KR20140057032A - Semicoductor module for combining heat sink - Google Patents
Semicoductor module for combining heat sink Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140057032A KR20140057032A KR1020120123635A KR20120123635A KR20140057032A KR 20140057032 A KR20140057032 A KR 20140057032A KR 1020120123635 A KR1020120123635 A KR 1020120123635A KR 20120123635 A KR20120123635 A KR 20120123635A KR 20140057032 A KR20140057032 A KR 20140057032A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heat sink
- semiconductor module
- groove
- protrusion
- module
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 히트 싱크가 결합된 반도체 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor module to which a heat sink is coupled.
일반적으로 반도체 패키지는 하나 또는 복수의 반도체칩을 리드 프레임 내에 있는 칩패드 위에 탑재한 후 몰딩 부재로, 예를 들면 EMC(Epoxy Molding Compound)로 밀봉하여 내부를 보호한 후, 인쇄 회로 기판에 실장하여 사용된다.Generally, in a semiconductor package, one or a plurality of semiconductor chips are mounted on a chip pad in a lead frame and then the package is sealed with a molding member, for example, an epoxy molding compound (EMC) to protect the inside and then mounted on a printed circuit board Is used.
가전용/산업용 제품의 반도체 모듈은 모듈의 고집적화, 고용량화, 소형화를 요구하는 추세이다. 이러한 추세는 필수적으로 전자 부품의 내부의 발열 심화를 야기하여 모듈 전체의 성능, 소자의 전기적인 특성 및 신뢰성을 저하한다.Semiconductor modules for consumer / industrial products are demanding high integration, high capacity and miniaturization of modules. This trend necessarily causes deepening of the internal heat of the electronic component, thereby deteriorating the performance of the entire module, the electrical characteristics of the device, and reliability.
따라서, 전력용 반도체 모듈은 내부의 열을 외부로 방출시키기 위하여 반도체 모듈과 히트 싱크를 결합하는 것이 일반적이다.Accordingly, it is general that the power semiconductor module combines the semiconductor module and the heat sink in order to radiate the heat to the outside.
하기의 선행기술 문헌에 기재된 특허 문헌은 종래 기술에 따른 전력용 반도체 모듈과 히트 싱크가 결합된 히트 싱크 패키지의 구조를 나타낸다.The patent document described in the following prior art document shows a structure of a heat sink package in which a power semiconductor module and a heat sink are combined according to the prior art.
종래 기술은 히트 싱크의 일단에 전력용 반도체 모듈과의 연결 부분이 존재하고 이러한 연결 부분에 볼트가 삽입될 수 있는 나사 구멍이 형성된다.In the prior art, a connection portion with the power semiconductor module exists at one end of the heat sink, and a screw hole through which the bolt is inserted is formed at the connection portion.
전력용 반도체 모듈이 일단에는 히트 싱크와의 연결 부분이 존재하고, 이 연결 부분에 볼트가 삽입될 수 있는 나사 구멍이 형성된다.In one end of the power semiconductor module, a connection portion with the heat sink exists, and a screw hole through which the bolt is inserted is formed in the connection portion.
전력용 반도체 모듈은 볼트와 같은 기계적 체결법에 의해 히트 싱크와 결합한다.The power semiconductor module is coupled with the heat sink by a mechanical fastening method such as a bolt.
이러한 종래 기술은 전력용 반도체 모듈과 히트 싱크가 결합되도록 하는 나사 조립 공정이 요구하므로 전체 공정 스텝수가 늘어나는 단점이 있다.Such a conventional technique requires a screw assembly process for combining the power semiconductor module and the heat sink, so that the total number of process steps increases.
종래 기술은 전력용 반도체 모듈의 방열 특성을 좋게 하기 위해 반도체 모듈의 상부면에 알루미늄이나 구리 등의 메탈 플레이트(Metal Plate)를 노출시키고 이러한 메탈 플레이트와 히트 싱크 간 접촉에 의해 소자에서 발생하는 열을 히트 싱크로 방출한다.In order to improve the heat dissipation characteristics of the power semiconductor module, the prior art exposes a metal plate such as aluminum or copper on the upper surface of the semiconductor module, and the heat generated in the device by the contact between the metal plate and the heat sink To the heat sink.
종래 기술은 전력용 반도체 모듈과 히트 싱크 간 1개의 접합면으로 냉각이 이루어지므로 방열 면적이 작으며, 반도체 모듈을 히트 싱크에 고정시키기 위해 볼트와 같은 기계적 체결법을 통해 결합하게 되므로 체결 공정 추가로 인해 전체 모듈의 제작 비용이 증가된다.Since the conventional technology is cooled by one joint surface between the power semiconductor module and the heat sink, the heat dissipating area is small and the semiconductor module is coupled through a mechanical fastening method such as bolt for fixing the heat sink to the heat sink. The manufacturing cost of the entire module is increased.
이러한 기계적 체결법은 반도체 모듈의 외관을 구성하는 몰딩 부재에 인가되는 압축 응력 및 전단 응력으로 인하여 몰딩 부재에 크랙 및 휨 현상이 유도될 수 있다.Such a mechanical fastening method can induce cracking and warping in the molding member due to compressive stress and shear stress applied to the molding member constituting the outer appearance of the semiconductor module.
몰딩 부재에 발생한 크랙 및 휨 현상은 전력용 반도체 모듈 내에 흡습 통로를 제공하거나 절연 파괴를 초래하여 전력 소자 제품의 신뢰성을 저해하거나 제품 수명을 단축하는 문제점이 있었다.Cracks and warping phenomena occurring in the molding member have a problem of providing a hygroscopic passage in the power semiconductor module or causing dielectric breakdown, thereby hindering the reliability of the electric device or shortening the life of the product.
이러한 문제점을 극복하기 위해서 히트 싱크의 내부에 홈을 파서 반도체 모듈을 탑재한 종래 기술을 제시하였다.In order to overcome such a problem, a conventional technology has been proposed in which a groove is formed in a heat sink to mount a semiconductor module.
그러나 종래 기술은 히트 싱크에 반도체 모듈을 삽입하기 위해 히트 싱크 공동부 바닥면에 금속층을 적층하는 등 히트 싱크에 직접 공정을 진행해야 하는 공정상 어려움이 있었다.However, in the prior art, there is a difficulty in the process of directly processing the heat sink, such as stacking a metal layer on the bottom surface of the heat sink cavity to insert the semiconductor module into the heat sink.
또한, 종래 기술은 반도체 모듈과 히트 싱크의 결합 후 몰딩 공정이 진행되어 반도체 모듈과 히트 싱크를 별도로 제작하는 경우보다 디자인 측면에서 자유도가 낮았다.Further, in the prior art, since the molding process is performed after the semiconductor module and the heat sink are coupled, the degrees of freedom in terms of design are lower than in the case of separately manufacturing the semiconductor module and the heat sink.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 일 측면은 히트 싱크와 반도체 모듈의 각각에 고정용 가공부를 포함하여 반도체 모듈의 히트 싱크 장착시 자동으로 고정되는 히트 싱크가 결합된 반도체 모듈에 관한 것이다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor module including a heat sink and a semiconductor module, the heat sink including a fixing part for fixing the heat sink, To a semiconductor module.
본 발명의 실시예에 따른 히트 싱크가 결합된 반도체 모듈은 리드 프레임이 형성되지 않은 양측면에서 제1 홈 또는 제1 돌기부를 형성하는 반도체 모듈; 및 상기 반도체 모듈이 삽입되어 결합되도록 일정 깊이의 구멍인 히트 싱크 홈을 형성하고 상기 반도체 모듈이 상기 히트 싱크 홈에 삽입시 상기 히트 싱크 홈의 내측면에서 상기 제1 홈과 대응되는 위치에 제2 돌기부 또는 상기 제1 돌기부와 대응되는 위치에 제2 홈을 형성하는 히트 싱크를 포함하며, 상기 반도체 모듈이 상기 히트 싱크 홈으로 삽입되면, 상기 제1 홈과 상기 제2 돌기부의 결합 또는 상기 제1 돌기부와 상기 제2 홈의 결합에 의해 상기 반도체 모듈이 상기 히트 싱크에 고정된다.A semiconductor module to which a heat sink is coupled according to an embodiment of the present invention includes a semiconductor module forming a first groove or a first protrusion on both sides where a lead frame is not formed; And a heat sink groove, which is a hole having a predetermined depth to be inserted into the semiconductor module, is inserted into the heat sink groove, and when the semiconductor module is inserted into the heat sink groove, And a heat sink for forming a second groove at a position corresponding to the protrusion or the first protrusion, wherein when the semiconductor module is inserted into the heat sink groove, the first groove and the second protrusion, And the semiconductor module is fixed to the heat sink by the engagement of the protrusion and the second groove.
상기 반도체 모듈은 상기 리드 프레임이 형성되지 않은 양측면에서 좌측 끝단 부분이 돌출되는 좌측 돌기부와 우측 끝단 부분이 돌출되는 우측 돌기부, 상기 좌측 돌기부와 상기 우측 돌기부 사이에 움푹 들어가서 단턱을 형성하는 모듈 함몰부―상기 모듈 함몰부는 일측에 상기 제1 홈이 형성됨―를 포함한다.Wherein the semiconductor module has a left protrusion protruding from a left end portion of both sides of the lead frame and a right protrusion protruding from a right end of the module, a module depression portion depressed between the left protrusion and the right protrusion to form a step, And the module depression has the first groove formed on one side thereof.
또한, 상기 히트 싱크는 상기 반도체 모듈의 결합시 상기 반도체 모듈의 리드 프레임이 형성되지 않은 양측면이 위치하는 면을 폐쇄하여 형성하고 상기 폐쇄한 면의 내측으로 돌출되어 상기 폐쇄한 면을 지지하고 상기 반도체 모듈을 가이드하는 상단부 기둥부와, 상기 상단부 기둥부로부터 내측으로 돌출되고 상기 상단부 기둥부의 일측면에 상기 제2 돌기부가 형성된다.The heat sink may be formed by closing a surface of the semiconductor module where the lead frame is not formed when the semiconductor module is coupled, and protruding to the inside of the closed surface to support the closed surface, An upper end column portion for guiding the module and the second protrusion portion protruding inward from the upper end column portion and formed on one side of the upper end column portion.
또한, 상기 반도체 모듈은 상기 리드 프레임이 형성되지 않은 양측면에서 외측으로 돌출한 상기 제1 돌기부를 형성하고, 상기 히트 싱크는 상기 반도체 모듈의 리드 프레임이 형성되지 않은 양측면이 위치하는 면을 폐쇄하여 형성하고 상기 폐쇄한 면의 상부면 일측이 개방되고 일정 깊이로 파져 있으며 상기 제1 돌기부가 삽입되어 결합된다.The semiconductor module forms the first protrusions protruding outward from both sides where the lead frame is not formed. The heat sink is formed by closing the surface of the semiconductor module on which the lead frames are not formed, And one side of the upper surface of the closed surface is opened and fits to a certain depth, and the first protrusion is inserted and coupled.
또한, 상기 제2 홈은 상기 제1 돌기부의 테이퍼진 형태와 대응하는 제1 관통공과, 상기 제1 관통공의 하부에 형성되어 상기 제1 돌기부가 장착되는 제2 관통공 및 상기 제1 돌기부가 끼워진 후 빠지지 않도록 하는 걸림 단턱부를 포함한다.The second groove may have a first through hole corresponding to a tapered shape of the first protrusion, a second through hole formed in a lower portion of the first through hole to mount the first protrusion, And a latching step for preventing the latching portion from being inserted and removed.
본 발명의 다른 실시예에 따른 히트 싱크가 결합된 반도체 모듈은 하부면에 하부 방향으로 돌출된 길이 방향의 체결 수단을 형성한 반도체 모듈; 및 상기 반도체 모듈의 하부면과 맞닿도록 평판 형태의 접촉면―상기 접촉면의 일측에는 상기 반도체 모듈의 체결 수단이 삽입되어 결합하는 고정용 홀이 형성됨―을 포함하는 일정 두께의 상단부와, 상기 상단부의 하부에 형성되어 막대 형태로 길이 방향의 방열핀이 일정 간격을 두고 복수개 형성된 하단부를 포함하는 히트 싱크를 포함하며, 상기 반도체 모듈의 체결 수단이 상기 히트 싱크의 고정용 홀로 삽입되면, 상기 체결 수단과 상기 고정용 홀의 결합에 의해 상기 반도체 모듈이 상기 히트 싱크에 고정된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor module to which a heat sink is coupled, the semiconductor module including: a semiconductor module having longitudinally fastening means projecting downwardly on a lower surface thereof; And a flat plate-shaped contact surface to be brought into contact with a lower surface of the semiconductor module, wherein a fixing hole is formed at one side of the contact surface to which the fastening means of the semiconductor module is inserted, And a heat sink having a plurality of heat radiating fins formed in a bar shape and having a plurality of longitudinally spaced heat radiating fins formed in a bar shape. When the fastening means of the semiconductor module is inserted into the fixing hole of the heat sink, And the semiconductor module is fixed to the heat sink by the engagement of the holes.
또한, 상기 체결 수단은 길이 방향의 본체 기둥과, 상기 본체 기둥의 일단에 형성된 원추 형상의 지지부를 포함하며, 상기 본체 기둥의 내부에는 길이 방향의 빈 공간을 나타내는 내부 공간부를 형성한다.In addition, the fastening means includes a main body column in the longitudinal direction and a conical support portion formed at one end of the main column, and an internal space portion in the longitudinal direction is formed in the main column.
또한, 상기 체결 수단은 나사산을 포함한 길이 방향의 수나사부를 형성하고, 상기 고정용 홀은 상기 수나사부에 대응되어 결합하는 암나사부를 형성하여 상기 수나사부를 상기 암나사부에 끼워 돌려서 나사 체결 방식으로 결합한다.In addition, the fastening means may include a male thread portion including a thread, and the fastening hole may have a female thread portion corresponding to the male thread portion, and the male thread portion may be inserted into the female thread portion.
또한, 상기 체결 수단은 상기 본체 기둥의 하부 일측에 수나사부를 형성하고, 상기 고정용 홀은 상기 수나사부에 대응되어 결합하는 암나사부를 형성한다.In addition, the fastening means may have a male screw portion formed at a lower side of the main body column, and the fastening hole may have a female screw portion corresponding to the male screw portion.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부 도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings.
이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Prior to that, terms and words used in the present specification and claims should not be construed in a conventional and dictionary sense, and the inventor may properly define the concept of the term in order to best explain its invention It should be construed as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.
전술한 구성에 의하여, 본 발명은 반도체 모듈과 히트 싱크에 각각 고정용 가공부를 형성하여 반도체 모듈의 히트 싱크의 장착시 원 클릭으로 고정됨으로써 추가 체결 공정이 불필요하여 이로 인한 제작 비용을 낮추는 효과가 있다.According to the above-described structure, the fixing process part is formed in each of the semiconductor module and the heat sink, and is fixed by one-click when the heat sink of the semiconductor module is mounted, so that an additional fastening step is unnecessary and the manufacturing cost is reduced .
본 발명은 반도체 모듈의 하부면 이외에 측면을 히트 싱크에 접촉시켜 열전달 통로를 확장함으로써 열 방출 특성을 개선하는 효과가 있다.The present invention has the effect of improving the heat radiation characteristic by extending the heat transfer passage by contacting the side surface in addition to the lower surface of the semiconductor module with the heat sink.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 모듈과 히트 싱크를 나타낸 정면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 모듈과 히트 싱크를 나타낸 측면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 모듈과 히트 싱크를 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 모듈과 히트 싱크를 나타낸 정면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 모듈과 히트 싱크를 나타낸 측면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 모듈과 히트 싱크를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 모듈과 히트 싱크를 나타낸 도면이다.1 is a front view showing a semiconductor module and a heat sink according to a first embodiment of the present invention.
2 is a side view showing a semiconductor module and a heat sink according to a first embodiment of the present invention.
3 is a plan view showing a semiconductor module and a heat sink according to the first embodiment of the present invention.
4 is a front view showing a semiconductor module and a heat sink according to a second embodiment of the present invention.
5 is a side view showing a semiconductor module and a heat sink according to a second embodiment of the present invention.
6 is a view showing a semiconductor module and a heat sink according to a third embodiment of the present invention.
7 is a view illustrating a semiconductor module and a heat sink according to a fourth embodiment of the present invention.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, "제1", "제2", "일면", "타면" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다. 이하, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지 기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The objectives, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. It should be noted that, in the present specification, the reference numerals are added to the constituent elements of the drawings, and the same constituent elements are assigned the same number as much as possible even if they are displayed on different drawings. It will be further understood that terms such as " first, "" second," " one side, "" other," and the like are used to distinguish one element from another, no. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description of the present invention, detailed description of related arts which may unnecessarily obscure the gist of the present invention will be omitted.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 모듈과 히트 싱크를 나타낸 정면도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 모듈과 히트 싱크를 나타낸 측면도이며, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 모듈과 히트 싱크를 나타낸 평면도이다.FIG. 1 is a front view showing a semiconductor module and a heat sink according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side view showing a semiconductor module and a heat sink according to a first embodiment of the present invention, 1 is a plan view showing a semiconductor module and a heat sink according to a first embodiment.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 모듈(100)은 기판 상에 리드 프레임(110) 및 하나 이상의 반도체칩이 탑재한 후 몰딩 부재로 밀봉하여 내부를 보호한다.1 to 3, a
기판은 DBC(Direct Fired Copper) 기판, TFC(Thick or Thin Film Copper) 기판 또는 DFC(Direct Fired Copper) 기판일 수 있고 반도체칩은 전력 제어용 반도체칩 및/또는 전력 제어용 반도체칩을 구동하는 저전력 반도체칩을 포함할 수 있다.The substrate may be a DBC (Direct Fired Copper) substrate, a TFC (Thick or Thin Film Copper) substrate, or a DFC (Direct Fired Copper) substrate. The semiconductor chip may be a power control semiconductor chip and / . ≪ / RTI >
몰딩 부재는 트랜스퍼 몰딩 공정이 가능한 수지계 재료 즉, 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound, EMC)이다.The molding member is a resin-based material capable of performing a transfer molding process, that is, an epoxy molding compound (EMC).
반도체 모듈은 몰딩 부재로 밀봉하는 경우, EMC 경화 과정에서 금형틀에 의해서 리드 프레임(110)이 형성되지 않은 양측면에서 좌측 끝단 부분이 돌출되는 좌측 돌기부(120)와 우측 끝단 부분이 돌출되는 우측 돌기부(130), 좌측 돌기부(120)와 우측 돌기부(130) 사이에 움푹 들어가서 좌측 돌기부(120) 및 우측 돌기부(130)와 단턱을 형성하는 모듈 함몰부(140)를 포함한다.When the semiconductor module is sealed by a molding member, a
좌측 돌기부(120)와 우측 돌기부(130)는 반도체 모듈(100)과 히트 싱크(200)의 측방향 고정 강화 및 히트 싱크(200)와 리드 프레임(110) 간의 절연 특성을 향상시킨다.The
모듈 함몰부(140)는 히트 싱크(200)와의 체결 수단으로 일측에 고정용 홈( 청구항 1항의 제1 홈에 대응됨)(142)을 형성한다.The module
본 발명의 제1 실시예에 따른 히트 싱크(200)는 알루미늄을 포함한 금속 물질로 형성되고, 반도체 모듈(100)이 삽입되어 결합되는 상단부(210)와, 열을 방출하는 막대 형상으로 길이 방향의 방열핀(252)이 일정 간격을 두고 복수개로 형성된 하단부(250)를 포함한다.The
히트 싱크(200)의 상단부(210)에는 반도체 모듈(100)이 삽입되어 결합되도록 일정 깊이의 구멍인 히트 싱크 홈(220)을 형성한다.A
히트 싱크 홈(220)은 반도체 모듈(100)이 삽입되어 탑재되므로 반도체 모듈(100)과 동일한 형태로 이루어져 있으며 히트 싱크 홈(220)의 깊이는 반도체 모듈(100)의 높이보다 큰 것이 바람직하다.The
히트 싱크 홈(220)은 반도체 모듈(100)의 결합시 모듈의 리드 프레임(110)이 위치하는 제1 면(222a, 222b)을 개방하고, 리드 프레임(110)이 형성되지 않은 양측면인 반도체 모듈(100)의 좌측 돌기부(120), 우측 돌기부(130) 및 모듈 함몰부(140)가 위치하는 제2 면(224a, 224b)을 폐쇄하여 형성한다.The
폐쇄한 제2 면(224a, 224b)에는 제2 면(224a, 224b)으로부터 내측으로 돌출되어 제2 면(224a, 224b)의 일부면을 지지하고 반도체 모듈(100)의 삽입시 가이드 기능을 하는 상단부 기둥부(230)가 형성된다.The
상단부 기둥부(230)는 반도체 모듈(100)의 모듈 함몰부(140)와 대응되도록 볼록 형태로 이루어져 있어 오목 형태의 모듈 함몰부(140)와 끼워져서 맞춰진다.The
또한, 상단부 기둥부(230)는 제2 면(224a, 224b)의 전부면을 지지하도록 제2 면(224a, 224b)과 동일한 길이로 형성할 수도 있다.The
상단부 기둥부(230)는 상단부 기둥부(230)로부터 내측으로 돌출되고 상단부 기둥부(230)의 일측면에 고정용 돌기부(청구항 1항의 제2 돌기부에 대응됨)(240)가 형성된다. 여기서, 고정용 돌기부(240)는 돌출턱으로 일측에 경사면이 형성되어 있다.The
반도체 모듈(100)이 히트 싱크(200)의 히트 싱크 홈(220)으로 삽입되면, 반도체 모듈(100)의 고정용 홈(142)은 히트 싱크 홈(220)의 상단부 기둥부(230)의 내측면 일측에 돌출된 고정용 돌기부(240)의 경사면을 타고 통과한 후 고정용 홈(142)이 고정용 돌기부(240)의 하부면에 걸려 고정되어 반도체 모듈(100)의 삽입 방향과 반대 방향으로 이동을 차단한다.When the
결과적으로 반도체 모듈(100)을 히트 싱크(200)에 삽입하게 되면 반도체 모듈(100)의 고정용 홈(142)과 히트 싱크(200)의 고정용 돌기부(240)에 의해 반도체 모듈(100)이 히트 싱크(200)에 고정된다.As a result, when the
반도체 모듈(100)과 히트 싱크(200)의 접촉면을 써멀 그리스(Thermal Grease)로 채워서 방열 특성을 향상시킬 수 있다.The contact surface between the
본 발명은 반도체 모듈(100)의 양측면인 좌측 돌기부(120), 우측 돌기부(130), 모듈 함몰부(140)와 반도체 모듈(100)의 하부면과, 히트 싱크(200)의 바닥면, 상단부 기둥부(230)가 밀접하게 맞닿아 있게 되므로 열 방출의 통로가 추가적으로 확보되어 개선된 열 방출 특성을 기대할 수 있다.The present invention is characterized in that the
본 발명은 반도체 모듈(100)의 외부 형태와 히트 싱크(200)의 히트 싱크 홈(220)이 동일한 형태를 갖도록 하여 결합되므로 나사와 같은 별도의 조립 수단, 나사 조립 공정이 불필요하다.Since the outer shape of the
본 발명의 제1 실시예는 반도체 모듈(100)의 고정용 홈(142)과 히트 싱크(200)의 고정용 돌기부(240)의 형태로 제조되어 있지만, 이에 한정하지 않고 반도체 모듈에 고정용 돌기부와 히트 싱크의 고정용 홈으로 변경하여 구성할 수도 있다.The first embodiment of the present invention is manufactured in the form of the fixing
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 모듈과 히트 싱크를 나타낸 정면도이고, 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 모듈과 히트 싱크를 나타낸 측면도이다.FIG. 4 is a front view showing a semiconductor module and a heat sink according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a side view showing a semiconductor module and a heat sink according to a second embodiment of the present invention.
본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 모듈(300)은 몰딩 부재로 밀봉하는 경우, EMC 경화 과정에서 금형틀에 의해서 리드 프레임(310)이 형성되지 않은 양측면에서 외측으로 돌출한 고정용 돌기부(청구항 1항의 제1 돌기부에 대응됨)(320)를 형성한다.The
고정용 돌기부(320)는 상부에서 하부로 갈수록 좁아지는 테이퍼진 형태이다.The
본 발명의 제2 실시예에 따른 히트 싱크(400)는 반도체 모듈(300)이 삽입되어 결합되는 상단부(410)와, 열을 방출하는 막대 형상으로 길이 방향의 방열핀(452)이 일정 간격을 두고 복수개로 형성된 하단부(450)를 포함한다.The
히트 싱크(400)의 상단부(410)에는 반도체 모듈(300)이 삽입되어 결합되도록 일정 깊이의 구멍인 히트 싱크 홈(420)을 형성한다.A
히트 싱크 홈(420)은 반도체 모듈(300)의 결합시 모듈의 리드 프레임(310)이 위치하는 제1 면(222a, 222b)을 개방하고, 리드 프레임(310)이 형성되지 않은 양측면이 위치하는 제2 면(224a, 224b)을 폐쇄하여 형성한다.The
폐쇄된 제2 면(224a, 224b)에는 반도체 모듈(300)의 고정용 돌기부(320)가 삽입되어 결합되는 고정용 고리홈(청구항 1항의 제2 홈에 대응됨)(430)이 형성된다.A locking ring groove 430 (corresponding to the second groove of claim 1) is formed on the closed
고정용 고리홈(430)은 리드 프레임(310)이 형성되지 않은 양측면의 상부면 일측이 개방되고 상부면으로부터 일정 깊이로 파져 있는 구멍의 형태이다.The fixing
고정용 고리홈(430)은 반도체 모듈(300)의 고정용 돌기부(320)의 테이퍼진 형태와 대응하게 상부가 테이퍼진 제1 관통공(432)과 제1 관통공(432)의 하부에 형성되어 고정용 돌기부(320)가 장착되는 일정 공간의 제2 관통공(434) 및 고정용 돌기부(320)가 끼워진 후 빠지지 않도록 하는 걸림 단턱부(436)를 포함한다.The fixing
반도체 모듈(300)이 히트 싱크(400)의 히트 싱크 홈(420)으로 삽입되면, 반도체 모듈(300)의 고정용 돌기부(320)가 제1 관통공(432)에 밀어 넣어 억지 끼움 방식으로 제2 관통공(434)까지 끼워지며 걸림 단턱부(436)에 의해 고정용 돌기부(320)의 상단부가 빠지지 않게 된다.When the
반도체 모듈(300)과 히트 싱크(400)는 반도체 모듈(300)의 하부면이 히트 싱크(400)의 히트 싱크 홈(420)에 삽입되어 결합하는 순간에 고정용 돌기부(320)가 고정용 고리홈(430)의 체결에 의해 원 클릭(One-Click)으로 결합이 가능하다.The
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 모듈과 히트 싱크를 나타낸 도면이다.6 is a view showing a semiconductor module and a heat sink according to a third embodiment of the present invention.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 모듈(500)은 몰딩 부재로 밀봉하는 경우, EMC 경화 과정에서 금형틀에 의해서 하부면에 하부 방향으로 돌출된 길이 방향의 체결 수단(520)을 형성한다.As shown in FIG. 6, when the
체결 수단(520)은 길이 방향의 본체 기둥(522)과 본체 기둥(522)의 일단에 형성된 원추 형상의 지지부(524)를 포함한다.The fastening means 520 includes a
본체 기둥(522)의 내부에는 길이 방향의 빈 공간을 나타내는 내부 공간부(523)를 형성하여 지지부(524)가 수축되어 변형이 가능하도록 하는 역할을 한다.An
본 발명의 제3 실시예에 따른 히트 싱크(600)는 반도체 모듈(500)의 전부가 삽입되어 결합되는 홈을 형성하지 않고 반도체 모듈(500)과 면 접촉으로 결합한다.The
히트 싱크(600)는 반도체 모듈(500)의 하부면과 맞닿도록 평판 형태의 접촉면을 포함한 일정 두께의 상단부(610)와 막대 형태로 길이 방향의 방열핀(622)이 일정 간격을 두고 복수개 형성된 하단부(620)를 포함한다.The
반도체 모듈(500)과 접촉하는 히트 싱크(600)의 접촉면에는 일측에 홈을 파서 고정용 홀(612)을 형성한다.On the contact surface of the
반도체 모듈(500)의 체결 수단(520)이 히트 싱크(600)의 고정용 홀(612)에 밀어 넣어 억지 끼움 방식으로 삽입하면, 체결 수단(520)의 지지부(524)가 내부 공간부(523)로 인하여 수축되면서 고정용 홀(612)에 삽입된다.When the engaging means 520 of the
체결 수단(520)의 지지부(524)가 고정용 홀(612)에 끼워지면, 지지부(524)의 단부가 고정용 홀(612)에 걸려서 빠지지 않게 된다.When the
반도체 모듈(500)과 히트 싱크(600)는 반도체 모듈(500)의 체결 수단(520)이 히트 싱크(600)의 고정용 홀(612)에 삽입되어 결합하는 순간에 체결 수단(520)과 고정용 홀(612)의 체결에 의해 원 클릭(One-Click)으로 결합이 가능하다.The
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 모듈과 히트 싱크를 나타낸 도면이다.7 is a view illustrating a semiconductor module and a heat sink according to a fourth embodiment of the present invention.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 모듈(500)은 몰딩 부재로 밀봉하는 경우, EMC 경화 과정에서 금형틀에 의해서 하부면 중앙부에 하부 방향으로 돌출되고 나사산(710)을 포함한 길이 방향의 수나사부(700)를 형성한다.7, when the
히트 싱크(600)는 반도체 모듈(500)과 접촉하는 히트 싱크(600)의 접촉면을 포함한 일정 두께의 상단부(610)와 막대 형상으로 길이 방향의 방열핀(622)이 일정 간격을 두고 복수개로 형성된 하단부(620)를 포함한다.The
반도체 모듈(500)과 접촉하는 히트 싱크(600)의 접촉면에는 중앙부에 반도체 모듈(500)의 수나사부(700)와 대응되어 결합되는 암나사부(630)를 형성한다.The contact surface of the
반도체 모듈(500)의 수나사부(700)를 히트 싱크(600)의 암나사부(630)에 끼워 돌려서 나사 체결 방식으로 결합한다.The male threaded
반도체 모듈(500)과 히트 싱크(600)에는 수나사부(700)와 암나사부(630)를 구성하여 종래 기술의 나사 체결 공정이 필요없이 기계적으로 결합시킬 수 있다.The
전술한 본 발명의 다른 실시예의 체결 수단(520)은 하부 일측에 수나사부를 형성하는 길이 방향의 본체 기둥(522)과 본체 기둥(522)의 일단에 형성된 원추 형상의 지지부(524)를 포함한다. 이에 부가하여 고정용 홀(612)은 본체 기둥(522)의 하부 일측에 형성된 수나사부에 대응되어 결합하는 암나사부를 형성한다.The fastening means 520 of another embodiment of the present invention includes a
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the present invention. It is obvious that the modification or improvement is possible.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
100, 300, 500: 반도체 모듈
110, 310, 510: 리드 프레임
120: 좌측 돌기부
130: 우측 돌기부
140: 모듈 함몰부
142: 고정용 홈
200, 400, 600: 히트 싱크
210, 410, 610: 상단부
220, 420: 히트 싱크 홈
222a, 222b: 제1 면
224a, 224b: 제2 면
230: 상단부 기둥부
240: 고정용 돌기부
250, 450, 620: 하단부
252, 452, 622: 방열핀
320: 고정용 돌기부
430: 고정용 고리홈
432: 제1 관통공
434: 제2 관통공
436: 걸림 단턱부
520: 체결 수단
522: 본체 기둥
523: 내부 공간부
524: 지지부
612: 고정용 홀
630: 암나사부
700: 수나사부
710: 나사산100, 300, 500: semiconductor module
110, 310, 510: lead frame
120: left protrusion
130: right protrusion
140: module depression
142: Fixing groove
200, 400, 600: Heat sink
210, 410, 610:
220, 420: Heat sink groove
222a, 222b: a first side
224a, 224b: second side
230: upper end column portion
240: Fixing projection
250, 450, 620: Lower end
252, 452, 622:
320: Fixing projection
430: Fixing ring groove
432: first through hole
434: second through hole
436:
520: fastening means
522: Body column
523: inner space portion
524:
612: Fixing hole
630: Female thread portion
700: male threads
710: Threaded
Claims (9)
상기 반도체 모듈이 삽입되어 결합되도록 일정 깊이의 구멍인 히트 싱크 홈을 형성하고 상기 반도체 모듈이 상기 히트 싱크 홈에 삽입시 상기 히트 싱크 홈의 내측면에서 상기 제1 홈과 대응되는 위치에 제2 돌기부 또는 상기 제1 돌기부와 대응되는 위치에 제2 홈을 형성하는 히트 싱크를 포함하며,
상기 반도체 모듈이 상기 히트 싱크 홈으로 삽입되면, 상기 제1 홈과 상기 제2 돌기부의 결합 또는 상기 제1 돌기부와 상기 제2 홈의 결합에 의해 상기 반도체 모듈이 상기 히트 싱크에 고정되는 히트 싱크가 결합된 반도체 모듈.A semiconductor module forming first grooves or first protrusions on both sides where no lead frame is formed; And
A heat sink groove as a hole having a certain depth is formed so that the semiconductor module can be inserted and coupled with the heat sink groove, and when the semiconductor module is inserted into the heat sink groove, Or a heat sink forming a second groove at a position corresponding to the first protrusion,
Wherein when the semiconductor module is inserted into the heat sink groove, the heat sink having the semiconductor module fixed to the heat sink by a combination of the first groove and the second protrusion or the engagement of the first protrusion and the second groove Coupled semiconductor module.
상기 반도체 모듈은 상기 리드 프레임이 형성되지 않은 양측면에서 좌측 끝단 부분이 돌출되는 좌측 돌기부와 우측 끝단 부분이 돌출되는 우측 돌기부, 상기 좌측 돌기부와 상기 우측 돌기부 사이에 움푹 들어가서 단턱을 형성하는 모듈 함몰부―상기 모듈 함몰부는 일측에 상기 제1 홈이 형성됨―를 포함하는 히트 싱크가 결합된 반도체 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor module has a left protrusion protruding from a left end portion of both sides of the lead frame and a right protrusion protruding from a right end of the module, a module depression portion depressed between the left protrusion and the right protrusion to form a step, And the first recess is formed on one side of the module depression.
상기 히트 싱크는 상기 반도체 모듈의 결합시 상기 반도체 모듈의 리드 프레임이 형성되지 않은 양측면이 위치하는 면을 폐쇄하여 형성하고 상기 폐쇄한 면의 내측으로 돌출되어 상기 폐쇄한 면을 지지하고 상기 반도체 모듈을 가이드하는 상단부 기둥부와, 상기 상단부 기둥부로부터 내측으로 돌출되고 상기 상단부 기둥부의 일측면에 상기 제2 돌기부가 형성되는 히트 싱크가 결합된 반도체 모듈.The method according to claim 1 or 2,
Wherein the heat sink is formed by closing a surface on which both side surfaces of the semiconductor module on which the lead frame is not formed are closed when the semiconductor module is coupled and protruding inward of the closed surface to support the closed surface, And the heat sink is protruded inward from the upper end column portion and has the second protrusion formed on one side of the upper end column portion.
상기 반도체 모듈은 상기 리드 프레임이 형성되지 않은 양측면에서 외측으로 돌출한 상기 제1 돌기부를 형성하고,
상기 히트 싱크는 상기 반도체 모듈의 리드 프레임이 형성되지 않은 양측면이 위치하는 면을 폐쇄하여 형성하고 상기 폐쇄한 면의 상부면 일측이 개방되고 일정 깊이로 파져 있으며 상기 제1 돌기부가 삽입되어 결합되는 상기 제2 홈이 형성되는 히트 싱크가 결합된 반도체 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor module forms the first protrusions protruding outward from both sides where the lead frame is not formed,
Wherein the heat sink is formed by closing a surface of the semiconductor module on which both side surfaces where the lead frame is not formed are closed and one side of the upper surface of the closed side is opened and the heat sink is fused to a predetermined depth, And a second groove is formed in the heat sink.
상기 제2 홈은 상기 제1 돌기부의 테이퍼진 형태와 대응하는 제1 관통공과, 상기 제1 관통공의 하부에 형성되어 상기 제1 돌기부가 장착되는 제2 관통공 및 상기 제1 돌기부가 끼워진 후 빠지지 않도록 하는 걸림 단턱부를 포함하는 히트 싱크가 결합된 반도체 모듈.The method of claim 4,
Wherein the second groove has a first through hole corresponding to a tapered shape of the first protrusion, a second through hole formed at a lower portion of the first through hole to mount the first protrusion, and a second through hole And a latching step for preventing the semiconductor module from falling off.
상기 반도체 모듈의 하부면과 맞닿도록 평판 형태의 접촉면―상기 접촉면의 일측에는 상기 반도체 모듈의 체결 수단이 삽입되어 결합하는 고정용 홀이 형성됨―을 포함하는 일정 두께의 상단부와, 상기 상단부의 하부에 형성되어 막대 형태로 길이 방향의 방열핀이 일정 간격을 두고 복수개 형성된 하단부를 포함하는 히트 싱크를 포함하며,
상기 반도체 모듈의 체결 수단이 상기 히트 싱크의 고정용 홀로 삽입되면, 상기 체결 수단과 상기 고정용 홀의 결합에 의해 상기 반도체 모듈이 상기 히트 싱크에 고정되는 히트 싱크가 결합된 반도체 모듈.A semiconductor module having longitudinally fastening means protruding downward from a lower surface thereof; And
A top plate having a plate-like contact surface to be in contact with a lower surface of the semiconductor module, and a fixing hole formed at one side of the contact surface to receive the coupling means of the semiconductor module, And a heat sink including a lower end portion formed in a bar shape and having a plurality of longitudinally spaced heat radiating fins at regular intervals,
Wherein the heat sink is coupled to the heat sink when the fastening means of the semiconductor module is inserted into the fixing hole of the heat sink, by coupling the fastening means and the fixing hole.
상기 체결 수단은 길이 방향의 본체 기둥과, 상기 본체 기둥의 일단에 형성된 원추 형상의 지지부를 포함하며, 상기 본체 기둥의 내부에는 길이 방향의 빈 공간을 나타내는 내부 공간부를 형성하는 히트 싱크가 결합된 반도체 모듈.The method of claim 6,
Wherein the fastening means includes a body column in the longitudinal direction and a conical support portion formed at one end of the body column, and a heat sink, which forms an internal space portion in the longitudinal direction, module.
상기 체결 수단은 나사산을 포함한 길이 방향의 수나사부를 형성하고, 상기 고정용 홀은 상기 수나사부에 대응되어 결합하는 암나사부를 형성하여 상기 수나사부를 상기 암나사부에 끼워 돌려서 나사 체결 방식으로 결합하는 히트 싱크가 결합된 반도체 모듈.The method of claim 6,
Wherein the fastening means is formed with a longitudinal male thread portion including a screw thread and the fastening hole has a female thread portion corresponding to the male thread portion and the male thread portion is engaged with the female thread portion by turning and screw- Coupled semiconductor module.
상기 체결 수단은 상기 본체 기둥의 하부 일측에 수나사부를 형성하고, 상기 고정용 홀은 상기 수나사부에 대응되어 결합하는 암나사부를 형성하여 히트 싱크가 결합된 반도체 모듈.The method of claim 7,
Wherein the fastening means has a male thread portion formed on a lower side of the main body column and a female screw portion corresponding to the male thread portion is formed in the fastening hole and the heat sink is coupled.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120123635A KR101474614B1 (en) | 2012-11-02 | 2012-11-02 | Semicoductor Module for Combining Heat Sink |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120123635A KR101474614B1 (en) | 2012-11-02 | 2012-11-02 | Semicoductor Module for Combining Heat Sink |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20140127206A Division KR101508467B1 (en) | 2014-09-23 | 2014-09-23 | Semicoductor Module for Combining Heat Sink |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140057032A true KR20140057032A (en) | 2014-05-12 |
KR101474614B1 KR101474614B1 (en) | 2014-12-18 |
Family
ID=50888076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120123635A KR101474614B1 (en) | 2012-11-02 | 2012-11-02 | Semicoductor Module for Combining Heat Sink |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101474614B1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020219955A1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | American Axle & Manufacturing, Inc. | Electric drive module |
US11845328B2 (en) | 2021-12-01 | 2023-12-19 | American Axle & Manufacturing, Inc. | Electric drive unit with motor assembly isolated from beaming loads transmitted through housing assembly |
US11863046B2 (en) | 2021-03-15 | 2024-01-02 | American Axle & Manufacturing, Inc. | Electric drive unit |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004193467A (en) | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Mitsubishi Electric Corp | Power semiconductor device and heat radiator |
US8198725B2 (en) | 2009-12-31 | 2012-06-12 | Star Technologies Inc. | Heat sink and integrated circuit assembly using the same |
-
2012
- 2012-11-02 KR KR1020120123635A patent/KR101474614B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020219955A1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | American Axle & Manufacturing, Inc. | Electric drive module |
CN113728537A (en) * | 2019-04-25 | 2021-11-30 | 美国轮轴制造公司 | Electric drive module |
US11303183B2 (en) | 2019-04-25 | 2022-04-12 | American Axle & Manufacturing, Inc. | Electric drive module |
US11456239B2 (en) | 2019-04-25 | 2022-09-27 | American Axle & Manufacturing, Inc. | Electric drive module |
US11862543B2 (en) | 2019-04-25 | 2024-01-02 | American Axle & Manufacturing, Inc. | Electric drive module |
CN113728537B (en) * | 2019-04-25 | 2024-04-12 | 美国轮轴制造公司 | Electric drive module |
US11863046B2 (en) | 2021-03-15 | 2024-01-02 | American Axle & Manufacturing, Inc. | Electric drive unit |
US11845328B2 (en) | 2021-12-01 | 2023-12-19 | American Axle & Manufacturing, Inc. | Electric drive unit with motor assembly isolated from beaming loads transmitted through housing assembly |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101474614B1 (en) | 2014-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10461010B2 (en) | Power module, power semiconductor device and power module manufacturing method | |
US10978371B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
US20190074238A1 (en) | Semiconductor device | |
US8553417B2 (en) | Heat-radiating substrate and method of manufacturing the same | |
KR101443980B1 (en) | Contact pin and power module package having the same | |
JP2006287080A (en) | Memory module | |
US20220157686A1 (en) | Molded semiconductor package with dual integrated heat spreaders | |
KR20140057032A (en) | Semicoductor module for combining heat sink | |
US10794639B2 (en) | Cooling structure and mounting structure | |
KR20160093744A (en) | A heat dissipating enclosure with integrated cooling fins | |
JP2005142323A (en) | Semiconductor module | |
US20190189532A1 (en) | Integrated circuit package and fastener | |
KR101508467B1 (en) | Semicoductor Module for Combining Heat Sink | |
JP7275505B2 (en) | semiconductor equipment | |
US9892991B2 (en) | Connectable package extender for semiconductor device package | |
KR101443970B1 (en) | Power module package | |
KR100616310B1 (en) | Manufaturing method of a heatsink for electronic equipment | |
KR20150048459A (en) | Power Module Package | |
JP6946698B2 (en) | Semiconductor devices and manufacturing methods for semiconductor devices | |
US11348851B2 (en) | Case with a plurality of pair case components for a semiconductor device | |
EP4287252A1 (en) | Power semiconductor modules and method for their assembling | |
KR101502669B1 (en) | Power module package and method for manufacturing the same | |
KR20140135443A (en) | method for fabricating semiconductor module and semiconductor module thereof | |
KR101209464B1 (en) | A electronic device module for bldc blower motor of vehicle | |
WO2014208006A1 (en) | Electronic device and method for manufacturing said electronic device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |