KR20150003137A - Method of coating a substance on a rf device and sputtering apparatus used in the same - Google Patents

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KR20150003137A
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Abstract

The present invention relates to a method to coat an RF device by a drying method and a sputtering apparatus used in the same. The sputtering apparatus includes: a supporting section where a coating target for the RF device is placed; a first target formed of a material to coat the coating target; and a second target arranged apart from the first target. During the coating of the coating target, electric power is supplied to each of the first target and the second target.

Description

ＲＦ 장비 도금 방법 및 이에 사용되는 스퍼터링 장치{METHOD OF COATING A SUBSTANCE ON A RF DEVICE AND SPUTTERING APPARATUS USED IN THE SAME}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a method for plating RF equipment and a sputtering apparatus used therein,

본 발명은 건식 방법을 통하여 RF 장비를 도금하는 방법 및 이에 사용되는 스퍼터링 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a method for plating RF equipment through a dry method and a sputtering apparatus used therefor.

RF 장비는 일반적으로 손실을 최소화하기 위하여 기본 부재 위에 은 등과 같은 전기 전도도가 우수한 물질을 도금시킨다. 물론, 내식성을 향상시키기 위한 도금이 상기 RF 장비에 더 적용될 수도 있다. RF equipment typically plies materials with good electrical conductivity, such as silver, over the base member to minimize losses. Of course, plating for improving the corrosion resistance may be further applied to the RF equipment.

현재, 상기 RF 장비를 도금시키기 위하여 습식 방법이 사용되고 있으나, 상기 습식 방법은 도금 물질뿐만 아니라 부가 물질도 많이 사용되기 때문에 제조 비용이 상승하고 도금 시간이 오래 소요되는 단점이 있다. At present, a wet method is used for plating the RF equipment. However, since the wet method uses not only a plating material but also an additive material, the manufacturing cost increases and the plating time is long.

한국공개특허공보 제1991-0016960호(공개일 : 1991년 11월 5일)Korean Patent Publication No. 1991-0016960 (published on November 5, 1991)

본 발명의 목적은 제조 비용을 낮추고 도금 시간을 감소시킬 수 있는 RF 장비 도금 방법 및 이에 사용되는 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다. It is an object of the present invention to provide an RF equipment plating method and a sputtering apparatus used therefor, which can lower the manufacturing cost and reduce the plating time.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 장비의 도금을 위해 사용되는 스퍼터링 장치는 상기 RF 장비를 위한 피도금체가 놓이는 지지부; 상기 피도금체를 도금하기 위한 재료로 이루어진 제 1 타겟; 및 상기 제 1 타켓과 분리되어 배열되는 제 2 타겟을 포함한다. 여기서, 상기 피도금체 도금시 상기 제 1 타겟 및 상기 제 2 타겟에 각기 전력이 공급되며, 상기 타겟들로부터 분리된 도금 물질이 상기 RF 장비 내의 바닥면 및 측면에 증착되고, 상기 피도금체로 인가되는 바이어스 전압을 도금 공정 동안 변화시킴에 의해 상기 바닥면 및 상기 측면의 최대 두께 편차는 3배 이하로 유지된다. According to an aspect of the present invention, there is provided a sputtering apparatus for plating RF equipment, the apparatus comprising: A first target made of a material for plating the plated body; And a second target arranged separately from the first target. Here, power is supplied to each of the first target and the second target during the plating of the material to be plated, and plating material separated from the targets is deposited on the bottom and side surfaces of the RF equipment, The maximum thickness deviation of the bottom surface and the side surface is maintained at three times or less by changing the bias voltage during the plating process.

본 발명에 따른 RF 장비 도금 방법은 건식 방법으로서 스퍼터링 장치를 이용하므로, 제조 비용 및 도금 공정 시간이 감소할 수 있다. 또한, 상기 도금시 바이어스 전압을 변화시키는 방법, 복수의 타겟들을 사용하는 방법, 타겟을 상하로 움직이게 하는 방법 또는 피도금체를 상하로 움직이게 하는 방법을 통하여 도금 위치별 두께 편차를 작게 유지하였으며, 그 결과 상기 RF 장비의 특성을 우수하게 유지할 수 있다. The RF equipment plating method according to the present invention uses a sputtering apparatus as a dry method, so that the manufacturing cost and the plating process time can be reduced. Further, the thickness variation of each plating position is kept small through the method of changing the bias voltage during plating, the method of using a plurality of targets, the method of moving the target up and down, or the method of moving the plating object up and down, As a result, the characteristics of the RF equipment can be maintained excellent.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 장비를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치 및 타겟들을 도시한 단면도이다.
도 3은 일반적인 도금 결과를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 RF 장비를 도금하는 과정을 도시한 도면이다.
도 5는 도 4의 공정에 따른 도금 결과를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 RF 장비 도금 과정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 RF 장비 도금 과정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 RF 장비 도금 과정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a view illustrating an RF equipment according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a sputtering apparatus and targets according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a view showing a general plating result.
4 is a view illustrating a process of plating RF equipment according to the first embodiment of the present invention.
5 is a view showing a plating result according to the process of FIG.
6 is a cross-sectional view schematically illustrating a RF equipment plating process according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view schematically illustrating a RF equipment plating process according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view schematically illustrating a RF equipment plating process according to a fourth embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view schematically showing a sputtering apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 자세히 설명하도록 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 장비를 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치 및 타겟들을 도시한 단면도이다. FIG. 1 is a view showing an RF equipment according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a sputtering apparatus and targets according to an embodiment of the present invention.

도 1(A) 및 도 2(A)를 참조하면, RF 장비는 하우징(100), 복수의 캐비티(Cavity, 102) 및 복수의 공진기들(104)을 포함하는 캐비티 필터일 수 있으며, 스퍼터링 장치(200)를 이용하여 건식 방법으로 상기 RF 장비를 도금시킨다. 다만, 본 발명의 RF 장비로는 바닥면 및 측면들의 도금을 필요로 하는 한 캐비티 필터 외에도 다양하게 변형될 수 있지만, 이하 설명의 편의를 위하여 RF 장비를 캐비티 필터로 가정한다. 1A and 2B, the RF equipment may be a cavity filter including a housing 100, a plurality of cavities 102 and a plurality of resonators 104, The RF equipment is plated by a dry method using the RF unit 200. However, the RF equipment of the present invention may be modified in various ways other than the cavity filter as long as plating of the bottom and sides is required. However, for convenience of explanation, it is assumed that the RF equipment is a cavity filter.

도 1(B)를 참조하면, 상기 RF 장비에서 알루미늄 재질(Al)로 이루어진 기본 부재(110) 위에 구리(Cu)로 이루어진 제 1 도금층(112) 및 은(Ag)으로 이루어진 제 2 도금층(114)이 순차적으로 배열될 수 있다. Referring to FIG. 1B, a first plating layer 112 made of copper (Cu) and a second plating layer 114 made of silver (Ag) are formed on a base member 110 made of aluminum (Al) ) Can be arranged in order.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 스퍼터링 장치(200)는 기본 부재(110) 위에 제 1 도금층(112)을 형성하고 제 1 도금층(112) 위에 제 2 도금층(114)을 형성시킨다. The sputtering apparatus 200 forms a first plating layer 112 on the base member 110 and forms a second plating layer 114 on the first plating layer 112. In this case,

이하, 스퍼터링 장치(200)를 이용하여 상기 RF 장비를 도금하는 과정을 살펴보겠다. Hereinafter, a process of plating the RF equipment using the sputtering apparatus 200 will be described.

도 2(A)를 참조하면, 스퍼터링 장치(200)는 타겟(Target, 210), 지지부(212) 및 피도금체(214)를 포함한다. 2 (A), the sputtering apparatus 200 includes a target 210, a support 212, and a plated body 214.

타겟(210)은 상기 RF 장비에 도금될 재질로 이루어지며, 즉 제 1 도금층(112)을 형성할 제 1 도금 물질(Cu) 또는 제 2 도금 물질(Ag)로 이루어질 수 있다. The target 210 may be made of a material to be plated on the RF equipment, that is, a first plating material (Cu) or a second plating material (Ag) to form the first plating layer 112.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 타겟(210)은 고정적으로 설치된 후 도금 공정(증착 공정) 동안 움직이지 않으며, 타겟(210)에는 도 2(A)에 도시된 바와 같이 소정 전력이 공급된다. According to one embodiment of the present invention, the target 210 is fixedly installed and does not move during the plating process (deposition process), and the target 210 is supplied with a predetermined power as shown in FIG.

이러한 타겟(210)은 도 2(B)에 도시된 바와 같이 직육면체 형상을 가질 수도 있지만, 도 2(C) 및 도 2(D)에 도시된 바와 같이 원통형 형상 또는 5각형 이상의 다각형 형상을 가질 수도 있다. 타겟(210)이 원통형 형상 또는 5각형 이상이 다각형 형상을 가지면 입체적인 피도금체(214)의 도금시 피도금체(214)의 측면 부분에 더 많은 도금 물질이 증착될 수 있다. The target 210 may have a rectangular parallelepiped shape as shown in FIG. 2 (B), but may have a cylindrical shape or a polygonal shape of pentagonal shape or more as shown in FIGS. 2 (C) and 2 have. If the target 210 has a cylindrical shape or a polygonal shape more than a pentagon, more plating material can be deposited on the side portion of the plated body 214 when plating the three-dimensional plated body 214.

지지부(212)는 RF 장비(214)를 지지하는 역할을 수행하며, 바이어스 전압(Bias Voltage)이 지지부(212)를 통하여 피도금체(214)로 인가된다.The supporting part 212 supports the RF equipment 214 and a bias voltage is applied to the plated body 214 through the supporting part 212.

피도금체(214)는 도금될 소자로서, 제 1 도금층(112)이 형성되기 전의 RF 장비 또는 제 2 도금층(114)이 형성되기 전의 RF 장비를 의미한다. 도 2(A)에서는 개략적으로 도시하였으나, 피도금체(214)는 도 1(A)에 도시된 형상을 가진다. The plated body 214 is an element to be plated, which means RF equipment before the first plating layer 112 is formed or RF equipment before the second plating layer 114 is formed. Although schematically shown in Fig. 2 (A), the plated body 214 has the shape shown in Fig. 1 (A).

이하, 이러한 스퍼터링 장치(200)를 이용하여 상기 RF 장비를 도금하는 과정을 살펴보겠다. Hereinafter, a process of plating the RF equipment using the sputtering apparatus 200 will be described.

도 3은 일반적인 도금 결과를 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 RF 장비를 도금하는 과정을 도시한 도면이며, 도 5는 도 4의 공정에 따른 도금 결과를 도시한 도면이다. 다만, 도 4에서 피도금체(214) 중 하나의 공진기 및 캐비티 부분만을 별도로 도시하였으며, 도면 부호도 400으로 별도로 부기하였다. FIG. 3 is a view showing general plating results, FIG. 4 is a view showing a process of plating an RF equipment according to a first embodiment of the present invention, FIG. 5 is a view showing a plating result according to the process of FIG. 4 FIG. In FIG. 4, only one resonator and a cavity portion of the plated body 214 are shown separately, and they are separately referred to in FIG.

도 2 및 도 4를 참조하면, 타겟(210)이 스퍼터링 장치(200)의 챔버의 상층부에 장착되고, 피도금체(214)가 지지부(212) 위에 놓여진다. 2 and 4, the target 210 is mounted on the upper portion of the chamber of the sputtering apparatus 200, and the plated body 214 is placed on the support portion 212.

이어서, 스퍼터링 장치(200)의 챔버가 진공 펌프를 이용함에 의해 진공 상태로 변화되고, 불활성 가스, 예를 들어 아르곤 가스(Ar)가 도 2에 도시된 바와 같이 상기 챔버로 공급된다. Then, the chamber of the sputtering apparatus 200 is changed to a vacuum state by using a vacuum pump, and an inert gas such as argon gas (Ar) is supplied to the chamber as shown in FIG.

계속하여, 타겟(210)에 소정 전력이 공급되고 지지부(212)를 통하여 피도금체(214)로 기설정된 바이어스 전압이 인가된다. 결과적으로, 예를 들어 아르곤 가스(Ar)가 글로우(glow) 방전되어 Ar+ 이온이 발생하며, 즉 플라즈마 상태로 변화된다. 여기서, Ar+ 이온은 타겟(210)에 충돌하며(도시하지는 않았지만 자기력을 이용하여 충돌을 활성화시킬 수 있음), 상기 충돌에 의해 타겟(210)이 스퍼터(sputter)된다. 즉, 타겟(210)으로부터 도금 물질이 분리되며, 상기 분리된 도금 물질이 피도금체(214)로 증착된다. Subsequently, a predetermined electric power is supplied to the target 210, and a predetermined bias voltage is applied to the object to be plated 214 through the supporting portion 212. As a result, for example, argon gas (Ar) is glow discharged to generate Ar + ions, that is, to change into a plasma state. Here, Ar.sup. + Ions collide with the target 210 (although not shown, magnetic force can be used to activate the collision), and the collision causes the target 210 to be sputtered. That is, the plating material is separated from the target 210, and the separated plating material is deposited on the plated body 214.

본 발명의 일 실시예에 따르면, RF 장비 도금 방법은 도 4(B)에 도시된 바와 같이 초기에는 제 1 바이어스 전압(예를 들어, 300V)을 인가하고, 소정 시간 경과 후 제 1 바이어스 전압보다 낮은 제 2 바이어스 전압(예를 들어, 150V)을 인가한다. 예를 들어, 상기 RF 장비 도금 방법은 초기에 제 1 바이어스 전압을 인가하고, 전체 도금 시간 중 절반이 경과한 후 상기 제 1 바이어스 전압을 상기 제 2 바이어스 전압으로 변화시킨다. 이 경우, 도 4(D) 및 도 4(E)에 도시된 바와 같이 도금 물질이 캐비티(102)의 바닥면(400a) 및 측면들(400b 및 400c)에 증착된다. 구체적으로는, 상기 제 1 바이어스 전압을 인가하면 측면들(400b 및 400c)에 도금 물질이 많이 증착되고 상기 제 2 바이어스 전압을 인가하면 바닥면(400a)에 도금 물질이 많이 증착된다. 이와 같이 도금을 수행하면 도 5에 도시된 바와 같이 상기 RF 장비의 위치별 두께 편차가 3배 이하로 유지될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 4 (B), the RF equipment plating method is a method of initially applying a first bias voltage (for example, 300 V) A low second bias voltage (e.g., 150V) is applied. For example, the RF equipment plating method initially applies a first bias voltage, and changes the first bias voltage to the second bias voltage after half of the entire plating time has elapsed. In this case, a plating material is deposited on the bottom surface 400a and the side surfaces 400b and 400c of the cavity 102 as shown in Figs. 4 (D) and 4 (E). More specifically, when the first bias voltage is applied, a large amount of plating material is deposited on the side surfaces 400b and 400c, and when the second bias voltage is applied, a large amount of plating material is deposited on the bottom surface 400a. As shown in FIG. 5, when the plating is performed as described above, the thickness deviation of the RF equipment can be maintained at three times or less.

RF 장비의 경우에는 위치별 도금 두께 편차가 상기 RF 장비의 특성에 많은 영향을 미치며, 예를 들어 위치별 두께 편차가 크면 상기 RF 장비의 특성이 저하되게 된다. 따라서, 상기 위치별 두께 편차를 작게 유지하는 것이 중요하며, 본 발명의 RF 장비 도금 방법은 바이어스 전압들의 변화를 통하여 위치별 두께 편차를 작게 유지시켜서 RF 장비의 특성을 향상시킨다. In the case of RF equipment, the variation in thickness of the plating depending on the position greatly affects the characteristics of the RF equipment. For example, if the thickness variation is large, the characteristics of the RF equipment are deteriorated. Therefore, it is important to keep the thickness deviation per position small. The RF equipment plating method of the present invention improves the characteristics of the RF equipment by keeping the thickness deviation per position small by changing the bias voltages.

이하, 도 4(A)에 도시된 바와 같이 도금 공정 동안 바이어스 전압(200V)을 일정하게 유지시키는 경우와 도 4(B)에 도시된 바와 같이 도금 공정 동안 바이어스 전압을 변화시키는 경우에 대하여 실제 실험 결과를 살펴보겠다. As shown in FIG. 4A, when the bias voltage (200V) is kept constant during the plating process and when the bias voltage is changed during the plating process as shown in FIG. 4B, Let's look at the results.

바이어스 전압을 일정하게 유지한 경우When the bias voltage is kept constant 도금층 재질Plated layer material 챔버 온도Chamber temperature 챔버 압력Chamber pressure 가스 공급률Gas supply rate 바이어스전압Bias voltage 공급 전력Power supply CuCu 200도200 degrees 5m Torr5m Torr 30sccm30 sccm -200V-200V 200W200W AgAg 200도200 degrees 5m Torr5m Torr 30sccm30 sccm -200V-200V 2OOW2OOW

바이어스 전압을 변화시킨 경우 When the bias voltage is changed 도금층 재질Plated layer material 챔버 온도Chamber temperature 챔버 압력Chamber pressure 가스 공급률Gas supply rate 바이어스전압Bias voltage 공급 전력Power supply CuCu 200도200 degrees 5m Torr5m Torr 30sccm30 sccm -300V→-150V-300V to -150V 200W200W AgAg 200도200 degrees 5m Torr5m Torr 30sccm30 sccm -300V→-150V-300V to -150V 2OOW2OOW

표 1에 도시된 바와 같이 도금 공정 동안 바이어스 전압을 유지시킨 상태로 도금 공정을 수행한 결과, 도 3에 도시된 바와 같이 피도금체(400)의 위치별로 두께 편차가 최대 6배까지 발생하였다. 결과적으로, 상기 도금 과정을 통하여 제조된 RF 장비의 특성이 저하될 수 있었다. As shown in Table 1, the plating process was performed while the bias voltage was maintained during the plating process. As a result, the thickness variation was up to 6 times as much as the position of the plated body 400 as shown in FIG. As a result, the characteristics of the RF equipment manufactured through the plating process could be degraded.

반면에, 표 2에 도시된 바와 같이 도금 공정 동안 바이어스 전압을 변화시킨 경우, 도 5에 도시된 바와 같이 피도금체(400)의 위치별로 두께 편차가 최대 2.6배가 발생하였다. 즉, 도금 두께 편차를 3배 이하로 유지할 수 있어서 상기 도금 과정을 통하여 제조된 RF 장비의 특성을 우수하게 유지할 수 있었다. On the other hand, when the bias voltage was changed during the plating process as shown in Table 2, the thickness variation was 2.6 times at most at each position of the plating object 400 as shown in FIG. That is, since the variation in the thickness of the plating layer can be maintained at 3 times or less, the characteristics of the RF equipment manufactured through the plating process can be maintained excellent.

정리하면, 본 발명의 RF 장비 도금 방법은 스퍼터링 장치(200)를 이용하여 제 1 도금층(112) 또는 제 2 도금층(114)을 도금하며, 즉 건식 도금을 수행한다. 특히, 상기 RF 장비 도금 방법은 도금 공정 동안 바이어스 전압을 변화시켜 상기 RF 장비의 위치별 두께 편차를 3배 이하로 유지시켰다. In summary, in the RF equipment plating method of the present invention, the first plating layer 112 or the second plating layer 114 is plated by using the sputtering apparatus 200, that is, dry plating is performed. Particularly, in the RF equipment plating method, the bias voltage was varied during the plating process to keep the variation in thickness of the RF equipment at three times or less.

습식 방법으로 RF 장비를 제조하는 경우에는 RF 장비의 위치별 두께 편차를 3배 이하로 유지는 시킬 수 있었으나, 도금 물질뿐만 아니라 부가 물질도 많이 사용하여야 하기 때문에 RF 장비의 제조 비용이 상승하고 도금 공정 시간이 오래 소요되었다. In the case of manufacturing the RF equipment by the wet method, it was possible to maintain the variation of the thickness of the RF equipment by three times or less. However, since the manufacturing cost of the RF equipment is increased due to the use of not only the plating material but also the additional material, It took a long time.

그러나, 위와 같이 스퍼터링 장치(200)를 이용하여 건식 도금을 통하여 RF 장비를 제조한 경우에는 RF 장비의 위치별 두께 편차를 3배 이하로 유지시키면서도 부가 물질이 거의 필요없어서 제조 비용이 감소하였고, 실제 습식 비용에 비하여 80%로 감소하였고 도금 공정 시간도 단축되었다. However, when the RF equipment is manufactured by dry plating using the sputtering apparatus 200 as described above, the manufacturing cost is reduced because the thickness deviation of the RF equipment is maintained at 3 times or less, It was reduced to 80% compared with the wet cost and the plating process time was shortened.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 RF 장비 도금 과정을 개략적으로 도시한 단면도이다. 6 is a cross-sectional view schematically illustrating a RF equipment plating process according to a second embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 실시예의 RF 장비 도금 방법에 사용되는 스퍼터링 장치에서는 적어도 2개의 타겟들(600 및 602)이 사용된다. Referring to FIG. 6, in the sputtering apparatus used in the RF equipment plating method of this embodiment, at least two targets 600 and 602 are used.

제 1 타겟(600)은 예를 들어 "／" 방향으로 배열되고, 제 2 타겟(602)은 "＼" 방향으로 배열된다. 물론, 타겟들(600 및 602)은 동일한 물질, 예를 들어 Cu 또는 Ag로 이루어지며, 도금 공정 동안 동일한 전력이 타겟들(600 및 602)에 동시에 공급될 수 있다. The first target 600 is arranged in the "/" direction and the second target 602 is arranged in the " \ "direction. Of course, the targets 600 and 602 are made of the same material, for example Cu or Ag, and the same power can be supplied simultaneously to the targets 600 and 602 during the plating process.

위와 같이 타겟들(600 및 602)을 배열하면, 도 6에 도시된 바와 같이 RF 장비의 내측면들에도 도금 물질이 증착될 수 있다. 일반적으로, RF 장비의 바닥면이 내측면들에 비하여 상대적으로 많은 양의 도금 물질이 증착되나, 위와 같이 타겟들(600 및 602)을 배열함에 의해 피도금체(604)의 내측면들로 증착되는 도금 물질의 양이 증가되어, 상기 바닥면과 상기 내측면들 사이의 두께 편차가 작아질 수 있다. 결과적으로, 본 실시예의 RF 장비 도금 방법은 위와 같이 타겟들(600 및 602)을 배열하여 위치별 두께 편차를 3배 이하로 유지시킬 수 있다. When the targets 600 and 602 are arranged as described above, the plating material may be deposited on the inner surfaces of the RF equipment as shown in FIG. Generally, a relatively large amount of plating material is deposited on the bottom surface of the RF equipment as compared to the inner surfaces, but by depositing the targets 600 and 602 on top of the inner surfaces of the plated material 604 The amount of the plating material is increased, so that the thickness deviation between the bottom surface and the inner surfaces can be reduced. As a result, the RF equipment plating method of this embodiment can arrange the targets 600 and 602 as described above, and can maintain the thickness deviation by position three times or less.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 RF 장비 도금 방법은 제 1 실시예와 유사하게 바이어스 전압을 도금 공정 동안 변화시키는 과정을 더 포함할 수도 있다. According to another embodiment of the present invention, the RF equipment plating method may further include a step of changing the bias voltage during the plating process, similarly to the first embodiment.

도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 RF 장비 도금 과정을 개략적으로 도시한 단면도이다. FIG. 7 is a cross-sectional view schematically illustrating a RF equipment plating process according to a third embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 실시예의 RF 장비 도금 방법에 사용되는 스퍼터링 장치에서는 타겟(700)이 하나로 유지되되, 타겟(700)이 상하로 움직이도록 구현된다. 결과적으로, 피도금체(702)의 내측면들로 증착되는 도금 물질의 양이 증가되어, 상기 바닥면과 상기 내측면들 사이의 두께 편차가 작아질 수 있다. 결과적으로, 본 실시예의 RF 장비 도금 방법은 위치별 두께 편차를 3배 이하로 유지시킬 수 있다. Referring to FIG. 7, in the sputtering apparatus used in the RF equipment plating method of this embodiment, the target 700 is held as one, and the target 700 is moved up and down. As a result, the amount of the plating material deposited on the inner surfaces of the plated body 702 is increased, so that the thickness deviation between the bottom surface and the inner surfaces can be reduced. As a result, the RF equipment plating method of this embodiment can keep the thickness variation by position three times or less.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 RF 장비 도금 방법은 제 1 실시예와 유사하게 바이어스 전압을 도금 공정 동안 변화시키는 과정을 더 포함할 수도 있다. According to another embodiment of the present invention, the RF equipment plating method may further include a step of changing the bias voltage during the plating process, similarly to the first embodiment.

도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 RF 장비 도금 과정을 개략적으로 도시한 단면도이다. FIG. 8 is a cross-sectional view schematically illustrating a RF equipment plating process according to a fourth embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 실시예의 RF 장비 도금 방법에 사용되는 스퍼터링 장치에서는 타겟(800)이 고정되어 설치되되, 피도금체(802)가 상하로 움직이도록 구현된다. 물론, 지지부에 의해 피도금체(802)가 움직이도록 구현하는 것이 바람직하다. 결과적으로, 피도금체(802)의 내측면들로 증착되는 도금 물질의 양이 증가되어, 상기 바닥면과 상기 내측면들 사이의 두께 편차가 작아질 수 있다. 결과적으로, 본 실시예의 RF 장비 도금 방법은 위치별 두께 편차를 3배 이하로 유지시킬 수 있다. Referring to FIG. 8, in the sputtering apparatus used in the RF equipment plating method of the present embodiment, the target 800 is fixedly installed, and the object to be plated 802 moves up and down. Of course, it is preferable to implement such that the plated body 802 moves by the supporting portion. As a result, the amount of plating material deposited on the inner surfaces of the plated body 802 is increased, so that the thickness deviation between the bottom surface and the inner surfaces can be reduced. As a result, the RF equipment plating method of this embodiment can keep the thickness variation by position three times or less.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 RF 장비 도금 방법은 제 1 실시예와 유사하게 바이어스 전압을 도금 공정 동안 변화시키는 과정을 더 포함할 수도 있다. According to another embodiment of the present invention, the RF equipment plating method may further include a step of changing the bias voltage during the plating process, similarly to the first embodiment.

위 실시예들에서 설명하지는 않았지만, 본 발명의 RF 장비 도금 방법은 세정 공정시 40분 이상을 사용하여 도금층의 접착력을 확보할 수 있다. Although not described in the above embodiments, the RF equipment plating method of the present invention can secure the adhesive force of the plating layer by using at least 40 minutes in the cleaning process.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 다만, 도 9는 스퍼터링 장치 중 지지부(900) 및 피도금체(902)만을 도시하였다. 9 is a cross-sectional view schematically showing a sputtering apparatus according to another embodiment of the present invention. 9 shows only the support portion 900 and the plated body 902 of the sputtering apparatus.

도 9를 참조하면, 본 실시예의 지지부(900)는 피도금체(902)의 형상에 대응하는 형상을 가지고 구현된다. 즉, 지지부(900)는 피도금체(902)의 측면에 대응하는 절곡 부분을 더 포함한다. Referring to FIG. 9, the support portion 900 of the present embodiment is implemented with a shape corresponding to the shape of the body 902 to be plated. That is, the supporting portion 900 further includes a bent portion corresponding to the side surface of the plated body 902. [

본 발명의 일 실시예에 따르면, 지지부(900)에는 적어도 하나의 전극(904)이 형성되며, 바람직하게는 지지부(900) 중 절곡된 부분들, 즉 피도금체(902)의 측면에 대응하는 부분에 전극들(904)이 형성되며, 전극들(904)을 통하여 소정 전원이 피도금체(902)로 공급된다. 다만, 전극들(904)로 전원을 공급하는 방법에는 특별한 제한이 없고 다양하게 변형될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, at least one electrode 904 is formed in the support 900 and is preferably formed in a portion of the support 900 that is bent, i.e., Electrodes 904 are formed in the portion to be plated, and a predetermined power is supplied to the plated body 902 through the electrodes 904. [ However, the method of supplying power to the electrodes 904 is not particularly limited and may be variously modified.

이렇게 전극들(904)을 피도금체(902)의 측면에 대응하는 부분에 형성하면 피도금체(902)의 측면에 더 많은 도금 물질이 증착될 수 있다.When the electrodes 904 are formed on the portion corresponding to the side surface of the object to be plated 902, more plating material can be deposited on the side surface of the object 902 to be plated.

상기한 본 발명의 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Should be regarded as belonging to the following claims.

100 : 하우징 부재 102 : 캐비티
104 : 공진기 110 : 기본 부재
112 : 제 1 도금층 114 : 제 2 도금층
200 : 스퍼터링 장치 210 : 타겟
212 : 지지부 214 : 피도금체
400 : 피도금체 600, 602 : 타겟
604 : 피도금체 700 : 타겟
702 : 피도금체 800 : 타겟
802 : 피도금체 900 : 지지부
902 : 피도금체 904 : 전극100: housing member 102: cavity
104: resonator 110: basic member
112: first plating layer 114: second plating layer
200: sputtering apparatus 210: target
212: Support part 214: Plated body
400: Plated body 600, 602: Target
604: Plated body 700: Target
702: Plated body 800: Target
802: Plated body 900: Support part
902: Plated body 904: Electrode

Claims (1)

RF 장비의 도금을 위해 사용되는 스퍼터링 장치에 있어서,
상기 RF 장비를 위한 피도금체가 놓이는 지지부;
상기 피도금체를 도금하기 위한 재료로 이루어진 제 1 타겟; 및
상기 제 1 타켓과 분리되어 배열되는 제 2 타겟을 포함하되,
상기 피도금체 도금시 상기 제 1 타겟 및 상기 제 2 타겟에 각기 전력이 공급되고, 상기 타겟들로부터 분리된 도금 물질이 상기 RF 장비 내의 바닥면 및 측면들에 증착되며, 제 1 바이어스 전압이 상기 피도금체로 인가된 후 상기 제 1 바이어스 전압보다 낮은 제 2 바이어스 전압이 상기 피도금체로 인가됨에 의해 상기 바닥면 및 상기 측면들의 최대 두께 편차는 3배 이하가 되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.A sputtering apparatus used for plating RF equipment,
A supporting unit on which a plated body for the RF equipment is placed;
A first target made of a material for plating the plated body; And
And a second target arranged separately from the first target,
Wherein the first target and the second target are respectively supplied with electric power when plating the object to be plated and a plating material separated from the targets is deposited on a bottom surface and sides of the RF equipment, And a second bias voltage lower than the first bias voltage is applied to the material to be plated after being applied to the object to be plated, whereby the maximum thickness deviation of the bottom surface and the side surfaces is three times or less.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019173730A1 (en) * 2018-03-09 2019-09-12 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for physical vapor deposition via linear scanning with ambient control
WO2019178223A1 (en) * 2018-03-14 2019-09-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of forming structures by symmetric selective physical vapor deposition
WO2019177861A1 (en) * 2018-03-10 2019-09-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for asymmetric selective physical vapor deposition
WO2020131783A1 (en) * 2018-12-17 2020-06-25 Applied Materials, Inc. Pvd directional deposition for encapsulation

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019173730A1 (en) * 2018-03-09 2019-09-12 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for physical vapor deposition via linear scanning with ambient control
WO2019177861A1 (en) * 2018-03-10 2019-09-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for asymmetric selective physical vapor deposition
WO2019178223A1 (en) * 2018-03-14 2019-09-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of forming structures by symmetric selective physical vapor deposition
WO2020131783A1 (en) * 2018-12-17 2020-06-25 Applied Materials, Inc. Pvd directional deposition for encapsulation
US11851740B2 (en) 2018-12-17 2023-12-26 Applied Materials, Inc. PVD directional deposition for encapsulation

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