KR20140055097A - 터치 스크린 패널의 제조방법 - Google Patents

터치 스크린 패널의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140055097A
KR20140055097A KR20120121443A KR20120121443A KR20140055097A KR 20140055097 A KR20140055097 A KR 20140055097A KR 20120121443 A KR20120121443 A KR 20120121443A KR 20120121443 A KR20120121443 A KR 20120121443A KR 20140055097 A KR20140055097 A KR 20140055097A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sensing electrodes
forming
film
touch screen
screen panel
Prior art date
Application number
KR20120121443A
Other languages
English (en)
Inventor
토오루 키무라
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR20120121443A priority Critical patent/KR20140055097A/ko
Priority to US13/788,434 priority patent/US9152281B2/en
Publication of KR20140055097A publication Critical patent/KR20140055097A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49105—Switch making

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

본 발명에 의한 터치 스크린 패널의 제조방법은, 기판 상에 터치 센싱을 위한 감지전극들을 형성하는 단계; 상기 감지전극들 상에 상기 감지전극들의 전기적 연결을 위한 금속패턴들을 형성하는 단계; 상기 금속패턴들 상에 실리콘 나이트라이드(SiNx) 및 실리콘 옥사이드(SiOx) 중 어느 하나를 포함하는 제1 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 보호막 상에 상기 실리콘 나이트라이드 및 상기 실리콘 옥사이드 중 다른 하나를 포함하는 제2 보호막을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

터치 스크린 패널의 제조방법{Manufacturing Method For Touch Screen Panel}
본 발명의 실시예는 터치 스크린 패널의 제조방법에 관한 것으로, 특히 패널을 구성하는 적층막 사이의 밀착성을 향상시키기 위한 터치 스크린 패널의 제조방법에 관한 것이다.
터치 스크린 패널은 영상표시장치 등의 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치이다.
이를 위해, 터치 스크린 패널은 영상표시장치의 전면(front face)에 구비되어 사람의 손 또는 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다. 이에 따라, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여진다.
이와 같은 터치 스크린 패널은 키보드 및 마우스와 같이 영상표시장치에 연결되어 동작하는 별도의 입력장치를 대체할 수 있기 때문에 그 이용범위가 점차 확장되고 있는 추세이다.
터치 스크린 패널을 구현하는 방식으로는 저항막 방식, 광감지 방식 및 정전용량 방식 등이 알려져 있다.
이 중 정전용량 방식의 터치 스크린 패널은, 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 도전성 감지전극이 주변의 다른 감지전극 또는 접지전극 등과 형성하는 정전용량의 변화를 감지함으로써, 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다.
일반적으로, 터치 스크린 패널은 기판 상에 도전성 감지전극으로 투명전극인 ITO막, 감지전극간 연결패턴 및 배선패턴인 금속막(Mo/MoNb) 및 실리콘 옥사이드(SiO2) 등의 절연 보호막의 적층구조를 갖는다.
그런데, 터치 스크린 패널을 구성하는 적층막들은 서로 다른 성격을 갖는 응력이 작용한다.
구체적으로, ITO막은 압축응력이 작용하며, 몰리브덴 금속막은 인장응력이 작용한다. 여기에 실리콘 옥사이드(SiO2) 절연 보호막을 성막하면 압축응력이 더해져 막층 간에 응력차가 발생하여 부착력 및 밀착력이 악화되므로, 낮은 밀착력에 의해 테스트(크로스 컷 테이프 박리시험, 내약품성 시험) 과정에서 적층막의 박리가 발생하는 문제점이 보고되고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 적층막의 박리를 방지할 수 있는 터치 스크린 패널의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 의한 터치 스크린 패널의 제조방법은, 기판 상에 터치 센싱을 위한 감지전극들을 형성하는 단계; 상기 감지전극들 상에 상기 감지전극들의 전기적 연결을 위한 금속패턴들을 형성하는 단계; 상기 금속패턴들 상에 실리콘 나이트라이드(SiNx) 및 실리콘 옥사이드(SiOx) 중 어느 하나를 포함하는 제1 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 보호막 상에 상기 실리콘 나이트라이드 및 상기 실리콘 옥사이드 중 다른 하나를 포함하는 제2 보호막을 형성하는 단계를 포함한다.
일부 실시예에서, 상기 금속패턴들은 몰리브덴(Mo), 몰리 옥사이드(MoOx), 몰리브덴 니오븀(MoNb), APC(Ag-Pd-Cu)합금, 니켈(Ni), 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금을 포함하는 적층구조를 가질 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 제1 및 제2 보호막을 형성하는 단계는 반응성 스퍼터링 방식으로 진행될 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 감지전극들을 형성하는 단계는, 기판 상에 투명 전도막을 형성하는 단계; 및 상기 투명 전도막을 패터닝하여 제1 방향을 따라 연결되도록 형성된 복수의 제1 감지전극들, 및 상기 제1 감지전극들의 사이에 배치되며 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연결되도록 형성된 복수의 제2 감지전극들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 제1 및 제2 감지전극들을 형성한 후, 상기 제1 및 제2 감지전극들이 교차하는 적어도 일부 영역 상에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 금속패턴들을 형성하는 단계는, 상기 절연막 상에 금속막을 형성하는 단계; 및 상기 금속막을 패터닝하여, 상기 제1 감지전극들을 제1 방향으로 연결하는 복수의 연결패턴들, 및 상기 제1 감지전극들 및 상기 제2 감지전극들을 외부의 구동회로와 연결하기 위한 외곽 배선들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 압축응력을 갖는 실리콘 나이트라이드(SiNx)와 인장응력을 갖는 실리콘 옥사이드(SiOx)의 이중 보호막을 구성하여 압축응력과 인장응력이 균형을 이루도록 함으로써, 적층막 사이의 부착력 및 밀착력을 향상시키고 박리를 방지할 수 있다.
도 1은 터치 스크린 패널의 일례를 개략적으로 도시한 평면도.
도 2는 도 1의 I-I' 선을 절취한 터치 스크린 패널의 단면도.
도 3은 도 2의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 절취한 터치 스크린 패널의 적층구조를 개략적으로 도시한 단면도.
도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조방법을 순차적으로 도시한 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 터치 스크린 패널의 일례를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 터치 스크린 패널은 기판(11)과, 상기 기판(11) 상의 터치활성영역(TA)에 형성된 감지전극들(12)과, 상기 터치활성영역(TA) 외곽의 터치비활성영역(TN)에 형성되어 감지전극들(12)을 패드부(20)를 통해 외부의 구동회로와 연결하는 외곽 배선들(15b)을 포함한다.
감지전극들(12)은 투명기판(10) 상의 터치활성영역(TA)에 분산되어 배치되며 제1 방향을 따라 전기적으로 연결되도록 형성된 다수의 제1 감지전극들(12a)과, 상기 제1 감지전극들(12a)과 중첩되지 않도록 제1 감지전극들(12a)의 사이에 분산되어 배치되며 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 전기적으로 연결되도록 형성된 다수의 제2 감지전극들(12b)을 포함한다.
즉, 제1 감지전극들(12a)과 제2 감지전극들(12b)은 서로 교호적으로 배치되어 서로 다른 방향을 따라 연결된다. 예컨대, 제1 감지전극들(12a)은 행 방향(수평 방향)을 따라 연결되도록 형성되어 행 라인 단위로 각각의 외곽 배선(15)과 연결되고, 제2 감지전극들(12b)은 열 방향(수직 방향)을 따라 연결되도록 형성되어 열 라인 단위로 각각의 외곽 배선(15)과 연결될 수 있다.
이러한 제1 감지전극들(12a) 및 제2 감지전극들(12b)은, 하부에 배치되는 표시패널(미도시)로부터의 빛이 투과될 수 있도록 ITO와 같은 투명전극물질로 형성될 수 있다.
한편, 도 1에는 부호의 표기 없이 단순한 라인으로만 도시되었으나, 투명기판(10) 상의 터치활성영역(TA)에는, 제1 방향을 따라 다수 배열되어 제1 감지전극들(12a)을 제1 방향(예컨대, 행 방향)으로 연결하는 제1 연결패턴들, 또는 제2 방향을 따라 다수 배열되어 제2 감지전극들(12b)을 제2 방향(예컨대, 열 방향)으로 연결하는 제2 연결패턴들이 더 형성될 수 있다. 이러한 연결패턴들의 실시예 및 이에 대한 보다 상세한 설명은 후술하기로 한다.
외곽 배선들(15b)은 제1 감지전극들(12a) 및 제2 감지전극들(12b)을 각각 제1 방향 및 제2 방향을 따른 라인 단위로 외부의 구동회로와 연결하기 위한 것으로, 예컨대 각각 행 라인 단위 및 열 라인 단위의 제1 및 제2 감지전극들(12a, 12b)과 전기적으로 연결되어, 이들을 패드부(20)를 통해 위치검출회로와 같은 외부의 구동회로(미도시)와 연결한다.
이러한 외곽 배선들(15b)은 영상이 표시되는 터치활성영역(TA)을 피해 터치 스크린 패널 외곽의 터치비활성영역(TN)에 배치되는 것으로, 재료 선택의 폭이 넓어 감지전극들(12)의 형성에 이용되는 투명전극물질 외에도 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 저저항 금속물질로 형성될 수 있다.
전술한 바와 같은 터치 스크린 패널은 정전용량 방식의 터치 스크린 패널로, 사람의 손 또는 스타일러스 펜 등과 같은 접촉물체가 접촉되면, 감지전극들(12)로부터 외곽 배선들(15b) 및 패드부(20)를 경유하여 구동회로(미도시) 측으로 접촉위치에 따른 정전용량의 변화가 전달된다. 그러면, X 및 Y 입력처리회로(미도시) 등에 의해 정전용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉위치가 파악된다.
도 2는 도 1의 I-I' 선을 절취한 터치 스크린 패널의 단면도이고, 도 3은 도 2의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 절취한 터치 스크린 패널의 적층구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 터치 스크린 패널(10)은 기판(11), 감지전극들(12), 절연막(13), 금속패턴들(15), 제1 보호막(17) 및 제2 보호막(18)이 차례로 적층되는 구조를 갖는다.
본 발명의 적층 구조는 각각의 층이 원하는 형상으로 패터닝되어 있어도 된다. 즉, 감지전극들(12), 절연막(13) 및 금속패턴들(15)은 각각이 필요한 형상으로 패터닝되고, 각각 형성된 패턴의 적어도 일부가 겹쳐지면, 본 발명의 적층 구조가 형성된다. 따라서, 상기 패터닝에 의해 일부 영역들은 감지전극들(12), 절연막(13) 및 금속패턴들(15)은 제거될 수 있다.
기판(11)은 투명한 절연성 물질로 형성될 수 있다.
기판(11)은 디스플레이 패널(미도시)의 상부기판으로 설정되어, 디스플레이 패널과 일체화되어 형성될 수 있다.
감지전극들(12)은 터치 센싱을 위한 전극 패턴들로서 기판(11) 상에 형성되며, 하부에 배치되는 디스플레이 패널(미도시)로부터의 빛이 투과될 수 있도록 ITO와 같은 투명전극물질로 형성된다.
구체적으로, 감지전극들(12)은 제1 방향을 따라 연결되도록 형성된 복수의 제1 감지전극들(12a), 및 제1 감지전극들(12a)의 사이에 배치되며 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연결되도록 형성된 복수의 제2 감지전극들(12b)을 포함한다.
제1 및 제2 감지전극들(12a, 12b)은 터치활성영역(TA)에 분산되되 서로 교번적으로 배치되어 서로 다른 방향을 따라 연결된다.
상기 터치활성영역(TA)은 터치 스크린 패널(10)의 하부에 배치되는 디스플레이 패널(미도시)의 영상 표시영역과 중첩되어 외부에서 시인되며, 터치활성영역(TA)의 외곽에 형성되는 터치비활성영역(TN)은 비표시영역와 중첩되고 상기 비표시영역을 커버하는 프레임 또는 광을 차단하는 차광층에 의해 외부에서 시인되지 않는다.
절연막(13)은 감지전극들(12)과 금속패턴들(15) 사이에서 절연성 확보가 요구되는 영역에 부분적으로 형성될 수 있다.
금속패턴들(15)은 제1 감지전극들(12a)을 제1 방향으로 연결하는 복수의 연결패턴들(15a), 및 제1 감지전극들(12a) 및 제2 감지전극들(12b)을 외부의 구동회로와 연결하기 위한 외곽 배선들(15b)을 포함한다.
연결패턴들(15a)은 절연막(13)을 사이에 두고 제2 감지전극들(12b)과 절연되면서 이웃하는 제1 감지전극들(12a)을 전기적으로 연결한다.
외곽 배선들(15b)은 터치비활성영역(TN)에 형성되며, 제1 감지전극들(11a) 및 제2 감지전극들(11b)을 각각 제1 방향 및 제2 방향을 따른 라인 단위로 외부의 구동회로와 연결한다.
금속패턴들(15)은 감지전극들(12) 상에 형성되고, 몰리브덴(Mo), 몰리 옥사이드(MoOx), 몰리브덴 니오븀(MoNb), APC(Ag-Pd-Cu)합금, 니켈(Ni), 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금을 포함하는 적층구조를 갖는다.
본 실시예에서 금속패턴들(15)은 몰리브덴 및 몰리브덴 합금의 3중막 구조를 예시하고 있으나, 금속패턴들(15)의 재질 및 두께는 필요에 따라 선택적으로 변경될 수 있다.
제1 보호막(17)은 금속패턴들(15) 상에 형성되고, 실리콘 나이트라이드(SiNx) 및 실리콘 옥사이드(SiOx) 중 어느 하나를 포함한다.
제2 보호막(18)은 제1 보호막(17) 상에 형성되고, 실리콘 나이트라이드 및 상기 실리콘 옥사이드 중 다른 하나를 포함한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 압축응력을 갖는 실리콘 나이트라이드(SiNx)와 인장응력을 갖는 실리콘 옥사이드(SiOx)의 이중 보호막을 구성하여 압축응력과 인장응력이 균형을 이루도록 함으로써, 적층막 사이의 부착력 및 밀착력을 향상시키고 박리를 방지할 수 있다.
구체적으로, 적층막의 내부 응력은 인장응력과 압축응력으로 나누어진다. 여기서, 인장응력이란 성막면이 오목하게 되는 경우에 박막에 발생하는 응력이며, 압축응력이란 성막면이 볼록하게 되는 경우에 박막에 발생하는 응력이다.
감지전극들(12)은 통상 압축응력을 받고, 금속패턴들(15), 특히 몰리브덴 금속 박막은 인장응력을 받고, 보호막(17, 18)으로 이용되는 실리콘 나이트라이드는 인장응력을 받고, 실리콘 옥사이드는 압축응력을 받는다.
본 발명의 터치 스크린 패널(10)은 일반적으로 단일 재질의 단층으로 형성되는 보호막을 서로 다른 재질의 이중 레이어로 구성함으로써, 상기 서로 다른 응력의 크기가 전체적으로 균형을 이루도록 한다.
도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조방법을 순차적으로 도시한 단면도이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 기판(11) 상에 투명 전도막(12L)을 형성하고, 성막된 투명 전도막(12L)을 패터닝하여 감지전극들(12)을 형성한다.
감지전극들(12)을 패터닝하는 공정은 포토리소그래피(Photolithography) 방식으로 진행될 수 있다.
예컨대, 투명 전도막(12L) 상에 포토 레지스트 패턴(미도시)을 형성하고, 포토 레지스트 패턴을 마스크로 식각 공정을 수행하여 제1 및 제2 감지전극들(12a, 12b)을 형성한다.
식각 공정까지 완료 후, 잔존하는 포토 레지스트 패턴을 제거하는 스트립 공정을 더 진행될 수 있다.
도 4c 및 도 4d를 참조하면, 제1 및 제2 감지전극들(12a, 12b)의 적어도 일부 영역 상에 절연막(13)을 형성한다.
절연막(13)은 연결패턴(15a)과 제2 감지전극들(12b) 사이를 전기적으로 절연시키는 기능을 하며, 연결패턴(15a)과 제2 감지전극들(12b)이 중첩되는 영역에만 형성되도록 패터닝될 수 있다.
본 실시예에서, 절연막(13)은 제1 및 제2 감지전극들(12a, 12b)의 사이에 형성됨을 예시하고 있으나, 제1 및 제2 감지전극들(12a, 12b)을 전면적으로 커버하도록 형성될 수도 있다.
도 4e 및 도 4f를 참조하면, 저저항 금속물질로 구성된 금속막(15L)을 성막하고, 금속막(15L)을 패터닝하여 금속패턴들(15)을 형성한다.
금속막(15L)을 성막하는 단계는 스퍼터 증착 방식으로 진행할 수 있다.
스퍼터링(Sputtering)은 진공 증착법의 일종으로 비교적 낮은 진공도에서 플라즈마를 발생시켜 이온화한 아르곤 등의 가스를 가속하여 타켓에 충돌시켜 목적의 원자를 분출, 그 근방에 있는 베이스 기판상에 막을 만드는 방법을 말한다.
다음으로, 금속막(15L)을 패터닝하여 연결패턴들(15a) 및 외곽 배선들(15b)을 형성한다. 금속막(15L)의 패터닝 공정은 상기 투명 전도막(12L)의 패터닝 공정과 같이, 포토리소그래피 방식으로 진행될 수 있으며, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 4g 및 도 4h를 참조하면, 실리콘 나이트라이드 및 실리콘 옥사이드 중 어느 하나를 포함하는 제1 보호막(17)을 형성하고, 제1 보호막(17) 상에 실리콘 나이트라이드 및 실리콘 옥사이드 중 다른 하나를 포함하는 제2 보호막(18)을 형성한다.
즉, 제1 및 제2 보호막(17, 18)은 서로 다른 재질을 사용함으로써 이종 레이어(layer)를 형성한다.
예를 들어, 상기 제1 보호막(17)이 실리콘 옥사이드(SiOx)면 제2 보호막(18)은 실리콘 나이트라이드(SiNx)이고, 제1 보호막(17)이 실리콘 나이트라이드(SiNx)면 제2 보호막(18)은 실리콘 옥사이드(SiOx)이다. 본 실시예에서는 제1 보호막(17)이 실리콘 나이트라이드(SiNx)이고, 제2 보호막(18)은 실리콘 옥사이드(SiOx)인 것으로 한다. 선택적으로, 상기 실리콘 나이트라이드(SiNx)는 실리콘 옥시나이트라이드(SiON)로 대체될 수 있다.
제1 및 제2 보호막(17, 18)을 형성하는 단계는 반응성 스퍼터링 방식으로 진행될 수 있으며, 실리콘 나이트라이드는 아르곤 및 질소의 혼합가스를 사용하고 실리콘 옥사이드는 아르곤 및 산소의 혼합가스를 사용하여 증착될 수 있다.
최종적으로, 제1 및 제2 보호막(17, 18)은 필요에 따라 패터닝 단계를 거칠 수 있다.
본 실시예에서는 금속막(15L)과 제1 및 제2 보호막(17, 18)을 스퍼터링 방식으로 형성하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 다양한 방법들을 이용하여 형성될 수도 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
10: 터치 스크린 패널
11: 기판 12L: 투명 전도막
12, 12a, 12b: 감지전극들 13: 절연막
15: 금속패턴들 15a: 연결패턴들
15b: 외곽 배선들 17: 제1 보호막
18: 제2 보호막

Claims (6)

  1. 기판 상에 터치 센싱을 위한 감지전극들을 형성하는 단계;
    상기 감지전극들 상에 상기 감지전극들의 전기적 연결을 위한 금속패턴들을 형성하는 단계;
    상기 금속패턴들 상에 실리콘 나이트라이드(SiNx) 및 실리콘 옥사이드(SiOx) 중 어느 하나를 포함하는 제1 보호막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 보호막 상에 상기 실리콘 나이트라이드 및 상기 실리콘 옥사이드 중 다른 하나를 포함하는 제2 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속패턴들은 몰리브덴(Mo), 몰리 옥사이드(MoOx), 몰리브덴 니오븀(MoNb), APC(Ag-Pd-Cu)합금, 니켈(Ni), 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금을 포함하는 적층구조를 갖는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 보호막을 형성하는 단계는 반응성 스퍼터링 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 감지전극들을 형성하는 단계는,
    기판 상에 투명 전도막을 형성하는 단계; 및
    상기 투명 전도막을 패터닝하여 제1 방향을 따라 연결되도록 형성된 복수의 제1 감지전극들, 및 상기 제1 감지전극들의 사이에 배치되며 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연결되도록 형성된 복수의 제2 감지전극들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 감지전극들을 형성한 후, 상기 제1 및 제2 감지전극들이 교차하는 적어도 일부 영역 상에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 금속패턴들을 형성하는 단계는,
    상기 절연막 상에 금속막을 형성하는 단계; 및
    상기 금속막을 패터닝하여, 상기 제1 감지전극들을 제1 방향으로 연결하는 복수의 연결패턴들, 및 상기 제1 감지전극들 및 상기 제2 감지전극들을 외부의 구동회로와 연결하기 위한 외곽 배선들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
KR20120121443A 2012-10-30 2012-10-30 터치 스크린 패널의 제조방법 KR20140055097A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20120121443A KR20140055097A (ko) 2012-10-30 2012-10-30 터치 스크린 패널의 제조방법
US13/788,434 US9152281B2 (en) 2012-10-30 2013-03-07 Manufacturing method for touch screen panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20120121443A KR20140055097A (ko) 2012-10-30 2012-10-30 터치 스크린 패널의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140055097A true KR20140055097A (ko) 2014-05-09

Family

ID=50545580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20120121443A KR20140055097A (ko) 2012-10-30 2012-10-30 터치 스크린 패널의 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9152281B2 (ko)
KR (1) KR20140055097A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016024760A1 (ko) * 2014-08-14 2016-02-18 엘지이노텍 주식회사 터치윈도우

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103530010A (zh) * 2013-09-27 2014-01-22 深圳市华星光电技术有限公司 一种互电容式的触摸屏
CN104915046B (zh) * 2014-03-14 2018-12-25 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板
CN104699336B (zh) * 2014-12-31 2018-07-24 业成光电（深圳）有限公司 触控模组及其桥接结构的制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009159600A (ja) * 2007-12-03 2009-07-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 携帯電話
JP2009237578A (ja) * 1999-07-06 2009-10-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置及び電子機器
WO2011155351A1 (ja) * 2010-06-11 2011-12-15 シャープ株式会社 表示装置一体型タッチパネルおよびその製造方法
KR20120017165A (ko) * 2010-08-18 2012-02-28 엘지디스플레이 주식회사 정전용량 방식 터치 스크린 패널 및 그 제조방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101375204A (zh) 2006-01-25 2009-02-25 出光兴产株式会社 层叠结构及使用其的电路用电极
KR100823712B1 (ko) 2006-07-21 2008-04-21 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
CN100521253C (zh) * 2007-03-28 2009-07-29 友达光电股份有限公司 光感测元件及其制造方法及使用该光感测元件的显示面板
US8184256B2 (en) * 2007-12-28 2012-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing the same
KR101591334B1 (ko) 2009-11-03 2016-02-04 엘지디스플레이 주식회사 터치패널 타입 유기전계발광소자
KR20120050169A (ko) 2010-11-10 2012-05-18 삼성전기주식회사 터치패널 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009237578A (ja) * 1999-07-06 2009-10-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置及び電子機器
JP2009159600A (ja) * 2007-12-03 2009-07-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 携帯電話
WO2011155351A1 (ja) * 2010-06-11 2011-12-15 シャープ株式会社 表示装置一体型タッチパネルおよびその製造方法
KR20120017165A (ko) * 2010-08-18 2012-02-28 엘지디스플레이 주식회사 정전용량 방식 터치 스크린 패널 및 그 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016024760A1 (ko) * 2014-08-14 2016-02-18 엘지이노텍 주식회사 터치윈도우
US10372279B2 (en) 2014-08-14 2019-08-06 Lg Innotek Co., Ltd. Touch window

Also Published As

Publication number Publication date
US20140115878A1 (en) 2014-05-01
US9152281B2 (en) 2015-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9626052B2 (en) Touch panel
US9454267B2 (en) Touch sensing circuit and method for making the same
KR101669538B1 (ko) 터치스크린패널 및 그 제조방법
TWI482211B (zh) 觸控裝置及其製造方法
WO2011013279A1 (ja) 電極基板、電極基板の製造方法、および画像表示装置
WO2013118883A1 (ja) タッチパネル基板
US20100053114A1 (en) Touch panel apparatus and method for manufacturing the same
JP6745703B2 (ja) タッチスクリーン、タッチパネル、表示装置および電子機器
KR102116483B1 (ko) 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
KR20120062253A (ko) 터치 스크린 패널
JP2016503548A (ja) 銀含有透明伝導層を含む投影型静電容量タッチパネル
WO2012061975A1 (en) Touch panel device
KR20120028077A (ko) 터치 스크린 패널 및 이를 구비한 표시 장치
KR101048918B1 (ko) 터치 스크린 패널 및 이를 구비한 영상표시장치
KR20120132606A (ko) 터치 패널의 전극 구조, 그 방법 및 터치 패널
KR20100084250A (ko) 터치 스크린 패널
KR20110094988A (ko) 터치 스크린 패널 및 그 제작방법
TW201516815A (zh) 電容式觸控面板及其製作方法
US9058083B2 (en) Touch sensing structure and method for making the same
KR101721259B1 (ko) 정전용량 방식 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
KR101056264B1 (ko) 터치 스크린 패널
KR20140055097A (ko) 터치 스크린 패널의 제조방법
KR101040851B1 (ko) 터치 스크린 패널
TWI567609B (zh) 觸控面板
JP5729725B2 (ja) タッチパネル用ガラス基板とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment