KR20140072998A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20140072998A
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Abstract

본 발명은 기판을 반송하는 유닛 및 이를 가지는 장치를 제공한다. 기판처리장치는 기판의 공정 처리가 진행되는 공간을 제공하는 복수 개의 공정챔버들 및 상기 공정챔버들과 인접하게 위치되고, 상기 공정챔버들 간에 기판을 반송하는 기판반송유닛이 내부에 제공되는 반송챔버를 포함하되, 상기 기판반송유닛은 베이스, 상기 베이스에 대해 상대 이동 가능하도록 상기 베이스에 연결되는 이동부재, 상기 베이스 내에 배치되고, 상기 이동부재에 구동력을 제공하는 구동부재, 그리고 상기 구동부재로부터 발생된 분진을 포획하는 분진포획기를 포함한다. 이로 인해 분진포획기는 자성을 가지므로, 금속 재질의 와이어로부터 발생되는 파티클을 쉽게 포획할 수 있다.

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 반송하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 및 평판 디스플레이를 제조하기 위해서는 사진, 식각, 증착, 이온주입, 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들은 공정 단계별에 따라 서로 독립된 장치 내에서 진행되며, 각각의 장치 내에는 기판을 장치 내에 제공된 각각의 챔버로 반송하는 반송유닛이 제공된다.
일반적으로 기판의 공정 분위기는 대기에 분진과 같은 파티클이 제거된 클린 상태를 요구한다. 그러나 챔버의 내부가 클린 상태를 유지할지라도, 기판이 반송되는 중에 파티클이 발생된다. 이 같은 파티클은 반송로봇 및 이를 이동시키는 프레임 내에 제공된 컨베이어부재로부터 많이 발생된다. 컨베이어부재는 풀리와 벨트가 서로 조합되고, 이를 회전시켜 반송로봇 및 프레임을 구동시킨다. 이때 풀리와 벨트 간의 마찰로 인해 파티클이 주로 발생된다. 이를 해결하기 위해 선행 특허문헌1: 공개번호 2006-122287호와 같이 반송로봇과 복수의 프레임들 내에는 배기팬이 설치되고, 배기팬은 파티클을 강제배기한다.
이와 같은 강제배기에도 불구하고, 파티클은 반송로봇 및 프레임의 외부로 유출된다. 예컨대, 선행 특허문헌2: 공개번호 2010-128222호에 의하면, 반송챔버 내에는 반송로봇 및 가이드레일이 제공되고, 기판은 반송로봇 및 가이드레일에 의해 도포챔버들과 베이크챔버, 그리고 현상챔버들과 베이크챔버들로 반송되는 구성을 가진다. 그러나 반송로봇 및 가이드레일의 내부에서 유출된 파티클은 반송챔버에서 도포챔버, 현상챔버, 그리고 베이크챔버로 유입되고, 이는 기판 처리 공정에 불량을 야기한다.
본 발명은 기판을 반송 시 발생되는 파티클을 포획할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명은 기판을 반송하는 유닛 및 이를 가지는 장치를 제공한다. 기판처리장치는 기판의 공정 처리가 진행되는 공간을 제공하는 복수 개의 공정챔버들 및 상기 공정챔버들과 인접하게 위치되고, 상기 공정챔버들 간에 기판을 반송하는 기판반송유닛이 내부에 제공되는 반송챔버를 포함하되, 상기 기판반송유닛은 베이스, 상기 베이스에 대해 상대 이동 가능하도록 상기 베이스에 연결되는 이동부재, 상기 베이스 내에 배치되고, 상기 이동부재에 구동력을 제공하는 구동부재, 그리고 상기 구동부재로부터 발생된 분진을 포획하는 분진포획기를 포함한다.
상기 구동부재는 금속 재질의 부품을 포함하고, 상기 분진포획기는 자성부재를 포함할 수 있다. 상기 구동부재는 서로 이격되게 배치되는 풀리들 및 상기 풀리들을 감싸도록 제공되며, 상기 풀리의 회전에 의해 이동가능한 금속 재질의 와이어를 포함하되, 상기 와이어는 상기 이동부재에 결합될 수 있다. 상기 분진포획기는 상기 와이어와 대향되는 위치에 제공되는 제1포획기를 포함할 수 있다. 상기 베이스에는 개구가 형성되고, 상기 이동부재는 상기 개구를 관통하도록 제공될 수 있다. 상기 분진포획기는 상기 개구와 인접한 영역에 위치되는 제2포획기를 포함할 수 있다. 상기 분진포획기는 상기 베이스의 내부에 위치될 수 있다.
기판처리장치는 수평프레임, 상기 수평프레임에 결합되고, 상기 수평프레임에 대해 수평방향으로 이동 가능한 수직프레임을 더 포함하되, 상기 베이스는 상기 수평프레임이고, 상기 이동부재는 상기 수직프레임으로 제공될 수 있다.
선택적으로 상기 수직프레임에 결합되고, 상기 수직프레임에 대해 수직방향으로 이동 가능한 지지체를 더 포함하되, 상기 베이스는 상기 수직프레임이고, 상기 이동부재는 상기 지지체로 제공될 수 있다.
선택적으로 상기 지지체에 결합되고, 상기 지지체에 대해 수평방향으로 이동 가능하며, 기판을 지지하는 핸드부를 더 포함하되, 상기 베이스는 상기 지지체이고, 상기 핸드부로 제공될 수 있다.
기판반송유닛은 베이스, 상기 베이스에 대해 상대 이동 가능하도록 상기 베이스에 연결되는 이동부재, 상기 베이스 내에 배치되고, 상기 이동부재에 구동력을 제공하는 구동부재, 그리고 상기 구동부재로부터 발생된 분진을 포획하는 분진포획기를 포함한다.
상기 구동부재는 금속 재질의 부품을 포함하고, 상기 분진포획기는 자성부재를 포함할 수 있다. 상기 분진포획기는 상기 부품과 대향되는 위치에 제공되는 제1포획기를 포함할 수 있다. 상기 베이스에는 개구가 형성되고, 상기 이동부재는 상기 개구를 관통하도록 제공되며, 상기 분진포획기는 상기 개구와 인접한 영역에 위치되는 제2포획기를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 분진포획기는 자성을 가지므로, 금속 재질의 와이어로부터 발생되는 파티클을 쉽게 포획할 수 있다.
도1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도2는 도1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도3은 도1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도4는 도1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도5는 도1의 기판반송유닛을 보여주는 사시도이다.
도6은 도5의 도포부 로봇을 일방향으로 절단한 단면도이다.
도7은 도5의 도포부 로봇을 타방향으로 절단한 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도 1 내지 도 7을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1은 기판 처리 설비(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 설비(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 설비(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 1의 설비(1)를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 도포챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송챔버(430)을 가진다. 도포챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 도포챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 도포챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 도포챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송챔버(430)에는 기판을 반송하기 위한 기판반송유닛(1000)이 제공된다. 기판반송유닛(1000)은 베이크챔버들(420), 도포챔버들(410), 제 1 버퍼 모듈(310)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(510)의 제 1 버퍼(520) 간에 기판을 반송한다. 도5는 도1의 기판반송유닛(1000)을 보여주는 사시도이고, 도6은 도5의 지지체(1700) 및 핸드부(1900)를 일방향으로 절단한 단면도이며, 도7은 도5의 지지체(1700) 및 핸드부(1900)를 타방향으로 절단한 단면도이다. 도5 내지 도7을 참조하면 기판반송유닛(1000)은 베이스(1020), 이동부재(1040), 구동부재(1060), 그리고 분진포획기(1080)를 포함한다.
베이스(1020)는 내부에 공간을 제공한다. 베이스(1020)의 일면에는 일방향을 따라 연장되는 슬릿 형상의 개구(1042)가 형성된다. 이동부재(1040)는 베이스(1020)에 연결되고, 베이스(1020)에 대해 상대이동 가능하도록 제공된다. 구동부재(1060)는 베이스(1020) 내에 위치되고, 이동부재(1040)가 일방향을 따라 이동하도록 구동력을 제공한다. 구동부재(1060)는 풀리(1062) 및 와이어(1064)를 포함한다. 풀리(1062)는 2 개로 제공되며, 서로 이격되게 위치된다. 풀리(1062)들은 일방향을 따라 서로 마주보도록 위치된다. 풀리(1062)는 모터와 같은 구동부(1066)에 의해 어느 하나 또는 2 개가 회전될 수 있다. 와이어(1064)는 복수 개의 풀리(1062)들의 외측면을 감싸도록 제공된다. 와이어(1064)는 풀리(1062)의 회전에 의해 회전된다. 와이어(1064)는 이동부재(1040)에 고정 결합된다. 와이어(1064)의 회전에 의해 이동부재(1040)는 일방향을 따라 이동된다. 일 예에 의하면, 와이어(1064)는 금속 재질로 제공될 수 있다.
분진포획기(1080)는 베이스(1020) 내에 발생된 분진을 포획한다. 분진포획기(1080)는 와이어(1064)와 풀리(1062) 간의 마찰로 인해 발생되는 금속 재질의 분진을 포획한다. 분진포획기(1080)는 베이스(1020) 내에 제공된다. 분진포획기(1080)는 자석을 가진다. 각각의 분진포획기(1080)는 발생된 분진을 자력으로 포획한다. 분진포획기(1080)는 제1포획기(1080a)와 제2포획기(1080b)를 포함한다. 제1포획기(1080a)는 풀리(1062)의 아래에 위치된다. 제1포획기(1080a)는 서로 다른 2 개의 풀리(1062)들과 마주보도록 길게 연장된 바 형상으로 제공된다. 제2포획기(1080b)는 개구(1042)와 인접한 베이스(1020)의 일면에 위치될 수 있다. 제2포획기(1080b)는 베이스(1020)의 내측면에 위치될 수 있다. 제2포획기(1080b)는 개구(1042)의 길이방향과 동일한 방향을 향하도록 연장된 바 형상으로 제공된다. 이로 인해 제1포획기(1080a)는 풀리(1062)와 와이어(1064) 간의 마찰로 인해 발생된 분진을 포획한다. 제2포획기(1080b)는 개구(1042)를 통해 베이스(1020)의 외부로 유출되는 분진을 포획한다. 예컨대, 제1포획기(1080a) 및 제2포획기(1080b)는 베이스(1020) 내에 탈착 가능하도록 제공될 수 있다.
다음은 기판반송유닛(1000)의 구체적인 구조에 대해 설명한다. 기판반송유닛(1000)은 프레임, 지지체(1700), 그리고 핸드부(1900)가 서로 결합된 구성을 가진다. 프레임은 수평프레임(1100), 수직프레임(1300), 그리고 보조프레임(1500)을 포함한다. 수평프레임(1100)은 상부수평프레임(1100a) 및 하부수평프레임(1100b)을 포함한다. 상부수평프레임(1100a)과 하부수평프레임(1100b) 각각은 그 길이방향이 제1방향(12)을 향하도록 제공된다. 상부수평프레임(1100a)은 하부수평프레임(1100b)의 위에서 하부수평프레임(1100b)과 대향되도록 위치된다. 수직프레임(1300)은 그 길이방향이 제3방향을 향하도록 제공된다. 수직프레임(1300)은 상부수평프레임(1100a)과 하부수평프레임(1100b) 사이에 위치된다. 수직프레임(1300)의 상단은 상부수평프레임(1100a)에 연결되고, 그 하단은 하부수평프레임(1100b)에 연결된다. 수직프레임(1300)은 상부수평프레임(1100a)과 하부수평프레임(1100b)에 대해 제1방향(12)으로 이동 가능하도록 제공된다. 보조프레임(1500)은 수평프레임(1100)과 수직프레임(1300)이 안정적으로 위치되도록 수평프레임(1100)에 연결된다. 보조프레임(1500)은 복수 개로 제공된다, 보조프레임(1500)의 일부는 상부수평프레임(1100a)과 하부수평프레임(1100b)을 연결한다. 보조프레임(1500)의 다른 일부는 하부수평프레임(1100b)이 고정 위치되도록을 하부수평프레임(1100b)과 제2방향(14)을 따라 이격된 위치에서 하부수평프레임(1100b)에 연결된다.
지지체(1700)는 수직프레임(1300)에 연결된다. 지지체(1700)는 수직프레임(1300)에 대해 제3방향으로 이동 가능하도록 제공된다. 지지체(1700)는 모터와 같은 구동부에 의해 수직축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 핸드부(1900)는 기판(W)을 지지한다. 핸드부(1900)는 지지체(1700)에 연결된다. 핸드부(1900)는 지지체(1700)에 대해 수평방향으로 이동 가능하도록 제공된다.
일 예에 의하면, 베이스(1020)는 수평프레임(1100)이고, 이동부재(1040)는 수직프레임(1300)일 수 있다. 이로 인해 수직프레임(1300)은 수평프레임(1100)의 길이방향을 따라 제1방향(12)으로 이동될 수 있다. 선택적으로 베이스(1020)는 수직프레임(1300)이고, 이동부재(1040)는 지지체(1700)일 수 있다. 이로 인해 지지체(1700)는 수직프레임(1300)의 길이방향을 따라 제3방향으로 이동될 수 있다. 선택적으로 베이스(1020)는 지지체(1700)이고, 이동부재(1040)는 핸드부(1900)일 수 있다. 이로 인해 기판(W)을 지지하는 핸드부(1900)는 지지체(1700)의 길이방향을 따라 수평 이동될 수 있다.
상술한 실시예와 달리, 제1포획기(1080a) 및 제2포획기(1080b)는 복수 개로 제공될 수 있다. 각각의 제1포획기(1080a)는 복수 개의 풀리(1062)들이 놓여진 방향을 따라 서로 이격되게 배치될 수 있다. 또한 제2포획기(1080b)는 몸체의 개구(1042)의 길이방향을 따라 서로 이격되게 배치될 수 있다.
또한 제2포획기(1080b)는 개구(1042)와 인접한 베이스(1020)의 외측면에 위치될 수 있다.
도포챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 도포챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 도포챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 도포챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 도포챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송챔버(480)는 기판(W)을 반송하기 위한 기판반송유닛(1000)이 제공된다. 기판반송유닛(1000)은 베이크 챔버들(470), 현상챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(310)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(510)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 반송한다. 현상모듈(402)의 기판반송유닛(1000)은 도포모듈(401)의 기판반송유닛(1000)의 아래에 위치하며, 동일한 구성을 가진다. 따라서 현상모듈(402)의 기판반송유닛(1000)에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
현상챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다.
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(731)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
상술한 실시예에는 기판반송유닛(1000)이 도포모듈(401)의 반송챔버(430)와 현상모듈(402)의 반송챔버(480)에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 기판반송유닛(1000)은 이에 한정되지 않고, 기판(W)을 반송하기 위한 반송부재에 더 적용 가능하다. 예컨대, 기판반송유닛(1000)의 베이스(1020), 구동부재(1060), 그리고 이동부재(1040)는 제1버퍼로봇(360), 제2버퍼로봇(560), 그리고 인터페이스로봇(740)에 적용 가능하다.
또한 도포모듈(401)과 현상모듈(402)은 복층 구조를 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 도포모듈(401)과 현상모듈(402)은 서로 간에 동일 높이에 위치될 수 있다. 복수 개의 도포챔버들(410)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배치되고, 복수 개의 현상챔버들(460)은 도포모듈(401)의 끝단에 위치한 도포챔버(410)로부터 제1방향(12)을 따라 연장되게 배치될 수 있다.
1020: 베이스 1040: 이동부재
1060: 구동부재 1080: 분진포획기
1080a: 제1포획기 1080b: 제2포획기

Claims (2)

  1. 기판의 공정 처리가 진행되는 공간을 제공하는 복수 개의 공정챔버들과;
    상기 공정챔버들과 인접하게 위치되고, 상기 공정챔버들 간에 기판을 반송하는 기판반송유닛이 내부에 제공되는 반송챔버를 포함하되,
    상기 기판반송유닛은,
    베이스와;
    상기 베이스에 대해 상대 이동 가능하도록 상기 베이스에 연결되는 이동부재와;
    상기 베이스 내에 배치되고, 상기 이동부재에 구동력을 제공하는 구동부재와;
    상기 구동부재로부터 발생된 분진을 포획하는 분진포획기를 포함하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구동부재는 금속 재질의 부품을 포함하고,
    상기 분진포획기는 자성부재를 포함하는 기판처리장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112420555A (zh) * 2019-08-23 2021-02-26 细美事有限公司 传送单元和包括该传送单元的基板处理装置
KR20210023448A (ko) * 2019-08-23 2021-03-04 세메스 주식회사 반송 장치 및 이를 가지는 기판 처리 장치
US11456198B2 (en) 2019-08-23 2022-09-27 Semes Co., Ltd. Transfer unit and substrate treating apparatus including ihe same

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