KR20140118461A - heating unit and substrate supporter apparatus - Google Patents

heating unit and substrate supporter apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20140118461A
KR20140118461A KR1020130034427A KR20130034427A KR20140118461A KR 20140118461 A KR20140118461 A KR 20140118461A KR 1020130034427 A KR1020130034427 A KR 1020130034427A KR 20130034427 A KR20130034427 A KR 20130034427A KR 20140118461 A KR20140118461 A KR 20140118461A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support plate
substrate
heating element
heating
surface area
Prior art date
Application number
KR1020130034427A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101522673B1 (en
Inventor
고성근
김현정
Original Assignee
(주)티티에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)티티에스 filed Critical (주)티티에스
Priority to KR1020130034427A priority Critical patent/KR101522673B1/en
Publication of KR20140118461A publication Critical patent/KR20140118461A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101522673B1 publication Critical patent/KR101522673B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

The present invention relates to a heating device, which is stored in a support plate supporting an object to be treated, and to a substrate supporting apparatus including the same. The substrate supporting apparatus comprises a support plate for supporting a substrate, a shaft combined to the lower central area of the support plate, a plurality of heating units stored in the support plate, a terminal of the heating unit arranged on the central area of the support plate, and a surface area expansion unit. The heating device comprises a first heating unit arranged in the central and middle areas of the support plate; an outer unit which wraps around the first heating unit and is arranged in an area outside the support plate; a terminal which is arranged in the central area and includes the surface expansion unit; and a second heating unit which includes a linear unit connecting the outer unit to the terminal. The heating device is capable of distributing heat evenly on the entire area of a substrate when the substrate is processed, therefore improving the quality of the substrate by solving the problems of the property change and quality degradation of a film, which are caused by unevenly distributed heat. The heating device increases process efficiency and the yield of substrates since the heating device is capable of obtaining improved heat value at the same wattage.

Description

가열기 및 이를 포함하는 기판 지지 장치 {heating unit and substrate supporter apparatus}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a heater,

본 발명은 가열기 및 이를 포함하는 기판 지지 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 전체 영역에 걸쳐서 균일하게 가열 온도를 분포시킬 수 있는 가열기 및 이를 포함하는 기판 지지 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a heater and a substrate supporting apparatus including the same, and more particularly, to a heater and a substrate supporting apparatus including the heater capable of uniformly distributing a heating temperature over the entire area of the substrate.

일반적으로 반도체 소자, 유기 소자 그리고 솔라셀 소자는 복수의 박막을 증착하고, 식각하여 원하는 특성의 소자를 제작한다. 이러한 박막을 증착하거나 식각하는 공정을 수행하는 기판 처리 장치의 경우, 고온(약 300℃ 이상)에서 공정이 진행된다. 진공 분위기에서 처리된다. 진공 분위기의 기판 처리 장치에서 기판을 처리하기 위하여, 공정 챔버 내측에는 기판이 유입되고, 기판을 지지하며 고온으로 가열하는 기판 지지 장치가 위치한다.In general, a semiconductor device, an organic device, and a solar cell device deposit a plurality of thin films and etch them to fabricate devices of desired characteristics. In the case of a substrate processing apparatus that performs the process of depositing or etching such a thin film, the process proceeds at a high temperature (about 300 DEG C or higher). Treated in a vacuum atmosphere. In order to process a substrate in a vacuum processing apparatus, a substrate is introduced into the processing chamber, and a substrate supporting apparatus for supporting the substrate and heating it to a high temperature is located.

이와 같은 기판 지지 장치에는 기판이 안착되는 지지플레이트가 구비되고, 지지플레이트의 몸체 내부에는 지지플레이트를 가열하는 가열기가 구비된다. 이때, 가열기는 패턴의 형상에 따라 적어도 하나 이상의 발열체가 회로를 형성하며 지지플레이트 내부에 배치되고, 지지플레이트의 몸체를 가열함으로써 지지플레이트 상부에 안착되는 기판을 가열할 수 있다. Such a substrate supporting apparatus is provided with a supporting plate on which a substrate is mounted, and a heater for heating the supporting plate is provided inside the body of the supporting plate. At this time, depending on the shape of the pattern, at least one heating element forms a circuit and is disposed inside the support plate, and the heater heats the substrate mounted on the support plate by heating the body of the support plate.

가열기를 구성하는 발열체는 단자가 연결되기 위해 기판의 외곽에 배치되는 발열체를 중앙영역으로 연장하여 들어오도록 한다. 그러나, 중앙영역으로 들어오는 발열체가 코일링 되는 경우에는 다른 발열체와의 중첩이 발생할 수 있어, 열 간섭에 의한 문제점을 야기하게 된다. 이에, 외곽에서 단자연결을 위해 내부로 들어오는 소정 영역은 와이어(Wire)의 열선을 사용하여 발열체를 형성한다. The heating element constituting the heating device has a heating element disposed on the outer periphery of the substrate so as to extend into the central area for connection of the terminals. However, when the heating element coming into the central region is coiled, the heating element may overlap with another heating element, causing a problem due to thermal interference. Accordingly, a predetermined area of the outer circumferential surface for connecting the terminals forms a heating element by using a hot wire of a wire.

상기와 같이 발열체가 형성되는 경우 발열체의 중앙부를 기준으로 좌측은 코일링 형태의 열선이 구비되고 우측은 직선 형태의 열선이 구비되기 때문에 좌우 발열에 편차가 발생한다. 즉, 상대적으로 우측의 발열량이 좌측의 발열량보다 낮아져 기판에 균일한 온도 분배가 이루어 지지 않는 문제점이 발생한다. When a heating element is formed as described above, a left-side heating line is provided on the left side of the center of the heating element, and a right-side linear heating line is provided on the left side of the heating element. That is, the amount of heat generated on the right side is lower than the amount of heat generated on the left side, so that a uniform temperature distribution is not achieved on the substrate.

이처럼, 온도의 균일도가 유지되지 못하는 문제는 최종적으로 기판에 증착되는 박막의 특성을 변화시키거나 막질이 나빠지는 결과를 초래한다. 이에 발열체의 온도분포도를 균일하게 할 수 있는 기술이 요구되는 실정이다. As described above, the problem that the uniformity of temperature can not be maintained results in a change in characteristics of the thin film deposited on the substrate or deterioration of the film quality. Therefore, there is a need for a technique capable of uniformizing the temperature distribution of the heating element.

KRKR 2002-00811422002-0081142 A1A1

본 발명은 기판 처리 시 기판을 전체적으로 균일하게 가열하여, 기판의 전체 영역에 균일하게 열을 분포시킬 수 있는 가열기 및 이를 포함하는 기판 지지 장치를 제공한다. The present invention provides a heater and a substrate supporting apparatus including the same that can uniformly heat the substrate uniformly throughout the entire area of the substrate by uniformly heating the substrate during substrate processing.

본 발명은 생산되는 기판의 품질을 향상시킬 수 있는 가열기 및 이를 포함하는 기판 지지 장치를 제공한다.The present invention provides a heater capable of improving the quality of a substrate to be produced and a substrate holding apparatus including the same.

본 발명의 공정 설비의 생산성 및 효율성을 증가시킬 수 있는 가열기 및 이를 포함하는 기판 지지 장치를 제공한다. Provided are a heater and a substrate supporting apparatus including the heater capable of increasing the productivity and efficiency of the process equipment of the present invention.

본 발명의 실시 예에 따른 가열기는 피처리물을 지지하는 지지플레이트 내부에 수납되는 가열기로서, 상기 지지플레이트의 중앙영역 및 중간영역에 배치되는 제1 발열체 및 상기 제1 발열체를 둘러싸며 상기 지지플레이트의 외곽영역에 배치되는 외곽부와, 상기 중앙영역에 배치되고 표면적 확장부를 포함하는 단자부 및 상기 외곽부와 상기 단자부를 연결하는 선형부를 포함하는 제2 발열체를 포함한다.A heater according to an embodiment of the present invention is a heater housed in a support plate for supporting an object to be processed. The heater includes a first heating element disposed in a central region and an intermediate region of the support plate, and a second heating element surrounding the first heating element, And a second heating element including a terminal portion disposed in the central region and including a surface area enlarging portion and a linear portion connecting the outer portion and the terminal portion.

상기 제1 발열체 및 상기 제2 발열체는 상기 기판의 가열면과 유사한 평면에서 상호 비접촉하며 배치되고, 상기 중앙영역으로부터 상기 외곽영역 쪽으로 굴곡부를 갖고 패턴을 형성할 수 있다. The first heating element and the second heating element are arranged in a plane similar to the heating surface of the substrate in a noncontact manner and can form a pattern with a bent portion from the central area toward the outer area.

상기 단자부는 전체가 표면적 확장부로 형성되거나, 일부만 표면적 확장부로 형성될 수 있다. The terminal portion may be entirely formed as a surface-surface extending portion, or only a portion may be formed as a surface-surface extending portion.

상기 표면적 확장부는 코일링되거나, 조밀한 굴곡이 구비되어 패턴을 형성할 수 있다. The surface area expanding portion may be coiled or provided with a dense bend to form a pattern.

상기 제1 발열체 및 상기 제2 발열체 각각의 양 끝단은 상호 동일한 거리로 이격되어 배치될 수 있다.
Both ends of the first heating element and the second heating element may be spaced apart from each other by the same distance.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 장치는, 기판이 지지되는 지지플레이트, 상기 지지플레이트 하부 중앙영역에 결합되는 샤프트, 상기 지지플레이트 내부에 수납되는 복수의 발열체를 포함하고, 상기 복수의 발열체의 각 단자부는 상기 지지플레이트의 중앙영역에 배치되며, 표면적 확장부를 포함한다.The substrate supporting apparatus according to an embodiment of the present invention includes a support plate on which a substrate is supported, a shaft coupled to a central region below the support plate, and a plurality of heating elements accommodated in the support plate, The terminal portion is disposed in a central region of the support plate and includes a surface area enlargement portion.

상기 단자부는 전체가 표면적 확장부로 형성되거나, 일부만 표면적 확장부로 형성될 수 있다. The terminal portion may be entirely formed as a surface-surface extending portion, or only a portion may be formed as a surface-surface extending portion.

본 발명의 실시 형태에 따른 가열기 및 이를 포함하는 기판 지지 장치에 의하면, 처리되는 기판의 전체 영역에 걸쳐 균일하게 가열할 수 있는 발열체를 사용함으로써, 기판 처리 시 기판 전체 영역에 균일하게 열이 분포하도록 할 수 있다. 즉, 발열체 중앙부의 좌측 및 우측 영역의 발열량의 오차를 감소시키기 위해 표면적 확장부를 포함함으로써, 발열량의 오차를 최소화할 수 있다.According to the heater and the substrate holding apparatus including the heater according to the embodiment of the present invention, by using the heating element which can uniformly heat the entire region of the substrate to be processed, heat can be uniformly distributed can do. That is, by including the surface area expanding portion in order to reduce the error in the amount of heat generated in the left and right regions of the center portion of the heating element, the error of the heating amount can be minimized.

그리고, 표면적 확장부는 코일링되거나 조밀한 굴곡패턴을 형성함으로써, 종래의 와이어 형태의 열선에 비해 열이 방출되는 표면적을 증가시킬 수 있기 때문에 증가된 표면적을 통해 증가된 발열량을 얻을 수 있다. And, since the surface area enlargement part forms a coiled or dense bending pattern, an increased amount of heat can be obtained through an increased surface area since it can increase the surface area where heat is emitted compared to a conventional wire type heat line.

이에, 온도의 불균일 분포로 인해 초래되는 박막의 특성 변화나 박막의 품질 저하의 문제점을 해결할 수 있어 기판의 품질을 증가시킬 수 있다. 이는 기판의 수율을 증가시킬 수 있고, 동일한 전력량을 기준으로 향상된 발열량을 얻을 수 있어 공정의 효율성 및 기판의 수율을 증가시킬 수 있다. Thus, it is possible to solve the problem of the change in the characteristics of the thin film caused by the uneven distribution of the temperature and the deterioration of the quality of the thin film, and the quality of the substrate can be increased. This can increase the yield of the substrate and improve the efficiency of the process and the yield of the substrate because an improved calorific value can be obtained based on the same amount of power.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 장치를 포함하는 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 가열기를 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 제2 발열체를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 따른 단자부의 표면적 확장부를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 변형 형태에 따른 단자부의 표면적 확장부를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 제1 발열체 및 제2 발열체 양 끝단의 배치관계를 나타내는 도면이다. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus including a substrate holding apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view showing a heater according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a second heating element according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing the surface area expanding portion of the terminal portion according to the embodiment of the present invention.
5 is a view showing a surface area expanding portion of a terminal portion according to a modification of the present invention.
6 is a view showing the arrangement relationship between both ends of the first heating element and the second heating element according to the embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 장치를 포함하는 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 가열기를 나타내는 평면도이다. 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 제2 발열체를 나타내는 도면이다. 도 4는 본 발명의 실시 형태에 따른 단자부의 표면적 확장부를 나타내는 도면이다. 도 5는 본 발명의 변형 형태에 따른 단자부의 표면적 확장부를 나타내는 도면이다. 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 제1 발열체 및 제2 발열체 양 끝단의 배치관계를 나타내는 도면이다.
1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus including a substrate holding apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a plan view showing a heater according to an embodiment of the present invention. 3 is a view showing a second heating element according to an embodiment of the present invention. 4 is a view showing the surface area expanding portion of the terminal portion according to the embodiment of the present invention. 5 is a view showing a surface area expanding portion of a terminal portion according to a modification of the present invention. 6 is a view showing the arrangement relationship between both ends of the first heating element and the second heating element according to the embodiment of the present invention.

이하에서는 기판 처리 장치의 설명을 통해 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 장치 및 가열기를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 장치는 이하에서 설명하는 기판 처리 장치에만 한정되어 사용되지 않고 기판을 지지하며 가열공정을 진행하는 다양한 공정에 적용되어 사용될 수 있다. Hereinafter, a substrate holding apparatus and a heater according to embodiments of the present invention will be described with reference to a substrate processing apparatus. However, the substrate holding apparatus according to the embodiment of the present invention can be applied to various processes for supporting a substrate and performing a heating process without being limited to the substrate processing apparatus described below.

기판 처리 장치(1)는 기판이 처리되는 공간을 형성하는 챔버(100), 챔버(100) 내부에 위치하여 기판(S)을 가열하는 가열기(300)를 수납하는 기판 지지 장치(200) 및 챔버(100) 내부에 배치되고 기판 지지 장치(200)와 대응 배치되어 기판(S) 상에 기판 처리 공정가스 원료를 공급하는 공정가스 공급부(400)를 포함한다.The substrate processing apparatus 1 includes a chamber 100 forming a space in which a substrate is processed, a substrate supporting apparatus 200 accommodating a heater 300 positioned inside the chamber 100 to heat the substrate S, And a process gas supply unit 400 disposed inside the substrate processing apparatus 100 and corresponding to the substrate supporting apparatus 200 to supply a substrate processing gas raw material on the substrate S.

한편, 챔버(100) 외부에 배치되어 지지플레이트(210)에 전원을 공급하는 전원 공급부(500)를 포함한다. 또한, 도면에는 도시되지 않지만 챔버(100) 외부로 돌출된 샤프트(220)의 하부에 연결되어 샤프트(220)를 승하강시키거나 회전 동력을 제공하는 구동기(미도시), 챔버(100) 내부의 압력을 일정하게 유지시키는 압력 유지부(미도시), 챔버(100) 내부의 부산물 및 미반응 물질들을 배기하는 배기부(미도시)를 포함할 수 있다. And a power supply unit 500 disposed outside the chamber 100 to supply power to the support plate 210. (Not shown) connected to a lower portion of the shaft 220 protruding out of the chamber 100 to elevate and lower the shaft 220 or provide rotational power, (Not shown) that keeps the pressure constant, an exhaust unit (not shown) that exhausts the by-products and unreacted materials in the chamber 100.

챔버(100)는 기판(S)이 내부에 배치되어 공정이 수행될 수 있는 공간을 형성하고 이에 내부공간을 갖는 중공형의 통 형상으로 제작된다. 그리고 챔버(100)의 측면 중 적어도 어느 한 지점에는 기판(S)이 챔버(100) 내부로 출입 가능하도록 출입구(미도시)가 형성되고, 출입구를 개폐하기 위한 별도의 개폐수단, 예를 들어, 게이트 밸브, 슬랏 밸브가 마련될 수 있다. 또한, 챔버(100)는 도면에는 도시되지 않았으나, 챔버 몸체와 리드로 분리되어 제작될 수 있다. 이에, 챔버(100)와 챔버(100) 내부에 구비된 장치들의 유지보수시, 리드를 개방하여 유지보수를 수행할 수 있다. 그러나, 챔버(100)의 형상과 제작 방법은 이에 한정되지 않고 다양한 형상 및 제작방법에 의해 변경될 수 있다.The chamber 100 is formed in a hollow cylindrical shape having a space in which a substrate S is disposed and a process can be performed. An opening (not shown) is formed in at least one of the side surfaces of the chamber 100 so that the substrate S can be moved into and out of the chamber 100, and a separate opening and closing means for opening and closing the door, for example, A gate valve, and a slat valve may be provided. In addition, the chamber 100 is not shown in the drawing, but may be manufactured by separating the chamber body and the lid. Therefore, during the maintenance of the apparatuses provided in the chamber 100 and the chamber 100, maintenance can be performed by opening the leads. However, the shape and manufacturing method of the chamber 100 are not limited to this, and can be changed by various shapes and manufacturing methods.

공정가스 공급부(400)는 공정챔버(100) 내측에 설치되어 공정가스를 기판(S) 상에 공급하는 장치로서, 기판 처리 원료를 기판처리 공간에 분사하는 원료 분사부(410), 원료 분사부(410)에 기판 처리 원료를 공급하는 원료 저장부(430)를 포함한다. 원료 저장부(430)와 원료 분사부(410)는 별도의 공급 파이프에 의해 연결된다. 이때, 공급 파이프에는 공급되는 공정가스 원료의 양을 제어하기 위한 제어기가 구비될 수도 있다. 예컨대, 제어기로는 MFC가 마련될 수도 있다. The process gas supply unit 400 is installed inside the process chamber 100 to supply the process gas onto the substrate S and includes a raw material spray unit 410 for spraying the substrate treatment raw material into the substrate process space, And a raw material storage part 430 for supplying the substrate processing raw material to the substrate processing part 410. The raw material storage part 430 and the raw material spray part 410 are connected to each other by a separate supply pipe. At this time, the supply pipe may be provided with a controller for controlling the amount of the process gas raw material supplied thereto. For example, an MFC may be provided as a controller.

한편, 원료 분사부(410)는 샤워헤드(showerhead) 형태로 제작되는 것이 효과적이다. 그러나 이에 한정되지 않고 다양한 형상으로 제작될 수 있다. 또한, 기판 처리 원료는 챔버(100) 내측에서 수행되는 기판 처리 공정에 따라 다양한 물질이 사용될 수 있다. 즉 원료의 형태는 가스, 액체 또는 전구체를 사용할 수도 있다. 그리고 기판 처리 공정에 따라 원료 공급부로서 금속 타겟을 사용할 수도 있다.
Meanwhile, it is effective that the raw material spraying part 410 is formed in the form of a showerhead. However, the present invention is not limited thereto and various shapes can be produced. In addition, various materials may be used as the substrate processing raw material depending on the substrate processing process performed inside the chamber 100. That is, the raw material may be a gas, a liquid, or a precursor. A metal target may be used as a raw material supply portion according to the substrate processing process.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 장치(200)는, 상부에 기판(S)이 지지되는 지지플레이트(210)와, 지지플레이트(210) 하부 중앙영역에 결합되는 샤프트(230) 지지플레이트(210) 내부에 수납되는 복수의 발열체(310, 330)를 포함한다.
1, a substrate supporting apparatus 200 according to an embodiment of the present invention includes a support plate 210 on which a substrate S is supported, a shaft (not shown) coupled to a central region below the support plate 210, And a plurality of heating elements 310 and 330 housed in the support plate 210.

지지플레이트(210)는 기판(S)이 안착되는 평면을 갖고 형성되며, 내부에 지지플레이트(210)를 가열하거나 챔버(100) 내에 플라즈마를 형성하기 위한 전위를 제공하는 매설체(211,300)가 매설되어 있다. 이때 매설체는, 지지플레이트(210) 내에 삽입 장착되어 지지플레이트를 가열하는 가열기(300)와, 지지플레이트(210)에 전위를 제공하는 RF전극판(211)으로 이루어진다. The support plate 210 is formed with a plane in which the substrate S is seated and the buried bodies 211 and 300 that provide electric potential for heating the support plate 210 or forming plasma in the chamber 100 are buried . At this time, the buried body includes a heater 300 that is inserted into the support plate 210 to heat the support plate, and an RF electrode plate 211 that provides a potential to the support plate 210.

샤프트(220)는 챔버(100) 내에서 지지플레이트(210)를 상하방향으로 왕복 이동시키는 지지축의 역할을 하고, 지지플레이트(210)의 하부 중앙영역에 결합되어 지지플레이트(210)를 상하로 이동시킨다. 이때, 샤프트(220)는 바닥면이 밀폐된 내부 공간을 갖는 원통축 구조를 가질 수 있다. 그러나 샤프트의 구조는 이에 한정되지 않고, 사각통, 육각통 등과 같은 다각형 통의 내부 공간이 비어있는 중공형의 구조를 가질 경우 그 형상에는 제한이 없음은 자명하다. The shaft 220 serves as a support shaft for vertically reciprocating the support plate 210 in the chamber 100 and is coupled to the lower central region of the support plate 210 to move the support plate 210 up and down . At this time, the shaft 220 may have a cylindrical shaft structure having a closed inner space on the bottom surface. However, the structure of the shaft is not limited to this, and it is obvious that the shape of the shaft is not limited if it has a hollow structure in which the inner space of the polygonal tube such as a rectangular tube or a hexagonal tube is hollow.

한편, 샤프트(220)는 바닥면이 밀폐된 원통형의 구조로 형성되어, 내부에 공간이 형성된다. 이에, 지지플레이트(210)에 매설된 매설체(211,300)에 전원을 공급하는 전원파이프(222,305)가 샤프트(220)의 내부 공간을 관통하여 형성된다. 이때 전원파이프(222,305)는 각각 가열기(300)에 전원을 제공하는 가열기전원파이프(305)와, RF전극판(211)에 RF전위 또는 접지전위를 제공하는 RF전원파이프(222)를 포함한다. 이에, 전원공급부(500)로부터 각각의 전원파이프(222,320)가 가열기(300)와 RF전극판(211)에 연결되어 전원을 제공한다.
Meanwhile, the shaft 220 is formed in a cylindrical structure having a closed bottom surface, and a space is formed therein. Power pipes 222 and 305 for supplying power to the buried bodies 211 and 300 embedded in the support plate 210 are formed through the inner space of the shaft 220. The power supply pipes 222 and 305 each include a heater power supply pipe 305 for supplying power to the heater 300 and an RF power supply pipe 222 for providing RF potential or ground potential to the RF electrode plate 211. Each of the power supply pipes 222 and 320 is connected to the heater 300 and the RF electrode plate 211 from the power supply unit 500 to provide power.

도 2를 참조하면, 가열기(300)는 피처리물을 지지하는 지지플레이트(210) 내부에 수납되는 제1 발열체(310) 및 제1 발열체(310)를 둘러싸며 배치되는 제2 발열체(330)를 포함한다. 가열기(300)는 일반적으로 열선(heater) 등으로 구현되며, 가열기(300)를 이용하여 지지플레이트(210)를 가열함으로써 결과적으로 지지플레이트(210) 상부에 안착된 기판(S)을 일정 온도로 가열할 수 있다. 이때, 제1 발열체(310)와 제2 발열체(330)는 기판(S)의 가열면과 유사한 평면에서 상호 비접촉하며 배치되고, 중앙영역으로부터 외곽영역 쪽으로 굴곡부를 갖고 패턴을 형성한다.
2, the heater 300 includes a first heating element 310 housed in a support plate 210 for supporting an object to be processed, a second heating element 330 disposed to surround the first heating element 310, . The heater 300 is generally implemented by a heater or the like and heats the support plate 210 using the heater 300 so that the substrate S placed on the support plate 210 is heated to a predetermined temperature It can be heated. The first heating element 310 and the second heating element 330 are arranged in a plane similar to the heating surface of the substrate S in a noncontact manner and have a bent portion from the central region toward the outer region to form a pattern.

제1 발열체(310)는 지지플레이트(210)의 내부에 수납되고, 지지플레이트(210)의 중앙영역 및 중간영역에 배치된다. 이에, 제1 발열체(310)는 지지플레이트(210)의 중앙영역 및 중간영역을 가열할 수 있다. 제1 발열체(310)는 기판(S)의 가열면과 유사한 평면의 중앙부에서부터 패턴의 형성이 시작된다. 이때, 중앙부는 상기 원형의 평면의 중심을 기준으로 소정거리 이격된 지점인 C에서 패턴이 시작되고 상기 회로패턴은 굴곡부를 갖고 평면에서의 외곽쪽으로 일정한 패턴을 형성하여 D지점에서 제1 발열체(310)의 패턴이 완료된다. The first heat generating element 310 is accommodated in the support plate 210 and disposed in a central region and an intermediate region of the support plate 210. Thus, the first heating element 310 can heat the central region and the middle region of the support plate 210. The formation of the pattern starts from the center of the first heating element 310 in the plane similar to the heating surface of the substrate S. [ At this time, a pattern starts at a center C, which is a predetermined distance from the center of the circular plane, and the circuit pattern has a bent portion and forms a certain pattern toward the outline in the plane, and the first heating element 310 ) Is completed.

제2 발열체(330)는 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 발열체(310)를 둘러싸며 지지플레이트(210) 외곽영역에 배치되는 외곽부(332)와, 중앙영역에 배치되고 표면적 확장부(335)를 포함하는 단자부(334) 및 외곽부(332)와 단자부(334)를 연결하는 선형부(336)를 포함한다. 이때, 제2 발열체(330)는 중앙영역에 배치된 E지점으로부터 패턴이 시작되어 제1 발열체(310)와 유사한 구성으로 굴곡부를 갖고 회로 패턴을 형성한 뒤 F지점에서 패턴이 완료된다.3, the second heating element 330 includes an outer frame 332 surrounding the first heating element 310 and disposed in an outer area of the support plate 210, And a linear portion 336 connecting the terminal portion 334 with the outer frame portion 332. The terminal portion 334 includes a terminal portion 332 and a terminal portion 334. At this time, the second heating element 330 starts a pattern from the E point disposed in the central region, forms a circuit pattern having a bent portion similar to the first heating element 310, and completes the pattern at the F point.

외곽부(332)는 지지플레이트(210)의 외곽영역에 배치되어 지지플레이트(210)의 외곽을 가열하기 위해 구비되며, 제1 발열체(310)의 외측을 둘러싸며 배치된다.The outer frame portion 332 is disposed in an outer region of the support plate 210 and is provided to heat the outer surface of the support plate 210 and is disposed surrounding the first heat generating element 310.

단자부(334)는 제2 발열체(330)가 단자 연결을 위해 지지플레이트(210)의 중앙영역에 배치되고, 열이 방출되는 표면적을 증가시키기 위한 표면적 확장부(335)를 포함한다. 단자부(334)는 샤프트(220)의 내부공간을 통해 연결되는 가열기전원파이프(305)와 연결되기 위해 지지플레이트(210)의 중앙영역으로 배치된다. 그러나, 가열기 전원파이프(305)가 지지플레이트(210)의 중앙부에 구비되지 않는 경우, 단자부(334)가 형성되는 위치는 변경 가능하다. The terminal portion 334 includes a surface area enlargement portion 335 for increasing the surface area where heat is emitted, and the second heating element 330 is disposed in the central region of the support plate 210 for terminal connection. The terminal portion 334 is disposed in the central region of the support plate 210 to be connected to the heater power supply pipe 305 connected through the inner space of the shaft 220. However, in the case where the heater power pipe 305 is not provided at the center of the support plate 210, the position at which the terminal portion 334 is formed can be changed.

표면적 확장부(335)는 단자부(334)에 구비되어 열을 방출하는 표면적을 늘리기 위해 구비되는 것으로서, 도 4에 도시된 바와 같이 열선이 코일링 되며 표면적 확장부(335a)를 형성할 수 있다. 이때, 표면적 확장부(335)는 단자부(334) 전체가 표면적 확장부(335)로 형성될 수도 있고, 단자부(334)의 일부만 표면적 확장부(335)로 형성될 수도 있다. 이에, 공정에서 제어하고자 하는 발열량에 따라 표면적 확장부(335)가 형성되는 영역을 선정하여 형성할 수 있다. The surface area enlarging portion 335 is provided in the terminal portion 334 to increase the surface area for emitting heat. As shown in FIG. 4, the heating line may be coiled to form the surface area enlarging portion 335a. At this time, the surface area enlarging part 335 may be formed by the surface area enlarging part 335 as a whole of the terminal part 334, or only the surface area increasing part 335 as part of the terminal part 334. Accordingly, the region in which the surface area expanding portion 335 is formed can be selected according to the amount of heat to be controlled in the process.

한편 표면적 확장부(335)는 도 5에 도시된 것처럼 형성될 수도 있다. 도 5의 (a)를 참조하면, 표면적 확장부(335b)는 열선을 조밀한 굴곡을 갖도록 형성할 수 있다. 이처럼 표면적 확장부(335b)가 형성됨으로써 선형 형태의 열선에 비해 열이 방출되는 표면적을 증가시킬 수 있다. 또한, 표면적 확장부(335)는 도 5의 (b)에 도시된 것처럼, 일부만 표면적 확장부(335c)가 형성될 수도 있다. 이와 같이 형성되는 표면적 확장부(335c)는 전술한 바와 같이, 단자부(334)의 일부만 표면적 확장부로 형성되는 형태이다. On the other hand, the surface area expanding portion 335 may be formed as shown in Fig. Referring to FIG. 5A, the surface area expanding portion 335b can be formed to have a dense curvature of the heat line. By forming the surface area expanding portion 335b as described above, it is possible to increase the surface area where heat is emitted compared to a linear heat line. Also, the surface area expanding portion 335 may be formed with only the surface area expanding portion 335c as shown in FIG. 5 (b). The surface area expanding portion 335c formed in this manner is a shape in which only a part of the terminal portion 334 is formed as the surface area expanding portion, as described above.

선형부(336)는 제2 발열체(330)의 외곽부(332)와 단자부(334)를 연결하기 위해 구비되는 것으로서, 선형 형태의 열선으로 형성된다. 선형부(336)는 제2 발열체(330)가 지지플레이트(210)의 중앙영역으로 들어와서 단자가 연결되도록 하기 위해 외곽부(332)로부터 단자부(334)까지 연장형성된다. 이때, 선형부(336)는 열을 방출시키는 표면적의 확장을 위한 부가적인 기능은 갖고 있지 않고, 외곽부(332)와 단자부(334)를 연결하기 위한 기능을 하는 것에 만족한다. 만약, 선형부(336)가 단자부(334)와 같이 표면적 확장부(335)를 갖는 경우, 선형부(336)의 외측을 둘러싸는 제1 발열체(310)의 회로와의 중첩이 발생할 수 있기 때문에 선형부(336)는 선형 형태의 열선으로만 형성되는 것이 바람직하다.
The linear portion 336 is provided to connect the outer frame portion 332 of the second heating element 330 to the terminal portion 334 and is formed as a linear heating wire. The linear portion 336 is formed to extend from the outer frame portion 332 to the terminal portion 334 so that the second heating element 330 enters the central region of the support plate 210 to connect the terminals. At this time, the linear portion 336 does not have an additional function for expanding the surface area for emitting heat, and satisfies the function of connecting the outer frame portion 332 and the terminal portion 334. If the linear portion 336 has the surface area enlarging portion 335 like the terminal portion 334, since overlapping with the circuit of the first heating element 310 surrounding the outside of the linear portion 336 may occur It is preferable that the linear portion 336 is formed as a linear heat line only.

한편, 전술한 중앙영역은 도 2에 도시된 것처럼 G라인의 내측의 소정영역을 나타내며, 더욱 자세하게는 지지플레이트(210)의 중앙을 가열하고, 중앙을 기준으로 제1 발열체(310) 및 제2 발열체(330)의 단자를 연결하기 위해 양 끝단이 배치되는 영역을 중앙영역이라고 한다. 또한, 외곽영역은 H 라인의 외측의 소정영역을 나타내며, 더욱 자세하게는 지지플레이트(210)의 외곽을 가열하고 제2 발열체(330)만이 존재하는 영역이다. 그리고, 상기 중앙영역과 외곽영역의 사이는 지지플레이트(210)의 중간을 가열하고 제1 발열체(310) 및 제2 발열체(330)가 존재하는 영역이다. 이때, 제2 발열체(330)의 표면적 확장부(335)가 단자부(334) 전체로 형성되는 경우, 중앙영역에 있는 발열체(310, 330)들은 전부 표면적 확장부(335)와 유사한 표면적을 증가시키기 위한 형태로 형성된다. 그러나, 중간영역의 경우 제2 발열체(330)의 외곽부(332)에서 단자부(334)로 연결되는 선형부(336)가 존재하기 때문에 중간영역은 표면적 확장부(335)와 유사한 표면적을 증가시키기 위한 형태의 열선과 와이어(wire) 형태의 열선이 존재한다. 2, specifically, the center of the support plate 210 is heated, and the center of the first heating element 310 and the second heating element 310 A region where both ends are arranged to connect the terminals of the heating element 330 is called a central region. The outer area represents a predetermined area outside the H line, more specifically, the area where the outer surface of the support plate 210 is heated and only the second heating element 330 exists. Between the central region and the outer region, the middle portion of the support plate 210 is heated, and the first heating element 310 and the second heating element 330 are present. In this case, when the surface area enlarging portion 335 of the second heating element 330 is formed entirely of the terminal portion 334, the heating elements 310 and 330 in the central region all increase the surface area similar to the surface area increasing portion 335 . However, in the case of the intermediate region, since the linear portion 336 connecting from the outer portion 332 of the second heating element 330 to the terminal portion 334 exists, the intermediate region increases the surface area similar to the surface area increasing portion 335 There is a hot wire in the form of a wire for the shape of a wire.

그리고 전술한 제1 발열체(310) 및 제2 발열체(330) 각각의 양 끝단은, 도 6에 도시된 것처럼 양 끝단의 이격거리가 상호 동일한 거리로 형성될 수도 있다. 즉, 제1 발열체의 양 끝단 사이의 이격거리(W1)와 제2 발열체의 양 끝단 사이의 이격거리(W2)를 동일한 거리로 이격시키고 제1 발열체의 양 끝단과 제2 발열체의 양 끝단의 이격거리인 (W3, W4)를 상기 이격거리 (W1, W2)와 동일한 거리로 이격시키면 중앙영역의 발열량이 더욱 정밀하게 제어될 수 있다. 그러나, 제1 발열체(310) 및 제2 발열체(330) 양 끝단의 이격거리는 이에 한정되지 않고, 다양하게 변경가능하다. Both ends of each of the first heating element 310 and the second heating element 330 may be formed at the same distance from each other as shown in FIG. That is, the distance (W 1 ) between the both ends of the first heat generating element and the distance (W 2 ) between the both ends of the second heat generating element are spaced by the same distance and the both ends of the first heat generating element and the both ends (W 3 , W 4 ), which are spaced apart from each other , W 2 , the calorific value of the central region can be controlled more precisely. However, the distance between the both ends of the first heating element 310 and the second heating element 330 is not limited thereto, and can be variously changed.

이와 같이, 본 실시 예에서는 가열기(300)에 2개의 발열체(310, 330)를 구비하는 것으로 나타나 있으나, 발열체(310,330)의 개수는 이에 한정하지 않고 2개 이상의 복수의 발열체가 구비될 수 있다. 이와 같이 복수의 발열체가 형성되는 경우, 발열체의 각 단자부는 단자 연결을 위해 지지플레이트(210)의 중앙영역에 배치되며, 상기에 전술한 바와 같이 표면적 확장부를 포함할 수 있다.
In this embodiment, the heater 300 is shown to have two heating elements 310 and 330, but the number of the heating elements 310 and 330 is not limited to this, and two or more heating elements may be provided. When a plurality of heating elements are formed as described above, the respective terminal portions of the heating element are disposed in the central region of the support plate 210 for terminal connection, and may include the surface area enlargement portion as described above.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 가열기 및 이를 포함하는 기판 지지 장치는 기판의 전 영역에 걸쳐 균일하게 발열할 수 있는 발열체를 구성함으로써 기판의 온도 분포를 균일하게 형성할 수 있다. 즉, 제2 발열체에 표면적 확장부를 형성하여 열이 방출되는 표면적을 확장시킴으로써 제1 발열체와 유사 혹은 동일하게 발열시킬 수 있어 제1 발열체와 제2 발열체 사이의 온도 오차를 감소시킬 수 있다. As described above, the heater and the substrate holding apparatus including the heater according to the embodiments of the present invention can uniformly form the temperature distribution of the substrate by constituting the heating element which can uniformly generate heat over the entire area of the substrate. That is, the surface area expansion part is formed in the second heating element to enlarge the surface area where the heat is emitted, so that the heating can be similar or identical to that of the first heating element, so that the temperature error between the first heating element and the second heating element can be reduced.

이처럼, 제1 발열체와 제2 발열체의 발열량을 동일 혹은 유사하게 제어함으로써 최종적으로 처리되는 기판의 품질을 증가되어 기판의 수율을 증가시킬 수 있다. As described above, by controlling the heating amounts of the first heating element and the second heating element to be the same or similar, the quality of the substrate finally processed can be increased and the yield of the substrate can be increased.

또한, 표면적 확장부는 선형의 열선과 비교하여 동일한 전력 내에서 열이 방출되는 발열량을 증가시킬 수 있기 때문에 열이 방출되는 표면적을 증가시킬 수 있기 때문에 종래와 동일한 전력량을 기준으로 증가된 발열량을 얻을 수 있어 기판 처리 장치의 효율성 및 생산성을 증가시킬 수 있다.
In addition, since the surface area expansion part can increase the amount of heat emitted in the same power as compared with the linear heat line, it is possible to increase the surface area where heat is emitted, so that an increased amount of heat can be obtained So that the efficiency and productivity of the substrate processing apparatus can be increased.

본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술 되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술 되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.Although the present invention has been described with reference to the accompanying drawings and the preferred embodiments described above, the present invention is not limited thereto but is limited by the following claims. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that various modifications and changes may be made thereto without departing from the spirit of the following claims.

S : 기판
1 : 기판 처리 장치 100 : 챔버
200 : 기판 지지 장치 210 : 지지플레이트
300 : 가열기 310 : 제1 발열체
330 : 제2 발열체 332 : 외곽부
334 : 단자부 335 : 표면적 확장부
336 : 선형부S: substrate
1: substrate processing apparatus 100: chamber
200: substrate supporting device 210: support plate
300: heater 310: first heating element
330: second heating element 332:
334: terminal portion 335: surface area expanding portion
336:

Claims (7)

피처리물을 지지하는 지지플레이트 내부에 수납되는 가열기로서,
상기 지지플레이트의 중앙영역 및 중간영역에 배치되는 제1 발열체; 및
상기 제1 발열체를 둘러싸며 상기 지지플레이트의 외곽영역에 배치되는 외곽부와, 상기 중앙영역에 배치되고 표면적 확장부를 포함하는 단자부 및 상기 외곽부와 상기 단자부를 연결하는 선형부를 포함하는 제2 발열체;를 포함하는 가열기. A heater accommodated in a support plate for supporting an object to be processed,
A first heating element disposed in a central region and an intermediate region of the support plate; And
A second heating element including an outer frame surrounding the first heating element and disposed in an outer region of the support plate, a terminal portion disposed in the central region and including a surface area expanding portion, and a linear portion connecting the outer frame portion and the terminal portion; ≪ / RTI > 청구항 1 에 있어서,
상기 제1 발열체 및 상기 제2 발열체는,
상기 기판의 가열면과 유사한 평면에서 상호 비접촉하며 배치되고, 상기 중앙영역으로부터 상기 외곽영역 쪽으로 굴곡부를 갖고 패턴을 형성하는 가열기.The method according to claim 1,
The first heat generating element and the second heat generating element,
Wherein the heater has a bent portion from the central region toward the outer peripheral region and forms a pattern. 청구항 1 에 있어서,
상기 단자부는 전체가 표면적 확장부로 형성되거나, 일부만 표면적 확장부로 형성될 수 있다. The method according to claim 1,
The terminal portion may be entirely formed as a surface-surface extending portion, or only a portion may be formed as a surface-surface extending portion. 청구항 3 에 있어서,
상기 표면적 확장부는 코일링되거나, 조밀한 굴곡이 구비되어 패턴을 형성하는 가열기.The method of claim 3,
Wherein the surface area expanding portion is coiled or provided with a dense bend to form a pattern. 청구항 1 또는 청구항 2 중 적어도 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 발열체 및 상기 제2 발열체 각각의 양 끝단은, 상호 동일한 거리로 이격되어 배치되는 가열기. The method according to claim 1 or 2,
Wherein both ends of each of the first heating element and the second heating element are disposed at the same distance apart from each other. 상부에 기판이 지지되는 지지플레이트;
상기 지지플레이트 하부 중앙영역에 결합되는 샤프트;
상기 지지플레이트 내부에 수납되는 복수의 발열체;를 포함하고,
상기 복수의 발열체의 각 단자부는 상기 지지플레이트의 중앙영역에 배치되며, 표면적 확장부를 포함하는 기판 지지 장치.A support plate on which a substrate is supported;
A shaft coupled to the lower central region of the support plate;
And a plurality of heating elements accommodated in the support plate,
Wherein each terminal portion of the plurality of heating elements is disposed in a central region of the support plate and includes a surface area enlargement portion. 청구항 6 에 있어서,
상기 단자부는 전체가 표면적 확장부로 형성되거나, 일부만 표면적 확장부로 형성되는 기판 지지 장치.The method of claim 6,
Wherein the terminal portion is entirely formed as a surface-area extending portion, or only a portion is formed as a surface area extending portion.
KR1020130034427A 2013-03-29 2013-03-29 heating unit and substrate supporter apparatus KR101522673B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130034427A KR101522673B1 (en) 2013-03-29 2013-03-29 heating unit and substrate supporter apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130034427A KR101522673B1 (en) 2013-03-29 2013-03-29 heating unit and substrate supporter apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140118461A true KR20140118461A (en) 2014-10-08
KR101522673B1 KR101522673B1 (en) 2015-06-25

Family

ID=51991311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130034427A KR101522673B1 (en) 2013-03-29 2013-03-29 heating unit and substrate supporter apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101522673B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101678678B1 (en) * 2015-05-22 2016-11-22 주식회사 좋은기술 substrate heating plate and apparatus adopting the plate
KR20170040617A (en) * 2015-10-05 2017-04-13 주식회사 미코 Substrate heating apparatus with enhanced temperature uniformity characteristic

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102519544B1 (en) 2017-12-07 2023-04-07 삼성전자주식회사 Wafer loading apparatus and film forming apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62173702A (en) * 1986-01-27 1987-07-30 フイガロ技研株式会社 Proton conductor humidity sensor and humidity detector usingthe humidity sensor
JP4026761B2 (en) * 2002-03-28 2007-12-26 日本碍子株式会社 Ceramic heater
JP4640842B2 (en) * 2006-10-11 2011-03-02 日本碍子株式会社 Heating device
JP5320104B2 (en) * 2008-05-02 2013-10-23 日本碍子株式会社 Ceramic heater and manufacturing method thereof
JP2011222931A (en) * 2009-12-28 2011-11-04 Tokyo Electron Ltd Mounting table structure and treatment apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101678678B1 (en) * 2015-05-22 2016-11-22 주식회사 좋은기술 substrate heating plate and apparatus adopting the plate
KR20170040617A (en) * 2015-10-05 2017-04-13 주식회사 미코 Substrate heating apparatus with enhanced temperature uniformity characteristic
WO2017061734A1 (en) * 2015-10-05 2017-04-13 주식회사 미코 Substrate heating apparatus having reduced temperature variation
JP2018537802A (en) * 2015-10-05 2018-12-20 ミコ リミテッド Substrate heating device with improved temperature deviation characteristics
TWI715634B (en) * 2015-10-05 2021-01-11 南韓商美科陶瓷科技有限公司 Substrate heating apparatus with enhanced temperature uniformity characteristic
US11133202B2 (en) 2015-10-05 2021-09-28 Mico Ceramics Ltd. Substrate heating apparatus with enhanced temperature uniformity characteristic

Also Published As

Publication number Publication date
KR101522673B1 (en) 2015-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9252001B2 (en) Plasma processing apparatus, plasma processing method and storage medium
US20210366741A1 (en) Heater power feeding mechanism
CN101625961B (en) Apparatus for manufacturing semiconductor
TWI614835B (en) Method and apparatus for substrate support with multi-zone heating
US8388757B2 (en) Electrostatic chuck and apparatus for treating substrate including the same
US20140373782A1 (en) Substrate support apparatus and substrate process apparatus having the same
JP4664119B2 (en) Plasma processing equipment
US10123379B2 (en) Substrate support with quadrants
KR20220147155A (en) Substrate support with improved process uniformity
TWI661463B (en) Heater power supply mechanism and platform temperature control method
KR101420709B1 (en) Substrate supporting apparatus and substrate processing apparatus having the same
KR20100014598A (en) Apparatus and method for deposition over large area substrates
KR101522673B1 (en) heating unit and substrate supporter apparatus
US20170096738A1 (en) Diffuser temperature control
US8968475B2 (en) Substrate processing apparatus
KR102460503B1 (en) Plasma atomic layer deposition apparatus and horizontal guide type electrode
US20170211185A1 (en) Ceramic showerhead with embedded conductive layers
TW201502314A (en) Lamp heater for atomic layer deposition
KR20210022879A (en) Unit for supporting substrate and system for treating substrate with the unit
TW202129800A (en) Gas distribution ceramic heater for deposition chamber
KR20200078665A (en) Ceramic pedestal with atomic protective layer
US11469135B2 (en) Substrate placing part that is arranged in substrate processing apparatus
KR102147022B1 (en) Plasma processing apparatus
CN105451426B (en) Device for inductively coupled plasma processing
JP2013206732A (en) Longitudinal batch type processing device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
E801 Decision on dismissal of amendment
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180514

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190514

Year of fee payment: 5