KR20150000387A - Light emitting device and method of fabricating the same - Google Patents

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KR20150000387A KR20130165829A KR20130165829A KR20150000387A KR 20150000387 A KR20150000387 A KR 20150000387A KR 20130165829 A KR20130165829 A KR 20130165829A KR 20130165829 A KR20130165829 A KR 20130165829A KR 20150000387 A KR20150000387 A KR 20150000387A
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이미희
이준희
김창연
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Abstract

Disclosed are a light emitting device and a method of fabricating the same. The light emitting device includes a support substrate, a light emitting chip which has electrodes separated with each other in a lower part and is formed on the support substrate, a sidewall part which surrounds the side of the light emitting chip, and a support part which fills a space between the electrodes. The light emitting chip is separated from a growth substrate. According to the present invention, the reliability of a semiconductor package can be improved.

Description

발광소자 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting device,

본 발명은 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 성장 기판이 분리된 발광 칩을 포함하는 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a light emitting device including a light emitting chip in which a growth substrate is separated and a method of manufacturing the same.

발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합으로 발생되는 광을 발하는 무기 반도체 소자로서, 최근, 디스플레이, 자동차 램프, 일반 조명 등의 여러 분야에서 사용되고 있다.BACKGROUND ART Light emitting diodes (LEDs) are inorganic semiconductor devices that emit light generated by the recombination of electrons and holes. Recently, they have been used in various fields such as displays, automobile lamps, and general lighting.

발광 다이오드는 전극이 배치되는 위치, 또는 상기 전극이 외부 리드와 연결되는 방식 등에 따라서 수평형 발광 다이오드, 수직형 발광 다이오드 또는 플립칩(flip-chip)형 발광 다이오드 등으로 분류될 수 있다.The light emitting diode may be classified into a horizontal type light emitting diode, a vertical type light emitting diode, or a flip-chip type light emitting diode according to the position where the electrodes are disposed or the manner in which the electrodes are connected to the external leads.

수평형 발광 다이오드는 제조 방법이 비교적 간단하여 가장 폭넓게 사용된다. 이러한 수평형 발광 다이오드는 성장기판이 하부에 그대로 형성되어 있다. 상기 발광 다이오드의 성장 기판으로서 사파이어 기판이 가장 폭 넓게 사용되는데, 사파이어 기판은 열전도성이 낮아서 발광 다이오드의 열방출이 어렵다. 이에 따라, 발광 다이오드의 접합 온도가 높아지고, 내부 양자 효율이 저하되며, 고전류 구동용으로 부적합하다.Horizontal type light emitting diodes are most widely used because of a relatively simple manufacturing method. In such a horizontal flat type light emitting diode, a growth substrate is formed directly on the bottom. A sapphire substrate is the most widely used as a growth substrate of the light emitting diode. The sapphire substrate has a low thermal conductivity, so that heat emission of the light emitting diode is difficult. As a result, the junction temperature of the light emitting diode increases, the internal quantum efficiency decreases, and the device is unsuitable for driving a high current.

상술한 수평형 발광 다이오드의 문제점을 해결하고자, 수직형 발광 다이오드 또는 플립칩형 발광 다이오드가 개발되고 있다. 특히, 플립칩형 발광 다이오드에서, 성장 기판으로 사용된 기판, 특히, 사파이어 기판을 반도체층으로부터 분리하여 광 효율을 높이는 기술이 연구, 개발되고 있다.In order to solve the above-described problems of the horizontal type light emitting diode, vertical type light emitting diodes or flip chip type light emitting diodes have been developed. Particularly, in a flip chip type light emitting diode, a technique for improving a light efficiency by separating a substrate used as a growth substrate, particularly, a sapphire substrate from a semiconductor layer has been researched and developed.

도 1은 종래의 플립칩형 발광 다이오드 및 발광소자를 도시한다. 도 1에 따른 종래의 발광소자는, 제1 범프 메탈(41), 제2 범프 메탈(43), 제1 전극(31), 제2 전극(33), 상기 범프 메탈들(41, 43) 상에 위치하는 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(123), 제2 도전형 반도체층(125), 성장 기판(110)을 포함한다. 상기 반도체층들에 있어서, 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)의 일부가 제거되어 제1 도전형 반도체층(121)이 부분적으로 노출되고, 상기 노출된 제1 도전형 반도체층(121)의 하면에 제1 전극(31)이 형성된다. 또한, 제2 전극(33)은 상기 제2 도전형 반도체층(125)의 아래에 형성된다. 이때, 제1 도전형 반도체층(121)과 제2 도전형 반도체층(125)은 각각 제1 전극(31) 및 제2 전극(33)에 전기적으로 연결된다.1 shows a conventional flip chip type light emitting diode and a light emitting device. 1 includes a first bump metal 41, a second bump metal 43, a first electrode 31, a second electrode 33, a plurality of bump electrodes 41 and 43, An active layer 123, a second conductivity type semiconductor layer 125, and a growth substrate 110. The first conductive semiconductor layer 121, the active layer 123, the second conductivity type semiconductor layer 125, In the semiconductor layers, the active layer 123 and the second conductivity type semiconductor layer 125 are partially removed to partially expose the first conductivity type semiconductor layer 121, The first electrode 31 is formed on the lower surface of the substrate 121. Further, a second electrode 33 is formed below the second conductive type semiconductor layer 125. At this time, the first conductive semiconductor layer 121 and the second conductive semiconductor layer 125 are electrically connected to the first electrode 31 and the second electrode 33, respectively.

상기 종래의 플립칩형 발광소자에 있어서, 성장 기판(110)을 상기 제1 도전형 반도체층(121)으로부터 분리함으로써, 발광소자의 열방출 효율 및 광 효율을 향상시킬 수 있다. 일반적으로, 성장 기판(110)은 사파이어 기판을 이용할 수 있고, 이때, 성장 기판(110)은 레이저 리프트 오프(LASER lift-off)를 이용하여 제거된다. In the conventional flip chip type light emitting device, the heat emission efficiency and the light efficiency of the light emitting device can be improved by separating the growth substrate 110 from the first conductivity type semiconductor layer 121. Generally, the growth substrate 110 can be a sapphire substrate, and the growth substrate 110 is removed using a laser lift-off.

레이저 리프트 오프를 이용하여 성장 기판(110)을 제1 도전형 반도체층(121)으로부터 분리할 때, 반도체층들(121, 123, 125)에 응력이 가해질 수 있다. 그런데, 성장 기판(110)은 수십 ㎛ 이상의 두께를 갖는 반면, 반도체층들(121, 123, 125)의 두께는 약 5㎛에 불과하여, 성장 기판(110) 분리시 발생된 응력에 의해 반도체층(121, 123, 125)들이 쉽게 깨지거나 손상될 수 있다. 특히, 제1 및 제2 전극(31, 33)이 형성되지 않은 영역인 A-A' 선 주변의 반도체층 영역에 응력이 인가될 경우, 제1 전극(31) 또는 제2 전극(33)과 같이 반도체층을 지지해주는 부가적인 구성이 없다. 따라서, 상기 A-A' 선 주변의 반도체층 영역이 쉽게 손상되거나 파손되어, 플립칩형 발광 칩을 갖는 발광소자에서 성장 기판(110)을 분리하는 것이 매우 어렵다. Stress may be applied to the semiconductor layers 121, 123, and 125 when the growth substrate 110 is separated from the first conductivity type semiconductor layer 121 using a laser lift-off. The thickness of the semiconductor layers 121, 123 and 125 is only about 5 占 퐉, and the stress generated during the separation of the growth substrate 110 causes the semiconductor layer 121, (121, 123, 125) can be easily broken or damaged. Particularly, when stress is applied to the semiconductor layer region around the line AA ', which is the region where the first and second electrodes 31 and 33 are not formed, the first electrode 31 or the second electrode 33, There is no additional configuration to support the layer. Accordingly, it is very difficult to separate the growth substrate 110 from the light emitting device having the flip chip type light emitting chip because the semiconductor layer region around the line A-A 'is easily damaged or broken.

이러한 이유로 종래의 플립칩형 발광 칩을 갖는 발광소자는 성장 기판을 그대로 포함하므로, 광 출력이 제한적이다. 또한, 발광소자의 상면 및 측면에 형광체 등을 포함하는 파장변환부를 형성하는 경우, 공정상의 한계로 인하여 측면에는 균일하게 파장변환부를 형성하기 어려운 문제가 있는데, 특히, 성장 기판은 반도체층에 비해 현저히 두꺼워 발광소자의 측면 대부분이 성장 기판의 측면에 해당한다. 이러한 발광소자의 측면에 불균일하게 형성된 파장변환부는 발광소자에서 방출되는 광의 문제를 발생시킨다. 예를 들어, 백색 발광소자를 구현하기 위하여 청색 발광 칩을 포함하는 발광소자의 상면 및 측면에 파장변환부를 형성한 경우, 측면에 불균일하게 형성된 파장변환부에 의해 황색고리(yellow ring) 형태의 광이 방출된다. 이는 조명 기구 등에 있어서 매우 치명적인 불량에 해당한다.For this reason, the light emitting device having the conventional flip chip type light emitting chip includes the growth substrate as it is, so that the light output is limited. In addition, in the case of forming a wavelength conversion portion including a phosphor or the like on the upper and side surfaces of the light emitting device, there is a problem that it is difficult to uniformly form the wavelength conversion portion on the side surface due to process limitations. Particularly, Most of the side surface of the light emitting device corresponds to the side surface of the growth substrate. The wavelength conversion part formed non-uniformly on the side surface of such a light emitting element causes a problem of light emitted from the light emitting element. For example, when a wavelength conversion unit is formed on the upper surface and side surfaces of a light emitting device including a blue light emitting chip to realize a white light emitting device, Lt; / RTI > This is a very lethal defect in a lighting apparatus and the like.

따라서, 현재 시장에서 요구하는 수준의 광 출력을 얻고, 방출 광을 균일하게 하기 위하여, 플립칩형 발광 칩을 갖는 발광소자에서 반도체층의 손상없이 성장 기판을 분리할 수 있는 방법이 요구된다.Accordingly, there is a demand for a method capable of separating a growth substrate without damaging a semiconductor layer in a light emitting device having a flip chip type light emitting chip, in order to obtain a light output level required in the present market and to uniformize emitted light.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 성장 기판이 분리되어 광 효율이 향상된 발광소자를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a light emitting device in which a growth substrate is separated to improve light efficiency.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 반도체층을 손상시키지 않고 용이하게 성장 기판을 분리할 수 있는 발광소자 제조 방법을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a light emitting device that can easily separate a growth substrate without damaging the semiconductor layer.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 광 효율이 향상되며, 발광이 균일한 발광소자를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting device having improved light efficiency and uniform light emission.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 지지 기판, 서로 이격되어 하부에 배치된 전극들을 가지며, 상기 지지 기판 상에 위치하는 발광 칩, 상기 발광 칩의 측면을 둘러싸는 측벽부, 및 상기 전극들의 사이 공간을 채우는 지지부를 포함하고, 상기 발광 칩은 성장 기판으로부터 분리된 것이다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a light emitting device package including: a support substrate; a light emitting chip disposed on the support substrate and spaced apart from the light emitting chip, the side wall surrounding the side surface of the light emitting chip; And a support for filling a space between the electrodes, wherein the light emitting chip is separated from the growth substrate.

상기 발광 칩의 측면과 상기 측벽부는 서로 접할 수 있다.The side surface of the light emitting chip and the side wall portion may be in contact with each other.

상기 지지부는 상기 발광 칩의 하면과 상기 지지 기판의 상면 사이의 이격 공간을 더 채울 수 있다.The supporting portion may further fill the space between the lower surface of the light emitting chip and the upper surface of the supporting substrate.

또한, 상기 지지부는 절연성일 수 있다.Further, the supporting portion may be insulating.

몇몇 실시예들에 있어서, 상기 측벽부와 상기 지지부는 동일 물질로 형성될 수 있다.In some embodiments, the sidewall portion and the support portion may be formed of the same material.

나아가, 상기 측벽부는 수지를 포함할 수 있고, 상기 수지는 Si를 포함할 수 있다.Further, the side wall portion may include a resin, and the resin may include Si.

상기 발광소자 패키지는, 상기 발광 칩의 상면을 덮는 파장변환부를 더 포함할 수 있다.The light emitting device package may further include a wavelength converting unit covering an upper surface of the light emitting chip.

상기 파장변환부는 상기 측벽부의 상면을 더 덮을 수 있다.The wavelength converting portion may further cover an upper surface of the side wall portion.

상기 지지 기판은 회로 패턴을 더 포함할 수 있다.The supporting substrate may further include a circuit pattern.

상기 회로 패턴은 상기 지지 기판 하면에 위치하는 리드 패턴을 포함할 수 있다.The circuit pattern may include a lead pattern positioned on the lower surface of the support substrate.

한편, 상기 발광 칩은 상면에 형성된 거칠어진 표면을 가질 수 있다.Meanwhile, the light emitting chip may have a roughened surface formed on the upper surface.

몇몇 실시예들에 있어서, 상기 발광 칩은, 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하는 활성층, 상기 활성층 상에 위치하는 제1 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 위치하며, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층에 각각 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극, 및 상기 제2 도전형 반도체층 및 활성층의 일부가 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층의 일부가 노출된 영역으로 구획되는 적어도 하나의 메사를 포함할 수 있고, 상기 메사의 측면은 60 내지 90°의 기울기를 가질 수 있다.In some embodiments, the light emitting chip may include a second conductivity type semiconductor layer, an active layer located on the second conductivity type semiconductor layer, a first conductivity type semiconductor layer located on the active layer, A first electrode and a second electrode which are located under the semiconductor layer and are electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, respectively, and a part of the second conductivity type semiconductor layer and the active layer are removed The mesa structure may include at least one mesa in which a portion of the first conductivity type semiconductor layer is exposed, and a side surface of the mesa may have a slope of 60 to 90 degrees.

상기 발광 칩은, 상기 메사 아래에 위치하는 반사 금속층을 더 포함할 수 있다.The light emitting chip may further include a reflective metal layer located under the mesa.

상기 발광 칩은, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 전극을 절연시키고, 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제1 전극을 절연시키는 절연층을 더 포함할 수 있다.The light emitting chip may further include an insulating layer for insulating the first conductive type semiconductor layer from the second electrode and insulating the second conductive type semiconductor layer from the first electrode.

상기 절연층의 적어도 일부분은 상기 제1 전극과 제2 도전형 반도체층 사이 및 제2 전극과 제1 도전형 반도체층 사이에 개재될 수 있다.At least a portion of the insulating layer may be interposed between the first electrode and the second conductivity type semiconductor layer and between the second electrode and the first conductivity type semiconductor layer.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조 방법은, 지지 기판 상에 성장 기판 및 발광 구조체를 포함하는 발광 칩을 배치하되, 상기 성장 기판은 상기 발광 구조체의 상부에 위치하고, 상기 발광 칩은 그 하면에 형성되며 서로 이격된 전극들을 포함하고, 적어도 상기 전극들 사이 영역을 채우는 지지부를 형성하고, 상기 발광 칩의 측면을 둘러싸는 측벽부를 형성하고, 상기 발광 구조체로부터 상기 성장 기판을 분리하는 것을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device package, the method including disposing a growth substrate and a light emitting chip including a light emitting structure on a support substrate, the growth substrate being positioned on the light emitting structure, Forming a supporting portion which is formed on the lower surface thereof and which is spaced apart from each other and which fills at least an area between the electrodes, forming a side wall portion surrounding the side surface of the light emitting chip, and separating the growth substrate from the light emitting structure .

또한, 상기 성장 기판은 사파이어 기판일 수 있고, 상기 성장 기판은 레이저 리프트 오프를 이용하여 상기 발광 구조체로부터 분리될 수 있다.Also, the growth substrate may be a sapphire substrate, and the growth substrate may be separated from the light emitting structure using a laser lift-off.

상기 지지부와 상기 측벽부는 동일 공정으로 형성될 수 있다.The supporting portion and the side wall portion may be formed by the same process.

상기 지지부는 상기 발광 구조체의 하면과 상기 지지 기판의 상면 사이의 이격 공간을 더 채울 수 있다.The supporting portion may further fill the space between the lower surface of the light emitting structure and the upper surface of the supporting substrate.

상기 제조 방법은, 상기 발광 구조체로부터 상기 성장 기판을 분리한 후, 상기 발광 구조체의 상면을 덮는 파장변환부를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.The manufacturing method may further include forming a wavelength converting portion covering the upper surface of the light emitting structure after separating the growth substrate from the light emitting structure.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자는, 서로 이격되어 하부에 배치된 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 발광 칩; 및 상기 제1 전극 및 제2 전극의 적어도 일부의 측면을 감싸되, 상기 제1 전극 및 제2 전극 하면의 적어도 일부를 노출시키는 비아홀을 포함하는 지지부를 포함하고, 상기 발광 칩은 성장 기판으로부터 분리된다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a light emitting device including: a light emitting chip having a first electrode and a second electrode which are spaced apart from each other and disposed at a lower portion; And a support portion surrounding the side surfaces of at least a portion of the first electrode and the second electrode and including a via hole exposing at least a part of the first and second electrode surfaces, do.

상기 지지부는 절연성 물질일 수 있고, 상기 절연성 물질은 포토레지스트를 포함할 수 있다. 나아가, 상기 포토레지스트는 360nm 이상의 파장을 갖는 광에 대해서 40% 이상의 투과율을 가질 수 있다.The supporting portion may be an insulating material, and the insulating material may include a photoresist. Furthermore, the photoresist can have a transmittance of 40% or more with respect to light having a wavelength of 360 nm or more.

또한, 상기 발광 칩은 자외선 영역의 피크 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다.In addition, the light emitting chip can emit light having a peak wavelength in the ultraviolet region.

상기 제1 전극은 제1 전극 패드 및 상기 제1 전극 패드 아래에 위치하는 제1 비아 전극을 포함할 수 있고, 상기 제2 전극은 제2 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드 아래에 위치하는 제2 비아 전극을 포함할 수 있고, 상기 제1 비아 전극 및 제2 비아 전극이 하면은 상기 지지부 하부에 노출될 수 있다.The first electrode may include a first electrode pad and a first via electrode positioned under the first electrode pad. The second electrode may include a second electrode pad and a second electrode pad located under the second electrode pad. And the lower surface of the first via-electrode and the second via-electrode may be exposed under the support.

상기 제1 비아 전극 및 제2 비아 전극 각각은 상기 지지부 하면을 부분적으로 덮는 연장부를 포함할 수 있다.Each of the first via-electrode and the second via-electrode may include an extension portion that partially covers the bottom surface of the support portion.

상기 발광소자는, 상기 발광 칩의 상면 및 측면을 덮는 파장변환부를 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a wavelength converting unit covering an upper surface and a side surface of the light emitting chip.

상기 파장변환부는 지지부의 측면을 더 덮을 수 있다.The wavelength converting portion may further cover the side surface of the support portion.

다른 실시예들에 있어서, 상기 지지부는 광 반사성 물질을 포함할 수 있다.In other embodiments, the support may comprise a light reflective material.

상기 발광소자는, 상기 제1 비아 전극 및 상기 제2 비아 전극의 측면을 감싸는 반사층을 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a reflective layer surrounding a side surface of the first via electrode and the second via electrode.

또한, 상기 제1 비아 전극 및 제2 비아 전극 각각은 상기 지지부 하면을 부분적으로 덮는 연장부를 포함할 수 있고, 상기 반사층은 상기 지지부의 하면을 부분적으로 더 덮되, 상기 반사층은 상기 제1 비아 전극과 상기 지지부 사이, 및 상기 제2 비아 전극과 상기 지지부 사이에 개재될 수 있다.The first via-electrode and the second via-electrode may each include an extension part that partially covers the lower surface of the support part, and the reflection layer partially covers the lower surface of the support part, and the reflection layer covers the first via- Between the supporting portions, and between the second via-electrode and the supporting portion.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 제조 방법은, 성장 기판 및 상기 성장 기판 상에 위치하는 발광 구조체를 포함하는 발광 칩을 준비하고; 상기 발광 칩 상에 상기 발광 칩의 상면을 부분적으로 노출시키는 적어도 2개의 비아홀을 포함하는 지지부를 형성하고; 상기 비아홀을 채우는 제1 비아 전극 및 제2 비아 전극을 형성하고; 상기 발광 구조체로부터 상기 성장 기판을 분리하는 것을 포함한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device, comprising: preparing a light emitting chip including a growth substrate and a light emitting structure located on the growth substrate; Forming a support on the light emitting chip, the support including at least two via holes partially exposing an upper surface of the light emitting chip; Forming a first via-electrode and a second via-electrode filling the via-hole; And separating the growth substrate from the light emitting structure.

상기 지지부는 절연성 물질을 포함할 수 있고, 상기 절연성 물질은 포토레지스트를 포함할 수 있다.The supporting portion may include an insulating material, and the insulating material may include a photoresist.

상기 지지부를 형성하는 것은, 상기 발광 구조체의 상면을 덮는 지지부를 도포하고; 상기 지지부에 자외선 광을 조사하여 패턴 식각하는 것을 포함할 수 있다.The forming of the supporting portion may include: applying a supporting portion covering the upper surface of the light emitting structure; And irradiating the support with ultraviolet light to pattern-etch.

상기 포토레지스트는 360nm 이상의 파장을 갖는 광에 대해서 40% 이상의 투과율을 가질 수 있다.The photoresist may have a transmittance of 40% or more with respect to light having a wavelength of 360 nm or more.

상기 제조 방법은, 상기 지지부를 형성하기 전에, 상기 발광 구조체 상에 서로 이격된 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드를 형성하는 것을 더 포함할 수 있고, 상기 제1 비아 전극 및 제2 비아 전극 각각은 상기 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드 상에 위치할 수 있다.The method may further include forming first electrode pads and second electrode pads spaced apart from each other on the light emitting structure before forming the supporting portion, wherein each of the first via electrode and the second via electrode May be positioned on the first electrode pad and the second electrode pad.

상기 제조 방법은, 상기 성장 기판을 분리한 후, 상기 발광 칩의 상기 성장 기판이 분리되어 노출된 면과 상기 발광 칩의 측면을 덮는 파장변환부를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.The manufacturing method may further include forming a wavelength conversion portion covering the exposed surface of the growth substrate of the light emitting chip and the side surface of the light emitting chip after the growth substrate is separated.

상기 파장변환부는 상기 지지부의 측면을 더 덮을 수 있다.The wavelength converting portion may further cover a side surface of the support portion.

몇몇 실시예들에서, 상기 성장 기판은 레이저 리프트 오프, 화학적 리프트 오프 또는 응력 리프트 오프를 이용하여 상기 발광 구조체로부터 분리될 수 있다.In some embodiments, the growth substrate may be separated from the light emitting structure using a laser lift off, a chemical lift off, or a stress lift off.

또한, 상기 제조 방법은, 상기 제1 비아 전극 및 제2 비아 전극을 형성하기 전에, 상기 비아홀의 측면을 덮는 반사층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있고, 상기 반사층은 상기 제1 비아 전극과 상기 지지부 사이, 및 상기 제2 비아 전극과 상기 지지부 사이에 개재될 수 있다.The method may further include forming a reflective layer covering a side surface of the via hole before forming the first via-electrode and the second via-electrode, wherein the reflective layer is disposed between the first via- And between the second via-electrode and the support.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 제조 방법은, 성장 기판, 상기 성장 기판 상에 위치하는 발광 구조체를 포함하는 웨이퍼를 준비하되, 상기 발광 구조체는 복수의 소자 단위 영역을 포함하고; 상기 복수의 소자 단위 영역의 각각 위에 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 및 제2 전극의 사이를 채우는 지지부를 형성하고; 상기 성장 기판을 상기 발광 구조체로부터 분리하고; 상기 발광 구조체의 복수의 소자 단위 영역을 개별화하는 것을 포함한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device, comprising: preparing a wafer including a growth substrate and a light emitting structure disposed on the growth substrate, the light emitting structure including a plurality of device unit regions; Forming a first electrode, a second electrode, and a supporter for filling between the first and second electrodes on each of the plurality of element unit regions; Separating the growth substrate from the light emitting structure; And individualizing a plurality of element unit regions of the light emitting structure.

상기 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 지지부를 형성하는 것은, 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드를 상기 복수의 소자 단위 영역 상에 형성하고; 상기 제1 및 제2 전극 패드 사이를 채우는 메탈 마스크를 형성하되, 상기 제1 및 제2 전극 패드 상에 제1 범프 형성 영역 및 제2 범프 형성 영역을 형성하고; 상기 제1 및 제2 범프 형성 영역을 각각 채우는 제1 범프 및 제2 범프를 형성하여, 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 것을 포함하되, 상기 제1 및 제2 범프를 형성하는 것은, 솔더 메탈을 도포한 후 경화하는 것을 포함할 수 있다.The forming of the first electrode, the second electrode, and the supporting portion may include forming a first electrode pad and a second electrode pad on the plurality of element unit regions; Forming a metal mask filling between the first and second electrode pads, forming a first bump forming region and a second bump forming region on the first and second electrode pads; Forming a first bump and a second bump to fill the first and second bump forming regions, respectively, to form a first electrode and a second electrode, wherein forming the first and second bumps comprises: Applying a metal, and then curing.

나아가, 상기 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 지지부를 형성하는 것은, 상기 메탈 마스크를 제거하고; 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이를 채우는 지지부를 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 지지부를 형성하는 것은, 절연성 물질 또는 폴리머 물질을 도포한 후 경화하는 것을 포함할 수 있다.Further, forming the first electrode, the second electrode, and the support may include removing the metal mask; Forming a support for filling between the first electrode and the second electrode, wherein forming the support may include applying an insulating material or a polymer material and then curing.

또한, 상기 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 지지부를 형성하는 것은, 상기 웨이퍼 상에 제1 전극 패드, 제2 전극 패드, 및 지지부를 형성하되, 상기 지지부는 상기 제1 및 제2 전극 패드 각각의 위에 위치하는 제1 범프 형성 영역, 및 제2 범프 형성 영역을 포함하고; 상기 제1 및 제2 범프 형성 영역을 채우는 제1 범프 및 제2 범프를 형성하는 것을 포함하되, 상기 제1 범프 및 제2 범프를 형성하는 것은, 솔더 메탈을 도포한 후 경화하는 것을 포함할 수 있다.The forming of the first electrode, the second electrode, and the supporting portion may include forming a first electrode pad, a second electrode pad, and a supporting portion on the wafer, A first bump forming region and a second bump forming region located on top of each other; Forming a first bump and a second bump to fill the first and second bump forming areas, wherein forming the first bump and the second bump may include applying solder metal and then curing have.

상기 제조 방법은, 상기 제1 및 제2 전극을 형성한 후, 상기 제1 전극, 제2 전극, 및 지지부의 상부 일부를 부분적으로 제거하는 것을 더 포함할 수 있다.The manufacturing method may further include, after forming the first and second electrodes, partially removing the upper portion of the first electrode, the second electrode, and the supporting portion.

본 발명의 발광소자에 따르면, 발광소자는 성장 기판으로부터 분리된 발광 칩을 포함하고, 따라서, 광 효율이 향상된다. 또한, 발광소자가 전극들 사이를 채우는 지지부를 포함함으로써, 발광 칩에 크랙이나 파손이 방지하는 것을 방지할 수 있어서, 발광소자의 신뢰성이 향상될 수 있다. 또한, 성장 기판이 발광 칩으로부터 분리됨으로써, 발광 칩의 두께가 얇아져 방출광이 균일하게 형성될 수 있다.According to the light emitting device of the present invention, the light emitting element includes the light emitting chip separated from the growth substrate, and thus the light efficiency is improved. In addition, since the light emitting element includes the support portion filling the space between the electrodes, it is possible to prevent the light emitting chip from being cracked or broken, and the reliability of the light emitting element can be improved. Further, since the growth substrate is separated from the light emitting chip, the thickness of the light emitting chip becomes thin, and the emitted light can be uniformly formed.

또한, 본 발명의 발광소자 제조 방법에 따르면, 발광 칩의 발광 구조체에 크랙이나 파손을 발생시키지 않고 용이하게 성장 기판을 발광 구조체로부터 분리할 수 있다. 따라서, 공정 수율이 개선될 수 있고, 제조된 발광소자의 신뢰성 및 광 효율을 향상시킬 수 있다.Further, according to the method for manufacturing a light emitting device of the present invention, the growth substrate can be easily separated from the light emitting structure without causing cracks or breakage in the light emitting structure of the light emitting chip. Accordingly, the process yield can be improved, and the reliability and light efficiency of the manufactured light emitting device can be improved.

도 1은 종래의 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3 내지 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 8 내지 도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 14 내지 도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 18 내지 도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 23 내지 도 28은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 칩 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 칩을 포함하는 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a conventional light emitting device.
2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
3 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
8 to 13 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
14 to 16 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
17 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
18 to 22 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
23 to 28 are sectional views for explaining a light emitting chip and a manufacturing method thereof according to still another embodiment of the present invention.
29 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device including a light emitting chip according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can sufficiently convey the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. It is also to be understood that when an element is referred to as being "above" or "above" another element, But also includes the case where there are other components in between. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 발광소자는 지지 기판(230), 발광 칩(100), 측벽부(210), 및 지지부(220)를 포함한다. 나아가, 상기 발광소자는 파장변환부(240)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the light emitting device includes a support substrate 230, a light emitting chip 100, a side wall 210, and a support 220. Further, the light emitting device may further include a wavelength converter 240.

지지 기판(230)은 발광소자 저부에 위치하며, 발광 칩(100)을 지지할 수 있는 기판이면 한정되지 않는다. 지지 기판(230)은 절연성 기판, 도전성 기판, 또는 PCB 기판일 수 있으며, 예를 들어, 사파이어 기판, 유리 기판, 실리콘 카바이드 기판, 실리콘 기판, 금속 기판, 세라믹 기판 등일 수 있으며, 특히 본 실시예에 있어서, 지지 기판(230)은 회로 패턴을 포함하는 세라믹 기판일 수 있다. The support substrate 230 is located at the bottom of the light emitting element and is not limited as long as it can support the light emitting chip 100. The support substrate 230 may be an insulating substrate, a conductive substrate, or a PCB substrate, and may be, for example, a sapphire substrate, a glass substrate, a silicon carbide substrate, a silicon substrate, a metal substrate, a ceramic substrate, Thus, the supporting substrate 230 may be a ceramic substrate including a circuit pattern.

지지 기판(230)은 그 하면에 배치된 리드 패턴을 포함할 수 있으며, 상기 리드 패턴은 제1 리드 패턴(233) 및 제2 리드 패턴(235)을 포함할 수 있다. 한편, 지지 기판(230)이 회로 패턴을 포함하는 세라믹 기판인 경우, 상기 회로 패턴이 제1 리드 패턴(233)과 제2 리드 패턴(235)을 포함할 수 있다. 제1 리드 패턴(233)과 제2 리드 패턴(235)은 각각 지지 기판(230) 상부에 위치하는 발광 칩(100)의 제1 전극(130) 및 제2 전극(140)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 예를 들어, 지지 기판(230)을 관통하는 비아홀(미도시)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 이 외에 다양한 방법을 통해 리드 패턴(233, 235)과 전극들(130, 140)이 전기적으로 연결될 수 있다. 예들 들어, 리드 패턴(233, 235)은 지지 기판(230)의 하면, 측면 및 상면을 따라 연장되어 형성됨으로써, 전극들(130, 140)과 접촉될 수 있다.The support substrate 230 may include a lead pattern disposed on a lower surface thereof, and the lead pattern may include a first lead pattern 233 and a second lead pattern 235. On the other hand, when the supporting substrate 230 is a ceramic substrate including a circuit pattern, the circuit pattern may include a first lead pattern 233 and a second lead pattern 235. The first lead pattern 233 and the second lead pattern 235 may be electrically connected to the first electrode 130 and the second electrode 140 of the light emitting chip 100 located above the support substrate 230, For example, via a via hole (not shown) passing through the supporting substrate 230. However, the present invention is not limited thereto, and the lead patterns 233 and 235 and the electrodes 130 and 140 may be electrically connected through various methods. For example, the lead patterns 233 and 235 may extend along the lower surface, the side surface, and the upper surface of the supporting substrate 230, thereby making contact with the electrodes 130 and 140.

발광 칩(100)은 지지 기판(230) 상에 위치한다. 발광 칩(100)은 발광 구조체(120), 발광 구조체(120) 아래에 형성된 제1 전극(130) 및 제2 전극(140)을 포함할 수 있다. The light emitting chip 100 is located on the support substrate 230. The light emitting chip 100 may include a light emitting structure 120, a first electrode 130 and a second electrode 140 formed below the light emitting structure 120.

발광 칩(100)은 발광할 수 있는 소자이면 한정되지 않으며, 예를 들어, 플립칩형 발광소자, 수직형 발광소자 등일 수 있다. 또한, 발광 칩(100)의 발광 구조체(120)는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 포함할 수 있으며, 상기 반도체층들을 성장시키기 위한 성장 기판으로부터 분리된 것일 수 있다. 나아가, 발광 칩(100)은 상면에 형성된 거칠어진 표면(R)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 칩(100)의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.The light emitting chip 100 is not limited as long as it can emit light, and may be, for example, a flip chip type light emitting device or a vertical type light emitting device. In addition, the light emitting structure 120 of the light emitting chip 100 may include a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer, and an active layer, and may be separated from a growth substrate for growing the semiconductor layers . Further, the light emitting chip 100 may include a roughened surface R formed on the upper surface thereof. Thus, the light extraction efficiency of the light emitting chip 100 can be improved.

제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 발광 구조체(120) 아래에 배치될 수 있다. 제1 전극(130)과 제2 전극(140)은 각각 서로 다른 도전형의 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있고, 예를 들어, 제1 전극(130)은 n형 반도체층과 접촉되어 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 전극(140)은 p형 반도체층과 접촉되어 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1 전극(130)은 n 전극으로 기능할 수 있고, 제2 전극(140)은 p전극으로 기능할 수 있다.The first electrode 130 and the second electrode 140 may be disposed under the light emitting structure 120. The first electrode 130 and the second electrode 140 may be electrically connected to different conductive semiconductor layers. For example, the first electrode 130 may be electrically connected to the n-type semiconductor layer And the second electrode 140 may be in contact with and electrically connected to the p-type semiconductor layer. Accordingly, the first electrode 130 may function as an n-electrode, and the second electrode 140 may function as a p-electrode.

제1 전극(130)은 제1 전극 패드(131) 및 제1 범프(133)를 포함할 수 있고, 제2 전극(140)은 제2 전극 패드(141) 및 제2 범프(143)를 포함할 수 있다. 제1 전극 패드(131)와 제2 전극 패드(141)는 각각 발광 구조체(120)의 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 위치할 수 있다. 제1 범프(133) 및 제2 범프(143)는 각각 제1 전극 패드(131)와 제2 전극 패드(141)의 하면으로부터 연장될 수 있고, 지지 기판(230) 상면에 접촉될 수 있다. 한편, 제1 전극 패드(131) 및 제2 전극 패드(141)는 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있으며, 나아가, 반사 금속층(미도시)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(120)로부터 방출된 광이 상기 반사 금속층에 의해 반사되어 발광 칩(100)의 광 효율이 향상될 수 있다.The first electrode 130 may include a first electrode pad 131 and a first bump 133 and the second electrode 140 may include a second electrode pad 141 and a second bump 143 can do. The first electrode pad 131 and the second electrode pad 141 may be located on the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting structure 120, respectively. The first bump 133 and the second bump 143 may extend from the lower surface of the first electrode pad 131 and the second electrode pad 141 and may contact the upper surface of the support substrate 230, The first electrode pad 131 and the second electrode pad 141 may be formed as a single layer or multiple layers, and may further include a reflective metal layer (not shown). Accordingly, the light emitted from the light emitting structure 120 can be reflected by the reflective metal layer to improve the light efficiency of the light emitting chip 100.

제1 전극(130) 및 제2 전극(140)은 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Cr, Al, Ag 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first electrode 130 and the second electrode 140 may include a metal and may include at least one of Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Cr, Al, .

본 실시예에서, 상기 발광소자는 두 개의 전극(130, 140)을 포함하는 것으로 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 3개 이상의 전극을 포함하는 경우도 모두 본 발명에 포함된다.In the present embodiment, the light emitting device includes two electrodes 130 and 140. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention includes all three or more electrodes.

발광 칩(100) 및 발광 구조체(120)의 구성 및 구조에 대해서는 후술하여 더욱 상세하게 설명한다.The structure and structure of the light emitting chip 100 and the light emitting structure 120 will be described later in more detail.

측벽부(210)는 지지 기판(230) 상에 위치하며, 상기 발광 칩(100)의 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 즉, 측벽부(210)는 지지 기판(230)의 외곽 테두리 상에 형성될 수 있으며, 이에 따라, 측벽부(210)에 의해 둘러싸인 캐비티가 지지 기판(230) 상에 형성될 수 있다. 발광 칩(100)은 상기 캐비티 내에 위치할 수 있다. 또한, 측벽부(210)는 발광 칩(100)의 측면, 보다 구체적으로는 발광 구조체(120)의 측면과 접할 수 있다. 측벽부(210)가 발광 칩(100)의 측면에 접하도록 형성됨으로써, 발광 구조체(120)로부터 성장 기판(미도시)을 분리할 때, B-B' 선 주변에서 발광 구조체(120)에 크랙이 발생하거나 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 측벽부(210)가 발광 칩(100)의 측면과 접하도록 형성되어, 발광 칩(100)을 안정적으로 지지할 수 있다. 이와 관련하여서는 후술하여 상세하게 설명한다. 나아가, 측벽부(210)의 상면은 발광 칩(100)의 상면보다 높은 위치에 있을 수 있다. The sidewall 210 may be positioned on the support substrate 230 and may surround the side surface of the light emitting chip 100. That is, the side wall part 210 may be formed on the outer edge of the supporting substrate 230, so that a cavity surrounded by the side wall part 210 may be formed on the supporting substrate 230. The light emitting chip 100 may be located in the cavity. In addition, the sidewall 210 can be in contact with the side surface of the light emitting chip 100, more specifically, with the side surface of the light emitting structure 120. When the growth substrate (not shown) is separated from the light emitting structure 120, cracks are generated in the vicinity of the BB 'line in the light emitting structure 120 by forming the side wall part 210 in contact with the side surface of the light emitting chip 100 It is possible to prevent damage or breakage. Further, the side wall part 210 is formed to contact the side surface of the light emitting chip 100, so that the light emitting chip 100 can be stably supported. This will be described later in detail in connection with this. Further, the upper surface of the side wall portion 210 may be located higher than the upper surface of the light emitting chip 100.

측벽부(210)는 수지를 포함할 수 있으며, 상기 수지는 Si 또는 다양한 폴리머 물질을 포함할 수 있다. 이때, 상기 수지는 절연성일 수 있다. 이와 달리, 측벽부(210)는 금속을 포함할 수 있으며, 측벽부(210)가 금속을 포함하는 경우에 측벽부(210)가 발광 구조체(120)의 측면과 접하는 부분에 절연막(미도시)이 더 형성될 수 있다. 이에 따라, 발광 구조체(120)의 n형 반도체층과 p형 반도체층이 서로 연결되어 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.The sidewall portion 210 may comprise a resin, which may comprise Si or various polymeric materials. At this time, the resin may be insulating. Alternatively, the sidewall 210 may include a metal, and an insulating layer (not shown) may be formed at a portion of the sidewall 210 contacting the side surface of the light emitting structure 120 when the sidewall 210 includes a metal. Can be formed. Thus, the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer of the light emitting structure 120 are connected to each other to prevent short-circuiting.

나아가, 측벽부(210)는 반사성을 가질 수 있다. 예를 들어, 측벽부(210)가 수지를 포함하는 경우, 상기 수지는 Si를 포함하는 반사성 수지일 수 있고, 또는 TiO2 입자와 같은 반사성 입자를 포함할 수도 있다. 이와 달리, 측벽부(210)가 금속을 포함하는 경우, Ag와 같은 고 반사성 금속을 포함할 수 있다. 측벽부(210)가 반사성을 가짐으로써, 발광 구조체(120)로부터 발광된 광이 반사되어 상기 발광소자의 광 효율이 향상될 수 있다.Further, the side wall portion 210 may have reflectivity. For example, when the side wall portion 210 comprises a resin, the resin may be a reflective resin containing Si, or may include reflective particles such as TiO 2 particles. Alternatively, when sidewall portion 210 comprises a metal, it may include a highly reflective metal such as Ag. The light emitted from the light emitting structure 120 is reflected by the sidewall 210 having the reflectivity, so that the light efficiency of the light emitting device can be improved.

지지부(220)는 지지 기판(230) 상에 위치하며, 적어도 제1 전극(130) 및 제2 전극(140)의 사이를 채울 수 있다. 나아가, 지지부(220)는 전극들(130, 140)과 측벽부(210) 사이의 이격 공간을 더 채울 수 있다. 지지부(220)가 전극들(130, 140) 사이의 공간을 채움으로써, 발광 구조체(120)로부터 성장 기판(미도시)을 분리할 때 B-B' 선 주변 영역의 발광 구조체(120)에 크랙이 발생하거나 파손되는 것을 방지할 수 있다. 이와 관련하여서는 후술하여 상세하게 설명한다.The support 220 is located on the support substrate 230 and may fill at least between the first electrode 130 and the second electrode 140. Further, the support portion 220 may further fill the spacing space between the electrodes 130 and 140 and the side wall portion 210. When the growth substrate (not shown) is separated from the light emitting structure 120 by filling the space between the electrodes 130 and 140, the support structure 220 generates a crack in the light emitting structure 120 in the area around the line BB ' It is possible to prevent damage or breakage. This will be described later in detail in connection with this.

지지부(220)는 절연성일 수 있으며, 수지를 포함할 수 있다. 상기 수지는 Si 또는 다양한 폴리머 물질을 포함할 수 있다. 상기 지지부(220)가 절연성을 가짐으로써, 제1 전극(130)과 제2 전극(140)이 전기적으로 절연될 수 있다. 또한, 지지부(220)는 반사성을 가질 수 있으며, 지지부(220)가 수지를 포함하는 경우에, 상기 수지는 Si를 포함하는 반사성 수지일 수 있다. 또는, 상기 수지는 TiO2입자와 같은 반사성 입자를 포함할 수도 있다. 지지부(220)가 반사성을 가짐으로써, 발광 구조체(120)로부터 방출된 광이 상부로 반사되어 발광소자의 광 효율이 향상될 수 있다.The support portion 220 may be insulating and may include a resin. The resin may comprise Si or various polymeric materials. The first electrode 130 and the second electrode 140 may be electrically insulated from each other by providing the support portion 220 with an insulating property. Further, the support 220 may have reflectivity, and when the support 220 includes a resin, the resin may be a reflective resin including Si. Alternatively, the resin may comprise reflective particles, such as TiO 2 particles. Since the support 220 has reflectivity, the light emitted from the light emitting structure 120 can be reflected upward to improve the light efficiency of the light emitting device.

한편, 측벽부(210)와 지지부(220)는 동일한 물질로 형성될 수 있고, 나아가, 도시된 바와 달리 서로 일체로 형성될 수도 있다. 측벽부(210)와 지지부(220)가 동일한 물질로 형성되는 경우, Si를 포함하는 수지로 형성될 수 있다. Meanwhile, the side wall portion 210 and the support portion 220 may be formed of the same material, or may be integrally formed with each other, unlike the illustrated embodiment. When the side wall portion 210 and the support portion 220 are formed of the same material, they may be formed of a resin containing Si.

파장변환부(240)는 발광 칩(100)의 상면을 덮을 수 있고, 나아가, 측벽부(210)의 상면을 더 덮을 수 있다. The wavelength conversion unit 240 may cover the upper surface of the light emitting chip 100 and further cover the upper surface of the side wall unit 210. [

파장변환부(240)는 형광체 및 수지를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 수지와 혼합되어, 수지 내에 무작위로 또는 균일하게 배치될 수 있다. 파장변환부(240)는 발광 칩(100)에서 방출된 광을 다른 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자에서 방출되는 광을 다양하게 할 수 있으며, 백색 발광소자를 구현할 수 있다.The wavelength converting portion 240 may include a phosphor and a resin, and the phosphor may be mixed with the resin and randomly or uniformly arranged in the resin. The wavelength converting unit 240 may convert the light emitted from the light emitting chip 100 into light having a different wavelength. Accordingly, the light emitted from the light emitting device can be varied, and a white light emitting device can be realized.

상기 수지는 에폭시 수지나 아크릴 수지와 같은 폴리머 수지, 또는 실리콘 수지를 포함할 수 있으며, 형광체를 분산시키는 매트릭스 역할을 할 수 있다. The resin may include an epoxy resin, a polymer resin such as an acrylic resin, or a silicone resin, and may serve as a matrix for dispersing the phosphor.

형광체는 발광 칩(100)에서 방출된 광을 여기시켜 다른 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 상기 형광체는 통상의 기술자에게 널리 알려진 다양한 형광체들을 포함할 수 있고, 예를 들어, 가넷형 형광체, 알루미네이트 형광체, 황화물 형광체, 산질화물 형광체, 질화물 형광체, 불화물계 형광체, 규산염 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The phosphor can excite light emitted from the light emitting chip 100 and convert it into light having a different wavelength. The phosphor may include various phosphors commonly known to those skilled in the art and may include at least one of a garnet fluorescent material, an aluminate fluorescent material, a sulfide fluorescent material, an oxynitride fluorescent material, a nitride fluorescent material, a fluoride fluorescent material, and a silicate fluorescent material can do. However, the present invention is not limited thereto.

한편, 파장변환부(240) 내에 포함된 형광체 및 수지, 파장변환부(240)의 두께 등을 조절함으로써, 발광소자에서 방출되는 광의 특성을 임의로 조절할 수 있다.Meanwhile, the characteristics of light emitted from the light emitting device can be arbitrarily adjusted by adjusting the phosphors and the resin included in the wavelength converter 240, the thickness of the wavelength converter 240, and the like.

상기 발광소자에 따르면, 성장 기판이 제거된 발광 칩(100)을 포함하여, 발광 효율이 향상될 수 있다. 또한, 지지부(220)가 전극들(130, 140) 사이를 채우도록 형성됨으로써, 발광 칩(100)의 발광 구조체(120)에 크랙이나 깨짐이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 발광소자의 신뢰성 및 광 효율이 향상될 수 있다.According to the light emitting device, the light emitting chip 100 including the growth substrate is removed, and the light emitting efficiency can be improved. In addition, since the support part 220 is formed to fill the gap between the electrodes 130 and 140, it is possible to prevent cracks and cracks from being generated in the light emitting structure 120 of the light emitting chip 100. Therefore, reliability and light efficiency of the light emitting device can be improved.

도 3 내지 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.3 to 7 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 지지 기판(230) 상에 발광 칩(100a)을 배치한다. 또한, 도시된 바와 같이, 지지 기판(230) 상에 복수의 발광 칩(100a)들을 서로 이격시켜 배치할 수도 있다.Referring to FIG. 3, a light emitting chip 100a is disposed on a support substrate 230. FIG. Also, as shown in the figure, a plurality of light emitting chips 100a may be disposed on the support substrate 230 so as to be spaced apart from each other.

발광 칩(100a)은 성장 기판(110)과 발광 구조체(120)를 포함하고, 또한, 그 하부에 서로 이격되어 형성된 제1 전극(130) 및 제2 전극(140)을 포함한다. 발광 칩(100a)은 도 2를 참조하여 설명한 발광 칩(100)과 대체로 유사하나, 상부에 위치하는 성장 기판(110)을 더 포함한다는 점에서 차이가 있다. 이하, 차이점에 대해서 상세하게 설명한다.The light emitting chip 100a includes a growth substrate 110 and a light emitting structure 120 and includes a first electrode 130 and a second electrode 140 spaced apart from each other at a lower portion thereof. The light emitting chip 100a is substantially similar to the light emitting chip 100 described with reference to FIG. 2, but differs from the light emitting chip 100a in that the light emitting chip 100a further includes a growth substrate 110 located on the upper side. Hereinafter, differences will be described in detail.

성장 기판(110)은 발광 구조체(120)를 성장시킬 수 있는 기판이면 한정되지 않으며, 예를 들어, 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판, 실리콘 기판 등일 수 있다. 특히, 본 실시예에 있어서, 성장 기판(110)은 패터닝된 사파이어 기판(PSS)일 수 있다.The growth substrate 110 is not limited as long as it can grow the light emitting structure 120 and may be, for example, a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, a gallium nitride substrate, an aluminum nitride substrate, a silicon substrate, or the like. In particular, in this embodiment, the growth substrate 110 may be a patterned sapphire substrate (PSS).

한편, 발광 칩(100a)은 지지 기판(230) 상에 실장되어 배치될 수 있으며, 발광 칩(100a)의 제1 전극(130) 및 제2 전극(140)의 하면과 지지 기판(230)의 실장면 사이에 전도성 접착제 등을 형성하여 발광 칩(100a)이 지지 기판(230) 상에 배치되도록 할 수 있다. 또한, 상기 전도성 접착제 대신 금속층, 예를 들어, AuSn을 포함하는 금속층을 이용하여 발광 칩(100a)이 지지 기판(230) 상에 실장 배치되도록 할 수 있다.The light emitting chip 100a may be mounted on the support substrate 230 and may be disposed on the lower surface of the first electrode 130 and the second electrode 140 of the light emitting chip 100a, A light-emitting chip 100a may be disposed on the supporting substrate 230 by forming a conductive adhesive or the like between the mounting surfaces. In addition, the light emitting chip 100a may be mounted on the supporting substrate 230 by using a metal layer including a metal layer, for example, AuSn, instead of the conductive adhesive.

지지 기판(230)은 도 2를 참조하여 설명한 것과 대체로 유사하다. 다만, 지지 기판(230) 상에 복수의 발광 칩(100a)들을 배치하는 경우, 지지 기판(230)의 회로 패턴 및 리드 패턴(233, 235)은 각각의 발광 칩(100a)에 대응하는 위치에 형성될 수 있다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 각각의 발광 칩(100a)의 전극들(130, 140)과 지지 기판(230)의 리드 패턴(233, 235)들이 서로 대응하여 전기적으로 연결되도록 복수의 리드 패턴(233, 235)들이 형성될 수 있다.The supporting substrate 230 is substantially similar to that described with reference to Fig. When the plurality of light emitting chips 100a are disposed on the support substrate 230, the circuit patterns and the lead patterns 233 and 235 of the support substrate 230 are positioned at positions corresponding to the respective light emitting chips 100a . 3, the leads 130 and 140 of the light emitting chip 100a and the lead patterns 233 and 235 of the support substrate 230 are electrically connected to each other so as to correspond to each other, Patterns 233 and 235 may be formed.

이어서, 도 4를 참조하면, 적어도 전극들(130, 140) 사이의 영역을 채우는 지지부(220)를 형성하고, 발광 칩(100a)의 측면을 둘러싸는 측벽부(210)를 형성한다.4, a support 220 filling at least an area between the electrodes 130 and 140 is formed, and a side wall part 210 surrounding the side surface of the light emitting chip 100a is formed.

지지부(220)는 전극들(130, 140) 사이의 영역을 채울 수 있으며, 나아가, 발광 구조체(120)와 지지 기판(230) 사이의 다른 공간을 모두 채울 수도 있다. 이에 따라, 측벽부(210)의 일부 측면과 지지부(220)는 서로 접할 수 있다.The support 220 may fill an area between the electrodes 130 and 140 and may fill other spaces between the light emitting structure 120 and the support substrate 230. Accordingly, a part of the side surface of the side wall part 210 and the supporting part 220 can be in contact with each other.

지지부(220)는 수지를 포함할 수 있으며, 상기 수지는 Si 또는 다양한 폴리머 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지는 절연성일 수 있다. 지지부(220)가 수지를 포함하는 경우, 점성을 갖는 수지를 지지 기판(230) 상에 도포하여 전극들(130, 140) 사이의 영역을 채우도록 형성한 후, 이를 경화시킴으로써 지지부(220)가 형성될 수 있다. 이때, 상기 수지는 전극들(130, 140) 사이의 영역뿐만 아니라, 발광 구조체(120)와 지지 기판(230) 사이의 다른 공간도 더 채우도록 형성될 수도 있다.The support 220 may comprise a resin, which may comprise Si or various polymeric materials. Further, the resin may be insulating. When the support 220 includes a resin, a resin having a viscosity is coated on the support substrate 230 to fill the region between the electrodes 130 and 140, and then the support 220 is cured . At this time, the resin may be formed to fill not only the area between the electrodes 130 and 140, but also other spaces between the light emitting structure 120 and the supporting substrate 230.

측벽부(210)는 수지를 포함할 수 있으며, 상기 수지는 Si 또는 다양한 폴리머 물질을 포함할 수 있다. 이때, 상기 수지는 절연성일 수 있다. 이와 달리, 측벽부(210)는 금속을 포함할 수 있으며, 측벽부(210)가 금속을 포함하는 경우에 측벽부(210)가 발광 구조체(120)의 측면과 접하는 부분에 절연막(미도시)이 더 형성될 수 있다. The sidewall portion 210 may comprise a resin, which may comprise Si or various polymeric materials. At this time, the resin may be insulating. Alternatively, the sidewall 210 may include a metal, and an insulating layer (not shown) may be formed at a portion of the sidewall 210 contacting the side surface of the light emitting structure 120 when the sidewall 210 includes a metal. Can be formed.

측벽부(210)가 수지를 포함하는 경우, 점성을 갖는 수지를 발광 칩(100a) 측면을 둘러싸도록 도포하여 형성한 후, 이를 경화시킴으로써 측벽부(210)가 형성될 수 있다. 또한, 도시된 바와 같이, 복수의 발광 칩(100a)들을 지지 기판(230)에 배치한 경우에는, 발광 칩(100a)들의 사이 영역을 수지로 채운 후, 이를 경화시켜 측벽부(210)를 형성할 수도 있다. 한편, 측벽부(210)가 금속을 포함하는 경우, 도금 및 증착 기술을 이용하여 측벽부(210)를 형성할 수도 있다. 또한, 측벽부(210)의 상면은 발광 칩(100a)의 상면과 대체로 나란하도록(flush) 형성될 수 있고, 이에 따라, 측벽부(210)가 발광 칩(100a)을 안정적으로 지지할 수 있다. When the side wall part 210 includes a resin, the side wall part 210 may be formed by applying a viscous resin so as to surround the side surface of the light emitting chip 100a, and then curing the formed resin. When the plurality of light emitting chips 100a are arranged on the supporting substrate 230 as shown in the drawing, the region between the light emitting chips 100a is filled with resin, and then the light emitting chips 100a are cured to form the side wall portions 210 You may. Meanwhile, in the case where the side wall portion 210 includes a metal, the side wall portion 210 may be formed using a plating and deposition technique. The upper surface of the side wall part 210 may be flush with the upper surface of the light emitting chip 100a so that the side wall part 210 can stably support the light emitting chip 100a .

한편, 지지부(220)와 측벽부(210)는 동일한 물질일 수 있으며, 나아가, 동일 공정을 통해서 일체로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 지지 기판(230) 상에 점성을 갖는 수지를 도포하여 배치된 발광 칩(100a)들과 지지 기판(230) 사이의 공간, 및 발광 칩(100a)들 사이의 공간을 채우도록 형성한 후, 상기 수지를 경화시킴으로써 지지부(220)와 측벽부(210)를 하나의 공정을 통해 일체로 형성할 수도 있다. 이에 따라, 공정을 더욱 간소화시킬 수 있다.The support 220 and the sidewall 210 may be formed of the same material or may be integrally formed through the same process. For example, it is possible to form a space between the light emitting chips 100a and the supporting substrate 230 by coating a resin having a viscosity on the supporting substrate 230, and a space between the light emitting chips 100a The supporting part 220 and the side wall part 210 may be integrally formed through a single process by curing the resin. Thus, the process can be further simplified.

덧붙여, 지지부(220) 및 측벽부(210)는 반사성을 가질 수 있고, 이에 따라, TiO2 입자와 같은 반사성 입자를 포함할 수도 있다. 지지부(220) 및 측벽부(210)가 수지를 포함하는 경우, 반사성 입자와 수지를 혼합하여 도포한 후 경화시킴으로써, 반사성을 갖는 지지부(220) 및 측벽부(210)를 형성할 수 있다. 이와 달리, 측벽부(210)가 금속을 포함하는 경우, Ag와 같은 고 반사성 금속을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the support portion 220 and the side wall portions 210 may have a reflectivity and, therefore, may comprise reflective particles, such as TiO 2 particles. When the supporting part 220 and the side wall part 210 include a resin, it is possible to form the supporting part 220 and the side wall part 210 having reflectivity by mixing and applying the reflective particles and the resin, followed by curing. Alternatively, when sidewall portion 210 comprises a metal, it may include a highly reflective metal such as Ag. However, the present invention is not limited thereto.

도 5를 참조하면, 발광 칩(100a)의 발광 구조체(120)로부터 성장 기판(110)을 분리한다. 이에 따라, 발광 구조체(120)의 상면이 노출될 수 있다.Referring to FIG. 5, the growth substrate 110 is separated from the light emitting structure 120 of the light emitting chip 100a. Accordingly, the upper surface of the light emitting structure 120 can be exposed.

성장 기판(110)은 레이저 리프트 오프, 화학적 리프트 오프, 응력 리프트 오프 등 다양한 기판 분리 기술을 이용하여 분리될 수 있다. 특히, 본 실시예에 있어서, 성장 기판(110)이 패터닝된 사파이어 기판일 경우, 레이저 리프트 오프를 이용하여 발광 구조체(120)로부터 성장 기판(110)을 분리할 수 있다. 이때, 레이저는 KrF 엑시머 레이저를 이용할 수 있다.The growth substrate 110 may be separated using various substrate separation techniques such as laser lift off, chemical lift off, stress lift off, and the like. Particularly, in the present embodiment, when the growth substrate 110 is a patterned sapphire substrate, the growth substrate 110 can be separated from the light emitting structure 120 using a laser lift-off. At this time, a KrF excimer laser can be used as the laser.

상술한 바와 같이, 종래의 발광소자 제조 방법에 따르면, 성장 기판 분리시에 반도체층에 크랙이 발생하거나 반도체층이 파손되는 문제가 있었다. 특히, 플립칩 형태의 발광 칩을 지지 기판에 실장한 후에 성장 기판을 분리할 때, 상대적으로 응력이 집중되기 쉬운 전극들 사이의 반도체층 영역에서 크랙이나 파손이 쉽게 발생하여 발광소자의 불량이 발생하였다. 그러나, 본 발명의 제조 방법에 따르면, 발광 구조체(120) 아래의 전극들(130, 140) 사이의 영역을 지지부(220)로 채움으로써, B-B' 선 주변의 발광 구조체(120) 영역이 충분히 지지될 수 있다. 또한, 측벽부(210)에 의해 발광 칩(100)이 더욱 견고하여 지지될 수 있다. 따라서, 성장 기판(110) 분리시에도 발광 구조체(120)의 특정 영역에 응력이 집중되는 것을 방지할 수 있고, 크랙이 발생하거나 파손되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 발광소자 제조 공정 수율이 매우 향상될 수 있으며, 제조된 발광소자의 신뢰성도 향상될 수 있다.As described above, according to the conventional method of manufacturing a light emitting device, cracks are generated in the semiconductor layer or the semiconductor layer is broken when the growth substrate is separated. Particularly, when the flip chip type light emitting chip is mounted on the supporting substrate and then the growth substrate is separated, cracks or breakage easily occur in the semiconductor layer region between the electrodes, where relatively stress is likely to be concentrated, Respectively. However, by filling the region between the electrodes 130 and 140 under the light emitting structure 120 with the supporting portion 220, the region of the light emitting structure 120 around the line BB ' . Further, the light emitting chip 100 can be more firmly supported by the side wall part 210. Therefore, even when the growth substrate 110 is separated, stress can be prevented from concentrating on a specific region of the light emitting structure 120, and cracks can be prevented from being generated or broken. Accordingly, the yield of the light emitting device manufacturing process can be greatly improved, and the reliability of the manufactured light emitting device can be improved.

이어서, 도 6을 참조하면, 성장 기판(110)이 분리되어 노출된 발광 구조체(120)의 상면에 거칠어진 표면(R)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 6, the growth substrate 110 may be separated to form a roughened surface R on the exposed upper surface of the light emitting structure 120.

상기 거칠어진 표면(R)은 건식 식각 및/또는 습식 식각을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, KOH 및 NaOH 중 적어도 하나를 포함하는 용액을 이용하여 습식 식각함으로써 거칠어진 표면(R)이 형성될 수 있으며, 또는 PEC 식각을 이용할 수도 있다. 또한, 건식 식각과 습식 식각을 조합하여 거칠어진 표면(R)을 형성할 수도 있다. 상술한 거칠어진 표면(R)을 형성하는 방법들은 예시들에 해당하며, 통상의 기술자에게 공지된 다양한 방법을 이용하여 발광 구조체(120) 표면에 거칠어진 표면(R)을 형성할 수 있다. 발광 구조체(120)의 표면에 거칠어진 표면(R)을 형성함으로써, 발광 칩(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The roughened surface R may be formed using dry etching and / or wet etching. For example, a roughened surface R may be formed by wet etching using a solution containing at least one of KOH and NaOH, or a PEC etch may be used. Further, a rough surface R may be formed by combining dry etching and wet etching. The above-described methods of forming the roughened surface R correspond to examples, and a roughened surface R can be formed on the surface of the light emitting structure 120 using various methods known to those skilled in the art. By forming the rough surface R on the surface of the light emitting structure 120, the light extraction efficiency of the light emitting chip 100 can be improved.

도 7을 참조하면, 발광 칩(100)의 상면을 덮는 파장변환부(240)를 형성할 수 있다. 나아가, 상기 파장변환부(240)가 측벽부(210)의 상면을 더 덮도록 형성할 수 있다.Referring to FIG. 7, the wavelength converting portion 240 covering the upper surface of the light emitting chip 100 can be formed. Further, the wavelength converting portion 240 may be formed to further cover the upper surface of the sidewall portion 210.

파장변환부(240)는 도 2를 참조하여 설명한 바와 대체로 유사하며, 형광체와 수지가 혼합된 물질을 발광 칩(100) 상부에 도포한 후 경화시킴으로써 형성될 수 있다. 다만, 이러한 파장변환부(240)의 형성 방법은 일례에 불과하며, 통상의 기술자에게 알려진 다양한 방법들을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 스프레이, 증착 등의 방법을 이용하여 파장변환부(240)를 형성할 수도 있으며, 시트 형태로 제조된 파장변환부(240)를 발광 칩(100) 상에 접착하여 형성할 수도 있다.The wavelength converting unit 240 is substantially similar to the one described with reference to FIG. 2, and may be formed by applying a material in which a phosphor and a resin are mixed onto the light emitting chip 100 and then curing the material. However, the method of forming the wavelength converter 240 is merely an example, and may be formed using various methods known to those skilled in the art. For example, the wavelength conversion unit 240 may be formed using a method such as spraying or vapor deposition, or may be formed by adhering a wavelength conversion unit 240 manufactured in the form of a sheet onto the light emitting chip 100 .

한편, 도시된 바와 같이, 지지 기판(230) 상에 복수의 발광 칩(100)을 배치하여 발광소자를 제조하는 경우, 파장변환부(240)를 형성한 후에 측벽부(210)를 분리하여 개별 발광소자 단위로 분할함으로써 도 2에 도시된 것과 같은 발광소자가 제공될 수 있다.In the case of manufacturing a light emitting device by disposing a plurality of light emitting chips 100 on a supporting substrate 230 as shown in the drawing, after the wavelength converting portion 240 is formed, the side wall portions 210 are separated, By dividing the light emitting element unit, a light emitting element such as that shown in Fig. 2 can be provided.

본 제조 방법에 따르면, 성장 기판(110)을 발광 구조체(120)로부터 용이하게 분리할 수 있으며, 분리시 발광 구조체(120)에 발생할 수 있는 크랙이나 파손을 방지할 수 있다.According to the present manufacturing method, the growth substrate 110 can be easily separated from the light emitting structure 120, and cracks or breakage that may occur in the light emitting structure 120 can be prevented upon separation.

도 8 내지 도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.8 to 13 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

본 실시예는, 도 3 내지 도 7의 실시예와 비교하여, 제1 전극(130) 및 제2 전극(140)의 형성 방법에 있어서 차이가 있으며, 지지 기판(230)을 먼저 형성하지 않는다는 점에서도 차이가 있다. 동일한 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략하고, 이하 차이점에 관하여 상세하게 설명한다.The present embodiment differs from the embodiments of FIGS. 3 to 7 in the method of forming the first electrode 130 and the second electrode 140, in that the support substrate 230 is not formed first . The detailed description of the same configuration will be omitted, and the differences will be described in detail below.

도 8을 참조하면, 성장 기판(110)과 발광 구조체(120)를 포함하는 웨이퍼를 준비하고, 상기 웨이퍼 상에 복수의 제1 전극 패드(131) 및 제2 전극 패드(141)를 형성한다.Referring to FIG. 8, a wafer including a growth substrate 110 and a light emitting structure 120 is prepared, and a plurality of first electrode pads 131 and a plurality of second electrode pads 141 are formed on the wafer.

상기 웨이퍼는, 성장 기판(110) 및 상기 성장 기판(110) 상에 위치하는 발광 구조체(120)를 포함하며, 또한, 복수의 개별 소자 단위(100b)를 포함한다. 즉, 상기 웨이퍼는 복수의 발광소자로 분할하기 전의 발광 구조체(120)를 포함한다. 따라서, 본 실시예는 도 3 내지 도 7의 실시예와 달리, 웨이퍼를 개별 발광소자로 형성하기 전에 제1 및 제2 전극(130, 140)을 형성하는 점에서 차이가 있다.The wafer includes a growth substrate 110 and a light emitting structure 120 positioned on the growth substrate 110 and also includes a plurality of discrete element units 100b. That is, the wafer includes the light emitting structure 120 before being divided into a plurality of light emitting elements. Therefore, the present embodiment differs from the embodiments of FIGS. 3 to 7 in that the first and second electrodes 130 and 140 are formed before the wafer is formed into individual light emitting elements.

제1 전극 패드(131) 및 제2 전극 패드(141)는 각각의 개별 소자 단위(100b) 상에 형성될 수 있으며, 서로 극성이 다른 반도체층에 각각 연결될 수 있다.The first electrode pad 131 and the second electrode pad 141 may be formed on the individual element units 100b and may be connected to semiconductor layers having different polarities from each other.

이어서, 도 9를 참조하면, 복수의 제1 전극 패드(131) 및 제2 전극 패드(141) 사이를 채우는 메탈 마스크(410)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 9, a metal mask 410 filling the spaces between the first and second electrode pads 131 and 141 may be formed.

메탈 마스크(410)는 산화막 또는 포토레지스트 등을 포함할 수 있으며, 제1 전극 패드(131) 및 제2 전극 패드(141)보다 큰 높이를 갖도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 전극 패드(131) 및 제2 전극 패드(141) 각각의 위에 제1 범프 형성 영역(411) 및 제2 범프 형성 영역(413)이 형성될 수 있다.The metal mask 410 may include an oxide film or a photoresist, and may have a height greater than that of the first electrode pad 131 and the second electrode pad 141. Accordingly, the first bump forming region 411 and the second bump forming region 413 may be formed on the first electrode pad 131 and the second electrode pad 141, respectively.

한편, 본 실시예에서 제1 및 제2 전극 패턴(131, 141)은 메탈 마스크(410)를 형성하기 전에 형성하는 것으로 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 메탈 마스크(410)를 먼저 형성하고, 제1 및 제2 전극 패턴(131, 141)을 형성할 수도 있다.Although the first and second electrode patterns 131 and 141 are formed before forming the metal mask 410 in the present embodiment, the present invention is not limited to this, And the first and second electrode patterns 131 and 141 may be formed.

다음, 도 10을 참조하면, 상기 제1 범프 형성 영역(411) 및 제2 범프 형성 영역(413)을 각각 채우는 제1 범프(133) 및 제2 범프(143)를 형성하여, 제1 전극(130) 및 제2 전극(140)을 형성할 수 있다.10, a first bump 133 and a second bump 143 are formed to fill the first bump forming region 411 and the second bump forming region 413, respectively, 130 and the second electrode 140 may be formed.

이때, 제1 범프(133) 및 제2 범프(143)는 솔더 메탈을 포함할 수 있으며, 상기 솔더 메탈을 제1 범프 형성 영역(411) 및 제2 범프 형성 영역(413)을 각각 채우도록 함으로써 형성될 수 있다. At this time, the first bump 133 and the second bump 143 may include solder metal, and the solder metal may be filled in the first bump forming region 411 and the second bump forming region 413, respectively .

또한, 제1 범프(133) 및 제2 범프(143)를 형성하는 것은, 솔더 메탈을 웨이퍼 상에 전면 도포하는 것을 포함할 수 있고, 나아가, 도포된 솔더 메탈을 경화시키는 것을 더 포함할 수 있다. 상기 솔더 메탈을 도포하는 것은, 예를 들어, 스크린 프린팅을 이용하는 것을 포함할 수 있다. 이와 같이, 제1 범프(133) 및 제2 범프(143)를 솔더 메탈을 이용한 도포 방식으로 형성함으로써, 증착 등을 이용한 방법보다 쉽게 제1 범프(133) 및 제2 범프(143)를 형성할 수 있다. 또한, 도포 방식으로 제1 범프(133) 및 제2 범프(143)를 형성하는 것은, 증착 방법을 이용하는 것보다 공정성이 우수하며, 공정 단가도 감소시킬 수 있다.In addition, forming the first bump 133 and the second bump 143 may include applying the solder metal over the wafer entirely, and further may include curing the applied solder metal . The application of the solder metal may include, for example, using screen printing. By forming the first bump 133 and the second bump 143 in a coating method using a solder metal as described above, the first bump 133 and the second bump 143 can be formed more easily than the method using deposition or the like . Further, forming the first bumps 133 and the second bumps 143 by a coating method is more excellent in processability than using a vapor deposition method and can also reduce the process cost.

한편, 제1 범프(133) 및 제2 범프(143)를 도포 방식으로 형성하는 경우, 솔더 메탈이 메탈 마스크(410)의 상면까지 덮을 수 있다. 이 경우, 본 실시예의 제조 방법은, 메탈 마스크(410)의 상면을 덮는 솔더 메탈을 제거하는 것을 더 포함할 수 있으며, 예를 들어, 폴리싱, 래핑 등의 방법을 이용할 수 있다.On the other hand, when the first bump 133 and the second bump 143 are formed by the coating method, the solder metal can cover the upper surface of the metal mask 410. [ In this case, the manufacturing method of the present embodiment may further include removing solder metal covering the upper surface of the metal mask 410, for example, polishing, lapping, or the like.

이어서, 도 11을 참조하면, 웨이퍼 상의 메탈 마스크(410)를 제거할 수 있다. 이에 따라, 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 전극(130) 및 제2 전극(140)들 사이에 홈이 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 11, the metal mask 410 on the wafer can be removed. Accordingly, as shown in FIG. 11, a groove may be formed between the first electrode 130 and the second electrode 140.

다음, 도 12를 참조하면, 상기 제1 전극(130)과 제2 전극(140) 사이의 홈을 채우는 지지부(250)를 형성한다.Next, referring to FIG. 12, a support 250 filling the groove between the first electrode 130 and the second electrode 140 is formed.

지지부(250)를 형성하는 것은, 절연성 물질 또는 폴리머 물질을 웨이퍼 상에 도포하여 경화시키는 것을 포함할 수 있다. 이와 같이, 지지부(250) 역시 도포 방식으로 형성함으로써, 증착 및 사진 식각을 이용하여 지지부(250)를 형성하는 것에 비해 더욱 용이하게 지지부(250)를 형성할 수 있다. 또한, 증착 및 사진 식각을 이용하여 지지부(250)를 형성하는 것에 비해 공정 단가를 감소시킬 수 있다.Formation of the support 250 may include applying and curing an insulating or polymeric material onto the wafer. As described above, since the support 250 is also formed by the coating method, the support 250 can be formed more easily than the support 250 by using the deposition and photolithography. In addition, the process cost can be reduced as compared with forming the support 250 using deposition and photolithography.

한편, 지지부(250)를 도포 방식으로 형성하는 경우, 절연성 물질 또는 폴리머 물질이 제1 및 제2 전극(130, 140)의 상면까지 덮을 수 있다. 이 경우, 본 실시예의 제조 방법은, 제1 및 제2 전극(130, 140)의 상면을 덮는 절연성 물질 또는 폴리머 물질을 제거하는 것을 더 포함할 수 있으며, 예를 들어, 폴리싱, 래핑 등의 방법을 이용할 수 있다.Meanwhile, when the supporting part 250 is formed by a coating method, an insulating material or a polymer material may cover the upper surface of the first and second electrodes 130 and 140. In this case, the manufacturing method of this embodiment may further include removing an insulating material or a polymer material covering the upper surfaces of the first and second electrodes 130 and 140, for example, by a method such as polishing or lapping Can be used.

또한, 제1 및 제2 전극(130, 140)과 지지부(250)를 형성한 후, 이들의 상부 일부를 부분적으로 제거하여 그 두께를 감소시킬 수 있으며, 예를 들어, 폴리싱, 래핑 등의 방법을 이용할 수 있다.In addition, after the first and second electrodes 130 and 140 and the support 250 are formed, the upper part of the first and second electrodes 130 and 140 may be partially removed to reduce the thickness thereof. For example, Can be used.

도 13을 참조하면, 성장 기판(110)을 발광 구조체(120)로부터 분리하고, 발광 구조체(120)를 분할선(D1)에 따라 복수의 발광소자로 분할한다.Referring to FIG. 13, the growth substrate 110 is separated from the light emitting structure 120, and the light emitting structure 120 is divided into a plurality of light emitting devices along the dividing line D1.

이에 따라, 복수의 발광소자가 제공될 수 있으며, 이를 지지 기판(230) 상에 실장함으로써, 도 2의 발광소자가 제공될 수 있다.Accordingly, a plurality of light emitting elements can be provided and mounted on the support substrate 230, the light emitting element of FIG. 2 can be provided.

도 14 내지 도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.14 to 16 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 14 내지 도 16은 제1 및 제2 전극(130, 140)을 형성하기 전에, 지지부(250)를 먼저 형성하는 점에서 도 8 내지 도 13의 실시예와 차이가 있다.14 to 16 are different from the embodiments of FIGS. 8 to 13 in that the support 250 is formed before the first and second electrodes 130 and 140 are formed.

먼저, 도 14를 참조하면, 성장 기판(110) 및 상기 성장 기판(110) 상에 위치하는 발광 구조체(120)를 포함하는 웨이퍼 상에, 제1 전극 패드(131), 제2 전극 패드(141), 및 상기 제1 및 제2 전극 패드(131, 141)의 사이에 위치하는 지지부(250)를 형성한다.14, a first electrode pad 131 and a second electrode pad 141 (not shown) are formed on a wafer including a growth substrate 110 and a light emitting structure 120 disposed on the growth substrate 110, And a support 250 positioned between the first and second electrode pads 131 and 141 are formed.

이때, 지지부(250)는 증착 및 사진 식각 공정을 이용하여 형성될 수 있으며, 이와 달리, 웨이퍼 상에 절연성 물질 또는 폴리머 물질을 도포한 후, 사진 식각 공정을 통해 제1 및 제2 범프 형성 영역(251, 253)을 형성함으로써 형성될 수도 있다.In this case, the support 250 may be formed using a deposition and photolithography process. Otherwise, after an insulating material or a polymer material is coated on the wafer, the first and second bump forming regions 251, and 253, respectively.

다음, 도 15 및 도 16에 도시된 바와 같이, 제1 범프(133) 및 제2 범프(143)를 형성한 후, 성장 기판(110)을 분리하고, 발광 구조체(120)를 개별 발광소자로 분할함으로써, 복수의 발광소자가 제공될 수 있다. 도 15 및 도 16의 과정은 도 10의 범프 형성 과정 및 도 13의 성장 기판분리 과정과 대체로 동일하므로, 이하 상세한 설명은 생략한다.
15 and 16, after the first bump 133 and the second bump 143 are formed, the growth substrate 110 is separated, and the light emitting structure 120 is formed as an individual light emitting element By dividing, a plurality of light emitting elements can be provided. 15 and 16 are substantially the same as the bump formation process of FIG. 10 and the growth substrate separation process of FIG. 13, and thus the detailed description thereof will be omitted.

도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.17 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 17을 참조하면, 상기 발광소자는 발광 칩 및 지지부(250)를 포함한다. 나아가, 상기 발광소자는 파장변환부(240), 및 반사층(170)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 17, the light emitting device includes a light emitting chip and a support 250. Further, the light emitting device may further include a wavelength conversion unit 240 and a reflective layer 170.

상기 발광 칩은 발광 구조체(120) 및 발광 구조체(120)의 하부에 배치된 제1 전극(150) 및 제2 전극(160)을 포함할 수 있다. 상기 발광 칩은 발광할 수 있는 소자이면 한정되지 않으며, 예를 들어, 플립칩형 발광소자, 수직형 발광소자 등일 수 있다. 또한, 발광 칩의 발광 구조체(120)는 제1 도전형 반도체층(121), 제2 도전형 반도체층(125) 및 활성층(123)을 포함할 수 있으며, 상기 반도체층들을 성장시키기 위한 성장 기판으로부터 분리된 것일 수 있다. 나아가, 발광 칩은 상면에 형성된 거칠어진 표면(R)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 칩의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.The light emitting chip may include a first electrode 150 and a second electrode 160 disposed under the light emitting structure 120 and the light emitting structure 120. The light emitting chip is not limited as long as it can emit light, and may be, for example, a flip chip type light emitting device, a vertical type light emitting device, or the like. The light emitting structure 120 may include a first conductivity type semiconductor layer 121, a second conductivity type semiconductor layer 125, and an active layer 123, . ≪ / RTI > Further, the light emitting chip may include a roughened surface R formed on the upper surface. Thus, the light extraction efficiency of the light emitting chip can be improved.

본 실시예에 있어서, 상기 발광 칩은 제2 도전형 반도체층(125) 및 활성층(123)의 일부가 제거되어 제1 도전형 반도체층(121)이 부분적으로 노출된 구조를 가질 수 있다. 즉, 본 실시예의 발광 칩은 메사 식각된 형태로 형성될 수 있다. 이에 따라, 노출된 제1 도전형 반도체층(121) 및 제2 도전형 반도체층(125) 각각에 제1 전극(150) 및 제2 전극(160)이 접촉되어 전기적으로 연결될 수 있다. 다만, 상기 발광 칩의 구조는 예시적인 것이고 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다양한 다른 구조로 형성되어 제1 전극 및 제2 전극이 각각 서로 다른 도전형의 반도체층에 전기적으로 연결된 형태의 발광 칩을 이용한 경우도 본 발명에 포함된다. 예를 들어, 도 23 내지 도 28을 참조하여 설명되는 발광 구조체의 구조 역시 본 실시예에 적용될 수 있다.The light emitting chip may have a structure in which the first conductivity type semiconductor layer 121 is partially exposed by removing a portion of the second conductivity type semiconductor layer 125 and the active layer 123. In this case, That is, the light emitting chip of this embodiment can be formed in a mesa etched form. Accordingly, the first electrode 150 and the second electrode 160 may be in contact with and electrically connected to the exposed first conductive semiconductor layer 121 and the second conductive semiconductor layer 125, respectively. However, the structure of the light emitting chip is merely exemplary, and the present invention is not limited thereto. The light emitting chip may have various structures and the first electrode and the second electrode may be electrically connected to different conductive semiconductor layers. Is used in the present invention. For example, the structure of the light emitting structure described with reference to FIGS. 23 to 28 may also be applied to this embodiment.

제1 전극(150) 및 제2 전극(160)은 발광 구조체(120)의 하부에 배치될 수 있으며, 도시된 바와 같이, 각각 제1 도전형 반도체층(121) 및 제2 도전형 반도체층(125)에 접촉될 수 있다. 제1 전극(150)은 제1 전극 패드(151) 및 제1 비아 전극(153)을 포함할 수 있고, 제2 전극(160)은 제2 전극 패드(161) 및 제2 비아 전극(163)을 포함할 수 있다. The first electrode 150 and the second electrode 160 may be disposed under the light emitting structure 120. The first electrode 150 and the second electrode 160 may be disposed on the first conductive semiconductor layer 121 and the second conductive semiconductor layer 125, respectively. The first electrode 150 may include a first electrode pad 151 and a first via electrode 153 and the second electrode 160 may include a second electrode pad 161 and a second via electrode 163. [ . ≪ / RTI >

제1 전극 패드(151)는 제1 도전형 반도체층(121)과 제1 비아 전극(153) 사이에 위치할 수 있으며, 제1 전극 패드(151)의 폭은 제1 비아 전극(153)의 폭보다 크게 형성될 수 있다. 제1 비아 전극(153)은 지지부(250)를 관통할 수 있고, 이에 따라, 제1 비아 전극(153)의 하면이 지지부(250)의 하부에 노출될 수 있다. 나아가, 제1 비아 전극(153)은 지지부(250)의 하면을 부분적으로 덮는 연장부를 포함할 수 있고, 이에 따라, 상기 발광소자가 다른 기판 등에 실장될 때 안정적인 전기적 연결을 구성할 수 있다.The first electrode pad 151 may be positioned between the first conductive type semiconductor layer 121 and the first via electrode 153 and the width of the first electrode pad 151 may be a width of the first via- The width may be larger than the width. The first via-electrode 153 can penetrate through the support 250 so that the lower surface of the first via-electrode 153 can be exposed under the support 250. Further, the first via-electrode 153 may include an extension part that partially covers the lower surface of the support part 250, so that a stable electrical connection can be established when the light emitting device is mounted on another substrate or the like.

제2 전극 패드(161)는 제2 도전형 반도체층(125)과 제2 비아 전극(163) 사이에 위치할 수 있으며, 제2 전극 패드(161)의 폭은 제2 비아 전극(163)의 폭보다 크게 형성될 수 있다. 제2 비아 전극(163)은 지지부(250)를 관통할 수 있고, 이에 따라, 제2 비아 전극(163)의 하면이 지지부(250)의 하부에 노출될 수 있다. 나아가, 제2 비아 전극(163)은 지지부(250)의 하면을 부분적으로 덮는 연장부를 포함할 수 있고, 이에 따라, 상기 발광소자가 다른 기판 등에 실장될 때 안정적인 전기적 연결을 구성할 수 있다.The second electrode pad 161 may be positioned between the second conductive type semiconductor layer 125 and the second via electrode 163 and the width of the second electrode pad 161 may be located between the second via- The width may be larger than the width. The second via-electrode 163 can penetrate the support 250 so that the lower surface of the second via-electrode 163 can be exposed under the support 250. Further, the second via-electrode 163 may include an extension part that partially covers the lower surface of the support part 250, so that a stable electrical connection can be established when the light emitting device is mounted on another substrate or the like.

한편, 제1 전극(150) 및 제2 전극(160)은 금속을 포함할 수 있고, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Cr, Al, Ag 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The first electrode 150 and the second electrode 160 may include a metal and may include at least one of Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Cr, Al, .

제1 전극(150) 및 제2 전극(160)은 각각 반사층(미도시) 및 장벽층(미도시)을 포함할 수 있고, 상기 장벽층은 반사층을 덮을 수 있다. 상기 반사층은 높은 반사도를 갖는 물질, 예를 들어, Ag 등을 포함할 수 있다. 또한, 장벽층은 반사층의 금속이 확산되어 전기적 및 광학적 특성 저하를 방지할 수 있으며, 예를 들어, Ni 등을 포함할 수 있다. The first electrode 150 and the second electrode 160 may each include a reflective layer (not shown) and a barrier layer (not shown), and the barrier layer may cover the reflective layer. The reflective layer may include a material having a high reflectivity, for example, Ag or the like. In addition, the barrier layer can prevent the deterioration of electrical and optical characteristics of the metal of the reflective layer by diffusion, and may include, for example, Ni and the like.

또한, 상기 발광소자는, 제1 및 제2 비아 전극(153, 163)의 측면을 감싸는 고반사성 반사층(170)을 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 반사층은 제1 및 제2 비아 전극(153, 163)이 채워지는 지지부(250)의 비아홀의 측벽을 덮을 수 있고, 나아가, 지지부(250)의 하면을 부분적으로 덮을 수 있다. 이에 따라, 반사층(170)은 제1 및 제2 비아 전극(153, 163)과 지지부(250) 사이에 개재될 수 있다. 반사층(170)은 Ag를 포함할 수 있다. 발광소자가 반사층(170)을 더 포함함으로써, 발광 효율이 향상될 수 있다. The light emitting device may further include a highly reflective reflective layer 170 surrounding the side surfaces of the first and second via electrodes 153 and 163. That is, the reflective layer can cover the side wall of the via hole of the supporting part 250 filled with the first and second via-electrodes 153 and 163, and further can partially cover the lower surface of the supporting part 250. Accordingly, the reflective layer 170 may be interposed between the first and second via-electrodes 153 and 163 and the supporting portion 250. The reflective layer 170 may include Ag. Since the light emitting element further includes the reflective layer 170, the light emitting efficiency can be improved.

본 실시예에서, 상기 발광소자는 두 개의 전극(150, 160)을 포함하는 것으로 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 3개 이상의 전극을 포함하는 경우도 모두 본 발명에 포함된다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(150, 160)이 2개 이상의 비아 전극들을 포함할 수 있다.In the present embodiment, the light emitting device includes two electrodes 150 and 160. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention encompasses three or more electrodes. For example, the first and second electrodes 150 and 160 may include two or more via electrodes.

지지부(250)는 발광 구조체(120) 아래에 위치할 수 있으며, 또한 제1 전극(150) 및 제2 전극(160)의 적어도 일부 측면을 감쌀 수 있다. 덧붙여, 도 17에 도시된 바와 같이, 제1 전극(150) 및 제2 전극(160) 하면의 적어도 일부는 지지부(250)의 하부에 노출될 수 있다.The support 250 may be located below the light emitting structure 120 and may also cover at least some of the sides of the first electrode 150 and the second electrode 160. 17, at least a portion of the lower surface of the first electrode 150 and the second electrode 160 may be exposed to the lower portion of the support portion 250. As shown in FIG.

특히, 지지부(250)는 제1 전극(150) 및 제2 전극(160)의 사이를 채울 수 있고, 이에 따라, 발광 구조체(120)로부터 성장 기판(미도시)을 분리할 때 제1 전극(150) 및 제2 전극(160) 사이에 영역의 발광 구조체(120)에 크랙이 발생하거나 파손되는 것을 방지할 수 있다. 이와 관련하여서는 후술하여 상세하게 설명한다.In particular, the support 250 may fill the space between the first electrode 150 and the second electrode 160, and thus, when separating the growth substrate (not shown) from the light emitting structure 120, 150 and the second electrode 160 can be prevented from being cracked or damaged. This will be described later in detail in connection with this.

지지부(250)는 절연성 물질을 포함할 수 있고, 다양한 폴리머 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연성 물질은 포토레지스트를 포함할 수 있고, 상기 지지부(250)는 360nm 이상의 파장의 광에 대해서 40% 이상의 투과율을 가질 수 있다. 360nm 이상의 파장의 광에 대해서 40% 이상의 투과율을 가질 수 있는 포토레지스트는, 예를 들어, SU8과 같은 에폭시 계열의 포토레지스트를 포함할 수 있다. 지지부(250)가 SU8을 포함하는 경우, 자외선 광에 대해서 높은 광 투과성을 가질 수 있다. 따라서 발광 구조체(120)에서 방출되는 광이 자외선 영역의 피크 파장을 갖는 광일 경우, 발광소자의 발광 효율이 향상될 수 있다. 지지부(220)가 절연성을 가짐으로써, 제1 전극(150)과 제2 전극(160)을 효과적으로 절연시킴과 동시에, 발광 구조체(120)를 지지하여 발광소자의 파손 등을 방지할 수 있다.The support 250 may include an insulating material, and may include various polymer materials. For example, the insulating material may include a photoresist, and the supporting portion 250 may have a transmittance of 40% or more with respect to light having a wavelength of 360 nm or more. The photoresist capable of having a transmittance of 40% or more with respect to light having a wavelength of 360 nm or more can include, for example, an epoxy-based photoresist such as SU8. If the support 250 includes SU8, it can have high light transmittance to ultraviolet light. Accordingly, when the light emitted from the light emitting structure 120 is a light having a peak wavelength in the ultraviolet region, the light emitting efficiency of the light emitting device can be improved. The supporting portion 220 has an insulating property so that the first electrode 150 and the second electrode 160 are effectively insulated and the light emitting structure 120 is supported to prevent the light emitting device from being damaged.

한편, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 지지부(250)는 반사성 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 지지부(250)는 TiO2 또는 SiO2 성분의 필러를 포함하는 수지를 포함할 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the support 250 may include a reflective material. For example, support member 250 may include a resin including a filler of TiO 2 or SiO 2 component.

파장변환부(240)는 발광 칩의 상면을 덮을 수 있고, 나아가, 발광 칩의 측면과 지지부(250)의 측면을 더 덮을 수 있다.The wavelength conversion portion 240 can cover the upper surface of the light emitting chip and further cover the side surface of the light emitting chip and the side surface of the support portion 250.

파장변환부(240)는 형광체 및 수지를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 수지와 혼합되어, 수지 내에 무작위로 또는 균일하게 배치될 수 있다. 파장변환부(240)는 발광 칩에서 방출된 광을 다른 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자에서 방출되는 광을 다양하게 할 수 있으며, 백색 발광소자를 구현할 수 있다.The wavelength converting portion 240 may include a phosphor and a resin, and the phosphor may be mixed with the resin and randomly or uniformly arranged in the resin. The wavelength converter 240 may convert light emitted from the light emitting chip into light having a different wavelength. Accordingly, the light emitted from the light emitting device can be varied, and a white light emitting device can be realized.

상기 수지는 에폭시 수지나 아크릴 수지와 같은 폴리머 수지, 또는 실리콘 수지를 포함할 수 있으며, 형광체를 분산시키는 매트릭스 역할을 할 수 있다. The resin may include an epoxy resin, a polymer resin such as an acrylic resin, or a silicone resin, and may serve as a matrix for dispersing the phosphor.

형광체는 발광 칩(100)에서 방출된 광을 여기시켜 다른 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 상기 형광체는 통상의 기술자에게 널리 알려진 다양한 형광체들을 포함할 수 있고, 예를 들어, 가넷형 형광체, 알루미네이트 형광체, 황화물 형광체, 산질화물 형광체, 질화물 형광체, 불화물계 형광체, 규산염 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The phosphor can excite light emitted from the light emitting chip 100 and convert it into light having a different wavelength. The phosphor may include various phosphors commonly known to those skilled in the art and may include at least one of a garnet fluorescent material, an aluminate fluorescent material, a sulfide fluorescent material, an oxynitride fluorescent material, a nitride fluorescent material, a fluoride fluorescent material, and a silicate fluorescent material can do. However, the present invention is not limited thereto.

한편, 파장변환부(240) 내에 포함된 형광체 및 수지, 파장변환부(240)의 두께 등을 조절함으로써, 발광소자에서 방출되는 광의 특성을 임의로 조절할 수 있다.Meanwhile, the characteristics of light emitted from the light emitting device can be arbitrarily adjusted by adjusting the phosphors and the resin included in the wavelength converter 240, the thickness of the wavelength converter 240, and the like.

본 실시예에 따르면, 발광 칩은 성장 기판을 포함하지 않으므로, 성장 기판의 두께로 인한 파장변환부의 불균일성을 해소할 수 있다. 이에 따라, 발광소자에서 방출되는 광을 균일하게 할 수 있으므로, 황색고리 형태의 광이 형성되는 문제가 발생하지 않는다. 또한, 본 실시예의 발광소자는 지지 기판을 이용하지 않으므로, 소형화될 수 있어서 다양한 어플리케이션에 적용될 수 있으며, 웨이퍼 레벨의 발광소자가 구현될 수 있다.According to this embodiment, since the light emitting chip does not include the growth substrate, the nonuniformity of the wavelength conversion portion due to the thickness of the growth substrate can be solved. Accordingly, since the light emitted from the light emitting device can be made uniform, there is no problem that light in the form of a yellow ring is formed. In addition, since the light emitting device of this embodiment does not use a supporting substrate, it can be miniaturized and can be applied to various applications, and a wafer level light emitting device can be realized.

도 18 내지 도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 18 내지 도 22를 참조하여 설명하는 제조 방법을 통해 도 17에 도시된 발광소자가 제공될 수 있다. 한편, 도 18 내지 도 22를 참조하여 설명되는 발광소자 제조 방법은, 발광 구조체(120)를 메사 식각하는 것으로 설명되나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 발광 구조체(120)의 구조는 다양하게 변경될 수 있다.18 to 22 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention. The light emitting device shown in Fig. 17 can be provided through the manufacturing method described with reference to Figs. Meanwhile, the light emitting device manufacturing method described with reference to FIGS. 18 to 22 will be described as performing the mesa etching of the light emitting structure 120, but the present invention is not limited thereto. That is, the structure of the light emitting structure 120 may be variously changed.

도 18을 참조하면, 성장 기판(110) 및 성장 기판(110) 상에 위치하는 발광 구조체(120)를 포함하는 발광 칩을 준비한다.Referring to FIG. 18, a light emitting chip including a growth substrate 110 and a light emitting structure 120 disposed on the growth substrate 110 is prepared.

성장 기판(110)은 발광 구조체(120)를 성장시킬 수 있는 기판이면 한정되지 않으며, 예를 들어, 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판, 실리콘 기판 등일 수 있다. 특히, 본 실시예에 있어서, 성장 기판(110)은 패터닝된 사파이어 기판(PSS) 또는 질화물 기판일 수 있다.The growth substrate 110 is not limited as long as it can grow the light emitting structure 120 and may be, for example, a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, a gallium nitride substrate, an aluminum nitride substrate, a silicon substrate, or the like. In particular, in this embodiment, the growth substrate 110 may be a patterned sapphire substrate (PSS) or a nitride substrate.

발광 구조체(120)는 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)을 포함할 수 있으며, 상기 반도체층들은 질화물계 반도체를 포함할 수 있다. 발광 구조체(120)는, 예를 들어, MOCVD와 같은 성장 기술을 이용하여 성장 기판(110) 상에 성장되어 형성될 수 있다.The light emitting structure 120 may include a first conductive semiconductor layer 121, an active layer 123, and a second conductive semiconductor layer 125, and the semiconductor layers may include a nitride semiconductor. The light emitting structure 120 may be grown and formed on the growth substrate 110 using a growth technique such as MOCVD.

이어서, 도 19를 참조하면, 발광 구조체(120)의 제2 도전형 반도체층(125) 및 활성층(123)을 부분적으로 제거하여 제1 도전형 반도체층(121)을 노출시키고, 노출된 제1 도전형 반도체층(121)과 제2 도전형 반도체층(125) 상에 각각 제1 전극 패드(151) 및 제2 전극 패드(161)를 형성한다. 제1 전극 패드(151) 및 제2 전극 패드(161)는 증착 및 리프트 오프 기술을 이용하여 형성할 수 있다.19, the second conductivity type semiconductor layer 125 and the active layer 123 of the light emitting structure 120 are partially removed to expose the first conductivity type semiconductor layer 121, A first electrode pad 151 and a second electrode pad 161 are formed on the conductive type semiconductor layer 121 and the second conductive type semiconductor layer 125, respectively. The first electrode pad 151 and the second electrode pad 161 may be formed using deposition and lift-off techniques.

한편, 제1 전극 패드(151) 및 제2 전극 패드(161) 형성 공정은 생략될 수도 있고, 이와 달리, 지지부(250)를 먼저 형성한 후에 형성할 수도 있다.The process of forming the first electrode pad 151 and the second electrode pad 161 may be omitted, or alternatively, the support 250 may be formed first.

도 20을 참조하면, 발광 구조체(120) 상에 발광 구조체(120)의 상면을 부분적으로 노출시키는 적어도 2개의 비아홀(255)을 포함하는 지지부(250)를 형성한다. 비아홀(255)에 의해 제1 전극 패드(151) 및 제2 전극 패드(161)가 각각 적어도 부분적으로 노출될 수 있다.20, a support 250 including at least two via holes 255 for partially exposing an upper surface of the light emitting structure 120 is formed on the light emitting structure 120. Referring to FIG. The first electrode pad 151 and the second electrode pad 161 may be at least partially exposed by the via hole 255, respectively.

지지부(250)는 절연성 물질을 포함할 수 있고, 절연성 물질은 포토레지스트를 포함할 수 있다. 이때, 지지부(250)는 360nm 이상의 파장의 광에 대해서 40% 이상의 투과율을 가질 수 있다. 360nm 이상의 파장의 광에 대해서 40% 이상의 투과율을 가질 수 있는 포토레지스트는, 예를 들어, SU8과 같은 에폭시 계열의 포토레지스트를 포함할 수 있다. 지지부(250)는 다양한 방법을 통해 형성될 수 있고, 예를 들어, 지지부(250)가 SU8을 포함하는 경우, 광을 이용한 패턴 식각이 이용될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 발광 구조체(120) 상면을 덮는 지지부(250)를 도포하고, SU8의 감광 특성을 이용하여 자외선 광을 지지부(250)에 조사함으로써 지지부(250)가 패턴 식각될 수 있다. 이에 따라, 도 11에 도시된 바와 같은 비아홀(255)이 형성될 수 있다.The support 250 may include an insulating material, and the insulating material may include a photoresist. At this time, the support portion 250 may have a transmittance of 40% or more with respect to light having a wavelength of 360 nm or more. The photoresist capable of having a transmittance of 40% or more with respect to light having a wavelength of 360 nm or more can include, for example, an epoxy-based photoresist such as SU8. The support 250 may be formed by various methods, for example, if the support 250 includes SU8, pattern etching using light may be used. Specifically, the supporting portion 250 covering the upper surface of the light emitting structure 120 may be applied, and the supporting portion 250 may be pattern-etched by irradiating ultraviolet light onto the supporting portion 250 using the photosensitive characteristics of the SU8. Accordingly, a via hole 255 as shown in FIG. 11 can be formed.

한편, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 지지부(250)는 반사성 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 지지부(250)는 TiO2 또는 SiO2 성분의 필러를 포함하는 수지를 포함할 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the support 250 may include a reflective material. For example, support member 250 may include a resin including a filler of TiO 2 or SiO 2 component.

본 실시예에서는 비아홀(255)이 제1 전극 패드(151) 및 제2 전극 패드(161)를 각각 노출시키도록 2개로 형성되는 것으로 설명되나, 이에 한정되지 않고, 비아홀(255)은 3개 이상으로 형성될 수도 있다.The via hole 255 is formed to be two in order to expose the first electrode pad 151 and the second electrode pad 161. However, the present invention is not limited to this, .

본 실시예에 따르면, 지지부(250)를 먼저 형성하고 비아 전극들(153, 163)을 형성하므로, 제1 전극(150)과 제2 전극(160) 사이에 지지부(250)를 더욱 효과적으로 형성할 수 있다. 따라서, 지지부(250)가 발광 구조체(120)를 더욱 안정적으로 지지할 수 있다.According to the present embodiment, since the support portion 250 is formed first and the via electrodes 153 and 163 are formed, the support portion 250 is more effectively formed between the first electrode 150 and the second electrode 160 . Therefore, the supporting portion 250 can more stably support the light emitting structure 120. [

이어서, 도 21을 참조하면, 비아홀(255)을 채우는 제1 비아 전극(153) 및 제2 비아 전극(163)을 형성한다. 제1 비아 전극(153) 및 제2 비아 전극(163)은 각각 제1 전극 패드(151) 및 제2 전극 패드(161)와 접촉하는 부분의 비아홀(255)을 채우도록 형성된다. 나아가, 제1 및 제2 비아 전극(153, 163)은 지지부(250)를 부분적으로 덮는 연장부를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 21, a first via-electrode 153 and a second via-electrode 163 filling the via hole 255 are formed. The first via-electrode 153 and the second via-electrode 163 are formed to fill the via hole 255 of the portion contacting the first electrode pad 151 and the second electrode pad 161, respectively. Further, the first and second via-electrodes 153 and 163 may include extensions that partially cover the support portion 250.

제1 및 제2 비아 전극(153, 163)은 동시에, 또는 별개로 형성될 수 있고, 예를 들어, 전자선 증착과 같은 증착 기술을 이용하여 형성될 수 있다. The first and second via electrodes 153 and 163 may be formed simultaneously or separately and may be formed using a deposition technique such as, for example, electron beam deposition.

한편, 제1 비아 전극(153)과 제2 비아 전극(163)을 형성하기 전에, 비아홀(255)의 측면을 덮는 반사층(170)을 더 형성할 수 있다. 나아가, 반사층(170)은 지지부(250)의 상면을 부분적으로 더 덮도록 형성될 수 있고, 이 경우, 반사층(170)은 제1 비아 전극(153)과 제2 비아 전극(163) 사이에 개재될 수 있다. 반사층(170)은 Ag를 포함할 수 있고, 증착 및 리프트 오프 기술을 이용하여 원하는 두께로 원하는 위치에 형성할 수 있다.A reflective layer 170 may be further formed to cover the side surface of the via hole 255 before the first via-electrode 153 and the second via-electrode 163 are formed. Further, the reflective layer 170 may be formed to partially cover the upper surface of the supporter 250. In this case, the reflective layer 170 may be interposed between the first via-electrode 153 and the second via- . The reflective layer 170 may comprise Ag and may be formed at a desired location with a desired thickness using deposition and lift-off techniques.

도 22를 참조하면, 발광 구조체(120)로부터 성장 기판(110)을 분리한다. 이에 따라, 발광 구조체(120)의 상면이 노출될 수 있다.Referring to FIG. 22, the growth substrate 110 is separated from the light emitting structure 120. Accordingly, the upper surface of the light emitting structure 120 can be exposed.

성장 기판(110)은 레이저 리프트 오프, 화학적 리프트 오프, 응력 리프트 오프 등 다양한 기판 분리 기술을 이용하여 분리될 수 있다. 특히, 본 실시예에 있어서, 성장 기판(110)이 패터닝된 사파이어 기판일 경우, 레이저 리프트 오프를 이용하여 발광 구조체(120)로부터 성장 기판(110)을 분리할 수 있다. 이때, 레이저는 KrF 엑시머 레이저를 이용할 수 있다. 또한, 성장 기판(110)이 질화물계 기판인 경우, 화학적 리프트 오프 또는 응력 리프트 오프를 이용할 수 있으며, 분리된 성장 기판(110)은 다시 재사용될 수 있다. 따라서, 공정 단가가 절감될 수 있다.The growth substrate 110 may be separated using various substrate separation techniques such as laser lift off, chemical lift off, stress lift off, and the like. Particularly, in the present embodiment, when the growth substrate 110 is a patterned sapphire substrate, the growth substrate 110 can be separated from the light emitting structure 120 using a laser lift-off. At this time, a KrF excimer laser can be used as the laser. In addition, when the growth substrate 110 is a nitride-based substrate, a chemical lift-off or a stress lift-off can be used, and the separated growth substrate 110 can be reused. Therefore, the process unit cost can be reduced.

성장 기판(110) 분리 공정에 있어서, 지지부(250)는 지지 기판과 같이 발광 구조체(120)를 지지하는 역할을 할 수 있다. 따라서, 발광 구조체(120) 아래의 전극들(150, 160) 사이의 영역이 지지부(250)에 의해 지지됨으로써, 성장 기판(110) 분리시에 발광 구조체(120)에 응력이 집중되어 크랙이나 파손이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 지지 기판 대신 지지부(250)에 의해 발광 구조체(120)가 지지되므로, 웨이퍼 레벨 발광소자 패키지가 구현될 수 있다.In the step of separating the growth substrate 110, the supporting part 250 may serve to support the light emitting structure 120 like the supporting substrate. Accordingly, since the region between the electrodes 150 and 160 under the light emitting structure 120 is supported by the supporting portion 250, stress is concentrated on the light emitting structure 120 at the time of separation of the growth substrate 110, Can be prevented. Further, since the light emitting structure 120 is supported by the supporter 250 instead of the supporting substrate, a wafer level light emitting device package can be realized.

이어서, 성장 기판(110)이 분리되어 노출된 발광 구조체(120)의 상면에 거칠어진 표면(R)을 형성할 수 있고, 나아가, 발광 구조체(120)와 지지부(250)를 덮는 파장변환부(240)을 더 형성할 수 있다. 이에 따라, 도 17에 도시된 바와 같은 발광소자가 제공될 수 있다.The growth substrate 110 may be separated to form a roughened surface R on the exposed upper surface of the light emitting structure 120 and may further include a wavelength conversion part 130 for covering the light emitting structure 120 and the support part 250. [ 240 can be further formed. Accordingly, a light emitting device as shown in Fig. 17 can be provided.

상기 거칠어진 표면(R)은 건식 식각 및/또는 습식 식각을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, KOH 및 NaOH 중 적어도 하나를 포함하는 용액을 이용하여 습식 식각함으로써 거칠어진 표면(R)이 형성될 수 있으며, 또는 PEC 식각을 이용할 수도 있다. 또한, 건식 식각과 습식 식각을 조합하여 거칠어진 표면(R)을 형성할 수도 있다. 상술한 거칠어진 표면(R)을 형성하는 방법들은 예시들에 해당하며, 통상의 기술자에게 공지된 다양한 방법을 이용하여 발광 구조체(120) 표면에 거칠어진 표면(R)을 형성할 수 있다. 발광 구조체(120)의 표면에 거칠어진 표면(R)을 형성함으로써, 발광소자의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The roughened surface R may be formed using dry etching and / or wet etching. For example, a roughened surface R may be formed by wet etching using a solution containing at least one of KOH and NaOH, or a PEC etch may be used. Further, a rough surface R may be formed by combining dry etching and wet etching. The above-described methods of forming the roughened surface R correspond to examples, and a roughened surface R can be formed on the surface of the light emitting structure 120 using various methods known to those skilled in the art. By forming the roughened surface R on the surface of the light emitting structure 120, the light extraction efficiency of the light emitting device can be improved.

파장변환부(240)는 형광체와 수지가 혼합된 물질을 발광 칩 및 지지부(250)를 덮도록 도포한 후 경화시킴으로써 형성될 수 있다. 다만, 이러한 파장변환부(240)의 형성 방법은 일례에 불과하며, 통상의 기술자에게 알려진 다양한 방법들을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 스프레이, 증착 등의 방법을 이용하여 파장변환부(240)를 형성할 수도 있다.The wavelength converting portion 240 may be formed by applying a mixture of a phosphor and a resin to cover the light emitting chip and the supporting portion 250 and then curing the same. However, the method of forming the wavelength converter 240 is merely an example, and may be formed using various methods known to those skilled in the art. For example, the wavelength conversion unit 240 may be formed using a method such as spraying or vapor deposition.

본 제조 방법에 따르면, 성장 기판(110)을 발광 구조체(120)로부터 용이하게 분리할 수 있으며, 분리시 발광 구조체(120)에 발생할 수 있는 크랙이나 파손을 방지할 수 있다.According to the present manufacturing method, the growth substrate 110 can be easily separated from the light emitting structure 120, and cracks or breakage that may occur in the light emitting structure 120 can be prevented upon separation.

도 23 내지 도 28은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 칩 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.23 to 28 are sectional views for explaining a light emitting chip and a manufacturing method thereof according to still another embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 16을 참조하여 설명한 발광소자 및 도 17 내지 도 22를 참조하여 설명한 발광소자에 있어서, 발광 칩은 성장 기판(110)이 제거된 것이면 제한되지 않고 적용될 수 있다. 따라서, 본 실시예에 설명하는 발광 칩의 제조 방법 및 구성은 일례에 해당하는 것이며, 본 발명을 제한하는 것은 아니다.In the light emitting device described with reference to Figs. 2 to 16 and the light emitting device described with reference to Figs. 17 to 22, the light emitting chip can be applied without limitation as long as the growth substrate 110 is removed. Therefore, the manufacturing method and structure of the light-emitting chip described in this embodiment are merely examples, and the present invention is not limited thereto.

도 23을 참조하면, 성장 기판(110) 상에 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(123), 및 제2 도전형 반도체층(125)을 형성한다.Referring to FIG. 23, a first conductivity type semiconductor layer 121, an active layer 123, and a second conductivity type semiconductor layer 125 are formed on a growth substrate 110.

성장 기판(110)은 반도체층들(121, 123, 125)을 성장시킬 수 있는 기판이면 한정되지 않으며, 예를 들어, 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판, 실리콘 기판 등일 수 있다. 특히, 본 실시예에 있어서, 성장 기판(110)은 패터닝된 사파이어 기판(PSS)일 수 있다.The growth substrate 110 is not limited as long as it can grow the semiconductor layers 121, 123 and 125 and may be a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, a gallium nitride substrate, an aluminum nitride substrate, a silicon substrate, have. In particular, in this embodiment, the growth substrate 110 may be a patterned sapphire substrate (PSS).

제1 도전형 반도체층(121), 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)은 Ⅲ-Ⅴ 계열 화합물 반도체를 포함할 수 있고, 예를 들어, (Al, Ga, In)N과 같은 질화물계 반도체를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121)은 n형 불순물 (예를 들어, Si)을 포함할 수 있고, 제2 도전형 반도체층(125)은 p형 불순물 (예를 들어, Mg)을 포함할 수 있다. 또한, 그 반대일 수도 있다. 활성층(123)은 다중양자우물 구조(MQW)를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121)과 제2 도전형 반도체층(125)은 단일층 또는 다중층일 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 121, the active layer 123 and the second conductivity type semiconductor layer 125 may include a III-V compound semiconductor, for example, (Al, Ga, In) N, And may include the same nitride-based semiconductor. The first conductivity type semiconductor layer 121 may include an n-type impurity (for example, Si) and the second conductivity type semiconductor layer 125 may include a p-type impurity (for example, Mg) have. It may also be the opposite. The active layer 123 may comprise a multiple quantum well structure (MQW). The first conductive semiconductor layer 121 and the second conductive semiconductor layer 125 may be a single layer or a multilayer.

제1 도전형 반도체층(121), 활성층(123), 및 제2 도전형 반도체층(125)은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), MBE(Molecular Beam Epitaxy) 또는 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 기술을 이용하여 성장 기판(110) 상에 성장될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 121, the active layer 123 and the second conductivity type semiconductor layer 125 may be formed of a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), a molecular beam epitaxy (MBE), a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) May be grown on the growth substrate 110 using the technique of FIG.

도시되지 않았으나, 성장 기판(110)과 제1 도전형 반도체층(121) 사이에 버퍼층(미도시)이 더 형성될 수 있고, 또한, 성장 기판(110) 분리를 용이하게 하기 위한 추가적인 다른 층들이 더 개재될 수도 있다. 예를 들어, 레이저 리프트 오프 과정에서 레이저를 흡수하는 언도프 GaN층이 더 개재될 수 있다.Although not shown, a buffer layer (not shown) may be further formed between the growth substrate 110 and the first conductivity type semiconductor layer 121, and additional layers for facilitating the separation of the growth substrate 110 There may be more intervening. For example, an undoped GaN layer that absorbs the laser during the laser lift-off process can be further interposed.

이하, Ⅲ-Ⅴ 계열 화합물 반도체를 포함하는 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(123) 및 제2 도전형 반도체층(125)과 관련되어 공지된 구체적인 구성 및 특징들에 대해서는 자세한 설명을 생략한다.Hereinafter, detailed structures and characteristics of the first conductive type semiconductor layer 121, the active layer 123, and the second conductive type semiconductor layer 125 including the III-V compound semiconductor will be described in detail It is omitted.

도 24를 참조하면, 제2 도전형 반도체층(125) 및 활성층(123)의 일부를 제거하여 홈(305)을 형성한다. 이에 따라, 홈(305)의 하면에 제1 도전형 반도체층(121)의 일부가 노출될 수 있고, 상기 홈(305)에 의해 제2 도전형 반도체층(125) 및 활성층(123)을 포함하는 메사(M)가 형성될 수 있다. 나아가, 홈(305)을 형성하는 과정에서, 제1 도전형 반도체층(121)의 일부가 더 제거될 수 있다.Referring to FIG. 24, a portion of the second conductive semiconductor layer 125 and the active layer 123 is removed to form a trench 305. A part of the first conductivity type semiconductor layer 121 may be exposed on the bottom surface of the trench 305 and the second conductivity type semiconductor layer 125 and the active layer 123 may be covered by the trench 305 A mesa M may be formed. Further, in the process of forming the trenches 305, a part of the first conductivity type semiconductor layer 121 may be further removed.

상기 홈(305)은 건식 식각을 이용하여 형성될 수 있고, 이때, 홈(305)의 측벽 기울기는 60 내지 90°의 각도로 형성될 수 있다. 홈(305)의 측벽 기울기를 60°이상의 형성함으로써, 메사(M) 상면의 너비를 증대시킬 수 있다.The groove 305 may be formed using dry etching, wherein the sidewall slope of the groove 305 may be formed at an angle of 60 to 90 degrees. The width of the top surface of the mesa M can be increased by forming the sidewall inclination of the groove 305 at 60 degrees or more.

이어서, 도 25를 참조하면, 메사(M) 상에 금속층(320)을 형성한다. 금속층(320)은 반사 금속층(321) 및 커버 금속층(323)을 포함할 수 있다. 커버 금속층(323)은 반사 금속층(321)의 상면 및 측면을 덮을 수 있고, 이에 따라, 반사 금속층(321)이 외부에 노출되지 않을 수 있다.Next, referring to FIG. 25, a metal layer 320 is formed on the mesa (M). The metal layer 320 may include a reflective metal layer 321 and a cover metal layer 323. The cover metal layer 323 may cover the upper surface and the side surface of the reflective metal layer 321, so that the reflective metal layer 321 may not be exposed to the outside.

반사 금속층(321)은 광을 반사시키는 역할을 할 수 있고, 또한, 제2 도전형 반도체층(125)과 전기적으로 연결된 전극 역할을 할 수도 있다. 따라서, 반사 금속층(321)은 높은 반사도를 가지면서 오믹 접촉을 형성할 수 있는 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 반사 금속층은, 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag 및 Au 중 적어도 하나를 포함하는 금속을 포함할 수 있다. 커버 금속층(323)은 반사 금속층(321)과 다른 물질의 상호 확산을 방지한다. 이에 따라, 반사 금속층(321)의 손상에 의한 접촉 저항 증가 및 반사도 감소를 방지할 수 있다. 커버 금속층(323)은 Ni, Cr, Ti을 포함할 수 있으며, 다중층으로 형성될 수 있다.The reflective metal layer 321 may serve to reflect light and may serve as an electrode electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 125. Accordingly, the reflective metal layer 321 preferably includes a material capable of forming an ohmic contact with high reflectivity. The reflective metal layer may include, for example, a metal containing at least one of Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag and Au. The cover metal layer 323 prevents interdiffusion of the reflective metal layer 321 and other materials. Thus, it is possible to prevent an increase in contact resistance and a reduction in reflectivity due to damage to the reflective metal layer 321. [ The cover metal layer 323 may include Ni, Cr, and Ti, and may be formed of multiple layers.

반사 금속층(321)가 커버 금속층(323)은 전자선 증착(E-beam evaporation) 또는 스퍼터(sputter) 방식을 이용하여 반도체층들(121, 123, 125) 상에 형성될 수 있으며, 리프트 오프 방식을 이용하여 메사(M) 상에 선택적으로 형성될 수 있다. 반사 금속층(321)은 그 측면 기울기가 10 내지 60°가 되도록 형성될 수 있으며, 이는 반사 금속층(321) 형성시 장비를 조절하여 그 기울기를 조절할 수 있다.The reflective metal layer 321 and the cover metal layer 323 may be formed on the semiconductor layers 121, 123, and 125 using an E-beam evaporation method or a sputtering method, May be selectively formed on the mesa (M). The reflective metal layer 321 may be formed to have a side slope of 10 to 60 degrees, which can control the slope of the device when the reflective metal layer 321 is formed.

상술한 바와 같이, 메사(M)의 측면 기울기가 60 내지 90°가 되도록 홈(305)을 형성함으로써, 반사 금속층(321)이 형성되는 면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 반사 금속층(321)에 의해 반사되는 광의 비율을 증가시켜 발광 칩의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, by forming the trenches 305 so that the lateral inclination of the mesa M is 60 to 90 占 the area where the reflective metal layer 321 is formed can be increased. Therefore, the light extraction efficiency of the light emitting chip can be improved by increasing the ratio of the light reflected by the reflective metal layer 321.

도 26을 참조하면, 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(123), 제2 도전형 반도체층(125) 및 금속층(320)을 덮는 절연층(310)을 형성한다.Referring to FIG. 26, an insulating layer 310 covering the first conductive semiconductor layer 121, the active layer 123, the second conductive semiconductor layer 125, and the metal layer 320 is formed.

SiO2 또는 SiN을 전자선 증착 등의 기술을 이용하여 절연층(310)을 형성할 수 있고, 나아가, 절연층(310)은 유전체 다층막을 포함할 수도 있다. 상기 유전체 다층막은 분포 브래그 반사기를 포함할 수 있고, 이에 따라, 활성층(123)으로부터 방출된 광을 반사시키는 역할을 할 수도 있다.The insulating layer 310 can be formed using SiO 2 or SiN by electron beam evaporation or the like, and further, the insulating layer 310 may include a dielectric multilayer film. The dielectric multilayer film may include a distributed Bragg reflector, and may reflect the light emitted from the active layer 123.

이어서, 도 27을 참조하면, 홈(305) 아래의 적어도 일부 절연층(310)을 제거하여 제1 도전형 반도체층(121)을 부분적으로 노출시키고, 상기 노출된 제1 도전형 반도체층(121) 상에 제1 전극 패드 금속(330)을 형성할 수 있다.27, at least a portion of the insulating layer 310 under the trench 305 is removed to partially expose the first conductive type semiconductor layer 121, and the exposed first conductive type semiconductor layer 121 The first electrode pad metal 330 may be formed.

제1 전극 패드 금속(330) 상에 절연층 잔류하는 경우, 접촉 저항의 증가로 순방향 전압(Vf)이 증가하게 될 수 있다. 그러나 본 발명은, 절연층(310)을 먼저 형성하고 절연층(310)의 일부를 제거하여 제1 전극 패드 금속(330)을 형성함으로써, 제1 전극 패드 금속(330) 상에 절연층이 잔류하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 발광 칩의 순방향 전압이 증가하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 전극 패드 금속(330)과 활성층(123) 사이에 절연층(310)이 충분한 두께로 형성될 수 있으므로, 쇼트가 발생하는 것을 최소화할 수 있다.If the insulating layer remains on the first electrode pad metal 330, the forward voltage V f may increase due to an increase in the contact resistance. However, in the present invention, since the insulating layer 310 is formed first and a part of the insulating layer 310 is removed to form the first electrode pad metal 330, the insulating layer remains on the first electrode pad metal 330 Can be prevented. Therefore, the forward voltage of the light emitting chip can be prevented from increasing. In addition, since the insulating layer 310 may be formed to a sufficient thickness between the first electrode pad metal 330 and the active layer 123, the occurrence of short-circuiting can be minimized.

도 28을 참조하면, 일부 메사(M) 상의 절연층(310)을 부분적으로 제거하여 금속층(320)을 일부를 노출시키고, 상기 노출된 금속층(320) 상에 제2 전극(140)을 형성한다. 아울러, 제1 전극 패드 금속(330) 상에 제1 전극(130)을 형성한다. 이때, 제1 전극(130)과 제2 전극(140)의 이격거리는 약 200 내지 400㎛일 수 있고, 이에 따라, 전극들간의 쇼트를 방지할 수 있다. 제1 전극(130) 및 제2 전극(140)은 도 2 내지 도 16을 참조하여 설명한 전극들(130, 140)과 동일한 구성이므로, 자세한 설명은 생략한다.28, a portion of the metal layer 320 is partially removed by partially removing the insulating layer 310 on the mesa M, and a second electrode 140 is formed on the exposed metal layer 320 . In addition, the first electrode 130 is formed on the first electrode pad metal 330. At this time, the distance between the first electrode 130 and the second electrode 140 may be about 200 to 400 占 퐉, thereby preventing a short circuit between the electrodes. Since the first electrode 130 and the second electrode 140 have the same configuration as the electrodes 130 and 140 described with reference to FIGS. 2 to 16, detailed description will be omitted.

도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 칩을 포함하는 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다. 즉, 도 29의 발광소자는 도 23 내지 도 28을 참조하여 설명한 발광 칩을 포함한다.29 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device including a light emitting chip according to another embodiment of the present invention. That is, the light-emitting element of Fig. 29 includes the light-emitting chip described with reference to Figs. 23 to 28.

본 실시예에 따르면, 측벽부(210) 및 지지부(220)를 포함하여, 발광 칩으로부터 성장 기판(110)을 용이하게 분리할 수 있다. 따라서, 발광 칩의 불량을 방지하여 발광소자의 신뢰성 및 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 발광 칩은 금속층(320)을 포함하여, 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 실시예의 발광소자는 측벽부(210), 지지부(220) 및 금속층(320)이 유기적으로 결합되어 더욱 향상된 광 추출 효율을 가질 수 있다.According to this embodiment, the growth substrate 110 can be easily separated from the light emitting chip, including the sidewall portion 210 and the support portion 220. Therefore, it is possible to prevent the failure of the light emitting chip, thereby improving the reliability and efficiency of the light emitting device. In addition, the light emitting chip includes the metal layer 320 to further improve the light extraction efficiency. Accordingly, the light emitting device of the present embodiment can have improved light extraction efficiency because the side wall part 210, the support part 220, and the metal layer 320 are combined with each other.

이상에서, 본 발명의 다양한 실시예들에 대하여 설명하였지만, 상술한 다양한 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Variations and changes are possible.

Claims (45)

지지 기판;
서로 이격되어 하부에 배치된 전극들을 가지며, 상기 지지 기판 상에 위치하는 발광 칩;
상기 발광 칩의 측면을 둘러싸는 측벽부; 및
상기 전극들의 사이 공간을 채우는 지지부를 포함하고,
상기 발광 칩은 성장 기판으로부터 분리된 발광소자.A support substrate;
A light emitting chip disposed on the supporting substrate, the electrodes being spaced apart from each other and arranged at a lower portion;
A side wall portion surrounding the side surface of the light emitting chip; And
And a support for filling a space between the electrodes,
Wherein the light emitting chip is separated from the growth substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 발광 칩의 측면과 상기 측벽부는 서로 접하는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein a side surface of the light emitting chip and the side wall portion are in contact with each other. 청구항 1에 있어서,
상기 지지부는 상기 발광 칩의 하면과 상기 지지 기판의 상면 사이의 이격 공간을 채우는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the support portion fills a spacing space between the lower surface of the light emitting chip and the upper surface of the support substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 지지부는 절연성인 발광소자.The method according to claim 1,
And the supporting portion is insulating. 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
상기 측벽부와 상기 지지부는 동일 물질로 형성된 발광소자.The method according to claim 3 or 4,
Wherein the side wall portion and the support portion are formed of the same material. 청구항 5에 있어서,
상기 측벽부는 수지를 포함하고, 상기 수지는 Si를 포함하는 발광소자.The method of claim 5,
Wherein the side wall portion comprises a resin, and the resin comprises Si. 청구항 1에 있어서,
상기 발광 칩의 상면을 덮는 파장변환부를 더 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
And a wavelength conversion unit covering an upper surface of the light emitting chip. 청구항 7에 있어서,
상기 파장변환부는 상기 측벽부의 상면을 더 덮는 발광소자.The method of claim 7,
Wherein the wavelength converting portion further covers an upper surface of the side wall portion. 청구항 1에 있어서,
상기 지지 기판은 회로 패턴을 더 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the supporting substrate further comprises a circuit pattern. 청구항 9에 있어서,
상기 회로 패턴은 상기 지지 기판 하면에 위치하는 리드 패턴을 포함하는 발광소자.The method of claim 9,
Wherein the circuit pattern includes a lead pattern located on a lower surface of the support substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 발광 칩은 그 상면에 형성된 거칠어진 표면을 갖는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the light emitting chip has a roughened surface formed on an upper surface thereof. 청구항 1에 있어서,
상기 발광 칩은,
제2 도전형 반도체층;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치하는 활성층;
상기 활성층 상에 위치하는 제1 도전형 반도체층;
상기 제2 도전형 반도체층 아래에 위치하며, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층에 각각 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극; 및
상기 제2 도전형 반도체층 및 활성층의 일부가 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층의 일부가 노출된 영역으로 구획되는 적어도 하나의 메사를 포함하고,
상기 메사의 측면은 60 내지 90°의 기울기를 갖는 발광소자.The method according to claim 1,
The light-
A second conductivity type semiconductor layer;
An active layer disposed on the second conductive semiconductor layer;
A first conductive semiconductor layer disposed on the active layer;
A first electrode and a second electrode that are disposed under the second conductive semiconductor layer and are electrically connected to the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, respectively; And
And at least one mesa in which a part of the second conductivity type semiconductor layer and the active layer are removed to define a region where a part of the first conductivity type semiconductor layer is exposed,
And a side surface of the mesa has a slope of 60 to 90 degrees. 청구항 12에 있어서,
상기 발광 칩은, 상기 메사 아래에 위치하는 반사 금속층을 더 포함하는 발광소자.The method of claim 12,
Wherein the light emitting chip further comprises a reflective metal layer located under the mesa. 청구항 12에 있어서,
상기 발광 칩은, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 전극을 절연시키고, 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제1 전극을 절연시키는 절연층을 더 포함하는 발광소자.The method of claim 12,
Wherein the light emitting chip further comprises an insulating layer for insulating the first conductive type semiconductor layer from the second electrode and insulating the second conductive type semiconductor layer from the first electrode. 청구항 14에 있어서,
상기 절연층의 적어도 일부분은 상기 제1 전극과 제2 도전형 반도체층 사이 및 제2 전극과 제1 도전형 반도체층 사이에 개재된 발광소자.15. The method of claim 14,
And at least a part of the insulating layer is interposed between the first electrode and the second conductivity type semiconductor layer and between the second electrode and the first conductivity type semiconductor layer. 지지 기판 상에 성장 기판 및 발광 구조체를 포함하는 발광 칩을 배치하되, 상기 성장 기판은 상기 발광 구조체의 상부에 위치하고, 상기 발광 칩은 그 하면에 형성되며 서로 이격된 전극들을 포함하고;
적어도 상기 전극들 사이 영역을 채우는 지지부를 형성하고;
상기 발광 칩의 측면을 둘러싸는 측벽부를 형성하고;
상기 발광 구조체로부터 상기 성장 기판을 분리하는 것을 포함하는 발광소자 제조 방법.A light emitting chip including a growth substrate and a light emitting structure is disposed on a support substrate, the growth substrate is disposed on the light emitting structure, the light emitting chip includes electrodes formed on a bottom surface thereof and spaced apart from each other;
Forming a support that fills at least an area between the electrodes;
A side wall portion surrounding the side surface of the light emitting chip is formed;
And separating the growth substrate from the light emitting structure. 청구항 16에 있어서,
상기 성장 기판은 사파이어 기판이고,
상기 성장 기판은 레이저 리프트 오프를 이용하여 상기 발광 구조체로부터 분리되는 발광소자 제조 방법.18. The method of claim 16,
Wherein the growth substrate is a sapphire substrate,
Wherein the growth substrate is separated from the light emitting structure using a laser lift-off. 청구항 16에 있어서,
상기 지지부와 상기 측벽부는 동일 공정으로 형성되는 발광소자 제조 방법.18. The method of claim 16,
Wherein the supporting portion and the side wall portion are formed by the same process. 청구항 16에 있어서,
상기 지지부는 상기 발광 구조체의 하면과 상기 지지 기판의 상면 사이의 이격 공간을 더 채우는 발광소자 제조 방법.18. The method of claim 16,
Wherein the supporting portion further fills a spacing space between the lower surface of the light emitting structure and the upper surface of the supporting substrate. 청구항 16에 있어서,
상기 발광 구조체로부터 상기 성장 기판을 분리한 후, 상기 발광 구조체의 상면을 덮는 파장변환부를 형성하는 것을 더 포함하는 발광소자 제조 방법.18. The method of claim 16,
Further comprising forming a wavelength conversion portion covering the upper surface of the light emitting structure after the growth substrate is separated from the light emitting structure. 서로 이격되어 하부에 배치된 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 발광 칩; 및
상기 제1 전극 및 제2 전극의 적어도 일부의 측면을 감싸되, 상기 제1 전극 및 제2 전극 하면의 적어도 일부를 노출시키는 비아홀을 포함하는 지지부를 포함하고,
상기 발광 칩은 성장 기판으로부터 분리된 발광소자.A light emitting chip having first and second electrodes spaced apart from each other and arranged at a lower portion; And
And a support including a via hole that surrounds at least a part of the sides of the first electrode and the second electrode and includes a via hole exposing at least a part of the first electrode and the second electrode,
Wherein the light emitting chip is separated from the growth substrate. 청구항 21에 있어서,
상기 지지부는 절연성 물질이고, 상기 절연성 물질은 포토레지스트를 포함하는 발광소자.23. The method of claim 21,
Wherein the supporting portion is an insulating material, and the insulating material comprises a photoresist. 청구항 22에 있어서,
상기 포토레지스트는 360nm 이상의 파장을 갖는 광에 대해서 40% 이상의 투과율을 갖는 발광소자.23. The method of claim 22,
Wherein the photoresist has a transmittance of 40% or more with respect to light having a wavelength of 360 nm or more. 청구항 23에 있어서,
상기 발광 칩은 자외선 영역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 발광소자.24. The method of claim 23,
Wherein the light emitting chip emits light having a peak wavelength in an ultraviolet region. 청구항 21에 있어서,
상기 제1 전극은 제1 전극 패드 및 상기 제1 전극 패드 아래에 위치하는 제1 비아 전극을 포함하고,
상기 제2 전극은 제2 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드 아래에 위치하는 제2 비아 전극을 포함하고,
상기 제1 비아 전극 및 제2 비아 전극이 하면은 상기 지지부 하부에 노출되는 발광소자.23. The method of claim 21,
Wherein the first electrode includes a first electrode pad and a first via electrode located below the first electrode pad,
Wherein the second electrode includes a second electrode pad and a second via electrode located below the second electrode pad,
Wherein the first via-electrode and the second via-electrode are exposed on a lower surface of the lower portion of the support. 청구항 25에 있어서,
상기 제1 비아 전극 및 제2 비아 전극 각각은 상기 지지부 하면을 부분적으로 덮는 연장부를 포함하는 발광소자.26. The method of claim 25,
Wherein each of the first via electrode and the second via electrode includes an extension portion that partially covers the bottom surface of the support portion. 청구항 21에 있어서,
상기 발광 칩의 상면 및 측면을 덮는 파장변환부를 더 포함하는 발광소자.23. The method of claim 21,
And a wavelength converting portion covering an upper surface and a side surface of the light emitting chip. 청구항 27에 있어서,
상기 파장변환부는 지지부의 측면을 더 덮는 발광소자.28. The method of claim 27,
Wherein the wavelength conversion portion further covers a side surface of the support portion. 청구항 21에 있어서,
상기 지지부는 광 반사성 물질을 포함하는 발광소자.23. The method of claim 21,
Wherein the support comprises a light reflective material. 청구항 25에 있어서,
상기 제1 비아 전극 및 상기 제2 비아 전극의 측면을 감싸는 반사층을 더 포함하는 발광소자.26. The method of claim 25,
And a reflective layer surrounding the sides of the first via electrode and the second via electrode. 청구항 30에 있어서,
상기 제1 비아 전극 및 제2 비아 전극 각각은 상기 지지부 하면을 부분적으로 덮는 연장부를 포함하고,
상기 반사층은 상기 지지부의 하면을 부분적으로 더 덮되, 상기 반사층은 상기 제1 비아 전극과 상기 지지부 사이, 및 상기 제2 비아 전극과 상기 지지부 사이에 개재된 발광소자.32. The method of claim 30,
Wherein each of the first via-electrode and the second via-electrode includes an extension portion that partially covers the bottom surface of the support portion,
The reflective layer partially covers the lower surface of the support portion, and the reflective layer is interposed between the first via-electrode and the support portion, and between the second via-electrode and the support portion. 성장 기판 및 상기 성장 기판 상에 위치하는 발광 구조체를 포함하는 발광 칩을 준비하고;
상기 발광 칩 상에 상기 발광 칩의 상면을 부분적으로 노출시키는 적어도 2개의 비아홀을 포함하는 지지부를 형성하고;
상기 비아홀을 채우는 제1 비아 전극 및 제2 비아 전극을 형성하고;
상기 발광 구조체로부터 상기 성장 기판을 분리하는 것을 포함하는 발광소자 제조 방법.Preparing a light emitting chip including a growth substrate and a light emitting structure located on the growth substrate;
Forming a support on the light emitting chip, the support including at least two via holes partially exposing an upper surface of the light emitting chip;
Forming a first via-electrode and a second via-electrode filling the via-hole;
And separating the growth substrate from the light emitting structure. 청구항 32에 있어서,
상기 지지부는 절연성 물질을 포함하고, 상기 절연성 물질은 포토레지스트를 포함하는 발광소자 제조 방법.33. The method of claim 32,
Wherein the supporting portion comprises an insulating material, and the insulating material comprises a photoresist. 청구항 33에 있어서,
상기 지지부를 형성하는 것은,
상기 발광 구조체의 상면을 덮는 지지부를 도포하고;
상기 지지부에 자외선 광을 조사하여 패턴 식각하는 것을 포함하는 발광소자 제조 방법.34. The method of claim 33,
The forming of the support portion
Applying a support covering the upper surface of the light emitting structure;
And irradiating ultraviolet light onto the support portion to perform pattern etching. 청구항 34에 있어서,
상기 포토레지스트는 360nm 이상의 파장을 갖는 광에 대해서 40% 이상의 투과율을 갖는 제조 방법.35. The method of claim 34,
Wherein the photoresist has a transmittance of 40% or more with respect to light having a wavelength of 360 nm or more. 청구항 32에 있어서,
상기 지지부를 형성하기 전에, 상기 발광 구조체 상에 서로 이격된 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드를 형성하는 것을 더 포함하고,
상기 제1 비아 전극 및 제2 비아 전극 각각은 상기 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드 상에 위치하는 발광소자 제조 방법.33. The method of claim 32,
Further comprising forming a first electrode pad and a second electrode pad spaced apart from each other on the light emitting structure before forming the support portion,
Wherein the first via electrode and the second via electrode are located on the first electrode pad and the second electrode pad, respectively. 청구항 32에 있어서,
상기 성장 기판을 분리한 후, 상기 발광 칩의 상기 성장 기판이 분리되어 노출된 면과 상기 발광 칩의 측면을 덮는 파장변환부를 형성하는 것을 더 포함하는 발광소자 제조 방법.33. The method of claim 32,
Further comprising forming a wavelength conversion portion covering the exposed surface of the growth substrate of the light emitting chip and the side surface of the light emitting chip after the growth substrate is separated. 청구항 37에 있어서,
상기 파장변환부는 상기 지지부의 측면을 더 덮는 발광소자 제조 방법.37. The method of claim 37,
Wherein the wavelength conversion portion further covers a side surface of the support portion. 청구항 32에 있어서,
상기 성장 기판은 레이저 리프트 오프, 화학적 리프트 오프 또는 응력 리프트 오프를 이용하여 상기 발광 구조체로부터 분리되는 발광소자 제조 방법.33. The method of claim 32,
Wherein the growth substrate is separated from the light emitting structure using a laser lift-off, a chemical lift-off, or a stress lift-off. 청구항 32에 있어서,
상기 제1 비아 전극 및 제2 비아 전극을 형성하기 전에, 상기 비아홀의 측면을 덮는 반사층을 형성하는 것을 더 포함하고,
상기 반사층은 상기 제1 비아 전극과 상기 지지부 사이, 및 상기 제2 비아 전극과 상기 지지부 사이에 개재된 발광소자 제조 방법.33. The method of claim 32,
Further comprising forming a reflective layer covering a side surface of the via hole before forming the first via electrode and the second via electrode,
Wherein the reflective layer is interposed between the first via-electrode and the supporting portion, and between the second via-electrode and the supporting portion. 성장 기판, 상기 성장 기판 상에 위치하는 발광 구조체를 포함하는 웨이퍼를 준비하되, 상기 발광 구조체는 복수의 소자 단위 영역을 포함하고;
상기 복수의 소자 단위 영역의 각각 위에 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 및 제2 전극의 사이를 채우는 지지부를 형성하고;
상기 성장 기판을 상기 발광 구조체로부터 분리하고;
상기 발광 구조체의 복수의 소자 단위 영역을 개별화하는 것을 포함하는 발광소자 제조 방법.A growth substrate, and a light emitting structure located on the growth substrate, wherein the light emitting structure includes a plurality of element unit regions;
Forming a first electrode, a second electrode, and a supporter for filling between the first and second electrodes on each of the plurality of element unit regions;
Separating the growth substrate from the light emitting structure;
And a plurality of element unit regions of the light emitting structure are individually formed. 청구항 41에 있어서,
상기 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 지지부를 형성하는 것은,
제1 전극 패드 및 제2 전극 패드를 상기 복수의 소자 단위 영역 상에 형성하고;
상기 제1 및 제2 전극 패드 사이를 채우는 메탈 마스크를 형성하되, 상기 제1 및 제2 전극 패드 상에 제1 범프 형성 영역 및 제2 범프 형성 영역을 형성하고;
상기 제1 및 제2 범프 형성 영역을 각각 채우는 제1 범프 및 제2 범프를 형성하여, 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 것을 포함하되,
상기 제1 및 제2 범프를 형성하는 것은, 솔더 메탈을 도포한 후 경화하는 것을 포함하는 발광소자 제조 방법.42. The method of claim 41,
Forming the first electrode, the second electrode, and the support,
Forming a first electrode pad and a second electrode pad on the plurality of element unit areas;
Forming a metal mask filling between the first and second electrode pads, forming a first bump forming region and a second bump forming region on the first and second electrode pads;
Forming first and second bumps that respectively fill the first and second bump forming regions to form a first electrode and a second electrode,
Forming the first and second bumps includes applying solder metal and then curing the solder metal. 청구항 42에 있어서,
상기 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 지지부를 형성하는 것은,
상기 메탈 마스크를 제거하고;
상기 제1 전극 및 제2 전극 사이를 채우는 지지부를 형성하는 것을 더 포함하되,
상기 지지부를 형성하는 것은, 절연성 물질 또는 폴리머 물질을 도포한 후 경화하는 것을 포함하는 발광소자 제조 방법.43. The method of claim 42,
Forming the first electrode, the second electrode, and the support,
Removing the metal mask;
Further comprising forming a support to fill between the first electrode and the second electrode,
The forming of the supporting portion includes applying an insulating material or a polymer material, and then curing. 청구항 41에 있어서,
상기 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 지지부를 형성하는 것은,
상기 웨이퍼 상에 제1 전극 패드, 제2 전극 패드, 및 지지부를 형성하되, 상기 지지부는 상기 제1 및 제2 전극 패드 각각의 위에 위치하는 제1 범프 형성 영역, 및 제2 범프 형성 영역을 포함하고;
상기 제1 및 제2 범프 형성 영역을 채우는 제1 범프 및 제2 범프를 형성하는 것을 포함하되,
상기 제1 범프 및 제2 범프를 형성하는 것은, 솔더 메탈을 도포한 후 경화하는 것을 포함하는 발광소자 제조 방법.42. The method of claim 41,
Forming the first electrode, the second electrode, and the support,
A first electrode pad, a second electrode pad, and a support portion are formed on the wafer, the support portion includes a first bump forming region and a second bump forming region located on the first and second electrode pads, respectively, and;
Forming a first bump and a second bump to fill the first and second bump forming regions,
Forming the first bump and the second bump includes applying solder metal and then curing the solder metal. 청구항 41에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극을 형성한 후,
상기 제1 전극, 제2 전극, 및 지지부의 상부 일부를 부분적으로 제거하는 것을 더 포함하는 발광소자 제조 방법.
42. The method of claim 41,
After forming the first and second electrodes,
And partially removing an upper portion of the first electrode, the second electrode, and the support.
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