KR20140101266A - 리모트 플라즈마 발생장치 - Google Patents

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강우석
허민
이재옥
송영훈
김관태
이대훈
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한국기계연구원
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Abstract

처리 대상물로 리모트 플라즈마를 집중시켜 플라즈마 처리 효율을 높일 수 있는 리모트 플라즈마 발생장치를 제공한다. 리모트 플라즈마 발생장치는 방전 가스 주입구와 연결된 본체 및 플라즈마 배출구와 연결된 노즐부를 구비하는 유전 지지체와, 본체에 고정되며 전원부로부터 교류 전압을 인가받아 본체의 내부 공간에 플라즈마를 생성하는 구동 전극과, 노즐부의 외측에서 처리 대상물을 지지하는 접지 전극을 포함한다. 노즐부는 본체와 일체로 연결된 경사면을 포함하며, 플라즈마 배출구의 폭을 본체의 폭보다 작게 하여 처리 대상물로 리모트 플라즈마를 집중시킨다.

Description

리모트 플라즈마 발생장치 {APPARATUS FOR GENERATING REMOTE PLASMA}
본 발명은 리모트 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 축전 결합식(또는 용량성 결합) 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.
기존의 플라즈마 발생장치는 저압 조건에서 좁은 간격 내에 플라즈마를 발생시키고, 처리 대상물을 플라즈마 내부로 위치시켜 직접 처리하는 방식이다. 이 경우 공정 효율을 높이기 위해 소비 전력을 증가시키면 플라즈마의 에너지와 밀도가 높아지지만 고에너지 전자 또는 이온에 의해 처리 대상물의 손상이 동반된다. 또한, 좁은 간격에서 플라즈마를 발생시키는 구조의 한계로 인해 대용량 또는 대면적 처리가 어렵다.
이러한 문제를 보완하기 위해 플라즈마 반응기에서 발생시킨 플라즈마를 원거리로 이동시켜 처리하는 리모트(remote) 플라즈마 처리 기술이 제안되었다. 그런데 기존의 리모트 플라즈마 발생장치는 고주파(RF) 전원을 사용하는 유도 결합형 플라즈마(inductively coupled plasma, ICP) 또는 마이크로웨이브(microwave)를 이용한 방식 등으로서, 플라즈마 반응기와 전원 사이의 정합(matching) 기술이 요구되는 등 부하 변동에 취약하며, 높은 압력에서 구동이 어렵다. 특히 ICP 전원기술의 한계로 인해 전력 증가와 대용량 및 대면적 처리에 한계가 있다.
본 발명은 광범위한 압력 조건에서 공간적으로 균일한 플라즈마를 발생시키고, 대용량 및 대면적 처리가 용이하며, 처리 대상물로 리모트 플라즈마를 집중시켜 플라즈마 처리 효율을 높일 수 있는 축전 결합식 리모트 플라즈마 발생장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치는, 방전 가스 주입구와 연결된 본체 및 플라즈마 배출구와 연결된 노즐부를 구비하는 유전 지지체와, 본체에 고정되며 전원부로부터 교류 전압을 인가받아 본체의 내부 공간에 플라즈마를 생성하는 구동 전극과, 노즐부의 외측에서 처리 대상물을 지지하는 접지 전극을 포함한다. 노즐부는 본체와 일체로 연결된 경사면을 포함하고, 플라즈마 배출구의 폭을 본체의 폭보다 작게 하여 처리 대상물로 리모트 플라즈마를 집중시킨다.
본체는 제1 방향을 따라 서로 마주하는 한 쌍의 장변부와, 제2 방향을 따라 서로 마주하는 한 쌍의 단변부를 포함할 수 있다.
경사면은 제1 방향과 제2 방향 중 어느 한 방향을 따라 서로 마주하는 한 쌍의 경사면으로 이루어질 수 있다. 다른 한편으로, 경사면은 제1 방향을 따라 서로 마주하는 한 쌍의 제1 경사면과, 제2 방향을 따라 서로 마주하는 한 쌍의 제2 경사면으로 이루어질 수 있다.
다른 한편으로, 본체는 원통 모양으로 형성되고, 노즐부는 깔때기 모양으로 형성되어 플라즈마 배출구가 본체보다 작은 직경을 가질 수 있다.
리모트 플라즈마 발생장치는 접지 전극의 양측에 위치하는 복수의 이송 롤러를 더 포함할 수 있으며, 복수의 이송 롤러는 리모트 플라즈마 처리 과정에서 처리 대상물을 한 방향으로 이동시킬 수 있다.
접지 전극은 처리 대상물을 지지하는 제1 접지 전극과, 유전 지지체에 고정된 제2 접지 전극을 포함할 수 있다. 제2 접지 전극은 본체의 외벽과 접하며 구동 전극과 노즐부 사이에 위치할 수 있다.
리모트 플라즈마 발생장치는 노즐부를 둘러싸며 본체에 고정된 챔버를 더 포함할 수 있다. 챔버는 접지 전위에 연결될 수 있다.
본 실시예의 리모트 플라즈마 발생장치에 따르면, 유전 지지체가 노즐부를 구비함으로써 플라즈마 분사 영역의 전기장을 집중시키고, 유속을 빠르게 할 수 있다. 따라서 리모트 플라즈마 발생장치는 처리 대상물로 리모트 플라즈마를 집중시킬 수 있으며, 리모트 플라즈마 처리 효과를 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시한 리모트 플라즈마 발생장치의 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시한 리모트 플라즈마 발생장치의 첫 번째 변형예를 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 1에 도시한 리모트 플라즈마 발생장치의 두 번째 변형예를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치를 나타낸 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치를 나타낸 측면도이다.
도 7은 도 1에 도시한 리모트 플라즈마 발생장치의 세 번째 변형예를 나타낸 사시도이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치를 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 “상에” 또는 “위에” 있다고 할 때, 이는 다른 부분의 “바로 위에” 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, “~ 상에” 또는 “~ 위에”라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것을 의미하며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상측에 위치하는 것을 의미하지 않는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시한 리모트 플라즈마 발생장치의 단면도이다.
도 1과 도 2를 참고하면, 제1 실시예의 리모트 플라즈마 발생장치(100)는 유전 지지체(10)와, 유전 지지체(10)에 고정되는 구동 전극(20)과, 유전 지지체(10)의 외측에서 처리 대상물(40)을 지지하는 접지 전극(30)을 포함한다. 이때 유전 지지체(10)는 플라즈마 분사 영역의 전기장을 집중시키고, 유속을 빠르게 하여 처리 대상물(40)로 리모트 플라즈마를 집중시키는 구조로 이루어진다.
유전 지지체(10)는 유전체로 제작된 관 또는 덕트 모양의 부재로서 그 내부에 플라즈마 생성 공간을 형성한다. 유전 지지체(10)는 일측에 방전 가스 주입구(11)를 형성하며, 반대편 일측에 플라즈마 배출구(12)를 형성한다. 유전 지지체(10)는 처리 대상물(40)의 모양에 따라 사각, 원형 등 다양한 단면 형상을 가질 수 있다. 도 1에서는 직사각의 단면 형상을 가진 유전 지지체(10)를 예로 들어 도시하였다.
유전 지지체(10)의 방전 가스 주입구(11)는 도시하지 않은 가스 공급 장치 및 유량 조절기와 연결된다. 유전 지지체(10)의 내부로 투입되는 방전 가스는 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 및 질소(N2)와 같은 불활성 가스이거나, 불활성 가스와 클린 드라이 에어(clean dry air)의 혼합물일 수 있다.
또한, 필요에 따라 방전 가스에 반응성 가스 또는 공정 가스가 추가될 수 있다. 반응성 가스 또는 공정 가스는 리모트 플라즈마 발생장치(100)의 용도(세정, 식각, 원자층 증착, 표면 처리, 물질 분해 등)에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 반응성 가스 또는 공정 가스는 SF6, CH4, CF4, O2, 또는 NF3 등을 포함할 수 있으며, TEOS(tetra-ethyl-ortho-silicate), Terakis((ethylmethylamino)zirconium), TMA(trimethyl aluminum), 및 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등의 액상 전구체를 포함할 수 있다.
구동 전극(20)은 유전 지지체(10)의 외벽과 접하며 폭 방향을 따라 유전 지지체(10)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 구동 전극(20)은 전원부(21)와 전기적으로 연결되어 플라즈마 생성에 필요한 교류 전압을 인가받는다. 구동 전극(20)에 인가되는 교류 전압은 수백V 이상의 크기와, 수십kHz 내지 수십MHz 대역의 주파수 특성을 가질 수 있다.
구동 전극(20)은 유전 지지체(10)의 외벽 일부에 고정될 수도 있다. 즉 구동 전극(20)은 도 1과 같이 유전 지지체(10)의 일부를 완전히 둘러싸도록 배치되거나, 도 3에 도시한 바와 같이 유전 지지체(10)의 네 면(한 쌍의 장변부와 한 쌍의 단변부) 중 서로 마주하는 두 면에 나누어 배치될 수도 있다. 유전 지지체(10)가 직사각의 단면 형상을 가지는 경우 구동 전극(20)은 큰 폭을 갖는 한 쌍의 장변부에 나누어 고정될 수 있다.
접지 전극(30)은 유전 지지체(10)의 외측에서 플라즈마 배출구(12)와 거리를 두고 위치하며, 처리 대상물(40)을 지지한다. 처리 대상물(40)은 플라즈마 배출구(12)의 바로 아래에 위치하며, 유전 지지체(10)에서 배출되는 리모트 플라즈마를 제공받아 플라즈마 처리가 이루어진다.
유전 지지체(10)에 방전 가스를 주입하면서 구동 전극(20)에 전술한 교류 전압을 인가하면 구동 전극(20)과 접지 전극(30)의 전위 차에 의해 유전 지지체(10) 내부에 전기장이 형성되어 플라즈마 방전이 일어난다.
플라즈마 방전은 운전 전압이 내부 기체의 항복 전압보다 높을 때 발생하고, 방전 전류는 시간에 따라 계속 증가하다가 유전 지지체(10)의 표면에 벽전하가 쌓이는 양이 많아짐에 따라 감소한다. 즉 방전 개시 이후 방전 전류가 높아짐에 따라 플라즈마 내부의 공간 전하들이 유전 지지체(10) 위에 쌓여 벽전하가 생성된다.
벽전하는 외부에서 걸리는 전압을 억제하는 기능을 하며, 이러한 유전 지지체(10)의 벽전압에 의해 시간이 지남에 따라 방전이 약해진다. 플라즈마 방전은 인가 전압이 유지되는 동안 생성과 유지 및 소멸 과정을 반복한다. 따라서 방전이 아크로 전이되지 않으면서 낮은 전압으로 효과적인 대용량 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
유전 지지체(10)의 내부에서 발생된 플라즈마는 플라즈마 배출구(12)를 통해 리모트 플라즈마의 형태로 처리 대상물에 분사된다. 즉 리모트 플라즈마는 플라즈마 발생원으로부터 확산된 플라즈마이다.
플라즈마에서 생성되는 공정 관련 인자들로는 전자, 이온, 중성입자/라디칼, 및 자외선 등이 있다. 전자와 이온은 플라즈마 발생원에 가까울수록 높은 세기로 존재하고, 중성입자/라디칼은 리모트 플라즈마에서 보다 풍부하게 존재한다. 리모트 플라즈마 발생장치(100)는 전자 및 이온보다 중성입자/라디칼을 적극적으로 이용하는 플라즈마 처리에 적합하다.
본 실시예의 리모트 플라즈마 발생장치(100)에서 유전 지지체(10)는 플라즈마 생성 공간을 둘러싸는 본체(15)와, 본체(15)에 연결되며 본체(15)보다 작은 폭의 플라즈마 배출구(12)를 형성하는 노즐부(16)를 포함한다. 노즐부(16)는 처리 대상물(40)로 리모트 플라즈마를 집중시켜 플라즈마 처리 효율을 높이는 기능을 한다.
노즐부(16)는 일 방향을 따라 서로 마주하는 한 쌍의 경사면(161)을 포함한다. 유전 지지체(10)에서 본체(15)를 구성하는 한 쌍의 장변부(151)는 제1 방향을 따라 서로 마주하고, 한 쌍의 단변부(152)는 제2 방향을 따라 서로 마주하는데, 한 쌍의 경사면(161)이 마주하는 일 방향은 제1 방향과 제2 방향 중 어느 한 방향일 수 있다.
도 1과 도 2에서는 노즐부(16)를 구성하는 한 쌍의 경사면(161)이 제1 방향을 따라 마주하는 경우를 도시하였다. 이 경우 제1 방향에 따른 플라즈마 배출구(12)의 폭은 제1 방향에 따른 본체(15)의 폭보다 작다. 도 4에서는 노즐부(16)를 구성하는 한 쌍의 경사면(161)이 제2 방향을 따라 마주하는 경우를 도시하였다. 이 경우 제2 방향에 따른 플라즈마 배출구(12)의 폭은 제2 방향에 따른 본체(15)의 폭보다 작다.
리모트 플라즈마는 전기장과 유동장의 영향을 받는데, 유전 지지체(10)가 전술한 노즐부(16)를 구비함으로써 플라즈마 분사 영역의 전기장을 집중시키고, 유속을 빠르게 할 수 있다. 따라서 본 실시예의 리모트 플라즈마 발생장치(100)는 처리 대상물(40)로 리모트 플라즈마를 집중시킬 수 있으며, 리모트 플라즈마 처리 효과를 높일 수 있다.
본 실시예의 리모트 플라즈마 발생장치(100)는 플렉서블(flexible) 표시 장치의 폴리머 기판을 표면 처리하는 공정과 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD) 공정에 유효하게 적용될 수 있다.
전술한 리모트 플라즈마 발생장치(100)는 축전 결합식으로서 특별한 정합 기술이 요구되지 않으며, 유전 지지체(10)의 크기에 따라 대용량 및 대면적 플라즈마 처리를 용이하게 할 수 있다. 또한, 수mTorr 내지 수Torr의 광범위한 운전 범위를 가지며, 노즐부(16)를 구성하는 경사면(161)의 경사 각도에 따라 전기장과 유속의 변화 정도를 조절하여 공정 변수를 용이하게 제어할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치의 사시도로서, 노즐부가 도면의 앞을 향하도록 배치된 상태를 도시하였다.
도 5를 참고하면, 제2 실시예의 리모트 플라즈마 발생장치(200)는 노즐부(16)가 네 개의 경사면(161, 162)으로 구성된 것을 제외하고 전술한 제1 실시예와 같은 구성으로 이루어진다. 제1 실시예와 같은 부재에 대해서는 같은 도면 부호를 사용한다.
유전 지지체(10)에서 한 쌍의 장변부(151)는 제1 방향을 따라 서로 마주하며, 한 쌍의 단변부(152)는 제2 방향을 따라 서로 마주한다. 노즐부(16)는 제1 방향을 따라 서로 마주하는 한 쌍의 제1 경사면(161)과, 제2 방향을 따라 서로 마주하는 한 쌍의 제2 경사면(162)으로 이루어진다. 따라서 제1 방향 및 제2 방향에 따른 플라즈마 배출구(12)의 폭은 각각 제1 방향 및 제2 방향에 따른 본체(15)의 폭보다 작다.
제2 실시예에서 노즐부(16)는 제1 방향과 제2 방향 모두에서 플라즈마 배출구(12)의 폭을 줄임에 따라, 제1 방향과 제2 방향 모두에서 전기장을 집중시키고, 유속을 빠르게 하여 처리 대상물을 향해 리모트 플라즈마를 보다 높은 밀도로 집중시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치의 측면도이다.
도 6을 참고하면, 제3 실시예의 리모트 플라즈마 발생장치(300)는 처리 대상물(40)을 이동시키는 복수의 이송 롤러(50)가 설치된 것을 제외하고 전술한 제1 실시예 또는 제2 실시예와 같은 구성으로 이루어진다. 도 6에서는 제1 실시예의 기본 구성을 도시하였으며, 제1 실시예와 같은 부재에 대해서는 같은 도면 부호를 사용한다.
복수의 이송 롤러(50)는 접지 전극(30)의 양측에 나누어 위치하며, 처리 대상물(40)을 한 방향으로 이동시킨다. 따라서 처리 대상물(40)은 복수의 이송 롤러(50)에 의해 이송되면서 플라즈마 배출구(12) 아래에 위치할 때 리모트 플라즈마를 제공받아 플라즈마 처리가 이루어진다.
처리 대상물(40)은 롤-투-롤(roll-to-roll) 이송이 가능한 필름 형태로 구성될 수 있으며, 제3 실시예의 리모트 플라즈마 발생장치(300)는 처리 대상물(40)의 플라즈마 처리를 연속으로 진행할 수 있다.
한편, 도 1 내지 도 6에서는 직사각 덕트 모양의 유전 지지체(10)를 예로 들어 도시하였으나, 도 7에 도시한 바와 같이 유전 지지체(10a)는 원통 모양으로 형성될 수도 있다.
도 7을 참고하면, 유전 지지체(10a)의 본체(153)는 원통 모양으로 형성되고, 노즐부(163)는 깔때기 모양으로 형성된다. 플라즈마 배출구(12)는 원형이며, 본체(153)보다 작은 직경으로 형성된다. 이때 구동 전극(20)은 본체(153)의 원주 방향을 따라 본체(153)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 도 7에 도시한 리모트 플라즈마 발생장치는 반도체 웨이퍼를 플라즈마 처리하는데 적합하다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치의 단면도이다.
도 8을 참고하면, 제4 실시예의 리모트 플라즈마 발생장치(400)는 접지 전극(30)이 처리 대상물(40)을 지지하는 제1 접지 전극(31)과, 유전 지지체(10)에 고정된 제2 접지 전극(32)으로 구성된 것을 제외하고 전술한 제1 실시예 내지 제3 실시예 중 어느 한 실시예와 같은 구성으로 이루어진다. 도 8에서는 제1 실시예의 기본 구성을 도시하였으며, 제1 실시예와 같은 부재에 대해서는 같은 도면 부호를 사용한다.
제2 접지 전극(32)은 유전 지지체(10)의 본체(15) 외벽과 접하며 폭 방향을 따라 유전 지지체(10)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 제2 접지 전극(32)은 구동 전극(20)과 노즐부(16) 사이에 위치하고, 구동 전극(20) 및 노즐부(16) 각각에 대해 일정한 거리를 유지한다.
제2 접지 전극(32)을 구비한 제4 실시예에서는 유전 지지체(10)의 내부에서 구동 전극(20)과 제2 접지 전극(32) 사이의 전위 차에 의해 플라즈마 방전이 일어난다. 따라서 제4 실시예의 구조에서는 전술한 제1 내지 제3 실시예들 대비 플라즈마 발생원이 처리 대상물(40)에서 보다 멀리 위치하며, 확대된 접지 전위를 타고 리모트 플라즈마가 보다 넓은 영역에 걸쳐 강하게 발생한다. 또한, 처리 대상물(40)에 대한 중성입자/라디칼의 영향을 강화시킬 수 있다.
도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 리모트 플라즈마 발생장치의 단면도이다.
도 9를 참고하면, 제5 실시예의 리모트 플라즈마 발생장치(500)는 챔버(60)가 노즐부(16)를 둘러싸도록 설치된 것을 제외하고 전술한 제1 실시예 내지 제4 실시예 중 어느 한 실시예와 같은 구성으로 이루어진다. 도 9에서는 제1 실시예의 기본 구성을 도시하였으며, 제1 실시예와 같은 부재에 대해서는 같은 도면 부호를 사용한다.
챔버(60)는 노즐부(16)를 둘러싸도록 유전 지지체(10)의 본체(15) 하단에 고정되고, 챔버(60) 내부에 처리 대상물(40)과 접지 전극(30)이 위치한다. 챔버(60) 내부는 도시하지 않은 진공 펌프와 연결되어 대기와 다른 압력 조건을 가질 수 있다. 챔버(60)는 접지 전극(30)과 마찬가지로 접지 전위에 연결되어 리모트 플라즈마를 보다 넓은 영역에 걸쳐 강하게 발생시키며, 처리 대상물(40)에 대한 중성입자/라디칼의 영향을 강화시킨다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
100, 200, 300, 400: 리모트 플라즈마 발생장치
10, 10a: 유전 지지체 11: 방전 가스 주입구
12: 플라즈마 배출구 15, 153: 본체
151: 장변부 152: 단변부
16, 163: 노즐부 161: 경사면, 제1 경사면
162: 제2 경사면 20: 구동 전극
30: 접지 전극 50: 이송 롤러
60: 챔버

Claims (9)

  1. 방전 가스 주입구와 연결된 본체 및 플라즈마 배출구와 연결된 노즐부를 구비하는 유전 지지체;
    상기 본체에 고정되고, 전원부로부터 교류 전압을 인가받아 상기 본체의 내부 공간에 플라즈마를 생성하는 구동 전극; 및
    상기 노즐부의 외측에서 처리 대상물을 지지하는 접지 전극
    을 포함하며,
    상기 노즐부는 상기 본체와 일체로 연결된 경사면을 포함하고, 상기 플라즈마 배출구의 폭을 상기 본체의 폭보다 작게 하여 상기 처리 대상물로 리모트 플라즈마를 집중시키는 리모트 플라즈마 발생장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 본체는 제1 방향을 따라 서로 마주하는 한 쌍의 장변부와, 제2 방향을 따라 서로 마주하는 한 쌍의 단변부를 포함하는 리모트 플라즈마 발생장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 경사면은 상기 제1 방향과 상기 제2 방향 중 어느 한 방향을 따라 서로 마주하는 한 쌍의 경사면으로 이루어지는 리모트 플라즈마 발생장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 경사면은 상기 제1 방향을 따라 서로 마주하는 한 쌍의 제1 경사면과, 상기 제2 방향을 따라 서로 마주하는 한 쌍의 제2 경사면으로 이루어지는 리모트 플라즈마 발생장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 본체는 원통 모양으로 형성되고,
    상기 노즐부는 깔때기 모양으로 형성되어 상기 플라즈마 배출구가 상기 본체보다 작은 직경을 가지는 리모트 플라즈마 발생장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접지 전극의 양측에 위치하는 복수의 이송 롤러를 더 포함하며,
    상기 복수의 이송 롤러는 리모트 플라즈마 처리 과정에서 상기 처리 대상물을 한 방향으로 이동시키는 리모트 플라즈마 발생장치.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접지 전극은 상기 처리 대상물을 지지하는 제1 접지 전극과, 상기 유전 지지체에 고정된 제2 접지 전극을 포함하는 리모트 플라즈마 발생장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 접지 전극은 상기 본체의 외벽과 접하며 상기 구동 전극과 상기 노즐부 사이에 위치하는 리모트 플라즈마 발생장치.
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노즐부를 둘러싸며 상기 본체에 고정된 챔버를 더 포함하며,
    상기 챔버는 접지 전위에 연결된 리모트 플라즈마 발생장치.
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