KR20140083627A - 투명전극 기반의 유전영동 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
유전영동에 의하여 나노갭 전극들 사이에 형성된 반도체 나노 입자들을 정렬시킬 수 있는 투명전극 기반의 유전영동 소자 제조 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자 제조 방법은 (a) 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; (b) 상기 포토레지스트가 도포된 기판에 소프트 베이크(Soft bake)를 실시하는 단계; (c) 상기 소프트 베이크를 실시한 기판을 UV램프에 노출시켜 노광을 실시하는 단계; (d) 상기 노광을 실시한 기판에 포스트 베이크(Post exposure bake)를 실시하는 단계; (e) 상기 포스트 베이크를 실시한 기판을 현상액에 담궈 현상 및 식각 공정을 실시하는 단계; (f) 상기 현상 및 식각 공정이 완료된 기판에 투명전극을 증착하는 단계; 및 (g) 상기 투명전극이 증착된 기판을 스트립(Strip) 용액에 담궈 상기 포토레지스트를 제거하여 투명전극 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자 제조 방법은 (a) 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; (b) 상기 포토레지스트가 도포된 기판에 소프트 베이크(Soft bake)를 실시하는 단계; (c) 상기 소프트 베이크를 실시한 기판을 UV램프에 노출시켜 노광을 실시하는 단계; (d) 상기 노광을 실시한 기판에 포스트 베이크(Post exposure bake)를 실시하는 단계; (e) 상기 포스트 베이크를 실시한 기판을 현상액에 담궈 현상 및 식각 공정을 실시하는 단계; (f) 상기 현상 및 식각 공정이 완료된 기판에 투명전극을 증착하는 단계; 및 (g) 상기 투명전극이 증착된 기판을 스트립(Strip) 용액에 담궈 상기 포토레지스트를 제거하여 투명전극 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 유전영동 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 나노소재를 조작하여 특정 위치에 위치시키거나 제어하는 기술 중의 하나인 유전영동을 이용한 투명전극 기반의 유전영동 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 물질은 전자 공학, 광-전자공학 및 광학 등의 분야에 있어서 다양하고 거대한 응용 가능성을 갖고 있다. 특히, 나노와이어, 나노입자 및 다른 나노구조와 같은 나노구조체는 자외선(UV) 레이저, UV 센서, 태양 전지 및 가스 센서와 같은 다양한 응용을 위해 연구되어 왔다. 최근 나노구조 물질의 연구 및 개발이 큰 관심을 끌고 있는 추세이지만, 상기 나노구조 물질에 기반한 장치의 설계 및 제조는 여전히 큰 과제로 남아있다. 상기 나노구조 물질에 기반한 장치의 특징들을 연구하기 위해, 각각의 나노단편(nanosegment) 또는 그들의 접합에 전기적 접촉을 만드는 것이 중요하다.
지난 10 년에 걸쳐, 금(Au) 나노-콜로이드, DNA와 같은 바이오 물질, 탄소 나노튜브, 및 반도체 나노와이어와 같은 다양한 물질의 DEP(dielectrophoresis; 유전영동) 정렬을 폭넓게 연구해 왔다. 여기서, 이들은 가스 센서, 바이오 센서와 같은 바이오테크놀로지(BT), 전계-효과 트랜지스터(FET), 분자 전자공학 및 정보 기술(IT), BT 및 NT의 융합테크놀로지에 기반한 다른 잠재력이 있는 영역에 실용적으로 응용될 수 있다. 전자공학 및 광전자공학 장치에 기반한 반도체를 구현하기 위한 응용 방법으로 금속 및 탄소 나노튜브를 조작하는데 폭넓게 사용된 주목할 만한 DEP 방법의 특징 대신 상기 DEP 방법 상에 기반한 반도체 나노 장치의 제조는 아직 보고된 바 없다.
또한, 나노 전자공학에 있어서 나노 디바이스를 구현하기 위해 나노 물질을 나노갭 전극 내에 위치시키는 것을 제어하는 기술에 대한 필요성이 대두되었다.
본 발명에 관련된 선행문헌으로는 대한민국 공개특허공보 제10-2011-0138478호(2011.12.28. 공고)가 있으며, 상기 문헌에는 나노와이어 소자를 임의 형태로 프린팅하여 나노 소자를 제조하는 방법 및 상기 방법에 사용되는 중간체 빌딩 블록이 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 유전영동에 의하여 나노갭 전극들 사이에 형성된 반도체 나노 입자들을 정렬시킬 수 있는 투명전극 기반의 유전영동 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법은 (a) 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; (b) 상기 포토레지스트가 도포된 기판에 소프트 베이크(Soft bake)를 실시하는 단계; (c) 상기 소프트 베이크를 실시한 기판을 UV램프에 노출시켜 노광을 실시하는 단계; (d) 상기 노광을 실시한 기판에 포스트 베이크(Post exposure bake)를 실시하는 단계; (e) 상기 포스트 베이크를 실시한 기판을 현상액에 담궈 현상 및 식각 공정을 실시하는 단계; (f) 상기 현상 및 식각 공정이 완료된 기판에 투명전극을 증착하는 단계; 및 (g) 상기 투명전극이 증착된 기판을 스트립(Strip) 용액에 담궈 상기 포토레지스트를 제거하여 투명전극 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 기판을 유리나 고분자 필름과 같은 투명기판을 사용하고, 그 위에 형성되는 전극 또한 투명전극으로 제조할 수 있으며, 유전영동에 의하여 나노갭 전극들 사이에 형성된 반도체 나노 입자들을 정렬시킬 수 있는 투명전극 기반의 유전영동 소자를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 모식도이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자의 투명 전극패턴들을 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자의 투명전극패턴의 주파수 500Hz일 경우, 나노튜브의 배열을 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명에 따른 TiO₂나노튜브를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 모식도이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자의 투명 전극패턴들을 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자의 투명전극패턴의 주파수 500Hz일 경우, 나노튜브의 배열을 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명에 따른 TiO₂나노튜브를 나타낸 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자 및 그 제조 방법에 관하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 순서도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 모식도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 도시된 본 발명의 실시예에 따른 투명전극 기반의 유전영동(DEP: Dielectrophoresis) 소자의 제조방법은 포토레지스트 도포 단계(S110, 2a), 소프트 베이크(소프트 베이크) 실시 단계(S120, 2b), UV 노광 실시 단계(S130, 2c), 포스트 베이크(포스트 베이크) 실시 단계(S140, 2d), 현상 및 식각 공정 실시 단계(S150, 2e), 투명전극 증착 단계(S160, 2f) 및 포토레지스트 제거 단계(S170, 2g)를 포함한다.
포토레지스트 도포
포토레지스트 도포 단계(S110, 2a)는 우선, 가로와 세로가 각각 2 ~ 5cm인 정사각형 Glass 기판(10)을 준비할 수 있다. 이때, 기판(10)의 크기 및 소재는 당업자의 용도에 맞게 변경할 수 있다. 유전영동 소자에 적용 가능한 기판으로는 투명한 유리기판 또는 고분자 필름이 있는데, 고분자 필름으로는 PET(Polyethyleneterephthalate), PI(Polyimide), PEN(Polyethylene Naphthalate), PC (Polycarbonate) 등을 적용할 수 있다.
준비된 기판(10)을 스핀코터 장비를 이용하여 기판에 포토레지스트를 2 ~ 3 방울 떨어뜨린 후, 기판을 높은 회전수로 회전시켜 기판 전체에 포토레지스트를 도포할 수 있다. 이와 같이 도포된 포토레지스트의 두께는 약 1.5㎛~2㎛로 형성될 수 있다. 이때, 도포는 2500 ~ 3500rpm 조건으로 10 ~ 30sec 동안 실시하는 것이 바람직하다.
이때, 포토레지스트 도포 단계에서, 회전 속도가 2500rpm 미만이거나, 또는 회전 시간이 10sec 미만일 경우에는 1.5㎛~2㎛보다 더 두껍게 도포되어 포토레지스트 현상 과정에서 식각이 잘 안 될 수 있다. 반대로, 회전 속도가 3500rpm을 초과하거나, 또는 회전 시간이 30sec를 초과할 경우에는 1.5㎛ 미만의 두께가 형성되어, 현상 시 현상 시간이 너무 짧아 패턴이 형성되기 전에 패턴이 없는 포토레지스트 영역이 같이 현상되는 경우가 생기기 때문에 패턴 구현이 힘들어진다
소프트
베이크
소프트 베이크 실시 단계(S120, 2b)는 포토레지스트가 도포된 기판(10)을 핫 플레이트(Hot plate; 20) 또는 오븐 장비를 이용하여 90 ~ 100℃의 온도에서 80 ~ 100초 동안 소프트 베이크를 진행하여 PR 용제(solvent)를 제거할 수 있다. 또한 기판과 포토레지스트의 접착력의 증가 및 포토레지스트의 도포 시, 회전으로 인해 형성된 스트레스를 제거할 수도 있다.
UV 노광
UV 노광 실시 단계(S130, 2c)는 마스크를 통해 UV를 조사 함으로서 마스크상에 형성된 패턴을 포토레지스트가 코팅된 기판(10)에 전사하는 과정을 말한다. 이때, 포토레지스트의 종류에 따라 마스크 또한 네거티브 혹은 포지티브로 분류되며 네거티브 포토레지스트를 실시하면 기판에는 원상(original image)이 형성되며, 포지티브 포토레지스트를 실시할 경우에는 역상(reverse image)이 형성될 수 있다. 본 발명에서는 네거티브 방식으로 패턴을 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 기판(10)을 355 ~ 375nm 파장대에서 350~400mJ/cm² 세기로 5 ~ 6초 동안 노출시켜 노광을 실시할 수 있다.
포스트
베이크
포스트 베이크(PEB) 실시 단계(S140, 2d)는 100 ~ 120℃의 온도에서 핫 플레이트(20)또는 오븐(Oven) 장비를 이용하여 80 ~ 100초 동안 진행할 수 있다. 이에 따라, 감광막의 내식각성 및 접착성이 증가할 수 있다.
이때, 네거티브 포토레지스트의 경우에는 자외선을 받은 부분에서 분자가 결속되므로 자외선에 노광된 부분이 현상액에 녹지 않는 상태가 된다. 한편 포지티브 포토레지스트의 경우에는 빛을 받은 부분에서 분자간의 결속이 약해지게 되어 자외선에 노광된 부분이 현상액에 녹는 상태가 된다.
현상 및 식각
현상 및 식각 공정 실시 단계(S150, 2e)는 현상액(30)에 노광 과정을 거친 기판(10)을 넣은 후, 8 ~ 10초 동안 퍼들(puddle) 식각을 진행할 수 있다. 식각 과정을 통해 상대적으로 결합이 약해져 있는 부분의 포토레지스트를 녹여냄으로써 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
현상액(30)으로는 크게 염기성 수용액과 솔벤트류가 있다. 대부분은 KOH 수용액과 같은 염기 수용액을 사용할 수 있다. 본 실험의 네가티브 포토레지스트의 경우 Tetramethylammonium hydroxide(TMAH-2.4% 함유량)의 현상액을 사용하는 것이 바람직하다.
현상이 완료된 기판(10)을 깨끗한 D.I water를 이용하여 세척 한 후, 공기를 이용하여 완전히 건조시키면, 네거티브 PR 패턴 형성을 완료할 수 있다. 이와 같은 공정을 거친 PR 패턴 단면의 깊이는 약 1.5㎛~2㎛로 형성될 수 있다.
증착
투명전극 증착 단계(S160, 2f)는 스퍼터링(Sputtering) 공정을 통하여 PR 패턴에 약 30 ~ 300nm 두께의 투명전극을 증착 시킬 수 있다. 투명전극은 ITO(indium tin oxide), ATO(antimony-doped tin oxide), FTO (fluorine-doped tin oxide), PEDOT(poly3,4-ethylenedioxythiophene) 및 ZnO(zinc oxide) 중 선택된 1종 이상이 이용될 수 있으나, 이 중 ITO를 이용하는 것이 바람직하다.
ITO 투명전극은 비저항이 1x10³Ω/cm이하, 면 저항이 10^³Ω/sq 이하로 전기 전도성이 우수하며, 380~780nm 가시광선 영역에서의 투과율이 80% 이상이라는 성질을 만족시킬 수 있다.
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제거
포토레지스트 제거 단계(S170, 2g)는 포토레지스트 패턴이 없는 부분에 증착된 ITO 투명전극을 스트립(strip) 용액(50)에 넣고 50 ~ 90℃의 온도에서 10 ~ 30분 동안 스트립(Strip) 공정으로 포토레지스트를 제거할 수 있다. 따라서, 포토레지스트 패턴이 제거된 투명전극을 형성할 수 있다. 이를 통해, 투명전극 기반의 유전영동 소자를 형성할 수 있다.
상기와 같은 과정으로 제조된 유전영동 소자는 기판 상의 투명전극 패턴 사이에 드롭(drop)되는 나노입자, 나노와이어 및 나노튜브, 나노시트 등의 나노소재를 조작하여 특정 위치에 위치시키거나 제어할 수 있다. 따라서, 다양한 나노소재를 분리, 배열, 배향함으로써, 다양한 응용제품을 제조할 수 있다.
이때, 0차원의 나노입자는 금속, 반도성 고분자 및 세라믹 나노입자, 복합체 나노입자로 형성될 수 있고, 1차원의 나노와이어 및 나노튜브는 금속, 반도성 고분자 및 세라믹 나노튜브, 복합체 나노튜브로 형성될 수 있다. 또한, 2차원의 나노시트는 그래핀 또는 산화물 등으로 형성될 수 있다.
도 3 내지 도 5는 본 발명에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자의 투명 전극패턴들을 나타낸 것이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자는 전극갭(60)의 간격이 5㎛인 삼각형, 사각형, 구형의 투명전극패턴(3a, 3b, 3c)과 전극갭(60) 간격이 10㎛인 삼각형, 사각형, 구형의 투명전극패턴(3A, 3B, 3C)을 형성할 수 있다.
투명전극패턴은 전극이 서로 마주보며 평행한 구조이며, 전극 끝부분을 사각형, 삼각형, 구형의 3가지 구조로 형성하는 것이 바람직하다. 각 전극갭(60)은 5㎛, 10㎛의 간격을 각각 적용할 수 있다. 이때, 전극갭(60)을 5㎛, 10㎛로 한 이유는 Ag 나노와이어와 탄소나노튜브(CNT)의 길이가 평균 2~5㎛ 되기 때문에, 전극갭(60)을 최소 5㎛로 유지할 수 있다. 또한, 나노소재가 오버랩핑(overlapping)으로 인하여 전극에 서로 연결될 수도 있으므로 이를 방지하기 위해 전극갭(60)을 10㎛로 제작할 수도 있다.
전극 끝 부분의 구조를 사각형, 삼각형, 구형으로 제작한 이유는 전극 사이에 대한 전기장의 분포 변화가 다르기 때문이다.
전극의 끝 부분이 30° 기울기로 형성된 삼각형 모양인 전극(3a, 3A)은 샤프(sharp)한 꼭지점 부근의 전극 사이에서 급격한 전기장의 변화가 일어나며, 전기장의 세기가 한 점에 집중 되어 나노소재가 전극의 끝점으로 이동하게 되어 소수의 나노소재가 배열될 수 있는 구조물인 반면, 이러한 삼각형의 전극 구조는 전기장의 분포가 좁기 때문에 나노소재가 정확한 위치에 배열되기가 어려운 단점이 있다.
전극의 끝 부분이 사각형인 전극(3b, 3B)은 전기장의 세기가 전극 중앙에서 가장 강하게 분포되는 것을 관측 할 수 있다.
전극 끝 부분이 구형인 전극(3c, 3C)은 삼각형 구조에 비하여 전기장의 분포 범위가 넓기 때문에 나노소재가 보다 안정적으로 배열될 확률이 높아진다.
따라서, 전극 구조에 따라 전기장의 분포 위치가 다르기 때문에, 본 실험에서는 3가지 형태의 전극패턴을 한 개의 소자에서 구현함으로써, 전기영동 테스트를 실시할 때, 나노 와이어의 배열 현상을 비교하며 관측할 수 있다.
도 6은 본 발명에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자의 투명전극패턴의 주파수 500Hz일 경우, 나노튜브의 배열을 나타낸 것이고, 도 7은 본 발명에 따른 TiO₂나노튜브를 나타낸 것이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 주파수가 500Hz일 경우, 전극이 마주보는 부분에 나노튜브가 배열되는 것을 관측할 수 있다. 이때, 나노튜브는 화학적으로 안정하고 활성이 크며, 기계적 성질이 양호한 TiO₂나노튜브를 사용하는 것이 바람직하다. TiO₂나노튜브의 평균 직경은 1 ~ 5㎛이고, 튜브벽의 두께는 10nm ~ 60nm로 형성될 수 있다.
특히, 도 6을 참조하면, 전극 외 다른 부분에는 TiO₂나노튜브가 없는 것을 확인할 수 있다. 이에 따라, 전극에 함수 발생기를 이용하여 전압과 주파수를 변화시킴에 따라, TiO₂나노튜브를 제어하여 원하는 위치로 배열할 수 있다.
본 발명에 따른 투명전극 기판의 유전영동 소자는 유체의 역학적인 원리인 유체 유량 조절에 의해 입자를 정렬하는 방법이 아닌, 전극 구조물 사이에 소량의 나노소재가 섞여 있는 용액을 1~2방울 떨어뜨린 후, 전극에 함수 발생기를 이용하여 AC 전압과 주파수를 인가하여 테스트 할 수 있다. 본 발명에 따른 ITO 투명전극의 특성을 이용하여 CNT, TiO2 나노튜브, Ag 나노와이어 등의 나노소재를 적용함으로써, 하나 또는 다수의 나노소재를 제어하여 원하는 위치로 배열할 수 있다. 이에 따라, 나노 구조물을 이용한 센서로서 멀티플 가스센서 개발 및 트랜지스터로 개발할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 중심으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형은 본 발명이 제공하는 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
S110 : 포토레지스트 도포 단계
S120 : 소프트 베이크 실시 단계
S130 : UV 노광 실시 단계
S140 : 포스트 베이크 실시 단계
S150 : 현상 및 식각 공정 단계
S160 : 투명전극 증착 단계
S170 : 포토레지스트 제거 단계
2a : 포토레지스트 도포 단계
2b : 소프트 베이크 실시 단계
2c : UV 노광 실시 단계
2d : 포스트 베이크 실시 단계
2e : 현상 및 식각 공정 단계
2f : 투명전극 증착 단계
2g : 포토레지스트 제거 단계
3a : 전극갭 간격 5㎛의 삼각형 ITO 전극패턴
3A : 전극갭 간격 10㎛의 삼각형 ITO 전극패턴
3b : 전극갭 간격 5㎛의 사각형 ITO 전극패턴
3B : 전극갭 간격 10㎛의 사각형 ITO 전극패턴
3c : 전극갭 간격 5㎛의 구형 ITO 전극패턴
3C : 전극갭 간격 10㎛의 구형 ITO 전극패턴
10 : 기판 20: 핫 플레이트
30 : 현상액 50: 스트립 용액
60 : 전극갭
S120 : 소프트 베이크 실시 단계
S130 : UV 노광 실시 단계
S140 : 포스트 베이크 실시 단계
S150 : 현상 및 식각 공정 단계
S160 : 투명전극 증착 단계
S170 : 포토레지스트 제거 단계
2a : 포토레지스트 도포 단계
2b : 소프트 베이크 실시 단계
2c : UV 노광 실시 단계
2d : 포스트 베이크 실시 단계
2e : 현상 및 식각 공정 단계
2f : 투명전극 증착 단계
2g : 포토레지스트 제거 단계
3a : 전극갭 간격 5㎛의 삼각형 ITO 전극패턴
3A : 전극갭 간격 10㎛의 삼각형 ITO 전극패턴
3b : 전극갭 간격 5㎛의 사각형 ITO 전극패턴
3B : 전극갭 간격 10㎛의 사각형 ITO 전극패턴
3c : 전극갭 간격 5㎛의 구형 ITO 전극패턴
3C : 전극갭 간격 10㎛의 구형 ITO 전극패턴
10 : 기판 20: 핫 플레이트
30 : 현상액 50: 스트립 용액
60 : 전극갭
Claims (12)
- (a) 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계;
(b) 상기 포토레지스트가 도포된 기판에 소프트 베이크(Soft bake)를 실시하는 단계;
(c) 상기 소프트 베이크를 실시한 기판을 UV램프에 노출시켜 노광을 실시하는 단계;
(d) 상기 노광을 실시한 기판에 포스트 베이크(Post exposure bake)를 실시하는 단계;
(e) 상기 포스트 베이크를 실시한 기판을 현상액에 담궈 현상 및 식각 공정을 실시하는 단계;
(f) 상기 현상 및 식각 공정이 완료된 기판에 투명전극을 증착하는 단계; 및
(g) 상기 투명전극이 증착된 기판을 스트립(Strip) 용액에 담궈 상기 포토레지스트를 제거하여 투명전극 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 기판은
유리 기판 또는 고분자 필름인 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법.
- 제2항에 있어서,
상기 고분자 필름은
PET(Polyethyleneterephthalate), PI(Polyimide), PEN(Polyethylene Naphthalate) 및 PC (Polycarbonate) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 포토레지스트는
네거티브 타입인 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 (a) 단계에서,
상기 도포는
2500 ~ 3500rpm 조건으로 10 ~ 30sec 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 (b) 단계에서,
상기 소프트 베이크는 90 ~ 100℃의 온도에서 80 ~ 100초 동안 실시하고
상기 (d) 단계에서,
상기 포스트 베이크는 100 ~ 120℃의 온도에서 80 ~ 100초 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 (c) 단계에서,
상기 UV 노광은
355 ~ 375nm 파장대에서 350 ~ 400mJ/cm²의 세기로 5 ~ 6초 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 (f) 단계에서,
상기 투명전극은
30 ~ 300nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법.
- 제9항에 있어서,
상기 투명전극은
ITO(indium tin oxide), ATO(antimony-doped tin oxide), FTO (fluorine-doped tin oxide), PEDOT(poly3,4-ethylenedioxythiophene) 및 ZnO(zinc oxide) 중 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 (g) 단계에서,
상기 스트립은
50 ~ 90℃의 온도에서 10 ~ 30분 실시하는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 (g) 단계에서,
상기 투명전극 패턴은
마주보는 양단이 삼각형, 사각형 및 구형 중 어느 하나의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법.
- 기판; 및
상기 기판 상에 상호 전기적으로 분리되도록 이격 배치되는 다수의 투명전극 패턴;을 포함하며,
상기 전기적으로 분리된 다수의 투명전극 패턴은 상호 간의 이격된 사이 공간에 드롭되는 나노소재를 함유한 용액에 의해 분리, 배열 및 배향이 각각 제어되어, 상기 다수의 투명전극 패턴 상호 간의 전기적 연결이 선택적으로 재배열되는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자.
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| KR1020120153578A KR20140083627A (ko) | 2012-12-26 | 2012-12-26 | 투명전극 기반의 유전영동 소자 및 그 제조 방법 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160010973A Division KR101682915B1 (ko) | 2016-01-28 | 2016-01-28 | 투명전극 기반의 유전영동 소자 제조 방법 |
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|---|---|---|---|---|
| KR20160083335A (ko) * | 2014-12-30 | 2016-07-12 | 한국세라믹기술원 | 투명 전도성 산화물 필라를 이용한 고감도 센서 제조 방법 |
-
2012
- 2012-12-26 KR KR1020120153578A patent/KR20140083627A/ko active Application Filing
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