KR20140075898A - 이미지센서 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 기술은 이미지센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 복수의 단위픽셀영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상부에 각 단위픽셀영역과 대응하여 형성된 컬러필터; 및 상기 컬러필터 아래 상기 기판에 형성된 광흡수부를 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 장치의 제조 기술에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 이미지센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래의 씨모스 이미지센서의 제조 과정을 살펴보면, 각 픽셀별로 포토다이오드가 형성된 기판 상에 트랜지스터들을 형성하고, 트랜지스터 상에 복수 층의 금속 배선들과 층간절연막들을 형성한다. 그리고 층간절연막 상에 컬러필터들과 마이크로 렌즈를 형성한다.
이러한 구조를 가지는 종래의 씨모스 이미지센서에서는 빛이 마이크로 렌즈로부터 포토다이오드에 도달하기까지 금속배선의 영향을 크게 받으므로 광감도 및 양자효율이 감소되는 문제점이 있다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 후면(B)으로 빛을 받는 후면조사형 이미지센서가 제안되었다.
도 1은 종래기술에 따른 후면조사형 이미지센서에 관한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 소자분리막(미도시) 및 수광소자(12)를 포함하는 단위픽셀영역(101,102,103)을 갖는 기판(11)의 전면(frontside,F) 상에 금속배선(14)을 포함하는 층간절연막(13)이 위치한다. 그리고 기판(11) 후면(backside,B) 상에 반사방지막(15)이 위치한다.
반사방지막(15) 상부에는 각 단위픽셀영역(101,102,103)에 대응하는 컬러필터(16)가 배치된다. 컬러필터(16)의 상부에는 평탄화막(17)이 위치한다. 평탄화막(17) 상부에는 각 단위픽셀영역(101,102,103)에 대응되도록 마이크로렌즈(18)를 형성한다.
이러한 후면조사형 이미지센서 구조는 금속배선의 영향을 배제할 수 있고 층간절연막이 없어 광감도를 개선하는 장점이 있으나, STI공정으로 이루어진 소자분리막과 이온주입을 이용하여 형성된 복수의 포토다이오드 사이의 격리가 제대로 이루어지지 않아 광학적 크로스토크(X-Talk) 특성의 개선도 제한적이며 양자효율(Quantumn efficiency,QE)의 감소를 수반한다.
본 발명의 실시예는 광학적 크로스토크 방지함과 동시에 양자효율 증대시키기 위한 이미지센서 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지센서는 복수의 단위픽셀영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상부에 각 단위픽셀영역과 대응하여 형성된 컬러필터; 및 상기 컬러필터 아래 상기 기판에 형성된 광흡수부를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서는 복수의 단위픽셀영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상부에 형성된 컬러필터; 및 상기 컬러필터 아래 상기 기판에 형성된 광흡수부를 포함하고 상기 컬러필터는 제1컬러필터, 제2컬러필터 및 제3컬러필터를 포함하며, 상기 제1컬러필터는 상기 광흡수부와 중첩될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서는 복수의 단위픽셀영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상부에 다층구조를 갖는 컬러필터; 및 상기 컬러필터 아래 상기 기판에 형성된 광흡수부를 포함하고 상기 컬러필터는 제1컬러필터, 제2컬러필터 및 제3컬러필터를 포함하고, 상기 제1내지 제3컬러필터는 상기 광흡수부와 중첩될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지센서 제조 방법은 복수의 단위픽셀영역을 포함하는 기판을 형성하는 단계; 상기 기판에 상기 단위픽셀영역의 경계를 따라 광흡수부를 형성하는 단계; 및 상기 기판 상부에 각 단위픽셀영역과 대응하는 컬러필터를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 컬러필터는 제1컬러필터, 제2컬러필터 및 제3컬러필터를 포함할 수 있다.
본 기술은 복수의 단위픽셀영역을 포함하는 기판에 각 단위픽셀영역의 경계를 따라 광흡수부를 형성하고, 광흡수부와 중첩되도록 컬러필터를 형성함으로써, 인접한 단위픽셀영역 사이의 광학적 크로스토크를 효과적으로 방지함과 동시에 양자효율을 효과적으로 증대시킬 수 있다.
아울러 광흡수부가 다층구조를 갖는 컬러필터와 중첩되도록 형성함으로써, 인접한 단위픽셀영역 사이의 광학적 크로스토크를 효과적으로 방지함과 동시에 양자효율을 효과적으로 증대시킬 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 후면조사형 이미지센서에 관한 도면
도 2는 제1실시예에 따른 이미지센서를 도시한 단면도.
도 3은 제1실시예에 따른 이미지 센서의 컬러필터 및 광흡수부를 도시한 평면도.
도 4a 및 도 4b는 파장별 컬러필터물질의 투과율을 나타낸 그래프.
도 5a 내지 도 5h은 제1실시예에 따른 이미지센서 제조 방법의 일례를 설명하기 위해 도시한 단면도.
도 6은 제2일실시예에 따른 이미지센서를 도시한 단면도.
도 7은 제3일실시예에 따른 이미지센서를 도시한 단면도.
도 2는 제1실시예에 따른 이미지센서를 도시한 단면도.
도 3은 제1실시예에 따른 이미지 센서의 컬러필터 및 광흡수부를 도시한 평면도.
도 4a 및 도 4b는 파장별 컬러필터물질의 투과율을 나타낸 그래프.
도 5a 내지 도 5h은 제1실시예에 따른 이미지센서 제조 방법의 일례를 설명하기 위해 도시한 단면도.
도 6은 제2일실시예에 따른 이미지센서를 도시한 단면도.
도 7은 제3일실시예에 따른 이미지센서를 도시한 단면도.
이하 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2는 제1실시예에 따른 이미지센서를 도시한 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제1실시예에 따른 이미지센서는 복수의 단위픽셀영역(201,202,203)을 갖는 기판(20), 각 단위픽셀영역(201,202,203)의 기판(20)에 형성된 수광소자(21), 기판(20)의 전면(frontside,F)에 형성되어 신호생성회로(23)를 포함하는 층간절연막(22), 전면(F)의 반대면인 기판(20)의 후면(backside,B)에 형성된 컬러필터(24), 컬러필터(24) 아래 기판(20) 후면에 형성된 광흡수부(25), 컬러필터(24) 아래 기판(20) 후면 상에 형성된 반사방지막(26), 기판(20) 후면 상부에 컬러필터(24)를 덮는 평탄화막(27) 및 단위픽셀영역(201,202,203)에 대응하여 평탄화막(27) 상에 형성된 마이크로렌즈(ML,28)를 포함할 수 있다.
각 단위픽셀영역(201,202,203)의 기판(20)에 형성된 수광소자(21)는 포토다이오드(Photo Diode, PD)를 포함할 수 있다. 포토다이오드는 수광된 빛을 이용하여 광전하를 생성하는 역할을 수행할 수 있다.
기판(20)의 전면에는 층간절연막(22)이 형성되어 있고, 층간절연막(22) 내부에는 신호생성회로(23)가 형성되어 있다. 신호생성회로(23)는 수광소자(21)에서 생성된 전하에 상응하는 전기신호를 생성하는 역할을 수행한다. 구체적으로 기판(20)의 전면 층간절연막(22) 내부는 신호생성회로(23)를 구성하는 트랜지스터 및 다층의 도전라인을 포함할 수 있다. 트랜지들은 트랜스퍼 트랜지스터(transfer transistor), 리셋 트랜지스터(reset transistor), 소스팔로워 트랜지스터(source follower transistor), 셀렉트 트랜지스터(select transistor) 및 바이어스 트랜지스터(bias transistor)를 포함할 수 있다. 또한 다층의 도전라인은 플러그(plug)를 통해 트랜지스터 또는 도전라인 상호 간 전기적으로 연결될 수 있다.
기판(20) 후면 상부에 컬러필터(24)가 형성되어 있다. 컬러필터(24)는 각 단위픽셀영역(201,202,203)과 대응하여 형성될 수 있다. 컬러필터(24)는 복수의 제1컬러필터(24A), 복수의 제2컬러필터(24B) 및 복수의 제3컬러필터(24C)를 포함할 수 있다. 컬러필터(24)는 RGB 구조를 가질 수 있다. 일례로, 제1컬러필터(24A)는 그린컬러필터를 포함할 수 있고, 제2컬러필터(24B)는 레드컬러필터를 포함할 수 있으며, 제3컬러필터(24C)는 블루컬러필터를 포함할 수 있다. 제1컬러필터(24A)는 광흡수부(25)와 중첩된 구조를 가질 수 있다.
컬러필터(24) 아래 기판(20) 후면에 광흡수부(25)가 형성되어 있다. 구체적으로, 광흡수부(25)는 각 단위픽셀영역(201,202,203) 사이에 형성되며 제1컬러필터(24A)와 중첩된 구조를 가질 수 있다. 광흡수부(25)는 기판(20)에 형성된 트렌치(25A), 트렌치(25A) 표면에 형성된 계면막(25B) 및 계면막(25B) 상에 트렌치(25A)를 매립하는 광흡수물질막(25C)을 포함할 수 있다. 광흡수부(25)는 인접 단위픽셀영역 사이의 광학적 크로스토크를 방지함과 동시에 양자효율을 증대시켜주는 역할을 수행할 수 있다.
트렌치(25A)는 기판(20) 후면에 각 단위픽셀영역(201,202,203)의 경계를 따라 형성될 수 있다. 트렌치(25A)의 선폭은 각 단위픽셀영역(201,202,203)의 선폭보다 작은 범위를 갖는 것이 바람직하다. 트렌치(25A)의 선폭은 0.05~0.2μm 범위를 가질 수 있다. 또한 트렌치(25A)의 깊이는 선폭보다 크며, 기판(20) 전면에 형성된 소자분리막(미도시)과 접하도록 형성될 수 있다. 트렌치(25A)의 깊이는 0.3~0.5μm 범위를 가질 수 있다.
계면막(25B)은 기판(20) 후면에 형성된 트렌치(25A) 표면 및 트렌치(25A)와 광흡수물질막(25C) 사이의 계면 특성을 개선시키는 역할을 수행함과 동시에 반사방지 기능을 수행할 수 있다. 계면막(25B)은 절연물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 계면막(25B)은 산화막, 질화막 및 산화질화막으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 단일막 또는 이들의 적층막일 수 있다. 일례로, 계면막(25B)은 산화막으로 형성할 수 있다.
광흡수물질막(25C)은 가시광선을 흡수할 수 있는 물질은 모두 적용이 가능하다. 제1실시예에서는 광흡수물질막(25C)으로 컬러필터물질을 사용할 수 있다. 구체적으로 컬러필터물질은 레드컬러필터물질, 그린컬러필터물질 및 블루컬러필터물질을 포함할 수 있다. 일례로, 광흡수부(25)가 그린컬러필터와 중첩되는 경우, 광흡수물질막(25C)은 레드컬러필터물질 또는 블루컬러필터물질을 사용할 수 있다. 여기서, 광흡수물질막(25C)은 인접한 단위픽셀영역 사이의 광학적 크로스토크를 더 효과적으로 방지하기 위해 블루컬러필터물질을 사용할 수 있다. 광흡수물질막(25C)으로 블루컬러필터물질을 사용하는 이유는 후술하는 컬러필터물질의 파장에 따른 투과율을 나타낸 그래프인 도 4a 및 도 4b에서 자세히 설명하겠다.
컬러필터 아래 광흡수부(25)를 포함하는 기판(20) 후면 상에 반사방지막(26)이 형성되어 있다. 이처럼, 반사방지막(26)을 광흡수부(25)를 포함하는 기판(20)과 컬러필터(24) 사이에 형성시킨 경우에는 컬러필터(24)와 광흡수부(25)가 광학적 크로스토크를 더 효과적 방지할 수 있도록 해준다.
기판(20) 상부에는 컬러필터(24)를 덮는 평탄화막(27)이 형성되어 있다. 그리고 평탄화막(27) 상에는 각 단위픽셀영역(201,202,203) 및 컬러필터(24)에 대응하는 마이크로렌즈(28)가 형성되어 있다. 마이크로렌즈(28)는 단위픽셀영역(201,202,203)에 대응되도록 평탄화막(27) 상에 반구 형태로 형성되며, 각 단위픽셀영역(201,202,203)으로 광을 집광시킬 수 있다.
상술한 구조를 갖는 이미지센서는 광흡수부(25)를 구비함으로써, 인접한 단위픽셀영역(201,202,203) 사이의 광학적 크로스토크를 방지함과 동시에 양자효율을 증대시킬 수 있다.
또한, 광흡수부(25)가 컬러필터(24)와 중첩되는 구조를 가짐으로써, 인접한 단위픽셀영역(201,202,203) 사이의 광학적 크로스토크를 효과적으로 방지함과 동시에 양자효율을 효과적으로 증대시킬 수 있다.
또한, 광흡수부(25)가 그린컬러필터와 중첩되고, 블루컬러필터물질을 포함함으로써, 인접한 단위픽셀영역(201,202,203) 사이의 광학적 크로스토크를 더욱더 효과적으로 방지함과 동시에 양자효율을 더욱더 효과적으로 증대시킬 수 있다.
도 3은 제1실시예에 따른 이미지 센서의 컬러필터 및 광흡수부를 도시한 평면도이며, 도 3의 I-I' 방향으로 절단하여 도 2의 단면도를 나타낼 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 컬러필터(32)는 복수의 제1컬러필터(32A), 복수의 제2컬러필터(32B) 및 복수의 제3컬러필터(32C)를 포함할 수 있다. 컬러필터(32)는 RGB 구조를 가질 수 있다. 컬러필터(32)는 복수의 레드컬러필터, 그린컬러필터 및 블루컬러필터를 포함할 수 있다. 일례로, 제1컬러필터(32A)는 그린컬러필터를 포함할 수 있고, 제2컬러필터(32B)는 레드컬러필터를 포함할 수 있으며, 제3컬러필터(32C)는 블루컬러필터를 포함할 수 있다. 일례로, 제1컬러필터(32A)는 광흡수부와 중첩되도록 배치된 구조를 가질 수 있다. 제1컬러필터(32A)는 광흡수부와 중첩되도록 형성되기 때문에 제2컬러필터(32B) 및 제3컬러필터(32C) 보다 큰 면적을 가질 수 있다. 구체적으로, 제1컬러필터(32A)는 광흡수부와 중첩되어 배치된 만큼 큰 면적을 가지며, 제1컬러필터(32A)의 면적이 커진 만큼 제2컬러필터(32B) 및 제3컬러필터(32C)는 작은 면적을 가질 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 파장별 컬러필터물질의 투과율을 나타낸 그래프이다. 도 4a는 일반적으로 단일의 파장별 컬러필터물질의 투과율을 나타낸 그래프이며, 도 4b는 복수의 파장별 컬러필터물질의 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 여기서, 각 단위픽셀영역에 입사되는 입사광의 파장에 따른 투과율을 살펴보면, 각 단위픽셀영역으로 입사되는 입사광이 단일의 컬러필터물질을 통과한 경우, 전반적으로 높은 투과율을 보인다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 이중의 컬러필터물질의 파장에 따른 투과율 그래프를 살펴보면, 입사광이 이중의 컬러필터물질을 통과하는 경우, 입사광이 단일의 컬러필터물질을 통과하는 경우보다 상대적으로 낮은 투과율을 나타낸다. 구체적으로, 그린컬러필터물질-블루컬러필터물질의 파장이 그린컬러필터물질-레드컬러필터물질 또는 블루컬러필터물질-레드컬러필터물질의 파장에 따른 투과율보다 낮은 것을 확인할 수 있다. 이와 같이, 제1실시예에 따르면 광흡수부가 그린컬러필터와 중첩된 구조를 가질 경우, 레드컬러필터물질보다 낮은 투과율을 갖는 블루컬러필터물질을 사용하여 광흡수부를 형성한 경우 광학적 크로스토크를 더 효과적으로 방지할 수 있다.
도 5a 내지 도 5h은 제1실시예에 따른 이미지센서 제조 방법의 일례를 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 다수의 단위픽셀영역(501,502,503)을 갖는 기판(50)을 준비한다. 기판(50)은 단결정 물질(Single crystaline material)을 포함할 수 있다. 또한 기판(50)은 실리콘 함유 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 기판(50)은 단결정 실리콘(Single crystaline silicon)을 포함할 수 있다.
다음으로, 기판(50) 전면(front side,F)에 후속 공정으로 형성될 수광소자 및 인접한 수광소자 사이를 분리시키는 소자분리막(미도시)을 형성한다. 소자분리막은 STI(Shallow Trench Isolation)공정으로 형성할 수 있다. 그리고 기판(50) 전면(F)에 각 단위픽셀영역(501,502,503)에 대응하도록 수광소자(51)를 형성한다. 수광소자(51)는 포토다이오드(Photo Diode)로 형성할 수 있다.
다음으로, 수광소자(51)를 포함하는 기판(50) 전면 상에 신호생성회로(53)를 포함하는 층간절연막(52)을 형성한다. 신호생성회로(53)는 복수의 트랜지스터 및 다층의 도전라인을 포함할 수 있다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 기판(50)의 후면(backside, B)에 대한 그라인딩(grinding) 공정을 실시한다. 그라인딩 공정은 기판(50) 후면을 통해 수광소자(51)로 입사하는 입사광의 진행 경로를 감소시켜 집광효율을 증가시키기 위하여 실시한다.
다음으로, 그라인딩 공정에 의한 기판(50) 후면의 결함을 치유하기 위한 후면 처리를 실시한다. 후면처리는 산소분위기에서 열처리를 실시하는 방법으로 진행할 수 있다.
다음으로, 기판(50) 후면 상에 마스크패턴(54)을 형성한다. 마스크패턴(54)을 식각장벽으로 기판(50) 후면을 식각하여 트렌치(55A)를 형성한다. 트렌치(55A)를 형성하기 위한 식각공정은 비등방성식각(Anisotropic etch)을 포함할 수 있다. 트렌치(55A)는 기판(50) 후면에 각 단위픽셀영역(501,502,503)의 경계를 따라 형성될 수 있다. 트렌치(55A)의 선폭은 단위픽셀영역(501,502,503)의 선폭보다 작은 범위를 갖는 것이 바람직하다. 트렌치(55A)의 선폭은 0.05~0.2μm 범위를 가질 수 있다. 또한 트렌치(55A)의 깊이는 선폭보다 크며, 기판(50) 전면에 형성된 소자분리막(미도시)과 접하도록 형성될 수 있다. 트렌치(55A)의 깊이는 0.3~0.5μm 범위를 가질 수 있다.
도 5c에 도시된 바와 같이, 마스크패턴(54)을 제거한다.
다음으로, 트렌치(55A)를 포함한 구조물 표면을 따라 계면막(55B')을 형성한다. 계면막(55B')은 기판(50) 후면에 형성된 트렌치(55A) 표면 및 트렌치(55A)와 광흡수물질막(55C') 사이의 계면 특성을 개선시키는 역할을 수행함과 동시에 반사방지 기능을 수행할 수 있다. 계면막(55B')은 절연물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 계면막(55B')은 산화막, 질화막 및 산화질화막으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 단일막 또는 이들의 적층막일 수 있다. 일례로, 계면막(55B')은 산화막으로 형성할 수 있다.
도 5d에 도시된 바와 같이, 트렌치(55A)를 갭필하도록 계면막(55B') 상에 광흡수물질막(55C')을 형성한다. 광흡수물질막(55C')은 가시광선을 흡수할 수 있는 물질은 모두 적용이 가능하다. 제1실시예에서는 광흡수물질막(55C')으로 컬러필터물질을 사용할 수 있다. 구체적으로 컬러필터물질은 레드컬러필터물질, 그린컬러필터물질 및 블루컬러필터물질을 포함할 수 있다. 일례로, 광흡수부(55)가 후속 공정으로 형성되는 그린컬러필터와 중첩되는 경우, 광흡수물질막(55C')은 레드컬러필터물질 또는 블루컬러필터물질을 사용할 수 있다. 여기서, 광흡수물질막(55C')은 블루컬러필터물질을 사용할 수 있다. 블루컬러필터물질로 광흡수물질막(55C')을 형성하는 이유는 레드컬러필터물질로 광흡수물질막(55C')을 형성하는 보다 투과율이 현저하게 낮아 인접한 단위픽셀 사이의 광학적 크로스토크를 방지해줄 수 있기 때문이다.
도 5e에 도시된 바와 같이, 기판(50)의 표면이 노출될 때까지 광흡수물질막(55C') 및 계면막(55B')에 평탄화공정을 실시하여 광흡수부(55)를 형성한다. 평탄화공정은 화학적기계적연마법(CMP) 또는 에치백으로 진행할 수 있다.
이로써, 트렌치(55A), 계면막패턴(55B) 및 광흡수물질막패턴(55C)을 포함하는 광흡수부(55)를 형성할 수 있다.
도 5f에 도시된 바와 같이, 기판(50) 후면 상에 반사방지막(56)을 형성한다. 반사방지막(56)은 빛을 반사하는 성질이 약하기 때문에 후속 공정으로 형성될 컬러필터(57)와 광흡수부(55)가 크로스토크를 더 효과적 방지할 수 있도록 해준다.
도 5g에 도시된 바와 같이, 반사방지막(56) 상부에 수광소자(51)와 대응하는 컬러필터(57)를 형성한다. 컬러필터(57)는 복수의 제1컬러필터(57A), 복수의 제2컬러필터(57B) 및 복수의 제3컬러필터(57C)를 포함할 수 있다. 컬러필터(57)는 RGB 구조를 가질 수 있다. 일례로, 제1컬러필터(57A)는 그린컬러필터를 포함할 수 있고, 제2컬러필터(57B)는 레드컬러필터를 포함할 수 있으며, 제3컬러필터(57C)는 블루컬러필터를 포함할 수 있다. 제1컬러필터(57A)는 광흡수부(55)와 중첩된 구조를 가질 수 있다. 여기서, 광흡수부(55)와 중첩되어 있는 제1컬러필터(57A)는 각 단위픽셀영역(501,502,503)보다 큰 선폭을 가질 수 있으며, 제2컬러필터(57B) 및 제3컬러필터(57C)는 단위픽셀보다 작은 선폭을 가질 수 있다. 기존의 컬러필터는 각 단위픽셀의 선폭만큼 형성되지만, 제1실시예에 따르면 제1컬러필터(57A)는 광흡수부(55)와 중첩되어 형성되는 만큼 기존의 컬러필터보다 큰 선폭을 가질 수 있으며, 제1컬러필터(57A)의 선폭이 커진 만큼 제2컬러필터(57B) 및 제3컬러필터(57C)는 작은 선폭을 가질 수 있다.
도 5h에 도시된 바와 같이, 기판(50) 후면 상부에 컬러필터(57)를 덮는 평탄화막(58)을 형성한다. 그리고 평탄화막(58) 상에 각 단위픽셀영역(501,502,503) 및 컬러필터(57)에 대응하는 마이크로렌즈(59)를 형성한다. 마이크로렌즈(59)는 단위픽셀영역(501,502,503)에 대응되도록 평탄화막(58) 상에 반구 형태로 형성되며, 단위픽셀영역(501,502,503)으로 광을 집광시킬 수 있다.
상술한 제조 방법을 통해 형성된 이미지센서는 광흡수부(55)를 형성함으로써, 인접한 단위픽셀영역(501,502,503) 사이의 광학적 크로스토크를 방지함과 동시에 양자효율을 증대시킬 수 있다.
또한, 광흡수부(55)와 컬러필터(57)가 중첩되도록 형성함으로써, 인접한 단위픽셀영역(501,502,503) 사이의 광학적 크로스토크를 효과적으로 방지함과 동시에 양자효율을 효과적으로 증대시킬 수 있다.
또한, 블루컬러필터물질을 포함하는 광흡수부(55)와 그린컬러필터가 중첩되도록 형성함으로써, 인접한 단위픽셀영역(501,502,503) 사이의 광학적 크로스토크를 더욱더 효과적으로 방지함과 동시에 양자효율을 더욱더 효과적으로 증대시킬 수 있다.
도 6은 제2실시예에 따른 이미지센서를 도시한 단면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제2실시예에 따른 이미지센서는 복수의 단위픽셀영역(601,602,603)을 갖는 기판(60), 각 단위픽셀영역(601,602,603)의 기판(60)에 형성된 수광소자(61), 기판(60)의 전면(frontside,F)에 형성되어 신호생성회로(63)를 포함하는 층간절연막(62), 전면(F)의 반대면인 기판(60)의 후면(backside,B)에 형성된 컬러필터(64), 컬러필터(64) 아래 기판(60) 후면에 각 단위픽셀 사이에 형성된 광흡수부(65), 컬러필터(64) 아래 기판(60) 후면 상에 형성된 반사방지막(66), 기판(60) 후면 상부에 컬러필터(64)를 덮는 평탄화막(67) 및 단위픽셀영역(601,602,603)에 대응하여 평탄화막(67) 상에 형성된 마이크로렌즈(ML,68)를 포함할 수 있다.
각 단위픽셀영역(601,602,603)의 기판(60)에 형성된 수광소자(61)는 포토다이오드(Photo Diode, PD)를 포함할 수 있다. 포토다이오드는 수광된 빛을 이용하여 광전하를 생성하는 역할을 수행할 수 있다.
기판(60)의 전면에는 층간절연막(62)이 형성되어 있고, 층간절연막(62) 내부에는 신호생성회로(63)가 형성되어 있다. 신호생성회로(63)는 수광소자(61)에서 생성된 전하에 상응하는 전기신호를 생성하는 역할을 수행한다. 구체적으로 기판(60)의 전면 층간절연막(62) 내부는 신호생성회로(63)를 구성하는 트랜지스터 및 다층의 도전라인을 포함할 수 있다. 트랜지들은 트랜스퍼 트랜지스터(transfer transistor), 리셋 트랜지스터(reset transistor), 소스팔로워 트랜지스터(source follower transistor), 셀렉트 트랜지스터(select transistor) 및 바이어스 트랜지스터(bias transistor)를 포함할 수 있다. 또한 다층의 도전라인은 플러그(plug)를 통해 트랜지스터 또는 도전라인 상호 간 전기적으로 연결될 수 있다.
기판(60) 후면 상부에 다층 구조를 갖는 컬러필터(64)가 형성되어 있다. 컬러필터(64)는 각 단위픽셀영역(601,602,603)과 대응하여 형성되며, 각 컬러필터(64)의 끝단이 중첩된 형태를 가질 수 있다. 컬러필터(64)는 복수의 제1컬러필터(64A), 복수의 제2컬러필터(64B) 및 복수의 제3컬러필터(64C)를 포함할 수 있다. 특히, 제2실시예에 따른 컬러필터(64)는 교번적으로 하층과 상층으로 나뉘어 형성되고, 하층에 형성된 하층 컬러필터(64)의 양측단과 하층 컬러필터(64)를 기준으로 서로 이웃하여 상층에 형성된 상층컬러필터의 양끝단이 서로 중첩될 수 있다. 하층 컬러필터(64)는 제1컬러필터(64A)를 포함할 수 있고, 상층 컬러필터(64)는 제2컬러필터(64B) 및 제3컬러필터(64C)를 포함할 수 있다.
컬러필터는 RGB 구조를 가질 수 있다. 일례로, 제1컬러필터(64A)는 그린컬러필터를 포함할 수 있고, 제2컬러필터(64B)는 레드컬러필터를 포함할 수 있으며, 제3컬러필터(64C)는 블루컬러필터를 포함할 수 있다. 제1 내지 제2컬러필터(64B)는 광흡수부(65)와 중첩된 구조를 가질 수 있다.
컬러필터 아래 기판(60) 후면에 광흡수부(65)가 형성되어 있다. 구체적으로, 광흡수부(65)는 각 단위픽셀영역(601,602,603) 사이에 형성되며 제1 내지 제3컬러필터(64C)와 중첩된 구조를 가질 수 있다. 구체적으로, 광흡수부(65)는 그린컬러필터와 중첩된 제1중첩구조를 가지며, 제1중첩구조는 레드컬러필터 또는 블루컬러필터와 중첩된 제2중첩구조를 가지게 됨으로써, 인접한 단위픽셀영역(601,602,603) 사이의 광학적 크로스토크를 방지함과 동시에 양자효율을 증대시켜주는 역할을 수행할 수 있다.
광흡수부(65)는 기판(60)에 형성된 트렌치(65A), 트렌치(65A) 표면에 형성된 계면막(65B) 및 계면막(65B) 상에 트렌치(65A)를 매립하는 광흡수물질막(65C)을 포함할 수 있다.
트렌치(65A)는 기판(60) 후면에 각 단위픽셀영역(601,602,603)의 경계를 따라 형성될 수 있다. 트렌치(65A)의 선폭은 단위픽셀영역(601,602,603)의 선폭보다 작은 범위를 갖는 것이 바람직하다. 트렌치(65A)의 선폭은 0.05~0.2μm 범위를 가질 수 있다. 또한 트렌치(65A)의 깊이는 트렌치(65A)의 선폭보다 크며, 기판(60) 전면에 형성된 소자분리막(미도시)과 접하도록 형성될 수 있다. 트렌치(65A)의 깊이는 0.3~0.5μm 범위를 가질 수 있다.
계면막(65B)은 기판(60) 후면에 형성된 트렌치(65A) 표면 및 트렌치(65A)와 광흡수물질막(65C) 사이의 계면 특성을 개선시키는 역할을 수행함과 동시에 반사방지 기능을 수행할 수 있다. 계면막(65B)은 절연물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 계면막(65B)은 산화막, 질화막 및 산화질화막으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 단일막 또는 이들의 적층막일 수 있다. 일례로, 계면막(65B)은 산화막으로 형성할 수 있다.
광흡수물질막(65C)은 가시광선을 흡수할 수 있는 물질은 모두 적용이 가능하다. 제2실시예에서는 광흡수물질막(65C)으로 컬러필터물질을 사용할 수 있다. 구체적으로 컬러필터물질은 레드컬러필터물질, 그린컬러필터물질 및 블루컬러필터물질을 포함할 수 있다. 일례로, 광흡수부(65)가 그린컬러필터와 중첩되는 경우, 광흡수물질막(65C)은 레드컬러필터물질 또는 블루컬러필터물질을 사용할 수 있다. 여기서, 광흡수물질막(65C)은 블루컬러필터물질을 사용할 수 있다. 광흡수물질막(65C)으로 블루컬러필터물질을 사용하는 이유는 레드컬러필터물질보다 인접한 단위픽셀 사이의 광학적 크로스토크를 더 효과적으로 방지하기 때문이다.
여기서, 기판(60) 상부에 광흡수부(65)와 중첩되어 형성된 제1 내지 제3컬러필터(64C)는 단위픽셀보다 큰 선폭을 가질 수 있다. 구체적으로, 기존의 컬러필터는 각 단위픽셀영역의 선폭만큼 형성되지만, 제2실시예에 따르면 제1 내지 제3컬러필터(64C)는 광흡수부(65)와 중첩되어 형성되는 만큼 기존의 컬러필터보다 큰 선폭을 가질 수 있다.
광흡수부(65)를 포함하는 기판(60) 후면 상에 반사방지막(66)이 형성되어 있다. 반사방지막(66)은 컬러필터(64)와 광흡수부(65)를 통해 크로스토크를 더 효과적 방지할 수 있는 역할을 수행한다.
기판(60) 상부에는 컬러필터(64)를 덮는 평탄화막(67)이 형성되어 있다. 그리고 평탄화막(67) 상에는 각 단위픽셀영역(601,602,603) 및 컬러필터(64)에 대응하는 마이크로렌즈(68)가 형성되어 있다. 마이크로렌즈(68)는 단위픽셀영역(601,602,603)에 대응되도록 평탄화막(67) 상에 반구 형태로 형성되며, 픽셀영역으로 광을 집광시킬 수 있다.
상술한 구조를 갖는 이미지센서는 광흡수부(65)를 구비함으로써, 인접한 단위픽셀영역(601,602,603) 사이의 광학적 크로스토크를 방지함과 동시에 양자효율을 증대시킬 수 있다.
또한, 컬러필터(64)가 다층구조를 갖고 각 컬러필터(64)의 끝단이 중첩된 형태를 가짐으로써, 인접한 단위픽셀 사이의 광학적 크로스토크를 방지함과 동시에 양자효율을 증대시킬 수 있다.
또한, 광흡수부(65)가 다층구조를 갖는 컬러필터(64)와 중첩되는 구조를 가짐으로써, 인접한 단위픽셀영역(601,602,603) 사이의 광학적 크로스토크를 효과적으로 방지함과 동시에 양자효율을 효과적으로 증대시킬 수 있다.
또한, 블루컬러필터물질을 포함하는 광흡수부(65)가 그린컬러필터와 중첩된 제1중첩구조를 가지며, 제1중첩구조는 레드컬러필터 또는 블루컬러필터와 중첩된 제2중첩구조를 가지게 됨으로써, 인접한 단위픽셀영역(601,602,603) 사이의 광학적 크로스토크 방지 및 양자효율을 더욱더 효과적으로 증대시킬 수 있다.
또한, 광흡수부(65)가 그린컬러필터와 중첩되고, 그린컬러필터의 양끝단과 중첩되어 있는 레드컬러필터 및 블루컬러필터와 중첩되며, 블루컬러필터물질을 포함함으로써, 인접한 단위픽셀사이의 광학적 크로스토크 방지 및 양자효율을 더욱더 효과적으로 증대시킬 수 있다.
도 7은 제3실시예에 따른 이미지센서를 도시한 단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제3실시예에 따른 이미지센서는 복수의 단위픽셀영역(701,702,703)을 갖는 기판(70), 각 단위픽셀영역(701,702,703)의 기판(70)에 형성된 수광소자(71), 기판(70)의 전면(frontside,F)에 형성되어 신호생성회로(73)를 포함하는 층간절연막(72), 전면(F)의 반대면인 기판(70)의 후면(backside,B)에 형성된 컬러필터(74), 컬러필터(74) 아래 기판(70) 후면에 각 단위픽셀 사이에 형성된 광흡수부(75), 컬러필터(74) 아래 기판(70) 후면 상에 형성된 반사방지막(76), 기판(70) 후면 상부에 컬러필터(74)를 덮는 평탄화막(77) 및 단위픽셀영역(701,702,703)에 대응하여 평탄화막(77) 상에 형성된 마이크로렌즈(ML,78)를 포함할 수 있다.
각 단위픽셀영역(701,702,703)의 기판(70)에 형성된 수광소자(71)는 포토다이오드(Photo Diode, PD)를 포함할 수 있다. 포토다이오드는 수광된 빛을 이용하여 광전하를 생성하는 역할을 수행할 수 있다.
기판(70)의 전면에는 층간절연막(72)이 형성되어 있고, 층간절연막(72) 내부에는 신호생성회로(73)가 형성되어 있다. 신호생성회로(73)는 수광소자(71)에서 생성된 전하에 상응하는 전기신호를 생성하는 역할을 수행한다. 구체적으로 기판(70)의 전면 층간절연막(72) 내부는 신호생성회로(73)를 구성하는 트랜지스터 및 다층의 도전라인을 포함할 수 있다. 트랜지들은 트랜스퍼 트랜지스터(transfer transistor), 리셋 트랜지스터(reset transistor), 소스팔로워 트랜지스터(source follower transistor), 셀렉트 트랜지스터(select transistor) 및 바이어스 트랜지스터(bias transistor)를 포함할 수 있다. 또한 다층의 도전라인은 플러그(plug)를 통해 트랜지스터 또는 도전라인 상호 간 전기적으로 연결될 수 있다.
기판(70) 후면 상부에 컬러필터(74)가 형성되어 있다. 컬러필터(74)는 각 단위픽셀영역(701,702,703)과 대응하여 형성될 수 있다. 컬러필터(74)는 복수의 제1컬러필터(74A), 복수의 제2컬러필터(74B) 및 복수의 제3컬러필터(74C)를 포함할 수 있다. 컬러필터(74)는 RGB 구조를 가질 수 있다. 일례로, 제1컬러필터(74A)는 그린컬러필터를 포함할 수 있고, 제2컬러필터(74B)는 레드컬러필터를 포함할 수 있으며, 제3컬러필터(74C)는 블루컬러필터를 포함할 수 있다. 제1컬러필터(74A)는 광흡수부(75)와 중첩된 구조를 가질 수 있다.
컬러필터(74) 아래 기판(70) 후면에 광흡수부(75)가 형성되어 있다. 구체적으로, 광흡수부(75)는 각 단위픽셀영역(701,702,703) 사이에 형성되며 제1컬러필터(74A)와 중첩된 구조를 가질 수 있다. 광흡수부(75)는 기판(70)에 형성된 트렌치, 트렌치 표면에 형성된 계면막 및 계면막 상에 트렌치를 갭필하는 광흡수물질막(75C)을 포함할 수 있다. 광흡수부(75)는 인접 단위픽셀영역(701,702,703) 사이의 광학적 크로스토크를 방지함과 동시에 양자효율을 증대시켜주는 역할을 수행할 수 있다.
트렌치는 기판(70) 후면에 각 단위픽셀영역(701,702,703)의 경계를 따라 형성될 수 있다. 트렌치의 선폭은 단위픽셀영역(701,702,703)의 선폭보다 작은 범위를 갖는 것이 바람직하다. 트렌치의 선폭은 0.05~0.2μm 범위를 가질 수 있다. 또한 트렌치의 깊이는 선폭보다 크며, 기판(70) 전면에 형성된 소자분리막(미도시)과 접하도록 형성될 수 있다. 트렌치의 깊이는 0.3~0.5μm 범위를 가질 수 있다.
계면막은 기판(70) 후면에 형성된 트렌치 표면 및 트렌치와 광흡수물질막(75C) 사이의 계면 특성을 개선시키는 역할을 수행함과 동시에 반사방지 기능을 수행할 수 있다. 계면막은 절연물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 계면막은 산화막, 질화막 및 산화질화막으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 단일막 또는 이들의 적층막일 수 있다. 일례로, 계면막은 산화막으로 형성할 수 있다.
광흡수물질막(75C)은 계면막 양측벽에 형성된 제1광흡수물질막(75C1) 및 제1광흡수물질막(75C1) 상에 나머지 트렌치를 갭필하는 제2광흡수물질막(75C2)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2광흡수물질막(75C1,75C2)은 가시광선을 흡수할 수 있는 물질은 모두 적용이 가능하다. 제3실시예에서는 제1 및 제2광흡수물질막(75C1,75C2)으로 컬러필터물질을 사용할 수 있다. 구체적으로 컬러필터물질은 레드컬러필터물질, 그린컬러필터물질 및 블루컬러필터물질을 포함할 수 있다. 일례로, 광흡수부(75)가 그린컬러필터와 중첩되는 경우, 제1 및 제2광흡수물질막(75C2)은 레드컬러필터물질 또는 블루컬러필터물질을 사용할 수 있다. 여기서, 광흡수물질막(75C)은 인접한 단위픽셀 사이의 광학적 크로스토크를 더 효과적으로 방지하기 위해 제1광흡수물질막(75C1)은 블루컬러필터물질을 사용할 수 있으며, 제2광흡수물질막(75C2)은 레드컬러필터물질을 사용할 수 있다.
여기서, 기판(70) 상부에 광흡수부(75)와 중첩되어 있는 제1컬러필터(74A)는 단위픽셀보다 큰 선폭을 가질 수 있으며, 제2컬러필터(74B) 및 제3컬러필터(74C)는 단위픽셀보다 작은 선폭을 가질 수 있다. 구체적으로, 기존의 컬러필터는 각 단위픽셀의 선폭만큼 형성되지만, 제3실시예에 따르면 제1컬러필터(74A)는 광흡수부(75)와 중첩되어 형성되는 만큼 기존의 컬러필터보다 큰 선폭을 가질 수 있으며, 제1컬러필터(74A)의 선폭이 커진 만큼 제2컬러필터(74B) 및 제3컬러필터(74C)는 작은 선폭을 가질 수 있다.
광흡수부(75)를 포함하는 기판(70) 후면 상에 반사방지막(76)이 형성되어 있다. 반사방지막(76)은 컬러필터(74)와 광흡수부(75)를 통해 크로스토크를 더 효과적 방지할 수 있는 역할을 수행한다.
기판(70) 상부에는 컬러필터(74)를 덮는 평탄화막(77)이 형성되어 있다. 그리고 평탄화막(77) 상에는 각 단위픽셀영역(701,702,703) 및 컬러필터(74)에 대응하는 마이크로렌즈(78)가 형성되어 있다. 마이크로렌즈(78)는 단위픽셀영역(701,702,703)에 대응되도록 평탄화막(77) 상에 반구 형태로 형성되며, 각 단위픽셀영역(701,702,703)으로 광을 집광시킬 수 있다.
상술한 구조를 갖는 이미지센서는 광흡수부(75)를 구비함으로써, 인접한 단위픽셀영역(701,702,703) 사이의 광학적 크로스토크를 방지 및 양자효율을 증대시킬 수 있다.
또한, 광흡수부(75)가 컬러필터(74)와 중첩되는 구조를 가짐으로써, 인접한 단위픽셀영역(701,702,703) 사이의 크로스토크 방지 및 양자효율을 효과적으로 증대시킬 수 있다.
또한, 하나 이상의 광흡수물질막(75C)을 포함하는 광흡수부(75)가 컬러필터(74)와 중첩되는 구조를 가짐으로써, 인접한 단위픽셀영역(701,702,703) 사이의 광학적 크로스토크 방지 및 양자효율을 보다 효과적으로 증대시킬 수 있다.
또한, 하나 이상의 광흡수물질막(75C)을 포함하는 광흡수부(75)가 그린컬러필터와 중첩되고, 블루컬러필터물질 및 레드컬러필터물질을 포함함으로써, 인접한 단위픽셀영역(701,702,703) 사이의 광학적 크로스토크를 더욱더 효과적으로 방지함과 동시에 양자효율을 더욱더 효과적으로 증대시킬 수 있다.
20: 기판 21:수광소자
22: 층간절연막 23:신호생성회로
24:컬러필터 25:광흡 수부
26:반사방지막 27:평탄화막
28:마이크로렌즈
22: 층간절연막 23:신호생성회로
24:컬러필터 25:광흡 수부
26:반사방지막 27:평탄화막
28:마이크로렌즈
Claims (24)
- 복수의 단위픽셀영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상부에 각 단위픽셀영역과 대응하여 형성된 컬러필터; 및
상기 컬러필터 아래 상기 기판에 형성된 광흡수부
를 포함하는 이미지센서.
- 제1항에 있어서,
상기 컬러필터는 레드컬러필터, 그린컬러필터 및 블루컬러필터를 포함하는 이미지센서.
- 제2항에 있어서,
상기 광흡수부는 상기 그린컬러필터 아래 상기 기판에 형성된 이미지센서.
- 제3항에 있어서,
상기 광흡수부는 레드컬러필터물질 또는 블루컬러필터물질을 포함하는 이미지센서. - 제1항에 있어서,
상기 광흡수부는,
상기 기판에 형성된 트렌치;
상기 트렌치 표면에 형성된 계면막; 및
상기 계면막 상에 상기 트렌치를 매립하는 광흡수물질막
을 포함하는 이미지센서.
- 제5항에 있어서,
상기 트렌치는 상기 단위픽셀영역 경계를 따라 형성된 이미지센서.
- 복수의 단위픽셀영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상부에 형성된 컬러필터; 및
상기 컬러필터 아래 상기 기판에 형성된 광흡수부를 포함하고
상기 컬러필터는 제1컬러필터, 제2컬러필터 및 제3컬러필터를 포함하며, 상기 제1컬러필터는 상기 광흡수부와 중첩된 이미지센서.
- 제7항에 있어서,
상기 컬러필터는 레드컬러필터, 그린컬러필터 및 블루컬러필터를 포함하며,상기 제1컬러필터는 상기 그린컬러필터를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 상기 레드컬러필터를 포함하며 상기 제3컬러필터는 상기 블루컬러필터를 포함하는 이미지센서.
- 제7항에 있어서,
상기 제1컬러필터는 상기 단위픽셀영역보다 큰 선폭을 가지며, 상기 제2 및 제3컬러필터는 상기 단위픽셀영역보다 작은 선폭을 갖는 이미지센서.
- 제8항에 있어서,
상기 광흡수부는 상기 단위픽셀영역 경계를 따라 형성되며, 상기 그린컬러필터 양끝단과 중첩되어 형성된 이미지센서.
- 제10항에 있어서,
상기 광흡수부는 레드컬러필터물질 또는 블루컬러필터물질을 포함하는 이미지센서. - 제7항에 있어서,
상기 광흡수부는,
상기 기판에 형성된 트렌치;
상기 트렌치 표면에 형성된 계면막; 및
상기 계면막 상에서 상기 트렌치를 갭필하는 광흡수물질막
을 포함하는 이미지센서.
- 복수의 단위픽셀영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상부에 다층구조를 갖는 컬러필터; 및
상기 컬러필터 아래 상기 기판에 형성된 광흡수부를 포함하고
상기 컬러필터는 제1컬러필터, 제2컬러필터 및 제3컬러필터를 포함하고, 상기 제1내지 제3컬러필터는 상기 광흡수부와 중첩된 이미지센서.
- 제13항에 있어서,
상기 제2 및 제3컬러필터는 상기 제1컬러필터 및 상기 기판 사이에 형성되거나, 상기 제1컬러필터 상부에 형성되며 상기 제1컬러필터 양끝단과 중첩된 이미지센서. - 제13항에 있어서,
상기 제1컬러필터는 그린컬러필터를 포함하며, 상기 제2컬러필터는 상기 레드컬러필터를 포함하며 상기 제3컬러필터는 블루컬러필터를 포함하는 이미지센서.
- 제13항에 있어서,
상기 광흡수부는 상기 단위픽셀영역 경계를 따라 형성되며, 상기 제1 내지 제3컬러필터의 양끝단과 중첩되어 형성된 이미지센서.
- 제13항에 있어서,
상기 광흡수부는 레드컬러필터물질층 또는 블루컬러필터물질층을 포함하는 이미지센서.
- 제13항에 있어서,
상기 광흡수부는,
상기 기판에 형성된 트렌치;
상기 트렌치 표면에 형성된 계면막; 및
상기 계면막 상에서 상기 트렌치를 갭필하는 광흡수물질막
을 포함하는 이미지센서.
- 복수의 단위픽셀영역을 포함하는 기판을 형성하는 단계;
상기 기판에 상기 단위픽셀영역의 경계를 따라 광흡수부를 형성하는 단계; 및
상기 기판 상부에 각 단위픽셀영역과 대응하는 컬러필터를 형성하는 단계를 포함하며,
상기 컬러필터는 제1컬러필터, 제2컬러필터 및 제3컬러필터를 포함하는 이미지센서 제조 방법.
- 제19항에 있어서,
상기 컬러필터는 레드컬러필터, 그린컬러필터 및 블루컬러필터를 포함하며,
상기 제1컬러필터는 그린컬러필터를 포함하고, 제2컬러필터는 레드컬러필터를 포함하며, 제3컬러필터는 블루컬러필터를 포함하는 이미지센서 제조 방법.
- 제19항에 있어서,
상기 컬러필터는 단층구조를 갖는 컬러필터 또는 다층구조를 갖는 컬러필터를 포함하는 이미지센서 제조 방법.
- 제19항에 있어서,
상기 제1컬러필터는 상기 광흡수부와 중첩되도록 형성하는 이미지센서 제조 방법.
- 제22항에 있어서,
상기 컬러필터는 상기 제1 내지 제3컬러필터의 양끝단 및 상기 광흡수부가 중첩되는 이미지센서 제조 방법.
- 제19항에 있어서,
상기 광흡수부를 형성하는 단계는,
상기 기판의 상기 단위픽셀영역의 경계를 따라 트렌치를 형성하는 단계;
상기 트렌치 표면을 따라 계면막을 형성하는 단계; 및
상기 계면막 상에서 상기 트렌치를 갭필하는 광흡수물질막을 형성하는 단계
를 포함하는 이미지센서 제조 방법.
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