KR20140040347A - 태양 전지 및 이의 제조 방법 - Google Patents

태양 전지 및 이의 제조 방법 Download PDF

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박현정
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엘지전자 주식회사
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Abstract

본 실시예에 따른 태양 전지는, 광전 변환부; 상기 광전 변환부에 연결되는 전극; 상기 전극 위에 형성되며 상기 전극과 전기적으로 연결되는 리본; 및 상기 전극과 리본을 감싸면서 형성되는 도금층을 포함한다.

Description

태양 전지 및 이의 제조 방법{SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 태양 전지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 전기적 연결 구조를 개선한 태양 전지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다.
이러한 태양 전지는 설계에 따라 다양한 층, 전극 등을 형성되고, 리본에 의하여 이웃한 태양 전지들이 서로 전기적으로 연결된다. 이때, 전극과 리본의 연결 특성이 좋지 않으면, 저항이 높아져 전기적 특성이 저하될 수 있으며, 심할 경우 셀이 파손(breakage) 될 수도 있다. 이에 따라 태양 전지의 특성이 저하되고 생산성이 저하될 수 있다.
본 발명은 우수한 특성 및 생산성을 가지는 태양 전지 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 실시예에 따른 태양 전지는, 광전 변환부; 상기 광전 변환부에 연결되는 전극; 상기 전극 위에 형성되며 상기 전극과 전기적으로 연결되는 리본; 및 상기 전극과 리본을 감싸면서 형성되는 도금층을 포함한다.
본 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 광전 변환부를 준비하는 단계; 상기 광전 변환부에 전극을 형성하는 단계; 상기 전극 위에 상기 전극과 전기적으로 연결되는 리본을 부착하는 단계; 및 상기 전극과 리본을 감싸도록 도금에 의하여 도금층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 실시예에 따르면 제1 전극과 리본을 모두 감싸는 도금층을 형성하여, 제1 전극과 리본의 접촉 균일성을 개선하여 태양 전지의 충밀도 및 효율을 향상하고 셀 파손을 방지할 수 있다. 그리고 도금층에 의한 반사에 의하여 태양 전지의 광 사용량을 늘려 효율을 좀더 향상할 수 있다. 또한, 도금층이 전기적 특성을 향상하므로 리본이 비싼 금속 대신 저렴한 금속으로 이루어질 수 있어, 제조 비용을 더욱 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 태양 전지 모듈을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 태양 전지 모듈의 태양 전지를 도시한 부분 단면도이다.
도 4는 도 1의 태양 전지 모듈의 태양 전지의 전면을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 제1 전극과 리본을 종래의 태빙 공정으로 부착한 후에 리본을 벗겨낸 후의 사진이다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 7는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지의 제1 전극, 솔더링층, 리본 및 도금층을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지의 제1 전극, 리본 및 도금층을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 9은 도 8의 제1 전극을 도시한 부분 평면도이다.
도 10은 본 발명의 변형예에 따른 태양 전지의 제1 전극, 리본 및 도금층을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 변형예에 따른 태양 전지의 제1 전극, 리본 및 도금층을 확대하여 도시한 단면도이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다.
도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. 그리고 도면에서는 설명을 좀더 명확하게 하기 위하여 두께, 넓이 등을 확대 또는 축소하여 도시하였는바, 본 발명의 두께, 넓이 등은 도면에 도시된 바에 한정되지 않는다.
그리고 명세서 전체에서 어떠한 부분이 다른 부분을 "포함"한다고 할 때, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 부분을 배제하는 것이 아니며 다른 부분을 더 포함할 수 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 위치하는 경우도 포함한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 위치하지 않는 것을 의미한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 태양 전지 및 이의 제조 방법을 좀더 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 태양 전지 모듈을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도면을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈(100)은 태양 전지(150), 태양 전지(150)의 전면 상에 위치하는 전면 기판(110) 및 태양 전지(150)의 후면 상에 위치하는 후면 시트(200)을 포함할 수 있다. 또한, 태양 전지 모듈(100)은 태양 전지(150)와 전면 기판(110) 사이의 제1 밀봉재(131)와, 태양 전지(150)와 후면 시트(200) 사이의 제2 밀봉재(132)를 포함할 수 있다.
이때, 태양 전지(150)는 태양 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환부와, 광전 변환부에 전기적으로 연결되는 전극과, 전극에 연결되며 이웃한 태양 전지(150) 또는 외부와의 연결을 위한 리본(142)을 포함한다. 구체적인 광전 변환부 및 전극의 구조는 도 3을 참조하여 추후에 상세하게 설명한다. 태양 전지(150)는 리본(142)에 의하여 직렬, 병렬 또는 직병렬로 전기적 연결될 수 있다. 구체적으로, 도 2에 도시한 바와 같이, 리본(142)은 태양 전지(150)의 일면에 형성된 전극과, 이웃한 다른 태양 전지(150)의 타면 상에 형성된 전극을 연결할 수 있다. 그리고 본 실시예에서는 전극과 리본(142)을 감싸면서 도금층(도 3의 참조부호 40)을 형성하여 태양 전지(150)의 특성을 좀더 향상하는데, 이를 추후에 도 3을 참조하여 좀더 상세하게 설명한다.
그리고 버스 리본(145)은 리본(142)에 의하여 연결된 하나의 열(列)의 태양 전지(150)의 리본(142)의 양끝단을 교대로 연결한다. 버스 리본(145)은 하나의 열을 이루는 태양 전지(150)의 단부에서 이와 교차하는 방향으로 배치될 수 있다. 이러한 버스 리본(145)은 태양 전지(150)가 생산한 전기를 모으며 전기가 역류되는 것을 방지하는 정션 박스(미도시)와 연결된다.
제1 밀봉재(131)는 태양 전지(150)의 전면(前面)에 위치하고, 제2 밀봉재(132)는 태양 전지(150)의 후면에 위치할 수 있다. 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)는 라미네이션에 의해 접착하여, 태양 전지(150)에 악영향을 미칠 수 있는 수분이나 산소를 차단하며, 태양 전지(150)의 각 요소들이 화학적으로 결합할 수 있도록 한다.
이러한 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)는 에틸렌초산비닐 공중합체 수지(EVA), 폴리비닐부티랄, 규소 수지, 에스테르계 수지, 올레핀계 수지 등이 사용될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 및 제2 밀봉재(131, 132)는 그 외 다양한 물질을 이용하여 라미네이션 이외의 다른 방법에 의하여 형성될 수 있다.
전면 기판(110)은 태양광을 투과하도록 제1 밀봉재(131) 상에 위치하며, 외부의 충격 등으로부터 태양 전지(150)를 보호하기 위해 강화유리인 것이 바람직하다. 또한, 태양광의 반사를 방지하고 태양광의 투과율을 높이기 위해 철분이 적게 들어간 저철분 강화유리인 것이 더욱 바람직하다.
후면 시트(200)은 태양 전지(150)의 이면에서 태양 전지(150)를 보호하는 층으로서, 방수, 절연 및 자외선 차단 기능을 한다. 후면 시트(200)은 TPT(Tedlar/PET/Tedlar) 타입일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 후면 시트(200)는 전면 기판(110) 측으로부터 입사된 태양광을 반사하여 재이용될 수 있도록 반사율이 우수한 재질일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 후면 시트(200)가 태양광이 입사될 수 있는 투명 재질로 형성되어 양면 태양 전지 모듈(100)을 구현할 수도 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지(150)를 좀더 상세하게 설명한다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지(150)를 도시한 부분 단면도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지(150)의 전면을 개략적으로 도시한 평면도이다. 참고로, 도 3은 도 4의 III-III 선을 따라 잘라서 본 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(150)는, 도전형을 가지는 기판(이하 "반도체 기판")(10)과, 반도체 기판(10)에 형성되는 불순물층(20, 30)과, 불순물층(20, 30)에 전기적으로 연결되는 전극(24, 34)을 포함할 수 있다. 불순물층(20, 30)은 에미터층(20)과 후면 전계층(30)을 포함할 수 있고, 전극(24, 34)은 에미터층(20)에 전기적으로 연결되는 제1 전극(24)과 후면 전계층(30)에 전기적으로 연결되는 제2 전극(34)을 포함할 수 있다. 그리고 전극(24, 34) 상에 리본(142)이 위치하고, 전극(24, 34)과 리본(142)을 감싸면서 이들을 고정하는 도금층(40)이 형성된다. 이와 함께 태양 전지(150)는 절연막인 반사 방지막(22), 패시베이션 막(32) 등을 더 포함할 수 있다.
이때, 반도체 기판(10)과 불순물층(20, 30)은 광을 전기로 변환하는 광전 변환부를 구성하게 된다. 즉 본 실시예에서는 반도체 기판(10)과 불순물층(20, 30)을 이용하여 실리콘 반도체 태양 전지에서의 광전변환 구조가 적용된 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 화합물 반도체를 이용하거나, 염료 감응 물질을 이용하는 등 다양한 구조가 광전 변환부로 사용될 수 있다. 이는 추후에 설명될 실시예들에서도 마찬가지이다.
여기서, 반도체 기판(10)은 다양한 반도체 물질을 포함할 수 있는데, 일례로 제2 도전형 불순물을 포함하는 실리콘을 포함할 수 있다. 실리콘으로는 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘이 사용될 수 있으며, 제2 도전형 불순물은 일례로 n형일 수 있다. 즉, 반도체 기판(10)은 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등의 5족 원소가 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다.
이와 같이 n형의 불순물을 가지는 반도체 기판(10)을 사용하면, 반도체 기판(10)의 전면에 p형의 불순물을 가지는 에미터층(20)이 형성되어 pn 접합(junction)을 이루게 된다. 이러한 pn 접합에 광이 조사되면 광전 효과에 의해 생성된 전자가 반도체 기판(10)의 후면 쪽으로 이동하여 제2 전극(34)에 의하여 수집되고, 정공이 반도체 기판(10)의 전면 쪽으로 이동하여 제1 전극(24)에 의하여 수집된다. 이에 의하여 전기 에너지가 발생한다. 그러면, 전자보다 이동 속도가 느린 정공이 반도체 기판(10)의 후면이 아닌 전면으로 이동하여 변환 효율이 향상될 수 있다.
그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 반도체 기판(10) 및 후면 전계층(30)이 p형을 가지고 에미터층(20)이 n형을 가지는 것도 가능함은 물론이다.
도면에 도시하지는 않았지만, 반도체 기판(10)의 전면 및/또는 후면은 텍스쳐링(texturing)되어 피라미드 등의 형태의 요철을 가질 수 있다. 이와 같은 텍스쳐링에 의해 반도체 기판(10)의 전면 등에 요철이 형성되어 표면 거칠기가 증가되면, 반도체 기판(10)의 전면 등을 통하여 입사되는 광의 반사율을 낮출 수 있다. 따라서 반도체 기판(10)과 에미터층(20)의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달하는 광량을 증가시킬 수 있어, 광 손실을 최소화할 수 있다.
반도체 기판(10)의 전면 쪽에는 제1 도전형 불순물을 가지는 에미터층(20)이 형성될 수 있다. 본 실시예에서 에미터층(20)은 제1 도전형 불순물로 3족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등의 p형 불순물을 사용할 수 있다.
반도체 기판(10) 위에, 좀더 정확하게는 반도체 기판(10)에 형성된 에미터층(20) 위에 반사 방지막(22) 및 제1 전극(24)이 형성된다.
반사 방지막(22)은 제1 전극(24)이 형성된 부분을 제외하고 실질적으로 반도체 기판(10)의 전면 전체에 형성될 수 있다. 반사 방지막(22)은 반도체 기판(10)의 전면으로 입사되는 광의 반사율을 감소시키고, 에미터층(20)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다.
반도체 기판(10)의 전면을 통해 입사되는 광의 반사율을 낮추는 것에 의하여 반도체 기판(10)과 에미터층(20)의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달되는 광량을 증가시킬 수 있다. 이에 따라 태양 전지(150)의 단락 전류(Isc)를 증가시킬 수 있다. 그리고 에미터층(20)에 존재하는 결함을 부동화하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다. 이와 같이 반사 방지막(22)에 의해 태양 전지(150)의 개방 전압과 단락 전류를 증가시켜 태양 전지(150)의 효율을 향상할 수 있다.
방사 방지막(22)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 반사 방지막(22)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 반사 방지막(22)이 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. 그리고 반도체 기판(10)과 반사 방지막(22) 사이에 패시베이션을 위한 전면 패시베이션 막(도시하지 않음)을 더 구비할 수도 있다. 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
제1 전극(24)은 반사 방지막(22)에 형성된 개구부를 통하여, 또는 반사 방지막(22)을 관통하여 에미터층(20)에 전기적으로 연결된다. 이러한 제1 전극(24)은 다양한 물질에 의하여 다양한 형상을 가지도록 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 일례로, 제1 전극(24)은 제1 피치(P1)를 가지면서 서로 평행하게 배치되는 복수의 핑거 전극(24a)을 포함할 수 있다. 이와 함께 제1 전극(24)은 핑거 전극들(24a)과 교차하는 방향으로 형성되어 핑거 전극(24a)을 연결하는 버스바 전극(24b)을 포함할 수 있다. 이러한 버스 전극(24b)은 하나만 구비될 수도 있고, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 피치(P1)보다 더 큰 제2 피치(P2)를 가지면서 복수 개로 구비될 수도 있다. 이때, 핑거 전극(24a)의 폭(W1)보다 버스바 전극(24b)의 폭(W2)이 클 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 동일한 폭을 가질 수 있다. 상술한 제1 전극(24)의 형상은 일례로 제시한 것에 불과하며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
단면 상으로 볼 때, 핑거 전극(24a) 및 버스바 전극(24b)이 모두 반사 방지막(22)(제2 전극(34)일 경우에는 패시베이션 막(32), 이하 동일)을 관통하여 형성될 수도 있다. 또는, 핑거 전극(24a)이 반사 방지막(22)을 관통하고 버스바 전극(24b)은 반사 방지막(22) 상에서 형성될 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 반도체 기판(10)의 후면 쪽에는 반도체 기판(10)보다 높은 도핑 농도로 제2 도전형 불순물을 포함하는 후면 전계층(30)이 형성된다. 본 실시예에서 후면 전계층(30)은 제2 도전형 불순물로 5족 원소인 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등의 n형 불순물을 사용할 수 있다.
이와 함께 반도체 기판(10)의 후면에는 패시베이션 막(32)과 제2 전극(34)이 형성될 수 있다.
패시베이션 막(32)은 제2 전극(34)이 형성된 부분을 제외하고 실질적으로 반도체 기판(10)의 후면 전체에 형성될 수 있다. 이러한 패시베이션 막(32)은 반도체 기판(10)의 후면에 존재하는 결함을 부동화하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거할 수 있다. 이에 의하여 태양 전지(150)의 개방 전압을 증가시킬 수 있다.
이러한 패시베이션 막(32)은 광이 투과될 수 있도록 투명한 절연 물질로 이루어질 수 있다. 따라서, 이러한 패시베이션 막(32)을 통하여 반도체 기판(10)의 후면을 통해서도 광이 입사될 수 있도록 하여 태양 전지(150)의 효율을 향상할 수 있다. 일례로, 패시베이션 막(32)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 패시베이션 막(32)이 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다.
제2 전극(34)은 패시베이션 막(32)에 형성된 개구부를 통하여(즉, 패시베이션 막(32)을 관통하여) 후면 전계층(30)에 전기적으로 연결된다. 이러한 제2 전극(34)은 다양한 물질에 의하여 다양한 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 일례로, 제2 전극(34)은 제1 전극(24)과 그 폭, 피치 등이 달라질 수 있지만 그 형태는 유사할 수 있다. 이에 따라 도 4와 관련한 제1 전극(32)에 대한 설명은 제2 전극(34)에도 적용될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
전극(24, 34) 위에는 전극(24, 34)과 전기적으로 연결되어 이웃한 태양 전지(145)를 연결하는 리본(142)이 위치할 수 있다. 그리고 전극(24, 34)과 리본(142)을 둘러싸도록 도금층(40)이 형성될 수 있다. 간략하고 명확한 설명을 위하여 이하에서는 제1 전극(24)과 리본(142)를 기본으로 하여 상세하게 설명한다. 이하의 설명은 제2 전극(34)과 이에 연결되는 리본(142)에도 적용될 수 있음은 물론이다.
제1 전극(24)은 다양한 물질을 사용하여 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있다. 일례로, 제1 전극(24)은 금속, 바인더, 유리 프릿 등을 포함하는 페이스트를 반사 방지막(22)(제2 전극(34)의 경우에는 패시베이션 막(32), 이하 동일) 위에 형성한 다음 열처리하여 형성될 수 있다. 열처리할 때 유리 프릿 등이 반사 방지막(22)을 관통하는 파이어 스루(fire-throug) 현상이 일어나서, 제1 전극(24)이 에미터층(20)(제2 전극(34)의 경우에는 후면 전계층(30), 이하 동일)에 전기적으로 연결되어(일례로, 접촉한 상태로) 형성될 수 있다. 일례로, 전기적 특성이 우수하고 반사에 의하여 광 손실을 저감할 수 있는 은(Ag)을 포함하는 페이스트를 사용하여 제1 전극(24)을 형성할 수 있다.
리본(142)은 하나의 태양 전지(150)의 제1 전극(24)와 이에 이웃한 다른 태양 전지(150)의 제2 전극(34)을 연결하여, 이웃한 태양 전지(150)를 전기적으로 연 결한다. 이에 따라 리본(142)은 제1 전극(24)(또는 제2 전극(34), 이하 동일) 위에서 이들과 전기적으로 연결되도록 형성된다.
일례로, 리본(142)은 솔더링을 이용한 태빙(tabbing) 공정에 의하여 제1 전극(24)에 연결될 수 있다. 제1 전극(24)과의 전기적 연결이 우수한 특성을 가지기 위해서는 리본(142)이 우수한 솔더링 특성 및 전기 전도도를 가져야 한다. 일례로, 리본(142)이 본체 부분(142a)과 이를 감싸는 솔더링 부분(142b)를 포함하여 상술한 솔더링 특성 및 전기 전도도를 모두 향상할 수 있다.
이때, 본체 부분(142a)는 실질적으로 전류를 전달하는 부분으로서 전기 전도도가 높고 비용이 저렴한 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 일례로, 제1 부분(142a)은 구리(Cu), 은(Ag) 등을 포함할 수 있다. 이때, 재료 부담을 줄이면서도 높은 전기적 특성을 가질 수 있도록 구리와 은을 함께 포함할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 실시예에서는 도금층(40)에 의하여 전기 전도도 등의 특성을 충분히 향상할 수 있으므로 제1 부분(142a)이 은을 포함하지 않고 구리만을 포함하는 것도 가능하다. 이에 대해서는 추후에 좀더 상세하게 설명한다.
그리고 솔더링 부분(142b)은 솔더링에 관여하는 물질을 포함할 수 있는데, 일례로, 주석(Su), 납(Pb) 등을 포함할 수 있다. 이때, 솔더링 특성을 향상할 수 있또록 주석과 납을 함께 포함할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 환경 오염 등을 고려하여 솔더링 부분(142b)이 주석만을 포함하는 것도 가능하다.
그러나 본 발명이 상술한 설명에 한정되는 것은 아니며 리본(142)이 솔더링 부분(142b)을 포함하지 않는 것도 가능하다. 이에 대해서는 도 7을 참조하여 추후에 설명한다.
솔더링 시에는 리본(142)과 제1 전극(24) 사이에 플럭스(flux)를 도포하여 솔더링 특성을 향상할 수 있다. 플럭스는 솔더링을 방해하는 산화막을 제거하기 위한 것으로, 반드시 포함되어야 하는 것은 아니다.
상술한 실시예에서는 리본(142)과 제1 전극(24)이 솔더링을 이용한 태빙 공정에 의하여 접합된 것을 예시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 전극(24)과 리본(142) 사이에 전도성 필름(미도시)을 위치시킨 다음, 열 압착에 의해 제1 전극(24)과 리본(142)을 연결할 수도 있다. 전도성 필름(미도시)은 도전성이 우수한 금, 은, 니켈, 구리 등으로 형성된 도전성 입자가 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지 등으로 형성된 필름 내에 분산된 것일 수 있다. 이러한 전도성 필름을 열을 가하면서 압착하면 도전성 입자가 필름의 외부로 노출되고, 노출된 도전성 입자에 의해 제1 전극(24)과 리본(142)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 같이 전도성 필름(미도시)에 의해 복수의 태양 전지(150)를 연결하여 모듈화하는 경우는, 공정 온도를 저하시킬 수 있어 태양 전지(150)의 휘어짐을 방지할 수 있다.
그리고 제1 전극(24)과 리본(142)를 감싸면서 도금층(40)이 형성될 수 있다. 좀더 구체적으로, 도금층(40)은 제1 전극(24)과 리본(142)의 표면(좀더 구체적으로는, 리본(142)의 상면 및 측면, 제1 전극(24)의 측면)에 형성되는 동시에 제1 전극(24)과 리본(142) 사이를 채우면서 형성된다. 이에 따라 제1 전극(24)과 리본(142)의 접착 특성을 개선하고 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라 셀의 파손(cell breakage)를 방지하고 전기적 특성을 향상할 수 있다.
이때, 도금층(40)이 제1 전극(24) 또는 리본(142)보다 낮은 저항 특성을 가지는 물질로 이루어져서 전기적 특성을 향상할 수 있다. 그리고 도금층(40)이 제1 전극(24) 또는 리본(142)보다 높은 반사율을 가지는 물질을 사용하여 제1 전극(24)에서 광의 반사가 잘 일어나도록 할 수 있다. 제1 전극(24)에서 반사된 광은 전면 기판(도 1의 참조부호 110, 이하 동일)에서 전반사되어 태양 전지(150)로 향하도록 할 수 있다. 그러면, 태양 전지(150)의 광 사용량이 증가하여 단락 전류(Isc)를 향상할 수 있어, 태양 전지(150)의 효율을 향상할 수 있다.
일례로, 도금층(40)은 일례로 은(Ag)을 포함하는 은 도금층일 수 있다. 그러면, 은의 우수한 전기적 특성 및 반사율을 가져 제1 전극(24)과 리본(142)의 접촉 특성 및 전기적 특성을 향상하고 광을 반사하여 태양 전지(150)의 효율을 향상할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 도금층(40)이 다른 다양한 금속을 포함할 수 있다. 일례로, 도금층(40)이 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 합금을 포함하는 단일층 또는 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 도금층(40)은, 재료 원가가 낮은 구리를 도금한 제1 도금층과, 구리의 산화를 막으며 반사율이 우수한 은을 도금한 제2 도금층을 포함할 수 있다. 이와 도금층(40)은 다양한 물질, 다양한 적층 구조를 가질 수 있다.
도금층(40)은 0.01~3㎛의 두께를 가질 수 있다. 도금층(40)의 두께가 0.01㎛ 미만이면, 도금층(40)에 의한 특성 개선 효과를 기대하기 힘들 수 있다. 도금층(40)에 의한 특성 개선 효과는 일정 두께에서 포화되어 두께가 증가되어도 효과가 늘어나지 않을 수 있다. 이를 고려하여 도금층(40)은 3㎛ 이하의 두께로 형성하여 불필요한 재료 비용의 상승을 방지할 수 있다.
도금층(40)은 제1 전극(24)보다 밀도가 높을 수 있으며 제1 전극(24)보다 낮은 비저항을 가질 수 있다. 제1 전극(24)은 인쇄법 등에 의하여 형성되어 상대적으로 낮은 밀도 및 상대적으로 높은 저항을 가지는 반면, 도금층(40)은 도금에 의하여 형성되어 상대적으로 높은 밀도 및 상대적으로 낮은 저항을 가지기 때문이다. 일례로, 도금층(40) 및 제1 전극(24)이 모두 은으로 이루어진 경우, 은의 순수한 비저항을 1.00이라 할 때 도금층(40)의 비저항은 1.05~1.30 수준이며 제1 전극(24)의 비저항은 3.00~4.00 수준이다. 주사전자현미경(SEM) 또는 광학 현미경에 의한 모폴로지(morphology) 특성을 보면 도금층(40)이 도금에 의하여 형성되었는지 여부를 알 수 있다.
그러나 도금층(40)의 두께, 밀도, 저항 등은 태양 전지(150)의 크기, 제1 전극(24), 리본(142)의 물질 등에 의하여 달라질 수 있다. 따라서 도금층(40)의 두께, 밀도, 저항 등은 상술한 수치에 한정되는 것은 아니며 다양한 값을 가질 수 있다.
이와 같이 본 실시예에 따르면 제1 전극(24)과 리본(142)을 연결한 후에 이들을 모두 감싸는 도금층(40)을 형성하여, 제1 전극(24)과 리본(142)의 접촉 균일성을 개선하여 태양 전지(150)의 충밀도 및 효율을 향상하고 셀 파손을 방지할 수 있다. 그리고 도금층(40)에 의한 반사에 의하여 태양 전지(150)의 광 사용량을 늘려 효율을 좀더 향상할 수 있다. 또한, 도금층(40)이 전기적 특성을 향상하므로 리본(142)이 비싼 금속 대신 저렴한 금속으로 이루어질 수 있어, 제조 비용을 더욱 절감할 수 있다.
반면, 종래에는 제1 전극과 리본 사이를 솔더링으로만 연결하였다. 이에 따라 제1 전극과 리본의 전기적 연결 특성은 솔더링 공정에 큰 영향을 받게 되는데, 일반적으로 솔더링 공정은 전체적으로 균일하게 이루어지기 힘들다. 따라서, 솔더링이 충분히 일어나지 못한 부분에서는 제1 전극과 리본이 균일하게 연결되지 않아, 제1 전극과 리본의 전기적 연결 특성이 저하된다. 이에 따라 충밀도가 저하되고 효율이 저하되는 문제가 발생하였으며, 심할 경우 셀이 파손되는 문제가 발생할 수 있다.
일 예로, 제1 전극과 리본을 종래의 태빙 공정으로 부착한 후에 리본을 벗겨낸 후의 사진을 도 5에 나타내었다. 도 5를 참조하면, 솔더링에 의한 접촉이 불균일하게 형성된 것을 알 수 있다. 일례로, 이러한 경우에는 솔더링 이후에 충밀도가 4% 이상 저하되고 효율이 1.4% 이상 저하되었다. 즉, 종래에는 제1 전극과 리본 사이에서의 솔더링이 균일하게 일어나지 않아 전기적 특성 등이 저하될 수 있음을 알 수 있다.
이하, 도 6a 내지 도 6f를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 상세하게 설명한다. 이미 설명한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하고, 설명하지 않은 부분을 상세하게 설명한다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
먼저, 도 6a에 도시한 바와 같이, 제2 도전형 불순물을 가지는 반도체 기판(10)을 준비한다. 이때, 도면에 도시하지는 않았지만, 반도체 기판(10)의 전면 및/또는 후면은 텍스쳐링에 의하여 요철을 가질 수 있다. 텍스쳐링으로는 습식 또는 건식 텍스처링을 사용할 수 있다. 습식 텍스처링은 텍스처링 용액에 반도체 기판(10)을 침지하는 것에 의해 수행될 수 있으며, 공정 시간이 짧은 장점이 있다. 건식 텍스처링은 다이아몬드 그릴 또는 레이저 등을 이용하여 반도체 기판(10)의 표면을 깍는 것으로, 요철을 균일하게 형성할 수 있는 반면 공정 시간이 길고 반도체 기판(10)에 손상이 발생할 수 있다. 또는 반응성 이온 식각(RIE) 등에 의하여 반도체 기판(10)의 전면 및 후면 중 어느 하나에만 텍스쳐링을 형성할 수도 있다. 이와 같이 본 발명에서는 다양한 방법으로 반도체 기판(10)을 텍스쳐링 할 수 있다.
이어서, 도 6b에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(10)에 불순물층인 에미터층(20) 및 후면 전계층(30)을 형성한다. 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다. 에미터층(20) 및 후면 전계층(30)은 열 확산법, 이온 주입법 등의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 변형이 가능하다. 일례로, 후면 전계층(30)은 제2 전극(34)을 형성할 때 확산에 의하여 형성될 수 있다.
이어서, 도 6c에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(10)의 전면 및 후면에 각기 반사 방지막(22) 및 패시베이션 막(32)을 각기 형성한다. 이러한 반사 방지막(22) 및 패시베이션 막(32)은 진공 증착법, 화학 기상 증착법, 스핀 코팅, 스크린 인쇄 또는 스프레이 코팅 등과 같은 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있다.
이어서, 도 6d에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(10)의 전면에 에미터층(20)에 접촉하는 제1 전극(24)을 형성하고, 반도체 기판(10)의 후면에 후면 전계층(30)의 제1 부분(30a)에 접촉하는 제2 전극(34)을 형성한다.
제1 및 제2 전극 형성용 페이스트를 반사 방지막(22) 및 패시베이션 막(32) 상에 각기 스크린 인쇄 등으로 도포한 후에 파이어 스루(fire through) 또는 레이저 소성 컨택(laser firing contact) 등을 하여 상술한 형상의 제1 및 제2 전극(24, 34)을 형성하는 것도 가능하다. 이 경우에는 별도로 개구부를 형성하는 공정을 수행하지 않아도 된다.
그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 반사 방지막(22)에 개구부를 형성하고 개구부 내에 도금법, 증착법 등의 다양한 방법으로 제1 전극(24)을 형성할 수 있다. 그리고 패시베이션 막(32)에 개구부를 형성하고, 이 개구부 내에 도금법, 증착법 등의 다양한 방법으로 제2 전극(34)을 형성할 수 있다.
이어서, 도 6e에 도시한 바와 같이, 제1 전극(24) 및 제2 전극(34) 상에 각기 리본(142)을 연결한다. 연결 방법으로는 상술한 바와 같이, 솔더링을 이용한 태양 공정, 전도성 필름을 이용한 공정 등 다양한 공정을 사용할 수 있다.
이어서, 도 6f에 도시한 바와 같이, 제1 전극(24)과 리본(142)를 감싸도록 도금층(40)을 형성하고, 제2 전극(34)과 리본(142)를 감싸도록 도금층(40)을 형성한다.
좀더 상세하게는, 전해 도금, 무전해 도금, 광 유도 도금(light-induced plating, LIP) 등의 도금 방법을 이용하여 제1 및 제2 전극(24, 34) 과 리본(142)을 감싸는 도금층(40)을 형성한다. 여기서, 광 유도 도금에 의하면 광을 조사한 상태에서 도금을 수행하여 도금 특성을 향상하고 도금 두께를 충분하게 확복할 수 있다.
이와 같이 본 실시예에서는 제1 및 제2 전극(24, 34)과 리본(142)을 감싸는 도금층(40)을 형성하는 간단한 공정에 의하여 태양 전지(150)의 다양한 특성을 향상할 수 있다.
상술한 실시예에서는 불순물층인 에미터층(20) 및 후면 전계층(30)을 형성한 다음에 반사 방지막(22) 및 패시베이션 막(32)을 형성하고, 그 후에 제1 및 제2 전극(24, 34)을 형성하는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 에미터층(20), 후면 전계층(30), 반사 방지막(22), 패시베이션 막(32), 제1 전극(24), 제2 전극(34)의 형성 순서는 다양하게 변형될 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예들을 좀더 상세하게 설명한다. 상술한 실시예와 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 서로 다른 부분에 대해서만 상세하게 설명한다. 그리고 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용한다.
도 7는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제1 전극, 솔더링층, 리본 및 도금층을 확대하여 도시한 단면도이다. 도 7에서는 도 3의 확대 부분에 대응하는 부분만을 도시한 것으로 다른 부분은 도 3의 실시예와 동일 또는 극히 유사하다. 그리고 아래의 설명은 제2 전극 및 이에 연결되는 리본에도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 7를 참조하면, 본 실시예에서는 제1 전극(24) 위에 솔더링층(26)을 형성하고, 이 솔더링층(26) 위에 리본(142)를 위치한 다음, 솔더링을 하여 제1 전극(24)과 리본(142)을 연결하였다. 솔더링층(26)은 솔더링을 유도할 수 있는 물질, 일례로, 주석, 납 등을 포함할 수 있다.
이와 같이 제1 전극(24) 위에 솔더링층(26)을 형성하면 리본(142)가 솔더링을 위한 솔더링 부분(도 3의 참조부호 142b)를 구비하지 않고 본체 부분(142a)만을 구비하여야 된다. 즉, 우수한 전기적 특성을 가지며 재료 비용을 절감할 수 있는 금속(일례로, 구리)으로 이루어진 리본(142)을 사용할 수 있어 리본(142)의 비용을 절감할 수 있다. 이때, 전기 전도도를 좀더 향상하기 위하여 리본(142)이 구리와 은을 함께 포함할 수도 있다.
이러한 구조는 제1 전극(24)을 형성한 다음 솔더링층(26)을 형성하고, 솔더링층(26) 위에서 리본(142)을 연결하는 태빙 공정 등을 수행한 이후에, 도금층(40)을 형성하는 것에 의하여 구현될 수 있다. 솔더링층(26)은 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있는데, 일례로, 제1 전극(24)을 시드(seed)로 하는 도금 방법에 의하여 형성될 수 있다. 솔더링층(26)의 두께는 도금층(40)보다는 얇게 형성될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 솔더링 특성 등을 고려하여 다양하게 변형될 수 있다. 솔더링층(26)을 형성하는 공정을 이 외의 공정은 도 6a 내지 도 6f를 참조하여 설명한 공정과 유사하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제1 전극, 리본 및 도금층을 확대하여 도시한 단면도이고, 도 9은 도 8의 제1 전극을 도시한 부분 평면도이다. 도 8에서는 도 3의 확대 부분에 대응하는 부분만을 도시한 것으로 다른 부분은 도 3의 실시예와 동일 또는 극히 유사하다. 도 9에서는 도 4의 확대 부분에 대응하는 부분을 확대 도시한 것이다. 그리고 아래의 설명은 제2 전극 및 이에 연결되는 리본에도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 8 및 도 9을 참조하면, 본 실시예에서는 제1 전극(24)이 제1 전극층(241)과 이를 덮는 제2 전극층(242)을 포함한다. 여기서, 제1 전극층(241)은 페이스트를 이용한 인쇄법에 의하여 형성된 전극층이고, 제2 전극층(242)은 도금에 의하여 형성된 전극층일 수 있다.
이때, 핑거 전극(도 9에서 좌우로 연장된 전극)을 구성하는 제1 및 제2 전극층(241, 242)은 서로 제1 피치(P1)를 두고 평행하게 형성된다.
그리고 본 실시예에서는 버스바 전극을 구성하는 제1 전극층(241)이 상대적으로 작은 폭을 가지는 복수의 전극부(EP)를 포함한다. 이때, 복수의 전극부(EP)는 개구부를 가지도록 서로 교차하도록 형성된다. 그리고 제2 전극층(242)은 제1 전극층(241)이 형성된 부분에서 제1 전극층(241)을 덮으면서 형성된다. 그리고 버스바 전극을 구성하는 제2 전극층(242)은 개구부를 메우면서 복수의 전극부(EP)를 덮도록 일체로 형성된다.
본 실시예에서는 버스바 전극을 구성하는 제1 전극층(241)이 복수의 전극부(EP)로 분할되어, 선폭을 줄이는 것에 의하여 두께를 줄일 수 있다. 또한, 인쇄법을 사용할 때 페이스트가 불균일하게 도포되는 문제를 방지할 수 있다. 따라서 제1 전극층(241)을 형성하는 데 사용하는 재료의 양을 절감할 수 있어 제조 비용을 줄일 수 있다. 그리고 제1 전극층(241)을 시드(seed)층으로 사용하여 도금에 의하여 제1 전극층(241)을 덮도록 제2 전극층(242)을 형성하여, 전기적 특성을 향상할 수 있다.
이때, 제1 전극층(241)은 제조 공정을 단순화할 수 있는 인쇄법을 사용하여 형성하고, 제2 전극층(242)은 전기적 특성을 향상할 수 있는 도금법(예를 들어, 전해 도금, 무전해 도금, 광 유도 도금 등)을 사용하여 형성할 수 있다. 이에 의하여 우수한 특성의 제1 전극(24)을 간단한 공정에 의하여 형성할 수 있다.
이때, 상술한 실시예에서는 제2 전극층(242)을 별도로 형성한 것을 예시하였으나, 본 실시예에서는 별도의 제2 전극층(242)을 구비하지 않아도 된다. 즉, 도 10에 도시한 바와 같이, 제2 전극층(도 9의 참조부호 242, 이하 동일) 없이 제1 전극층(241)으로 이루어진 제1 전극(24) 위에 리본(142)을 부착할 수도 있다. 이에 따르면 태빙 공정 등에서 리본(142)의 솔더링 부분(142b)이 제1 전극층(241)의 사이를 메우면서 형성될 수 있다. 그리고 제1 전극(24)과 리본(142)을 감싸면서 도금층(40)이 형성된다. 이와 같이 리본(142)의 솔더링 부분(142b)와 도금층(40)에 의하여 제1 전극(24)과 리본(142)을 우수한 전기적 특성을 가지도록 연결하므로, 제2 전극층(242)을 별도로 구비하지 않아도 무방하다.
그리고 상술한 실시예에서는 제1 전극(24)의 제1 전극층(241)이 설계에 따라 분할된 복수의 전극부(EP)를 구비하는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 도 11에 도시한 바와 같이, 인쇄법 등을 이용하여 제1 전극층(241)을 형성할 때, 설계에 의하여 형성된 전극부(EP) 이외의 전극부(DP)가 형성될 수도 있다. 즉, 페이스트를 도포할 때 일부 부분이 떨어져 나가면서 외곽부 부분에서 잔류하는 전극부(DP)가 형성될 수도 있다. 제2 전극층(242)이 복수의 전극부(EP, DP) 사이를 메우면서 복수의 전극부(EP, DP)를 덮도록 형성되어 전기적 특성을 좀더 향상할 수도 있다. 또는, 도 12에 도시한 바와 같이, 제2 전극층(도 11의 참조부호 242)을 구비하지 않고 리본(142)의 솔더링 부분(142b) 등에 의하여 제1 전극층(241) 사이를 메우는 것도 가능하다.
상술한 바에 따른 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 태양 전지 모듈
124: 리본
150: 태양 전지
24: 제1 전극
34: 제2 전극
40: 도금층

Claims (18)

  1. 광전 변환부;
    상기 광전 변환부에 연결되는 전극;
    상기 전극 위에 형성되며 상기 전극과 전기적으로 연결되는 리본; 및
    상기 전극과 리본을 감싸면서 형성되는 도금층
    을 포함하는 태양 전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도금층은 상기 리본의 상면 및 측면, 그리고 전극의 측면을 함께 감싸도록 형성되는 태양 전지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 도금층은 저항이 상기 리본 또는 상기 전극보다 작은 태양 전지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도금층은 반사도가 상기 리본 또는 상기 전극보다 큰 태양 전지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 도금층이 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 태양 전지.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 도금층이 은을 포함하는 태양 전지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 도금층의 두께는 0.01~3㎛인 태양 전지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 리본은 주석, 납, 구리, 은으로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 적어도 하나 포함하는 태양 전지.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 리본은, 내부에 위치하는 본체 부분과, 상기 제1 부분을 감싸면서 형성되는 솔더링 부분을 포함하고,
    상기 전극과 상기 리본이 접촉 형성되는 태양 전지.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 부분은 구리 및 은 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 제2 부분은 주석 및 납 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 전극과 상기 리본 사이에 상기 전극을 덮도록 솔더링층을 형성하고,
    상기 솔더링층과 상기 리본이 접촉 형성되는 태양 전지.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 전극이 구리 및 은 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 솔더링층이 주석 및 납 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 광전 변환부는, 도전형을 가지는 기판과, 상기 기판에 형성되며 상기 기판의 도전형과 다른 도전형을 가지는 불순물층을 포함하고,
    상기 기판의 일면에 형성되는 절연막을 더 포함하고,
    상기 전극이 상기 절연막을 관통하여 상기 기판 또는 상기 불순물층에 전기적으로 연결되는 태양 전지.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 전극은, 서로 평행하게 배열되는 복수의 핑거 전극과, 상기 복수의 핑거 전극을 전기적으로 연결하는 버스바 전극을 포함하고,
    상기 리본은 상기 버스바 전극 위에 위치하는 태양 전지.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 버스바 전극은, 내부에 개구부가 위치하도록 형성되는 복수의 전극부를 포함하는 제1 전극층과, 상기 개구부를 메우면서 상기 제1 전극층을 덮는 제2 전극층을 포함하는 태양 전지.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 버스바 전극은, 내부에 개구부가 위치하도록 형성되는 복수의 전극부를 포함하는 제1 전극층을 포함하고,
    상기 리본의 일부가 상기 개구부를 메우면서 상기 제1 전극층을 덮는 태양 전지.
  17. 광전 변환부를 준비하는 단계;
    상기 광전 변환부에 전극을 형성하는 단계;
    상기 전극 위에 상기 전극과 전기적으로 연결되는 리본을 부착하는 단계; 및
    상기 전극과 리본을 감싸도록 도금에 의하여 도금층을 형성하는 단계
    를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 도금층을 형성하는 단계에서는 전해 도금, 무전해 도금 및 광야기 도금 중 적어도 어느 한 방법을 이용하는 태양 전지의 제조 방법.
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