KR20140124948A - Flatness, ease of maintenance and to prevent chipping vacuum chuck for semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조설비의 진공 척에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼를 지지하여 평탄도를 유지할 수 있도록 지지핀과 링지지핀을 구성하되, 상기 지지핀과 링지지핀의 모서리부분을 라운드지게 구성하여 웨이퍼의 평탄도를 유지함과 동시에 웨이퍼가 안착 시 접촉되는 부분을 최소화 하여 스크래치 및 치핑을 최소화 할 수 있는 평탄도 유지와 치핑방지에 용이한 반도체 제조설비용 진공 척에 관한 것이다.
The present invention relates to a vacuum chuck of a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to a vacuum chuck of a semiconductor manufacturing facility, which comprises a support pin and a ring support pin for supporting a wafer and maintaining flatness, The present invention relates to a vacuum chuck for semiconductor manufacturing equipment, which is capable of maintaining a flatness of the wafer and minimizing the area of contact with the wafer when the wafer is seated, thereby minimizing scratches and chipping.
통상적으로 반도체 집적회로는 손톱만큼이나 작고 얇은 실리콘 칩에 지나지 않지만 그 안에는 수 천만개 이상의 전자부품들(트랜지스터, 다이오드, 저항)이 구성된 장치로서, 이 반도체 집적회로는 최종 완성에 이르기까지에는 사진공정, 식각 공정, 증착 공정, 열처리 공정을 비롯한 수많은 제조 공정이 수반된다.In general, a semiconductor integrated circuit is as small as a nail and is only a thin silicon chip, but it is an apparatus in which tens of millions of electronic components (transistors, diodes, resistors) are formed. Process, deposition process, heat treatment process, and the like.
실리콘 단결정인 규소봉은 수백 ㎛의 두께로 절단되어 그 한쪽 면이 거울같이 연마되어 실리콘 웨이퍼로 형성되는데, 반도체의 집적회로는 실리콘 웨이퍼에 형성된다. 반도체 제조 공정 중에 웨이퍼를 고정시키거나 이송시키기 위하여 사용되는 척에는 기계식 척과 정전기 척과 진공 척이 사용된다.A silicon rod, which is a silicon single crystal, is cut into a thickness of several hundreds of micrometers, and one side thereof is polished like a mirror to form a silicon wafer. An integrated circuit of a semiconductor is formed on a silicon wafer. A mechanical chuck, an electrostatic chuck, and a vacuum chuck are used as chucks used to fix or transfer wafers during the semiconductor manufacturing process.
기계식 척은 그 지지표면에 대해 웨이퍼를 누르기 위해서 아암 또는 클램프를 갖고 있는 클램프 방식이 있고, 정전기 척은 웨이퍼와 금속 전극 또는 전극 쌍 간에 전압차를 발생시키고 웨이퍼와 전극이 유전 층에 의해 분리되도록 구성되며, 진공 척은 진공의 압력을 이용하여 웨이퍼를 안정적으로 흡착시키도록 구성된다. 반도체 칩 제조공정 중에 발생되는 먼지, 이물질 혹은 파티클(particle)은 웨이퍼가 안착되는 진공 척의 안착 면을 오염시킨다. 진공 척의 안착 면이 오염된 상태로, 진공 척의 안착 면에 웨이퍼가 안착 될 경우, 디 포커스의 원인이 되어 반도체 생산에 막대한 손실을 초래한다.The mechanical chuck has a clamping system with an arm or clamp for pressing the wafer against its supporting surface and the electrostatic chuck generates a voltage difference between the wafer and the metal electrode or electrode pair and is configured such that the wafer and electrodes are separated by a dielectric layer And the vacuum chuck is configured to stably adsorb the wafer using a vacuum pressure. Dust, foreign matter or particles generated during the semiconductor chip manufacturing process pollute the seating surface of the vacuum chuck where the wafer is seated. When the wafer is seated on the seating surface of the vacuum chuck in a state where the seating surface of the vacuum chuck is contaminated, defocusing is caused, resulting in a significant loss in semiconductor production.
우선 종래의 기술들을 살펴보면,First of all,
등록번호 10-1049444 (특)반도체 제조 설비의 진공 척에 있어서, 기판이 안착되는 상부 면과, 상기 상부 면에 원주 방향과 평행하지 않은 방향으로 배치되는 마찰 저항부들을 갖는 스핀 헤드, 상기 스핀헤드의 하부 면에 고정 결합되는 스핀들, 상기 스핀들을 회전시키는 구동기를 포함하되, 상기 마찰 저항부들은 기판의 저면을 진공 흡착하는 직선의 진공 홈들을 포함하며, 상기 진공 홈들은 기판 저면에 회전방향과 직교하는 방향으로 마찰 면적이 발생되도록 회전 중심을 기준으로 방사상으로 형성되는 것 반도체 제조 설비의 진공 척에 관한 것이다.A vacuum chuck of a semiconductor manufacturing facility, comprising: a spin head having an upper surface on which a substrate is seated, and frictional resistance portions arranged on the upper surface in a direction not parallel to the circumferential direction; Wherein the frictional resistance portions include linear vacuum grooves for vacuum-absorbing the bottom surface of the substrate, the vacuum grooves having a rotation direction perpendicular to the rotation direction of the substrate, The vacuum chuck of the semiconductor manufacturing facility is formed in a radial direction with respect to the rotation center so as to generate a friction area in the direction of the rotation axis.
등록번호 10-0545670 (특) 진공의 흡입력을 이용하여 웨이퍼를 고정시키도록 반도체 제조설비의 스테이지에 고정되는 진공 척에 있어서, 소정의 두께를 갖으며 웨이퍼와 유사한 형상으로 형성된 척 몸체와, 상기 웨이퍼의 배면을 지지하도록 척 몸체의 상면에 형성된 다수개의 웨이퍼 고정용 팁과, 상기 웨이퍼 고정용 팁에 의해서 형성된 상부 진공영역의 둘레 면을 차단하도록 척 몸체의 상면 둘레에 형성된 상부 외벽과, 상기 척 몸체가 반도체 제조설비의 스테이지에 고정되도록 척 몸체의 저면에 형성된 다수개의 척 고정용 팁과, 상기 척 고정용 팁에 의해서 형성된 하부 진공영역의 둘레 면을 차단하도록 척 몸체의 저면 둘레에 형성된 하부 외벽과, 상기 상부 진공영역에 진공압력이 전달되도록 척 몸체에 관통되게 형성된 진공 홀과, 상기 척 몸체의 상면에 안착된 웨이퍼를 분리시키는 분리 핀이 이동되도록 척 몸체에 관통되게 형성된 분리핀 이동공을 포함, 구성되는 반도체 제조설비의 진공 척에 관한 것이다.A vacuum chuck fixed to a stage of a semiconductor manufacturing facility to fix a wafer using a vacuum suction force, the vacuum chuck comprising: a chuck body having a predetermined thickness and formed in a shape similar to a wafer; A plurality of wafer fixing tips formed on the upper surface of the chuck body to support the rear surface of the chuck body, an upper outer wall formed around the upper surface of the chuck body to block the peripheral surface of the upper vacuum region formed by the wafer fixing tip, A plurality of chuck fixing tips formed on the bottom surface of the chuck body so as to be fixed to the stage of the semiconductor manufacturing facility; a lower outer wall formed around the bottom surface of the chuck body to block the circumferential surface of the lower vacuum region formed by the chuck fixing tip; A vacuum hole formed to penetrate the chuck body to transmit a vacuum pressure to the upper vacuum region, Separation for separating the wafer mounting surface to include a release pin to be moved through-hole formed in the chuck body such that the moving pin, to a vacuum chuck of the semiconductor manufacturing equipment is configured.
상기한 종래의 기술은 웨이퍼를 지지하는 핀의 간격이 넓게 구성되어 진공으로 웨이퍼를 흡착 시킬 때 핀이 구성되지 않은 부분에는 웨이퍼의 처짐 현상이 발생하게 되어 평면 유지가 전혀 되지 않아 공정처리가 제대로 이루어지지 않게 됨으로써 생산성이 저하되는 문제점이 있다.
In the above-described conventional technique, when the wafer is attracted by vacuum, the gap between the pins supporting the wafer is wide. In the portion where the pins are not formed, the wafer is sagged, And the productivity is deteriorated.
다른 형태의 기술을 살펴보면, 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 고정용 핀이 다수개의 촘촘하게 구성되어 웨이퍼가 처지는 것을 방지하는 것을 중심적으로 기재 하고 있지만, 상부가 돌출되어 뾰족하다 보니, 흡착 시에 웨이퍼가 접촉되는 부분이 손상되거나 치핑 현상이 발생할 수 있는 문제점이 있다.
In other types of techniques, it is described that a plurality of wafers for fixing wafers are closely arranged to prevent sagging of the wafers. However, since the upper portion is protruded to be sharp, Which may cause damage or chipping phenomenon.
상기 형태의 기술은 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 고정용 핀으로만 제작된 반도체 제조설비의 진공 척을 사용할 경우, 웨이퍼가 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 공정용 핀에 접촉되는 부분이 작기 때문에 웨이퍼 휨이 심할 경우 진공이 잡히지 않아 공정을 진행하지 못하는 문제점이 있다.
In the case of using the vacuum chuck of the semiconductor manufacturing facility manufactured only with the wafer fixing pin for supporting the wafer, since the portion of the wafer contacting the wafer processing pin for supporting the wafer is small, There is a problem that the process can not proceed.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출해낸 것으로, SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art,
실리콘, 알루미나, 사파이어, 석영, 금속, 수지 중 어느 하나의 재질로 구성되되, 본체의 상측으로 다수개의 지지핀을 구성하고 상기 지지핀의 사이에 상기 본체의 지름보다 작게 구성되는 링지지핀을 구성하여, 웨이퍼를 안착시켜 공정을 진행 할 시에 상기 웨이퍼가 하부로 처지는 것을 방지 할 수 있도록 하여 평면을 유지할 수 있도록 함과 동시에 상기 지지핀과 링지지핀을 사용함으로써 진공구역을 분할해서 안착 가능하도록 하여 휨이 심한 웨이퍼도 안착 가능하도록 하며, 상기 지지핀과 링지지핀의 상측 면을 라운드지게 형성하여 웨이퍼와 접촉하는 면을 최소화 시켜 공정 중에 파손 및 데미지를 최소화 시킬 수 있도록 하는 제품을 제공함에 주안점을 두고 그 기술적 과제로 창안해낸 것이다.
Wherein a plurality of support pins are formed on the upper side of the main body and the ring support pins are formed between the support pins so as to be smaller than the diameter of the main body and are made of any one material of silicon, alumina, sapphire, quartz, So that the wafer can be prevented from sagging downward when the wafer is placed in the process, so that the wafer can be held flat, and the vacuum zone can be divided and seated by using the support pins and the ring support pins And the upper surface of the support pin and the ring support pin are rounded so as to minimize the surface contacting the wafer, thereby minimizing damage and damage during the process. Which is a technical problem.
이에 본 발명은 웨이퍼(w)와 유사한 형상으로 형성된 본체부(110)와, 상기 본체부(110)의 상측으로 상기 웨이퍼(w)의 하부를 지지하는 다수개의 지지핀(111)과, 상기 지지핀(111)에 의해서 형성되는 진공영역(113)과, 상기 진공영역(113)에 진공압력이 전달되도록 본체부(110)에 관통되게 형성된 진공 홀(114)과, 상기 지지핀(111)의 상면에 안착된 웨이퍼(w)를 분리시키는 분리 핀(210)이 이동되도록 본체 부(110)에 관통되게 형성된 분리핀 이동공(115)으로 구성되는 반도체 제조설비용 진공 척에 있어서, 상기 지지핀(111)의 사이에는 상기 본체부(110)보다 작은 지름으로 상기 지지핀(111)과 동일한 높이로 링지지핀(112)이 구성되고, 상기 지지핀(111)과 링지지핀(112)은 측단 면이 “
The present invention is characterized in that it comprises a
본 발명에 따른 평탄도 유지와 치핑방지에 용이한 반도체 제조설비용 진공 척에 의하면, 진공 척의 상측으로 웨이퍼를 지지하는 지지핀과 링지지핀을 동시에 구성되어 지지핀과 링지지핀을 동시에 사용할 수 있게 됨으로써 웨이퍼의 평탄도를 유지할 수 있게 되어 생산성을 극대화 시킬 수 있음은 물론, 상기 지지핀과 링지지핀의 상측 면을 라운드지게 형성하여 상기 웨이퍼와 접촉되는 면을 최소화 하여 데미지를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 진공구역을 분할해서 웨이퍼 안착이 가능하게 하여 휘어짐이 심한 웨이퍼도 안착이 가능한 유용한 발명인 것이다.
According to the vacuum chuck for semiconductor manufacturing facility which is easy to maintain flatness and to prevent chipping according to the present invention, it is possible to simultaneously use the support pin and the ring support pin constituting the support pin and the ring support pin for supporting the wafer above the vacuum chuck The flatness of the wafer can be maintained to maximize the productivity, and the upper surface of the support pin and the ring support pin can be rounded to minimize the contact surface with the wafer, thereby reducing the damage The present invention is a useful invention that enables a wafer to be segregated by dividing a vacuum zone so that a wafer having a large warpage can be seated.
도 1은 종래의 진공 척의 사용 상태를 나타내는 사용상태도
도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예를 나타내는 평면도
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예를 나타내는 측면도
도 4는 본 발명의 바림직한 실시 예의 진공 홀을 나타내는 도면
도 5는 본 발명의 바람직한 실시 예의 분리핀 이동공을 나타내는 도면
도 6은 본 발명의 바람직한 실시 예의 반도체 제조설비의 스테이지에 고정된 상태를 나타내는 도면
도 7은 본 발명의 바람직한 실시 예를 나타내는 사용상태도Fig. 1 is a diagram showing the state of use of the conventional vacuum chuck,
2 is a plan view showing a preferred embodiment of the present invention.
3 is a side view showing a preferred embodiment of the present invention
4 is a view showing a vacuum hole of a preferred embodiment of the present invention
5 is a view showing a separating pin moving hole of a preferred embodiment of the present invention
6 is a view showing a state fixed to a stage of a semiconductor manufacturing facility according to a preferred embodiment of the present invention;
Fig. 7 is a diagram showing the state of use showing the preferred embodiment of the present invention
통상적으로 진공 척은 도 1에 도시된 바와 같이 웨이퍼(w)를 지지하는 역할을 할 수 있도록 다수개의 돌출되는 핀이 구성되어 지지하게 되지만, 종래의 기술에는 핀의 다수개로 구성되되 간격이 넓게 구성되어 상기 웨이퍼(w)가 처지는 현상이 발생하게 되어 평탄도를 유지할 수가 없어 공정처리가 제대로 이루어지지 않아 생산성이 저하되었다. 또한, 핀의 간격을 촘촘하게 구성하여 평탄도를 유지할 수 있었지만, 핀과 접촉되는 부분이 뾰족하여 웨이퍼(w)의 스크래치 및 피칭 현상이 발생하게 되었다.In general, the vacuum chuck is constructed to support a plurality of projecting pins so as to support the wafer w as shown in FIG. 1. However, in the conventional technique, a plurality of pins are provided, The wafer W is sagged, and the flatness can not be maintained, so that the process is not properly performed and the productivity is lowered. In addition, although the spacing of the fins can be made compact to maintain the flatness, the portion to be contacted with the pin is sharp, and the wafer w is subject to scratches and pitching phenomena.
이에 본 발명에서는 웨이퍼(w)를 지지하며 평탄도를 유지할 수 있도록 지지핀(111)과 링지지핀(112)을 구성하되, 상기 지지핀(111)과 링지지핀(112)의 모서리부분을 라운드지게 가공하여 웨이퍼(w)의 평탄도를 유지함과 동시에 웨이퍼(w)가 안착 시 접촉되는 부분을 최소화 하여 스크래치 및 치핑을 최소화 할 수 있는 평탄도와 치핑방지에 용이한 반도체 제조설비용 진공 척을 제공한다.
The
이하, 첨부되는 도면과 관련하여 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 구성 및 작용에 대하여 도 2내지 도 7을 참고로 하여 설명하면 다음과 같다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
우선 본 발명을 설명하기에 앞서 도 2 내지 도 3에 도시된 바와 같이 그 구성을 살펴보면, 웨이퍼(w)와 유사한 형상으로 형성된 본체부(110)와, 상기 본체부(110)의 상측으로 상기 웨이퍼(w)의 하부를 지지하는 다수개의 지지핀(111)과, 상기 지지핀(111)에 의해서 형성되는 진공영역(113)과, 상기 진공영역(113)에 진공압력이 전달되도록 본체부(110)에 관통되게 형성된 진공 홀(114)과, 상기 지지핀(111)의 상면에 안착된 웨이퍼(w)를 분리시키는 분리 핀(210)이 이동되도록 본체 부(110)에 관통되게 형성된 분리핀 이동공(115)으로 구성되는 반도체 제조설비용 진공 척에 있어서, 상기 지지핀(111)의 사이에는 상기 본체부(110)보다 작은 지름으로 상기 지지핀(111)과 동일한 높이로 링지지핀(112)이 구성되고, 상기 지지핀(111)과 링지지핀(112)은 측단 면이 “
2 to 3, a
상기 진공 척(100)은 웨이퍼(w)에 정밀하게 회로 선폭이 투영되기 위해 웨이퍼(w)를 받쳐주는 지그 역할을 하는 것으로서, 상기 웨이퍼(w)는 일반적으로 평면도가 0.2㎛ 단위로 관리되고 있으나, 실리콘 웨이퍼(w) 자체의 휨 현상을 지니고 있으며 이러한 휨 현상을 보정하여 주는 역할을 하게 되는데, 다시 말해 정확한 지점에 웨이퍼(w)가 자리 잡도록 하며, 진공을 이용하여 웨이퍼(w)를 적당한 압력으로 당겨주어 웨이퍼(w)의 휘어진 상태를 펴주는 역할을 하게 되는 것이다.
The
상기 본체부(110)는 도 3에 도시된 바와 같이 상부로 돌출되는 다수개의 지지핀(111)이 구성되는 상기 지지핀(111)은 종래에 있어, 촘촘하게 구성되는 제품들이 있지만, 도 1에 도시된 바와 같이 그 측단 면이 “
As shown in FIG. 3, the
하지만, 본 발명의 상기 지지핀(111)은 측단면이 “
여기서, 상기 지지핀(111)의 사이에는 상기 본체부(110)의 내측으로 상기 지지핀(111)과 동일한 높이를 갖는 링지지핀(112)이 구성된다. 상기 링지지핀(112)은 도 2에 도시된 바와 같이 형성되어 진공 흡착 시 웨이퍼(w)를 지지핀(111)과 더불어 동시에 지지 할 수 있게 되어 처짐을 방지함과 동시에 평탄도를 유지할 수 있게 되는 것이다.A
또한, 상기 지지핀(111)과 링지지핀(112)은 측단 면이 “
종래에 있어 웨이퍼(w)를 지지하는 미세한 사이즈의 핀 들은 직각으로 형성되는데 이는, 미세한 사이즈의 핀들의 라운드지게 가공하는 것은 어려운 기술력을 요하는 것이다. 하지만 본 발명에서 미세한 사이즈의 지지핀(111)과 링지지핀(112)을 라운드지게 구성되어 종래의 문제점을 해소 할 수 있게 되는 것이다.Conventionally, fine-sized fins supporting the wafer w are formed at a right angle, which requires a difficult technique to round-finely process fine-sized pins. However, in the present invention, the small size support
상기 지지핀(111)과 링지지핀(112)의 상부에 안착된 웨이퍼(w)는 흡입공(220)에서 흡착시키게 되면 웨이퍼(w)가 지지핀(111)과 링지지핀(112)과 맞닿는 부분을 제외한 다른 부분이 진공영역(113)으로 휘어지게 되는 것이다.
When the wafer W placed on the
또한, 상기 지지핀(111)과 링지지핀(112)이 촘촘하게 형성됨에 따라 그 사이사이에는 자동적으로 물질이 존재 하지 않는 공간인 진공영역(113)이 형성되는 것이다. 상기 진공영역(113)으로 인해 하기될 스테이지(200)와 결합 시에 흡입공(220)에서 진공흡착 시키게 되면 웨이퍼(w)가 지지핀(111)과 링지지핀(112)에 맞닿는 부분을 제외한 다른 부분이 하부로 휘어지게 되는 것이다.
In addition, since the
도 4에 도시된 바와 같이 상기 본체부(110)를 관통하는 다수개의 진공 홀(114)이 구성되어 스테이지(200)에 구성된 흡입공(220)과 연결 구성되어 상기 본체부(110)의 상부에 구성된 웨이퍼(w)를 진공흡착 시킬 수 있게 되는 것이다. 상기 진공 홀(114)은 본 발명에서는 주로 상기 본체부(110)의 대각선 방향으로 배열되어 구성되도록 도시하였지만, 필요에 따라 진공 척(100)을 중심으로 원형을 형성하도록 배열 구성하여 사용할 수도 있다.4, a plurality of
또한, 상기 진공 척(100)의 상부에 안착된 웨이퍼(w)를 분리시키는 작업을 해야 하는데, 스테이지(200)에 구성되는 분리 핀(210)이 유동할 수 있도록 도 5에 도시된 바와 같이 분리핀(210)과 동일한 크기 또는 조금 큰 크기로 분리핀 이동공(115)이 상기 본체부(110)를 관통하도록 구성된다. 상기 분리핀 이동공(115)으로 인해 상기 스테이지(200)와 결합 시 본체부(110)의 상부에 안착된 웨이퍼(w)를 손쉽게 분리시킬 수 있게 되고, 상기 분리핀 이동공(115)은 본 발명에서 세 개로 구성되는 것을 도시하였지만, 필요에 따라 정교한 작업을 필요로 할 경우에는 다수개로 구성하여도 무관하다.In order to separate the wafer W placed on the upper portion of the
또한, 상기 진공 척(100)의 재질은 실리콘, 알루미나, 사파이어, 석영, 금속, 수지, 세라믹 재질 중 어느 하나의 재질로 구성하여 사용할 수도 있고, 반도체 제조설비에 구성하여 사용하되, 반도체 사진공정, 검사공정, 가공공정 등 모든 공정에서 사용이 가능하다.The
또한, 상기 진공 척(100)의 구역은 적어도 하나 이상으로 나뉘며, 상기 진공 홀(114)도 별도로 구성 할 수 있으며, 상기 링지지핀(112)의 범위 내에 구성되는 지지핀(114)은 원형, 삼각, 사각 형상으로 배열할 수 있어 진공 척(100)을 구성함에 있어 선택적으로 형성 할 수 가 있는 것이다.
In addition, the
상기와 같이 구성된 본 발명의 평탄도 유지와 치핑방지에 용이한 반도체 제조설비용 진공 척에 따른 사용 설명을 하면 다음과 같다.
The use of the vacuum chuck for a semiconductor manufacturing facility which is easy to maintain the flatness and to prevent chipping of the present invention having the above-described structure will be described as follows.
우선 도 6에 도시된 바와 같이 진공 척(100)을 스테이지(200)에 결합 구성한 후에 다수개의 지지핀(111)과 링지지핀(112)의 상부로 웨이퍼(w)를 안착 구성한다. 이러한 후에는 흡입공(220)을 통하여 진공력을 전달하여 진공흡착을 하게 되면 웨이퍼(w)가 상기 지지핀(111)과 링지지핀(112)과 맞닿는 부분을 제외한 부분이 진공영역(113)으로 살짝 휘어지게 되며 도 7에 도시된 바와 같이 웨이퍼(w)의 평탄도를 유지할 수 있게 되는 것이다.6, after the
또한, 그 후에는 다수개의 회로를 선폭 하여 정밀하게 작업을 하게 되고 공정처리가 완료가 되면 흡입공(220)으로 진공력을 해제하게 되면, 진공영역(113)으로 살짝 휘어져 있던 웨이퍼(w)가 다시 펴지게 되고, 그 후에 분리핀 이동공(210)으로 연결 구성되는 분리 핀(115)으로 웨이퍼(w)를 진공 척(100)에서 분리시키게 되는 것이다. 여기서 상기 분리 핀(115)은 별도의 이동수단을 이용하여 상기 웨이퍼(w)를 분리시킬 수 가 있다.When the vacuum process is completed, when the vacuum force is released by the
상기한 바와 같이, 이러한 방법을 통하여 사진공정, 시각공정, 증착공정, 열처리공정, 검사공정, 가공공정을 비롯한 반도체 제조설비에서 이루어지는 모든 공정에서 사용이 가능하여 용이하게 사용할 수 있게 되는 것이다.
As described above, the method can be used in all the processes in the semiconductor manufacturing facility including the photolithography process, the visual process, the deposition process, the heat treatment process, the inspection process, and the processing process through such a method.
본 발명에 따른 평탄도 유지와 치핑방지에 용이한 반도체 제조설비용 진공 척에 의하면, 진공 척(100)의 상측으로 웨이퍼(w)를 지지하는 지지핀(111)과 링지지핀(112)이 동시에 구성되어 상기 지지핀(111)과 링지지핀(112)을 동시에 사용할 수 있게 됨으로써 웨이퍼(w)의 평탄도를 유지할 수 있게 되어 생산성을 극대화 시킬 수 있음은 물론, 상기 지지핀(111)과 링지지핀(112)의 상측 면을 라운드지게 형성하여 상기 웨이퍼(w)와 접촉되는 면을 최소화 하여 데미지를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 진공구역을 분할해서 웨이퍼(w) 안착이 가능하게 하여 휘어짐이 심한 웨이퍼도 안착이 가능한 유용한 발명인 것이다.
The
100 : 진공 척
110 : 본체부 111 : 지지핀 112 : 링지지핀
113 : 진공영역 114 : 진공 홀 115 : 분리핀 이동공
200 : 스테이지 210 : 분리 핀 220 : 흡입공100: vacuum chuck
110: main body 111: support pin 112: ring support pin
113: vacuum region 114: vacuum hole 115: separation pin moving hole
200: stage 210: separating pin 220: suction hole
Claims (3)
상기 지지핀(111)의 사이에는 상기 본체부(110)보다 작은 지름으로 상기 지지핀(111)과 동일한 높이로 링지지핀(112)이 구성되고,
상기 지지핀(111)과 링지지핀(112)은 측단 면이 “
상기 각각의 링지지핀(112)에 진공 홀(114)이 위치하여 구역별로 안착이 가능하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 평탄도 유지와 치핑방지에 용이한 반도체 제조설비용 진공 척
A plurality of support pins 111 for supporting the lower portion of the wafer W on the upper side of the main body 110 and a plurality of supporting pins 111 for supporting the lower portion of the wafer W, A vacuum hole 114 formed to penetrate the main body 110 to transmit a vacuum pressure to the vacuum region 113 and a vacuum hole 114 formed on the upper surface of the support pin 111, And a separation pin moving hole (115) formed in the body (110) so as to move the separation pin (210) separating the wafer (w)
A ring support pin 112 is formed between the support pins 111 at a height equal to that of the support pins 111 with a smaller diameter than the main body 110,
The support pin 111 and the ring support pin 112 have a side end face of "
And a vacuum hole (114) is formed in each of the ring supporting pins (112) so that the vacuum hole (114) can be seated in each zone. The vacuum chuck
상기 진공 척(100)의 구역은 적어도 하나 이상으로 나뉘며, 상기 진공 홀(114)도 별도로 구성 할 수 있는 것을 특징으로 하는 평탄도 유지와 치핑방지에 용이한 반도체 제조설비용 진공 척
The method according to claim 1,
Wherein the vacuum chuck (100) is divided into at least one zone, and the vacuum hole (114) can be separately formed. The vacuum chuck (100)
상기 링지지핀(112)의 범위 내에 구성되는 지지핀(111)은 원형, 삼각, 사각 형상으로 배열할 수 있는 것을 특징으로 하는 평탄도 유지와 치핑방지에 용이한 반도체 제조설비용 진공 척The method according to claim 1,
Wherein the support pins (111) formed within the range of the ring support pins (112) can be arranged in a circular, triangular, and quadrangular shape.
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