KR20150001688U - 사분면들을 구비한 기판 지지체 - Google Patents

사분면들을 구비한 기판 지지체 Download PDF

Info

Publication number
KR20150001688U
KR20150001688U KR2020140007709U KR20140007709U KR20150001688U KR 20150001688 U KR20150001688 U KR 20150001688U KR 2020140007709 U KR2020140007709 U KR 2020140007709U KR 20140007709 U KR20140007709 U KR 20140007709U KR 20150001688 U KR20150001688 U KR 20150001688U
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
segment
quadrant
substrate support
heating element
substrate
Prior art date
Application number
KR2020140007709U
Other languages
English (en)
Other versions
KR200490775Y1 (ko
Inventor
로빈 엘. 티너
수영 최
범수 박
시니치 쿠리타
보라 오
가쿠 푸루타
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20150001688U publication Critical patent/KR20150001688U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200490775Y1 publication Critical patent/KR200490775Y1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/002—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements
    • H05B2203/003—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements using serpentine layout

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 고안은 일반적으로 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지체에 관한 것이다. 기판 지지체는 사분면들로 분할되며, 각각의 사분면은 다른 사분면들과는 독립적으로 가열할 수 있다. 독립적인 가열은 기판 지지체가 공통 기판의 서로 다른 영역들에 대해 또는 기판 지지체 상에 동시에 배치된 각각의 서로 다른 기판에 대해 서로 다른 가열을 제공할 수 있도록 허용한다. 이에 따라, 기판 또는 기판들의 원하는 프로세싱이 발생하는 것을 보장하도록 기판의 가열이 조정될 수 있다.

Description

사분면들을 구비한 기판 지지체{SUBSTRATE SUPPORT WITH QUADRANTS}
관련 출원들의 상호 참조
본원은 2014년 10월 24일자로 출원된 미국 특허 가출원 번호 제61/894,954호(APPM/21211L)를 우선권 주장하며, 상기 가출원은 본원에 인용에 의해 통합되어 있다.
본 고안의 실시예들은 일반적으로 기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지체에 관한 것이다.
플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)은 일반적으로 유기 발광 다이오드(OLED) 기판들과 반도체 기판들 등의 기판들 상에 박막들을 증착하기 위해 사용된다. PECVD는 일반적으로 기판 지지체 상에 배치된 기판을 가진 진공 챔버로 전구체 가스를 도입함으로써 달성된다. 전구체 가스는 일반적으로 진공 챔버의 상부 근처에 위치한 가스 분배 샤워헤드를 통해 전달된다. 진공 챔버 내의 전구체 가스는 챔버에 커플링된 하나 이상의 RF 소스로부터 챔버 전극으로 RF 전력을 인가함으로써 플라즈마로 여기된다. 플라즈마는 기판 지지체 상에 위치한 기판의 표면 상에 재료 층을 형성한다. 가스 분배 샤워헤드는 일반적으로 RF 전력 소스에 연결되며, 기판 지지체는 통상적으로 RF 전력 회수 경로를 생성하기 위해 챔버 본체에 연결된다.
대면적 기판들(즉, 약 1600㎠보다 큰 표면적을 가진 기판들)에서, 프로세싱 중에 균일한 조건들을 유지하는 것은, 조건들이 제어된 상태로 유지되어야 하는 광대한 면적으로 인해, 곤란할 수 있다. 기판의 한 영역이 기판의 다른 영역에 비해 상이한 프로세싱 조건들에 노출되는 경우가 흔히 있다. 또한, 대면적 기판과 동일한 면적에 대해 다수의 기판들이 프로세싱되는 경우, 각각의 기판이 상이한 프로세싱 조건들에 노출될 수 있다.
따라서, 실질적으로 균일한 프로세싱 조건들 하에서 작동하는 장치가 당업계에 필요하다.
본 고안은 일반적으로 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지체에 관한 것이다. 기판 지지체는 사분면들로 분할되며, 각각의 사분면은 다른 사분면들과는 독립적으로 가열할 수 있다. 독립적인 가열은 기판 지지체가 공통 기판의 서로 다른 영역들에 대해 또는 기판 지지체 상에 동시에 배치된 각각의 서로 다른 기판에 대해 서로 다른 가열을 제공할 수 있도록 허용한다. 이에 따라, 기판 또는 기판들의 원하는 프로세싱이 발생하는 것을 보장하도록 기판의 가열이 조정될 수 있다.
일 실시예에서, 기판 지지체는 제1 사분면, 제2 사분면, 제3 사분면 및 제4 사분면을 가진 직사각형 기판 지지체 본체와, 상기 제1 사분면 내에 배치되어 상기 기판 지지체 본체의 중심 영역으로부터 연장하는 제1 가열 요소를 포함한다. 상기 제1 가열 요소는 제1 길이를 갖고 상기 중심 영역으로부터 연장하는 제1 세그먼트와, 제2 길이를 가진 제2 세그먼트와, 제3 길이를 갖고 상기 제2 세그먼트에 대해 실질적으로 수직하게 연장하는 제3 세그먼트와, 제4 길이를 갖고 상기 제3 세그먼트에 대해 실질적으로 수직하며 상기 제2 세그먼트에 대해 실질적으로 평행하게 연장하고 상기 중심 영역으로 연장하는 제4 세그먼트를 갖는다. 상기 기판 지지체는 상기 제1 가열 요소에 의해 실질적으로 둘러싸이고 실질적으로 "C"자 형상의 패턴을 가진 제2 가열 요소와, 상기 제1 가열 요소와 상기 제2 가열 요소 사이에 배치된 제1 열전대와, 상기 "C"자 형상의 패턴에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 제2 열전대를 또한 포함한다.
다른 실시예에서, 기판 지지체는 사분면들을 가진 기판 지지체 본체를 포함하며, 각각의 사분면은 제2 가열 요소를 실질적으로 둘러싸는 제1 가열 요소와, 상기 제1 가열 요소와 상기 제2 가열 요소 사이에 배치된 제1 열전대와, 상기 제2 가열 요소에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 제2 열전대를 갖는다.
다른 실시예에서, 기판 지지체는 제1 사분면, 제2 사분면, 제3 사분면 및 제4 사분면을 가진 직사각형 기판 지지체 본체와, 상기 제1 사분면 내에 배치되어 상기 기판 지지체 본체의 중심 영역으로부터 연장하는 제1 전기 연결부에 커플링된 제1 가열 요소를 포함한다. 상기 제1 가열 요소는 상기 기판 지지체 본체의 제1 에지에 대해 실질적으로 평행한 제1 세그먼트와, 상기 제1 세그먼트에 커플링된 제1 곡선형 세그먼트와, 상기 제1 곡선형 세그먼트에 커플링된 역곡선형 코너부와, 상기 역곡선형 코너부에 커플링된 제2 곡선형 세그먼트와, 상기 기판 지지체 본체의 제2 에지에 대해 실질적으로 평행하고 상기 제1 세그먼트에 대해 수직하게 연장하며 상기 중심 영역으로부터 연장하는 제2 전기 연결부로 연장하는 제2 세그먼트를 갖는다. 상기 기판 지지체는 상기 제1 가열 요소에 의해 실질적으로 둘러싸이고 실질적으로 "C"자 형상의 패턴을 가진 제2 가열 요소와, 상기 제1 가열 요소와 상기 제2 가열 요소 사이에 배치된 제1 열전대와, 상기 "C"자 형상의 패턴에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 제2 열전대를 또한 포함한다.
본 고안의 전술한 특징들이 구체적으로 이해될 수 있도록, 첨부 도면들에 그 일부가 도시된 실시예들을 참조하여 위에서 약술한 본 고안에 대해 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 첨부 도면들은 단지 본 고안의 전형적인 실시예들을 도시하고 있을 뿐이며, 본 고안은 다른 동등한 효과를 가진 실시예들을 포함할 수 있으므로, 그 범위를 제한하는 것으로 이해되어서는 아니됨을 유의하여야 한다.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 PECVD 장치의 단면도이다.
도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 가열 요소 및 열전대 요소 레이아웃을 가진 기판 지지체의 개략도이다.
도 3은 본 고안의 다른 실시예에 따른 가열 요소 및 열전대 요소 레이아웃을 가진 기판 지지체의 개략도이다.
이해를 용이하게 하기 위하여, 도면들에서 공통되는 동일한 요소들은 가능한 한 동일한 참조 번호들을 사용하여 표시하였다. 일 실시예에 개시된 요소들은 구체적인 언급 없이 다른 실시예들에서 유리하게 활용될 수 있을 것으로 생각된다.
본 고안은 일반적으로 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지체에 관한 것이다. 기판 지지체는 사분면들로 분할되며, 각각의 사분면은 다른 사분면들과는 독립적으로 가열할 수 있다. 독립적인 가열은 기판 지지체가 공통 기판의 서로 다른 영역들에 대해 또는 기판 지지체 상에 동시에 배치된 각각의 서로 다른 기판에 대해 서로 다른 가열을 제공할 수 있도록 허용한다. 이에 따라, 기판 또는 기판들의 원하는 프로세싱이 발생하는 것을 보장하도록 기판의 가열이 조정될 수 있다.
본원의 상세한 설명은 캘리포니아주 산타 클라라에 소재한 어플라이드 머티어리얼스 인코포레이티드의 자회사인 AKT 아메리카 인코포레이티드로부터 이용가능한 PECVD 챔버를 참조할 것이다. 본원의 실시예들은 다른 제조사들에 의해 판매되는 프로세싱 챔버들을 포함하여, 다른 프로세싱 챔버들에도 동일하게 적용될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 PECVD 장치의 단면도이다. 상기 장치는 하나 이상의 필름들이 기판(120) 상에 증착될 수 있는 챔버(100)를 포함한다. 챔버(100)는 일반적으로 프로세스 용적을 형성하는 벽체(102), 바닥(104) 및 가스 분배 샤워헤드(106)를 포함한다. 프로세스 용적 내에 기판 지지체(118)가 배치된다. 기판(120)이 챔버(100) 내외로 이송될 수 있도록, 프로세스 용적은 슬릿 밸브 개구(108)를 통해 액세스된다. 기판 지지체(118)는 기판 지지체(118)를 승강시키기 위해 액추에이터(116)에 커플링될 수 있다. 기판 수용면에 대해 기판을 근접 및 이격시키기 위해 기판 지지체(118)를 통해 리프트 핀(122)들이 이동가능하게 배치된다. 기판 지지체(118)는 기판 지지체(118)를 원하는 온도로 유지하기 위해 가열 및/또는 냉각 요소(124)들을 또한 포함할 수 있다. 기판 지지체(118)는 기판 지지체(118)의 주연부에 RF 회수 경로를 제공하기 위해 RF 회수 스트랩(126)들을 또한 포함할 수 있다.
가스 분배 샤워헤드(106)는 고정 기구(150)에 의해 백킹 플레이트(112)에 커플링된다. 가스 분배 샤워헤드(106)는 가스 분배 샤워헤드(106)의 처짐을 방지하고/또는 직진도/곡률을 제어하기 위해 하나 이상의 고정 기구(150)들에 의해 백킹 플레이트(112)에 커플링될 수 있다.
가스 분배 샤워헤드(106) 내의 가스 통로들을 통해 가스 분배 샤워헤드(106)와 기판(120) 사이의 프로세싱 영역으로 가스를 제공하기 위해 가스 소스(132)가 백킹 플레이트(112)에 커플링된다. 프로세스 용적을 원하는 압력으로 제어하기 위해 진공 펌프(110)가 챔버(100)에 커플링된다. 가스 분배 샤워헤드(106)에 RF 전류를 제공하기 위해 정합 네트워크(190)를 통해 RF 소스(128)가 백킹 플레이트(112) 및/또는 가스 분배 샤워헤드(106)에 커플링된다. RF 전류는, 가스 분배 샤워헤드(106)와 기판 지지체(118) 사이의 가스들로부터 플라즈마가 생성될 수 있도록, 가스 분배 샤워헤드(106)와 기판 지지체(118) 사이에 전기장을 생성한다.
유도 결합된 원격 플라즈마 소스와 같은 원격 플라즈마 소스(130)가 가스 소스(132)와 백킹 플레이트(112) 사이에 커플링될 수도 있다. 기판들을 프로세싱하는 도중에, 원격 플라즈마가 생성되도록, 원격 플라즈마 소스(130)에 세정 가스가 제공될 수 있다. 챔버(100)의 부품들을 세정하기 위해 원격 플라즈마로부터의 라디칼들이 챔버(100)에 제공될 수 있다. 세정 가스는 가스 분배 샤워헤드(106)에 제공되는 RF 소스(128)에 의해 더 여기될 수 있다.
가스 분배 샤워헤드(106)는 샤워헤드 서스펜션(134)에 의해 백킹 플레이트(112)에 추가적으로 커플링될 수 있다. 샤워헤드 서스펜션(134)은 가스 분배 샤워헤드(106)와 백킹 플레이트(112) 사이에 열전달 접촉을 제공한다. 샤워헤드 서스펜션(134)은 가스 분배 샤워헤드(106)가 위에 안착될 수 있는 립(136)을 가질 수 있다. 백킹 플레이트(112)는 챔버(100)를 밀봉하기 위해 챔버 벽체(102)들에 커플링된 레지(114)의 상부 표면에 안착될 수 있다. 일 실시예에서, 샤워헤드 서스펜션(134)은 백킹 플레이트(112)와 가스 분배 샤워헤드(106) 사이에 상호 연결된 가요성 금속 스커트이다.
도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 가열 요소 및 열전대 요소 레이아웃을 가진 기판 지지체(118)의 개략도이다. 기판 지지체(118)는 4개의 사분면(202, 204, 206, 208)들을 갖는다. 각각의 사분면(202, 204, 206, 208) 내에는, 제2 가열 요소(220)를 실질적으로 둘러싼 제1 가열 요소(240)와 함께 제1 및 제2 가열 요소(240, 220)들이 존재한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 가열 요소(240)는 기판 지지체의 중심 영역(210)으로부터 연장하는 제1 세그먼트(212)를 갖는다. 제1 가열 요소(240)는, 기판 지지체(118)가 안착되는 페데스탈을 통해, 전원에 전기적으로 커플링된다. 제1 세그먼트(212)는 제1 거리(A)만큼 연장되어 제2 세그먼트(214)에 커플링된다. 제2 세그먼트(214)는 곡선부(242)를 통해 제1 세그먼트(212)에 커플링된다. 제2 세그먼트(214)는 제2 거리(B)만큼 연장된다. 제3 세그먼트(216)는 제2 세그먼트(214)에 커플링되며, 제2 세그먼트(214)에 대해 실질적으로 수직하다. 제3 세그먼트(216)는 길이(C)를 가지며, 곡선부(244)를 통해 제2 세그먼트(214)에 커플링된다. 도 2에 도시된 바와 같이, "B"는 "A" 및 "C"보다 더 길다.
제1 세그먼트(212)와 제3 세그먼트(216)는 평행하지 않다. 제3 세그먼트(216)는 에지(246)에 대해 실질적으로 평행한 반면, 제1 세그먼트(212)는 에지(246)에 대해 각도를 이룬다. 제3 세그먼트(216)는 곡선부(250)를 통해 제4 세그먼트(218)에 커플링된다. 제4 세그먼트(218)는 제3 세그먼트(216)에 대해 실질적으로 수직하고, 제2 세그먼트(214)에 대해 실질적으로 평행하며, 기판 지지체(118)의 에지(248)에 대해 실질적으로 평행하다. 에지(248)는 에지(246)에 대해 실질적으로 수직하다. 제4 세그먼트(218)는 제4 거리(D)만큼 연장되며, 중심 영역(210)으로 연장한다.
제2 가열 요소(220)는 실질적으로 "C"자 형상의 패턴을 가지며, 제1 가열 요소(240)에 의해 거의 전부 둘러싸인다. 제2 가열 요소(220)는 제1 가열 요소(240)의 제1 세그먼트(212)에 대해 소정 각도로 연장하는 제1 부분(226)에 의해 중심 영역(210)으로 연장된다. 제2 부분(228)은 곡선부(252)에 의해 제1 부분(226)에 커플링된다. 제2 부분(228)은 제1 가열 요소(240)의 제2 세그먼트(214)에 대해 실질적으로 평행하다. 제2 부분(228)은 곡선부(254)를 통해 제3 부분(230)에 커플링된다. 제3 부분(230)은 제3 세그먼트(216)에 대해 실질적으로 평행하며 제2 부분(228)에 대해 실질적으로 수직하다. 제4 부분(232)은 곡선부(256)를 통해 제3 부분(230)에 커플링된다. 제4 부분(232)은 제4 세그먼트(218)에 대해 실질적으로 평행하다. 제5 부분(234)은 곡선부(258)를 통해 제4 부분(232)에 커플링된다. 제5 부분(234)은 제3 부분(230)에 대해 실질적으로 평행하며 제4 부분(232)에 대해 실질적으로 수직하다. 제6 부분(236)은 곡선부(260)를 통해 제5 부분(234)에 커플링된다. 제6 부분(236)은 제5 부분(234)에 대해 실질적으로 평행하다. 제7 부분(238)은 곡선부(262)를 통해 제6 부분(236)에 커플링된다. 제7 부분(238)은 제6 부분(236)에 대해 실질적으로 수직하다. 또한, 제7 부분(238)은 제4 부분(232)에 대해 실질적으로 평행하며, 제4 부분(232)과의 공통 축을 따라 연장한다.
제2 가열 요소(220)가 제1 열전대(222)를 실질적으로 둘러쌈으로써, 상기 열전대는 곡선부(260), 제5 부분(234) 및 제6 부분(236)에 의해 둘러싸인다. 제1 및 제2 가열 요소(240, 220)들 사이에 제2 열전대(224)가 또한 존재한다. 구체적으로, 제2 열전대는 제1 및 제2 가열 요소(240, 220)들의 곡선부(244, 254)들 사이에 존재한다.
각각의 사분면(202, 204, 206, 208)들은 동일한 가열 요소 및 열전대 레이아웃을 갖는다. 사분면(202) 내의 가열 요소들과 열전대들은 사분면(204)의 가열 요소들과 열전대들의 미러 이미지로 배열되며, 여기서, 이론상 미러는 "Y"축이 된다. 마찬가지로, 사분면(206) 내의 가열 요소들과 열전대들은 사분면(204) 내의 가열 요소들과 열전대들의 미러 이미지로 배열되며, 여기서, 이론상 미러는 "X"축이 된다. 이에 따라, 사분면(208) 내의 가열 요소들과 열전대들은 사분면(202, 206)들 내의 가열 요소들의 미러 이미지들로 경상 배열되며, 여기서, 이론상 미러들은 각각 "X" 및 "Y"축이 된다. 이와 같이, 사분면(208)은 사분면(204)의 뒤집힌 미러 이미지이다.
전체적으로, 4개의 상이한 사분면(202, 204, 206, 208)들이 존재한다. 각각의 사분면(202, 204, 206, 208)은, 기판 지지체(118)의 총 8개의 가열 구역들과 8개의 열전대들을 위해, 2개의 가열 구역들과 2개의 열전대들을 갖는다. 각각 독립적으로 작동할 수 있는 4개의 사분면들이 존재하기 때문에, 기판 상에서 균일한 증착을 보장할 필요가 있는 경우, 사분면들 위에 배치된 기판의 개별 영역들이 서로 다르게 가열될 수 있다. 대안적으로, 다수의 기판들이 존재하는 경우, 각각의 기판이 동일한 기판 지지체(118) 상에 있으면서 서로 다른 기판 온도들로 프로세싱될 수 있다.
도 3은 본 고안의 다른 실시예에 따른 가열 요소 및 열전대 요소 레이아웃을 가진 기판 지지체(118)의 개략도이다. 기판 지지체(118)는 4개의 사분면(302, 304, 306, 308)들로 분할된다. 각각의 사분면(302, 304, 306, 308)은 동일한 가열 요소 및 열전대 레이아웃들을 갖는다. 따라서, 단일 사분면(302, 304, 306, 308)을 참조하여 설명한다.
사분면(302, 304, 306, 308)들은 외측 가열 요소(310)들과 내측 가열 요소(312)들을 갖는다. 외측 가열 요소들은 중심 영역(314)에서 시작하지 않고, 기판 지지체(118)의 에지(316, 318)에 가깝게 시작한다. 도 3에 도시된 바와 같이, "Y"축에 대해 실질적으로 평행하게 중심 영역(314)으로부터 전기 연결부(320)가 연장된다. 가열 요소(312)는 가열 요소 내의 만곡부(322) 직전에서 전기 연결부(320)에 커플링된다. 그리고, 가열 요소는 제1 거리만큼 에지(316)에 대해 실질적으로 평행한 세그먼트(324)를 갖는다. 그리고, 가열 요소는 곡선형 코너부(328)에 대해 역곡선형인 다른 곡선형 세그먼트(330)에 커플링되는 역곡선형 코너부(328)에 연결된 곡선형 세그먼트(326)를 갖는다. 세그먼트(330)는 기판 지지체(118)의 에지(318)에 대해 실질적으로 평행한 세그먼트(332)에 연결된다. 그 후, 가열 요소(310)는 만곡된 다음, 중심 영역(314)으로 다시 연장하는 다른 전기 연결부(334)에 연결된다. 도 3으로부터 명확하게 알 수 있는 바와 같이, 가열 요소들이 중심 영역(314)으로부터 연장하는 대신 전기 연결부(320, 334)들이 존재하기 때문에, 인접한 사분면(302, 304, 306, 308)들 내의 2개의 외측 가열 요소들이 서로 인접하여 배치되지 않는다. 따라서, 가열 요소(310)들이 공통 영역을 "중복 가열"하지 않기 때문에, 사분면(302, 304, 306, 308) 전체의 온도가 실질적으로 균일하게 제어될 수 있다. 세그먼트(324, 332)들은 서로에 대해 실질적으로 수직하다.
내측 가열 요소(312)들은 외측 가열 요소(310)에 비해 상이한 패턴을 갖는다. 도 3에 도시된 바와 같이, 전기 연결부(336)는 중심 영역(314)으로부터 연장하여, 중심 영역 외부의 위치에서 가열 요소(312)에 연결된다. 가열 요소(312)는 에지(318)에 대해 실질적으로 평행한 세그먼트(338)를 갖는다. 곡선형 코너부(340)는 세그먼트(338)와, 에지(316)에 대해서는 실질적으로 평행하지만 세그먼트(338)에 대해서는 실질적으로 수직한 세그먼트(342)에 연결된다. 그리고, 가열 요소(312)는 세그먼트(342)에 대해 실질적으로 평행한 세그먼트(346)까지 곡선부(344) 주위로 180°선회한다. 그리고, 가열 요소(312)는 세그먼트(346)에 대해 실질적으로 평행한 세그먼트(350)까지 곡선부(348) 주위로 다시 180°선회한다. 그리고, 가열 요소(312)는 세그먼트(350)에 대해 실질적으로 평행한 세그먼트(354)에 연결된 곡선부(352)에서 또 다시 180°선회한다. 세그먼트(354)는 중심 영역(314)으로 연장되며, 여기서, 다른 전기 연결부(356)에 연결된다.
제1 열전대(358)는 내측 가열 요소(312)와 외측 가열 요소(310) 사이에 배치되며, 세그먼트(338), 곡선형 코너부(340) 및 세그먼트(342)와 일치하는 패턴을 갖는다. 제1 열전대(358)는 곡선부(344)와 일치하는 대신, 외측 가열 요소(310)의 곡선형 코너부(328)를 향해 외측으로 연장된다. 제2 열전대(360)는 내측 가열 요소(312)로 둘러싸인 영역 내에서 연장된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 내측 가열 요소(312)는 실질적으로 "C"자 형상의 패턴을 갖는다.
각각의 사분면(302, 304, 306, 308)은 동일한 가열 요소 및 열전대 레이아웃을 갖는다. 사분면(302) 내의 가열 요소들과 열전대들은 사분면(304)의 가열 요소들과 열전대들의 미러 이미지로 배열되며, 여기서, 이론상 미러는 "Y"축이 된다. 마찬가지로, 사분면(306) 내의 가열 요소들과 열전대들은 사분면(304) 내의 가열 요소들과 열전대들의 미러 이미지로 배열되며, 여기서, 이론상 미러는 "X"축이 된다. 이에 따라, 사분면(308) 내의 가열 요소들과 열전대들은 사분면(302, 306)들 내의 가열 요소들의 미러 이미지들로 경상 배열되며, 여기서, 이론상 미러들은 각각 "X" 및 "Y"축이 된다. 이와 같이, 사분면(308)은 사분면(304)의 뒤집힌 미러 이미지이다.
전체적으로, 4개의 상이한 사분면(302, 304, 306, 308)들이 존재한다. 각각의 사분면(302, 304, 306, 308)은, 기판 지지체(118)의 총 8개의 가열 구역들과 8개의 열전대들을 위해, 2개의 가열 구역들과 2개의 열전대들을 갖는다. 각각 독립적으로 작동할 수 있는 4개의 사분면들이 존재하기 때문에, 기판 상에서 균일한 증착을 보장할 필요가 있는 경우, 사분면들 위에 배치된 기판의 개별 영역들이 서로 다르게 가열될 수 있다. 대안적으로, 다수의 기판들이 존재하는 경우, 각각의 기판이 동일한 기판 지지체(118) 상에 있으면서 서로 다른 기판 온도들로 프로세싱될 수 있다.
이상의 설명은 본 고안의 실시예들에 관한 것이나, 본 고안의 기본적인 범위를 벗어나지 않고 다른 추가적인 실시예들이 안출될 수 있으며, 그 범위는 하기된 특허청구범위에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판 지지체로서,
    제1 사분면, 제2 사분면, 제3 사분면 및 제4 사분면을 가진 직사각형 기판 지지체 본체;
    상기 제1 사분면 내에 배치되어 상기 기판 지지체 본체의 중심 영역으로부터 연장하는 제1 가열 요소로서,
    제1 길이를 갖고 상기 중심 영역으로부터 연장하는 제1 세그먼트;
    제2 길이를 가진 제2 세그먼트;
    제3 길이를 갖고 상기 제2 세그먼트에 대해 실질적으로 수직하게 연장하는 제3 세그먼트; 및
    제4 길이를 갖고 상기 제3 세그먼트에 대해 실질적으로 수직하게 연장하며 상기 제2 세그먼트에 대해 실질적으로 평행하고 상기 중심 영역으로 연장하는 제4 세그먼트를 가진, 제1 가열 요소;
    상기 제1 가열 요소에 의해 실질적으로 둘러싸이고 실질적으로 "C"자 형상의 패턴을 가진 제2 가열 요소;
    상기 제1 가열 요소와 상기 제2 가열 요소 사이에 배치된 제1 열전대; 및
    상기 "C"자 형상의 패턴에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 제2 열전대를 포함하는,
    기판 지지체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 가열 요소는,
    상기 중심 영역으로부터 연장하는 제1 부분;
    상기 제1 부분에 커플링된 제2 부분;
    상기 제2 부분에 커플링된 제3 부분;
    상기 제3 부분에 커플링된 제4 부분;
    상기 제4 부분에 커플링된 제5 부분;
    상기 제5 부분에 커플링된 제6 부분; 및
    상기 제6 부분에 커플링되고 상기 중심 영역으로 연장하는 제7 부분을 갖는,
    기판 지지체.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 부분은 상기 제2 세그먼트에 대해 실질적으로 평행한,
    기판 지지체.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 부분은 곡선부를 통해 상기 제1 부분에 커플링되는,
    기판 지지체.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제3 부분은 상기 제3 세그먼트에 대해 실질적으로 평행한,
    기판 지지체.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제4 부분과 상기 제7 부분은 실질적으로 평행한,
    기판 지지체.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제4 부분과 상기 제7 부분은 공통 축을 따라 정렬된,
    기판 지지체.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제5 부분과 상기 제6 부분은 실질적으로 평행한,
    기판 지지체.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제5 부분과 상기 제6 부분은 상기 제4 부분과 상기 제7 부분에 대해 실질적으로 수직한,
    기판 지지체.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제2 열전대는 상기 제6 부분, 상기 제5 부분 및 상기 제5 부분을 상기 제6 부분에 커플링하는 곡선부 사이에 배치된,
    기판 지지체.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 열전대는 상기 제2 세그먼트를 상기 제3 세그먼트에 커플링하는 곡선부와 상기 제2 부분을 상기 제3 부분에 커플링하는 곡선부 사이에 배치된,
    기판 지지체.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제2 사분면은 상기 제1 사분면의 미러 이미지인,
    기판 지지체.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제3 사분면은 상기 제1 사분면의 미러 이미지인,
    기판 지지체.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제4 사분면은 상기 제2 사분면과 상기 제3 사분면 양쪽 모두의 미러 이미지인,
    기판 지지체.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제2 사분면은 상기 제1 사분면의 미러 이미지인,
    기판 지지체.
KR2020140007709U 2013-10-24 2014-10-23 사분면들을 구비한 기판 지지체 KR200490775Y1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361894954P 2013-10-24 2013-10-24
US61/894,954 2013-10-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150001688U true KR20150001688U (ko) 2015-05-04
KR200490775Y1 KR200490775Y1 (ko) 2019-12-31

Family

ID=52994239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020140007709U KR200490775Y1 (ko) 2013-10-24 2014-10-23 사분면들을 구비한 기판 지지체

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9677177B2 (ko)
JP (1) JP3198619U (ko)
KR (1) KR200490775Y1 (ko)
CN (1) CN204407286U (ko)
TW (1) TWM505059U (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160109833A (ko) * 2015-03-13 2016-09-21 주성엔지니어링(주) 기판 처리장치에 구비되는 기판안착부
KR20180024178A (ko) * 2016-08-29 2018-03-08 주성엔지니어링(주) 기판 안착 유닛 및 그를 포함한 기판 처리 장치
KR20180040282A (ko) * 2016-10-12 2018-04-20 주성엔지니어링(주) 기판 처리장치에 구비되는 기판안착부

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9157730B2 (en) * 2012-10-26 2015-10-13 Applied Materials, Inc. PECVD process
US9677177B2 (en) * 2013-10-24 2017-06-13 Applied Materials, Inc. Substrate support with quadrants
JP6869882B2 (ja) * 2017-12-21 2021-05-12 株式会社ニフコ 面状発熱体、および、車両用ウインドシールド装置
DE102018212094A1 (de) * 2018-07-19 2020-01-23 E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH Heizeinrichtung für ein Kochfeld und Kochfeld
WO2023091629A2 (en) * 2021-11-22 2023-05-25 Cvd Equipment Corporation Improvements in chemical vapor deposition systems

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5294778A (en) * 1991-09-11 1994-03-15 Lam Research Corporation CVD platen heater system utilizing concentric electric heating elements
US20060186110A1 (en) * 2005-02-22 2006-08-24 Mark Campello Electric heater with resistive carbon heating elements
KR20090004972U (ko) * 2006-08-08 2009-05-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 지지대의 가열 및 냉각

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5650082A (en) 1993-10-29 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Profiled substrate heating
US6469283B1 (en) 1999-03-04 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing thermal gradients within a substrate support
US20040149718A1 (en) * 2000-04-07 2004-08-05 Yasutaka Ito Ceramic heater
US8084719B2 (en) * 2005-01-24 2011-12-27 Whirlpool Corporation Variable heat distribution for indoor cooking appliance
US8226769B2 (en) 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US20100116788A1 (en) 2008-11-12 2010-05-13 Lam Research Corporation Substrate temperature control by using liquid controlled multizone substrate support
US8637794B2 (en) 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
US9677177B2 (en) * 2013-10-24 2017-06-13 Applied Materials, Inc. Substrate support with quadrants

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5294778A (en) * 1991-09-11 1994-03-15 Lam Research Corporation CVD platen heater system utilizing concentric electric heating elements
US20060186110A1 (en) * 2005-02-22 2006-08-24 Mark Campello Electric heater with resistive carbon heating elements
KR20090004972U (ko) * 2006-08-08 2009-05-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 지지대의 가열 및 냉각

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160109833A (ko) * 2015-03-13 2016-09-21 주성엔지니어링(주) 기판 처리장치에 구비되는 기판안착부
KR20180024178A (ko) * 2016-08-29 2018-03-08 주성엔지니어링(주) 기판 안착 유닛 및 그를 포함한 기판 처리 장치
KR20180040282A (ko) * 2016-10-12 2018-04-20 주성엔지니어링(주) 기판 처리장치에 구비되는 기판안착부

Also Published As

Publication number Publication date
KR200490775Y1 (ko) 2019-12-31
TWM505059U (zh) 2015-07-11
US10123379B2 (en) 2018-11-06
US9677177B2 (en) 2017-06-13
US20150114948A1 (en) 2015-04-30
CN204407286U (zh) 2015-06-17
JP3198619U (ja) 2015-07-16
US20170231033A1 (en) 2017-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR200490775Y1 (ko) 사분면들을 구비한 기판 지지체
US10790120B2 (en) Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate
US11130142B2 (en) Showerhead having a detachable gas distribution plate
US8444926B2 (en) Processing chamber with heated chamber liner
US10557202B2 (en) Method of processing a substrate support assembly
US8982530B2 (en) Methods and apparatus toward preventing ESC bonding adhesive erosion
US20140272341A1 (en) Thermal treated sandwich structure layer to improve adhesive strength
WO2017213714A1 (en) High power electrostatic chuck with aperture-reducing plug in a gas hole
US11236424B2 (en) Process kit for improving edge film thickness uniformity on a substrate
JP2014528155A (ja) フリップエッジシャドーフレーム
CN114981475A (zh) 用于原子层沉积前驱物输送的喷头
KR102343265B1 (ko) 자가-센터링 페데스탈 가열기
US20170211185A1 (en) Ceramic showerhead with embedded conductive layers
TWI812598B (zh) 設置於基板處理設備的基座

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X70R Decision to refuse application
AMND Amendment
GRNO Decision to grant (after opposition)
REGI Registration of establishment