KR20140081735A - Novel organic electroluminescent compound substituted with deuterium and organic electroluminescent device comprising same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 중수소로 치환된 신규한 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.
The present invention relates to a novel organic light emitting compound substituted with deuterium and an organic light emitting device comprising the same.
최근, 자체 발광형으로 저전압 구동이 가능한 유기발광소자는, 평판 표시소자의 주류인 액정디스플레이(LCD, liquid crystal display)에 비해, 시야각, 대조비 등이 우수하고 백라이트가 불필요하여 경량 및 박형이 가능하며 소비전력 측면에서도 유리하고 색 재현 범위가 넓어, 차세대 표시소자로서 주목을 받고 있다.In recent years, an organic light emitting device capable of being driven by a low voltage in a self-luminous mode has a better viewing angle and contrast ratio than a liquid crystal display (LCD), which is a mainstream of a flat panel display device, It has been attracting attention as a next generation display device because it is advantageous from the viewpoint of power consumption and has a wide color reproduction range.
일반적으로, 유기발광소자는 음극(전자주입전극)과 양극(정공주입전극), 및 상기 두 전극 사이에 유기층을 포함하는 구조를 갖는다. 이때, 유기층은 발광층(EML, light emitting layer) 이외에, 정공주입층(HIL, hole injection layer), 정공수송층(HTL, hole transport layer), 전자수송층(ETL, electron transport layer) 또는 전자주입층(EIL, electron injection layer)을 포함할 수 있으며, 발광층의 발광특성상 전자차단층(EBL, electron blocking layer) 또는 정공차단층(HBL, hole blocking layer)을 추가로 포함할 수 있다.Generally, an organic light emitting device has a structure including a cathode (electron injection electrode), an anode (hole injection electrode), and an organic layer between the two electrodes. In this case, the organic layer may include a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron transport layer (ETL), or an electron injection layer (EIL) and an electron injection layer, and may further include an electron blocking layer (EBL) or a hole blocking layer (HBL) on the light emitting property of the light emitting layer.
이러한 구조의 유기발광소자에 전기장이 가해지면, 양극으로부터 정공이 주입되고, 음극으로부터 전자가 주입되어, 정공과 전자는 각각 정공수송층과 전자수송층을 거쳐 발광층에서 재조합(recombination)하게 되어 발광여기자(excitons)를 형성한다. 형성된 발광여기자는 바닥상태(ground states)로 전이하면서 빛을 방출한다. 발광상태의 효율과 안정성을 증가시키기 위하여, 발광 색소(dopant)를 발광층(host)에 도핑하기도 한다.When an electric field is applied to the organic light emitting device having such a structure, holes are injected from the anode, electrons are injected from the cathode, and holes and electrons recombine in the light emitting layer through the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, ). The formed luminescent excitons emit light while transitioning to ground states. In order to increase the efficiency and stability of the light emitting state, a light emitting dopant may be doped into the light emitting layer host.
유기발광소자의 발광층에 사용되는 물질로서 다양한 화합물들이 알려져 있으나, 이제까지 알려진 발광물질을 이용한 유기발광소자의 경우 높은 구동전압, 낮은 효율 및 짧은 수명으로 인해 실용화하는 데에 많은 어려움이 있었다. 따라서, 우수한 발광특성을 갖는 물질을 이용하여 저전압 구동, 고휘도 및 장수명을 갖는 유기발광소자를 개발하려는 노력이 지속되어 왔다.
Various compounds have been known as materials used in the light emitting layer of organic light emitting devices. However, organic light emitting devices using known light emitting materials have been difficult to put to practical use due to high driving voltage, low efficiency, and short life span. Accordingly, efforts have been made to develop an organic light emitting device having low voltage driving, high brightness, and long life using a material having excellent light emission characteristics.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 유기전계발광소자의 전력효율 및 발광효율을 향상시키면서 용해도가 우수하여 박막을 형성할 수 있기 때문에 용액공정에 적용 가능하며, 장수명을 갖게 하는 중수소가 치환된 아릴아미노 유도체를 제공하고, 또한, 이를 포함하는 유기발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides an organic electroluminescent device capable of improving the power efficiency and luminous efficiency of the organic electroluminescent device, and having excellent solubility to form a thin film, The present invention also provides an organic light emitting device comprising the same.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 중수소로 치환된 화합물을 제공한다:In order to achieve the above object, the present invention provides a compound substituted with deuterium represented by the following general formula (1) or (2)
[화학식 1][Chemical Formula 1]
[화학식 2](2)
상기 화학식 1 및 2에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 치환되지 않은 C6~C40의 아릴기 또는 C3~C40의 헤테로아릴기이고, 여기서, 인접 고리는 서로 융합될 수 있으며;In Formula 1 and 2, Ar 1 and Ar 2 are each independently a heavy hydrogen, a halogen, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ alkenyl group of the C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 of, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of An unsubstituted C 6 to C 40 aryl group or a C 3 to C 40 heteroaryl group, wherein adjacent rings may be fused to each other;
Z은 2가의 연결기로서, 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 치환되지 않은 C6~C40의 아릴기 또는 C3~C40의 헤테로아릴기이고, 이 때, Z은 적어도 하나 이상의 중수소를 포함하며;Z is a divalent linking group, heavy hydrogen, a halogen, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ alkoxy group of C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 of, C 3 ~ C 40 the cycloalkyl of the alkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 optionally substituted with one or more groups selected from the heteroaryl group consisting of a C 6 ~ C 40 of the An aryl group or a C 3 to C 40 heteroaryl group, wherein Z comprises at least one or more deuterium;
R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 수소, 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C5~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C12의 알킬기; 또는 C6~C20의 아릴기이다.
R 1 to R 5 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; A halogen atom, a halogen atom, an amino group, a nitrile group, a nitro group, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 1 to C 20 alkylamine group, a C 1 to C 20 alkylthiophene A C 2 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylthio group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 2 to C 20 alkynyl group, a C 3 to C 20 cycloalkyl group, a C 6 to C 20 aryl group, A C 6 to C 20 aryl group, a C 8 to C 20 arylalkenyl group, a silane group, a boron group, a germanium group, and a C 5 to C 20 heterocyclic group, A substituted or unsubstituted C 1 to C 12 alkyl group; Or a C 6 to C 20 aryl group.
또한, 본 발명은 하기 반응식 1의 반응을 포함하는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조방법을 제공한다:The present invention also provides a process for preparing a compound represented by the above formula (1) comprising the reaction of the following Reaction Scheme 1:
[반응식 1][Reaction Scheme 1]
또한, 본 발명은 하기 반응식 2의 반응을 포함하는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 제조방법을 제공한다:The present invention also provides a process for preparing a compound represented by the general formula (2), which comprises the reaction of the following reaction scheme 2:
[반응식 2][Reaction Scheme 2]
상기 반응식 1 및 2에서, Ar1, Ar2, R1 내지 R5 및 Z은 상기 화학식 1 및 2에서 정의한 바와 같다.
In the above Reaction Schemes 1 and 2, Ar 1 , Ar 2 , R 1 to R 5, and Z are the same as defined in the above Formulas 1 and 2.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
Also, the present invention provides an organic light emitting device comprising a compound represented by the above formula (1) or (2).
중수소로 치환된 본 발명의 화학식 1 또는 2의 화합물은 정공 전달 특성 및 전자 전달 특성이 우수하므로, 유기발광소자의 발광물질로 사용되어 유기발광소자에 저전압 구동, 고휘도 및 장수명 구현이 가능할 뿐만 아니라, 용해도가 우수하여 박막을 형성할 수 있기 때문에 용액공정에 적용 가능하며, 다양한 방식의 유기발광소자의 제작에 유용하게 사용될 수 있다.
The compound of formula (1) or (2) of the present invention substituted with deuterium has excellent hole transporting properties and electron transporting properties, so that it can be used as a light emitting material of an organic light emitting device to realize low voltage driving, high luminance and long life, Since the solubility is excellent and a thin film can be formed, it can be applied to a solution process and can be usefully used for manufacturing various organic light emitting devices.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도면의 부호
10 : 기판
11 : 양극
12 : 정공주입층
13 : 정공수송층
14 : 발광층
15 : 전자전달층
16: 음극1 schematically shows a cross section of an OLED according to an embodiment of the present invention.
The sign
10: substrate
11: anode
12: Hole injection layer
13: hole transport layer
14:
15: electron transport layer
16: cathode
본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 중수소로 치환된 화합물을 제공한다:The present invention provides compounds substituted with deuterium represented by the following general formula (1) or (2)
[화학식 1][Chemical Formula 1]
[화학식 2](2)
상기 화학식 1 또는 2에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 치환되지 않은 C6~C40의 아릴기 또는 C3~C40의 헤테로아릴기이고, 여기서, 인접 고리는 서로 융합될 수 있으며;In the formula 1 or 2, Ar 1 and Ar 2 are each independently a heavy hydrogen, a halogen, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ alkenyl group of the C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 of, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of An unsubstituted C 6 to C 40 aryl group or a C 3 to C 40 heteroaryl group, wherein adjacent rings may be fused to each other;
Z은 2가의 연결기로서, 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 치환되지 않은 C6~C40의 아릴기 또는 C3~C40의 헤테로아릴기이고, 이 때, Z은 적어도 하나 이상의 중수소를 포함하며;Z is a divalent linking group, heavy hydrogen, a halogen, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ alkoxy group of C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 of, C 3 ~ C 40 the cycloalkyl of the alkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 optionally substituted with one or more groups selected from the heteroaryl group consisting of a C 6 ~ C 40 of the An aryl group or a C 3 to C 40 heteroaryl group, wherein Z comprises at least one or more deuterium;
R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 수소, 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C5~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C12의 알킬기; 또는 C6~C20의 아릴기이다.
R 1 to R 5 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; A halogen atom, a halogen atom, an amino group, a nitrile group, a nitro group, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 1 to C 20 alkylamine group, a C 1 to C 20 alkylthiophene A C 2 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylthio group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 2 to C 20 alkynyl group, a C 3 to C 20 cycloalkyl group, a C 6 to C 20 aryl group, A C 6 to C 20 aryl group, a C 8 to C 20 arylalkenyl group, a silane group, a boron group, a germanium group, and a C 5 to C 20 heterocyclic group, A substituted or unsubstituted C 1 to C 12 alkyl group; Or a C 6 to C 20 aryl group.
본 발명의 상기 화학식 1에서 상기 Ar2는 하기 구조식들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 하기 구조식에서 수소는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환될 수 있다:In the formula 1 of the present invention, Ar 2 is preferably selected from the group consisting of the following structural formulas. The following structural formula from hydrogen deuterium, a halogen, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ cycloalkyl of C 40 An alkyl group, a C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, a C 6 to C 40 aryl group, and a C 3 to C 40 heteroaryl group.
바람직하기로 본 발명의 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2의 구조를 가질 수 있다.Preferably, the compound represented by Formula 1 of the present invention may have the structure of Formula 1-1 or Formula 1-2.
[화학식 1-1][Formula 1-1]
[화학식 1-2][Formula 1-2]
또한 바람직하기로 본 발명의 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2의 구조를 가질 수 있다.Also, preferably, the compound represented by the formula (2) of the present invention may have the structure of the following formula (2-1) or (2-2).
[화학식 2-1][Formula 2-1]
[화학식 2-2][Formula 2-2]
상기 화학식 1-1, 1-2, 2-1, 2-2에서 X1 내지 X12는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 수소, 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C5~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C12의 알킬기; 또는 C6~C20의 아릴기이며, 적어도 하나는 중수소이며, 바람직하게는 50% 이상이 중수소인 것이 좋으며, 가장 바람직하게는 모두 중수소인 것이 좋다.
In Formulas 1-1, 1-2, 2-1 and 2-2, X 1 to X 12 each independently represents hydrogen; heavy hydrogen; A halogen atom, a halogen atom, an amino group, a nitrile group, a nitro group, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 1 to C 20 alkylamine group, a C 1 to C 20 alkylthiophene A C 2 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylthio group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 2 to C 20 alkynyl group, a C 3 to C 20 cycloalkyl group, a C 6 to C 20 aryl group, A C 6 to C 20 aryl group, a C 8 to C 20 arylalkenyl group, a silane group, a boron group, a germanium group, and a C 5 to C 20 heterocyclic group, A substituted or unsubstituted C 1 to C 12 alkyl group; Or an aryl group of C 6 to C 20 , at least one of which is deuterium, preferably at least 50% of which is deuterium, most preferably all deuterium.
본 발명에 있어서, 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물의 바람직한 예는 다음과 같다:In the present invention, preferred examples of the compound represented by the above formula (1) or (2) are as follows:
, 
중수소로 치환된 본 발명의 화합물은 비치환된 화합물과 비교할 때, 결합길이가 더욱 짧은 탄소-중수소의 결합길이가 탄소-수소의 결합길이 보다 짧음에 따라 발생하는 분자간 반데르발스 힘의 약화로 인해 더 높은 발광효율을 가질 수 있다. 또한 제로포인트 에너지(Zero Point Energy) 즉 바닥상태의 에너지가 낮아지며, 중수소-탄소의 결합길이가 짧아짐에 따라, 분자 중심 부피(Molecular hardcore volume)가 줄어들고, 이에 따라 전기적 극성화도(Electronical polarizability)를 줄일 수 있으며, 분자간 상호작용(Intermolecular interaction)을 약하게 함으로써, 박막 부피를 증가시킬 수 있다. The compound of the present invention substituted with deuterium is a compound of the present invention because of the weakening of the intermolecular Van der Waals force which occurs as the bond length of carbon-deuterium having a shorter bond length is shorter than the bond length of carbon- It can have a higher luminous efficiency. In addition, the zero point energy, that is, the energy of the bottom state, is lowered, and as the bond length of deuterium-carbon is shortened, the molecular hardcore volume is reduced, thereby reducing the electrical polarizability And by thinning the intermolecular interaction, the thin film volume can be increased.
이러한 특성은 박막의 결정화도를 낮추는 효과 즉, 비결정질(Amorphous) 상태를 만들 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 화합물을 이용하여 박막을 형성하였을 때, 박막의 정공 이동도에 많은 영향을 줄 수 있는 비정질 유리상태(Amorphous glass)를 만들기 때문에, 등방성(Isotropic)과 균등질(Homogeneous) 특성을 통해서 결정립의 경계(Grain boundary)를 줄임으로써, 전하의 흐름 즉 정공 이동도를 빠르게 할 수 있다. 또한 수소로 치환된 화합물에 비해 용해도가 향상되어 박막형성에 더욱 유리하다.
This characteristic can make the effect of lowering the crystallinity of the thin film, that is, an amorphous state. Specifically, when a thin film is formed using the compound of the present invention, an amorphous glass is formed which can greatly affect the hole mobility of the thin film. Therefore, isotropic and homogeneous characteristics The flow of the charge, that is, the hole mobility, can be accelerated by reducing the grain boundaries. In addition, the solubility is improved as compared with a compound substituted with hydrogen, which is more advantageous for forming a thin film.
본 발명에 따른 화학식 1의 화합물은 하기 반응식 1의 반응을 포함하여 제조될 수 있다:The compounds of formula (I) according to the present invention can be prepared by reaction of the following scheme:
[반응식 1][Reaction Scheme 1]
또한 본 발명에 따른 화학식 2의 화합물은 하기 반응식 2의 반응을 포함하여 제조될 수 있다:The compounds of formula (2) according to the invention can also be prepared by reaction of the following scheme 2:
[반응식 2][Reaction Scheme 2]
상기 반응식 1 및 2에서, Ar1, Ar2, R1 내지 R5, 및 Z은 상기 화학식 1 또는 2에서 정의한 바와 같다.
In the above Reaction Schemes 1 and 2, Ar 1 , Ar 2, R 1 to R 5 , and Z are as defined in Formula 1 or 2 above.
본 발명에 있어서, 상기 화학식 1, 2의 화합물 또는 이들의 혼합물을 함유하는 조성물은 용액 공정(soluble process)에 사용될 수 있다. 다시 말해, 상기 화합물 또는 이들의 혼합물을 함유하는 조성물은 통상적으로 용액 공정에 의해 후술할 유기발광소자의 유기물층을 형성할 수 있다. 즉, 상기 화합물 또는 조성물을 유기물층으로 사용할 때 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법 또는 용액 공정 또는 솔벤트(solvent) 공정, 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조될 수 있다.In the present invention, a composition containing the compound of the above formula (1) or (2) or a mixture thereof may be used in a soluble process. In other words, a composition containing the above compound or a mixture thereof can usually form an organic layer of an organic light emitting device to be described later by a solution process. That is, when the compound or the composition is used as an organic material layer, the organic material layer may be formed using a variety of polymer materials by vapor deposition or a solution process or a solvent process such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, Or the like. ≪ / RTI >
본 발명의 조성물은 후술하는 바와 같이 유기발광소자의 유기물층의 특성을 최대한 살리면서 박막 형성시 균일도가 높고 결정화가 낮은 정공 주입층 재료의 요구, 수명단축의 원인 중 하나인 양극전극으로부터 금속산화물이 유기층에 침투 확산되는 것을 지연시키면서 소자 구동시 발생되는 주울열(Joule heating)에 대해서도 안정된 특성, 즉 높은 유리 전이 온도를 갖는 정공 주입층 재료의 요구, 유기전기발광소자의 형성에 있어서 증착 방법에 오랫동안 견딜 수 있는 재료 즉 내열성 특성이 강한 재료의 요구를 만족할 수 있을 뿐 아니라, 용해도가 향상되어 박막 형성에 유리하다.
As described later, the composition of the present invention is one of the causes of shortening the lifetime and shortening the lifetime of the hole injection layer material having high uniformity and low crystallization when forming a thin film while maximizing the characteristics of the organic material layer of the organic light emitting device. , A demand for a hole injecting layer material having a stable characteristic, that is, a high glass transition temperature, for the Joule heating generated when the device is driven, for a long time in the deposition method in the formation of an organic electroluminescent device That is, a material having high heat resistance characteristics, but also has an improved solubility and is advantageous for forming a thin film.
또한, 본 발명은 발광물질로서 상기 화학식 1, 2로 표시되는 화합물 또는 이들의 혼합물을 발광층에 포함하는 유기발광소자를 제공한다.Also, the present invention provides an organic light emitting device comprising a luminescent layer as a luminescent material, or a compound represented by any one of the above general formulas (1) and (2) or a mixture thereof.
또한 본 발명의 유기발광소자는 상기 화학식 1, 2로 표시되는 화합물 또는 이들의 혼합물을 포함하는 1층 이상의 유기박막층을 포함하는 바, 상기 유기발광소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.The organic light emitting device of the present invention includes one or more organic thin film layers including the compounds represented by the above general formulas (1) and (2) or a mixture thereof.
상기 유기발광소자는 애노드(anode)와 캐소드(cathod) 사이에 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 등의 유기박막층을 1 개 이상 포함할 수 있다.The organic light emitting device includes an organic thin film layer (HIL) such as a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL) between an anode and a cathode May be included.
먼저, 기판 상부에 높은 일함수를 갖는 애노드 전극용 물질을 증착시켜 애노드를 형성한다. 이때, 상기 기판은 통상의 유기발광소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있으며, 특히 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면평활성, 취급용이성, 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용하는 것이 좋다. 또한, 애노드 전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 사용할 수 있다. 상기 애노드 전극용 물질은 통상의 애노드 형성방법에 의해 증착할 수 있으며, 구체적으로 증착법 또는 스퍼터링법에 의해 증착할 수 있다.First, an anode electrode material having a high work function is deposited on the substrate to form an anode. At this time, the substrate can be a substrate used in conventional organic light emitting devices, and it is particularly preferable to use a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness. As the material for the anode electrode, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO) and the like which are transparent and excellent in conductivity can be used. The anode electrode material can be deposited by a conventional anode formation method, and specifically, it can be deposited by a deposition method or a sputtering method.
그 다음, 상기 애노드 전극 상부에 정공주입층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB(Langmuir-Blodgett)법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있지만, 균일한 막질을 얻기 쉽고, 또한 핀정공이 발생하기 어렵다는 등의 점에서 진공증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 상기 진공증착법에 의해 정공주입층을 형성하는 경우 그 증착조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 정공주입층의 구조 및 열적특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 50~500℃의 증착온도, 10-8 내지 10-3 torr의 진공도, 0.01 내지 100 Å/sec의 증착속도, 10 Å 내지 5 ㎛의 층 두께 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.Next, a hole injection layer material may be formed on the anode electrode by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB (Langmuir-Blodgett) method, but it is easy to obtain a uniform film quality, It is preferable to form it by a vacuum evaporation method. When the hole injection layer is formed by the vacuum deposition method, the deposition conditions vary depending on the compound used as the material of the hole injection layer, the structure and the thermal characteristics of the desired hole injection layer, and the like. Generally, the deposition temperature is 50 to 500 DEG C, A vacuum degree of 10 -8 to 10 -3 torr, a deposition rate of 0.01 to 100 Å / sec, and a layer thickness range of 10 Å to 5 탆.
상기 정공주입층 물질은 특별히 제한되지 않으며, 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리 프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA(4,4',4"-트리(N-카바졸릴)트리페닐아민), m-MTDATA(4,4',4"-트리스(3-메틸페닐아미노)트리페닐아민), m-MTDAPB(4,4',4"-트리스(3-메틸페닐아미노)페녹시벤젠), HI-406(N1,N1'-(비페닐-4,4'-디일)비스(N1-(나프탈렌-1-일)-N4,N4-디페닐벤젠-1,4-디아민) 등을 정공주입층 물질로 사용할 수 있다.The hole injection layer material is not particularly limited and may be a phthalocyanine compound such as copper phthalocyanine disclosed in U.S. Patent No. 4,356,429 or a star burst type amine derivative TCTA (4,4 ', 4 "-tri (N-carbazolyl) tri (4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylamino) triphenylamine), m-MTDAPB ), HI-406 (N 1 , N 1 '- ( biphenyl-4,4'-diyl) bis (N 1 - (naphthalen-1-yl) -N 4, N 4 - benzene-1,4-diphenyl -Diamine) can be used as a hole injection layer material.
다음으로 상기 정공주입층 상부에 정공수송층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있지만, 균일한 막질을 얻기 쉽고, 핀정공이 발생하기 어렵다는 점에서 진공증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 상기 진공증착법에 의해 정공수송층을 형성하는 경우 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다.Next, a hole transporting layer material may be formed on the hole injecting layer by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, etc. However, since a uniform film quality can be easily obtained, It is preferably formed by a vapor deposition method. When the hole transporting layer is formed by the vacuum deposition method, the deposition conditions vary depending on the compound used, but it is generally preferable to select the conditions within the substantially same range as the formation of the hole injection layer.
또한, 상기 정공수송층 물질은 특별히 제한되지는 않으며, 정공수송층에 사용되고 있는 통상의 공지 물질 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 구체적으로, 상기 정공수송층 물질은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N.N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상의 아민 유도체 등이 사용될 수 있다.In addition, the hole transport layer material is not particularly limited, and may be selected from any conventionally known materials used in the hole transport layer. Specifically, the hole transport layer material may be a carbazole derivative such as N-phenylcarbazole or polyvinylcarbazole, a carbazole derivative such as N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'- Phenyl) -4,4'-diamine (TPD), and N, N'-di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine Derivatives and the like can be used.
그 후, 상기 정공수송층 상부에 발광층 물질을 증착법 또는 용액 공정에 의해서 도포할 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 발광층을 형성하는 경우 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 또한, 상기 발광층 재료는 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물을 단독으로 사용하거나 또는 호스트로 사용할 수 있다.Thereafter, the light emitting layer material may be applied on the hole transporting layer by a vapor deposition method or a solution process. When the light emitting layer is formed by the vacuum vapor deposition method, the deposition conditions vary depending on the compound used, but it is generally preferable to select the conditions within the substantially same range as the formation of the hole injection layer. The light emitting layer material can be used alone or as a host compound of the compound represented by the formula (1) of the present invention.
상기 화학식 1, 2로 표시되는 화합물 또는 이들의 혼합물을 발광 호스트로 사용하는 경우, 인광 또는 형광 도펀트를 함께 사용하여 발광층을 형성할 수 있다. 이때, 형광 도펀트로는 이데미츠사(Idemitsu사)에서 구입 가능한 IDE102 또는 IDE105, 또는 BD142(N6,N12-비스(3,4-디메틸페닐)-N6,N12-디메시틸크리센-6,12-디아민)를 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로는 녹색 인광 도판트 Ir(ppy)3(트리스(2-페닐피리딘) 이리듐), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic(이리듐(Ⅲ) 비스[4,6-다이플루오로페닐)-피리디나토-N,C2'] 피콜린산염), UDC사의 적색 인광 도펀트 RD61 등이 공동 진공증착(도핑)될 수 있다. 도펀트의 도핑농도는 특별히 제한되지 않으나, 호스트 100 중량부 대비 도펀트가 0.01 내지 15 중량부로 도핑되는 것이 바람직하다. 만약 도펀트의 함량이 0.01 중량부 미만일 경우에는 도펀트량이 충분치 못하여 발색이 제대로 이루어지지 않는다는 문제점이 있으며, 15 중량부를 초과할 경우에는 농도 소광 현상으로 인해 효율이 급격히 감소된다는 문제점이 있다.When a compound represented by the above general formula (1) or (2) or a mixture thereof is used as a luminescent host, a phosphorescent or fluorescent dopant may be used together to form a luminescent layer. At this time, the fluorescent dopant to the possible purchase from Idemitsu Co. (Idemitsu Corporation) IDE102 or IDE105, or BD142 (N 6, N 12-bis (3,4-dimethylphenyl) -N 6, N 12 - D-mesityl chrysene - 6,12- diamine) can be used for, the phosphorescent dopant is a green phosphorescent dopant into bit Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium), which F2Irpic (iridium (ⅲ) blue phosphorescent dopant bis [4,6 -Difluorophenyl) -pyridinate-N, C2 '] picolinate), UDC's red phosphorescent dopant RD61, etc. may be vacuum vacuum deposited (doped). The doping concentration of the dopant is not particularly limited, but is preferably doped with 0.01 to 15 parts by weight of the dopant relative to 100 parts by weight of the host. If the content of the dopant is less than 0.01 part by weight, the amount of the dopant is not sufficient and color development is not properly performed. If the amount is more than 15 parts by weight, the efficiency is drastically reduced due to the concentration quenching phenomenon.
또한, 발광층에 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여 정공억제재료(HBL)를 추가로 진공증착법 또는 스핀코팅법에 의해 적층시키는 것이 바람직하다. 이때 사용할 수 있는 정공억제물질은 특별히 제한되지는 않으나, 정공억제재료로 사용되고 있는 공지의 것에서 임의의 것을 선택해서 이용할 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 또는 일본특개평 11-329734(A1)에 기재되어 있는 정공억제재료 등을 들 수 있으며, 대표적으로 Balq(비스(8-하이드록시-2-메틸퀴놀리놀나토)-알루미늄 비페녹사이드), 페난트롤린(phenanthrolines)계 화합물(예: UDC사 BCP(바쏘쿠프로인)) 등을 사용할 수 있다.When the phosphorescent dopant is used together with the phosphorescent dopant, it is preferable to further laminate the hole blocking material (HBL) by a vacuum evaporation method or a spin coating method in order to prevent the triplet exciton or hole from diffusing into the electron transporting layer. The hole blocking material that can be used at this time is not particularly limited, but any known hole blocking material may be used. For example, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a phenanthroline derivative, or a hole blocking material described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 11-329734 (A1) can be exemplified. Typically, Balq (bis Phenanthrolines based compounds such as UDC company BCP (bassocouroin), and the like can be used.
상기와 같이 형성된 발광층 상부에는 전자수송층이 형성되는데, 이때 상기 전자수송층은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성되며, 특히 진공증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.An electron transport layer is formed on the light emitting layer formed as described above. The electron transport layer is formed by a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or the like, and is preferably formed by a vacuum deposition method.
상기 전자수송층 재료는 전자주입전극으로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 그 종류가 특별히 제한되지는 않으며, 예를 들어 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(Alq3), 또는 ET4(6,6'-(3,4-디메시틸-1,1-디메틸-1H-실올-2,5-디일)디-2,2'-비피리딘)을 사용할 수 있다. 또한, 전자수송층 상부에 캐소드로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자주입층(EIL)이 적층될 수 있으며, 전자주입층 물질로는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등의 물질을 이용할 수 있다.The electron transport layer material serves to stably transport electrons injected from the electron injection electrode. The material is not particularly limited, and examples thereof include quinoline derivatives, especially tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ), Or ET4 (6,6 '- (3,4-dimemethyl-1,1-dimethyl-1H-silanol-2,5-diyl) di-2,2'-bipyridine). In addition, an electron injection layer (EIL), which is a material having a function of facilitating the injection of electrons from the cathode, may be laminated on the electron transport layer. Examples of the electron injection layer material include LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO Can be used.
또한, 상기 전자수송층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다.The deposition conditions of the electron transporting layer depend on the compound used, but it is generally preferable to select the conditions within the same range as the formation of the hole injection layer.
그 뒤, 상기 전자수송층 상부에 전자주입층 물질을 형성할 수 있으며, 이때 상기 전자수송층은 통상의 전자주입층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성되며, 특히 진공증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.Thereafter, an electron injection layer material may be formed on the electron transport layer, and the electron transport layer may be formed by a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or the like, .
마지막으로 전자주입층 상부에 캐소드 형성용 금속을 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법에 의해 형성하고 캐소드로 사용한다. 여기서 캐소드 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물, 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등이 있다. 또한, 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수도 있다.Finally, a metal for forming a cathode is formed on the electron injection layer by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like, and used as a cathode. As the metal for cathode formation, a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a low work function, and a mixture thereof can be used. Specific examples thereof include Li, Mg, Al, Al-Li, Ca, Mg-In, Mg-Ag, . Also, a transmissive cathode using ITO or IZO may be used to obtain a front light emitting element.
본 발명의 유기발광소자는 애노드, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 캐소드 구조의 유기발광소자 뿐만 아니라, 다양한 구조의 유기발광소자의 구조가 가능하며, 필요에 따라 1층 또는 2층의 중간층을 더 형성하는 것도 가능하다.The organic light emitting device of the present invention can have an organic light emitting device having various structures as well as an anode, a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer and a cathode structure, Layer or an intermediate layer of two layers may be further formed.
상기와 같이 본 발명에 따라 형성되는 각 유기박막층의 두께는 요구되는 정도에 따라 조절할 수 있으며, 바람직하게는 10 내지 1,000 ㎚이며, 더욱 바람직하게는 20 내지 150 ㎚인 것이 좋다.As described above, the thickness of each organic thin film layer formed according to the present invention can be adjusted according to the required degree, preferably 10 to 1,000 nm, and more preferably 20 to 150 nm.
또한 본 발명에 있어서, 상기 화학식 1, 2로 표시되는 화합물 또는 이들의 혼합물을 포함하는 유기박막층은 유기박막층의 두께를 분자 단위로 조절할 수 있기 때문에 표면이 균일하며, 형태안정성이 뛰어난 장점이 있다.In the present invention, since the thickness of the organic thin film layer can be controlled by the molecular unit, the surface of the organic thin film layer including the compound represented by the above general formulas (1) and (2) or a mixture thereof is uniform and has excellent shape stability.
본 발명의 유기발광 화합물은 전자전달 능력 및 전기적 안정성이 우수하고 높은 발광효율과 발광휘도를 가지며 장수명 구현이 가능할 뿐 아니라, 용해도가 우수하여 박막을 형성할 수 있기 때문에 용액공정에 적용 가능하며, 다양한 방식의 유기발광소자의 제작에 유용하게 사용될 수 있다.
The organic luminescent compound of the present invention is excellent in electron transporting ability and electrical stability, has high luminescence efficiency and luminescence brightness, can realize a long life, and is excellent in solubility to form a thin film, Type organic light emitting device.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the scope of the present invention is not limited to the following examples.
화합물 1-2의 제조Preparation of Compound 1-2
2,3-Dibromobenzo[b]thiophene 10.0 g에 탈수 THF를 가하여, -78 ℃로 냉각하고, n-BuLi (2.5 M)을 32.88 mL 적하, 교반하였다. Triisopropyl borate 18.97 mL를 천천히 가하고나서 2시간 반응시켰다. 상온까지 온도를 올린 뒤, 10％ HCl 용액을 가하여 교반하고, 유기층을 추출하였다. Brine으로 씻어준 뒤, 무수 MgSO4로 건조하고 회전증발기로 농축하였다. 얻어진 고체를 컬럼크로마토그래피로 정제하여, 얻어진 물질을 n-hexane으로 씻어주고, 감압 건조하여 화합물 1-2 6.50 g(76.5%)의 고체를 얻었다. To 10.0 g of 2,3-dibromobenzo [ b ] thiophene was added dehydrated THF, cooled to -78 ° C, 32.88 mL of n-BuLi (2.5 M) was added dropwise and stirred. 18.97 mL of triisopropyl borate was slowly added and reacted for 2 hours. After the temperature was raised to room temperature, 10% HCl solution was added and stirred, and the organic layer was extracted. Washed with brine, dried over anhydrous MgSO 4 and concentrated using a rotary evaporator. The resulting solid was purified by column chromatography, and the resulting material was washed with n-hexane and dried under reduced pressure to obtain 6.50 g (76.5%) of a compound 1-2.
화합물 2, 3-1, 3-2의 합성Synthesis of Compound 2, 3-1, 3-2
2의 합성법2 synthesis method
둥근바닥플라스크에 1번의 화합물 (1당량), 아민화합물 (1당량), Pd2(dba)3 (0.05 mmol), PPh3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축 한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 얻었다.
Pd 2 (dba) 3 (0.05 mmol), PPh 3 (0.1 eq.), NaOt-Bu (3 eq.), Toluene (10.5 mL / 1 mmol), and the reaction is allowed to proceed at 100 ° C. After the reaction was completed, the reaction mixture was extracted with ether and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resulting organic material was purified by silicagel column and recrystallization.
3-1의 합성법Synthesis of 3-1
둥근바닥플라스크에 1-1 화합물 (1당량), 2의 합성법으로 만들어진 화합물 (1.1당량), Pd(PPh3)4 (0.03당량), K2CO3 (3당량), THF (3 mL / 1 mmol), 물 (1.5 mL / 1 mmol)을 넣는다. 그런 후에 80-90 ℃ 상태에서 가열 환류시킨다. 반응이 완료되면 상온에서 증류수를 넣어 희석시킨다. 그런 후에 메틸렌클로라이드와 물로 추출하고 유기층을 MgSO4로 건조하여 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물을 얻었다.
(1.1 eq.), Pd (PPh 3 ) 4 (0.03 eq.), K 2 CO 3 (3 eq.), THF (3 mL / 1) in a round bottom flask mmol) and water (1.5 mL / 1 mmol). Then, it is refluxed at 80-90 캜. When the reaction is complete, dilute with distilled water at room temperature. The mixture was extracted with methylene chloride and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resulting compound was purified by silicagel column and recrystallized to obtain the product.
3-2의 합성법Synthesis method of 3-2
둥근바닥플라스크에 1-2 화합물 (1당량), 2의 합성법으로 만들어진 화합물 (2.2당량), Pd(PPh3)4 (0.06당량), K2CO3 (6당량), THF (6 mL / 1 mmol), 물 (3 mL / 1 mmol)을 넣는다. 그런 후에 80-90 ℃ 상태에서 가열 환류시킨다. 반응이 완료되면 상온에서 증류수를 넣어 희석시킨다. 그런 후에 메틸렌클로라이드와 물로 추출하고 유기층을 MgSO4로 건조하여 농축한 후 생성된 화합물을silicagel column 및 재결정하여 생성물을 얻었다.
Compound 1-2 (1 eq.), The compound produced by synthesis of the second round-bottom flask (2.2 eq), Pd (PPh 3) 4 (0.06 eq), K 2 CO 3 (6 eq), THF (6 mL / 1 mmol) and water (3 mL / 1 mmol). Then, it is refluxed at 80-90 캜. When the reaction is complete, dilute with distilled water at room temperature. The mixture was extracted with methylene chloride and water. The organic layer was dried over MgSO 4 and concentrated. The resulting compound was purified by silicagel column and recrystallized to obtain the product.
화합물 2-1의 합성법 
1,4-dibromobenzene-d4 (12.0 g, 50 mmol), N-phenyl-cyanoaniline (9.7 g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2의 합성법을 사용하여 13.3 g (수율 : 75%)의 생성물을 얻었다.
Pd 2 (dBA) 3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), N-phenyl-cyanoaniline (9.7 g, 50 mmol), 1,4-dibromobenzene- ), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were used to obtain 13.3 g (yield: 75%) of the product.
화합물 2-2의 합성법 
1,4-dibromobenzene-d4(12.0 g, 50 mmol), N-(biphenyl-4-yl)naphthalen-2-amine (14.8 g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2의 합성법을 사용하여 16.0 g (수율 : 71%)의 생성물을 얻었다.
2-amine (14.8 g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3 g, 2.5 mmol), 1,4-dibromobenzene-d4 (12.0 g, 16.0 g (Yield: 71%) of the product was obtained using PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL)
화합물 2-3의 합성법 
1,3-dibromobenzene-d4 (12.0 g, 50 mmol), 9,9-dimethyl-N-(naphthalen-2-yl)-9H-fluoren-2-amine (16.8 g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2의 합성법을 사용하여 16.5 g (수율 : 67%)의 생성물을 얻었다.
(12.8 g, 50 mmol), 9,9-dimethyl-N- (naphthalen-2-yl) -9H-fluoren-2-amine (16.8 g, 50 mmol), Pd 2 ) 3 (2.3 g, 2.5 mmol ), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), the NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL) using the synthetic method of the above 2 16.5 g (yield: 67 %).
화합물 2-4의 합성법 
1,3-dibromobenzene-d4 (12.0 g, 50 mmol), N-[4-(1-naphthalenyl)phenyl]-[1,1'-Biphenyl]-4-amine (12.3 g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2의 합성법을 사용하여 14.8 g (수율 : 74%)의 생성물을 얻었다.
Phenyl] - [1,1'-Biphenyl] -4-amine (12.3 g, 50 mmol), Pd 2 (12.0 g, 50 mmol), 1,3-dibromobenzene- (dba) 3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) : 74%).
화합물 2-5의 합성법 
4,4'-Dibromobiphenyl-d8 (16.0 g, 50 mmol), N-phenylbiphenyl-4-amine (12.3 g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2의 합성법을 사용하여 14.8 g (수율 : 74%)의 생성물을 얻었다.
Pd 2 (dBA) 3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 50 mmol), N-phenylbiphenyl-4-amine (12.3 g, 50 mmol), 4,4'-dibromobiphenyl- (Yield: 74%) of the product was obtained by using the synthetic method of 2), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL).
화합물 2-6의 합성법 
1,3-dibromobenzene-d4 (12.0 g, 50 mmol), N-phenylbiphenyl-4-amine (12.3 g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2의 합성법을 사용하여 14.0 g (수율 : 71%)의 생성물을 얻었다.
Pd 2 (dBA) 3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 50 mmol), 1,3-dibromobenzene-d4 (12.0 g, 50 mmol), N- phenylbiphenyl- 14.0 g (71%) of the product was obtained by using the synthetic method of the above 2, NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL).
화합물 2-7의 합성법 
4,4'-Dibromobiphenyl-d8 (16.0 g, 50 mmol), N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)naphthalen-2-amine (14.8 g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2의 합성법을 사용하여 14.8 g (수율 : 74%)의 생성물을 얻었다.
4-yl) naphthalen-2-amine (14.8 g, 50 mmol), Pd 2 (dba), and 4,4'-dibromobiphenyl-d8 (16.0 g, 14.8 g (Yield: 74%) of 3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) ) Of the product.
화합물 2-8의 합성법 
4,4'-Dibromobiphenyl-d8 (16.0 g, 50 mmol), 4-([1,1'-biphenyl]-4-ylamino)benzonitrile (13.5 g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2의 합성법을 사용하여 14.2 g (수율 : 72%)의 생성물을 얻었다.
4-ylamino) benzonitrile (13.5 g, 50 mmol), Pd 2 (dba) 3 (2.3 g, 50 mmol) and 4,4'-dibromobiphenyl-d8 (16.0 g, the product of 72%):, 2.5 mmol) , PPh 3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL) of 14.2 g (yield, using the synthesis of the 2 .
화합물 2-9의 합성법 
4,4'-Dibromobiphenyl-d8 (16.0 g, 50 mmol), N-phenylnaphthalen-2-amine (11 g, 50 mmol), Pd2(dba)3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh3 (1.31 g, 5 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol), toluene (525 mL)을 상기 2의 합성법을 사용하여 13 g (수율 : 69%)의 생성물을 얻었다
Pd 2 (dBA) 3 (2.3 g, 2.5 mmol), PPh 3 (1.31 g, 50 mmol), N-phenylnaphthalen-2-amine (11 g, 50 mmol), 4,4'-dibromobiphenyl- , 13 mmol), NaOt-Bu (14.42 g, 150 mmol) and toluene (525 mL) were used to synthesize 13 g (69%
화합물 3-1의 합성법 
1-1 화합물 (1당량), 2-1 화합물 (1.1당량), Pd(PPh3)4 (0.03당량), K2CO3 (3당량), THF (3 mL / 1 mmol), 물 (1.5 mL / 1 mmol)을 합성법 3-1을 사용하여 10.8 g (수율 : 72%)의 생성물을 얻었다.
Compound 1-1 (1 eq.), Compound 2-1 (1.1 eq), Pd (PPh 3) 4 (0.03 eq), K 2 CO 3 (3 equiv.), THF (3 mL / 1 mmol), water (1.5 mL / 1 mmol) was synthesized according to the synthesis method 3-1 to obtain 10.8 g (yield: 72%) of the product.
화합물 3-2의 합성법 
1-1 화합물 (1당량), 2-2 화합물 (1.1당량), Pd(PPh3)4 (0.03당량), K2CO3 (3당량), THF (3 mL / 1 mmol), 물 (1.5 mL / 1 mmol)을 합성법 3-1을 사용하여 9.7 g (수율 : 68%)의 생성물을 얻었다.
Compound 1-1 (1 eq.), Compound 2-2 (1.1 eq), Pd (PPh 3) 4 (0.03 eq), K 2 CO 3 (3 equiv.), THF (3 mL / 1 mmol), water (1.5 mL / 1 mmol) was synthesized according to Synthesis Method 3-1 to obtain 9.7 g (yield: 68%) of the product.
화합물 3-3의 합성법 
1-1 화합물 (1당량), 2-3 화합물 (1.1당량), Pd(PPh3)4 (0.03당량), K2CO3 (3당량), THF (3 mL / 1 mmol), 물 (1.5 mL / 1 mmol)을 합성법 3-1을 사용하여 10.2 g (수율 : 70%)의 생성물을 얻었다.
Compound 1-1 (1 eq.), Compound 2-3 (1.1 eq), Pd (PPh 3) 4 (0.03 eq), K 2 CO 3 (3 equiv.), THF (3 mL / 1 mmol), water (1.5 mL / 1 mmol) was synthesized according to Synthesis Method 3-1 to obtain 10.2 g (yield: 70%) of the product.
화합물 3-4의 합성법 
1-1 화합물 (1당량), 2-4 화합물 (1.1당량), Pd(PPh3)4 (0.03당량), K2CO3 (3당량), THF (3 mL / 1 mmol), 물 (1.5 mL / 1 mmol)을 합성법 3-1을 사용하여 11.3 g (수율 : 74%)의 생성물을 얻었다.
Compound 1-1 (1 eq.), Compound 2-4 (1.1 eq), Pd (PPh 3) 4 (0.03 eq), K 2 CO 3 (3 equiv.), THF (3 mL / 1 mmol), water (1.5 mL / 1 mmol) was synthesized using Synthetic Method 3-1 to obtain 11.3 g (yield: 74%) of the product.
화합물 3-5의 합성법 
1-2 화합물 (1당량), 2-5 화합물 (2.2당량), Pd(PPh3)4 (0.06당량), K2CO3 (6당량), THF (6 mL / 1 mmol), 물 (3 mL / 1 mmol)을 합성법 3-1을 사용하여 12.1 g (수율 : 76%)의 생성물을 얻었다.
1-2 Compound (1 equivalent), 2-5 Compound (2.2 Equivalent), Pd (PPh 3 ) 4 (0.06 Equivalent), K 2 CO 3 (6 equiv), THF (6 mL / mL / 1 mmol) was synthesized using Synthesis Method 3-1 to obtain 12.1 g (yield: 76%) of the product.
화합물 3-6의 합성법 
1-2 화합물 (1당량), 2-2 화합물 (2.2당량), Pd(PPh3)4 (0.06당량), K2CO3 (6당량), THF (6 mL / 1 mmol), 물 (3 mL / 1 mmol)을 합성법 3-2를 사용하여 10.1 g (수율 : 72%)의 생성물을 얻었다.
Compound 1-2 (1 eq.), Compound 2-2 (2.2 equiv), Pd (PPh 3) 4 (0.06 eq), K 2 CO 3 (6 eq), THF (6 mL / 1 mmol), water (3 mL / 1 mmol) was synthesized according to the synthesis method 3-2 to give 10.1 g (yield: 72%) of the product.
화합물 3-7의 합성법 
1-2 화합물 (1당량), 2-1 화합물 (2.2당량), Pd(PPh3)4 (0.06당량), K2CO3 (6당량), THF (6 mL / 1 mmol), 물 (3 mL / 1 mmol)을 합성법 3-2를 사용하여 10.9 g (수율 : 74%)의 생성물을 얻었다.
Compound 1-2 (1 eq.), Compound 2-1 (2.2 equiv), Pd (PPh 3) 4 (0.06 eq), K 2 CO 3 (6 eq), THF (6 mL / 1 mmol), water (3 mL / 1 mmol) was synthesized according to the synthesis method 3-2 to obtain 10.9 g (yield: 74%) of the product.
화합물 3-8의 합성법 
1-2 화합물 (1당량), 2-6 화합물 (2.2당량), Pd(PPh3)4 (0.06당량), K2CO3 (6당량), THF (6 mL / 1 mmol), 물 (3 mL / 1 mmol)을 합성법 3-2를 사용하여 10.1 g (수율 : 73%)의 생성물을 얻었다.
1-2 Compound (1 eq.), 2-6 Compound (2.2 eq.), Pd (PPh 3 ) 4 (0.06 eq.), K 2 CO 3 (6 eq.), THF (6 mL / mL / 1 mmol) was synthesized using Synthetic Method 3-2 to give 10.1 g (yield: 73%) of the product.
화합물 3-9의 합성법 
1-2 화합물 (1당량), 2-8화합물 (1.1당량), Pd(PPh3)4 (0.06당량), K2CO3 (6당량), THF (6 mL / 1 mmol), 물 (3mL / 1 mmol)을 합성법 3-2를 사용하여 9.8 g (수율 : 70%)의 생성물을 얻었다.
1-2 Compound (1 eq.), 2-8 Compound (1.1 eq.), Pd (PPh 3 ) 4 (0.06 eq.), K 2 CO 3 (6 eq.), THF (6 mL / / 1 mmol) was synthesized using Synthesis Method 3-2 to obtain 9.8 g (yield: 70%) of the product.
화합물 3-10의 합성법 
1-2 화합물 (1당량), 2-9의 합성법으로 만들어진 화합물 (2.2당량), Pd(PPh3)4 (0.06당량), K2CO3 (6당량), THF (6 mL / 1 mmol), 물 (3 mL / 1 mmol)을 합성법 3-2를 사용하여 9.2 g (수율 : 68%)의 생성물을 얻었다.
(2 equivalents), Pd (PPh 3 ) 4 (0.06 equivalents), K 2 CO 3 (6 equivalents), THF (6 mL / 1 mmol) , And water (3 mL / 1 mmol) were used to obtain 9.2 g (yield: 68%) of the product using the synthesis method 3-2.
유기발광소자의 제조Manufacture of organic light emitting device
도 1에 기재된 구조에 따라 유기발광소자를 제조하였다. 유기발광소자는 아래로부터 양극(정공주입전극(11))/정공주입층(12)/정공수송층(13)/발광층(14)/전자전달층(15)/음극(전자주입전극(16)) 순으로 적층되어 있다.An organic light emitting device was prepared according to the structure shown in FIG. The organic light emitting device includes an anode (hole injecting electrode 11) / a
하기 실시예 및 비교예의 정공주입층(12), 정공수송층(13), 발광층(14), 전자전달층(15)는 아래과 같은 물질을 사용하였다.The following materials were used for the
2-TNATA NPB MADN BD012-TNATA NPB MADN BD01
CBP Ir(ppy)3 Alq3 TPBi
CBP Ir (ppy) 3 Alq3 TPBi
실시예 1Example 1
인듐틴옥사이드(ITO)가 1500 Å 두께가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정 한 후 ITO 기판 상부에 열 진공 증착기(thermal evaporator)를 이용하여 정공주입층 및 정공수송층으로 화합물 3-1 600 Å를 제막하였다. 다음으로 상기 발광층으로 MADN:BD01 5%로 도핑하여 300 Å 제막하였다. 다음으로 전자전달층으로 Alq3 300 Å 제막한 후 LiF 10 Å, 알루미늄(Al) 1000 Å 제막하고, 이 소자를 글로브 박스에서 밀봉(Encapsulation)함으로써 유기발광소자를 제작하였다.
The glass substrate coated with thin film of indium tin oxide (ITO) 1500 Å in thickness was washed with distilled water ultrasonic waves. After the distilled water was cleaned, the substrate was ultrasonically cleaned with a solvent such as isopropyl alcohol, acetone, or methanol, dried, and transferred to a plasma cleaner. Then, the substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then a thermal vacuum evaporator evaporator) to form a hole injecting layer and a hole transporting layer 3-1 600 Å. Next, the light emitting layer was doped with 5% MADN: BD01 to form a 300 Å layer. Next, an Alq3 film was formed to a thickness of 300 angstroms as an electron transporting layer, and
실시예 2 Example 2
실시예 1과 같은 방법으로 정공주입층 및 정공전달층을 화합물 3-2로 제막한 유기발광소자를 제작하였다.
An organic light emitting device having a hole injecting layer and a hole transporting layer formed of Compound 3-2 was prepared in the same manner as in Example 1.
실시예 3 Example 3
실시예 1과 같은 방법으로 정공주입층 및 정공전달층을 화합물 3-3으로 제막한 유기발광소자를 제작하였다.
An organic light emitting device having a hole injecting layer and a hole transporting layer formed of Compound 3-3 was prepared in the same manner as in Example 1. [
실시예 4 Example 4
실시예 1과 같은 방법으로 정공주입층 및 정공전달층을 화합물 3-4로 제막한 유기발광소자를 제작하였다.
An organic light emitting device having a hole injecting layer and a hole transporting layer formed of Compound 3-4 was prepared in the same manner as in Example 1.
실시예 5 Example 5
실시예 1과 같은 방법으로 정공주입층 및 정공전달층을 화합물 3-5로 제막한 유기발광소자를 제작하였다.
An organic light emitting device having a hole injecting layer and a hole transporting layer formed of Compound 3-5 was prepared in the same manner as in Example 1.
실시예 6Example 6
실시예 1과 같은 방법으로 정공주입층 및 정공전달층을 화합물 3-6으로 제막한 유기발광소자를 제작하였다.
An organic light emitting device having a hole injecting layer and a hole transporting layer formed of the compound 3-6 was prepared in the same manner as in Example 1. [
실시예 7Example 7
실시예 1과 같은 방법으로 정공주입층 및 정공전달층을 화합물 3-7로 제막한 유기발광소자를 제작하였다.
An organic light emitting device having a hole injecting layer and a hole transporting layer formed of Compound 3-7 was prepared in the same manner as in Example 1.
실시예 8Example 8
실시예 1과 같은 방법으로 정공주입층 및 정공전달층을 화합물 3-8로 제막한 유기발광소자를 제작하였다.
An organic light emitting device having a hole injecting layer and a hole transporting layer formed of Compound 3-8 was prepared in the same manner as in Example 1. [
실시예 9 Example 9
실시예 1과 같은 방법으로 정공주입층 및 정공전달층을 화합물 3-9로 제막한 유기발광소자를 제작하였다.
An organic light emitting device having a hole injecting layer and a hole transporting layer formed of Compound 3-9 was prepared in the same manner as in Example 1.
실시예 10Example 10
실시예 1과 같은 방법으로 정공주입층 및 정공전달층을 화합물 3-10로 제막한 유기발광소자를 제작하였다.
An organic light emitting device having a hole injecting layer and a hole transporting layer formed of Compound 3-10 was prepared in the same manner as in Example 1.
비교예 1Comparative Example 1
상기 실시예 1의 정공주입층 및 정공전달층을 NPB로 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 소자를 제작하였다.
A device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the hole injection layer and the hole transport layer were used as NPB.
유기발광소자의 성능평가Evaluation of performance of organic light emitting device
키슬리 2400 소스 메져먼트 유닛(Kiethley 2400 source measurement unit) 으로 전압을 인가하여 전자 및 정공을 주입하고 코니카 미놀타(Konica Minolta) 분광복사계(CS-2000)를 이용하여 빛이 방출될 때의 휘도를 측정함으로써, 실시예 및 비교예의 유기발광소자의 성능을 인가전압에 대한 전류 밀도 및 휘도를 대기압 조건하에 측정하여 평가하였으며, 그 결과를 표 1에 나타내었다. A voltage was applied to the Keithley 2400 source measurement unit to inject electrons and holes and the luminance was measured using a Konica Minolta spectroscope (CS-2000). The performance of the organic light emitting devices of the examples and comparative examples was evaluated by measuring the current density and the luminance with respect to the applied voltage under the atmospheric pressure condition, and the results are shown in Table 1.
상기 표 1에 나타나는 바와 같이 본 발명의 실시예 1 내지 10은 비교예 1에 비하여 모든 면에서 물성이 우수함을 확인할 수 있다. As shown in Table 1, Examples 1 to 10 of the present invention are superior to those of Comparative Example 1 in all aspects.
Claims (12)
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 또는 2에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 치환되지 않은 C6~C40의 아릴기 또는 C3~C40의 헤테로아릴기이고, 여기서, 인접 고리는 서로 융합될 수 있으며;
Z은 2가의 연결기로서, 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 치환되지 않은 C6~C40의 아릴기 또는 C3~C40의 헤테로아릴기이고, 이 때, Z은 적어도 하나 이상의 중수소를 포함하며;
R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 수소, 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C5~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C12의 알킬기; 또는 C6~C20의 아릴기이다.An organic light-emitting compound substituted with deuterium represented by the following formula (1) or (2)
[Chemical Formula 1]
(2)
In the formula 1 or 2, Ar 1 and Ar 2 are each independently a heavy hydrogen, a halogen, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ alkenyl group of the C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 of, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 cycloalkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 heteroaryl group unsubstituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of An unsubstituted C 6 to C 40 aryl group or a C 3 to C 40 heteroaryl group, wherein adjacent rings may be fused to each other;
Z is a divalent linking group, heavy hydrogen, a halogen, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ alkoxy group of C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 of, C 3 ~ C 40 the cycloalkyl of the alkyl group, C 3 ~ C 40 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 40 aryl group and C 3 ~ C 40 optionally substituted with one or more groups selected from the heteroaryl group consisting of a C 6 ~ C 40 of the An aryl group or a C 3 to C 40 heteroaryl group, wherein Z comprises at least one or more deuterium;
R 1 to R 5 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; A halogen atom, a halogen atom, an amino group, a nitrile group, a nitro group, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 1 to C 20 alkylamine group, a C 1 to C 20 alkylthiophene A C 2 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylthio group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 2 to C 20 alkynyl group, a C 3 to C 20 cycloalkyl group, a C 6 to C 20 aryl group, A C 6 to C 20 aryl group, a C 8 to C 20 arylalkenyl group, a silane group, a boron group, a germanium group, and a C 5 to C 20 heterocyclic group, A substituted or unsubstituted C 1 to C 12 alkyl group; Or a C 6 to C 20 aryl group.
상기 L이 50% 이상 치환된 중소수로를 포함하는 것을 특징으로 하는 중수소로 치환된 유기발광 화합물.The method according to claim 1,
Wherein said L is a medium-to-small-sized water line substituted by 50% or more.
Ar2가 하기 구조식들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 중수소로 치환된 유기발광 화합물:
상기 구조들에서 수소는 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C3~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환될 수 있다.The method according to claim 1,
Wherein Ar < 2 > is selected from the group consisting of the following structural formulas:
In the above structure, the hydrogen in heavy hydrogen, a halogen, an amino group, a nitrile group, a nitro group, C 1 ~ C 40 alkyl group, C 2 ~ C 40 alkenyl group, C 1 ~ C 40 alkoxy group, C 3 ~ C 40 of the May be substituted with one or more groups selected from the group consisting of a cycloalkyl group, a C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, a C 6 to C 40 aryl group, and a C 3 to C 40 heteroaryl group.
상기 화학식 1의 화합물이 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시되는 것을 특징으로 하는 중수소로 치환된 유기발광 화합물:
[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
상기 화학식 1-1, 1-2에서 X1 내지 X4는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 수소, 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C5~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C12의 알킬기; 또는 C6~C20의 아릴기이며, 적어도 하나는 중수소이다.The method according to claim 1,
An organic light-emitting compound substituted with deuterium, wherein the compound of formula (1) is represented by the following formula (1-1) or (1-2):
[Formula 1-1]
[Formula 1-2]
In Formulas 1-1 and 1-2, X 1 to X 4 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; A halogen atom, a halogen atom, an amino group, a nitrile group, a nitro group, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 1 to C 20 alkylamine group, a C 1 to C 20 alkylthiophene A C 2 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylthio group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 2 to C 20 alkynyl group, a C 3 to C 20 cycloalkyl group, a C 6 to C 20 aryl group, A C 6 to C 20 aryl group, a C 8 to C 20 arylalkenyl group, a silane group, a boron group, a germanium group, and a C 5 to C 20 heterocyclic group, A substituted or unsubstituted C 1 to C 12 alkyl group; Or a C 6 to C 20 aryl group, and at least one is deuterium.
상기 화학식 2의 화합물이 하기 화학식 2-1 또는 2-2로 표시되는 것을 특징으로 하는 중수소로 치환된 유기발광 화합물:
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
상기 화학식 2-1, 2-2에서 X1 내지 X12는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 수소, 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C5~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C1~C12의 알킬기; 또는 C6~C20의 아릴기이며, 적어도 하나는 중수소이다.The method according to claim 1,
Wherein the compound of Formula 2 is represented by the following Formula 2-1 or 2-2:
[Formula 2-1]
[Formula 2-2]
In Formulas (2-1) and (2-2), X 1 to X 12 each independently represents hydrogen; heavy hydrogen; A halogen atom, a halogen atom, an amino group, a nitrile group, a nitro group, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 1 to C 20 alkoxy group, a C 1 to C 20 alkylamine group, a C 1 to C 20 alkylthiophene A C 2 to C 20 alkoxy group, a C 6 to C 20 arylthio group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 2 to C 20 alkynyl group, a C 3 to C 20 cycloalkyl group, a C 6 to C 20 aryl group, A C 6 to C 20 aryl group, a C 8 to C 20 arylalkenyl group, a silane group, a boron group, a germanium group, and a C 5 to C 20 heterocyclic group, A substituted or unsubstituted C 1 to C 12 alkyl group; Or a C 6 to C 20 aryl group, and at least one is deuterium.
상기 화학식 1 또는 2의 화합물이 하기 구조식들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 중수소로 치환된 유기발광 화합물:
The method according to claim 1,
Wherein the compound of formula (1) or (2) is selected from the group consisting of the following structural formulas:
[반응식 1]
상기 반응식 1에서, Ar1, Ar2, R1 내지 R5, 및 Z은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.A process for preparing an organic luminescent compound substituted with deuterium represented by the following formula (1), comprising the reaction of the following Reaction Scheme 1:
[Reaction Scheme 1]
In the above Reaction Scheme 1, Ar 1 , Ar 2, R 1 to R 5 , and Z are as defined in Formula 1 above.
[반응식 2]
상기 반응식 2에서, Ar1, Ar2, R1 내지 R5, 및 Z은 상기 화학식 2에서 정의한 바와 같다.A process for preparing an organic luminescent compound substituted with deuterium represented by the following formula (2)
[Reaction Scheme 2]
In the above Reaction Scheme 2, Ar 1 , Ar 2, R 1 to R 5 , and Z are as defined in Formula 2 above.
애노드, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 및 캐소드를 제조함에 있어서, 제1항의 화합물 또는 제1항의 화합물을 포함하는 둘 이상의 혼합물을 증착법 또는 용액 공정(soluble process)에 적용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.10. The method of claim 9,
In preparing the anode, the hole injecting layer, the hole transporting layer, the light emitting layer, the electron transporting layer, the electron injecting layer and the cathode, a mixture of two or more compounds comprising the compound of the first invention or the compound of the first invention is applied to a deposition process or a soluble process To form an organic light emitting layer.
상기 용액 공정이 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.11. The method of claim 10,
Wherein the solution process is a spin coating process, a dip coating process, a doctor blading process, a screen printing process, an inkjet printing process or a thermal transfer process.
상기 발광층이 제1항의 화합물 또는 둘 이상의 혼합물을 발광 호스트로서 함유하고, 이 호스트 100 중량부 대비 0.01 내지 15 중량부의 도펀트를 추가로 함유하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.11. The method of claim 10,
Wherein the light emitting layer contains the compound of claim 1 or a mixture of two or more thereof as a light emitting host and further contains 0.01 to 15 parts by weight of a dopant based on 100 parts by weight of the host.
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