KR20140148181A - Transparent organic electro luminescent device and method of fabricating the same - Google Patents

Abstract

Provided are a transparent organic electroluminescent device and a manufacturing method thereof. The transparent organic electroluminescent device comprises a first substrate in which a plurality of pixel regions including a plurality of subpixel regions and a transmission region are defined; a micro electromechanical system (MEMS) structure provided in each pixel region of the first substrate and including a plurality of anchors, a beam connected to the plurality of anchors, and a shutter connected to the beam; and an organic light emitting diode (OLED) provided in each of the subpixel regions of the first substrate, wherein the shutter serves to block light incident from a rear surface of the first substrate and selectively move between the transmission region and the plurality of subpixel regions in each of the pixel regions.

Description

투명 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법{Transparent organic electro luminescent device and method of fabricating the same}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a transparent organic electroluminescent device and a method of fabricating the same,

본 발명은 투명 유기전계 발광소자에 관한 것으로, 특히 광 차폐층을 내재함으로서 외부 시인성 및 블랙 휘도 특성을 향상시키며, 제조 방법을 단순화한 것을 특징으로 하는 투명 유기전계 발광소자(organic electro luminescent device) 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent organic electroluminescent device, and more particularly to a transparent organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same, which are characterized in that external visibility and black luminance characteristics are improved by incorporating a light- And a method for producing the same.

평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. An organic electroluminescent device, which is one of flat panel displays (FPDs), has high luminance and low operating voltage characteristics.

그리고 상기 유기전계 발광소자는 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5V 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다. 또한, 상기 유기전계 발광소자의 제조공정은 증착(deposition) 및 인캡슐레이션(encapsulation) 장비가 전부라고 할 수 있기 때문에 제조 공정이 매우 단순하다. Since the organic electroluminescent device is a self-emissive type that emits light by itself, it has a high contrast ratio, can realize an ultra-thin display, can realize a moving image with a response time of several microseconds (μs) There is no limitation, it is stable even at a low temperature, and it is driven with a low voltage of 5 V to 15 V of direct current, so that it is easy to manufacture and design a driving circuit. In addition, since the manufacturing process of the organic electroluminescent device is all the deposition and encapsulation equipment, the manufacturing process is very simple.

따라서, 전술한 바와 같은 장점을 갖는 유기전계 발광소자는 최근에는 TV, 모니터, 핸드폰 등 다양한 IT기기에 이용되고 있다. Accordingly, the organic electroluminescent device having the above-described advantages has recently been used in various IT devices such as a TV, a monitor, and a mobile phone.

이하, 유기전계 발광 소자의 기본적인 구조에 대해서 조금 더 상세히 설명한다. Hereinafter, the basic structure of the organic electroluminescent device will be described in more detail.

도 1은 종래의 유기전계 발광 소자의 하나의 화소영역에 대한 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of one pixel region of a conventional organic electroluminescent device.

유기전계 발광소자(1)는 크게 어레이 소자와 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비된 유기전계 발광소자용 기판(10)과 이와 대향하는 인캡슐레이션을 위한 대향기판(70)으로 구성되고 있다. The organic electroluminescent device 1 comprises a substrate 10 for an organic electroluminescent device having an array element and an organic electroluminescent diode E and an opposing substrate 70 for encapsulation opposite thereto.

한편 상기 유기전계 발광소자용 기판(10)에 구비되는 상기 어레이 소자는 게이트 및 데이터 배선(미도시)과 연결된 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)와 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)로 이루어지며, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결된 제 1 전극(47)과 유기 발광층(55) 및 제 2 전극(58)으로 이루어지고 있다.The array element included in the substrate 10 includes a switching thin film transistor (not shown) connected to a gate and a data line (not shown), a driving thin film transistor (not shown) connected to the organic light emitting diode And the organic light emitting diode E comprises a first electrode 47 connected to the driving thin film transistor DTr and an organic light emitting layer 55 and a second electrode 58. [

이러한 구성을 갖는 유기전계 발광소자(1)는 상기 유기 발광층(55)으로부터 발생된 빛은 상기 제 1 전극(47) 또는 제 2 전극(58)을 향해 출사됨으로써 화상을 표시하게 된다. 이러한 유기전계 발광소자(1)는 개구율 등을 고려할 때, 통상 상기 제 2 전극(58)을 향해 출사되는 빛을 이용하여 화상을 표시하는 상부 발광 방식으로 제조되고 있다.In the organic electroluminescent device 1 having such a configuration, light generated from the organic light emitting layer 55 is emitted toward the first electrode 47 or the second electrode 58 to display an image. In consideration of the aperture ratio and the like, the organic electroluminescent device 1 is generally manufactured by a top emission type in which an image is displayed using light emitted toward the second electrode 58.

이러한 구성을 갖는 종래의 유기전계 발광소자(1)에 있어서 빛의 경로를 살펴보면, 제 1 및 제 2 전극(47, 58)에 전압이 가해짐으로써 유기 발광층(55)에 전자와 홀이 공급되고, 상기 유기 발광층(55) 내에서 재결합이 이루어짐으로써 빛이 생성된다. In the conventional organic electroluminescent device 1 having such a configuration, when a voltage is applied to the first and second electrodes 47 and 58, electrons and holes are supplied to the organic light emitting layer 55 And recombination is performed in the organic light emitting layer 55 to generate light.

이렇게 유기 발광층(55)에서 발생된 빛은 제 1 전극(47)과 제 2 전극(58)을 향하여 출사되며, 내부 반사를 통해 최종적으로 상기 제 2 전극(58) 및 대향기판(70)을 통과해 외부로 빠져나오게 되며, 이렇게 대향기판(70)면을 통과하여 외부로 나온 빛이 사용자의 눈으로 입사됨으로서 사용자는 화상을 시청할 수 있는 것이다.Light generated in the organic light emitting layer 55 is emitted toward the first electrode 47 and the second electrode 58 and finally passes through the second electrode 58 and the counter substrate 70 through internal reflection The light emitted from the outside through the surface of the counter substrate 70 is incident on the user's eye, so that the user can view the image.

한편, 근래들어 투명 표시장치가 제안되었다. On the other hand, a transparent display device has recently been proposed.

투명 표시장치는 평상시는 마치 글라스와 같이 투명한 상태를 유지하고, 화상 또는 영상을 구현 시는 디스플레이 소자로서 역할을 하는 표시장치이다. The transparent display device is a display device that normally functions as a display device for maintaining a transparent state such as a glass and realizing an image or an image.

이러한 투명 표시장치는 건물 유리나 매장 쇼윈도, 전시장 부스 등에 제품 광고 등의 매체로서 활용도가 높아 최근에 관심이 집중되고 있다.Such a transparent display device has recently been attracting attention because it is highly utilized as a medium for product advertisement in a building glass, a shop window, a display booth, and the like.

이러한 투명 표시장치를 구현할 수 있는 표시장치로는 자발광이 가능한 유기전계 발광소자가 되고 있다. 이는 액정표시장치와 같은 표시장치는 자체 발광하는 소자가 아닌 수광형 소자이므로 백라이트 유닛을 필요로 함으로써 투명 표시장치를 구현할 수 없기 때문이다. As a display device capable of realizing such a transparent display device, it has become an organic electroluminescent device capable of self-emission. This is because a display device such as a liquid crystal display device is not a self-luminous element but a light-receiving element, and thus a transparent display device can not be realized because a backlight unit is required.

한편, 일반적인 투명 유기전계 발광소자(80)는 도 2(일반적인 투명 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역을 간략히 도시한 평면도)에 도시한 바와같이, 적, 녹, 청색(R, G, B)을 발광하는 유기 발광층(LA)과 상기 유기 발광층(LA) 더욱 정확히는 유기전계 발광 다이오드의 구동을 위한 구동부(DA)를 각각 포함하는 서브화소영역(P1, P2, P3)을 갖는 하나의 화소영역(P) 내에 빛이 투과할 수 있는 투과영역(TA)을 구비하며, 상기 유기 발광층(LA)과 구동 박막트랜지스터(미도시) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)를 포함하는 구동부(DA)가 형성되는 어레이 기판(70)과 인캡슐레이션을 위한 기판(미도시)을 모두 투명한 재질을 이용하고 있는 것이 특징이다.As shown in FIG. 2 (a plan view schematically showing one pixel region of a general transparent organic electroluminescent device), a general transparent organic electroluminescent device 80 includes red, green and blue (R, G, B) And a pixel region (P1, P2, P3) having the organic light emitting layer (LA) for emitting light and the driving portion (DA) for driving the organic light emitting diode A driving part DA including the organic light emitting layer LA and a driving thin film transistor (not shown) and a switching thin film transistor (not shown) is formed The array substrate 70 and the substrate (not shown) for encapsulation are both made of a transparent material.

하지만, 이러한 투명영역(TA)을 갖는 종래의 투명 유기전계 발광소자(80)는 적, 녹, 청색을 포함하여 화이트 컬러의 구현이 가능하지만, 블랙 컬러는 잘 구현되지 않으며, 이로인해 블랙 휘도가 상대적으로 낮아 외부 시인성이 저감되고 있다. 이는 유기전계 발광 다이오드로 인가되는 전원을 오프시켜도 배면에서 투과되는 외부광에 의해 광 누설이 생기기 때문이다.However, the conventional transparent organic electroluminescent device 80 having such a transparent region TA can realize a white color including red, green and blue, but the black color is not well realized, The external visibility is reduced. This is because even if the power source applied to the organic light emitting diode is turned off, light leakage occurs due to external light transmitted through the back surface.

따라서, 이러한 문제를 해결하고자 도 3(셔터기판을 포함하는 종래의 투명 유기전계 발광소자에 대한 개략적인 단면도)에 도시한 바와같이, 박막트랜지스터 등의 스위칭 소자(STr)가 구비되며 이와 연결되어 선택적 온(on), 오프(off) 구동이 가능한 차광층(97)을 구비한 셔터기판(95)을 전술한 도 2에 따른 구성을 갖는 유기전계 발광소자(80)와 결합시켜 투명 유기전계 발광소자(90)를 구현하고 있다.Therefore, as shown in Fig. 3 (a schematic cross-sectional view of a conventional transparent organic electroluminescent device including a shutter substrate), a switching element STr such as a thin film transistor is provided, The shutter substrate 95 having the light shielding layer 97 capable of on and off driving can be combined with the organic electroluminescent device 80 having the structure according to the above- (90).

하지만, 이러한 구성을 갖는 종래의 투명 유기전계 발광소자(90)는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되며 제 1 전극(75)과 유기 발광층(76) 및 제 2 전극(78)으로 구성된 유기전계 발광 다이오드(E)를 구비한 제 1 기판(70)과 이와 대향하는 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(79)으로 구성되는 유기전계 발광소자(80)에 더불어 스위칭 소자(STr)가 구비되며 이와 연결되어 선택적 온(on), 오프(off) 구동이 가능한 차광층(97)을 구비한 셔터기판(95)을 추가적으로 부착해야 하므로 경량 박형의 트렌드를 갖는 현 표시장치의 추세에 반하게 된다. The conventional transparent organic electroluminescent device 90 having such a configuration is connected to the driving and switching thin film transistor DTr and the driving thin film transistor DTr and includes the first electrode 75 and the organic light emitting layer 76 And an organic electroluminescent device 80 composed of a first substrate 70 having an organic electroluminescent diode E composed of a first electrode 80 and a second electrode 78 and a second substrate 79 opposed to the first substrate 70, Since the shutter substrate 95 having the light-shielding layer 97 which can be selectively turned on and off can be additionally attached in addition to the switching element STr in addition to the switching element STr, Which is contrary to the trend of the current display device having the display device.

나아가 이를 제조하는데 유기전계 발광소자(80)와 더불어 셔터기판(95)을 별도로 제작해야 하며, 이러한 셔터기판(95)은 선택적으로 차광층(97)이 온, 오프 구동이 가능하도록 구현하기 위해 이와 연결된 상기 스위칭 소자(STr) 일례로 스위칭용 박막 트랜지스터를 형성해야 하므로 그 제조 공정이 매우 복잡하다.The shutter substrate 95 must be separately manufactured in addition to the organic electroluminescent device 80 in order to implement the shutter substrate 95 so that the light shielding layer 97 can be selectively turned on and off. For example, a switching thin film transistor is formed as an example of the switching element STr connected thereto, so that the manufacturing process is very complicated.

특히, 스위칭 소자(STr)인 박막트랜지스터를 형성하기 위해서는 게이트 전극(60), 반도체층(63), 소스 및 드레인 전극(65, 66)의 패터닝을 위해 최소 3회의 마스크 공정을 진행해야 하며, 차광층(97) 자체의 패터닝을 위해서도 1회의 패터닝 공정을 더욱 필요로 하는 바, 이러한 셔터기판(95)을 별도로 구비한 종래의 투명 유기전계 발광소자(90)는 일반적인 유기전계 발광소자(도 1의 1) 대비 최소 4회 이상의 마스크 공정을 추가 진행해야 하므로 단위 시간당 제조 시간이 증가하고, 더불어 제조 비용이 증가하는 문제가 발생되고 있다. Particularly, in order to form the thin film transistor which is the switching element STr, the mask process must be performed at least three times for patterning the gate electrode 60, the semiconductor layer 63, the source and drain electrodes 65 and 66, The conventional transparent organic electroluminescent device 90 having the shutter substrate 95 separately may be applied to a general organic electroluminescent device (see FIG. 1 1), there is a problem that the manufacturing time per unit time is increased and the manufacturing cost is increased.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명은 별도의 차광층과 스위칭 소자인 박막트랜지스터를 포함하는 셔터기판 추가없이 외부 시인성을 향상시키며, 나아가 제조 공정이 저감되고 경량 박형을 구현할 수 있는 투명표시장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the problems described above, and it is an object of the present invention to improve external visibility without addition of a shutter substrate including a separate light shielding layer and a thin film transistor as a switching element, And to provide a transparent display device having such a transparent display device.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자는, 다수의 서브화소영역 및 투과영역을 포함하는 화소영역이 다수 정의된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판의 상기 각 화소영역에 구비되며 다수의 엥커와 상기 다수의 각 엥커와 연결된 빔과 상기 빔과 연결된 셔터로 이루어진 MEMS(micro electro mechanical systems) 구조체와; 상기 제 1 기판 상의 상기 각 서브화소영역에 구비된 유기전계 발광 다이오드를 포함하며, 상기 셔터는 상기 제 1 기판의 배면으로부터 입사되는 빛을 차단하는 역할을 하며, 상기 각 화소영역 내에서 상기 투과영역과 다수의 서브화소영역 간을 선택적으로 이동하는 것이 특징이다.According to an aspect of the present invention, there is provided a transparent organic electroluminescent device including a first substrate on which a plurality of pixel regions including a plurality of sub-pixel regions and a transmissive region are defined; A MEMS (micro electro mechanical systems) structure provided in each of the pixel regions of the first substrate, the MEMS structure including a plurality of anchors, a beam connected to the plurality of anchors, and a shutter connected to the beams; And an organic light emitting diode (OLED) provided in each of the sub pixel regions on the first substrate, wherein the shutter serves to shield light incident from the backside of the first substrate, And a plurality of sub-pixel regions.

이때, 상기 유기전계 발광 다이오드는 상기 MEMS 구조체 상부에 형성된 것이 특징이다.At this time, the organic light emitting diode is formed on the MEMS structure.

그리고, 상기 MEMS 구조체는 상기 제 1 기판의 표면과 직접 접촉하며 형성되며, 상기 MEMS 구조체와 상기 유기전계 발광 다이오드 사이에는 상기 각 서브화소영역 별로 제 1 스위칭 박막트랜지스터와 상기 유기전계 발광 다이오드와 연결된 구동 박막트랜지스터가 구비되며, 상기 화소영역별로 상기 MEMS 구조체의 일 구성요인 엥커와 연결된 제 2 스위칭 박막트랜지스터가 구비된 것이 특징이다.The MEMS structure is formed in direct contact with the surface of the first substrate. Between the MEMS structure and the organic light emitting diode, a first switching thin film transistor and a driving transistor connected to the organic light emitting diode And a second switching thin film transistor connected to one constituent factor of the MEMS structure for each pixel region.

또한, 상기 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와 상기 MEMS 구조체 사이에는 버퍼층이 구비되며, 상기 버퍼층과 상기 제 1 기판의 표면에는 빈 공간이 구비되며, 상기 버퍼층은 상기 MEMS 구조체의 일 구성요소인 상기 엥커에 의해 지지되는 것이 특징이다.In addition, a buffer layer is provided between the first and second switching thin film transistors and the driving thin film transistor and the MEMS structure, and an empty space is provided on the surface of the buffer layer and the first substrate. And is supported by the anchor, which is a component.

그리고 상기 버퍼층에는 상기 엥커를 노출시키는 제 1 홀이 구비되며, 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터의 일전극은 상기 제 1 홀을 통해 상기 엥커와 접촉하는 것이 특징이다. The buffer layer is provided with a first hole exposing the anchor, and one electrode of the second switching thin film transistor is in contact with the anchor through the first hole.

한편, 상기 제 1 기판 상의 상기 각 서브화소영역에는 제 1 스위칭 박막트랜지스터와 상기 유기전계 발광 다이오드와 연결된 구동 박막트랜지스터가 구비되며, 상기 화소영역별로 상기 MEMS 구조체의 일 엥커와 연결된 제 2 스위칭 박막트랜지스터가 구비되며, 상기 MEMS 구조체는 상기 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터 상부에 위치하는 것이 특징이다.The first switching thin film transistor and the driving thin film transistor connected to the organic light emitting diode are provided in the respective sub pixel regions on the first substrate, and the second switching thin film transistor connected to the anchor of the MEMS structure for each pixel region. And the MEMS structure is located above the first and second switching thin film transistors and the driving thin film transistor.

이때, 상기 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와 상기 MEMS 구조체 사이에는 제 1 평탄화층이 구비되며, 상기 MEMS 구조체 상부에는 버퍼층과 제 2 평탄화층이 구비되며, 상기 버퍼층과 상기 제 1 평탄화층 사이에는 빈 공간이 구비되며, 상기 버퍼층은 상기 MEMS 구조체의 일 구성요소인 상기 엥커에 의해 지지되는 것이 특징이다.In this case, a first planarization layer is provided between the first and second switching thin film transistors and the driving thin film transistor and the MEMS structure, and a buffer layer and a second planarization layer are provided on the MEMS structure, And an empty space is provided between the planarization layers, and the buffer layer is supported by the anchor, which is one component of the MEMS structure.

그리고 상기 각 화소영역에 구비된 다수의 엥커 중 적어도 하나의 엥커는 상기 제 1 평탄화층에 구비된 제 1 콘택홀을 통해 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터의 일 전극과 접촉하는 것이 특징이다.At least one of the plurality of anchors provided in each pixel region is in contact with one electrode of the second switching TFT through a first contact hole provided in the first planarization layer.

또한, 상기 유기전계 발광 다이오드는 상기 제 2 평탄화층 상부에 형성되며, 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극에 대응하여 이와 접촉하며 상기 엥커를 이루는 동일한 층에 동일한 물질로 이루어진 연결패턴이 구비되며, 상기 버퍼층과 제 2 평탄화층에는 상기 연결패턴을 노출시키는 제 2 콘택홀이 구비되며, 상기 유기전계 발광 다이오드의 제 1 전극은 상기 제 2 콘택홀을 통해 상기 연결패턴과 접촉하는 것이 특징이다.In addition, the organic light emitting diode is formed on the second planarization layer, the connection pattern corresponding to the drain electrode of the driving thin film transistor and in contact with the same, And the second planarization layer includes a second contact hole exposing the connection pattern, and the first electrode of the organic light emitting diode contacts the connection pattern through the second contact hole.

그리고 상기 셔터의 최 상부에는 블랙층이 형성된 것이 특징이다.A black layer is formed on the uppermost portion of the shutter.

또한, 상기 각 MEMS 구조체는, 상기 각 화소영역 내에서 서로 마주하는 양단에 대칭적으로 구성된 제 1, 2, 3 엥커와; 상기 각 제 2 엥커와 연결되며 대칭적인 구조를 이루며 형성된 제 1 및 제 2 빔과, 상기 각 제 1 엥커와 연결된 제 3 빔과, 상기 각 제 3 엥커와 연결된 제 4 빔과; 상기 제 3 빔 및 제 4 빔의 일끝단과 연결된 셔터를 포함하며, 상기 화소영역의 양단에 구비된 상기 제 1 빔과 제 3 빔은 서로 이격하여 마주하도록 위치하며, 상기 제 2 빔과 제 4 빔은 서로 이격하여 마주하도록 위치한 것이 특징이다.Each of the MEMS structures may include first, second, and third anchors arranged symmetrically on opposite sides of the pixel region; First and second beams formed symmetrically with the second anchors, a third beam connected to the first anchors, and a fourth beam connected to the third anchors; And a shutter connected to one end of the third beam and the fourth beam, wherein the first beam and the third beam provided at both ends of the pixel region are positioned so as to face each other, and the second beam and the fourth beam The beams are positioned to face each other at a distance.

본 발명의 일 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자의 제조 방법은, 다수의 서브화소영역 및 투과영역을 포함하는 각 화소영역이 다수 정의된 제 1 기판 상의 상기 각 화소영역에 다수의 엥커와 상기 엥커와 연결된 빔과 상기 빔과 연결된 셔터로 이루어진 MEMS(micro electro mechanical systems) 구조체를 형성하는 단계와; 상기 MEMS 구조체 위로 각 서브화소영역 별로 제 1 스위칭 박막트랜지스터와 상기 유기전계 발광 다이오드와 연결된 구동 박막트랜지스터와, 상기 화소영역별로 상기 MEMS 구조체의 엥커와 연결된 제 2 스위칭 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터 위로 상기 각 서브화소영역에 유기전계 발광 다이오드를 형성하는 단계를 포함한다. A method of manufacturing a transparent organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention includes: forming a plurality of pixel areas on a first substrate having a plurality of pixel areas including a plurality of sub-pixel areas and a transmissive area, Forming a MEMS (micro electro mechanical systems) structure consisting of a beam coupled to the anchor and a shutter coupled to the beam; Forming a first switching TFT, a driving TFT connected to the organic light emitting diode, and a second switching TFT connected to an anchor of the MEMS structure for each pixel region, for each sub pixel region on the MEMS structure; And forming an organic light emitting diode in each of the sub pixel regions over the first and second switching thin film transistors and the driving thin film transistor.

이때, 상기 제 1, 2 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 형성하기 이전에 상기 MEMS 구조체 위로 상기 엥커에 의해 지지되는 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층과 제 1 기판 표면 사이에 빈 공간을 형성을 형성하는 단계를 포함한다.At this time, a buffer layer supported by the anchors is formed on the MEMS structure before forming the first and second switching thin film transistors and the driving thin film transistor, and a gap is formed between the buffer layer and the first substrate surface .

또한, 상기 MEMS 구조체 위로 상기 엥커에 의해 지지되는 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층과 제 1 기판 표면 사이에 빈 공간을 형성을 형성하는 단계는, 상기 MEMS 구조체 위로 유기물질층을 형성하는 단계와; 상기 유기물질층 위로 상기 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층에 상기 유기물질층을 노출시키는 용해홀을 형성하는 단계와; 상기 용해홀을 통해 상기 유기물질층을 상기 유기물질층을 용해시키는 식각액에 노출시켜 용해시키고 용해된 상기 유기물질층을 제거함으로서 상기 제 1 기판 표면과 버퍼층 사이에 빈 공간을 형성하는 단계를 포함한다. The step of forming a buffer layer supported by the anchor on the MEMS structure and forming a void space between the buffer layer and the surface of the first substrate may include forming an organic material layer on the MEMS structure; Forming a buffer layer on the organic material layer and forming a dissolution hole in the buffer layer to expose the organic material layer; And exposing and melting the organic material layer to the etchant dissolving the organic material layer through the dissolution hole and removing the dissolved organic material layer to form a void space between the first substrate surface and the buffer layer .

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자의 제조 방법은, 다수의 서브화소영역 및 투과영역을 포함하는 각 화소영역이 다수 정의된 제 1 기판 상의 각 서브화소영역 별로 제 1 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 형성하고, 동시에 상기 화소영역별로 제 2 스위칭 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터 위로 각 화소영역에 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터의 일 전극과 연결되며, 다수의 엥커와 상기 다수의 엥커와 연결된 다수의 빔과 상기 빔과 연결된 셔터로 이루어 MEMS(micro electro mechanical systems) 구조체를 형성하는 단계와; 상기 MEMS 구조체 위로 상기 각 서브화소영역에 상기 구동 박막트랜지스터의 일 전극과 연결된 유기전계 발광 다이오드를 형성하는 단계를 포함한다.A method of fabricating a transparent organic electroluminescent device according to another embodiment of the present invention is a method for fabricating a transparent organic electroluminescent device including a plurality of pixel regions including a plurality of sub pixel regions and a transmissive region, Forming a transistor and a driving thin film transistor, and forming a second switching thin film transistor for each pixel region at the same time; A plurality of anchors, a plurality of beams connected to the plurality of anchors, and a plurality of switches connected to the plurality of anchors, the plurality of anchors being connected to one of the first switching thin film transistors and the driving thin film transistors, Forming a MEMS (micro electro mechanical systems) structure; And forming an organic light emitting diode connected to one electrode of the driving thin film transistor in each sub pixel region on the MEMS structure.

이때, 상기 MEMS 구조체를 형성하기 이전에 제 1, 2 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터 위로 제 1 평탄화층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 유기전계 발광 다이오드를 형성하기 이전에 상기 MEMS 구조체 위로 상기 엥커에 의해 지지되는 버퍼층을 형성하고 상기 버퍼층과 상기 제 1 평탄화층 사이에 빈 공간을 형성을 형성하는 단계와, 상기 버퍼층 위로 제 2 평탄화층을 형성하는 단계를 포함한다.Forming a first planarization layer over the first and second switching thin film transistors and the driving thin film transistor before forming the MEMS structure, wherein, prior to forming the organic light emitting diode, Forming a buffer layer supported by the buffer layer and forming a void space between the buffer layer and the first planarization layer, and forming a second planarization layer on the buffer layer.

그리고 상기 유기전계 발광 다이오드를 형성하기 이전에 상기 MEMS 구조체 위로 상기 엥커에 의해 지지되는 버퍼층을 형성하고 상기 버퍼층과 상기 제 1 평탄화층 사이에 빈 공간을 형성을 형성하는 단계는, 상기 MEMS 구조체 위로 유기물질층을 형성하는 단계와; 상기 유기물질층 위로 상기 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층에 상기 유기물질층을 노출시키는 용해홀을 형성하는 단계와; 상기 용해홀을 통해 상기 유기물질층을 상기 유기물질층을 용해시키는 식각액에 노출시켜 용해시키고 용해된 상기 유기물질층을 제거함으로서 상기 제 1 평탄화층과 버퍼층 사이에 빈 공간을 형성하는 단계를 포함한다. Forming a buffer layer supported by the anchor on the MEMS structure prior to forming the organic light emitting diode and forming an empty space between the buffer layer and the first planarization layer, Forming a layer of material; Forming a buffer layer on the organic material layer and forming a dissolution hole in the buffer layer to expose the organic material layer; Exposing the organic material layer to an etchant dissolving the organic material layer through the dissolution hole and removing the dissolved organic material layer to form a void space between the first planarization layer and the buffer layer .

한편, 상기 MEMS 구조체를 형성하는 단계는, 상기 엥커가 형성될 각 부분에 대응하여 홀을 갖는 1차 희생층을 형성하는 단계와; 상기 1차 희생층 위로 상기 빔과 셔터가 형성될 부분 및 상기 홀에 대응하여 제거된 것을 특징으로 하는 2차 희생층을 형성하는 단계와; 상기 2차 희생층 위로 비정질 실리콘층과 금속층 및 블랙물질층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 블랙 물질층 위로 제 1 두께를 갖는 제 1 포토레지스트 패턴을 상기 셔터가 형성될 부분에 대응하여 형성하고 동시에 상기 제 1 두께 보다 얇은 제 2 포토레지스트 패턴을 상기 엥커가 형성될 부분에 대응하여 형성하는 단계와; 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴 외측으로 노출된 상기 블랙 물질층을 제거하는 단계와; 상기 블랙 물질층이 제거됨으로서 노출된 상기 금속층과 이의 하부의 하부에 위치하는 비정질 실리콘층에 대해 이방성의 건식식각을 진행함으로서 상기 제 2 희생층의 측면 및 상면에 존재하는 삼중층 구조의 셔터 및 엥커를 형성하고, 동시에 상기 제 2 희생층의 측면에만 존재하는 이중층 구조의 빔을 형성하는 단계와; 애싱을 진행하여 제 2 포토레지스트 패턴을 제거함으로서 상기 삼중층 구조의 엥커를 노출시키는 단계와; 노출된 상기 엥커의 최상부층인 블랙물질층을 제거하여 이중층 구조를 갖도록 하는 단계와; 스트립을 진행하여 삼중층 구조의 셔터를 노출시키는 단계와; 상기 2차 및 1차 희생층을 제거하는 단계를 포함한다. Meanwhile, the step of forming the MEMS structure may include forming a primary sacrificial layer having holes corresponding to the respective parts to be formed with the anchors; Forming a second sacrificial layer on the first sacrificial layer, wherein the second sacrificial layer is removed in correspondence with the portion where the beam and the shutter are to be formed and the hole; Sequentially forming an amorphous silicon layer, a metal layer and a black material layer on the second sacrificial layer; A first photoresist pattern having a first thickness above the black material layer is formed corresponding to a portion where the shutter is to be formed and a second photoresist pattern thinner than the first thickness is formed corresponding to a portion where the anchor is to be formed ; Removing the black material layer exposed outside the first and second photoresist patterns; The anisotropic dry etching is performed on the metal layer exposed by removing the black material layer and the amorphous silicon layer located under the lower portion of the metal layer so that the triple layered shutter and anchor Forming a beam of bilayer structure present only on the side of the second sacrificial layer at the same time; Exposing the anchors of the triple layer structure by ashing and removing the second photoresist pattern; Removing the black material layer that is the uppermost layer of the exposed anchors to have a bilayer structure; Exposing the shutter of the triple layer structure by advancing the strip; And removing the secondary and primary sacrificial layers.

또한, 상기 엥커 위로 선택적으로 보조패턴을 형성하는 단계를 더 포함한다. The method may further include forming an auxiliary pattern selectively over the anchor.

그리고 상기 MEMS 구조체를 형성하는 단계는, 상기 엥커가 형성될 각 부분에 대응하여 홀을 갖는 1차 희생층을 형성하는 단계와; 상기 1차 희생층 위로 상기 빔과 셔터가 형성될 부분 및 상기 홀에 대응하여 제거된 것을 특징으로 하는 2차 희생층을 형성하는 단계와; 상기 2차 희생층 위로 비정질 실리콘층과 금속층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 블랙 물질층 위로 포토레지스트 패턴을 상기 셔터 및 엥커가 형성될 부분에 대응하여 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴 외측으로 노출된 상기 금속층과 이의 하부의 하부에 위치하는 비정질 실리콘층에 대해 이방성의 건식식각을 진행함으로서 상기 제 2 희생층의 측면 및 상면에 존재하는 이중층 구조의 셔터 및 엥커를 형성하고, 동시에 상기 제 2 희생층의 측면에만 존재하는 이중층 구조의 빔을 형성하는 단계와; 스트립을 진행하여 상기 포토레지스트 패턴을 제거함으로서 상기 이중층 구조의 엥커와 빔 및 셔터를 노출시키는 단계와; 상기 2차 및 1차 희생층을 제거하는 단계를 포함한다. And forming the MEMS structure includes: forming a first sacrificial layer having holes corresponding to respective portions to be formed with the anchors; Forming a second sacrificial layer on the first sacrificial layer, wherein the second sacrificial layer is removed in correspondence with the portion where the beam and the shutter are to be formed and the hole; Sequentially forming an amorphous silicon layer and a metal layer on the second sacrificial layer; Forming a photoresist pattern on the black material layer corresponding to a portion where the shutter and the anchor are to be formed; Anisotropic dry etching is performed on the metal layer exposed to the outside of the photoresist pattern and the amorphous silicon layer located under the lower portion of the metal layer to form a double layer shutter and anchor existing on the side and top surface of the second sacrificial layer Forming a beam of bilayer structure present only on the side of the second sacrificial layer at the same time; Exposing the bilayer structure anchors and beams and shutters by advancing a strip to remove the photoresist pattern; And removing the secondary and primary sacrificial layers.

이때, 상기 셔터의 상부에 블랙층을 형성하는 단계를 포함한다.
At this time, a black layer is formed on the shutter.

본 발명의 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자는 구동 및 제 1 스위칭 박막트랜지스터가 구비되는 제 1 기판에 광셔터와 이의 온/오프 동작을 위한 제 2 스위칭 박막트랜지스터가 빛의 투과와 차단을 선택적으로 하는 셔터가 구비됨으로써 별도의 스위칭 소자 및 이와 연결된 차광층을 포함하는 셔터기판을 필요로 하지 않으므로 경량박형의 투명 유기전계 발광소자를 실현시키는 효과를 갖는다.A transparent organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention includes a first substrate with a driving and a first switching thin film transistor and a second switching thin film transistor for on / The organic electroluminescent device according to the present invention has the effect of realizing a lightweight, thin transparent organic electroluminescent device since it does not require a shutter substrate including a separate switching element and a light shielding layer connected thereto.

나아가 셔터를 온/오프 동작을 위한 제 2 스위칭 박막트랜지스터가 유기전계 발광 다이오드와 구동을 위한 구동 박막트랜지스터가 구비되는 제 1 기판에 상기 구동 박막트랜지스터 형성 시 동시에 형성됨으로서 종래의 셔터기판이 부착된 투명 유기전계 발광소자 대비 제조 공정을 단순화하는 효과가 있다.Further, the second switching thin film transistor for on / off operation of the shutter is formed at the same time when the driving thin film transistor is formed on the first substrate including the driving thin film transistor for driving the organic light emitting diode, The manufacturing process is simplified compared to the organic electroluminescent device.

또한, 투명 유기전계 발광소자에 있어서 셔터 동작에 의해 선택적인 블랙 구현이 가능하므로 외부 시인성을 향상시켜 고품위의 표시품질을 제공하는 효과가 있다.Further, in the transparent organic electroluminescent device, selective black can be realized by the shutter operation, thereby enhancing external visibility and providing a high-quality display quality.

도 1은 종래의 유기전계 발광 소자의 하나의 화소영역에 대한 개략적인 단면도.
도 2는 일반적인 투명 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역을 간략히 도시한 평면도.
도 3은 셔터기판을 포함하는 종래의 투명 유기전계 발광소자에 대한 개략적인 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 포함하는 투명 표시장치의 하나의 화소영역에 대한 단면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 포함하는 투명 표시장치의 하나의 화소영역에 대한 개략적인 평면도로서 뱅크와 유기발광층만을 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 각 화소영역에 구비되는 MEMS 구조체만을 도시한 평면도.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 포함하는 투명 표시장치의 하나의 화소영역에 대한 단면도.
도 8a 내지 도 8s는 도 6의 절단선 Ⅷ-Ⅷ를 따라 절단한 부분에 대한 제조 단계별 공정 단면도.
도 9a 내지 9s는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역 중 하나의 서브화소영역과 투과영역에 대한 제조 단계별 공정 단면도.1 is a schematic cross-sectional view of one pixel region of a conventional organic electroluminescent device.
2 is a plan view schematically showing one pixel region of a general transparent organic electroluminescent device.
3 is a schematic cross-sectional view of a conventional transparent organic electroluminescent device including a shutter substrate.
4 is a cross-sectional view of one pixel region of a transparent display device including an organic electroluminescent device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a schematic plan view of one pixel region of a transparent display device including an organic electroluminescent device according to the first embodiment of the present invention, showing only a bank and an organic light emitting layer. FIG.
6 is a plan view showing only an MEMS structure provided in each pixel region of an organic electroluminescent device according to the first embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view of one pixel region of a transparent display device including an organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention.
FIGS. 8A to 8 S are cross-sectional views showing steps taken along the cutting line taken along the section line VIII-VIII of FIG. 6;
FIGS. 9A to 9 S are cross-sectional views illustrating one sub-pixel region and a transmissive region in one pixel region of the organic electroluminescent device according to the first embodiment of the present invention.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역 중 하나의 부화소영역과 투과영역에 대한 단면도이며, 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 포함하는 투명 표시장치의 하나의 화소영역에 대한 개략적인 평면도로서 뱅크와 유기발광층만을 도시한 도면이며, 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 각 화소영역에 구비되는 MEMS 구조체만을 도시한 평면도이다. 이때, 각 화소영역은 적, 녹, 청색을 발광하는 제 1, 2, 3 서브화소영역과, 상기 서브화소영역과 이격하여 투과영역으로 정의한다.FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating one of the pixel regions and the transmissive region of one pixel region of the transparent organic electroluminescent device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 5 is a cross- 6 is a plan view schematically showing one pixel region of a transparent display device including a light emitting device, and FIG. 6 is a plan view showing only a bank and an organic light emitting layer in a pixel region of the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 5 is a plan view showing only the MEMS structure provided. At this time, each pixel region is defined as first, second, and third sub pixel regions emitting red, green, and blue light, and a transmissive region spaced apart from the sub pixel region.

도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자(101)는, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)와 유기전계 발광 다이오드(E)와 이동 가능하며 차광부와 투과부로 이루어진 셔터(530) 및 이와 연결된 스위칭 소자(STr2)가 구비된 제 1 기판(110) 및 이와 대향하여 상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 보호와 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)이 합착되어 패널 상태를 이루고 있다.As shown in the figure, the transparent organic electroluminescent device 101 according to the first embodiment of the present invention includes a light emitting diode (OLED) 101 which is movable with a switching and driving thin film transistor (not shown, DTr) and an organic light emitting diode A first substrate 110 provided with a shutter 530 made of a transmissive portion and a switching element STr2 connected thereto and a second substrate 170 for protecting and encapsulating the organic electroluminescent diode E, Are joined together to form a panel state.

이때, 상기 제 2 기판(170)은 유연한 특성을 갖는 플라스틱으로 또는 유리기판으로 이루어져 상기 제 1 기판(110)과 이격하며 구비될 수도 있으며, 또는 상기 제 2 기판(170)은 점착층(미도시)을 포함하는 필름 형태로 상기 제 1 기판(110)의 최상층에 구비된 상기 제 2 전극(158)과 접촉하도록 구성될 수도 있다. At this time, the second substrate 170 may be formed of a flexible plastic or a glass substrate and may be spaced apart from the first substrate 110, or the second substrate 170 may be an adhesive layer (not shown) And the second electrode 158 provided on the uppermost layer of the first substrate 110 in the form of a film including the first electrode 110 and the second electrode 115.

또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자(101)는 상기 제 2 전극(158) 상부로 유기절연막(미도시) 또는 무기절연막(미도시)이 더욱 구비되어 상기 유기절연막(미도시) 또는 무기절연막(162)은 그 자체로 인캡슐레이션 막(미도시)으로 이용될 수 있으며, 이 경우 상기 제 2 기판(170)은 생략될 수 있다. The transparent organic electroluminescent device 101 according to the first embodiment of the present invention further includes an organic insulating film (not shown) or an inorganic insulating film (not shown) above the second electrode 158, (Not shown) or the inorganic insulating film 162 may be used as an encapsulation film (not shown) by itself, in which case the second substrate 170 may be omitted.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자(101)에 있어 가장 중요한 구성요소인 제 1 기판(110)의 구성에 대해 설명한다.The structure of the first substrate 110, which is the most important component in the transparent organic electroluminescent device 101 according to the first embodiment of the present invention, will be described.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자(101)의 제 1 기판(110)에는 스위칭 소자(STr2)의 온/오프 동작에 의해 소정 거리를 이동하는 셔터(530)와 상기 셔터(530)의 이동거리를 조절하는 수단이 되며, 상기 스위칭 소자(STr2)와 전기적으로 연결된 적어도 하나를 포함하는 다수의 엥커(510)와, 상기 각 엥커(510)와 연결된 빔(520)로 이루어진 MEMS(micro electro mechanical systems) 구조체(501)가 구비되고 있다. 이때, 상기 셔터(530)는 차광부의 상부에 저반사 특성을 갖는 블랙층(530c)이 형성되고 있는 것이 특징이다. The first substrate 110 of the transparent organic electroluminescent device 101 according to the first embodiment of the present invention is provided with a shutter 530 which moves a predetermined distance by on / off operation of the switching device STr2, 530 and includes a plurality of anchors 510 including at least one electrically connected to the switching device STr2 and a MEMS 520 comprising a beam 520 connected to the respective anchors 510. [ (micro electro mechanical systems) structure 501 are provided. At this time, the shutter 530 is characterized in that a black layer 530c having a low reflection characteristic is formed on the light shielding portion.

그리고, 이러한 MEMS 구조체(501) 상부에는 버퍼층(113)이 형성되고 있으며, 이때, 상기 버퍼층(113)과 제 1 기판(110)의 표면 사이에는 상기 MEMS 구조체(501)의 일 구성요소인 셔터(530)가 이동할 수 있는 빈 공간이 구비되며, 상기 버퍼층(113)은 MEMS 구조체(501)의 엥커(510)에 의해 지지되고 있는 것이 특징이다. A buffer layer 113 is formed on the MEMS structure 501. A shutter serving as one component of the MEMS structure 501 is formed between the buffer layer 113 and the surface of the first substrate 110 And the buffer layer 113 is supported by the anchor 510 of the MEMS structure 501. In this case,

한편, 상기 버퍼층(113) 위로 서로 교차하여 각 서브화소영역(P1, P2, P3) 및 투과영역(TA)을 정의하는 게이트 및 데이터 배선(미도시)과, 이들 두 배선(미도시) 중 어느 하나의 배선과 나란하게 배치되는 전원배선(미도시)이 구비되고 있다. On the other hand, a gate and a data line (not shown) that define the sub pixel regions P1, P2, and P3 and the transmissive region TA intersect each other on the buffer layer 113 and a gate line (Not shown) arranged side by side with one wiring.

이때, 상기 각 서브화소영역(P1, P2, P3)에는 상기 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)과 연결된 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 형성되어 있으며, 나아가 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 일 전극 및 상기 전원배선(미도시)과 연결되며 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되고 있다. At this time, a switching thin film transistor (not shown) connected to the gate wiring (not shown) and the data wiring (not shown) is formed in each of the sub pixel regions P1, P2, and P3, And a driving thin film transistor DTr connected to the power supply wiring (not shown).

상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는, 게이트 전극(115)과, 게이트 절연막(118)과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(120a)과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)으로 구성된 반도체층(120)과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)으로 구성되고 있다. The driving thin film transistor DTr includes a semiconductor layer 120 composed of a gate electrode 115, a gate insulating film 118, an active layer 120a of pure amorphous silicon, and an ohmic contact layer 120b of impurity amorphous silicon, And source and drain electrodes 133 and 136 spaced apart from each other.

이때, 도면에 나타내지 않았지만 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 또한 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조를 이루고 있다.At this time, although not shown, the switching thin film transistor (not shown) also has the same structure as the driving thin film transistor DTr.

그리고, 상기 버퍼층(113) 위로 상기 화소영역에는 상기 구동 또는 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 동일한 구성을 갖는 스위칭 소자(STr2)가 구비되고 있다. A switching element STr2 having the same structure as the driving or switching thin film transistor DTr (not shown) is provided in the pixel region above the buffer layer 113. [

이때, 상기 스위칭 소자(STr2)는 상기 MEMS 구조체(501)에 관련되어 상기 MEMS 구조체(501)를 이루는 일 구성요소인 엥커(510)와 연결되어 상기 셔터(530)의 이동을 조절하는 구성요소가 되고 있다.The switching element STr2 is connected to an anchor 510 which is a component of the MEMS structure 501 in relation to the MEMS structure 501 to control the movement of the shutter 530 .

이러한 스위칭 소자(STr2)는 실질적으로 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와 동일한 적층 구조를 갖는 박막트랜지스터가 되므로 이하 설명의 편의를 위해 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터를 제 1 스위칭 박막트랜지스터(미도시), 그리고 상기 MEMS 구조체(501)와 연결된 스위칭 소자를 제 2 스위칭 박막트랜지스터(STr2)라 칭한다.Since the switching element STr2 is a thin film transistor substantially the same as the switching thin film transistor (not shown), a switching thin film transistor connected to the gate wiring and the data wiring is referred to as a first switching thin film transistor (Not shown), and a switching element connected to the MEMS structure 501 is referred to as a second switching thin film transistor STr2.

한편, 이러한 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터(미도시, Str2) 및 구동 박막트랜지스터(DTr)는 도면에 있어서는 게이트 전극(115)과, 게이트 절연막(118)과, 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(120a)과 이의 상부로 서로 이격하며 불순물 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹콘택층(120b)으로 구성된 반도체층(120)과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극((133, 134), (136, 137))의 적층 구조를 갖는 것을 일례로 보이고 있지만, 이러한 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터(미도시, Str2) 및 구동 박막트랜지스터(DTr)의 적층 구성은 다양하게 변형될 수 있다.In the drawing, the first and second switching thin film transistors (not shown) and the driving thin film transistor DTr are formed by a gate electrode 115, a gate insulating film 118, an active layer made of pure amorphous silicon A semiconductor layer 120 formed on the semiconductor layer 120a and an ohmic contact layer 120b made of impurity amorphous silicon and spaced apart therefrom and source and drain electrodes 133, 134, 136, and 137 spaced from each other Layer structure. However, the lamination structure of the first and second switching thin film transistors (not shown) and the driving thin film transistor DTr may be variously modified.

즉, 상기 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터(미도시, Str2) 및 구동 박막트랜지스터(DTr)는 각각 순수 폴리실리콘의 액티브층과 이의 양측에 불순물이 도핑된 폴리실리콘의 소스 및 드레인 영역으로 이루어진 반도체층과, 게이트 절연막과, 상기 액티브층과 중첩하여 형성된 게이트 전극과, 상기 소스 및 드레인 영역을 노출시키는 반도체 콘택홀을 갖는 층간절연막과, 상기 반도체층 콘택홀을 통해 각각 상기 소스 및 드레인 영역과 접촉하며 서로 이격하며 형성된 소스 및 드레인 전극의 적층 구조를 갖도록 구성될 수도 있으며, 나아가 상기 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터(미도시, Str2) 및 구동 박막트랜지스터(DTr)는 각각 게이트 전극과, 게이트 절연막과, 산화물 반도체층과, 에치스토퍼와, 상기 에치스토퍼 상에서 서로 이격하며 각각 상기 산화물 반도체층과 접촉하는 소스 및 드레인 전극의 적층 구조를 갖도록 구성될 수도 있다. That is, the first and second switching thin film transistors (not shown, Str2) and the driving thin film transistor (DTr) are formed of an active layer of pure polysilicon and a semiconductor layer formed of source and drain regions of polysilicon doped with impurities An interlayer insulating film having a gate insulating film, a gate electrode formed to overlap with the active layer, and a semiconductor contact hole exposing the source and drain regions, and an interlayer insulating film which contacts the source and drain regions through the semiconductor layer contact holes, The first and second switching thin film transistors (not shown) and the driving thin film transistor DTr may have a stacked structure of source and drain electrodes spaced apart from each other. Further, the first and second switching thin film transistors (not shown) An oxide semiconductor layer, an etch stopper, and an etch stopper, So as to have a laminated structure of the source and drain electrodes in contact with the conductive layer may be configured.

다음, 상기 제 1 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)와 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터(Str2) 상부로 보호층(140)이 상기 제 1 기판(110) 전면에 대응하여 형성되어 있다.Next, a protective layer 140 is formed on the entire surface of the first substrate 110 so as to cover the first switching and driving thin film transistor (not shown) and the second switching thin film transistor Str2.

그리고 상기 보호층(140) 위로 평탄화층(145)이 표시영역 전면에 형성되고 있다. 이때, 상기 평탄화층(145)과 상기 보호층(140)에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)이 구비되고 있다. A planarization layer 145 is formed on the entire surface of the display region on the protective layer 140. A drain contact hole 143 is formed in the planarization layer 145 and the passivation layer 140 to expose the drain electrode 136 of the driving TFT DTr.

또한, 상기 평탄화층(145) 위로 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 접촉하며 각 부화소영역(P1, P2, P3)별로 제 1 전극(150)이 형성되어 있다.The drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr is connected to the planarization layer 145 through the drain contact hole 143 and the first electrode 150 are formed.

그리고, 상기 제 1 전극(150)과 상기 평탄화층(150) 위로 상기 각 부화소영역(P1, P2, P3) 및 투과영역(TA)의 경계에 대응하여 상기 제 1 전극(150)의 테두리와 소정폭 중첩하며 뱅크(153)가 형성되어 있다. 이러한 뱅크(153)는 상기 각 부화소영역(P1, P2, P3)에 있어서는 상기 제 1 전극(150)의 중앙부를 노출시키는 형태를 이룬다. The rim of the first electrode 150 and the transmissive region TA correspond to the boundaries of the sub-pixel regions P1, P2, and P3 and the transmissive region TA over the first electrode 150 and the planarization layer 150, And a bank 153 is formed. The banks 153 expose the central portions of the first electrodes 150 in the sub-pixel regions P1, P2, and P3.

또한, 상기 뱅크(153)로 둘러싸인 각 서브화소영역(P1, P2, P3)별로 상기 제 1 전극(150) 위로 적, 녹, 청색을 발광하는 유기 발광층(155)이 형성되어 있다. The organic light emitting layer 155 is formed on the first electrode 150 to emit red, green, and blue light for each sub pixel region P1, P2, and P3 surrounded by the bank 153.

이때, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 서브화소영역(P1, P2, P3)은 적, 녹, 청색을 발광하는 3개의 서브화소영역(P1, P2, P3)과 더불어 추가적으로 화이트를 발광하는 서브화소영역(미도시)이 더욱 구비되어 적, 녹, 청 및 화이트를 발광하는 4개의 서브화소영역(P1, P2, P3, 미도시)으로 구성될 수도 있다. Although not shown in the figure, the sub pixel regions P1, P2, and P3 include three sub pixel regions P1, P2, and P3 that emit red, green, and blue, And four sub pixel regions P1, P2, and P3 (not shown) that emit red, green, blue, and white light.

그리고, 상기 유기 발광층(155) 상부에는 상기 표시영역(AA) 전면에 제 2 전극(158)이 형성되어 있다. A second electrode 158 is formed on the entire surface of the display area AA on the organic light emitting layer 155.

이때, 상기 각 부화소영역(P1, P2, P3)에 순차 적층 구비된 상기 제 1 전극(150)과 유기 발광층(155)과 상기 제 2 전극(158)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다.At this time, the first electrode 150, the organic light emitting layer 155, and the second electrode 158, which are sequentially stacked on the sub-pixel regions P1, P2, and P3, form an organic light emitting diode E .

한편, 각 화소영역(P)에 구비된 투과영역(TA)은 제 1 전극(150)과 유기 발광층(155)이 형성되지 않으므로, 항상 배면으로부터 나온 빛을 투과시키는 역할을 함으로써 투명한 상태의 표시소자를 이루게 하는 역할을 하는 구성요소가 된다. Since the first electrode 150 and the organic light emitting layer 155 are not formed in the transmissive region TA provided in each pixel region P, it always transmits light from the back surface, And the like.

이러한 구성을 갖는 상기 제 1 기판(110)과 대향하며 접착층(미도시)을 개재하거나 또는 테두리를 따라 씰패턴(미도시)이 구비되어 투명한 재질인 유리 또는 플라스틱으로 이루어진 제 2 기판(170)이 부착됨으로서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자(S1)를 이루고 있다.A second substrate 170 made of glass or plastic, which is opposed to the first substrate 110 having such a structure and has an adhesive layer (not shown) interposed therebetween or a seal pattern (not shown) Thereby forming the transparent organic electroluminescent device S1 according to the first embodiment of the present invention.

이때, 상기 제 2 기판(170)은 앞서 언급하였듯이 상기 제 1 기판(110)의 상기 제 2 전극(158) 상부로 유기절연막(미도시) 또는 무기절연막(미도시)이 더욱 구비되어 상기 유기절연막(미도시) 또는 무기절연막(미도시)은 그 자체로 인캡슐레이션 막(미도시)으로 이용될 수 있으며, 이러한 경우 상기 제 2 기판(170)은 생략될 수 있다. As described above, the second substrate 170 is further provided with an organic insulating film (not shown) or an inorganic insulating film (not shown) above the second electrode 158 of the first substrate 110, (Not shown) or an inorganic insulating film (not shown) may be used as an encapsulation film (not shown) by itself, and in this case, the second substrate 170 may be omitted.

한편, 이러한 구성을 갖는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 하나의 각 화소영역(P)이 하나의 투과영역(TA)과 3개의 서브화소영역(P1, P2, P3)으로 이루어지며, 각 화소영역(P) 내에서 상기 3개의 서브화소영역(P1, P2, P3)은 상기 게이트 배선(미도시)이 연장하는 제 1 방향으로 이웃하여 배치되고 있으며, 이러한 3개의 서브화소영역(P1, P2, P3)과 상기 투과영역(TA)은 상기 데이터 배선(미도시)이 연장하는 제 2 방향으로 이웃하여 배치되고 있다.In the organic EL device 101 according to the first embodiment of the present invention having such a configuration, each pixel region P includes one transmissive region TA and three sub-pixel regions P1, P2, P3 in the pixel region P and the three sub pixel regions P1, P2, and P3 are arranged adjacent to each other in the first direction in which the gate wiring (not shown) extends. The sub pixel regions P1, P2, and P3 and the transmissive region TA are disposed adjacent to each other in the second direction in which the data lines (not shown) extend.

이때, 상기 MEMS 구조체(501)는 상기 셔터(530)가 위치하는 부분은 상기 셔터(530)의 차광부 상부에는 블랙층(531)이 구비됨으로서 빛의 투과를 차단하는 역할을 하며, 상기 셔터(530)의 투과부가 위치하는 부분은 배면으로부터 입사된 빛이 투과하는 역할을 하게 된다. At this time, the portion of the MEMS structure 501 where the shutter 530 is located is provided with a black layer 531 at an upper portion of the light shielding portion of the shutter 530 to block transmission of light, 530 are positioned to transmit the light incident from the rear surface.

이러한 투광부와 차단부를 갖는 셔터(530)를 구비한 상기 MEMS 구조체(501)는 각 화소영역(P) 내에서 빔(520)과 이와 연결된 엥커(510)의 스프링 작용에 의해 상기 차광부의 위치를 이동시킬 수 있으며, 상기 차광부를 이루는 상기 셔터(530)는 상기 MEMS 구조체(501)와 연결된 제 2 스위칭 박막트랜지스터의 온, 오프 동작에 의해 각 화소영역 내에서 부화소영역이 위치하는 영역에 대응하여 위치할 수도 있으며, 또는 투과영역에 위치할 수도 있다.The MEMS structure 501 including the shutter 530 having the transparent portion and the blocking portion is disposed in the pixel region P by a spring action of the beam 520 and the anchor 510 connected thereto, And the shutter 530 constituting the light-shielding portion corresponds to a region where the sub-pixel region is located in each pixel region by the ON / OFF operation of the second switching thin film transistor connected to the MEMS structure 501 Or may be located in the transmissive region.

조금 더 상세히 상기 MEMS 구조체(501)의 구조 및 동작에 대해 설명한다. The structure and operation of the MEMS structure 501 will be described in more detail.

상기 MEMS 구조체(501)는, 평면적으로 각 화소영역(P) 내의 서로 마주하는 양단 더욱 정확히는 서브화소영역(P1, P2, P3)과 투과영역(TA)이 배치되는 방향 즉 제 2 방향으로 위치하는 화소영역(P)의 양단에 각각 3개의 이격하는 제 1, 2, 3 엥커(510a, 510b, 510c)가 구비되며, 이들 제 1, 2, 3 엥커(510a, 510b, 510c)와 연결되는 제 1 내지 4 빔(520a, 520b, 520c, 520d)과, 이들 빔(520a, 520b, 520c, 520d) 중 제 3 및 제 4 빔(520c, 520d)의 일 끝단과 연결된 셔터(530)부로 구성되고 있다. The MEMS structure 501 is positioned in a direction in which the sub pixel regions P1, P2, and P3 and the transmissive region TA are disposed, that is, in the second direction, The first, second, and third anchors 510a, 510b, and 510c are spaced apart from each other at both ends of the pixel region P. The first, second, and third anchors 510a, 510b, and 510c are connected to the first, 520a, 520b, 520c and 520d and a shutter 530 connected to one end of the third and fourth beams 520c and 520d of the beams 520a, 520b, 520c and 520d have.

상기 제 1, 2, 3 엥커(510a, 510b, 510c) 중 중앙에 위치하는 상기 제 2 엥커(510b)와 각각 그 일 끝단이 접촉하며 상기 제 2 엥커(510b)를 기준으로 대칭적으로 둔각을 이루며 제 1 및 제 2 빔(520a, 520b)이 위치하고, 상기 제 1 및 제 3 엥커(510a, 510c)와 그 일끝단이 각각 연결되며 상기 제 2 엥커(510b)를 기준으로 대칭적인 구조를 이루는 제 3 빔과 제 4 빔(520c, 520d)이 위치하며, 이들 제 3 및 제 4 빔(520c, 520d)의 타 끝단은 상기 셔터(530)와 연결된 구성을 이루고 있다.The first and second anchors 510a, 510b and 510c are arranged such that one end of each of the first and second anchors 510a, 510b and 510c is in contact with the second anchor 510b located at the center of the first and second anchors 510a, 510b and 510c symmetrically with respect to the second anchor 510b. The first and second beams 520a and 520b are positioned such that the first and third anchors 510a and 510c are connected to one end thereof and are symmetrical with respect to the second anchor 510b The third beam and the fourth beams 520c and 520d are positioned and the other ends of the third and fourth beams 520c and 520d are connected to the shutter 530. [

그리고, 상기 제 1 빔(520a)과 제 3 빔(520c), 상기 제 2 빔(520b)과 제 4 빔(520d)은 서로 마주하는 형태로 이격하고 있으며, 이들 서로 마주하도록 위치하는 제 1 빔(520a) 및 3 빔(520c)과, 제 2 빔(520b) 및 제 4 빔(520d)은 비록 그 끝단이 직접 연결되지 않지만 마치 활과 같은 형태를 이루는 것이 특징이다.The first beam 520a and the third beam 520c, the second beam 520b and the fourth beam 520d are spaced apart from each other in a confronting manner, and the first beam 520a and the third beam 520c, The first beam 520a and the third beam 520c and the second beam 520b and the fourth beam 520d are shaped like a bow though their ends are not directly connected.

즉, 상기 제 1 빔(520a)과 제 3 빔(520c)은 상기 제 1 빔(520a)의 타끝단에서 제 2 엥커(510b)와 연결된 일끝단으로 갈수록 상기 제 3 빔(520c)과의 이격거리가 점진적으로 증가하는 형태를 이루며, 상기 제 2 빔(520b)과 제 4 빔(520d)은 상기 제 2 빔(520b)의 타끝단에서 제 2 엥커(510b)와 연결된 일 끝단으로 갈수록 상기 제 4 빔(520d)과의 이격거리가 점진적으로 증가하는 형태를 이루는 것이 특징이다.That is, the first beam 520a and the third beam 520c are spaced apart from the third beam 520c toward the one end connected to the second anchor 510b at the other end of the first beam 520a The distance between the second beam 520b and the fourth beam 520d is gradually increased from the other end of the second beam 520b to one end connected to the second anchor 510b, And the distance between the fourth beam 520d and the fourth beam 520d gradually increases.

이러한 MEMS 구조체(501)의 빔(520)의 구조적 특징에 의해 상기 엥커(510)를 통해 소정의 전압이 인가되면 상기 서로 마주하는 제 1 빔(520a)과 제 3 빔(520c), 제 2 빔(520b)과 제 4 빔(5204)의 정전기력과 이들 빔의 스프링 작용에 의해 상기 셔터(530)를 이동시키게 된다.Due to the structural features of the beam 520 of the MEMS structure 501, when a predetermined voltage is applied through the anchor 510, the first beam 520a and the third beam 520c facing each other, The shutter 530 is moved by the electrostatic force between the fourth beam 520b and the fourth beam 5204 and the spring action of these beams.

이때, 상기 제 1, 2, 3 엥커(510a, 510b, 510c)는 상기 빔(520a, 520b, 520c, 520d)들의 일끝단과 연결되어 상기 빔(520a, 520b, 520c, 520d)의 일끝단을 고정시키는 역할을 하는 동시에 이와 연결된 빔(520a, 520b, 520c, 520d)에 소정의 전압을 인가하기 위한 매개체 역할을 하는 것이다. The first, second, and third anchors 510a, 510b, and 510c are connected to one ends of the beams 520a, 520b, 520c, and 520d to connect one ends of the beams 520a, 520b, 520c, 520b, 520c, and 520d, and also acts as a medium to apply a predetermined voltage to the beams 520a, 520b, 520c, and 520d.

각 화소영역(P) 내에서 서로 마주하는 양단에 각각 구비된 한 쌍의 제 1, 2, 3 엥커(510a, 510b, 510c) 중 어느 일 단에 구비된 제 1 및 제 2 엥커(510a, 510b) 또는 제 3 및 제 2 엥커(510c, 510b)에 서로 다른 상태를 갖는 즉 양 및 음 전압을 걸어주면, 상기 제 1 빔과 제 3 빔(520a, 520c) 간 또는 제 2 빔(520b)과 제 4 빔(520d) 간에는 서로 다른 상태의 전하가 모이게 되며 따라서 이들 서로 마주하는 빔((520a, 520c), (520b, 520d))간에 인력이 발생되어 이들 서로 마주하는 빔((520a, 520c), (520b, 520d))간의 이격간격을 줄어들게 함으로서 상기 셔터(530)는 전압인 인가된 제 1, 2, 3 엥커(510a, 510b, 510c)가 위치하는 단측으로 이동하게 된다.The first and second anchors 510a and 510b provided at either one of the pair of first, second, and third anchors 510a, 510b, and 510c provided at opposite ends of the pixel region P, Or positive and negative voltages having different states on the third and second anchors 510c and 510b are applied between the first and third beams 520a and 520c or between the second beam 520b and the third beam 520b, Charges in different states are collected between the fourth beams 520d and thus attracting forces are generated between the beams 520a, 520c, 520b, and 520d facing each other, and the beams 520a and 520c, The shutter 530 moves to the end where the first, second, and third anchors 510a, 510b, and 510c, which are voltages, are positioned.

이 경우, 타 단에 위치하는 서로 마주하는 빔((520a, 520c), (520b, 520d)) 간의 이격거리는 증가하게 된다.In this case, the spacing between the opposing beams (520a, 520c, 520b, 520d) located at the other end increases.

이때, 상기 일 단의 엥커(510)에 지속적으로 전압이 인가되면 화소영역(P) 내에서 일 단측으로 셔터(530)가 이동한 상태를 그대로 유지하게 되지만, 화소영역(P)의 일 단에 위치하는 엥커(510)에 인가되는 전압을 차단하게 되면 상기 타 단의 이격거리가 증가된 빔들에 의해 스프링 복원력에 의해 상기 셔터(530)는 디폴트 위치로 복원하게 된다. At this time, if a voltage is continuously applied to the one end of the anchor 510, the state of the shutter 530 is maintained as it is on one side in the pixel region P, When the voltage applied to the anchor 510 is blocked, the shutter 530 is restored to the default position by the spring restoring force due to the beams having increased spacing of the other end.

따라서, 이러한 MEMS 구조체(501)의 동작에 의해 상기 셔터(530)가 각 화소영역(P) 내에서 투과영역(TA)에 위치하는 경우, 그 배면으로부터 입사되는 빛을 차단하게 됨으로서 유기전계 발광 다이오드(E)를 구동하는 경우 블랙휘도 특성을 향상시킴으로서 외부 시인성이 우수한 투명 유기전계 발광소자(101)를 이루게 된다.Therefore, when the shutter 530 is positioned in the transmissive region TA in each pixel region P by the operation of the MEMS structure 501, the light incident from the backside of the shutter 530 is blocked, The transparent organic electroluminescent device 101 having excellent external visibility can be obtained by improving the black luminance characteristic when the organic electroluminescent device E is driven.

또한, 상기 셔터(530)가 각 화소영역(P) 내에서 3개의 서브화소영역(P1, P2, P3)에 대응하여 위치하는 경우 투과영역(TA)을 통해서 배면으로부터 빛이 투과되며 유기전계 발광 다이오드(E)를 구동하지 않음으로서 투명 유기전계 발광소자(101)는 마치 반투과상태의 벽과 같은 역할을 하는 반투과상태의 구조체를 이루도록 할 수 있다.When the shutter 530 is positioned corresponding to the three sub pixel regions P1, P2, and P3 in each pixel region P, light is transmitted through the transmissive region TA from the backside, By not driving the diode E, the transparent organic electroluminescent element 101 can form a transflective structure that acts like a semi-transparent wall.

나아가 상기 셔터(530)가 각 화소영역(P) 내에서 3개의 서브화소영역(P1, P2, P3)에 대응하여 위치하는 경우 투과영역(TA)을 통해서 그 배면으로부터 빛이 투과되며, 이때 유기전계 발광 다이오드(E)를 구동하게 되면 상기 투명 유기전계 발광소자(101)는 배면의 이미지가 보여지는 반투과 상태의 투명 유기전계 발광소자(101)로서의 역할을 하게 될 수도 있다.
Further, when the shutter 530 is positioned corresponding to the three sub-pixel regions P1, P2, and P3 in each pixel region P, light is transmitted through the transmissive region TA from the backside thereof, The transparent organic electroluminescent device 101 may serve as a transflective transparent organic electroluminescent device 101 in which an image of the back surface is viewed when the electroluminescent diode E is driven.

한편, 전술한 구성을 갖는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자(101)의 경우, 상기 셔터(530)를 포함하는 MEMS 구조체(501)가 제 1 기판(110)의 최하부층에 형성된 것을 일례로 보이고 있지만, 이러한 MEMS 구조체(501)의 위치는 제 1 기판 상에서 변경될 수 있다.
In the case of the transparent organic electroluminescent device 101 according to the first embodiment of the present invention having the above-described configuration, the MEMS structure 501 including the shutter 530 is disposed on the lowermost layer of the first substrate 110, The position of the MEMS structure 501 may be changed on the first substrate.

<제 2 실시예>&Lt; Embodiment 2 >

즉, 본 발명의 제 2 실시예로서 도 7(본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 포함하는 투명 표시장치의 하나의 화소영역에 대한 단면도)에 도시한 바와같이, 상기 MEMS 구조체(501)는 제 1 기판(210) 상에 구동 및 제 1 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 제 2 스위칭 박막트랜지스터(STr2)가 우선적으로 형성되며, 이의 상부로 형성된 제 1 평탄화층(245)과 버퍼층(274) 사이의 영역에 형성될 수도 있다.That is, as shown in FIG. 7 (a cross-sectional view for one pixel region of the transparent display device including the organic electroluminescent device according to the second embodiment of the present invention) as a second embodiment of the present invention, The first switching thin film transistor DTr (not shown) and the second switching thin film transistor STr2 are preferentially formed on the first substrate 210 and the first planarization layer 245 ) And the buffer layer 274, as shown in FIG.

즉, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자(201) 상기 제 1 기판(210) 상에 서로 교차하여 서로 교차하여 각 서브화소영역(P1, 미도시) 및 투과영역(TA)을 정의하는 게이트 및 데이터 배선(미도시)과, 이들 두 배선(미도시) 중 어느 하나의 배선과 나란하게 배치되는 전원배선(미도시)이 구비되고 있다. In other words, the transparent organic electroluminescent device 201 according to the second embodiment of the present invention includes a plurality of sub-pixel regions P1 (not shown) and a transmissive region TA crossing each other on the first substrate 210, And a power supply wiring (not shown) disposed in parallel with any one of these two wirings (not shown).

이때, 상기 각 서브화소영역(P1, 미도시)에는 상기 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)과 연결되며 제 1 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 형성되어 있으며, 나아가 상기 제 1 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 일 전극 및 상기 전원배선(미도시)과 연결되며 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되고 있다. The first switching thin film transistor (not shown) is connected to the gate wiring (not shown) and the data wiring (not shown) in each sub pixel region P1, One electrode of a thin film transistor (not shown) and a driving thin film transistor DTr are connected to the power supply wiring (not shown).

그리고 상기 각 화소영역(P) 내의 투과영역(TA)에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구성을 갖는 제 2 스위칭 박막트랜지스터(STr2)가 구비되고 있다.A second switching thin film transistor STr2 having the same structure as the driving thin film transistor DTr is provided in the transmissive region TA in each pixel region P.

이러한 제 1, 2 스위칭 박막트랜지스터(미도시, STr2)와 구동 박막트랜지스터(DTr) 위로 보호층(243)이 상기 제 1 기판(210) 전면에 형성되어 있다.A protective layer 243 is formed on the first substrate 210 over the first and second switching thin film transistors STr2 and the driving thin film transistor DTr.

그리고 상기 보호층(243) 위로 표시영역에는 제 1 평탄화층(245)이 구비되고 있으며, 상기 제 1 평탄화층(245) 상부로 각 화소영역(P)에 대응하여 엥커(510)와 이와 연결된 빔(미도시) 및 상기 빔(미도시)과 연결된 셔터(530)로 구성되는 MEMS 구조체(501)가 형성되어 있다.A first planarization layer 245 is provided on the protective layer 243 and a second planarization layer 245 is formed on the first planarization layer 245 to correspond to each pixel region P, (Not shown) and a shutter 530 connected to the beam (not shown).

다음, 상기 MEMS 구조체(501) 상부에는 버퍼층(247)이 형성되어 있으며, 이때 상기 버퍼층(247)은 상기 MEMS 구조체(501)의 일 구성요소인 엥커(510)에 의해 지지되고 있으며, 따라서 상기 MEMS 구조체가 구비된 상기 제 1 평탄화층(245)과 상기 버퍼층(247) 사이에는 빈 공간이 형성되고 있다. A buffer layer 247 is formed on the MEMS structure 501. The buffer layer 247 is supported by an anchor 510 which is a component of the MEMS structure 501, An empty space is formed between the first planarization layer 245 having the structure and the buffer layer 247.

상기 버퍼층(247) 위로 표시영역 전면에 제 2 평탄화층(248)이 구비되고 있으며, 상기 제 2 평탄화층(248) 위로 각 서브화소영역(P1, 미도시)에는 각 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(236)과 연결되는 제 1 전극(250)이 형성되어 있다. A second planarization layer 248 is formed on the entire surface of the display region on the buffer layer 247 and a second planarization layer 248 is formed on the second planarization layer 248 in each sub pixel region P 1 A first electrode 250 connected to the drain electrode 236 is formed.

그리고, 상기 각 서브화소영역(P1, 미도시) 및 투과영역(TA)의 경계에는 상기 제 2 평탄화층(248)과 더불어 상기 제 1 전극(250)의 가장자리의 소정폭과 중첩하며 뱅크(253)가 형성되어 있으며, 상기 뱅크(253)로 둘러싸인 각 서브화소영역(P1, 미도시)에는 유기 발광층(255)이 구비되고 있다.In addition to the second planarization layer 248, the first electrode 250 overlaps with a predetermined width of the edge of the first electrode 250 at the boundary between the respective sub pixel regions (P1, not shown) and the transmissive region TA, And an organic light emitting layer 255 is provided in each sub pixel region P1 (not shown) surrounded by the bank 253. [

또한, 상기 유기 발광층(255) 위로 표시영역 전면에 제 2 전극(258)이 형성되고 있다. 이때, 상기 각 서브화소영역(P1, 미도시)에 순차 적층된 제 1 전극(250)과 유기 발광층(255)과 제 2 전극(258)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다.A second electrode 258 is formed on the entire surface of the organic emission layer 255. The first electrode 250, the organic light emitting layer 255, and the second electrode 258, which are sequentially stacked on the sub pixel regions P1 and not shown, constitute an organic light emitting diode E.

그리고, 이러한 구성을 갖는 제 1 기판(210)과 대향하며 제 2 기판(270)이 구비되고 있다. 이때, 상기 제 2 기판(270)은 생략될 수 있으며, 생략되는 경우 상기 제 2 전극(258)을 덮으며 인캡슐레이션 막(미도시)이 구비된다.The second substrate 270 is provided so as to face the first substrate 210 having such a configuration. At this time, the second substrate 270 may be omitted, and if it is omitted, an encapsulation layer (not shown) is provided to cover the second electrode 258.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자(201) 또한 상기 MEMS 구조체(501)의 동작에 의해 제 1 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자(도 4의 101)와 동일한 효과를 구현하게 된다.
The transparent organic electroluminescent device 201 according to the second embodiment of the present invention having such a structure is also formed by the operation of the MEMS structure 501 and the transparent organic electroluminescent device 101 according to the first embodiment The same effect is realized.

<제 1 실시예에 따른 제조 방법><Manufacturing Method According to First Embodiment>

이후에는 전술한 구성을 갖는 본 발명에 따른 투명 유기전계 발광소자의 제조 방법에 대해 설명한다. 이때, 제 1 실시예와 제 2 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자의 제조방법은 제 1 기판 상에 우선적으로 MEMS 구조체(501)를 형성한 후 박막트랜지스터 및 유기전계 발광 다이오드를 형성하느냐, 아니면 박막트랜지스터 등의 소자를 우선적으로 형성한 후 MEMS 구조체(501)를 형성하고, 유기전계 발광 다이오드를 형성하느냐 만을 달리하며 이들 각 구성요소를 형성하는 방법은 동일하므로 제 1 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자의 제조 방법을 위주로 하고 제 2 실시예에 따른 제조 방법은 제 1 실시예와 차별점이 있는 부분만을 설명한다.Hereinafter, a method for manufacturing a transparent organic electroluminescent device according to the present invention having the above-described structure will be described. In this case, in the method of fabricating a transparent organic electroluminescent device according to the first and second embodiments, the MEMS structure 501 may be preferentially formed on the first substrate and then the thin film transistor and the organic light emitting diode may be formed The method for forming the MEMS structure 501 and the organic electroluminescent diode are different from each other and the method for forming each of the components is the same. Therefore, the transparent organic electric field according to the first embodiment The manufacturing method according to the second embodiment mainly focuses on the manufacturing method of the light emitting element, and only the portions which are different from the first embodiment will be described.

도 8a 내지 도 8s는 도 6의 절단선 Ⅸ-Ⅸ를 따라 절단한 부분에 대한 제조 단계별 공정 단면도이며, 도 9a 내지 9s는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역 중 하나의 서브화소영역과 투과영역에 대한 제조 단계별 공정 단면도이다. 이때, 도 9a 내지 9s에 있어서는 MEMS 구조체 중 셔터와 엥커만을 도시하였으며, 별도로 각 도면에 상기 셔터와 엥커가 형성되는 부분을 확대한 확대도를 도시하였다. FIGS. 8A to 8 S are cross-sectional views illustrating the steps taken along the cutting line IX-IX of FIG. 6 according to manufacturing steps. FIGS. 9A to 9 S are cross-sectional views illustrating one pixel region of the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention. Sectional view of a sub-pixel region and a transmissive region in a manufacturing step. 9A to 9S show only the shutter and the anchor in the MEMS structure, and an enlarged view of the portion where the shutter and the anchor are formed is shown separately in each drawing.

우선, 도 8a 및 도 9a에 도시한 바와같이, 투명한 절연재질로 이루어진 제 1 기판 상에 유기 또는 무기 절연물질을 도포 또는 증착함으로서 1차 희생층(310)을 형성한다.First, as shown in FIGS. 8A and 9A, a first sacrificial layer 310 is formed by applying or depositing an organic or inorganic insulating material on a first substrate made of a transparent insulating material.

이후, 상기 1차 희생층(310)에 대해 마스크 공정을 진행하거나, 또는 부분적으로 레이저를 빔을 조사하여 각 화소영역(P) 별로 기둥형태의 엥커(도 9의 510)가 형성될 부분에 대해 제거함으로서 상기 제 1 기판(110) 표면을 노출시키는 다수의 홀(hl1)을 형성한다.Thereafter, a mask process is performed on the primary sacrifice layer 310, or a laser beam is partially irradiated to the primary sacrifice layer 310 to form a columnar anchor (510 in FIG. 9) for each pixel region P Thereby forming a plurality of holes hl 1 exposing the surface of the first substrate 110.

다음, 도 8b 및 도 9b에 도시한 바와같이, 상기 다수의 홀(hl1)이 구비된 상기 1차 희생층(310) 위로 상기 제 1 기판(110) 전면에 유기 또는 무기 절연물질을 도포 또는 증착함으로서 2차 희생층(320)을 형성하고, 상기 2차 희생층(320)에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로서 각 화소영역(P) 내에 빔(도 9의 520)과 셔터(530)가 형성되어야 할 부분을 제거하여 상기 1차 희생층(310)이 노출되도록 하고, 동시에 상기 1차 희생층(310)에 구비된 홀(hl1)에 대응하는 부분 또한 제거함으로서 상기 1차 희생층(310)에 구비된 홀(hl1)이 상기 2차 희생층(320)에도 연장되어 상기 제 1 기판(110) 면을 노출시키도록 한다. Next, as shown in FIGS. 8B and 9B, an organic or inorganic insulating material is applied or deposited on the entire surface of the first substrate 110 over the first sacrificial layer 310 having the plurality of holes hl1, 9) and the shutter 530 are formed in each pixel region P by patterning the secondary sacrificial layer 320 by performing a masking process on the secondary sacrificial layer 320 by patterning the secondary sacrificial layer 320 The first sacrificial layer 310 is exposed and the portion corresponding to the hole hl1 provided in the first sacrificial layer 310 is also removed to remove the first sacrificial layer 310, The hole hl1 provided in the second sacrificial layer 320 extends to expose the surface of the first substrate 110. [

다음, 도 8c 및 도 9c에 도시한 바와같이, 상기 2차 희생층(320) 위로 비정질 실리콘을 증착하여 비정질 실리콘층(330)을 형성하고, 연속하여 상기 비정질 실리콘층(330) 위로 건식식각이 가능한 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(MoTi) 중 어느 하나를 증착함으로서 상기 제 1 기판(110) 전면에 제 1 금속층(335)을 형성한다. Next, as shown in FIGS. 8C and 9C, an amorphous silicon layer 330 is formed by depositing amorphous silicon on the second sacrificial layer 320, and then dry etching is performed on the amorphous silicon layer 330 successively A first metal layer 335 is formed on the entire surface of the first substrate 110 by depositing any one of the possible metal materials such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), molybdenum (Mo), and molybdenum alloy (MoTi) do.

이때, 상기 비정질 실리콘층(330)과 제 1 금속층(335)은 상기 제 1 및 제 2 희생층(310, 320)이 제거된 부분에 대해서도 끊김없이 형성된 상태를 이루게 된다.At this time, the amorphous silicon layer 330 and the first metal layer 335 are continuously formed even in a portion where the first and second sacrificial layers 310 and 320 are removed.

그리고, 나아가 상기 제 1 금속층(335) 위로 상기 제 1 기판(110) 전면에 블랙레진을 도포하거나 또는 산화크롬을 증착함으로서 저반사 특성을 갖는 블랙물질층(340)을 형성한다. Further, a black material layer 340 having a low reflection characteristic is formed by applying black resin on the entire surface of the first substrate 110 or depositing chromium oxide on the first metal layer 335.

이후, 상기 블랙물질층(340) 위로 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층(미도시)을 형성하고 이에 대해 빛의 투과부과 차단부 및 반투과부를 갖는 노광 마스크(미도시)를 이용하여 하프톤 노광 또는 회절노광을 실시함으로서 제 1 두께를 갖는 제 1 포토레지스트 패턴(391)과, 상기 제 1 두께 보다 얇은 제 2 두께를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴(392)을 형성한다.Thereafter, a photoresist layer (not shown) is formed on the black material layer 340 to form a photoresist layer (not shown), and a halftone exposure (not shown) is performed using an exposure mask Or diffractive exposure is performed to form a first photoresist pattern 391 having a first thickness and a second photoresist pattern 392 having a second thickness thinner than the first thickness.

이때, 상기 제 1 포토레지스트 패턴(391)은 각 화소영역(P) 내에 셔터(530)가 형성될 부분에 대응하여 형성하고, 상기 제 2 포토레지스트 패턴(392)은 엥커(510)가 형성될 부분 즉, 상기 홀(hl1)이 형성된 부분에 대응하여 형성한다. At this time, the first photoresist pattern 391 is formed corresponding to the portion where the shutter 530 is to be formed in each pixel region P, and the second photoresist pattern 392 is formed in correspondence with the portion where the anchor 510 is formed That is, the portion where the hole hl1 is formed.

다음, 도 8d 및 도 9d에 도시한 바와같이, 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴(391, 392) 외부로 노출된 상기 블랙물질층(도 8c 및 9c 340)을 식각을 진행하여 제거함으로서 상기 제 1 금속층(335)을 노출시킨다.Next, as shown in FIGS. 8D and 9D, the black material layer (FIGS. 8C and 9C 340) exposed to the outside of the first and second photoresist patterns 391 and 392 is etched and removed, The first metal layer 335 is exposed.

다음, 도 8e 및 도 9e에 도시한 바와같이, 상기 블랙물질층(도 8c 및 9c의 340)이 제거됨으로서 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴(391, 392) 외측으로 노출된 상기 제 1 금속층(도 8c 및 9c의 335)과 이의 하부에 위치하는 비정질 실리콘층(도 8c 및 9c의 330)에 대해 이방성 특성 더욱 정확히는 상기 제 1 기판(110) 면에 수직한 방향으로만 주로 식각이 진행되고 수평한 방향으로는 거의 식각이 진행되지 않는 특성을 갖는 이방성의 건식식각을 진행함으로서 상기 2차 희생층(320) 상면 및 1차 희생층(310)의 상면에 위치하는 상기 제 1 금속층(도 8c 및 9c의 335) 및 비정질 실리콘층(도 8c 및 9c의 330)을 모두 제거한다. Next, as shown in FIGS. 8E and 9E, by removing the black material layer 340 (FIGS. 8C and 9C), the first metal layer exposed outside the first and second photoresist patterns 391 and 392 (335 in FIGS. 8C and 9C) and the amorphous silicon layer (330 in FIGS. 8C and 9C) located therebelow, the etching proceeds mainly only in a direction perpendicular to the first substrate 110 surface The anisotropic dry etching having substantially no etching progresses in the horizontal direction is performed so that the upper surface of the second sacrificial layer 320 and the first metal layer located on the upper surface of the first sacrificial layer 310 And 335 of 9c) and the amorphous silicon layer (330 of Figures 8c and 9c).

이러한 진행에 의해 현 상태에서는 상기 비정질 실리콘 패턴(331)과 제 1 금속패턴(336) 및 블랙층(341)의 삼중층 구조를 갖는 셔터(530)와 엥커(510)를 형성하고, 동시에 이방성 건식식각 진행 특성상 제거되지 않고 상기 2차 희생층(320)의 측면에 남게되는 비정질 실리콘패턴(331) 및 제 1 금속패턴(336)의 이중층 구조를 갖는 빔(520)을 형성한다. By this progression, the shutter 530 and the anchor 510 having the triple-layer structure of the amorphous silicon pattern 331, the first metal pattern 336, and the black layer 341 are formed in the present state, A beam 520 having a bilayer structure of an amorphous silicon pattern 331 and a first metal pattern 336 that is left on the side of the secondary sacrificial layer 320 without being removed by the etching progressive characteristic is formed.

다음, 도 8f 및 도 9f에 도시한 바와같이, 상기 삼중층 구조의 셔터(530)와 엥커(510) 및 이중층 구조의 빔(520)이 형성된 제 1 기판(110)에 대해 애싱(asing)을 진행함으로서 상기 제 2 두께를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴(도 8e 및 9e의 392)을 제거함으로서 상기 삼중층 구조의 엥커(510)를 노출시킨다.Next, as shown in FIGS. 8F and 9F, ashing is performed on the first substrate 110 having the triple-layered shutter 530, the anchor 510 and the double-layered beam 520 formed thereon Exposing the anchor 510 of the triple layer structure by removing the second photoresist pattern (392 of FIGS. 8E and 9E) having the second thickness by proceeding.

이때, 상기 애싱(asing) 진행에 의해 상기 제 1 포토레지스트 패턴(391) 또한 그 두께가 줄어들게 되지만 여전히 상기 셔터(530) 상에 남아있게 된다.At this time, as the ashing progresses, the first photoresist pattern 391 is also reduced in thickness, but still remains on the shutter 530.

다음, 도 8g 및 도 9g에 도시한 바와같이, 상기 제 2 포토레지스트 패턴(도 8f 및 9f의 392)이 제거됨으로 노출된 상기 삼중층 구조의 엥커(510)에 대해 식각을 진행하여 상기 엥커(510)의 상부층인 블랙층(도 9f의 341)을 제거함으로서 비정질 실리콘 패턴(331) 및 금속패턴(336)의 이중층 구조를 갖는 엥커(510)를 이루도록 한다.Next, as shown in FIGS. 8G and 9G, etching is performed on the anchor 510 of the triple layer structure exposed by removing the second photoresist pattern (392 of FIGS. 8F and 9F) The black layer (341 in FIG. 9F) which is an upper layer of the amorphous silicon pattern 331 and the metal pattern 336 is removed to form the anchor 510 having the double layer structure of the amorphous silicon pattern 331 and the metal pattern 336.

이때, 상기 셔터(530) 상부에는 상기 제 1 포토레지스트 패턴(391)이 남아있으므로 상기 셔터(530)는 비정질 실리콘으로 이루어진 하부층(530a)과 금속물질로 이루어진 중간층(530b) 및 블랙물질로 이루어진 상부층(530c)의 삼중층 구조를 유지하게 된다.At this time, since the first photoresist pattern 391 remains on the shutter 530, the shutter 530 includes a lower layer 530a made of amorphous silicon, an intermediate layer 530b made of a metal material, Layer structure of the second layer 530c.

다음, 도 8h 및 도 9h에 도시한 바와같이, 스트립(strip)을 진행하여 상기 제 1 포토레지스트 패턴(도 8g 및 9g의 391)을 제거함으로서 상기 삼중층 구조의 셔터(530)를 노출시킨다.Next, as shown in FIGS. 8H and 9H, the strip 530 is exposed by removing the first photoresist pattern (391 in FIGS. 8G and 9G) by advancing a strip.

다음, 도 8i 및 도 9i에 도시한 바와같이, 상기 삼중층 구조의 셔터(530)와 이중층 구조의 엥커(510) 및 빔(520)이 형성된 상태의 제 1 기판(110)에 대해 상기 1차 및 2차 희생층(도 8h 및 9h의 310, 320)과만 반응하여 이를 용해시키는 식각액을 이용하여 상기 1차 및 2차 희생층(도 8h 및 9h의 310, 320)을 제거함으로서 상기 제 1 기판(110) 상에 삼중층 구조를 갖는 셔터(530)와 이중층 구조를 갖는 빔(520) 및 엥커(510)만이 남아 있도록 함으로서 상기 제 1 기판(110) 상의 각 화소영역(P)에 삼중층 구조를 갖는 셔터(530)와 이중층 구조를 갖는 빔 및 엥커(510)로 구성되는 MEMS 구조체(501)를 이루도록 한다.Next, as shown in FIGS. 8I and 9I, with respect to the first substrate 110 in which the shutter 530 of the triple-layer structure, the anchor 510 and the beam 520 of the double-layer structure are formed, And removing the first and second sacrificial layers (310 and 320 of FIGS. 8h and 9h) using an etchant that reacts only with the second sacrificial layer (310 and 320 of FIGS. 8h and 9h) Only a shutter 530 having a triple-layer structure, a beam 520 having a double-layer structure and an anchor 510 are left on the first substrate 110 so that a triple layer structure is formed in each pixel region P on the first substrate 110 And a beam and anchor 510 having a double-layered structure.

이러한 MEMS 구조체(501)는 그 평면 구조는 도 6을 통해 상세히 설명하였으므로 구체적인 형태 및 동작에 대해서는 설명을 생략한다.Since the planar structure of such a MEMS structure 501 has been described in detail with reference to FIG. 6, a detailed description of its shape and operation will be omitted.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 제조 방법에 의해서는 셔터(530)의 최상층이 블랙층(530c)이 되도록 하기 위해 회절노광 또는 하프톤 노광을 포함하는 1회의 마스크 공정을 진행하여 상기 셔터(530)와 빔(520) 및 엥커(510)를 형성한 것을 일례로 보이고 있지만, 일반적인 노광 공정을 포함하는 마스크 공정을 진행하여 비정질 실리콘 물질 및 금속물질로 이루어진 이중층 구조를 갖는 셔터와 빔 및 엥커를 형성한 후, 상기 셔터 상부에 대해서는 블랙층을 형성하는 방법으로 진행될 수도 있다.Meanwhile, in the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention, one mask process including diffraction exposure or halftone exposure is performed so that the uppermost layer of the shutter 530 becomes the black layer 530c, The beam 520 and the anchor 510 are formed on the substrate 500. However, a mask process including a general exposure process is performed to form a double-layered shutter composed of an amorphous silicon material and a metal material, A black layer may be formed on the upper portion of the shutter.

이때, 상기 셔터의 상부에만 선택적으로 블랙층을 형성하는 것은 1회의 마스크 공정을 진행하여 형성할 수도 있으며, 또는 잉크젯 장치를 이용하여 상기 셔터에 대해서만 선택적으로 블랙물질을 코팅하고 이에 대해 열처리를 실시하여 코팅된 블랙물질을 경화시키는 방법을 통해 형성할 수도 있다.At this time, the selective black layer may be selectively formed only on the upper portion of the shutter. Alternatively, the black material may be selectively coated only on the shutter using an inkjet apparatus, and heat treatment may be applied thereto Or by curing the coated black material.

다음, 도 8j 및 도 9j에 도시한 바와같이, 상기 각 엥커(510)에 대응하여 이의 상부에 도전성 물질로 보조패턴(512)을 더욱 형성함으로서 상기 제 1 기판(110)면을 기준으로 상기 각 셔터(530)의 최상층을 이루는 블랙층(530c)의 표면보다 상기 엥커(510)의 최상층이 더 높은 위치에 위치하도록 한다. Next, as shown in FIGS. 8J and 9J, auxiliary patterns 512 are further formed on the upper portions of the anchors 510 with a conductive material so that the auxiliary patterns 512 are formed on the upper surfaces of the first and second substrates 110, The uppermost layer of the anchor 510 is located at a higher position than the surface of the black layer 530c constituting the uppermost layer of the shutter 530.

이는 상기 셔터(530)가 상기 빔간의 정전기력과 스프링 복원력 등의 작용에 의해 원활하게 움직이도록 하기 위함이다. This is for the shutter 530 to move smoothly by the action of the electrostatic force and the spring restoring force between the beams.

이러한 엥커(510)의 상부에 보조패턴을 형성하는 단계는 이전 단계에서 상기 셔터(530)와 엥커(510)의 두께를 달리 형성하여 상기 엥커(510)가 상기 셔터(530)보다 더 두꺼운 두께를 갖도록 형성하는 경우 생략해도 무방하다. The step of forming the auxiliary pattern on the anchor 510 may be performed by forming the anchor 510 in a thickness different from the thickness of the shutter 530 in the previous step so that the anchor 510 is thicker than the shutter 530 It may be omitted.

다음, 도 8k 및 도 9k에 도시한 바와같이, 상기 블랙층(530c)을 포함하는 셔터(530)와, 빔(520) 및 엥커(510) 위로 상기 제 1 기판(110) 전면에 식각액에 의해 용해가 가능한 유기물질을 도포하여 상기 엥커(510)와 빔(520) 및 셔터(530) 사이의 이격영역을 채우며 상기 엥커(510)의 최상부에 위치하는 상면과 일치하는 제 1 유기막(350)을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 8K and 9K, the shutter 530 including the black layer 530c and the second substrate 110 are formed on the entire surface of the first substrate 110 over the beam 520 and the anchor 510 A first organic layer 350 is formed on the upper surface of the anchor 510 to fill the gap between the anchor 510 and the beam 520 and the shutter 530 by applying a soluble organic material, .

그리고 연속하여 상기 제 1 유기막(350) 위로 무기절연물질을 증착함으로서 버퍼층(113)을 형성하고, 상기 버퍼층(113)을 패터닝함으로서 각 서브화소영역(P1, 미도시)과 투과영역(TA)에 각각 대응하여 적어도 하나 이상의 배수홀(hl2)을 형성하고, 상기 다수의 배수홀(hl2) 중 일부의 배수홀(hl2)은 각 화소영역(P)에 형성된 다수의 엥커(510) 중 적어도 하나 이상의 엥커(510)에 대응하여 형성됨으로서 상기 배수홀(hl2)을 통해 엥커(510)의 상면이 노출되도록 한다.Subsequently, an inorganic insulating material is deposited on the first organic layer 350 to form a buffer layer 113. The buffer layer 113 is patterned to form the sub-pixel region P1 (not shown) and the transmissive region TA, And at least one drain hole hl2 corresponding to each of the plurality of drain holes hl2 is formed in the drain region hl2 so that at least one of the plurality of anchors 510 formed in each pixel region P The upper surface of the anchor 510 is exposed through the drain hole hl2.

다음, 도 8l 및 도 9l에 도시한 바와같이, 상기 다수의 홀(hl2)을 갖는 버퍼층(113)이 형성된 상기 제 1 기판(110)을 상기 제 1 유기막(도 8k 및 9k의 350)을 용해시키는 식각액에 노출시켜 상기 제 1 유기막(도 8k 및 9k의 350)을 용해시킨 후 상기 홀(hl2)을 통해 상기 제 1 기판(110)의 외부로 배출시킴으로서 상기 버퍼층(113)과 제 1 기판(110) 표면 사이에 빈 공간을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 8L and 9L, the first substrate 110, on which the buffer layer 113 having the plurality of holes hl2 is formed, is removed from the first organic layer (350 of FIGS. 8K and 9K) (350 in FIG. 8K and FIG. 9K) is dissolved in the etchant to dissolve the etchant and then discharged to the outside of the first substrate 110 through the hole hl 2, Thereby forming an empty space between the surfaces of the substrate 110.

이렇게 버퍼층(113)과 제 1 기판(110) 표면에 빈 공간이 형성됨으로서 상기 MEMS 구조체(501)의 일 구성요소인 셔터(530)가 이동할 수 있는 환경이 조성되는 것이다.As a result, the buffer layer 113 and the first substrate 110 are formed with an empty space so that the shutter 530, which is a component of the MEMS structure 501, can move.

이때, 상기 버퍼층(113)은 각 화소영역(P)별로 복수개(6개) 형성되는 상기 엥커(510)에 의해 지지되고 있으므로 비록 빈 공간이 형성된다 하더라도 문제되지 않는다.At this time, since the buffer layer 113 is supported by the plurality of (six) anchors 510 for each pixel region P, there is no problem even if an empty space is formed.

다음, 도 8m 및 도 9m에 도시한 바와같이, 상기 버퍼층(113) 위로 일반적인 유기전계 발광소자의 주요 구성요소인 서로 교차하는 게이트 및 데이터 배선(미도시)과, 이들 두 배선(미도시) 중 어느 하나의 배선과 나란하게 배치되는 전원배선(미도시)을 형성하고, 나아가 각 서브화소영역(P1, 미도시)에 상기 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)과 연결되며 게이트 전극(115)과 게이트 절연막(118)과 반도체층(120)과 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 구성요소로 하는 구동 박막트랜지스터(DTr)와, 이와 동일한 적층 구성을 갖는 제 1 스위칭 박막트랜지스터(미도시)를 형성하고, 동시에 상기 화소영역(P)에 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 적층 구성을 갖는 제 2 스위칭 박막트랜지스터(STr2)를 형성한다.Next, as shown in FIGS. 8M and 9M, on the buffer layer 113, gate and data interconnection (not shown) intersecting each other, which are main components of a general organic light emitting device, (Not shown) arranged in parallel with any one of the wirings and further connected to the gate wiring (not shown) and the data wiring (not shown) in each sub pixel region P1 A driving thin film transistor DTr having source and drain electrodes 133 and 136 separated from each other by a gate insulating film 118 and a semiconductor layer 120, And a second switching thin film transistor STr2 having the same stacking configuration as the driving thin film transistor DTr is formed in the pixel region P at the same time.

이러한 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터(미도시, STr2)와 구동 박막트랜지스터(DTr)는 그 적층 구성이 다양하게 변형될 수 있으며, 그 적층 구성에 의해 제조 방법 또한 다양하게 변형될 수 있다.The first and second switching thin film transistors (not shown, STr2) and the driving thin film transistor DTr can be variously modified in their lamination structure, and the manufacturing method can be variously modified by the lamination structure.

이러한 게이트 및 데이터 배선(미도시)과, 전원배선(미도시) 및 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터(미도시, STr2)와 구동 박막트랜지스터(DTR)를 형성하는 방법은 일반적인 유기전계 발광소자의 스위칭 및 구동 박막트랜지스터의 제조 방법과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.A method of forming such gate and data lines (not shown), power supply lines (not shown), first and second switching thin film transistors (not shown, STr2), and driving thin film transistors (DTR) Switching and driving thin film transistors. Therefore, a detailed description thereof will be omitted.

다만, 일반적인 유기전계 발광소자의 스위칭 및 구동 박막트랜지스터의 제조 방법 대비 차이가 있는 것은, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자(101)의 제조 방법에 있어서는 각 화소영역(P)에 제 2 스위칭 박막트랜지스터(STr2)가 더 구비되고 있다는 점과, 이러한 제 2 스위칭 박막트랜지스터(STr2)의 일 전극 일례로 드레인 전극(137)은 상기 각 화소영역(P)에 구비된 다수의 엥커(510) 중 버퍼층(113)에 구비된 홀(hl2)을 통해 노출된 엥커(510)와 전기적으로 연결되도록 형성하는 것이다.In the method of manufacturing the transparent organic electroluminescent device 101 according to the first embodiment of the present invention, since the pixel region P is formed by the method of manufacturing the transparent organic electroluminescent device 101, The drain electrode 137 of the second switching thin film transistor STr2 is provided with a plurality of anchors 137 provided in each pixel region P, (510) exposed through the hole (hl2) provided in the buffer layer (113) of the buffer layer (510).

일례로 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터(STr2)가 상기 버퍼층(113) 위로 게이트 전극(115)과, 게이트 절연막(118)과, 순수 및 불순물 비정질 실리콘의 이중층 구조를 갖는 반도체층(120)과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(134, 137)의 구성을 갖는 경우, 상기 게이트 절연막(148)에는 상기 엥커(510)를 노출시키는 홀(hl2)에 대응하여 이를 상기 게이트 절연막(148)까지 연장시키는 형태의 콘택홀(ch)이 구비되며, 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터(STr2)의 드레인 전극(137)은 상기 콘택홀(ch)을 통해 상기 엥커(510)와 접촉하는 구성을 이루도록 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터(STr2) 및 게이트 절연막(118)을 형성하는 것이 바람직하다. For example, the second switching thin film transistor STr2 includes a gate electrode 115, a gate insulating layer 118, a semiconductor layer 120 having a double layer structure of pure water and impurity amorphous silicon, The gate insulating film 148 may have a structure in which the gate insulating film 148 is extended to correspond to the hole hl2 for exposing the anchor 510 to the gate insulating film 148 when the source and drain electrodes 134, And the drain electrode 137 of the second switching thin film transistor STr2 is in contact with the anchor 510 through the contact hole ch. It is preferable that the transistor STr2 and the gate insulating film 118 are formed.

다음, 도 8n 및 도 9n에 도시한 바와같이, 상기 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터(미도시, STr2)와 구동 박막트랜지스터(DTr) 위로 무기절연물질을 상기 제 1 기판(110) 전면에 증착하여 보호층(140)을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 8n and 9n, an inorganic insulating material is deposited on the first substrate 110 over the first and second switching thin film transistors STr2 and the driving thin film transistor DTr, Thereby forming the protective layer 140. [

그리고 연속하여 상기 보호층(140) 위로 유기물질 예를들면 포토아크릴을 도포하여 상기 표시영역에 평탄한 표면을 갖는 평탄화층(145)을 형성하고, 상기 평탄화층(145) 및 상기 보호층(140)에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로서 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 형성한다. A planarization layer 145 having a flat surface is formed on the display region by applying an organic material such as photoacid to the passivation layer 140. The planarization layer 145 and the passivation layer 140 are formed on the passivation layer 140, And a drain contact hole 143 exposing the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr is formed.

다음, 도 8o 및 도 9o에 도시한 바와같이, 상기 평탄화층(145) 위로 일함수 값이 비교적 높은 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 증착하고 이를 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로서 상기 각 서브화소영역(P1, 미도시)별로 판 형태를 가지며 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 접촉하는 제 1 전극(150)을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 8O and 9O, indium-tin-oxide (ITO), which is a transparent conductive material having a relatively high work function value, is deposited on the planarization layer 145, The first electrode 150 having a plate shape and contacting the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr through the drain contact hole 143 is formed for each sub pixel region P1 (not shown).

다음, 도 8p 및 도 9p에 도시한 바와같이, 상기 제 1 전극(150) 위로 유기물질 바람직하게는 감광성 특성과 더불어 소수성 특성을 갖는 고분자 물질 예를들면 불소(F)가 함유된 폴리이미드(poly imide), 스티렌(styrene), 메틸마사크릴레이트(methyl mathacrylate), 폴리테트라플로우틸렌(polytetrafluoroethylene) 중 어느 하나 또는 둘 이상이 혼합된 물질을 코팅하여 유기 물질층(미도시)을 형성하고, 이를 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로서 각 서브화소영역(P1, 미도시)과 투과영역(TA)의 경계에 대응하여 상기 각 서브화소영역(P1, 미도시)에 구비된 제 1 전극(150)의 가자자리 부분의 소정폭과 중첩하도록 뱅크(153)를 형성한다.Next, as shown in FIGS. 8P and 9P, an organic material, preferably a polymer material having a hydrophobic property, such as fluorine (F) in addition to a photosensitive property, is formed on the first electrode 150, an organic material layer (not shown) is formed by coating a mixture of one or more of the following materials, for example, imide, styrene, methyl mathacrylate, and polytetrafluoroethylene, The first electrode 150 provided in each of the sub pixel regions P1 (not shown) corresponds to the boundary between the respective sub pixel regions P1 (not shown) and the transmissive region TA, The bank 153 is formed so as to overlap the predetermined width of the portion.

이후, 도 8q 및 도 9q에 도시한 바와같이, 상기 뱅크(153)로 둘러싸인 각 서브화소영역(P1, 미도시)에 대응하여 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅장치를 이용하여 액상의 유기 발광 물질을 분사 또는 드롭핑 함으로서 상기 각 서브화소영역(P1, 미도시) 내의 상기 제 1 전극(150) 상부에 유기 발광층(155)을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 8Q and 9Q, the liquid organic light emitting material is jetted or ejected by using an ink jet apparatus or a nozzle coating apparatus corresponding to each sub pixel region P1 (not shown) surrounded by the banks 153 An organic light emitting layer 155 is formed on the first electrode 150 in each sub pixel region P 1 (not shown).

한편, 도면에 있어서는 상기 제 1 전극(150) 위로 각 서브화소영역(P1, 미도시)에 단일층 구조를 갖는 유기 발광층(155)만이 형성된 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 유기 발광층(155)이 다중층으로 이루어질 수도 있다. Although only one organic light emitting layer 155 having a single layer structure is formed on each sub pixel region P1 (not shown) on the first electrode 150 in the drawing, Layer.

즉, 이 경우, 상기 다중층 구조를 갖는 유기 발광층(155)은 상기 단일층의 유기 발광층(155)을 형성한 동일한 방법을 진행함으로서 상기 유기 발광층(155)의 하부 또는 상부에 보조층으로 정공주입층(hole injection layer)(미도시), 정공수송층(hole transporting layer)(미도시), 전자수송층(electron transporting layer)(미도시) 및 전자주입층(electron injection layer)(미도시) 중 어느 하나 이상을 선택적으로 더욱 형성함으로서 구성할 수 있다. That is, in this case, the organic light emitting layer 155 having the multi-layer structure is formed by performing the same method of forming the organic light emitting layer 155 as the single layer, (Not shown), a hole injection layer (not shown), a hole transporting layer (not shown), an electron transporting layer (not shown) and an electron injection layer Or more can be selectively formed.

다음, 도 8r 및 도 9r에 도시한 바와같이, 상기 유기 발광층(155) 위로 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합하여 진공의 분위기에서 열증착을 진행함으로서 표시영역 전면에 빛을 투과시킬 수 있는 정도의 두께 예를들면 10 내지 200Å 정도의 두께를 갖는 제 2 전극(158)을 형성한다. Next, as shown in FIGS. 8R and 9R, a metal material having a relatively low work function value such as aluminum (Al), an aluminum alloy (AlNd), silver (Ag), magnesium ), Gold (Au), and aluminum magnesium alloy (AlMg), and is heated to a temperature in a vacuum atmosphere to allow light to pass through the entire display area, for example, A second electrode 158 having a thickness of about 5 nm is formed.

이러한 열 증착에 의해 형성되는 제 2 전극(158)의 경우 상기 유기 발광층(155)을 포함하여 상기 뱅크(153)의 상면 및 측면까지 표시영역 전면에 끊김없이 연결된 상태로 형성되는 것이 특징이다. In the case of the second electrode 158 formed by the thermal deposition, the upper surface and the side surface of the bank 153 including the organic light emitting layer 155 are continuously connected to the entire display region.

이때, 각 화소영역(P) 내에 순차 적층된 상기 제 1 전극(150)과 유기 발광층(155)과 제 2 전극(158)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다.At this time, the first electrode 150, the organic light emitting layer 155, and the second electrode 158, which are sequentially stacked in each pixel region P, form the organic electroluminescent diode E.

다음, 도 8s 및 도 9s에 도시한 바와같이, 상기 제 1 기판(110)과 대응하여 상기 유기발광 다이오드(E)의 인캡슐레이션을 위해 투명한 절연재질로 이루어진 제 2 기판(170)을 대향하여 위치시키고, 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)의 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 프릿(Frit), 유기절연물질, 고분자 물질 중 어느 하나로 이루어진 페이스 씰(미도시)을 상기 제 1 기판(110)의 전면에 코팅한 상태에서 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)을 합착하거나, 또는 진공 혹은 불활성 가스 분위기에서 상기 제 1 기판(110)의 가장자리를 따라 씰패턴(미도시)을 형성한 후 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 170)을 합착함으로서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자(101)를 완성한다.Next, as shown in FIGS. 8S and 9S, a second substrate 170 made of a transparent insulating material for encapsulation of the organic light emitting diode (E) corresponding to the first substrate 110 is opposed A face seal (not shown) made of any one of frit, organic insulating material, and polymer material having a transparent and adhesive property is disposed between the first substrate 110 and the second substrate 170, The first substrate 110 and the second substrate 170 may be attached to each other in a state that the first substrate 110 and the second substrate 170 are coated on the front surface of the first substrate 110, (Not shown), and then the first and second substrates 110 and 170 are bonded together to complete the transparent organic electroluminescent device 101 according to the first embodiment of the present invention.

한편, 상기 제 1 기판(110)의 상기 제 2 전극(158) 위로 무기절연물질 또는 유기절연물질을 증착 또는 도포하거나, 또는 점착층(미도시)을 재개하여 필름(미도시)을 부착함으로써 인캡슐레이션 막(미도시)으로 이용할 경우, 상기 제 2 기판(170)은 생략될 수 있다. An inorganic insulating material or an organic insulating material is deposited or coated on the second electrode 158 of the first substrate 110 or an adhesive layer (not shown) is resumed to attach a film (not shown) When used as an encapsulation film (not shown), the second substrate 170 may be omitted.

전술한 제조 방법에 의해 제조되는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자(101)는 차광층(도 3의 97)을 구비한 별도의 셔터기판(도 3의 95)을 필요로 하지 않으므로 경량 박형의 효과를 가지며, 셔터(530)의 스위칭을 위한 구성요소인 제 2 스위칭 박막트랜지스터(STr2)를 유기전계 발광소자의 스위칭 및 구동을 위한 제 1 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DRe) 형성 시 동시에 형성함으로서 차광층(도 3의 97)을 구비한 별도의 셔터기판(도 3의 95)을 부착한 종래의 투명 유기전계 발광소자(도 2의 90) 대비 제조 방법을 단순화화는 효과를 갖는다.
The transparent organic electroluminescent device 101 according to the first embodiment of the present invention manufactured by the above-described manufacturing method requires a separate shutter substrate (95 in Fig. 3) provided with a light shielding layer (97 in Fig. 3) The second switching thin film transistor STr2, which is a component for switching the shutter 530, is connected to a first switching and driving thin film transistor (not shown) for switching and driving the organic electroluminescent element, (90 in FIG. 2) with a separate shutter substrate (95 in FIG. 3) provided with a light shielding layer (97 in FIG. 3) Has an effect.

<제 2 실시예에 따른 제조 방법><Manufacturing Method According to Second Embodiment>

본 발명의 제 2 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자의 제조 방법은 도 7을 참조하며, 제 1 실시예 대비 차별점이 있는 부분을 위주로 설명한다.A method of manufacturing a transparent organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention will now be described with reference to FIG. 7, focusing on a portion having a difference from the first embodiment.

우선, 투명하며 절연 특성을 갖는 제 1 기판(210) 상에 우선적으로 서로 교차하여 서브화소영역(P1, 미도시) 및 투과영역(TA)을 정의하는 게이트 및 데이터 배선(미도시)과, 이들 두 배선(미도시) 중 어느 하나의 배선과 나란한 전원배선(미도시)을 형성하고, 상기 각 서부화소영역(P1, 미도시)에 제 1 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 구동 박막트랜지스터(DTr)를 형성하며, 각 화소영역(P)에 제 2 스위칭 박막트랜지스터(STr2)를 형성한다.First, a gate and a data line (not shown) for defining a sub pixel region (P1, not shown) and a transmissive region TA intersecting each other preferentially on a first substrate 210 having a transparent and insulating characteristic, (Not shown) is formed in parallel with one of the two wirings (not shown), and a first switching thin film transistor (not shown) and a driving thin film transistor DTr And a second switching thin film transistor STr2 is formed in each pixel region P.

그리고, 상기 제 1 및 2 스위칭 박막트랜지스터(미도시, STr2) 및 구동 박막트랜지스터(DTr) 위로 무기절연물질을 증착하여 보호층(140)을 형성하고, 연속하여 상기 보호층(240) 위로 유기물질을 도포하며 제 1 평탄화층(245)을 형성한다.An inorganic insulating material is deposited on the first and second switching thin film transistors (not shown) and the driving thin film transistor DTr to form a protective layer 140, and an organic material And the first planarization layer 245 is formed.

이후, 상기 제 1 평탄화층(245)과 보호층(240)을 패터닝하여 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(236)을 노출시키는 제 1 드레인 콘택홀(dch1)과 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터(STr2)의 드레인 전극(237)을 노출시키는 제 2 드레인 콘택홀(dch2)을 형성한다.A first drain contact hole dch1 for patterning the first planarization layer 245 and the passivation layer 240 to expose the drain electrode 236 of the driving TFT DTr, And the second drain contact hole dch2 exposing the drain electrode 237 of the second transistor STr2 are formed.

다음, 상기 제 1 및 제 2 드레인 콘택홀(dch1, dch2)을 갖는 상기 제 1 평탄화층(245) 위로 제 1 실시예에서 제시한 동일한 방법을 진행하여 각 화소영역(P) 별로 MEMS 구조체(501)를 형성한다.Next, the same method as shown in the first embodiment is performed on the first planarization layer 245 having the first and second drain contact holes dch1 and dch2 to form the MEMS structure 501 ).

이때, MEMS 구조체(501)의 일 구성요소인 엥커(510) 중 적어도 하나의 엥커(510)는 상기 제 2 드레인 콘택홀(dch2)을 통해 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터(STr2)의 드레인 전극(237)과 접촉하는 구성을 이루도록 형성하는 것이 특징이며, 제 2 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자의 경우, 상기 제 1 드레인 콘택홀(dch1)에 대응해서도 상기 엥커(510)와 동일한 구성을 갖는 연결패턴(600)을 형성하는 것이 또 다른 특징이다. At least one of the anchors 510 of the anchors 510 as one component of the MEMS structure 501 is electrically connected to the drain electrode 237 of the second switching thin film transistor STr2 through the second drain contact hole dch2. In the case of the transparent organic electroluminescent device according to the second embodiment, the same structure as the anchor 510 corresponding to the first drain contact hole dch1 is also formed. It is another feature to form the connection pattern 600.

다음, 이렇게 각 화소영역(P) 별로 MEMS 구조체(501)와 연결패턴(600)을 형성한 이후에는 상기 MEMS 구조체(501) 상부로 제 1 실시예와 동일한 방법을 진행하여 상기 엥커(510)에 의해 지지되며, 상기 연결패턴(600)의 상면을 노출시키는 제 1 콘택홀(ch1)을 갖는 버퍼층(247)을 형성한다. After the MEMS structure 501 and the connection pattern 600 are formed for each pixel region P, the same method as that of the first embodiment is performed on the MEMS structure 501, And a buffer layer 247 having a first contact hole ch1 exposing an upper surface of the connection pattern 600 is formed.

이때, 상기 버퍼층(247)과 이의 하부에 위치하는 제 1 평탄화층(245) 사이에는 유기물질이 용해되어 제거되어 빈공간이 형성됨으로서 상기 MEMS 구조체(501)의 셔터(530)가 이동 가능한 구성을 이루게 된다.At this time, the organic material is dissolved and removed from the buffer layer 247 and the first planarization layer 245 located under the buffer layer 247, thereby forming a vacant space so that the shutter 530 of the MEMS structure 501 can be moved .

다음, 상기 버퍼층(247) 위로 평탄한 표면을 갖는 제 2 평탄화층(248)을 형성한다. 이때 상기 제 2 평탄화층(248)은 상기 제 1 콘택홀(ch1)이 연장됨으로서 상기 연결패턴(600)을 노출시키는 구성을 이루도록 형성하는 것이 특징이다.Next, a second planarization layer 248 having a flat surface over the buffer layer 247 is formed. At this time, the second planarization layer 248 is formed to expose the connection pattern 600 by extending the first contact hole ch1.

이후, 상기 제 2 평탄화층(248) 상부로 각 서브화소영역(P1, 미도시)과 투과영역(TA)의 경계에 대응하여 뱅크(253)를 형성하고, 상기 뱅크(253)로 둘러싸인 상기 각 서브화소영역(P1, 미도시)에 대응하여 제 1 전극(250) 상부로 유기 발광층(255)을 형성하고, 연속하여 상기 유기 발광층(255) 상부로 표시영역 전면에 제 2 전극(258)을 형성함으로서 본 발명의 제 2 실시예에 따른 제 1 기판(210)을 완성한다. A bank 253 is formed on the second planarization layer 248 in correspondence with the boundary between the sub pixel region P1 and the transmissive region TA, An organic light emitting layer 255 is formed on the first electrode 250 in correspondence with the sub pixel region P1 and a second electrode 258 is formed on the entire surface of the organic light emitting layer 255 Thereby completing the first substrate 210 according to the second embodiment of the present invention.

다음, 이러한 구성을 갖는 제 1 기판(210)에 대응하여 제 2 기판(270)을 합착하거나, 또는 인캡슐레이션 막을 구비함으로서 본 발명의 제 2 실시예에 따른 투명 유기전계 발광소자(201)를 완성할 수 있다.
The transparent organic electroluminescent device 201 according to the second embodiment of the present invention may be manufactured by laminating the second substrate 270 corresponding to the first substrate 210 having such a configuration or by providing an encapsulation film. Can be completed.

본 발명은 전술한 실시예 및 변형예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.

101 : 투명 유기전계 발광소자
110 : 제 1 기판
113 : 버퍼층
115 : 게이트 전극
118 : 게이트 절연막
120 : 반도체층
133, 134 : 소스 전극
136, 137 : 드레인 전극
140 : 보호층
143 : 드레인 콘택홀
150 : 제 1 전극
155 : 유기 발광층
158 : 제 2 전극
170 : 제 2 기판
501 : MEMS 구조체
510 : 엥커
530 : 셔터
DTr : 구동 박막트랜지스터
E : 유기전계 발광 다이오드
P : 화소영역
P1 : 서브화소영역
STr2 : 제 2 스위칭 박막트랜지스터
TA : 투과영역101: transparent organic electroluminescent device
110: first substrate
113: buffer layer
115: gate electrode
118: Gate insulating film
120: semiconductor layer
133, 134: source electrode
136, 137: drain electrode
140: Protective layer
143: drain contact hole
150: first electrode
155: organic light emitting layer
158: Second electrode
170: second substrate
501: MEMS structure
510: Anchor
530: Shutter
DTr: driving thin film transistor
E: Organic light emitting diode
P: pixel area
P1: sub pixel area
STr2: second switching thin film transistor
TA: transmission region

Claims (21)

다수의 서브화소영역 및 투과영역을 포함하는 화소영역이 다수 정의된 제 1 기판과;
상기 제 1 기판의 상기 각 화소영역에 구비되며 다수의 엥커와 상기 다수의 각 엥커와 연결된 빔과 상기 빔과 연결된 셔터로 이루어진 MEMS(micro electro mechanical systems) 구조체와;
상기 제 1 기판 상의 상기 각 서브화소영역에 구비된 유기전계 발광 다이오드
를 포함하며, 상기 셔터는 상기 제 1 기판의 배면으로부터 입사되는 빛을 차단하는 역할을 하며, 상기 각 화소영역 내에서 상기 투과영역과 다수의 서브화소영역 간을 선택적으로 이동하는 것이 특징인 투명 유기전계 발광소자.
A first substrate on which a plurality of pixel regions including a plurality of sub pixel regions and a transmissive region are defined;
A MEMS (micro electro mechanical systems) structure provided in each of the pixel regions of the first substrate, the MEMS structure including a plurality of anchors, a beam connected to the plurality of anchors, and a shutter connected to the beams;
The organic light emitting display according to claim 1, wherein the organic light emitting diode
Wherein the shutter serves to shield light incident from the back surface of the first substrate and selectively moves between the transmissive area and the plurality of sub pixel areas in each pixel area, An electroluminescent device.
제 1 항에 있어서,
상기 유기전계 발광 다이오드는 상기 MEMS 구조체 상부에 형성된 것이 특징인 투명 유기전계 발광소자.
The method according to claim 1,
Wherein the organic electroluminescent diode is formed on the MEMS structure.
제 2 항에 있어서,
상기 MEMS 구조체는 상기 제 1 기판의 표면과 직접 접촉하며 형성되며, 상기 MEMS 구조체와 상기 유기전계 발광 다이오드 사이에는 상기 각 서브화소영역 별로 제 1 스위칭 박막트랜지스터와 상기 유기전계 발광 다이오드와 연결된 구동 박막트랜지스터가 구비되며, 상기 화소영역별로 상기 MEMS 구조체의 일 구성요인 엥커와 연결된 제 2 스위칭 박막트랜지스터가 구비된 것이 특징인 투명 유기전계 발광소자.
3. The method of claim 2,
The MEMS structure is formed in direct contact with the surface of the first substrate, and a first switching thin film transistor and a driving thin film transistor connected to the organic light emitting diode are provided between the MEMS structure and the organic light emitting diode, And a second switching thin film transistor connected to a component anchor of the MEMS structure for each pixel region.
제 3 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와 상기 MEMS 구조체 사이에는 버퍼층이 구비되며, 상기 버퍼층과 상기 제 1 기판의 표면에는 빈 공간이 구비되며, 상기 버퍼층은 상기 MEMS 구조체의 일 구성요소인 상기 엥커에 의해 지지되는 것이 특징인 투명 유기전계 발광소자.
The method of claim 3,
A buffer layer is provided between the first and second switching thin film transistors and the driving thin film transistor and the MEMS structure, and an empty space is formed on the surface of the buffer layer and the first substrate, Is supported by the anchor.
제 4 항에 있어서,
상기 버퍼층에는 상기 엥커를 노출시키는 제 1 홀이 구비되며, 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터의 일전극은 상기 제 1 홀을 통해 상기 엥커와 접촉하는 투명 유기전계 발광소자.
5. The method of claim 4,
Wherein the buffer layer is provided with a first hole exposing the anchor and one electrode of the second switching thin film transistor is in contact with the anchor through the first hole.
제 2 항에 있어서,
상기 제 1 기판 상의 상기 각 서브화소영역에는 제 1 스위칭 박막트랜지스터와 상기 유기전계 발광 다이오드와 연결된 구동 박막트랜지스터가 구비되며, 상기 화소영역별로 상기 MEMS 구조체의 일 엥커와 연결된 제 2 스위칭 박막트랜지스터가 구비되며, 상기 MEMS 구조체는 상기 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터 상부에 위치하는 것이 특징인 투명 유기전계 발광소자.
3. The method of claim 2,
A first switching thin film transistor and a driving thin film transistor connected to the organic light emitting diode are provided in each sub pixel region on the first substrate and a second switching thin film transistor connected to an anchor of the MEMS structure is provided for each pixel region And the MEMS structure is positioned above the first and second switching thin film transistors and the driving thin film transistor.
제 6 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와 상기 MEMS 구조체 사이에는 제 1 평탄화층이 구비되며, 상기 MEMS 구조체 상부에는 버퍼층과 제 2 평탄화층이 구비되며, 상기 버퍼층과 상기 제 1 평탄화층 사이에는 빈 공간이 구비되며, 상기 버퍼층은 상기 MEMS 구조체의 일 구성요소인 상기 엥커에 의해 지지되는 것이 특징인 투명 유기전계 발광소자.
The method according to claim 6,
A first planarization layer is provided between the first and second switching thin film transistors and the driving thin film transistor and the MEMS structure, a buffer layer and a second planarization layer are provided on the MEMS structure, And the buffer layer is supported by the anchor, which is a component of the MEMS structure.
제 7 항에 있어서,
상기 각 화소영역에 구비된 다수의 엥커 중 적어도 하나의 엥커는 상기 제 1 평탄화층에 구비된 제 1 콘택홀을 통해 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터의 일 전극과 접촉하는 투명 유기전계 발광소자.
8. The method of claim 7,
Wherein at least one of the plurality of anchors provided in each pixel region is in contact with one electrode of the second switching TFT through a first contact hole provided in the first planarization layer.
제 8 항에 있어서,
상기 유기전계 발광 다이오드는 상기 제 2 평탄화층 상부에 형성되며, 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극에 대응하여 이와 접촉하며 상기 엥커를 이루는 동일한 층에 동일한 물질로 이루어진 연결패턴이 구비되며, 상기 버퍼층과 제 2 평탄화층에는 상기 연결패턴을 노출시키는 제 2 콘택홀이 구비되며, 상기 유기전계 발광 다이오드의 제 1 전극은 상기 제 2 콘택홀을 통해 상기 연결패턴과 접촉하는 것이 특징인 투명 유기전계 발광소자.
9. The method of claim 8,
The organic light emitting diode is formed on the second planarization layer and has a connection pattern corresponding to the drain electrode of the driving thin film transistor and made of the same material in the same layer forming the anchor, 2 planarization layer includes a second contact hole exposing the connection pattern, and the first electrode of the organic light emitting diode contacts the connection pattern through the second contact hole.
제 3 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 셔터의 최 상부에는 블랙층이 형성된 것이 특징인 투명 유기전계 발광소자.
The method according to claim 3 or 6,
And a black layer is formed on the uppermost portion of the shutter.
제 3 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 각 MEMS 구조체는,
상기 각 화소영역 내에서 서로 마주하는 양단에 대칭적으로 구성된 제 1, 2, 3 엥커와;
상기 각 제 2 엥커와 연결되며 대칭적인 구조를 이루며 형성된 제 1 및 제 2 빔과, 상기 각 제 1 엥커와 연결된 제 3 빔과, 상기 각 제 3 엥커와 연결된 제 4 빔과;
상기 제 3 빔 및 제 4 빔의 일끝단과 연결된 셔터
을 포함하며, 상기 화소영역의 양단에 구비된 상기 제 1 빔과 제 3 빔은 서로 이격하여 마주하도록 위치하며, 상기 제 2 빔과 제 4 빔은 서로 이격하여 마주하도록 위치한 것이 특징인 투명 유기전계 발광소자.
The method according to claim 3 or 6,
Each of the MEMS structures includes:
First, second, and third anchors arranged symmetrically at opposite ends of the pixel region facing each other;
First and second beams formed symmetrically with the second anchors, a third beam connected to the first anchors, and a fourth beam connected to the third anchors;
And a shutter unit coupled to one end of the third beam and the fourth beam,
Wherein the first beam and the third beam provided at both ends of the pixel region are positioned so as to face each other and the second beam and the fourth beam are spaced apart from each other to face each other, Light emitting element.
다수의 서브화소영역 및 투과영역을 포함하는 각 화소영역이 다수 정의된 제 1 기판 상의 상기 각 화소영역에 다수의 엥커와 상기 엥커와 연결된 빔과 상기 빔과 연결된 셔터로 이루어진 MEMS(micro electro mechanical systems) 구조체를 형성하는 단계와;
상기 MEMS 구조체 위로 각 서브화소영역 별로 제 1 스위칭 박막트랜지스터와 상기 유기전계 발광 다이오드와 연결된 구동 박막트랜지스터와, 상기 화소영역별로 상기 MEMS 구조체의 엥커와 연결된 제 2 스위칭 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
상기 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터 위로 상기 각 서브화소영역에 유기전계 발광 다이오드를 형성하는 단계
를 포함하는 투명 유기전계 발광소자의 제조 방법.
A micro electro mechanical systems (MEMS) system comprising a plurality of anchors, a beam connected to the anchors, and a shutter connected to the beam, on each of the pixel regions on a first substrate having a plurality of pixel regions including a plurality of sub- ) Structure;
Forming a first switching TFT, a driving TFT connected to the organic light emitting diode, and a second switching TFT connected to an anchor of the MEMS structure for each pixel region, for each sub pixel region on the MEMS structure;
Forming an organic light emitting diode in each of the sub pixel regions over the first and second switching thin film transistors and the driving thin film transistor,
Wherein the organic light emitting layer is formed on the substrate.
제 12 항에 있어서,
상기 제 1, 2 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 형성하기 이전에 상기 MEMS 구조체 위로 상기 엥커에 의해 지지되는 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층과 제 1 기판 표면 사이에 빈 공간을 형성을 형성하는 단계를 포함하는 투명 유기전계 발광소자의 제조 방법.
13. The method of claim 12,
Forming a buffer layer supported by the anchor on the MEMS structure prior to forming the first and second switching thin film transistors and the driving thin film transistor and forming a void space between the buffer layer and the first substrate surface; Wherein the transparent organic electroluminescent device is a transparent organic electroluminescent device.
제 13 항에 있어서,
상기 MEMS 구조체 위로 상기 엥커에 의해 지지되는 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층과 제 1 기판 표면 사이에 빈 공간을 형성을 형성하는 단계는,
상기 MEMS 구조체 위로 유기물질층을 형성하는 단계와;
상기 유기물질층 위로 상기 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층에 상기 유기물질층을 노출시키는 용해홀을 형성하는 단계와;
상기 용해홀을 통해 상기 유기물질층을 상기 유기물질층을 용해시키는 식각액에 노출시켜 용해시키고 용해된 상기 유기물질층을 제거함으로서 상기 제 1 기판 표면과 버퍼층 사이에 빈 공간을 형성하는 단계
를 포함하는 투명 유기전계 발광소자의 제조 방법.
14. The method of claim 13,
Forming a buffer layer over the MEMS structure supported by the anchor and forming a void space between the buffer layer and the first substrate surface,
Forming a layer of organic material over the MEMS structure;
Forming a buffer layer on the organic material layer and forming a dissolution hole in the buffer layer to expose the organic material layer;
Forming an empty space between the first substrate surface and the buffer layer by exposing and dissolving the organic material layer to the etchant dissolving the organic material layer through the dissolution hole and removing the dissolved organic material layer
Wherein the organic light emitting layer is formed on the substrate.
다수의 서브화소영역 및 투과영역을 포함하는 각 화소영역이 다수 정의된 제 1 기판 상의 각 서브화소영역 별로 제 1 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 형성하고, 동시에 상기 화소영역별로 제 2 스위칭 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
상기 제 1 및 제 2 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터 위로 각 화소영역에 상기 제 2 스위칭 박막트랜지스터의 일 전극과 연결되며, 다수의 엥커와 상기 다수의 엥커와 연결된 다수의 빔과 상기 빔과 연결된 셔터로 이루어 MEMS(micro electro mechanical systems) 구조체를 형성하는 단계와;
상기 MEMS 구조체 위로 상기 각 서브화소영역에 상기 구동 박막트랜지스터의 일 전극과 연결된 유기전계 발광 다이오드를 형성하는 단계
를 포함하는 투명 유기전계 발광소자의 제조 방법.
A first switching thin film transistor and a driving thin film transistor are formed for each sub pixel region on a first substrate having a plurality of pixel regions including a plurality of sub pixel regions and a transmissive region, ; &Lt; / RTI &gt;
A plurality of anchors, a plurality of beams connected to the plurality of anchors, and a plurality of switches connected to the plurality of anchors, the plurality of anchors being connected to one of the first switching thin film transistors and the driving thin film transistors, Forming a MEMS (micro electro mechanical systems) structure;
Forming an organic light emitting diode connected to one electrode of the driving thin film transistor in each sub pixel region on the MEMS structure;
Wherein the organic light emitting layer is formed on the substrate.
제 15 항에 있어서,
상기 MEMS 구조체를 형성하기 이전에 제 1, 2 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터 위로 제 1 평탄화층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 유기전계 발광 다이오드를 형성하기 이전에 상기 MEMS 구조체 위로 상기 엥커에 의해 지지되는 버퍼층을 형성하고 상기 버퍼층과 상기 제 1 평탄화층 사이에 빈 공간을 형성을 형성하는 단계와, 상기 버퍼층 위로 제 2 평탄화층을 형성하는 단계를 포함하는 투명 유기전계 발광소자의 제조 방법.
16. The method of claim 15,
Forming a first planarization layer over the first and second switching thin film transistors and the driving thin film transistor before forming the MEMS structure,
Forming a buffer layer supported by the anchor on the MEMS structure prior to forming the organic light emitting diode and forming a void space between the buffer layer and the first planarization layer; And forming a layer on the transparent electrode.
제 16 항에 있어서,
상기 유기전계 발광 다이오드를 형성하기 이전에 상기 MEMS 구조체 위로 상기 엥커에 의해 지지되는 버퍼층을 형성하고 상기 버퍼층과 상기 제 1 평탄화층 사이에 빈 공간을 형성을 형성하는 단계는,
상기 MEMS 구조체 위로 유기물질층을 형성하는 단계와;
상기 유기물질층 위로 상기 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층에 상기 유기물질층을 노출시키는 용해홀을 형성하는 단계와;
상기 용해홀을 통해 상기 유기물질층을 상기 유기물질층을 용해시키는 식각액에 노출시켜 용해시키고 용해된 상기 유기물질층을 제거함으로서 상기 제 1 평탄화층과 버퍼층 사이에 빈 공간을 형성하는 단계
를 포함하는 투명 유기전계 발광소자의 제조 방법.
17. The method of claim 16,
Forming a buffer layer supported by the anchor on the MEMS structure prior to forming the organic light emitting diode and forming a void space between the buffer layer and the first planarization layer,
Forming a layer of organic material over the MEMS structure;
Forming a buffer layer on the organic material layer and forming a dissolution hole in the buffer layer to expose the organic material layer;
Forming an empty space between the first planarization layer and the buffer layer by exposing and dissolving the organic material layer to the etchant dissolving the organic material layer through the dissolution hole and removing the dissolved organic material layer;
Wherein the organic light emitting layer is formed on the substrate.
제 12 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 MEMS 구조체를 형성하는 단계는,
상기 엥커가 형성될 각 부분에 대응하여 홀을 갖는 1차 희생층을 형성하는 단계와;
상기 1차 희생층 위로 상기 빔과 셔터가 형성될 부분 및 상기 홀에 대응하여 제거된 것을 특징으로 하는 2차 희생층을 형성하는 단계와;
상기 2차 희생층 위로 비정질 실리콘층과 금속층 및 블랙물질층을 순차적으로 형성하는 단계와;
상기 블랙 물질층 위로 제 1 두께를 갖는 제 1 포토레지스트 패턴을 상기 셔터가 형성될 부분에 대응하여 형성하고 동시에 상기 제 1 두께 보다 얇은 제 2 포토레지스트 패턴을 상기 엥커가 형성될 부분에 대응하여 형성하는 단계와;
상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴 외측으로 노출된 상기 블랙 물질층을 제거하는 단계와;
상기 블랙 물질층이 제거됨으로서 노출된 상기 금속층과 이의 하부의 하부에 위치하는 비정질 실리콘층에 대해 이방성의 건식식각을 진행함으로서 상기 제 2 희생층의 측면 및 상면에 존재하는 삼중층 구조의 셔터 및 엥커를 형성하고, 동시에 상기 제 2 희생층의 측면에만 존재하는 이중층 구조의 빔을 형성하는 단계와;
애싱을 진행하여 제 2 포토레지스트 패턴을 제거함으로서 상기 삼중층 구조의 엥커를 노출시키는 단계와;
노출된 상기 엥커의 최상부층인 블랙물질층을 제거하여 이중층 구조를 갖도록 하는 단계와;
스트립을 진행하여 삼중층 구조의 셔터를 노출시키는 단계와;
상기 2차 및 1차 희생층을 제거하는 단계
를 포함하는 투명 유기전계 발광소자의 제조 방법.
16. The method according to claim 12 or 15,
Wherein forming the MEMS structure comprises:
Forming a primary sacrificial layer having a hole corresponding to each portion in which the anchor is to be formed;
Forming a second sacrificial layer on the first sacrificial layer, wherein the second sacrificial layer is removed in correspondence with the portion where the beam and the shutter are to be formed and the hole;
Sequentially forming an amorphous silicon layer, a metal layer and a black material layer on the second sacrificial layer;
A first photoresist pattern having a first thickness above the black material layer is formed corresponding to a portion where the shutter is to be formed and a second photoresist pattern thinner than the first thickness is formed corresponding to a portion where the anchor is to be formed ;
Removing the black material layer exposed outside the first and second photoresist patterns;
The anisotropic dry etching is performed on the metal layer exposed by removing the black material layer and the amorphous silicon layer located under the lower portion of the metal layer so that the triple layered shutter and anchor Forming a beam of bilayer structure present only on the side of the second sacrificial layer at the same time;
Exposing the anchors of the triple layer structure by ashing and removing the second photoresist pattern;
Removing the black material layer that is the uppermost layer of the exposed anchors to have a bilayer structure;
Exposing the shutter of the triple layer structure by advancing the strip;
Removing the secondary and primary sacrificial layers
Wherein the organic light emitting layer is formed on the substrate.
제 18 항에 있어서,
상기 엥커 위로 선택적으로 보조패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 투명 유기전계 발광소자의 제조 방법.
19. The method of claim 18,
And forming an auxiliary pattern selectively over the anchor.
제 12 항 또는 제 15 항에 있어서,
상기 MEMS 구조체를 형성하는 단계는,
상기 엥커가 형성될 각 부분에 대응하여 홀을 갖는 1차 희생층을 형성하는 단계와;
상기 1차 희생층 위로 상기 빔과 셔터가 형성될 부분 및 상기 홀에 대응하여 제거된 것을 특징으로 하는 2차 희생층을 형성하는 단계와;
상기 2차 희생층 위로 비정질 실리콘층과 금속층을 순차적으로 형성하는 단계와;
상기 블랙 물질층 위로 포토레지스트 패턴을 상기 셔터 및 엥커가 형성될 부분에 대응하여 형성하는 단계와;
상기 포토레지스트 패턴 외측으로 노출된 상기 금속층과 이의 하부의 하부에 위치하는 비정질 실리콘층에 대해 이방성의 건식식각을 진행함으로서 상기 제 2 희생층의 측면 및 상면에 존재하는 이중층 구조의 셔터 및 엥커를 형성하고, 동시에 상기 제 2 희생층의 측면에만 존재하는 이중층 구조의 빔을 형성하는 단계와;
스트립을 진행하여 상기 포토레지스트 패턴을 제거함으로서 상기 이중층 구조의 엥커와 빔 및 셔터를 노출시키는 단계와;
상기 2차 및 1차 희생층을 제거하는 단계
를 포함하는 투명 유기전계 발광소자의 제조 방법.
16. The method according to claim 12 or 15,
Wherein forming the MEMS structure comprises:
Forming a primary sacrificial layer having a hole corresponding to each portion in which the anchor is to be formed;
Forming a second sacrificial layer on the first sacrificial layer, wherein the second sacrificial layer is removed in correspondence with the portion where the beam and the shutter are to be formed and the hole;
Sequentially forming an amorphous silicon layer and a metal layer on the second sacrificial layer;
Forming a photoresist pattern on the black material layer corresponding to a portion where the shutter and the anchor are to be formed;
Anisotropic dry etching is performed on the metal layer exposed to the outside of the photoresist pattern and the amorphous silicon layer located under the lower portion of the metal layer to form a double layer shutter and anchor existing on the side and top surface of the second sacrificial layer Forming a beam of bilayer structure present only on the side of the second sacrificial layer at the same time;
Exposing the bilayer structure anchors and beams and shutters by advancing a strip to remove the photoresist pattern;
Removing the secondary and primary sacrificial layers
Wherein the organic light emitting layer is formed on the substrate.
제 20 항에 있어서,
상기 셔터의 상부에 블랙층을 형성하는 단계를 포함하는 투명 유기전계 발광소자의 제조 방법.21. The method of claim 20,
And forming a black layer on the upper portion of the shutter.

Images