KR20140083630A - Wire saw and apparatus for slicing ingot using the same - Google Patents
Wire saw and apparatus for slicing ingot using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140083630A KR20140083630A KR1020120153588A KR20120153588A KR20140083630A KR 20140083630 A KR20140083630 A KR 20140083630A KR 1020120153588 A KR1020120153588 A KR 1020120153588A KR 20120153588 A KR20120153588 A KR 20120153588A KR 20140083630 A KR20140083630 A KR 20140083630A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ingot
- wire saw
- tube
- cutting
- liquid abrasive
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/007—Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 제조를 위한 단결정 또는 다결정 잉곳 절단용 와이어 톱 및 이를 이용한 잉곳 절단장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 절삭용 연마재가 잉곳 절단 시 절단면 내부로 공급될 수 있는 대면적 웨이퍼 제조용 와이어 톱 및 이를 이용한 잉곳 절단장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wire saw for cutting a single crystal or a polycrystalline ingot for producing a semiconductor wafer and an ingot cutting apparatus using the same, and more particularly, to a wire saw for cutting a large area wafer, And an ingot cutting apparatus using the same.
현재 통상적으로 사용되고 있는 반도체 칩이나 메모리 소자들은 단결정 실리콘 웨이퍼를 기판으로 사용하여 제작한다. 단결정의 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs) 등의 웨이퍼를 얻기 위해서는 초크랄스키(Czochralski crystal-growth)나 LEC(liquid encapsulated crystal growth) 방법으로 단결정 잉곳(ingot)을 성장시킨 후, 일정한 두께로 절단하여 낱장으로 만들고 경면 연마(mirror like surface polishing)을 통하여 기판으로 사용한다. 이와 같은 웨이퍼의 재료로는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 인듐인(InP) 사파이어(Sapphire) 등 여러가지 재료들이 개발되고 있다.Semiconductor chips and memory devices that are currently in use are fabricated by using a single crystal silicon wafer as a substrate. In order to obtain wafers such as single crystal silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs), a single crystal ingot is grown by Czochralski crystal-growth or LEC (liquid encapsulated crystal growth) Cut into sheets and used as a substrate through mirror like surface polishing. Various materials such as silicon (Si), germanium (Ge), gallium arsenide (GaAs), and indium phosphide (InP) sapphire have been developed as materials for such wafers.
웨이퍼(Wafer)란 반도체 소자 및 세라믹 소자 제조 시에 기판으로 사용되는 재료로서 원기둥 형상의 잉곳을 얇게 잘라낸 원모양의 판이다. 현재 통상적으로 사용되는 웨이퍼의 크기는 직경이 50~450 mm으로 다양한 종류가 있으며, 웨이퍼의 직경이 크면 1장의 웨이퍼로써 다수의 집적회로 칩을 생산할 수 있기 때문에 해마다 웨이퍼의 크기는 커지는 추세이다.A wafer is a circular plate obtained by slicing a columnar ingot into a semiconductor material and a material used as a substrate in the production of a ceramic device. There are various kinds of wafers commonly used at a diameter of 50 to 450 mm, and if the diameter of the wafers is large, a large number of integrated circuit chips can be produced as a single wafer.
실리콘이나 사파이어 등의 단결정 잉곳을 절단하여 반도체 또는 세라믹 웨이퍼를 만들기 위해서는 결정 성장된 벌크 덩어리인 단결정 잉곳을 고정시킨 후에 와이어 톱으로 절단하는 공정을 거쳐야 얇은 웨이퍼를 얻을 수 있다. 이렇게 얻어진 웨이퍼는 후속 연마공정을 거쳐 반도체 소자 제작용 등으로 제공된다.In order to produce a semiconductor or ceramic wafer by cutting a single crystal ingot such as silicon or sapphire, a thin wafer can be obtained by fixing a single crystal ingot, which is a bulk body of crystal grown, and then cutting it with a wire saw. The wafer thus obtained is subjected to a subsequent polishing step and is provided for manufacturing a semiconductor device or the like.
단결정 잉곳으로부터 웨이퍼를 얻기 위해서는 잉곳을 절단하는 공정, 즉 웨이퍼링 공정을 거쳐야 한다. 평면형 다이아몬드 톱이나 표면에 다이아몬드 가루가 접착된 와이어 톱을 주로 사용한다. 그리나 그 동안 웨이퍼의 크기가 200mm 에서 300mm으로 커졌으며, 최근에는 반도체 메모리의 수율을 향상시키기 위해 실리콘 웨이퍼의 직경이 450mm로 커짐에 따라 기존의 방식대로 웨이퍼를 절단하는 것이 점점 어려워지고 있다.In order to obtain a wafer from a single crystal ingot, a step of cutting the ingot, that is, a wafering step, must be performed. Planar diamond saws or wire saws with diamond powder adhered to the surface are mainly used. However, the size of the wafer has increased from 200 mm to 300 mm. Recently, as the diameter of the silicon wafer has increased to 450 mm in order to improve the yield of the semiconductor memory, it has become increasingly difficult to cut the wafer in the conventional manner.
따라서 대면적의 웨이퍼를 제작하기 위해서 단결정 또는 다결정 잉곳을 균일하게 절단할 수 있는 기술개발이 필요한 실정이다.Therefore, it is necessary to develop a technique for uniformly cutting a single crystal or a polycrystalline ingot in order to manufacture a wafer having a large area.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은,SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such problems,
대면적의 웨이퍼를 제조할 수 있도록 잉곳 절단 시에 내부에서 액상의 연마제가 공급되어 절단되는 웨이퍼의 표면의 손상을 줄일 수 있는 와이어 톱 및 이를 이용한 잉곳 절단장치를 제공하는 데 있다.And to provide a wire saw capable of reducing the damage of the surface of a wafer to which a liquid abrasive is supplied at the time of ingot cutting so that a large area wafer can be produced, and an ingot cutting apparatus using the same.
위 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 톱은 잉곳을 절단하는 와이어 톱에 있어서 액상 연마제가 공급될 수 있는 중공형의 튜브, 상기 튜브의 일 측면에 위치하는 하나 이상의 톱니, 상기 톱니 사이에 상기 튜브 면에 형성된 하나 이상의 연마제 투입구(hole)를 포함한다.In order to achieve the above object, a wire saw according to an embodiment of the present invention includes a hollow tube through which a liquid abrasive can be supplied on a wire saw cutting an ingot, at least one saw tooth located on one side of the tube, And at least one abrasive inlet hole formed in the tube surface between the teeth.
상기 톱니는 삼각형의 돌출형태일 수 있다.The tooth may be in the form of a triangular protrusion.
상기 액상 연마제는 에칭용액이 포함될 수 있다.The liquid abrasive may include an etching solution.
본 발명의 일 실시예에 따른 잉곳 절단장치는 상기 와이어 톱을 2개 이사 병렬적으로 배치한 것을 특징으로 한다.The ingot cutting apparatus according to an embodiment of the present invention is characterized in that two wire saws are moved and arranged in parallel.
상기 2개 이상의 와이어 톱의 튜브의 일 측과 일체로 연결되는 액상 연마제 공급관, 상기 2개의 이상의 와이어 톱의 튜브의 타 측과 일체로 연결되는 액상 연마제 배출관을 더 포함할 수 있다.A liquid abrasive supply pipe integrally connected to one side of the tube of the at least two wire saws, and a liquid abrasive discharge pipe integrally connected to the other side of the tube of the at least two wire saws.
본 발명에 의한 와이어 톱에 따르면 액상 연마제가 와이어 톱 안쪽으로 계속적으로 공급될 수 있어 대구경 잉곳을 절단하여 웨이퍼 제조 시에 와이어 톱이 잉곳의 내부로 깊이 들어가도 안정적으로 액상 연마제가 공급될 수 있다.According to the wire saw according to the present invention, the liquid abrasive can be continuously supplied to the inside of the wire saw, so that the large diameter ingot can be cut so that the liquid abrasive can be stably supplied even when the wire saw penetrates deeply into the ingot during wafer production.
또한, 공정시간을 줄일 수 있고, 절단 후 웨이퍼 표면이 기존 방식보다 매끄러우며, 표면결함을 줄일 수 있다. In addition, the process time can be reduced, the wafer surface after cutting is smoother than conventional methods, and surface defects can be reduced.
그리고, 절단 과정에서 생성된 가루들이 절단면에서 비교적 용이하게 제거될 수 있으므로 절단면 표면에서의 기계적인 손상을 줄일 수 있다.In addition, since the powder generated in the cutting process can be relatively easily removed from the cut surface, the mechanical damage on the cut surface can be reduced.
본 발명에 의한 잉곳 절단 장치에 따르면 한번의 공정으로 여러 장의 웨이퍼를 동시에 제작할 수 있어 공정시간을 단축할 수 있다. According to the ingot cutting apparatus of the present invention, it is possible to simultaneously produce a plurality of wafers in a single process, thereby shortening the process time.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 톱의 측면 단면도이다.
도2는 도1의 와이어 톱의 톱니를 포함한 부분의 단면도이다.
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 톱의 하부 측면도이다.
도4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 와이어 톱의 액상연마제의 흐름을 나타낸 개략도이다.
도5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 2개의 와이어 톱을 병렬적으로 연결한 잉곳 절단 장치의 개략도이다.
도6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 6개의 와이어 톱을 병렬적으로 연결한 잉곳 절단 장치의 개략도이다.1 is a side cross-sectional view of a wire saw according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a cross-sectional view of a portion of the wire saw of Fig. 1 including teeth. Fig.
3 is a bottom side view of a wire saw according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic view showing the flow of a liquid abrasive of a wire saw according to a preferred embodiment of the present invention.
5 is a schematic view of an ingot cutting apparatus in which two wire saws are connected in parallel according to a preferred embodiment of the present invention.
6 is a schematic view of an ingot cutting apparatus in which six wire saws are connected in parallel according to a preferred embodiment of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. However, it is to be understood that the present invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. It is intended that the disclosure of the present invention be limited only by the terms of the appended claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 와이어 톱 및 이를 이용한 잉곳 절단장치에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a wire saw according to a preferred embodiment of the present invention and an ingot cutting apparatus using the same will be described.
본 발명은 반도체 또는 세라믹 웨이퍼 제조 공정 중에서 단결정 및 다결정 잉곳을 절단하여 웨이퍼로 만들기 위해 사용되는 와이어 톱에 관한 발명이다. The present invention relates to a wire saw used for cutting a single crystal and a polycrystalline ingot into a wafer in a semiconductor or ceramic wafer manufacturing process.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 톱의 측면 단면도이다. 도1를 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 톱은 액상 연마제가 공급될 수 있는 중공형의 튜브(101), 상기 튜브(101)의 일 측면에 위치하는 하나 이상의 톱니(104), 상기 톱니(104) 사이에 상기 튜브(104) 면에 형성된 하나 이상의 연마제 투입구(103)를 포함한다.1 is a side cross-sectional view of a wire saw according to an embodiment of the present invention. 1, a wire saw according to an embodiment of the present invention includes a
튜브(101)는 내부가 공간(102)이 형성되어 외부로부터 액상 연마제가 그 공간(102)으로 계속적으로 공급될 수 있다. 튜브(101)의 형태는 원통형이 바람직하나, 내부에 액상 연마제가 공급될 수 있는 공간(102)이 형성될 수 있는 경우라면 어떠한 형태라도 변형이 가능하다.The
튜브(101) 일 측면에 잉곳을 절단할 수 있는 톱니(102)가 형성된다. 톱니(102)는 하나 이상으로 다수개가 형성될 수 있으며, 톱니(102)의 모양은 와이어 톱의 이동에 따라 잉곳을 절단할 수 있는 일반적인 모양으로 형성될 수 있으며, 잉곳에 접하는 부분 쪽으로 꼭지점이 형성되고, 모서리에 날이 형성될 수 있도록 삼각형의 모양으로 형성될 수 있다.A
톱니(102) 들 사이에 하나 이상의 연마제 투입구(103)가 형성된다. 연마제 투입구(103)는 튜브(101)와 연통되어 외부에서 공급되는 액상 연마제가 공급될 수 있다. 연마제 투입구(103)로 공급되는 액상 연마제에 의해 잉곳 절단시에 절단면에 액상 연마제를 원활하게 공급할 수 있다. 연마제 투입구(103)의 간격과 크기는 잉곳의 절단 속도 및 그 크기에 의해 조절할 수 있다. 도1에서는 톱니들 사이에 일정한 간격으로 구비되어 있지만 이에 한정되지 않는다. At least one
도2는 도1의 와이어 톱의 톱니를 포함한 부분의 단면도이다. 와이어 톱의 튜브(201)를 절단선(202)을 기준으로 하여 단면을 보면, 원통형의 튜브(203) 안에 빈 공간(204)가 형성되어 있으며, 이 공간을 통하여 외부로부터 액상 연마제가 공급될 수 있다. 원통형 튜브(203)의 일면에는 삼각형의 톱니가 형성되어 있다. Fig. 2 is a cross-sectional view of a portion of the wire saw of Fig. 1 including teeth. Fig. A
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 톱의 하부 측면도이다. 삼각형의 톱니(302)와 연마제 투입구(301)이 교대로 일정한 간격으로 형성되어 있으며 와이어 톱이 잉곳을 절단할 때에 절단면의 깊숙한 위치까지 액상 연마제가 공급될 수 있다.3 is a bottom side view of a wire saw according to an embodiment of the present invention. The
본 발명의 실시예에서 사용되는 액상 연마제는 에칭용액이 포함될 수 있다. 와이어 톱에 의해 잉곳을 절단시에 톱날 들 사이에 위치한 연마제 투입구를 통하여 액상 연마제가 공급될 수 있다. 대구경의 잉곳을 절단하는 경우에도 와이어 톱이 잉곳의 내부로 깊이 들어가도 안정적으로 액상 연마제가 투입될 수 있으며 계속적으로 투입될 수 있다. 액상 연마제에 포함된 에칭용액에 의해 잉곳 절단시에 발생되는 가루들이 절단면에서 비교적 용이하게 제거될 수 있으므로 절단면의 표면에서의 기계적인 손상을 줄일 수 있다.The liquid abrasive used in the embodiment of the present invention may include an etching solution. When the ingot is cut by the wire saw, the liquid abrasive can be supplied through the abrasive inlet located between the saw blades. Even when the ingot of large diameter is cut, the liquid abrasive can be stably injected even when the wire saw penetrates deeply into the ingot, and can be continuously injected. The etching solution contained in the liquid abrasive can relatively easily remove the powder generated at the time of cutting the ingot at the cut surface, thereby reducing mechanical damage on the surface of the cut surface.
도4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 와이어 톱의 액상연마제의 흐름을 나타낸 개략도이다. 4 is a schematic view showing the flow of a liquid abrasive of a wire saw according to a preferred embodiment of the present invention.
도4 참조하면, 외부로부터 액상 연마제 공급관(401)에 의해 와이어 톱의 튜브(403)로 액상연마제가 연속적으로 공급되고 와이어 톱에서 절단시에 사용되고 남은 액상연마제가 액상 연마제 배출관(402)을 통하여 배출된다. 배출된 연마제는 와이어 톱에서 사용된 양 만 큼 보충되어 다시 액상 연마제 공급관을 통하여 공급될 수 있다.4, the liquid abrasive is continuously supplied from the outside to the
도5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 2개의 와이어 톱을 병렬적으로 연결한 잉곳 절단 장치의 개략도이다. 그리고, 도6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 6개의 와이어 톱을 병렬적으로 연결한 잉곳 절단 장치의 개략도이다.5 is a schematic view of an ingot cutting apparatus in which two wire saws are connected in parallel according to a preferred embodiment of the present invention. 6 is a schematic view of an ingot cutting apparatus in which six wire saws are connected in parallel according to a preferred embodiment of the present invention.
웨이퍼 제조를 위해 잉곳을 절단할 때에 한 개씩 절단하게 되면 절단 속도가 저하될 뿐만 아니라 절단면의 기계적 손상이 커질 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 와이어 톱을 병렬적으로 2개 이상으로 연결하여 한번의 절단 공정으로 2개 이상의 웨이퍼 제조가 가능하다.Cutting one ingot at the time of cutting the ingot for wafer production not only lowers the cutting speed but also increases the mechanical damage of the cut surface. In the embodiment of the present invention, two or more wire saws are connected in parallel to each other so that two or more wafers can be manufactured by a single cutting process.
도5를 참조하면, 2개의 와이어 톱(503)이 병렬적으로 세트로 잉곳 절단 장치를 구성할 수 있다. 각 와이어 톱(503)의 튜브는 일 측에 액상 연마제 공급관(501)이 일체로 연결될 수 있다. 일체로 연결되는 액상 연마제 공급관(501)에 의해 각각의 와이어 톱의 튜브(503)에 균일하게 액상연마제가 공급될 수 있다. 각 와이어 톱의 튜브(503)의 타 측에는 액상 연마제 배출관(502)이 일체로 연결될 수 있다. 일체로 연결되는 액상 연마제 배출관(502)을 통하여 각 와이어 톱에서 잉곳 절단시에 투입되고 남은 액상 연마제를 회수할 수 있다. 회수된 액상 연마제는 사용된 양 만큼 보충하여 다시 액상 연마제 공급관(501)으로 공급할 수 있다.Referring to Fig. 5, two
도6을 참조하면, 6개의 와이어 톱을 병렬적으로 세트로 잉곳 절단 장치를 구성할 수 있다. 각 와이어 톱의 튜브(603)에 해당하는 부분과 웨이퍼의 두께를 결정할 수 있는 톱의 간격부분(604, 605, 606, 607, 608)이 형성된다. 각 와이어의 튜브(603)는 액상 연마재 공급관(601) 및 액상 연마재 배출관(602)에 각각 일체로 연결된다. 절단되는 웨이퍼의 두께는 각 와이어 톱의 간격에 의해 조절될 수 있다.Referring to Fig. 6, an ingot cutting apparatus can be constituted by setting six wire saws in parallel. 605, 606, 607, and 608 are formed which can determine the portion corresponding to the
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 잉곳 절단장치에 따르면 와이어 톱을 여러 개를 병렬적으로 한 세트로 묶어서 사용하면 모든 와이어에 동일한 힘이 인가되어 잉곳을 한번의 절단으로 여러 개의 웨이퍼를 제조할 수 있다. 잉곳 절단시에 중요한 점은 잉곳 위에 놓인 모든 와이어를 동일한 힘으로 누르고, 동일한 힘으로 잡아 당기는 것이다. 따라서, 본 발명의 실시예에서는 다수의 와이어 톱을 세트로 하여 구성한 잉곳 절단장치를 이용하여 잉곳을 절단하는 경우에는 양 끝의 가장자리 및 중앙부를 포함한 3곳 이상에 힘을 부가하여 모든 와이어에 동일한 힘을 가할 수 있도록 해야 한다.According to the ingot cutting apparatus according to the preferred embodiment of the present invention, when a plurality of wire saws are bundled and used in a parallel fashion, the same force is applied to all of the wires, so that a plurality of wafers can be manufactured by cutting the ingot once. . The important point in cutting the ingot is that all the wires placed on the ingot are pressed with the same force and pulled with the same force. Therefore, in the embodiment of the present invention, when cutting an ingot by using an ingot cutting apparatus constituted by a plurality of sets of wire saws, a force is applied to three or more places including the edges and the center of both ends, To be added.
와이어 톱의 개수는 제조되는 웨이퍼의 개수에 맞추어 변형이 가능하다. 와이어 톱의 개수가 많아질수록 잉곳 절단 공정에 소비되는 시간이 줄어드는 장점이 있으나, 개수가 증가할 경우에 잉곳을 절단하는 톱날에 걸리는 부하가 증가하게 되고, 부분적으로 톱날이 파손 될 수 있으므로 약 10개 정도가 바람직하다.The number of wire saws can be changed according to the number of wafers to be manufactured. As the number of wire saws increases, the time consumed in the ingot cutting process is reduced. However, when the number of the wire saws increases, the load applied to the saw blade for cutting the ingot increases and the saw blade may be partially broken. Is preferable.
이상 첨부된 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the exemplary embodiments or constructions. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. will be.
그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변경된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention .
101: 튜브 102: 내부 공간
103: 연마제 투입구 104: 톱니
401, 501, 601: 액상 연마제 공급관
402, 502, 602: 액상 연마제 배출관
503: 와이어 톱 튜브101: tube 102: inner space
103: abrasive inlet 104: tooth
401, 501, 601: Liquid abrasive feed pipe
402, 502, 602: Liquid abrasive discharge pipe
503: Wire saw tube
Claims (5)
액상 연마제가 공급될 수 있는 중공형의 튜브;
상기 튜브의 일 측면에 위치하는 하나 이상의 톱니;
상기 톱니 사이에 상기 튜브 면에 형성된 하나 이상의 연마제 투입구(hole)를 포함하는 와이어 톱.A wire saw for cutting an ingot,
A hollow tube into which a liquid abrasive can be supplied;
One or more teeth on one side of the tube;
And at least one abrasive insert hole formed in the tube surface between the teeth.
상기 톱니는 삼각형의 돌출형태인 와이어 톱.The method of claim 1,
Wherein the tooth is a protruding shape of a triangle.
상기 액상 연마제는 에칭용액이 포함되는 것을 특징으로 하는 와이어 톱.The method of claim 1,
Wherein the liquid abrasive includes an etching solution.
상기 2개 이상의 와이어 톱의 튜브의 일 측과 일체로 연결되는 액상 연마제 공급관;
상기 2개의 이상의 와이어 톱의 튜브의 타 측과 일체로 연결되는 액상 연마제 배출관을 더 포함하는 반도체 잉곳 절단장치.5. The method of claim 4,
A liquid abrasive supply pipe integrally connected to one side of the tube of the at least two wire saws;
And a liquid abrasive discharge pipe integrally connected to the other side of the tube of the two or more wire saws.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120153588A KR20140083630A (en) | 2012-12-26 | 2012-12-26 | Wire saw and apparatus for slicing ingot using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120153588A KR20140083630A (en) | 2012-12-26 | 2012-12-26 | Wire saw and apparatus for slicing ingot using the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140083630A true KR20140083630A (en) | 2014-07-04 |
Family
ID=51734026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120153588A KR20140083630A (en) | 2012-12-26 | 2012-12-26 | Wire saw and apparatus for slicing ingot using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20140083630A (en) |
-
2012
- 2012-12-26 KR KR1020120153588A patent/KR20140083630A/en active Search and Examination
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104441276B (en) | The cutting method of crystalline silicon ingot | |
JP2000235941A (en) | Semiconductor wafer, and manufacture thereof, and use of the same | |
US5279077A (en) | Method for producing semiconductor wafer | |
WO2009153887A1 (en) | Fret bar for ingot slicing, ingot to which fret bar is stuck, and ingot cutting method using fret bar | |
JP5462893B2 (en) | Surface nanostructure process of silicon ingot, wafer manufacturing method and wafer | |
TWI739445B (en) | Indium phosphide substrate and manufacturing method of indium phosphide substrate | |
TWI598201B (en) | Beamless ingot slicing | |
US10679898B2 (en) | Semiconductor substrate die sawing singulation systems and methods | |
CN103943742A (en) | Manufacturing method of sapphire substrate | |
KR20140083630A (en) | Wire saw and apparatus for slicing ingot using the same | |
CN107230611A (en) | Group III-nitride process for producing crystal and RAMO4Substrate | |
JP2012004152A (en) | Method of manufacturing group iii nitride single-crystal substrate | |
KR20140090906A (en) | Wire saw and method for slicing ingot using the same | |
US6367467B1 (en) | Holding unit for semiconductor wafer sawing | |
JP2010076070A (en) | Method for manufacturing substrate, and solar cell element | |
JP2022098504A (en) | Indium phosphide substrate, manufacturing method of indium phosphide substrate, and semiconductor epitaxial wafer | |
TW202226354A (en) | Indium phosphide substrate, method for manufacturing indium phosphide substrate, and semiconductor epitaxial wafer | |
KR20060037251A (en) | Method for producing single crystal ingot from which semiconductor wafer is sliced | |
US6390889B1 (en) | Holding strip for a semiconductor ingot | |
JP2000317806A (en) | Working method using multi-wire saw | |
JP2014076915A (en) | Semiconductor crystal growth vessel and solar cell produced by using wafer obtained from crystal grown by the same | |
KR101229971B1 (en) | Method for cutting ingot | |
TWI810847B (en) | Indium Phosphide Substrate | |
JP2011031387A (en) | Crystal slicing method | |
JP5196604B2 (en) | Method of cutting ingot using fret bar for ingot slicing and ingot with sticking the fret bar |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20141030 Effective date: 20150227 |