상인 경우, 출력단(bgr)에서의 전압(Vbgr)의 크기는 감소하게 된다. 이 경우 출력단(bgr)에서의 전압(Vbgr)의 크기는 1.2V 미만일 수 있다.According to the comparative example of FIG. 6, the temperature compensation circuit 10 in the reference voltage generator 900 of FIG. 3 is omitted. The graph of the temperature characteristic of the output terminal bgr according to the comparative example follows the graph of the temperature characteristic of Fig. Therefore, according to the comparative example, when the reference voltage generator 900 is in the high temperature state, that is, about 40 degrees or more, the magnitude of the voltage Vbgr at the output terminal bgr is reduced. In this case, the magnitude of the voltage Vbgr at the output terminal bgr may be less than 1.2V.

도 7은 본 발명의 실시예와 비교예에 따른 출력단에서의 온도 특성 그래프를 나타낸 도면이다.7 is a graph showing a temperature characteristic graph at an output terminal according to an embodiment of the present invention and a comparative example.

A 1은 본 발명의 실시예에 따른 출력단(bgr)에서의 온도 특성을 나타낸 그래프이다.A 1 is a graph showing temperature characteristics at the output terminal bgr according to the embodiment of the present invention.

A 2는 비교예에 따른 출력단(bgr)에서의 온도 특성을 나타낸 그래프이다.A 2 is a graph showing the temperature characteristics at the output terminal bgr according to the comparative example.

도 7을 참조하면 A 1이 고온에서 너 낮은 전압 감소를 보이는 것을 알 수 있다. Referring to FIG. 7, it can be seen that A 1 exhibits a lower voltage drop at high temperatures.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기준 전압 생성부의 회로도이다.8 is a circuit diagram of a reference voltage generator according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면 기준 전압 생성부(900)는 복수의 온도보상회로(10)를 포함할 수 있다. 도 8에서는 두 개의 온도보상회로(10)를 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명은 얼마든지 더 많거나 적은 수의 온도보상회로(10)를 포함할 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the reference voltage generator 900 may include a plurality of temperature compensation circuits 10. Although two temperature compensation circuits 10 are illustrated in FIG. 8, the present invention is not limited thereto. The present invention may include any number of more or fewer temperature compensation circuits 10.

도 8을 참조하면 두 개의 온도보상회로(10)는 각각 비교기(OP1)의 제1 입력단자 및 제2 입력단자에 연결된다. 이 경우 역시, 도 3과 마찬가지로, 기준 전압 생성부(900)가 고온 상태 즉 약 40도 이상에 있다면 온도보상회로(10)로 전류가 흐른다. 이 전류는 다이오드 특성에 의해 흐르는 서브스레숄드 누설전류(Sub threshold leakage current, ileak)일 수 있다. 이 때 제3 다이오드(D3)에 인가되는 전류(id3)의 크기는 제2다이오드로 인가되는 전류(id2)와 서브스레숄드 누설전류(ileak)의 합과 같다. 따라서 출력단(bgr)에서의 전압(Vbgr)은 온도보상회로(10)가 없을 때 보다 ileak*R3만큰 커지게 된다.Referring to FIG. 8, the two temperature compensation circuits 10 are respectively connected to the first input terminal and the second input terminal of the comparator OP1. 3, if the reference voltage generator 900 is in a high temperature state, that is, about 40 degrees or more, a current flows to the temperature compensation circuit 10. This current may be the subthreshold leakage current (ileak) flowing by the diode characteristic. At this time, the magnitude of the current id3 applied to the third diode D3 is equal to the sum of the current id2 applied to the second diode and the sum of the subthreshold leakage current ileak. Therefore, the voltage Vbgr at the output terminal bgr becomes larger than ileak * R3 more than when the temperature compensation circuit 10 is not provided.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기준 전압 생성부의 회로도이다.9 is a circuit diagram of a reference voltage generator according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 또다른 실시예에 따른 기준 전압 생성부(900)는 비교기(OP1)의 제2 입력단자에 연결된 온도보상회로(10)를 포함할 수도 있다.The reference voltage generator 900 according to another embodiment of the present invention may include a temperature compensation circuit 10 connected to the second input terminal of the comparator OP1.

이 경우 역시 도 3과 마찬가지로, 기준 전압 생성부(900)가 고온 상태 즉 약 40도 이상에 있다면 온도보상회로(10)로 전류가 흐른다. 이 전류는 다이오드 특성에 의해 흐르는 서브스레숄드 누설전류(Sub threshold leakage current, ileak)일 수 있다. 이 때 제3 다이오드(D3)에 인가되는 전류(id3)의 크기는 제2다이오드로 인가되는 전류(id2)와 서브스레숄드 누설전류(ileak)의 합과 같다. 따라서 출력단(bgr)에서의 전압(Vbgr)은 온도보상회로(10)가 없을 때 보다 ileak*R3만큰 커지게 된다.In this case, similarly to FIG. 3, if the reference voltage generator 900 is in a high temperature state, that is, about 40 degrees or more, a current flows to the temperature compensation circuit 10. This current may be the subthreshold leakage current (ileak) flowing by the diode characteristic. At this time, the magnitude of the current id3 applied to the third diode D3 is equal to the sum of the current id2 applied to the second diode and the sum of the subthreshold leakage current ileak. Therefore, the voltage Vbgr at the output terminal bgr becomes larger than ileak * R3 more than when the temperature compensation circuit 10 is not provided.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.

10: 온도보상회로 100: 하부 표시판
191: 화소 전극 200: 상부 표시판
230: 색 필터 270: 공통 전극
3: 액정층 200: 표시 패널
400: 게이트 구동부 500: 데이터 구동부
600: 신호 제어부 800: 계조 전압 생성부
900: 기준 전압 생성부10: Temperature compensation circuit 100: Lower panel
191: pixel electrode 200: upper panel
230: color filter 270: common electrode
3: liquid crystal layer 200: display panel
400: Gate driver 500: Data driver
600: a signal controller 800: a gradation voltage generator
900: Reference voltage generating section

Claims

제1 트랜지스터의 컬렉터와 제1 저항의 일단의 접점에 인가된 전압을 입력으로 받는 제2 입력단자 및 제2 트랜지스터의 컬렉터와 제2 다이오드의 애노드의 접점에 인가된 전압을 입력으로 받는 제1 입력단자를 포함하는 비교기;
상기 비교기의 출력단과 베이스가 연결된 제3 트랜지스터;
상기 제3 트랜지스터의 컬렉터와 일단이 연결된 제2 저항; 및
소정의 온도 이상에서 내부로 인가되는 전류의 크기에 기초하여 상기 제3 트랜지스터의 컬렉터와 상기 제2 저항의 접점에 인가되는 전압의 크기를 증가 시키는 온도보상회로를 포함하고,
상기 제1 저항의 타단은 제1 다이오드의 애노드와 연결되고, 상기 제1 다이오드 및 상기 제2 다이오드의 캐소드는 접지되고, 상기 비교기의 출력단은 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터의 베이스와도 연결되고, 상기 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터 및 제3 트랜지스터의 이미터에는 동작전압이 인가되고,
상기 제3 트랜지스터의 컬렉터와 상기 제2 저항의 접점에 인가되는 전압을 기준 전압으로 출력하는
기준 전압 발생장치.A first input receiving a voltage applied to a contact of the collector of the first transistor, the collector of the second transistor and the anode of the second diode, receiving a voltage applied to a contact of one end of the first resistor, A comparator including a terminal;
A third transistor having an output terminal connected to the base of the comparator;
A second resistor connected at one end to the collector of the third transistor; And
And a temperature compensation circuit for increasing a magnitude of a voltage applied to a contact of the collector of the third transistor and the second resistor based on a magnitude of a current applied to the inside at a predetermined temperature or higher,
The other end of the first resistor is connected to the anode of the first diode and the cathode of the first diode and the second diode is grounded and the output terminal of the comparator is connected to the base of the first transistor and the second transistor An operating voltage is applied to the emitters of the first transistor, the second transistor and the third transistor,
And a voltage applied to a contact of the collector of the third transistor and the second resistor is output as a reference voltage
Reference voltage generator.

제1항에 있어서,
상기 온도보상회로는 직렬로 연결된 복수의 다이오드를 포함하는
기준 전압 발생장치The method according to claim 1,
The temperature compensation circuit includes a plurality of diodes coupled in series
Reference voltage generator

제2항에 있어서,
상기 복수의 다이오드는 2개인
기준 전압 발생장치.3. The method of claim 2,
The plurality of diodes are two
Reference voltage generator.

제3항에 있어서,
상기 2개의 다이오드 중 어느 한 다이오드의 애노드는 상기 비교기의 제1 입력단자에 연결되고, 나머지 한 다이오드의 캐소드는 접지되는
기준 전압 발생장치.The method of claim 3,
The anode of one of the two diodes is connected to the first input terminal of the comparator and the cathode of the other diode is grounded
Reference voltage generator.

제4항에 있어서,
상기 복수의 다이오드는 순방향 바이어스를 이용하는 PN 다이오드인
기준 전압 발생장치.5. The method of claim 4,
The plurality of diodes are PN diodes using forward bias
Reference voltage generator.

제5항에 있어서,
상기 모든 다이오드 및 상기 모든 트랜지스터는 MOS 소자이며, 상기 비교기는 MOS 소자인 OP-Amp를 포함하는
기준 전압 발생장치.6. The method of claim 5,
Wherein all of the diodes and all of the transistors are MOS devices and the comparator comprises an OP-Amp MOS device
Reference voltage generator.

제6항에 있어서,
상기 온도보상회로는 상기 제1 입력단자에 연결되는
기준 전압 발생장치.The method according to claim 6,
The temperature compensation circuit may further comprise:
Reference voltage generator.

제6항에 있어서,
상기 온도보상회로는 상기 제1 입력단자 및 상기 제2 입력단자에 모두 연결되는
기준 전압 발생장치.The method according to claim 6,
Wherein the temperature compensation circuit is connected to both the first input terminal and the second input terminal
Reference voltage generator.

제6항에 있어서,
상기 온도보상회로는 상기 제2 입력단자에 연결되는
기준 전압 발생장치.The method according to claim 6,
The temperature compensation circuit may further comprise:
Reference voltage generator.

제6항에 있어서,
상기 소정의 온도는 40도인
기준 전압 발생장치.The method according to claim 6,
The predetermined temperature is 40 degrees
Reference voltage generator.

기준 전압을 발생하는 기준 전압 생성부;
상기 기준 전압에 기초하여 동작하고, 데이터 전압을 생성하는 데이터 구동부;
상기 기준 전압에 기초하여 동작하고, 상기 데이터 구동부를 제어하는 신호 제어부를 포함하고
상기 기준 전압 생성부는
제1 트랜지스터의 컬렉터와 제1 저항의 일단의 접점에 인가된 전압을 입력으로 받는 제2 입력단자 및 제2 트랜지스터의 컬렉터와 제2 다이오드의 애노드의 접점에 인가된 전압을 입력으로 받는 제1 입력단자를 포함하는 비교기;
상기 비교기의 출력단과 베이스가 연결된 제3 트랜지스터;
상기 제3 트랜지스터의 컬렉터와 일단이 연결된 제2 저항; 및
소정의 온도 이상에서 내부로 인가되는 전류의 크기에 기초하여 상기 제3 트랜지스터의 컬렉터와 상기 제2 저항의 접점에 인가되는 전압의 크기를 증가 시키는 온도보상회로를 포함하고,
상기 제1 저항의 타단은 제1 다이오드의 애노드와 연결되고, 상기 제1 다이오드 및 상기 제2 다이오드의 캐소드는 접지되고, 상기 비교기의 출력단은 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터의 베이스와도 연결되고, 상기 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터 및 제3 트랜지스터의 이미터에는 동작전압이 인가되고,
상기 제3 트랜지스터의 컬렉터와 상기 제2 저항의 접점에 인가되는 전압을 기준 전압으로 출력하는
표시 장치.A reference voltage generator for generating a reference voltage;
A data driver operative based on the reference voltage and generating a data voltage;
And a signal control unit that operates based on the reference voltage and controls the data driver
The reference voltage generator
A first input receiving a voltage applied to a contact of the collector of the first transistor, the collector of the second transistor and the anode of the second diode, receiving a voltage applied to a contact of one end of the first resistor, A comparator including a terminal;
A third transistor having an output terminal connected to the base of the comparator;
A second resistor connected at one end to the collector of the third transistor; And
And a temperature compensation circuit for increasing a magnitude of a voltage applied to a contact of the collector of the third transistor and the second resistor based on a magnitude of a current applied to the inside at a predetermined temperature or higher,
The other end of the first resistor is connected to the anode of the first diode and the cathode of the first diode and the second diode is grounded and the output terminal of the comparator is connected to the base of the first transistor and the second transistor An operating voltage is applied to the emitters of the first transistor, the second transistor and the third transistor,
And a voltage applied to a contact of the collector of the third transistor and the second resistor is output as a reference voltage
Display device.

제11항에 있어서,
상기 온도보상회로는 직렬로 연결된 복수의 다이오드를 포함하는
표시 장치.12. The method of claim 11,
The temperature compensation circuit includes a plurality of diodes coupled in series
Display device.

제12항에 있어서,
상기 복수의 다이오드는 2개이며,
상기 2개의 다이오드 중 어느 한 다이오드의 애노드는 상기 비교기의 제1 입력단자에 연결되고, 나머지 한 다이오드의 캐소드는 접지되는
표시 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the plurality of diodes are two,
The anode of one of the two diodes is connected to the first input terminal of the comparator and the cathode of the other diode is grounded
Display device.

제13항에 있어서,
상기 복수의 다이오드는 순방향 바이어스를 이용하는 PN 다이오드인
표시 장치.14. The method of claim 13,
The plurality of diodes are PN diodes using forward bias
Display device.

제14항에 있어서,
상기 온도보상회로가 상기 제1 입력단자에 하나 더 연결된
표시 장치.15. The method of claim 14,
And the temperature compensation circuit is further connected to the first input terminal
Display device.

제15항에 있어서,
상기 모든 다이오드 및 상기 모든 트랜지스터는 MOS 소자이며, 상기 비교기는 MOS 소자인 OP-Amp를 포함하는
표시 장치.16. The method of claim 15,
Wherein all of the diodes and all of the transistors are MOS devices and the comparator comprises an OP-Amp MOS device
Display device.

제16항에 있어서,
상기 온도보상회로는 상기 제1 입력단자에 연결되는
표시 장치.17. The method of claim 16,
The temperature compensation circuit may further comprise:
Display device.

제16항에 있어서,
상기 온도보상회로는 상기 제1 입력단자 및 상기 제2 입력단자에 모두 연결되는
표시 장치.17. The method of claim 16,
Wherein the temperature compensation circuit is connected to both the first input terminal and the second input terminal
Display device.

제16항에 있어서,
상기 온도보상회로는 상기 제2 입력단자에 연결되는
표시 장치.17. The method of claim 16,
The temperature compensation circuit may further comprise:
Display device.

제16항에 있어서,
상기 소정의 온도는 40도인
표시 장치.17. The method of claim 16,
The predetermined temperature is 40 degrees
Display device.