KR20140096654A - Light emitting device - Google Patents

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KR20140096654A
KR20140096654A KR1020130009472A KR20130009472A KR20140096654A KR 20140096654 A KR20140096654 A KR 20140096654A KR 1020130009472 A KR1020130009472 A KR 1020130009472A KR 20130009472 A KR20130009472 A KR 20130009472A KR 20140096654 A KR20140096654 A KR 20140096654A
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Inventor
나민규
홍기석
범희영
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

According to an embodiment of the present invention, a light emitting device includes a substrate which forms a plurality of reflection surfaces, which are connected to each other, on a lower part thereof; a light emitting structure which is arranged on the substrate and includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer, which is arranged between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; and a reflection layer which is arranged under the reflection surfaces and includes a plurality of dielectric layers. Two of the reflection surfaces, which are connected to each other, form a first angle of inclination. Two upper surfaces of the dielectric layers, which are connected to each other, form a second angle of inclination.

Description

발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지{Light emitting device}LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE CONTAINING THE SAME

실시예는 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지에 관한 것이다.
An embodiment relates to a light emitting device and a light emitting device package including the same.

발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 광의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모컨, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고 있으며, 점차 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.Light Emitting Diode (LED) is a device that converts electrical signals into light by using the characteristics of compound semiconductors. It is widely used in household appliances, remote control, electric signboard, display, and various automation devices. There is a trend.

발광소자는 순방향전압 인가시 n층의 전자(electron)와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 LED가 되는 것이다.When a forward voltage is applied to the light emitting device, electrons in the n-layer and holes in the p-layer are coupled to emit energy corresponding to the energy gap between the conduction band and the valance band. It is mainly emitted in the form of heat or light, and when emitted in the form of light, it becomes an LED.

질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.Nitride semiconductors have attracted great interest in the development of optical devices and high output electronic devices due to their high thermal stability and wide band gap energy. Particularly, blue light emitting devices, green light emitting devices, ultraviolet (UV) light emitting devices, and the like using nitride semiconductors have been commercialized and widely used.

발광소자는 반도체층에서 발생한 광을 얼마만큼 효율적으로 외부로 방출하느냐가 중요한 이슈이다. 따라서, 발광소자 내부에서 발생된 광에너지가 열에너지로 변환되지 않고, 외부로 방출되기 위한 광학적인 고려가 필요하다.It is an important issue to efficiently emit light emitted from the semiconductor layer to the outside. Therefore, it is necessary to take optical considerations for the light energy generated in the light emitting element to be emitted to the outside without being converted into thermal energy.

발광소자 패키지는 발광소자를 기판 상에 제작하고, 절단(sawing)공정인 다이 분리(dieseparation)를 통해 발광소자 칩을 분리한 후, 발광소자 칩을 패키지 몸체(package body)에 다이 본딩(diebonding)하고 와이어 본딩(wire bonding), 몰딩(molding)을 진행 후 테스트를 진행할 수 있다.
The light emitting device package is manufactured by manufacturing a light emitting device on a substrate, separating the light emitting device chip through dieseparation, which is a sawing process, and then diebonding the light emitting device chip to a package body. Wire bonding and molding can be performed, and the test can proceed.

본 발명의 실시예는 기판의 하부에 광을 반사시킬 수 있는 부재를 추가하여, 광추출효율을 향상시킨 발광소자를 제공한다.
An embodiment of the present invention provides a light emitting device with improved light extraction efficiency by adding a member capable of reflecting light to a lower portion of a substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자는 하부에 서로 연결되는 복수개의 반사면을 형성하는 기판; 기판 상에 배치되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조물; 및 복수개의 반사면의 하부에 배치되며, 복수개의 유전체층을 포함하는 반사층;을 포함하고, 복수개의 반사면 중 서로 연결되는 두 개의 반사면은 제1 경사각을 이루고 복수개의 유전체층은 서로 연결되는 두 개의 상면이 제2 경사각을 이룬다.
According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device including: a substrate having a plurality of reflective surfaces connected to each other at a lower portion thereof; A light emitting structure disposed on the substrate and including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; And a reflective layer disposed below the plurality of reflective surfaces and including a plurality of dielectric layers, wherein the two reflective surfaces connected to each other of the plurality of reflective surfaces have a first inclination angle and the plurality of dielectric layers are connected to each other with two The upper surface has a second inclination angle.

본 발명의 여러 실시예의 발광소자 및 발광소자 패키지는 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다.The light emitting device and the light emitting device package of the various embodiments of the present invention have one or more of the following effects.

일 실시예에 따른 발광소자는 기판 하부에 반사층을 포함하여, 기판 하부에서 흡수되어 손실되는 광을 외부로 방출시켜, 광추출효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting device according to an exemplary embodiment includes a reflective layer under the substrate to emit light that is absorbed and lost at the bottom of the substrate to the outside, thereby improving light extraction efficiency.

일 실시예에 따른 발광소자는 기판 하부에 유전체층을 포함하는 반사층과 금속층을 적층하여, 여러가지 성분의 광에 대한 반사효율을 극대화할 수 있다. The light emitting device according to one embodiment can maximize reflection efficiency for various components of light by stacking a reflective layer including a dielectric layer and a metal layer below the substrate.

일 실시예에 따른 발광소자는 유전체층을 복수개 적층하여 수직으로 입사되는 광의 반사율을 극대화할 수 있다.The light emitting device according to one embodiment can stack a plurality of dielectric layers to maximize the reflectance of light incident vertically.

일 실시예에 따른 발광소자는 기판의 하부에 경사각을 형성하는 복수개의 반사면을 형성하여, 최대한 전반사를 유도하여, 빛이 열에너지로 변환되는 정도를 최소화할 수 있다.
The light emitting device according to one embodiment may form a plurality of reflection surfaces that form an inclination angle at a lower portion of the substrate to induce the total reflection to minimize the degree of conversion of light into heat energy.

도 1 은 일 실시예에 따른 발광소자의 단면을 나타낸 단면도,
도 2 는 도 1 에 도시된 A 부분을 확대한 확대도,
도 3 및 도 4 는 일 실시예에 따른 발광소자의 단면을 나타낸 단면도,
도 5a 및 도 5b 는 일 실시예에 다른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지의 사시도 및 단면도,
도 6a 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도,
도 6b 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 단면도,
도 7 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함한 액정표시장치를 나타낸 개념도,
도 8 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함한 액정표시장치를 나타낸 개념도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment,
Fig. 2 is an enlarged view of the portion A shown in Fig. 1,
FIGS. 3 and 4 are cross-sectional views illustrating a light emitting device according to an embodiment,
5A and 5B are a perspective view and a cross-sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment,
6A is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment,
FIG. 6B is a cross-sectional view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment,
7 is a conceptual view illustrating a liquid crystal display device including a light emitting device package according to an embodiment,
8 is a conceptual view illustrating a liquid crystal display device including a light emitting device package according to an embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The elements can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.

또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angle and direction mentioned in the description of the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.

이하에서는 도면을 참조하여 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.

도 1 은 실시예에 따른 발광소자(100)의 단면을 나타낸 단면도이고, 도 2 는 도 1 의 A 부분을 확대한 확대도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view showing a cross section of a light emitting device 100 according to an embodiment, and FIG. 2 is an enlarged view of a portion A in FIG.

도 1 및 도 2 를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광소자(100)는 하부에 서로 연결되는 복수개의 반사면을 형성하는 기판(110), 기판(110) 상에 배치되고, 제1 반도체층(132), 제2 반도체층(136) 및 제1 반도체층(132)과 제2 반도체층(136) 사이에 배치되는 활성층(134)을 포함하는 발광구조물(130), 복수개의 반사면(112)의 하부에 배치되며, 복수개의 유전체층을 포함하는 반사층(120)을 포함하고, 복수개의 반사면 중 서로 연결되는 두 개의 반사면은 제1 경사각을 이루고 복수개의 유전체층은 서로 연결되는 두 개의 상면이 제2 경사각을 이룰 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, a light emitting device 100 according to an embodiment includes a substrate 110 forming a plurality of reflection surfaces connected to each other at a lower portion thereof, A light emitting structure 130 including a first semiconductor layer 132, a second semiconductor layer 136 and an active layer 134 disposed between the first semiconductor layer 132 and the second semiconductor layer 136; And a reflective layer 120 including a plurality of dielectric layers, wherein the two reflective surfaces connected to each other of the plurality of reflective surfaces have a first inclination angle and the plurality of dielectric layers have two upper surfaces connected to each other, A second inclination angle can be obtained.

기판(110)은 제1 반도체층(132) 하부에 배치될 수 있다. 기판(110)은 제1 반도체층(132)을 지지할 수 있다. 기판(110)은 제1 반도체층(132)에서 열을 전달받을 수 있다. 기판(110)은 광 투과적 성질을 가질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 사파이어(Al2O3)를 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 기판(110)은 광 투과적 물질을 사용하거나, 일정두께 이하로 형성하는 경우 광 투과적 성질을 가질 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 기판(110)의 굴절율은 광 추출 효율을 위해 제1 반도체층(132)의 굴절율보다 작은 것이 바람직하나, 이에 한정하지 아니한다.The substrate 110 may be disposed under the first semiconductor layer 132. The substrate 110 may support the first semiconductor layer 132. The substrate 110 may receive heat from the first semiconductor layer 132. The substrate 110 may have optically transmissive properties. For example, the substrate 110 may include, but is not limited to, sapphire (Al2O3). The substrate 110 may have a light transmitting property when it is formed using a light transmitting material or a material having a certain thickness or less, but the present invention is not limited thereto. The refractive index of the substrate 110 is preferably smaller than the refractive index of the first semiconductor layer 132 for the purpose of light extraction efficiency, but is not limited thereto.

기판(110)은 실시예에 따라 반도체 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 규소(Si), 게르마늄(Ge), 비소화갈륨(GaAs), 산화아연(ZnO), 실리콘카바이드(SiC), 실리콘게르마늄(SiGe), 질화갈륨(GaN), 갈륨(Ⅲ)옥사이드(Ga2O3)와 같은 캐리어 웨이퍼로 구현될 수 있다.The substrate 110 may be formed of a semiconductor material, for example, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, It can be implemented with a carrier wafer such as a silicon germanium (SiGe), gallium nitride (GaN), gallium (ⅲ) oxide (Ga 2 O 3).

기판(110)은 전도성 물질로 형성될 수 있다. 실시예에 따라서 금속으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 금(Au), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 은(Ag), 백금(Pt), 크롬(Cr)중에서 선택된 어느 하나로 형성하거나 둘 이상의 합금으로 형성할 수 있으며, 위 물질 중 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다. 기판(110)이 금속으로 형성된 경우 발광 소자에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 발광 소자의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.The substrate 110 may be formed of a conductive material. (Au), nickel (Ni), tungsten (W), molybdenum (Mo), copper (Cu), aluminum (Al), tantalum (Ag), platinum (Pt), and chromium (Cr), or may be formed of two or more alloys, and two or more of the above materials may be laminated. When the substrate 110 is formed of a metal, it is possible to facilitate the emission of heat generated from the light emitting device, thereby improving the thermal stability of the light emitting device.

기판(110)은 광 추출 효율을 높이기 위해서, 상면에 PSS(Patterned Substrate) 구조를 구비할 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 기판(110)은 발광소자(100)에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 발광소자(100)의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다. 기판(110)은 제1 반도체층(132)과 격자상수의 차이가 존재하여 제1 반도체층(132)과의 사이에 격자상수 차이를 완화시키는 층을 구비할 수 있다.The substrate 110 may have a PSS (Patterned Substrate) structure on its upper surface in order to enhance light extraction efficiency, but the present invention is not limited thereto. The substrate 110 facilitates the emission of heat generated in the light emitting device 100, thereby improving the thermal stability of the light emitting device 100. The substrate 110 may have a layer which mitigates the difference in lattice constant between the first semiconductor layer 132 and the first semiconductor layer 132 due to a difference in lattice constant.

기판(110)은 하면에 경사각을 형성하는 복수개의 반사면(112)을 형성할 수 있다. 반사면(112)은 평면에 가까울 수 있다. 반사면(112)은 복수개가 서로 연결될 수 있다. 하부에서 바라보았을 때, 반사면(112)은 직사각형형태일 수 있으나, 그 형태에 한정하지 아니한다. 일 실시예의 경우, 기판(110)은 직사각형 형태의 복수개의 반사면(112)이 서로 연결된 형태의 하면을 가질 수 있다.The substrate 110 may have a plurality of reflecting surfaces 112 forming a tilt angle on the bottom surface thereof. The reflecting surface 112 may be close to a plane. A plurality of reflecting surfaces 112 may be connected to each other. When viewed from the bottom, the reflecting surface 112 may be rectangular, but is not limited to that shape. In one embodiment, the substrate 110 may have a bottom surface in which a plurality of reflective surfaces 112 in a rectangular shape are connected to each other.

복수개의 반사면(112) 중 서로 연결되는 두 개의 반사면은 경사각을 이룰 수 있다. 복수개의 반사면(112) 중 서로 연결되는 두 개의 반사면은 60 내지 160 도의 경사각을 형성할 수 있다.The two reflecting surfaces connected to each other among the plurality of reflecting surfaces 112 may be inclined. The two reflection surfaces connected to each other among the plurality of reflection surfaces 112 may form an inclination angle of 60 to 160 degrees.

복수개의 반사면(112) 중 서로 연결되는 두 개의 반사면은 경사각(a)을 이루어, 발광구조물(130)에서 방출된 빛을 기판(110)의 측면 방향으로 반사시킬 수 있다.The two reflecting surfaces connected to each other among the plurality of reflecting surfaces 112 may have an inclination angle a so that the light emitted from the light emitting structure 130 may be reflected in the lateral direction of the substrate 110.

복수개의 반사면(112) 중 서로 연결되는 두 개의 반사면이 이루는 경사각(a)이 60도 미만인 경우, 기판(110)의 하면이 너무 뾰족한 요철을 형성하게 되어, 외부의 충격으로부터 과도하게 취약해질 수 있고, 발광구조물(130)에서 발생된 빛에 대한 전반사율이 낮아질 수 있다. 복수개의 반사면(112) 중 서로 연결되는 두 개의 반사면이 이루는 경사각이 160 도 초과인 경우, 복수개의 반사면(112)이 거의 평면에 가까워지게 되어, 기판(110)의 측면으로 광을 반사시켜, 광추출효율을 극대화하려는 본 발명의 효과가 거의 발휘되지 못할 수 있다.When the inclination angle a formed by the two reflecting surfaces connected to each other among the plurality of reflecting surfaces 112 is less than 60 degrees, the lower surface of the substrate 110 forms a too sharp irregularity and becomes excessively vulnerable to external impact And the total reflectance with respect to the light generated in the light emitting structure 130 can be lowered. When the inclination angle formed by the two reflective surfaces connected to each other among the plurality of reflective surfaces 112 is greater than 160 degrees, the plurality of reflective surfaces 112 are almost planar, and light is reflected to the side surface of the substrate 110 So that the effect of the present invention for maximizing the light extraction efficiency can hardly be exhibited.

제1 반도체층(132)은 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 제1 반도체층(132)은 기판(110)과의 격자상수 차이를 정합시키기 위해 버퍼층(미도시) 상에 배치될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 제1 반도체층(132)은 기판(110) 상에서 성장될 수 있으나, 수평형 발광소자에만 한정되는 것은 아니며 수직형 발광소자에도 적용될 수 있다. The first semiconductor layer 132 may be disposed on the substrate 110. The first semiconductor layer 132 may be disposed on a buffer layer (not shown) to match the lattice constant difference with the substrate 110, but is not limited thereto. Although the first semiconductor layer 132 may be grown on the substrate 110, the first semiconductor layer 132 is not limited to a horizontal type light emitting device and may be applied to a vertical type light emitting device.

제1 반도체층(132)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 발광소자(100)가 파란색 파장의 빛을 발광하는 경우, 상기 n형 반도체층은 예컨데, InxAlyGa1-x-yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있다. 제1 반도체층(132)은 예를 들어, 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 텔루늄(Te)와 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 132 may be formed of an n-type semiconductor layer. For example, when the light emitting device 100 emits blue light, the n-type semiconductor layer may be formed of, for example, In x Al y Ga 1-xy N (0 = x = 1, 0 = y = (AlN), AlGaN (Indium Gallium Nitride), InGaN (Indium Gallium Nitride), InN (Indium Nitride), InAlGaN , AlInN, and the like. The first semiconductor layer 132 may be doped with an n-type dopant such as, for example, silicon (Si), germanium (Ge), tin (Sn), selenium (Se) or tellurium (Te).

제1 반도체층(132)은 외부에서 전원을 공급받을 수 있다. 제1 반도체층(132)은 활성층(134)에 전자를 제공할 수 있다.The first semiconductor layer 132 may be supplied with power from the outside. The first semiconductor layer 132 may provide electrons to the active layer 134.

활성층(134)은 제1 반도체층(132) 상에 배치될 수 있다. 활성층(134)은 제2 반도체층(136)과 제1 반도체층(132)의 사이에 배치될 수 있다. The active layer 134 may be disposed on the first semiconductor layer 132. The active layer 134 may be disposed between the second semiconductor layer 136 and the first semiconductor layer 132.

활성층(134)은 반도체 물질로 형성될 수 있다. 활성층(134)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 우물 구조 등으로 형성될 수 있다. 활성층(134)은 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 활성층(134)은 갈륨나이트라이드(GaN), 인듐갈륨나이트라이드(InGaN), 및 인듐갈륨나이트라이드(InAlGaN) 등을 포함할 수 있다. The active layer 134 may be formed of a semiconductor material. The active layer 134 may be formed of a single or multi-well structure or the like using a compound semiconductor material of Group 3-V group elements. The active layer 134 may be formed of a nitride semiconductor. For example, the active layer 134 may include gallium nitride (GaN), indium gallium nitride (InGaN), and indium gallium nitride (InAlGaN).

활성층(134)은 파란색 빛을 발광하는 경우, 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 우물층(미도시)과 InaAlbGa1 -a- bN (0=a=1, 0=b=1, 0=a+b=1)의 조성식을 갖는 장벽층(미도시)을 갖는 단일 또는 다중 우물구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다. 상기 우물층(미도시)은 상기 장벽층(미도시)의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.When the active layer 134 emits blue light, for example, the active layer 134 has a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + having a well layer (not shown), and in a Al b Ga 1 -a- b N (0 = a = 1, 0 = b = 1, 0 = a + b = 1) when the barrier layer (not shown having a composition formula of ), But is not limited thereto. The well layer (not shown) may be formed of a material having a band gap smaller than the band gap of the barrier layer (not shown).

활성층(134)은 복수의 우물층(미도시)과 장벽층(미도시)이 교대로 적층되어 형성될 수 있다. 활성층(134)은 복수의 우물층(미도시)을 포함하여 광효율을 극대화할 수 있다.The active layer 134 may be formed by alternately stacking a plurality of well layers (not shown) and a barrier layer (not shown). The active layer 134 may include a plurality of well layers (not shown) to maximize optical efficiency.

우물층(미도시)은 장벽층(미도시)보다 에너지 밴드갭이 작을 수 있다. 우물층(미도시)은 제1 반도체층(132)보다 에너지 밴드갭이 작을 수 있다. 우물층(미도시)은 캐리어의 에너지 준위가 연속적일 수 있다. The well layer (not shown) may have a smaller energy bandgap than the barrier layer (not shown). The well layer (not shown) may have a smaller energy bandgap than the first semiconductor layer 132. The well layer (not shown) may have a continuous energy level of the carrier.

제2 반도체층(136)은 활성층(134) 상에 형성될 수 있다. 제2 반도체층(136)은 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 발광소자가 파란색의 파장의 빛을 발광하는 경우, 제2 반도체층(136)은 InxAlyGa1 -x- yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 136 may be formed on the active layer 134. The second semiconductor layer 136 may be formed of a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant. When the light emitting device emits light of a blue wavelength, the second semiconductor layer 136 is formed of In x Al y Ga 1 -x- y N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y (AlN), AlGaN (Indium Gallium Nitride), InGaN (indium gallium nitride), InN (indium nitride), InAlGaN, and AlInN And a p-type dopant such as magnesium (Mg), zinc (Zn), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba) or the like can be doped.

제1 반도체층(132), 활성층(134) 및 제2 반도체층(136)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first semiconductor layer 132, the active layer 134 and the second semiconductor layer 136 may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a plasma May be formed by a method such as chemical vapor deposition (PECVD), molecular beam epitaxy (MBE), or hydride vapor phase epitaxy (HVPE) It is not limited.

제1 반도체층(132) 및 제2 반도체층(136) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. The doping concentration of the conductive dopant in the first semiconductor layer 132 and the second semiconductor layer 136 may be uniform or non-uniform, but is not limited thereto.

발광소자(100)가 수평형 발광다이오드인 경우, 제1 전극(미도시)은 제1 반도체층(132)의 일 영역에 배치될 수 있다. 제1 전극(미도시)은 제1 반도체층(132)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(미도시)은 외부에서 연결된 전원을 제1 반도체층(132)에 전달할 수 있다.When the light emitting device 100 is a horizontal type light emitting diode, a first electrode (not shown) may be disposed in one region of the first semiconductor layer 132. The first electrode (not shown) may be electrically connected to the first semiconductor layer 132. The first electrode (not shown) may transmit an external power source to the first semiconductor layer 132.

제2 전극(미도시)은 제2 반도체층(136)의 일 영역에 배치될 수 있다. 제2 전극(미도시)은 제2 반도체층(136)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(미도시)은 외부에서 제공되는 전원을 제2 반도체층(136)에 제공할 수 있다.A second electrode (not shown) may be disposed in one region of the second semiconductor layer 136. The second electrode (not shown) may be electrically connected to the second semiconductor layer 136. The second electrode (not shown) may provide an external power supply to the second semiconductor layer 136.

제1 전극(미도시) 및 제2 전극(미도시)은 전도성 물질 예를 들어, 인듐(In), 코발트(Co), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 레늄(Re), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 나이오븀(Nb), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 및 티타늄 텅스텐 합금(WTi) 중에서 선택된 금속 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.The first electrode (not shown) and the second electrode (not shown) may be formed of a conductive material such as indium (In), cobalt (Co), silicon (Si), germanium (Ge), gold (Au), palladium ), Platinum (Pt), ruthenium (Ru), rhenium (Re), magnesium (Mg), zinc (Zn), hafnium (Hf), tantalum (Ta), rhodium (Ti), Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, and WTi, Or a multi-layered structure using a metal or an alloy selected from the group consisting of a metal, a metal, and an alloy.

반사층(120)은 기판(110)의 하측에 배치될 수 있다. 반사층(120)은 복수개의 서로 다른 유전체층(122, 124, 126, 128)을 포함할 수 있다. 반사층(120)은 쌍으로 적층되는 제1 유전체층(122, 126) 및 제2 유전체층(124, 128)을 포함할 수 있다. 반사층(120)은 복수개의 서로 연결된 상면이 제1 경사각을 이룰 수 있다.The reflective layer 120 may be disposed on the lower side of the substrate 110. The reflective layer 120 may include a plurality of different dielectric layers 122, 124, 126, and 128. The reflective layer 120 may include a first dielectric layer 122, 126 and a second dielectric layer 124, 128 stacked in pairs. The reflective layer 120 may have a plurality of mutually connected upper surfaces at a first inclination angle.

반사층(120)은 1 쌍 내지 50 쌍의 제1 유전체층(122, 126) 및 제2 유전체층(124, 128)을 포함할 수 있다. 반사층(120)은 제1 유전체층(122, 126) 및 제2 유전체층(124, 128)이 50쌍 이상이 되는 경우, 발광소자(100)의 부피가 과도하게 커지고, 외부의 충격에 취약해질 수 있다.The reflective layer 120 may include one to fifty pairs of first dielectric layers 122 and 126 and second dielectric layers 124 and 128. When the number of the first dielectric layers 122 and 126 and the number of the second dielectric layers 124 and 128 is 50 or more, the reflective layer 120 may be excessively bulky and vulnerable to external impacts .

제1 유전체층(122, 126)은 산화규소(SiO2)를 포함할 수 있다. 제2 유전체층(124, 128)은 산화티타늄(TiO2) 또는 산화탄탈륨(Ta2O5)을 포함할 수 있다. 복수개의 유전체층은 상면의 복수개의 면들이 제2 경사각을 이룰 수 있다.제1 경사각과 제2 경사각은 서로 같거나 다를 수 있으며, 그에 한정하지 아니한다.
The first dielectric layers 122 and 126 may comprise silicon oxide (SiO2). The second dielectric layer 124, 128 may comprise titanium oxide (TiO2) or tantalum oxide (Ta2O5). The first inclination angle and the second inclination angle may be the same or different from each other, but the present invention is not limited thereto.

반사층(120)은 입사각이 수직에 가까울수록 입사각이 큰 것을 확인할 수 있다. 반사층(120)은 적층되는 제1 유전체층(122, 126) 및 제2 유전체층(124, 128)의 쌍의 개수가 높아질수록 반사율이 높아질 수 있다.It can be seen that the angle of incidence of the reflective layer 120 increases as the incident angle approaches the vertical. The reflectance of the reflective layer 120 may be increased as the number of the first dielectric layers 122 and 126 and the second dielectric layers 124 and 128 is increased.

반사층(120)은 두께가 50 nm 내지 5㎛일 수 있다. 반사층(120)은 두께가 50 nm 미만인 경우, 유전체를 이용하여 반사율을 높이는 특성상 투과되는 광이 많아져, 반사율이 너무 작아질 수 있고, 반사층(120)은 두께가 5㎛초과인 경우, 너무 두꺼워져, 발광소자(100)가 외부의 충격에 취약해지는 단점이 발생할 수 있다.The reflective layer 120 may have a thickness of 50 nm to 5 占 퐉. When the thickness of the reflective layer 120 is less than 50 nm, the reflectance of the reflective layer 120 may be excessively small because of the characteristic of increasing the reflectivity using the dielectric, The light emitting device 100 may be vulnerable to external impact.

도 3 및 도 4 는 일 실시예에 따른 발광소자(100)의 단면을 나타낸 단면도이다.3 and 4 are cross-sectional views illustrating a cross-section of the light emitting device 100 according to one embodiment.

도 3 을 참조하면, 일 실시예에 따른 발광소자(100)는 반사층(120)의 하부에 배치되며, 금속물질을 포함하는 금속층(140)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the light emitting device 100 according to one embodiment may further include a metal layer 140 disposed under the reflection layer 120 and including a metal material.

금속층(140)은 금속물질을 포함할 수 있다 금속층(140)은 복수개의 금속물질을 포함할 수 있다. 금속층(140)은 서로 다른 금속물질을 포함할 수 있다. 금속층(140)은 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 은-구리 합금(AgCu)을 포함할 수 있다.The metal layer 140 may include a metal material. The metal layer 140 may include a plurality of metal materials. The metal layer 140 may include different metal materials. The metal layer 140 may include silver (Ag), aluminum (Al), or a silver-copper alloy (AgCu).

금속층(140)은 발광구조물(130)에서 방출된 빛을 반사시킬 수 있다. 금속층(140)은 입사각이 큰 광의 경우에는 반사층(124)보다 반사율이 높을 수 있다. 금속층(140)은 광의 입사각에 관계없이 큰 반사율을 가질 수 있고, 반사층(124)은 입사각이 작은 광에 대한 반사율이 높기 때문에, 두 개의 층을 수직적으로 중첩하도록 배치하여, 발광소자(100)의 광추출효율은 극대화될 수 있다.The metal layer 140 may reflect light emitted from the light emitting structure 130. The reflectance of the metal layer 140 may be higher than that of the reflective layer 124 in the case of light having a large incident angle. The metal layer 140 can have a large reflectance regardless of the angle of incidence of light and the reflective layer 124 has a high reflectivity with respect to light having a small incident angle so that the two layers are vertically stacked, The light extraction efficiency can be maximized.

금속층(140)은 두께가 1nm 내지 1㎛ 일 수 있다. 금속층(140)은 두께가 1nm 미만인 경우, 너무 얇아져, 광투과율이 높아질 수 있고, 입사각이 큰 광에 대한 반사율이 떨어져서, 발광소자(100)의 광추출효율이 떨어질 수 있고, 금속층(140)은 두께가 1㎛ 초과인 경우, 열로 인한 팽창 및 수축효과로 인하여, 발광소자(100)가 열로 인하여 발생하는 문제에 취약해질 수 있다.The metal layer 140 may have a thickness of 1 nm to 1 占 퐉. When the thickness of the metal layer 140 is less than 1 nm, the light transmittance may become too high, and the reflectance of the metal layer 140 may decrease with respect to light having a large incident angle, If the thickness exceeds 1 占 퐉, the light emitting device 100 may be vulnerable to the problem caused by heat due to heat expansion and contraction effects.

다른 실시예의 경우, 금속층(140)은 서로 적층되는 복수개의 층을 포함할 있다. 금속층(140)은 금속물질을 포함할 수 있다 금속층(140)은 복수개의 금속물질을 포함할 수 있다. 금속층(140)은 서로 다른 금속물질을 포함할 수 있다. 금속층(140)은 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 은-구리 합금(AgCu)을 포함할 수 있다.In another embodiment, the metal layer 140 comprises a plurality of layers stacked together. The metal layer 140 may include a metal material. The metal layer 140 may include a plurality of metal materials. The metal layer 140 may include different metal materials. The metal layer 140 may include silver (Ag), aluminum (Al), or a silver-copper alloy (AgCu).

금속층(140)은 포함하는 복수개의 층 중 어느 하나는 은(Ag)을 포함하고, 다른 하나는 은-구리 합금(AgCu)을 포함할 수 있다. 다른 실시예의 경우, 금속층(140)은 포함하는 복수개의 층 중 어느 하나는 알루미늄(Al)을 포함하고, 다른 하나는 은-구리 합금(AgCu)을 포함할 수 있으나, 그 물질에 한정하지 아니한다.The metal layer 140 may include one of a plurality of layers including silver (Ag), and the other layer may include a silver-copper alloy (AgCu). In another embodiment, the metal layer 140 may include any one of a plurality of layers including aluminum (Al), and the other one may include a silver-copper alloy (AgCu), but the material is not limited thereto.

금속층(140)은 반사층(120)의 하부에 배치될 수 있다. 금속층(140)은 반사층(120) 하면의 형태에 따라서, 그 형태가 달라질 수 있다.The metal layer 140 may be disposed under the reflective layer 120. The shape of the metal layer 140 may vary depending on the shape of the lower surface of the reflective layer 120.

예를 들어, 반사층(120)이 상면과 하면의 형태가 동일한 경우, 금속층(140)은 반사층(120)의 하면에 따라서, 굴곡있는 형상일 수 있다.For example, when the top and bottom surfaces of the reflective layer 120 have the same shape, the metal layer 140 may have a curved shape along the lower surface of the reflective layer 120.

도 4 를 참조하면, 금속층(140)은 평평한 형태일 수 있다.Referring to FIG. 4, the metal layer 140 may be in a flat shape.

예를 들어, 반사층(120)을 하면이 평평하도록 형성된 경우, 금속층(140)은 상면이 평평할 수 있다. For example, when the bottom surface of the reflective layer 120 is formed to be flat, the top surface of the metal layer 140 may be flat.

금속층(140)은 입사되는 광의 입사각에 무관하게 반사도가 높을 수 있다. 금속층(140)은 상면이 평평하게 형성되는 경우, 반사층(120)을 통과하여 도달한 빛을 그 입사각에 무관하게, 다시 상부로 반사시킬 수 있다.The metal layer 140 may have high reflectivity irrespective of the incident angle of incident light. When the upper surface of the metal layer 140 is formed flat, light reaching through the reflective layer 120 can be reflected to the upper portion regardless of the incident angle.

도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지(300)를 나타낸 사시도이며, 도 5b는 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지(300)의 단면을 도시한 단면도이다.5A is a perspective view illustrating a light emitting device package 300 according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package 300 according to another exemplary embodiment.

도 5a 및 도 5b 를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(300)는 캐비티가 형성된 몸체(310), 몸체(310)에 실장된 제1 및 제2 전극(340, 350) 제1 및 제2 전극과 전기적으로 연결되는 발광소자(320) 및 캐비티에 형성되는 봉지재(330)를 포함할 수 있고, 봉지재(330)는 형광체(미도시)를 포함할 수 있다.5A and 5B, the light emitting device package 300 according to the embodiment includes a body 310 having a cavity, first and second electrodes 340 and 350 mounted on the body 310, A light emitting device 320 electrically connected to the two electrodes, and an encapsulant 330 formed in the cavity. The encapsulant 330 may include a phosphor (not shown).

몸체(310)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 세라믹 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(310)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 310 is made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), liquid crystal polymer (PSG), polyamide 9T ), new geo-isotactic polystyrene (SPS), metal materials, sapphire (Al 2 O 3), beryllium oxide (BeO), is a printed circuit board (PCB, printed circuit board), it may be formed of at least one of ceramic. The body 310 may be formed by injection molding, etching, or the like, but is not limited thereto.

몸체(310)의 내측면은 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(320)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. The inner surface of the body 310 may be formed with an inclined surface. The reflection angle of the light emitted from the light emitting device 320 can be changed according to the angle of the inclined surface, and thus the directivity angle of the light emitted to the outside can be adjusted.

몸체(310)에 형성되는 캐비티를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 특히 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The shape of the cavity formed in the body 310 may be circular, square, polygonal, elliptical, or the like, and may have a curved shape, but the present invention is not limited thereto.

봉지재(330)는 캐비티에 충진될 수 있으며, 형광체(미도시)를 포함할 수 있다. 봉지재(330)는 투명한 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있다. 봉지재(330)는 캐비티 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다. The encapsulant 330 may be filled in the cavity and may include a phosphor (not shown). The encapsulant 330 may be formed of transparent silicone, epoxy, and other resin materials. The encapsulant 330 may be formed in such a manner that the encapsulant 330 is filled in the cavity and then cured by ultraviolet rays or heat.

형광체(미도시)는 발광소자(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자 패키지(300)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.The phosphor (not shown) may be selected according to the wavelength of the light emitted from the light emitting device 320, so that the light emitting device package 300 can realize white light.

봉지재(330)에 포함되어 있는 형광체(미도시)는 발광소자(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다. The fluorescent material (not shown) included in the encapsulant 330 may be a blue light emitting phosphor, a blue light emitting fluorescent material, a green light emitting fluorescent material, a yellow green light emitting fluorescent material, a yellow light emitting fluorescent material, Fluorescent material, orange light-emitting fluorescent material, and red light-emitting fluorescent material may be applied.

형광체(미도시)는 발광소자(320)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(320)가 청색 발광 다이오드이고 형광체(미도시)가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(300)는 백색 빛을 제공할 수 있다. The phosphor (not shown) may be excited by the light having the first light emitted from the light emitting device 320 to generate the second light. For example, when the light emitting element 320 is a blue light emitting diode and the phosphor (not shown) is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to emit yellow light, As the yellow light generated by excitation by blue light is mixed, the light emitting device package 300 can provide white light.

발광소자(320)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체(미도시)를 혼용하는 경우, 발광소자(320)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.When the light emitting element 320 is a green light emitting diode, the magenta phosphor or the blue and red phosphors (not shown) are mixed. When the light emitting element 320 is a red light emitting diode, a cyan phosphor or a mixture of blue and green phosphors For example.

형광체(미도시)는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 것일 수 있다.The phosphor (not shown) may be a known one such as YAG, TAG, sulfide, silicate, aluminate, nitride, carbide, nitridosilicate, borate, fluoride or phosphate.

몸체(310)에는 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)이 실장될 수 있다. 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 발광소자(320)와 전기적으로 연결되어 발광소자(320)에 전원을 공급할 수 있다.The first electrode 340 and the second electrode 350 may be mounted on the body 310. The first electrode 340 and the second electrode 350 may be electrically connected to the light emitting device 320 to supply power to the light emitting device 320.

제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광소자(320)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있다. 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 발광소자(320)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수 있다.The first electrode 340 and the second electrode 350 are electrically separated from each other and reflect light generated from the light emitting device 320 to increase light efficiency. The first electrode 340 and the second electrode 350 may discharge heat generated from the light emitting device 320 to the outside.

도 5b에서는 발광소자(320)가 제1 전극(340) 상에 실장되었으나, 이에 한정되지 않으며, 발광소자(320)와 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 와이어 본딩(wire bonding) 방식, 플립 칩(flip chip) 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.The light emitting device 320 is mounted on the first electrode 340 but the present invention is not limited thereto and the light emitting device 320 and the first electrode 340 and the second electrode 350 may be wire bonded ) Method, a flip chip method, or a die bonding method.

제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode 340 and the second electrode 350 may be formed of a metal material such as titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum ), Platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorous (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt ), Hafnium (Hf), ruthenium (Ru), and iron (Fe). The first electrode 340 and the second electrode 350 may have a single-layer structure or a multi-layer structure, but the present invention is not limited thereto.

발광소자(320)는 제1 전극(340) 상에 실장되며, 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광 소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 발광 소자(320)는 한 개 이상 실장될 수 있다.The light emitting device 320 is mounted on the first electrode 340 and may be a light emitting device that emits light such as red, green, blue, or white, or a UV (Ultra Violet) However, the present invention is not limited thereto. One or more light emitting elements 320 may be mounted.

발광소자(320)는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩 모두에 적용 가능하다.The light emitting device 320 is applicable to both a horizontal type whose electrical terminals are all formed on the upper surface, a vertical type formed on the upper and lower surfaces, or a flip chip.

발광소자 패키지(300)는 발광소자를 포함할 수 있다.The light emitting device package 300 may include a light emitting device.

실시예에 따른 발광소자 패키지(300)는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 발광소자 패키지(300)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다.A light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like, which are optical members, may be disposed on a light path of the light emitting device package 300.

발광소자 패키지(300), 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 발광소자(미도시) 또는 발광소자 패키지(300)를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다. The light emitting device package 300, the substrate, and the optical member may function as a light unit. Another embodiment may be implemented as a display device, an indicating device, a lighting system including a light emitting device (not shown) or a light emitting device package 300, for example, the lighting system may include a lamp, a streetlight .

도 6a는 일 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 조명 시스템(400)을 도시한 사시도이며, 도 6b는 도 6a의 조명 시스템의 D-D' 단면을 도시한 단면도이다.FIG. 6A is a perspective view showing an illumination system 400 including a light emitting device according to an embodiment, and FIG. 6B is a cross-sectional view showing a D-D 'cross-section of the illumination system of FIG. 6A.

즉, 도 6b 는 도 6a의 조명 시스템(400)을 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.6B is a cross-sectional view of the illumination system 400 of FIG. 6A cut in the longitudinal direction Z and the height direction X and viewed in the horizontal direction Y. FIG.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 조명 시스템(400)은 몸체(410), 몸체(410)와 체결되는 커버(430) 및 몸체(410)의 양단에 위치하는 마감캡(450)을 포함할 수 있다.6A and 6B, the lighting system 400 may include a body 410, a cover 430 coupled to the body 410, and a finishing cap 450 positioned at either end of the body 410 have.

몸체(410)의 하부면에는 발광소자 모듈(443)이 체결되며, 몸체(410)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 열이 몸체(410)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열 발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.The light emitting device module 443 is coupled to a lower surface of the body 410. The body 410 is electrically connected to the light emitting device package 444 through the upper surface of the body 410, And may be formed of a metal material having excellent heat dissipation effect, but is not limited thereto.

발광소자 패키지(444)는 발광소자(미도시)를 포함한다. The light emitting device package 444 includes a light emitting element (not shown).

발광소자 패키지(444)는 기판(442) 상에 다색, 다열로 실장되어 모듈을 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 기판(442)으로 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 를 사용할 수 있다.The light emitting device package 444 may be mounted on the substrate 442 in a multi-color, multi-row manner to form a module. The light emitting device package 444 may be mounted at equal intervals or may be mounted with various spacings as needed. As the substrate 442, MCPCB (Metal Core PCB) or FR4 PCB can be used.

커버(430)는 몸체(410)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.The cover 430 may be formed in a circular shape so as to surround the lower surface of the body 410, but is not limited thereto.

커버(430)는 내부의 발광소자 모듈(443)을 외부의 이물질 등으로부터 보호할 수 있다. 커버(430)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The cover 430 can protect the internal light emitting element module 443 from foreign substances or the like. The cover 430 may include diffusion particles to prevent glare of light generated in the light emitting device package 444 and uniformly emit light to the outside, and may include at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 430 A prism pattern or the like may be formed on the surface. Further, the phosphor may be coated on at least one of the inner surface and the outer surface of the cover 430.

발광소자 패키지(444)에서 발생하는 광은 커버(430)를 통해 외부로 방출되므로, 커버(430)는 광투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(444)에서 발생하는 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(430)는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (Polyethylen?Terephthalate;?PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate;?PC), 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성될 수 있다.The light generated from the light emitting device package 444 is emitted to the outside through the cover 430 so that the cover 430 should have excellent light transmittance and sufficient heat resistance to withstand the heat generated from the light emitting device package 444 The cover 430 may be made of a material including polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), or the like .

마감캡(450)은 몸체(410)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 마감캡(450)에는 전원 핀(452)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명 시스템(400)은 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.The finishing cap 450 is located at both ends of the body 410 and can be used for sealing the power supply unit (not shown). The finishing cap 450 is formed with the power pin 452, so that the lighting system 400 according to the embodiment can be used immediately without a separate device on the terminal from which the conventional fluorescent lamp is removed.

도 7 은 일 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.7 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment.

도 7 은 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(570)을 포함할 수 있다.7, the liquid crystal display 500 may include a liquid crystal display panel 510 and a backlight unit 570 for providing light to the liquid crystal display panel 510 in an edge-light manner.

액정표시패널(510)은 백라이트 유닛(570)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(510)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(512) 및 박막 트랜지스터 기판(514)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 510 can display an image using the light provided from the backlight unit 570. The liquid crystal display panel 510 may include a color filter substrate 512 and a thin film transistor substrate 514 facing each other with a liquid crystal therebetween.

컬러 필터 기판(512)은 액정표시패널(510)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The color filter substrate 512 can realize the color of an image to be displayed through the liquid crystal display panel 510.

박막 트랜지스터 기판(514)은 구동 필름(517)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(518)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(514)은 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 514 is electrically connected to a printed circuit board 518 on which a plurality of circuit components are mounted via a driving film 517. The thin film transistor substrate 514 may apply a driving voltage provided from the printed circuit board 518 to the liquid crystal in response to a driving signal provided from the printed circuit board 518. [

박막 트랜지스터 기판(514)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 514 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed as a thin film on another substrate of a transparent material such as glass or plastic.

백라이트 유닛(570)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(520), 발광소자 모듈(520)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(510)로 제공하는 도광판(530), 도광판(530)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(550, 560, 564) 및 도광판(530)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(530)으로 반사시키는 반사 시트(540)로 구성된다.The backlight unit 570 includes a light emitting device module 520 for outputting light, a light guide plate 530 for changing the light provided from the light emitting module 520 into a surface light source to provide the light to the liquid crystal display panel 510, A plurality of films 550, 560, and 564 that uniformly distribute the luminance of light provided from the light guide plate 530 and improve vertical incidence, and a reflective sheet (not shown) that reflects light emitted to the rear of the light guide plate 530 to the light guide plate 530 540).

발광소자 모듈(520)은 복수의 발광소자 패키지(524)와 복수의 발광소자 패키지(524)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(522)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 520 may include a PCB substrate 522 to mount a plurality of light emitting device packages 524 and a plurality of light emitting device packages 524 to form a module.

발광소자 패키지(524)는 발광소자(미도시)를 포함한다.The light emitting device package 524 includes a light emitting element (not shown).

백라이트유닛(570)은 도광판(530)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(510) 방향으로 확산시키는 확산필름(566)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(550)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(550)를 보호하기 위한 보호필름(564)을 포함할 수 있다.The backlight unit 570 includes a diffusion film 566 for diffusing light incident from the light guide plate 530 toward the liquid crystal display panel 510 and a prism film 550 for enhancing vertical incidence by condensing the diffused light And may include a protective film 564 for protecting the prism film 550.

도 8 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 7 에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.8 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment. However, the parts shown and described in Fig. 7 are not repeatedly described in detail.

도 8 은 실시예에 따른 직하 방식의 액정 표시 장치(600)이다. 액정 표시 장치(600)는 액정표시패널(610)과 액정표시패널(610)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(670)을 포함할 수 있다. 액정표시패널(610)은 도 7 에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.8 is a direct-view liquid crystal display device 600 according to the embodiment. The liquid crystal display device 600 may include a liquid crystal display panel 610 and a backlight unit 670 for providing light to the liquid crystal display panel 610. Since the liquid crystal display panel 610 is the same as that described with reference to FIG. 7, a detailed description thereof will be omitted.

백라이트 유닛(670)은 복수의 발광소자 모듈(623), 반사시트(624), 발광소자 모듈(623)과 반사시트(624)가 수납되는 하부 섀시(630), 발광소자 모듈(623)의 상부에 배치되는 확산판(640) 및 다수의 광학필름(660)을 포함할 수 있다.The backlight unit 670 includes a plurality of light emitting element modules 623, a reflective sheet 624, a lower chassis 630 in which the light emitting element module 623 and the reflective sheet 624 are accommodated, And a plurality of optical films 660 disposed on the diffuser plate 640.

발광소자 모듈(623)은 복수의 발광소자 패키지(622)와 복수의 발광소자 패키지(622)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(621)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 623 may include a PCB substrate 621 to mount a plurality of light emitting device packages 622 and a plurality of light emitting device packages 622 to form a module.

발광소자 패키지(622)는 발광소자(미도시)를 포함한다.The light emitting device package 622 includes a light emitting element (not shown).

반사 시트(624)는 발광소자 패키지(622)에서 발생한 빛을 액정표시패널(610)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The reflective sheet 624 reflects light generated from the light emitting device package 622 in a direction in which the liquid crystal display panel 610 is positioned, thereby improving light utilization efficiency.

발광소자 모듈(623)에서 발생한 빛은 확산판(640)에 입사하며, 확산판(640)의 상부에는 광학 필름(660)이 배치된다. 광학 필름(660)은 확산 필름(666), 프리즘필름(650) 및 보호필름(664)를 포함하여 구성된다.The light emitted from the light emitting element module 623 is incident on the diffusion plate 640 and the optical film 660 is disposed on the diffusion plate 640. The optical film 660 is composed of a diffusion film 666, a prism film 650, and a protective film 664.

실시예에 따른 발광소자는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The configuration and the method of the embodiments described above are not limitedly applied, but the embodiments may be modified so that all or some of the embodiments are selectively combined so that various modifications can be made. .

이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It should be understood that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.

100 : 발광소자
110 : 기판
120 : 반사층
132 : 제1 반도체층
134 : 활성층
136 : 제2 반도체층100: Light emitting element
110: substrate
120: reflective layer
132: first semiconductor layer
134: active layer
136: second semiconductor layer

Claims (11)

하부에 서로 연결되는 복수개의 반사면을 형성하는 기판;
상기 기판 상에 배치되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조물; 및
상기 복수개의 반사면의 하부에 배치되며, 복수개의 유전체층을 포함하는 반사층;을 포함하고
상기 복수개의 반사면 중 서로 연결되는 두 개의 반사면은 제1 경사각을 이루고, 상기 복수개의 유전체층은 서로 연결되는 두 개의 상면이 제2 경사각을 이루는 발광소자.A substrate having a plurality of reflective surfaces connected to each other at a lower portion thereof;
A light emitting structure disposed on the substrate and including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; And
And a reflective layer disposed under the plurality of reflective surfaces and including a plurality of dielectric layers,
Wherein two reflective surfaces connected to each other of the plurality of reflective surfaces have a first inclination angle and two upper surfaces connected to each other have a second inclination angle. 제1항에 있어서,
상기 반사층의 하부에 배치되며, 금속물질을 포함하는 금속층;을 더 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
And a metal layer disposed under the reflective layer and including a metal material. 제2항에 있어서,
상기 금속층은 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 은-구리 합금(AgCu)을 포함하는 발광소자.3. The method of claim 2,
Wherein the metal layer comprises silver (Ag), aluminum (Al), or silver-copper alloy (AgCu). 제2항에 있어서,
상기 금속층은 두께가 1nm 내지 1㎛ 인 발광소자.3. The method of claim 2,
Wherein the metal layer has a thickness of 1 nm to 1 占 퐉. 제1항에 있어서,
상기 반사층은 쌍으로 적층되는 제1 유전체층 및 제2 유전체층을 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the reflective layer comprises a first dielectric layer and a second dielectric layer stacked in pairs. 제5항에 있어서,
상기 반사층은 1 쌍 내지 50 쌍의 상기 제1 유전체층 및 상기 제2 유전체층을 포함하는 발광소자.6. The method of claim 5,
Wherein the reflective layer comprises one to fifty pairs of the first dielectric layer and the second dielectric layer. 제6항에 있어서,
상기 제1 유전체층은 산화규소(SiO2)를 포함하는 발광소자.The method according to claim 6,
Wherein the first dielectric layer comprises silicon oxide (SiO2). 제7항에 있어서
상기 제2 유전체층은 산화티타늄(TiO2) 또는 산화탄탈륨(Ta2O5)을 포함하는 발광소자.The method of claim 7, wherein
Wherein the second dielectric layer comprises titanium oxide (TiO2) or tantalum oxide (Ta2O5). 제1항에 있어서,
상기 반사층의 두께는 50 nm 내지 5㎛ 인 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the reflective layer is 50 nm to 5 占 퐉. 제1항에 있어서,
상기 복수개의 반사면 중 서로 연결되는 두 개의 반사면은 60 내지 160도의 경사각을 이루는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the two reflective surfaces connected to each other of the plurality of reflective surfaces have an inclination angle of 60 to 160 degrees. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지.A light emitting device package comprising the light emitting device according to any one of claims 1 to 10.
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