KR20140101602A - 발광 다이오드, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

발광 다이오드, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

발광 다이오드를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 제1 전극 연결선 및 제2 전극 연결선, 상기 제1 전극 연결선 위에 위치하는 제1 접촉 금속층 및 상기 제2 전극 연결선 위에 위치하는 제2 접촉 금속층, 상기 제1 접촉 금속층 및 상기 제2 접촉 금속층 위에 위치하는 발광부, 상기 기판 위에 위치하며 상기 발광부를 둘러싸는 격벽 그리고 상기 발광부를 덮는 봉지층을 포함하고, 상기 봉지층은 광변환 물질을 포함한다.

Description

발광 다이오드, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법{LIGHT EMITTING DIODE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 발광 다이오드, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light emitting diode; LED)는 소자 내에 포함되어 있는 물질이 빛을 발광하는 소자로서, 접합된 반도체의 전자와 정공이 재결합하며 발생하는 에너지를 광으로 변환하여 방출한다. 이러한 발광 다이오드는 현재 조명, 표시 장치 및 광원으로서 널리 이용되며 그 개발이 가속화되고 있는 추세이다.
그 중에서 발광 다이오드가 표시 장치에서 발광 소자로 사용되는 경우에 다양한 색의 조합을 나타낼 수 있어야 한다. 그 예로, 발광 다이오드는 적색 발광 다이오드, 녹색 발광 다이오드, 청색 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
발광 다이오드를 표시 장치의 발광 소자로 형성하기 위해 리프트 오프(Lift-Off) 방법을 사용할 수 있는데, 적색 발광부를 포함하는 발광 다이오드는 투명한 웨이퍼 위에서 형성하기가 어렵다. 따라서, 적색 발광 다이오드를 청색 발광 다이오드 또는 녹색 발광 다이오드와 동시에 형성하기 어렵기 때문에 공정이 복잡해진다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 공정이 단순화된 방법으로 형성된 발광 다이오드, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 제1 전극 연결선 및 제2 전극 연결선, 상기 제1 전극 연결선 위에 위치하는 제1 접촉 금속층 및 상기 제2 전극 연결선 위에 위치하는 제2 접촉 금속층, 상기 제1 접촉 금속층 및 상기 제2 접촉 금속층 위에 위치하는 발광부, 상기 기판 위에 위치하며 상기 발광부를 둘러싸는 격벽 그리고 상기 발광부를 덮는 봉지층을 포함하고, 상기 봉지층은 광변환 물질을 포함한다.
상기 제1 전극 연결선과 상기 제2 전극 연결선은 상기 기판과 상기 격벽 사이에 위치할 수 있다.
상기 발광부는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 위치하는 제1 전극 및 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제1 접촉 금속층을 통해 상기 제1 전극 연결선과 연결되고, 상기 제2 전극은 상기 제2 접촉 금속층을 통해 상기 제2 전극 연결선과 연결될 수 있다.
상기 제1 접촉 금속층과 상기 제2 접촉 금속층은 상기 봉지층 내에 위치할 수 있다.
상기 발광부는 청색 발광부이고, 상기 청색 발광부에서 발생한 빛이 상기 봉지층을 통과하면서 녹색 또는 적색의 빛을 발생할 수 있다.
상기 광변환 물질은 형광체를 포함할 수 있다.
상기 형광체는 코어-쉘 형광체를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 제1 전극 연결선 및 제2 전극 연결선, 상기 제1 전극 연결선 위에 위치하는 복수의 제1 접촉 금속층 및 상기 제2 전극 연결선 위에 위치하는 복수의 제2 접촉 금속층, 상기 복수의 제1 접촉 금속층 및 상기 복수의 제2 접촉 금속층 위에 위치하는 복수의 발광부, 상기 기판 위에 위치하며 상기 발광부를 둘러싸는 격벽 그리고 상기 발광부를 덮는 봉지층을 포함하고, 상기 복수의 발광부는 상기 복수의 화소 영역 각각에 대응할 수 있다.
상기 제1 전극 연결선과 상기 제2 전극 연결선은 상기 기판과 상기 격벽 사이에 위치할 수 있다.
상기 발광부는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 위치하는 제1 전극 및 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제1 접촉 금속층을 통해 상기 제1 전극 연결선과 연결되고, 상기 제2 전극은 상기 제2 접촉 금속층을 통해 상기 제2 전극 연결선과 연결될 수 있다.
상기 제1 접촉 금속층과 상기 제2 접촉 금속층은 상기 봉지층 내에 위치할 수 있다.
상기 발광부는 청색 발광부이고, 상기 청색 발광부에서 발생한 빛이 상기 봉지층을 통과하면서 녹색 또는 적색의 빛을 발생할 수 있다.
상기 화소 영역은 적색 화소 영역, 녹색 화소 영역 및 청색 화소 영역을 포함하고, 상기 적색 화소 영역 또는 상기 녹색 화소 영역에서 상기 봉지층은 광변환 물질을 포함할 수 있다.
상기 광변환 물질은 형광체를 포함할 수 있다.
상기 형광체는 코어-쉘 형광체를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 웨이퍼 위에 복수의 발광부를 형성하는 단계, 복수의 화소 영역을 포함하는 기판 위에 제1 전극 연결선 및 제2 전극 연결선을 형성하는 단계 그리고 상기 복수의 발광부 중 적어도 하나를 상기 화소 영역에 대응하도록 상기 기판 위에 전사하는 단계를 포함한다.
상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 제1 전극 연결선 및 상기 제2 전극 연결선 위에 각각 제1 접촉 금속층 및 제2 접촉 금속층을 형성하는 단계, 상기 복수의 발광부 중 적어도 하나는 상기 제1 접촉 금속층 및 상기 제2 접촉 금속층과 접촉하는 단계, 상기 발광부가 형성된 상기 웨이퍼의 면과 반대면 위에 배열된 쉐도우 마스크를 사용하여 자외선 조사하는 단계 그리고 상기 복수의 발광부 중 적어도 하나는 상기 웨이퍼와 분리되어 상기 기판 위에 형성되는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 기판 위에 상기 발광부를 둘러싸는 격벽을 형성하는 단계 그리고 상기 발광부를 덮으며 광변환 물질을 포함하는 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전극 연결선과 상기 제2 전극 연결선은 상기 기판과 상기 격벽 사이에 형성할 수 있다.
상기 발광부는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 위치하는 제1 전극 및 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제1 접촉 금속층을 통해 상기 제1 전극 연결선과 연결되고, 상기 제2 전극은 상기 제2 접촉 금속층을 통해 상기 제2 전극 연결선과 연결될 수 있다.
상기 제1 접촉 금속층과 상기 제2 접촉 금속층은 상기 봉지층 내에 형성할 수 있다.
상기 자외선 조사하는 단계 이전에 상기 제1 접촉 금속층 및 상기 제2 접촉 금속층과 상기 발광부의 접촉 부분을 적외선 조사하거나 압력을 가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 기판 위에 형성된 서로 이웃하는 발광부 사이의 간격은 상기 웨이퍼 위에 형성된 서로 이웃하는 발광부 사이의 간격보다 넓을 수 있다.
상기 웨이퍼를 이동하면서 상기 복수의 발광부 중 적어도 하나를 상기 화소 영역에 대응하도록 상기 기판 위에 전사하는 단계를 반복할 수 있다.
상기 웨이퍼는 투명한 물질로 형성될 수 있다.
이와 같이 본 발명의 한 실시예에 따르면, 리프트 오프 방법을 사용하여 단순화된 공정으로 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치를 형성할 수 있고, 광변환 물질을 사용하여 적색 발광 다이오드 또는 녹색 발광 다이오드를 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3 내지 도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참고하면, 기판(100) 위에 제1 전극 연결선(120a)과 제2 전극 연결선(120b)이 위치한다. 제1 전극 연결선(120a)과 제2 전극 연결선(120b)은 외부 전원으로부터 발광 다이오드에 전류를 공급하는 역할을 할 수 있다.
제1 전극 연결선(120a) 및 제2 전극 연결선(120b)의 단부에는 각각 제1 접촉 금속층(140a)과 제2 접촉 금속층(140b)이 위치한다. 제1 접촉 금속층(140a)과 제2 접촉 금속층(140b)은 발광부(250)와 제1 전극 연결선(120a) 및 제2 전극 연결선(120b)를 연결하는 역할을 하고, 전류가 통해야 하기 때문에 전도성과 접착성을 동시에 갖추어야 한다. 여기서, 제1 접촉 금속층(140a)과 제2 접촉 금속층(140b)은 인듐, 은 또는 금을 포함하는 페이스트(paste) 또는 냉용접(cold-welding)된 금과 은을 포함하는 물질 또는 이방성 도전 페이스트(anisotropic conductive paste) 등의 금속 물질로 형성할 수 있다.
기판(100) 위에 제1 접촉 금속층(140a)및 제2 접촉 금속층(140b)과 접촉하는 발광부(250)가 위치한다. 구체적으로, 발광부(250)는 제1 도전형 반도체층(180a), 활성층(170), 제2 도전형 반도체층(180b), 제1 전극(160a) 및 제2 전극(160b)을 포함하고, 제1 전극(160a)이 제1 접촉 금속층(140a)과 접촉하며 제2 전극(160b)이 제2 접촉 금속층(140b)과 접촉한다.
제1 전극(160a)은 제1 도전형 반도체층(180a) 아래에 위치하고, 제2 전극(160b)은 제2 도전형 반도체층(180b) 아래에 위치한다. 일반적인 경우와 달리 본 실시예에 따른 발광부(250)는 뒤집어진 구조를 갖는다.
기판(100) 위에 발광부(250)를 둘러싸는 격벽(300)이 위치한다. 이 때, 제1 전극 연결선(140a)과 제2 전극 연결선(140b)은 기판(100)과 격벽(300) 사이에 위치할 수 있다. 격벽(300) 사이에 발광부(250)를 덮는 봉지층(400)이 형성된다. 봉지층(400)은 외부의 습기 및 먼지로부터 발광부(250)를 보호할 수 있다. 봉지층(400) 내에는 형광체(350)가 분포되어 있고, 형광체(350)는 나노 형광체 또는 코어-쉘 형광체일 수 있다. 형광체(350)는 발광부(250)에서 발생한 빛을 다른 색상의 빛으로 광변환하는 물질일 수 있다.
본 실시예에서 발광부(250)는 청색 발광부이고, 형광체(350)는 청색 발광부에서 나온 빛을 녹색 또는 적색의 빛으로 변환시킬 수 있다.
제1 접촉 금속층(140a)과 제2 접촉 금속층(140b)은 봉지층(400) 내에 위치한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2를 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치에서 기판(100)은 복수의 화소 영역(R, G, B)을 포함하고, 화소 영역은 적색 화소 영역(R), 녹색 화소 영역(G), 청색 화소 영역(B)을 포함할 수 있다. 각 화소 영역은 가로 방향으로 교대로 배열될 수 있고, 세로 방향으로는 동일한 화소 영역이 배열될 수 있으나 이에 한정되지 않고 변형 가능하다.
기판(100) 위에는 도 1에서 설명한 발광 다이오드가 각 화소 영역(R, G, B)에 대응하면서 형성될 수 있다.
각 화소 영역에 하나의 발광부(250)가 배치되어 있고, 상세히 도시하지 않았으나 도 1에서 설명한 것과 같이 기판(100) 위에는 제1 전극 연결선(120a)와 제2 전극 연결선(120b)이 제1 접촉 금속층(140a) 및 제2 접촉 금속층(140b)에 의해 발광부(250)와 연결되어 있다. 또한, 발광부(250)는 격벽(300)에 의해 둘러싸여 있으며 격벽(300) 사이를 채우면서 발광부(250)를 덮는 봉지층(400)이 형성되어 있다. 본 실시예에서 발광부(250)의 구성은 도 1에서 설명한 바와 동일하므로 생략하기로 한다.
본 실시예에 따른 표시 장치에서 발광부(250)는 모든 화소 영역(R, G, B)에서 청색 발광부일 수 있고, 이 경우에 적색 화소 영역(R)과 녹색 화소 영역(G)에서는 청색의 빛을 변환시키기 위해 발광부(250)를 덮는 봉지층(400)에 색변환 물질이 분포되어 있다. 여기서, 색변환 물질은 형광체(350)이고, 형광체(350)는 나노 형광체 또는 코어-쉘 형광체일 수 있다. 다만, 청색 화소 영역(B)에서는 색변환을 할 필요가 없기 때문에 봉지층(400)이 색변환 물질을 포함할 필요가 없다.
다른 실시예로 청색 화소 영역에는 색변환 물질이 분포하는 봉지층(400)이 필요 없기 때문에 격벽(300)을 형성하지 않고, 기판(100), 제1 전극 연결선(120a), 제2 전극 연결선(120b) 및 발광부(250)를 전체적으로 덮는 코팅층(미도시)을 형성할 수 있다. 이 때, 적색 화소 영역 및 녹색 화소 영역에서는 코팅층이 격벽(300)과 봉지층(400)을 덮을 수 있다.
제1 전극 연결선(120a) 및 제2 전극 연결선(120b)은 모든 화소 영역(R, G, B)에 걸쳐서 각각 하나의 선으로 연결될 수도 있으나, 각 화소 영역 마다 별개로 형성되어 외부 전원과 연결될 수도 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 수동형 표시 장치 또는 능동형 표시 장치일 수 있고, 능동형 표시 장치의 경우에는 기판(100) 위에 박막 트랜지스터와 같은 스위칭 소자 및 구동 소자 등이 형성될 수 있다.
이하에서는 도 3 내지 도 9를 참고하여 본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 방법에 대해 설명하기로 한다.
도 3 내지 도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
도 3을 참고하면, 웨이퍼(50) 위에 제1 도전형 반도체층(180a)을 형성하고, 제1 도전형 반도체층(180a) 위에 활성층(170)을 형성하며, 활성층(170) 위에 제2 도전형 반도체층(180b)을 형성한다. 여기서, 웨이퍼(50)는 광투과성 물질로 형성될 수 있고, 사파이어 웨이퍼일 수 있다.
제1 도전형 반도체층(180a)은 p 타입의 반도체층일 수 있고, GaN으로 형성할 수 있다. 활성층(170)은 GaN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 등으로부터 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(180b)은 n 타입의 반도체층일 수 있고, ZnO 등으로 형성할 수 있다.
도 4를 참고하면, 전기적 인가를 위한 제1 전극(160a) 및 제2 전극(160b)를 형성한다. 제1 전극(160a) 및 제2 전극(160b)은 전기 전도성이 우수한 금속 물질로 형성할 수 있다. 이러한 전극 패턴을 형성하기 위해 포토레지스트 공정 및 식각 공정 등이 수행될 수 있다.
도 5를 참고하면, 앞에서 설명한 방법으로 웨이퍼(50) 위에는 복수의 발광부(250)가 형성된다. 복수의 발광부(250) 사이의 간격은 제1 간격(d1)을 갖는다.
도 6a를 참고하면, 기판(100) 위에 금속 물질을 사용하여 제1 전극 연결선(120a) 및 제2 전극 연결선(120b)을 형성한다. 제1 전극 연결선(120a) 및 제2 전극 연결선(120b)은 도 8에 표시된 모든 화소 영역(R, G, B)에 걸쳐서 각각 하나의 선으로 연결될 수도 있으나, 각 화소 영역 마다 별개로 형성되어 외부 전원과 연결될 수도 있다.
제1 전극 연결선(120a)과 제2 전극 연결선(120b)의 단부에 각각 제1 접촉 금속층(140a) 및 제2 접촉 금속층(140b)을 형성한다. 앞서 형성한 복수의 발광부(200)가 형성된 웨이퍼(50)를 뒤집어서 기판(100)과 마주보도록 한다. 여기서, 복수의 발광부(250) 중 적어도 하나는 제1 접촉 금속층(140a) 및 제2 접촉 금속층(140b)과 대응하도록 배열한다. 구체적으로, 발광부(250)의 제1 전극(160a) 및 제2 전극(160b)이 제1 접촉 금속층(140a) 및 제2 접촉 금속층(140b)과 각각 대응하도록 배열한다.
여기서, 제1 전극(160a)과 제1 접촉 금속층(140a)과의 접촉, 제2 전극(160b)과 제2 접촉 금속층(140b)과의 접촉이 잘 되도록 하기 위해 제1 전극(160a)과 제2 전극(160b) 위에 제1 보조 접촉 금속층(150a)과 제2 보조 접촉 금속층(150b)을 형성할 수도 있다. 제1 보조 접촉 금속층(150a)과 제2 보조 접촉 금속층(150b)은 제1 접촉 금속층(140a) 및 제2 접촉 금속층(140b)과 동일한 물질로 형성할 수 있다.
도 6b를 참고하면, 웨이퍼(50)를 기판(100)에 가까이 가져가서 발광부(250)의 제1 보조 접촉 금속층(150a)과 제1 접촉 금속층(140a)을 접촉시키고, 제2 보조 접촉 금속층(150b)과 제2 접촉 금속층(140b)을 접촉시킨다. 이 때, 복수의 발광부(250)가 형성된 웨이퍼(50)의 면과 반대면에 쉐도우 마스크(500)를 배치한 후에 오픈된 부분으로 적외선(1000)을 조사한다. 이 때, 웨이퍼(50)와 발광부(250)는 적외선이 통과하여 제1 보조 접촉 금속층(150a)과 제1 접촉 금속층(140a)을 포함하는 접촉 부분이 히팅된다. 여기서, 제1 전극(160a)과 제1 전극 연결선(140a)이 전기적으로 연결되고, 제2 전극(160b)과 제2 전극 연결선(140b)이 전기적으로 연결될 수 있다.
도 6c를 참고하면, 쉐도우 마스크(500)의 오픈된 부분으로 자외선(2000)을 조사한다. 조사된 자외선은 발광부(250)과 웨이퍼(50) 사이의 결합을 끊어 분리시키고, 결국 발광부(250)가 웨이퍼(50)에서 대응하는 기판(100)으로 전사된다.
도 7은 웨이퍼(50) 위의 복수의 발광부(250)와 기판(100)에 포함되는 화소 영역(R, G, B)을 평면적으로 대응시킨 것이다. 도 7을 참고하면, 발광부(250)를 웨이퍼(50)에서 기판(100)으로 전사할 때, 일정한 패턴을 가질 수 있다. 기판(100)에 전사되는 발광부(250)는 도 7에서 검게 색칠된 부분에 해당하고, 각 화소 영역마다 하나의 발광부(250)가 전사될 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않고 하나의 화소 영역(R, G, B)에 적어도 2개 이상의 발광부(250)를 동시에 전사하는 것도 가능하다.
도 8을 참고하면, 웨이퍼(50)의 크기는 기판(100)의 크기보다 작기 때문에 한번의 전사 공정만으로 기판(100)의 모든 화소 영역(R, G, B)에 복수의 발광부(250)를 형성하기는 어렵다. 따라서, 한번의 전사 공정이 끝나면 웨이퍼(50)를 가로 방향 또는 세로 방향으로 이동시키면서 전사 공정을 반복 수행할 수 있다. 이와 같이 기판(100) 위에 형성된 발광부(250)는 각 화소 영역(R, G, B)에 대응하도록 배열되고 이웃하는 화소 영역에 위치하는 발광부(250) 사이의 간격은 제2 간격(d2)을 가질 수 있다. 앞서 살펴본 웨이퍼(50) 위에 형성된 발광부(250) 사이의 제1 간격(d1) 대비하여 제2 간격(d2)은 더 넓다.
도 9를 참고하면, 기판(100) 위에 전사된 발광부(250)를 둘러싸는 격벽(300)을 형성한다. 격벽(300) 사이에 발광부(250)를 덮도록 봉지층(400)을 형성하게 되면 도 1과 같은 구조가 형성된다. 도 2를 참고하여 설명한 바와 같이 본 실시예에 따른 표시 장치에서 발광부(250)는 모든 화소 영역(R, G, B)에서 청색 발광부일 수 있고, 이 경우에 적색 화소 영역(R)과 녹색 화소 영역(G)에서는 청색의 빛을 변환시키기 위해 색변환 물질을 포함하는 봉지층(400)을 형성할 수 있다. 또한, 청색 화소 영역(B)에서는 색변환을 할 필요가 없기 때문에 색변환 물질을 포함하지 않은 봉지층(400)을 형성할 수 있다.
다른 실시예로 청색 화소 영역에는 색변환 물질이 분포하는 봉지층(400)이 필요 없기 때문에 격벽(300)을 형성하지 않고, 기판(100), 제1 전극 연결선(120a), 제2 전극 연결선(120b) 및 발광부(250)를 전체적으로 덮는 코팅층(미도시)을 형성할 수 있다. 이 때, 적색 화소 영역 및 녹색 화소 영역에서는 코팅층이 격벽(300)과 봉지층(400)을 덮을 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
50 웨이퍼 100 기판
120a, 120b 전극 연결선 140a, 140b 접촉 금속층
160a, 160b 전극 250 발광부

Claims (25)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 위치하는 제1 전극 연결선 및 제2 전극 연결선,
    상기 제1 전극 연결선 위에 위치하는 제1 접촉 금속층 및 상기 제2 전극 연결선 위에 위치하는 제2 접촉 금속층,
    상기 제1 접촉 금속층 및 상기 제2 접촉 금속층 위에 위치하는 발광부,
    상기 기판 위에 위치하며 상기 발광부를 둘러싸는 격벽 그리고
    상기 발광부를 덮는 봉지층을 포함하고,
    상기 봉지층은 광변환 물질을 포함하는 발광 다이오드.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 전극 연결선과 상기 제2 전극 연결선은 상기 기판과 상기 격벽 사이에 위치하는 발광 다이오드.
  3. 제2항에서,
    상기 발광부는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 위치하는 제1 전극 및 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 위치하는 제2 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극은 상기 제1 접촉 금속층을 통해 상기 제1 전극 연결선과 연결되고, 상기 제2 전극은 상기 제2 접촉 금속층을 통해 상기 제2 전극 연결선과 연결되는 발광 다이오드.
  4. 제3항에서,
    상기 제1 접촉 금속층과 상기 제2 접촉 금속층은 상기 봉지층 내에 위치하는 발광 다이오드.
  5. 제4항에서,
    상기 발광부는 청색 발광부이고, 상기 청색 발광부에서 발생한 빛이 상기 봉지층을 통과하면서 녹색 또는 적색의 빛을 발생하는 발광 다이오드.
  6. 제5항에서,
    상기 광변환 물질은 형광체를 포함하는 발광 다이오드.
  7. 제6항에서,
    상기 형광체는 코어-쉘 형광체를 포함하는 발광 다이오드.
  8. 복수의 화소 영역을 포함하는 기판,
    상기 기판 위에 위치하는 제1 전극 연결선 및 제2 전극 연결선,
    상기 제1 전극 연결선 위에 위치하는 복수의 제1 접촉 금속층 및 상기 제2 전극 연결선 위에 위치하는 복수의 제2 접촉 금속층,
    상기 복수의 제1 접촉 금속층 및 상기 복수의 제2 접촉 금속층 위에 위치하는 복수의 발광부,
    상기 기판 위에 위치하며 상기 발광부를 둘러싸는 격벽 그리고
    상기 발광부를 덮는 봉지층을 포함하고,
    상기 복수의 발광부는 상기 복수의 화소 영역 각각에 대응하는 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 제1 전극 연결선과 상기 제2 전극 연결선은 상기 기판과 상기 격벽 사이에 위치하는 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 발광부는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 위치하는 제1 전극 및 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 위치하는 제2 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극은 상기 제1 접촉 금속층을 통해 상기 제1 전극 연결선과 연결되고, 상기 제2 전극은 상기 제2 접촉 금속층을 통해 상기 제2 전극 연결선과 연결되는 표시 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 제1 접촉 금속층과 상기 제2 접촉 금속층은 상기 봉지층 내에 위치하는 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 발광부는 청색 발광부이고, 상기 청색 발광부에서 발생한 빛이 상기 봉지층을 통과하면서 녹색 또는 적색의 빛을 발생하는 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 화소 영역은 적색 화소 영역, 녹색 화소 영역 및 청색 화소 영역을 포함하고,
    상기 적색 화소 영역 또는 상기 녹색 화소 영역에서 상기 봉지층은 광변환 물질을 포함하는 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 광변환 물질은 형광체를 포함하는 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 형광체는 코어-쉘 형광체를 포함하는 표시 장치.
  16. 웨이퍼 위에 복수의 발광부를 형성하는 단계,
    복수의 화소 영역을 포함하는 기판 위에 제1 전극 연결선 및 제2 전극 연결선을 형성하는 단계 그리고
    상기 복수의 발광부 중 적어도 하나를 상기 화소 영역에 대응하도록 상기 기판 위에 전사하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에서,
    상기 제1 전극 연결선 및 상기 제2 전극 연결선 위에 각각 제1 접촉 금속층 및 제2 접촉 금속층을 형성하는 단계,
    상기 복수의 발광부 중 적어도 하나는 상기 제1 접촉 금속층 및 상기 제2 접촉 금속층과 접촉하는 단계,
    상기 발광부가 형성된 상기 웨이퍼의 면과 반대면 위에 배열된 쉐도우 마스크를 사용하여 자외선 조사하는 단계 그리고
    상기 복수의 발광부 중 적어도 하나는 상기 웨이퍼와 분리되어 상기 기판 위에 형성되는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 기판 위에 상기 발광부를 둘러싸는 격벽을 형성하는 단계 그리고
    상기 발광부를 덮으며 광변환 물질을 포함하는 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에서,
    상기 제1 전극 연결선과 상기 제2 전극 연결선은 상기 기판과 상기 격벽 사이에 형성하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제18항에서,
    상기 발광부는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 위치하는 제1 전극 및 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 위치하는 제2 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극은 상기 제1 접촉 금속층을 통해 상기 제1 전극 연결선과 연결되고, 상기 제2 전극은 상기 제2 접촉 금속층을 통해 상기 제2 전극 연결선과 연결되는 표시 장치의 제조 방법.
  21. 제20항에서,
    상기 제1 접촉 금속층과 상기 제2 접촉 금속층은 상기 봉지층 내에 형성하는 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제17항에서,
    상기 자외선 조사하는 단계 이전에 상기 제1 접촉 금속층 및 상기 제2 접촉 금속층과 상기 발광부의 접촉 부분을 적외선 조사하거나 압력을 가하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  23. 제17항에서,
    상기 기판 위에 형성된 서로 이웃하는 발광부 사이의 간격은 상기 웨이퍼 위에 형성된 서로 이웃하는 발광부 사이의 간격보다 넓은 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제16항에서,
    상기 웨이퍼를 이동하면서 상기 복수의 발광부 중 적어도 하나를 상기 화소 영역에 대응하도록 상기 기판 위에 전사하는 단계를 반복하는 표시 장치의 제조 방법.
  25. 제16항에서,
    상기 웨이퍼는 투명한 물질로 형성된 표시 장치의 제조 방법.
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