KR20150024764A - Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display.
반도체 장치 및 평판표시장치를 구동하는 전자 회로로서 대표적인 것은 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)이다. TFT의 제조 과정은 통상 기판 위에 게이트와 데이터 배선 재료로서 금속막을 형성하고, 이 금속막의 선택적인 영역에 포토레지스트를 형성한 후 이 포토레지스트를 마스크로 하여 위 금속막을 식각하는 공정으로 구성된다.A typical example of an electronic circuit for driving a semiconductor device and a flat panel display device is a thin film transistor (TFT). The manufacturing process of a TFT is generally composed of forming a metal film as a gate and a data wiring material on a substrate, forming a photoresist in a selective region of the metal film, and etching the upper metal film using the photoresist as a mask.
통상, 게이트 및 데이터 배선 재료로는 전기 전도도가 좋고 저항이 낮은 구리를 함유하는 구리 단독막 또는 구리 합금막과, 이들 막과 계면 접착력이 우수한 금속 산화물막이 사용된다. 최근에는 TFT의 성능 향상을 위하여 금속 산화물막으로 갈륨 산화물과 함께 인듐 산화물, 아연 산화물 또는 이들의 혼합물을 함유하는 막이 사용되고 있다. Typically, as the gate and data wiring material, a copper single film or a copper alloy film containing copper having good electrical conductivity and low resistance and a metal oxide film having excellent interfacial adhesion to these films are used. In recent years, a film containing indium oxide, zinc oxide, or a mixture thereof together with gallium oxide has been used as a metal oxide film in order to improve the performance of a TFT.
한편, 대한민국 공개공보 제10-2010-0090538호에는 구리계 금속막의 식각용조성물로, 과산화수소(H2O2), 유기산, 및 인산염 화합물 등을 포함하는 조성물이 기재되어 있다. 상기 식각용조성물로 구리 몰리브덴막을 식각하게 되면 직선성이 우수한 테이프프로파일이 형성되나, 몰리브덴-나이오븀(Mo-Nb)의 몰리브덴계 금속막 및 구리계 금속막을 일괄 식각하는 경우에는 에칭속도가 느려지고, 몰리브덴-나이오븀(Mo-Nb)의 몰리브덴계 금속막은 에칭되지 않거나, 잔사가 발생하는 등 식각 성능이 극히 떨어지는 문제점이 있다. 또한, 대한민국 공개공보 제10-2010-0035250호에는 과산화수소 등에 황산암모늄과 시클로헥실아민이 필수적으로 포함된 조성물이 기재되어 있으나, 상기 조성물을 사용하여 구리/몰리브덴-나이오븀(Mo-Nb)의 몰리브덴계 금속막을 식각하면 구리막이나 몰리브덴막에 대한 충분한 식각속도를 기대할 수 없을 뿐 아니라, 식각 특성 역시 극히 떨어진다.Korean Patent Publication No. 10-2010-0090538 discloses a composition containing hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), an organic acid, a phosphate compound, and the like as a composition for etching a copper-based metal film. When the copper molybdenum film is etched with the etching composition, a tape profile having excellent linearity is formed. However, when the molybdenum-based metal film and the copper-based metal film of molybdenum-niobium (Mo-Nb) are etched in a batch, the etching rate is slow, The molybdenum-based metal film of molybdenum-niobium (Mo-Nb) is not etched or has a problem that the etching performance such as residue is extremely low. Also, Korean Patent Publication No. 10-2010-0035250 discloses a composition including ammonium sulfate and cyclohexylamine, such as hydrogen peroxide, but it is also possible to use molybdenum of copper / molybdenum-niobium (Mo-Nb) Etching the metal film can not provide a sufficient etch rate for the copper film or molybdenum film, and the etching characteristics are also extremely low.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 몰리브덴-나이오븀(Mo-Nb) 등의 몰리브덴계 금속막 및 구리계 금속막을 일괄 식각하는 식각액을 사용하여 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device using a molybdenum-based metal film such as molybdenum-niobium (Mo-Nb) and an etching solution for collectively etching a copper- And a method for manufacturing a substrate.
또한, 본 발명의 목적은 몰리브덴-나이오븀(Mo-Nb) 등의 몰리브덴계 금속막 및 구리계 금속막을 일괄 식각 하는 경우에도, 에칭 속도가 빨라 공정 속도를 향상시키며, 잔사 발생이 없을 뿐 아니라, 구리 농도에 따른 Side Etch(㎛) 변화량이 일정하게 유지되는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a method of etching a molybdenum-based metal film such as molybdenum-niobium (Mo-Nb) and a copper-based metal film simultaneously, And an amount of change in Side Etch (占 퐉) according to copper concentration is kept constant.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 a)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계; b)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; c)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계; d)상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 e)상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 a)단계 또는 d)단계는 몰리브덴계 금속막 또는 구리계 금속막을 포함하는 막을 식각하여 각각의 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 몰리브덴합금막은 나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금이며, 상기 식각에 사용되는 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여 A)과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%, B)불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%, C)아졸 화합물 0.1 내지 5 중량%, D)한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물 0.1 내지 5.0 중량%, E)인산염 화합물 0.1 내지 5.0 중량%, F)다가알코올형 계면활성제 0.001 내지 5.0 중량% 및 G)물 잔량을 포함하며, 상기 성분 외에는 유기산 또는 유기산염, 무기산 또는 무기산염, 또는 지환족 아민을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
In order to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: a) forming a gate wiring on a substrate; b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring; c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer; d) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer; And e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode, wherein the step a) or d) includes the step of forming a film including a molybdenum-based metal film or a copper-based metal film Wherein the molybdenum alloy film is an alloy of molybdenum with at least one of niobium (Nb) or tungsten (W), and the etchant composition used in the etching is a mixture of A) 0.1 to 5% by weight of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), B) 0.01 to 1.0% by weight of a fluorine compound, (E) 0.1 to 5.0% by weight of a phosphate compound, (F) 0.001 to 5.0% by weight of a polyhydric alcohol type surfactant, and (G) water balance, wherein the organic acid or organic acid salt, The present invention provides a method for manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device, which does not contain an acid or an inorganic acid salt or an alicyclic amine.
또한, 본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, A)과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%; B)불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%; C)아졸 화합물 0.1 내지 5 중량%; D)한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; E)인산염 화합물 0.1 내지 5.0 중량%; F)다가알코올형 계면활성제 0.001 내지 5.0 중량%; 및 G)물 잔량을 포함하며, 상기 성분 외에는 유기산 또는 유기산염, 무기산 또는 무기산염, 또는 지환족 아민을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금 및 구리계 금속막의 식각액 조성물을 제공한다.The present invention also relates to a composition comprising: A) from 5.0 to 25.0% by weight of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ); B) 0.01 to 1.0% by weight of a fluorine compound; C) from 0.1 to 5% by weight of an azole compound; D) 0.1 to 5.0% by weight of a water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in one molecule; E) 0.1 to 5.0% by weight phosphate compound; F) 0.001 to 5.0% by weight of a polyhydric alcohol type surfactant; (G) and a residual amount of water, wherein at least one of niobium (Nb) or tungsten (W) and at least one of molybdenum Alloy and a copper-based metal film.
본 발명에 식각액 조성물은 몰리브덴-나이오븀(Mo-Nb) 등의 몰리브덴계 금속막 및 구리계 금속막을 일괄 식각 하는 경우에도, 에칭 속도가 빨라 공정 속도를 향상시키며, 잔사 발생이 없을 뿐 아니라, 구리 농도에 따른 Side Etch(㎛) 변화량이 일정하게 유지되는 장점이 있다.The etchant composition according to the present invention improves the etching rate even when the molybdenum-based metal film such as molybdenum-niobium (Mo-Nb) and the copper-based metal film are collectively etched to improve the processing speed, The variation of side Etch (탆) according to the concentration is maintained constant.
도 1은 실시예 2의 식각액 조성물을 사용하여 Cu/MoNb 이중막질의 금속막을 식각한 후, 이미지를 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 관찰한 결과이다.
도 2는 비교예 4의 식각액 조성물을 사용하여 Cu/MoNb 이중막질의 금속막을 식각한 후, 이미지를 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 관찰한 결과이다.
도 3은 비교예 5의 식각액 조성물을 사용하여 Cu/MoNb 이중막질의 금속막을 식각한 후, 이미지를 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 관찰한 결과이다.
도 4는 비교예 7의 식각액 조성물을 사용하여 Cu/MoNb 이중막질의 금속막을 식각한 후, 이미지를 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 관찰한 결과이다.
도 5는 비교예 9의 식각액 조성물을 사용하여 Cu/MoNb 이중막질의 금속막을 식각한 후, 이미지를 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 관찰한 결과이다.
도 6은 비교예 10의 식각액 조성물을 사용하여 Cu/MoNb 이중막질의 금속막을 식각한 후, 이미지를 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 관찰한 결과이다.FIG. 1 shows the result of observation of an image by scanning electron microscopy (SEM, Hitach S-4700) after etching a Cu / MoNb bilayer metal film using the etchant composition of Example 2. FIG.
FIG. 2 is a result of observing an image using a scanning electron microscope (SEM, Hitachi S-4700) after etching a Cu / MoNb bilayer metal film using the etchant composition of Comparative Example 4. FIG.
FIG. 3 is a result of observing an image using a scanning electron microscope (SEM, Hitachi S-4700) after etching a Cu / MoNb bilayer metal film using the etchant composition of Comparative Example 5.
FIG. 4 is a result of observing an image using a scanning electron microscope (SEM, Hitachi S-4700) after etching a Cu / MoNb bilayer metal film using the etchant composition of Comparative Example 7.
FIG. 5 is a result of observation of an image by scanning electron microscope (SEM, Hitachi S-4700) after etching a Cu / MoNb bilayer metal film using the etchant composition of Comparative Example 9. FIG.
FIG. 6 is a result of observing an image using a scanning electron microscope (SEM, Hitachi S-4700) after etching a Cu / MoNb bilayer metal film using the etchant composition of Comparative Example 10.
본 발명은 TFT array 배선형성시 사용되는 구리/몰리브덴 합금으로 이루어진 이중막 막질에서, 우수한 식각특성으로 상부 구리 금속막과 나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금인 몰리브덴 합금막을 일괄 식각가능한 식각액 조성물 및 이를 이용하여 액정표시장치용 어레이 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a multilayer film made of a copper / molybdenum alloy for use in the formation of a TFT array wiring, characterized in that the upper copper metal film and the molybdenum alloy (Nb) or tungsten (W) And a method for manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device using the same.
구체적으로, 본 발명은 a)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계; b)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; c)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계; d)상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 e)상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 a)단계 또는 d)단계는 나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금인 몰리브덴계 금속막 또는 구리계 금속막을 포함하는 막을 식각하여 각각의 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 식각에 사용되는 식각액 조성물은, A)과산화수소(H2O2), B)불소 화합물, C)아졸 화합물, D)한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물, E)인산염 화합물, F)다가알코올형 계면활성제 및 G)물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
Specifically, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a) forming a gate wiring on a substrate; b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring; c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer; d) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer; And e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode, wherein the step a) or the step d) includes the step of forming one of niobium (Nb) or tungsten (W) Wherein the etching solution composition comprises at least one of the following components: A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), and hydrogen peroxide; (B) a fluorine compound, (C) an azole compound, (D) a water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in one molecule, (E) a phosphate compound, (F) a polyhydric alcohol type surfactant, and A method of manufacturing an array substrate for use in a liquid crystal display device.
특히, 본 발명에서 사용되는 식각액 조성물은, 상기 A) 내지 G) 성분 외에는 유기산 또는 유기산염, 무기산 또는 무기산염, 또는 지환족 아민을 포함하지 않는 것을 특징으로 한다. 종래에 상기 D) 성분 외의 유기산이나 그의 염, 황산염 등의 무기산 또는 무기산염, 고리형 아민 화합물 등의 지환족 아민이 구리의 식각속도를 높이거나, 구리계 금속막의 식각을 돕는 환경을 조성하기 위해 필수적으로 첨가되었으나, 이러한 유기산 또는 유기산염, 무기산 또는 무기산염, 또는 지환족 아민 등이 포함된 종래의 식각액 조성물은, 몰리브덴계 금속막, 특히 나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금인 몰리브덴계 금속막의 식각효율이 급격히 떨어짐을 실험적으로 확인하였다. 더 나아가, 본 발명의 식각액 조성물은, 상기와 같은 유기산 또는 유기산염, 무기산 또는 무기산염, 또는 지환족 아민 없이도 매우 우수한 구리계 금속막 식각 속도와 식각 특성을 나타낼 뿐 아니라, 몰리브덴계 금속막에 대해서도 매우 우수한 식각 특성을 나타낸다.
In particular, the etchant composition used in the present invention is characterized in that it does not contain an organic acid or an organic acid salt, an inorganic acid or an inorganic acid salt, or an alicyclic amine other than the components A) to G). Conventionally, in order to raise the etching rate of copper or to help the etching of the copper-based metal film, alicyclic amines such as organic acids or salts thereof, sulfuric acid salts and other inorganic acids or cyclic amine compounds other than the component (D) A conventional etchant composition containing an organic acid or an organic acid salt, an inorganic acid or an inorganic acid salt, or an alicyclic amine or the like is added to the molybdenum-based metal film, in particular, at least one of niobium (Nb) or tungsten (W) It is experimentally confirmed that the etching efficiency of the molybdenum-based metal film, which is an alloy of molybdenum, drops sharply. Furthermore, the etchant composition of the present invention not only exhibits excellent copper-based metal film etching rate and etching characteristics without the organic acid or organic acid salt, inorganic acid or inorganic acid salt, or alicyclic amine as described above, but also with respect to the molybdenum- And exhibits very good etching properties.
본 발명에서 구리계 금속막은 막의 구성성분 중에 구리가 포함되는 것으로서, 상기 구리계 금속막은 순수 구리, 구리의 질화물, 구리의 산화물 또는 구리의 합금을 의미한다. 상기 구리 합금은 순수 구리, 구리의 질화물, 구리의 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종과 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 은(Ag), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 팔라듐(Pd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 금속과의 합금을 의미한다. In the present invention, the copper-based metal film includes copper as a constituent component of the film, and the copper-based metal film means pure copper, a nitride of copper, an oxide of copper, or an alloy of copper. The copper alloy may be one selected from the group consisting of pure copper, a nitride of copper, and an oxide of copper, and at least one selected from the group consisting of aluminum (Al), magnesium (Mg), calcium (Ca), titanium (Ti) (Pb), hafnium (Hf), tantalum (Ta), and tungsten (W), which are made of tungsten (Cr), manganese (Mn), iron (Fe), zirconium (Zr), niobium (Nb), molybdenum ≪ / RTI > and one or more metals selected from the group consisting of < RTI ID = 0.0 >
또한, 상기 몰리브덴 합금막은 나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금인 것이 바람직하다
The molybdenum alloy film is preferably an alloy of at least one of niobium (Nb) and tungsten (W) and molybdenum
이하, 본 발명의 구성을 상세히 설명한다.
Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail.
1. 식각액 조성물
1. Etchant composition
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 A)과산화수소(H2O2)는 몰리브덴합금막과 상기 몰리브덴합금막 상에 형성된 구리금속막을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각에 영향을 주는 주산화제로, 상기 A)과산화수소(H2O2)는 조성물 총 중량에 대하여, 5.0 내지 25.0 중량% 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 5.0 중량% 미만으로 포함되면, 구리계 금속막 및 몰리브덴 합금막의 식각력이 부족하여 충분한 식각이 이루어지지 않을 수 있으며, 25.0 중량%를 초과하여 포함될 경우, 식각 속도가 전체적으로 빨라지기 때문에 공정 컨트롤이 어려워지게 되며 구리 이온 증가에 따른 발열 안정성이 크게 감소한다.
A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) contained in the etchant composition of the present invention is characterized by containing a molybdenum alloy film and a copper metal film formed on the molybdenum alloy film as a main oxidizing agent affecting the etching of the copper- , And A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) is preferably included in an amount of 5.0 to 25.0% by weight based on the total weight of the composition. If the content is less than 5.0 wt%, the etching performance of the copper-based metal film and the molybdenum alloy film may be insufficient and sufficient etching may not be performed. If the etching rate is more than 25.0 wt% And the stability of heat generation due to the increase of copper ion is greatly reduced.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 B)불소 화합물은 물에 해리되어 F이온을 낼 수 있는 화합물을 의미한다. 상기 B)불소화합물은 몰리브덴 합금막의 식각 속도에 영향을 주는 보조산화제이며, 몰리브덴 합금막의 식각 속도를 조절한다. The fluorine compound (B) contained in the etchant composition of the present invention means a compound capable of releasing F ions by being dissolved in water. The B) fluorine compound is a co-oxidant that affects the etching rate of the molybdenum alloy film and controls the etching rate of the molybdenum alloy film.
상기 B)불소 화합물은 조성물 총중량에 대하여, 0.01 내지 1.0 중량% 포함되는 것이 바람직하며 구리막과 몰리브덴 막을 동시에 식각하는 용액에서 필연적으로 발생하게 되는 잔사를 제거하여 주는 역할을 한다. 상기 B)불소 화합물의 함량이 0.01 중량% 미만인 경우, 식각 잔사가 발생될 수 있다. 상기 B)함불소 화합물의 함량이 1.0 중량%를 초과하는 경우, 유리 기판 식각율이 크게 발생 되는 단점이 있다.The B) fluorine compound is preferably contained in an amount of 0.01 to 1.0% by weight based on the total weight of the composition, and removes residues which are inevitably generated in the solution for simultaneously etching the copper film and the molybdenum film. If the content of the fluorine compound (B) is less than 0.01% by weight, an etching residue may be generated. When the content of the fluorine compound (B) is more than 1.0% by weight, the etching rate of the glass substrate is significantly increased.
불소 화합물은 당 업계에서 사용되는 물질이고, 용액 내에서 플루오르 이온 혹은 다원자 플루오르 이온으로 해리될 수 있는 화합물이면 특별히 한정하지 않으나, 불소 화합물은 HF, NaF, NH4F, NH4BF4, NH4F·HF, KF, KHF2, AlF3 및 HBF4 로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 특히, 중불화암모늄(ammonium bifluoride: NH4F·HF)을 사용하는 것이 바람직하다.
A fluorine compound material used in the art, in the solution if the fluorine ion or the compound which can be dissociated into atomic fluorine ion is not particularly limited, and fluorine compounds HF, NaF, NH 4 F, NH 4 BF 4, NH 4 F · HF, KF, KHF 2 , AlF 3 and HBF 4 . Particularly, it is preferable to use ammonium bifluoride (NH 4 F · HF).
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 C)아졸 화합물은 구리계 금속의 식각 속도를 조절하며 패턴의 시디로스(CD Loss)를 줄여주어 공정상의 마진을 높이는 역할을 한다. 상기 C)아졸 화합물의 함량은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%이다. 상기 C)아졸 화합물의 함량이 0.1 중량% 미만인 경우, 구리의 식각 속도가 빨라 시디로스가 너무 크게 발생될 수 있다. 상기 C)아졸 화합물의 함량이 5 중량%를 초과하는 경우, 구리의 식각속도가 느려지고 몰리브덴합금막의 식각 속도가 느려지기 때문에 공정시간의 손실이 있으며 몰리브덴합금의 잔사가 남을 가능성이 증가한다.The C) azole compound contained in the etchant composition of the present invention controls the etch rate of the copper-based metal and reduces the CD loss of the pattern, thereby enhancing the process margin. The content of the C) azole compound is 0.1 to 5% by weight based on the total weight of the composition. If the content of the C) azole compound is less than 0.1% by weight, the etching rate of copper may be too high and the seed loss may be too large. If the content of the C) azole compound exceeds 5% by weight, the etching rate of copper is slowed down and the etching rate of the molybdenum alloy film is slowed, so that the process time is lost and the possibility that the residue of the molybdenum alloy remains is increased.
상기 C) 아졸 화합물은 당분야에서 사용되는 것이라면 특별한 제한 없이 사용될 수 있다. 예를 들면, 아졸 화합물은 탄소수가 1 내지 30인 아졸 화합물인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 트리아졸계 화합물, 아미노테트라졸계 화합물, 이미다졸계 화합물, 인돌계 화합물, 푸린계 화합물, 피라졸계 화합물, 피리딘계 화합물, 피리미딘계 화합물, 피롤계 화합물, 피롤리딘계 화합물, 피롤린계 화합물 등을 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
The C) azole compound can be used without any particular limitation as long as it is used in the art. For example, the azole compound is preferably an azole compound having 1 to 30 carbon atoms. More preferably, it is a triazole-based compound, an aminotetrazole-based compound, an imidazole-based compound, an indole-based compound, a purine-based compound, a pyrazole-based compound, a pyridine-based compound, a pyrimidine- And the like may be used alone or in combination of two or more.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 D) 한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물은 식각액 조성물의 보관 시 발생할 수 있는 과산화수소수의 자체 분해 반응을 막아주고 많은 수의 기판을 식각할 시에 식각 특성이 변하는 것을 방지한다. 일반적으로 과산화수소수를 사용하는 식각액 조성물의 경우 보관시 과산화수소수가 자체 분해하여 그 보관기간이 길지가 못하고 용기가 폭발할 수 있는 위험요소까지 갖추고 있다. 그러나 상기 D)한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물이 포함될 경우 과산화수소수의 분해 속도가 10배 가까이 줄어들어 보관기간 및 안정성 확보에 유리하다. 특히 구리층의 경우 식각액 조성물 내에 구리 이온이 다량 잔존할 경우에 패시베이션(passivation) 막을 형성하여 까맣게 산화된 후 더 이상 식각되지 않는 경우가 많이 발생할 수 있으나 이 화합물을 첨가하였을 경우 이런 현상을 막을 수 있다. 상기 D)한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물의 함량은 0.1 내지 5.0 중량%이 바람직하다. 상기 D)한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물의 함량이 상술한 범위 미만일 경우, 다량의 기판(약 500매)의 식각 후에는 패시베이션 막이 형성되어 충분한 공정 마진을 얻기가 어려워진다. 또한, 상기 D)한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물의 함량이 상술한 범위를 초과할 경우, 몰리브덴합금의 식각속도는 느려지므로 구리 몰리브덴막 또는 구리 몰리브덴합금막의 경우 테이퍼 각도가 작아지게 된다. The water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in one molecule contained in the etching liquid composition of the present invention prevents the self-decomposition reaction of the hydrogen peroxide water which may occur in the storage of the etching solution composition, and when etching a large number of substrates, . In general, the etching solution composition using hydrogen peroxide water has a risk that the storage of the hydrogen peroxide is self-decomposed during storage and the container can explode because the storage period is not long. However, when a water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group is contained in the molecule (D), the decomposition rate of the hydrogen peroxide solution is reduced to about 10 times, which is advantageous for securing the storage period and stability. Particularly, in the case of a copper layer, when a large amount of copper ions remain in the etchant composition, a passivation film is formed, which is then oxidized to black and then etched. However, such a phenomenon can be prevented by adding this compound . The content of the water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in the above D) molecule is preferably 0.1 to 5.0% by weight. When the content of the water soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in the above D) molecule is less than the above-mentioned range, a passivation film is formed after etching a large number of substrates (about 500 sheets), and it becomes difficult to obtain a sufficient process margin. When the content of the water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in the above-mentioned D) is more than the above-mentioned range, the etching rate of the molybdenum alloy is slowed, so that the taper angle of the copper molybdenum film or the copper molybdenum alloy film becomes small .
상기 D)한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물은 알라닌(alanine), 아미노부티르산(aminobutyric acid), 글루탐산(glutamic acid), 글리신(glycine), 이미노디아세트산(iminodiacetic acid), 니트릴로트리아세트산(nitrilotriacetic acid) 및 사르코신(sarcosine)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
The water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in the above-mentioned D) can be selected from the group consisting of alanine, aminobutyric acid, glutamic acid, glycine, iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid nitrilotriacetic acid, and sarcosine. It is preferable that the compound is at least one selected from the group consisting of nitrilotriacetic acid and sarcosine.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 E)인산염 화합물은 패턴의 테이퍼 프로파일을 양호하게 만들어주는 성분이다. 만약 상기 E)인산염 화합물이 본 발명의 식각액 조성물에 존재하지 않으면 식각 프로파일이 불량하게 될 수 있다. 상기 인산염 화합물의 함량은 조성물 총중량에 대하여 0.1 내지 5.0 중량%인 것이 바람직하다. 상기 E)인산염 화합물의 함량이 상술한 범위 미만일 경우, 식각 프로파일이 불량하게 될 수 있다. 상기 E)인산염 화합물이 상술한 범위를 초과하는 경우에는 몰리브덴합금막의 식각속도가 느려지는 문제가 발생될 수 있다.The E) phosphate compound contained in the etchant composition of the present invention is a component that makes the taper profile of the pattern good. If the E) phosphate compound is not present in the etchant composition of the present invention, the etch profile may be poor. The content of the phosphate compound is preferably 0.1 to 5.0% by weight based on the total weight of the composition. If the content of the E) phosphate compound is less than the above-mentioned range, the etching profile may become poor. If the E) phosphate compound exceeds the above-mentioned range, the etching rate of the molybdenum alloy film may be slowed down.
상기 E)인산염 화합물은 인산에서 수소가 알칼리 금속 혹은 알칼리 토금속으로 하나 또는 두 개 치환된 염에서 선택되는 것이면 특별히 한정하지 않으나. 인산나트륨(sodium phosphate), 인산칼륨(potassium phosphate) 및 인산암모늄(ammonium phosphate)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
The E) phosphate compound is not particularly limited as long as it is selected from a phosphoric acid in which hydrogen is substituted with one or two substituents selected from an alkali metal or an alkaline earth metal. Sodium phosphate, potassium phosphate, and ammonium phosphate. It is more preferable that the water-soluble polymer is one or more selected from the group consisting of sodium phosphate, potassium phosphate, and ammonium phosphate.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 F)다가알코올형 계면활성제는 표면장력을 저하시켜 식각의 균일성을 증가시키는 역할을 한다. 또한, 상기 F)다가알코올형 계면활성제는 구리막을 식각한 후 식각액에 녹아져 나오는 구리 이온을 둘러 쌈으로서 구리이온의 활동도를 억제하여 과산화수소의 분해 반응을 억제하게 된다. 이렇게 구리 이온의 활동도를 낮추게 되면 식각액을 사용하는 동안 안정적으로 공정을 진행할 수 있게 된다. 상기 F)다가알코올형 계면활성제의 함량은 조성물 총 중량에 대하여 0.001 내지 5.0 중량%이다. 상기 F)다가알코올형 계면활성제의 함량이 상술한 범위 미만인 경우, 식각 균일성이 저하되고 과산화수소의 분해가 가속화 되는 문제점이 생길 수 있다. 상기 F)다가알코올형 계면활성제의 함량이 상술함 범위 이상이면 거품이 많이 발생되는 단점이 있다.The F) polyhydric alcohol type surfactant contained in the etchant composition of the present invention lowers the surface tension and serves to increase the uniformity of the etching. In addition, the F) polyalcohol type surfactant suppresses the decomposition reaction of hydrogen peroxide by suppressing the activity of copper ions by surrounding the copper ions dissolved in the etching solution after etching the copper film. When the activity of the copper ion is lowered, the process can be performed stably while using the etching solution. The content of the F) polyhydric alcohol type surfactant is 0.001 to 5.0% by weight based on the total weight of the composition. If the content of the F) polyhydric alcohol type surfactant is less than the above-mentioned range, the etching uniformity may be lowered and the decomposition of hydrogen peroxide may be accelerated. When the content of the F) polyhydric alcohol type surfactant is more than the above-mentioned range, much foam is generated.
상기 F)다가알코올형 계면활성제는 글리세롤(glycerol), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 디에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 트리에틸렌글리콜(triethylene glycol) 및 폴리에틸렌 글리콜(polyethylene glycol)등으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
The F) polyhydric alcohol type surfactant is selected from the group consisting of glycerol, ethylene glycol, ethylene glycol, triethylene glycol, and polyethylene glycol, It is preferably one or more.
본 발명의 구리 몰리브덴 합금막 식각액 조성물에 포함되는 G)물은 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량 포함된다. 상기 물은 특별히 한정하지 않으나, 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 물은 물속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항값이 18㏁·㎝ 이상인 탈이온수를 이용하는 것이 보다 바람직하다.The G) water contained in the copper molybdenum alloy film etchant composition of the present invention contains the balance so that the total weight of the composition is 100% by weight. The water is not particularly limited, but it is preferable to use deionized water. Further, it is more preferable to use deionized water having a specific resistance of water of 18 M OMEGA. Or more to show the degree of removal of ions in water.
또한, 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 첨가할 수 있으며, 첨가제로는 금속 이온 봉쇄제, 및 부식 방지제 등을 들 수 있다. 또한, 상기 첨가제는 이에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당 업계에 공지되어 있는 여러 다른 첨가제들을 선택하여 첨가할 수도 있다.
In addition to the above-described components, conventional additives may be further added. Examples of the additive include a metal ion blocking agent and a corrosion inhibitor. In addition, the additives are not limited thereto, and various other additives known in the art may be selected and added for better effect of the present invention.
본 발명에서 사용되는 A)과산화수소(H2O2), B)불소화합물, C)아졸 화합물, D)한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물, E)인산염 화합물, F)다가알코올형 계면활성제 등은 통상적으로 공지된 방법에 의해서 제조가 가능하며, 본 발명의 식각액 조성물은 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
A) hydrogen peroxide (H 2 O 2) used in the present invention, B) a fluorine compound, C) an azole compound, D) a water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in one molecule, E) a phosphate compound, F) a polyhydric alcohol type surfactant The activator and the like can be produced by a conventionally known method, and the etchant composition of the present invention preferably has purity for semiconductor processing.
본 발명의 식각액 조성물은 구리계 금속막을 식각할 때, 식각 균일성 및 직진성이 우수한 테이퍼 프로파일을 구현할 수 있다. 본 발명의 식각액 조성물은 식각할 때, 잔사를 발생시키지 않으므로 전기적인 쇼트나 배선의 불량, 휘도의 감소 등의 문제로부터 자유롭다. 따라서, 본 발명의 식각액 조성물은 대화면, 고휘도의 회로가 구현되는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조시에 매우 유용하게 사용될 수 있다.
The etching composition of the present invention can realize a taper profile having excellent etching uniformity and straightness when etching a copper-based metal film. Since the etchant composition of the present invention does not generate residues when etching, it is free from problems such as electrical shorts, poor wiring, and reduced luminance. Therefore, the etchant composition of the present invention can be very usefully used in manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device in which a circuit of a large screen and a high luminance is realized.
본 발명의 식각액 조성물은 구리계 금속으로 이루어진 액정표시장치의 게이트 전극과 게이트 배선 및 소스/드레인 전극과 데이터 배선 층을 일괄 식각할 수 있다.
The etchant composition of the present invention can collectively etch gate electrodes, gate wirings, source / drain electrodes, and data wiring layers of a liquid crystal display device made of a copper-based metal.
특히, 본 발명의 식각액 조성물은, 몰리브덴계 금속막을 15~30Å/sec의 속도로 식각하며, 구리계 금속막을 70~120Å/sec의 속도로 식각하는 것을 특징으로 한다. LGD 식각 공정에서 식각 속도(Etch rate)가 느리면 식각 공정 시간(Process Time)이 증가하게 되어 양산성을 확보하기 어렵기 때문에 상기 범위의 식각속도 확보가 매우 중요하다.
In particular, the etchant composition of the present invention is characterized in that the molybdenum-based metal film is etched at a rate of 15 to 30 Å / sec, and the copper-based metal film is etched at a rate of 70 to 120 Å / sec. If the etch rate is low in the LGD etching process, it is very important to secure the etch rate in the above range because the process time is increased and it is difficult to secure mass productivity.
2. 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
2. Manufacturing Method of Array Substrate for Liquid Crystal Display
본 발명은 a)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계; b)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; c)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계; d)상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 e)상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 a)단계 또는 d)단계는 몰리브덴계 금속막 또는 구리계 금속막을 포함하는 막을 식각하여 각각의 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 식각에 사용되는 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여 A)과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0 중량%, B)불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%, C)아졸 화합물 0.1 내지 5 중량%, D)한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물 0.1 내지 5.0 중량%, E)인산염 화합물 0.1 내지 5.0 중량%, F)다가알코올형 계면활성제 0.001 내지 5.0 중량% 및 G)물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a) forming a gate wiring on a substrate; b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring; c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer; d) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer; And e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode, wherein the step a) or d) includes the step of forming a film including a molybdenum-based metal film or a copper-based metal film (A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) in an amount of 5.0 to 25.0 wt%, (B) 0.01 to 1.0 wt% of a fluorine compound (D) 0.1 to 5.0% by weight of a water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in one molecule, (E) 0.1 to 5.0% by weight of a phosphate compound, (F) a polyhydric alcohol-type surfactant, 5.0 wt%, and G) water balance. The present invention also provides a method for manufacturing an array substrate for a liquid crystal display.
상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다. The array substrate for a liquid crystal display may be a thin film transistor (TFT) array substrate.
또한, 상기 배선 형성방법은 In addition,
Ⅰ)기판 상에 몰리브덴합금막을 형성하는 단계; I) forming a molybdenum alloy film on the substrate;
Ⅱ)상기 몰리브덴합금막 위에 구리계 금속막을 형성하는 단계; II) forming a copper-based metal film on the molybdenum alloy film;
Ⅲ)상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및III) selectively leaving a photoreactive material on the copper-based metal film; And
Ⅳ)본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 구리계 금속막 및 몰리브덴합금막을 일괄 식각하는 단계를 포함하는 배선 형성 방법에 관한 것이다.IV) A wiring forming method comprising a step of collectively etching a copper-based metal film and a molybdenum alloy film using the etching liquid composition of the present invention.
본 발명의 배선 형성 방법에서, 상기 광반응 물질은 통상적인 포토레지스트 물질인 것이 바람직하며, 통상적인 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨질 수 있다.In the wiring forming method of the present invention, the photoreactive material is preferably a conventional photoresist material, and can be selectively left by a conventional exposure and development process.
상기 몰리브덴합금막은 나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금인 것이 바람직하다The molybdenum alloy film is preferably an alloy of at least one of niobium (Nb) and tungsten (W) and molybdenum
이하에서, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples. However, the following examples and comparative examples are provided for illustrating the present invention, and the present invention is not limited by the following examples, and various modifications and changes may be made.
실시예Example
1 내지 1 to
실시예Example
3 및 3 and
비교예Comparative Example
1 내지 1 to
비교예Comparative Example
10 10
식각액Etchant
조성물의 제조 Preparation of composition
하기 표 1(단위: 중량%)에 나타낸 조성에 따라 실시예 1 내지 실시예 3, 및 비교예 1 내지 비교예 10의 식각액 조성물을 제조하였다. The etching solution compositions of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 10 were prepared according to the composition shown in Table 1 (unit: wt%).
헥실아민Cyclo
Hexylamine
3.0
-
-
1.0
시험예Test Example
: :
식각액Etchant
조성물의 특성평가 Evaluation of composition characteristics
유리기판(100mm×100mm)상에 몰리브덴합금막을 증착시키고 상기막 상에 구리막을 증착시킨 뒤 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통하여 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트가 형성되도록 한 후, 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 10의 조성물을 각각 사용하여 구리계 금속막에 대하여 식각공정을 실시하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), SEMES사)를 이용하였고, 식각공정시 식각액 조성물의 온도는 약 30℃ 내외로 하였으나, 적정온도는 다른 공정조건과 기타 요인에 의해 필요에 따라 변경될 수 있다. 식각시간은 식각 온도에 따라서 다를 수 있으나, 통상 80초 정도로 진행하였다. 상기 식각공정에서 식각된 구리계 금속막의 프로파일을 단면 SEM(Hitachi사 제품, 모델명 S-4700)을 사용하여 검사하였고, 결과를 하기 표 2에 기재하였다.A molybdenum alloy film was deposited on a glass substrate (100 mm x 100 mm), a copper film was deposited on the film, and a photoresist having a predetermined pattern was formed on the substrate through a photolithography process. The copper-based metal film was subjected to an etching process using the compositions of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 10, respectively. (ETCHER (TFT), manufactured by SEMES) was used as the etchant, and the temperature of the etchant composition was set at about 30 ° C. during the etching process. However, the optimum temperature was determined according to other process conditions and other factors can be changed. The etching time may vary depending on the etching temperature, but is usually about 80 seconds. The profile of the copper-based metal film etched in the etching process was inspected using a cross-sectional SEM (product of Hitachi, model name S-4700), and the results are shown in Table 2 below.
(Cu 300~5000ppm)S / E variation by number of processed
(Cu 300 to 5000 ppm)
○: 좋음, ○: Good,
△: 보통, ?: Usually,
Х: 나쁨, Х: Poor,
Unetch: 식각불가
Unetch: No etching
LCD 식각 공정에서 Etch rate 이 느리면 식각 Process Time이 증가하게 되어 양산성을 확보하기 어렵기 때문에 Cu Etch rate 70~120Å/sec, Mo-Nb 15~30Å/sec 이상 확보되어야 한다. 또한, Cu 농도에 따른 Side Etch(㎛) 변화량이 일정하게 유지되어야 한다. Side Etch는 식각 후에 측정된 포토레지스트 끝단과 하부 금속 끝단 사이의 거리를 말한다. Side etch 변화량이 크면, TFT 구동시 신호 전달 속도가 변화하게 되어 TFT-LCD 특성이 변화되기 때문에 Side Etch 변화량은 최소화 되는 것이 바람직하다. 본 평가에서는 Side Etch 변화량이 ±0.1 ㎛ 인 조건이 충족되는 경우에 식각액 조성물을 식각공정에 계속 사용할 수 있는 것으로 정하고 실험을 실시하였다.
If the etch rate is slow in the LCD etching process, it is difficult to secure mass productivity because the etching process time is increased. Therefore, the Cu etch rate should be 70 ~ 120 Å / sec and Mo-Nb 15 ~ 30 Å / sec. In addition, the variation of the side Etch (탆) according to the Cu concentration must be maintained constant. Side Etch is the distance between the photoresist tip and the bottom metal tip measured after etching. If the side etch variation is large, it is desirable that the side etch change amount is minimized because the TFT-LCD characteristics are changed because the signal transmission speed is changed when the TFT is driven. In this evaluation, when the condition of the side etch change amount of ± 0.1 μm is satisfied, the etchant composition was determined to be continuously usable in the etching process and the experiment was conducted.
표 2에서 알 수 있듯이 실시예 1 내지 실시예 3의 본 발명의 식각액 조성물은 모두 양호한 식각 특성을 나타내었다. 또한, 도 1에서 확인할 수 있는 바와 같이, 실시예 2에 따른 식각액 조성물로 식각한 구리계 금속막의 경우 식각 프로파일(Profile) 및 직진성이 우수하였으며, 식각 잔사가 남지 않았다
As can be seen from Table 2, the etchant compositions of the present invention of Examples 1 to 3 all exhibited good etching properties. As can be seen from FIG. 1, the copper-based metal film etched with the etchant composition according to Example 2 was excellent in the profile and straightness, and the etch residue remained
이에 비하여, 과산화수소 함량이 적정 함량 범위보다 작은 비교예 1의 경우 Cu 및 Mo-Nb Etch Rate이 너무 느려 Unetch 현상을 보이며, 중불화암모늄 함량이 적정 함량 범위보다 작은 비교예 2의 경우 Cu Etch rate 은 만족할 수준이나, Mo-Nb Unetch 현상이 나타남을 확인할 수 있다. 아미노테트라졸의 함량이 적정 함량 범위보다 많은 비교예 3의 경우 Cu, Mo-Nb 모두 Unetch 됨을 확인할 수 있다.On the other hand, in Comparative Example 1 in which the content of hydrogen peroxide is less than the proper amount range, Cu etch rate is too slow due to too low Cu and Mo-Nb Etch Rate, and Cu Etch rate in Comparative Example 2 in which ammonium content is less than the proper amount range. However, Mo-Nb unetch phenomenon can be confirmed. In case of Comparative Example 3 in which the content of the aminotetrazole is more than the proper amount, it is confirmed that both of Cu and Mo-Nb are unetch.
한편, 실시예 2와 달리 글리콜산이 조성에 포함된 비교예 4의 경우 Cu Etch rate 은 100Å/sec에서 120Å/sec 로 상승하여 Cu Etch 에는 유리하나 도 2에서 확인할 수 있는 바와 같이, Mo-Nb 는 잔사가 남는 Unetch 현상을 보이므로 유기산이 포함될 경우 Mo-Nb Etch에는 불리함을 알 수 있다. On the other hand, in Comparative Example 4 in which glycolic acid was included in the composition, the Cu etch rate increased from 100 Å / sec to 120 Å / sec, which is favorable for Cu Etch. However, Mo- As the residue shows Unetch phenomenon, it can be seen that it is disadvantageous to Mo-Nb Etch when organic acid is included.
또한, 실시예 2와 달리 황산암모늄이 조성에 포함된 비교예 5의 경우 Cu Etch rate 이 100Å/sec에서 110Å/sec로 상승, 비교예 6의 경우 Cu Etch rate 이 100Å/sec에서 130Å/sec로 상승 하여 Cu Etch에는 유리하나 도 3에서 확인할 수 있는 바와 같이, Cu 와 Mo-Nb 계면부에서 침식 현상이 관찰되고, Mo-Nb 잔사가 남는 Unetch 현상을 보이므로 황산염이 포함될 경우 식각 Profile 에 악영향을 끼칠수 있음을 알 수 있다.Unlike Example 2, in Comparative Example 5 in which ammonium sulfate was included, the Cu etch rate increased from 100 Å / sec to 110 Å / sec. In Comparative Example 6, the Cu etch rate increased from 100 Å / sec to 130 Å / sec As shown in Fig. 3, the erosion phenomenon is observed at the interface between Cu and Mo-Nb, and the Unetch phenomenon is remained in Mo-Nb residue. Therefore, when sulfate is included, the etching profile is adversely affected It can be seen that
추가적으로 실시예 2와 달리 사이클로헥실아민이 1.0% 조성에 포함된 비교예 7의 경우 Cu Etch rate이 100Å/sec에서 90Å/sec 감소할 뿐 아니라 Mo-Nb Etch rate 은 20Å/sec에서 5Å/sec으로 현저하게 감소하여, 도 4에서 확인할 수 있는 바와 같이, Mo-Nb 는 잔사가 남는 Unetch 현상을 보이고, 비교예 8에서와 같이 사이클로헥실아민의 농도가 4.0%로 증가시에는 Mo-Nb 가 Unetch 되므로 고리형 아민이 포함될 경우 Mo-Nb Etch에는 불리함을 알 수 있다.In addition, unlike Example 2, in Comparative Example 7 in which the cyclohexylamine was included in the 1.0% composition, the Cu etch rate was reduced by 90 Å / sec at 100 Å / sec and the Mo-Nb etch rate was decreased from 20 Å / sec to 5 Å / sec As can be seen from FIG. 4, the Mo-Nb exhibited a Unetch phenomenon in which residues remained, and when the concentration of cyclohexylamine increased to 4.0% as in Comparative Example 8, Mo-Nb was unetch When the cyclic amine is included, it is disadvantageous to Mo-Nb Etch.
실시예 2와 달리 황산암모늄 1.0%, 사이클로헥실아민이 1.0% 가 조성에 포함된 비교예 9의 경우 도 5에서 확인 할 수 있는 바와 같이, Cu 와 Mo-Nb 계면부에서 침식 현상이 관찰되고, Mo-Nb 잔사가 남는 Unetch 현상을 보이므로 식각 Profile 에 악영향을 끼칠수 있음을 알 수 있다.Unlike Example 2, in Comparative Example 9 in which 1.0% ammonium sulfate and 1.0% cyclohexylamine were included in the composition, erosion was observed at the interface between Cu and Mo-Nb, It can be seen that the Mo-Nb residue shows unetch phenomenon, which may adversely affect the etching profile.
또한, 대한민국 공개공보 제10-2010-0035250호의 경우 과산화수소 등에 황산암모늄과 사이클로헥실아민이 필수적으로 포함된 조성물이 기재되어 있으나, 비교예 10에서와 같이 상기 조성물을 사용하여 구리/몰리브덴-나이오븀(Mo-Nb) 식각시 도 6에서 확인할 수 있는 바와 같이, Cu 와 Mo-Nb 계면부에서 침식 현상이 관찰되고, Mo-Nb의 충분한 식각속도를 기대할 수 없을 뿐 아니라, 식각 특성 역시 극히 떨어짐을 알 수 있다.
Korean Unexamined Patent Publication No. 10-2010-0035250 discloses a composition including ammonium sulfate and cyclohexylamine such as hydrogen peroxide. However, it is also possible to use copper / molybdenum-niobium As shown in FIG. 6, the etching phenomenon was observed at the interface between Cu and Mo-Nb and the etching rate of Mo-Nb was not expected to be sufficient. .
Claims (10)
b)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
d)상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
e)상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 a)단계 또는 d)단계는 몰리브덴계 금속막 또는 구리계 금속막을 포함하는 막을 식각하여 각각의 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 몰리브덴합금막은 나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금이며,
상기 식각에 사용되는 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여 A)과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0중량%, B)불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%, C)아졸 화합물 0.1 내지 5중량%, D)한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물 0.1 내지 5.0 중량%, E)인산염 화합물 0.1 내지 5.0 중량%, F)다가알코올형 계면활성제 0.001 내지 5.0 중량% 및 G)물 잔량을 포함하며, 상기 성분 외에는 유기산 또는 유기산염, 무기산 또는 무기산염, 또는 지환족 아민을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는, 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
a) forming a gate wiring on the substrate;
b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring;
c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer;
d) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer; And
e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode, the method comprising the steps of:
Wherein the step a) or the step d) comprises forming each electrode by etching a film containing a molybdenum-based metal film or a copper-based metal film,
The molybdenum alloy film is an alloy of molybdenum with at least one of niobium (Nb) and tungsten (W)
Wherein the etchant composition used in the etching comprises: A) 5.0 to 25.0% by weight of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), B) 0.01 to 1.0% by weight of a fluorine compound, C) 0.1 to 5% ) 0.1 to 5.0% by weight of a water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in one molecule, E) 0.1 to 5.0% by weight of a phosphate compound, F) 0.001 to 5.0% by weight of a polyhydric alcohol type surfactant, and G) Wherein the organic acid or the organic acid salt, the inorganic acid or the inorganic acid salt, or the alicyclic amine is not included in the component other than the component.
상기 액정표시장치용 어레이 기판이 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the array substrate for a liquid crystal display is a thin film transistor (TFT) array substrate.
상기 식각에 사용되는 식각액 조성물은, 몰리브덴계 금속막을 15~30Å/sec 의 속도로 식각하며, 구리계 금속막을 70~120Å/sec의 속도로 식각하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the etchant composition for use in the etching is formed by etching a molybdenum-based metal film at a rate of 15 to 30 Å / sec and etching the copper-based metal film at a rate of 70 to 120 Å / sec. Way.
A)과산화수소(H2O2) 5.0 내지 25.0중량%;
B)불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%;
C)아졸 화합물 0.1 내지 5중량%;
D)한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물 0.1 내지 5.0 중량%;
E)인산염 화합물 0.1 내지 5.0 중량%;
F)다가알코올형 계면활성제 0.001 내지 5.0 중량%; 및
G)물 잔량을 포함하며, 상기 성분 외에는 유기산 또는 유기산염, 무기산 또는 무기산염, 또는 지환족 아민을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는,
나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금 및 구리계 금속막으로 이루어진 다층막용 식각액 조성물.
With respect to the total weight of the composition,
A) 5.0 to 25.0% by weight hydrogen peroxide (H 2 O 2 );
B) 0.01 to 1.0% by weight of a fluorine compound;
C) from 0.1 to 5% by weight of an azole compound;
D) 0.1 to 5.0% by weight of a water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in one molecule;
E) 0.1 to 5.0% by weight phosphate compound;
F) 0.001 to 5.0% by weight of a polyhydric alcohol type surfactant; And
G) water remaining amount, and it does not include an organic acid or an organic acid salt, an inorganic acid or an inorganic acid salt, or an alicyclic amine other than the above components.
A composition for an etchant for multilayer film comprising at least one of niobium (Nb) or tungsten (W) and an alloy of molybdenum and a copper-based metal film.
몰리브덴계 금속막을 15~30Å/sec의 속도로 식각하며, 구리계 금속막을 70~120Å/sec의 속도로 식각하는 것을 특징으로 하는, 나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금 및 구리계 금속막으로 이루어진 다층막용 식각액 조성물.
The method of claim 4,
Wherein at least one of niobium (Nb) and tungsten (W) and at least one of molybdenum (Mo) and molybdenum (Mo) is etched at a rate of 15 to 30 A / Alloy and a copper-based metal film.
상기 B)불소 화합물은 HF, NaF, NH4F, NH4BF4, NH4F·HF, KF, KHF2, AlF3 및 HBF4 로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금 및 구리계 금속막으로 이루어진 다층막용 식각액 조성물.
The method of claim 4,
Wherein the B) fluorine compound is at least one selected from the group consisting of HF, NaF, NH 4 F, NH 4 BF 4 , NH 4 F.HF, KF, KHF 2 , AlF 3 and HBF 4 . (Nb) or tungsten (W) and an alloy of molybdenum and a copper-based metal film.
상기 C) 아졸 화합물은 트리아졸계 화합물, 아미노테트라졸계 화합물, 이미다졸계 화합물, 인돌계 화합물, 푸린계 화합물, 피라졸계 화합물, 피리딘계 화합물, 피리미딘계 화합물, 피롤계 화합물, 피롤리딘계 화합물 및 피롤린계 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금 및 구리계 금속막으로 이루어진 다층막용 식각액 조성물.
The method of claim 4,
The C) azole compound may be a triazole compound, an aminotetrazole compound, an imidazole compound, an indole compound, a purine compound, a pyrazole compound, a pyridine compound, a pyrimidine compound, a pyrrole compound, (Nb) or tungsten (W) with molybdenum and a copper-based metal film, wherein the at least one of the niobium (Nb) and tungsten (W)
상기 D)한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물은 알라닌(alanine), 아미노부티르산(aminobutyric acid), 글루탐산(glutamic acid), 글리신(glycine), 이미노디아세트산(iminodiacetic acid), 니트릴로트리아세트산(nitrilotriacetic acid) 및 사르코신(sarcosine)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금 및 구리계 금속막으로 이루어진 다층막용 식각액 조성물.
The method of claim 4,
The water-soluble compound having a nitrogen atom and a carboxyl group in the above-mentioned D) can be selected from the group consisting of alanine, aminobutyric acid, glutamic acid, glycine, iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid (Nb) or tungsten (W) and molybdenum and a copper-based metal film, wherein the at least one of the niobium (Nb) and tungsten (W) is at least one selected from the group consisting of nitrilotriacetic acid and sarcosine. .
상기 E)인산염 화합물은 인산나트륨(sodium phosphate), 인산칼륨(potassium phosphate) 및 인산암모늄(ammonium phosphate)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금 및 구리계 금속막으로 이루어진 다층막용 식각액 조성물.
The method of claim 4,
(E) phosphate compound is at least one selected from the group consisting of sodium phosphate, potassium phosphate, and ammonium phosphate. At least one of molybdenum alloy and copper-based metal film.
상기 F)다가알코올형 계면활성제는 글리세롤(glycerol), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 디에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 트리에틸렌글리콜(triethylene glycol) 및 폴리에틸렌 글리콜(polyethylene glycol)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금 및 구리계 금속막으로 이루어진 다층막용 식각액 조성물.The method of claim 4,
The F) polyhydric alcohol type surfactant may be one selected from the group consisting of glycerol, ethylene glycol, ethylene glycol, triethylene glycol, and polyethylene glycol (Nb) or tungsten (W), molybdenum alloy, and copper-based metal film.
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Families Citing this family (2)
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100035250A (en) | 2008-09-26 | 2010-04-05 | 테크노세미켐 주식회사 | Cu or cu/mo or cu/mo alloy electrode etching liquid in liquid crystal display system |
| KR20100040352A (en) * | 2008-10-10 | 2010-04-20 | 테크노세미켐 주식회사 | Cu or cu alloy ething liquid with high selectivity and method for fabricating lcd thereof |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100035250A (en) | 2008-09-26 | 2010-04-05 | 테크노세미켐 주식회사 | Cu or cu/mo or cu/mo alloy electrode etching liquid in liquid crystal display system |
| KR20100040352A (en) * | 2008-10-10 | 2010-04-20 | 테크노세미켐 주식회사 | Cu or cu alloy ething liquid with high selectivity and method for fabricating lcd thereof |
| KR20100090538A (en) | 2009-02-06 | 2010-08-16 | 동우 화인켐 주식회사 | Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display |
| KR20110128032A (en) * | 2010-05-20 | 2011-11-28 | 동우 화인켐 주식회사 | Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display |
| KR20120064864A (en) * | 2010-12-10 | 2012-06-20 | 동우 화인켐 주식회사 | Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170068899A (en) * | 2015-12-10 | 2017-06-20 | 동우 화인켐 주식회사 | Manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display |
| KR20180109521A (en) * | 2017-03-28 | 2018-10-08 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition |
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