KR20140087857A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140087857A
KR20140087857A KR20120158591A KR20120158591A KR20140087857A KR 20140087857 A KR20140087857 A KR 20140087857A KR 20120158591 A KR20120158591 A KR 20120158591A KR 20120158591 A KR20120158591 A KR 20120158591A KR 20140087857 A KR20140087857 A KR 20140087857A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
display device
roof
insulating layer
forming
Prior art date
Application number
KR20120158591A
Other languages
English (en)
Inventor
임태경
박제형
서오성
이형철
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR20120158591A priority Critical patent/KR20140087857A/ko
Priority to US13/890,417 priority patent/US9013665B2/en
Publication of KR20140087857A publication Critical patent/KR20140087857A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133377—Cells with plural compartments or having plurality of liquid crystal microcells partitioned by walls, e.g. one microcell per pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133734—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by obliquely evaporated films, e.g. Si or SiO2 films
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133368—Cells having two substrates with different characteristics, e.g. different thickness or material

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

본 발명은 배향막 뭉침 현상을 방지할 수 있고, 셀갭을 일정하게 할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 복수의 화소 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 상기 화소 영역 내에 형성되어 있는 화소 전극; 상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 베리어층; 상기 베리어층 위에 상기 베리어층과 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 지붕층; 및, 상기 공간을 채우도록 형성되어 있는 액정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 배향막 뭉침 현상을 방지할 수 있고, 셀갭을 일정하게 할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어지며, 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치를 구성하는 두 장의 표시판은 박막 트랜지스터 표시판과 대향 표시판으로 이루어질 수 있다. 박막 트랜지스터 표시판에는 게이트 신호를 전송하는 게이트선과 데이터 신호를 전송하는 데이터선이 서로 교차하여 형성되고, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극 등이 형성될 수 있다. 대향 표시판에는 차광부재, 색필터, 공통 전극 등이 형성될 수 있다. 경우에 따라 차광 부재, 색필터, 공통 전극이 박막 트랜지스터 표시판에 형성될 수도 있다.
그러나, 종래의 액정 표시 장치에서는 두 장의 기판이 필수적으로 사용되고, 두 장의 기판 위에 각각의 구성 요소들을 형성함으로써, 표시 장치가 무겁고, 두꺼우며, 비용이 많이 들고, 공정 시간이 오래 걸리는 등의 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 하나의 기판을 이용하여 표시 장치를 제조함으로써, 무게, 두께, 비용 및 공정 시간을 줄일 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 배향막 뭉침 현상을 방지할 수 있고, 셀갭을 일정하게 할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적에 따른 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 복수의 화소 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 상기 화소 영역 내에 형성되어 있는 화소 전극; 상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 베리어층; 상기 베리어층 위에 상기 베리어층과 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 지붕층; 및, 상기 공간을 채우도록 형성되어 있는 액정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 베리어층은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다.
상기 베리어층은 하부 배향막으로 이용될 수 있다.
상기 지붕층 아래에 상기 베리어층과 상기 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 상부 배향막을 더 포함하고, 상기 상부 배향막은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 상부 배향막과 상기 지붕층 사이에 형성되어 있는 하부 절연층; 및, 상기 지붕층 위에 형성되어 있는 상부 절연층을 더 포함하고, 상기 하부 절연층 및 상기 상부 절연층은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 상부 배향막과 상기 지붕층 사이에 형성되어 있는 하부 절연층; 및, 상기 지붕층 위에 형성되어 있는 상부 절연층을 더 포함하고, 상기 하부 절연층은 실리콘 산화물로 이루어지고, 상기 상부 절연층은 실리콘 질화물로 이루어질 수 있다.
상기 베리어층은 상기 화소 영역 내에만 형성되거나, 상기 화소 영역을 포함한 기판 위의 전면에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 베리어층 위에 형성되어 있는 하부 배향막; 및, 상기 지붕층 아래에 상기 하부 배향막과 상기 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 상부 배향막을 더 포함할 수 있다.
상기 하부 배향막 및 상기 상부 배향막은 유기 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 상부 배향막과 상기 지붕층 사이에 형성되어 있는 하부 절연층; 및, 상기 지붕층 위에 형성되어 있는 상부 절연층을 더 포함하고, 상기 하부 절연층 및 상기 상부 절연층은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법은 화소 영역을 포함하는 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 화소 영역 내에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 화소 전극 위에 베리어층을 형성하는 단계; 상기 베리어층 위에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층 위에 지붕층을 형성하는 단계; 상기 희생층의 일부가 노출되도록 상기 지붕층에 개구부를 형성하는 단계; 상기 희생층을 제거하여 상기 화소 전극과 상기 지붕층 사이에 공간을 형성하는 단계; 상기 개구부를 통해 액정을 주입하는 단계; 및, 상기 지붕층 위에 덮개막을 형성하여 상기 화소 영역 별로 상기 공간을 밀봉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 베리어층은 실리콘 산화물을 증착하여 형성할 수 있다.
상기 베리어층을 하부 배향막으로 이용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법은 상기 희생층을 형성한 후 상기 희생층 위에 실리콘 산화물을 증착하여 상부 배향막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법은 상기 상부 배향막을 형성한 후 상기 상부 배향막 위에 실리콘 산화물을 증착하여 하부 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 지붕층을 형성한 후 상기 지붕층 위에 실리콘 산화물을 증착하여 상부 절연층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법은 상기 상부 배향막을 형성한 후 상기 상부 배향막 위에 실리콘 산화물을 증착하여 하부 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 지붕층을 형성한 후 상기 지붕층 위에 실리콘 질화물을 증착하여 상부 절연층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 베리어층을 형성하는 단계에서, 상기 베리어층을 상기 기판 위의 전면에 증착하여 형성하거나, 상기 베리어층을 상기 기판 위의 전면에 증착한 후 패터닝하여 상기 화소 영역 내에 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법은 상기 공간을 형성한 후 상기 공간 내에 배향액을 주입하여 상기 베리어층 위에 하부 배향막을 형성하고, 상기 지붕층 아래에 상부 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 상부 배향막이 상기 공간을 사이에 두고 상기 하부 배향막과 이격되도록 형성할 수 있다.
상기 배향액은 유기 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법은 상기 희생층을 형성한 후 상기 희생층 위에 실리콘 산화물을 증착하여 하부 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 지붕층을 형성한 후 상기 지붕층 위에 실리콘 산화물을 증착하여 상부 절연층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치 및 그 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치 및 그 제조 방법에서는 배향막을 증착하여 형성함으로써, 배향막 뭉침 현상을 방지할 수 있다.
또한, 지붕층 위, 아래에 위치하는 상부 절연층 및 하부 절연층을 실리콘 산화물로 형성함으로써, 저온 증착 및 저 스트레스 증착이 가능하여 액정을 주입하기 위한 개구부 주변에서 지붕층의 들림 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 셀 갭을 균일하게 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 1의 III-III선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 1의 IV-IV선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 5 내지 도 26은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 27 및 도 28은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 29 및 도 30은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 31 내지 도 42는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
이하에서 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 평면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 평면도이다. 도 3은 도 1의 III-III선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이고, 도 4는 도 1의 IV-IV선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 유리 또는 플라스틱 등과 같은 재료로 만들어진 기판(110)을 포함한다.
기판(110)은 복수의 화소 영역(PX)을 포함한다. 복수의 화소 영역(PX)은 복수의 화소 행과 복수의 화소 열을 포함하는 매트릭스 형태로 배치되어 있다. 복수의 화소 행 사이에는 제1 골짜기(V1)가 위치하고 있고, 복수의 화소 열 사이에는 제2 골짜기(V2)가 위치하고 있다.
다만, 복수의 화소 영역(PX)의 배치 형태는 이에 한정되지 아니하며 다양하게 변형이 가능하다.
기판(110) 위에는 일 방향으로 게이트선(121)이 형성되어 있고, 타 방향으로 데이터선(171)이 형성되어 있다. 게이트선(121)은 제1 골짜기(V1)에 형성되고, 데이터선(171)은 제2 골짜기(V2)에 형성될 수 있다. 게이트선(121)과 데이터선(171)은 서로 교차하도록 형성될 수 있다. 이때, 교차하여 형성되는 게이트선(121)과 데이터선(171)에 의해 기판(110)의 화소 영역(PX)이 정의될 수 있다.
게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어있으며 게이트 신호를 전달한다. 또한, 게이트선(121)으로부터 돌출되어 있는 게이트 전극(124)이 형성되어 있다. 게이트 전극(124)에는 게이트선(121)을 통해 게이트 신호가 인가된다.
게이트선(121) 및 게이트 전극(124)과 연결되지 않도록 화소 영역(PX) 내에 유지 전극(133)이 더 형성될 수 있다. 도시된 바와 같이 유지 전극(133)은 게이트선(121) 및 데이터선(171)과 나란한 방향으로 형성될 수 있다. 이와 달리 게이트선(121)과 나란한 방향으로만 형성될 수도 있다. 서로 이웃한 화소 영역(PX)들에 형성된 복수의 유지 전극(133)들은 서로 연결되도록 형성되어 있다. 유지 전극(133)에는 공통 전압 등과 같은 일정한 전압이 인가된다.
게이트선(121), 게이트 전극(124), 및 유지 전극(133) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 절연막(140)은 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 반도체층(150)이 형성되어 있다. 반도체층(150)은 게이트 전극(124) 위에 위치할 수 있다. 또한, 도시된 바와 같이 데이터선(171)의 아래까지 연장되어 형성될 수도 있다. 반도체층(150)은 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 금속 산화물(metal oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
반도체층(150) 위에는 데이터선(171)으로부터 돌출되어 있는 소스 전극(173) 및 소스 전극(173)과 이격되어 있는 드레인 전극(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 데이터 신호를 전달한다. 데이터선(171)으로 전달된 데이터 신호는 소스 전극(173)에 인가된다.
게이트 전극(124), 반도체층(150), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)은 하나의 박막 트랜지스터를 구성한다. 박막 트랜지스터가 온 상태일 때 소스 전극(173)에 인가된 데이터 신호는 드레인 전극(175)으로 전달된다.
데이터선(171), 소스 전극(173), 드레인 전극(175), 소스 및 드레인 전극(173, 175) 사이로 노출되어 있는 반도체층(150)의 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다.
보호막(180) 위에는 각 화소 영역(PX) 내에 색필터(230)가 형성되어 있다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 색필터(230)는 적색, 녹색, 및 청색의 삼원색에 한정되지 아니하고, 청록색(cyan), 자홍색(magenta), 옐로(yellow), 화이트 계열의 색 등을 표시할 수도 있다.
이웃하는 색필터(230) 사이의 영역에는 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 화소 영역(PX)의 경계부와 박막 트랜지스터 위에 형성되어 빛샘을 방지할 수 있다. 즉, 차광 부재(220)는 제1 골짜기(V1) 및 제2 골짜기(V2)에 형성될 수 있다.
색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 제1 절연층(240)이 더 형성될 수 있다. 제1 절연층(240)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 제1 절연층(240)은 유기 물질로 이루어진 색필터(230) 및 차광 부재(220)를 보호하는 역할을 하며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.
제1 절연층(240), 차광 부재(220), 보호막(180)에는 드레인 전극(175)의 일부가 노출되도록 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다. 접촉 구멍(181)은 차광 부재(220) 대신 색필터(230)에 형성될 수도 있다.
제1 절연층(240) 위에는 접촉 구멍(181)을 통해 드레인 전극(175)과 연결되는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 각 화소 영역(PX) 내에 형성되고, 드레인 전극(175)과 연결되어 있어 박막 트랜지스터가 온 상태일 때 드레인 전극(175)으로부터 데이터 신호를 인가 받는다. 화소 전극(191)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 물질로 이루어질 수 있다.
화소 전극(191)은 가로 줄기부(193), 가로 줄기부(193)와 직교하는 세로 줄기부(192), 및 복수의 제1 내지 제4 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)를 포함한다.
가로 줄기부(193)는 게이트선(121)과 나란한 방향으로 형성될 수 있고, 세로 줄기부(192)는 데이터선(171)과 나란한 방향으로 형성될 수 있다. 가로 줄기부(193)는 인접한 두 게이트선(121) 사이의 대략 중간에 형성될 수 있고, 세로 줄기부(192)는 인접한 두 데이터선(171) 사이의 대략 중간에 형성될 수 있다.
하나의 화소 영역(PX)은 가로 줄기부(193)와 세로 줄기부(192)에 의해 제1 부화소 영역, 제2 부화소 영역, 제3 부화소 영역, 및 제4 부화소 영역으로 나뉜다. 제1 부화소 영역은 가로 줄기부(193)의 좌측 및 세로 줄기부(192)의 상측에 위치하고, 제2 부화소 영역은 가로 줄기부(193)의 우측 및 세로 줄기부(192)의 상측에 위치한다. 제3 부화소 영역은 가로 줄기부(193)의 좌측 및 세로 줄기부(192)의 하측에 위치하고, 제4 부화소 영역은 가로 줄기부(193)의 우측 및 세로 줄기부(192)의 하측에 위치한다.
제1 미세 가지부(194a)는 제1 부화소 영역 내에 형성되고, 제2 미세 가지부(194b)는 제2 부화소 영역 내에 형성된다. 제3 미세 가지부(194c)는 제3 부화소 영역 내에 형성되고, 제4 미세 가지부(194d)는 제4 부화소 영역 내에 형성된다.
제1 미세 가지부(194a)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)로부터 좌상 방향으로 비스듬하게 뻗어 있으며, 제2 미세 가지부(194b)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)로부터 우상 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다. 또한 제3 미세 가지부(194c)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)로부터 좌하 방향으로 비스듬하게 뻗어 있으며, 제4 미세 가지부(194d)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 우하 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다.
제1 내지 제4 미세 가지부(194a-194d)는 게이트선(121) 또는 가로 줄기부(193)와 대략 45도 또는 135도의 각을 이루도록 형성될 수 있다. 또한, 이웃하는 부화소 영역의 제1 내지 제4 미세 가지부(194a-194d)는 서로 직각을 이루도록 형성될 수 있다.
상기에서 도 1에 도시되어 있는 화소 전극(191)의 형상에 대해 설명하였으나, 화소 전극(191)의 형상은 이에 한정되지 아니하고 다양하게 변형이 가능하다. 또한, 하나의 화소 영역(PX)이 네 개의 부화소 영역으로 나뉘어 지는 것으로 설명하였으나, 더 많은 영역으로 나뉘어질 수도 있고, 복수의 부화소 영역으로 나뉘어지지 않을 수도 있다.
화소 전극(191) 위에는 베리어층(250)이 형성되어 있다. 베리어층(250)은 화소 전극(191)에 의해 덮여있지 않은 제1 절연층(240) 위에도 형성될 수 있다. 베리어층(250)은 화소 영역(PX) 내에만 형성될 수 있다.
베리어층(250)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 탄화물(SiCx) 등으로 이루어질 수 있다.
베리어층(250)은 하부 배향막으로 이용될 수 있다. 즉, 베리어층(250)은 무기 배향막으로 이루어질 수 있다. 따라서, 베리어층(250)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 탄화물(SiCx) 이외에도 배향막으로 이용 가능한 다양한 물질로 이루어질 수 있다.
베리어층(250) 위에는 베리어층(250)으로부터 일정한 거리를 가지고 이격되도록 상부 배향막(21)이 형성되어 있다. 상부 배향막(21)은 화소 영역(PX) 내에만 형성될 수 있다. 베리어층(250)과 상부 배향막(21) 사이에는 공간(200)이 형성되어 있다. 공간(200)의 폭과 넓이는 표시 장치의 해상도에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
상부 배향막(21)은 베리어층(250)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상부 배향막(21)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 탄화물(SiCx) 등으로 이루어질 수 있다.
베리어층(250) 및 상부 배향막(21)은 수직 또는 수평으로 배향이 이루어질 수 있다.
상부 배향막(21) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에는 공간(200)이 형성되어 있다.
공간(200) 내에는 액정(3)이 채워져 있다. 액정(3)은 복수의 액정 분자들로 이루어져 있으며, 전계가 인가되지 않은 상태에서 기판(110)에 수직한 방향으로 서 있을 수 있다. 즉, 수직 배향이 이루어질 수 있다. 또한, 이에 한정되지 아니하며, 수평 배향이 이루어질 수도 있다.
액정(3)은 네마틱(nematic), 스메틱(smetic), 콜레스테릭(cholesteric), 카이랄(chiral) 액정 물질 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 또한, 액정(3)은 네거티브(negative)형의 액정 물질 또는 포지티브(positive)형의 액정 물질로 이루어질 수 있다.
상기에서 화소 전극(191)은 공간(200)을 기준으로 아래에 형성되어 있고, 공통 전극(270)은 공간(200)을 기준으로 위에 형성되어 있는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270)이 모두 공간(200)을 기준으로 아래에 형성될 수도 있다. 이때, 화소 전극(191)과 공통 전극(270)이 동일한 층에 형성될 수도 있고, 절연층을 사이에 두고 서로 다른 층에 형성될 수도 있다. 이때, 액정(3)은 공간(200) 내에서 기판(110)과 평행한 방향으로 누워있도록 형성될 수 있다.
공간(200)은 화소 전극(191) 및 공통 전극(270)에 의해 둘러싸여 있다.
공통 전극(270)은 제2 골짜기(V2)에서 제1 절연층(240) 바로 위에 접촉되도록 형성되어, 공통 전극(270)이 공간(200)의 좌측 면과 우측 면을 덮도록 형성될 수 있다. 즉, 공통 전극(270)은 복수의 화소 행을 따라 연결되어 있고, 제2 골짜기(V2)에 위치한 공통 전극(270)의 높이는 화소 영역(PX)에 위치한 공통 전극의 높이보다 낮다. 제2 골짜기(V2)에 위치한 공통 전극(270)의 아래에는 공간(200)이 형성되어 있지 않기 때문이다.
공통 전극(270)은 제1 골짜기(V1)에는 형성되지 않을 수 있다. 즉, 공통 전극(270)이 화소 영역(PX)의 상측 면과 하측 면을 덮지 않도록 형성되어, 공간(200)의 일부가 외부로 노출되도록 한다. 공간(200)이 노출되는 면을 개구부(201)라 한다. 개구부(201)는 제1 골짜기(V1)를 따라 형성되고, 개구부(201)를 통해 액정(3)이 공간(200)의 내부로 주입된다.
상기에서 공통 전극(270)이 공간(200)의 좌측 면과 우측 면을 덮고, 상측 면과 하측 면의 적어도 일부를 덮지 않는 것으로 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 공통 전극(270)이 공간(200)의 다른 측면을 덮도록 형성될 수도 있다. 예를 들면, 공통 전극(270)이 공간(200)의 상측 면과 하측 면을 덮고, 좌측 면과 우측 면의 적어도 일부를 덮지 않도록 형성될 수도 있다. 이때, 개구부(201)는 제2 골짜기(V2)를 따라 형성될 수도 있다.
공통 전극(270) 위에는 하부 절연층(280)이 더 형성될 수 있다. 하부 절연층(280)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.
하부 절연층(280) 위에는 지붕층(285)이 형성되어 있다. 지붕층(285)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 지붕층(285)의 아래에는 공간(200)이 형성되어 있고, 지붕층(285)에 의해 공간(200)의 형상이 유지될 수 있다. 공간(200)의 일부가 지붕층(285)의 외부로 노출되도록 하기 위해 개구부(201)가 지붕층(285)에도 형성되어 있다.
지붕층(285) 위에는 상부 절연층(290)이 더 형성될 수 있다. 상부 절연층(290)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상부 절연층(290)은 지붕층(285)의 상부면 및 측면을 모두 덮도록 형성될 수 있다. 상부 절연층(290)은 유기 물질로 이루어진 지붕층(285)을 보호하는 역할을 하며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.
하부 절연층(280) 및/또는 상부 절연층(290)은 실리콘 산화물(SiOx)로 이루어지는 것이 더 바람직하다. 예를 들면, 하부 절연층(280)은 실리콘 산화물(SiOx)로 이루어지고, 상부 절연층(290)은 실리콘 질화물(SiNx)로 이루어질 수 있다. 또는 하부 절연층(280)과 상부 절연층(290)이 모두 실리콘 산화물(SiOx)로 이루어질 수도 있다.
실리콘 산화물(SiOx)은 저온 증착 및 저 스트레스 증착 공정으로 형성할 수 있다. 하부 절연층(280)과 상부 절연층(290) 사이에는 지붕층(285)이 위치하고 있으며, 지붕층(285)이 공간(200)의 형상을 유지하기 위해서는 고온에서 경화 공정이 이루어진다. 이때, 지붕층(285), 하부 절연층(280), 상부 절연층(290)의 열팽창 계수의 차이에 의해 개구부(201) 주변에서 들림 현상 등이 발생할 수 있다. 하부 절연층(280) 및 상부 절연층(290)이 실리콘 산화물(SiOx)로 이루어지는 경우 지붕층(285)과의 열팽창 계수의 차이를 줄임으로써, 지붕층의 들림 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 공간(200)의 높이가 일정하게 형성될 수 있고, 셀 갭(cell-gap)이 균일하게 형성될 수 있다.
상부 절연층(290) 위에는 덮개막(295)이 형성될 수 있다. 덮개막(295)은 공간(200)이 외부로 노출되어 있는 개구부(201)를 덮도록 형성된다. 즉, 덮개막(295)은 공간(200)의 내부에 형성되어 있는 액정(3)이 외부로 나오지 않도록 개구부(201)를 밀봉할 수 있다. 덮개막(295)은 액정(3)과 접촉하게 되므로, 액정(3)과 반응하지 않는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 5 내지 도 26을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 5 내지 도 26은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다. 도 5, 도 7, 도 9, 도 11, 도 13, 도 15, 도 17, 도 19, 도 21, 도 23, 및 도 25은 동일한 선을 따라 나타낸 단면도이다. 또한, 도 6, 도 8, 도 10, 도 12, 도 14, 도 16, 도 18, 도 20, 도 22, 도 24, 및 도 26은 동일한 선을 따라 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진 기판(110) 위에 일방향으로 뻗어있는 게이트선(121) 및 게이트선(121)으로부터 돌출되는 게이트 전극(124)을 형성한다. 또한, 게이트선(121) 및 게이트 전극(124)과 이격되도록 유지 전극(133)을 형성한다. 유지 전극(133)은 게이트선(121) 및 게이트 전극(124)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
이어, 게이트선(121), 게이트 전극(124), 및 유지 전극(133)을 포함한 기판(110) 위의 전면에 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기 절연 물질을 이용하여 게이트 절연막(140)을 형성한다. 게이트 절연막(140)은 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 게이트 절연막(140) 위에 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 금속 산화물(metal oxide) 등과 같은 반도체 물질을 증착한 후 이를 패터닝하여 반도체층(150)을 형성한다. 반도체층(150)은 게이트 전극(124) 위에 위치하도록 형성할 수 있다.
이어, 금속 물질을 증착한 후 이를 패터닝하여 타방향으로 뻗어있는 데이터선(171)을 형성한다. 또한, 데이터선(171)으로부터 반도체층(150) 위로 돌출되는 소스 전극(173) 및 소스 전극(173)과 이격되는 드레인 전극(175)을 함께 형성한다. 금속 물질은 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있다.
반도체 물질과 금속 물질을 연속으로 증착한 후 이를 동시에 패터닝하여 반도체층(150), 데이터선(171), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)을 형성할 수도 있다. 이때, 반도체층(150)은 데이터선(171)의 아래까지 연장되어 형성된다.
게이트 전극(124), 반도체층(150), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)은 하나의 박막 트랜지스터를 구성한다. 게이트선(121)과 데이터선(171)은 서로 교차하여 형성될 수 있으며, 게이트선(121)과 데이터선(171)에 의해 복수의 화소 영역(PX)이 정의될 수 있다.
도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 데이터선(171), 소스 전극(173), 드레인 전극(175), 소스 및 드레인 전극(173, 175) 사이로 노출되어 있는 반도체층(150) 위에 보호막(180)을 형성한다. 보호막(180)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다.
이어, 보호막(180) 위의 각 화소 영역(PX) 내에 색필터(230)를 형성한다. 복수의 화소 영역(PX)의 열 방향을 따라 동일한 색의 색필터(230)를 형성할 수 있다. 세 가지 색의 색필터(230)를 형성하는 경우 제1 색의 색필터(230)를 먼저 형성한 후 마스크를 쉬프트 시켜 제2 색의 색필터(230)를 형성할 수 있다. 이어, 제2 색의 색필터(230)를 형성한 후 마스크를 쉬프트시켜 제3 색의 색필터를 형성할 수 있다.
이어, 보호막(180) 위의 각 화소 영역(PX)의 경계부 및 박막 트랜지스터 위에 차광 부재(220)를 형성한다.
상기에서 색필터(230)를 형성한 후 차광 부재(220)를 형성하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고 차광 부재(220)를 먼저 형성한 후 색필터(230)를 형성할 수도 있다.
이어, 색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 제1 절연층(240)을 형성한다.
이어, 드레인 전극(175)의 일부가 노출되도록 제1 절연층(240), 차광 부재(220), 및 보호막(180)을 식각하여 접촉 구멍(181)을 형성한다.
도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 절연층(240) 위에 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 물질을 증착한 후 패터닝하여 화소 영역(PX) 내에 화소 전극(191)을 형성한다. 화소 전극(191)은 접촉 구멍(181)을 통해 드레인 전극(175)과 연결되도록 형성한다.
도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 화소 전극(191) 위에 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 탄화물(SiCx) 등과 같은 무기 물질을 증착한 후 사진 식각 공정을 이용하여 패터닝함으로써, 화소 영역(PX) 내에 베리어층(250)을 형성한다.
베리어층(250)을 형성하기 위한 무기 물질의 증착 공정은 화학 기상 증착(CVD. chemical vapor deposition) 방식 또는 스퍼터링 증착(sputtering) 방식이 이용된다. 예를 들면, 실리콘계 가스와 산소계 가스를 주입하여 이들 가스를 화학 반응시켜 실리콘 산화물(SiOx)로 이루어진 베리어층(250)을 증착할 수 있다. 이때, 실리콘(Si)과 산소(O)의 조성비는 실리콘계 가스와 산소계 가스의 비율에 따라 조절된다.
베리어층(250)에 존재하는 실리콘(Si) 결합 분율 중 실리콘(Si)-실리콘(Si) 결합 분율을 조절하여 베리어층(250)이 수직 배향 특성을 가지도록 할 수 있다. 또한, 이온빔을 조사하여 베리어층(250)을 배향시킬 수도 있다. 이처럼, 베리어층(250)이 배향 특성을 가지도록 하여 하부 배향막으로 이용할 수 있다.
도 15 및 도 16에 도시된 바와 같이, 베리어층(250) 위에 유기 절연 물질로 희생층(210)을 형성한다. 희생층(210)을 패터닝하여 일방향으로 이웃하는 화소 영역(PX)들 사이가 분리되고, 타방향으로 이웃하는 화소 영역(PX)들을 따라 연결되도록 형성한다. 예를 들면, 동일한 화소 행에 속하는 화소 영역들에 형성되어 있는 희생층(210)은 서로 분리되고, 동일한 화소 열에 속하는 화소 영역들에 형성되어 있는 희생층(210)은 연결되도록 형성할 수 있다. 즉, 희생층(210)은 화소 열을 따라 형성된다.
희생층(210)은 감광성 고분자 물질로 이루어질 수 있으며, 포토 공정을 진행하여, 희생층(210)을 패터닝할 수 있다.
도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 희생층(210) 위에 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 탄화물(SiCx) 등과 같은 무기 물질을 증착한 후 사진 식각 공정을 이용하여 패터닝함으로써, 화소 영역(PX) 내에 상부 배향막(21)을 형성한다. 상부 배향막(21)은 화소 영역(PX)뿐만 아니라 제1 골짜기(V1)에도 형성될 수 있다.
상부 배향막(21)은 희생층(210)과 실질적으로 동일한 패턴으로 이루어질 수 있다. 이때, 상부 배향막(21)은 도 18에 도시된 바와 같이 화소 영역(PX)의 경계에서 희생층(210)의 측면을 덮도록 형성될 수 있다.
상부 배향막(21)은 화학 기상 증착 공정 또는 스퍼터링 증착 공정 등을 이용하여 형성되고, 상부 배향막(21)이 배향 특성을 가지도록 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 하부 배향막 및 상부 배향막(21)이 무기 배향막으로 이루어짐으로써, 유기 배향막을 사용하는 경우에 비하여 배향막의 뭉침 현상을 방지할 수 있다. 배향액을 주입하고 건조시켜 유기 배향막을 형성하는 경우 배향액의 주입 과정에서 뭉침 현상이 발생한다. 본 발명의 일 실시예에서는 하부 배향막 및 상부 배향막(21)을 증착 공정을 통해 형성함으로써, 이러한 현상을 방지할 수 있다.
도 19 및 도 20에 도시된 바와 같이, 상부 배향막(21) 위에 금속 물질을 증착하여 공통 전극(270)을 형성한다.
이어, 공통 전극(270) 위에 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기 절연 물질로 하부 절연층(280)을 형성할 수 있다.
이어, 하부 절연층(280) 위에 유기 물질로 지붕층(285)을 형성한다. 지붕층(285)을 패터닝하여 제1 골짜기(V1)에 위치하는 지붕층(285)을 제거할 수 있다.
도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 지붕층(285) 위에 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 상부 절연층(290)을 형성할 수 있다. 상부 절연층(290)은 패터닝된 지붕층(285) 위에 형성되므로 지붕층(285)의 측면을 덮어 보호할 수 있다.
도 23 및 도 24에 도시된 바와 같이, 상부 절연층(290), 하부 절연층(280), 공통 전극(270)을 패터닝하여, 제1 골짜기(V1)에 위치하는 상부 절연층(290), 하부 절연층(280), 공통 전극(270)을 제거한다. 이에 따라 공통 전극(270)이 제거된 부분의 아래에 위치한 희생층(210)이 노출된다.
희생층(210)이 노출된 기판(110) 위에 현상액을 공급하여 희생층(210)을 전면 제거하고, 산소 플라즈마를 공급하여 남아 있는 희생층(210)을 애싱한다. 희생층(210)이 제거되면 희생층(210)이 위치하였던 자리에 공간(200)이 발생한다. 즉, 베리어층(250)과 상부 배향막(21)이 공간(200)을 사이에 두고 서로 이격되고, 화소 전극(191)과 지붕층(285)이 공간(200)을 사이에 두고 서로 이격된다.
또한, 지붕층(285)이 형성되어 있지 않은 부분을 통해 공간(200)은 외부로 노출되어 있으며, 이를 개구부(201)라 한다. 개구부(201)는 제1 골짜기(V1)를 따라 형성되어 있다. 이와 달리 개구부(201)가 제2 골짜기(V2)를 따라 형성되도록 할 수도 있다.
이어, 기판(110)에 열을 가하여 지붕층(285)을 경화시킨다. 지붕층(285)에 의해 공간(200)의 형상이 유지되도록 하기 위함이다. 이때, 지붕층(285)이 지붕층(285)의 아래, 위에 위치한 하부 절연층(280) 및 상부 절연층(290)과의 열팽창 계수의 차이 등으로 인해 지붕층(285)의 들림 현상 등이 발생할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 하부 절연층(280) 및 상부 절연층(290)을 실리콘 산화물(SiOx)로 형성함으로써, 지붕층(285)의 들림 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 하부 절연층(280) 및 상부 절연층(290)을 모두 실리콘 산화물(SiOx)로 형성할 수도 있고, 하부 절연층(280)은 실리콘 산화물(SiOx)로, 상부 절연층(290)은 실리콘 질화물(SiNx)로 형성할 수도 있다.
이어, 잉크젯 방식 또는 디스펜싱 방식으로 액정 분자들로 이루어진 액정(3)을 기판(110) 위에 떨어뜨리면, 액정(3)이 개구부(201)를 통해 공간(200) 내부로 주입된다. 이때, 액정(3)을 홀수 번째 제1 골짜기(V1)를 따라 형성된 개구부(201)에 떨어뜨리고, 짝수 번째 제1 골짜기(V1)를 따라 형성된 개구부(201)에는 떨어뜨리지 않을 수 있다. 이와 반대로, 액정(3)을 짝수 번째 제1 골짜기(V1)를 따라 형성된 개구부(201)에 떨어뜨리고, 홀수 번째 제1 골짜기(V1)를 따라 형성된 개구부(201)에는 떨어뜨리지 않을 수 있다.
홀수 번째 제1 골짜기(V1)를 따라 형성된 개구부(201)에 액정(3)을 떨어뜨리면 모세관력(capillary force)에 의해 액정(3)이 개구부(201)를 통과하여 공간(200) 내부로 들어가게 된다. 이때, 짝수 번째 제1 골짜기(V1)를 따라 형성된 개구부(201)를 통해 공간(200) 내부의 공기가 빠져나감으로써, 액정(3)이 공간(200) 내부로 잘 들어가게 된다.
또한, 액정(3)을 모든 개구부(201)에 떨어뜨릴 수도 있다. 즉, 액정(3)을 홀수 번째 제1 골짜기(V1)를 따라 형성된 개구부(201)과 짝수 번째 제1 골짜기(V1)를 따라 형성된 개구부(201)에 떨어뜨릴 수 있다.
도 25 및 도 26에 도시된 바와 같이, 상부 절연층(290) 위에 액정(3)과 반응하지 않는 물질을 증착하여 덮개막(295)을 형성한다. 덮개막(295)은 공간(200)이 외부로 노출되어 있는 개구부(201)를 덮도록 형성되어 화소 영역(PX) 별로 공간(200)을 밀봉한다.
다음으로 도 27 및 도 28을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 27 및 도 28에 도시된 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 도 1 내지 도 4에 도시된 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 이에 대한 설명은 생략하고 차이점이 있는 부분에 대해서만 이하에서 설명한다. 앞선 실시예와 가장 큰 차이점은 베리어층의 패턴이며, 이하에서 더욱 상세히 설명한다.
도 27 및 도 28은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이고, 도 27 및 도 28은 서로 다른 선을 따라 나타낸 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 기판(110) 위에 박막 트랜지스터 및 이에 연결되는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191) 위에는 베리어층(250)이 형성되어 있고, 베리어층(250) 위에는 베리어층(250)과 공간(200)을 사이에 두고 이격되도록 지붕층(285)이 형성되어 있다. 지붕층(285)에는 공간(200)의 일부가 노출되도록 개구부(201)가 형성되어 있고, 공간(200)에는 액정(3)이 채워져 있다. 지붕층(285) 위에는 개구부(201)를 덮도록 덮개막(295)이 형성되어 있고, 덮개막(295)은 화소 영역 별로 공간(200)을 밀봉한다.
앞선 실시예에서 베리어층(250)은 화소 영역(PX) 내에만 형성되어 있으나, 본 실시예에서 베리어층(250)은 화소 영역(PX)을 포함한 기판(110) 위의 전면에 형성되어 있다.
베리어층(250)의 아래에는 색필터(230) 및 차광 부재(220)가 형성되어 있고, 색필터(230) 및 차광 부재(220)는 유기 물질로 이루어져 있다.
베리어층(250)의 위에는 희생층(도시하지 않음)을 형성하고, 희생층을 제거하여 공간(200)을 형성한다. 희생층을 제거하기 위해 산소 플라즈마를 이용한 애싱 공정이 이루어질 수 있으며, 이때 공간(200)의 하부에 위치한 층이 손상되고, 색필터(230) 및 차광 부재(220)가 노출되어 공간(200) 내부가 오염될 우려가 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 공간(200)의 하부에 위치하는 베리어층(250)을 실리콘 산화물(SiOx)로 형성함으로써, 희생층 제거 공정에서 베리어층(250)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 색필터(230) 및 차광 부재(220)의 노출에 의한 공간(200) 내부의 오염도 방지할 수 있다.
나아가 본 발명의 일 실시예에서는 베리어층(250)을 화소 영역(PX)뿐만 아니라 제1 골짜기(V1) 및 제2 골짜기(V2)에도 형성함으로써, 공간 내부뿐만 아니라 공간 외부에서도 색필터(230) 및 차광 부재(220)가 노출되는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 29 및 도 30을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 29 및 도 30에 도시된 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 도 27 내지 도 28에 도시된 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 이에 대한 설명은 생략하고 차이점이 있는 부분에 대해서만 이하에서 설명한다. 앞선 실시예와 가장 큰 차이점은 베리어층과 별도로 하부 배향막이 형성되고, 하부 배향막 및 상부 배향막은 유기 배향막으로 이루어진다는 점이며, 이하에서 더욱 상세히 설명한다.
도 29 및 도 30은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이고, 도 29 및 도 30은 서로 다른 선을 따라 나타낸 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 기판(110) 위에 박막 트랜지스터 및 이에 연결되는 화소 전극(191)이 형성되어 있다.
화소 전극(191) 위에는 화소 영역(PX)을 포함한 기판(110) 위의 전면에 베리어층(250)이 형성되어 있다. 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 베리어층(250)이 화소 영역(PX)에만 형성될 수도 있다.
베리어층(250) 위에는 베리어층(250)과 공간(200)을 사이에 두고 이격되도록 지붕층(285)이 형성되어 있다.
공간(200) 내부의 벽면에는 하부 배향막(11) 및 상부 배향막(21)이 형성되어 있다. 하부 배향막(11)은 베리어층(250) 위에 형성되어 있고, 상부 배향막(21)은 지붕층(285) 아래에 상부 배향막(21)과 공간(200)을 사이에 두고 형성되어 있다. 하부 및 상부 배향막(11, 21)은 화소 영역(PX)의 가장자리에서 서로 연결될 수 있다.
하부 배향막(11) 및 상부 배향막(21)은 폴리 아믹산(Polyamic acid), 폴리 실록산(Polysiloxane), 폴리 이미드(Polyimide) 등의 유기 물질로 이루어질 수 있다. 하부 배향막(11) 및 상부 배향막(21)은 수직 배향 또는 수평 배향이 이루어질 수 있다.
다음으로, 도 31 내지 도 42를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 31 내지 도 42는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다. 도 31, 도 33, 도 35, 도 37, 도 39, 및 도 41은 동일한 선을 따라 나타낸 단면도이다. 또한, 도 32, 도 34, 도 36, 도 38, 도 40, 및 도 42는 동일한 선을 따라 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 31 및 도 32에 도시된 바와 같이, 기판(110) 위에 게이트선(121), 게이트 전극(124), 및 유지 전극(133)을 형성하고, 게이트선(121), 게이트 전극(124), 및 유지 전극(133)을 포함한 기판(110) 위의 전면에 게이트 절연막(140)을 형성한다.
이어, 게이트 절연막(140) 위에 반도체층(150)을 형성한다. 반도체층(150)은 게이트 전극(124)과 중첩하도록 형성할 수 있다.
이어, 금속 물질을 증착한 후 이를 패터닝하여 데이터선(171), 데이터선(171)으로부터 반도체층(150) 위로 돌출되는 소스 전극(173) 및 소스 전극(173)과 이격되는 드레인 전극(175)을 형성한다.
이어, 데이터선(171), 소스 전극(173), 드레인 전극(175), 소스 및 드레인 전극(173, 175) 사이로 노출되어 있는 반도체층(150) 위에 보호막(180)을 형성한다.
이어, 보호막(180) 위에 색필터(230) 및 차광 부재(220)를 형성하고, 색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에 제1 절연층(240)을 형성한다.
이어, 드레인 전극(175)의 일부가 노출되도록 제1 절연층(240), 차광 부재(220), 및 보호막(180)을 식각하여 접촉 구멍(181)을 형성하고, 제1 절연층(240) 위에 드레인 전극(175)과 연결되는 화소 전극(191)을 형성한다.
이어, 화소 전극(191) 위에 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 탄화물(SiCx) 등과 같은 무기 물질을 증착하여, 베리어층(250)을 형성한다. 베리어층(250)을 기판(110) 위의 전면에 형성할 수도 있고, 베리어층(250)을 패터닝하여 화소 영역(PX)에만 형성할 수도 있다.
베리어층(250)을 화학 기상 증착 방식 또는 스퍼터링 증착 방식으로 형성할 수 있다.
앞선 실시예에서와 달리 베리어층(250)은 배향막으로 이용되지 않고, 색필터(230) 및 차광 부재(220)를 보호하는 역할을 하게 된다.
도 33 및 도 34에 도시된 바와 같이, 베리어층(250) 위에 유기 절연 물질로 희생층(210)을 형성한다.
도 35 및 도 36에 도시된 바와 같이, 희생층(210) 위에 금속 물질을 증착하여 공통 전극(270)을 형성하고, 하부 절연층(280), 지붕층(285)을 순차적으로 형성한다.
도 37 및 도 38에 도시된 바와 같이, 지붕층(285) 위에 상부 절연층(290)을 형성한다.
앞선 실시예에서와 마찬가지로 하부 절연층(280) 및 상부 절연층(290)을 모두 실리콘 산화막(SiOx)으로 형성할 수 있다. 또한, 하부 절연층(280)은 실리콘 산화막(SiOx)으로 형성하고, 상부 절연층(290)은 실리콘 질화막(SiNx)으로 형성할 수도 있다.
도 39 및 도 40에 도시된 바와 같이, 상부 절연층(290), 하부 절연층(280), 공통 전극(270)을 패터닝하여 개구부(201)를 형성하고, 희생층(210)을 제거하여 공간(200)을 형성한다.
이어, 스핀 코팅 방식 또는 잉크젯 방식으로 유기 배향 물질이 포함되어 있는 배향액을 기판(110) 위에 떨어뜨리면, 배향액이 개구부(201)를 통해 공간(200) 내부로 주입된다. 배향액을 공간(200)의 내부로 주입한 후 경화 공정을 진행하면 용액 성분은 증발하고, 배향 물질이 공간(200) 내부의 벽면에 남게 된다.
따라서, 베리어층(250) 위에 하부 배향막(11)을 형성하고, 지붕층(285) 아래에 상부 배향막(21)을 형성할 수 있다. 하부 배향막(11)과 상부 배향막(21)은 공간(200)을 사이에 두고 마주보도록 형성되고, 화소 영역의 가장자리에서는 서로 연결되도록 형성된다. 공통 전극(270)은 데이터선(171)과 인접한 부분에서 데이터선(171)과 나란한 방향으로 공간(200)의 측면을 덮도록 측벽을 형성하고, 측벽의 내면에도 배향 물질은 남아 있기 때문이다.
이때, 하부 및 상부 배향막(11, 21)은 공간(200)의 측면을 제외하고는 제1 기판(110)에 대해 수직한 방향으로 배향이 이루어질 수 있다. 추가로 하부 및 상부 배향막(11, 21)에 UV를 조사하는 공정을 진행함으로써, 기판(110)에 대해 수평한 방향으로 배향이 이루어지도록 할 수도 있다.
이어, 액정(3)을 기판(110) 위에 떨어뜨리면, 액정(3)이 개구부(201)를 통해 공간(200) 내부로 주입된다.
도 41 및 도 42에 도시된 바와 같이, 상부 절연층(290) 위에 액정(3)과 반응하지 않는 물질을 증착하여 덮개막(295)을 형성한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
3: 액정 11: 하부 배향막
21: 상부 배향막 121: 게이트선
124: 게이트 전극 133: 유지 전극
140: 게이트 절연막 150: 반도체층
171: 데이터선 173: 소스 전극
175: 드레인 전극 180: 보호막
181: 접촉 구멍 191: 화소 전극
192: 세로 줄기부 193: 가로 줄기부
194a: 제1 미세 가지부 194b: 제2 미세 가지부
194c: 제3 미세 가지부 194d: 제4 미세 가지부
200: 공간 201: 개구부
210: 희생층 220: 차광 부재
230: 색필터 240: 제1 절연층
250: 베리어층 270: 공통 전극
280: 하부 절연층 285: 지붕층
290: 상부 절연층 295: 덮개막

Claims (20)

  1. 복수의 화소 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터에 연결되어 상기 화소 영역 내에 형성되어 있는 화소 전극;
    상기 화소 전극 위에 형성되어 있는 베리어층;
    상기 베리어층 위에 상기 베리어층과 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 지붕층; 및,
    상기 공간을 채우도록 형성되어 있는 액정을 포함하는,
    표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 베리어층은 실리콘 산화물로 이루어지는,
    표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 베리어층은 하부 배향막으로 이용되는,
    표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 지붕층 아래에 상기 베리어층과 상기 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 상부 배향막을 더 포함하고,
    상기 상부 배향막은 실리콘 산화물로 이루어지는,
    표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 상부 배향막과 상기 지붕층 사이에 형성되어 있는 하부 절연층; 및,
    상기 지붕층 위에 형성되어 있는 상부 절연층을 더 포함하고,
    상기 하부 절연층 및 상기 상부 절연층은 실리콘 산화물로 이루어지는,
    표시 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 상부 배향막과 상기 지붕층 사이에 형성되어 있는 하부 절연층; 및,
    상기 지붕층 위에 형성되어 있는 상부 절연층을 더 포함하고,
    상기 하부 절연층은 실리콘 산화물로 이루어지고, 상기 상부 절연층은 실리콘 질화물로 이루어지는,
    표시 장치.
  7. 제2 항에 있어서,
    상기 베리어층은 상기 화소 영역 내에만 형성되거나, 상기 화소 영역을 포함한 기판 위의 전면에 형성되어 있는,
    표시 장치.
  8. 제2 항에 있어서,
    상기 베리어층 위에 형성되어 있는 하부 배향막; 및,
    상기 지붕층 아래에 상기 하부 배향막과 상기 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 상부 배향막을 더 포함하는,
    표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 하부 배향막 및 상기 상부 배향막은 유기 물질로 이루어지는,
    표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 상부 배향막과 상기 지붕층 사이에 형성되어 있는 하부 절연층; 및,
    상기 지붕층 위에 형성되어 있는 상부 절연층을 더 포함하고,
    상기 하부 절연층 및 상기 상부 절연층은 실리콘 산화물로 이루어지는,
    표시 장치.
  11. 화소 영역을 포함하는 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 화소 영역 내에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계;
    상기 화소 전극 위에 베리어층을 형성하는 단계;
    상기 베리어층 위에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층 위에 지붕층을 형성하는 단계;
    상기 희생층의 일부가 노출되도록 상기 지붕층에 개구부를 형성하는 단계;
    상기 희생층을 제거하여 상기 화소 전극과 상기 지붕층 사이에 공간을 형성하는 단계;
    상기 개구부를 통해 액정을 주입하는 단계; 및,
    상기 지붕층 위에 덮개막을 형성하여 상기 화소 영역 별로 상기 공간을 밀봉하는 단계를 포함하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 베리어층은 실리콘 산화물을 증착하여 형성하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 베리어층을 하부 배향막으로 이용하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 희생층을 형성한 후,
    상기 희생층 위에 실리콘 산화물을 증착하여 상부 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 상부 배향막을 형성한 후,
    상기 상부 배향막 위에 실리콘 산화물을 증착하여 하부 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 지붕층을 형성한 후,
    상기 지붕층 위에 실리콘 산화물을 증착하여 상부 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 상부 배향막을 형성한 후,
    상기 상부 배향막 위에 실리콘 산화물을 증착하여 하부 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 지붕층을 형성한 후,
    상기 지붕층 위에 실리콘 질화물을 증착하여 상부 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  17. 제12 항에 있어서,
    상기 베리어층을 형성하는 단계에서,
    상기 베리어층을 상기 기판 위의 전면에 증착하여 형성하거나,
    상기 베리어층을 상기 기판 위의 전면에 증착한 후 패터닝하여 상기 화소 영역 내에 형성하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  18. 제12 항에 있어서,
    상기 공간을 형성한 후,
    상기 공간 내에 배향액을 주입하여 상기 베리어층 위에 하부 배향막을 형성하고, 상기 지붕층 아래에 상부 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 상부 배향막이 상기 공간을 사이에 두고 상기 하부 배향막과 이격되도록 형성하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 배향액은 유기 물질로 이루어지는,
    표시 장치의 제조 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 희생층을 형성한 후,
    상기 희생층 위에 실리콘 산화물을 증착하여 하부 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 지붕층을 형성한 후,
    상기 지붕층 위에 실리콘 산화물을 증착하여 상부 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는,
    표시 장치의 제조 방법.
KR20120158591A 2012-12-31 2012-12-31 표시 장치 및 그 제조 방법 KR20140087857A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20120158591A KR20140087857A (ko) 2012-12-31 2012-12-31 표시 장치 및 그 제조 방법
US13/890,417 US9013665B2 (en) 2012-12-31 2013-05-09 Display device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20120158591A KR20140087857A (ko) 2012-12-31 2012-12-31 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140087857A true KR20140087857A (ko) 2014-07-09

Family

ID=51016842

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20120158591A KR20140087857A (ko) 2012-12-31 2012-12-31 표시 장치 및 그 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9013665B2 (ko)
KR (1) KR20140087857A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9389478B2 (en) 2014-04-18 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150122899A (ko) * 2014-04-23 2015-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20160122933A (ko) * 2015-04-14 2016-10-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102581401B1 (ko) * 2016-03-16 2023-09-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100652061B1 (ko) 2004-11-04 2006-12-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 컬러필터 기판 및 그 제조방법, 및 그를 이용한액정표시소자 및 그 제조방법
KR101605821B1 (ko) 2010-09-10 2016-03-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102005914B1 (ko) * 2012-06-29 2019-08-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140025081A (ko) * 2012-08-21 2014-03-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140046239A (ko) * 2012-10-10 2014-04-18 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140058773A (ko) * 2012-11-06 2014-05-15 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140074710A (ko) * 2012-12-10 2014-06-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140082049A (ko) * 2012-12-21 2014-07-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9389478B2 (en) 2014-04-18 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US9798209B2 (en) 2014-04-18 2017-10-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US9013665B2 (en) 2015-04-21
US20140184971A1 (en) 2014-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101984873B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20130124827A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
US9188814B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR20140094880A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140082049A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
US9291841B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR20140095120A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140058773A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20130121545A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150018241A (ko) 표시 장치
JP2015036817A (ja) 液晶表示装置
KR20150015767A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140141364A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140140926A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101682079B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140087857A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150007175A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2016128906A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
KR20160071512A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150085732A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150115123A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140112289A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20170085622A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160084550A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160002449A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid